Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления

Диссертация: Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Значительная часть теоретических и экспериментальных исследований диссертационной работы выполнена в рамках следующих проектов, поддержанных Российским фондом фундаментальных исследований: «Синтез и исследование супергидрофильного титаносодер-жащего материала» (грант 07−03−543), «Плазменный синтез и исследование слоевых оксинитридных структур Т1т]М?уОг с нанои ультраразмерными составляющими… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Применение, свойства и технология осаждения пленок оксинитрида титана (обзор литературы)
    • 1. 1. Области применения
      • 1. 1. 1. Пленки оксинитрида титана ТЮ2(1-.т)М.г
      • 1. 1. 2. Пленки оксида титана ТЮ
      • 1. 1. 3. Пленки нитрида титана ТШ
    • 1. 2. Управление составом и кристаллической структурой
    • 1. 3. Технология осаждения
      • 1. 3. 1. Особенности метода реактивного магнетронного распыления
      • 1. 3. 2. Диагностика процесса осаждения
    • 1. 4. Моделирование процессов реактивного распыления
  • Выводы и постановка задач диссертационного исследования
  • Глава 2. Контроль процесса осаждения: оптическая эмиссионная спектроскопия
    • 2. 1. Диагностика плазмы методом ОЭС
    • 2. 2. Идентификация линий в спектрах испускания плазмы
      • 2. 2. 1. Экспериментальное оборудование
      • 2. 2. 2. Распыление титановой мишени в среде аргона
      • 2. 2. 3. Распыление титановой мишени в среде кислорода
      • 2. 2. 4. Распыление титановой мишени в среде азота
    • 2. 3. Оптическая эмиссионная спектроскопия при осаждении пленок оксинитрида титана
      • 2. 3. 1. Распыление титановой мишени в среде аргона и кислорода
      • 2. 3. 2. Переходные процессы при распылении титановой мишени в среде аргона и кислорода
      • 2. 3. 3. Распыление титановой мишени в среде аргона и азота
      • 2. 3. 4. Переходные процессы при распылении титановой мишени в среде аргона и азота
      • 2. 3. 5. Распыление титановой мишени в среде аргона, кислорода и азота
  • Выводы
  • Глава 3. Контроль процесса осаждения: Зонд Ленгмюра
    • 3. 1. Диагностика плазмы с помощью зонда Ленгмюра
    • 3. 2. Основные приближения зондовой теории Ленгмюра и погрешности зондовых измерений
      • 3. 2. 1. Влияние постоянного магнитного поля магнетрона
      • 3. 2. 2. Возмущение плазмы, вносимое зондом
      • 3. 2. 3. Загрязнение поверхности зонда
      • 3. 2. 4. Влияние колебаний потенциала плазмы на зондовую характеристику
    • 3. 3. Метод двойного зонда Ленгмюра
      • 3. 3. 1. Конструкция и схема включения двойного зонда
      • 3. 3. 2. Обработка ВАХ двойного зонда
    • 3. 4. Определение параметров плазмы
      • 3. 4. 1. Определение параметров плазмы при распылении титановой мишени в среде аргона
      • 3. 4. 2. Определение параметров плазмы при распылении титановой мишени в среде аргона и кислорода
      • 3. 4. 3. Определение параметров плазмы при распылении титановой мишени в среде аргона и азота
  • Выводы
  • Глава 4. Неизотермическая модель распыления металла в трехкомпонентной газовой среде
    • 4. 1. Основные допущения
    • 4. 2. Система уравнений
      • 4. 2. 1. Кинетика формирования слоя оксинитрида за счет поверхностной химической реакции
      • 4. 2. 2. Уравнение стационарного состояния поверхности мишени
      • 4. 2. 3. Уравнение стационарного состояния поверхности подложки и стенки камеры
      • 4. 2. 4. Газовые потоки при реактивном распылении
      • 4. 2. 5. Система уравнений
    • 4. 3. Анализ обобщенной модели
      • 4. 3. 1. Взаимное влияние потока азота и кислорода
  • Выводы
  • Глава 5. Рекомендации по практическому применению технологии осаждения пленок оксинитрида титана
    • 5. 1. Разработка технологии осаждения
      • 5. 1. 1. Применение модели для оценки границ рабочих режимов
      • 5. 1. 2. Экспериментальное уточнение границ рабочих режимов
      • 5. 1. 3. Влияние основных независимых параметров
      • 5. 1. 4. Влияние термообработки
    • 5. 2. Дифференциальный УФ фотоприемник
    • 5. 3. Пленочные электроды
  • Выводы

Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Пленки оксинитрида титана находят широкое применение для изготовления солнечных фотоприемников, датчиков видимого и УФ излучения, газовых сенсоров, а также для использования в качестве фотокатализаторов и антиотражающих покрытий. В микроэлектронике данные пленки нашли применение в качестве химически стойких проводящих электродов, диффузионных барьеров, газовых барьеров материала для создания омических контактов. Перспективным направлением также является применение пленок оксинитрида титана в качестве диэлектрика в МОП-структурах при изготовлении СБИС.

Под термином пленки оксинитрида титана понимают химическую формулу в которой 0 < х < 1. Для осаждения таких пленок многие исследователи используют метод реактивного магнетронного распыления. Такое внимание обусловлено тем, что этот метод позволяет контролируемо осаждать пленки, используя недорогие исходные материалы (металлы и газы) высокой чистоты. Кроме того, пленки возможно осаждать на подложки большой площади (до 20 м2).

Метод реактивного магнетронного распыления хорошо изучен для случая двухкомпонентной газовой среде с одним реактивным газом. Одновременное применение в процессе реактивного распыления двух реактивных газов приводит к существенному изменению нелинейных и ги-стерезисных эффектов, характерных для данного метода с применением одного реактивного газа. Вследствие этого возникает необходимость в комплексном исследовании процессов протекающих в вакуумной камере, в разработке корректной физико-химической модели процесса реактивного распыления в трехкомпонентной газовой среде с двумя реактивными газами и разработке научно обоснованной технологии осаждения пленок.

Цель диссертационной работы состоит в исследовании метода реактивного магнетронного распыления в трехкомпонентной газовой среде с двумя реактивными газами и разработке научно обоснованной технологии осаждения пленок оксинитрида титана данным методом.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Исследовать процесс распыления титановой мишени в реактивной трехкомпонентной газовой среде с помощью методов диагностики плазмы.

2. Разработать физико-химическую модель процесса распыления металлической мишени в реактивной трехкомпонентной газовой среде.

3. Разработать технологию осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления.

4. Разработать рекомендации по практическому применению технологии осаждения пленок оксинитрида титана.

Научная новизна диссертации заключается в следующем:

1. Выявлены особенности реактивного распыления титановой мишени в трехкомпонентной газовой среде Аг+ОгЧ-^.

2. Установлен эффект появления атомов титана в плазме при добавлении азота в кислородсодержащую среду при оксидном режиме работы.

3. Установлен эффект снижения интенсивности линии атомов аргона на 30−35% при переходе мишени в реактивный режим работы.

4. Разработана обобщенная неизотермическая физико-химическая модель реактивного распыления металлической мишени в трехкомпонентной среде Аг+Ог+Ыг.

Практическую ценность представляют:

1. Реконструкция установки магнетронного распыления путем оснащения спектрофотометром, позволяющая проводить исследование состава аномального тлеющего разряда.

2. Методика исследования плазмы с помощью метода оптической эмиссионной спектроскопии.

3. Реконструкция установки магнетронного распыления, путем оснащения двойным зондом Ленгмюра, позволяющая исследовать температуру и концентрацию электронов в плазме.

4. Методика исследования плазмы с помощью метода зонда Ленгмюра.

5. Методика разработки технологии осаждения пленок оксинитрида титана с помощью обобщенной модели процесса распыления металлической мишени в трехкомпонентной газовой среде.

6. Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления.

7. Метод оценки химического состава и кристаллической структуры пленок с помощью оптических измерений.

8. Исследование влияния дополнительной термообработки на кристаллическую структур и свойства пленок оксинитрида титана.

9. Рекомендации по использованию технологии осаждения пленок ТЮг^-.г)!^. для изготовления дифференциального УФ фотоприемника (патент РФ на полезную модель № 77 047).

10. Рекомендации по использованию технологии осаждения пленок Т1Ы для изготовления пленочных электродов.

Реализация в науке и технике.

1. Значительная часть теоретических и экспериментальных исследований диссертационной работы выполнена в рамках следующих проектов, поддержанных Российским фондом фундаментальных исследований: «Синтез и исследование супергидрофильного титаносодер-жащего материала» (грант 07−03−543), «Плазменный синтез и исследование слоевых оксинитридных структур Т1т]М?уОг с нанои ультраразмерными составляющими» (грант 08−03−90 015-Бела).

2. Разработанные в диссертационной работе методы используют в исследовательской работе и в производстве изделий ОАО «Авангард».

3. Физические представления, теоретические результаты и практические методы, полученные в диссертации, использованы автором в курсах лекций и лабораторных практикумах дисциплин «Технология материалов и изделий электронной техники» и «Основы физики вакуума» для студентов СПбГЭТУ «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина).

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Ввод азота в вакуумную камеру при оксидном режиме работы мишени приводит появлению в спектрах испускания плазмы линий «Л, интенсивность которой зависит от расхода кислорода и азота.

2. При распылении титановой мишени в трехкомпонентной газовой среде Аг+Ог-Ь^ переход в оксинитридный режим работы приводит к уменьшению степени возбуждения атомов аргона примерно в 1.1−1.3 раза и зависит от расхода кислорода и азота.

3. При переходе мишени в оксинитридный режим работы температура электронов увеличивается примерно в два раза, а их концентрация уменьшается примерно в 6 рази, эти изменения зависят от расхода кислорода и азота.

4. Модель реактивного распыления металлической мишени в трехкомпонентной газовой среде, основанная на поверхностных химических реакциях, протекающих в неизотермических условиях, корректно отражает экспериментально наблюдаемые эффекты и служит методической базой для разработки технологии осаждения пленок оксинит-рида титана.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международных и Всероссийских конференциях, а также на научно-технических семинарах, среди которых: Научно-технический семинар «Вакуумная техника и технология» (г. Санкт-Петербург, 2006;2008 гг.), XII Международная конференция «Высокие технологии в промышленности России» (г. Москва, 2006 г.), III Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах «ФАГРАН-2006» (г. Воронеж, 2006 г.), 60-я научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава университета (г. Санкт-Петербург, 2007 г.), 8-я Международная конференция «Пленки и покрытия» (г. Санкт-Петербург, 2007 г.), XX Всероссийское совещание по температуроустойчивым функциональным покрытиям (г. Санкт-Петербург, 2007 г.), I Международная научная конференция «Наноструктурные материалы-2008: НАНО-2008» (г. Минск, 2008 г.), IV научно-техническая конференция молодых специалистов по радиоэлектронике (г. Санкт-Петербург, 2011 г.).

Публикации. Основные теоретические и практические результаты диссертации опубликованы в 16 статьях и докладах, из них по теме диссертации 16, среди которых 4 публикации в ведущих рецензируемых изданиях, рекомендованных в действующем перечне ВАК, 2 статьи в других изданиях. Доклады доложены и получили одобрение на 9 международных, всероссийских и межвузовских научно-практических конференциях перечисленных в конце автореферата. Основные положения защищены 1 патентом на полезную модель.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 5 глав с выводами, заключения и практических рекомендаций. Она изложена на 143 страницах машинописного текста, включает 110 рисунков, 5 таблиц и содержит список литературы из 165 наименований, среди которых 17 отечественных и 148 иностранных авторов.

Выводы.

Таким образом, основные результаты, полученные в главе 5 состоят в следующем:

1. Разработана технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления:

• для начальной оценки границ допустимых режимов использована обобщенная физико-химическая модель процесса (глава 4);

• Экспериментально уточнены границы режимов с помощью метода ОЭС (глава 2);

2. Выполнена оценка химического состава и кристаллической структуры осаждаемых пленок с помощью оптических измерений.

3. Методом РФА исследована кристаллическая структура пленок и влияние на нее параметров осаждения.

4. Установлено влияние дополнительной термообработки в различных условиях на свойства пленок.

5. Разработаны рекомендации по использованию технологии осаждения пленок оксинитрида титана для изготовления дифференциального УФ фотоприемника и пленок нитрида титана в качестве пленочных электродов в изделиях микроэлектроники.

Заключение

.

Основные научные результаты выполненной диссертационной работы состоят в следующем:

1. Установлены основные закономерности процесса реактивного распыления титановой мишени в трехкомпонентной газовой среде. Исследовании проведены методом ОЭС и зонда Ленгмюра.

2. Разработана обобщенная физико-химическая модель реактивного распыления металлической мишени в трехкомпонентной газовой среде.

3. Разработана научно обоснованная технология осаждения пленки ок-синитрида титана методом реактивного магнетронного распыления.

4. Выработаны рекомендации по практическому применению технологии осаждения пленок оксинитрида титана для изготовления дифференциального УФ фотоприемника и пленочных электродов.

Диссертация является научно-квалификационной работой, в которой изложены научно обоснованные технические разработки, имеющие существенное значение для экономики страны.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Growth and characterization of nitrogen-doped ТЮ2 thin films prepared by reactive pulsed laser deposition / G. Sauthier, F. Ferrer, A. Figueras et al. // Thin Solid Films. — 2010. — Vol. 519. — P. 1464−1469.
  2. Towards understanding the superior properties of transition metal oxynitrides prepared by reactive DC magnetron sputtering / S. Venkataraj, D. Severin, S. Mohamed et al. // Thin Solid Films.— 2006. Vol. 502. — P. 228−234.
  3. Optical constants and film density of TiN. rO?y solar selective absorbers / M. Lazarov, P. Raths, H. Metzger et al. // J. Appl. Phys. 1995. -Vol. 77, № 5, — P. 2133−2137.
  4. Graded selective coatings based on chromium and titanium oxynitride / C. Nunes, V. Teixeira, M. Prates et al. // Thin Solid Films. 2003. -Vol. 442, — P. 173−178.
  5. Effect of ambient gas on structural and optical properties of titanium oxynitride films / S. K. Rawal, A. K. Chawla, V. Chawla et al. // Applied Surface Science. 2010. — Vol. 256. — P. 4129−4135.
  6. Oxidative power of nitrogen-doped ТЮ2 photocatalysts under visible illumination / M. Mrowetz, W. Balcerski, A. Colussi et al. // J. Phys. Chem. B. 2004. — Vol. 108, № 45. — P. 17 269−17 273.
  7. Reactively sputtered N-doped titanium oxide films as visible-light pho-tocatalyst. / M.-S. Wong, H. P. Chou, T.-S. Yang // Thin Solid Films. 2006. — Vol. 494. — P. 244−249.
  8. Photoelectrochemical and optical properties of nitrogen doped titanium dioxide films prepared by reactive dc magnetron sputtering / G. Torres, T. Lindgren, S.-E. Lindquist et al. // Journal of Physical Chemist B. — 2003. Vol. 107, № 24. — P. 5709−5716.
  9. Effect of nitrogen on the photocatalytic activity of TiOxNy thin films / K. Prabakar, T. Takabashi, T. Nezuka et al. // J. Vac. Sci. Technol.
  10. A. 2006. — Vol. 24, № 4. — P. 1156−1160.
  11. Visible light-active nitrogen-doped Ti02 thin films prepared by DC magnetron sputtering used as a photocatalyst / K. Prabakar, T. Taka-hashi, T. Nezuka et al. // Renewable Energy. 2008. — Vol. 33. -P. 277−281.
  12. A study on the synergistic adsorptive and photocatalytic activities of TiO (2x)Na-/Beta composite catalysts under visible light irradiation / Q. Shen, W. Zhang, Z. Hao et al. // Chemical Engineering Journal. — 2010, — Vol. 165, № 1.- P. 301−309.
  13. A study of growth and morphological features of TiOx. Ny thin films prepared by MOCVD. / S. Pradhan, P. Reucroft // J. Cryst. Growth. — 2003. Vol. 250. — P. 588−594.
  14. TiN/titanium-aluminum oxynitride/Si as new gate structure for 3D MOS technology / J. Miyoshi, L. Lima, J. Diniz et al. // Microelectronic Engineering. — 2011.
  15. Titanium-aluminum oxynitride (TAON) as high-k gate dielectric for sub-32 nm CMOS technology / J. Miyoshi, J. Diniz, A. Barros et al. // Microelectronic Engineering. 2010. — Vol. 87, № 3. — P. 267−270.
  16. Structural and Electrical Properties of TiNj-0?y Thin-Film Resistors for 30 dB Applications of pi-type Attenuator / N. Cuong, D. Kim,
  17. B. Kang et al. // J. Electrochem. Soc. 2006.- Vol. 153, № 9.-P. G856-G859.
  18. Characterizations of high resistivity TiNxO, y thin films for applications in thin film resistors / N. Cuong, D.-J. Kim, B.-D. Kang et al. // Microelectronics Reliability. 2007. — Vol. 47. — P. 752−754.
  19. Failure mechanisms of TiN thin film diffusion barriersstar / N. Kumar, K. Pourrezaei, B. Lee et al. // Thin Solid Films. 1988. — Vol. 164. -P. 417−428.
  20. Comparative studies of TiN and Tii-^Al^N by plasma-assisted chemical vapor deposition using a TiCLi/AlCl3/N2/H2/Ar gas mixture. / K. Kim, S. Lee // Thin Solid Films. 1996. — Vol. 283. — P. 165−170.
  21. Gas barrier properties of titanium oxynitride films deposited on polyethylene terephthalate substrates by reactive magnetron sputtering. / M.-C. Lin, L.-S. Chang, H. Lin // Applied Surface Science. — 2008. Vol. 254. — P. 3509−3516.
  22. Structural, optical and mechanical properties of coloured TiN-rO?y thin films / F. Vaz, P. Cerqueira, L. Rebouta et al. // Thin Solid Films. — 2004. Vol. 447/448. — P. 449−454.
  23. Activation energy of water vapor and oxygen transmission through TiNA,/PET gas barrier films. / M. Lin, M.-J. Chen,.L.-S. Chang // Applied Surface Science. 2010. — Vol. 256. — P. 7242−7245.
  24. Optical properties of anatase Ti02 thin films prepared by aqueous sol-gel process at low temperature. / Z. Wang, U. Helmersson, P.-O. Kail // Thin Solid Films. 2002. — Vol. 405. — P. 50−54.
  25. Equipment, materials and processes: a review of high rate sputtering technology for glass coating / S. Nadel, P. Greene, J. Rietzel et al. // Thin Solid Films. 2003. — Vol. 442. — P. 11−14.
  26. Electrochemical Photolysis of Water at a Semiconductor Electrode. / A. Fujishima, K. Honda // Nature. 1972. — Vol. 37. — P. 238.
  27. Titanium dioxide photocatalysis. / A. Fujishima, T. Rao, D. Tryk // J.Photochem.Photobiol.C. — 2000. — Vol. 1, № l.-P. 1−21.
  28. Thin titanium oxide films deposited by e-beam evaporation with additional rapid thermal oxidation and annealing for ISFET applications / A. Barros, K. Albertin, J. Miyoshi et al. // Microelectronic Engineering. 2010. — Vol. 87. — P. 443−446.
  29. Synthesis of high dielectric constant titanium oxide thin films by met-alorganic decomposition / H. Fukuda, S. Maeda, K. M. A. Salam et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. — Vol. 41. — P. 6912−6915.
  30. Development of hafnium oxynitride dielectrics for radio-frequency-mi-croelectromechanical system capacitive switches / Y. Zhang, J. Lu, K. Onodera et al. // Sensors and Actuators A. 2007, — Vol. 139. — P. 337−342.
  31. Enhanced dielectric properties of modified Ta205 thin films. / S. D. Chandra, C. J. Pooran, B. D. Seshu // Mat. Res. Innovat. 1999.— Vol. 2. — P. 299−302.
  32. Dielectric property of (Ti02).r-(Ta205)i^r thin films. / J.-Y. Gan, Y. C. Chang, T. B. Wu // Appl. Phys. Lett.- 1998.- Vol. 72, № 3.-P. 332−334.
  33. Titanium dioxide (Ti02)-based gate insulators. / S. Campbell, H. Kim, D. Gilmer // IBM Journal of Research and Development.— 1999. — Vol. 43. P. 383.
  34. Photo-induced preparation of (Ta205)i2-(Ti02)x dielectric thin films using sol-gel processing with xenon excimer lamps. / N. Kaliwoh, J.-Y.Zhang, W. Boyd // Appl. Sur. Sci. 2000. — Vol. 168. — P. 13−16.
  35. Fixed charge and interface traps at heterovalent interfaces between Si (100) and non-crystalline AI2O3—Ta20.5 alloys. / R. Johnson, G. Lucovsky, J. Hong // Microelectronic Engineering. — 2001.— Vol. 59. — P. 385−391.
  36. Interface electronic structure of Ta205-Al203 alloys for Si-field effect transistor gate dielectric applications / M. Ulrich, R. Johnson, J. Hong et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. — Vol. 20, № 4. -P. 1732−1738.
  37. Structure and adhesive properties of TiN films reactively deposited by plasma-free sputtering / T. Takahashi, M. Asada, K. Masugata et al. // Thin Solid Films. 1999. — Vol. 343−344. — P. 273−276.
  38. Substrate-dependent structure, microstructure, composition and properties of nanostructured TiN films. / M. Kiran, M. G. Krishna, K. Padmanabhan // Solid State Communications. — 2011. — Vol. 151. — P. 561−563.
  39. Epitaxial strontium oxide layers on silicon for gate-first and gate-last TiN/Hf02 gate stack scaling / M. M. Frank, C. Marchiori, J. Bru-ley et al. // Microelectronic Engineering. — 2011.— Vol. 88, № 7.— P. 1312−1316.
  40. Corrosion-resistant metal layers from a CMOS process for bio-electronic applications / M. Birkholz, K.-E. Ehwald, D. Wolanskyet al. // Surface&Coatings Technology. 2010. — Vol. 204, № 12−13. -P. 2055−2059.
  41. Low frequency noise in Schottky barrier contacts of titanium nitride on n-type silicon / F. Farmakis, J. Brini, N. Matheiu et al. // Semicond. Sci. Technol. 1998. — Vol. 13. — P. 1284−1289.
  42. Corrosion-resistant metal layers from a CMOS process for bioelectronic applications / M. Birkholz, K.-E. Ehwald, D. Wolansky et al. // Surface&Coatings Technology. 2010. — Vol. 204. — P. 2055−2059.
  43. Electrical properties of titanium nitride thin films deposited by reactive sputtering. / K. Kawabata, T. Muto // Electrocomponent Science and Technology. 1981. — Vol. 8. — P. 249.
  44. Свойства тонких пленок оксида олова, полученных пиролитической пульверизацией. / А. Елисеев, С. Шутов, П. Макаров // Вестник Херсонского Государственного технического университета. — 1998, — Vol. 4.- Р. 183−184.
  45. Структурные и фазовые превращения в тонких пленках титана при облучении азот-водородной плазмой. / А. Чапланов, Е. Щербакова // Журнал технической физики.— 1999.— Vol. 69, № 10. Р. 102−108.
  46. Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидогаллиевых СВЧ-приборах / В. Иванов, Р. Конакова, В. Миленин et al. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002. — Vol. 6, № 6. — Р. 54−56.
  47. , Д. Анализ поверхностей методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Д. Бриггс, М. П. Сих. — М.: Мир, 1987. 598 с.
  48. , С. А. Методы анализа поверхностей / С. А. Зандерна. — М.: Мир, 1979. 582 с.
  49. Evaluation of photocatalytic properties of titanium oxide films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition. / M. Masahiko, W. Teruyoshi // Thin Solid Films.- 2005, — Vol. 489, № ½. — P. 320−324.
  50. Influence of argon flow rate on Ti02 photocatalyst film deposited by dc reactive magnetron sputtering / Z. Wenjie, L. Ying, Z. Shenglong et al. // Surface&Coatings Technology. 2004, — Vol. 182, № 2/3. — P. 192−198.
  51. Influence of annealing temperature on the properties of titanium oxide thin film / Y.-Q. Hou, D.-M. Zhuang, G. Zhang et al. // Appl. Surf. Sci. 2003. — Vol. 218. — P. 98−106.
  52. Structure and hydrophilicity of titanium oxide films prepared by electron beam evaporation. / T.-S. Yang, C.-B. Shiu, M.-S. Wong // Surf. Sci. — 2004. Vol. 548. — P. 75−82.
  53. Effect of nitrogen pressure on the hardness and chemical states of TiAlCrN coatings / F. Sullivan, F. Huang, A. Barnard et al. // J.Vac.Sci.Technol. A. 2005. — Vol. 23, № 1. — P. 78−84.
  54. Surface reactivity of titanium-aluminum alloys: Ti3Al, TiAl and TiA^ / D. Mencer, T. Hess, T. Mebrahtu et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. -1991, — Vol. 9.- P. 1610.
  55. The initial stages of oxidation of y-TiAl: an X-ray photoelectron study / M. Schmiedgen, P. Graat, B. Baretzky et al. // Thin Solid Films. — 2002, — Vol. 415. P. 114−122.
  56. Optical, electrical and mechanical properties of the tantalum oxynitride thin films deposited by pulsing reactive gas sputtering / H. L. Dreo, O. Banakh, H. Keppner et al. // Thin Solid Films.- 2006, — Vol. 515.- P. 952−956.
  57. Reactive gas pulsing process: A method to extend the composition range in sputtered iron oxynitride films / C. Petitjean, M. Grafoute, C. Rous-selot et al. // Surface&Coatings Technology. 2008. — Vol. 202. -P. 4825−4829.
  58. In situ IR pyrometric analysis during thermal treatment in air of TiOzNy coatings. / F.-D. Duminica, F. Maury // Surface&Coatings Technology. 2008. — Vol. 202. — P. 2423−2427.
  59. Electronic properties of N- and C-doped Ti02. / J.-Y. Lee, P. Jaewon, J.-H. Cho // Applied Physics Letters. 2005. — Vol. 87, № 1. — P. 3.
  60. X-ray spectroscopic study of the electronic structure of visible-light responsive N-, C- and S-doped Ti02 / X. Chen, P.-A. Glans, X. Qiu et al. // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. — 2008.-Vol. 162.-P. 67−73.
  61. Influence of the O/C ratio in the behaviour of TiCx. Oy thin films / A. Fernandes, F. Vaz, L. Rebouta et al. // Surface&Coatings Technology. 2007. — Vol. 201. — P. 5587−5591.
  62. Solvothermal synthesis of C-N codoped Ti02 and photocatalytic evaluation for bisphenol A degradation using a visible-light irradiated LED photoreactor. / X. Wang, T.-T. Lim // Applied Catalysis B: Environmental. 2010. — Vol. 100. — P. 355−364.
  63. Titanium dioxide nanoparticles co-doped with Fe3+ and Eu3+ ions for photocatalysis / P. Yang, C. Lu, N. Hua et al. // Materials Letters. — 2002, — Vol. 57, — P. 794−801.
  64. Fe-doped photocatalytic Ti02 film prepared by pulsed dc reactive magnetron sputtering / W. Zhang, Y. Li, S. Zhu et al. // J. Vac. Sei. Technol. A. 2003, — Vol. 21, № 6, — P. 1877−1882.
  65. Surface modification of Ti02 film by iron doping using reactive magnetron sputtering / W. Zhang, Y. Li, S. Zhu et al. // Chemical Physics Letters. 2003. — Vol. 373. — P. 333−337.
  66. Copper doping in titanium oxide catalyst film prepared by dc reactive magnetron sputtering. / Z. Wenjie, L. Ying, Z. Shenglong et al. // Catalysis Today. 2004. — Vol. 93−95. — P. 589.
  67. Visible-light-induced photocatalytic oxidation oi carboxylic acids and aldehydes over N-doped Ti02 loaded with Fe, Cu or Pt / T. Morikawa, T. Ohwaki, K. ichi Suzuki et al. // Applied Catalysis B: Environmental. 2008. — Vol. 83. — P. 56−62.
  68. Characterization and photocatalytic activity of N-doped Ti02 prepared by thermal decomposition of Ti-melamine complex. / M. Sathish, B. Viswanathan, R. Viswanath // Applied Catalysis B: Environmental. 2007. — Vol. 74. — P. 307−312.
  69. , A. M. Рентгеновская структурная диагностика в исследовании поверхностных слоев / А. М. Афанасьев, П. А. Александров, Р. М. Имамов. — М.: Мир, 1986. — 94 с.
  70. , Jl. М. Рентгенофазовый анализ / JI. М. Ковба, В. К. Трунов, — Изд. Московского университета, 1976. — 231 с.
  71. V and N co-doped nanocrystal anatase Ti02 photocatalysts with enhanced photocatalytic activity under visible light irradiation. / D.-E. Gu, B.-C. Yang, Y.-D. Hu // Catalysis Communications. — 2008. — Vol. 9.- P. 1472−1476.
  72. Visible-light photocatalysis in nitrogen-doped titanium oxides / R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohwak et al. // Science. 2001.- Vol. 293. — P. 269.
  73. The effect of nitrogen ion implantation on the photoactivity of Ti02 rutile single crystals / O. Diwald, T. Thompson, T. Zubkov et al. // J. Phys. Chem. B. 2004. — Vol. 108. — P. 52.
  74. A simple route to synthesize highly crystalline N-doped Ti02 particles under low temperature / J. Xu, Y. Ao, D. Fu et al. // Journal of Crystal Growth. 2008. — Vol. 310, № 19. — P. 4319−4324.
  75. Photoelectrochemical properties of N-doped self-organized titania nan-otube layers with different thicknesses / J. Macak, A. Ghicov, R. Hahn et al. // J. Mater. Res. 2006. — Vol. 21. — P. 2824−2828.
  76. IR and XPS investigation of visible-light photocatalysis nitrogen-carbon-doped Ti02 film / J. Yang, H. Bai, X. Tan et al. // Appl. Surf. Sci. 2006. — Vol. 253. — P. 1988.
  77. Effects of surface oxygen vacancies on photophysical and photochemical processes of Zn-doped Ti02 nanoparticles and their relationships / L. Jing, B. Xin, F. Yuan et al. // J. Phys. Chem. B. 2006.- Vol. 110. — P. 17 860.
  78. Process stabilization and increase of the deposition rate in reactive sputtering of metal oxides and oxynitrides / D. Severin, O. Kappertz, T. Kubart et al. // Applied Physics Letters.- 2006.- Vol. 88.-P. 161 504.
  79. Oxidation of vanadium nitride and titanium nitride coatings / A. Glaser, S. Surnev, F. Netzer et al. // Surface Science. — 2007.— Vol. 601.— P. 1153−1159.
  80. Structural, mechanical and corrosion properties of TiOxN? y/ZrOx.N?/ multilayer coatings / M. Balaceanu, V. Braic, M. Braic et al. // Sur-face&Coatings Technology. 2008. — Vol. 202. — P. 2384−2388.
  81. Deep-level optical spectroscopy investigation of N-doped Ti02 films / Y. Nakano, T. Morikawa, T. Ohwaki et al. // Applie. 2005.-Vol. 86, — P. 132 104.
  82. Reactive sputtering of TiOxNj, coatings by the reactive gas pulsing process. Part I: Pattern and period of pulses / N. Martin, J. Lintymer, J. Gavoille et al. // Surface&Coatings Technology. — 2007.— Vol. 201, — P. 7720−7726.
  83. Titanium oxynitride thin films sputter deposited by the reactive gas pulsing process / J.-M. Chappe, N. Martin, J. Lintymer et al. // Applied Surface Science. 2007. — Vol. 253. — P. 5312−5316.
  84. Preparation of titanium oxynitride thin films by reactive sputtering using air/Ar mixtures. / M.-H. Chan, F.-H. Lu // Surface&Coatings Technology. 2008. — Vol. 203, № 5−7. — P. 614−618.
  85. Characteristics of N-doped titanium oxide prepared by the large scaled DC reactive magnetron sputtering technique. / S.-W. Park, J.-E. Heo // Separation and Purification Technology. — 2007. — Vol. 58. — P. 200−205.
  86. Origin of visible-light sensitivity in N-doped Ti02 films / Y. Nakano, T. Morikawa, T. Ohwaki et al. // Chemical Physics. — 2007. — Vol. 339. P. 20−26.
  87. Chemical composition, crystallographic structure and impedance spectroscopy of titanium oxynitride TiNxO, — thin films / M. Radecka, E. Pa-mula, A. Trenczek-Zajac et al. // Solid State Ionics. — 2011.— Vol. 192.- P. 693−698.
  88. Effects of nitrogen partial pressure on titanium oxynitride films deposited by reactive RF magnetron sputtering onto PET substrates. / M. Lin, L.-S. Chang, H. Lin // Surface&Coatings Technology. — 2008. — Vol. 202. P. 5440−5443.
  89. Enhanced photocatalytic activities of Ta, N co-doped Ti02 thin films under visible light. / K. Obata, H. Irie, K. Hashimoto // Chemical Physics. 2007. — Vol. 339. — P. 124−132.
  90. Enhanced visible-light absorption from PdO nanoparticles in nitrogendoped titanium oxide thin films. / Q. Li, W. Liang, J. K. Shang // Applied Physics Letters. 2007. — Vol. 90. — P. 63 109.
  91. Fabrication of N-doped Ti02 thin films by laser ablation method: Mechanism of N-doping and evaluation of the thin films / S. Somekawa, Y. Kusumoto, M. Ikeda et al. // Catalysis Communications. — 2008. — Vol. 9. P. 437−440.
  92. Recovery of visible-light photocatalytic efficiency of N-doped Ti02 nanoparticulate films / L. Mi, P. Xu, H. Shen et al. // Journal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry. — 2008. — Vol. 193. — P. 222−227.
  93. Properties of structurally excellent N-doped Ti02 rutile / S. Chambers, S. Cheung, V. Shutthanandan et al. // Chemical Physics. — 2007. — Vol. 339. P. 27−35.
  94. Characterization of titanium oxynitride films deposited by low pressure chemical vapor deposition using amide Ti precursor. / X. Song, D. Gopireddy, C. G. Takoudis // Thin Solid Films. 2008. — Vol. 516, № 18.- P. 6330−6335.
  95. Effect of thermal treatment on photocatalytic activity of N-doped Ti02 particles under visible light / K. Yamada, H. Yamane, S. Matsushima et al. // Thin Solid Films. 2008. — Vol. 516. — P. 7482−7487.
  96. Visible-light photocatalytic behavior of two different N-doped Ti02 / J. Zhang, Y. Wang, Z. Jin et al. // Applied Surface Science. — 2008. — Vol. 254. P. 4462−4466.
  97. Novel method for preparation of high visible active N-doped Ti02 pho-tocatalyst with its grinding in solvent / I.-C. Kang, Q. Zhang, S. Yin et al. // Applied Catalysis B: Environmental. 2008. — Vol. 84, № 3−4. — P. 570−576.
  98. Effective photocatalytic decomposition of VOC under visible-light irradiation on N-doped Ti02 modified by vanadium species / S. Higashimo-to, W. Tanihata, Y. Nakagawa et al. // Applied Catalysis A: General. — 2008.- Vol. 340.- P. 98−104.
  99. N-doped Ti02 coatings grown by atmospheric pressure MOCVD for visible light-induced photocatalytic activity. / F.-D. Duminica, F. Maury, R. Hausbrand // Surface&Coatings Technology. — 2007. — Vol. 201. — P. 9349−9353.
  100. TiOxN?y coatings grown by atmospheric pressure metal organic chemical vapor deposition. / F. Maury, F.-D. Duminica // Surface&Coatings Technology. 2010. — Vol. 205. — P. 1287−1293.
  101. The effect of postnitridation annealing on the surface property and photocatalytic performance of N-doped Ti02 under visible light irradiation / X. Chen, X. Wang, Y. Hou et al. // Journal of Catalysis. 2008. -Vol. 255. — P. 59−67.
  102. Dark conductivity and transient photoconductivity of nanocrystalline undoped and N-doped Ti02 sol-gel thin films. / K. Pomoni, A. Vomvas, C. Trapalis // Thin Solid Films. 2008. — Vol. 516. — P. 1271−1278.
  103. N-doped Ti02: Theory and experiment / C. D. Valentin, E. Finazzi, G. Pacchioni et al. // Chemical Physics.- 2007.- Vol. 339. — P. 44−56.
  104. Investigation of nitrogen doped Ti02 photocatalytic films prepared by reactive magnetron sputtering / C. Song-Zhe, Z. Peng-Yi, Z. Da-Ming et al. // Catalysis Communications. 2004. — Vol. 5, № 11. — P. 677.
  105. Titanium nitride oxidation chemistry: an X-ray photoelectron spectroscopy study. / N. Saha, H. Tompkins // J. Appl. Phys. — 1992. — Vol. 72. P. 3072.
  106. Ngaruiya, J. Fundamental processes in growth of reactive DC magnetron sputtered films: Ph.D. thesis / Rwth Aachen. — 2004.
  107. Influence of nitrogen content on properties of direct current sputtered TiO: cN-y films / S. Mohamed, O. Kappertz, J. Ngaruiya et al. // Phys. Status Solidi A. 2004. — Vol. 201. — P. 90−102.
  108. Effect of deposition methods on the properties of photocatalytic Ti02 thin films prepared by spray pyrolysis and magnetron sputtering. / A. Martinez, D. Acosta, A. Lopez // J. Phys.: Condens. Matter. — 2004. Vol. 16. — P. S2335-S2344.
  109. Mechanisms of voltage controlled, reactive, planar magnetron sputtering of Al in Ar-N2 and Ar-02 atmospheres. / J. Affinito, R. Parsons // J. Vac. Sci. Technol. A. 1984. — Vol. 2, № 3. — P. 1276−1284.
  110. An investigation of hysteresis effects as a function of pumping speed, sputtering current, and 02/Ar ratio, in Ti-02 reactive sputtering processes. / E. Kusano // J. Appl. Phys.— 1991.— Vol. 70.— P. 7089−7096.
  111. Reactive high rate d.c. sputtering: deposition rate, stoichiometry and features of tiox and tinx films with respect to the target mode. / S. Schiller, G. Beister, W. Seiber // Thin Solid Films. 1984, — Vol. 111.- P. 259−268.
  112. Hysteresis effects in the sputtering process using two reactive gases / H. Barankova, S. Berg, C. Nender et al. // Thin Solid Films. — 1995. — Vol. 260.- P. 181−186.
  113. Oxygen active species in an Ar-02 magnetron discharge for titanium oxide deposition / V. Vancoppenolle, P.-Y. Jouan, A. Ricard et al. // Applied Surface Science. 2002. — Vol. 205. — P. 249−255.
  114. OES monitoring of sequential deposition of C/W layers by PECVD/magnetron sputtering techniques / T. Acsente, E. Ionita,
  115. C. Stancu et al. // Surface&Coatings Technology.— 2011, — Vol. 205. P. S402-S406.
  116. Glow discharge optical emission spectroscopy for accurate and well resolved analysis of coatings and thin films / M. Wilke, G. Teichert, R. Gemma et al. // Thin Solid Films. — 2011.
  117. Surface density of growth defects in different PVD hard coatings prepared by sputtering / P. Panjan, M. Cekada, M. Panjan et al. // Vacuum. 2011.
  118. Observation of the transition of operating regions in a low-pressure inductively coupled oxygen plasma by Langmuir probe measurement and optical emission spectroscopy. / D. Seo, T. Chung // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. — Vol. 34. — P. 2854−2861.
  119. Characterization of argon plasma by use of optical emission spectroscopy and Langmuir probe measurements / A. Qayyum, M. Ikram, M. Zakaullah et al. // International Journal of Modern Physics B. — 2003. Vol. 17, № 1. — P. 2749−2759.
  120. Electrostatic probe diagnostics of a planar-type radio-frequency inductively coupled oxygen plasma / D. Seo, T. Chung, H. Yoon et al. // J. Appl. Phys. 2001. — Vol. 89. — P. 4218−4223.
  121. Determination of temperature in an arc discharge plasma by using a double probe. / A. Pulzara, L. Garcia, A. Devia // PLASMA PHYSICS: IX Latin American Workshop. AIP Conference Proceedings. — 2001. — Vol. 563, — P. 17−22.
  122. Time resolved Langmuir probe measurements in medium pressure Ar-H2 microwave plasma. / E. Teboul, A. Rousseau, P. Leprince.
  123. Mechanism of rf reactive sputtering. / F. Shinoki, A. Itoh // J. Appl. Phys. 1975. — Vol. 46, № 8. — P. 3381−3384.
  124. Deposition of amino-rich coatings by RF magnetron sputtering of Nylon: In-situ characterization of the deposition process / O. Kylian, J. Kousal, A. Artemenko et al. // Surface&Coatings Technology. — 2011.- Vol. 205.- P. S558-S561.
  125. Titanium atom densites in reactive rf magnetron sputtering for Ti02 deposition. / N. Tadashi, O. Kunio // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. -Vol. 20, № 1, — P. 1−6.
  126. , A. H. Основы спектрального анализа / A. H. Зайдель. — М.: Наука, 1965. 324 с.
  127. Deposition of TiOx thin film using the grid-assisting magnetron sputtering. / M. J. Jung, Y. M. Kim, Y. M. Chung // Thin Solid Films. -2004. Vol. 447−448. — P. 430−435.
  128. Time-resolved optical emission spectroscopy of pulsed DC magnetron sputtering plasmas / J. Lopez, W. Zhu, A. Freilich et al. // J. Phys, D: Appl. Phys. 2005. — Vol. 38. — P. 1769−1780.
  129. Optical diagnostics of d.c. and r.f. argon magnetron discharges / M. Dony, A. Ricard, J. Dauchot et al. // Surface&Coatings Technology. 1995. — Vol. 74−75. — P. 479−484.
  130. Study of an argon-hydrogen RF inductive thermal plasma torch used for silicon deposition by optical emission spectroscopy / F. Bourga, S. Pel-lerinb, D. Morvana et al. // Solar Energy Materials&Solar Cells. — 2002.- Vol. 72.- P. 361−371.
  131. Effects of Added 02 upon argon emission from an RF discharge. / J. B. Lounsbury // J. Vac. Sci. Technol. 1969. — Vol. 6. — P. 836−842.
  132. Argon-oxygen interactionin rf sputtering glow discharges. / C. R. Aita, M. E. Marhic // J. Appl. Phys. 1981. — Vol. 52. — P. 6584−6587.
  133. Optical emission spectroscopy and modeling of plasma produced by laser ablation of titanium oxides. / A. D. Giacomo, V. Shakhatov, O. Pascale // Spectroch. Acta Part B: Atomic Spectrosc. — 2001. — Vol. 56. P. 753−776.
  134. Investigation on optical emission spectra during ECR plasma enhanced magnetron sputtering carbon nitride film deposition / J. Xu, T. Ma, J. Zhang et al. // Intern. J. Modern Phys. B. 2002, — Vol. 16,-P. 1120−1126.
  135. Active species characterization in RF remote oxygen plasma using actinometry OES and electrical probes. / S. Saloum, M. Naddaf, B. Alkhaled // Vacuum. 2010. — Vol. 85, № 3. — P. 439−442.
  136. O" density measurements in the pulsed-DC reactive magnetron sputtering of titanium. / R. Dodd, S. You, J. W. Bradley // Thin Solid Films. 2010. — Vol. 519, № 5, — P. 1705−1711.
  137. Time-resolved plasma parameters in the HiPIMS discharge with Ti target in Ar/02 atmosphere / M. Cada, Z. Hubicka, P. Adamek et al. // Surface&Coatings Technology. 2011. — Vol. 205. — P. S317-S321.
  138. Time and space resolved Langmuir probe measurements of a pulsed vacuum arc plasma / L. Chen, D. Jin, X. Tan et al. // Vacuum. — 2010. Vol. 85, № 5. — P. 622−626.
  139. Mechanism of reactive sputtering of Indium III: A general phenomeno-logical model for reactive sputtering. / A. Eltoukhy, B. Natarajan, J. Greene // Thin Solid Films. 1980. — Vol. 69. — P. 229−235.
  140. A reactive sputtering process model for symmetrical planar diode systems. / J. Avaritsiotis, C. Tsiogas // Thin Solid Films. — 1992. — Vol. 209, — P. 17−25.
  141. Time-dependent simulation modelling of reactive sputtering. / E. Ku-sano, D. Goulart // Thin Solid Films.- 1990, — Vol. 193−194. — P. 84−91.
  142. The problem of reactive sputtering and cosputtering of elemental targets. / K. Steenbeck, E. Steinbeiss, K.-D. Ufert // Thin Solid Films. — 1982, — Vol. 92, — P. 371−380.
  143. Computational modeling of reactive gas modulation in radio frequency reactive sputtering / H. Sekiguchi, H. Murakami, A. Kanzawa et al. // J. Vac. Sci.Technol. A. 1996, — Vol. 14, — P. 2231−2234.
  144. Process modeling of reactive sputtering / S. Berg, H.-O. Blom, M. Moradi et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. — Vol. 7, № 3. -P. 1225−1229.
  145. Modeling of reactive sputtering of compound materials / S. Berg, H.-O. Blom, T. Larsson et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1987, — Vol. 5, № 2. — P. 202−207.
  146. Nonisothermal chemical model of reactive sputtering. / A. Barybin, V. Shapovalov // J. Appl. Phys. 2007. — Vol. 101. — P. 54 905−1-10.
  147. Model relating process variables to film electrical properties for reac-tively sputtered tantalum oxide thin films / P. Jain, V. Bhagwat, E. J. Rymaszewski et al. // J. Appl. Phys. 2003. — Vol. 93. — P. 3596.
  148. Reactive sputtering using two reactive gases / P. Carlsson, C. Nender, H. Barankova et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993.- Vol. 11.-P. 1534−1539.
  149. Model relating process variables to film electrical properties for re-actively sputtered tantalum oxide thin films / P. Jain, V. Bhagwat, E. J. Rymaszewski et al. // J. Appl. Phys. 2003. — Vol. 93, № 6. -P. 3596−3604.
  150. Predicting thin-film stoichiometry in reactive sputtering / S. Berg, T. Larsson, C. Nender et al. // J. Appl. Phys. 1988, — Vol. 63, № 3, — P. 887−891.
  151. Investigations of the cathode region of an argon arc plasma by degenerate four-wave mixing laser spectroscopy and optical emission spectroscopy. / K. Dzierzega, B. Pokrzywka, S. Pellerin // J. Phys. D: Appl. Phys. 2004, — Vol. 37, — P. 1742−1749.
  152. Optical emission spectroscopy on pulsed-DC plasmas used for TiN depositions / K. S. Mogensen, S. S. Eskildsen, C. Mathiasen et al. // Surface&Coatings Technology. 1998. — Vol. 102. — P. 41−49.
  153. Optical emission spectroscopy during fabrication of indium-tin-oxyni-tride films by RF-sputtering / M. Koufaki, M. Sifakis, E. Iliopou-los et al. // Applied Surface Science.- 2006.- Vol. 253, № 1.-P. 405−408.
  154. , Г. Спектры и строение двухатомных молекул / Г. Герцберг. — М.: Изд. иностр. литер., 1949. — 403 с.
  155. , М. А. Атомная и молекулярная спектроскопия / М. А. Ельяшевич. — М.: Изд. физ.-мат. литер., 1962. — 892 с.
  156. Mechanisms for highly ionized magnetron sputtering. / J. Hopwood, F. Qian // J. Appl. Phys. 1995. — Vol. 78. — P. 758−765.
  157. , О. В. Электрический зонд в плазме / О. В. Козлов. — М.: Атомиздат, 1969. — 293 с.
  158. Зондовые методы исследования плазмы. / Ю. Каган, В. Перель // Успехи физических наук. 1963. — Vol. 81, № 3. — Р. 409−452.
  159. , Jl. Н. Вакуумная техника / JI. Н. Розанов, — М.: Высшая школа, 1990. 320 с.
  160. Measurements of secondary electron emission in reactive sputtering of aluminum and titanium nitride. / M. A. Lewis, D. A. Glocker, J. Jorne // J. Vac. Sci. Technol. A.- 1989, — Vol. 7, № 3.-P. 1019−1024.
  161. , Д. Основы технической магнитной газодинамики / Д. Саттон, А. Шерман.- М.: Мир, 1968. 492 с.
  162. , В. А. Краткий химический справочник / В. А. Рабинович, 3. Я. Хавин. Л.: Химия, 1991. — 432 с.
  163. Модифицирование поверхности стекла пленокой диоксида титана, синтезированной золь-гель методом / В. Шаповалов, О. Шилова, И. Смиронова et al. // Физик и химия стекла. — 2011.— Vol. 37.— Р. 201−209.
  164. А1. Пинаев, В. В. Тонкие пленки оксинитридов переходных металлов: свойства, применение / В. В. Пинаев, Шаповалов В.И.// Известия Государственного электротехнического университета. — 2008. — Вып. 10. С. 11−15.
  165. АЗ. Пинаев, В. В. Оптическая эмиссионная спектроскопия плазмы при реактивном магнетронном распылении / В. В. Пинаев, В. И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. — 2006. — Т. 16, № 2. — С. 143−151.
  166. А5. Пинаев, В. В. Влияние площади поверхности вакуумной камеры на переходные процессы при реактивном магнетронном распылении титановой мишени / В. В. Пинаев, В. И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. 2008. — Т. 18, № 1. — С. 9−12.
  167. А9. Пинаев, В. В. Выбор режима осаждения пленок соединений титана при реактивном магнетронном распылении / В. В. Пинаев, В. И. Шаповалов // НАНО-2008: Материалы международной конференции г. Минск, 22−25 апреля 2008 г.
  168. А12. Пинаев, В. В. Распыление металлической мишени в среде азота и кислорода / В. В. Пинаев, В. И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. 2009. — Т. 19, № 1. — С. 7−10.
  169. А14. Пинаев, B.B. Методика градуировки игольчатого натекателя в установке реактивного магнетронного распыления / Е. В. Жуков, В. В. Пинаев // Известия Государственного электротехнического университета. 2008. — Вып. 1. — С. 81−84.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!