Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Переходы металл — диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах

Диссертация: Переходы металл — диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Согласие двух методов — анализ сильных температурных зависимостей сопротивления для двумерных электронных систем с низким уровнем беспорядка в кремниевых МОП структурах в нулевом магнитном поле и обращение в нуль энергии активации и исчезновение нелинейности вольтамперных характеристик, полученное по экстраполяции из диэлектрической фазы — свидетельствует в пользу существования настоящего… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Фазовая диаграмма металл-диэлектрик в магнитном поле
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Всплывание делокализованных состояний в перпендикулярных магнитных полях
    • 1. 3. Подобие диэлектрической фазы и фаз квантового эффекта Холла
    • 1. 4. Краевые каналы и прямые измерения квантованной холловской проводимости
    • 1. 5. Настоящий переход металл-диэлектрик в нулевом магнитном поле и фазовая граница в параллельном магнитном поле
  • Выводы к первой Главе
  • Глава 2. Рост дт вблизи перехода металл-диэлектрик и возможный ферромагнитный переход
    • 2. 1. Биения осцилляций Шубникова-де Гааза
    • 2. 2. Скейлинг магнетосопротивления в параллельном поле и другие методики
    • 2. 3. Другие двумерные системы
  • Выводы ко второй Главе
  • Глава 3. Раздельное определение эффективной массы и ^-фактора
    • 3. 1. Наклон металлической температурной зависимости проводимости в нулевом магнитном поле
    • 3. 2. Зависимость от температуры амплитуды осцилляций Шубниковаде Гааза в слабых полях
    • 3. 3. Спиновые и циклотронные щели в сильных магнитных полях
  • Выводы к третьей Главе
  • Глава 4. Термодинамические измерения магнетизации в кремниевых
  • МОП структурах со слабым беспорядком
    • 4. 1. Критический рост спиновой восприимчивости Паули при низких плотностях электронов
    • 4. 2. Определение-фактора и циклотронной массы
  • Выводы к четвертой Главе
  • Глава 5. Вигнеровский кристалл или ферромагнитная Ферми-жидкость?
  • С точки зрения теории

Переходы металл — диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Основное состояние идеальной сильно взаимодействующей двумерной электронной системы, как ожидается, является вигнеровским кристаллом. Сила взаимодействия характеризуется отношением кулоновской энергии и энергии Ферми, которое в случае одной долины совпадает с радиусом Вигнера-Зейца rs. Параметр взаимодействия возрастает с уменьшением плотности электронов. По данным численного моделирования, вигнеровская кристаллизация ожидается в чрезвычайно разреженном случае, когда rs достигает примерно 35. Уточненные численные расчеты предсказывают, что до кристаллизации, в диапазоне значений параметра взаимодействия 25 < г3 < 35, основным состоянием системы является коррелированная ферромагнитная Ферми-жидкость. Однако, другие промежуточные фазы также могут существовать. Ожидается, что при более высокой плотности электронов rs ~ 1, электронная жидкость парамагнитна, а ее эффективная масса т и фактор Ланде д перенормируются взаимодействием. Только недавно качественные отклонения от поведения слабо взаимодействующей Ферми-жидкости были обнаружены в сильно коррелированных двумерных электронных системах (rs > 10), в частности резкое возрастание эффективной электронной массы с уменьшением плотности электронов.

Цель работы. Исследование переходов металл-диэлектрик в магнитных полях и поведения спиновой восприимчивости, эффективной массы и-фактора при низких плотностях электронов в двумерных электронных системах с помощью транспортных и термодинамических измерений.

Научная новизна. Построена фазовая диаграмма металл-диэлектрик в перпендикулярном и параллельном магнитных полях для двумерных электронных систем в кремниевых МОП структурах и GaAs/AlGaAs гетероструктурах.

Исследовано существование настоящего перехода металл-диэлектрик в нулевом магнитном поле.

Измерена спиновая восприимчивость Паули для сильно взаимодействующих двумерных электронных систем с низким уровнем беспорядка в кремниевых МОП структурах.

Эффективная масса и-фактор при низких плотностях электронов в двумерных электронных системах в кремниевых МОП структурах определены раздельно.

Измерена зависимость увеличенной эффективной массы от степени спиновой поляризации.

Новое научное направление. Экспериментальная физика сильно взаимодействующих двумерных электронных систем.

Практическая ценность. Полученные экспериментальные результаты важны для понимания поведения сильно коррелированных двумерных электронных систем, уже используются для развития соответствующих теоретических подходов и послужат базой для будущих теоретических представлений.

На защиту выносятся следующие основные результаты:

1. Экспериментальные исследования фазовой диаграммы металл-диэлектрик в перпендикулярном магнитном поле для двумерных электронных систем со слабым беспорядком показывают, что по мере уменьшения магнитного поля делокализованные состояния на уровнях Ландау всплывают вверх по энергии относительно центров уровней Ландау и сливаются, создавая в пределе нулевого магнитного поля металлическое состояние.

2. Согласие двух методов — анализ сильных температурных зависимостей сопротивления для двумерных электронных систем с низким уровнем беспорядка в кремниевых МОП структурах в нулевом магнитном поле и обращение в нуль энергии активации и исчезновение нелинейности вольтамперных характеристик, полученное по экстраполяции из диэлектрической фазы — свидетельствует в пользу существования настоящего перехода металл-диэлектрик в нулевом магнитном поле.

3. Транспортные и термодинамические измерения показывают, что для сильно взаимодействующих двумерных электронных систем с низким уровнем беспорядка в кремниевых МОП структурах спиновая восприимчивость Паули обнаруживает критическое поведение, характерное для существования фазового перехода, при электронной плотности пх.

4. Близость величины пх к критической плотности пс для перехода металл-диэлектрик указывает на то, что переход металл-диэлектрик в кремниевых образцах с очень слабым случайным потенциалом — свойство чистой двумерной системы и вызывается взаимодействием.

5. В отличие от стонеровской неустойчивости, рост спиновой восприимчивости вызван увеличением эффективной массы, а не (/-фактора.

6. Увеличенная эффективная масса не зависит от степени спиновой поляризации, так что происхождение этого увеличения не имеет отношения к спиновым обменным эффектам.

Достоверность и обоснованность полученных результатов подтверждается воспроизводимостью данных на разных образцах, разными экспериментальными группами и разными экспериментальными методами.

Личный вклад автора. Все основные экспериментальные результаты были получены автором или при его непосредственном участии. Это касается также постановки научных задач и интерпретации полученных результатов.

Апробация результатов. Основные результаты докладывались на Международной конференции «Physical Properties in Novel Electronic Systems» (Хсинчу, Тайвань, 2000) — Международной конференции «Interacting Electrons in Disordered Metals» (Лейден, Нидерланды, 2000) — Международной конференции «Low Dimensional Systems» (Аспен, Колорадо, 2000) — Международной конференции по электронным корреляциям и свойствам материалов (Родес, Греция, 2001) — Международной конференции по прыжковому механизму и связанным явлениям (Шефаим, Израиль, 2001) — Международной конференции «Correlation effects in low-dimensional electron systems» (Ланкастер, Великобритания, 2001) — Международной конференции «2D MIT» (Принстон, Нью Джерси, 2002) — Международной конференции по физике полупроводников (Эдинбург, Великобритания, 2002) — Международной конференции по сильно связанным кулоновским системам (Санта Фе, Нью Мехико, 2002) — Международной конференции «Electron Interference and Decoherence in Nanos-tructures» (Дрезден, Германия, 2002) — Международной конференции «Strongly Correlated Electrons in Novel Materials» (Лаборо, Великобритания, 2002) — Международной конференции по электронным свойствам двумерных систем (Нара, Япония, 2003) — Международной конференции по магнетизму (Рим, Италия, 2003) — Международной конференции «Interactions and Disorder in Metals and Insulators in Two Dimensions» (Аспен, Колорадо, 2003) — Международной конференции по прыжковому механизму и связанным явлениям (Триест, Италия, 2003) — Международной конференции «Electronic Properties of Nanoscale Systems» (Чикаго, США, 2003) — Международной конференции.

SEMIMAG" (Талахаси, США, 2004) — Международной конференции «Correlated Electrons in High Magnetic Fields» (Айн-Геди/Холон, Израиль, 2004) — Международной конференции по нанофизике (Чикаго, США, 2004) — Международной конференции по сильно коррелированным электронным системам (Карлсруе, Германия, 2004) — Международной конференции по электронным корреляциям и свойствам материалов (Кос, Греция, 2004) — Международной конференции «Physics of Ultra Thin Films Near the Metal-Insulator Transition» (Нью Йорк, США, 2005) — Международной конференции по квантовым фазовым переходам (Санта Барбара, США, 2005) — Международной конференции «Mottness» and Quantum Criticality in the Cuprates and Related Systems" (Тобаго, Вест Индис, 2005) — Международной конференции «Recent challenges in novel quantum systems» (Камерино, Италия, 2005) — Международной конференции «Complex Behavior in Correlated Electron Systems» (Лейден, Нидерланды, 2005) — Международной конференции по нанофизике (Чикаго, США, 2005) — Международной конференции «Quantum Coherence, Noise and Decoherence in Nanostructures» (Дрезден, Германия, 2006) — Международной конференции «Spin and Charge Effects at the Nanoscale» (Пиза, Италия, 2006) — Международной конференции «Nanoelectronics, Nanostructures and Carrier Interactions» (Ацуги, Япония, 2007) — Международной конференции «Disorder and Interactions in Low Dimensions» (Хсинчу, Тайвань, 2007) — Международной конференции «Coherence and Incoherence in Strongly Correlated Systems» (Рим, Италия, 2007).

Основные результаты опубликованы в 33 статьях в реферируемых отечественных (8) и зарубежных (25) журналах и в 3 Phys. Rev. Lett, комментах. Перечень этих публикаций приведен в конце диссертации.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из Введения, 5 глав и Заключения. Работа изложена на 122 страницах, содержит 54 рисунка и список литературы, включающий 285 наименований.

Выводы к четвертой Главе.

В этой Главе описаны оригинальные результаты, полученные автором впервые в работах [270, 271]. Термодинамические измерения магнетизации в параллельных магнитных полях показывают, что для сильно взаимодействующих двумерных электронных систем с низким уровнем беспорядка в кремниевых МОП структурах спиновая восприимчивость Паули обнаруживает критическое поведение, характерное для существования фазового перехода, при электронной плотности пх [270]. Аналогичные измерения магнетизации при нецелых факторах заполнения в перпендикулярных и наклонных магнитных полях позволяют напрямую определить-фактор и циклотронную массу, которые хорошо согласуются с g-фактором и эффективной массой из транспортных измерений и со спиновой восприимчивостью Паули, полученной измерениями магнетизации в параллельных магнитных полях [271].

Глава 5. Вигнеровский кристалл или ферромагнитная Ферми-жидкость? С точки зрения теории.

Как говорилось выше, экспериментальные данные, полученные на кремниевых МОП структурах со слабым беспорядком, указывают, что при приближении с металлической стороны переход металл-диэлектрик управляется взаимодействием. С диэлектрической стороны, наоборот, он по-прежнему является классическим перколяционным переходом без существенного влияния со стороны взаимодействия. Можно сделать вывод, что на фазовой диаграмме рис. 1 система находится в окрестности одной из трикритических точек. Этот вывод согласуется с тем, что параметр взаимодействия г* при низких плотностях электронов превышает теоретическую оценку порога, при котором должна начаться вигнеровская кристаллизация, несмотря на то, что все еще не вполне ясно, должна ли предшествовать кристаллизации какая-то промежуточная фаза, например, — ферромагнитная Ферми-жидкость.

Существует два подхода к обсуждаемому вопросу. В первом случае используется модель Ферми-жидкости, распространяемая на относительно большие значения г*. Этот подход приводит к заключению, что перенормировка д велика, по сравнению с перенормировкой т [242−244]. В пределе высоких г* можно ожидать расходимость-фактора, соответствующую стонеровской неустойчивости. Эти предсказания противоречат экспериментальным результатам. Во-первых, поведение системы с низкой плотностью в режиме со значительно увеличенной восприимчивостью — вблизи начала спонтанной спиновой поляризации и вигнеровской кристаллизации — определяется не-фактором, а эффективной массой через параметр взаимодействия г*. Во-вторых, невозможно объяснить нечувствительность увеличения эффективной массы к спиновым обменным эффектам. Эти разногласия снижают шансы на появление фазы ферромагнитной Ферми-жидкости до кристаллизации электронов. Вообще говоря, даже если спиновый обмен мал, влияние спиновых эффектов все еще может сказаться ближе к точке начала вигнеровской кристаллизации, где энергия Ферми может продолжить снижаться под влиянием увеличения массы.

Другой теоретический подход не основывается на Ферми-жидкости. По аналогии с Не3, было предсказано существование промежуточной фазы между Ферми-жидкостью и вигнеровским кристаллом благодаря частичной сепарации однородных фаз [276]. Было предсказано также, что вблизи точки кристаллизации, перенормировка т доминирует над д и что эффективная масса, возможно, стремится к бесконечности в точке перехода и растет с увеличением магнитного поля [277]. Значительный рост эффективной массы вблизи точки кристаллизации электронов следует также из вариационного метода Гуцвиллера [278], который был применен к кремниевым МОП структурам Долгополовым [279], а также из динамической теории среднего поля [280]. Хотя резкий рост массы и находится в согласии с данными эксперимента, предсказываемая зависимость т от степени спиновой поляризации экспериментом не подтверждается.

В завершение этого раздела, я бы хотел добавить несколько замечаний об идеях, связанных с Ферми-жидкостыо. Было предложено связать наблюдаемый рост эффективной массы с возможным образованием состояния связанных долин в двухдолинных электронных системах [281, 282]. Однако она находится в противоречии с тем, что похожие результаты были получены и в однодолинных электронных системах. Было высказано предположение, что, возможно, в спектре Е{к) формируется плато на уровне Ферми, что ведет к расходящейся эффективной массе (см., например, работу [283]). На сегодняшний день, однако, зависимость эффективной массы от температуры, которая вытекает из формирования плато, не согласуется с имеющимися экспериментальными данными. Предсказание, что плотность электронов, при которой эффективная масса демонстрирует резкий рост, зависит от степени беспорядка [284] не подтверждается экспериментальными данными, полученными на имеющихся образцах. Используя ренорм-групповой анализ для многодолинных двумерных систем, недавно было показано, что эффективная масса драматически растет на переходе металл-диэлектрик, в то время как-фактор почти не меняется [285]. Отметим, однако, что теоретическая спиновая восприимчивость расходится при зависящей от беспорядка плотности пс, тогда как экспериментальная х критически растет вблизи не зависящей от беспорядка плотности пх. В конце концов, можно просто следовать классическому подходу, вводя параметры Ферми-жидкости феноменологически как физически наблюдаемые величины, значения которых определяются экспериментально.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Перечислим основные результаты работы:

1. Экспериментальные исследования фазовой диаграммы металл-диэлектрик в перпендикулярном магнитном поле для двумерных электронных систем со слабым беспорядком показывают, что по мере уменьшения магнитного поля делокализованные состояния на уровнях Ландау всплывают вверх по энергии относительно центров уровней Ландау и сливаются, создавая в пределе нулевого магнитного поля металлическое состояние.

2. Согласие двух методов — анализ сильных температурных зависимостей сопротивления для двумерных электронных систем с низким уровнем беспорядка в кремниевых МОП структурах в нулевом магнитном поле и обращение в нуль энергии активации и исчезновение нелинейности вольтамперных характеристик, полученное по экстраполяции из диэлектрической фазы — свидетельствует в пользу существования настоящего перехода металл-диэлектрик в нулевом магнитном поле. Критический анализ данных, касающихся двумерных электронных систем, показывает, что следствия скейлинговой теории локализации не подтверждаются экспериментом. Основными проблемами, требующими внимания теоретиков, являются конечная ширина зоны делокализованных состояний на уровнях Ландау и настоящий переход металл-диэлектрик в нулевом магнитном поле, существование которого в случае двумерных электронных систем с низким беспорядком сильно поддерживается экспериментальными данными, хотя в случае сильного беспорядка вопрос остается открытым. Также, до сих пор нет теоретического объяснения осцилляций фазовой границы металл-диэлектрик в зависимости от перпендикулярного магнитного поля.

3. Транспортные и термодинамические измерения показывают, что для сильно взаимодействующих двумерных электронных систем с низким уровнем беспорядка в кремниевых МОП структурах спиновая восприимчивость Паули обнаруживает критическое поведение, характерное для существования фазового перехода, при электронной плотности пх. Аналогичный рост спиновой восприимчивости наблюдается и в других двумерных системах.

4. Близость величины пх к критической плотности пс для перехода металл-диэлектрик указывает на то, что переход металл-диэлектрик в кремниевых образцах с очень слабым случайным потенциалом — свойство чистой двумерной системы и вызывается взаимодействием. Природа фазы при низкой плотности (ns < пх) остается неясной, поскольку даже в самых чистых из имеющихся в настоящее время образцов она скрыта остаточным беспорядком в электронной системе.

5. В отличие от стонеровской неустойчивости, рост спиновой восприимчивости вызван увеличением эффективной массы, а не-фактора. Сильная металлическая температурная зависимость удельного сопротивления связана с увеличенной взаимодействием эффективной массой.

6. Увеличенная эффективная масса не зависит от степени спиновой поляризации, так что происхождение этого увеличения не имеет отношения к спиновым обменным эффектам.

Я благодарен И. JI. Алейнеру, М. W. С. Dharma-wardana, В. Т. Долгополову, М. М. Фоглеру, В. Ф. Гантмахеру, D. Heiman, С. В. Кравченко, D. N. Sheng и A. Widom за полезные обсуждения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Е. Wigner, Phys. Rev. 46, 1002 (1934).
  2. E. С. Stoner, Rep. Prog. Phys. 11, 43 (1946).
  3. JI. Д. Ландау, ЖЭТФ 32, 59 (1957).
  4. В. Tanatar, D. M. Ceperley, Phys. Rev. В 39, 5005 (1989).
  5. С. Attaccalite, S. Moroni, P. Gori-Giorgi, G. B. Bachelet, Phys. Rev. Lett. 88, 256 601 (2002).
  6. E. Abrahams, P. W. Anderson, D. C. Licciardello, Т. V. Ramakrishnan, Phys. Rev. Lett. 42, 673 (1979).
  7. B. L. Altshuler, A. G. Aronov, P. A. Lee, Phys. Rev. Lett. 44, 1288 (1980).
  8. A. M. Финкелынтейн, ЖЭТФ 84, 168 (1983).
  9. A. M. Finkelstein, Z. Phys. В 56, 189 (1984).
  10. С. Castellani, С. Di Castro, P. A. Lee, M. Ma, Phys. Rev. В 30, 527 (1984).
  11. G. J. Dolan, D. D. Osheroff, Phys. Rev. Lett. 43, 721 (1979).
  12. D. J. Bishop, D. C. Tsui, R. C. Dynes, Phys. Rev. Lett. 44, 1153 (1980).
  13. M. J. Uren, R. A. Davies, M. Pepper, J. Phys. С 13, L985 (1980).
  14. A. A. Shashkin, G. V. Kravchenko, V. T. Dolgopolov, Письма в ЖЭТФ 58, 215 (1993).
  15. A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, G. V. Kravchenko, Phys. Rev. В 49, 14 486 (1994).
  16. A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, G. V. Kravchenko, M. Wendel, R. Schuster, J. P. Kotthaus, R. J. Haug, K. von Klitzing, K. Ploog, H. Nickel, W. Schlapp, Phys. Rev. Lett. 73, 3141 (1994).
  17. D. E. Khmelnitskii, Phys. Lett. A 106, 182 (1984).
  18. R. B. Laughlin, Phys. Rev. Lett. 52, 2304 (1984).
  19. S. V. Kravchenko, G. V. Kravchenko, J. E. Furneaux, V. M. Pudalov, M. D’lorio, Phys. Rev. В 50, 8039 (1994).
  20. S. V. Kravchenko, W. E. Mason, G. E. Bowker, J. E. Furneaux, V. M. Pudalov, M. D’lorio, Phys. Rev. В 51, 7038 (1995).
  21. S. V. Kravchenko, D. Simonian, M. P. Sarachik, W. Mason, J. E. Furneaux, Phys. Rev. Lett. 77, 4938 (1996).
  22. S. V. Kravchenko, A. A. Shashkin, D. A. Bloore, Т. M. Klapwijk, Solid State Commun. 116,495 (2000).
  23. A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, V. Т. Dolgopolov, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. Lett. 87, 86 801 (2001).
  24. S. A. Vitkalov, H. Zheng, К. M. Mertes, M. P. Sarachik, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. Lett. 87, 86 401 (2001).
  25. S. V. Kravchenko, A. A. Shashkin, у. T. Dolgopolov, Phys. Rev. Lett. 89, 219 701 (2002).
  26. X. P. A. Gao, A. P. Mills Jr., A. P. Ramirez, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Phys. Rev. Lett. 89, 16 801 (2002).
  27. J. Zhu, H. L. Stormer, L. N. Pfeiffer, K. W. Baldwin, K. W. West, Phys. Rev. Lett. 90, 56 805 (2003).
  28. A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, V. T. Dolgopolov, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. В 66, 73 303 (2002).
  29. A. A. Shashkin, M. Rahimi, S. Anissimova, S. V. Kravchenko, V. T. Dolgopolov, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. Lett. 91, 46 403 (2003).
  30. A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, V. T. Dolgopolov, Т. M. Klapwijk, J. Phys. A: Math. Gen. 36, 9237 (2003).
  31. E. Abrahams, S. V. Kravchenko, M. P. Sarachik, Rev. Mod. Phys. 73, 251 (2001).
  32. S. V. Kravchenko, M. P. Sarachik, Rep. Prog. Phys. 67, 1 (2004).
  33. А. А. Шашкин, УФН 175, 139 (2005).
  34. Ю. E. Лозовик, В. И. Юдсон, Письма в ЖЭТФ 22, 26 (1975).
  35. М. Tbukada, J. Phys. Soc. Jpn. 42, 391 (1977).
  36. К. Maki, X. Zotos, Phys. Rev. В 28, 4349 (1983).
  37. P. K. Lam, S. M. Girvin, Phys. Rev. В 30, 473 (1984).
  38. D. Levesque, J. J. Weiss, A. M. MacDonald, Phys. Rev. В 30, 1056 (1984).
  39. M. D’lorio, V. M. Pudalov, S. G. Semenchinsky, Phys. Lett. A 150, 422 (1990).
  40. S. V. Kravchenko, J. A. A. J. Perenboom, V. M. Pudalov, Phys. Rev. В 44, 13 513 (1991).
  41. M. D’lorio, V. M. Pudalov, S. G. Semenchinsky, Phys. Rev. В 46, 15 992 (1992).
  42. V. M. Pudalov, M. D’lorio, S. V. Kravchenko, J. W. Campbell, Phys. Rev. Lett. 70, 1866 (1993).
  43. R. L. Willett, H. L. Stormer, D. C. Изш, L. N. Pfeiffer, K. W. West, K. W. Baldwin, Phys. Rev. В 38, 7881 (1988).
  44. V. J. Goldman, M. Shayegan, D. C. Tsui, Phys. Rev. Lett. 61, 881 (1988).
  45. E. Y. Andrei, G. Deville, D. C. Glattli, F. I. B. Williams, E. Paris, B. Etienne, Phys. Rev. Lett. 60, 2765 (1988).
  46. R. L. Willett, H. L. Stormer, D. C. Tsui, L. N. Pfeiffer, K. W. West, M. Shayegan, M. Santos, T. Sajoto, Phys. Rev. В 40, 6432 (1989).
  47. H. W. Jiang, R. L. Willett, H. L. Stormer, D. C. Tsui, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Phys. Rev. Lett. 65, 633 (1990).
  48. V. J. Goldman, M. Santos, M. Shayegan, J. E. Cunningham, Phys. Rev. Lett. 65, 2189 (1990).
  49. F. I. B. Williams, P. A. Wright, R. G. Clark, E. Y. Andrei, G. Deville, D. C. Glattli, O. Probst, B. Etienne, C. Dorin, С. T. Foxon, J. J. Harris, Phys. Rev. Lett. 66, 3285 (1991).
  50. H. W. Jiang, H. L. Stormer, D. C. Tsui, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Phys. Rev. В 44, 8107 (1991).
  51. M. B. Santos, Y. W. Suen, M. Shayegan, Y. P. Li, L. W. Engel, D. C. Tsui, Phys. Rev. Lett. 68, 1188 (1992).
  52. M. B. Santos, J. Jo, Y. W. Suen, L. W. Engel, M. Shayegan, Phys. Rev. В 46, 13 639 (1992).
  53. H. C. Manoharan, M. Shayegan, Phys. Rev. В 50, 17 662 (1994).
  54. К. von Klitzing, G. Dorda, M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 494 (1980).
  55. S. Kivelson, D. H. Lee, S. C. Zhang, Phys. Rev. В 46, 2223 (1992).
  56. D. E. Khmelnitskii, Helv. Phys. Acta 65, 164 (1992).
  57. B. Huckestein, Phys. Rev. Lett. 84, 3141 (2000).
  58. V. T. Dolgopolov, G. V. Kravchenko, A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, Phys. Rev. В 46, 13 303 (1992).
  59. S. V. Kravchenko, W. Mason, J. E. Furneaux, V. M. Pudalov, Phys. Rev. Lett. 75, 910 (1995).
  60. S. C. Dultz, H. W. Jiang, W. J. Schaff, Phys. Rev. В 58, R7532 (1998).
  61. M. Hilke, D. Shahar, S. H. Song, D. C. Tsui, Y. H. Xie, Phys. Rev. В 62, 6940 (2000).
  62. I. Glozman, С. E. Johnson, H. W. Jiang, Phys. Rev. Lett. 74, 594 (1995).
  63. A. A. Shashkin, G. V. Kravchenko, V. T. Dolgopolov, S. V. Kravchenko, J. E. Furneaux, Phys. Rev. Lett. 75, 2248 (1995).
  64. V. M. Pudalov, M. D’lorio, J. W. Campbell, Письма в ЖЭТФ 57, 592 (1993).
  65. H. W. Jiang, С. E. Johnson, К. L. Wang, S. T. Hannahs, Phys. Rev. Lett. 71, 1439 (1993).
  66. D. Shahar, D. C. Tfcui, J. E. Cunningham, Phys. Rev. В 52, R14372 (1995).
  67. M. Hilke, D. Shahar, S. H. Song, D. C. Tisui, Y. H. Xie, D. Monroe, Phys. Rev. В 56, R15545 (1997).
  68. M. R. Sakr, M. Rahimi, S. V. Kravchenko, P. T. Coleridge, R. L. Williams, J. Lapointe, Phys. Rev. В 64, 16 1308(H) (2001).
  69. Т. Wang, К. P. Clark, G. F. Spencer, A. M. Mack, W. P. Kirk, Phys. Rev. Lett. 72, 709 (1994).
  70. R. J. F. Hughes, J. T. Nicholls, J. E. F. Frost, E. H. Linfield, M. Pepper, C. J. B. Ford, D. A. Ritchie, G. A. C. Jones, E. Kogan, M. Kaveh, J. Phys. Condens. Matter 6, 4763 (1994).
  71. S. H. Song, D. Shahar, D. C. Tsui, Y. H. Xie, D. Monroe, Phys. Rev. Lett. 78, 2200 (1997).
  72. С. H. Lee, Y. H. Chang, Y. W. Suen, H. H. Lin, Phys. Rev. В 58, 10 629 (1998).
  73. M. Hilke, D. Shahar, S. H. Song, D. C. Tsui, Y. H. Xie, D. Monroe, Nature 395, 675 (1998).
  74. M. Hilke, D. Shahar, S. H. Song, D. C. Tsui, Y. H. Xie, M. Shayegan, Europhys. Lett. 46, 775 (1999).
  75. Y. Hanein, N. Nenadovic, D. Shahar, H. Shtrikman, I. Yoon, С. C. Li, D. C. Tsui, Nature 400, 735 (1999).
  76. D. Popovid, A. B. Fowler, S. Washburn, Phys. Rev. Lett. 79, 1543 (1997).
  77. P. T. Coleridge, R. L. Williams, Y. Feng, P. Zawadzki, Phys. Rev. В 56, R12764 (1997).
  78. A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. Lett. 87, 266 402 (2001).
  79. S. J. Papadakis, M. Shayegan, Phys. Rev. В 57, R15068 (1998).
  80. Y. Hanein, U. Meirav, D. Shahar, С. C. Li, D. C. Tsui, H. Shtrikman, Phys. Rev. Lett. 80, 1288 (1998).
  81. M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, M. Pepper, E. H. Linfield, P. D. Rose, D. A. Ritchie, A. K. Savchenko, T. G. Griffiths, Phys. Rev. Lett. 80, 1292 (1998).
  82. A. P. Mills Jr., A. P. Ramirez, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Phys. Rev. Lett. 83, 2805 (1999).
  83. J. Yoon, С. C. Li, D. Shahar, D. C. Tsui, M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 82, 1744 (1999).
  84. M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, M. Pepper, E. H. Linfield, P. D. Rose, D. A. Ritchie, Phys. Rev. Lett. 84, 2489 (2000).
  85. H. Noh, M. P. Lilly, D. C. Tsui, J. A. Simmons, E. H. Hwang, S. Das Sarma, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Phys. Rev. В 68, 165 308 (2003).
  86. V. M. Pudalov, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer, cond-mat/103 087.
  87. M. M. Fogler, В. I. Shklovskii, Phys. Rev. В 52, 17 366 (1995).
  88. А. М. Tikofsky, S. A. Kivelson, Phys. Rev. В 53, R13275 (2000).
  89. Т. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 53, 3126 (1984).
  90. Т. V. Shahbazyan, M. E. Raikh, Phys. Rev. Lett. 75, 304 (1995).
  91. V. Kagalovsky, B. Horovitz, Y. Avishai, Phys. Rev. В 52, R17044 (1995).
  92. A. Gramada, M. E. Raikh, Phys. Rev. В 54, 1928 (1996).
  93. F. D. M. Haldane, K. Yang, Phys. Rev. Lett. 78, 298 (1997).
  94. M. M. Fogler, Phys. Rev. В 57, 11 947 (1998).
  95. D. Z. Liu, X. C. Xie, Q. Niu, Phys. Rev. Lett. 76, 975 (1996).
  96. X. C. Xie, D. Z. Liu, B. Sundaram, Q. Niu, Phys. Rev. В 54, 4966 (1996).
  97. Y. Hatsugai, K. Ishibashi, Y. Morita, Phys. Rev. Lett. 83, 2246 (1999).
  98. K. Yang, R. N. Bhatt, Phys. Rev. Lett. 76, 1316 (1996).
  99. K. Yang, R. N. Bhatt, Phys. Rev. В 59, 8144 (1999).
  100. Т. Koschny, H. Potempa, L. Schweitzer, Phys. Rev. Lett. 86, 3863 (2001).
  101. A. L. C. Pereira, P. A. Schulz, Phys. Rev. В 66, 155 323 (2002).
  102. Т. Koschny, L. Schweitzer, Phys. Rev. В 67, 195 307 (2003).
  103. D. N. Sheng, Z. Y. Weng, Phys. Rev. Lett. 78, 318 (1997).
  104. D. N. Sheng, Z. Y. Weng, Phys. Rev. В 62, 15 363 (2000).
  105. Т. Okamoto, Y. Shinohara, S. Kawaji, Phys. Rev. В 52, 11 109 (1995).
  106. S. C. Dultz, H. W. Jiang, Phys. Rev. Lett. 84, 4689 (2000).
  107. M. M. Fogler, Phys. Rev. В 69, 121 409® (2004).
  108. V. T. Dolgopolov, G. V. Kravchenko, A. A. Shashkin, Письма в ЖЭТФ 55, 146 (1992).
  109. V. Т. Dolgopolov, G. V. Kravchenko, A. A. Shashkin, S. V. Kravchenko, Письма в ЖЭТФ 55, 701 (1992).
  110. V. Т. Dolgopolov, A. A. Shashkin, G. V. Kravchenko, С. J. Emeleus, Т. E. Whall, Письма в ЖЭТФ 62, 152 (1995).
  111. С. J. Adkins, S. Pollitt, M. Pepper, J. Phys. С 37, 343 (1976).
  112. D. G. Polyakov, В. I. Shklovskii, Phys. Rev. В 48, 11 167 (1993).
  113. В. I. Shklovskii, A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, New York, 1984).
  114. Y. P. Li, PhD thesis (Princeton University, 1994).
  115. И. В. Кукушкин, В. Б. Тимофеев, УФН 163, 1 (1993).
  116. S. V. Iordansky, Solid State Commun. 43, 1 (1982).
  117. T. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 52, 1740 (1983).
  118. H. Aoki, J. Phys. С 16, 1893 (1983).
  119. H. Aoki, T. Ando, Phys. Rev. Lett. 54, 831 (1985).
  120. A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. Lett. 61, 1297 (1988).
  121. H. P. Wei, D. C. Tsui, M. A. Paalanen, A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. Lett. 61, 1294 (1988).
  122. J. Wakabayashi, M. Yamane, S. Kawaji, J. Phys. Soc. Jpn. 58, 1903 (1989).
  123. S. Koch, R. J. Haug, K. von Klitzing, K. Ploog, Phys. Rev. В 43, 6828 (1991).
  124. В. Т. Долгополов, А. А. Шашкин, В. К. Медведев, В. Г. Мокеров, ЖЭТФ 99, 201 (1991).
  125. S. Koch, R. J. Haug, К. von Klitzing, К. Ploog, Phys. Rev. Lett. 67, 883 (1991).
  126. S. Koch, R. J. Haug, K. von Klitzing, K. Ploog, Phys. Rev. В 46, 1596 (1992).
  127. H. P. Wei, S. Y. Lin, D. C. Tsui, A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. В 45, 3926 (1992).
  128. S. W. Hwang, H. P. Wei, L. W. Engel, D. C. Tsui, A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. В 48, 11 416 (1993).
  129. L. W. Engel, D. Shahar, C. Kurdak, D. C. Tsui, Phys. Rev. Lett. 71, 2638 (1993).
  130. H. P. Wei, L. W. Engel, D. C. Tsui, Phys. Rev. В 50, 14 609 (1994).
  131. L. W. Wong, H. W. Jiang, N. Trivedi, E. Palm, Phys. Rev. В 51, 18 033 (1995).
  132. D. Shahar, D. C. Tsui, M. Shayegan, R. N. Bhatt, J. E. Cunningham, Phys. Rev. Lett. 74, 4511 (1995).
  133. W. Pan, D. Shahar, D. C. Tsui, H. P. Wei, M. Razeghi, Phys. Rev. В 55, 15 431 (1997).
  134. D. Shahar, D. C. Tsui, M. Shayegan, E. Shimshoni, S. L. Sondhi, Phys. Rev. Lett. 79, 479 (1997).
  135. P. T. Coleridge, Phys. Rev. В 60, 4493 (1999).
  136. R. T. F. van Schaijk, A. de Visser, S. M. Olsthoorn, H. P. Wei, A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. Lett. 84, 1567 (2000).
  137. R. B. Dunford, N. Griffin, M. Pepper, P. J. Phillips, Т. E. Whall, Physica E 6, 297 (2000).
  138. R. B. Dunford, N. Griffin, P. J. Phillips, Т. E. Whall, Physica В 298, 496 (2001).
  139. F. Hohls, U. Zeitler, R. J. Haug, Phys. Rev. Lett. 86, 5124 (2001).
  140. F. Hohls, U. Zeitler, R. J. Haug, Phys. Rev. Lett. 88, 36 802 (2002).
  141. F. Hohls, U. Zeitler, R. J. Haug, R. Meisels, K. Dybko, F. Kuchar, Phys. Rev. Lett. 89, 276 801 (2002).
  142. N. Q. Balaban, U. Meirav, I. Bar-Joseph, Phys. Rev. Lett. 81, 4967 (1998).
  143. D. Shahar, M. Hilke, С. C. Li, D. C. Tsui, S. L. Sondhi, J. E. Cunningham, M. Razeghi, Solid State Commun. 107, 19 (1998).
  144. Y. G. Arapov, G. A. Alshanskii, G. I. Harus, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, 0. A. Kuznetsov, Nanotechnology 13, 86 (2002).
  145. B. Huckestein, Rev. Mod. Phys. 67, 357 (1995).
  146. К. I. Wysokinski, W. Brenig, Z. Phys. В 54, 11 (1983).
  147. О. Viehweger, К. В. Efetov, J. Phys. Condens. Matter 2, 7049 (1990).
  148. O. Viehweger, К. B. Efetov, Phys. Rev. В 44, 1168 (1991).
  149. S. C. Zhang, S. Kivelson, D. H. Lee, Phys. Rev. Lett. 69, 1252 (1992).
  150. J. Wakabayashi, A. Fukano, S. Kawaji, K. Hirakawa, H. Sakaki, Y. Koike, T. Fukase, J. Phys. Soc. Jpn. 57, 3678 (1988).
  151. S. I. Dorozhkin, A. A. Shashkin, G. V. Kravchenko, V. T. Dolgopolov, R. J. Haug, K. von Klitzing, K. Ploog, Письма в ЖЭТФ 57, 55 (1993).
  152. V. J. Goldman, J. K. Wang, B. Su, M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 70, 647 (1993).
  153. T. Sajoto, Y. P. Li, L. W. Engel, D. C. Tsui, M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 70, 2321 (1993).
  154. S. V. Kravchenko, J. E. Furneaux, V. M. Pudalov, Phys. Rev. В 49, 2250 (1994).
  155. V. M. Pudalov, M. D’lorio, J. W. Campbell, Surf. Sci. 305, 107 (1994).
  156. H. Levine, S. B. Libby, A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. Lett. 51, 1915 (1983).
  157. Д. E. Хмельницкий, Письма в ЖЭТФ 38, 454 (1983).
  158. А. М. Dykhne, I. М. Ruzin, Phys. Rev. В 50, 2369 (1994).
  159. I. Ruzin, S. Feng, Phys. Rev. Lett. 74, 154 (1995).
  160. C. P. Burgess, R. Dib, B. P. Dolan, Phys. Rev. В 62, 15 359 (2000).
  161. H. P. Wei, D. C. Tsui, A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. В 33, 1488 (1986).
  162. В. I. Halperin, Phys. Rev. В 25, 2185 (1982).
  163. The Quantum Hall Effect, Ed. by R. E. Prange, S. M. Girvin (Springer-Verlag, 1987).
  164. M. Biittiker, Phys. Rev. В 38, 9375 (1988).
  165. R. B. Laughlin, Phys. Rev. В 23, 5632 (1981).
  166. A. Widom, T. D. Clark, J. Phys. D 15, L181 (1982).
  167. В. Т. Долгополов, H. В. Житенев, А. А. Шашкин, Письма в ЖЭТФ 52, 826 (1990).
  168. V. Т. Dolgopolov, N. В. Zhitenev, A. A. Shashkin, Europhys. Lett. 14, 255 (1991).
  169. V. Т. Dolgopolov, A. A. Shashkin, N. В. Zhitenev, S. I. Dorozhkin, К. von Klitzing, Phys. Rev. В 46, 12 560 (1992).
  170. V. Т. Dolgopolov, A. A. Shashkin, G. V. Kravchenko, S. I. Dorozhkin, K. von Klitzing, Phys. Rev. В 48, 8480 (1993).
  171. В. Jeanneret, В. D. Hall, H. J. Buhlmann, R. Houdre, M. Ilegems, B. Jeckelmann, U. Feller, Phys. Rev. В 51, 9752 (1995).
  172. J. P. Watts, A. Usher, A. J. Matthews, M. Zhu, M. Elliott, W. G. Herrenden-Harker, P. R. Morris, M. Y. Simmons, D. A. Ritchie, Phys. Rev. Lett. 81, 4220 (1998).
  173. M. M. Honold, N. Harrison, J. Singleton, M. S. Nam, S. J. Blundell, С. H. Mielke, M. V. Kartsovnik, N. D. Kushch, Phys. Rev. В 59, R10417 (1999).
  174. V. Т. Dolgopolov, A. A. Shashkin, J. M. Broto, H. Rakoto, S. Askenazy, Phys. Rev. Lett. 86, 5566 (2001).
  175. V. T. Dolgopolov, G. V. Kravchenko, A. A. Shashkin, Solid State Commun. 78, 999 (1991).
  176. R. J. Haug, Semicond. Sci. Technol. 8, 131 (1993).
  177. P. F. Fontein, J. A. Kleinen, P. Hendriks, F. A. P. Blom, J. H. Wolter, H. G. M. Lochs, F. A. J. M. Driessen, L. J. Giling, C. W. J. Beenakker, Phys. Rev. В 43, 12 090 (1991).
  178. A. J. Kent, D. J. McKitterick, L. J. Challis, P. Hawker, C. J. Mellor, M. Henini, Phys. Rev. Lett. 69, 1684 (1992).
  179. R. Merz, F. Keilmann, R. J. Haug, K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 70, 651 (1993).
  180. A. A. Shashkin, A. J. Kent, P. A. Harrison, K. R. Strickland, L. Eaves, M. Henini, Semicond. Sci. Technol. 9, 2110 (1994).
  181. A. A. Shashkin, A. J. Kent, P. A. Harrison, L. Eaves, M. Henini, Phys. Rev. В 49, 5379 (1994).
  182. R. J. F. van Haren, F. A. P. Blom, J. H. Wolter, Phys. Rev. Lett. 74, 1198 (1995).
  183. R. J. F. van Haren, W. de Lange, F. A. P. Blom, J. H. Wolter, Phys. Rev. В 52, 5760 (1995).
  184. A. A. Shashkin, A. J. Kent, J. R. Owers-Bradley, A. J. Cross, P. Hawker, M. Henini, Phys. Rev. Lett. 79, 5114 (1997).
  185. Y. Y. Wei, J. Weis, K. von Klitzing, K. Eberl, Phys. Rev. Lett. 81, 1674 (1998).
  186. S. H. Tessmer, P. I. Glicofridis, R. C. Ashoori, L. S. Levitov, M. R. Melloch, Nature 392, 51 (1998).
  187. K. L. McCormick, M. T. Woodside, M. Huang, M. Wu, P. L. McEuen, C. Duruoz, J. S. Harris
  188. Jr., Phys. Rev. В 59, 4654 (1999).
  189. A. Yacoby, H. F. Hess, T. A. Fulton, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Solid State Commun. Ill, 1 (1999).
  190. A. A. Shashkin, A. J. Kent, P. Hawker, M. Henini, Phys. Rev. В 60, R16307 (1999).
  191. N. В. Zhitenev, Т. A. Fulton, A. Yacoby, H. F. Hess, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Nature 404, 473 (2000).
  192. G. Finkelstein, P. I. Glicofridis, R. C. Ashoori, M. Shayegan, Science 289, 90 (2000).
  193. G. Finkelstein, P. I. Glicofridis, S. H. Tessmer, R. C. Ashoori, M. R. Melloch, Phys. Rev. В 61, R16323 (2000).
  194. M. T. Woodside, C. Vale, P. L. McEuen, C. Kadow, K. D. Maranowski, A. C. Gossard, Phys. Rev. В 64, 41 310® (2001).
  195. H. van Zalinge, B. Ozyilmaz, A. Bohm, R. W. van der Heijden, J. H. Wolter, P. Wyder, Phys. Rev. В 64, 235 303 (2001).
  196. P. I. Glicofridis, G. Finkelstein, R. C. Ashoori, M. Shayegan, Phys. Rev. В 65, 121 312® (2002).
  197. D. B. Chklovskii, В. I. Shklovskii, L. I. Glazman, Phys. Rev. В 46, 4026 (1992).
  198. G. Ebert, K. von Klitzing, G. Weimann, J. Phys. С 18, L257 (1985).
  199. В. M. Пудалов, С. Г. Семенчинский, Письма в ЖЭТФ 42, 188 (1985).
  200. А. А. Шашкин, В. Т. Долгополов, С. И. Дорожкин, ЖЭТФ 91, 1897 (1986).
  201. S. A. J. Wiegers, J. G. S. Lok, M. Jeuken, U. Zeitler, J. С. Maan, M. Henini, Phys. Rev. В 59, 7323 (1999).
  202. M. P. Sarachik, S. V. Kravchenko, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 96, 5900 (1999).
  203. S. V. Kravchenko, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. Lett. 84, 2909 (2000).
  204. J. Jaroszynski, D. Popovid, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. Lett. 89, 276 401 (2002).
  205. D. Simonian, S. V. Kravchenko, M. P. Sarachik, Phys. Rev. В 55, R13421 (1997).
  206. Т. Okamoto, К. Hosoya, S. Kawaji, A. Yagi, Phys. Rev. Lett. 82, 3875 (1999).
  207. S. A. Vitkalov, H. Zheng, К. M. Mertes, M. P. Sarachik, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. Lett. 85, 2164 (2000).
  208. S. A. Vitkalov, M. P. Sarachik, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. В 64, 73 101 (2001).
  209. S. Bogdanovich, D. Popovid, Phys. Rev. Lett. 88, 236 401 (2002).
  210. R. Leturcq, D. L’Hote, R. Tourbot, C. J. Mellor, M. Henini, Phys. Rev. Lett. 90, 764 022 003).
  211. F. Stern, Phys. Rev. Lett. 44, 1469 (1980).
  212. A. Gold, V. T. Dolgopolov, Phys. Rev. В 33, 1076 (1986).
  213. S. Das Sarma, Phys. Rev. В 33, 5401 (1986).
  214. S. Das Sarma, E. H. Hwang, Phys. Rev. Lett. 83, 164 (1999).
  215. F. F. Fang, P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968).
  216. J. L. Smith, P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 29, 102 (1972).
  217. T. Ando, Y. Uemura, J. Phys. Soc. Jpn. 37, 1044 (1974).
  218. Ю. А. Бычков, С. В. Иорданский, Г. М. Элиашберг, Письма в ЖЭТФ 33, 152 (1981).
  219. С. Kallin, В. I. Halperin, Phys. Rev. В 30, 5655 (1984).
  220. А. Н. MacDonald, Н. С. A. Oji, К. L. Liu, Phys. Rev. В 34, 2681 (1986).
  221. А. P. Smith, А. Н. MacDonald, G. Gumbs, Phys. Rev. В 45, 8829 (1992).
  222. D. Simonian, S. V. Kravchenko, M. P. Sarachik, V. M. Pudalov, Phys. Rev. Lett. 79, 2304 (1997).
  223. V. M. Pudalov, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer, Письма в ЖЭТФ 65, 887 (1997).
  224. V. M. Pudalov, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer, Phys. Rev. Lett. 88, 76 401 (2002).
  225. V. T. Dolgopolov, A. Gold, Письма в ЖЭТФ 71, 42 (2000).
  226. V. M. Pudalov, М. Е. Gershenson, Н. Kojima, N. Butch, Е. М. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer, Phys. Rev. Lett. 88, 196 404 (2002).
  227. S. A. Vitkalov, M. P. Sarachik, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. В 65, 201 106® (2002).
  228. M. P. Sarachik, S. A. Vitkalov, J. Phys. Soc. Jpn. 72, 57 (2003).
  229. O. Prus, Y. Yaish, M. Reznikov, U. Sivan, V. Pudalov, Phys. Rev. В 67, 205 407 (2003).
  230. V. Т. Dolgopolov, A. Gold, Phys. Rev. Lett. 89, 129 701 (2002).
  231. A. Gold, V. T. Dolgopolov, J. Phys.: Condens. Matter 14, 7091 (2002).
  232. N. F. Mott and E. A. Davis, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon, Oxford, 1971).
  233. E. Batke, C. W. Tu, Phys. Rev. В 34, 3027 (1986).
  234. S. Das Sarma, E. H. Hwang, Phys. Rev. Lett. 84, 5596 (2000).
  235. E. Tutuc, S. Melinte, M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 88, 36 805 (2002).
  236. H. Noh, M. P. Lilly, D. C. Tbui, J. A. Simmons, E. H. Hwang, S. Das Sarma, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Phys. Rev. В 68, 165 308 (2002).
  237. E. Tutuc, S. Melinte, E. P. De Poortere, M. Shayegan, R. Winkler, Phys. Rev. В 67, 241 309®2003).
  238. K. Vakili, Y. P. Shkolnikov, E. Tutuc, E. P. De Poortere, M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 92, 226 401 (2004).
  239. V. T. Dolgopolov, E. V. Deviatov, A. A. Shashkin, U. Wieser, U. Kunze, G. Abstreiter, K. Brunner, Superlattices Microstruct. 33, 271 (2003).
  240. T. Okamoto, M. Ooya, K. Hosoya, S. Kawaji, Phys. Rev. В 69, 41 202 (2004).
  241. G. Zala, B. N. Narozhny, I. L. Aleiner, Phys. Rev. В 64, 214 204 (2001).
  242. Т. Ando, A. B. Fowler, F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
  243. N. Iwamoto, Phys. Rev. В 43, 2174 (1991).
  244. Y. К won, D. M. Ceperley, R. M. Martin, Phys. Rev. В 50, 1684 (1994).
  245. G. H. Chen, M. E. Raikh, Phys. Rev. В 60, 4826 (1999).
  246. Y. Y. Proskuryakov, A. K. Savchenko, S. S. Safonov, M. Pepper, M. Y. Simmons, D. A. Ritchie, Phys. Rev. Lett. 89, 76 406 (2002).
  247. P. T. Coleridge, A. S. Sachrajda, P. Zawadzki, Phys. Rev. В 65, 125 328 (2002).
  248. S. A. Vitkalov, K. James, B. N. Narozhny, M. P. Sarachik, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. В 67, 113 310 (2003).
  249. V. M. Pudalov, M. E. Gershenson, H. Kojima, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer, Phys. Rev. Lett. 91, 126 403 (2003).
  250. S. Das Sarma, E. H. Hwang, Phys. Rev. Lett. 93, 269 703 (2004).
  251. A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, S. V. Kravchenko, Phys. Rev. Lett. 93, 269 705 (2004).
  252. A. A. Shashkin, E. V. Deviatov, V. T. Dolgopolov, A. A. Kapustin, S. Anissimova, A. Venkate-san, S. V. Kravchenko, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. В 73, 115 420 (2006).
  253. К. M. Mertes, H. Zheng, S. A. Vitkalov, M. P. Sarachik, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. В 63, 41 101® (2001).
  254. Y. Tsui, S. A. Vitkalov, M. P. Sarachik, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. В 71, 113 308® (2005).
  255. G. Zala, B. N. Narozhny, I. L. Aleiner, V. I. Fal’ko, Phys. Rev. В 69, 75 306 (2004).
  256. G. W. Martin, D. L. Maslov, M. Yu. Reizer, Phys. Rev. В 68, 241 309® (2003).
  257. Y. P. Shkolnikov, K. Vakili, E. P. De Poortere, M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 92, 2 468 042 004).
  258. T. P. Smith, В. B. Goldberg, P. J. Stiles, M. Heiblum, Phys. Rev. В 32, 2696 (1985).
  259. В. М. Пудалов, С. Г. Семенчинский, Письма в ЖЭТФ 44, 526 (1986).
  260. V. S. Khrapai, A. A. Shashkin, V. Т. Dolgopolov, Phys. Rev. В 67, 113 305 (2003).
  261. V. S. Khrapai, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, Phys. Rev. Lett. 91, 126 404 (2003).
  262. A. Usher, R. J. Nicholas, J. J. Harris, С. T. Foxon, Phys. Rev. В 41, 1129 (1990).
  263. V. Т. Dolgopolov, A. A. Shashkin, A. V. Aristov, D. Schmerek, W. Hansen, J. P. Kotthaus, M. Holland, Phys. Rev. Lett. 79, 729 (1997).
  264. H. Stormer, T. Haavasoja, V. Narayanamurti, A. C. Gossard, W. Wiegmann, J. Vac. Sci. Tech. В 1, 423 (1983).
  265. I. Meinel, D. Grundler, S. Bargstadt-Franke, C. Heyn, D. Heitmann, Appl. Phys. Lett. 70, 3305 (1997).
  266. F. F. Fang, P. J. Stiles, Phys. Rev. В 28, 6992 (1983).
  267. J. P. Eisenstein, Appl. Phys. Lett. 46, 695 (1985).
  268. J. P. Eisenstein, H. L. Stormer, V. Narayanamurti, A. Y. Cho, A. C. Gossard, C. W. Tu, Phys. Rev. Lett. 55, 875 (1985).
  269. S. A. J. Wiegers, M. Specht, L. P. Levy, M. Y. Simmons, D. A. Ritchie, A. Cavanna, B. Etienne, G. Martinez, P. Wyder, Phys. Rev. Lett. 79, 3238 (1997).
  270. M. Zhu, A. Usher, A. J. Matthews, A. Potts, M. Elliott, W. G. Herrenden-Harker, D. A. Ritchie, M. Y. Simmons, Phys. Rev. В 67, 155 329 (2003).
  271. A. A. Shashkin, S. Anissimova, M. R. Sakr, S. V. Kravchenko, V. T. Dolgopolov, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. Lett. 96, 36 403 (2006).
  272. S. Anissimova, A. Venkatesan, A. A. Shashkin, M. R. Sakr, S. V. Kravchenko, Т. M. Klapwijk, Phys. Rev. Lett. 96, 46 409 (2006).
  273. A. L. Efros, Solid State Commun. 65, 1281 (1988).
  274. S. V. Kravchenko, V. M. Pudalov, S. G. Semenchinsky, Phys. Lett. A 141, 71 (1989).
  275. J. P. Eisenstein, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Phys. Rev. Lett. 68, 674 (1992).
  276. A. A. Shashkin, A. A. Kapustin, E. V. Deviatov, V. T. Dolgopolov, Z. D. Kvon, Phys. Rev. В 76, 241 302® (2007).
  277. B. Spivak, Phys. Rev. В 67, 125 205 (2003).
  278. В. Spivak, Phys. Rev. В 64, 85 317 (2001).
  279. W. F. Brinkman, Т. M. Rice, Phys. Rev. В 2, 4302 (1970).
  280. В. Т. Долгополов, Письма в ЖЭТФ 76, 437 (2002).
  281. D. T&naskovid, V. Dobrosavljevid, E. Abrahams, G. Kotliar, Phys. Rev. Lett. 91, 66 603 (2003).
  282. M. W. C. Dhaxma-wardana, Europhys. Lett. 67, 552 (2004).
  283. M. W. C. Dharma-wardana, F. Perrot, Phys. Rev. В 70, 35 308 (2004).
  284. В. А. Ходель, В. P. Шагинян, Письма в ЖЭТФ 51, 488 (1990).
  285. R. Asgari, В. Davoudi, В. Tanatar, Solid State Commun. 130, 13 (2004).
  286. A. Punnoose, A. M. Finkelstein, Science 310, 289 (2005).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!