Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Применение кристаллохимического подхода к синтезу соединений и твердых растворов со структурой силленита

Диссертация: Применение кристаллохимического подхода к синтезу соединений и твердых растворов со структурой силленита
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено существование инконгруэнтно плавящегося силленита состава Вц2М019 с 1-Ш1=785°С. Параметр элементарной ячейки а=10,212 А. Этот стехиометрический состав А^-силленита совпал с определенным с помощью кристаллохимического подхода (6В12Оз:11У^О). Область гомогенности ]^-силленита располагается по одну сторону от стехиометрического состава (в сторону уменьшения концентрации М^О). Предельное… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ОБРАЗОВАНИЕ СОЕДИНЕНИЙ СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА И ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
    • 1. 1. Соединения со структурой силленита
    • 1. 2. Кристаллическая структура силленитов
    • 1. 3. О возможности вхождения ионов В13+ и В15+ в тетраэдрические позиции в структуре силленита
    • 1. 4. Кристаллохимические закономерности образования силленитов в системах В1203-ЭХП+0У (п=2 — 5)
    • 1. 5. Стабильность и характер плавления силленитов
    • 1. 6. Образование твердых растворов со структурой силленита
  • ВЫВОДЫ по главе 1
  • 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ, АППАРАТУРА И РЕАКТИВЫ
    • 2. 1. Исходные реактивы
    • 2. 2. Приготовление шихты
    • 2. 3. Рентгеновский метод исследования
    • 2. 4. Дифференциально-термический анализ (ДТА)
    • 2. 5. Визуально-политермический анализ (ВПТА)
  • 3. КРИСТАЛЛОХИМИЧЕСКОЕ ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ И ГРАНИЦ ОБЛАСТИ ГОМОГЕННОСТИ СОЕДИНЕНИЙ СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА
  • ВЫВОДЫ по главе
  • 4. ИЗУЧЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ СИЛЛЕНИТОВ В СИСТЕМАХ В120з-Э2+
    • 4. 1. Поведение исходных оксидов СиО) при нагревании на воздухе до температуры синтеза силленита
    • 4. 2. Взаимодействие В1203 с 1^
    • 4. 3. Взаимодействие В120з с СиО
  • ВЫВОДЫ по главе 4
  • 5. ОБРАЗОВАНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА В СИСТЕМАХ СИЛЛЕНИТ — ОКСИД ЭЛЕМЕНТА, НЕ ОБРАЗУЮЩЕГО СИЛЛЕНИТ
    • 5. 1. Поведение исходных оксидов (ТЮ2, Оа2Оз, РЬО, N10) при температуре образования твердых растворов со структурой силленита
    • 5. 2. Изучение пределов замещения Т14+ на РЬ2+ в титановом силлените
  • -ii л г
    • 5. 3. Изучение пределов замещения Оа на№ в галиевом силлените.7^ ВЫВОДЫ по главе 5
  • 6. ОБРАЗОВАНИЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА МЕЖДУ ДВУМЯ СИЛЛЕНИТАМИ НА ПРИМЕРЕ СИСТЕМ В^АЬОзэ^УЛь В124А120з9-В1240а20з9, В124Ге20з9-В1240а20з
    • 6. 1. Поведение исходных оксидов (А120з, У205, Ре20з) при температуре образования твердых растворов со структурой силленита
    • 6. 2. О возможности образования твердых растворов двух силленитов
    • 6. 3. Изучение образования твердых растворов двух силленитов в системе В124А120з9-В124У
    • 6. 4. О возможности образования твердых растворов в системе В124А12Оз9-В1240а2Оз
      • 6. 5. 0. возможности образования твердых растворов в системе
  • В124Ге2039- В124Оа2Оз
  • ВЫВОДЫ по главе 6

Применение кристаллохимического подхода к синтезу соединений и твердых растворов со структурой силленита (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В чу и зависимости от характера излучения и от свойств активной среды (кристалла), которая является носителем информации, развиваются основные направления функциональной электроники: акустоэлектроника, оптоэлектроника, магнитоэлектроника.

Кристаллы со структурой силленита обладают комплексом практически важных физических свойств. Благодаря электрооптическим, магнитооптическим, пьезоэлектрическим и акустическим свойствам, широкой области прозрачности и высокой симметрии их используют в качестве непрерывных и импульсных электрооптических модуляторов света, переключателей поляризации в электрооптических дефлекторах световых пучков, в светоклапанных устройствах (пространственно-временных модуляторах света), в качестве реверсируемых рабочих сред оптических запоминающих устройств большой емкости и в других приборах и устройствах функциональной электроники.

Многие исследователи изучают влияние легирующих примесей на с/ гр свойства силленитов. Так, например, установлено, что с увеличением степени легирования Сс1 и Мо происходит гашение фоточувствительности почти на пять порядков и просветление кристаллов при сохранении их электрооптических свойств [1]- в кристаллах В^гОеСЬо и ВЦгЗЮго, легированных Мп4+ и Сг3+, обнаружен ярко выраженный фотохромный эффект после облучения светом видимого диапазона, что позволяет использовать эти материалы в качестве оптических адрессаторов для хранения информациипри совместном легировании В^ЗЮго двумя элементами: Оа и V, Мп и Р, Бе и Р, Со и Р, № и Р, Си и Р не изменяются оптическая активность и линейные электрооптические коэффициенты, но значительно изменяется фотопроводимость [2]. Однако, эти исследования в большинстве случаев носят констатационный характер и не выявляют закономерностей влияния концентрации примеси на свойства, хотя такая необходимость и отмечается [3].

Многие свойства особенно чувствительны к присутствию даже незначительных (до 0.1 мас.% в исходной шихте) легирующих добавок. К ним относятся, в первую очередь, светопоглощение, фотопроводящие, электрооптические, магнитооптические, акустические и другие свойства.

Итак, возможность управления физическими свойствами силлени-тов путем введения структурообразующих (стабилизирующих метаста-бильную кубическую объемноцентрированную структуру у-Ш203) и легирующих ионов делает силлениты перспективным материалом, не теряющим своей актуальности.

Однако, получение новых силленитов осложняет отсутствие единого мнения об их составе и требует методики для прогнозирования сте-хиометрического состава силленитов, для установления границ области гомогенности.

На кафедре химии и технологии кристаллов РХТУ им. Д. И. Менделеева была предпринята попытка систематизации накопленных экспериментальных данных и выработки единого подхода к прогнозированию стехиометрического состава для простых силленитов с учетом кристал-лохимических характеристик структурообразующих ионов. К сожалению, в работе [4] дана лишь модель кристаллохимического подхода к прогнозированию возможных составов силленитов, не подтвержденная или опровергнутая экспериментальными данными. Вследствие этого возникла необходимость данной работы, в которой проверялась возможность прогнозирования стехиометрического состава и границ области гомогенности силленита с помощью предложенной модели кристаллохи-мического подхода и возможность распространения этой модели к изучению твердых растворов со структурой силленита.

Целью данной работы являлось: а) подтверждение на практике возможности применения предложенного ранее на кафедре химии и технологии кристаллов кристаллохи-мического подхода к изучению новых простых силленитов на примере систем В120з-]^0 и В12Оз-СиО. б) Оценка возможности применения кристаллохимического подхода к изучению твердых растворов со структурой силленита на основе двух силленитов и силленит-оксид элемента, не образующего силленит. В качестве объектов исследования были выбраны системы В^ТЮго-РЮ, В1240а20з9″ № 0, В124А120з9-В1240а20з9, В124ре20з9-В1240а20з9, В124А120з9.

В124У2041.

Для достижения этих целей необходимо было решить следующие задачи:

1. Применить кристаллохимический подход к оценке возможности образования и прогнозированию стехиометрического состава силленита для систем В12Оз-1у^О, В12Оз-СиО. Определить характер плавления, сте-хиометрический состав и концентрационные границы области гомогенности силленитов, образующихся в этих системах.

2. Распространить подход, предложенный для простых силленитов, для твердых растворов со структурой силленита, представляющих собой: а) твердый раствор силленит — силленит (В124А120з9-В1240а20з9, В124ре20з9-В1240а20з9, В124А120з9-В124У2041) — б) твердый раствор силленит — оксид элемента, не образующего силленит (В112ТЮ2о-РЬО, В124Са20з9-№ 0). Проведя соответствующие расчеты и эксперименты, определить возможность существования и границы твердых растворов в этих системах.

Для проверки предложенного подхода построить Т-х диаграммы изучаемых систем.

Научная новизна.

Получил дальнейшее развитие разработанный на кафедре химии и технологии кристаллов кристаллохимический подход, позволяющий предсказать возможность существования силленитов. Внесены некоторые коррективы в предложенную в [4] зависимость параметра решетки силленитов от приведенного ионного радиуса, лежащую в основе подхода, подтверждена возможность практического применения предложенного подхода к изучению силленитов на примере систем В12Оз-1У^О, В120з-СиО, а также представлено развитие этого подхода для твердых растворов двух силленитов и твердых растворов силленит — оксид элемента, не образующего силленит.

Построены участки диаграмм состояния систем В1203-М0, В120з-СиО и политермические разрезы ВигТЮго-РЬО, В1240а20з9-№ 0, В124А120з9-В1240а20з9, В124Ре2Оз9-В124Оа2Оз9, В124А120з9-В124У2041 диаграмм состояния систем В1203-Т102-РЬ0, В120з-0а20з-№ 0, В120з-А120з-Са203, В120з-Ре20з-0а20з, В120з-А120з-У205.

Практическая ценность.

Показана возможность и перспективность практического применения кристаллохимического подхода к изучению новых соединений и твердых растворов со структурой силленита, облегчающего процесс построения диаграмм состояния, синтезированы ранее неизвестные твердые растворы и соединения со структурой силленита.

На защиту выносятся:

— Кристаллохимическое прогнозирование возможности образования и устойчивости соединений со структурой силленита с одним или двумя структурообразующими ионами различной валентности.

— Фрагменты диаграмм фазовых равновесий в системах В1203-Си0, В^Оз-М^О, политермические разрезы Вц2ТЮ2о-РЬО, В1240а20з9-№ 0, В124А12Оз9-В124Оа2Оз9, В124Ре2039;ВЬ40а2039, В124А12 039;В124У2041 диаграмм состояния систем В12Оз-ТЮ2-РЬО, В120з-0а20з-№ 0, В120з-А120з-Оа2Оз, В12Оз-Ре2Оз-Оа2Оз, В120з-А120з-У205. Характер плавления, сте-хиометрический состав, концентрационные границы областей гомогенности силленитов и границы существования твердых растворов.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1. Структуру силленита можно представить как каркас Е^С^о, образованный искаженными висмут-кислородными полиэдрами, содержащий две тетраэдрические пустоты.

2.При заполнении этих тетраэдрических пустот ионами В13+ и В15+ образуется предельная структура силленита (у-В120з) с параметром решетки а=10,268 А.

3.При заполнении пустот ионами четырехвалентных элементов (81, ве) образуется идеальная структура силленита с полностью заполненными анионными и катионными позициями.

4.При неполном заполнении тетраэдрических пустот или при заполнении их ионами структурообразующих элементов с валентностью, отличной от 4, структура должна содержать частично заполненные анионные позиции и/или компенсировать заряд другим путем (например, содержать в тетраэдрических позициях ионы В13+ или В15+).

5.Область гомогенности можно представить как у- (разбаланс в соотношении между катионными составляющими кристалла (ионы В1 и Эп+ (2<п<5)) и а- (дефицит или избыток кислорода) нестехиометрию.

6. Теоретически возможные границы области гомогенности в зависимости от валентности структурообразующего иона можно рассчитать, расписывая квазихимические уравнения возможных механизмов образования силленитов и их областей гомогенности (как у-нестехиометрию).

7. Линейный характер изменения параметра решетки внутри области гомогенности объясняется изменением вида и количества ионов (В1 и структурообразующих) в тетраэдрических позициях и в первом приближении является функцией размера структурообразующего иона.

8.Зависимость параметра решетки силленитов от приведенного ионного радиуса с учетом поправки Б4 а=Г (г*8') линейна.

Границы области образования стабильных силленитов определяются значениями параметра решетки а= 10,268 А и приведенного ионного радиуса г*8Л=0,261 А для у-В1203.

Если значение г*8″ для данного иона превышает значение 0,261 А, то образование силленитовой структуры с ним в качестве структурообразующего невозможно.

9. Если область гомогенности силленитов представить как твердый раствор замещения ионов В1 ионами структурообразующих элементов, то закономерности, выявленные для этих систем, возможно использовать и для твердых растворов со структурой силленита.

В этом случае приведенный ионный радиус структурообразующих элементов следует рассчитывать согласно с учетом их мольных долей.

10. Твердые растворы со структурой силленита можно разделить на два типа: а) твердый раствор между двумя силленитамиб) твердый раствор между силленитом и оксидом элемента, не образующим силленитовой структуры.

11. К ограничению образования в системе непрерывного ряда твердых растворов может привести структурная (геометрическая) и/или электронная (химическая) деформация твердого раствора, возникающая вследствие различия в размерах ионных радиусов Аг и/или строения электронных оболочек Ав. Для ионно-ковалентной связи Ае можно оценивать с помощью электроотрицательностей замещающих друг друга ионов А8"ха-хв=ах.

12. Возможность применения модели кристаллохимического прогнозирования возможности существования силленитов и границ их областей гомогенности подтверждена экспериментально при изучении систем В12Оз-М^О, В1203-Си0.

13. Установлено существование инконгруэнтно плавящегося силленита состава Вц2М019 с 1-Ш1=785°С. Параметр элементарной ячейки а=10,212 А. Этот стехиометрический состав А^-силленита совпал с определенным с помощью кристаллохимического подхода (6В12Оз:11У^О). Область гомогенности ]^-силленита располагается по одну сторону от стехиометрического состава (в сторону уменьшения концентрации М^О). Предельное значение границы области гомогенности в сторону увеличения концентрации В120з 25В120з.'110. Границы области гомогенности, -от 3,8 до 14,2 мол.% что соответствует соотношениям В12Оз:1У^О=25:1 — 6:1, — совпали с определенными путем теоретических выкладок.

14. Установлено существование инконгруэнтно плавящегося Си-силленита, стехиометрический состав которого совпал с определенным с помощью кристаллохимического подхода и отвечает соотношению В1203: Си0=6:1 (ВигСиОю). Соединение В112Си019 плавится инконгруэнтно при 1=770+1°С. Границы области гомогенности Си-силленита оказались несколько уже рассчитанных теоретически, что мы связываем с различием характера химической связи взаимозамещающихся ионов А%.

Область гомогенности располагается от 7,7 до 14,2 мол.% СиО. Параметр элементарной ячейки для стехиометрического состава а=10,227 А.

15. Развиваемый нами кристаллохимический подход применим к синтезу твердых растворов типа силленит — оксид элемента, не образующего силленит, что проиллюстрировано на примере систем ВцгТЮго-РЬО, В1240а20з9-№ 0, где на основе данного подхода предсказано, а затем подтверждено экспериментально существование ограниченного ряда твердых растворов (для ВигТЮго-РЬО от 0 до 17,4 мол.% РЬО, для В1240а20з9-№ 0 от 0 до 10 мол.% N10).

16. В рамках данного подхода зависимость а=^г*8'), учитывающая лишь геометрический фактор, не позволяет точно определить границы области существования растворов в системах силленит — оксид элемента, не образующего силленитовой структуры.

17. Применимость предлагаемого кристаллохимического подхода к синтезу твердых растворов типа силленит-силленит проиллюстрирована на примере систем В124А12Оз9-В124У2041, Ыг^гОзэ-^ыО^Озд, В1240а20з9-В124Ре2039, где на его основе предсказано и затем подтверждено экспериментально существование непрерывного ряда твердых растворов в этих системах.

В системе В124А120з9-В124У2041 обнаружено существование непрерывного рядя твердых растворов со структурой силленита, при концентрации 50 мол.% В124АЬ039 в твердом растворе имеется сингулярная точка, состав твердого раствора в этой точке можно записать как В124А1У04о.

В системе В124А120з9-В1240а20з9 обнаружено существование непрерывного ряда твердых растворов со структурой силленита, при концентрации 41 мол.% В124АЬОз9 в твердом растворе в системе имеется сингулярная точка.

В системе Bi24Ga2039;BI24Fe2039 обнаружено существование непрерывного ряда твердых растворов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.Ф., Мурадян Л. А., Симонов В. И. и др. Структурные исследования монокристаллов Ge- и Ti-силленитовУ/Высокочистые вещества. — 1990. — № 2. — стр. 158−164.
  2. Yasuyuki, Nagao and Yashinari Mimura. Properties of Bi^SiCho single crystals containing first row transition metal.// Mat. Res. Bull. 1989. -V.24. — p. 239−246.
  3. T.B., Бабонас Г. А., Кудзин А. Ю., Хогтюк В. Х. Влияние легирования на свойства монокристаллов Bii2Si02o.//H3B. АНСССР. Сер.:Неорг. мат-лы. 1983. — т. 19, № 7. — стр. 1144−1147.
  4. .С. Синтез и свойства кристаллов и пленок силленитов, содержащих ионы переходных элементов Cr3+, Fe3+, Со3+, № 2+.//Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук. -МХТИ. 1991.
  5. Sillen L. G. Azkin Kem. Mineral, Geol. Ser. 12A, N18,1, 1937.
  6. Schumb W.C., Rittner E.S. J. Amer. Chem. Soc., 65, 1055−1060, 1943.
  7. Belladen L. Gazz. chim. Ital., 52, 160−164, 1922.
  8. Levin E.M., Roth R.S. Polymorphism of Bismuth Sequioxide II Effect of Oxide Addition of the Polymorphism of Bi203.//J. of Research of National Buredu of Standarts. A. Phys. and Chem. — 1963. — V.68A, № 2. — p.197−206.
  9. Л.П., Майер A.A., Грачева H.A. Труды МХТИ им. Д. И. Менделеева, вып. 76, 67, 1979.
  10. Gattow G., Schutze D. Z. anorg. allg. Chem., 328, 44, 1964.
  11. А.А. Физико-химическое исследование высокотемпературного синтеза некоторых монокристаллов для квантовой электроники и влияние примесей на их свойства.//Дисс.. докт. хим. наук. М. -1974.-363 стр.
  12. Abrahams S.C., Jamieson Р.В., Bernstein J.L. Crystal Structure of Piezoelectric Bii2GeO20.//J. Chem. Phys. 1967. — V.47, № 10 — p. 40 344 041.
  13. A.H., Победимская E.A., Терентьева A.E., Петрова И. В., Кап-лунник JI.H., Малахова Г. В. Кристаллохимические особенности сил-ленитов галлия и ванадия.//Изв. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. -1989 т.25, № 10 — стр. 1715−1718.
  14. С.Ф., Мурадян Л. А. и др.//Докл. АНСССР. 1989 — т.306, № 3.- стр. 624.
  15. Радаев С. Ф, Мурадян Л. А., Сарин В. А. и др. //Докл. АНСССР. -1989- т.307, № 3 стр. 606.
  16. С.Ф., Мурадян Л .А., Каргин Ю. Ф. и др.//Докл. АНСССР. -1989. № 6. — стр. 1381.
  17. Craig D.C., Stephenson N.C. Structural Studies of some Body-Centered Cubic Phases of Mixed Oxides Involving В120з- The Structures of Bi25Fe04o and Bi38Zn06o.//J. of Solid State Chemistry. 1975. — V.15, № 1. — p. 1−8.
  18. Ю.Ф., Марьин A.A., Скориков B.M. Кристаллохимия пьезо-электриков со структурой силленита.//Изв. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. 1982. — т. 18, № 10. — стр. 1611−1613.
  19. Ю.Ф. Синтез, строение и свойства оксидных соединений висмута со структурой силленита. // Тез. 3-ей Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение», Александров, 1997, с. 17−19.
  20. Ю.Ф. Синтез, строение и свойства оксидных соединений висмута со структурой силленита. // Автореф. дисс. на соискание уч. степени докт. хим. наук. Москва, 1998. — 46 с.
  21. Denable S., Martinaud М., Schvoerer М., Marsaud F., Launay J.C., Hagenmuller P. Termally stimulated luminescence in doped and undoped Bii2Ge02o single crystals.//! Phys. Chem. Solids. 1990. — V. 51, № 2. -p. 171−176.
  22. Oberschmid R., Phys. Status Solidi (a) 89, 263, 1985.
  23. Ю.Ф., Нелянина Н. И., Марьин A.A., Скориков В. М. Синтез и свойства соединений Bi243 P(V)04o и В1збЭ Р2(У2)Обо со структурой силленита.//Изв. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. 1982. — т. 19, № 2. -стр. 278−282.
  24. Tuilier M.N., Dexperf Н., Lagarge P., Devalette M., Khachan N. An EXAES Study at the local distartions in some Bii2Ax+aBy+p.02o oxides with sillenite-type structure.//J. Phys. and chem. solids. 1981. — V.48. -p. 707−711.
  25. Ramahan A., Gopalakrichan J., Rao C. N. Bismuth Oxides Bi26-xMx04o-y (M=Mg, Al, Co, Ni) //Mat. Res. Bull. -1981. V. 16,№ 2. — p. 169−174.
  26. B.H., Пахомов В. И., Сафронов Г. М., Федоров П. М. О природе фаз со структурой у-В120з (силленит-фаза).//Изв. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. — 1977. — т.9, № 9. — стр. 1576−1580.
  27. Г. М., Батог В. Н., Степанюк Т. В., Федоров П. В. Диаграмма состояния системы Bi203-Zn0.//}KHX. 1971. — т.16, № 3. — стр.863 865.
  28. Г. М., Сперанская Е. И., Батог В. Н., Миткина Г. Д., Федоров П. М., Губина Т. Ф. Фазовая диаграмма системы В12Оз-Оа2Оз.//ЖНХ. -т. 16, № 2. стр. 526−529.
  29. Rozaj-Bruar А., Jronlery М., Kolar D. The Bi24Co037 ang the Bi203-CoO system.//J. of the Less. Conrmon Metals. — 1979. — V. 68, № 1. — p.7−14.
  30. Г. М., Батог B.H., Красилов Ю. Н., Пахомов В. И., Федоров П. М., Бурков В. И., Скориков В. М. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силленит-типа.//Изв.АНСССР. Сер.: Неорг. ма-лы. 1970. — т.7, № 2. — стр. 284 288.
  31. Е.И., Скориков В. М., Сафронов Г. М., Миткина Т. Д. Система Bi203-Si02.//h3b. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. 1968. — т.4, № 8. — стр. 1374−1375.
  32. Levin E.M., McDaniel. The System Si02-B203.//J. of the American Ceramic Society. 1962. — V.45,№ 8. — p.357−359.
  33. Е.И., Рез И.С., Козлова JI.B., Скориков В. М., Славов В. И. Система ВЬ03-ТЮ2.//Изв. АНСССР. Сер.:Неорг. мат-лы. 1965. — т.1, № 2. — стр. 232−235.
  34. Е.И., Армакуни A.A. Система Bi203-Ge0. // ЖНХ. стр. 863−865.
  35. М.Б., Миронова A.C., Шориков Ю. С., Кодлашов П. Д., Сбитнев В. Л. О взаимодействии диоксида рутения с В120з.//ЖНХ. -1980. -т.25. стр. 3154−3158.
  36. И.С., Просычев И. И., Лазарев В. Б. О соединениях в системе Вi203-Ir02.//ЖНХ. 1981. — т.26, № 12. — стр. 3338−3340.
  37. В.В., Жереб Л. А., Каргин Ю. Ф., Скориков В. М., Танаев И. В. Система Bi203-P205.//H3B. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лыю 1983. — т. 28, № 4.-стр. 1002−1005.
  38. B.C. Кристаллизация сложных кислородных соединений висмута в гидротермальных условиях.//Вестник МТУ. Сер.: Геология. — 1977. — № 1. — стр.84−90.
  39. A.B., Кутвицкий В. А., Скориков В. М., Усталова О. Н., Коряги-на Т.И. Фазовая диаграмма системы Bi203-Zn0.//H3B. АНСССР. Сер.: Неогр. мат-лы. 1976. — т. 12, № 13. — стр. 466−470.
  40. A.A., Фомченков Л. П., Ломонов В. А., Горащенко Н. Г. Выращивание монокристаллов твердых растворов со структурой силлени-та.//Рост кристаллов. Ереван. — 1977. — т. 12. — стр. 162−167.
  41. А.Д., Леонов Е. И., Муминов И. И., Никитина И. П., Орлов В. М., Хоха Л. Г. Твердые растворы в системах Bii2Si02o-Bii2Ti02o и Bii2GeO20-Bi12TiO20.//H3B. АНСССР. Сер. .Неорг. мат-лы. 1985. -т.21,№ 7, -стр. 1196−1198.
  42. B.C. Теория изоморфной смесимости. // М.:Наука. 1977.
  43. Ю.Л., Кравченко В. Б., Куча В. В. Влияние легирования на электрооптические свойства монокристаллов Bii2SiO20.//riHCbMa в ЖТФ. 1982. — т. 8, № 4. — стр. 205−207.
  44. К.С., Анистратов А. Т., Грехов Ю. И., Малышевский Н. Г., Сизых А. Г. Оптические свойства монокристаллов Bii2GeO20, легированных алюминием и бором.//Автометрия. 1980. — № 1. — стр. 99−101.
  45. Н.И., Леонов Е. И., Муминов И., Орлов В. М. Фотопроводимость легированных кристаллов Вц2ТЮ2о и твердых растворов Bii2SixTii.xO20.//nHCbMa в ЖТФ. 1984. — т. Ю, № 15. — стр. 932−936.
  46. В.В., Каргин Ю. Ф., Хомич A.B., Перов П. И., Скориков В. М. Исследование состояния ванадия в кристаллах Bii2Ti02o//H3B. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. 1989. — т.25, № 5. — стр. 827−829.
  47. М.В., Орлов В. М., Леонов Е. И., Колосов Е. Е., Карпович И. А. Фотопроводимость кристаллов BinSi02o, легированных марганцем и хромом.//Изв. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. 1986. — т.22, № 1. — стр. 103−105.
  48. И.А., Колосов Е. Е., Леонов Е. И., Орлов В. М., Жилова М. В. Фотопроводимость монокристаллов Bi12Si02o, легированных Mn, Ni, Сг.//Изв. АНСССР. Сер. :Неорг. мат-лы. 1985. — т.21, № 6. — стр. 965 967.
  49. В.М., Шилова М. В., Колосов Е. Е. Оптическое поглощение в монокристаллах Bii2Si02o, легированных хромом или никелем.//Изв. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. 1986. — т.22, № 3. — стр. 507−508.
  50. В.М., Чмырев В. И., Байсымаков М. А., Волков В. В., Каргин Ю. Ф. Фоточувствительные свойства титаната висмута, легированного цинком.//Изв. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. 1988. — т.24, № 11. -стр. 1869−1873.
  51. Г. А., Зарецкий Ю. Г., Леонов Е. И., Орлов В. М., Уханов Ю. И. Примесный циркулярный дихроизм в кристаллах Bii2Si02o:Nd./M>TT. 1982. — т.24, № 6. — стр. 1829−1830.
  52. A.B., Волков В. В., Каргин Ю. Ф., Перов П. И., Скориков В. М. Оптические свойства легированных фосфором кристаллов титаната висмута.//Изв. АНСССР. Сер.: Неорг. мат-лы. 1989. — т.25, № 4. — стр. 642−644.
  53. А.Т., Воробьев A.B., Грехов Ю. Н., Малышевский Н. Г. Темновая проводимость и фотопроводимость кристаллов германосилленита, легированных алюминием и бором.//ФТТ. 1980. — т.22, № 6. — стр. 1865−1867.
  54. И.С., Петухов П. А., Ничуткин K.M. Термостимулированные токи и термолюминесценция в легированных кристаллах типа сил-ленита.//Изв. АНСССР. Сер.:Неорг. мат-лы. 1986. — т.22, № 3. — стр. 438−441.
  55. М.Г., Хомич A.B., Петров П. И., Гон И.А., Куча В. В. Локализованные центры в кристаллах силиката висму-та.//Микроэлектроника. 1982. -т.11, № 5. — стр. 424−427.
  56. Fubro А.Т. Analysis of Refrectivity Spectrum and Band Structure of Bii2GeO20.//J. Phys. Chem. Solids. 1979. — V.40. — p.201−207.
  57. Witck A. The Effect of Illumination on Anomalous Ultrasonic Attenuation in Doped Single Crystals of Bii2GeO20.//Phys. Stat. Sol. 1982. — V.69(a), № 1, — p. 67−70.
  58. Г. А., Бондарев А. Д., Леонов Е. И., Реза A.A., Сенулене Д. Б. Пространственная неоднородность поглощения в кристаллах Bii2SiO20.™TO. -1981. -т.51, № 8. стр. 1701−1702.
  59. Jun Kuwata, Makoto Onata, Kenji Achino, Shoichiro Nomura. Dielectric hosses in Bii2GeO20 single crystals.//Jpn. J. Phys. 1981. — V.20, № 8. -p.1609−1610.
  60. Mori Т., Okamoto Т., Saito M. Suppretion of the Photoconductivity of the Bii2Ge02o and its Application to Electrooptic Light Valve.// J. of Electronic Materials. 1979. — V.8, № 3. — p. 261−267.
  61. В.И., Скориков B.M., Цисар И. В. Оптические, фотоэлектрические и электрооптические свойства монокристаллов Bii2Si02o, легированных Cd и Мо.//Высокочистые вещества. 1991. — № 2. — стр. 88−92.
  62. В.М., Чмырев В. И., Егорышева A.B., Волков В. В. Влияние легирования Си на фотоэлектрические свойства монокристаллов Вц2ТЮ20.//Письма в ЖТФ. 1982. — т. 8, № 4 — стр. 205−207.
  63. A.B., Бурков В. И., Каргин Ю. Ф., Волков В. В. Оптические свойства монокристаллов Bii2Ti02o и Bii2Si02o, легированных кобальтом //Неорг. материалы, т. 31, 1995, с. 1087−1093.
  64. Л.С., Гурри Р. В. Физическая химия металлов, М., Метал-лургиздат, 1960, 592 с.
  65. А.Ф. Разупорядочение и ионные процессы в кристаллах нестехиометрических сложных оксидов. // Автореферат докт. дисс. на соискание ученой степени д.х.н., Красноярск, 1998.
  66. Ю.Ф. Фазовые равновесия в системе Bi203-Ni0. // Ж. Неорг. химии, том 39, № 12, 1994, с.2079−2081.
  67. Ю.Ф., Скориков В. М. Система Bi203-Cu0. // Журнал неорганической химии, 1984, т. 34, № 10, с. 2713−2715.
  68. Ahrens L. The use of ionisation potentials. Geochim. Et Cosmochim. Acta, 1953, part 2, v. 2, N 1.
  69. E.C. Изоморфизм атомов в кристаллах. // Атомиздат. 1973. -M.
  70. Свойства неорганических соединений. Справочник // Ефимов А. И. и др. Л.: Химия, 1983 — 392 с.
  71. Г. Курс неорганической химии, т.2, М., «Мир», 1966, с. 404.
  72. .В. Курс общей химии, т. 3, М., «Химия», 1969, с. 42.
  73. Ф., Уилкиисои Дж. Современная неорганическая химия, ч. 3, М., «Мир», 1969, с. 311.
  74. Е.А., Угорец М. З., Ахметов K.M. Дегидротация гидроокисей металлов в щелочных растворах. Гидротированная окись меди. Изд. «Наука», Алма-Ата, 1971, 164 с.
  75. В.А. Исследование синтеза и свойств кристаллов со структурой силленита и эвлитина.//Автореферат дисс.. канд. хим. наук. -М. -1981.
  76. Л.И., Майер A.A., Власов A.C. О существовании твердых растворов со структурой силленита в системах Bi203-Si02 и Bi2Ch-Ge02.//Tp. МХТИ. 1969. — т.63. — стр. 146−148.
  77. Marezio М., Remeik J.P. J. Chem. Phys., 1967, v. 46, p. 1862.
  78. Z. Anorg. Chem., 1932, Bd 207.
  79. B.A. Кристаллохимическая модель фотопроводящих окислов свинца. // Сборник научных трудов, Ленинград, 1976, с. 437.
  80. В.А. Докт. дисс., Л., 1973.
  81. Bystron A. Ark. Kemi. Miner. Geo!., 17, В, № 8, 1, 1943- 18 A- № 23, 1- 20 A, № 11,1, 1945- 25 A, № 13,1, 1947.
  82. Hantzsch A. Z. anorg. Chem., 159, 273 (1967).
  83. Ф.М., Зворыкин А. Я. Кобальт и никель. // Изд. «Наука», М., — 1975, с. 215.
  84. Л.М. Рентгенография в неорганической химии. // Изд. МГУ, 1991,244 с.
  85. Химическая энциклопедия в 5-ти томах. Том 1. // Изд. «Советская энциклопедия», Москва, 1988, 623 с.
  86. W., Schindler Р. Константы растворимости окислов и гидроокисей металлов и основных солей в водном растворе. «Pure and Appl. Chem.», 1963, v. 6, № 2, р. 130.
  87. Ю.А. Механизм локальной компенсации валентностей и стабильность кристаллического вещества.//Кристаллография и кристаллохимия. М.:Наука. — 1986. — стр. 148−158.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!