Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в гетеросистемах Cu/Ni, Cu/Pd, Ni/Pd

Диссертация: Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в гетеросистемах Cu/Ni, Cu/Pd, Ni/Pd
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В системах с ориентацией подложки (111) с повышением температуры уменьшается дефектность пленок с метастабильной ГПУ-структурой. Аккомодация упругих напряжений, связанных с несоответстви е rvi параметров решеток подложки и пленки, обеспечивается формированием дефектов упаковки, расположенных на межфазной границе, что создает условия для бездефектного формирования последующих слоев пленки… Читать ещё >

Содержание

  • ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  • ГЛАВА 1. ТОНКИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
    • 1. 1. Методы получения тонких пленок
    • 1. 2. Ориентированная кристаллизация пленок
    • 1. 3. Механизмы роста пленок
      • 1. 3. 1. Рост пленки по Фольмеру и Веберу
      • 1. 3. 2. Рост пленки по Франку и Ван дер Мерве
      • 1. 3. 3. Рост пленки по Крастанову и Странскому
    • 1. 4. Структура псевдоморфного слоя
    • 1. 5. Механизм релаксации упругих деформаций псевдоморфного слоя
    • 1. 6. Кристаллогеометрические критерии ориентированной кристаллизации
    • 1. 7. Энергия межфазных границ в металлических пленочных системах
    • 1. 8. Фазовый размерный эффект
    • 1. 9. Дефекты кристаллической структуры пленок
      • 1. 9. 1. Вакансии
      • 1. 9. 2. Примесные атомы
      • 1. 9. 3. Дислокации
      • 1. 9. 4. Дефекты упаковки
    • 1. 10. Постановка задач
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА КОМПЬЮТЕРНОГО ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Межатомное взаимодействие
    • 2. 2. Расчетные схемы
      • 2. 2. 1. Алгоритм метода молекулярной динамики
      • 2. 2. 2. Алгоритм метода статической релаксации
    • 2. 3. Метод погруженного атома
    • 2. 4. Расчет основных характеристик моделей
      • 2. 4. 1. Измерение термодинамических величин
      • 2. 4. 2. Структурные функции
      • 2. 4. 3. Многогранники Вороного
    • 2. 5. Периодические граничные условия
  • ГЛАВА 3. ПОСТРОЕНИЕ КОМПЬЮТЕРНЫХ МОДЕЛЕЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМ Cu-Ni, Cu-Pd HNi-Pd
    • 3. 1. Построение молекулярно-динамических моделей подложек различных ориентаций и создание аморфных пленок
    • 3. 2. Методика молекулярно-динамического расчета
  • ГЛАВА 4. СТРУКТУРНЫЕ И СУБСТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМАХ Cu-Ni, Cu-Pd HNi-Pd
    • 4. 1. Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфной пленки Си на
    • 001. Ni в условиях изохронного отжига
      • 4. 1. 1. Ориентированная кристаллизация пленки Си на монокристаллической подложке Ni ориентации (001)
      • 4. 1. 2. Механизмы компенсации размерного несоответствия
      • 4. 1. 3. Эволюция структуры пленки в процессе отжига
      • 4. 2. Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на
    • 110. №, Си на (110)Pd и Ni на (110)Pd в условиях изохронного отжига
      • 4. 2. 1. Структурная релаксация при кристаллизации тонких пленок Си и N
      • 4. 2. 2. Эволюция дефектной структуры пленок при отжиге
      • 4. 3. Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на (111)№, Си на (11 l) Pd и Ni на (11 l) Pd в условиях изохронного отжига
      • 4. 3. 1. Структурная релаксация при кристаллизации тонких пленок Си на (11 l) Ni и Си, Ni на (11 l) Pd
      • 4. 3. 2. Превращения дефектной структуры пленок Си на
    • 11. l)Ni и Си, Ni на (11 l) Pd при отжиге
      • 4. 4. Структурная самоорганизация монослоя Ni на (11 l) Pd .Ill

Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в гетеросистемах Cu/Ni, Cu/Pd, Ni/Pd (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Большинство используемых методов исследования закономерностей роста и структуры многослойных пленочных систем при всей своей высокой интегральной (дифракционные) или локальной (микроскопические) разрешающей способности дают информацию о структурной организации системы, распределении дефектов на определенных этапах ее эволюции в реальном масштабе времени. В то же время они не позволяют проследить динамику структурных и субструктурных превращений, зафиксировать элементарные процессы на атомном уровне непосредственно в процессе ориентированной кристаллизации. Если учесть, что времена элементарных термоактивационных актов перестройки структуры находятся в пикосекундном интервале, то получаемая инструментальными методами информация (рентгенограммы, электронограммы, микрофотографии и др.) носит усредненный характер по активационным процессам, находящимся за пределами возможностей их временного разрешения данными методами. Отсутствие информации о локальных (атомных) путях ее перестройки, как правило, восполняется логически обоснованными предположениями о путях ее эволюции, проверить которые не представляется возможным. Существенный прогресс в раскрытии атомных механизмов перестройки структуры может быть достигнут с использованием вычислительной техники, позволяющей перейти к непосредственному моделированию систем, состоящих из многих частиц и, как следствие, детальному изучению их локальных атомных конфигураций.

Возможность молекулярно-динамического эксперимента фиксировать события на атомном уровне с временным разрешением ЗхЮ" 1'с позволяет проследить в деталях за всеми процессами перестройки структуры на всех этапах ее эволюции.

Работа выполнена в рамках проекта ГБ 0101 Федеральной целевой программы «Интеграция науки высшего образования России на 2002;2006 года».

Цель работы. Установление атомных механизмов и закономерностей структурных и субструктурных превращений при ориентированной кристаллизации аморфных пленок ГЦК-металлов: Cu/(001)Ni, Cu/(110)Ni, Cu/(11 l) Ni, Ni/(110)Pd, Ni/(11 l) Pd, Cu/(110)Pd, Cu/(11 l) Pd.

Для этого решали следующие задачи:

— создание моделей пленочных гетеросистем Си на (001),(110),(11 l) Ni, CunNi на (110),(lll)Pdмолекулярно-динамическое моделирование ориентированной кристаллизации аморфных пленок Си на (001),(110),(lll)Ni, Си и Ni на (110),(11 l) Pd в условиях изохронного отжига;

— изучение основных закономерностей формирования структуры и субструктуры при ориентированной кристаллизации пленочных гетеросистемисследование влияния ориентации подложки на процессы кристаллизации и структурной самоорганизации пленокисследование процессов перестройки субструктуры в ходе изохронного отжигаисследование структурной самоорганизации при нагреве монослойной пленки.

Научная новизна. На атомном уровне установлены процессы формирования дефектной субструктуры при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в гетеросистемах Cu/(001)Ni, Cu/(110)Ni, Cu/(lll)Ni, Cu/(110)Pd, Cu/(lll)Pd, Ni/(110)Pd и Ni/(lll)Pd в условиях изохронного отжига, а также закономерности перестройки дислокационной структуры пленок при нагреве.

Установлено, что на подложках (001) и (110) аморфные пленки кристаллизуются в параллельную ориентацию с образованием ГЦК структуры, а в системах с ориентацией подложки (111) при кристаллизации образуется доменная структура с ГЦК и ГПУ укладкой.

Компенсация размерного несоответствия в системе Cu/(001)Ni происходит за счет образования в объеме пленок частичных дислокаций Шокли и вершинных дислокаций.

В системах с ориентацией подложки (110) компенсация размерного несоответствия в двух ортогональных направлениях происходит за счет дислокаций разного типа: частичных Шокли и вершинных — в направлении (001), и полных дислокаций смешанного типа — в направлении [110].

В системах с ориентацией подложки (111) компенсация размерного несоответствия осуществляется за счет образования в плоскостях параллельных границе раздела фаз дефектов упаковки, ограниченных частичными дислокациями Шокли.

В системе Cu/(001)Ni обнаружен механизм консервативного перемещения вершинных дислокаций в направлении межфазной границы в процессе нагрева.

Обнаружены элементарные акты обменной диффузии атомов подложки и пленки, инициируемые полными дислокациями несоответствия на границе раздела фаз в системах Cu/(110)Pd и N1/(110)Pd.

Установлено, что в системе монослой Ni на (lll)Pd (в отличие от системы монослой Ni на (001)Pd) диффузия атомов подложки в монослой и формирование твердого раствора не наблюдается.

Основные положения, выносимые на защиту:

— в условиях изохронного отжига в системах Си на (001)Ni, Си на (110)Ni, Си и Ni на (110)Pd образуется ГЦК структура с ориентацией параллельной подложке, а в системах с ориентацией подложки (111) образуется доменная структура с ГЦК и ГПУ укладкой:

Ill), [101] ГЦК-пленки II (111), [101] ГЦК — подложки;

0001), [2110] ГПУ-пленки || (111), [101] ГЦК — подложки;

— компенсация размерного несоответствия в системе Си на (001)Ni происходит за счет образования в объеме пленок частичных дислокаций Шокли и вершинных дислокаций, а в системах Си на (110)Ni, Си и Ni (110)Pd в зависимости от направления при кристаллизации образуются полные дислокации, краевые частичные и вершинные дислокации;

— в системах с ориентацией подложки (111) компенсация размерного несоответствия осуществляется за счет образования в плоскостях, параллельных границе раздела фаз, дефектов упаковки, ограниченных частичными дислокациями Шокли;

— в тонких пленках Си на (001),(110)Ni и Си, Ni на (110)Pd с ростом температуры повышается количество частичных дислокаций Шокли на межфазной границе, а в системах с ориентацией подложки (111) с повышением температуры уменьшается дефектность пленок пленок с метастабильной ГПУ-структурой;

— в системе Си на (001) Ni обнаружен механизм консервативного перемещения вершинных дислокаций в направлении межфазной границе в поле внутренних напряжений;

— в системах Cu/(110)Pd и Ni/(110)Pd обнаружены элементарные акты обменной диффузии атомов подложки и пленки, инициируемые полными дислокациями несоответствия на границе раздела фаз.

Практическая ценность работы. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании многослойных пленочных гетероструктур в системах с относительно большим размерным несоответствием кристаллических решеток.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы были представлены на следующих симпозиумах, конференциях и семинарах:

IV Международном семинаре «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Астрахань, 2002) — X Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Москва, 2004) — III Международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации» (Иваново, 2004) — Международной школе-семинаре «Современные проблемы механики и прикладной математики» (Воронеж, 2004) — V Международной конференции «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2004) — XXI Международной конференции «Нелинейные процессы в твердых телах» (Воронеж, 2004) — XI Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 2005) — Международной школе-семинаре «Современные проблемы механики и прикладной математики» (Воронеж, 2005).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 13 работ.

Личный вклад автора. Автором самостоятельно получены, обработаны и проанализированы все основные результаты, выносимые на защиту. Постановка задач, определение направлений исследований, обсуждение результатов, подготовка работ к печати и формулировка выводов работы осуществлялись совместно с научным руководителем, профессором А. Т. Косиловым. Консультирование по методам компьютерного эксперимента осуществлял доцент А. В. Евтеев.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы из 107 наименований. Работа содержит 126 страниц, включая 54 рисунка.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

На основе молекулярно-динамического анализа моделей тонкопленочных гетеросистем: Cu/(001)Ni, Cu/(110)Ni, Cu/(lll)Ni, Cu/(110)Pd, Cu/(lll)Pd, Ni/(110)Pd и Ni/(lll)Pd, в рамках метода погруженного атома, установлены основные закономерности структурных и субструктурных превращений при ориентированной кристаллизации аморфных тонких пленок Си и Ni нанометровой толщины на монокристаллических подложках различной ориентации:

1. Аморфные пленки Си на (OOl)Ni, Си на (110)Ni, Си и Ni (110)Pd, кристаллизуются с образованием ГЦК структуры с ориентацией параллельной подложке. Аморфные пленки Си на (11 l) Ni, а также Си и Ni на (11 l) Pd кристаллизуются в параллельную ориентацию, атомы образуют доменную структуру с ГЦК и ГПУ укладкой: (111), [101] ГЦК — пленки || (111), [101] ГЦК — подложки- (0001), [2110] ГПУ — пленки || (111), [loi] ГЦК — подложки.

2. Установлено, что при ориентированной кристаллизации в условиях изохронного отжига размерное несоответствие в гетеросистеме Cu/(001)Ni (/о~0.027) компенсируется образованием ортогональной сетки вершинных дислокаций и частичных дислокаций Шокли в объеме пленки в плоскостях, параллельных межфазной границе. Вершинные дислокации образуются в результате рекомбинации двух частичных дислокаций Шокли в смежных плоскостях скольжения {111}. В системах с ориентацией подложки (110) в плотноупакованном направлении размерное несоответствие компенсируется образованием полных смешанных дислокаций с вектором Бюргерса Ь=(а/2) [110], а в направлении [001] - вершинными дислокациями и частичными дислокациями Шокли. В системах с ориентацией подложки (111) компенсация размерного несоответствия осуществляется за счет образования в плоскостях, параллельных границе раздела фаз, дефектов упаковки вычитания в системе Cu/(lll)Ni и внедрения — в системах Cu/(lll)Pd и Ni/(lll)Pd. Дефекты упаковки ограничены частичными дислокациями Шокли, образующие замкнутые контуры. Плотность дислокаций растет с увеличением размерного несоответствия.

3. Нагрев пленочных гетеросистем сопровождается перестройкой дефектных структур. В тонких пленках Си на (001),(110)Ni и Си, Ni на (110)Pd с ростом температуры повышается плотность частичных дислокаций Шокли на межфазной границе и уменьшается плотность вершинных дислокаций.

4. При исследовании перестройки дефектной структуры пленки Си на (OOl)TNTi в процессе нагрева впервые обнаружен механизм консервативного перемещения вершинных дислокаций в направлении межфазной границе в поле внутренних напряжений.

5. В системах с ориентацией подложки (111) с повышением температуры уменьшается дефектность пленок с метастабильной ГПУ-структурой. Аккомодация упругих напряжений, связанных с несоответстви е rvi параметров решеток подложки и пленки, обеспечивается формированием дефектов упаковки, расположенных на межфазной границе, что создает условия для бездефектного формирования последующих слоев пленки.

6. В системах Cu/(110)Pd и Ni/(110)Pd обнаружены элементарные акты обменной диффузии атомов подложки и пленки на границе раздела фаз, инициируемые полными дислокациями несоответствия.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.А., Фолманис Г. Э. Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков. — М.: Наука, 1973. — 87 с.
  2. В.М., Бугаков А. В., Трофимов В. И. Рост и субструктура конденсированных пленок. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2002. — 386 с.
  3. Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. -М.: Мир, 1960.-348 с.
  4. Дж.П., Моазед К. Л. Образование зародышей при кристаллизации тонких пленок // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1970. С. 123−166.
  5. Л.С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.-480 с.
  6. Л.С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. — 320 с.
  7. П. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. -274 с.
  8. Volmer М., Weber A. Nuclei formation in supersaturated states // Z. Phys. Chem. 1926. — Vol. 119. — P. 277−3 01.
  9. Walton D., Rhodin T. N., Rollins R. W. Nucleation of Silver on Sodium Chloride // J. Chem. Phys. 1963. — Vol. 38. — P. 2698−2702.
  10. In-situ ТЕМ Studies of Palladium on MgO / K. Heinemann, T. Osaka, H. Poppa, et al. // J. Catal. 1983. — Vol. 83. — P. 61−65.
  11. Friesen C., Seel S. C., Thompson С. V. Reversible stress changes at all stages of Volmer Weber film growth // J. Appl. Phys. — 2004. — Vol. 95. — № 3. — P. 10 111 020.
  12. Heteroepitaxial growth of InAs on Si: The new type of quantum dots / G.E. Girlin, N.K. Polyakov, V.N. Petrov et al. // Mater. Phys. Mech. 2000. — Vol.1. -P. 15−19.
  13. Van der Merwe J.H., Frank F.C. Misfitting monolayers // Proc. Phys. Soc. -1949.-Vol. 62A.-№ 5.-P. 315−316.
  14. Frank F.C., van der Merwe J.H. One dimensional dislocations. Static theory // Proc.Roy. Soc. — 1949. — Vol. 198A. -№ 1053. — P. 205−216.
  15. Ван дер Мерве Дж. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложкой // Монокристаллические пленки. М.:Мир, 1966. — С. 172−201.
  16. Stranski I.N., Kr’stanov L. Theory of orientation separation of ionic crystals // Sitzber. Akad. Wiss. Wien. Math. Naturw. 1938. — Vol. 146. — P. 797−810.
  17. Kinetic pathway in Stranski-Krastanow growth of Ge on Si (001) / Y.W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentrruber, M.G. Lagally et al. // Phys. Rev. Lett. -1990.-Vol. 65,-№ 8.-P. 1020−1023.
  18. Stranski-Krastanow growth of InSb, GaGb and AlSb on GaAs: structure of the wetting layers / B.R. Bennet, B.V. Shanabrook, P.M. Thibado et al. // J. Cryst. Grow. 1997. — Vol. 175. — P. 888−893.
  19. Electronic surface structure of и-ML Ag/Cu (lll) and Cs/w-ML Ag/Cu (lll) as investigated by 2PPE and STS / M. Wessendorf, C. Wiemann, M. Bauer et al. // Apple. Phys. 2004. — Vol. 78A. — P. 183−188.
  20. Finch G.I., Quarrell A.G. Crystal structure and orientation in zinc-oxide films //Proc. Phys. Soc. 1934. — Vol. 46. — P. 148−162.
  21. The growth mode of Cu overlayers on Pd (100) / H. Asonen, C. Barnes, A. Salocatve et al. // Surf. Sci. 1985. — Vol. 22/23. — P. 556−564.
  22. Epitaxial growth of metastable Pd (001) on bcc-Fe (OOl) / B. Roos, A. Frank, S.J. Demokritov et al. // J. Magn. and Magn. Mater. -1999. -Vol. 198/199. -P. 725−727.
  23. Large strains in the epitaxy of Cu on Pt (001) / Y.S. Li, J. Quinn, H Li et al. // Phys. Rev. 1991. -V. 44B. -№ 15. — P. 8261−8266.
  24. Atomistics of the epitaxial growth of Cu on W (110) / K. Reshoft, C. Jensen, U. Kohler et al. // Surf. Sci. 1999. — Vol. 421. — P. 320−336.
  25. Growth of hep Cu on W (100) / H. Wormeester, M.E. ICiene, E. Hiiger et al. // Surf. Sci.- 1997.-Vol. 377/379.-P. 988−991.
  26. Gidley D. W. Position Tunneling and Emission from Pseudomorphically Growth Ni Films on Cu Substrates // Phys. Rev. Letters. 1989. — Vol. 62. -P. 811−814.
  27. Epitaxial growth of gamma-Fe on Ni (OOl) / S.H. Lu, Z.Q. Wang, D. Tian et al. // Surf. Sci. 1989. — Vol. 221. — P. 35−38.
  28. Non-coherent growth patches in pseudomorphic films: Unusual strain relief in electrodeposited Co on Cu (OOl) / W. Schindler, Th. Koop, A. Kazimirov et al. // Surf. Sci. Lett. 2000. — Vol. 465. — P. 783−788.
  29. De la Figuera J. Scanning-tunneling-microcopy study of the growth of cobalt on Cu (l 11) // Phys. Rev. 1993. — Vol. 47B. — P. 13 043−13 046.
  30. Surface structures from LEED: metal surfaces and metastable phasesin. The Structure of Surfaces // ed. by J.F. van der Veen and M.A. Van Hove. -Springer. 1987.-90 p.
  31. Epitaxial growth of ultrathin Fe films on Ni (001): a structural study / P. Luches, G.C. Gazzadi, A. Bona et al. // Surf. Sci. 1999. — Vol. 419. — P. 207−215.
  32. Lee K.H., Hong S.I. Interfasial and twin boundary structures of nanostructured Cu-Ag filamentary composites // J. Mater. Res. 2003. — Vol. 18. -№ 9.- P. 2194−2202.
  33. Competition between strain and interface energy during epitaxial grain growth in Ag films on Ni (001) / J.A. Floro, C.V. Thompson, R Carel, et al. // J. Mater. Res. 1996. — V. 9. — № 9. — P. 2411−2417.
  34. Структура межкристаллитных и межфазных границ / В. М. Косевич, В. М Иевлев, JI.C. Палатник и др. М.: Металлургия, 1980. — 256 с.
  35. Jacobs М.Н., Pashley D.W., Stowell M.J. The formation of imperfections in epitaxial gold films//Phil. Mag.- 1966.-Vol. 13. -№ 121. -P. 129−156.
  36. Ю.А., Хазан JI.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев.: Наукова думка, 1983.-304 с.
  37. Fitzgerald Е.А. Dislocations in strained layer epitaxy: theory, experiment, and applications // Mater. Sci. Rep. 1991. — Vol. 7. -№ 1. -P.87−142.
  38. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. -М.: Металлургия, 1985. 160 с.
  39. Van der Merwe J.H. Misfit dislocation generation in epitaxial layers // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 1991. — Vol. 17. — № 3. — P. 187−209.
  40. Van der Merwe J.H. Strain relaxation in epitaxial overlayers // J. Electron. Maters. 1991. — Vol. 20. — № 10. — P. 793−803.
  41. Freund L.B. Dislocation mechanisms of relaxation in strained epitaxial films //MRS Bulletin. 1992. — Vol.17. -№ 7. — P. 52−60.
  42. Jain S.C., Harlcer A.H., Cowley R.A. Misfit strain and misfit dislocations in lattice mismatched epitaxial layers and other systems // Philos. Mag. 1997. -Vol. 75A.-№ 6.-P. 1461−1515.
  43. Strain relief in metal heteroepitaxy on face-centered-cubic (100): Cu/Ni (100) / B. Muller, L. Nedelmann, B. Fischer et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1996. — Vol. 14. — P. 1878−1881.
  44. Strain Relief in Cu-Pd Heteroepitaxy / Lu Yafeng, M. Przybylski, E. Granato et al. // Phys. Rev. Letters. 2005. — Vol.94. — P. 146 105−1 — 146 105−4.
  45. Visualization of Dislocation Dynamics in Colloidal Crystals / P. Schall, I. Cohen, D. A. Weitz et al. // Science. 2004. — Vol. 305. — P. 1944−1948.
  46. Моделирование структурных и субструктурных превращений при кристаллизации аморфной пленки Ni на подложке Pd (001) / А. А. Дмитриев, А. В. Евтеев, Д. Г. Жиляков и др. // Вестник ВГТУ. Серия материаловедение. Воронеж: ВГТУ, 2002. -Вып.1.12. — С. 74−76.
  47. А.А., Евтеев.А.В., Косилов А. Т. Эволюция системы монослой Ni/Pd (001) по результатам молекулярно-динамического моделирования // Тезисы докладов Международной школы-семинара «Нелинейные процессы в дизайне материалов». -Воронеж, 2002. С. 181−183.
  48. Моделирование кристаллизации тонкой пленки Cu/Pd (001) / И. Ю. Смуров, А. А. Дмитриев, А. В. Евтеев и др. // Тезисы докладов X Национальной конференции по росту кристаллов. Москва, 2002. — С. 398.
  49. Fitzgerald Е.А. Dislocations in strained layer epitaxy: theory, experiment, and applications // Mater. Sci. Rep. 1991. — Vol.7. — № 1. — P. 87−142.
  50. JI.C., Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия, 1964. — 408 с.
  51. Barbier Н., Renaud G., Robach О. Growth annealing and oxidation of the Ni/Mg0(001) interface studied by grazing incidence X-ray scattering // J. Appl. Phys. 1998. — Vol.84. — №.8. — P. 4259−4267.
  52. Static Magnetic Hyper fine Fields in Magnetically Polarized Pd / H.H. Bertschat, H.H. Blaschen, A.T. Cranzer et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. — Vol. 80. -№ 12. -P. 2721−2724.
  53. Tochihara H., Mizuno S. Composite surface structures formed by restructuring type adsorption of alkali — metals on fee metals // Progress in Surface Science. — 1998. -Vol.58. -№ 1.- P. 1−74.
  54. Markov I. Theory and experiments in epitaxial-growth // Mat. Chem. Pys. -1983. -Vol.9.-№ 1. -P. 93−116.
  55. Structural analyses of Fe/Ni (001) films by photoelectron diffraction / G.C. Gazzadi, P. Luches, A. Bona et al. // Phys. Rev. 2000. — Vol.6 IB. — № 3. -P. 2246−2253.
  56. Morphology and magnetism of ultrathin Fe films on Pd (001) / X.F. Jin, J.
  57. Growth of metastable fee Co on Ni (001) / S.A. Chambers, S.B. Anderson, H.W. Chen et al. // Phys. Rev. 1987. — Vol.35B. — P. 2592−2597.
  58. Epitaxial growth of a metastable modification of copper with body-centred-cubic structure / Z.Q. Wang, S.H. Lu, Y.S. Li et al. // Phys. Rev. 1987. -Vol.35B. — P. 9322−9325.
  59. Silver electrodeposition on Au (OOl) structural aspects and mechanism / S.G. Garcia, D. Salinas, C. Mayer et al, // Surf. Sci. — 1994. — Vol.316. — № 1. — P. 143−156.
  60. Adli A. Saleh, V. Shutthanandan, R.S. Smith Growth of thin Ti films on Al (llO) surface // J. Vac. Technol. 1993. — Vol.11 A. — № 4. — P. 1982−1987.
  61. B.M., Трусов Л. И., Иевлев В. П. Фазовый размерный эффект в эпитаксиальных пленках никеля // Изв. АН СССР. Серия физическая. -1984. Т.48. № 9. — С. 1725−1728.
  62. Luedtke W.D., Landman U. Metal-on-metal thin-film growth-Au/Ni (001) and Ni/Au (001) // Phys. Rev. 1991. — Vol.44B. -№ 11. — P. 5970−5972.
  63. Дж. У. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1970. — С. 167−227.
  64. В.М., Трусов Л. И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1982. — 248 с.
  65. Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. — 600 с.
  66. Компьютерное моделирование эпитаксиальной гетероструктуры Pd/Ni/Pd (001) / Д. Г. Жиляков, А. В. Евтеев, В. М. Иевлев и др. // Тезисы докладов III Международной научной конференции. Иваново, 2004. -С. 191.
  67. Молекулярно-динамическое моделирование атомной структуры монослоя Ni на подложке Pd (111) / Д. Г. Жиляков, А. В. Евтеев, В. М. Иевлев и др. // Тезисы докладов III Международной научной конференции. Иваново, 2004.-С. 192.
  68. Структурная релаксация при ориентированной кристаллизации в пленочной гетеросистеме Cu/Ni (001) / Д. Г. Жиляков, А. В. Евтеев, А. Т. Косилов и др. // The XXI International conference on relaxation phenomena in solids. Voronezh, Russia, 2004. — P. 273.
  69. К. Физика жидкого состояния. М.: Мир, 1978. — 400 с.
  70. А.Н., Сергеев В. М. Метод молекулярной динамики в статической физике // УФН. 1978. — Т. 125. — № 3. — С. 409−448.
  71. В.А., Ухов В. Ф., Дзугутов М. М. Компьютерное моделирование динамики и структуры жидких металлов. М.: Наука, 1981. — 323с.
  72. В.А., Ватолин Н. А. Моделирование аморфных металлов. М.: Наука, 1985.-288с.
  73. Д.К. Структура жидких и аморфных металлов. М.: Металлургия, 1985. — 192с.
  74. Verlet L. Computer Experiments on Classical Fluids. I. Thermodynamic Properties of Lennard-Jones Molecules // Phys. Rev. 1967. — Vol.159. — P. 98 103.
  75. A.B., Косилов A.T., Миленин A.B. Компьютерное моделирование кристаллизации аморфного железа в изохронных условиях // Письма в ЖЭТФ. 2000. — Вып.71. — № 5. — С. 294−297.
  76. М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. М.: ИЛ, 1958.-488 с.
  77. Dynamics of Radiation Damage / J.B. Gibson, A.N. Goland, M. Milgram et al. // Phys. Rev. 1960. — Vol.120. — № 4. — P. 1229−1253.
  78. Beeman D. Some Multistep Methods for use in Molecular Dynamics Calculations // J. Comput. Phys. 1976. — Vol.20. — P. 130−139.
  79. Rahman A. Correlations in the Motion of Atoms in Liquid Argon // Phys. Rev. A: Gen. Phys. 1964. — Vol.136. — P. 405−411.
  80. Д. Методы нелинейной оптимизации. М.: Мир, 1975. -432с.
  81. Daw M.S., Baskes M.I. Embedded-Atom Method: Derivation and Application to Impurities, Surfaces, and other Defects in Metals // Phys. Rev. -1984. Vol.29B. -№ 12. — P. 6443−6453.
  82. Foiles S.M. Application of method embedded-atom to liquid transition of metals // Phys. Rev. 1985. — Vol.32B. — № 6. — P. 3409−3415.
  83. А.А., Евтеев A.B., Косилов A.T. Применение метода погруженного атома для моделирования кристаллизации и плавления тонкой пленки меди // Поверхность. Рентгеновские, нейтронные и синхротронные исследования. 2003. — № 5. — С. 74−78.
  84. Clementi Е., Roetti С. Roothan-Hartree-Fock Atomic Wave Functions // At. Data Nucl. Data Tables. 1974. — Vol.14. -№ 3−4. — P. 177−324.
  85. Foiles S.M. Calculation of the Surface Segregation of Ni-Cu Alloys with the Use of the Embedded-Atom Method // Phys. Rev. 1985. — Vol.32B. — № 12. -P. 7685−7693.
  86. Brostow W., Dussault J.P., Bennett L.F. Construction of Voronoi Polyhedra // J. Сотр. Phys. 1978. — Vol.29. — № 1. — P. 81−92.
  87. Finney J.L. A Procedure for the Construction of Voronoi Polyhedra // J. Сотр. Phys. 1979. — Vol.32. — № 1. — P. 137−143.
  88. Fisher W., Koch E. Limiting Forms and Comprehensive Complexes for Cry stall ographic Point Groups, Rod Groups and Layer Groups // Ztschr. Kristallogr. 1979. — Bd. 150.-№ 1. — S. 248−253.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!