Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Экспериментальное исследование тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната

Диссертация: Экспериментальное исследование тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Численный расчет теплообмена на ЭВМ выполнен в ходе совместной работы /124,125/ Института кристаллографии АН СССР и Всесоюзного научно-исследовательского проектно-конструкторского и технологического института электротермического оборудования Министерства электротехнической промышленности СССР (г.Москва). На основе экспериментальных данных автора и совместного обсуждения физической модели расчеты… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. ТЕПЛОВЫЕ УСЛОШЯ КРИСТАЛЖЗАЩИ РАСПЛАВА ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ТУГОПЛАВКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Роль тепловых условий
      • 1. 1. 1. Особенности теплообмена
      • 1. 1. 2. Влияние тепловых условий роста на некоторые параметры монокристаллов
    • 1. 2. Исследование тепловых условий
      • 1. 2. 1. Экспериментальные методы
      • 1. 2. 2. Теоретические методы
    • 1. 3. Физико-химические свойства и условия процесса выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната
  • Глава 2. ПОСТАНОВКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Разработка метода исследования
      • 2. 1. 1. Требования к методу
      • 2. 1. 2. Описание метода
    • 2. 2. Создание экспериментальной системы
      • 2. 2. 1. Структура системы
      • 2. 2. 2. Схема стабилизации температуры
      • 2. 2. 3. Термопара
      • 2. 2. 4. Устройство для измерения положения фронта кристаллизации и уровня расплава
      • 2. 2. 5. Регистрация сигналов
    • 2. 3. Разработка методики исследования
      • 2. 3. 1. Способы проведения измерений
      • 2. 3. 2. Оценка погрешностей
  • Глава 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ШЖШМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕПЛОВЫХ УСЛОВИЙ КРИСТАЛЖЗАЩИ РАСПЛАВА ИТТШЙ-АЛКШ-НИЕВОГО ГРАНАТА
    • 3. 1. Температурное поле в расплаве
    • 3. 2. Изменение тепловых условий в процессе выращивания
      • 3. 2. 1. Осевое распределение температуры на разных стадиях выращивания
      • 3. 2. 2. Плавление исходного вещества и рост монокристалла
      • 3. 2. 3. Изменение положения фронта кристаллизцции
    • 3. 3. Некоторые свойства расплава ЙАГ
    • 3. 4. Движение фронта кристаллизации при ступенчатом изменении скорости перемещения контейнера П
  • Глава 4. ЗАКОНОМЕРНОМ КШСТАЛЖЗАЩИ РАСПЛАВА В ПРОЦЕССЕ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ИТТШЙ-АЛЮШНИЕВОГО ГРАНАТА ВЕРТИКАЛЬНЫМ МЕТОДОМ БРИДШЕНА
    • 4. 1. Численное моделирование тепловых условий
    • 4. 2. Обсуждение экспериментальных данных
      • 4. 2. 1. Изменение характера осевого распределения температуры
      • 4. 2. 2. Изменение положения фронта кристаллизации
      • 4. 2. 3. Связь наблюдаемого конвективного движения расплава с характером осевого распределения температуры
      • 4. 2. 4. Особенности движения фронта кристаллизации при ступенчатом изменении скорости перемещения контейнера
    • 4. 3. Рекомендации по практическое применению подученных результатов
  • Выводы

Экспериментальное исследование тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Современный этап развития электроники и оптики характеризуется значительной потребностью в тугоплавких монокристаллах высокого качества. Важным требованием, предъявляемым к кристаллам, является их однородность* Опыт показывает, что для получения качественных однородных монокристаллов необходимо обеспечить стабильность процесса их выращивания. Этим определяется большой интерес к исследованию способов их получения. При высоких температурах (порядка 2000 К) особенно важно поддержание соответствующих тепловых условий кристаллизации.

Качество кристалла существенным образом зависит от тепловых условий в области расплава, непосредственно прилегающей к фазовой границе. В свою очередь, реальные условия вблизи фронта роста определяются температурным полем в системе «кристалл-расплав», а также кинетическими процессами, зависящими от реальной скорости кристаллизации. Управление реальными условиями производится при помощи внешних параметров выращивания — мощност^агрева, скорости опускания контейнера, давления окружающей газовой среды, а также выбором конструкции источника нагрева. Для усовершенствования технологии получения монокристаллов необходимо знание закономерностей кристаллизации расплава и связи тепловых условий роста с параметрами монокристалла.

За последнее время наблюдается повышение интереса к вертикальной направленной кристаллизации (вертикальному методу Бридж-мена) как способу выращивания монокристаллов с заданными свойствами, в том числе и технически ценных тугоплавких оксидов. Однако^ отсутствовало полное представление о тепловых условиях роста кристалла. В теоретических работах часто решались чисто тепловые задачи о положении изотермы плавления вещества в заданных внешних условиях без рассмотрения кристаллографических аспектов, причем вводилось большое количество упрощающих допущений. Экспериментальные исследования затруднены вследствие высокой температуры плавления веществ и труднодоступности фронта кристаллизации. Из-за отсутствия надежных экспериментальных методик не было данных о связи реальных и задаваемых (внешних) параметров.

Материалом настоящего исследования является иттрий-алюдание-вый гранат (ИАГ) — технически важный тугоплавкий оксид. Он широко используется в качестве лазерной матрицы, в оптических схемах,.

• как подложка для напыления тонких пленок, а также в ювелирных целях. ИАГ обладает высокой теплопроводностью и позволяет вводить различные легирующие примеси. Из реальных условий выращивания ИАГ вертикальным методом Бриджмена известен лишь градиент температур ры по оси подставки контейнера непосредственно под кристаллом, а также морфология фронта роста. Экспериментальные данные по распределению температуры в расплаве отсутствовали. Отсюда вытекаем необходимость и актуальность предпринятого нами исследования.

Цель работы — экспериментально исследовать тепловые закономерности кристаллизации расплава в процессе выращивания тугоплавких монокристаллов вертикальным методом Бриджмена на примере иттрий-алюминиевого граната.

Для этого необходимо было разработать метод исследования, создать экспериментальную систему и получить экспериментальные данные о тепловых условиях кристаллизации расплава и его свой-. ствах.

Следует заметить, что решение поставленной задачи еще не дает полной информации об условиях получения совершенного монокристалла ИАГ, поскольку известно, что качество тугоплавких кристаллов зависит не только от тепловых условий роста, но и от химического состояния расплава. Изучение влияния последнего на качество кристалла является отдельной проблемой, для решений которой необходимо знание тепловых закономерностей высокотемпературной кристаллизации.

Работа состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы.

Первая глава посвящена обзору литературных данных по тепловым условиям кристаллизации расплава при выращивании тугоплавких монокристаллов.

В главе 2 изложен разработанный диссертантом комплексный метод исследования тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов методом Бриджмена. Метод исследования основан на контролировании положения фронта кристаллизации,. уровня расплава и температурного поля в расплаве" Для реализации метода исследования создана экспериментальная система на базе технологической ростовой установки типа «Гранат». Основные элементы системы: устройство для измерения положения фронта кристаллизации и уровня расплава* схема измерения температуры, регистрирующие устройства, схема стабилизации температуры нагревателя, герметичная водоохлаждающая печь. Описаны экспериментальные методики изучения тепловых условий роста и оценки некоторых физических свойств расплава ИАГ: измерения положения фронта кристаллизации и уровня расплава, измерения температурного поля в расплаве, оценки коэффициента теплового расширения, плотности и ее относительного изменения при кристаллизации расплавов тугоплавких оксидов.

Третья глава содержит описание полученных экспериментальных данных о положении фронта кристаллизации и распределении температуры в расплаве в процессе выращивания монокристаллов иттрийалюминиевого граната, а также величины некоторых физических свойств расплава ИАГ.

Глава 4 посвящена обсуждению экспериментальных данных. На основе численного моделирования и интерпретации результатов, порченных для иттрий-алюминиевого граната, установлены закономерности кристаллизации расплава, которые справедливы для некоторого класса веществ с близкими физико-химическими свойствами.

В выводах сформулированы основные результаты работы.

Научная новизна.

1. Разработан комплексный метод экспериментального исследования тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания тугоплавких монокристаллов методом Бриджмена.

2. Экспериментально установлены закономерности изменения тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов. Обнаружена связь наблюдаемого конвективного движения расплава с изменением характера осевого распределения температуры.

3. Выявлены особенности движения фронта кристаллизации при ступенчатом изменении скорости перемещения контейнера.

Практическая ценность работы.

1. Установленные закономерности кристаллизации расплава могут быть использованы при совершенствовании существующей и разработке новой технологии получения тугоплавких монокристаллов вертикальным методом Бриджмена. Рекомендации применены в Институте кристаллографии АН СССР при разработке технологии выращивания крупных однородных монокристаллов лейкосапфира.

2. Результаты методических разработок использованы при создании автоматизированной аппаратуры в СКБ Института кристаллографии АН СССР, в частности, универсальной автоматизированной ростовой установки «ИКАН-1» .

3, Оценены некоторые физические свойства расплава иттрш4-алюминиевого граната — технически ценного лазерного материала (коэффициент теплового расширения, плотность и ее относительное изменение при кристаллизации).

4. Сопоставление полученных экспериментальных данных с результатами моделирования на ЭВМ позволили создать методику оценки тепловых условий кристаллизации расплава при выращивании тугоплавких монокристаллов вертикальным методом Бриджмена (совместная работа с БНИИЭТО Министерства электротехнической промышленности СССР).

Настоящая диссертация основана на результатах экспериментальных исследований тепловых закономерностей кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната вертикальным методом Брцпдмена. Работа выполнена в лаборатории высокотемпературной кристаллизации Института кристаллографии АН СССР.

Пункты 1−5 выводов являются защищаемыми положениями.

ВЫВОДЫ.

1. Разработан метод исследования тепловых условий кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристаллов методом Бриджмена, основанный на контролировании положения фронта кристаллизации, уровня расплава и температурного поля в расплаве.

2. На базе технологической ростовой установки создана экспериментальная система для исследования кристаллизации расплава в процессе выращивания тугоплавких монокристаллов вертикальным методом Бриджмена.

3. Разработана экспериментальная методика оценки коэффициента теплового расширения, плотности и ее относительного изменения при кристаллизации расплавов тугоплавких оксидов. Определены соответствующие величины для расплава иттрий-алюминиевого граната.

4. Получены экспериментальные данные о положении фронта кристаллизации и осевом распределении температуры в расплаве в процессе выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната.

5. Установлены закономерности кристаллизации расплава в процессе выращивания монокристалла ИАГ: а) изменение характера осевого распределения температурыб) изменение положения фронта кристаллизациив) связь наблюдаемого конвективного движения расплава с характером осевого распределения температуры.

6. Выявлены особенности движения фронта кристаллизации при ступенчатом изменении скорости перемещения контейнера.

Автор считает своим долгом выразить благодарность профессору Багдасарову Х. С. за постановку задачи исследования, ст.н.сотруднику Приходько Л. В. за непосредственное руководство и участие в проведении высокотемпературных экспериментальных исследований.

Численный расчет теплообмена на ЭВМ выполнен в ходе совместной работы /124,125/ Института кристаллографии АН СССР и Всесоюзного научно-исследовательского проектно-конструкторского и технологического института электротермического оборудования Министерства электротехнической промышленности СССР (г.Москва). На основе экспериментальных данных автора и совместного обсуждения физической модели расчеты на машине БЭСМ-6 выполнил ст. научный сотрудник ВНИИЭТО Ю. К. Лингарт, за что автор выражает ему свою признательность.

При обсуждении работы много ценных замечаний сделали ст. научный сотрудник Александровский A.JI., доцент Горяинов JI.A., к.ф.-м.н. Кривандина Е. А., к.ф.-м.н. Мельникова A.M.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Современная кристаллография, том 3. Образование кристаллов/ А. А. Чернов, Е. И. Гиваргизов, Х. С. Багдасаров, В. А. Кузнецов, Л. Н. Демьянец, А. Н. Лобачев. — М.: Наука, 1980. — 407с5 йд.
  2. Х.С. Проблемы синтеза крупных тугоплавких оптических монокристаллов. В сб.: Рост кристаллов. Ереван, 1977, т. 12, с. 179−195.
  3. Х.С. Проблемы выращивания крупных тугоплавких монокристаллов. В сб.: 5-ое Всесоюзное совещание по росту кристаллов, Тбилиси, 16−19 сентября 1977: тезисы докладов, том 2, с.9−10.
  4. Х.С. Техника высокотемпературной кристаллизации и совершенство кристаллов~В сб.: 4-ая Международная школа специалистов по росту кристаллов, СССР, Суздаль, сентябрь 1980: конспект лекций, часть I, с.234−250.
  5. С. Проблемы, возникающие при выращивании кристаллов при высоких температурах. В сб.: Выращивание монокристаллов. Под ред. Ж. П. Сюше, — М.: Металлургия, 1970. — 174 с.
  6. Brice J"C. Crystal Growth from Liquids at High Temperatures, — Progress in Crystal Growth and Characterization, 1978, v.1, N3, p. 255−288.
  7. Cockayne B. The Melt Growth of Oxide and Related Single Crystals. Journal of Crytal Growth, 1977, v.42, p. 413−426.
  8. Рубин и Сапфир/Под общ.ред.Л. М. Беляева, — М.: Наука, 1974. 236 е., йл.
  9. Reed T.V. Heat Flow in High Temperature Crystal Growth.- The Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1967, v.28, supply N1, p.39−43.
  10. Cockayne В., Chesswas M., Gasson D.B. Faceting and Optical Perfection ni Czochralski Grown Garnets and Ruby. Journal of Materials Science, 1969, v.4, p.450−456.
  11. X.C., Дьяченко В. В., Кеворков A.M., Холов А. Бестигельная крж сталлизация с лазерным нагревом. В кн.: Рост кристаллов/Под ред. Е. И. Гиваргизова. — М.: Наука, 1980, т.13. -328 е., ил.
  12. Лубе Э? Л. Современные методы контроля и управления процессами кристаллизация. В кн.: Рост кристаллов. Под ред. Е. И. Гиваргизова.- М.: Наука, 1980, т.13 — 328 е., ил.
  13. .Н., Карпов И. И., Багдасаров Х. С., Зверев Г. М., Оптические свойства и применение в лазерах кристаллов иттрий-алюминиевого граната: Обзоры по электронной технике, J& 3 (418), 4(423). -М.: ЦНИИ «Электроника», 1976. 119 с, ил.
  14. Л.В. Экспериментальное исследование инфракрасного поглощения в плавленном кварце, лейкосапфире и иттрий-алюминиевом гранате при высоких температурах, Автореферат дисс. • ¦ канд.физ.-мат: .наук. — М., 1971, — Я18с.
  15. Л.В., Багдасаров. Х. С. Инфракрасное поглощение в корунде при высоких температурах. Физика твердого тела, 1970, т.12, № 9, с.2549−2553.
  16. Л.В., Багдасаров Х. С. Инфракрасное поглощение в кристаллах иттрий-алюминиевого граната ц>и высоких температурах. Кристаллография, 1971, т.16, № 4, с.826−827.
  17. Л.А. О температурных полях в оптических монокристаллах при высоких температурах. Кристаллография, 1969, т.14, № 2, с.347−348.
  18. Е.М., Антонов П. И., Бахолдин С. И., Галактионов Е. В., Юферев B.C. Оценка температурных полей и термическихнапряжений для полупрозрачных профилированных изделий. Известия АН СССР, серия? изическая, 1976, т.40, № 7, с.1426−1430.
  19. Carruthers J.R. Plow Transitions and Interface Shapes rtt the C2ochralski Growth of Oxide Crystals. Journal of Crystal Growth, >(976, v.36, N2, p.212−214.
  20. Miller D.C. and Pernell T.L. The Temperature Distribution in a Simulated Garnet Czochralski Melt. Journal of Crystal Growth, 1981, v.53, N3, p.523−529.
  21. С.И., Охотин А. С. Движение расплава, вызванное скачком плотности на фронте кристаллизации. Москва, 1977. — 14с. /Препринт/ Институт космических исследований АН СССР- Пр — 319.
  22. А.Н., Исаенко В. А., Кисиль И. И., Бланк А. Б., Прохоров Л. А., Пыльнева Н. А. Управляемая кристаллизация в трубчатом контейнере. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1978, — 254 сМ.
  23. П.К. и др. Тепло- и масоообмен при получении монокристаллов.- М.: Металлургия, 1971, 238с, Ил.
  24. А. Развитие методов выращивания тугоплавких монокристаллов с использованием лазерного нагрева. Автореферат дисо.канд. хим.наук. — М., 1980. — 12с.
  25. Максимова Г, В., Осикс В. В., Соболь a.A., Тимошечкин М. И. Количественный анализ расплавов y^ai5o12 ш3+, используемых для выращивания монокристаллов. — Известия АН СССР, серия Неорганические материалы, 1973, т.9, № 10, с.1763−1765.
  26. Л.А., Хаимов-Мальков В.Я. Испарение расплава иттрий-алюминиевого граната, — кристаллография, 1980, т.25, Jfe 4, с.886−888.
  27. В.В. Скорость роста кристалла, рассеивающего скрытую теплоту кристаллизации изучением. Известия высших учебных заведений, серия физическая, 1966, # I, с.60−62.
  28. .К. Кристаллография сегодня. Кристаллография, 1982, т.27, № 6, с.1045−1055.
  29. Fu T.-W. and Wilcox W.R. Influence of Insulation on Stability of Interface Shape and Position in the Vertical
  30. Bridgman Stockbarger Techniq?. — Journal of Crystal Growth, 1980, v.48- N3, p.416−424.
  31. X.C., Горяинов Л. А. Об аналитическом исследовании процессов теплопереноса в установке для получения монокристаллов по методу вертикальной направленной кристаллизации. -Физика и химия обработки материалов, 1978, № I, с.73−78.
  32. Л.А. Математические модели теплопереноса в процессах получения тугоплавких монокристаллов. Инженерно-физический журнал, 1981, т.40, № 2, с.359−363.
  33. Chang С.Е., Wilcox W.R. Control of Interface Shape in the Vertical Bridgman-Stockbarger Technique. -Journal of Crystal Growth, 1974, v.21, N1, p.135−140.
  34. X.C., Горяинов Л. А. Решение задачи теплопроводности дои прозрачного кристалла с учетом лучистого теплообмена между его внутренними стенками. Физика и химия обработки материалов, 1976, 16 I, с.31−35.
  35. Л.А. (Ъпереносе теплоты в полупрозрачном кристалле, получаемом по методу вертикальной направленной кристаллизации. Минск, 1979.- 17с. Ред.кол."Инженерно-физический журнал".
  36. АН БССР, да в ВИНИТИ 21 сент.1979, № 3361−79 ДЕЛ.
  37. А.С. Приближенный метод расчета температурного профиля в полупрозрачном плавящемся материале. Инженерно-физический журнал, 1976, т.30, J6 3, с.528−531.
  38. И.С. Затвердевание полупрозрачной цилиндрической среды при совместном действии теплопроводности и излучения. -Теплопередача, 1973, «2, с. 39. М.: Мир.
  39. Zalewski Е., Zmija J. Distribution of Temperature in Semi-transparent Single Crystals during the Process of the Czochralski Pulling.
  40. Thermal Emission of Semi-transparent Media,
  41. Analysis?>f Thermal Fields. Acta Physica PoIonica, 1977, V. A51, N6, p.807−826.
  42. Kvapil J., Kubelka J., Vadura R. Temperature Distribution in Growing Semi-transparent Crystals. (1) Theory. Kristall und Technik, 1978, v.13, K11, p. 1357−1367.
  43. Kvapil J., Kubelka J., Klapil J., Perner B. Temperature Distribution in Growing Semi-transparent Crystals.(1) Comparison of Theory with Experiment. Kristall und Technik, 1978, v.13, 111, p.1369−1375.
  44. M., Висканта P. Влияние теплообмена излучением на процессы плавления и затвердевания полупрозрачных кристаллов. Теплопередача, 1974, № 2, с.75−82. — М.: Мир.
  45. О’Нага S., Tarshis L.A., Viscanta R. Stability of the Solid-liquid Interface of Semi-transparent Materials. Journal of Crystal Growth, 1968, v.3,4, p.583−593.
  46. .Л., Фесенко B.M., Ремез Н. З. Влияние различия свойств расплава и кристалла на положение фронта кристаллизации при выращивании методом Стокбаргера. Монокристаллы и техникаt
  47. Харьков, 1976, № 13, с.1−6.
  48. H.A. Наличие переохлажденной зоны в тепловой модели процесса направленной кристаллизации слитка. Физика и химия обработки материалов, 1972, J6 4, с.22−29.
  49. Riquet J.P. et Durand P. Etude Thermique de la Vitesse de L’interface Solide-liquide au Cours D’une Solidification
  50. Bridgman. Journal of Crystall Growth, 1976, v.33, N2, p.303−310.
  51. B.H., Хейфец B.C., Явления, возникающие при остановке роста кристаллов. Кристаллография, 1973, т.18, № 5, с.1057−1062.
  52. В.В. Переохлаждение на грани, возникающей на округлом фронте кристаллизации, — Кристаллография, 1972, т.17,№ 5, с.909−917.
  53. Jones C.L., Capper P., Cosney J.J. Thermal Modelling of Bridgman Crystal Growth, 1982, v.56, N3, p 581−590.
  54. H.A., Смирнов В. А. Численный анализ процессов тепло- и массопереноса при выращивании объемных монокристалловиз расплавов. В сб.: 5-ое Всесоюзное совещание по росту кристаллов, Тбилиси, 16−19 сентября 1977, тезисы докладов, том 2, с.5−6.
  55. Х.С., Горяинов Л. А. Физические и математические модели процессов теплопереноса в установках для получения монокристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации. Физика и химия обработки материалов, 1981, № 5, с.22−27.
  56. Ю.К. Разработка методики и экспериментальные исследования формирования температурных полей в процессе выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина. Автореферат дисс. канд. тех. наук. — M., 1978, — 19 с.
  57. Bodyachevsky S.V., Lingart Yu.K., Khazanov E.E. Temperature Fields during Sapphire Crystal Growth. Journal of Crystal Growth, 1981, v.52(1), p.417−421.
  58. C.B., Лингарт Ю. К., Тихонова H.A., Клиновиц-кий В.H., Хазанов Э. Е. Расчет температурных полей пластинчатых монокристаллов лейкосапфира. В сб.: Исследования в области промышленного алектронагрева. Труды ВНИИЭТО, 1979, вып.10, с.90−102.
  59. Ю.К., Петров В. А. Измерение температуры поверхности некоторых полупрозрачных материалов. Теплофизика высоких температур, 1980, т.18, te IaI74-I80.
  60. A.A., Сергеев O.A. Теплофизические свойства твердых тел при высоких температурах, т.1. М.: Изд-во Комитета стандартов мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР, 1969.
  61. М.А., Ми тин Б. С. Жидкие тугоплавкие окислы. М.: Металлургия, 1979, 288с. ил.
  62. Л.П. Измерение тепловых свойств твердых и жидких металлов при высоких температурах. М.: Изд-во Московского университета, 1967, 325с, ил.
  63. В.Р. Успехи в области выращивания кристаллов окислов. В кн.: Рост кристаллов. Под ред. А. А. Чернова.- Ереван: Изд-во Ереванского Государственного университета, 1977, т.12, — 358с., ил.
  64. B.C., Сухарев В. А., Щушков В. М., Федоров В. А. Автоматическое управление процессом роста монокристаллов.- Приборы и системы управления, 1975, № 5, с.7−9.
  65. A.c. 108 648 (СССР). Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава методом вытягивания. В.В.ДобровенскийдОпубл. в Б.И., 1958, № 4.
  66. A.c. 569 320 (СССР). Фотоэлектрический способ определения положения фронта кристаллизации. Э. Л. Лубе, Х. С. Багдасаров. Опубл. в Б.И., 1977, Л 31.
  67. Х.С., Дьяченко В. В., Холов А. Об использовании лазерного нагрева ддя выращивания высокотемпературных монокристаллов. В кн.: 5-ая Международная конференция по росту кристаллов, Москва, 1980- Рясширенные тезисы, т. З, с.6−7.
  68. Morgan Р.Н., Danforth W.E. Thermocouples of the Refractory Metals. Journal of Applied Physics, 1950, v.21, N2, p.112−113.
  69. B.C. О влиянии излучения на показания термопары в полупрозрачных кристаллах, вытягиваемых из расплава. Журнал технической физики, 1981, т.51, a I, 190−192.
  70. М.Г., Юферев B.C. Влияние переноса тепла излучением на процесс выращивания полупрозрачных кристаллов из расплава. Журнал технической физики, т.52, № 7, с. 1280.
  71. Ю.К., Штипельман Я. И. Исследования температурных полей в установках для выращивания монокристаллов лейкосапфира с помощью математического моделирования. Инженерно-физический журнал, 1982, т.43, # 2, с.306−314.
  72. .Л., Фесенко В. М., Колотий О. Д. Определение максимальной скорости роста кристаллов цилиндрической формы и температурных полей при лучистом теплопереносе. Монокристаллы и техника, Харьков, 1975, J6 12, с.9−13.
  73. Nauman R.J. An Analytical Approach to Thermal Modelling of Bridgman-type Crystal Growth. Journal of Crystal Growth, SZ, v.58, ИЗ» p.554−584.
  74. Milsom J.A. and Pamplin B.R. Thermal Oscillations in Melts. Progress in Crystal Growth and Characteri2ation. An International Review Journal, 1981, v.4, N3, p.195−219.
  75. В. Л. Напряжения и дислокации при росте кристаллов. Известия АН СССР, серияязическая, 1973, т37, № II, с.2258−2267.
  76. А.А. Физика кристаллизации. М.: Знание, 1983. -- 64 с. (Новое в жизни, науке ж технике. Серия «Физика», № 5).
  77. Чернов А. А, Слоисто-спиральный рост кристаллов. Успехи физических наук, 1961, т.73, № 2, с.277−331.
  78. А.А. Теория устойчивости гранных форм роста кристаллов. Кристаллография, 1971, т.16, № 4, с.842−863.
  79. Стрикленд-Констэбл Р. Ф. Кинетика и механизм кристаллизации. Л.: Недра, 1971. — ЗЮс^ил.
  80. M. Процессы затвердевания. M.: Мир, 1977. -423с, ил.
  81. . Теория затвердевания. М.: Металлургия, 1968. — 288с., М.
  82. Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М., Наука, 1964, 487с, ИЛ.
  83. Проблемы роста кристаллов. Под ред. Н. Н. Шефталя и Е. И. Гиваргизова. М.: Мир, 1968. — 392 е., ИЛ.
  84. Ю.М., Гришин В. П. Переохлавдение на фронте кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохраль ского. Доклады АН СССР, 1965, т.163,* 4, с.942−944.
  85. C.B., Затуловский Л. М., Копылов В. А., Кравец-кий Д.Я. Определение осевого градиента температуры и переохлаждения на фронте кристаллизации при получении кристаллов сапфира способом Степанова. Кристаллография, 1982, т.27, № 3, с.578−583.
  86. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов М.: Мир, 1974, — 540с, ил.
  87. Таблицы физических величин. Под ред.акад.И. К. Кикоина М: Атомиздат, 1976.- 1008с.
  88. Каминский А, А. Лазерные кристаллы. М.: Наука, 1975. -256с., ИЛ.
  89. Cockayne В. Observation and Control of Deviations in Molar Composition in Single Crystal Growth of Mixed Oxides. -- Journal of the American Ceramic Society, 1966, v.49, N 4, p.204−207.
  90. B.C., Лисицина E.E. Синтетические аналоги и имитации природных драгоценных камней. М.: Недра, 1981. — 158с., пл.
  91. Х.С., Карпов И. И., Гречушников Б. Н. Выращивание кристаллов иттрий-алюминиевого граната: Образцы по электронной технике, серия 10 «Квантовая электроника», Jfe 1(313) М.: ЦНИИ «Электроника», 1976. — 96с., ил.
  92. С.Ф. Искусственные кристаллы граната. М.: Наука, 1982, 96с., ил.
  93. М.И. Кристаллы оптического АИГ, полученные методом ГОИ. В сб.: Физика кристаллизации. — Калининский Государственный университет, 1981.
  94. В.Г., Воинова Н. Н., Багдасаров Х. С., Степан-цов Е.А. Пластичность монокристаллов иттриево-алюминиевого граната. Кристаллография, 1975, т.20, «5, с.974−977.
  95. Gupta Т.К., Valentich J. Thermal Expansion of Yttrium Aluminium Garnet. Journal the American Ceramic Society.
  96. Discussions and Notes, 1971, v. 54, N7, p.355−356.
  97. A.H., Эмирбеков Э. Г., Иванов A.O. Зависимость субструктуры кристаллов алюмо-иттриевого граната от условий их выращивания. В сб,* Физика кристаллизации. Калининский Государственный университет, 1981.
  98. Л.А., Мартынов В. П. Морфология монокристаллов алюмо-иттриевого граната, выращиваемых методом Чохральского. -Монокристаллы и техника, Харьков, 1976, № 14, с.43−48.
  99. Nikoiov-V, Petrov v.- Peshev p.. Определение реальной скорости кристаллизации и ее влияние на качество монокристаллов ИАГ-, выращиваемых методом Бриджмена-Сток-баргера. Известия по химии. Болт. АН, 1980, т.13, Л 4, с.667−674.
  100. Nikolov V., Petrov V.- Peshev P. Determination of the Real Crystalli2ation Rate and its Effect on the Quality of YAGjNd3+ Single Crystals Grown by the Bridgman Stockbarger Method.
  101. В кн.: 6-ая Международная конференция по росту кристаллов, Москва, 1980- Расширенные тезисы, т. З, с.147−148.
  102. Cockayne В. j Lent В. Complexity in Solidification Behaviour of Molten Y^Al^O^. Journal of Crystal Growth, 1979, v.46, N3, p.371−378.
  103. Gaslavsky J.L., Viechniki D.J. Melting Behaiviour and Metastability of Yttrium Aluminium Garnet (YAG) and YAIO^ Determined by Optical Differential Thermal Analysis. -Journal of Materials Science* 1980, v.15, p.1709−1718.
  104. H.A., Бондарь И. А., Галахов Ф. Я. и др. Фазовые равновесия в системе окись иттрия-глинозем. Изв. АН СССР, серия Химическая, 1964, № 7,с.И58-И64.
  105. Л.А., Хаимов-Мальков В.Я. Выращивание кристаллов ИАГ в вакууме с учетом испарения расплава. В кн.: 6-ая Международная конференция по росту кристаллов, Москва, 1980. Расширенные тезисы, т. З, с.30−31.
  106. А.Г. Исследование микронеоднородностей состава и структурных нарушений в тугоплавких кристаллах. Автореф. дис. канд. физ.-мат.наук.-М., 1981, — 16 с.
  107. Ю.К., Бодячевский С. В. Исследование плавления и кристаллизации корунда. Известия Академии Наук СССР, серия Неорганические материалы, 1978, т. 14-, № 3, с. 591−592.
  108. Х.С., Горяинов Л. А. Состояние и задачи исследования процессов тепло- и массопереноса при выращивании монокристаллов из расплава. Инженерно-физический журнал, 1983, т. 2, с. 329−340.
  109. А.Г. Распределение примеси в кристаллах^ выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера, в зависимости от характера газовой среды на стадии плавления вещества. Кристаллография, 1983, т. 28, ft 5, с. I049-I05I.
  110. Х.С., Кеворков A.M., Приходько Л. В. Стабилиза-лия температуры кристаллизационной печи сопротивления. Приборы и еехника эксперимента, 1969, № 2, с. 217−218.
  111. Ю.К., Петров В. А. Экспериментальное исследование гвмпературных полей в монокристаллах лейкосапфира. Теплофизика шсоких температур, 1982, т.20, № 4, с. 725−732.
  112. ИЗ. Lingart Yu.K., Petrov V.A. Measurement of Surface iemperature of Optical Semitransparent Materials. -3 КН.: Temperature Measurements, Prague, 1981, p.105−118.
  113. В.А., Филиппов М. А., Щелкин Ю. Ф. Моделированиетемпературного поля расплава при выращивании монокристаллов методом Чохральского. Физика и химия обработки материалов, 1971, fe 6, с. 24−28.
  114. JX5, Eetrosyan A.G., Shirinyan G.O., Ovanesyan K.L., Avetisyan A.A., Facet Formation in Garnet CrystalS. Kristall und Technik, 1978, v.13, N1, p.43−46.
  115. XI6. Miyasawa Y., Mori Y., Homma S. and Kitamura K. Interface Shape Transitions in Czochralski Grown YAG Grystals. -- Materials Research Billetin, 1978, v. 13, N7, p.675−680.
  116. A.H. Элементарные оценки ошибок измерений. Л.: Наука, 1968,-96 с.
  117. А.Н. и др. Точность контактных методов измерения температуры. М.: Издательство стандартов, 1976,-232 с.
  118. Х.С., Приходько Л. В., Смирнов С. Н. Тепловые эсобенности процесса выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната методом вертикальной направленной кристаллизации. Кристаллография, 1979, т. 24, № 2, с. 359−362.
  119. Л.В., Смирнов С. Н. Особенности термокинетичес*-:их процессов при направленной кристаллизации расплава иттрий-алю-шниевого граната. В кн.: 6-ая Международная конференция по росту -ристаллов, Москва, 1980, Расширенные тезисы, т. 2, с.233−234.
  120. С.Н. Исследование процесса выращивания иттрий-Люминиевого граната из расплава. В кн.: Исследование и применение сверхтвердых и тугоплавких материалов. Киев: ИСМ АН УССР, 1981, с. 26−29.
  121. С.Н. Поведение фронта кристаллизации при выращивании тугоплавких монокристаллов. В кн.: Сверхтвердые и тугоплавкие материалы. Сборник научных трудов. — Киев: ИСМ АН УССР, 1982, с. II-«.
  122. Х.С., Лингарт Ю. К., Смирнов С. Н. Экспериментальное и теоретическое исследование теплопереноса при выращивании тугоплавких монокристаллов. Кристаллография, 1983, т. 28, te 6, с. II94-II98.
  123. В.А., Старшинова И. В., Фрязинов И. В. Анализ распределения скоростей температур и концентрации легирующей примеси в расплаве при выращивании монокристаллов по Чохральскому. В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1983, т. 14, с. 124−135.
  124. В.В., Ремизов О. А., Алексеев Ю. Л. Экспериментальное исследование температурного поля расплава при выращивании монокристаллов. Московский институт инженеров железно-дорожного транспорта. Вопросы сложного теплообмена, № 224, Москва, 1965.
  125. П.И. Физические основы управления формой и структурой профилированных монокристаллов. Автореферат дис-.доктора физ.-мат.наук. Ленинград, 1982. — 42 с.
  126. Ю.М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания. М.: Металлургия, 1982, — 310 с.
  127. Jasinski T., Rohsenow W.M., Witt А.P. Heat Transfer Analysis of the Bridgman Stockbarger
  128. Configuration for Crystal Growth. 1. Analytical Treatment ofthe Axial Temperature Profile. Journal of Crystal Growth, 1983, v.61, N2, p.339−354.
  129. Chang G.J., Brown R.A. Radial Segregation Induced by Natural Convection and Melt/Solid Interface in Vertical Bridgman Growth. Journal of Crystal Growth, 1983, v.63, N2.
  130. Я.М. Принципы слежения за ростом кристаллов. -Л.: Наука, 1979, 56 с.
  131. П.Д., Щелкин Ю. Ф. Тепловые условия фактор, определяющий получение совершенных кристаллов. — Физика и химия обработки материалов, 1982, Ш 5, с. 70−78.
  132. Ц.Ц. Тепловые свойства полупрозрачных материаловв интервале температур от 300 до 2000 К. М., 1982, — Диссертация,», канд.тех.наук.
  133. Л.П. 0 состоянии и задачах исследований теплопроводности газов й жидкостей. В сб.:Теплофизические свойства веществ и материалов, 1978, № 13, с. 77−86 (Серия «Физические константы и свойства веществ»).
  134. Ravishankar P. S. and Pu T.-W. Mathematical Modelling and Parametric Study of Heat Transfer in Bridgman Stockbarger Growth of Crystals. — Journal of Crystal Growth, 1983, v.62, N2, p.425−432.
  135. Schonherz E., Dieguez E. Investigation of Crystal Growth by a Transient Bridgman Technique. Journal of Crystal
  136. Growth, 1983, v.63, N1, p.197−201.
  137. Pu. T.-W., Wilcox W.R. Rate Change Transients in Bridgman-Stockbarger Growth. Journal of Crystal Growth, 1981, v. 51, N3, p.557−567.
  138. Pu T.-W., Wilcox W.R. Programmed and Oscillatory Motion in Bridgman-Stockbarger Growth. Journal of Crystal Srowth, 1982, v.57, N1, p.91−93.
  139. A.c. 1 002 843 (СССР). Способ контроля уровня жидких сред Багдасаров Х. С., Л. В. Приходько, Е. А. Федоров, В. Б. Семенов, М. Л. Кисельков. Опубликовано в Бюллетене изобретений, 1983, № 9 ,
  140. A.c. 552 750 (СССР). Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава. X.С.Багдасаров, Л. В. Приходько,-Опубликовано в Бюллетене изобретений, 1982, № 12.
  141. И.П., Стаднык П. И. Термо ЭДС монокристаллов тугоплавких металлов. — Теплофизика высоких температур, 1973, б, с. 1307−1309.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!