Маршрутная карта изготовления транзистора

Скрытый слой:

Окисление подложки для формирования маскирующего окисла.

Фотолитография.

Легирование области скрытого слоя.

Травление окисла.

Изоляция:

Выращивание эпитаксиального слоя.

Формирование маскирующего окисла.

Фотолитография.

Травление изолирующих канавок.

Базовая область:

Окисление.

Создание толстого изолирующего окисла.

Формирование маскирующего окисла, фотолитография, легирование области базы.

(маска — изолирующий окисел).

Эмиттерная область:

Фотолитография.

Легирование области эмиттера и подлегирование области контакта к коллектору (маска — изолирующий окисел + фоторезист).

Контактные окна:

Формирование маскирующего окисла.

Фотолитография.

Травление окисла для создания контактных окон (маска — фоторезист).

Нанесение пленки Al.

Металлизация:

Фотолитография.

Создание линий межсоединений в схеме (маска — фоторезист).

Малосигнальная эквивалентная схема

Малосигнальная эквивалентная схема (рисунок 2) описывает работу транзистора в нормальном режиме, что позволяет существенно упростить схему, а так же учесть элементы которыми обычно принебрегают.

На рисунке приведена эквивалентная схема биполярного транзистора, построенная на основе модели Эберса-Молла. Схема описывает только малые переменные составляющие токов и напряжений, поэтому в ней нет источника тока, моделирующего тепловой ток закрытого коллекторного перехода. Инерционные свойства коэффициента передачи тока путем введения диффузионной емкости эмиттера С_ed. При этом коэффициент передачи в генераторе тока является действительным числом, не зависящим от частоты. Эмиттерный диод заменен дифференциальным сопротивлением эмиттерного перехода, которое может быть определено из соотношения:

Се_, Сс — барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов.

Сеd — диффузионная емкость эмиттерного перехода.

r_e — дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.

.

Сопротивление r_c и источник тока связаны с эффектом Эрли. Транзисторный эффект моделируется генератором тока. Заметим, что ток этого генератора связан не с полным током эмиттера, а только с той его частью, которая течет через сопротивление r_e. Часть эмиттерного тока, протекающая через барьерную емкость эмиттерного перехода C_e, не связана с инжекцией носителей заряда в базу и, конечно, не может отразиться на коллекторном токе.