Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях

Диссертация: Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты работы изложены в десяти публикациях в реферируемых журналах и патенте РФ, докладывались на конференциях: EMRS Spring Meeting-2011; Nanostructures: Physics and Technology (2009 и 2010 гг.) — РКФП (2009 г.) — International Conference «Microand nanoelectronics — 2009» — Кремний-2010; АМП-2010; на молодежных конференциях. Автор являлся стипендиатом конкурса для молодых ученых… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ПЛЕНКАХ и БЮ,
    • 1. 1. Методы получения пленок 8ПЧХ и 8ЮХ с нанокластерами кремния
    • 1. 2. Оптические свойства диэлектрических пленок, содержащих нанокластеры кремния: влияние квантово-размерного эффекта
    • 1. 3. Модификация полупроводниковых структур с использованием импульсных лазерных воздействий (лазерный отжиг)
  • Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ
    • 2. 1. Методика спектроскопии комбинационного рассеяния света
    • 2. 2. Методика фотолюминесценции
    • 2. 3. Методика ИК-спектроскопии
    • 2. 4. Методы электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии
    • 2. 5. Методики приготовления исходных пленок и лазерных отжигов
  • Глава 3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИСХОДНЫХ ПЛЕНОК 81ГЧХ и ЭЮ*, СОДЕРЖАЩИХ НАНОКЛАСТЕРЫ КРЕМНИЯ
    • 3. 1. Исследование нанокластеров кремния с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света
    • 3. 2. Фотолюминесценция нанокластеров кремния в пленках 811ЧХ и БЮХ: проявление квантово-размерного эффекта
    • 3. 3. Температурная зависимость фотолюминесценции от нанокластеров кремния, влияние излучательной и безызлучательной рекомбинации
  • Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ПЛЕНКАХ віГ*х И 8Ю&bdquo- СФОРМИРОВАННЫХ В РЕЗУЛЬТАТЕ ИМПУЛЬСНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ОТЖИГОВ
    • 4. 1. Кристаллизация нанокластеров кремния в пленках 8і>Іх и 8ЮХ при наносекундных лазерных воздействиях
    • 4. 2. Кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiNx и SiOx при фемтосекундных лазерных воздействиях
    • 4. 3. Фазовое расслоение и формирование нанокластеров кремния в пленках SiNx и SiOx при импульсных лазерных воздействиях
    • 4. 4. Исследование пленок SiNx и SiOx с применением методов АСМ и ВРЭМ
    • 4. 5. Фотолюминесценция нанокластеров кремния, сформированных в пленках SiNx и SiOx в результате импульсных лазерных воздействий

Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Диэлектрические пленки, содержащие полупроводниковые кристаллы нанометрового размера (нанокристаллы), перспективны для практического применения в приборах микрои наноэлектроники, а также оптоэлектроники [1]. Интенсивная фотолюминесценция (ФЛ) и сдвиг максимума ФЛ в зависимости от размеров кластеров (квантово-размерный эффект) наблюдались в пленках нитрида кремния, содержащих как аморфные нанокластеры кремния [2], так и нанокристаллы кремния [3]. Авторы работы [2] сообщают о создании красного, зеленого и синего светодиодов на основе пленок нитрида кремния с аморфными нанокластерами нитрида кремния различных размеров. Пленки нитрида кремния используются в элементах энергонезависимой памяти (flash memory) [4, 5], развитие низкотемпературной технологии получения этих пленок открывает перспективы их использования в устройствах широкоформатной электроники — плоских мониторах на гибких подложках, электронной бумаге, солнечных элементах. Проявление квантово-размерного эффекта в спектрах ФЛ было обнаружено в нанокристаллах кремния [6] и в нанокластерах аморфного кремния [7] в матрице оксида кремния. В спектрах ФЛ одиночных нанокристаллов кремния в пленке диоксида кремния наблюдались очень узкие пики, что говорит о дискретности их электронного спектра, значит, нанокристаллы кремния в диэлектрической матрице являются квантовыми точками [8].

Синтезировать нанокристаллы кремния в диэлектрических пленках можно как в процессе роста, так и в послеростовых процессах. Использование печных отжигов для кристаллизации аморфных нанокластеров кремния требует высоких температур и длительных воздействий [9] и может применяться только для структур на тугоплавких подложках. Для практического применения важно, чтобы широкоформатные подложки, на которые осаждаются пленки, были недорогие — стекло или пластик. Существуют низкотемпературные плазмохимические методы осаждения, которые позволяют получить диэлектрические пленки при низкой (до 100 °С) температуре подложки. Однако, в нестехиометрическом аморфном нитриде кремния SiNx (х<4/3), осаждаемом при низкой температуре, избыточный кремний в основном случайным образом встраивается в атомарную сетку, практически не формируя кластеры [5,10]. В этом случае с некоторой вероятностью образуются тетраэдрические группы Si-SiN3, Si-Si2N2, Si-Si3N, и Si-Si4. Структура пленок описывается моделью случайной сетки (random bonding — RB model) [5,10]. Решение проблемы формирования нанокластеров и их кристаллизации в пленках на нетугоплавких подложках — это применение импульсных лазерных воздействий. Импульсные лазерные отжиги применяются для кристаллизации и рекристаллизации полупроводниковых пленок уже более тридцати лет [11]. При правильном подборе параметров лазера, почти все излучение поглощается в пленке, следовательно, не доходит до подложки и не нагревает ее. За малые времена лазерного импульса и за время остывания пленки вследствие диффузии тепла в подложку (десятки наносекунд), подложка не успевает перегреться. Ранее, для создания и кристаллизации нанокластеров кремния в пленках SiNx и SiOx использовались наносекундные импульсные отжиги с применением эксимерных лазеров ХеС1 — длина волны 308 нм [12] и ArF — длина волны 193 нм [13]. Подобный способ получения нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках запатентован в США, используется в технологии производства устройств энергонезависимой памяти [14]. Фемтосекундные импульсные отжиги практически не применялись для формирования и модификации нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках, но использовались для кристаллизации пленок аморфного гидрогенизированного кремния на подложках из стекла [15, 16]. Когда длительность импульса меньше времени электрон-фононного взаимодействия, проявляются нетермические эффекты в фазовых переходах — «холодное» плавление [17], «плазменный отжиг». Из изложенного выше следует, что формирование нанокластеров кремния в диэлектрических пленках с применением наносекундных и фемтосекундных импульсных воздействий является актуальной задачей.

Целью данной работы являлось определение и оптимизация параметров импульсных лазерных воздействий необходимых для кристаллизации аморфных нанокластеров кремния и фазового расслоения в нестехиометрических диэлектрических пленках. Для решения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование структуры и оптических свойств исходных нестехиометрических пленок SiNx (0.6<�х<1.33) и SiOx (0.2<�х<2);

2. Анализ изменения фазового состава нанокластеров кремния при импульсных лазерных отжигах пленок SiNx (0.6<�х<1.33) и SiOx (0.2<�х<2);

3. Определение порогов кристаллизации аморфных нанокластеров кремния и абляции пленок SiNx и SiOx при наносекундных и фемтосекундных лазерных воздействиях, оценка параметров необходимых для «холодного» плавления;

4. Оптимизация режимов импульсной лазерной кристаллизации аморфных нанокластеров кремния в нестехиометрических пленках SiNx на нетугоплавких подложках.

Новизна работы.

1. Установлено, что аморфные нанокластеры кремния, содержащиеся в пленках SiNx (0.6<�х<1) и SiOx (0.2<�х<1.5), кристаллизуются под воздействием фемтосекундных импульсов ближнего ИК-диапазона с плотностью энергии от 100 до 170 мДж/см2.

•у.

2. При воздействии лазерных импульсов с плотностью энергии от 150 до 250 мДж/см на пленки SiNx (1.1<�х<1.25) и SiOx (1.6<�х<1.9) обнаружено фазовое расслоение с образованием нанокластеров кремния.

Практическая значимость работы.

Развит и запатентован способ формирования нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках на нетугоплавких (в том числе пластиковых) подложках с применением фемтосекундных лазерных импульсов.

Апробация работы.

Основные результаты работы изложены в десяти публикациях в реферируемых журналах и патенте РФ, докладывались на конференциях: EMRS Spring Meeting-2011; Nanostructures: Physics and Technology (2009 и 2010 гг.) — РКФП (2009 г.) — International Conference «Microand nanoelectronics — 2009» — Кремний-2010; АМП-2010; на молодежных конференциях. Автор являлся стипендиатом конкурса для молодых ученых ИФП СО РАН в 2008;2010 гг., лауреатом конкурса грантов мэрии Новосибирска для молодых ученых в 2009 году, стипендиатом конкурса для молодых ученых губернатора НСО в 2010 г., победителем конкурса инновационных молодежных проектов УМНИК (2010 г.) и победителем всероссийского конкурса по поддержке высокотехнологичных инновационных молодежных проектов (2011 г.).

Положения, выносимые на защиту.

1. Кристаллизация аморфных нанокластеров кремния в пленках SiNx (0.6<�х<1) и SiOx (0.2<�х<1.5) происходит при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов с плотностью энергии от 100 до 170 мДж/см2, если их размер превышает 2 нм.

2. Фазовое расслоение в пленках SiNx (1.1<�х<1.25) и SiOx (1.6<�х<1.9) и формирование нанокластеров кремния обусловлены диффузией кремния в областях локального расплава, возникающих при импульсных лазерных воздействиях с плотностью энергии от 150 до 250 мДж/см2.

Личный вклад автора заключается в обсуждении целей и постановке задач, выборе методов их решения, обработке и интерпретации результатов и их анализе. Измерения оптических свойств пленок (за исключением температурных зависимостей ФЛ) были проведены автором лично. Автор определил режимы и оптимизировал параметры импульсных лазерных воздействий.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Установлено, что пленки вИ^х (х<0.8, температура осаждения 100 °С) и пленки Б ¡-Не (х<1,.

Т=380 °С) содержат кластеры аморфного кремния. В условиях одинакового стехиометрического состава повышение температуры осаждения ведет к увеличению размеров аморфных кластеров кремния.

2. Обнаружен сдвиг максимума фотолюминесценции в область больших длин волн при увеличении количества избыточного кремния в пленках 81ЫХ (0.6<�х<1.3) и 8ЮХ (1<�х<1.9), осажденных при температурах 100 и 380 °C. Эффект обусловлен увеличением размеров нанокластеров кремния.

3. Обнаружено изменение в температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции пленок 81>1Х (0.6<�х<1.3) при Т-200 К. Проведены расчеты температурной зависимости фотолюминесценции с учетом вклада излучательного и двух безызлучательных процессов с разной энергией термической активации. Показано, что доминирующими процессами в диапазоне температур от 80 до 300 К являются миграция экситона до центра безызлучательной рекомбинации (с энергией термической активации Еас1.

30−35 мэВ) и его диссоциация (Еаа2 ~ 130−150 мэВ).

4. Обнаружено, что аморфные кластеры в пленках 8ПЧХ (0.6<�х<1) и 8ЮХ (0.2<�х<1.5) кристаллизовались под воздействием наносекундных и фемтосекундных лазерных импульсов. Пороги плотности энергии в импульсе, необходимые для кристаллизации кластеров, зависят от стехиометрии пленок и лежат в пределах от 100 до 250 мДж/см2 для фемтосекундных отжигов и превышают 130 мДж/см для наносекундных отжигов. Развитый подход использован для создания диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния на нетугоплавких подложках.

5. По данным ВРЭМ установлено, что в результате фемтосекундных лазерных воздействий л с плотностью энергии выше 100 мДж/см в нанокластерах кремния с размерами >6 нм образуется несколько зародышей кристаллической фазы, а в нанокластерах с размерами от 2 до 6 нм — один зародыш кристаллической фазы. По оценкам, для нанокластеров с размерами от 2 нм время ожидания появления критического зародыша кристаллической фазы в переохлажденном (от 700К) расплаве кремния меньше времени его остывания. 6. Показано, что импульсные лазерные воздействия с плотностью энергии от 150 до 250 мДж/см2 привели к расслоению фаз и формированию нанокластеров кремния в пленках SiNx (1.1<�х<1.25) и SiOx (1.6<�х<1.9). Эффект обусловлен диффузией кремния в областях локального расплава.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Л.С. Смирнову.

В заключение работы автор выражает благодарность профессорам.

A.B. Латышеву, Б. Чичкову за интерес к работе и полезные дискуссии, Д. В. Марину,.

B.А. Стучинскому за помощь в работе, М. А. Неклюдовой и Л. И. Фединой за исследования методом электронной микроскопии, сотруднику Лазерного Центра Ганновера Ю. Коху за помощь в ИЛО, A.A. Попову (Ярославский филиал ФТИ РАН) и И. Бальбергу (Hebrew University) за исходные образцы, руководству НОК «Наносистемы и современные материалы» НГУ за возможность работы на оборудовании.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. А. Диэлектрики в наноэлектронике / В. А. Гриценко, И. Е. Тысченко, В. П. Попов, Т. В. Перевалов // Новосибирск. Изд-во СО РАН. -2010.- С 258.
  2. Park Nae-Man. Band gap engineering of amorphous silicon quantum dots for light-emitting diodes/ Park Nae-Man, Kim Tae-Soo, Park Seong-Ju // J. Appl. Phys. Lett. 2001.-Vol. 78. — P. 2575−2577.
  3. А. В. Нитрид кремния в электронике // Новосибирск. Издательство «Наука». Сибирское отделение. 1982, — С. 200.
  4. В. А. Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния // Успехи Физических Наук. 2008. — Vol. 178. N. 7. — Р. 727−737.
  5. Shimizu-Iwayama Т. Visible photoluminescence in Si±implanted thermal oxide films on crystalline Si / T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh // J. Appl. Phys. Lett. 1994. -Vol. 65.N. 14.-P. 1814−1816.
  6. Rinnert H. Evidence of light-emitting amorphous silicon clusters confined in a silicon oxide matrix / H. Rinnert, M. Vergnat, A. Burneau // J. Appl. Phys. 2001. — Vol. 89. N. 1. — P. 237−243.
  7. Sychugov I. Narrow luminescence linewidth of a silicon quantum dot /1. Sychugov, R. Juhasz, J. Valenta, J. Linnros // Phys. Rev. Lett. 2005. — Vol. 94. — P. 87 405−01−04.
  8. Molinari M. Effects of the amorphous crystalline transition on the luminescence of quantum confined silicon nanoclusters / M. Molinari, H. Rinnert, M. Vergnat // Europhys. Lett. -2004. — Vol. 66. N. 5. — P. 674 — 679.
  9. В. А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах // Новосибирск. Издательство «Наука». 1993. — С. 280.
  10. А. В. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов / А. В. Двуреченский, Г. А. Качурин, Н. В. Нидаев, JT. С. Смирнов // Новосибирск. Издательство «Наука». 1982. — С. 208.
  11. Volodin V. A. Raman study of silicon nanocrystals formed in SiNx films by excimer laser or thermal annealing / V. A. Volodin, M. D. Efremov, V. A. Gritsenko, S. A. Kochubei // J. Appl. Phys. Lett. 1998. — Vol. 73. — P. 1212 -1214.
  12. Патент США US2008/178 794 Al от 31.07.2008 г., заявка № 11/698 262 на выдачу патента США на изобретение от 25.01.2007 г.
  13. Г. А. Действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры/ Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, В. А. Володин, Д. В. Марин, М. Deutschmann // ФТП. 2008, — Т. 42. Вып. 2, — С. 181−186.
  14. С.И. Коллапс запрещенной зоны и сверхбыстрое «холодное» плавление кремния в течение фемтосекундного лазерного импульса/ С. И. Кудряшов, В. И. Емельянов // Письма в ЖЭТФ. 2001. — Т. 73. Вып. 5. — С. 263−267.
  15. X. Аморфный кремний и родственные материалы // Москва. Издательство «Мир». 1991. — С. 542.
  16. JI. А. Твердое тело: аморфное состояние вещества / Л. А. Байдаков, Л. Н. Блинов // Ленинград. Издательство ЛПИ. Учебное пособие. 1984. — С. 64.
  17. Зи С. Технология СБИС // Москва. Издательство «Мир». 1986. — С. 404.
  18. Pacifici D. Amorphization and recrystallization of ion implanted Si nanocrystals probed through their luminescence properties / D. Pacifici, G. Franzo, F. Iacona, F. Priolo // Physica E. 2003. — Vol. 16. — P. 404−409.
  19. Pacifici D. Defect production and annealing in ion irradiated Si nanocrystals / D. Pacifici, E. C. Moreira, G. Franzo, V. Martorino, F. Priolo, F. Iacona // Phys. Rev. B. — 2002 — Vol. 65.-P. 144 109−1-13.
  20. С. А. Низкотемпературная кристаллизация аморфного кремния, стимулированного лазерным излучением / С. А. Авсаркисов, 3. В. Джибути, Н. Д. Долидзе, Б. Е Цеквава // Письма в ЖТФ. 2006. — Т. 32. Вып. 6. — С. 55−59.
  21. П. А. Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизованных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире / П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов // ФТП. 2009. — Т. 43. Вып. 5. — С. 627−629.
  22. Г. Д. Фазовые превращения, инициируемые в тонких слоях аморфного кремния наносекундным воздействием излучения эксимерного лазера / Г. Д. Ивлев, Е. И. Гацкевич // ФТП. 2003. — Т. 37. Вып. 5. — С. 622−628.
  23. Dovrat M. Radiative versus nonradiative decay processes in silicon nanocrystals probed by time-resolved photoluminescence spectroscopy / M. Dovrat, Y. Goshen, J. Jedrzejewski, I. Balberg, A. Sa’ar //Phys. Rev. B. 2004. — Vol. 69. N. 15. — P. 5311−1-8.
  24. Cen Zhanhong. Visible light emission from single layer Si nanodots fabricated by laser irradiation method / Zhanhong Cen, Jun Xu, Yansong Liu, Wei Li, Zhongyuan Ma, Xinfan Huang, Kunji Chen // J. Appl. Phys. Lett. 2006. — Vol. 89. -P. 163 107−1-3.
  25. Molinari M. Visible photoluminescence in amorphous SiNx thin films prepared by reactive evaporation / M. Molinari, H. Rinnert, M. Vergnat // J. Appl. Phys. Lett. 2000. — Vol. 77. N. 22.-P. 3499−3501.
  26. Molinari M. Improvement of the photoluminescence properties in a-SiNx films by introduction of hydrogen / M. Molinari, H. Rinnert, M. Vergnat // J. Appl. Phys. Lett. 2001. -Vol. 79. N. 14.-P. 2172−3501.
  27. Molinari M. Correlation between structure and photoluminescence in amorphous hydrogenated silicon nitride alloys / M. Molinari, H. Rinnert, M. Vergnat // Physica E. — 2003. -Vol.16.-P.445−449.
  28. DiMaria D. J. Hole injection into silicon nitride: interface barrier energies by internal photoemission / D. J. DiMaria, P. C. Arnett // J. Appl. Phys. Lett. 1975. — Vol. 26. N. 12. — P. 711 713.
  29. Stein H. J. Absorption edge and ion bombardment of silicon nitride // J. Appl. Phys. Lett. 1976. — Vol. 47. — P. 3421−3426.
  30. Giorgis F. Luminescence processes in amorphous hydrogenated silicon nitride nanometric multilayers / F. Giorgis, C. F. Pirri // Phys. Rev. B. — 1999. -Vol. 60. N. 16. — P. 1 157 211 576.
  31. Noma Takashi. Origin of photoluminescence around 2.6−2.9 eV in silicon oxynitride / Takashi Noma, Kwang Soo Seol, Hiromitsu Kato, Makoto Fujimaki, Yoshimichi Ohki // J. Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 79. N. 13. — P. 1995−1997.
  32. Park Nae Man. Quantum confinement in amorphous silicon quantum dots embedded in silicon nitride / Nae — Man Park, Cheol-Jong Choi, Tae-Yeon Seong, Seong-Ju Park // Phys. Rev. Lett. -2001. — Vol. 86. N. 7. — P. 1355−1357.
  33. Kato Hiromitsu. Band-tail photoluminescence in hydrogenated amorphous silicon oxynitride and silicon nitride films / Hiromitsu Kato, Norihide Kashio, Yoshimichi Ohki, Kwang Soo Seol, Taktshi Noma // J. Appl. Phys. 2003. — Vol. 93. N. 1. — P. 239−244.
  34. Rolver R. Lateral Si/Si02 quantum well solar cells / R. Rolver, B. Berghoff, D.L. Batzner, B. Spangenberg, H. Kurz // J. Appl. Phys. Lett. 2008. — Vol. 92. — P. 212 108−1-3.
  35. Bustarret E. Experimental determination of the nanocrystalline volume fraction in silicon thin films from Raman spectroscopy / E. Bustarret, M. A. Hachicha, M. Brunei // J. Appl. Phys. Lett. 1988. — Vol. 52. N. 20. — P. 1675−1677.
  36. Dal Negro L. Light emission from silicon rich nitride nanostructures/ L. Dal Negro, J. H. Yi, L.C. Kimerling, S. Hamel, A. Williamson, G. Galli // J. Appl. Phys. Lett. — 2006. — Vol. 88.-P. 183 103−1-3.
  37. Alivisatos A. Paul. Semiconductor nanocrystals // MRS bulletin. 1995. — P. 23−32.
  38. Di G. Q. Preparation of three-dimensionally oriented polycrystalline Si film / G. Q. Di, H. Lin, N. Uchida, Y. Kurata, K. Kuomoto, S. Hasegawa // J. Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 68. N. l.-P. 69−71.
  39. Chen X. The effect of size distribution of Si nanoclusters on photoluminescence from ensembles of Si nanoclusters / X. Chen, J. Zhao, G. Wang, X. Shen // Phys. Lett. A. 1996. — Vol. 212.-P. 285−289.
  40. Dinh L. N. Optical properties of passivated Si nanocrystals and SiOx nanostructures / L. N. Dinh, L. L. Chase, M. Balooch, W. J. Siekhaus, F. Wooten // Phys. Rev. B. 1996. — Vol. 54. N. 7. — P. 5029−5037.
  41. В. И. Оптические свойства полупроводников / В. И. Гавриленко, А. М. Грехов, Д. В. Корбутяк // Справочник. 1987. — С. 605.
  42. Fauchet Philippe М. Light emission from Si quantum dots // Materialstoday. 2005. — P. 26−33.
  43. В. В. Квантово-размерные структуры в электронике: оптоэлектроника// Методическое пособие. 2007. -С. 1−16.
  44. Н. Н. Кремний- материал наноэлектроники / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко // Техносфера. 2007. — С. 352.
  45. Ю П. Основы физики полупроводников / П. Ю, М. Кардона // ФИЗМАТЛИТ. -2002.-С. 560.
  46. К. К. Effects of As+ ion implantation on the Raman spectra of GaAs: «Spatial correlation» interpretation / К. K. Tiong, P. M. Amirtharaj, F. H. Pollak, D. E. Aspnes // J. Appl. Phys. Lett. -1984. Vol. 44. — P. 122−124.
  47. Debernardi A. Photon line width in III V semiconductors from density functional perturbation theory // Phys. Rev. B. — 1998. — Vol. 57. — P. 12 847−12 858.
  48. Tomassini N. Center of mass quantization of exitons in CdTe/Cdi-xZnxTe quantum wells / N. Tomassini, A. d’Andrea, R. del Sole, H. Tuffigo-Ulmer, R. T. Cox // Phys. Rev. B. -1995. Vol. 51. -P. 5005−5012.
  49. Asada M. Gain and the threshold of three dimensional quantum box lasers / M. Asada, Y. Migamoto, Y Suematsu // J. IEEE. — 1986. — Vol. QE-22. — P. 1915−1921.
  50. Dingle R. Quantum states of confined carriers in very thin AlxGai-xAs-GaAs-AlxGai-xAs heterostructures / R. Dingle, W. Wiegmann, С. H. Henry // Phys. Rev. Lett. 1974. — Vol. 33. -P. 827−830.
  51. Meynadier M. H. Size quantization and band-offset determination in GaAs-GaAlAs separate confinement heterostructure / M. H. Meynadier, C. Delalande, G. Bastard, M. Voss, E. Alexandre, J. L. Lievin // Phys. Rev. B. 1985. — Vol. 31. — P. 5539−5542.
  52. Skolnick M. S. Investigation of InGaAs-InP quantum wells by optical spectroscopy / M. S. Skolnick, P. R. Tapster, S. J. Bass, A. D. Pitt, N. Apsley, S. P. Aldredy // Semicond. Sci. Technol. 1986. — Vol. 1. — P. 29−40.
  53. Е. Б. Эллипсометрия: теория, методы, приложения (сборник статей под редакцией А.В.Ржанова) / Е. Б. Горохов, В. В. Грищенко // Новосибирск. Наука. — 1987. -С. 147−151.
  54. Л. Д. Квантовая механика. Нерелятивистская теория / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц // Москва. Наука. 1989. — С. 767.
  55. M. Д. Вариация края поглощения света в пленках SiNx с кластерами кремния / М. Д. Ефремов, В. А. Володин, Д. В. Марин, С. А. Аржанникова, Г. Н. Камаев, С. А. Кочубей, А. А. Попов // ФТП. 2008. — Т. 42. Вып. 2. — С. 202−207.
  56. Barbagiovanni Е. G. Electronic structure study of ion-implanted Si quantum dots in a Si02 matrix: Analysis of quantum confinement theories / E. G. Barbagiovanni, L. V. Goncharova, P. J. Simpson // Phys. Rev. B. 2011. — Vol. 83. — P. 35 112−1-11.
  57. Rinnert H. Influence of the temperature on the photoluminescence of silicon clusters embedded in a silicon oxide matrix / H. Rinnert, M. Vergnat // Physica E. 2003. — Vol. 16. — P. 382−387.
  58. Valenta Jan. Photoluminescence spectroscopy of single silicon quantum dots / Jan Valenta, Robert Juhasz, Jan Linnros // J. Appl. Phys. Lett. 2002. — Vol. 80. N. 6. — P. 1070−1072.
  59. Estes M. J. Luminescence from amorphous silicon nanostructures / M. J. Estes, G. Moddel // Phys. Rev. B. 1996. — Vol. 54. N. 20. — P. 14 633−14 642.
  60. Wang Jiwei. Thermal activation energy of crystal and amorphous nano-silicon in Si02 matrix / Jiwei Wang, Marcofabio Righini, Andrea Gnoli, Steinar Foss, Teije Finstad, Ugur Serincan, Rasit Turan // SSC. 2008. — Vol. 147. — P. 461−464
  61. Kobitski A. Yu. Self-trapped exciton recombination in silicon nanocrystals / A. Yu. Kobitski, K. S. Zhuravlev, H. P. Wagner, D. R. T. Zahn // Phys. Rev. B. 2001. — Vol. 63. — P. 115 423−1-5.
  62. Kapoor Manish. Origin of the anomalous temperature dependence of luminescence in semiconductor nanocrystallites / Manish Kapoor, Vijay A. Singh, G. K. John // Phys. Rev. B. -2000. Vol. 61. N. 3. — P. 1941−1945.
  63. M. Д. Кулоновское блокирование проводимости пленок SiOx при одноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки в составе цепочки электронныхсостояний / М. Д. Ефремов, Г. Н. Камаев, В. А. Володин, С. А. Аржанникова, Г. А. Качурин,
  64. C. Г. Черкова, А. В. Кретинин, В. В. Малютина-Бронская, Д. В. Марин // ФТП. 2005. — Т. 39. Вып. 8. — С. 945−952.
  65. С. А. Особенности электропроводности легированных пленок а-Si:H с нанокристаллами кремния / С. А. Аржанникова, М. Д. Ефремов, Г. Н. Камаев, А. В. Вишняков, В. А. Володин // ФТП. 2005. — Т. 39. Вып. 4. — С. 472−478.
  66. Barnham К. W. J. Quantum well solar cells / К. W. J. Barnham, I. Ballard, J. P. Connolly, N. J. Ekins-Daukes, B. G. Kluftinger, J. Nelson, C. Rohr // Physica E. 2002. — Vol. 14. -P. 27−36.
  67. Green Martin A. Third generation photovoltaics: solar cells for 2020 and beyond // Physica E. 2002. — Vol. 14. — P. 65 — 70.
  68. Ekins-Daukesa N. J. Strain-balanced quantum well solar cells / N. J. Ekins-Daukesa,
  69. D. B. Bushnella, J. P. Connollya, K. W. J. Barnhama, M. Mazzerb, J. S. Robertsc, G. Hillc, R. Aireyc // Physica E. 2002. — Vol. 14. — P. 132 — 135.
  70. Cuadra L. Type II broken band heterostructure quantum dot to obtain a material for the intermediate band solar cell / L. Cuadra, A. Mart, A. Luque // Physica E. 2002. — Vol. 14. — P. 162−165.
  71. Green Martin A. Photovoltaic principles // Physica E. 2002. — Vol. 14. — P. 11 — 17.
  72. Archer Mary D. Photovoltaics and photoelectrochemistry: similarities and differences // Physica E. 2002. — Vol. 14. — P. 61 — 64.
  73. Anjosa V. Band gap renormalization in resonant Raman spectra of multilayer systems / V. Anjosa, L. A. O. Nunesb, M. J. V. Belle // Physica E. 2002. — Vol. 14. — P. 180 -183.
  74. Konenkamp R. Nano-structures for solar cells with extremely thin absorbers / R. Konenkamp, L. Dloczik, K. Ernst, C. Olesch // Physica E. 2002. — Vol. 14. — P. 219 — 223.
  75. Ley M. Near-IR improvement of Si photovoltaic conversion by a nanoscale modification / M. Ley, Z. T. Kuznicki // Physica E. 2002. — Vol. 14. — P. 255 — 258.
  76. Queisser Hans J. Photovoltaic conversion at reduced dimensions // Physica E. -2002. -Vol. 14. P. 1 — 10.
  77. А. В. Сравнительный анализ предельной эффективности фотопреобразования обычных солнечных элементов и солнечных элементов с квантовыми ямами / А. В. Саченко, И. О. Соколовский // ФТП. 2008. — Т. 42. Вып. 10. — С. 1243−1251.
  78. Cho Eun-Chel. Silicon quantum dot/crystalline silicon solar cells / Eun-Chel Cho, Sangwook Park, Xiaojing Hao, Dengyuan Song, Gavin Conibeer, Sang-Cheol Park, Martin A Green // Nanotechnology. 2008. — Vol. 19. — P. 245 201−1-5.
  79. Nozik A. J. Quantum dots solar cells // Physica E. 2002. — Vol. 14. — P. 115−120.
  80. Г. А. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным облучением / Г. А. Качурин, Н. Б. Придачин, JI. С. Смирнов // ФТП. 1975. — Т. 9. Вып. 7. — С. 1428−1429.
  81. X. Ионная имплантация / X. Риссел, И. Руге // Москва. Наука. 1983. -С. 358.
  82. А. В. Импульсная ориентированная кристаллизация твердых тел (лазерный отжиг) // Соросовский образовательный журнал. 2004. — Т. 8. N. 1. — С. 108−114.
  83. Romanov S. I. Crystallization of ion-implanted silicon layers by the nanosecond laser pulses / S. I. Romanov, G. A. Kachurin, L. S. Smirnov, I. B. Khaibullin, E. I. Shtyrkov, R. M. Bajazitov // Radiat. Eff. 1980. — Vol. 48. N !4. — P. 191−194.
  84. Foti G. Amorphous thickness dependence in the transition to single crystal induced by laser pulse / G. Foti, E. Rimini, M. Bertolotti, G. Vitali // Phys. Lett. 1978. — Vol. 65 A. N 5−6. — P. 430−432.
  85. Foti G. Structure of crystallized layers by laser annealing of <100> and <111> self-implanted Si samples / G. Foti, E. Rimini, w. S. Tseng, J. W. Mayer // J. Appl. Phys. 1978. — Vol. 15. — P. 365−369.
  86. Auston D. H. Time resolved reflectivity of ion-implanted silicon during laser annealing / D. H. Auston, С. M. Surco, T. N. C. Venkatesan // J. Appl. Phys. Lett. 1978. — Vol. 33. N. 5. -P. 437−440.
  87. С. П. Моделирование процессов плавления и кристаллизации монокристаллического кремния при воздействии наносекундного лазерного излучения // ЖТФ. 2000. — Т. 70. Вып. 8. — С. 58−62.
  88. Gallas В. Laser annealing of SiOx thin films / B. Gallas, C.-C. Kao, S. Fisson, G. Vuye, J. Rivory, Y. Bernard, C. Belouet // Appl. Surf. Science. 2002. — Vol. 185. — P. 317−320.
  89. Bok J. Effect of electron-hole pairs on the melting of silicon // Phys. Lett. 1981. -Vol. 84 A. N. 8. — P. 448−450.
  90. Sameshima T. Pulsed laser-induced amorphization of silicon films / T. Sameshima, S. Usui //J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 70. N. 3. — P. 1281−1289.
  91. Shieh Jia-Min. Near-infrared femtosecond laser-induced crystallization of amorphous silicon / Jia-Min Shieh, Zun-Hao Chen, Bau-Tong Dai, Yi-Chao Wang, Alexei Zaitsev, Ci-Ling Pan // J. Appl. Phys. Lett. 2004. — Vol. 85. N. 7. — P. 1232−1234.
  92. Juodkazis Saulius. Three-dimensional microfabrication of materials by femtosecond lasers for photonics applications / Saulius Juodkazis, Vygantas Mizeikis, Hiroaki Misawa // J. Appl. Phys. 2009. — Vol. 106. — P. 51 101−1-14.
  93. Stampfli P. Time dependence of the laser-induced femtosecond lattice instability of Si and GaAs: Role of longitudinal optical distortions / P. Stampfli, К. H. Bennemann // Phys. Rev. B. 1994. — Vol. 49. N. 11. — P. 7299−7305.
  94. Sokolowski-Tinten K. Ultrafast laser-induced order-disorder transitions in semiconductors / K. Sokolowski-Tinten, J. Bialkowski, D. von der Linde // Phys. Rev. B. 1995. -Vol. 51. N. 20.-P. 14 186−14 197.
  95. Sokolowski-Tinten K. Thermal and nonthermal melting of gallium arsenide after femtosecond laser excitation / K. Sokolowski-Tinten, J. Bialkowski, M. Boing, A. Cavalleri, D. von der Linde // Phys. Rev. B. 1998. — Vol. 58. N. 18. — P. 11 805−11 808.
  96. А. А. Исследование когерентных фононов в висмуте при зондировании фемтосекундными лазерными и рентгеновскими импульсами / А. А. Мельников, О. В. Мисочко, С. В. Чекалин // Письма в ЖЭТФ. 2009. — Т. 89. Вып. 3. — С.148.152.
  97. В. В. Новый механизм формирования нанорельефа поверхности, облученной фемтосекундным лазерным импульсом / В. В. Жаховский, Н. А. Иногамов, К. Nishihara // Письма в ЖЭТФ. 2008. — Т. 87. Вып. 8. — С. 491−496.
  98. Falkovsky L. A. Lattice deformation from interaction with electrons heated by ultrashot laser pulse / L. A. Falkovsky, E. G. Mishchenko // Письма в ЖЭТФ. 1997. — Т. 66. Вып. 3. — С. 195−199.
  99. С. И. Рекомбинация электронно-дырочной плазмы в кремнии при воздействии фемтосекунных лазерных импульсов / С. И. Ашитков, А. В. Овчинников, М. Б. Агранат // Письма в ЖЭТФ. 2004. — Т. 79. Вып. 11. — С. 657−659.
  100. В. Л. К истории открытия комбинационного рассеяния света / В. Л. Гинзбург, И. Л. Фабелинский // Вестник Российской Академии Наук. 2003. — Т. 73. N. 3. -С. 215−227.
  101. И. Л. Открытие комбинационного рассеяния света // Успехи Физических Наук. 1978. — Т. 126. N 1. — С. 152.
  102. И. JI. Комбинационному рассеянию света 70 лет // Успехи Физических Наук.- 1998.-Т. 168. N. 12.-С. 1341−1360.
  103. М. Рассеяние света в твердых телах: проблемы прикладной физики // Москва. Издательство «Мир». 1979. — С. 392.
  104. В. С. Введение в спектроскопию комбинационного рассеяния света / В. С. Горелик, Б. С. Умаров // Душанбе. Дониш. 1982. — С. 286.
  105. М. М. Комбинационное рассеяние света и строение вещества // Москва. Издательство «Наука». 1981. — С. 183.
  106. М. М. Вынужденное рассеяние света // Москва. Издательство «Наука». — 1985.-С. 176.
  107. Г. Н. Оптические колебательные спектры кристаллов / Г. Н. Жижин, Б. Н. Маврин, В. Ф. Шабанов // Москва. Издательство «Наука». 1984. — С. 232.
  108. Э. М. Методы спектроскопии полупроводников // Новосибирск. Издательство «Наука». 1986. — С. 167.
  109. В. А. Комбинационное рассеяние света в массивах нанообъектов кремния и арсенида галлия // Новосибирск. Диссертация на соискание степени кандидата физико-математических наук. 1999. — С. 180.
  110. А. Колебательные спектры и симметрия кристаллов / А. Пуле, Ж.-П.Матье // Москва. Издательство «Мир». 1973. — С. 437.
  111. М. Рассеяние света в твердых телах. Выпуск IV. Электронное рассеяние, спиновые эффекты, морфические эффекты / М. Кардона, Г. Гюнтеродт // Москва. Издательство «Мир». 1986. — С. 408.
  112. Iqbal Z. Raman scattering from small particle size polycrystalline silicon / Z. Iqbal, S. Veptek, A. P. Webb, P. Capezzuto // SSC. 1981. — Vol. 37. — P. 993−996.
  113. Okada Т. Probing the crystallinity of evaporated silicon films by Raman scattering / T. Okada, T. Iwaki, H. Kasahara, K. Yamamoto // Japanese J. Appl. Phys. 1985. — Vol. 24. N. 2. -P. 161−165.
  114. Bustarret E. Experimental determination of the nanocrystalline volume fraction in silicon thin films from Raman spectroscopy / E. Bustarret, M. A. Hachicha, M. Brunei // J. Appl. Phys. Lett. -1988. Vol. 52. N. 20. — P. 1675−1677.
  115. Tsu R. Critical volume fraction of crystallinity for conductivity percolation in phosphorus-doped Si: F:H alloys / R. Tsu, J. G. -Hernandes, S. S. Chao, S. C. Lee, K. Tanaka // J. Appl. Phys. Lett. 1982. — Vol. 40. -P. 534−535.
  116. Paillard V. Improved one-phonon confinement model for an accurate size determination of silicon nanocrystals / V. Paillard, P. Puech, M. A. Laguna, R. Carles, B. Kohn, F. Huisken // J. Appl. Phys. 1999. — Vol. 86. N 4. — P. 1921−1924.
  117. Campbell I. H. The effects of microcrystal size and shape on the phonon raman spectra of crystalline semiconductors /1. H. Campbell, P. M. Fauchet // SSC. 1986. — Vol. 58. N 10. -P. 739−741.
  118. С. В. Анализ рамановских спектров аморфно-нанокристаллических пленок кремния / С. В. Гайслер, О. И. Семенова, Р. Г. Шарафутдинов, Б. А. Колесов // ФТТ. -2004. Т. 46. Вып. 8. — С. 1484−1488.
  119. А. С. Ангармонизм фононов в кремнии: исследование методом спектроскопии комбинационного рассеяния света / А. С. Качко, В. Н. Ваховский, В. А. Володин // Вестник НГУ. Серия: Физика. 2010. — Т. 5. Вып. 1. — С. 48−55.
  120. G. А. N. Use of hydrogenation in structural and electronic studies of gap states in amorphous germanium / G. A. N. Connel, J. R. Pawlik // Phys. Rev. B. 1976. — Vol. 13. -P. 787- 804.
  121. Дж. Физика гидрогенизированного аморфного кремния / Дж. Джоунопулос, Дж. Люковски // Москва. Издательство «Мир». 1987. — С. 368.
  122. Bakker H. HRTEM Imaging of Atoms at Sub-Angstrom Resolution / H. Bakker, A. Bleeker, P. Mul // Ultramicroscopy. 1996. — Vol. 64. — P. 17−34.
  123. Дж. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения // Москва. Издательство «Наука». 1986. — С. 320.
  124. Reimer L. Transmission electron microscopy: physics of image formation and microanalysis // Springer-Verlag. Springer Series in Optical Science. 1984. — Vol. 36. — P. 521.
  125. Дж. Физика дифракции // Москва. Издательство «Мир». 1979. — С. 432.
  126. Glaisner R.W. A theoretical analysis of HREM imaging for tetrahedral semiconductors / R.W. Glaisner, A. E. C. Spargo, D. J. Smith // Ultramicroscopy. 1989. — Vol. 27. -P. 117−127.
  127. Saxton W.O. The realization of atomic resolution with the electron microscope / W.O. Saxton, D. J. Smith // Ultramicroscopy. 1985. — Vol. 18. — P. 39- 45.
  128. Mobus G. Retrieval of crystal defect structures from HREM images by simulated evolution I. Basic technique. // Ultramicroscopy. 1996. — Vol. 65. — P. 205−216.
  129. А. А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии / А. А. Бухараев, Д. В. Овчинников, А. А. Бухараева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 1997. — Т. 63. N. 5. — Р. 10.
  130. Yamaguchi К. Shot lifetime photoluminescence of amorphous SiNx films / K. Yamaguchi, K. Mizushima, K. Sassa // J. Appl. Phys. Lett. — 2000. — Vol. 77. — P. 3773−3775.
  131. Т. Т. Структура и оптические свойства сформированных с применением низкочастотного плазмо-химического осаждения пленок SiNx:H, содержащих нанокластеры кремния / Т. Т. Корчагина, Д. В. Марин, В. А. Володин, А. А. Попов, М.
  132. Vergnat // OTn. 2009. — T. 43. Btrn. 11. — C. 1557−1563.
  133. Davis E. A. Optical properties of amorphous SiNx (:H) films / E. A. Davis, N. Piggins, S. D. Bayliss // J. Phys. C: SSP. 1987. — Vol. 20. — P. 4415- 4427.
  134. Brodsky M. H. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering / M. H. Brodsky, M. Cardona, J. J. Cuomo // Phys. Rev. B. 1977. — Vol. 16. — P. 3556 — 3571.
  135. Zerga A. Si-nano structures formation in amorphous silicon nitride SiNx: H deposited by remote PECVD / A. Zerga, M. Carrada, M. Amann, A. Slaoui // Physica E. 2007. -Vol. 38.-P. 21−26.
  136. Austin I. G. Photoluminescence properties of a-SiNx:H alloys / I. G. Austin, W. A. Jackson, T. M. Searle, P. K. Bhat // Philosophical Magazine B. 1985. — Vol. 52. — P. 271- 288.
  137. Vasilev V. V. Effect of hydrogen on photoluminescence spectra of silicon nitride amorphous films / V. V. Vasilev, I. P. Mikhailovskii, K. K. Svitashev // Phys. Stat. Sol. 1986. -Vol. 95. — P. K 37 -K42.
  138. Wora Adeola G. Luminescence efficiency at 1.5 p. m of Er-doped thick SiO layers and Er-doped Si0/Si02 multilayers / G. Wora Adeola, O. Jambois, P. Miska, H. Rinnert, M. Vergnat // J. Appl. Phys. Lett. 2006. — Vol. 89. — P. 101 920−1-3.
  139. Ardyanian M. Structure and photoluminescence properties of evaporated GeOx thin films / M. Ardyanian, H. Rinnert, X. Devaux, M. Vergnat // J. Appl. Phys. Lett. 2006. — Vol. 89. -P. 11 902−1-3.
  140. Ardyanian M. Structure and photoluminescence properties of evaporated GeO* /Si02 multilayers / M. Ardyanian, H. Rinnert, M. Vergnat // Appl. Phys. 2006. — Vol. 100. — P. 1 131 061.4.
  141. Jambois O. Influence of the annealing treatments on the luminescence properties of Si0/Si02 multilayers / O. Jambois, H. Rinnert, X. Devaux, M. Vergnat // Appl. Phys. 2006. — Vol. 100.-P. 123 504−1-6.
  142. Molinari M. Visible photoluminescence in amorphous SiOx thin films prepared by silicon evaporation under a molecular oxygen atmosphere / M. Molinari, H. Rinnert, M. Vergnat // J. Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82. N. 22. — P. 3877−3879.
  143. Jambois O. Photoluminescence and electroluminescence of size-controlled silicon nanocrystallites embedded in SiC>2 thin films / O. Jambois, H. Rinnert, X. Devaux, M. Vergnat // Appl. Phys. 2005. — Vol. 98. — P. 46 105−1-3.
  144. Rinnert H. Structure and optical properties of amorphous silicon oxide thin films with different porosities / H. Rinnert, M. Vergnat // Non-Cryst. Solids. 2003. — Vol. 320. — P. 6475.
  145. Calcott P. D. J. Identification of radiative transitions in highly porous silicon / P. D. J. Calcott, K. J. Nash, L. T. Canham, M. J. Kane, D. Brumhead // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. -Vol. 5.-P. L91-L98.
  146. Takagahara T. Theory of the quantum confinement effect on excitons in quantum dots of indirect-gap materials / T. Takagahara, K. Takeda // Phys. Rev. B. -1992. Vol. 46. — P. 15 578−15 581.
  147. Т.Т. Способ формирования аморфных и кристаллических нанокластеров кремния в диэлектрических пленках / Т. Т. Корчагина, В. А. Володин // Научно-технические ведомости СпбГПУ: Физико-математические науки. 2010. N. 1(94). -С. 66−70.
  148. Т. Т. Формирование и кристаллизация нанокластеров кремния в пленках SiNx:H с применением фемтосекундных импульсных отжигов / Т. Т. Корчагина, В. А. Володин, В. N. Chichkov // ФТП. 2010. — Т. 44. Вып. 12. — С. 1660−1665.
  149. Volodin V. A. Femtosecond laser induced formation of Si nanocrystals and amorphous Si clusters in silicon-rich nitride films / V. A. Volodin, Т. T. Korchagina, J. Koch, B. N. Chichkov // Physica E. 2010. — Vol. 42. — P. 1820−1823.
  150. Kolobov A. V. Raman scattering from Ge nanostructures grown on Si substrates: Power and limitations // J. Appl. Phys. 2000. — Vol. 87. — P. 2926- 2930.
  151. Faraci Giuseppe. Quantum size effects in Raman spectra of Si nanocrystals / Giuseppe Faraci, Santo Gibilisco, Agata R. Pennisi, Carla Faraci // Appl. Phys. 2011. — Vol. 109. -P. 74 311−1-4.
  152. Cheng Wei. Calculations on the size effects of Raman intensities of silicon quantum dots / Wei Cheng, Shang-Fen Ren // Phys. Rev. B. 2002. — Vol. 65. — P. 205 305−1-9.
  153. С. H. Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiC>2 и Si / С. Н. Шамин, В. Р. Галахов, В. И. Аксенова // ФТП. 2010. — Т. 44. Вып. 4. — С. 550 -557.
  154. Y. J. Ma. Tunable nonlinear absorption of hydrogenated nanocrystalline silicon / Y. J. Ma, J. I. Oh, D. Q. Zheng, W. A. Su, and W. Z. Shen // Optics Letters. 2011. — Vol. 36, — No. 17.-P. 3431−3433.
  155. S. De Unamuno. A thermal description of the melting of c- and a-siilicon under pulsed excimer lasers / S. De unamuno, E. Fogarassy // Appl. Surf. Science. 1989. — Vol. 36. — P. 1−11.
  156. S. R. Stiffler. Supercooling and nucleation of silicon after laser melting / S. R. Stiffler, Michael O. Thomson, P. S. Peercy// Phys. Rev. Lett. -1988. Vol. 60. N. 24. — P. 25 192 522.
  157. L. A. Nesbit. Annealing characteristics of Si-rich Si02 films // Appl. Phys. Lett. -1985.-Vol. 46.-P. 38−40.
  158. Т. Т. Crystallization of amorphous Si nanoclusters in SiOx films using femtosecond laser pulse annealings / Т. T. Korchagina, A. K. Gutakovsky, L. I. Fedina, M. A.
  159. Neklyudova, V. A. Volodin // Journal of Nanoscience ana Nanotechnology. 2012. — N. 3. — P.1877.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!