Элементы физического синтеза

Элементы физического синтеза.

Выбор типа микросхем, на этапе физического синтеза осуществляют соблюдая требования предъявляемые к ДУ, и отдельно к интегральной микросхеме. В свою очередь электрические параметры микросхемы установлены рядом Государственных стандартов Российской Федерации: ГОСТ 19 480–74; ГОСТ 18 683–73; ГОСТ 19 799–74; ГОСТ 22 565–77.

Для физического синтеза разрабатываемого ДУ мною была выбрана серия микросхем К553. Это наиболее популярная в нашей стране серия микросхем. Она содержит широкий выбор логических элементов. Основной логической схемой серии является схема И-НЕ, она представлена микросхемами с различным числом секций и количествами входов.

Серия К553 базируется на транзисторно-транзисторном типе логики. После разработки многоэмитерного транзистора был выпущен широкий ряд серий интегральных схем ТТЛ. Многоэмитерный транзистор представляет собой интегральный элемент, объединяющий преимущества диодных логических схем и транзисторного усилителя. Это остроумное схемное решение и породило новый класс двухступенчатой логики ТТЛ, пришедшей на замену Диодно-Транзисторной логике (ДТЛ). Благодаря МЭТ можно получить большой коэффициент объединения по входу, без особых технологических затрат. В обыкновенном микротранзисторе можно сделать сколько угодно эмиттеров, их число и определит количество входов, а на стоимость микросхемы это практически не повлияет. Это важно т.к. для физического синтеза моего замка понадобятся 4^х — входовые элементы И-НЕ.

Повторяя структуру диодно-транзисторных ИС, транзисторно-транзисторные схемы значительно увеличить быстродействие (_ср=3−10 нс), повысить уровень помехозащищенности (U_п 0,7В), снизить потребляемую мощность (по сравнению ДТЛ-ИС), а также увеличить функциональную сложность интегральной схемы. Коэффициент объединения по входам И m_И12−14, а коэффициент объединения по входам ИЛИ m_ИЛИ=8−10. Выходные усилители ТТЛ-схем обеспечивают высокую нагрузочную способность базовой схемы (n_э10) при значительных нагрузочных емкостях (C_н 100 пФ).Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации в диапазоне температур −45…+70 С.

• 1. Максимальное напряжение источника питания 6 В
• 2. Минимальное напряжение на входе микросхемы 0.4 В
• 3. Максимальное напряжение на входе микросхемы и между эмиттером -5.5 В
• 4. Минимальное напряжение на выходе микросхемы -0.3 В
• 5. Максимальное напряжение на выходе закрытой микросхемы 5.25 В
• 6. Максимальный входной вытекающий ток, при котором напряжение блокировки антизвонных диодов не менее -1.5 В -10 мА