Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ

Диссертация: Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Тем не менее, к настоящему времени накопились экспериментальные данные, демонстрирующие, что характер диффузии в напряженных гетероструктурах значительно отличается от характера диффузии в объемных твердых растворах. Кроме того, в появившихся в последнее время некоторых экспериментальных работах сообщается о значительном перемешивании атомов уже на ранних стадиях образования гетерограницы при… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Диффузия в твёрдых растворах, полученных в равновесных условиях из расплавов
    • 1. 2. Диффузия в гетероструктурах GexSii. x / Si, выращенных методом МЛЭ
      • 1. 2. 1. Диффузия примесей
      • 1. 2. 2. Начальные стадии роста германия на кремнии
      • 1. 2. 3. Нанокластеры германия на кремнии
      • 1. 2. 4. Эпитаксиальные слои GexSii-x и сверхрешётки
      • 1. 2. 5. Влияние упругих напряжений на процесс диффузии в GexSii-x /Si гетероструктурах
      • 1. 2. 6. Аморфные плёнки GexSii. x /S
    • 1. 3. Сегрегация германия
    • 1. 4. Теоретические работы
    • 1. 5. Экспериментальные методы исследования диффузии

Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Для удовлетворения потребностей быстро развивающейся микроэлектроники требуется получение материалов, обладающих комплексом требуемых оптических и электрофизических свойств. Среди таких материалов одними из наиболее перспективных являются германий-кремниевые твердые растворы. В настоящее время кремний-германиевые гетероструктуры играют важную роль в микроэлектронике и ожидается, что эти гетеросистемы найдут ещё более широкое применение в высокочастотной электронике [1—4] и фотонике [5]. Это, в первую очередь, связано с возможностью контролируемого управления шириной запрещённой зоны выращиваемых слоёв либо относительной концентрацией германия, либо упругими напряжениями. В дополнение к этому сходство структурных и химических свойств германия и кремния (элементы IV группыкристаллизуются в алмазоподобную решёткуобразуют непрерывный ряд твёрдых растворов) значительно облегчает эпитаксиальный рост на кремниевых подложках и позволяет использовать для изготовления приборов стандартные кремниевые технологии.

Открывается также возможность расширения областей применения базового материала микроэлектроники — кремния — за счёт создания в его матрице нанокристаллов из германия с использованием явления самоорганизации при эпитаксии германия и твердых растворов GexSii. x на кремнии. В последнее время исследования зонной структуры и процессов переноса носителей заряда через электронные состояния в нанокластерах составляют основу направления, развивающего идею создания «искусственных» атомов в полупроводниках и обеспечивающего новые возможности в полупроводниковой электронике.

Кроме того, осуществление возможности изготовления подложек GexSij-x /Si с малым количеством дефектов для последующего синтеза эпитаксиальных слоёв прямозонного полупроводникового материала GaAs позволит совместить достижения приборной технологии А3В5 с кремниевой технологией.

Для большинства приборных приложений германий-кремниевых гетероструктур огромное значение имеет строение Ge/Si гетерограниц, поскольку оно определяет характеристики электронных и оптоэлектронных приборов. Термические воздействия, которые неизбежно присутствуют в процессе изготовления приборов, могут приводить как к изменению микроструктуры границы, так и к взаимной диффузии атомов на границе раздела слоев и, как следствие, к деградации приборов [2]. Термические эффекты становятся ещё более важными при изготовлении приборов с малыми геометрическими размерами, поскольку могут приводить к значительному изменению формы потенциального рельефа гетерослоёв, определяемого распределением концентрации компонентов, а следовательно, и к значительному изменению энергетического спектра носителей заряда.

Поскольку параметры решетки Ge и Si отличаются на 4.2%, возникающие при этом упругие напряжения на границе и внутри эпитаксиальных слоев могут оказывать значительное влияние на процессы взаимной диффузии, особенно на начальных стадиях. Кроме того, диффузионные свойства кремний-германиевых гетероструктур, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в неравновесных условиях при пониженных температурах (ниже температуры плавления германия), могут значительно отличаться от соответствующих известных свойств твёрдых растворов, полученных из расплавов.

Большая часть известных из литературы исследований кремний-германиевых гетероструктур, выращенных методом МЛЭ, посвящена изучению релаксации упругих напряжений по механизмам образования дислокаций и развития рельефа на поверхности и границах раздела. Исследованию взаимной диффузии, с другой стороны, уделялось значительно меньше внимания несмотря на то, что она также может приводить к релаксации упругих напряжений.

Тем не менее, к настоящему времени накопились экспериментальные данные, демонстрирующие, что характер диффузии в напряженных гетероструктурах значительно отличается от характера диффузии в объемных твердых растворах. Кроме того, в появившихся в последнее время некоторых экспериментальных работах сообщается о значительном перемешивании атомов уже на ранних стадиях образования гетерограницы при низких температурах синтеза вплоть до комнатной. Однако известные нам литературные данные имеют, как правило, разрозненный характер и обсуждение возможного влияния упругих напряжений на взаимную диффузию в экспериментальных работах проводится лишь качественно. Разброс измеряемой различными авторами величины энергии активации составляет от 0.5 эВ до 4.5 эВ, значительно отличаются также и абсолютные величины коэффициентов диффузии.

Отсутствие до последнего времени систематизированных исследований взаимной диффузии в напряженных неоднородных полупроводниковых структурах было связано главным образом с использованием экспериментальных методов, обладающих недостаточным разрешением для точного определения концентрационных кривых (распределение состава) в диффузионном слое и/или дающих исключительно качественные и косвенные результаты. Кроме того, отдельные экспериментальные методы не способны разделить явления перемешивания от шероховатости и/или рельефа упругих напряжений.

Таким образом, получение новых точных знаний о закономерностях и параметрах диффузии в напряжённых германий-кремниевых гетероструктурах является актуальной проблемой как с практической точки зрения — при изготовлении устройств современной микроэлектроники и особенно при создании низкоразмерных структур, так и научной точки зрения, поскольку эта система может рассматриваться как модельная для дальнейшего развития теории полупроводников.

Цель настоящей работы состояла в исследовании особенностей начальных стадий диффузии в германий-кремниевых напряжённых гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ.

Поскольку для проведения исследований необходимо использование адекватных экспериментальных и расчётных методов, для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1) Разработка и тестирование методики количественного анализа профилей концентрации для нанометрового и субнанометрового диапазона толщины гетерослоёв, основанной на экспериментальном и теоретическом исследовании свойств функции разрешения, а также природы сигналов в методе ОЭС.

2) Разработка методики определения параметров диффузии из экспериментально измеренных диффузионных профилей концентрации.

3) Получение экспериментальных профилей концентрации для ряда кремний-германиевых гетероструктур, выращенных методом МЛЭ, и проведение количественного анализа полученных экспериментальных результатов с использованием разработанных методик.

4) Поиск путей дальнейшего совершенствования метода послойного анализа. Изучение возможности использования спектроскопии упруго отражённых электронов для целей количественного послойного анализа кремний-германиевых гетероструктур. Сравнение предлагаемого метода с традиционно используемым методом ЭОС.

В качестве основного метода исследований в работе использован метод Оже-спектроскопии в сочетании с ионным распылением. Отличительной чертой данной работы является использование для исследований специально разработанной нами методики количественного анализа Оже-профилей концентрации в многослойных структурах Si/Ge с толщинами слоёв нанои субнанометрового диапазона. Методика количественного анализа профилей концентрации основана на учёте аппаратной функции, включающей глубину выхода сигнальных электронов, шероховатость поверхности и глубину слоя атомного перемешивания под действием ионного пучка. Разработанный метод может быть использован для исследования начальных стадий диффузии (когда длины диффузии составляют доли и единицы нанометров). Для полноты анализа и учета других возможных вкладов в релаксацию упругих напряжений выполнены структурные исследования другими независимыми методами: атомная силовая микроскопия (рельеф поверхности, форма островков в островковых пленках, плотность дислокаций несоответствия), просвечивающая электронная микроскопия (толщины гетероэпитаксиальных слоев), дифракция рентгеновского излучения (степень релаксации упругих напряжений).

Определение параметров взаимной диффузии в напряженных GexSii. x / Si (001) гетероструктурах осуществлялось посредством сопоставления расчетных профилей диффузии с экспериментальными результатами на основе критерия наименьших квадратов. Моделирование профилей диффузии выполнялось с помощью специально разработанной программы расчётов, основанной на втором законе Фика в конечно-разностной форме в общем виде с учетом возможной зависимости коэффициента диффузии от концентрации. Данный подход позволяет проводить исследования процесса взаимной диффузии в реальных гетероструктурах с произвольным исходным распределением профиля концентрации компонентов по глубине.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем:

1) Исследованы особенности распределения компонентов в Si/GexSii.x/Si гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на низкотемпературном буферном слое кремния (Тр0Ста ~ 350 °C — 400°С). В диапазоне температур отжигов 700° С -950° С обнаружены: концентрационная зависимость коэффициента взаимной диффузии в виде D=Do + Di • (Хое)3 и изменение энергии активации процесса диффузии, определяемой как угол наклона касательной к кривой In D (1/kT), от 1.6 эВ до 2.2 эВ.

2) Исследованы начальные стадии взаимной диффузии в структурах с тонкими слоями германия (~ 1.4 нм), зарощенными в кремнии. Получены температурные зависимости коэффициентов диффузии при отжигах в диапазоне 600 °C — 700 °C. Обнаружена зависимость коэффициента диффузии от концентрации в виде D=Do + Di • (XGe) — Оценка энергии активации диффузии составила ~ 0.6 эВ. Высказано предположение, что наблюдаемая зависимость коэффициента взаимной диффузии определяется наличием упругих напряжений в исследуемых гетероструктурах.

3) Установлено, что взаимная диффузия в исследованных гетероструктурах представляет собой комбинацию вкладов от нескольких механизмов диффузии, отличающихся энергией активации. Температурная зависимость полученных коэффициентов диффузии описывается суммой двух экспоненциальных функций. При Хсе—*0: = 1. Ы0~3 •ехр (-^^-) + 3.6−10″ 14 .ехр (-^ЬзЯ), j^ij. Компонента, с более высокой энергией активации относится к диффузии по каналу равновесных дефектов (вакансии). Компонента, характеризуемая более низкой энергией активации, определяется комбинацией вкладов от диффузии, стимулированной упругими деформациями, и от диффузии по каналу неравновесных дефектов. В процессе диффузии происходит уменьшение величины упругих напряжений и аннигиляция неравновесных дефектов. Таким образом, данные механизмы диффузии проявляются на ранних стадиях диффузии, а на последующих стадиях их вклад уменьшается.

4) Разработана методика количественного анализа профилей концентрации в методе послойной ЭОС, основанная на учёте функции разрешения по глубине. Реализованы два подхода к восстановлению истинного профиля концентрации, основанные на использовании процедуры прямой свёртки и на использовании математического метода максимума правдоподобия, соответственно. Выполнена апробация разработанных методов на примере исследования многослойных германий-кремниевых гетероструктур и проведено независимое исследование с использованием метода ПЭМ, подтверждающее эффективность предложенных методов.

5) Разработан метод количественного послойного анализа, основанный на спектроскопии упруго отражённых электронов. Данный метод применим для исследования профилей концентрации в бинарных системах. При одинаковых условиях ионного распыления и кинетической энергии сигнальных электронов (1 кэВ) разрешение разработанного метода (FWHM) составляет 2.1 нм, что в 1.5 раза превосходит разрешение традиционно используемого метода послойной ЭОС. Поскольку интенсивность сигнала упруго отражённых электронов более чем в 100 раз превосходит сигнал Оже-электронов, данный метод обеспечивает более высокое отношение сигнал/шум, что позволяет в несколько раз увеличивать скорость послойного анализа.

Практическая значимость работы:

Полученные в работе экспериментальные результаты исследования германий-кремниевых гетероструктур представляют практический интерес для современной технологии микроэлектроники и, в особенности, для создания низкоразмерных структур. Установленная неизвестная ранее зависимость коэффициента взаимной диффузии от относительной концентрации германия и измеренные параметры взаимной диффузии в SiGe гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ, могут быть использованы для оптимизации условий роста слоев и других технологических режимов.

На основе результатов исследования предложен надежный и эффективный метод количественной интерпретации данных послойного ЭОС-анализа сверхтонких структур, широко применяемых в современной полупроводниковой технологии.

На защиту выносятся следующие полученные результаты:

1) Разработанная методика количественного анализа профилей концентрации в многослойных структурах Si/Ge с тонкими зарощенными слоями германия (~1нм), основанная на учёте функции разрешения по глубине в методе послойной Оже-спектроскопии. Разработанный метод может быть использован для исследования начальных стадий диффузии, когда длины диффузии составляют доли и единицы нанометров.

2) Результаты экспериментальных исследований распределения компонентов по глубине кремний-германиевых гетероструктур Si/GexSii.x/Si (х~0.3), выращенных методом МЛЭ на низкотемпературном буферном слое кремния (Троета ~ 350 °C — 400°С), и установленные особенности диффузии в диапазоне температур отжига 700 °C — 950°С:

— обнаружена кубическая зависимость коэффициента взаимной диффузии от относительной концентрации германия;

— получены температурные зависимости коэффициентов диффузии.

3) Результаты экспериментального исследования начальных стадий диффузии в кремний-германиевых гетероструктурах Si/Ge/Si, выращенных методом МЛЭ при температуре 300°С:

— обнаружена линейная зависимость коэффициента взаимной диффузии от относительной концентрации германия;

— получены температурные зависимости коэффициентов диффузии в диапазоне температур отжига 600 °C — 700 °C.

4) Метод количественного послойного анализа кремний-германиевых гетероструктур, основанный на использовании спектроскопии упруго отраженных электронов. Изменение разрешения по глубине в разработанном методе осуществляется аппаратным способом, путём изменения кинетической энергии электронов зондирующего пучка.

Апробация работы.

Результаты исследований опубликованы в ведущих отечественных и зарубежных физических журналах, многократно обсуждались на внутренних и международных конференциях. Часть работ выполнена в рамках международного сотрудничества с учеными Германии и других стран.

Работа выполнена на современном аналитическом оборудовании высокого разрешения с использованием современных методов исследования.

Основные результаты исследований по диссертационной работе докладывались и обсуждались на Европейских и международных конференциях по анализу поверхности и границ раздела в том числе: ECASIA'99 (Севилла, Испания, 1999 г.), ECASIA’Ol (Авиньон, Франция, 2001 г.), ECASIA'03 (Берлин, Германия, 2003 г.), Международный симпозиум по практическому анализу поверхностей «PSA'01» (Нара, Япония, 2001 г.), Осенняя школа «Диффузия и реакции на границах раздела твёрдых тел» (Халле, Германия, 2001 г.), 12-я международная конференция по тонким плёнкам «ICTF-12» (Братислава, Словакия, 2002 г.), а также на научных семинарах Института физики полупроводников СО РАН. Часть работ выполнена в рамках международного сотрудничества с учеными Германии. Результаты исследований опубликованы в ведущих отечественных и зарубежных физических журналах.

Личный вклад соискателя заключался в постановке и проведении экспериментов по исследованию методами Оже и РФЭС, разработке и реализации методов количественного анализа полученных экспериментальных результатов, анализе выявленных особенностей взаимной диффузии в исследованных германий-кремниевых гетероструктурах.

В заключение автор выражает глубокую признательность и благодарность научному руководителю члену-корреспонденту РАН Неизвестному И. Г. за поддержку, внимание и дискуссии по ходу работыдокторам физико-математических наук Пчелякову О. П., Двуреченскому А. В., Якимову А., которые стимулировали начало данной работы и проявили искренний интерес к ходу исследованийк.ф.-м.н. Машанову В. И. за длительную практическую помощь в изготовлении образцов для исследований, без которых данная работа не могла быть выполнена. Автор благодарит д.ф.-м.н. Болховитянова Ю. Б., д.х.-н. Галицына Ю. Г., к.ф.-м.н. Чикичева С. И, к.ф.-м.н. Соколова JI.B. за полезное и конструктивное обсуждение литературных данных и полученных результатов, а также коллег из других подразделений Института — д.ф.-м.н. Латышева А. В., к.ф.-м.н. Гутаковского А. К., к.ф.-м.н. Щеглова Д. В., Ревенко М. А., за проверку рабочих гипотез другими независимыми методами исследований и ценные практические замечания по работе. Хочется высказать искреннюю благодарность н.с. Кириенко В. В. за проведение диффузионных отжигов и принявшим участие в работе на разных её этапах аспиранту Ульянову В. В., студентам НГТУ Фомичёву М. С., Молчанову Е. А. и Ковалёву Р.Г.

Автор особо признателен начальнику технического центра Логвинскому Л. М. за неустанное побуждение к написанию данной работы, обеспечение возможности творческой работы и представления полученных экспериментальных результатов на международных конференциях, а также докторам физико-математических наук Ковчавцеву А. П. и Курышеву Г. Л. за поддержку в период написания диссертации. Хочется поблагодарить всех сотрудников технического центра и лаборатории 14 за создание творческой атмосферы при решении поставленных задач и дружескую поддержку, а также мою супругу Кеслер С. А. за техническую помощь в оформлении настоящей диссертации и моральную поддержку.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ.

Статьи:

1. В. Г. Кеслер, Л. М. Логвинский, В. И. Машанов, О. П. Пчеляков, В. В. Ульянов. Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si/Gex Sii. x /Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. — ФТТ, 2002, том 44, вып.4, стр.683−687.

2. S. Hofmann and V. Kesler. Quantitative Depth Profiling of a Ge/Si Multilayer Structure. — Surf. Interface Anal., 2002, v. 33, pp. 46171.

3. V. Kesler and S. Hofmann. Interdiffusion at Ge/Si interfaces studied with AES Depth Profiling. — Journal of Surface Analysis, 2002, v. 9, pp. 428−431.

4. V. Kesler and S. Hofmann. Improvement of the Depth Resolution in Sputter Depth Profiling by Elastic Peak Electron Spectroscopy. — Surf. Interface Anal., 2002, v. 33, pp. 635−639.

5. V.G. Kesler, L.M. Logvinsky, I.P. Petrenko and A.I. Toropov. A Study of shutter effect in molecular beam epitaxy by means of AES depth profiling. — Proceedings of 6th Conference on Applications of Surface and Interface Analysis «ECASIA '95», Montreux, Switzerland, October 9−13, 1995. H. J. Mathieu, B. Reihl, D. Briggs (eds.), N.Y., 1996, pp. 292−295.

Тезисы конференций:

1. V.G.Kesler, L.M.Logvinsky. AES depth profiling of SiGe/Si (100) epitaxial thin films. — 8th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis «ECASIA '99», October 16−20, 1999, Sevilla, Spain. Book of Abstracts, MO-DP05, p.122.

2. V. Kesler and S. Hofmann. Interdiffusion at Ge/Si interfaces studied with AES Depth Profiling. International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA'01), November 19−21, 2001, Nara, Japan.

3. Siegfried Hofmann and Valeri Kesler. Quantitative Depth Profiling of a Ge/Si Multilayer Structure. 9th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis «ECASIA '01», 30 September- 5 October, 2001, Avignon, France. Book of Abstracts, p.145.

4. Kesler V.G., Ulyanov V.V., Logvinskii L.M., Pchelyakov O.P., Mashanov V.I. Components distribution in GeSi heterostructures grown by MBE on low-temperature and porous Si. Autumn School «Diffusion and reactions at solid-solid interfaces», 26 September-02 October, 2001, Halle, Germany.

5. S. Hofmann and V.Kesler. Using Elastic Peak Electron Spectroscopy for Enhanced Depth Resolution in Sputter Profiling. 12-th International Conference on Thin Films «ICTF-12», September 15−20,2002, Bratislava, Slovakia, TF3.1.0.

6. Kesler V., Hofmann S. Restoration of Concentration — Depth Profiles Using the Maximum Likelihood Method. 10th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis «ECASIA '03», October 5−10,2003, Berlin, Germany. Book of Abstracts. Editors: W.E.S.Unger, I. Retzko and Th. Gross, p.291.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Работа проводилась в ИФП СО РАН под руководством доктора физико-математических наук, профессора, члена-корреспондента РАН Неизвестного Игоря Георгиевича в рамках планов научно-исследовательских работ Института. Содержание диссертации отражено в 11 публикациях.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Friedrich Schaffler. Review article. High-mobility Si and Ge structures. — Semicond. Sci. Technol., 1997, v. 12, pp. 1515−1549.
  2. D.J.Paul. Silicon germanium heterostructures in electronics: the present and the future. — Thin Solid Films, 1998, v. 321, pp. 172−180.
  3. Maurizio Arienzo, Subramanian S. Iyer, Bernard S. Meyerson, Gary L. Patton and Joanes M.C.Stork. Si-Ge alloys: growth, properties and applications. -Appl. Surf. Sci., 1991, v.48/49, pp.377−385.
  4. Friedrich Schaffler. Si/Si j. x Gex and Si/Si i. yCy heterostructures: materials for high-speed field-effect transistors.-Thin Solid Films, 1998, v. 321, pp. 1−10.
  5. Richard A.Soref. Silicon-based group IV heterostructures for optoelectronic applications. -J. Vac. Sci. Technol. A, 1996, v. 3, pp. 913−918.
  6. Seah MP. Quantitative Auger electron spectroscopy and electron ranges. Surf. Sci., 1972, v.32, pp. 703−715.
  7. M. Г., Хуцишвили Э. В. Твёрдые растворы полупроводниковой системы германий-кремний. Тбилиси: Мецниереба, 1985. — 176 с.
  8. E.E.Haller. Isotopically engineered semiconductors. Applied Physics Reviews. J.Appl.Phys., 1995, v. 77, N 7, pp. 2857−2877.
  9. J. H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D. Y. Dai, J. M. Zhou, and Z. H. Mai. Relaxed Si 0.7 Ge0 3 layers grown on low-temperature Si buffers with low threading dislocation density. — Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, N 21, pp. 3132−3134.
  10. H. Chen, L. W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, and J. M. Zhou. Low-temperature buffer layer for growth of a low-dislocation-density SiGe layer on Si by molecular-beam epitaxy. J. Appl. Phys., 1996, v. 79, N 2, pp. 1167−1169.
  11. P.C.Kelires and J.Tersoff. Equilibrium alloy properties by direct simulation: Oscillatory segregation at the Si-Ge (lOO) 2×1 surface. Phys.Rev.Lett., 1989, v. 63, pp.1164−1167.
  12. N.Moriya, L.C.Feldman, H.S.Luftman, C.A.King, J. Bevk, and B.Freer. Boron diffusion in strained Sii. xGex epitaxial layers. Phys. Rev. Lett., 1993, v. 71, N 6, pp. 883−886.
  13. K.Nakagawa, H. Kojima, N. Sugii, S. Yamaguchi, M.Miyamo. Enhancement of thermal diffusion of delta-doped Sb in SiGe. Thin Solid Films, 2000, v. 369, pp. 226−229.
  14. P.Castrucci, R. Gunella, M. De Crescenzi, Msacchi, G. Dufour, and F.Rochet. Exchange mechanisms at Ge/Si (001) interface from a multiple-scattering analysis of the Ge L3 absorption edge. Physical Review B, 1998, v.58, N 7, pp. 4095−4101.
  15. Kaoru Nakajima, Atsushi Konishi, and Kenji Kimura. Direct observation of intermixing at Ge/Si (001) interfaces by high-resolution Rutherford backscattering spectroscopy. Phys. Rev. Lett., 1999, v. 83, N 9, pp. 1802−1805.
  16. X.R.Qin, B.S.Swartzentruber, and M.G.Lagally. Scanning tunneling microscopy identification of atomic-scale intermixing on Si (100) at submonolayer Ge coverages. Phys. Rev. Lett., 2000, v. 84, N 20, pp. 4645648.
  17. G.Capellini, M. De Seta, and F.Evangelisti. SiGe intermixing in Ge/Si (100) islands. Appl. Phys. Lett., 2001, v. 78, N 3, pp.303−305.
  18. F.Boscherini, G. Capellini, L. Di Gaspare, F.Rosei. N. Motta, and S.Mobilo. Ge-Si intermixing in
  19. Ge quantum dots on Si (001) andSi (lll). Appl. Phys. Lett., 2000, v. 76, N 6, pp. 682−684.
  20. С.Б.Эренбург, Н. В. Бауск, А. В. Ненашев, Н. П. Стёпина, А. И. Никифоров, Л. Н. Мазалов. Микроскопические характеристики гетероструктур, содержащих нанокластеры итонкие слои Ge в Si матрице. Журнал структурной химии, 2000, том 41, вып. 5, стр. 980−987.
  21. S.B.Erenburg, N.V.Bausk, L.N.Mazalov, A.I.Nikiforov, N.P.Stepina, A.V.Nenashev, A.I.Yakimov. Local structure of self-organized uniform Ge quantum dots on Si (001). — Solid State Ionics, 2001, v. 141−142, pp. 135−139.
  22. Y.L.Soo, G. Kioseoglou, S. Huang, S. Kim, and Y.H.Kao. «Inverted hut» structure of Si-Ge nanocrystals studied by extended x-ray adsorption fine structure method. Appl. Phys. Lett., 2001, v.78, N 23, pp. 3684−3686.
  23. A.Cohen Simonsen, M. Schleberger, S. Tougaard, J.L.Hansen, A. Nylandsted Larsen. Nanostructure of Ge deposited on Si (001): a study by XPS peak shape analysis and AFM. —
  24. Solid Films, 1999, v. 338, pp. 165−171.v/
  25. G.Wohl, C. Schollhorn, O.G.Smidt, K. Bunner, K. Eberl, O. Kienzle, F.Ernst. Characterization of self-assembled Ge islands on Si (100) by atomic force microscopy and transmission electron microscopy. Thin Solid Films, 1998, v. 321, pp. 86−91.
  26. S.A.Chaparro, Jeff Drucker, Y. Zang, D. Chandrasekhar, M.R.McCartney, and David J.Smith. Strain-driven alloying in Ge/Si (100) coherent islands. Physical Review Letters, 1999, v.83, N6, pp. l 199−1202.
  27. H.H.Cheng, C.T.Chia, V.A.Markov, X.J.Guo, C.C.Chen, Y.H.Peng, C.H.Kuan. A novel structure in Ge/Si epilayers grown at low temperature. Thin Solid Films, 2000, v. 369, pp. 182−184.
  28. T.I.Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.Ohlberg, and R. Stanley Willams. Evolution of Ge islands on Si (001) during annealing. J. Appl. Phys., 1999, v. 85, N 2, pp. 1159−1171.
  29. J.Walz, T. Hesjedal, E. Chikka, R.Koch. Si in-diffusion during the 3D islanding of Ge/Si (001) athigh temperatures. Appl. Phys. A, 1999, v. 69, pp. 467−470.
  30. A.Rastelli, M. Kummer, and H. Von Kanel. Reversible shape evolution of Ge islands on Si (001). Phys. Rev. Lett., 2001, v. 87, N 25, pp. 256 101−1 -256 101−4.
  31. A.Rastelli, E. Muller, and H. von Kanel. Shape preservation of Ge/Si (001) islands during Si capping. Appl. Phys. Lett., 2002, v. 80, N 8, pp. 1438−1440.
  32. J.H.Li, C.S.Peng, Z.H.Mai, J.M.Zhou, Q. Huang, and D.Y.Dai. Evolution of mosaic structure in
  33. SiojGeo.3 epilayers grown on Si (001) substrates. J. Appl. Phys., 1999, v. 86, N 3, pp. 12 921 297.
  34. Syun-Ming Jang, Hyoun-Woo Kim, Rafael Reif. Thermal stability of Si/Sii.xGex /Si heterostructures deposited by very low pressure chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett., 1992, v. 61, N 3, pp. 315−317.
  35. M.Sardela, Jr. and G.V.Hansson. Thermal relaxation kinetics of strained Si/Sii.xGex /Si heterostructures determined by direct measurement of mosaicity and lattice parameter variations. J. Vac. Sci. Thechnol. A, 1995, v. 13, N 2, pp. 314−326.
  36. H.B. Номероцкий, О. П. Пчеляков, Е. М. Труханов. Рентгенодифракционные исследования взаимной диффузии в сверхрешётке Si/SiojGeoj. — Поверхность. Физика, химия, механика, 1993, N 2, стр. 57−62
  37. Noboru Nakano, Louis Marville, Syun-Ming Jang, Kenneth Liao, Curtis Tsai. Effect of thermal annealing on the Raman spectrum of Sij. xGex grown on Si. J. Appl. Phys., 1993, v. 73, N1, pp. 414−417.
  38. Feng Lin, Da-wei Gong, Chi Sheng, Fang Lu, and Xun Wang. Thermal stability of a Si/Si/. xGex quantum well studied by admittance spectroscopy. J. Appl. Phys., 2000, v. 87, N 4, pp. 1947−1950.
  39. Y.S.Lim., J.U.Lee, H.S. Kim, D.W.Moon. Stain-induced diffusion in a strained Sij^Ge^Si heterostructure. Appl. Phys.Lett., 2000, v. 77, N 25, pp. 4157−4159.
  40. MP. Seah. Quantitative Auger electron spectroscopy: a comparison of techniques for adsorbed tin on iron. Surf. Sci., 1973, v. 40, pp. 595−608.
  41. J.P.Liu, M.J.Kong, X.F.Liu, J.P.Li, D.D.Huang, L.X.Li, D.Z.Sun. Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si (100) during high-temperature annealing. J. Ciyst. Growth, 1999, v. 201/202, pp. 556−559.
  42. M.Fatemi, P.E.Topson, M.E.Twigg, J.Chaudhuri. The effect of post-growth cooling rate on the defect structure in MBE-grown buried layers of Si/.xGex on Si substrates. Thin Solid Films, 1998, v. 312, pp. 362−371.
  43. S.M.Prokes, O.J.Glembocki, and D.J.Godbey. Stress and its effect on the interdiffusion in Sij. xGex/Si superlattices. Appl. Phys. Lett., 1992, v. 60, N 9, pp. 1087−1089.
  44. A.Csik, D.L.Beke, G.A.Langer, Z. Erdelyi, L. Daroczi, K. Kapta, M. Kis-Varga. Non-linearity of diffusion in amorphous Si-Ge multilayers. Vacuum, 2001, V. 61, pp.297−301.
  45. A.Csik, G.A.Langer, D.L.Beke, Z. Erdelyi, M. Menyhard, and A.SuIyok. Interdiffusion in amorphous Si/Ge multilayers by Auger depth profiling technique. J. Appl. Phys., 2001, v.89,N l, pp. 804−806.
  46. A.M.Lam, Y.- J. Zheng, and J.R.Engstrom. Direct in-situ characterization of Ge surface segregation in strained Si]. xGex epitaxial films. Appl. Phys. Lett., 1998, v.73, N 14, pp. 2027−2029.
  47. Glenn G. Jernigan, Phillip E. Thompson, and Conrad L. Silvestre. Ge segregation during the initial stages of Gex Sij. x alloy growth. Appl. Phys. Lett., 1996, v. 69, N 13, pp. 1894−1896.
  48. DJ.Godbey and M.G.Ancona. Ge profile from the growth of SiGe buried layers by molecular beam epitaxy.- Appl. Phys. Lett., 1992, v. 61, N 18, pp. 2217−2219.
  49. D.J.Godbey, J.V.Lill, J. Deppe, K.D.Hobart. Ge surface segregation at low temperature during SiGe growth by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, N 6, pp. 711−713.
  50. D.J.Godbey and M.G.Ancona. Analysis of Ge segregation in Si using a simultaneous growth and exchange model. — Surface Science, 1998, v. 395, pp. 60−68.
  51. Jun-Hyung Cho, Myund-Ho Kang. Ge-Si intermixing at Ge/Si (001) surface. Phys. Rev. B, 2001, v. 61, N 3, pp.1688—1691.
  52. F.Rosei, P.Raiteri. Stress induced surface melting during the growth of Ge wetting layer on Si (001) and Si (111). Appl. Surf. Sci., 2002, v. 195, pp. 16−19.
  53. Xiaj Yan Zhu, Young Нее Lee. Defect induced Si/Ge intermixing on the Ge/Si (100) surface. -Phys. Rev. B, 1999, v. 59, N 15, pp. 9764−9767.
  54. Bias P. Uberuaga, Michael Leskovar, Arthur P. Smith, Hannes Jonsson, and Marjorie Olmstead.
  55. Diffusion of Ge below the Si (100) surface: theory and experiment. Phys. Rev. Lett., 2000, v. 84, N 11, pp.2441−2444.
  56. T.Walther, C.J.Humphreys. A quantitative study of compositional profiles of chemical vapourdeposited strained silicon-germanium/silicon layers by transmission electron microscopy. -Journal of Crystal Growth, 1999, v. 197, pp. 113−128.
  57. Sang-Gi Kim, Jongdae Kim, In-Ho Bae, Lin Guan Koo, Kee-Soo Nam. Analysis of Si/.xGex on Si heterostructures grown by MBE as a function of substrate temperature. — Journal of Crystal Growth, 1998, v. 186, pp. 375−381.
  58. M.Bauer, L. Lyutovich, M. Oehme, E. Kasper, H.-J.Herzog, F.Ernst. Relaxed SiGe buffers with thickness below 0.1 pm.- Thin Solid Films, 2000, v. 369, pp. 152−156.
  59. Kaoru Nakajima, Atsushi Konishi, and Kenj’i Kimura. Intermixing at Ge/Si (001) interfaces studied by high-resolution RBS. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2000, v. 161−163, pp. 452−456.
  60. М.А.Криштал. Диффузионные процессы в железных сплавах. М.: Государственное научно-техническое издательство по черной и цветной металлургии, 1963. — 278 с.
  61. И.Б.Боровский, К. П. Гуров, И. Д. Марчукова, Ю. Э. Угасте. Процессы взаимной диффузии в сплавах. — М.: Наука, 1973. 360 с.
  62. M.Romeo, C. Uhlaq-Boillet, J.P.Deville, J. Werckmann, G. Ehret, R. Chelly, D. Dentel, T. Angot, J.Bischoff. HRTEM study of strained Si/Ge multilayers. Thin Solid Films, 1998, v. 319, pp. 168−171.
  63. L.Zommer, B. Lesiak, and A.Jablonski. Energy dependence of elastic electron backscattering from solids. Phys. Rev. B, 1993, v. 47, N 20, pp. 13 759−13 762.
  64. J.T.Tsang, P.M.Mooney, F. Dacol, and J.O.Chu. Measurements of alloy composition and strain in GexSii. x layers.-J. Appl. Phys., 1994, v. 75, N 12, pp. 8098−8108.
  65. D.C.Koninsberger, R.Prins. X-ray Absorption: Principles, Applications, Techniques of EXAFS, SEXAFS andXANES. — New York: Wiley, 1989. -710 p.
  66. Д.И., Бабанов Ю. А., Замараев К. И. и др. Рентгеноспектральный метод изучения структуры аморфных тел: EXAFS-спектроскопия. Новосибирск.: Наука, Сиб. Отделение, 1988. — 306 с.
  67. Микроанализ и растровая электронная микроскопия. Под ред. Ф. Морис, Л. Мени, Р. Тиксье, Франция, 1978: Пер. с франц. — М.:Металлургия, 1985. — 392 с.
  68. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. — Под ред. Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д., Эчлин П., Джой Д., Фиори Ч., Лифшин Э. В 2-х книгах. Книга 1. Пер. с англ. М.: Мир, 1984.- 303с.
  69. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Под ред. Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д., Эчлин П., Джой Д., Фиори Ч., Лифшин Э. В 2-х книгах. Книга 2. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. — 348 с.
  70. Krzysztof Sikorski. Application of electron probe microanalysis to studies of diffusion processes in solids. Autumn School «Diffusion and reactions at solid-solid interfaces», 26 September-02 October, 2001, Halle, Germany. Poster.
  71. P.C.Zalm. Ultra shallow doping profiling with SIMS. Rep. Prog. Phys., 1995, v.58, pp. 1321−1374.
  72. Masaki Hasegawa and Ken Ninomiya. Nondestructive depth profile analysis by changing escape depth of photoelectrons. Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v. 32, pp. 4799−4804.
  73. Peter J.Cumpson. Angle-resolved XPS depth-profiling strategies. Appl. Surf. Sci., 1999, v.144.145, pp. 16−20.
  74. Robert L. Opila, Joseph Eng Jr. Thin films and interfaces in microelectronics: composition andchemistry as function of depth. Progress in Surf. Sci., 2002, v. 69, pp. 125−163.
  75. S.Hofmann. Sputter depth profile analysis of interfaces. Rep. Prog. Phys., 1998, v. 61, pp.827.888.
  76. I.S.Tilinin, A. Jablonsky and W.S.M.Werner. Quantitative surface analysis by Auger and X-ray photoelectron spectroscopy. Progress in Surf. Sci., 1996, v.52, N 4, pp. 193- 335.
  77. А.К.Гутаковский, С. М. Пинтус, А. Л. Асеев. Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для изучения атомной структуры дефектов и границ раздела в полупроводниках. — Поверхность, 1993, N 10, стр. 5−16.
  78. A.K.Gutakovsky, L.I.Fedina, and A.L.Aseev. High resolution electron microscopy of semiconductor interfaces. Physica status solidi (a), 1995, v. 150, pp. 127−140.
  79. О.И., Неизвестный И. Г., Торлин M.A., Шумский В. Н. Рентгеноспектральный анализ растущей плёнки в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Поверхность, 1989, N 10, стр. 89−93.
  80. О.И., Неизвестный И. Г., Торлин М. А., Шумский В. Н. Применение рентгеноспектрального анализа для контроля роста периодических структур при молекулярно-лучевой эпитаксии. Поверхность, 1990, N 9, стр. 53−60.
  81. J.M.Walls, I.K.Brown and D.D.Hall. The application of taper-sectioning techniques for depth profiling using Auger electron spectroscopy. Appl. Surf. Sci., 1983, v. 15, N 1−4, pp. 93 107.
  82. Ernst Zinner. Sputter depth profiling of microelectronic structures. J. Electrochem. Soc.: Reviews and News, 1983, v. 130, N 5, pp. 199C-222C.
  83. И.В., Кунаев С. В., Шумский В. Н. Разрешение по глубине при профильном Оже-анализе структур ZnS-Pb^Sni.xTe. — Поверхность, 1989, N 7, стр. 89−96.
  84. М.В., Кеслер В. Г., Логвинский Л. М., Сидоров Ю. Г. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии гетеросистем ZnSe / GaAs (112)В, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. — Поверхность, 1997, N 2, стр. 58−66.
  85. М. В., Швец В. А., Кеслер В. Г., Сидоров Ю. Г. Изучение эпитаксиальных слоев ZnTe на подложках GaAs(310) методами эллипсометрии и методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Автометрия, 2001, N 3, стр. 30−38.
  86. В. Г. Кеслер, Л. М. Логвинский, В. И. Машанов, О. П. Пчеляков, В. В. Ульянов. Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si/Gex Si]. x/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. — ФТТ, 2002, том 44, вып.4, стр.683−687.
  87. S. Hofmann and V. Kesler. Quantitative Depth Profiling of a Ge/Si Multilayer Structure. -Surf. Interface Anal., 2002, v. 33, pp. 46171.
  88. V. Kesler and S. Hofmann. Interdiffusion at Ge/Si interfaces studied with AES Depth Profiling. Journal of Surface Analysis, 2002, v. 9, pp. 428−431.
  89. V. Kesler and S. Hofmann. Improvement of the Depth Resolution in Sputter Depth Profiling by Elastic Peak Electron Spectroscopy. Surf. Interface Anal., 2002, v. 33, pp. 635−639.
  90. V.G. Kesler, L.M. Logvinsky and K.K. Svitashev. Methodfor registration of б-layers in semiconductor structures using Auger-profiling. ECASIA '95 Proceedings, H. J. Mathieu, B. Reihl, D. Briggs (eds.), N.Y., 1996, pp. 288−291.
  91. V.G. Kesler, I.M. Logvinsky, I.P. Petrenko and A.I. Toropov. A Study of shutter effect inmolecular beam epitaxy by means of A ES depth profiling. — ECASIA '95 Proceedings, H. J. Mathieu, B. Reihl, D. Briggs (eds.), N.Y., 1996, pp. 292−295.
  92. В.Г.Кеслер, Л. М. Логвинский, И. П. Петренко, К. К. Свиташев. Метод регистрации д-слоев в полупроводниковых структурах в процессе Оже-профилирования. — Полупроводники, Новосибирск: ИФП, 1996, стр. 303−307.
  93. V.G.Kesler, L.M.Logvinsky, I.P.Petrenko. Determination ofCdTe (IIl)B-HgTe Heterojunction band discontinuties by X-ray photoelectron spectroscopy. ECASIA '97 Proceedings, J. Olefjord, L. Nyborg, D. Briggs (eds.), N.Y., 1997, pp. 503−506.
  94. V.G.Kesler, L.M.Logvinsky, I.P.Petrenko, Y.G.Sidorov, M.V. Jakushev. XPS Depth profiling ofZnSe/GaAs (112)B Heterjunction. ECASIA '97 Proceedings, J. Olefjord, L. Nyborg, D. Briggs (eds.), N.Y., 1997, pp. 427−430.
  95. В.В.Марков, В. Г. Кеслер, И. С. Эдельман, А. Е. Худяков, Г. В. Бондаренко. Двухслойные пленки переходный металл-диспрозий. — Новые материалы и технологии продовольственных и непродовольственных товаров. Издание КГТЭИ, Красноярск, 2000, стр. 95−99.
  96. V.G.Kesler, L.M.Logvinsky. AES depth profiling ofSiGe/Si (100) epitaxial thin films. 8th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, October 16−20,1999, Sevilla, Spain. Book of Abstracts, MO-DPQ5, p. 122.
  97. V.G.Kesler, V.V.Markov, A.E.Khudyakov, I.S.Edelman. AES characterization of magnetic Dy-NiFe thin films. 8th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, October 16−20,1999, Sevilla, Spain. Book of Abstracts, TH-MA01, p.489.
  98. V. Kesler and S. Hofmann. Interdiffusion at Ge/Si interfaces studied with AES Depth Profiling. International Symposium on Practical Surface Analysis «PSA'01″, 19−21 November, 2001, Nara, Japan.
  99. S.Hofmann and V.Kesler. Using Elastic Peak Electron Spectroscopy for Enhanced Depth Resolution in Sputter Profiling. 12-th International Conference on Thin Films, ICTF-12, 1520 September, 2002, Bratislava, Slovakia. Book of abstracts, p. TF3.1.0.
  100. V.V.Markov, V.G.Kesler, A.E.Khudyakov, I.S.Edelman, G.V.Bondarenko. X-ray photoemission spectroscopy of Dy in layered structures. Abstract Book of Euro-Asian Symposium „Trends in Masgnetism“, Krasnoyarsk 2004, p. 228.
  101. G.Gergely. The elastic peak in AES and EELS. Vacuum, 1983, v.33, N 1−2, pp.89−91.
  102. Konkol A., Menyhard M. Determination of ion sputtering-induced in-depth distribution by means of elastic peak electron spectroscopy. Surf. Interface Anal., 1997, v. 25, pp.699−706.
  103. W.Pamler. Advances in Auger microanalysis for semiconductor technology. Surf. Interface Anal., 1994, v. 22, pp.331−337.
  104. S.Hofmann. High resolution compositional depth profiling. J. Vac. Sci. Technol. A, 1991, v. 9, N 3, pp. 1466−1476.
  105. A.Rar, S. Hofmann, K. Yoshihara, K.Kajiwara. Optimization of depth resolution parameters in AES sputter profiling of GaAs/AlAs multilayer structures. Appl. Surf. Sci., 1999, v. 144— 145, pp. 310−314.
  106. Siegfried Hofmann and Andrei Rar. Ultrahigh resolution in sputter depth profiling with Auger electron spectroscopy using ionized SFe molecules as primary ions. Jpn. J. Appl. Phys., 1998, v. 37, pp. L758-L760.
  107. Siegfried Hofmann. Atomic mixing, surface roughness and information depth in high-resolution depth profiling of a GaAs/AlAs superlattice structure. Surf. Interface Anal., 1994, v. 21, pp. 673−678.
  108. М.Н.Дроздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин. Субнанометровое разрешение по глубине при послойном анализе с использованием скользящих Оже-электронов. Письма в ЖТФ, 2001, том 27, вып. З, стр. 59−66.
  109. K.Satori, Y. Haga, R. Minatoya, M. Aoki and K.Kajiwara. Factors causing deterioration of depth resolution in Auger electron spectroscopy depth profiling of multilayered systems. J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v. 15, N 3, pp. 47884.
  110. B.JI., Косарев Е. Л., Ормонт А. Б., Коротких А. В. Улучшение энергетического разрешения фотоэлектронных спектрометров программной коррекцией на аппаратную функцию. Приборы и техника эксперимента, 1994, N 6, стр. 88−95.
  111. Д., Сих М.П. Анализ поверхности методами Оже и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.:"Мир», 1987. — 600 с.
  112. B.Roy Frieden. Restoring with Maximum Likelihood and Maximum Entropy. Journal of the Optical Society of America, 1972, v. 62, N 4, pp.511−518.
  113. Patrick E. McSharry and Leonard A.Smith. Better nonlinear models from noisy data: Attractors with Maximum Likelihood. Phys. Rev. Lett., 1999, v. 83, N 21, pp. 4285−4288.
  114. Е.Л.Косарев, В. Д. Песков, Е. Р. Подоляк. Восстановление спектра ультрамягкого рентгеновского излучения из измерений его поглощения в газе. — ЖТФ, 1983, том 53, вып.6, стр.1101−1113.
  115. А.В. Методы анализа поверхностей. М.:"Мир", 1979. — 584 с.
  116. L.E.Davis, N.C.MacDonald, P.W.Palmberg, G.E.Reach, R.E.Weber. Handbook of Auger electron spectroscopy. Physical Electronics Division, Perkin-Elmer Corporation, Eden Prairie, Minnesota 55 343,1978. 254 c.
  117. F.Pons, Le Hericy and J.P.Langeron. Quantitative approach of Auger electron spectrometry. Surf. Sci., 1977, v.69, pp.565−580.
  118. А.И., Запорожченко В. И. Количественная Оже-спектроскопия бинарных систем: сравнительный анализ моделей учёта матричных эффектов. Изв. АН СССР. Серия физическая, 1988, том 52, N 8, стр. 1563−1567.
  119. Р.С., Комолова Л. Ф. Растровая электронная микроскопия и рентгеновская микроскопия. М.: Мир, 1984. 304 с.
  120. S.Tanuma, C.J.Powell and D.R.Penn. Calculations of electron inelastic mean free paths (IMFPs). Surf. Interface Anal., 1997, v. 25, pp.25−35.
  121. W.S.M.Werner. Towards a universal curve for electron attenuation: elastic scattering data for 45 elements. Surf. Interface Anal., 1992, v. 18, pp.217−228.
  122. P.J.Cumpson and M.P.Seah. Elastic scattering corrections in AES andXPS. II. Estimating attenuation lengths and conditions required for their valid use in overlayer/subsrate experiments. Surf. Interface Anal., 1997, v. 25, pp. 430−446.
  123. P.J.Cumpson. Elastic scattering corrections in AES andXPS. III. Behaviour of electron transport mean free path in solids for kinetic energies in the range 100 eV < E < 400 eV. — Surf. Interface Anal., 1997, v. 25, pp. 447−453.
  124. Werner H.Gries. A universal predictive equation for the inelastic mean free pathlengths ofX-ray photoelectrons and Auger electrons. Surf. Interface Anal., 1996, v. 24, pp. 3 8−50.
  125. C.J.Powell. The energy dependence of electron attenuation lengths. Surf. Interface Anal., 1985, v. 7, pp. 256−273.
  126. A.Jablonski and P. Mrozek, G. Gergely, M. Menhyard and A.Sulyok. The inelastic mean free path of electrons in some semiconductor compounds and metals. Surf. Interface Anal., 1984, v. 6, N6, pp. 291−295.
  127. A.Jablonski and H.Ebel. Comparison of electron attenuation lengths and escape depths with inelastic mean free paths. Surf. Interface Anal., 1988, v. 11, pp. 627−632.
  128. S.Tougard, M. Krawczyk, A. Jablonski, J. Pavluch, J. Toth, D. Varga, G. Gergely, M. Menyhard and A.Sulyok. Intercomparison of methods for separation of REELS elastic peak intensities for determination oflMFP. Surf. Interface Anal., 2001, v. 31, pp. 1−10.
  129. V.M.Dwyer. A practical depth distribution function for angle-resolved Auger&photoelectron spectroscopy. Surf. Sci. Lett., 1994, v. 310, pp. L621-L624.
  130. I.Lindau and W.E.Spicer. The probing depth in photoelectron and Auger-electron spectroscopy.-}. Electron. Spec. Relat. Phenom., 1974, v. 3, pp. 409−413.
  131. C.J.Powell, M.P.Seah. Critical Review. Precision, accuracy, and uncertainty in quantitative surface analyses by Auger-electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v. 8, N 2, pp. 735−756.
  132. M.P.Seah and M.E.Jones. Roughness contributions to resolution in ion sputter depth profiles of polycrystalline metal films. Thin Solid Films, 1984, v. 115, p.203−216.
  133. M.P.Seah and Maria Kuhlein. Temperature, roughness and depth resolution in ion sputter profiles. Surf. Sci., 1985, v. 150, pp. 273−288.
  134. K.Kajiwara. High depth resolution in sputter profiling ofheterostructured systems. -ECASIA '95 Proceedings, H. J. Mathieu, B. Reihl, D. Briggs (eds.), N.Y., 1996, pp. 235−242.
  135. Vincent S.Smentkowski. Review. Trends in sputtering. Progress in Surf. Sci., 2000, v. 64, pp. 1−58.
  136. A.Barna, B. Pecz, M.Menyhard. Amorphisation and surface morphology development at low ion milling. Ultramicroscopy, 1998, v. 70, pp.161—171.
  137. A.Zalar. Sample rotating in Auger electron spectroscopy depth profiling. J. Vac. Sci. Technol. A, 1987, v. 5, N 5, pp. 2979−2981.
  138. J.B.Malherbe, R.Q.Odendaal. Ion sputtering, surface topography, SPMand surface analysis of electronic materials. Appl. Surf. Sci., 1999, v. 144−145, pp. 192−200.
  139. В.Экштайн. Компьютерное моделирование взаимодействия цастиц с поверхностью твёрдого тела. Пер. с англ.- М.: Мир, 1995. 321 с.
  140. Markov V.A., Nikiforov A.I., Pchelyakov О.Р. In-situ RHEED control of direct MBE growth of Ge quantum dots on Si (001). Journal of Crystal Growth, 1997, v. 175/176, pp. 736−740.
  141. A.Barna and M.Menyhard. Study of low-energy atomic mixing by means of Auger depth profiling, XTEMand TRIM simulation on Ge/Si multilayer system. Surf. Interface Anal., 1996, v. 24, pp. 476−480.
  142. Johan B. Malherbe and R. Quintin Odendaal. Calculated elemental sputter yield correction factor in quantitative Auger electron spectroscopy a poor approximation. — Surf. Interface Anal., 1997, v. 25, pp. 330−334.
  143. Д.А.Темников. Применение компьютерного сканера для анализа электрофореграмм. -Приборы и техника эксперимента, 1999, N 6, стр. 59−62.
  144. M.P.Ebel, H. Ebel, A. Hofmann and R.Svagera. Experimental determination of attenuation lengths ofphoto- and Auger-electrons in silicon dioxide and in silicon nitride in energy range 500 ev
  145. Т., Яржемский В. Г., Нефёдов В. И., Чернышева JI.B., Амусья М. Я. Длины свободного пробега электронов в оксидах алюминия, кремния и германия. — Поверхность. Физика, химия, механика, 1988, N 4, стр. 49−54.
  146. R.Vidal, J. Ferron and R.H.Buitrago. Backscattering correction to depth profiling of interfaces. Appl. Surf. Sci., 1984, v. 20, pp. 145−153.
  147. I.R.Barkshire, M. Prutton and D.K.Skinner. Correction of backscattering effects in quantification of Auger depth profiles. Surf. Interface Anal., 1991, v. 17, pp. 213−218.
  148. G.Leveque, J.Bonnet. Quantitative correction of backscattering in Auger electron spectroscopy of thin films. Appl. Surf. Sci., 1995, v. 89, pp. 211−219.
  149. А., Штройбель П., Веран 3. Калибровка глубины при ионном травлении слоистых систем из металлов и А3В5 полупроводников. — Поверхность. Физика, химия, механика, 1987, N 10, стр. 37−42.
  150. R.Voigtmann and W.Moldenhauer. Quantification of sputter depth profiles by means of wedge crater sputtering a new technique for depth scale calibration. — Surf. Interface Anal., 1988, v. 13, pp. 167−172.
  151. Siegfried Hofmann and Jiang Yong Wang. Determination of the depth scale in sputter depth profiling. Journal of Surface Analysis, 2002, v. 9, N 3, pp. 306−309.
  152. Б.В.Фриден в кн.: Обработка изображений и цифровая фильтрация. Под ред. Хуанга. М.:Мир, 1975. стр. 193−270
  153. А.Н.Тихонов, В. Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач. М.:Наука, 1979. -260 с.
  154. А.Н., Гончарский А. В., Степанов В. В., Ягола А. Г. Численные методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1990. — 320 с.
  155. M.G.Dowsett and D.P.Chu. Quantification of secondary-ion-mass spectroscopy depth profiles using maximum entropy deconvolution with sample independent response function. -J. Vac. Sci. Technol. B, 1998, v. 16, N 1, pp. 377−381.
  156. B.B. Восстановление данных послойного ВИМС-анализа сверхтонких структур. — Автореферат диссертации канд.физ.-мат.наук. — Москва, 1999, 21 с.
  157. Е.Л. Шенноновский предел сверхразрешения и его достижение при восстановлении сигналов. ПТЭ, 1989, N 4, стр. 84−87.
  158. Е.Л. О пределе сверхразрешения при восстановлении сигналов. Радиотехника и электроника, 1990, вып. 1, стр. 68−87.
  159. В.И., Косарев Е. Л., Подоляк Е. Р. Комплекс программ восстановления сигналов из зашумлённых данных методом максимума правдоподобия. ПТЭ, 1991, N5, стр. 86−91.
  160. D.P.Chu, M.G.Dowsett, and G.A.Cooke. Characterization of the noise in ion mass spectrometry depth profiles.-]. Appl. Phys., 1996, v. 80, N 12, pp. 7104−7107.
  161. P. Ш. Математика диффузии в полупроводниках.— СПб.: Наука, 1999.-399 с.
  162. J.Crank. The mathematics of diffusion. Oxford at the Clarendon press, 1956. — 347 p.
  163. William H.P., Saul A.T., William T.V., Brain P.F. Numerical Recipes in С: The Art of Scientific Computing. SE. Cambridge University Press. 1992.
  164. P.M.Hall and J.M.Morabito. A formalism for extracting diffusion coefficients from concentration profiles. Surf. Sci., 1976, v. 54, pp. 79−90.
  165. Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, JI. В. Соколов, С. И. Чикичев. Искуственные подложки GeSi для гетероэпитаксии достижения и проблемы. Обзор. — ФТП, 2003, том 37, вып. 5, стр. 513−537.
  166. О. Millo, A. Many, and Y. Goldstein. Quantitative analysis of adsorbed layers by Auger electron spectroscopy. J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, v. 7, N 4, pp. 2688−2694.
  167. G.F.A.Van de Walle, L.J.Van Ijzendoorn, A.A.Van Gorkum, R.A.Van den Heuvel, A.M.L.Theunissen and D.J.Gravesteijn. Germanium diffusion and strain relaxation in Si/Sij. xGeJSi structures. Thin Solid Films, 1989, v. 183, pp. 183−190.
  168. Yu Yang, Shiji Jiang, Zihua Tian, Xinghui Wu, Chi Sheng and Xun Wang. Near Band-Edge Photoluminescence in strained and relaxed Sii. xGeJSi quantum wells. — Jpn. J. Appl. Phys., 1998, v. 37, pp. 1884−1888.
  169. H.Sunamura, S. Fukatsu, N. Usami and Y.Shiraki. Luminescence study on interdiffusion in strained Sii. xGeJSi single quantum wells grown by molecular beam epitaxy. — Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, N 12, pp. 1651−1653.
  170. Kai Shum, P.M.Mooney and J.O.Chu. Dislocation-relatedphotoluminescence peak shift due to atomic interdiffusion in SiGe/Si. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, N 8, pp. 1074−1076.
  171. J.-M.Baribeau, R. Pascual and S.Saimoto. Interdiffusion and strain relaxation in (SimGeJp superlattices. Appl. Phys. Lett., 1990, v. 57, N 15, pp. 1502−1504.
  172. K.Dettmer, W. Freiman, M. Levy, Yu.L.Khait and R.Beserman. Kinetics of interdiffusion in strained nanometer period Si/Ge superlattices studied by Raman scattering. — Appl. Phys. Lett., 1995, v. 66, N 18, pp. 2376−2378.
  173. R.People and J.C.Bean. Erratum: Calculation of critical thickness versus lattice mismatch for Sii. xGeJSi strained-layer heterostructures. Appl.Phys.Lett., 1986, v. 49, N 4, p. 229.
  174. E.V.Spesivtsev, S.V.Rykhlitsky, V.A.Shvets, S.I.Chikichev, A.S.Mardezhov, N.I.Nazarov, V.A.Volodin. Time-resolved microellipsometry for rapid thermal process monitoring. — Thin Solid Films, 2004, v. 455−456, pp. 700−704.
  175. P.I.Gadiduk, A. Nylandsted Larsen, J. Lundsgaard Hansen. Strain-relaxed SiGe/Si heteroepitaxial structures of low threading-dislocation density. Thin Solid Films, 2000, v.367, pp.120−125.
  176. Tetsuji Ueno, Toshifumi Irisawa, Yasuhiro Shiraki, Akira Uedono, Shoichiro Tanigawa. Low temperature buffer growth for modulation doped SiGe/Ge/SiGe heterostructures with high hole mobility. Thin Solid Films, 2000, v. 369, pp. 320−323.
  177. А. К. Гутаковский, С. И. Романов, О. П. Пчеляков, В. И. Машанов, JI. В. Соколов, И. В. Ларичкин. Эпитаксия кремния и твёрдых растворов германий-кремний на пористомкремнии. Изв. АН, серия физическая, 1999, том 63, N 2, стр. 255−261.
  178. Б.И.Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. — Ленинград: Наука, 1972.-384 с.
  179. J.C.Phillips and J.A.Van Vechten. Macroscopic model of formation of vacancies in semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1973, v. 30, N 6, pp. 220−223.
  180. S.M.Prokes and F.Spaepen. Interdiffusion in Si/Ge amorphous multilayer films. -Appl.Phys.Lett., 1985, v. 47, N 3, pp. 234−236.
  181. J.M.Sanz and S.Hofmann. A comparison between electron energy loss spectroscopy and Auger electron spectroscopy sputtering depth profilec ofTa20s/Ta. Thin Solid Films, 1984, v. 120, pp. 185−189.
  182. D.B.Aubertine and P.C.McIntyre. Influence of Ge concentration and compressive biaxial stress on interdiffusion in Si-rich SiGe alloy heterostructures. J. Appl. Phys., 2005, v. 97, pp. 13 531−1 -13 531−10.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!