Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Морфологические свойства нано-и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния

Диссертация: Морфологические свойства нано-и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

ВИП-2007)" (Звенигород, 2007) — международной научно-технической конференции «Молодые Ученые — 2006» (Москва, 2006) — 45-й международной конференции «Актуальные проблемы прочности» (Белгород, 2006) — Харьковской на-нотехнологической Ассамблее-2006 (Харьков, 2006) — 5-й международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2006) — 5-й… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Формирование пленок и наноструктур на пористых и кристаллических подложках
    • 1. 1. Формирование и свойства слоев пористого кремния
    • 1. 2. Получение полупроводниковых пленок на буферных слоях пористого кремния
    • 1. 3. Методы формирования наноструктур на поверхности твердых тел
      • 1. 3. 1. Методы «bottom-up»
      • 1. 3. 2. Методы «top-down»
    • 1. 4. Свойства и практическое применение полупроводников
  • А4В6 и наноструктур на их основе
    • 1. 5. Выводы
  • Глава 2. Характеристика образцов и методика проведения эксперимента
    • 2. 1. Методика формирования слоев пористого кремния
    • 2. 2. Формирование структур с буферными слоями пористого кремния
    • 2. 3. Формирование эпитаксиальных пленок А4В6 на монокристаллическом кремнии
    • 2. 4. Методика плазменной обработки поверхности образцов
    • 2. 5. Атомно-силовая микроскопия как метод исследования морфологии поверхности
  • Глава 3. Морфологические свойства пленок А4В6, А1, ХСП на подложках монокристаллического и пористого кремния
    • 3. 1. Морфология пленок А4В
      • 3. 1. 1. Морфология поверхности пленок А4В6 на пористом кремнии
      • 3. 1. 2. Морфология поверхности пленок А4В6 на CaF2/Si (l 11)
    • 3. 2. Морфология поверхности алюминиевой металлизации на пористом кремнии
      • 3. 2. 1. Морфология пленок А1 на подложках мезопористого кремния
      • 3. 2. 2. Морфология пленок А1 на подложках макропористого кремния и ее модификация в ходе высокотемпературного отжига
    • 3. 3. Морфология пленок ХСП на пористом кремнии
    • 3. 4. Выводы
  • Глава 4. Морфология поверхности пленок А4В6 после плазменной обработки.73 ¦
    • 4. 1. Морфология поверхности пленок А4В6 на подложках пористого кремния после обработки в аргоновой плазме
    • 4. 2. Формирование микро- и наноструктур на поверхности эпитаксиальных пленок А4В6 на подложках монокристаллического кремния в ходе обработки в аргоновой плазме
    • 4. 3. Зависимость морфологии поверхности эпитаксиальных пленок
  • А4В6 от энергии ионов плазмы
    • 4. 4. Эволюция рельефа пленок А4В6 при увеличении длительности обработки
    • 4. 5. Модель микромаскирования при формировании микровыступов
    • 4. 6. Выводы
  • Глава 5. Формирование наноструктур А4В6 на подложках Si по методу «top-down»
    • 5. 1. Зависимость параметров нановыступов на поверхности A4B6/CaF2/Si (l 11) от режимов обработки в аргоновой плазме
    • 5. 2. Свойства массивов нановыступов на поверхности A4B6/CaF2/Si (lll)
    • 5. 3. Выводы
  • Основные результаты работы

Морфологические свойства нано-и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В современной технологии полупроводников крайне важным вопросом является изучение физических процессов, имеющих место в тонких пленках и гетероэпитаксиальных структурах в ходе процессов формирования и обработки. Напряжения и деформации в гетероструктурах являются актуальной темой исследований в последние годы. Релаксация напряжений способна привести к микрои наноструктурированию пленок, что позволяет целенаправленно формировать микрои наноструктуры с заданными свойствами, представляющими фундаментальный интерес и широкие перспективы практического использования.

Одной из главных проблем современной полупроводниковой технологии является создание высококачественных гетероэпитаксиальных систем на кремниевых основаниях, что позволяет совместить рабочие элементы и блок обработки информации в рамках одного кристалла. Как правило, материалы, выращиваемые на кремниевой подложке, имеют рассогласование постоянных решеток и температурных коэффициентов линейного расширения (TKJIP). Это приводит к появлению значительных механических напряжений в пленках и как следствие возникновению ряда структурных дефектов, таких как дислокации, которые серьезно сказываются на качестве работы полупроводниковых приборов. Напряжения в гетероструктуре могут быть релаксированы посредством деформации податливого пористого буферного слоя [1−2 и др.]. С другой стороны, пористые слои могут сами выступать в качестве активных элементов полупроводниковых приборов, в связи с чем актуальными становятся вопросы роста и изучения физических свойств пленок полупроводников, металлов и других материалов на пористых основаниях. Наибольший интерес с данной точки зрения представляет пористый кремний (ПК), совместимый с традиционной Si-технологией. Высокая упругость ПК наряду с сохранением монокристаллической структуры кремния при невысокой пористости позволяет использовать ПК в качестве буферных слоев для эпитаксии.

Актуальной задачей является исследование свойств гетероэпитаксиаль-ных структур, содержащих пленки полупроводниковых материалов А4Вб, активно применяемых при производстве оптоэлектронных устройств ИК-диапазона [3]. Полупроводники А4В6 представляют особый интерес при получении структур пониженной размерности. Использование материалов А4В6, в частности халькогенидов свинца PbTe, PbSe, PbS, позволяет осуществить переход к размерному квантованию при характерных размерах элементов 25—50 нм (для сравнения, для Si боровский радиус экситона ~5 нм) [4]. Аномально высокая величина диэлектрической проницаемости (—103) халькогенидов свинца приводит к высокой степени локализации электронов и отсутствию флуктуаций потенциала в наноструктурах [5]. Квантовые точки (КТ) А4В6 актуальны для фундаментальных и прикладных исследований, поскольку позволяют наблюдать размерные эффекты в относительно протяженных наноструктурах и использовать их в системах оптической связи. Важной задачей, решение которой позволит производить нанои оптоэлектронные устройства в рамках традиционной технологии, является создание массивов КТ А4В6 на кремниевых подложках.

Таким образом, исследование морфологических особенностей пленок на пористых подложках, изучение релаксационных процессов при внешних воздействиях в гетеросистемах с буферными слоями ПК, разработка методов формирования наноструктур А4Вб на кремниевых подложках являются актуальными проблемами, решение которых позволит создавать электронные и оптоэлектронные устройства с высокими техническими характеристиками.

Цель работы — исследование морфологии поверхности полупроводниковых пленок А4Вб, халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) и алюминиевой металлизации на пористых и монокристаллических кремниевых подложках, изучение физических особенностей процессов поверхностной модификации пленок при плазменной обработке и термическом отжиге.

Для достижения данной цели были решены следующие задачи:

1. Исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок А4В6 различного состава на кристаллических и пористых кремниевых подложках, изучены характер и физические основы изменения морфологии пленок А4В6 при сухом травлении в аргоновой плазме.

2. Разработаны режимы формирования полупроводниковых наноструктур А4Вб методами сухого-травления-.

3. Исследована морфология пленок А1 и ХСП на пористых и кристаллических подложках. Изучены особенности релаксации напряжений в исследуемых структурах и происходящие процессы модификации поверхности?

Научная' новизна диссертационной работы заключается в следующем:

1. Впервые обнаружена роль пронизывающих дислокаций и террас на поверхности структур в формировании микрорельефа поверхности в ходе плазменной обработки:

2. Впервые показана возможность формирования"наноструктур полупроводников А4В6 по технологии «top-down» путем плазменной обработки.

3. Впервые показано, что при высокотемпературном отжиге имеет место явле1 ние порообразования в алюминиевой металлизации на пористом кремнии.

Практическая ценность диссертационной работы:

1. Систематизированы экспериментальные данные о структуре пленок А4Вб на сплошных И' пористых подложках, что может быть использовано при формировании' гетероэпитаксиальных структур, меза-элементов и полупровод- ¦ никовых устройств на их основе.

2. Показаны особенности морфологии, имеющие место в пленкахА1 и ХСП на* макропористом кремнии, что позволяет выработать приемы по устранению нежелательного эффекта порообразования в таких пленках и уменьшению высот хиллоков.

3. Установлены закономерности плазменного травления пленок А4В6 в аргоновой плазме, определены технические параметры распыления.

4. Впервые получена экспериментальная методика формирования наноструктур, А В путем обработки пленок АЪ6 на подложках CaF2/Si (l 11) в аргоновой плазме.

Проведенные исследования позволяют вынести на защиту следующие положения:

1. Алюминиевая металлизация толщиной 1 мкм на макропористом кремнии является сплошной за счет формирования мостиков над порами. Высокотемпературный отжиг 550 °C в инертной среде в течение 10−60 минут приводит к разрушению мостиков и порообразованию в алюминиевых пленках.

2. Травление в плотной индукционой аргоновой плазме низкого давления поликристаллических пленок А4В6, полученных на подложках пористого кремния, является однородным.

3. При обработке пленок A4B6/CaF2/Si (l 11) и A4B6/BaF2(l 11) в аргоновой плазме при реализации эффекта микромаскирования пронизывающие дислокации являются местом локализации микровыступов на поверхности.

4. Углы нанотеррас на поверхности пленок A4B6/CaF2/Si (l 11) при травлении в аргоновой плазме приводят к появлению ансамбля нановыступов, что позволяет формировать наноструктуры А4В6 с фиксированными геометрическими параметрами.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: 7-й, 8-й, 9-й международных конференциях «Опто-, нано-электроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2005, 2006, 2007) — международной конференции «Микрои наноэлектроника — 2007 (ICMNE-2007)» (Звенигород, 2007) — научно-практической межрегиональной конференции «Квантовые компьютеры, микрои наноэлектроника» (Ярославль, 2007) — 18-й международнойконференции «Взаимодействие ионов с поверхностью.

ВИП-2007)" (Звенигород, 2007) — международной научно-технической конференции «Молодые Ученые — 2006» (Москва, 2006) — 45-й международной конференции «Актуальные проблемы прочности» (Белгород, 2006) — Харьковской на-нотехнологической Ассамблее-2006 (Харьков, 2006) — 5-й международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2006) — 5-й международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2006) — международной научной конференции «Материалы и технологии XXI века» (Пенза, 2006) — международной научной конференции «Пленки-2005» (Москва, 2005) — 7-й, 8-й, 9-й научных молодежных школах по твердотельной электронике «Нано-технологии и нанодиагностика» (Санкт-Петербург, 2004, 2005) — 6-й, 7-й всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2004, 2005) и др.

Достоверность результатов, полученных в данной работе, определяется применением высокоточных современных экспериментальных методик, воспроизводимостью результатов, сравнением полученых научных результатов с литературными данными, согласием предложенных моделей с результатами экспериментальных исследований.

Личное участие автора. В диссертации изложены результаты, полученные как лично автором под научным руководством проф. Зимина С. П., так и в сотрудничестве с Герке М. Н. (АСМ-исследования), Амировым И. И. (плазменная обработка). Подготовка эксперимента, обработка и интерпретация всех полученных экспериментальных данных, построение зависимостей и физических моделей, ряд АСМ-исследований проводились соискателем самостоятельно. Научным руководителем проф. Зиминым С. П. была оказана помощь в планировании эксперимента и построении физических моделей. Ряд гетероэпитакси-альных структур предоставил Цогг X. (ЕТН, Цюрих).

Публикации. По результатам исследований, проведенных в рамках диссертационной работы, опубликовано 28 работ, из них 5 — статьи в рецензируемых журналах, входящих в список изданий, рекомендованных ВАК РФ.

1. Zimin S.P., Gorlachev E.S., Amirov I.I., Gerke M.N., Zogg H., Zimin D. Role of threading dislocations during treatment of PbTe films in argon plasma // Semicond. Sci. Technol. — 2007. — Vol. 22, No. 8. — P. 929−932.

2. Zimin S.P., Bogoyavlenskaya E.A., Gorlachev E.S., Naumov V.V., Zimin D., Zogg H., Arnold M. Structural properties of Pbi. xEuxSe/CaF2/Si (l 1Г) // Semicond. Sci. Technol.-2007.-Vol. 22, No. 12-P. 1317−1322.

3. Зимин С. П., Горлачев E.C., Герке M.H. Свойства поверхности алюминиевого-покрытия на макропористом кремнии // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон, исследования. — 2007. — № 10. — С. 44−46.

4. Зимин С. П., Горлачев Е. С., Герке М. Н. Порообразование в алюминиевых пленках на макропористом кремнии при высокотемпературном отжиге // Письма ЖТФ. — 2008. — Т. 34, Вып. 4. — С. 16−23.

5. Зимин С. П., Горлачев Е. С., Герке М. Н., Кутровская С. В., Амиров И. И. Морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pbj. xEu^Se после плазменной обработки // Изв. вузов. Физика. — 2007. — Т. 50, № 11 — С. 90−93.

6. Амиров И. И., Горлачев Е. С., Зимин С. П., Герке М. Н. Распыление эпитаксиальных пленок PbTe, PbSe, Pbi^Eu^Se в плотной аргоновой плазме // Труды 18-й международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2007)», Т. 3. — Звенигород, 2007. — С. 180−183.

7. Zimin S. P!, Gorlachev E.S., Amirov I.I. Formation of IV-VL semiconductor nano-hillocks using Ar inductively coupled plasma // Proc. Int. Conf. «Microand. nanoe-lectronics — 2007». — Zvenigorod, 2007. — P2−36.

8. Зимин С. П., Горлачев E.C., Амиров И. И: Формирование массива нановысту-пов на поверхности полупроводников А4В6 методом плазменного распыления*// Труды 9-й международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехно-логии и микросистемы». — Ульяновск: УлГУ, 2007. — С. 128.

9. Зимин С. П., Горлачев Е. С, Кантинова Е. А., Герке М. Н. AFM-исследования алюминиевойметаллизации на пористом кремнии // Труды 7-й международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». — Ульяновск: УЛГУ, 2005. —С. 42.

10. Зимин С. П., Горлачев Е. С, Герке М. Н. Исследование алюминиевой металлизации на мезопористом кремнии методами атомно-силовой микроскопии // Материалы международной научной конференции «Пленки-2005», часть 1. — М.: МИРЭА, 2005. — С. 140−142.

11. Зимин С. П., Горлачев Е. С, Богоявленская Е. А., Бучин Э. Ю., Амиров И. И., Нестеров С. И., Герке М. Н,. Zogg Н.,. Zirnin D. Модификация* поверхности пленок теллурида свинца при обработке в аргоновой плазме // Сборник статей 4-й международной научной конференции «Материалы и технологии XXI века». — Пенза: Приволжский Дом знаний, 2006. — С. 26−29.

12. Зимин С. П., Горлачев Е. С., Герке М. Н., Приходько О. Ю., Рягузов А. П. Исследование структурных характеристик аморфных пленок As2Se3 на мезопористом кремнии методами атомно-силовой микроскопии // Сборник статей 5-й международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». — С.-Пб.: Изд-во Политехнического университета, 2006: — С. 169−170.

13. Зимин С. П., Горлачев Е. С., Канагеева Ю. М., Савенко А. Ю-, Лучинин В. В., Мошников В. А. Структурные и электрические характеристики пористого кремния со сложной морфологией,// Сборник статей 5-й международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники»: — С.-Пб.: Изд-во Политехнического университета, 2006. — С. 226−227.

14. Зимин С. П., Горлачев Е. С., Герке М. Н., Амиров И. И., Zogg II. AFM-исследования пленок Pbi^Eu^Se на кремнии после плазменного травления // Труды 8-й международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». — Ульяновск: УЛГУ, 2006; - С. 86.

15. Зимин С. П., Горлачев Е. С., Герке М. Н., Приходько О. Ю., Рягузов А. П. Атомно-силовая= микроскопия поверхности пленок As2Se3 на подложках пористого кремния // Сборник трудов Харьковской нанотехнологической Ассамблеи.

2006, Т. 2 «Тонкие пленки в оптике и наноэлектронике». — Харьков, 2006. — С. 395−398.

16. Зимин С. П., Горлачев Е. С., Герке М. Н., Кутровская С. В., Амиров И. И. Морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pbi^Eu^Se после плазменной обработки // Сборник трудов 45-й международной конференции «Актуальные проблемы прочности». — Белгород: Изд-во БелГУ, 2006. — С. 89−90:

17. Горлачев Е. С., Кутровская С. В: Особенности нанорельефа поверхности обработанных в плазме пленок РЬТе на подложках BaF2 // Материалы международной научно-технической школы-конференции «Молодые Ученые — 2006», Т. 2.-М.: МИРЭА, 2006. — С. 45−47.

18. Горлачев Е. С., Кутровская С. В. Особенности микрорельефа эпитаксиальных пленок PbSe после обработки в аргоновой плазме // Сборник научных трудов молодых ученых, аспирантов и студентов «Актуальные проблемы физики», вып. 6. — Ярославль: ЯрГУ, 2007. — С. 72−77.

19. Зимин С. П., Горлачев Е. С. Влияние термообработки в инертной среде на электрические свойства пористого кремния с оксидной фазой // Труды 5-й международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». — Томск: Изд. ТПУ, 2006. — С. 126−129.

20. Зимин С. П., Богоявленская Е. А., Горлачев Е. С., Бучин Э. Ю., Амиров И. И. Модификация эпитаксиальных пленок А4В6 на кремнии при анодировании и плазменной обработке // Труды 3-го российского совещания «Кремний-2006». — Красноярск, 2006. — С. 44.

21. Горлачев Е. С. Атомно-силовая-микроскопия нанорельефа^ пленок РЬТе по- -еле плазменной обработки // Материалы 9-й научной молодежной школы по твердотельной электронике «Нанотехнологии и нанодиагностика». — С.-Пб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2006. — С. 31.

22. Горлачев Е. С. Исследование топологии роста пленок алюминия на пористом кремнии с различной морфологией // Материалы 7-й всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто-и наноэлектронике. — С.-Пб.: Изд-во СПбПТУ, 2005. — С. 23.

23. Горлачев Е. С. Электрические свойства высокоомного пористого кремния с оксидной фазой // Сб. науч. трудов молодых ученых, аспирантов и студентов «Актуальные проблемы физики», вып. 5. — Ярославль: ЯрГУ, 2005. — С. 96−103.

24. Зимин СЛ., Горлачев Е. С. Электропроводность высокоомного пористого кремния с оксидной фазой // Труды 7-й междунар. конф. «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». — Ульяновск: УЛГУ, 2005. — С. 41.

25. Горлачев Е. С. Влияние кратковременного отжига 550 и 650 °C на электрические свойства двусторонней макропористой структуры // Материалы 8-й научной молодежной школы по твердотельной электронике «Актуальные аспекты нанотехнологии». — С.-Пб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005. — С. 36.

26. Горлачев Е. С., Кантинова Е. А. Исследование особенностей роста пленок алюминия на пористом кремнии методами атомно-силовой микроскопии // Материалы 8-й научной молодежной школы по твердотельной электронике «Актуальные аспекты нанотехнологии». — С.-Пб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005. -С. 37.

27. Горлачев Е. С. Влияние кратковременного отжига на проводимость слоев-высокопористого кремния с оксидной фазой // Материалы 7-й научной молодежной школы по твердотельной электронике «Физика и технология микрои наноструктур». — С.-Пб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2004. — С. 35.

28. Горлачев Е. С. Изменение электропроводности высокопористого кремния с оксидной фазой после отжига 550 и 650 °C // Материалы 6-й всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. — С.-Пб.: Изд-во СПбГПУ, 2004. — С. 40.

Структура и объем диссертации

Работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы. Диссертация содержит 121 страницу текста, включая 43 рисунка, 6 таблиц.

Список литературы

включает 128 наименований.

Основные результаты работы.

1. В ходе диссертационной работы были изучены морфологические особенности пленок А4В6 на подложках кристаллического и пористого кремния, А1 металлизации и пленок As2Se3 на ПК. Установлено, что алюминиевая металлизация толщиной 1 мкм на макропористом кремнии является сплошной за счет формирования мостиков над порами. Впервые было обнаружено, что после высокотемпературного отжига 550 °C в результате процессов релаксации напряжений происходит порообразование в А1 пленках за счет разрыва участков пленки, первоначально нависавших мостиками над макропорами ПК. Вместе с тем происходит диффузия металла из области мостиков в область хиллоков, что приводит к увеличению геометрических размеров последних. Показано, что пленки ХСП на подложках ПК характеризуются присутствием крупных выступов в области порпоявление которых объясняется релаксацией механических напряжений и диффузией материала из области поры на поверхность.

2. Результаты исследований показали, что пленки А4В6 толщиной 0,5−3 мкм на подложках пористого кремния, в том числе и макропористого, являются поликристаллическими, сплошными, без углублений или пор. Расга>шение пленок A4B6/nK/Si в аргоновой плазме имеет однородный характер, модификация поверхности отсутствует, что может быть использовано для формирования ненапряженных мезаструктур А4В6 на кремнии с буферными пористыми слоями.

3. В ходе выполнения диссертационной работы были предложены режимы обработки:' гетероэпитаксиальных структур A4B6/CaF2/Si (lll) и A4B6/BaF2(l l l) в реакторе высокочастотной индукционной аргоновой плазмы, приводящие к формированию системы микрои наиовыступов. Предложена модель, согласно которой пронизывающие дислокации в пленках А4В6 являются местом локализации микровыступов при определенных условиях обработки в плазме, приводящих к эффекту микромаскирования. Анализ результатов показал, что микромаскирование может происходить нелетучими соединениями PbF* и А? х.

4. В рамках диссертационной работы были определены технологические условия плазменной обработки, приводящие к подавлению формирования микроили нановыступов. Установлено, что в ходе плазменной обработки пленок А4Вб на подложках CaF2/Si (lll) происходит формирование нановыступов за счет селективного распыления краев террас. Последнее явление позволило разработать технологический процесс формирования однородных массивов полупроводниковых наноструктур А4Вб с фиксированными геометрическими параметрами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Romanov S.I., Mashanov V.I., Sokolov L.V., Gutakovskii A. GeSi films with reduced dislocation density grown by molecular-beam epitaxy on compliant substrates based on porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1999. — Vol. 75, No. 26. -P. 4118−4120:
  2. Zimin S.P., Preobrazhensky M.N., Zimin D.S., Zaykina R.F., Borzova G.A. Growth and properties of PbTe films on porous silicon // Infrared Phys. Technol. 1999. — Vol. 40. — P. 337−342.
  3. Boberl M., Heiss W., Schwarzl Т., Wiesauer K., Springholz G. Midinfrared continuous-wave photoluminescence of lead-salt structures up to temperatures of 190 °C // Appl. Phys. Lett. 2003. — Vol. 82, No. 23. — P. 4065−4067.
  4. Wise F.W. Lead salt quantum dots: The limit of strong quantum confinement // Acc. Chem. Res. 2000. — Vol. 33. — P. 773−780.
  5. Grabecki G. Quantum ballistic phenomena in nanostructures of paraelectric PbTe // J. Appl. Phys. 2007. — Vol. 101, No. 8. — P. 81 722−1-81 7226.
  6. Uhlir A. Electropolishing of silicon // Bell. Syst. Tech. J. 1956. — Vol. 35. — P. 333−338.
  7. Konaka S., Tabe M., Sakai T. A new silicon-on-insulator structure using a silicon molecular beam epitaxial growth on porous silicon // Appl. Phys. Lett. — 1982. Vol. 41, No. l.-P. 86−88.
  8. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. — Vol. 57, No. 10. — P. 1046−1048.
  9. Properties of porous silicon. Ed. Canham L. Malvern: DERA, 1997. — 400 p.
  10. С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния // ФТП. 2000. — Т. 34, Вып. 3. — С. 359−363.
  11. .М., Пузов И. П., Нагорнов Ю. С. Стабилизация светоизлучаю-щих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом // Письма ЖТФ. 2000. — Т. 26, Вып. 1. — С. 50−55.
  12. Н.С., Казакова Л. П., Смирнова Н. Н. Перенос носителей заряда в пористом кремнии // ФТП. 2002. — Т. 36, Вып. 3. — С. 355−359.
  13. П.А., Мартышов М. Н., Тимошенко В. Ю., Кашкаров П. К. Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния // ФТП. 2006. — Т. 40, Вып. 4. — С. 476−481.
  14. Kocka J., Pelant I., Fejfar A. Light emitting silicon, recent progress // J. Non-Cryst. Solids. 1996. — Vol. 198−200. — P. 857−862.
  15. Von Beren J., Wolkin-Vakrat M., Jorne J., Fauchet P.M. Correlation of photoluminescence and bandgap energies with nanocrystal sizes in porous silicon // J. Porous Mat. 2000. — Vol. 7. — P. 271−273.
  16. Ben-Chorin M., Muller F., Koch F. Nonlinear electrical transport in porous silicon // Phys. Rev. B. 1994. — Vol. 49, No. 4. — P. 2981−2984.
  17. Д.Н., Беляков JI.B., Сресели O.M. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей // ФТП: 2004. — Т. 38, Вып. 6. — С. 739−744.
  18. A.M., Скворцов А. А., Клементьев-А.Г., Синдяев А. В. Адсорбционные изменения на поверхности пористого кремния в процессе естественного и высокотемпературного старения // Письма ЖТФ. 2001. — Т. 27, Вып. 2.-С. 76−83.
  19. СЛ., Комаров Е. П. Влияние кратковременного отжига на проводимость пористого кремния и переходное сопротивление контакта алюминий-пористый кремний // Письма ЖТФ. 1998. — Т. 24, Вып. 6. — С. 45−51.
  20. Е.В., Воронков В. Б., Ременюк А. Д., Толмачев В. А., Шуман В.Б.- Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результате окисления. Эллипсометрические исследования // ФТП. 1999. — Т. 33, Вып. 10. — С. 1264−1270.
  21. .М., Атажанов Ш. Р., Пузов И. П., Саломатин СЛ., Нагорнов Ю. С. Гетероструктурные эффекты в карбонизированном пористом кремнии // Письма ЖТФ. 2000. — Т. 26, Вып. 5. — С. 42−48.
  22. Turner D.R. Electopolishing of silicon in hydrofluoric acid solutions // J. Electrochem. Soc. 1958. — Vol. 5. — P. 402−405.
  23. Memming R., Schwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solution // Surf. Sci. 1966. — Vol. 4. — P. 109−124.
  24. Allongue P., De Villeneuve C.H., Pinsard L., Bernard M.C. Evidence for hydrogen incorporation during porous silicon formation // Appl. Phys. Lett. -1995. Vol. 67, No. 7. — P. 941−943.
  25. Lin T.L., Chen S.C., Kao Y.C., Wang K.L. 100-fjm-wide silicon-on-insulator structures by Si molecular beam epitaxy growth on porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1986. — Vol. 48, No. 26. — P. 1793−1795.
  26. Lin T.L., Sadwick L., Wang K.L., Kao Y.C., Hull R., Nieh C.W., Jamieson D.N., Liu- J.K. Growth and characterization of molecular beam epitaxial* GaAs layers on porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1987. — Vol. 51, No. 11. — P. 814 816.
  27. Novikov P.L., Aleksandrov L.N., Dvurechenski A.V., Zinov’ev V.A. Mechanism1 of silicon epitaxy on porous silicon layers // JETP Lett. 1998. — Vol. 67, No. 7.-P. 539−544.
  28. П.Л. Моделирование образования пористого кремния и эпитаксии кремния на его поверхности // Изв. вузов. Физика. 1999. — № 3. — С. 49−56.
  29. А.К., Романов С. И., Пчеляков О. П., Машанов В. И., Соколов JI.B., Ларичкин И. В. Эпитаксия кремния и твердых растворов германий-кремний на пористом кремнии // Изв. АН. Сер. Физическая. 1999. — Т. 63, № 2.-С. 255−261.
  30. Kang T.W., Leem J.Y., Kim T.W. Growth of GaAs epitaxial layers on porous silicon // Microelectron. J. 1996. — Vol. 27. — P. 423−436.
  31. Saravanan S., Hayashi Y., Soga Т., Jimbo Т., Umeno M., Sato N., Yonehara* T. Growth of GaAs epitaxial layers on Si substrate with porous Si- intermediate layer by chemical beam epitaxy // J. Cryst. Growth. 2002. — Vol. 237−239. — P. 1450−1454.
  32. Chang C.C., Lee C.H. Characterization and fabrication of ZnSe epilayer on porous silicon substrate // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 379. — P. 287−291.
  33. Boufaden Т., Matoussi A., Guermazi S., Juillaguet S., Toureille A., Mlik Y., El Jani B. Optical properties of GaN grown on porous silicon substrate // Phys. Stat. Sol. (a). 2004. — Vol. 201, No. 3. — P. 582−587.
  34. Hsich W.T., Fang Y.K., Wu K.H., Lee W.J., Ho J.J., Ho C.W. Using porous silicon as semi-insulating substrate for J3-SIC high temperature optical-sensing devices // IEEE Trans. Electron Dev. 2001. — Vol. 48, No. 2. — P. 801−803.
  35. С.П., Преображенский M.H., Зимин Д. С. Формирование двухсторонней пористой структуры при электрохимическом травлении кремния методом Унно-Имаи // Письма ЖТФ. 2000. — Т. 26, Вып. 1. — С. 24−29.
  36. Zogg Н., Maissen С., Blunier S., Teodoropol S., Overney R.M., Richmond Т., Tomm J.W. Thermal-mismatch strain relaxation mechanisms in heteroepitaxial lead chalcogenide layers on Si substrates // Semicond. Sci. Technol. 1993. -Vol/8.-P. S337-S341.
  37. Л.В., Захарова И. Б., Зубкова Т. Н., Мусихин С. Ф., Рыков С. А. Исследование ИК фотодиодов на основе РЬТе, полученных на буферном подслое пористого кремния // ФТП. 1997. — Т. 31, № 1. — С. 93−95.
  38. С.П., Зимин Д. С., Саунин И. В., Бондоков Р. Ц. Низкотемпературный рост пленок РЬТе на пористом кремнии // Неорганические материалы. — 1998.-Т. 34,№ 4.-С. 114−115.
  39. Zimin S.P., Preobrazhensky M.N., Zimin D.S. High-quality lead telluride films grown on silicon with buffer porous silicon layers // Proc. SPIE. 1999. — Vol. 3890.-P. 497−501.
  40. С.П., Преображенский M.H., Зимин Д. С. Структурные особенности пленок селенида свинца, полученных на облученном электронами пористом кремнии // Материалы 10-го междунар. симпозиума «Тонкие пленки в электронике». 1999, Ярославль. — С. 249−253.
  41. Miranda C.R.B., Abramof P.G., De Melo F.C.L., Ferreira N.G. Morphology andstress study of nanostructured porous silicon as a substrate for PbTe thin filmsgrowth by electrochemical process // Materials Research. 2004. — Vol. 7, No. 4.-P. 619−623.
  42. Levchenko V.I., Postnova L.I., Bondarenko V.P., Vorozov N.N.,. Yakovtseva V.A., Dolgyi L.N. Heteroepitaxy of PbS on porous silicon // Thin Solid Films., — 1999.- Vol. 348.-P. 141−144.
  43. Hung SiG., Su Y.K., Ghang S-L, Ghen S: G., JrL.W.,-Fang Т. Щ mm, Ghem M. Self-formation of GaN hollow nanocolumns by inductively coupled-plasma etching // Appl- Phys. A. 2005.-Vol. 80: — P. 1607−1610.
  44. Daruka I., Barabasi A.-L. Dislocation-free island formation im heteroepitaxial growth: a study at equilibrium // Phys. Rev. Lett. 1997. — Vol. 79- No., 19-P. 3708−3711.
  45. Widmann F., Daudin В., Feuillet G., Samson Y., Rouviere J! L.,.Pelekanos N. Growth kinetics and optical properties of self-organized GaN quantum dots // J. App. Phys. 1998. — Vol. 83, No. 12. — P. 7618−7624.
  46. Ma Z.H., Sun W.D., Sou I.K., Wong G. K. L. Atomic force microscopy studies., of ZnSe self-organized dots fabricated on ZnS/GaP // Appl. Phys. Lett. 1998. -Vol. 73, No. 10.-P. 1340−1342.
  47. Teichert С., Hofer С., Lyutovich К., Bauer М., Kasper Е. Interplay of dislocation network and island arrangement in SiGe films grown1 on Si (001) // Thin Solid Films. 2000. — Vol. 380, No. 1−2. — P. 25−28.
  48. Raab A., Springholz G. Controlling the size and density of self-assembled PbSe quantum dots by adjusting the substrate temperature and layer thickness // Appl: Phys. Lett. 2002. — Vol. 81, No. 13. — P. 2457−2459.
  49. Springholz G., Holy V., Pincolits M., Bauer G. Self-organized growth of three-dimensional quantum-dot crystals withh fcc-like stacking and a tunable lattice constant// Science. 1998. — Vol. 282. — P. 734−737.
  50. Abtin L., Springholz G., Holy V. Surface exchange and shape transitions of PbSe quantum dots during overgrowth // Phys. Rev. Lett. 2006. — Vol. 97. — P. 266 103−1-266 103−4.
  51. Alchalabi К., Zimin D., Kostorz G., Zogg H. Self-assembled semiconductor quantum dots with nearly uniform sizes // Phys. Rev. Lett. 2003. — Vol. 90, No. 2.-P. 26 104−1-26 104−4.
  52. Hines M., Scholes G.D. Colloidal PbS nanocrystals with size-tunable near-infrared emission: Observation of post-synthesis self-narrowing of the particle size distribution // Adv. Mater. 2003. — Vol. 15, No. 21. — P. 1844−1849.
  53. Bakueva E., Gorelikov I., Musikhin S., ZHao X.S., Sargent E.H., Kumacheva E. PbS quantum dots with stable efficient luminescence in the near-IR spectral range-// Adv. Mater. 2004. — Vol. 16, No. 11. — P. 926−929.
  54. Turyanska L., Patane A., Henini M., Hennequin В., Thomas N.R. Temperature dependence of the photoluminescence emission from thiol-capped PbS quantum dots//Appl. Phys. Lett. — 2007. — Vol. 90.-P. 101 913−1-101 913−3.
  55. Reynoso V.C.S-, De PaulaA. M, Guevas R.F., Medeiros Neto E^
  56. Gesar C.E., BarbosaЕ.С. РЬТе quantum dot doped glasses with absorption edge in the 1.5 jam wavelength: region // Electronic Eett. 1995. — Vol. 31, No. 12. — P. 1013−1015. ^
  57. Graievich A.F., Kellermann G., Barbosa E.G., Alves O.L. Structure characterization and mechanism: of growth of PbTe nanocrystals embedded in a: silicate glass // Phys. Rev. Lett. 2002. — Vol: 89, No. 23. — P. 235 503−1 235 503−4.
  58. Facsko S., Dekorsy Т., Koerdt C., Trappe C., Kurz Hi, — Vogt A., Hartnagel' Hi Formation of ordered nanoscale semiconductor dots by ion sputtering // Science" — 1999--Vol. 285, No. 5433.-P. 1551−1553.
  59. Gago R., Vazquez E., Guerno R., Varela Mi, Ballesteros G., Albella J.M. Productioniof ordered silicon nanocrystals by low-energy ion sputtering // Appl: Phys. Lett--2001.-Vol: 78, No: 21.-P: 3316−3318-
  60. Frost F., Rauschenbach B. Nanostructuring of solid surfaces by ion-beam erosion // Appl. Phys. A. 2003. — Vol. 77, No. l.-P. 1−9.
  61. Kim J. Surfacemorphology ofGe (l 11) during etching by keV ions II Phys. Rev. B. 2003. — Vol. 67, No. 4. — P. 45 404−1-45 404−6.
  62. Ling L., Li: W.-Q, Qi E J, Eu Mi, Yang^X., Gu G.-X. Nanopatterning of SiplO). surface by ion sputtering: An experimental and simulation study // Phys. Rev. B.- 2005.-VoK 71. P. 155 329−1-155 329−8.
  63. Facsko S., Bobek Т., Stahl A., Kurz H. Dissipative continuum model for self-organized, pattern formation during ion-beam erosion // Phys. Rev. B- 2004. — Vol. 69. — P. 153 412−1-153 412−4.
  64. Bradley R.M., Harper J.M.E. Theory of ripple topography induced by ion bombardment // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. — Vol. 6, No. 4. — P. 23 902 395.
  65. Sigmund P. Theory of Sputtering. I. Sputtering yield of amorphous and-polyciystalline targets // Phys. Rev. 1969. — Vol. 383, No. 2. — P. 184−416.
  66. Youtsey C., Romano L.T., Adesida I. Gallium nitride whiskers formed- by-selective photoenhanced wet etching of dislocations // Appl. Phys. Lett. — 1998. Vol. 73, No. 6. — P. 797−799.
  67. Yoshida H., Urushido Т., Miyake H., Hiramatsu K. Formation of GaN self-organized nanotips by reactive ion etching // Jpn. J. Appl. Phys. 2001'. — Vol. 40, Part 2, No. 12A. — P. L1301-L1304.
  68. Yu C.-C., Ghu C.-F., Tsai J.-Y., Huang H.-W., Hsueh T.-H., Lin C.-F., Wang S.-C. Gallium nitride nanorods fabricated by inductively coupled plasma reactive* ion etching // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. — Vol.41, Part 2, No. 8B. — P. L910-L912.
  69. Hung S.C., Su Y.K., Chang S.J., Chen, S.C., Fang Т.Н., Ji L.W. GaN nanocolumns formed by inductively coupled plasmas etching // Physica E. — 2005.-Vol. 28.-P. 115−120.
  70. Волков' Б.А., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца // УФН. — 2002! — Т. 172, № 8.-С. 875−906.
  71. Heremans' J.P., Thrush С.М., Morelli D.T. Thermopower enhancement in lead1 telluride nanostructures // Phys. Rev. В. 2004-. — Vol. 10i — P. 115 334−1 115 334−5.
  72. Furst J., Pascher H.,. Schwarzl Т., Boberl M., Springholz G., Bauer G., Heiss W. Continuous-wave emission from midinfrared IV-VI vertical-cavity surface-emitting lasers// Appl. Phys. Lett. -2004. -Vol. 84, No. 17.-P. 3268−3270.
  73. Arnold M., Zimin D., Zogg H. Resonant-cavity-enhanced photodetectors for the mid-infrared //Appl. Phys. Lett. 2005. — Vol. 87. — P. 141 103−1-141 103−3.
  74. Таске M. Lead-salt lasers // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A-2001.-Vol. 359. -. P. 547−566.
  75. С.И. Экситонные состояния в полупроводниковых квантовых точках в рамках модифицированного метода эффективной массы // ФТП: — 2007.-Т. 41, Вып. 11.-С. 1341−1346.
  76. Allan G., Delerue С. Unusual quantum confinement effects in IV-VI materials // Materials Sci. Engineering C. -2005. Vol. 25, No. 5−8. -P. 687−690.
  77. Imai K., Unno H. FIPOS technology and its application to LSI’s // IEEE Trans- Electron Dev. 1984. — Vol. ED-31, No. 3. — P. 297−302.
  78. A.H., Маняхин Ф. И. Свойства и механизм фотопроводимости поликристаллических слоев сульфида свинца // Поверхность: Физика, химия, механика.-1986. -№ 2.-С- 117−126. ,
  79. Mengui U.A., Abramof Е., Rappl Р.Н.О., Ueta A.Y. Characterization of SnTe films grown by molecular beam epitaxy // Brazil. J. Phys. 2006. — Vol- 36, No. 2A.-P. 324−327.
  80. Springholz G., Ueta A.Y., Frank N, Bauer G. Spiral growth and threading dislocations for molecular beam epitaxy of PbTe on BaF2 (1 1 1) studied by scanning tunneling microscopy // Appl- Phys. Lett. 1996. — Vol. 69. — P. 28 222 824-
  81. Ishizaka A., Shiraki Y. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE // J. Electrochemical Society. 1986. — Vol. 133, No. 4.-P. 166−167.
  82. А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 1. Реактивное ионное травление // Микроэлектроника. 1999. — Т. 28, № 5. — С. 344−362.
  83. А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 2. Ппазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники // Микроэлектроника. 1999. — Т. 28, № 6. — С. 415−426.
  84. ИИ. Ионно-химическое травление кремния и окиси кремния в многокомпонентной плазме // Исследование технологических процессов и приборов микроэлектроники (Тр- ФТИАН- Т. 12). М: Наука: Физматлит, 1997.-С. 19−36.
  85. И.И., Бердников А. Е., Изюмов МЮ: Процессы травления резистов в реакторе с ВЧ-индукционным источником плазмы // Микроэлектроника: 1998. — Т. 27,. № 1.-е. 22−27-
  86. Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов: — М.: Радио и связь, 1986. 232 с.
  87. Woodworth J.R., Riley М.Е., Meister D.C., AragomB.P., Le M.S., SawbH-Hi Ion energy and! angular'. distributions in inductively coupled radio- frequency- discharges-in argon //Ji AppI: Phys. 1996: -Vol: 80- No: 3: — P. 1304−13 IT-
  88. Арутюнов: П.А., Толстихина A.JI. Атомно-силовая микроскопия в задачах, проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть 1 // Микроэлектроника. 1999. — Т. 28, № 6. — С. 405−414.
  89. В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: Техносфера, 2005. -144 с:
  90. EiufRiP!,'XmZ., Хш Wang W. K-.,.Eam G. Z:. Distorted^ surfacetopography, observed by atomic: force microscopy // Measurement- 2006: — Vol. 39.-P. 12−15.
  91. Wu H.2., Fang X.M., Salas R.J., McAlister D., McCann P.J. Molecular beam epitaxy growth of PbSe on BaF2-coated Si (lll) and observation of the PbSe growth interface // J. Vac. Sci. Technol. 1999. — Vol. 17, No. 3. — P. 12 631 266.
  92. E.M., Колесников A.B., Василенко А. П., Гутаковский А. К. Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия на образование пронизывающих дислокаций в полупроводниковых-гетероструктурах //ФТП. 2002. — Т. 36, Вып. 3. — С. 309−316.
  93. D’Heurle F., Berenbaum L., Rosenberg R. On the structure of aluminum films // Trans. Met. Soc. AIME. 1968. — Vol: 242. -P. 502−511.
  94. Bacconier В., Lormand G., Papapietro M., Achard M., Papon A.-M. A study of heating rate and texture influences on annealing hillocks by a statistical* characterization of A1 thin-film topography // J. Appl. Phys. 1988. — Vol. 64, No. Г1.-Р. 6483−6489.
  95. Ericson F., Kristensen N., Schweitz Ji-A., Smith U. A transmission-electron, microscopy study of hillocks in thin aluminum films // J: Vac. Sci. Technol1. B'. — 1991.-Vo. 9, No. 1.-P. 58−63.
  96. Smith U., Kristensen N., Ericson F., Schweitz L-A. Local stress relaxation' phenomena in thin aluminum films // J. Vac. Sci. Technol. A. 1991. — Vol. 9, No. 4.-P. 2527−2535.
  97. Kim D.-K., Nix W. D., Vinci R. P, Deal M.D., Plummer J.D. Study of the effect of grain boundary migration-on hillock formation in A1 thin, films II JL Appl- Phys. 2001'. — V. 90, No. 2. — P: 781−788.
  98. Blech I.A., Meieran E.S. Electromigration in thin A1 films // J. Appl. Phys. — 1969. Vol. 40, No. 2. — P. 485−49 Г.
  99. Скворцов-А.А., Орлов A.M., Рыбин, B.B. К вопросу диагностики деграда-ционных процессов в системе алюминий-кремний при импульсных электрических воздействиях II Письма ЖТФ. 2006. — Т. 32, Вып. 6. — С. 18−23.
  100. M.JT., Займовский В. А. Механические свойства металлов. — М., Металлургия, 1979. 496 с.
  101. Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. — М.: Радио и связь, 1990. 264 с.
  102. Ш. Ш., Приходько О. Ю., Мальтекбасов М. Ж., Максимова С .Я., Аверьянов B.JI. Биполярная фотопроводимость в аморфных пленках As2Se3 // ФШ. 1991. — Т. 25, Вып. 3. — С. 564−566.
  103. Andriesh A.M. Ghalcogenide glasses in optoelectronics // ФТП. — 1998. — T. 32, Вып. 8. С. 970−975.
  104. Tanaka К. Nanostructured chalcogenide glasses // J. Non.-Cryst. Solids. 2003. -Vol.326&327.-P. 21−28. '
  105. Schwarzl Th., Heiss W., Kocher-Oberlehner G., Springholz G. CH4/H2 plasma etching of IV-VI semiconductor nanostructures // Semicond. Sci. Technol. — 1999.-Vol. 14, No. 2.-P. 11−14.
  106. Кибалов-Д.С., Журавлев И. В., Лепшин П. А., Смирнов В. К. Перенос волнообразного нанорельефа на поверхность различных материалов // Письма ЖТФ. 2003. — Т. 29, Вып. 22. — С. 63−67.
  107. Lieberman М.А. Spherical shell model of an asymmetric rf discharge // J. Appl. Phys. 1989. — Vol. 65. No. 11. — P. 4186−4191.
  108. В.С., Кив A.E., Ниязова O.P. Механизмы, образования и миграции дефектов в полупроводниках. -М.: Наука, 1981. 368 с.
  109. Hayakawa Т., Suzuki Т., Uesugi Т., Mitsushima Y. Mechanism of residue formation in silicon trench etching using a bromine-based plasma // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. — Voh 37, Part 1, No. 1. — P. 5−9.
  110. Oehrlein G.S., Rembetski J.F., Payne E.H. Study of sidewall passivation and microscopic silicon1 roughness phenomena in chlorine-based reactive ion etching of silicon trenches // J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. — Vol. 8, No. 6. — P. 11 991 211.
  111. Pelletier J., Arnal Y., Durandet A. SF6 plasma etching of silicon: evidence of sequential multilayer fluorine adsorption // Europhys. Lett. 1987. — Vol. 4, No. 9.-P. 1049−1054.
  112. Blavette D., Cadel E., Fraczkiewicz A., Menand A. Three-dimensional atomic-scale imaging of impurity segregation to line defects // Science. 1999. — Vol. 286, No. 5448. — P. 2317−2319.
  113. Ю.А., Хазан JI.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. — Киев: Наук, думка, 1983. — 304 с.
  114. А.А., Орлов A.M., Фролов В. А., Соловьев А. А. Электростимули-рованное движение краевых дислокаций в кремнии при комнатных температурах // ФТТ. 2000. — Т. 42, Вып. 11. — С. 1998−2003.
  115. Wu H.F., Zhang H.J., Lu Y.H., Xu T.N., Si J.X., Li H.Y., Bao S.N., Wu H.Z., He P. Scanning tunneling microscopy of epitaxial growth of PbSe thin film on BaF2(l 11) // J. Cryst. Growth. 2006. — Vol. 294: — P. 179−183.
  116. Xu T.N., Wu H.Z., Si J.X., Cao C.F. Observation of triangle pits in PbSe grown by molecular beam epitaxy // Appl. Surf. Sci. 2007. — Vol. 253, No. 12. — P. 5457−5461.
  117. F. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. — 464 с.
  118. Ramos R., Cunge G., Pelissier В., Joubert О. Cleaning aluminum fluoride coatings from plasma reactor walls in SiCL/Cfe plasmas // Plasma Sources Sci. Technol: -2007. Vol. 16, No. 4. — P. 711−715.
  119. Основные свойства неорганических фторидов. Справочник. Под ред. Галкина Н. П. М.: Атомиздат, 1975. — 400 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!