Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Магнитные свойства полупроводниковых наноструктур, сильнолегированных бором

Диссертация: Магнитные свойства полупроводниковых наноструктур, сильнолегированных бором
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Еще более жесткие ограничения существуют для наблюдения осцилляций дГвА в сверхпроводниках, поскольку величина магнитного поля, необходимого для их регистрации, обычно превосходит критическое поле, НС2, фазового перехода из сверхпроводящего в нормальное состояние. Поэтому в классических сверхпроводниках осцилляции дГвА могут проявиться в области очень низких температур, Т < (еНс2/27?m*c… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Эффекты Шубникова-де Гааза и де Гааза-ван Альфена в объемных кристаллах и низкоразмерных структурах
    • 1. 1. Квантование характеристик продольного транспорта носителей тока (квантование Ландау)
    • 1. 2. Критерий «сильного поля» для наблюдения осцилляций
  • Шубникова — де Гааза и де Гааза-ван Альфена
    • 1. 3. Эффекты Шубникова — де Гааза и де Гааза-ван Альфена в низкоразмерных структурах
  • Выводы
  • Цель и задачи
  • Глава 2. Ионный полупроводник С (Ш2 и низкоразмерные структуры на его поверхности
    • 2. 1. Ионный полупроводник СёГ
    • 2. 2. Физико-химические аспекты получения полупроводниковых кристаллов СёГ
    • 2. 3. Электронная структура бистабильных центров в СсШ
    • 2. 4. Планарные структуры р-типа проводимости в холловской геометрии и геометрии расщепленного затвора на поверхности кристалла п-Сс1Р
    • 2. 5. Баллистические дырочные каналы, проникающие из квантовой ямы р-тшт. проводимости в объем кристалла п-С (№
  • Выводы
  • Глава 3. Характеристики сверхмелких р±п переходов на поверхности кристаллов п-С6?2 и я-81(100)
    • 3. 1. Туннелирование дырок в сверхузкой квантовой яме р-СёР2, ограниченной 8-барьерами Сс1ВхГ2х
    • 3. 2. Характеристики 5-барьеров CdBxF2-x, ограничивающих квантовую яму CdF2 р -типа проводимости
    • 3. 3. Электрические, оптические и магнитные свойства кремниевых наносандвичей
  • Выводы
  • Глава 4. Эффект де Гааза — ван Альфена в полупроводниковых наноструктурах, сильнолегированных бором
    • 4. 1. Квантование магнитного момента в наносандвичах CdBxF2x//?
  • CdF2-QW/CdBxF2-x
    • 4. 2. Температурные зависимости осцилляций де Газа — Ван Альфена в кремниевых наносандвичах
  • Выводы
  • Глава 5. Магнитные свойства наноструктур на поверхности твердых тел
    • 5. 1. Фрактальное самоупорядочение в кремниевых наносандвичах
    • 5. 2. Осцилляции магнитной восприимчивости типа Ааронова-Бома, возникающие вследствие фрактальной организации поверхности наносандвичей кремния и фторида кадмия
  • Выводы

Магнитные свойства полупроводниковых наноструктур, сильнолегированных бором (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Возможности квантования энергии носителей тока в поперечном магнитном поле были строго обоснованы Л. Д. Ландау [Ландау, 1930], который показал, что в этом случае непрерывный энергетический спектр свободных электронов трансформируется в систему подзон, Ev = hooc (у+½), где сос = еВ/т*, т* - эффективная масса, v — номер уровня Ландау. Эти условия квантования практически немедленно получили экспериментальное подтверждение вследствие обнаружения двух фундаментальных эффектов при исследовании поведения продольного сопротивления (эффект Шубникова — де Гааза (ШдГ) [Schubnikow, 1930]) и магнитной восприимчивости (эффект де Гааза — ван Альфена (дГвА) [de Haas, 1931]) висмута в поперечном магнитном поле.

В обоих случаях были зарегистрированы осцилляции транспортных характеристик в зависимости от величины внешнего магнитного поля, период которых соответствовал энергетическому зазору между уровнями Ландау, Нсос. Причем максимумы осцилляций сопротивления и магнитной восприимчивости наблюдались каждый раз, когда при изменении магнитного поля совпадали значения энергии очередного уровня Ландау и уровня Ферми, Ер, позиция которого соответствует максимальной энергии свободных носителей тока в образце. Соответственно, минимумы осцилляций сопротивления и магнитной восприимчивости регистрировались в условиях, когда уровень Ферми фиксировался между двумя соседними уровнями Ландау.

В дальнейшем, эффекты Шубникова — де Гааза и де Гааза — ван Альфена развились в классические методы в физике конденсированного состояния. Особенно интерес к исследованиям осцилляций Шубникова — де Гааза возрос после развития технологий получения низкоразмерных полупроводниковых структур с высокой подвижностью носителей тока [Fowler, 1966]. В этом случае энергетические позиции уровней размерного квантования определяют спектр уровней Ландау, который отражается в квантовании характеристик продольного транспорта двумерных носителей тока. Следует отметить, что осцилляции Шубникова — де Гааза являются важной составляющей исследования квантового эффекта Холла, поскольку позиции их максимумов сверхточно согласуются с серединами ступенек квантовой лестницы холловского сопротивления [von Klitzing, 1980]. В свою очередь, эффект де Гааза — ван Альфена стал мощным инструментом исследований поверхности Ферми, поскольку период осцилляций магнитного момента, рассматриваемый как функция 1! Н, непосредственно взаимосвязан с площадью ее максимального или минимального поперечного сечения плоскостью, перпендикулярной магнитному полю [Shoenberg, 1952]. Особенно интенсивно исследования по идентификации поверхности Ферми различных металлов, полупроводников и сверхпроводников стали проводиться после создания фундаментальной теории Лифшица — Косевича, в рамках которой было получено соотношение, связывающее осциллирующий магнитный момент с экстремальным сечением поверхности Ферми [Лифшиц, 1955]. Кроме того, полученная теоретическая зависимость амплитуд ШдГ и дГвА осцилляций от температуры позволила использовать их измерения для определения эффективной массы носителей тока, что представляет практический интерес, в частности, для физики низкоразмерных структур [Pudalov, 2002].

Однако в течение долгого времени не удавалось наблюдать осцилляции ШдГ и дГвА при температуре Т > 30 К из-за жесткости условия «сильного поля», со с г = ?л-В" 1, которое соответствует высокой подвижности, ¡-л = (е-т)/т*, носителей тока и выполняется при наличии низкого значения эффективной массы, т*, и большого времени релаксации момента, т [Landwehr, 2000]. Кроме того, регистрации осцилляций ШдГ и дГвА препятствует тепловое размытие в случае невыполнения условия hcoc > кТ. Тем не менее, осцилляции ШдГ были обнаружены при комнатной температуре в графене благодаря низкой эффективной массе носителей, ~10″ 4 то, хотя для их регистрации понадобилось использовать магнитное поле величиной 29 Т вследствие короткого времени релаксации момента [Geim, 2007]. Таким образом, реализация условия сильного поля в слабых магнитных полях оставалась практически нерешенной задачей.

Еще более жесткие ограничения существуют для наблюдения осцилляций дГвА в сверхпроводниках, поскольку величина магнитного поля, необходимого для их регистрации, обычно превосходит критическое поле, НС2, фазового перехода из сверхпроводящего в нормальное состояние. Поэтому в классических сверхпроводниках осцилляции дГвА могут проявиться в области очень низких температур, Т < (еНс2/27?m*c) ~ TC2/EF, где Тс — критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние [Минеев, 1997; Бычков, 1960]. Данное ограничение в значительной степени смягчается в связи с развитием технологии высокотемпературных сверхпроводников, для которых измерения осцилляций дГвА становятся одним из основных методов идентификации механизма сверхпроводимости [Thompson, 2010; Audourd, 2009]. Причем особый интерес вызывают модельные представления высокотемпературных сверхпроводников в рамках последовательности джозефсоновских переходов, представляющих собой систему сверхпроводящих 8 — барьеров, разделенных квантово-размерными диэлектрическими или металлическими прослойками.

Именно в подобных джозефсоновских наносандвичах было реализовано приближение сильного поля при высоких температурах в слабых магнитных полях [Баграев, 2009а, 2009b, 2010; Bagraev, 2008]. Эти наносандвичи, полученные на поверхности кристалла фторида кадмия птипа проводимости, представляли собой сверхузкую, 2 нм, квантовую яму CdF2 р — типа, ограниченную 5-барьерами, проявляющими сверхпроводящие свойства, вследствие которых двумерные дырки обладают малой эффективной массой и большим временем релаксации момента, что позволило зарегистрировать осцилляции ШдГ при комнатной температуре [Баграев, 2009а]. Поэтому особый интерес к таким наноструктурам обусловлен возможностями изучения взаимосвязанности сверхпроводящих свойств 8 — барьеров и квантования энергии носителей в ограничиваемых ими квантовых ямах, проволоках и точках, если сверхпроводящая длина когерентности и фермиевская длина волны отличаются незначительно [Баграев, 2009Ь]. Данная взаимосвязанность может быть обнаружена в исследованиях как поперечного, так и продольного транспорта. В частности, при туннелировании через наносандвич, который представляет собой двойной барьер, наблюдается синхронное поведение спектральных зависимостей сверхтока и проводимости двумерных дырок, регистрируемых соответственно ниже и выше температуры сверхпроводящего перехода 5 -барьеров [Баграев, 2009Ь, 2009с]. В этом случае пиковые значения сверхтока, /с, и проводимости, (/", совпадают с энергетическими позициями уровней размерного квантования, а их соотношение отражает взаимосвязанность процессов туннелирования одиночных дырок и их пар, 1сЮп = тгА/е [Баграев, 2009Ь, 2010, Веепаккег, 1991]. В свою очередь, в исследованиях квантования характеристик продольного транспорта в наносандвиче следует ожидать проявления взаимосвязанности сверхпроводящих свойств 8-барьеров и квантования Ландау вследствие наличия дискретных состояний Бозе-конденсата, которые подвержены влиянию внешнего магнитного поля и температуры, что может привести к изменению величины плотности и эффективной массы двумерных носителей.

Вышесказанное определяет актуальность темы настоящей работы, основным направлением которой было обнаружение осцилляций де Гаазаван Альфена и их детальное исследование для идентификации характеристик отмеченных выше наносандвичей на основе кремния и фторида кадмия. Цель работы заключалась в обнаружении и исследовании квантования магнитного момента в полупроводниковых наноструктурах, сильнолегированных бором, при высоких температурах в слабых магнитных полях.

В задачи работы входило изучение следующих вопросов:

1. Регистрация полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных § - барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) «-типа.

2. Экспериментальная реализация условия «сильного поля», сос-т = 1, где т и ¡-а — транспортное время и подвижность носителей, для обнаружения осцилляций де Гааза — ван Альфена при высоких температурах в слабых магнитных полях.

3. Исследование температурных зависимостей характеристик осцилляций де Гааза — ван Альфена для определения значений плотности и эффективной массы двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах р-типа, ограниченных 5 — барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) «-типа.

4. Исследование температурных изменений плотности и эффективной массы двумерных дырок с помощью измерений температурных зависимостей амплитуды осцилляций де Гааза — ван Альфена для изучения формирования квантовых состояний Бозе-конденсата вследствие сверхпроводящих свойств сильнолегированных бором 8 — барьеров, ограничивающих квантовые ямы р-типа проводимости на поверхности кремния (100) и фторида кадмия «-типа.

5. Обнаружение и исследование осцилляций типа Ааронова-Бома, возникающих в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости вследствие фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности 8 — барьеров, сильнолегированных бором.

Научная новизна работы.

1. Измерения полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных 8 — барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) «-типа позволили обнаружить осцилляции де Гааза — ван Альфена (дГвА) при высоких температурах в слабых магнитных полях.

2. Измерения температурных зависимостей амплитуд осцилляций дГвА в наносандвичах кремния и фторида кадмия позволили определить малую величину эффективной массы двумерных дырок благодаря которой квантование энергии и магнитного момента стала возможной при высоких температурах.

3. Обнаружено периодическое изменение частоты осцилляций дГвА, сопровождаемое диамагнитным откликом, с ростом температуры, которое позволило идентифицировать синхронные температурные осцилляции плотности и эффективной массы двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах кремния и фторида кадмия вследствие формирования Бозе-конденсата в ограничивающих их 5 — барьерах, сильнолегированных бором.

4. Обнаружены осцилляции типа Ааронова-Бома, возникающие в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости вследствие фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности сильнолегированных бором 5 — барьеров, ограничивающих квантовые ямы кремния и фторида кадмия.

Достоверность полученных результатов подтверждается сравнительным анализом экспериментальных данных, полученных с помощью различных методик, а также их соответствием с имеющимися на сегодняшний день экспериментальными и теоретическими результатами изучения квантования магнитного момента в низкоразмерных полупроводниковых структурах. Научная и практическая значимость диссертационного исследования определяется обнаружением осцилляций де Гааза — ван Альфена (дГвА) при высоких температурах в слабых магнитных полях в планарных наносандвичах кремния и фторида кадмияобнаружением синхронных температурных осцилляций плотности и эффективной массы двумерных дырок вследствие сверхпроводящих свойств сильнолегированных бором 5 барьеров, ограничивающих сверхузкие квантовые ямы кремния и фторида кадмия /?-типаобнаружением периодических осцилляций статической магнитной восприимчивости, обусловленных фрактальной самоорганизацией микродефектов на поверхности низкоразмерных и объемных параи диамагнетиковизмерениями малой величины эффективной массы двумерных дырок с помощью регистрации температурных зависимостей осцилляций дГвА. Защищаемые положения.

1. Полевые зависимости статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям р-типа, ограниченных 5 — барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) п-типа проявляют осцилляции де Гааза — ван Альфена при высоких температурах в слабых магнитных полях.

2. Квантование магнитного момента при высоких температурах в условиях продольного транспорта двумерных дырок обеспечивается благодаря их малой эффективной массе, определенной из температурных зависимостей амплитуд осцилляций де Гааза — ван Альфена в сверхузких квантовых ямах р-типа, ограниченных 8 -барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) и-типа.

3. Плотность и эффективная масса одиночных двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах р-типа синхронно осциллируют с ростом температуры в условиях формирования квантовых состояний Бозе-конденсата вследствие сверхпроводящих свойств 8 — барьеров, сильнолегированных бором.

4. Периодические осцилляции типа Ааронова — Бома возникают в полевых зависимостях статической магнитной восприимчивости только при определенных значениях дискретного изменения магнитного поля, которые взаимосвязаны с параметрами фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности низкоразмерных и объемных параи диамагнитных структур. Апробация результатов работы. Полученные в работе результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Международной конференции по наносистемам, НАТМО-2010 (Рим, Италия, 2010) — 6-й Международной конференции по квантовым вихрям в наноструктурированных сверхпроводниках, УОЯТЕХ-б (Родос, Греция, 2009) — 11-й Международной конференции РЬМСЬЫ1 (Берлин, ФРГ, 2011) — 8-й Международной конференции «Кремний-2001» (Москва, Россия, 2011) — 10-й Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, Россия, 2011).

Публикации: по результатам исследований, изложенных в диссертации, имеется 5 публикаций в ведущих отечественных и международных журналах. Список публикаций приведен в конце диссертации. Структура диссертации: Диссертация состоит из Введения, пяти глав и Заключения.

Выводы.

Исследования полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости низкоразмерных и объемных парамагнетиков, диамагнетиков и ферромагнетиков позволили обнаружить периодические осцилляции типа Ааронова-Бома (АБ). Обнаруженные АБ осцилляции с периодом, 25 мТ, и спиновым расщеплением, 10 мТ, регистрируются только при определенных значениях дискретного изменения магнитного поля, которые взаимосвязаны с параметрами фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности низкоразмерных и объемных структур.

Практически полное совпадение величин периода, спинового расщепления пиков АБ осцилляций и оптимальных значений дискретного изменения внешнего магнитного поля для их регистрации в исследованных структурах свидетельствуют о наличии общих закономерностей в процессах фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности в парамагнетиках, диамагнетиках и ферромагнетиках.

Важная роль одномерных контуров, охватывающих самоупорядоченные микродефекты на поверхности, в возникновении АБ осцилляций подтверждается их практически полным отсутствием в низкоразмерных и объемных металлических структурах вследствие электрон-электронного взаимодействия.

Заключение

.

1. Осцилляции де Гааза — ван Альфена (дГвА) были обнаружены при высоких температурах в слабых магнитных полях с помощью измерений полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости сверхузких квантовых ям /?-типа, ограниченных 5 — барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов фторида кадмия и кремния (100) я-типа.

2. Регистрация квантования магнитного момента в условиях продольного транспорта носителей стала возможной вследствие достижения приближения «сильного поля», сос-т = х-В" 1, благодаря малой эффективной массе двумерных дырок, что подтверждается измерениями температурных зависимостей амплитуд осцилляций дГвА.

3. Обнаружено периодическое изменение частоты осцилляций дГвА, сопровождаемое диамагнитным откликом, с ростом температуры, которое позволило идентифицировать температурные осцилляции плотности двумерных дырок в сверхузких квантовых ямах р-типа, ограниченных 5 — барьерами, сильнолегированными бором, на поверхности кристаллов СёР2 и 81 (100) и-типа.

4. Показано, что плотность и эффективная масса одиночных двумерных дырок синхронно осциллируют с ростом температуры. Полученные результаты объясняются в рамках формирования квантовых состояний Бозе-конденсата, которое является следствием дискретного изменения длины когерентности куперовских пар дырок в условиях фрактальной структуры сверхпроводящих 5 — барьеров, сильнолегированных бором.

5. Исследования полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости низкоразмерных и объемных парамагнетиков, диамагнетиков и ферромагнетиков позволили обнаружить периодические осцилляции типа Ааронова-Бома (АБ).

6. Обнаруженные АБ осцилляции регистрируются только при определенных значениях дискретного изменения магнитного поля, которые взаимосвязаны с параметрами фрактальной самоорганизации микродефектов на поверхности низкоразмерных и объемных структур.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .А., Дмитриев А. И., Лашкарев Г. В., Орлецкий В. Б., Товстюк К. Д., Чудинов С. М., Эффект Шубникова-де-Гааза в узкощелевом твердом растворе Pb.xSnxTe п — типа, ФТТ, т.9, с. 402 (1977).
  2. .А., Вадхва P.C., Чудинов С. М., Переход в бесщелевое состояние под действием давления в сплаве Pb.xSnxTe, ФТП, т.12, с. 1927 (1978).
  3. .А., Рябова Л. И., Чудинов С. М., Яценко О. Б., Перестройка энергетического спектра в сплавах Pbi.xSnxTe с примесью In при изменении их состава и под давлением, ФТП, т.13, с. 752 (1979).
  4. Х.Н., Баширов Р. Н., Влияние спина на квантовые осцилляции гальваномагнитных эффектов в n-InSb, ФТТ, т.8, с. 2189 (1966).
  5. Х.И., Баширов Р. Н., Гальваномагнитные явления в n-InSb в сильных магнитных полях, ФТП, т.1, с. 667 (1967).
  6. Н.Т., Буравлев А. Д., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Гельхофф В., Иванов В. К., Шелых И. А., Квантованная проводимость в кремниевых квантовых проволоках, ФТП, т.36, с. 462 (2002).
  7. Н.Т., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Щеулин A.C., Рыскин
  8. A.И., Гетеропереходы p±Si-~n-CdF2, ФТП, т.39, с. 557 (2005).
  9. Н.Т., Гимбицкая О. Н., Клячкин Л. Е., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Рыскин А. И., Щеулин A.C., Спиновый транзистор на основе наноструктур фторида кадмия, ФТП, т.43, с. 85 (2009а).
  10. Н.Т., Гимбицкая О. Н., Клячкин Л. Е., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Рыскин А. И., Щеулин A.C., Квантовый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия, ФТП, т.43, с. 82 (2009b).
  11. Ю.Баграев Н. Т., Клячкин Л. Е., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Романов
  12. B.В., Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур, ФТП, т.43, с. 1481 (2009с).
  13. П.Баграев Н. Т., Клячкин JI.E., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Оганесян Г. А., Полоскин Д. С., Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах, ФТП, т.43, с. 1496 (2009d).
  14. Н.Т., Гимбицкая О. Н., Клячкин JI.E., Кудрявцев A.A., Маляренко A.M., Романов В. В., Рыскин А. И., Щеулин A.C., Квантовый спиновый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия, ФТП, т.44, с. 1372 (2010).
  15. П.Баграев Н. Т., Брилинская Е. С., Гец Д. С., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Романов В. В., Осцилляции Шубникова де Гааза и де Гааза -ван Альфена в кремниевых наноструктурах. ФТП, т.45, с. 1503 (2011).
  16. Р.Н., Гаджиев P.M., Влияние спина на квантовые осцилляции поперечного магнитосопротивления в селениде ртути, ФТП, т.1, с. 443 (1967).
  17. Д.И., Основы квантовой механики, Москва, Высш. школа, (1961).
  18. Е. С. Лазарев Б.Г., О влиянии формы на сопротивление монокристаллов висмута в магнитном поле, ЖЭТФ, т.21, с. 857 (1951).
  19. Н.Б., Чудинов С. М., Осцилляционные эффекты в полуметаллических сплавах BiSb под давлением, ЖЭТФ, т.59, с. 1494 (1970).
  20. Н.Б., Кувшинников C.B., Пономарев Я. Г. и др., Исследование влияния давления до 10 кбар на поверхность Ферми олова, Письма в ЖЭТФ, т.19, с. 201 (1974).
  21. Н.Б., Мощалков В. В., Чудинов С. М., Изменение связности электронной изо-энергетической поверхности у Bi под давлением, ЖЭТФ, т.74, с. 1929 (1978).
  22. М.С., Парфеньев Р. В., Шалыт С. С., К вопросу о влиянии спина электронов на осцилляции Шубникова де Гааза в n-InSb, ФТТ, т.7, С. 1266 (1965).
  23. Ю.А., Влияние примесей на эффект де Гааза — ван Альфена, ЖЭТФ, т.39, С. 1401 (1960).
  24. .И., Лазарев Б. Г., Руденко Н. С., Магнитные свойства сурьмы при низких температурах, ЖЭТФ, т.21, с. 658 (1951а).
  25. .И., Лазарев Б. Г., Руденко Н. С., Магнитные свойства ртути при низких температурах, ДАН СССР, т.80, с. 45 (1951b).
  26. .И., Лазарев Б. Г., Руденко Н. С., Некоторые особенности магнитных свойств монокристаллов цинка при низких температурах, ДАН СССР, т.81, с. 529 (1951с).
  27. .И., Михайлов И. Ф., Магнитные свойства металлов при низких температурах. 2. Зависимость магнитной восприимчивости монокристаллов цинка от напряженности магнитного поля в области температур от 20,4 до 300К, ЖЭТФ, т.24, с. 342 (1953а).
  28. .И., Михайлов И. Ф., Магнитные свойства металлов при низких температурах. 3. О форме огибающей для кривых «периодической» зависимости восприимчивости металлов от поля, ЖЭТФ, т.25, с. 471 (1953b).
  29. .И., Дмитренко И. М., Анизотропия магнитных свойств монокристаллов цинка при низких температурах, Изв. АН СССР. Сер. физ., т.19, с. 409 (1955).
  30. .И., К вопросу о температурной зависимости магнитной восприимчивости элементов, ЖЭТФ, т.32, с. 156 (1957).
  31. .И., Свечкарев И. В., Магнитные свойства сплавов индия. 1. Твердые растворы Cd, Sn и Pb в In, ЖЭТФ, т.47, с. 404 (1964).31 .Вонсовский C.B., Магнетизм, Москва, Наука (1971).
  32. А.И., Лашкарев Г. В., Чудинов С. М., Поверхность Ферми дырок в узко- щелевых твердых растворах Pb.xSnxTe, ФНТ, т. З, с. 444 (1977).
  33. Зб.Зейтц, Ф., Современная теория твердого тела, М/ Л.: Гостехтеориздат, (1949).
  34. Й., Введение в мезоскопическую физику, ФизМатЛит, (2002).
  35. С.А., Рыскин А. И., Романов В. В., Парамагнитная восприимчивость аддитивно окрашенных фотохромных кристаллов CdF2:In, ФТТ, т.39, с. 1205 (1997).
  36. Л.Д., Диамагнетизм металлов, Zs. Phs., т.64, с. 629 (1930).
  37. Л.Д., Теория ферми-жидкости, ЖЭТФ, т.ЗО, с. 1058 (1956).
  38. Л. Д., Лифшиц Е. М., Статистическая физика. Часть 1 («Теоретическая физика», том V), Москва, Наука (1964).
  39. И.М., Косевич A.M., К теории эффекта де-Хааза — ван-Альфена для частиц с произвольным законом дисперсии, ДАН СССР, т.96, с. 963 (1954а).
  40. И.М., Погорелов A.B., Об определении поверхности Ферми и скоростей в металле по осцилляции магнитной восприимчивости, ДАН СССР, т.96, с. 1143 (1954b).
  41. И.М., Косевич A.M., К теории магнитной восприимчивости металлов при низких температурах, ЖЭТФ, т.29, с. 730 (1955).
  42. И.М., Азбель М. Я., Каганов М. И., К теории гальваномагнитных явлений в металлах, ЖЭТФ, т.31, с. 63 (1956).
  43. И.М., Каганов М. И., Некоторые вопросы электронной теории металлов, УФН, т.78, с. 411 (1962).
  44. В.П., Вавилов М. Г., Эффект де Гааза — ван Альфена в сверхпроводниках, УФН, т. 167, с. 1121 (1997).
  45. Abrahams Е., Anderson P.W., Licciardello D.C., Ramakrishnan T.V., Scaling Theory of Localization: Absence of Quantum Diffusion in Two Dimensions, Phys. Rev. Lett., v.42, p.673 (1979).
  46. Aharonov Y., Bohm D., Significance of electromagnetic potentials in quantum theory, Phys. Rev., v.115, p.485 (1959).
  47. Alers P.B., Webber R.T., The Magnetoresistance of Bismuth Crystals at Low Temperatures, Phys. Rev., v.91, p. 1060 (1953).
  48. Alers P.В., Thermal Magnetoresistance of Zinc at Low Temperatures, Phys. Rev., v.101, p.41 (1956).
  49. Alexandrov A.S., Mott N.F., Bipolarons, Rep. Prog. Phys., v.57, p. 1197 (1994).
  50. Altshuler B.L., Aronov A.G., Spivak B.Z., The Aaronov-Bohm effect in disordered conductors, JETPLett., v.33, p.94 (1981).
  51. Anderson P. W., Absence of diffusion in certain random lattices, Phys. Rev., v.109, p. 1492 (1958).
  52. Ashcroft N.W., The Fermi surface of aluminium, Philosophical Magazine, v.8, p.2055 (1963).
  53. Bagraev N.T., Mashkov V.A., Tunneling Negative-U centers and photo-induced reactions in Solids, Solid State Commun., v.51, p.515 (1984).
  54. Bagraev N.T., Mashkov V.A., A mechanism for two-electron capture at deep level defects in semiconductors, Solid State Commun., v.65, p. llll (1988).
  55. Bagraev N., Bouravleuv A., Gehlhoff W., Klyachkin L., Malyarenko A., Rykov S., Self-assembled impurity superlattices and microcavities in silicon, Def. Dif. Forum, v.194, p.673 (2001).
  56. Bagraev N.T., Ivanov V.K., Klyachkin L.E., Shelykh I.A., Spin depolarization in quantum wires polarized spontaneously in a zero magnetic field, Phys. Rev. B, v.70, p. 155 315 (2004).
  57. Bagraev N.T., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Romanov V.V., Rykov S.A., Superconductivity in silicon nanostructures, Physica C, v.437−438, p.21 (2006).
  58. BagraevN.T., GalkinN.G., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Phase and amplitude response of «0.7 feature» caused by holes in silicon one-dimensional wires and rings, J. Phys.: Condens. Matter, v.20, p. 164 202 (2008a).
  59. Bagraev N.T., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Kudryavtsev A.A., Malyarenko A.M., Oganesyan G.A., Poloskin D.S., Romanov V.V., Spin-dependent transport of holes in silicon quantum wells confined by superconductor barriers, Physica C, v.468, p.840 (2008b).
  60. Bao-xing Li, Pen-lin Cao & Duam-lin Que, Distorted icosahedral cage structure of Si60 clusters, Phys. Rev. B, v.61, p. 1685 (2000).
  61. Beenakker C.W.J., van Houten H., Josephson current through a superconducting quantum point contact shorter than the coherence length, Phys. Rev. Lett., v.66, p.3056 (1991).
  62. Berlincourt T.G., Relation between the de Haas-van Alphen Effect and the Magnetoresistance in Bismuth, Phys. Rev., v.91, p. 1277 (1953).
  63. Bhargava R.N., De Haas-van Alphen and Galvanomagnetic Effect in Bi and Bi-Pb Alloys, Phys. Rev., v.156, p.785 (1967).
  64. Blackman M., On the Diamagnetic Susceptibility of Bismuth, Proc. R. Soc. Lond. A, v.166, p. l (1938).
  65. Boothroyd A.T., Babkevich P., Prabhakaran D., Freeman P.G., An hourglass magnetic spectrum in an insulating, hole-doped antiferromagnet, Nature, v.471, p.314 (2011).
  66. Bosnell J.R., Myers A., Ultrasonic observation of De Haas-Van Alphen type oscillations in cadmium, Physics Letters, v.12, p.297 (1964).
  67. Brailsford A.D., Influence of Impurities on the de Haas-van Alphen Effect, Phys. Rev., v.149, p.456 (1966).
  68. Brandt G.B., Rayne J.A., Low-Field de Haas-van Alphen Effect in Indium, Phys. Rev., v.132, p.1512 (1963).
  69. Brandt G.B., Rayne J.A., De Haas-Van Alphen effect in indium, Physics Letters, v.12, p.87 (1964).
  70. Brandt G.B., Rayne J.A., De Haas-Van Alphen effect in mercury, Physics Letters, v.15, p. 18 (1965).
  71. Brandt, G.B., Rayne J. A,. De Haas-van Alphen Effect in Mercury, Phys. Rev., v.148, p.644 (1966).
  72. Bresler M.C., Redko N.A., Shalyt S.S., Quantum oscillations of transport coefficients in n-type InSb, Phys. Stat. Sol., v.15, p.745 (1966).
  73. Broom R., Magnetoresistance of n-type InSb at 4,2 K, Proc. Phys. Soc., v.71, p.470 (1958).
  74. Buttiker M., Imry Y. and Landauer R., Josephson behavior in small normal one-dimensional rings, Phys. Lett., V.96A, p.365 (1983).
  75. Chadi D.J., Chang K.J., Theory of the Atomic and Electronic Structure of DX Centers in GaAs and Al^Ga^As Alloys, Phys. Rev. Lett, v.61, p.873 (1988).
  76. Chadi D.J., Chang K.J., Energetics of DZ-center formation in GaAs and AlxGai. xAs alloys, Phys. Rev. B, v.39, p. 10 063 (1989).
  77. Condon J.H., Marcus J.A., Fermi Surface of Calcium by the de Haas-van Alphen Effect, Phys. Rev., v.134, p. A446 (1964).
  78. Connell R.A., Marcus J.A., Low-Temperature Galvanomagnetic Effects in Bismuth Monocrystals, Phys. Rev., v.107, p.940 (1957).
  79. Corcoran R., Harrison N., Hayden S.M., Meeson P., Springford M., van der Wei P. J., Quasiparticles in the vortex state of V^Si, Phys. Rev. Lett., v.72, p.701 (1994).
  80. Corcoran R., Harrison N., Haworth C.J., Hayden S.M., Meeson P., Springford M., van der Wei P.J., De Haas-van Alphen effect in the superconducting state, Physica B: Condensed Matter, v.206−207, p.534 (1995).
  81. Dabrowski J., Scheffler M., Isolated arsenic-antisite defect in GaAs and the properties of EL2, Phys. Rev. B, v.40, p. 10 391 (1989).
  82. Datta S., Electronic transport in mesoscopic systems, University Press Cambridge, (2005).
  83. Dresselhaus M.S., Mavroides J.G., The Fermi Surface of Graphite, IBM J. Res. Develop., v.8, p. 262 (1964).
  84. Ekimov, E.A., Sidorov, V.A., Bauer, E.D., Mel’nik, N.N., Curro, N.J., Thompson, J.D., Stishov, S.M., Superconductivity in diamond, Nature, v.428, p.542 (2004).
  85. Falicov L.M., The Band Structure and Fermi Surface of Magnesium, Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, v.255, p.55 (1962).
  86. Fowler A.B., Fang F.F., Howard W.E., Stiles P.J., Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces, Phys. Rev. Lett., v. 16, p.901 (1966).
  87. Frank W., Gosele U., Mehrer H., Seeger A., Diffusion in silicon and germanium, Diff. in Crystlline Solids, Academic Press Inc., p.63 (1984).
  88. Frederikse H.P.R., Hosier W.R., Galvanomagnetic Effects in n-Type Indium Antimonide, Phys. Rev., v.108, p. l 136 (1957).
  89. Frederikse H.P.R., Hosier W.R., Oscillatory Galvanomagnetic Effects in n-Type Indium Arsenide, Phys. Rev., v.110, p.880 (1958).
  90. Eisenbergre P., Pershan P. S., Electron-Spin-Resonance and Infrared Studies of Semiconducting, Rare-Earth-Doped CdF2, Phys. Rev., v. 167, p.292 (1968).
  91. Eisenbergre P., Pershan P. S." Feldman B.J., Microwave Magnetoabsorption at Low Temperatures in Semiconducting CdF2, Phys. Rev. B, v.4, p.3402 (1971).
  92. Gehlhoff W., Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Shallow and deep centers in heavily doped silicon quantum wells, Mater. Sci. Forum, v.196−201, p.467 (1995).
  93. Geim A.K., Novoselov K. S., The rise of graphene, Nature Materials, v.6, p. 183 (2007).
  94. Geim A.K., Grigorieva I.V., Dubonos S.V., Lok J.G.S., Maan J.C., Filippov A.E., Peeters F.M., Deo P. S., Mesoscopic superconductors as 'artificial atoms' made from Cooper pairs, Physica B, v.249−251, p.445 (1998).
  95. Goesele U., Tan T.Y., Point defects and diffusion in silicon and gallium arsenide, Def. Dif. Forum, v.59, p. l (1988).
  96. Goldstein A., Foner S., De Haas-van Alphen Effect in Gallium at High dc Magnetic Fields, Phys. Rev., v.146, p.442 (1966).
  97. Goll G., Heinecke M., Jansen A.G.M., Joss W., Nguyen L., Steep E., De Haas-van Alphen study in the superconducting state of YNi2B2C, Phys. Rev. B, v.53, p. R8871 (1996).
  98. Harris J.G.E., Knobel R., Maranowski K.D., Gossard A.C., Samarth N., Awschalom D.D., Magnetization Measurements of Magnetic Two-Dimensional Electron Gases, Phys. Rev. Lett., v.86, p.4644 (2001).
  99. Harrison N., Hayden S.M., Meeson P., Springford M., van der Wei P.J., Menovsky A.A., De Haas-van Alphen effect in the vortex state of Nb3Sn, Phys. Rev. B, v.50, p.4208 (1994).
  100. Hasan M.Z., Kane C.L., Colloquium: Topological insulators, Rev. Mod. Phys. v.82, p.3045 (2010)
  101. Hedgcock F.T., Muir W.B., De Haas-van Alphen Effect in a Zinc Alloy Exhibiting a Resistance Minimum, Phys. Rev, v.129, p.2045 (1963).
  102. Higgins R.J., Marcus J.A., Whitmore D.H., Intermediate-Field de Haas-van Alphen Effect in Zinc, Phys. Rev., v.137, p. l 172 (1965).
  103. Higgins R.J., Marcus J.A., De Haas-van Alphen Effect and the Fermi Surface of Dilute Alloys of Zinc, Phys. Rev., v. 141, p.553 (1966).
  104. Jan J.-P., Pearson W.B., Saito Y., Springford M., Templeton I.M., De Haas-van Alphen effect and fermi surface of the intermetallic compounds AuAl2, AuGa? and Auln2, Philosophical Magazine, v.12, p. 1271 (1965).
  105. Jan J.-P., Pearson W.B., Saito Y., De Haas-van Alphen Effect and Fermi Surface of Ordered Alloys of the beta Brass Type, Proc. R. Soc. Lond. A, v.297, p.275 (1967).
  106. Jarillo-Herrero P., van Dam J.A., Kouwenhoven L.P., Quantum supercurrent transistors in carbon nanotubes, Nature, v.439, p.953 (2006).
  107. Jauregui K., Marchenko V.I., Vagner I.D., Magnetization of a two-dimensional electron gas, Phys. Rev. B, v.41, p. 12 922 (1990).
  108. Jie Xiang, Vidan A., Tinkham M., Westervelt R.M., Lieber Ch., Ge-Si nanowire mesoscopic Josephson Junctions, Nature-nanotechnology, v. l, p.208 (2006).
  109. Kao Y-H., Brown III R.D., Hartman R.L., Shubnikov-de Haas Effect and Cyclotron Resonance in a Dilute Bi-Sb Alloy, Phys. Rev., v.136, p. A858 (1964).
  110. Kazanskii S.A., Ryskin, A.I., Romanov V.V., Paramagnetic susceptibility of semiconducting CdF2: In crystals: Direct evidence for the negative-U nature of the DX-like state, Appl. Phys. Lett., v.70, p. 1272 (1997).
  111. Kazanskii S.A., Rumyantsev D.S., Ryskin A.I., Ionized donor pairs and microwave and far-infrared absorption in semiconducting CdF2, Phys. Rev. B, v.65, p. 165 214 (2002).
  112. Kingsley J.D., Prener J.S., Free Charge Carrier Effects in Cadmium Fluoride, Phys. Rev. Lett., v.8, p.315 (1962).
  113. King-Smith P.E., The de Haas-van Alphen effect in dilute alloys of silver and gold, Philosophical Magazine, v.12, p. l 123 (1965).
  114. Landwehr G., Gerschutz J., Oehling S., Pfeuffer-Jeschke A., Latussek V., Becker C.R., Quantum transport in n-type and p-type modulation-doped mercury telluride quantum wells, Physica E, v.6, p.713 (2000).
  115. Lang D.V., Logan R., Large-Lattice-Relaxation Model for Persistent Photoconductivity in Compound Semiconductors, Phys. Rev. Lett., v.39, p.635 (1977).
  116. Lang D.V., Logan R., Jaros M., Trapping characteristics and a donor-complex (DX) model for the persistent-photoconductivity trapping center in Te-doped A^Ga^As, Phys. Rev. B, v.19, p. 1015 (1979).
  117. Langer J.M., Dmochowski J.M., Langer J.M., Kalinski Z., Jantsch W., CdF2: In—A Critical Positive Test of the Toyozawa Model of Impurity Self-Trapping, Phys. Rev. Lett., v.56, p. 1735 (1986).
  118. Larson C.O., Gordon W.L., Low-Field de Haas — van Alphen Study of the Fermi Surface of Aluminum, Phys. Rev., v.156, p.703 (1967).
  119. Ledentsov N.N., Ordered arrays of quantum dots, Proc. of the 23rd International conf. on Physics of semiconductors (22−27 July 1996, Berlin, Germany), ed. by M. Schejfler and R. Zimmermann, World Scientific Singapore, v. l, p.19 (1996).
  120. Lee T.H. Moser F., Optical Properties and Donor States in Semiconducting CdF2, Phys. Rev. B, v. 3, p.347 (1971).
  121. Loucks T.L., Further Results on the Fermi Surface of Beryllium, Phys. Rev., v.134, p. A1618 (1964).
  122. Marcus J.A., The de Haas-van Alphen Effect in a Single Crystal of Zinc, Phys. Rev., v.71, p.559 (1947).
  123. McClure J.W., Energy Band Structure of Graphite, IBM J. Res. Developm., v.8, p. 255 (1964).
  124. Micolich A.P., Fractal Magneto-conductance Fluctuations in Mesoscopic Semiconductor Billiards, PhD thesis, The University of New South Wales, School of Physics, Australia, 2000.
  125. Moser F., Matz D., Lyu S., Infrared Optical Absorption in Semiconducting CdF2: Y Crystals, Phys. Rev., v.182, p.808 (1969).
  126. Notzel R., Self-organized growth of quantum-dot structures, Semiconductor Sci. & Technol, v. l 1, p. 1365 (1996).
  127. Okumura K., Templeton I.M., The de Haas-van Alphen effect in rubidium, Philosophical Magazine, v.7, p.1239 (1962).
  128. Onopko D.E., Ryskin A.I., Donor impurities and DX centers in the ionic semiconductor CdF2: Influence of covalency, Phys. Rev. B, v.61, p. 12 952 (2000).
  129. Orlowski B.A., Langer J.M., Band structure of CdF2 from photoemission measurements, Acta Physica Polonica A, v.63, p. 107 (1983).
  130. O’Sullivan W.J., Schirber J.E., Pressure Dependence of the Low-Frequency de Haas — van Alphen Oscillations in Zn, Phys. Rev., v.151, p. 484(1966).
  131. Pare C.H., Chadi D.J., First-Principles Study of Structural Bistability in Ga- and /"-Doped CdF2, Phys. Rev. Lett., v.82, p. l 13 (1999).
  132. Peierls R., Zur Theorie des Diamagnetismus von Leitungselektronen, Zeitschrift fur Physik A Hadrons and Nuclei, v.80, p.763 (1933a).
  133. Peierls R., Zur Theorie des Diamagnetismus von Leitungselektronen. II Starke Magnetfelder, Zeitschrift fur Physik A Hadrons and Nuclei, v.81, p.186 (1933b).
  134. Priestley M.G., The de Haas van Alphen effect in aluminium, Philosophical Magazine, v.7, p.1205 (1962).
  135. Priestley M.G., Pulsed-Field de Haas van Alphen Effect in Thallium, Phys. Rev., v.148, p.580 (1966).
  136. Priestley M.G., Windmiller L.R., Ketterson J.B., Eckstein Y., De Haas-Van Alphen Effect and Fermi Surface in Arsenic, Phys. Rev., v.154, p.671 (1967).
  137. Pudalov V.M., Gershenson M.E., Kojima H., Butch N., Dizhur E.M., Brunthaler G., Prinz A., Bauer G., Low-Density Spin Susceptibility and Effective Mass of Mobile Electrons in Si Inversion Layers, Phys. Rev. Lett., v.88, p. 196 404 (2002).
  138. Robertson J., Electronic structure of amorphous semiconductors, Andvances in Physics, v.32, p.361 (1983).
  139. Ryskin A.I., Shcheulin A.S., Koziarska B., Langer J.M., Suchocki A., Buczinskaya I.I., Fedorov P.P., Sobolev B.P., CdF2: In: A novel material for optically written storage of information, Appl. Phys. Lett., v.61, p.31 (1995).
  140. Ryskin A.I., Shcheulin A.S., Miloglyadov E.V., Linke R.A., Redmond1., Buchinskaya I.I., Fedorov P.P., Sobolev B.P., Mechanisms of writing and decay of holographic gratings in semiconducting CdF2: Ga, J. Appl. Phys., v.83, p.2215 (1998).
  141. Schubnikow L., de Haas W.J., Magnetische Widerstandsvergrosserung in Einkristallen von Wismut bei tiefen Temperaturen, Leiden Commun., v.207a, p.3 (1930).
  142. Shapira Y., Williamson S.J., Fischler S., Quantum Oscillations in the Ultrasonic Attenuation and Magnetic Susceptibility of InBi, Phys. Rev. v.144. p.715 (1966).
  143. Shelykh I. A., Bagraev N. T., Galkin N. G., and Klyachkin L. E., Interplay of h/e and h/le oscillations in gate-controlled Aharonov-Bohm rings, Phys. Rev. B, v.71, p. l 13 311 (2005a).
  144. Shelykh I. A., Galkin N. G., and Bagraev N. T., Quantum splitter controlled by Rasha spin-orbit coupling, Phys. Rev. B, v.72, p.235 316 (2005b).
  145. Shelykh I. A., Galkin N. G., and Bagraev N. T., Conductance of a gated Aharonov-Bohm ring touching a quantum wire, Phys. Rev. B, v.74, p. 165 331 (2006).
  146. Shoenberg D., Zaki Uddin M., The Magnetic Properties of Bismuth. I. Dependence of Susceptibility on Temperature and Addition of Other Elements, Proc. R. Soc. Lond. A., v.156, p.687 (1936a).
  147. Shoenberg D., Zaki Uddin M., The Magnetic Properties of Bismuth.1. The de Haas van Alphen Effect, Proc. R. Soc. Lond. A., v.156, p.701 (1936b).
  148. Shoenberg D., The Magnetic Properties of Bismuth. III. Further Measurements on the de Haas Van Alphen Effect, Proc. R. Soc. Lond. A, v.170, p.341, (1939).
  149. Shoenberg D., The de Haas van Alphen Effect, Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, v.245 p. l (1952).
  150. Shoenberg D., The de Haas van Alphen effect in copper, silver and gold, Philosophical Magazine, v.5, p. 105 (1960).
  151. Shoenberg D., The Fermi Surfaces of Copper, Silver and Gold I. The de Haas-van Alphen, Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, v.255, p.85 (1962a).
  152. Shoenberg D., The de Haas van Alphen Effect and the Electronic Structure of Metals, Proc. Phys. Soc., v.79, p. l (1962b).
  153. Shoenberg D., Stiles P.J., The de Haas van Alphen Effect in Alkali Metals, Proc. R. Soc. Lond. A, v.281, p.62 (1964).
  154. Shoenberg D., Magnetic Oscillations in Metals, Cambridge, Cambridge Univ. Press, (1984).
  155. Simanek E., Superconductivity at disordered interfaces, Solid State Community, v.32, p.731 (1979).
  156. Sladek R.J., Magnetoresistance Oscillations in Single-Crystal and Polycrystalline Indium Arsenide, Phys. Rev., v.110, p.817 (1958).
  157. Stark R.W., Fermi Surface of Magnesium. II: The de Haas — van Alphen Effect, Phys. Rev., v.162, p.589 (1967).
  158. Steele M.C., Oscillatory Galvanomagnetic Properties of Antimony Single Crystals at Liquid Helium Temperatures, Phys. Rev., v.99, p. 1751 (1955).
  159. Terrell J.H., The fermi surface of beryllium, Physics Letters, v.8, p.149 (1964).
  160. Thompson, L., Stamp, P.C.E., de Haas-van Alphen oscillations in high-temperature superconductors, Phys. Rev. B, v.81, p. l00514® (2010).
  161. Thornton T.J., Mesoscopic devices, Rep. Prog. Phys., v.58, p.311 (1994).
  162. Ting C. S., Talwar D. N., Ngai K. L., Possible mechanism of superconductivity in metal-semiconductor eutectic alloys, Phys. Rev. Letters, v.45,p.l213 (1980).
  163. Toyozawa Y., Multiphonon recombination processes, Solid State Electronics, v.21, p. 1313 (1978).
  164. Tsui D.C., Stark R.W., De Haas van Alphen Effect, Magnetic Breakdown and the Fermi Surface of Cadmium, Phys. Rev. Lett., v.16, p. 19, (1966).
  165. Vagner I.D., Tsofar Maniv, Ehrenfreund E., Ideally Conducting Phases in Quasi Two-Dimensional Conductors, Phys. Rev. Lett., v.51, p.1700 (1983).
  166. Vagner I.D., Tsofar Maniv, Spikes in the orbital magnetic susceptibility of a two-dimensional electron gas, Phys. Rev. B, v.32, p.8398 (1985).
  167. Vanderkooy J., Datars W.R., De Haas-van Alphen Effect in Arsenic by the Torque Method, Phys. Rev., v.156, p.671 (1967).
  168. Vodolazov D.Y., Golubovic D.S., Peeters F.M., Moshchalkov V.V., Enhancement and decrease of critical current due to suppression of superconductivity by a magnetic field, Phys. Rev. B, v.76, p. 134 505 (2007).
  169. Wharam D.A., Thornton T.J., Newbury R., Pepper M., Ahmed H., Frost J.E.F., Hasko D.G., Peacock D.C., Ritchie D.A., Jones G.A.C., Quantum conductance of ballistic channels, J. Phys. Cond. Mat., v.21, p.209 (1988).
  170. Whitsett C.R., Oscillatory Magnetoresistance in Mercuric Selenide, Phys. Rev., v.138, p. A829 (1965).
  171. Williamson S.J., Foner S., Dresselhaus M.S., De Haas van Alphen Effect in Pyrolytic and Single-Crystal Graphite, Phys. Rev., v.140, p. A1429 (1965).
  172. Wilson A.H., The diamagnetism of quasi-bound conduction electrons, Proc. Camb. Phil. Soc., v.49,p.292 (1953).
  173. Windmiller L.R., Priestle M.G., The Fermi surface of antimony, Solid State Communications, v.3, p. 199 (1965).
  174. Windmiller L.R., De Haas van Alphen Effect and Fermi Surface in Antimony, Phys. Rev., v.149, p.472 (1966).
  175. Zaanen J., High-temperature superconductivity: The secret of the hourglass, Nature, v.471, p.314 (2011).
  176. Н.Т., Брилинская Е. С., Гец Д.С., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Романов В. В., Осцилляции Шубникова де Гааза и де Гааза — ван Альфена в кремниевых наноструктурах, ФТП, т.45, вып.11, с.1503−1508 (2011).
  177. Н.Т., Брилинская Е. С., Даниловский Э. Ю., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Романов В. В., Эффект де Гааза ван Альфена в наноструктурах фторида кадмия, ФТП, т.46, вып.1, с.90−95 (2012).
  178. Н.Т., Брилинская Е. С., Гец Д.С., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Романов В. В., Квантование характеристик продольного транспорта дырок в кремниевых наноструктурах, НТВ СПбГПУ, физ-мат науки, вып.2(128), с.41−47 (2011).
  179. Н.Т., Брилинская Е. С., Даниловский Э. Ю., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Романов В. В., Магнитные свойства наноструктур фторида кадмия, НТВ СПбГПУ, физ-мат науки, вып.3(129), с.38−45 (2011).
  180. Н.Т., Брилинская Е. С., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Романов В. В., Эффекты Шубникова де Гааза и де Гааза — ван Альфена в объемных кристаллах и низкоразмерных структурах, НТВ СПбГПУ, физмат науки, вып.4(130), с.7−14 (2011).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!