Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Миграция электронных возбуждений и формирование спектров люминесценции в пространственно-неоднородных полупроводниковых структурах A3B5

Диссертация: Миграция электронных возбуждений и формирование спектров люминесценции в пространственно-неоднородных полупроводниковых структурах A3B5
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С точки зрения влияния миграции возбуждения на формирование спектра излучения представляется важной эволюция спектров в экситонной области (свободные и связанные экситоны) в зависимости от внутренних (характеристики кристалла) и внешних (условия эксперимента) параметров. Поэтому фундаментальной проблемой является исследование влияния на формирование спектров излучения транспорта неравновесных… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. МИГРАЦИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ЭКСИТОННЫЕ СПЕКТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В АРСЕНИДЕГАЛЛИЯ
    • 1. Влияние пространственно-неоднородного распределения центров на форму линии D°, x
    • 2. Экспериментальное наблюдение метастабильных состояний в затухании краевой фотолюминесценции арсенида галлия
      • 1. 1. Образцы и эксперимент
      • 1. 2. Долговременное затухание фотолюминесценции
    • 3. Захват носителей метастабильными центрами. Эксперимент
      • 1. 1. Зависимость от интенсивности возбуждения
      • 1. 2. Влияние температуры на захват носителей в метастабильные состояния
      • 1. 3. Влияние одноосного давления
      • 1. 4. Влияние магнитного поля на заселение метастабильных состояний
    • 4. Обсуждение зависимости заселения метастабильных состояний от внешних воздействий
      • 4. 1. Интенсивность
      • 4. 2. Зависимость от температуры одноосного давления и магнитного поля
    • 5. Влияние метастабильных состояний на стационарные спектры-вблизи края собственного поглощения
      • 5. 1. Соотношение интенсивностей линий D, х и D°, h
      • 5. 2. Спектральное положение и ширина линии D°, x
  • Выводы к главе 1
  • ГЛАВА II. ИЗЛУЧЕНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННО-НЕПРЯМЫХ ЭКСИТОНОВ В СВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ
    • 1. Эксперимент
      • 1. 1. Форма линии излучения
      • 1. 2. Влияние внешнего электрического поля и интенсивности фотовозбуждения на эволюцию полуширины линии люминесценции пространственно-непрямых экситонов
      • 1. 3. Влияние внешнего магнитного поля на поведение непрямого экситона
    • 2. Гигантский всплеск интенсивности излучения линии пространственно-непрямых экситонов в двойных квантовых ямах
  • GaAs/AlGaAs
    • 3. Излучение конденсированного состояния экситонов
      • 3. 1. Экспериментальные результаты
      • 3. 2. Перенос фазы
  • Выводы к главе II
  • ГЛАВА III. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ GaN,
  • ЛЕГИРОВАННЫХ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ
    • 1. 1. Образцы и эксперимент
    • 1. Фотолюминесценция GaN
      • 1. 2. Исследование поляризованной фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaN
    • 2. Близкраевая фотолюминесценция кристаллов GaN, легированных редкоземельными элементами (GaN)
      • 2. 1. Введение и свойства РЗИ
      • 2. 2. Спектры кристаллов n-GaN, легированных редкоземельными элементами Sm, Eu и Er. a) Легирование GaN Sm, Eu. b) Легирование n-GaN Er
    • 3. Комплексное легирование редкоземельными элементами
      • 3. 1. Фотолюминесценция n-GaN
      • 3. 2. Фотолюминесценция p-GaN
      • 3. 3. Фотолюминесценция n-GaN
      • 3. 4. Фотолюминесценция p-GaN
    • 4. Обсуждение особенностей формирования спектров люминесценции в
  • GaN разных типов проводимости, легированных РЗИ
  • Выводы к главе III
  • ГЛАВА IV. МИГРАЦИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ФОРМА ЛИНИИ ИЗЛУЧЕНИЯ В СТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ НА
  • ОСНОВЕ InGaN/GaN
    • 1. Стационарные спектры люминесценции
      • 1. 1. Спектральное положение линии люминесценции
      • 1. 2. Интенсивность линии люминесценции
    • 2. Формирование линии люминесценции
    • 3. Спектры фотолюминесценции при импульсном возбуждении
      • 3. 3. Встроенные электрические поля
    • 4. Перенос возбуждения
    • 5. Электролюминесценция структур с квантовыми ямами на основе
    • I. nGaN/GaN
    • 6. Люминесценция структур с квантовыми ямами InGaN/GaN, легированных Ей и Ег
      • 6. 1. Влияние легирования Ей, на сенсибилизацию излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и GaMInGaN
  • Выводы к главе IV

Миграция электронных возбуждений и формирование спектров люминесценции в пространственно-неоднородных полупроводниковых структурах A3B5 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Различные аспекты спектров люминесценции и их связи с параметрами.

3 5 полупроводниковых структур, А В интенсивно исследуются более тридцати лет. Интерес к данной проблеме связан необходимостью установления взаимосвязи между разнообразными процессами, определяющими поведение электронных возбуждений и свойствами полупроводниковых структур. Свойства реальных полупроводниковых кристаллов наряду с типом кристаллической решетки определяются разнообразными отклонениями от идеальности. К таким отклонениям относятся различные дефекты кристаллической решетки, которые отождествляются с локальными неоднородностями среды. Эти неоднородности обуславливают поведение электронной подсистемы кристаллов, которая определяет большинство фундаментальных и прикладных свойств полупроводниковых материалов. К наиболее важным свойствам, безусловно, относятся процессы рекомбинации неравновесных носителей или, иными словами, процессы преобразования энергии возбуждения. Самым информативным методом изучения поведения электронной подсистемы является исследование спектров люминесценции вблизи края собственного поглощения кристаллов (БКФЛ) и, особенно экситонных спектров. Это обусловлено тем, что характеристики спектра экситонной люминесценции (наличие тех или иных линий, их форма, интенсивность, полуширина, время затухания) достаточно полно отражают динамику неравновесных носителей заряда в кристаллах и поэтому позволяют судить о влиянии на нее процессов с участием разнообразных дефектов в материале. При этом характеристики спектра люминесценции определяются способностью электронных возбуждений (в частности, неравновесных носителей) перемещаться по кристаллу и в результате дойти до центров как излучательной, так и безызлучательной рекомбинации.

С точки зрения влияния миграции возбуждения на формирование спектра излучения представляется важной эволюция спектров в экситонной области (свободные и связанные экситоны) в зависимости от внутренних (характеристики кристалла) и внешних (условия эксперимента) параметров. Поэтому фундаментальной проблемой является исследование влияния на формирование спектров излучения транспорта неравновесных носителей в полупроводниковых структурах. Это обусловлено тем, что перенос является промежуточным процессом между первичным актом возбуждения и всеми конечными процессами, в которых используется энергия электронов. Именно поэтому вопросы, связанные с проблемой миграции возбуждения и взаимосвязи с особенностями излучения актуальны и имеют очень давнюю историю. При этом необходимо отметить следующие аспекты, связанные с проблемами переноса возбуждения в полупроводниковых структурах: среда, как правило, рассматривается пространственно однородной и, вследствие этого, не установлено детальное соответствие между переносом возбуждения и особенностями формирования спектров излучения (а значит, процессами рекомбинации) с одной стороны и структурными параметрами материала с другой.

Целью настоящей работы явилось выяснение корреляции между локализованными состояниями, неоднородно распределенными в пространстве, и особенностями спектра излучения в полупроводниковых.

3 5 эпитаксиальных структурах, А В. При этом основное внимание уделялось исследованию влияния миграции электронных возбуждений на формирование спектра люминесценции. В диссертации исследовались эпитаксиальные слои GaAs, GaN и квантовые ямы GaAs/AlGaAs и GaN/InGaN, содержащие в латеральной плоскости следующие неоднородности: квантовые точкиостровки с микронными и субмикронными размерами и комплексы с редкоземельными ионами (в основном на примере европия и эрбия.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые получены следующие результаты:

Для случая n-GaAs и для связанных квантовых ям GaAs/AlGaAs:

1. Исследована эволюция интеграла длительного послесвечения (Bms) в эпитаксиальных слоях n-GaAs в зависимости от одноосного сжатия (РД температуры (Ть) и магнитного поля (Bf).

2. Обнаружен резонансный механизм обмена носителями между подсистемой свободных электронов и резервуаром метастабильных локализованных электронов.

3. Установлено, что энергетическое положение метастабильного уровня соответствует энергетическому диапазону разрешенной зоны и отстоит от края зоны на величину нескольких миллиэлектроновольт (meV).

4. Найдено, что параметры спектра в экситонной области — спектральное положение, полуширина линий излучения D°, x и D°, h и соотношение интенсивностей этих линий коррелируют с величиной интеграла послесвечения (Bms), который отражает концентрацию метастабильных состояний в кристаллах n-GaAs.

5. Установлено, что в связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в области определенных значений внешних электрических полей (VdC) имеет место резкое изменение полуширины (FWHM) линии излучения пространственно-непрямого экситона и в процессе изменения наблюдается возникновение аномально больших низкочастотных флуктуаций интенсивности линии.

6. Экспериментально определены границы резкого изменения ширины (FWHM) линии излучения пространственно-непрямого экситона в связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при монотонном изменении величин внешнего электрического поля (VdC) и интенсивности возбуждения (1р).

7. На основании эволюции (не монотонного изменения) полуширины (FWHM) и возникновения аномально больших низкочастотных флуктуаций интенсивности линии излучения пространственно-непрямого экситона (при Т<4.5К) построена фазовая энергетическая диаграмма состояния и определены условия существования коллективного состояния экситонов.

8. Обнаружено, что величине внешнего электрического поля (VdC) и интенсивности возбуждения (1р), отвечающим минимальному значению FWHM линии пространственно-непрямых экситонов появляется узкая диаграмма направленности излучения при резком одновременном увеличении линейной поляризации.

Случай несвязанных квантовых ям InGaN/GaN и кристаллов GaN, легированных редкоземельными элементами (RE):

9. Установлено, что формирование спектра фотои электролюминесценции в квантовых ямах (MQW) InGaN/GaN определяется коррелированным поведением встроенных электрических полей и долгоживущих локализованных состояний.

10. Исследован процесс обмена электронным возбуждением между различными неоднородностями в квантовых ямах на основе Ill-нитридов.

11. В структурах InGaN/GaN с разными величинами внешнего квантового выхода обнаружены различные функциональные зависимости анизотропии (линейной поляризации) излучения от мощности накачки.

12. Установлено, что зависимость величины линейной поляризации (Рцп) от мощности возбуждения (Wex) обусловлена процессами переноса заряда между кластерами в латеральной плоскости.

13. Исследованы особенности спектра излучения квантовых ям InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs при легировании редкоземельными ионами Ей и Ег.

14. Экспериментально показано, что результат легирования РЗИ структур с квантовыми ямами, проявляющийся в спектрах люминесценции, существенно зависит от пространственно-энергетической упорядоченности слоев этих структур.

15. Обнаружено, что в зависимости от степени пространственно-энергетической упорядоченности слоев внедрение РЗИ приводит либо к переносу неравновесных носителей на атомные уровни РЗИ, либо к образованию изовалентных ловушек в барьере.

16. Показано, что в вюрцитных кристаллах GaN с n-типом проводимости результат легирования редкоземельными ионами (РЗИ) зависит от степени совершенства полупроводниковой матрицы (концентрации дефектов и величины Nd — NA): в дефектном материале происходит трансформация состояний дефектов по величине радиуса локализации неравновесных носителей.

17. Обнаружен эффект сенсибилизации близ краевого излучения в вюрцитных кристаллах p-GaN при легировании Ей и Ег и последующем легировании Zn.

Научная и практическая значимость работы.

Научная ценность работы состоит в том, что в ней установлена корреляция между процессами миграции электронных возбуждений, особенностями спектров излучения и параметрами пространственно-неоднородных полупроводниковых структур А3В5 на основании систематического изучения влияния транспорта электронных возбуждений на формирование спектров излучения.

Новизна подхода обусловлена тем, что при решении поставленной проблемы использовались как присущие данному объекту предварительно классифицированные) неоднородности, так и целенаправленно созданные в результате дополнительного легирования и приложения внешних полей (электрического, магнитного и деформационного). Кроме того, при анализе экспериментального материале в диссертации выделено два крайних случая: 1 — скорость захвата неравновесных носителей на центр ограничена скоростью энергетических потерь, то есть электроны быстрее достигают центра, чем захватываются на него- 2 — скорость захвата на центр ограничена, например, скоростью пространственной диффузии носителей к центрам захвата. Безусловно, что наличие каждого из этих случаев и соотношение между ними определяется многими факторами и, в том числе, условиями п С эксперимента. Применительно к полупроводниковым структурам, А В к первому случаю можно отнести совершенные эпитаксиальные слои п-GaAs (NdNa<1014cm" 3- плотность дислокаций <104 см" 2) и квантовые ямы на основе GaAs/AlGaAs. Второму случаю отвечает GaN и квантовые ямы (MQW) на основе InxGaixN.

В работе детально исследовано влияние внешних и встроенных электрических полей на эволюцию спектров излучения в квантовых ямах GaAs/AlGaAs и InGaN/GaN, а также в GaAs и GaN, при наличии пространственных неоднородностей, которые образуют связывающий потенциал электронных возбуждений. В ходе исследований впервые наблюдалась корреляция между характеристиками спектра излучения связанных экситонов и концентрацией резонансных («глубоких») центров и наличием пространственной неоднородности эпитаксиальных слоев GaAs. На примере различных эпитаксиальных слоев GaN и квантовых ям InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs впервые экспериментально определен коррелированный с электрическим полем вклад ловушек, порождаемых флуктуациями потенциала на гетерограницах, в процесс формирования спектра люминесценции. На основании исследования эволюции спектров люминесценции двойных квантовых ям GaAs/AlGaAs показано, что характеристики линии фотолюминесценции определяются коллективными свойствами пространственно-непрямых экситонов. В рамках работы впервые изучено влияние легирования редкоземельными элементами на спектры близ краевой фотолюминесценции III-нитридов и определена роль миграции электронного возбуждения в процессе формирования спектра излучения. Обнаружено, что при совместном легировании эпитаксиальных слоев GaN Eu и Zn наблюдается эффект сенсибилизации (увеличение на порядок интенсивности близ краевой фотолюминесценции). Определена корреляция между спектрами фотолюминесценции и структурными параметрами наноструктур на основе InGaN/GaN, легированных Ей. В менее совершенных структурах внедрение РЗИ приводит к образованию изовалентных ловушек в барьере, которые эффективно захватывает неравновесные носители, в результате чего интенсивность фотолюминесценции структуры возрастает на порядок. В достаточно совершенных структурах в процессе миграции возбуждения происходит перенос электронного возбуждения на атомные уровни 5D2, 5Dj иона Eu.

Практическая ценность диссертации состоит в том, что продемонстрирована эффективность использования фотолюминесценции для получения разнообразной информации, как о свойствах электронной подсистемы, так и о структурных особенностях конденсированной среды. В результате этих исследований определена корреляция между структурными параметрами неоднородных наноструктур и механизмами миграции возбуждения и захвата носителей, что позволит на основании новых знаний повысить эффективность различных устройств, созданных на основе наноструктур.

Апробация работы. Основные результаты исследований, вошедших в диссертацию, были доложены и обсуждены на 19 отечественных и 7 международных конференциях, симпозиумах, школах и семинарах: Труды 11-й Всесоюзной конференции по физике полупроводников, с. 323, Кишинев сентябрь 1988; Тезисы доклада на 12-й Всесоюзной конференции по физике полупроводников Киев, 1990; Abs. l" th Int.Conf.on Epitaxial Growth, Hungary, Budapest, 1990; Тезисы докладов IIй Российской конференции по физике полупроводников, с. 98, 118, Зеленогорск 1996; Тезисы 3-й Всероссийской конференции по физике полупроводников, с. 215, Москва 1997; Сборник трудов международного симпозиума Наноструктуры, с. 189, С.-Пб, (2000) — Сборник трудов международного симпозиума Наноструктуры, с. 27, С.-Пб, (2001) — Тезисы докладов VIй Российской конференции по физике полупроводников, с. 60, 74, 464, 467, 472, С.-Пб 2003; Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции-Нитриды галлия, индия и алюминия, с. 28, 29, 30, С.-Пб, 2003; Тезисы докладов 2-й Всероссийской конференции-Нитриды галлия, индия и алюминия, с. 29, С.-Пб, 2003; Тезисы докладов 3-й Всероссийской конференции-Нитриды галлия, индия и алюминия, с. 29, Москва, 56, 71, 82, 145, 2004; Тезисы докладов 4-й Всероссийской конференции-Нитриды галлия, индия и алюминия, с. 72, 100, 101, С.-Пб, 2005; Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции-Нитриды галлия, индия и алюминия, с. 129, 131. 133, 149, С.-Пб, 2007; Тезисы докладов на международной школе по физике полупроводников, с.27−32, С.-Пб, 2005; Тезисы докладов VIIIй Российской конференции по физике полупроводников, с. 232, 310, 318, Екатеринбург 2007. А также на семинарах в ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Публикации. По теме исследования опубликовано 27 печатных работ, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации

Работа состоит из введения, четырех глав, перечня основных результатов и списка цитированной литературы. Первая глава посвящена экспериментальному исследованию процессов миграции возбуждения в нелегированных эпитаксиальных слоев n — GaAs.

Выводы.

1. Установлено, что формирование спектра фотои электролюминесценции в квантовых ямах (MQW) InGaN/GaN определяется коррелированным поведением встроенных электрических полей и долгоживущих локализованных состояний.

Исследован процесс обмена электронным возбуждением между различными неоднородностями в квантовых ямах на основе Ill-нитридов. В структурах InGaN/GaN с разными величинами внешнего квантового выхода обнаружены различные функциональные зависимости анизотропии (линейной поляризации) излучения от мощности накачки. Установлено, что зависимость величины линейной поляризации (Рцп) от мощности возбуждения (Wex) обусловлена процессами переноса заряда между кластерами в латеральной плоскости.

Показано, что в вюрцитных кристаллах GaN с n-типом проводимости результат легирования редкоземельными ионами (РЗИ) зависит от степени совершенства полупроводниковой матрицы (концентрации дефектов и величины Nd — Na): в дефектном материале происходит трансформация состояний дефектов по величине радиуса локализации неравновесных носителей.

Исследованы особенности спектра излучения квантовых ям InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs при легировании редкоземельными ионами Ей и Ег. Экспериментально показано, что результат легирования РЗИ структур с квантовыми ямами, проявляющийся в спектрах люминесценции, существенно зависит от пространственно-энергетической упорядоченности слоев этих структур.

4. Исследованы процессы обмена возбуждением между различными неоднородностями без переноса заряда путем исследования анизотропии (поляризации) излучения в структурах с различными величинами интенсивности излучения. Показано, что чем больше интенсивность излучения в структуре, тем меньше величина анизотропии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Полученные в работе результаты отражают корреляцию между свойствами пространственно-неоднородной среды, транспортом электронного возбуждения и особенностями формирования спектров люминесценции.

I. В ситуации, когда скорость захвата неравновесных носителей на центр ограничена скоростью энергетических потерь, то есть электроны быстрее достигают центра, чем захватываются на него, пространственная неоднородность заключается в распределении дефектов с разным радиусом локализации носителей — случай n-GaAs и квантовых ям GaAs/AlGaAs.

Для случая n-GaAs впервые получены следующие результаты:

1. Исследована эволюция интеграла длительного послесвечения (Bms) в эпитаксиальных слоях n-GaAs в зависимости от одноосного сжатия (Pd), температуры (Ть) и магнитного поля (Bf).

2. Обнаружен резонансный механизм обмена носителями между подсистемой свободных электронов и резервуаром метастабильных локализованных электронов.

3. Установлено, что энергетическое положение метастабильного уровня соответствует энергетическому диапазону разрешенной зоны и отстоит от края зоны на величину нескольких миллиэлектроновольт (meV).

4. Найдено, что параметры спектра в экситонной области — спектральное положение, полуширина линий излучения D°, x и D°, h и соотношение интенсивностей этих линий коррелируют с величиной интеграла послесвечения (Bms)> который отражает концентрацию метастабильных состояний в кристаллах n-GaAs.

Для связанных квантовых ям GaAs/AlGaAs:

5. Установлено, что в связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в области определенных значений внешних электрических полей (Vdc) имеет место резкое изменение полуширины (FWHM) линии излучения пространственно-непрямого экситона и в процессе изменения наблюдается возникновение аномально больших низкочастотных флуктуаций интенсивности линии.

6. Экспериментально определены границы резкого изменения ширины (FWHM) линии излучения пространственно-непрямого экситона в связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при монотонном изменении величин внешнего электрического поля (VdC) и интенсивности возбуждения (1р).

7. На основании эволюции (не монотонного изменения) полуширины (FWHM) и возникновения аномально больших низкочастотных флуктуаций интенсивности линии излучения пространственно-непрямого экситона (при Т<4.5К) построена фазовая энергетическая диаграмма состояния и определены условия существования коллективного состояния экситонов.

8. Обнаружено, что величине внешнего электрического поля (Vdc) и интенсивности возбуждения (1р), отвечающим минимальному значению FWHM линии пространственно-непрямых экситонов появляется узкая диаграмма направленности излучения при резком одновременном увеличении линейной поляризации.

9. Установлено, что формирование спектра фотои электролюминесценции в квантовых ямах (MQW) InGaN/GaN определяется коррелированным поведением встроенных электрических полей и долгоживущих локализованных состояний.

II. В ситуации, когда скорость захвата на центр ограничена не скоростью энергетических потерь, а способностью носителей достичь центра. Эта способность ограничена, например, скоростью пространственной диффузии носителей к центрам захвата — случай GaN, InGaN/GaN и, в том числе легированных редкоземельными металлами. Случай не связанных квантовых ям InGaN/GaN:

10. Исследован процесс обмена электронным возбуждением между различными неоднородностями в квантовых ямах на основе Ш-нитридов.

11. В структурах InGaN/GaN с разными величинами внешнего квантового выхода обнаружены различные функциональные зависимости анизотропии (линейной поляризации) излучения от мощности накачки.

12. Установлено, что зависимость величины линейной поляризации (Рцп) от мощности возбуждения (Wex) обусловлена процессами переноса заряда между кластерами в латеральной плоскости.

13. Исследованы особенности спектра излучения квантовых ям InGaN/GaN, GaAs/AlGaAs при легировании редкоземельными ионами Ей и Ег.

14. Экспериментально показано, что результат легирования РЗИ структур с квантовыми ямами, проявляющийся в спектрах люминесценции, существенно зависит от пространственно-энергетической упорядоченности слоев этих структур.

15. Обнаружено, что в зависимости от степени пространственно-энергетической упорядоченности слоев внедрение РЗИ приводит либо к переносу неравновесных носителей на атомные уровни РЗИ, либо к образованию изовалентных ловушек в барьере.

16. Показано, что в вюрцитных кристаллах GaN с n-типом проводимости результат легирования редкоземельными ионами (РЗИ) зависит от степени совершенства полупроводниковой матрицы (концентрации дефектов и величины Nd — NA): в дефектном материале происходит трансформация состояний дефектов по величине радиуса локализации неравновесных носителей.

17. Обнаружен эффект сенсибилизации близ краевого излучения в вюрцитных кристаллах p-GaN при легировании Ей и Ег и последующем легировании Zn.

Полученные результаты имеют значительную физическую общность и поэтому соответствуют физическим явлениям в структурах различных полупроводниковых материалов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A. Bonnot, С. Benoit a la Guillaume, Polaritons //(Proc. 1-st Taorima Research Conf on the Structure of Matter, 1972)/ Ed. By E. Burstein and F. Martini, 1974, Pergamon N.Y., p. 197
  2. B.B. Травников, B.B. Криволапчук, ЖЭТФ, Кинетика и люминесценция поляритонов// ЖЭТФ, т.85, с. 2087, (1983)
  3. В.В. Криволапчук, С. А. Пермогоров, В. В. Травников, Зависимость времени жизни и длины диффузии свободных экситонов от интенсивности возбуждающего света//ФТТ, 23, с. 606, (1981)
  4. В.В. Травников, В. В. Криволапчук, Интенсивность фотовозбуждения и кинетика экситонов// Письма в ЖЭТФ, т.34, с. 347, (1981)
  5. В.В. Травников, В. В. Криволапчук, Диффузия экситонов и самопоглощение резонансного излучения// ФТТ, 24, с. 961, (1981)
  6. В.В. Травников, В. В. Криволапчук, Пленение поляритонов// Письма в ЖЭТФ, т.37,419, (1982)
  7. В.В. Травников, В. В. Криволапчук, Влияние поверхности и размера образцов на кинетику и пленение поляритонов// Письма в ЖЭТФ, т.38, с. 419, (1983)
  8. В.М. Ботнарюк, Ю. В. Жиляев, В. В. России, Т. В. Россина, В. В. Травников, Влияние интенсивности возбуждения на люминесценцию поляритонов в арсениде галлия// ФТТ, 28, 201, (1986)
  9. Ю.В. Жиляев, Г. Р. Маркарян, В. В. России, Т. В. Россина, В. В. Травников, Поляритонная люминесценция GaAs// ФТТ, 28,2688, (1986)
  10. С. Benoit a La Guliaume, P. Lavalard, Excited States of an Exciton Bound to a Neutral Donor//Phys.Stat.Sol.(b), 70, K143, (1975)
  11. В. В. Криволапчук, С. А. Пермогоров, B.B. Травников, Травников, Зависимость времени жизни и длины диффузии свободных экситонов от интенсивности возбуждающего света// ФТТ, 23, с. 606, (1981) — В.В.
  12. , В.В. Криволапчук, Диффузия экситонов и самопоглощение резонансного излучения// ФТТ, 24, 961, (1982)
  13. D.C. Reynolds, D.W. Langer, C.W. Litton, G.L. McCoy, K.K. Bajaj, Intensity-Reversal in the Donor Bound Exciton Luminescence of GaAs// Sol.St.Commun., v.46, 473, (1983)
  14. Yu.V. Zhilyaev, V.V. Krivolapchuk, A.V. Rodionov, V.V. Rossin, T.V. Rossina, Yu.N. Sveshnikov, Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique// Phys.Stat.Sol.(a), 89, K61, (1985)
  15. A.B. Акимов, A.A. Каплянский, B.B. Криволапчук, E.C. Москаленко// Письма в ЖЭТФ, Проявление метастабильных локализованных состояний дырок в медленной кинетике краевой люминесценции n-GaAs, т.46, с. 35, (1987)
  16. А.В. Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, Н. К. Полетаев, В. Г. Шофман, Экспериментальное наблюдение дырок в n-GaAs, высвободившихся в результате Оже-распада локализованных состояний// ФТП, т.25, с. 713, (1991)
  17. А.В. Акимов, В. В. Криволапчук, Н. К. Полетаев, В. Г. Шофман, Люминесцентное исследование долговременной кинетики носителей в эпитаксиальном арсениде галлия// ФТП, т.27, с. 310, (1993)
  18. В.В. Криволапчук, М. М. Мездрогина, Н. К. Полетаев, Влияние корреляции между подсистемами мелких и глубоких метастабильных уровней на экситонные спектры фотолюминесценции в п- типе GaAs// ФТТ, 45, 29, (2003)
  19. Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус// Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972), Гл. 7,с.524, 545.
  20. А.Н. Васильев, В.В. Михайлин// Введение в спектроскопию твердого тела, Издательство Московского университета, 1987, с. 59.
  21. C.H. Henry, D.V. Lang, Nonradiative capture and recombination by ultiphonon emission in GaAs and GaP// Phys.Rev.B, v.15, p.989, (1977)
  22. В.Н. Абакумов, И. А. Меркулов, В. И. Перель, И. Н. Ясиевич, К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр// ЖЭТФ, т.89, с. 1472, (1985)
  23. R. Kubo, Thermal ionization of trapped electrons// Phys.Rev. 86, p.929, (1952)
  24. R. Kubo, Y. Toyozawa, Application of the Method of Generating Function to Radiative and Non-Radiative Transition of a Trapped Electron in a Crystal// Progr. Theor. Phys., 13, p. 160, (1955)
  25. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц, Квантовая механика. Наука, М. (1974), с. 215.
  26. С. -Weisbuch, Photocarrier thermalization by laser Excitation spectroscopy// Solid St. Electronics, Solid St. Electronics, 2Л, 179, (1978)
  27. Г. Дрессельхауз, M. Дрессельхауз, Магнитооптические эффекты в твердых телах в Сб. «Оптические свойства полупроводников» под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира, Москва, «Мир», (1970), с. ЗЗЗ
  28. В.В. Криволапчук, Н. К. Полетаев, Л. М. Федоров, Влияние метастабильных состояний на формирование стационарных спектров фотолюминесценции n-GaAs// ФТП, 28, 310, (1994)
  29. Е.Н. Bogardus, Н.В. Bebb, Bound-Exciton, Free-Exciton, Band-Acceptor, Donor-Acceptor and Auger Recombination in GaAs// Phys.Rev., 176, 993, (1968)
  30. Б. Ридли, Квантовые процессы в полупроводниках, Москва, «Мир», (1986), Гл.4
  31. Б.Л. Гельмонт, Н. Н. Зиновьев, Д. И. Ковалев, В. А. Харченко, И. Д. Ярошецкий, И. Н. Ясиевич, Оже-рекомбинация связанных экситонов, индуцируемая акустическими фононами// ЖЭТФ, 94, 332, (1988)
  32. G. Brunthaler, К. Ploog, W. Jantsch, Photoluminescence Transients Due to Hole Capture at DX Centers in AlxGai. xAs:Si// Phys.Rev.Lett, 63, 2276, (1989)
  33. C.J. Hwang, Lifetimes of Free and Bound Excitons in High-Purity GaAs// Phys.Rev.B, 8, 646,(1973)
  34. U. Heim, P. Hiesenger, Luminescence and Excitation Spectra of Exciton Emission in GaAs// Phys. St. Sol.(b), 66, 461, (1974)
  35. B.B. Криволапчук, M.M. Мездрогина, H.K. Полетаев, Заселение метастабильных состояний в n-GaAs// ФТТ, 45, 785, (2003)
  36. А.Э. Васильев, Н. П. Ильин, В. Ф. Мастеров, Расчет спиновой поляризации электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках: хром в арсениде и фосфиде галлия// ФТП, 23, 804, (1989)
  37. Д.Е. Онопко, Н. Т. Баграев, А. И. Рыскин, Химически связанные и реконструированные состояния легирующих центров в полупроводниках// ФТТ, 30, 142, (1996).
  38. Д.Е. Онопко, Н. Т. Баграев, А. И. Рыскин, Электронно-структурная метастабильность катионных донорных центров в GaAs// ФТП, 31, 1310, (1997).
  39. Д.Е. Онопко, А. И. Рыскин, Структура метастабильных центров атомов III группы в кристаллах IV-VI// ФТП, 34, 270, (2000).
  40. P.M. Moony, Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors// J.Appl.Phys., 67, Rl, (1990)
  41. D.J. Chadi, K.J. Chang, Theory of the Atomic and Electronic Structure of DX Centers in GaAs and AlxGaixAs Alloys// Phys.Rev.Lett. 61, 873, (1988)
  42. T.N. Morgan, Matter. Sci. Forum, 38−41, 1079, (1989)
  43. D.J. Chadi, K.J. Chang, Energetic of DX-center formation in GaAs and AlxGaixAs alloys// Phys.Rev. В 39, 10 063, (1989)
  44. C.A. Москаленко, Бозе-эйнштейновская конденсация экситонов и биэкситонов// Изд-во Академии наук Молдавской ССР, Кишинев (1970).
  45. Ю.Е. Лозовик, В. И. Юдсон, Новый механизм сверхпроводимости: спаривание между пространственно разделенными электронами и дырками//ЖЭТФ, 71, 738 (1976).
  46. И.В. Лернер, Ю. Е. Лозовик, Двумерные электронно-дырочные системы в сильном магнитном поле как почти идеальный газ экситонов// ЖЭТФ, 80, 1488 (1981).
  47. D. Yoshioka, А.Н. MacDonald, Double Quantum-Well Electron-Hole System in strong Magnetic-Fields// J.Phys.Soc.Jpn., 59,12, 4211 (1990).
  48. Ю.Е. Лозовик, О. Л. Берман, Фазовые переходы в системе пространственно-разделенных электронов и дырок// ЖЭТФ 111, 1879, (1997)
  49. Л.В. Бутов, В. Д. Кулаковский, Экситонный диэлектрик в квазидвумерной магнитоплазме// Письма в ЖЭТФ 53,444, (1991).
  50. Т. Fukuzawa, Е.Е. Mendez, J.M. Hong, Phase transition of an exciton system in GaAs coupled quantum wells// Phys.Rev.Lett. 64, 3066, (1990)
  51. В.В. Криволапчук, А. Л. Жмодиков, Д. А. Мазуренко, Е. С. Москаленко, Н. К. Полетаев, Аномальное воздействие магнитного поля на непрямой экситон в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs// ФТТ 40, 803, (1998)
  52. J.A. Kash, M. Zachau, E.E. Mendez, J.M. Hong, T. Fukuzawa, Fermi-Dirac distribution of excitons in coupled quantum wells// Phys.Rev.Lett. 66 (1991) 2247
  53. В.Б. Тимофеев, A.B. Ларионов, Дж. Зееман, Г. Мартинез, Дж. Хвам, Д. Биркедал, К. Соеренсен, Междуямная излучательная рекомбинация двумерного электронного газа в двойных квантовых ямах с напряжением смещения// УФН, 168, 117, (1998)
  54. J. Feldman, G. Peter, Е.О. Gobel, P. Dawson, K. Moore, C.T. Foxon, RJ. Elliott, Linewidth dependence of radiative exciton lifetimes in quantum wells// Phys.Rev.Lett. 59, 2337 (1987)
  55. G.D. Gilliland, A. Antonelli, D.J. Wolford, K.K. Bajaj, J. Klem, J.A. Bradley, Direct measurement of heavy-hole exciton transport in type-II GaAs/AlAs superlattices// Phys. Rev. Lett. 71, 3717 (1993)
  56. Johnson Lee, Emil S. Koteles, H.O. Vasel, Luminescence linewidths of excitons in GaAs quantum wells below 150 К// Phys.Rev.B., v.33, N8, 5512, (1986) — S. Rudin, T.L. Reinecke, Sol.Stat.Commun., 68, N8, 739, (1988)
  57. V.B. Timofeev, A.V. Larionov, A.S. Ioselevich, J. Zeman, G. Martinez, J. Hvam, K. Soersen, Interwell radiative recombination in the presence of Random potential fluctuations in GaAs/AlGaAs biased double quantum wells// JETP Letters, 67, 613, (1998)
  58. Я.Е. Покровский, К. И. Свистунова, Возникновение конденсированной фазы неравновесных носителей заряда в германии// Письма в ЖЭТФ, 9, 435,(1969)
  59. I.V. Butov, A. Zrenner, G. Abstreiter, A.V. Petinova, К. Ebert, Direct and indirect magnetoexcitons in symmetric InxGai. xAs/GaAs coupled quantum wells//Phys.Rev.B., v.52, 12 153, (1995)
  60. А.В. Горбунов, В. Б. Тимофеев, Крупномасштабная когерентность Бозе-конденсата пространственно-непрямых экситонов// Письма в ЖЭТФ, 84, 390, (2006)
  61. F. Dalfolo, S. Giorgini, L.P. Pitaevskii, S. Stringari, Theory of Bose-Einstein condensation in trapped gases// Rev. of Mod.Phys., 71, 463, (1999).
  62. Yu. Kagan, G.V. Shlyapnikov, J.T. M. Walraven, Bose-Einstein Condensation in Trapped Atomic Gases// Phys.Rev.Lett. 76, 2670, (1996)
  63. C.A. Sackett, H.T. C. Stoof, R.G. Hulet, Growth and Collapse of a Bose-Einstein Condensate with Attractive Interaction// Phys.Rev.Lett. 80, 2031 (1998)
  64. S.A. Moskalenko and D.W. Snoke, Bose-Einstein condensation of excitons and biexcitons and coherent nonlinear optics with excitons// Cambridge University Press, Cambridge 2000, in press.
  65. L.V. Butov, Z. Zrenner, G. Abstreiter, G. Bohm, G. Weimann, Condensation of Indirect Excitons in Coupled AlAs/GaAs Quantum Wells// Phys.Rev.Lett., 73, 304, (1994).
  66. See Chapter 1 by D.W.Snoke, G. Baym and Chapter 2 by K. Huang in Bose-Einstein condensation, ed. by A. Griffm, D.W.Snoke, S. Stringari, Cambridge University Press, Cambridge 1995.
  67. P. Kapitza, Visconsity of Liquid Helium below the X — Point// Nature 141, 74 (1938) — J.F. Allen, A.D. Misener, Flow of Liquid Helium II// Nature 141, 75 (1938).
  68. F. London, The X Phenomenon of Liquid Helium and the Bose-Einstein Degeneracy//Nature 141, 643 (1938)
  69. P.E. Sokol in Bose-Einstein condensation, ed. by A. Griffin, D.W. Snoke, S. Stringari, Cambridge University Press, Cambridge 1995, p.51.
  70. A. Alexandrou, J.A. Kash, E.E. Mendez, M. Zachau, J.M. Hong, T. Fukuzawa, Y. Hase, Electric-field effects on exciton lifetimes in symmetric coupled GaAs/Al0.3Ga0.7As double quantum wells// Phys.Rev.B, 42, 9225 (1990)
  71. P.C. Hohenberg, Existence of Long-Range Order in One and Two Dimensions// Phys.Rev., 158, 383, (1967)
  72. Xuejun Zhu, P.B. Littlewood, M.S. Hybertsen, T.M. Rice, Exciton Condensate in Semiconductor Quantum Well Structures// Phys.Rev.Lett., 74, 1633, (1995)
  73. J.F. Jan, Y.C. Lee, Bose-Einstein condensation of excitons in two dimensions, Phys.Rev.B, 58, R1714 (1998)
  74. A. Einstein, Sitzber. Kgl. Preuss. Acad. Wiss, 261 (1924) — S. N. Bose, Z.Phys. 26, 178 (1924)
  75. Y.C. Lee, C.S. Chu, E. Castano, Effects of finite electric field and inelastic scattering on Anderson localization in two dimensions// Phys.Rev.B, 27, 6136 (1983)
  76. C.A. Москаленко, Обратимые оптико-гидродинамические явления в неидеальном экситоном газе, ФТТ, 4, 276, (1962)
  77. Л.В.Келдыш, Ю. В. Копаев, Возможная неустойчивость полуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия// ФТТ, 6, 2791, (1964)
  78. Л.В.Келдыш, А. Н. Козлов, Коллективные свойства экситонов в полупроводниках// ЖЭТФ, 54, 978, (1968)
  79. В.А. Гергель, Р. Ф. Казаринов, Р. А. Сурис, Оптические свойства экситонного конденсата в полупроводниках// ЖЭТФ, 53, 544, (1967)
  80. Е.Ю. Лозовик, В. И. Юдсон, Новый механизм сверхпроводимости: спаривание между пространственно разделенными электронами и дырками//ЖЭТФ, 71, 738, (1976)
  81. Е.Ю. Лозовик, О. Л. Берман, Фазовые переходы в системе из двух связанных квантовых ям// Письма в ЖЭТФ, 64, 526, (1996)
  82. L. Schultheis, A. Honold, J. Kuhl, К. Kohler, Optical dephasing of homogeneously broadened two-dimensional exciton transitions in GaAs quantum wells//Phys. Rev. B, 34, 9027 (1986)
  83. T. Fukuzava, S.S. Kano, Т.К. Gustafson, T. Ogava, Possibility of coherent emission from Bose condensed states of SEHPs// Surfase Science 228, 482, (1990)
  84. R.H. Dicke, Coherence in Spontaneous Radiation Processes// Phys. Rev., 93, 99, (1954)
  85. P. Пантел, Г. Путхоф, «Основы квантовой электроники», Москва, Мир, 1972, с.52
  86. Оптическая ориентация под редакцией Б. П. Захарчени и Ф. Майера, Ленинград, Наука, 1989, с.111
  87. Ю.А. Аветисян, А. И. Зайцев, В. А. Малышев, Е. Д. Трифонов, Дифракционные эффекты в сверхфлуоресценции// ЖЭТФ, 95, 1541, (1989)
  88. Ю.А. Аветисян, Е. Д. Трифонов, Поляризационная и дифракционная структура сверхфлуоресценции// Оптика и Спектроскопия, 86, 842, (1999)
  89. A.B. Андрианов, В. Ю. Некрасов, H.M. Шмидт, E.E. Заварин, А. С. Усиков, Н. Н. Зиновьев, М. Н. Ткачук, Низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN// ФТП, 36, 679, (2002)
  90. Х.А. Cao, S.F. Leboeuf, L.B. Rowland, Temperature-dependent emission intensity and energy shift in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes//Appl.Phys.Lett., 82, 3614, (2003)
  91. G.H. Dieke, Spectra and Energy Levels of Rare Earth Ions in Crystals (Wiely, New York, 1968)
  92. M.A. Ельяшевич, Атомная и молекулярная спектроскопия: Атомная спектроскопия, URSS, Москва 2006
  93. JI.C. Власенко А. Т. Гореленок В.В. Емцев А. В. Каманин Д.С. Полоскин Н. М. Шмидт Поверхностное геттерирование фоновых примесей и дефектов в пластинах GaAs// ФТП, 35, 184−187, (2001).
  94. S. Kim, R.L. Henry, А.Е. Wicken, D.E. Koleske, S.J. Rhee, J.O. White, Effects of material growth technique and Mg doping on Er3+ photoluminescence in Er-implanted GaN// J.Appl.Phys., 90, 252, (2001)
  95. R. Dingle, D.D. Seil, S.E. Stakowsky, M. Ilegems, Absorption, Reflectance, and Luminescence of GaN Epitaxial Layers// Phys.Rev.B 4, 1211, (1971)
  96. V. Kirlyuk, P.H. Hageman, M. Zielenski, Optical investigation of shallow acceptor states in GaN growth by hydride vapor-phase epitaxy// Appl.Phys.Lett, 79,4109,(1999)
  97. W. Shan, T.J. Schmidt, X.H. Yang, S.J. Hwang, J.J. Song, B. Goldenberg, Temperature dependence of interband transitions in GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition// Appl.Phys.Lett, v.66, 985, (1995)
  98. D.G. Thomas, J.J. Hopfield, Optical Properties of Bound Exciton Complexes in Cadmium Sulfide// Phys.Rev., v.128, 2135, (1962)
  99. K. Domen, K. Horino, A. Kuramata, T. Tanahashi, Analysis of polarization anisotropy along the с axis in the photoluminescence of wurtzite GaN// Appl.Phys.Lett, 71, 1996, (1997)
  100. M.M. Мездрогина, И. Н. Трапезникова, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, Н. П. Серегин, П. П. Серегин, Природа примесных центровредкоземельных металлов и процессы самоорганизации в a-Si (H)// ФТП, 36, 1337, (2002)
  101. М. Cadoret, Growth mechanism of (001) GaN substrates in the hydride vapor-phase method: surface diffusion spirial growth, H2 and СаС1з mechanism// J.Cryst.Growth, 205, 123, (1999)
  102. S.M. Myles, A.F. Wright, G.A. Peterson, C.H. Seager, W.R. Wampler, M.H. Crawford, Equilibrium state of hydrogen in gallium nitride: Theory and experiment, J. Han// J.Appl.Phys., 88, 4676, (2000)
  103. S. Kim, S.J. Rhese, X. Li, J.J. Colemann, S.G. Bishop, Selective enhancement of 1540 nm Er3+ emission centers in Er-implanted GaN by Mg со doping// Appl.Phys.Lett, 76, 2403, (2000)
  104. V. Dierolf, C. Sandman, J. Zavada, P. Chow, B. Hertog, Site-selective spectroscopy Er in GaN. Exciting mechanism of Er in GaN matrix// Appl.Phys.Lett, 95, 5464, (2004)
  105. М.И. Гайдук, В. Ф. Золин, В. Ф. Гейгерова, Спектры люминесценции европия, (М., Наука, 1974)
  106. В.Ю. Некрасов, Л. П. Беляков, О. М. Сресели, Н. Н. Зиновьев, Донорно-акцепторная фотолюминесценция слабо компенсированного GaN: Mg// ФТП, 33, 1428, (1999)
  107. H.I. Lozykowski, Kinetics of luminescence of Isoelectronic rare-earth ions in III-V semiconductors//Phys.Rev.B 48, 17 758, (1998)
  108. J. Heikenfeld, М. Garter, D.S. Lee, R. Birkhahn, A.J. Steckl, Red light emission by photoluminescence and electroluminescence from Eu-doped GaN// Appl.Phys.Lett., 75, 1189, (1999)
  109. C.V. Thiel, H. Cruguel, H. Wu, Y. Sun, G.J. Lapeyre, R.L. Cone, R.W. Equel, R.M. Macfarlane// Phys.Rev.B., 64, 85 107 (2001)
  110. В.В. Криволапчук, Ю. В. Кожанова, M.M. Мездрогина, С. Н. Родин, Сенсибилизация люминесценция вюрцитных кристаллов GaN, легированных Ей и дополнительно введенной примесью Zn// ФТП, 40, 1033, (2006)
  111. Е. Iliopoulos, D. Doppolapudi, Н.М. Ng, T.D. Moustakas, Broadening of near-band-gap photoluminescence in n-GaN films// Appl.Phys.Lett., 73, 377,1998)
  112. P.H. Lim, B. Schnieler, O. Schon, H. Heino, J.Cryst.Growth, 205, 1,1999)
  113. S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull, X. Li, J.J. Colemann, S.G. Bishop, P.B. Klein, Trap-mediated excitation of Er3+ photoluminescence in Er-implanted GaN//Appl.Phys.Lett., 71, 2662, (1997)
  114. В.В. Криволапчук, M.M. Мездрогина, С. Д. Раевский, А. П. Скворцов, Ш. А. Юсупова, Спектры поглощения кристаллов нитрида галлия, легированных Ег3+// Письма в ЖТФ, 28,19 (2002)
  115. P.H. Citrin, Р.А. Northrup, В. Birkhahn, Local structure and bounding of Er in GaN: a contrast with Er in Si// Appl.Phys.Lett., 76, 2865, (2000)
  116. Ю.В. Жиляев, В. В. Криволапчук, M.M. Мездрогина, С. Д. Раевский, А. П. Скворцов, Ш. А. Юсупова, Сб.тр. Междунар.симп. «Фото- иэлектролюминесценция редкоземельных элементов в полупроводниках и диэлектриках», СПб. (2001), с.27
  117. Y. Hon, X. Biquard, Е. Monroy, D. Jalabert, F. Enjalbert, Le Si Dang, M. Tanaka, O. Oda, B. Daudin, GaN quantum dots doped with Eu// Appl.Phys.Lett., 84, 206, (2004)
  118. G. Koley, H.Y. Cha, J. Hwang, W.J. Schaff, L.F. Fastman, M.G. Spencer, Role of growth conditions on magnetic properties of AlCrN growth by molecular beam epitaxy//Appl.Phys.Lett., 86, 52 101, (2005)
  119. Y. Peng, C.W. Lee, H.O. Everitt, D.C. Lee, A.J. Steckl, J.M. Zavada, о I
  120. Effect of optical excitation energy on the red luminescence of Eu in GaN// Appl.Phys.Lett., 86,51 110 (2005)
  121. H.A. Черкашин, H.A. Берт, Ю. Г. Мусихин, C.B. Новиков, T.S. Cheng, C.T. Foxon, Структурные исследования с помощью просвечивающей электронной микроскопии нелегированного и легированного кремнием GaN, выращенного на подложке А1203// ФТП, 34, 903, (2000)
  122. В.В. Криволапчук, М. М. Мездрогина, Послесвечение вюрцитных кристаллов GaN, легированных редкоземельными металлами// ФТТ, 46, 2014, (2004)
  123. , В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С. Н. Родин, А. В. Черенков, Влияние дополнительно введенных примесей Zn и Ей на вид спектров фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Ег// ФТП, т.40, вып. 12, (2006)
  124. J.H. Park, A.J. Steckl, J.M. Zavada, Appl.Phys.Lett., 98, 56 108 (2005)
  125. S. Nakamura, S.F. Chichibu. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (N.Y., Taylor & Francis, 2000).
  126. H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices Springer Ser. Mater. Sci., 32. (Springer, Berlin, 1999).
  127. А.В. Андрианов, В. Ю. Некрасов, Н. М. Шмидт, Е. Е. Заварин, А. С. Усиков, Н. Н. Зиновьев, М.Н. Ткачук// ФТП, 36, 679, (2002)
  128. X.A. Cao, S.F. Leboeuf, L.B. Rowland, Temperature-dependent emission intensity and energy shift in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes// Appl.Phys.Let., 82, 3614, (2003)
  129. M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, P. Bigenwald, Quantum confined Stark effect due to built-in internal polarization fields in (Al, Ga) N/GaN quantum wells// Phys.Rev.B, 58, R13371, (1998)
  130. Y.D. Jho, J.S. Yahng, E. Oh, D.S. Kim, Field-dependent carrier decay dynamics in strained InxGaixN/GaN quantum wells// Phys.Rev.B, 66, 35 334, (2002)
  131. S. Kalliakos, P. Levebvre, T. Taliercio, Nonlinear behavior of photoabsorption in hexagonal nitride quantum wells due to free carrier screening of the internal fields// Phys.Rew.B, 67, 205 307, (2003)
  132. Yukio Narukava, Yochi Kawakami, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, Shuji Nakamura, Recombination dynamics of localized excitons in In0.2Ga0.sN-In0.05Ga0.95N multiple quantum wells// Phys.Rev.B, 55, R1938, (1997)
  133. Akihiro Satake, Yasualce Masumoto, Takao Miyajima, Tsunenori Asatsuma, Fumihiko Nakamura, Masao Ikela, Localized exciton and itsstimulated emission in surface mode from single-layer InxGaixN// Phys.Rev.B, 57, R2041, (1998)
  134. Jin Seo Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, A. Hangleiter, Reduction of oscillator strength due to piezoelectric fields in GaN/AlxGaixN quantum wells//Phys.Rev.B, 57, R9435, (1998)
  135. W. Chow, M. Kira, S.W. Koch, Microscopic theory of optical nonlinearities and spontaneous emission lifetime in group-Ill nitride quantum wells// Phys.Rev.B, 60, 1947, (1999)
  136. K.S. Ramaiah, Y.K. Su, S.J. Chang, C.H. Chen, F.S. Juang, H.P. Liu, I.G. Chen, Studies of InGaN/GaN multiquantum-well green-light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition// Appl.Phys.Lett., v.85, 401, (2004)
  137. B.E. Кудряшов, А. Э. Юнович, Туннельная излучательная рекомбинация в р-п-гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединений типа АШВУ// ЖЭТФ, 124, 1133, (2003)
  138. Х.А. Cao, S.D. Arthur, High-power and reliable operation of vertical light emitting diodes on bulk GaN// Appl.Phys.Let., 85, 3971, (2004)
  139. B.B. Криволапчук, M.M. Мездрогина, B.B. Лундин, Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN, ФТТ, 47, 1338, (2005)
  140. F. Widmann, J. Simon, В. Daudin, G. Feuilet, J.L. Rouviere, N.T. Pelekanos, G. Fishman, Blue-light emission from GaN self-assembled quantum dots due to giant piezoelectric effect// Phys.Rev.B, 58, R15989, (1998)
  141. S.J. Xu, Y.Y. Wang, Q. Li, X.H. Zhang, W. Liu, S.J. Chua, Direct observation and theoretical interpretation of strongly enhanced lateral diffusion of photogenerated carriers in InGaN/GaN quantum well structures// Appl.Phys.Lett., 86, 71 905, (2005)
  142. В.Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Ясиевич, Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках, Изд-во ПИЯФ РАН, Санкт-Петербург, 1997, с.305
  143. В.Ю. Давыдов, А. А. Клочихин, Электронные и колебательные состояния InN и твердых растворов InxGai. xN// ФТП, 38, 897, (2004)
  144. Alexander В. Dzybenko, Gerrit E.W. Bauer, Low-temperature transport of excitons in type-II GaAs/AlGaAs quantum wells// Phys.Rev.B, 51, 14 524, (1995)
  145. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt, Spontaneous polarization and piezoelectric constans of Ш-V nitrides// Phys.Rev.B., 56, R10024, (1997)
  146. S. Permogorov, A. Reznitsky, S. Verbin, V. Lysenko, Exciton mobility edge in CdS! xSex solid solution// Solid St.Commun., 47, 5, (1983)
  147. D.G. Thomas, J.J. Hopfield, W.N. Augutyniak, Kinetics of Radiative Recombination at Randomly Distributed Donors and Acceptors// Phys.Rev., 140, 202,(1965)
  148. M.A. Ельяшевич, Атомная и молекулярная спектроскопия: Общие вопросы спектроскопии- Атомная спектроскопия, URSS, Москва 2006
  149. S. Fafard, Е. Fortin, J.L. Merz, Excitation-intensity-dependent photoluminescence quenching due to electric-field screening by photocarriers captured in single-quantum-well structures// Phys.Rev.B, 48, 11 062, (1993)
  150. Th. Forster, Ann. Physik, 2, 55 (1948) — D.L. Dexter A Theory of Sensitized Luminescence in Solids// Journ. of Chem.Phys., 21, 836, (1953)
  151. D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.S. Gossard, W. Wiegmann, Т.Н. Wood, C.A. Burrus, Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures// Phys.Rev.B., 32, 1043, (1985)
  152. Micah B. Yairi, David A.B. Miller, Equivalence of diffusive conduction and giant ambipolar diffusion// J.Appl.Phys., 91, 4374, (2002)
  153. В.М. Агранович, М. Д. Галанин «Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах», Москва, Наука, 1978, Глава II, § 1.
  154. П.П. Феофилов, Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов, Физматгиз, 1959, гл. IV, V.
  155. Н.Д. Жевандров, ДАН СССР, 83, 677, 1952.
  156. D.G. Thomas, J J. Hopfield, Isoelectronic Traps Due to Nitrogen in Gallium Phosphide// Phys.Rev., 150, 680, (1968)
  157. DJ. Robbins, P.J. Dean, The effects of core structure on radiative and non-radiative recombinations at metal ion substituents in semiconductors and phosphors// Adv. In Phys., 27, 499, (1978)
  158. Yu.V. Zhilyaev, V.V. Krivolapchuk, A.V. Rodionov, V.V. Rossin, T.V. Rossina, Yu.N. Sveshnikov, Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique, Phys.Stat.Sol.(a), v.89, K61, (1985)
  159. А.В. Акимов, A.A. Каплянский, В. В. Криволапчук, E.C. Москаленко, Проявление метастабильных локализованных состояний дырок в медленной кинетике краевой люминесценции n-GaAs, Письма в ЖЭТФ, т.46, вып.1, с. 35, (1987)
  160. А.В. Акимов, Ю. В. Жиляев, В. В. Криволапчук, Н. К. Полетаев, В. Г. Шофман, Экспериментальное наблюдение дырок в n-GaAs, высвободившихся в результате Оже-распада локализованных состояний, ФТП, т.25, вып.4, с. 713, (1991)
  161. А.В. Акимов, В. В. Криволапчук, Н. К. Полетаев В.Г. Шофман, Люминесцентное исследование долговременной кинетики носителей в эпитаксиальном арсениде галлия, ФТП, т.27, вып.2, с. 310, (1993)
  162. В.В. Криволапчук, Н. К. Полетаев, JI.M. Федоров, Влияние метастабильных состояний на формирование стационарных спектров фотолюминесценции n-GaAs, ФТП, т.28, вып.2, с. 310, (1994)
  163. В.В. Криволапчук, Д. А. Мазуренко, Е. С. Москаленко, Н. К. Полетаев, A.JI. Жмодиков, Т. С. Ченг, С. Т. Фоксон, Аномальное воздействие магнитного поля на непрямой экситон в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs, ФТТ, т.40, вып.5, с. 803, (1998)
  164. В.В. Криволапчук, Н. К. Полетаев, Влияние метастабильных состояний на высвечивание экситонов в n-GaAs, ФТП, т.32, вып. З, с. 307, (1998)
  165. Ю.В. Жиляев, В. В. Криволапчук, И. Н. Сафронов, Исследование поляризованной фотолюминесценции толстых эпитаксиальных слоев GaN, ФТП, т. ЗЗ, вып.7, с. 778, (1999)
  166. В.В. Криволапчук, Е. С. Москаленко, A.JI. Жмодиков, Т. С. Ченг, С. Т. Фоксон, Проявление коллективных свойств пространственно-непрямых экситонов в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs, ФТТ, т.41, вып.2, с. 325, (1999)
  167. V.V. Krivolapchuk, E.S. Moskalenko, A.L. Zhmodikov, T.S. Cheng, C.T. Foxon, Collective properties of spatially indirect excitons in asymmetric GaAs/AlGaAs double quantum wells, Solid St.Commun., v. l 11, p.49, (1999)
  168. V.V. Krivolapchuk, E.S. Moskalenko, A.L. Zhmodikov, A giant shot of radiation intensity as eventual evidence of Bose-Einstein condensation of excitons in double quantum wells in GaAs/AlGaAs, Nanotechnology, v. ll, p.246, (2000)
  169. V.V. Krivolapchuk, E.S. Moskalenko, A.L. Zhmodikov, Specific features of the indirect exciton luminescence line in GaAs/AlGaAs, Phys.Rev.B, v.64, p.45 313, (2001)
  170. В.В. Криволапчук, M.M. Мездрогина, С. Д. Раевский, А. П. Скворцов, Ш. А. Юсупова, Спектры поглощения кристаллов нитрида галлия, легированных Ег3+, Письма в ЖТФ, т.28, вып.7, с. 66, (2002)
  171. В.В. Криволапчук, М. М. Мездрогина, Н. К. Полетаев, Влияние корреляции между подсистемами мелких и глубоких метастабильных уровней на экситонные спектры фотолюминесценции в п- типе GaAs, ФТТ, т.45, вып.1, с. 29, (2003)
  172. В.В. Криволапчук, М. М. Мездрогина, Н. К. Полетаев, Заселение метастабильных состояний в n-GaAs, ФТТ, т.45, вып.5, с. 785, (2003)
  173. В.В. Криволапчук, М. М. Мездрогина, А. В. Насонов, С. Н. Родин, Фотолюминесценция объемных кристаллов GaN, легированных Ей, ФТТ, т.45, вып.9, с. 1556, (2003)
  174. В.В. Криволапчук, В. В. Лундин, М. М. Мездрогина, А. В. Насонов, С. Н. Родин, Н. М. Шмидт, Спектры краевой фотолюминесценции и интенсивность линий внутрицентровых f-f переходов в кристаллах GaN, легированных Er, Sm, ФТТ, т.46, вып.5, с. 814, (2004)
  175. В.В. Криволапчук, Ю. В. Кожанова, В. В. Лундин, М. М. Мездрогина, С. Н. Родин, Ш. А. Юсупова, Примесные центры редкоземельных ионов (Eu, Sm, Ег) в вюрцитных кристаллах GaN, ФТП, т.38, вып. 10, с. 1314, (2004)
  176. В.В. Криволапчук, М. М. Мездрогина, Послесвечение вюрцитных кристаллов GaN, легированных редкоземельными металлами, ФТТ, т.46, вып. 12, с. 2014, (2004)
  177. В.В. Криволапчук, Ю. В. Кожанова, М. М. Мездрогина, В. В. Лундин, С. Н. Родин, Параметры вюрцитных кристаллов GaN, легированных Тт, ФТТ, т.47, вып.7, 1203, (2005)
  178. В.В. Криволапчук, М. М. Мездрогина, В. В. Лундин, Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN, ФТТ, т.47, вып.7, 1338, (2005)
  179. В.В. Криволапчук, А. Л. Жмодиков, Е. С. Москаленко, Излучение конденсата экситонов в двойных квантовых ямах, ФТТ, т.48, вып.1, 139, (2006)
  180. М.М. Мездрогина, В. В. Криволапчук, Влияние дополнительной примеси Zn на вид спектров фотолюминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированного редкоземельным ионом Ей, ФТТ, т.48, вып.7, 1182, (2006)
  181. В.В. Криволапчук, М. М. Мездрогина, Влияние миграции энергии на форму линии излучения в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, ФТТ, т.48, вып.11, (2006).
  182. В.В. Криволапчук, Ю. В. Кожанова, М. М. Мездрогина, С. Н. Родин, Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных Ей и дополнительно введенной примесью Zn, ФТП, т.40, вып.9, 1033, (2006)
  183. , В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С. Н. Родин, А. В. Черенков, Влияние дополнительно введенных примесей Zn и Ей на вид спектров фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Ег, ФТП, т.40, вып. 12, (2006)
  184. В.В. Криволапчук, М. М. Мездрогина, Р. В. Кузьмин, Э. Ю. Даниловский, Влияние легирования Ей, на сенсибилизацию излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и InGaN/GaN, ФТТ, т.51, вып.2, 2137, (2009).
  185. Другие публикации по теме диссертации: В. В. Травников, В. В. Криволапчук, Диффузия экситонов и самопоглощение резонансного излучения, ФТТ, т.24, вып.4, с. 961, (1982).
  186. B.B. Травников, B.B. Криволапчук, Влияние поверхности и размера образцов на кинетику и пленение поляритонов, Письма в ЖЭТФ, т.38, вып.6, с. 287,(1983)
  187. В.В. Травников, В. В. Криволапчук, Кинетика и люминесценция поляритонов, ЖЭТФ, т.85, вып.6, с. 2087, (1983)
  188. В.В. Травников, В. В. Криволапчук, Пленение поляритонов, Письма в ЖЭТФ, т.37, вып.9, с. 419, (1983)
Заполнить форму текущей работой

На отлично!