Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Методическое обеспечение и технические средства испытаний КМОП микросхем на структурах «кремний-на-сапфире» на импульсную и электрическую прочность

Диссертация: Методическое обеспечение и технические средства испытаний КМОП микросхем на структурах «кремний-на-сапфире» на импульсную и электрическую прочность
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Особенностью ЭМИ как воздействующего фактора является практически полное отсутствие его непосредственного влияния на параметры ИС. Воздействие ЭМИ на элементную базу проявляется косвенно через энергию сигналов наводки, способных вызвать сбои и повреждения чувствительных к ним ИС. Экранирование аппаратуры от ЭМИ ЯВ не дает полного эффекта, поскольку взаимодействие гаммаи рентгеновского излучений… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Анализ тенденций развития элементной базы КМОП/КНС для объектов ВВТ
    • 1. 1. Современное состояние и перспективы применения ИС элементно-технологического базиса КМОП/КНС в объектах ВВТ
    • 1. 2. Механизмы воздействия ЭМИ на элементную базу КМОП/КНС в составе аппаратуры. Оценка наводимых импульсов тока и напряжения
    • 1. 3. Особенности повреждения КМОП/КНС ИС при воздействии ОИН
    • 1. 4. Выводы
  • Глава 2. Анализ пределов применимости имитационных методов моделирования воздействия ЭМИ на КМОП/КНС ИС
    • 2. 1. Оценка энерговыделения в кристалле КМОП/КНС ИС при непосредственном воздействии поля ЭМИ
    • 2. 2. Оценка энерговыделения в приборном слое КМОП/КНС ИС при воздействии наводки от поля ЭМИ
    • 2. 3. Условия адекватности имитации воздействия ЭМИ на КМОП/КНС ИС воздействию одиночных импульсов напряжения
    • 2. 4. Выводы
  • Глава 3. Разработка моделей повреждения КМОП/КНС ИС под действием
    • 3. 1. Анализ доминирующих механизмов повреждения элементов КМОП/КНС ИС под действием ОИН
    • 3. 2. Разработка моделей повреждения элементов КМОП/КНС ИС под действием ОИН
    • 3. 3. Анализ влияния формы и параметров ОИН на импульсную электрическую прочность КМОП/КНС ИС
    • 3. 4. Выводы
  • Глава 4. Методическое и техническое обеспечение испытаний КМОП/КНС
  • ИСнаИЭП
    • 4. 1. Особенности проведения испытаний КМОП/КНС ИС на НЭП
    • 4. 2. Обоснование требований к генератору ОИН для определения ИЭП КМОП/КНС ИС (ТЗ на разработку)
    • 4. 3. Разработка генератора ОИН для определения ИЭП КМОП/КНС ИС
    • 4. 4. Особенности организации и методики проведения испытаний КМОП/КНС ИС на стойкость к ОИН
    • 4. 5. Выводы ^
  • Глава 5. Экспериментальная апробация разработанных методов и технических средств испытаний
    • 5. 1. Выбор элементной базы для проведения испытаний ^^
    • 5. 2. Сравнение результатов испытаний
  • КМОП ИС объемной технологии с результатами испытаний КМОП/КНС ИС
    • 5. 3. Выводы

Методическое обеспечение и технические средства испытаний КМОП микросхем на структурах «кремний-на-сапфире» на импульсную и электрическую прочность (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Общая характеристика работы.

Диссертация посвящена решению важной научно-технической задачи — разработке методов и средств испытаний КМОП микросхем на структурах «кремний-на-сапфире» (КМОП/КНС) на импульсную электрическую прочность, что позволит обеспечить комплектование устройств вычислительной техники и систем управления объектов военного и специального назначения современной элементной базой с высокими эксплуатационными характеристиками и повышенной стойкостью к воздействию электромагнитных источников естественного и искусственного происхождения.

Актуальность темы

диссертации. Доля ИС и БИС, выполненных в элементно-технологическом базисе (ЭТБ) КМОП (комплементарные металл-окисел-полупроводник), составляет по количеству и номенклатуре от 60 до 80% общего объема микросхем, комплектующих аппаратуру современных объектов вооружения и военной техники (ВВТ). Стойкость этих изделий к радиационным и электромагнитным воздействиям в значительной мере определяет технические характеристики и ресурсные возможности аппаратуры. Наиболее перспективными КМОП-изделиями для комплектования объектов ВВТ являются КМОП ИС микросхемы, выполненные по технологии «кремний-на-изоляторе» (КНИ), вследствие своей потенциально высокой радиационной стойкости и способности работать в широком температурном диапазоне [1−3].

Наиболее освоенной отечественной КНИ технологией для изготовления.

КМОП ИС является технология кремний-на-сапфире (КНС). За последние 10 лет созданы отечественные КМОП КНС БИС ЗУ (серия 1620), обеспечивающие уровни сбоеустойчивости ОЗУ (15). 1010 ед/с для информационной емкости (4.8) Кбит и.

10iZ ед/с для информационной емкости (2.4) Кбит. Ближайшими задачами являются создание БИС ОЗУ емкостью (32.64) Кбит и БИС ПЗУ 512 Кбит.1.

Мбит с уровнем сбоеустойчивостн не менее 1011 ед/с и БИС спецОЗУ емкостью не.

12 менее (8. 16) Кбит с уровнем сбоеустойчивостн (1.5).10 ед/с [4].

Однако помимо радиационных факторов на функционирование и работоспособность современных устройств вычислительной техники и систем управления оказывают влияние электромагнитные излучения (ЭМИ) естественного и искусственного происхождения, такие как молниевые разряды, помехи от силового оборудования, излучение радиопередающих станций и т. п. Для аппаратуры объектов ВВТ необходим также учет влияния ЭМИ ядерного взрыва (ЯВ) [5].

Особенностью ЭМИ как воздействующего фактора является практически полное отсутствие его непосредственного влияния на параметры ИС [6, 7]. Воздействие ЭМИ на элементную базу проявляется косвенно через энергию сигналов наводки, способных вызвать сбои и повреждения чувствительных к ним ИС. Экранирование аппаратуры от ЭМИ ЯВ не дает полного эффекта, поскольку взаимодействие гаммаи рентгеновского излучений с материалами экранов приводит к появлению вторичного (внутреннего) ЭМИ [8]. Таким образом, ЭМИ является непременным сопутствующим фактором импульсных радиационных воздействий и должно учитываться при оценке стойкости ИС, предназначенных для использования в аппаратуре объектов ВВТ [9].

В соответствии с нормативным документом [10] стойкость ИС к воздействию наводок от ЭМИ характеризуют импульсной электрической прочностью (ИЭП), под которой понимают зависимости предельно-допустимых значений напряжения (тока, мощности, энергии) от длительности одиночных электрических импульсов (ОИН), возникающих от действия электромагнитного импульса.

Увеличение числа возможных источников ЭМИ, расширение их спектра в сторону высоких частот, повышение степени интеграции современной элементной базы требуют проведения исследований с целью разработки методического аппарата и технических средств для определения уровней стойкости ИС к воздействию ЭМИ современных и перспективных источников.

При всех своих достоинствах по радиационной стойкости КМОП/КНС ИС имеют ряд особенностей, связанных с тонкопленочной структурой рабочих слоев. К ним относятся такие явления как саморазогрев, низкая устойчивость к электростатическим разрядам, малые пробивные напряжения [11], что может накладывать ограничения на их использование в аппаратуре ВВТ.

Возможность проявления латентных (скрытых) механизмов повреждения КМОП/КНС ИС, а также опасность накопления повреждений при воздействии ОИН накладывает дополнительные требования к методике проведения испытаний на ИЭП, предъявляет специальные требования к испытательному оборудованию.

Возможности расчетной оценки стойкости КМОП/КНС ИС к воздействию ОИН существенно ограничиваются сложным характером КНС структур, разбросом технологических параметров, зависимостью электрических и тепловых параметров элементов структур от их геометрических размеров и взаимного расположения.

Поэтому возникла актуальная научная задача, которая заключается в разработке методического обеспечения и технических средств испытаний КМОП/КНС ИС военного и специального назначения на импульсную электрическую прочность.

Важность и актуальность темы диссертации отражена в «Основах политики Российской федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу», утвержденных Президентом Российской Федерации 12.04.2002, в соответствии с которыми создание радиационно-стойкой электронной компонентной базы отнесено к одной из приоритетных задач в области ее дальнейшего развития при разработке, производстве и применении в стратегически значимых системах.

Решению этих вопросов, а именно: анализу механизмов повреждения КМОП/КНС ИС под действием ОИН и разработке на этой основе методического обеспечения и технических средств испытаний КМОП/КНС микросхем военного и специального назначения на импульсную электрическую прочность — посвящены исследования, проводившиеся с 2003 по 2009 год, итогом которых и является данная диссертация.

Состояние исследований по проблеме. Исследованиям воздействия импульсных ОИН на ИС посвящено значительное число работ как российских, так и зарубежных авторов, результаты которых отражены в большом количестве монографий, статей, докладов на конференциях, стандартов, руководящих документов и методик [5 — 23].

Вопросам создания и развития КМОП КНС ИС посвящены работы Полякова И. В., Герасимова Ю. М., Григорьева Н. Г., Киргизовой А. В. и других специалистов. Трудами Герасимова В. Ф., Посысаева Е. И., Яковлева Е. Н., Хрулева А. К. исследованы основы физики повреждений ИС при воздействии ОИН, разработаны методические и технические основы проведения испытаний ИС на ИЭП. В диссертации Скоробогатова П. К рассмотрены методические и технические основы проведения испытаний ИС на ИЭП. В работах Ванина В. И. и Макеева С. Н. предложены и развиты аппаратные и программные средства для определения ИЭП широкого класса полупроводниковых приборов (ПП) и ИС.

Проблема воздействия ЭМИ на РЭА усугубляется созданием и появлением в последние годы преднамеренных источников электромагнитных помех с широким спектром излучений [24].

Однако обзор существующих моделей, методик и технических средств испытаний показал, что они не могут в полной мере быть использованы для определения показателей ИЭП современных КМОП/КНС ИС по следующим основным причинам:

— узкий диапазон используемых ОИН, ограниченный требованиями современных нормативных документов и не учитывающий возможность воздействия перспективных источников ЭМИ с расширенным спектром излучения;

— отсутствие учета особенностей проявления тепловых механизмов повреждения КМОП/КНС, связанных с тонкопленочным характером КНС структур;

— отсутствие возможности учета формы и длительности ОИН па показатели ИЭП КМОП/КНС ИСотсутствие обоснования требований к параметрам технических средств испытаний КМОП/КНС ИС на стойкость к воздействию ОИН и самих аттестованных средств.

Отмеченные выше недостатки существующих моделей, методик и технических средств сдерживают применение КМОП/КНС ИС в аппаратуре специального назначения и пе позволяют им в полной мере реализовать па практике своп преимущества.

Целью диссертации является разработка методов и средств испытаний КМОП/КНС ИС военного и специального назначения на импульсную электрическую прочность, что позволит решить важную научно-техническую задачу расширения сферы применения КМОП/КНС ИС в аппаратуре объектов ВВТ.

Указанная цель достигается решением в работе следующих задач:

— теоретическим анализом, моделированием и экспериментальным исследованием влияния ЭМИ естественного и искусственного происхождения на КМОП/КНС ИС;

— развитием имитационных методов моделирования воздействия ЭМИ на КМОП/КНС ИС с использованием генератора ОИН;

— разработкой моделей повреждения элементов КМОП/КНС ИС под действием наведенных ОИН с учетом особенностей процессов теплопереноса в тонкопленочных структурах, нелинейных эффектов переноса носителей в полупроводнике и с учетом возможности воздействия наводок с различной формой импульса;

— разработкой методов испытаний КМОП/КНС ИС на стойкость к воздействию ОИН с учетом возможности проявления скрытых и аддитивных механизмов повреждения;

— разработкой и изготовление технических средств испытаний КМОП/КНС ИС, включая сложно-функциональные, на стойкость к воздействию ОИН;

— проведением экспериментальной апробации разработанных моделей, методов и технических средств.

Научная новизна работы:

1. На основании электромагнитного анализа взаимодействия ЭМИ с КМОП/КНС ИС, показано, что с расширением спектрального состава ЭМИ растет доля поглощенной в кристалле ИС энергии. Однако, даже с учетом спектра ЭМИ перспективных источников излучения, поглощенной в кристалле ИС энергии недостаточно для заметного энерговыделения в КМОП/КНС ИС и непосредственным влиянием поля ЭМИ на кристалл ИС также можно пренебречь.

2. На основании электромагнитного и физико-топологического анализа типовой КМОП/КНС структуры показано, что основным источником возможных повреждений при воздействии ЭМИ являются электрические сигналы, наведенные на выводы ИС и соединительные проводники. Это позволяет использовать имитационные методы моделирования воздействия ЭМИ па КМОП/КНС ИС путем подачи на внешние выводы ОИН от генератора-имитатора.

3. На основании двумерного численного моделирования электротепловых процессов к КНС структурах определена зависимость ИЭП от длительности ОИН. Показано, что зависимость ИЭП от длительности ОИН слабее, чем предсказывает формула Vm ~ t^ с коэффициентом к = -0,5 (модель Вунша-Белла). Показано также, что импульсная электрическая прочность р-n переходов КНС структур при воздействии ОИН двухэкспонеициальной формы примерно на 20−30% больше, чем при воздействии ОИН прямоугольной формы.

Практическая значимость работы:

1. Разработана методика проведения испытаний КМОП/КНС ИС на ИЭП, позволившая стандартизировать процедуру испытаний и распространить ее на современные КМОП/КНС ИС и БИС высокой функциональной сложности.

2. Сформулированы и изложены основные требования к генератору-имитатору ОИН для моделирования воздействия ЭМИ на КМОП/КНС ИС.

3. Разработан и изготовлен генератор ОИН для определения ИЭП КМОП/КНС ИС, удовлетворяющий поставленной задаче. Проведена аттестация разработанного генератора, подтвердившая необходимые электрические параметры ОИН.

4. Разработаны типовая структура экспериментальной установки для проведения испытаний КМОП/КНС ИС па ИЭП. Разработана методика проведения испытаний ИС на стойкость к ОИН, учитывающая особенности КМОП/КНС ИС. Предложены и апробированы методические и программные средства, повышающие достоверность проведения испытаний ИС на ИЭП.

5. Результаты экспериментов подтвердили адекватность разработанной численной модели разогрева тонких структур под действием ОИН. Они подтвердили, в частности, что зависимость показателя ИЭП от длительности ОИН для КМОП/КНС ИС существенно слабее, чем для КМОП ИС объемной или эпитаксиальной технологий.

6. Результаты диссертации использованы на практике при разработке и обеспечении импульсной электрической прочности КМДП/КНС ИС серий 5511 и 1825 предприятия НИИИС, серии 1825 ОАО «Ангстрем», использованы в ОАО «ЭНПО СПЭЛС» при разработке нового поколения генераторов ОИН.

Результаты, выносимые на защиту:

1. Модели повреждения элементов КМОП/КНС ИС под действием ОИН с учетом особенностей процессов теплопереноса в тонкопленочных структурах и с учетом особенностей воздействия ЭМИ современных и перспективных источников излучения и ОИН различной длительности и формы.

2. Методика проведения испытаний КМОП/КНС ИС на ИЭП, позволившая стандартизировать процедуру испытаний и распространить ее на современные КМОП/КНС ИС и БИС высокой функциональной сложности.

3. Разработанные аппаратные и программные средства для проведения испытаний КМОП/КНС ИС на ИЭП.

4. Результаты экспериментов по определению ИЭП КМОП/КНС ИС подтвердившие адекватность разработанных моделей разогрева тонких структур под действием ОИН.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались на российских научных конференциях «Радиационная стойкость электронных систем» (Лыткарино, МО, 2003, 2005 — 2009 гг) — научных сессиях МИФИ (Москва, 2004, 2005 и 2008 гг.) — научных конференциях «Электроника, микрои наноэлектроника» (г. Кострома, 2003 г., г. Н.Новгород 2004 г., г. Гатчина, 2006 г.) — на научно-практических семинарах «Проблемы создания специализированных радиациионно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (г. Н. Новгород, 2003 и 2004 гг.).

Основные результаты диссертации опубликованы в 18 работах (в период с 2003 по 2009 гг.). Две работы опубликованы без соавторов. Две работы опубликованы в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

Основные результаты диссертации также вошли в отчетные материалы по 5 госбюджетным и хоздоговорным НИР. Список основных работ приведен в конце диссертации.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, и заключения. Содержит 176 страниц печатного текста, включая 80 рисунков, 7 таблиц и список литературы из 97 наименований.

5.3. Выводы.

1. С целью проверки эффективности и достоверности разработанных методов и средств были проведены испытания ИЭП более 120 типов цифровых КМОП ИС, включая 17 типов КМОП/КНС микросхем.

2. В результате проведенных испытаний было обнаружено, в частности, что коэффициент корреляции между напряжением ИЭП (Vm) и максимально-допустимой энергией повреждения (Jm) ниже, чем для КМОП ИС объемной технологии. Это свидетельствует о меньшей отработанности КМОП/КНС технологии на настоящее время.

Общим для полученных результатов является то, что при малой длительности ОИН (0,1 мкс) электрическая прочность КМОП/КНС ИС существенно ниже, чем у объемных КМОП ИС. В области средних длительностей (1,0 мкс) разница в уровнях прочности незначительна, а при длительности ОИН 10 мкс КМОП/КНС ИС не уступают и даже несколько превосходят объемные.

3. Результаты экспериментов над КМОП/КНС ИС подтвердили адекватность разработанной (глава 3) численной модели разогрева тонких структур под действием ОИН. Они подтвердили, в частности, что зависимость показателя ИЭП от длительности ОИН для КМОП/КНС ИС существенно слабее, чем для КМОП ИС объемной или эпитаксиальной технологий.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основным результатом диссертация является решение важной научно-технической задачи — разработке методов и средств испытаний КМОП микросхем на структурах «кремний-на-сапфире» (КМОП/КНС) на импульсную электрическую прочность, что позволит обеспечить комплектование устройств вычислительной техники и систем управления объектов военного и специального назначения современной элементной базой с высокими эксплуатационными характеристиками и повышенной стойкостью к воздействию электромагнитных источников естественного и искусственного происхождения.

Основные научные результаты диссертации заключаются в следующем:

1. На основании электромагнитного анализа взаимодействия ЭМИ с КМОП/КНС ИС, показано, что с расширением спектрального состава ЭМИ растет доля поглощенной в кристалле ИС энергии. Однако, как в случае воздействия ЭМИ ЯВ, так и в случае воздействия ЭМИ перспективных источников (со спектром излучения до 1011 Гц), поглощенной в кристалле ИС энергии недостаточно для заметного энерговыделения и повреждения КМОП/КНС ИС. Связано это с тем, что в случае воздействия поля ЭМИ распределение поглощенной энергии по кристаллу остается близким к равномерному, что не приводит к образованию опасных для работоспособности ИС локальных областей концентрации энергии. Поэтому непосредственным влиянием поля ЭМИ на кристалл КМОП/КНС ИС можно пренебречь.

2. По результатам электромагнитного и физико-топологического анализа типовой КМОП/КНС структуры показано, что основным отличием воздействия наведенных сигналов от непосредственного воздействия поля ЭМИ на ИС от является существенная разница в характере распределения энерговыделения по объему полупроводника. В случае воздействия наводки от ЭМИ, поступающей по выводам прибора, поглощенная энергия локализуется в относительно небольших по размеру областях энерговыделения, что приводит к появлению опасных для работы прибора областей локального перегрева. Внешние выводы улавливают энергию.

ЭМИ, а внутренняя металлизация и неоднородная структура ИС локализуют энерговыделение в малых критичных объемах. Именно этот механизм приводит к появлению первичных и вторичных механизмов необратимого повреждения ИС под действием ЭМИ. Следовательно, во всем диапазоне времен, частот и интенсивностей, присущих современным и перспективным источникам ЭМИ, действие ЭМИ может быть смоделировано воздействием на выводы ИС электрических сигналов от специализированных генераторов-имитаторов.

3. На основании анализа технологии изготовления современных КМОП/КНС ИС показано, что их стойкость к воздействию ОИН определяется схемотехникой и топологией цепей защиты входных, выходных цепей, а также цепей разводки питания. Поэтому ИЭП КМОП/КНС ИС определяется, в конечном счете, электротепловым поведением p-п переходов цепей защиты. С уменьшением толщины приборного слоя кремния КМОП/КНС ИС увеличивается ее сопротивление и плотность тока перегрузки в ней. В результате характеристики защиты от ОИН могут ухудшаться с уменьшением толщины пленки кремния в КНС структурах. На основании одномерного электротеплового моделирования показано, что только при пропорциональном уменьшении всех размеров КНС-структуры максимальная температура с ростом степени интеграции увеличивается незначительно. Это связано с увеличением отношения охлаждающей площади к объему структуры при сокращении всех линейных размеров.

4. На основании двумерного численного электротеплового моделирования показано, что точка перегрева, в которой происходит тепловой пробой р-п перехода, находится в р-области вблизи контакта. В этой точке достигаются максимальная эффективная концентрация и температура. Рост теплообмена с окружающей средой в КНС-структурах приводит к тому, что предположение об промежуточном характере нагрева (модель Вунша-Белла) в данном случае не работает и зависимость ИЭП от длительности ОИН слабее, чем предсказывает формула Vm ~ tH/2 с коэффициентом в показателе лежащем в диапазоне 0,28.0,32.

По результатам анализа показано, что импульсная электрическая прочность р-n переходов КНС ИС при воздействии ОИН двухэкспоненциальной формы примерно на 20−30% больше, чем при воздействии ОИН прямоугольной формы. Длительность фронта ОИН относительно слабо влияет на ИЭП структур.

Основные практические результаты диссертации заключаются в следующем:

1. На основании проведенных исследований и испытаний обоснованы параметры унифицированных видов ОИН, необходимые для определения импульсной электрической прочности современных КМОП/КНС ИС.

2. Разработан и изготовлен генератор ОИН для определения ИЭП КМОП/КНС ИС, удовлетворяющий поставленной задаче. Проведена аттестация разработанного генератора, подтвердившая заданные электрические параметры ОИН.

3. Разработаны типовая структура экспериментальной установки для проведения испытаний КМОП/КНС ИС на ИЭП. Оснащение установки позволяет проводить испытания всех типов КМОП/КНС ИС, включая сложно-функциональные. Разработана методика проведения испытаний ИС на стойкость к ОИН, учитывающая особенности КМОП/КНС ИС. Предложены методические и программные средства, повышающие достоверность проведения испытаний ИС на ИЭП.

4. С целью проверки эффективности и достоверности разработанных методов и средств были проведены испытания ИЭП цифровых КМОП ИС, включая 17 типов КМОП/КНС микросхем. В результате проведенных испытаний было обнаружено, в частности, что коэффициент корреляции между напряжением ИЭП (Vm) и максимально-допустимой энергией повреждения (Jm) ниже, чем для КМОП ИС объемной технологии. Это свидетельствует о меньшей отработанности КМОП/КНС технологии на настоящее время.

Общим для полученных результатов является то, что при малой длительности ОИН (0,1 мкс) электрическая прочность КМОП/КНС ИС существенно ниже, чем у объемных КМОП ИС. В области средних длительностей.

1,0 мкс) разница в уровнях прочности незначительна, а при длительности ОИН 10 мкс КМОП/КНС ИС не уступают и даже несколько превосходят объемные.

5. Результаты экспериментов над КМОП/КНС ИС подтвердили адекватность разработанной численной модели разогрева тонких структур под действием ОИН. Они подтвердили, в частности, что зависимость показателя ИЭП от длительности ОИН для КМОП/КНС ИС существенно слабее, чем для КМОП ИС объемной или эпитаксиальной технологий.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Ю., Телец В. А., Чумаков А. И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. — М.: Радио и связь, 1994. — 164 с.
  2. Colinge J.-P. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI / Kluwer Acad. Publ, USA, 1997, 272 p.
  3. Перспективы применения структур кремний на изоляторе в микро-, наноэлектронике и микросистемной техники / Асеев А. Л. и др. // Микросистемная техника, 2002, № 9 с.23−28.
  4. А.В. Прогнозирование эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсных ионизирующих. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. М.: МИФИ, 2007. 220 с.
  5. Л.У., Бриджес Дж.Э., Майлетта Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты: Пер. с англ. М.: Атомиздат, 1979.- 328 с.
  6. Л.О., Чепиженко А. З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М.: Радио и связь, 1988. — 296 с.
  7. Е.Р., Скоробогатов П. К. Исследование чувствительности линейных электронных схем к переменным магнитным полям//Ядерная электроника/Под ред. Т. М. Агаханяна. М.: Атомиздат, 1975. Вып. 5. С. 3−7.
  8. Rickets L.W. Fundamentals of Nuclear Hardening of Electronic Equipment. -N.Y.: Wiley Interscience, 1972. — 548 p.
  9. РД В 319.03.30−98. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Испытания на импульсную электрическую прочность. М.: МО РФ, 1998 г. — 18 с.
  10. Palumbo W., Dugan М. Design and Characterization of Input Protection for CMOS/SOS Applications//Proc. 1986 EOS/ESD Symp. P. 182−187.
  11. В.И. Импульсная электрическая прочность полупроводниковых приборов. Петербургский журнал электроники, вып. 4, 2008, С 87−92.
  12. P.K.Skorobogatov, A.Y.Nikiforov, V.M.Barbashov «Electrical Overstress Hardness of Electron Components’V/Proceedings of the Third Workshop on Electronics for LHC Experiments. London, September 22−26, 1997. P. 546−549.
  13. Skorobogatov P.K.Test Method for 1С Electrical Overstress Hardness Estimation //Proc. 4th European Conf. on Radiations and Its Effects on Components and Systems (RADECS 97), Sept. 15−19, 1997, Palm Beach, Cannes, France. P.174−177.
  14. B.M., Попов Ю. М., Скоробогатов П. К. Система параметров для оценки стойкости современных ИС к воздействию импульсов электрического перенапряжения //Сборник научных трудов. В 11 частях. 4.5. М.: МИФИ, 1998. -С. 229−231.
  15. Duwury С., Amerasekera A. ESD: A Pervasive Reliability Concern for 1С Technologies//Proc. IEEE. 1993. Vol. 81, N 5. — P. 390 — 402.
  16. ЭМИ-601. Комплекс СПЭЛС-ЛМК-601. Электрический имитатор ЭМИ-601. Техническое описание. СПЭЛС, 1995 г.
  17. М.И., Шубарев В. А. Устойчивость цифровых микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1983. — 216 с.
  18. Л. О. и др. Анализ стойкости систем связи к воз действ иго излучений/Л.О.Мырова, В. Д. Попов, В.И.Верхотуров- Под. ред. К. И. Кукка. М.: Радио и связь, 1993. — 268 с.
  19. Электромагнитный терроризм на рубеже тысячелетия / Под ред. Т. Р. Газизова. Томск: ТГУ, 2002. — 206 с.
  20. J.P.Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI. Kluwer Academic Publishers, 1997. -272 p.
  21. G. Andreou, Z.K. Kalayjian, A. Apsel, P.O. Pouliquen, R.A. Athale, G. Simonis, and R. Reedy ''Silicon on Sapphire CMOS for Optoelectronic Microsystems"//IEEE Systems and Circuits Magazine, vol. 1, no. 3, pp. 22−30, 2001.
  22. А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. — М.: Радио и связь, 2004. 320 с
  23. Garcia G.A., Reedy R., Burgener M.L. High-Quality CMOS In Thin (100 nm) Silicon On Sapphire // IEEE Electron Device Letters. 1988. — Vol. 9. — P. 32.
  24. L.T.Su, K.E.Goodson, D.A.Antoniadis, M.I.Flick and J.E.Chang «Measurement and Modeling of self-heating effects in SOI NMOSFET’s'7/IEDM Tech. Dig., pp. 357−360, 1992.
  25. W.Palumbo, M. Dugan «Design and characterization of input protection networks for CMOS/SOS applications//Proc. 1986 EOS/ESD Symp., pp. 182−187.
  26. M.Yoshimi, H. Hazama, M. Takahashi, S. Kambayashi, T. Wada, K. Kato, and FI. Tango «Two-dimensional simulation and measurement of high-performance MOSFET’s made on a very thin SOI films’V/IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-36, pp. 493−503, Mar. 1989.
  27. D. Yachou and J. Gautier, Proceedings of the 24th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC), Ed. by. C. Hill and P. Ashbum. Editions Frontieres, p. 787, 1994
  28. J. Mc Daid, S. Hall, P.H. Mellor, W. Eccleston, and J.C. Alderman, Electronics Letters, Vol. 25, p. 827, 1989
  29. Roig, D. Flores, S. Hidalgo, M. Vellvehi and J. Rebollo Power Dissipation Process in Thin Film Silicon-On-Insulator and Silicon-On-Sapphire Substrates//Centro Nacional de Microelectronica (CNM-CSIC), Campus UAB, 8 193 Bellaterra, Barcelona, Spain.
  30. ISE TCAD. User’s Manual, Release 7, 2001.
  31. B.M. Tenbroek et al., «Measurement of BOX thermal conditions for accurate electrothermal simulation of SOI Devices», IEEE Trans. El Dev., Vol.46, № 1, pp. 251−3, 1999.
  32. A.S. Okhotin, A.S. Pushkarski, V.V. Gorbachev, «Thermophysical Properties of Semiconductors», Moscow, «Atom» Publ. House, 1972.
  33. C.J. Glassbrenner, G.A. Slack, «Thermal conductivity of silicon and germanium from 3K to the melting point», Physical Review, Vol. 134, pp. A1058-A1069, 1964.
  34. B.M. Tenbroek. W. Redman-White. M.S.L. Lee, R.J.T. Bunyan, M.J. Uren, and K.M. Brunso IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 43, No. 12, p. 2227, 1996
  35. П.К. Расчетно-экспериментальное моделирование воздействия импульсных гамма- и рентгеновского излучений на кремниевые ПП и ИС/ Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук, М.: МИФИ, 1999 г. 401 с.
  36. JI.O. и др. Анализ стойкости систем связи к воздействию излучений/Л.О.Мырова, В. Д. Попов, В.И.Верхотуров/Под. ред. К. И. Кукка. М.: Радио и связь, 1993. — 268 с.
  37. Исследование влияния электромагнитных полей на линейную радиоэлектронную аппаратуру/Т.М.Агаханян, Е. Р. Аствацатурьян, П. К. Скоробогатов и др. //Ядерная электроника/Под ред. Т. М. Агаханяна. М.: Атомиздат, 1979. N 9. — С. 3−26.
  38. Программа «CBL». Руководство пользователя. М.: ЭНПО СПЭЛС, 1997.
  39. К.А., Герасимчук О. А., Скоробогатов П. К. Расчетно-экспериментальное моделирование воздействия одиночных импульсов напряжения, вызванных электромагнитными импульсами, на интегральные схемы//Микроэлектроника, 2009, т.38, № 4, с.284−301.
  40. В.И. Динамика тепловых процессов в тонкопленочном резисторе наносекундного диапазона. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред. А. А. Васенкова и А. Я. Федотова, 1977, вып. 2, с. 254 — 263.
  41. Wunsch D., Bell R. Determination of Threshold Failure Levels of Semiconductor Diodes and Transistor Due to Pulse Voltage//IEEE Trans. 1968. Vol. NS-15, N 6. P. 224−259.
  42. М.И., Шубарев B.A. Устойчивость цифровых микроэлектронпых устройств. М.: Радио и связь, 1983. — 216 с.
  43. Т.М. Основы транзисторной электроники. М.: Энергия, 1974.256 с.
  44. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. -М.: Мир, 1984.-456 с.
  45. R. Howes, W. Reman-White, IC.G. Nichols et al., «Modeling and simulation of silicon-on-sapphire MOSFETs for analogue circuit design», ESSDERC '90, Nottingham, September 1990.
  46. А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. — 256 с.
  47. В.В., Годовицын В. А., Громов Д. В., Кожевников А. С., Раваев А. А. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Зарубежная радиоэлектроника, 1995, № 1, с. 37 -53.
  48. О.А., Скоробогатов П. К. Анализ влияния электромагнитных излучений на изделия микроэлектроники//Научно-технический сборник. «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2009». М.: МИФИ, 2009, вып. 12.-С. 240−243.
  49. Shlager К., Preis D., R.W.P.King «Reflecting, Coupling and Absorption of Plane Waves Incident on an Integrated Circuits» IEEE Trans. EMC, vol. EMC-30, 1988, No. 4, p. 570 — 577.
  50. О.А., Скоробогатов П. К. Защита информации в изделиях микроэлектроники при воздействии электромагнитных излучений//Безопасность информационных технологий, 2009, № 3, С. 111−115.
  51. СИ., Ефишин А. Ю., Морозов С. А., Соколов СА. Проблема электростатического разряда и современные методы защиты интегральных схем от него. Часть 1 // Chip News. 2003. № 7. С. 40−49.
  52. Ming-Dou Ker, Kuo-Chun Hsu. Latch-up Free ESD Protection Design With Complementary Substrate-Triggered SCR Devices. IEEE J. Solid-State Circuits. Vol. 38. Aug. 2003. № 8. P. 1380.
  53. Steven H. Voldman The Sate of the Art of Electrostatic Discharge Protection: Physics, Technology, Circuits, Design, Simulation, and Scaling//IEEE Journal of SSC, Vol. 34, No. 9, Sept. 1999. PP 1271−1282.
  54. Ming-Dou Ker, Chien-Hui Chuang. Electrostatic Discharge Protection Design for Mixed-Voltage CMOS I/O Buffers. IEEE J. Solid-State Circuits. Vol. 37. Aug. 2002. № 8. P. 1380
  55. Ming-Dow Ker, Chung-Yu Wu. Area-Efficient Layout Design for CMOS Output Transistors. IEEE. Trans. Electron Devices. Vol. 44. April 1997. № 4.
  56. Mansun Chan, Selina S. Yuen, Zji-Jian Ma, Kelvin Y. Hui, Ping К Ко, Chenming Ни. ESD Reliability and Protection Schemes in SOS/CMOS Output Buffers. IEEE Trans. Electron Devices. Oct. 1995. Vol. 42 № 10
  57. A.H. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа, 1989. — 320 с.
  58. Т. Sato, J. Iwamura, Н. Tango, and К. Doi, in «Comparison of thin-film transistor and SOI technologies», Ed. by H.W. Lam and M.J. Thompson, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 33, p. 25, 1984
  59. G.K.Wachutka, «Rigorous thermodynamic treatment of heat generation in semiconductor device modeling», IEEE Trans. CAD, vol. 9, pp. 1141 1149, Nov. 1990.
  60. K.Fisher, K. Shenai, «Electrothermal Effects During Undamped Inductive Switching of Power MOSFET. s», IEE Trans. ED, vol. 44, pp.874−878, No. 5, May 1997
  61. S.Selberherr, Ahalysis and Simulation of Semiconductor Devices. Wien-New York: Springer-Verlag, 1984
  62. Brodsky J.S., Fox R.M., Zweidinger D.T., Veeraraghavan S. A Physical-Based, Dynamic Thermal Impedance Model for SOI MOSFET’s//IEEE Trans., 1997. NS-44, No.6, p.957−963
  63. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. акад. И. К. Кикоина. М.: Атомиздат. 1976. 1008 с.
  64. Сегерлинд JL Применение метода конечных элементов // М.: Мир, 1979.
  65. О.А. Зависимости уровней импульсной электрической прочности КМОП ИС от длительности одиночных импульсов напряжения//Научно-технический сборник: «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2008». — М.: МИФИ, 2008, вып.11, с. 139−140
  66. ОСТ 11 073.062−84. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Требования и методы защиты от статического электричества в условиях производства и применения. М.: Изд-во стандартов. — 24 с.
  67. A. H., Иванов С. H., Ульмаскулов M. P. Генераторы импульсов с субнаносекундным фронтом на ртутном герконе. ПТЭ. 1998. № 3. С.69−72
  68. D. С., Marzitelli L. Semiconductor and Nonsemiconductor Damage Study. Braddock, Dunn and MeDonald, Inc., April 1, 1969
  69. А.С., Герасимчук О. А., Каратонова Е. Н. Результаты испытаний ИС серии 1825 на импульсную электрическую прочность//Научно-технический сборник: «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2005». — М.: МИФИ, 2005, вып.8, с. 133−134.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!