Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Роль рекомбинационных процессов в возникновении экзоэлектронной эмиссии ионных кристаллов

Диссертация: Роль рекомбинационных процессов в возникновении экзоэлектронной эмиссии ионных кристаллов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Сравнением спектров возбуждения ФСЭЭ и поглощения в УМР области спектра количественно определены глубина миграции электронных возбуждений на поверхность L и глубина выхода медленных фотоэлектронов из кристалла? для щелочногалоид-ных кристаллов (ЩГК) и ВйО — оба параметра попадают в промежуток от 10^ до 10^ % (см. таблицу 3). Исследованием спектров стимуляции ФСЭЭ УМР-возбужденных ЩГК… Читать ещё >

Содержание

  • СОКРАЩЕНИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ
  • 1. ВВЕДЕНИЕ .'
  • 2. ЭК30ЭЛЕКТР0ННАЯ ЭМИССИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР)
    • 2. 1. Экзоэлектронная эмиссия — общие понятия и определения
    • 2. 2. Экзоэлектронная эмиссия радиационно-возбужденных ионных кристаллов
      • 2. 2. 1. Воздействие ионизирующей радиации на ионные кристаллы
      • 2. 2. 2. Термостимулированная электронная эмиссия
      • 2. 2. 3. Фотостимулированная электронная эмиссия
      • 2. 2. 4. Возможная роль рекомбинационных процессов в экзо-эмиссии
  • 3. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 3. 1. Вводные замечания
    • 3. 2. Установка для исследования фотостимулированной электронной эмиссии при ультрамягком рентгеновском возбуждении
    • 3. 3. Установка для исследования экзоэлектронной эмиссии при жестком рентгеновском возбуждении
    • 3. 4. Получение ювенильных поверхностей в вакууме
    • 3. 5. Масс-анализатор (электронный фильтр) эмиттируемых частиц
    • 3. 6. Плоский сеточный энергоанализатор эмиттируемых частиц
    • 3. 7. Изучаемые объекты
  • 4. ПРОЦЕССЫ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ФОТОСТИМУЛИРОВАННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ УЛЬТРАМЯГКИМ РЕНТГЕНОВСКИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
    • 4. 1. Вводные замечания
    • 4. 2. Экспериментальные результаты
      • 4. 2. 1. Характер фотостимулкрованной электронной эмиссии СФСЭЭ) и природа центров ФСЭЭ
      • 4. 2. 2. Спектры возбуждения фотостимулированной электронной эмиссии
    • 4. 3. Анализ спектров возбуждения фотостимулированной электронной эмиссии на основе феноменологической модели
      • 4. 3. 1. Феноменологическое описание спектров возбуждения фотостимулированной электронной эмиссии
      • 4. 3. 2. Сопоставление с экспериментом
    • 4. 4. Поверхностные потери энергии
    • 4. 5. Сопоставление феноменологического описания с диффузионной моделью фотостимулированной электронной эмиссии
  • 5. ЭК30ЭЛЕКТР0ННАЯ ЭМИССИЯ, СОПРОВОЖДАЮЩАЯ РЕКОМБИНАЦИОН НЫЕ ПРОЦЕССЫ
    • 5. 1. Вводные замечания
    • 5. 2. -пики термостимулированной электронной эмиссии
    • 5. 3. Природа эмиттируемых частиц
    • 5. 4. Возможные механизмы появления рекомбинационной тер-мостимулированной эмиссии
      • 5. 4. 1. Хемоэмиссионный механизм
      • 5. 4. 2. Реабсорбционный механизм
      • 5. 4. 3. 1/,-индуцированная Оже-эмиссия
    • 5. 5. Рекомбинационная фотостимулированная электронная эмиссия
    • 5. 6. Возможности практического применения результатов работы

Роль рекомбинационных процессов в возникновении экзоэлектронной эмиссии ионных кристаллов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В последние десятилетия бурно развивается физика поверхности твердых тел. Это связано, с одной стороны, с относительной неразвитостью именно этой части физики твердого тела, а с другой стороны с возрастающими запросами практики. Микроэлектроника, гетерогенный катализ, разработка радиационно и механически стойких материалов, тонкопленочные оптические покрытия, производство новых фото-, термои вторичных эмиттеров все эти и многие другие области техники кровно заинтересованы в получении подробных данных о химической и геометрической структуре поверхности твердых тел различных классов, об энергетическом спектре поверхности, о взаимодействии поверхности с соприкасающимися с ней газами и жидкостями. Это стимулировало разработку теории поверхностных состояний и развитие экспериментальных методов исследования поверхности. Среди последних особенно распространены методы дифракции медленных электронов, спектроскопии фотои Оже-электронов, масс-спектроскопии вторичных ионов. Большой интерес представляют для всех перечисленных областей данные о микродефектах поверхности и приповерхностного слоя. По этой проблематике появилось немало теоретических работ (см., напр., /1,2/), однако с развитием экспериментальных методов здесь, все же, дело обстоит гораздо хуже, чем по исследованию поверхностного слоя как целого. Мы еще мало знаем об энергетическом спектре, процессах возникновения и превращения поверхностных и приповерхностных собственных и примесных микродефектов. Если об инородных адсорбционных микродефектах еще можно получить данные, напр., по характеристикам термои фотодесорбции, то особенные трудности вызывает изучение собственных микродефектов приповерхностного типа. О больших концентрациях таких дефектов можно получить информацию по небольшим особенностям в фотоэлектронных и Оже-спектрах, но малые концентрации дефектов этого типа часто ускользают из поля зрения исследователей из-за недостаточной чувствительности применяемых методов. Отметим также, что перспективное направление исследования элементарных процессов радиащонного дефектообразования путем их моделирования селективным воздействием квантов вакуумного ультрафиолета, развиваемое особенно в работах тартуских и рижских физиков (см., напр., /3−5/), требует также большой чувствительности обнаружения радиационных дефектов, созданных сильнопоглощаемой радиацией в тонком приповерхностном слое. Одним из наиболее чувствительных методов исследования приповерхностных дефектов является экзоэлектронная спектроскопия обнаружение и исследование дефектов по слабой электронной эмиссии, испускаемой ими при фотоили термостимуляции и разложенной по энергиям фотоили термоактивации и/или по кинетической энергии испускаемых электронов (наиболее свежие обзоры, см./б-Ю/). Таким образом ввделяются именно дефекты в приповерхностном слое толщины 1 0 1 0 сравнимой с глубиной выхода экзоэлектронов. Широкому применению экзоэмиссионных методик пока препятствует недостаточная изученность разнообразных процессов возникновения экзоэлектронной эмиссии (ЭЭЭ). Хотя этоь! у классу эмиссионных явлений посвящены уже сотни работ, созываются специальные международные и всесоюзные симпозиумы и т. д., общая картина ЗЭЭ явлений, как в целом, так и в деталях еще далека от совершенства. Проблема обостряется и тем, что кроме научно-исследовательского, ЭЗЭ имеет ныне ряд научно-прикладных применений: радиационная дозиметрия, дефектоскопия, контроль механической обработки, особенно размельчения материалов и т. п. (си, обзоры /8,9,11−14/). Вышесказанное подтверждает охватывает круг, а к т у, а л ь н о с т ь дальнейших исследований процессов возникновения ЭЭЭ. Поскольку ЭЭЭ с т и м у л и р о в, а н н ы х явлений в электронной эмиссии, возникающих только с объектов, предварительным воздействием переведенных в неравновесное, возбужденное состояние, то процессы возникновения ЭЭЭ вообще говоря, включают как этап возбуждения экзоэмиттера создание центров ЭЭЭ, напр. радиационных дефектов, так и этап стимуляции, приводящий к релаксации неравновесного состояния распада центров ЭЭЭ и появления «внешних» электронов. Поэтому системное исследование явлений ЭЭЭ, получение целостной картины процессов возникновения ЭЭЭ предполагает информацию как о первом, так и о втором из вышеупомянутых этапов. Характер процессов на первом этапе часто в существенной мере предопределяет и протекание второго этапа. Планируя цикл наших исследований, мы и уделили внимание обоим вышеупомянутым этапам. Основными о б ъ е к т, а м и опытов были выбраны ионные диэлектрики чистые и легированные щелочногалоидные кристаллы СЩГК) модельные объекты, о микроструктуре, элементарных возбуждениях, радиационном дефектообразовании и других свойствах которых накоплен богатый массив информации, необходимый при интерпретации результатов по ЭЭЭ. Вдобавок, некоторые эксперименты выполнялись также на окислах iriQU уВвО MQO привлекателен своей структурой спектра возбужденного ((радиционно-наведенного) оптического поглощения, в котором четко.

6.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Резюмируем основные результаты и выводы настоящей работы:

1. Измерены и проанализированы спектры возбуждения (создания центров) фотостимулированной электронной эмиссии СФСЭЭ) в ультрамягкой рентгеновской СУМР) области спектра с энергией кванта 60−240 эВпоказано, что эффективность создания электронных центров окраски, дающих ФСЭЭ, ограничивается потерями запасенной энергии, обусловленными, в основном, миграцией электронных возбуждений на поверхность с последующей рекомбинацией.

2. Сравнением спектров возбуждения ФСЭЭ и поглощения в УМР области спектра количественно определены глубина миграции электронных возбуждений на поверхность L и глубина выхода медленных фотоэлектронов из кристалла? для щелочногалоид-ных кристаллов (ЩГК) и ВйО — оба параметра попадают в промежуток от 10^ до 10^ % (см. таблицу 3).

3. Исследованием спектров стимуляции ФСЭЭ УМР-возбужденных ЩГК, установлено, что ФСЭЭ происходит с Я*-центров (в LtF, видимо, с Мцентров) — тем самым показано, что в широкой спектральной области от вакуумного ультрафиолета до жесткого рентгена создаются одинаковые электронные центры окраски.

4. УМР-создание электронных Р-центров, характерных для объема ЩГК, подавление их создания в приповерхностной области и значительная глубина выхода электронов ФСЭЭ подтверждают преимущественно объемный характер <ЮЭЭ в ЩГК.

5. Посредством селективного фотосоздания дырочных и электронных центров окраски в ЩГК доказана дырочно-индуцированная ре-комбинационная природа пиков термостимулированной электронной эмиссии (ТСЭЭ), возникающих при температурах делокализации-центров (-пиков ТСЭЭ).

6. Путем масс-анализа эмиссионного тока, возникающего при термостимуляции VK и тецентров ЩГК, -центров м90 и фотостимуляции Fи ТС°-центров ЩГК показано, что в нем преобладают электроны, а не отрицательные ионы.

7. Сколом кристаллов после возбуждения показано, что поверхностные радиационно-химические реакции не играют существенной роли в возникновении V^ - и Адпиков ТСЭЭ с кристалла возбужденного рентгеновской радиацией.

8. Параллельным исследованием спектров ТСЭЭ и ТСЛ ЩГК выявлена связь величины — и А (}°(или Tt°)-пиков ТСЭЭ с количеством, оптическими и термоактивационными характеристиками объемных центров окраски, полученными из ТСЛ.

9. Анализом накопленного материала показано, что V^ -индуцированная ТСЭЭ возникает преимущественно в результате безызлу-чательной передачи рекомбинационно-освобожденной энергии электронным центрам эмиссии (Оже-процесс), причем в легированных кристаллах как среди центров рекомбинации, так и эмиссии преобладают примесные центры окраски (напр. Т&euro- °, Ад0).

10. На примере МдО показано, что дырочно-индуцированные рекомбинации, приводящие к ЭЭЭ, могут быть стимулированы не только термически, но и оптически.

II" Предложен интегрирующий детектор УМР-излучения, основанный на слабой зависимости эффективности возбуждения ФСЭЭ ВеО от энергии возбуждающих квантов в области спектра 60−240 эВ.

Настоящее исследование показало, что рекомбинационные процессы в ряде случаев участвуют в возникновении ЭЭЭ ионных соединений. Исследование этих явлений может иметь существенное значение в понимании процессов создания и разрушения экзоэмис-сионных центров, увеличении выхода экзоэмиссионных процессов и развитии на этой основе метода электронной спектроскопии дефектов.

Результаты настоящей работы доложены на I Всесоюзном симпозиуме по активной поверхности твердых тел (Тарту, 1974), Ш Международном семинаре по экзоэлектронной эмиссии (Карпач, 1976), П и 1У Всесоюзных симпозиумах «Люминесцентные приемники и преобразователи рентгеновского излучения» (Рига, 1976 и Иркутск, 1982), Координационном совещании по актуальным вопросам физики ионных кристаллов (Езерниеки, 1978), XIX Прибалтийском семинаре по физике ионных кристаллов (Вильянди, 1979), П Всесоюзной конференции и П Всесоюзном симпозиуме «Экзоэлектронная эмиссия и ее применения» (Рига, 1981 и Москва, 1982) и ХУШ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике (Москва, 1981).

По теме диссертации опубликована двадцать одна работа, !цитированная под номерами 165, 186, 187, 192, 194−197, 217.223, 225, 226, 247, 269, 277, 278.

В заключение приношу глубокую благодарность своим руководителям кандидату физ.-мат. наук Кяэмбре Хенну Фридриховичу, доктору физ.-мат. наук профессору Эланго Марту Александровичу за предложение темы и руководство работойчл.-корр. АН ЗССР доктору физ.-мат. наук профессору Лущику Чеславу Брониславовичу за внимание к работе, ценные советы и замечаниячл.-корр, АН ЗССР доктору физ.-мат. наук Хижнякову Владимиру Васильевичу и кандидату физ.-мат. наук Завту Григорию Самуиловичу за обсуждение ряда результатовкандидату физ.-мат. наук Бичевину Вик- «тору Васильевичу за ценные технические советы, дискуссии и обсуждение результатовЗазубович С.Г., Эланго А. А., Лущик Н. Е., Пунгу Л. А., Малышевой А. Ф., Кярнеру Т. Н., Кинк М. Ф., Савихи-ну Ф.А., Кузнецову А. С., Саксу Т.Я.-Х., Каску А. А. за полезные обсужденияГиндиной Р.И., Маароосу А. А., Малышевой А. Ф. за предоставление объектов исследования.

Приношу также искреннюю благодарность всем сотрудникам отдела физики ионных кристаллов за внимание и поддержку.

Я благодарен соавторам работ Саару А.М.-З., Майсте А. А., Кадченко В. Н., Жураковскому А. П— Тамм К., Вестре К. и Коп-пель Х.-М. за большую помощь при оформлении диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Девисон С", Левин Дж. Поверхностные (Тамбовские) состояния. — М.:Мир, 1973. — 232 с.
  2. Сакс Т.Я.-Х. Теория электронных состояний на поверхности ионных кристаллов.: Автореф. Дисс.. канд.физ.-мат.наук. Тарту, 1980. — 17 с.
  3. Лущик Ч. Б#, Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. -Успехи физ. наук, 1977, тД22, вып.2, с.223−251.
  4. В.В., Кузнецов А. И., Кяэмбре Х. Ф. Электронная эмиссия как метод исследования радиационного окрашивания кристаллов, Труды УПЙ, 1973, № 215, с.132−137.
  5. Ч.Б. Фотосоздание точечных дефектов в объеме и на поверхности ионных кристаллов* В кн.: Активная поверхность твердых тел. М., 1976, с.302−317.
  6. B.C. Современное состояние проблемы экзоэлектронной эмиссии. В кн.: Экзоэлектронная эмиссия и ее применение: Тез" докл. I Всесоюзного научного совещания. Свердловск, изд. УПИ, 1979, с.3−6.
  7. Кяэмбре Х. Ф* Стимулированная электронная эмиссия (экзоэлектронная эмиссия) диэлектриков и полупроводников. Труды УПИ, 1969, № 177, с.137−152.
  8. Р.И., Мильман И. И., Крюк В. И. Экзоэлектронная эмиссияполупроводников. УФН, 1976, т. И9, вып.4, с.749−766.
  9. Kaambre Н. Exoemission of Ionic Compounds. Recent Developments and Basic Problems. In: Proc. 4th Internet. Symp. on Exoelectron Emission and Dosimetry, biblice, 1973″ p.57−71.
  10. Qlaefeke H. Exoepiission. In: Topics in Applied Physics, vol.37″ Thermally Stimulated Relaxation in Solids. Ed. by P.Braunlich. Berlin. — Springer-Verlag, 1979″ p. 225 274.
  11. Kriegseis W* Progress in Exoelectron Dosimetry. In: Proc. VI Internet. Symposium on Exoelectron Emission and Applications. Ahrenshoop, 1979″ P#146−149.
  12. Г. Л., Дехтяр Ю. Д., Шевцов А. А. Комплексный экзо-эмиссионный контроль пленарного технологического процесса.- Электронная техника, Сер.8, 1980, № 7, с.105−112.
  13. В.Д., Семов Ю. И. Зкзоэлектронная эмиссия при трении. М.:Наука, 1973. — 182 с*
  14. K.D., Лайверик P.M., Тийслер Э. С., Кяэмбре Х. Ф. Чувствительные экзоэмиттеры из окиси бериллия. Труды ИФ АН ЭССР, 1975, № 43, с.211−222.
  15. Kask A., Goncharova L., Kaambre H. Retarding Field Dependences of Therraostimulated Electron Emission (TSEE) from KCl-In and KCl-Ag. Phys* Stat. Sol*(a), 1972, vol.11, No.2, P. K127−130.
  16. Kortov V* Exoelectron Energy Spectrum Problems* In: Exoelectron Emission and Applications: Proc. VI Intern. Syrnp* Ahrenshoop, 1979″ p*62−66.
  17. Brunsmann U., Learner N. H*, Scharmann A. Exoelectron Energies of Alkali Halides Below Room Temperature* In: Exoelectron Emission and Applications: Proc* VI Internat. Symp* Ahrenshoop, 1979. p*68−69.
  18. Антонов-Романовский В.В. ¦s Кинетики фотолюминесценции кристаллофосфоров. М*:Наука, 1966* - 324 с*
  19. М.Ф., Яэк И.В. Дырочная рекомбинационная люминесценция активированных щелочногалоидных кристаллов* Труды Шк АН ЭССР, 1972, № 39, с*175−187.
  20. Толпыго Е. И*, Толпыго К. Б., Шейнкман М*К. Оже-рекомбина-ция с участием носителей, связанных на различных центрах. ФТТ, 1965, т*7, вып.6, с.1790−1794.
  21. Толпыго Е. И*, Толпыго К. Б., Шейнкман М. К. Оже-механизм электронной эмиссии из полупроводников и диэлектриков. -Изв. АН СССР, сер.физ., 1966, т.30, № 12, с.1901−1905.
  22. М.К. О возможном механизме рекомбинации на многозарядных центрах в полупроводниках. ФТТ, 1963″ т.5, вып. Ю, с.2780−2785.
  23. М.К. О возможности Оже-рекомбинации на многозарядных центрах в германии и кремнии. ФТТ, 1965, т.7, вып.1, с.28−32.
  24. V., КаатЪге Н. Manifestation of Hole Processes in Thenaostimulated Electron Emission. FEB. Mitteilun-gen, 1970, Bd.80, H 5″ p*352.
  25. Bichevin V*, КаатЪге H. A Possible Manifestation of Auger Processes in Thermo stimulated Electron Emission. -Phys. Stat.Sol.(a), 1971″ vol.4, No.3, p. K235−237.
  26. Mollenlcopf H.C., Halliburton Ь.Е., Kohnke E.E. Initiation of Exoelectron Emission by Thermally Released Holes in Single Crystal MgO. Phys. Stat. Sol. (a)* 1973, vol.19, No. T, p.243−250.
  27. В.В. Термостимулированная электронная эмиссия кристаллов UaCi и КС1, легированных серебром, таллием и индием. Труды ИФА АН ЭССР, 1974, № 42, с.228−331.
  28. Х.Ф. Вопросы терминологии в экзоэмиссии. В кн.: Экз оэлектронная эмиссия и ее применение: Тез. докл. Второго Всесоюзного симпозиума. Москва, 1982, с.37−38.
  29. Зкзоэлектронная эмиссия/ Под ред. Н. И. Кобозева. М.: ИЛ, 1962. — 306 с.
  30. Л.Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. -М.: Наука, 1966. 564 с.
  31. Bohun A. The Physics of Exoelectron Emission of Ionic Crystals. PTB-Mitteilungen, 1970, Bd.80, N 5, p.321−330.
  32. Larson L.A., Oda Т., Braunlich P., Dickinson J.Т. Emission of CI Atoms from HaCl During V^-Center Decomposition. -Solid State Communs., 1979, vol.32, No.4, p.347−351*
  33. Конюшкина Н. И", Крылова И. В. Зкзоэлектронная эмиссия с хлорида натрия. ФТТ, 1973, т.15, № 6, с.1925−1927.
  34. Kaambre Н. Exoemission of Alkali Halides: Recent Results. -In: Proc. 5th Internat. Symposium on Exoelectron Emission and Dosimetry. Zvikov, 1976, p.89−102.
  35. Holzapfel G. The Evolution of Volume Concepts to Describe Exoelectron Emission. In: Proc. 5th Internat. Symposium on Exoelectron Emission and Dosimetry. Zvikov, 1976, p. 1934.
  36. И .В. Физико-химическая природа экзоэмиссии и ее применение в исследовании поверхности твердых тел. ЖФХ, 1981, т.55, № II, с.2731−2733.
  37. Scharmann A., Kriegseis W. Influence of Surface Parameters on Exoelectron Emission. In: Proc. 5th Internat. Symposium on Exoelectron Emission and Dosimetry. Zvikov, 1976, p.5−18.
  38. Becker К. Stimulated Exoelectron Emission from the Surface of Insulating Solids. Critical Reviews in Solid State Sciences, 1972, vol.3, p.39−81.
  39. Ramsey J.A. Exoelectric Emission. Progress in Surface and Membrane Science, 1976, vol.11, p.117−180.
  40. Schulman J.H., Compton W.D. Color Centers in Solids. -Oxfords Pergamon Press, 1963. 368 p.
  41. В.Г., Волькенштейн Ф. Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.: Наука, 1978,-288 с.48* Методы анализа поверхностей/ Под общ. ред. Зандерны А. -М.:Мир, 1979. 582 с.
  42. Н.А., Караван Ю. В., Дидык Р. И., Драган О. П. Пульсирующий характер вццеления галогена и металла из щелочно-галоид-ных кристаллов в процессе их радиационного облучения.
  43. В кн.: Активная поверхность твердых тел. М., 1976, с.318−323.
  44. Т.М., Фомичев В. А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Л.: изд. ЛГУ, 1971. — 132 с.
  45. Ч.Б., Денкс В. П., Ильмас S.P. и др. Электронные возбуждения ионных кристаллов и явления фото-, катодо- и радиолюминесценции. Труды ИФА АН ЭССР, 1966, № 34, с.89−114.
  46. Э.Р., Лущик Ч. Б. Элементарные процессы размножения электронных возбуждений в ионных кристаллах. Труды ИФ АН ЭССР, 1966, № 34, с.5−28.
  47. Ч.Б. Электронные возбуждения и электронные процессы в люминесцирующих ионных кристаллах. Труды ИФА АН ЭССР, 1966, № 31, с.19−83.
  48. Elango M, Pruulmann J, Zhurakovski A.P. Recombination Luminescence and Energy Transfer in Ionic Crystals at XUV Excitation by Synchrotron Radiation" Phys. Stat. Sol. (b), 1983, vol.115, No.2, p.399−407.
  49. И.Л., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах. Труды ИФ АН ЭССР, 1976, № 46, с.5−80.
  50. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочногалоидных кристаллов. -Рига:3инатне, 1979. 251 с.
  51. А.Ч., Колк Ю. В., Халдре Ю. Ю. Рекомбинационный и экси-тонный механизмы создания Френкелевских дефектов в КС1 и KCl-Ag при 4,2 К. Труды ИФ АН ЭССР, 1982, № 53, с Л 93 217.
  52. Ч.Б., Куусманн И. Л., Кярнер Т. Н. и др. Электронные возбуждения и люминесценция окиси магния. Труды ИФ АН ЗССР, 1977, № 47, с.59−92.
  53. Sonder Е., Sibley W.A. Defect Creation by Radiation in Polar Crystals. In: Point Defects in Solids/ Ed# J. Crawford, L.M.Slifkin. — N.-Y.: Plenum Press, 1972, p.201.
  54. Дж. Дефекты решетки в соединениях АПВУ1. В кн.: Точечные дефекты в твердых телах/ Под ред. Болтакса Б. И., Машовец Т. В., Орлова А. Н. — М*:Мир, 1979, с.221−242.
  55. Саар А.М.-Э., Эланго М. А. Создание центров окраски в кристаллах КС1 ультрамягкими рентгеновскими лучами. ФТТ, 1970, т.12, № 10, с, 2993−2996.
  56. Р.А., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б., Соовик Т. А. Экситонные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. Труды ИФА АН ЗССР, 1969, № 36, с.3−56.
  57. Фок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфо-ров. М.:Наука, 1964. — 289 с.
  58. Parks С.С., Hussain Z., Shirley D.A., Knotek M.L., Loubriel G. Auger Decay Mechanism in Photon-Stimulated Dest torption from Sodium Flouride. Phys" Rev* B, 1983, vol. 28, No.8, p.4793−4798.
  59. Itoh N" Interstitial and Trapped-Hole Centers in Alkali Halides. Crystal Lattice Defects, 1972″ vol.3″ No.3, p.115−143*
  60. Lynch D*W., Robinson D.A., Study of F-Center in Several Alkali Halides. Phys. Rev., 1968, vol.174, No.3, Р. Ю50−1059″
  61. Osminin V., Zazubovich S. Processes Due to Optical Excitation of Impurities with One s-Electron (Ag°, Cu°, Tl2+, In2+, Ga2*) in KC1 Crystals. Phys. Stat. Sol. (b), 1975, vol.71, No.2, p.435−447.
  62. Т.Н. Рекомбинационная люминесценция и парамагнитные центры в облученных кристаллах MgO : Автореф" Дис.. канд.физ.-мат.наук. Тарту, 1979. — 16 с.
  63. П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М.:Мир, 1975. -486 с.
  64. К.А., Кярнер Т. Н., Лущик Ч.Б* и др. Коротковолновая люминесценция кристаллов мб°. — ЖПС, 1976, т.25, вып.4, с.639−644.
  65. Т.Н. Фото- и термостимулированная люминесценция легированной разными примесями окиси магния. Труды ИФ АН ЭССР, 1979, № 49, с.172−184.
  66. Hughes А.Е., Henderson В. Color Centers in Simple Oxides. In: Point Defects in Solids/ Ed. Ъу J.Crawford. -N.-Y.: Plenum Press, 1972, p.381−489.
  67. Henderson B., Wertz J.K. Defects in the Alkaline Earth Oxides. Adv. Phys., 1968, vol. 17, No.7, p. 749 855.
  68. K.H., Кружалов A.B., Щульгин Б. В. Точечные дефекты в оксиде бериллия. В кн.: Радиационно-стимулиро-ванные явления в твердых телах. Вып.4. Свердловск, изд. УПИ, 1982, с.3−12.
  69. Г., Хаусман А", Зандер В. Электронная структура точечных дефектов. М.:Атомиздат, 1977. — 205 с.
  70. DuVarney R.C., Garrison А.К. An EPR-ENDOR Study of the id. Center in Crystalline and Ceramic BeO. Phys. Stat.
  71. Sol., 1977, vol.42, No.2, p.609−614.
  72. Mcbennan J.C. On a Kind of Radioactivity Imparted to Certain Salts by Cathode Rays. Phil. Mag., 1902, vol.3, p.195−203.
  73. В.В. Температурная зависимость фотостимулированной электронной эмиссии. Труды ИФА АН ЭССР, 1972, № 39, с. 188−201.
  74. В.В., Кяэмбре Х. Ф. О поверхностном и объемном характере центров термостимулированной электронной эмиссии в ионных кристаллах. В кн.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Вып.1. Свердловск: изд. УПИ, 1979, с.62−73.
  75. Kamada М., Tsutsumi К* Electron Emission During the Thermal Annihilation of Vk Centers in Pure and Cu-Doped HaCl.- J. Phys. Soc. Jap*, 1981, vol.50, ЯГо.10, p*3370−3377.
  76. Kamada M., Furukawa K., Tsutsumi K. Thermally Stimulated Exoelectron Emission in KC1-T1, KCl-Cu and Undoped KC1.- Jap. J. Appl. Phys", 4981, vol.20, No.1, p.71−77″
  77. JI.A. Исследование автолокализации и движения дырокв ионных кристаллах методом термоактивационной радиоспектроскопии: Автореф. дис.. докт. физ.-мат.наук. Тарту, 1978. — 31 с.
  78. А.И. О необходимости учета температурной зависимости величины электронного сродства в экзоэмиссионных измерениях. В кн.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Вып.2. Свердловск, изд. УПИ, 1980, с.14−17.
  79. В.В. Определение энергии активации и электронного сродства по контурам пиков ТСЛ и ТСЭЭ при бимолекулярной кинетике. В кн.: Экзоэлектронная эмиссия и ее применение: Тез. докл. П Всесоюзной конференции. Рига, 1981, c. IO-II.
  80. Бичевин В"В. Смещение пиков термостимулированной электронной эмиссии и термолюминесценции. В кн.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Вып.2. Свердловск, изд. УПИ, 1980, с.17−21.
  81. А.И., Календарев Р. И., Бердичевская Г.Ю. Электронная эмиссия и люминесценция рентгенизованных кристаллов
  82. KCl-Ag. В кн.: Радиационная физика* Ш. Рига:3инатне, 1965, с.83−94.
  83. И.М., Фрайман Б. С. Вторичная электронная эмиссия. М.:Наука, 1969. — 407 с.
  84. А.А. Электронная эмиссия возбужденных щелочногалоидных кристаллов и ее применение при исследовании рекомбинационных процессов: Автореф. Дисс.. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1970, — 17 с.
  85. Glaefeke Н., Jakowski N., Schmidt М., Wild М. About the Mechanism of TSEE of Insulators after Excitation by Electrons. In: Proc. 4th Internet. Symposium on Exoelectron Emission and Dosimetry. Liblice, 1973, p.114−117.
  86. В.В. Зависимость эмиссионных сумм пиков термости-мулированной электронной эмиссии от скорости нагрева.
  87. В кн.: Экзоэлектронная эмиссия: Тез. докл. науч. совещания. Свердловск, 1979, с.15−18.
  88. Уш.кова В.И., Кортов B.C. Сравнительный анализ методов определения кинетических параметров термоактивационных процессов в облученных кристаллах. В кн.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Вып.1. Свердловск: изд. УПИ, 1979, с.84−90.
  89. Balarin М., Zetzche A., Bestimmung der Aktivierungs-ener-gie fur dio Beweglichkeit yon Gitterdefekten durchzeit-lienears Aufheizen. Phys. Stat. Sol., 1962, vol.2,1. No. 42, p.1670−1682.
  90. Brunsmann U., Scharmann A. On the Probability of Max-wellian Energy Distribution of the TSEE from Auger-Controlled NaP (100) Cleavage Planes. In: Proc. 5th Inter-nat. Symposium on Exoelectron Emission and Dosimetry. Zvikov, 3976, p.278−282.
  91. B.C., Исаков В. Г. Выход экзоэлектронов из заряженных слоев облученных кристаллов NaCl . В кн.: Радиацион-но-стимулированные явления в твердых телах. Вып.З. Свердловск: изд. УПИ, 1981, с.56−61.
  92. Brotzen F.R. Emission of Exoelectrpns from Metallic Materials. Phys. Stat. Sol., T967, vol.22, No.1, p.9−30.
  93. B.C., Слесарев А. И., Попов B.B. Термостимулирован-ная экзоэлектронная эмиссия окиси бериллия в сверхвысоком вакууме. В кн.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Вып.1. Свердловск, изд. УПИ, 1979, с.73−77.
  94. В.В. Термостимулированная экзозмиссия из заряженных слоев монокристаллов LiP : Автореф. Дисс.. канд. физ.-мат, наук. Свердловск, 1981. — 24 с.
  95. Braunlich P., Rosenblum В., Carrico J.P., Hinimel L., Rol P*K. Imaging of Surfaces with the Exoelectron Microscope. Appl. Phys. Lett., 1973, vol.22, No.2, p.61−63.
  96. Soler A., Rueda Sanchez P. P-Centre Photoelectric Materials as Image Storage Targents. Phys. Stat. Sol. (a), 1972, vol.11, No.1, p.67−74.
  97. B.B. Процессы возбуждения и механизмы фото- и термостимулированной электронной эмиссии щелочногалоидных кристаллов. Дисс.. канд. физ.-мат.наук. — Тарту, 1972. — 164 с.
  98. Арсенева-Гейль А. Н. Внешний фотоэффект с полупроводников и диэлектриков. М.:Госуд. изд. технико-теоретич. лите-рат., 1957. — 222 с.
  99. Luty P. Hohere Anregungszustande von Parb’zebtren. -Z. Phys., 1960, Bd.160, N 1, S.1−15.
  100. НО" Каск А. А., Кяэмбре Х. Ф. О роли экситонных процессов в фотоэлектронной эмиссии KI. Труды ИФ АН ЭССР, 1976, № 46, с.96−111.
  101. Petrescu P. Exoelektronen-Emissions-spektren an Alkali-chloriden. Phys. Stat. Sol., 1963, vol.3, No.5, p.950−960.
  102. Petrescu P. Evidence for L-Bands in Photoemission Spectra of KF and KC1. Phys. Stat. Sol., 1968, vol.29, No.1, P. K3-K5.
  103. ИЗ. Белкинд А. И. фотостимулированная эмиссия с кристаллов KCL-Ag. Труды ИФА АН ЗССР, 1964, № 26, с.226−228.
  104. Eby J.E., Teegarden K. J#, Dutton D.B. Ultraviolet Absorption of Alkali Halides. Phys. Rev., 1959, vol.116, No.5, P. Ю99−1Ю5.
  105. Apker L., Taf t E. Photoelectron Emission from F-Centers in KI. Phys. Rev., 1950, vol, 79, No.6, p.964−966.
  106. Petrescu P. Electron Emission Spectroscopy of Alkali Halides. Phys. Stat. Sol., 1965, vol.9, No.2, p.539−548.
  107. Physics of Color Centers/ Ed. W.B.Fowler. N.-Y.: Acad. Press, 1968.
  108. Apker L., Taft E. Energy Distribution of External Photoelectrons from F-Centers in Rbl.- Phys.Rev., 1951, vol.82,p.814−819.
  109. Philipp H.R., Taft E.A. Photoelectron Emission from Single Crystal KI. Phys.Rev., 1957, vol.106, No.4, p.671−673.
  110. А.И., Бичевин B.B., Календарев P.И., Кяэмбре Х. Ф. Еще раз о двух механизмах фотостимулированной электроннойэмиссии ионных кристаллов. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1966, т.30, № 9, сЛ448−1450.
  111. Soler А., Galan L., Rueda P. On the Effective Scape Depth of Photoemission from Colour Centers in CsCl. In: Exoelectron Emission and Dosimetry: Proc. 5th Intemat" Sjpp., Zvikov, 1976, p.200−202.
  112. Huzimura R", Maeda М", Takahashi А" Exoelectron Emission of Evaporated LiF Pilms" In: Exoelectron Emission and Dosimetry: Proc. 4th Internet" Symp., Liblice, 1973"p.72−74.
  113. Kisiel W", Lewowski T., Grigorzyk R" Temperature Dependence of Electron Attemation Length in Thin Alkali Halide Layers. Acta Phys. Pol. (a), 1976, vol.49, No.5, p"633 638.
  114. Прудникова Г"В. Эффекты рассеяния энергии электронов в слоях щелочногалоидных соединений: Автореф. Дисс.. канд.физ.-мат.наук. Ленинград, 1975. — 20 с.
  115. Holzapfel G., Kramer I. Exoelektronen-Emission von Be-rylliumoxid. In: 4th Czechoslovak Conf. Electronics and Vacuum Physics" Prague, 1968, p.388−394.
  116. Albrecht H.O., Mandeville C"E" Storage of Energy in BeO. Phys" Rev", 1955, vol"101, No.4, p.1250−1252.
  117. Ford L.H. f Holzapfel G., Kaul W. Photostimulated Exoelect-ron Emission of BeO. Z. Angew. Phys., 1970, vol.30,1. No.4, p.259−263″
  118. Euler M., Kriegseis W. f Scharman A. The Inf luence of Oxygen Adsorption Centres upon the Exoelectron Emission of BeO. Phys. Stat. Sol. (a), 1973, vol.15, No. i2,p.431−440.
  119. Kortov V.S., Shalyapin A.L., Gaprindoshvily A.Y. iJber die Rolle der F- und F-Zentren in der Exoemission von BeO. Phys. Stat. Sol.(a), 1973, vol.17, No.1, p. K33−36.
  120. Petrescu P. Colour Centres in MgO Analyzed by Exoelectron Emission Spectrum. Phys. Stat. Sol., 1965, vol.12, No.1, P. K15-K20.
  121. П.А. Одновременное изучение фото- и термостимули-рованных люминесценции и электронной эмиссии щелочно-галоидных фосфоров. Опт. и спектр., 1961, т.10, вып.5, с.676−678.
  122. П.А., Григас Б. П. 0 связи термостимулированной электронной эмиссии, проводимости и люминесценции гцелочно-галоидных кристаллофосфоров. Опт. и спектр., 1965, т.18, вып.1, с.85−91.
  123. Grunberg L., Wright K.H.R. A Study of the Structure of Abraded Metal Surfaces. Proc. Roy. Soc. A, 1955, vol.232, p.403−422.
  124. Tomita A., Hrrai N., Tsutsumi К. Correlation Between Thermally Stimulated Exo-Electron Emission and Thermo-luminescence of Pure LiP Single Crystal. Jap. J. Appl* Phys., 1976, vol.*5, No.10, p.4899−1908.
  125. Landsberg P.T. Non-Radiative Transitions in Semiconductors. Phys. Stat. Sol., 1970, vol.41, No.2, p.458−489.
  126. T.A., Толпыго К. Б., Шейнкман М. К. Безызлучатель-ная Оже-рекомбинация электронов на трех центрах. Укр. физич. журнал, 1979, т.24, № б, с.809−815.
  127. Э.С. Эффект Оже. Ташкент: ФАН, 1969. — 210 с.
  128. Huzimura R*f Matsumura К. Calculation of Exoelectron
  129. Glow Curves. Jap. J. Appl. Phys., 1974, vol.13, No-7,p.1079−1084.
  130. Tuan B.T., Velicky В., Bohun A. The Role of Auger Effect in Thermostimulated Phenomena in Ionic Crystals. Z. Phys., 1972, vol.251, No.4, p.289−299.
  131. A.A. Теория эффекта Оже в системе двух кристаллических дефектов. ФТТ, 1969, т. II, вып.6, с. I587−1590.
  132. Kortov V.S., Shifrin V.P. Exoemission Properties of Zn02. Phys. Stat.Sol.(a), 1974, vol.25, No.2,p.377−385.
  133. B.C., Шифрин В. П. Экзоэлектронная спектрометрия как метод определения энергетической глубины уровней поверхностных электронных центров. ФТТ, 1975, т.17, № 7, с.2134−2135.
  134. А.Н. Химия несовершенных ионных кристаллов. Ленинград: изд. ЛГУ, 1975. — 270 с.
  135. В.М. Некоторые особенности механизма термостимули-рованной электронной эмиссии облученных кристаллов KCl-Ag.- В кн.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Вып.2. Свердловск, изд. УПИ, 1980, с.31−33.
  136. Э.Р., Кинк Р. А., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Взаимные превращения электронных возбуждений в ионных кристаллах.- Изв. АН СССР, сер.физ., 1965, т.29, № I, с.27−35.
  137. А.И., Савихина Т. И. О безизлучательных рекомбинациях в приповерхностных слоях кристаллофосфоров. Труды ИФА АН ЭССР, 1972, № 40, с.53−64.
  138. Мовш’ев В.Г., Суходрев Н. К., Шурыгин В. А. Исследование люминесцентных характеристик люминофоров при возбуждении их мягким рентгеновским излучением. Оптика и спектроскопия, 1975, т.38, вып.1, с.104−110.
  139. Bmkey W.L., Meyers P.V., Van Sciver W.I. Anisotropic Intrinsic Photoluminescence in Nal. J. Opt. Soc. Am., 1976, vol.66, No.3, p.264−269.
  140. Ф.А. Диффузия электронов и дырок в ZnS-фосфорах и приповерхностные потери энергии. Труды ИФА АН ЭССР, 1972, № 39, с.306−309.
  141. Т.И. Функции возбуждения люминесценции кристаллофосфоров электронами энергии 100−500 эВ. Труды ИФА АН ЭССР, 1969, № 35, с.175−194.
  142. Bichevin V. Temperature Dependence of Photostimulated Electron Emission from Ionic Crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1971, vol.5, Ho.2, p.519−523.
  143. А.П., Омельченко О. А. Применение явления «полного внешнего отражения» для фильтрации непрерывного спектра в области ультрамягкого рентгеновского излучения. -Опт. и спектр., I960, т.8, вып.4, с.563−568.
  144. А.П., Зимкина Т. М., Брытов И. А. Исследование рентгеновских спектров в области длин волн больше 15 ft на спектрометре с дифракционной решеткой с золотым покрытием. Опт. и спектр., 1964, т.16, вып.4, с.688−694.
  145. Bearden J.A. X-Ray Wavelenaths. Rev Mod. Phys., 1967, vol.39, p.78−125.
  146. А.П., Румш M.A., Смирнов Л. А. Измерение фотоэлектрического выхода ультрамягкого рентгеновского излучения.- Опт. и спектр., I960, т.8, № 4, с.511−516.
  147. А.П., Савинов Б. П., Брытов А. И., Щемелев Ю. А. Эффективность ВЭУ с фотокатодами Au ,.LiP, MgP2, SrP2, ВеО, КС1 и Csl в области длин волн 23,6* ИЗ ft. Изв. АН СССР, сер.физ., 1964, т.28, № 5, с.866−871.
  148. Е.П., Лукирский А. П. Эффективность ВЭУ с фотокатодами Au, А1, Hi, LiF, MgP2″ SrF^CsI f KCl и вёОв области длин волн 75−300 ft. Опт. и спектр., v1967, т.23, вып.2, с.303−308.
  149. А.П., Зимкина Т. М. Спектры М-серии Zr, нъи Мо и М-эмиссионные полосы НЬ и Mo . Изв. АН СССР, сер.физ., 1963, т.27, с.330−339.
  150. Саар А.М.-Э." Гришаков Ф. П., Эланго М. А. Измерение люминесцентных характеристик твердых тел при возбуждении ультрамягкой рентгеновской радиацией. Труды ИФА АН ЗССР, 1972, № 40, C. III-II8.
  151. А.А., Саар А.М.-Э., Соркин Б. А., Эланго М. А. Спектры создания электронных центров в щелочногалоидных кристаллах ультрамягкой рентгеновской радиацией (энергия кванта 60−160 эВ). Опт. и спектр., 1975, т.38, вып.4, с. 738−744.
  152. В.В. Установка для измерения термо- и фотостиму-лированной электронной эмиссии и люминесценции в газовой фазе. Труды УПИ, 1973, № 215, с.125−131.
  153. Е.М., Селях Г. С. Высоковакуумный агрегат безмасляной откачки с магнитным электроразрядным насосом. -ПТЭ, 1963, № 6, с.141−143.
  154. Е.М., Селях Г. С. Высоковакуумный агрегат с маг-ниторазрядным насосом. ПТЭ, 1965, № 3, с.170−172.
  155. А.И., Плисковский В. Я., Пенчко Е. А. Конструирование и расчет вакуумных систем. М.:Энергия, 1979. — 504 с.
  156. В.Н., Применко Г. И., Стрижак В. И., Усиков Ю. И. Простой способ регенерации насоса H3M-300. ПТЭ, 1975, № 6, с.255−256.
  157. В.П. Электронные методы регистрации экзоэлектрон-ной эмиссии. Труды УПИ, 1969, $ 177, с.90−102.
  158. A.M. Электронные умножители открытого типа. -УФН, 1970, т.100, вып. З, с.467−503.
  159. А.А., Чупахин М. С. Введение в масс-спектромет-рию. М.:Атомиздат, 1977. — 302 с.
  160. Loeb L., Cravath R. The Rate of Formation of Negative Ions Ъу Electron Attachment. Phys. Rev., 1929, vol. 33″ p.605−613.
  161. Г. Отрицательные ионы. М.:Мир, 1979. — 754 с.
  162. С.А. Энергоанализаторы и монохроматоры для электронной спектроскопии. Л.: изд. ЛГУ, 1978. — 159 с.
  163. И.Е. Методика измерения энергетического спектра экзоэлектронов. Труды УПИ, 1973, № 215, с.89−95.
  164. Р.И., Маароос А. А., Плоом Л. А., Яансон Н. А. Разработка методики получения кристаллов КС1 и КВг с содержанием примесей Ю~б-Ю"8. Труды ИФ АН ЭССР, 1979, № 49, с.45−89.
  165. Р.И., Маароос А. А., Хаав А. А. О природе основных центров люминесценции в кристаллофосфоре КС1-Т1 . -Труды ИФА АН ЭССР, 1964, № 30, с.16−26.
  166. Н.А., Гиндина Р. И., Эланго А. А. Очистка щелочно-галоидных солей методом перекристаллизации из раствора, В кн.: Проблемы чистоты и совершенства ионных кристаллов. Тарту, 1969, с.20−27.
  167. Л.А., Гиндина Р. И., Яансон Н. А., Казжанова Р. К. Определение щелочности и получение кристаллов КС1 и КВг с пониженным кислородосодержанием примесей. В кн.: Проблемы чистоты и совершенства ионных кристаллов. Тарту, 1969, с.38−44.
  168. М.А., Жураковский А. П., Кадченко В. Н., Йыги X. Р.-В. Проявление передачи энергии из объема диэлектрика на поверхность при облучении. ФТТ, 1977, т.19, вып.12, с.3693−3695.
  169. Р.И., Заитов Ф. Н., Исмаилов Ш. И., Лущик Ч. Б., Плоом Л. А. Термическая диссоциация (Cl^)аса в облученных кристаллах КС1. Труды ИФ АН ЭССР, 1980, № 51, с.125−142.
  170. Л.А., Гиндина Р. И. Получение кристаллов КС1 с пониженным содержанием брома и их термолюминесценция. -Труды ИФА АН 3GCP, 1974, № 42, с.215−227.
  171. Ф.К., Кярнер Т. Н., Малышева А. Ф., Соркин Б. А., Удалова Л. В. Коротковолновая рентгенолюминесценция и ре-комбинационные процессы в поликристаллической окиси магния. Труды ИФ АН ЭССР, 1980, № 51, с.71−86.
  172. Maiste A., Sorkin В., Elango М., Kaambre Н. Creation Spectrum of Photostimulated Electron Emission Centres in BeO in the Soft X-Ray Region. Phys. Stat. Sol.(a), 1973, vol.20, No.1, p. K83−85.
  173. Х.Ф. 0 фотостимулированной электронной эмиссии со щелочногалоидных кристаллов, возбужденных ультрафиолетовой радиацией. Труды ИФА АН ЭССР, 1961, Ю 14, с.247−259.
  174. В.В., Кяэмбре Х. Ф. Исследование создания центров стимулированной электронной эмиссии в ионных кристаллах. Труды ИФА АН ЭССР, 1970, № 38, с.3−27.
  175. Х.Ф. 0 фотостимулированной электронной эмиссии со щелочногалоидных кристаллов. В кн.: Физика щелочногалоидных кристаллов" Рига, 1962, с.390−396.
  176. Bichevin V. f Kaambre Н., Lushchik Oh. Creation Spectra of Colour Centers in KC1 and NaCl Developed via Electron Emission. Phys.Stat.Sol.(a), 1971, vol.5"No.2, p.525.529.
  177. Kaambre Н., Elango М., Kask A., Sorkin В. On the Excitation and Stimulation Processes of Photoelectron Emission from Ionic Crystals. In: Proc. 3rd Polish seminar on Exoelectron Emission. Karpacz, 1976.
  178. M.A., Кадченко B.H., Саар А.М.-Э., Соркин Б. А. Влияние поверхности на создание центров окраски в ионных кристаллах ультрамягкими рентгеновскими лучами. В кн.: Активная поверхность твердых тел. М., 1976, с.324−329.
  179. Fieschi R., Scaramelli P. Evidence for L Bands in NaCl. Phys, Rev., 1966, vol.145, No.2, p.622−625.
  180. А.П., Ершов ОД., Зимкина Т. М., Савинов В. П. Спектральные зависимости коэффициентов поглощения, отражения и фотоэмиссии Idp в области от 60 до 120 эВ. -ФТТ, 1966, т.8, вып.6, с.1787−1790.
  181. Brown F.C., Gahwiller G., Fujita Н., Kunz А.В., Sheif-ley W. t Carrera N. Extreme Ultraviolet Spectra of Ionic Crystals. Phys.Rev.B, 1970, vol.2, No.6, p.2126−2138.
  182. А.П., Кружалов А. В., Саар А.М.-Э. Перенос энергии в монокристаллах ВеО при облучении ультрамягким рентгеновским излучением. ФТТ, 1982, т.24, вып.6, с. I900-I90I.
  183. Cardona М., Haensel R., Lynch D.W., Sonntag В. Optical Properties of the Rubidium and Cesium Halides in the Extreme Ultraviolet. Phys.Rev.B, 1970, vol.2,No.4,p.11 171 131.
  184. B.H. Запасание энергии в щелочногалоидных кристаллах при облучении ультрамягкими рентгеновскими лучами: Дисс.. канд.физ.-мат, наук. Тарту, 1977, — 206 с.
  185. Battye F.L., Liesegang J, Leckey R, C, G, Jenkin J, G. Electron Attenuation Lengths in Alkali Halides. Phys, Rev. B, 1976, vol.13, No.6, p.2646−2652.
  186. Spicer W*E. Photoemission and Belated Properties of the
  187. Alkali Antimonides. J. Appl. Phys., 1960, vol.31, Ho.12, p.2077−2084.
  188. Llacer J., Garrwin E.J. Electron Phonon Interaction in Alkali Halides. I. The Transport of Secondary Electrons with Energies Between 0.25 and 7.5 eV" - J. Appl. Phys., 1969, vol.40, No.7, p.2766−2775.
  189. Apker L., Taft E. Exciton-Enhanced Photoelectric Emission from F-Centers in Rbl near 85 K. Phys. Rev., 1951, vol.81, No.5, p.698−701.
  190. Я.Я., Ныммисте Э. Э., Саар А.М.-Э., Эланго М. А. Определение физических параметров твердых тел на основе спектров квантового выхода электронной эмиссиив ультрамягкой рентгеновской области. ФТТ, 1980, т.22, вып.10, с.3124−3128.
  191. Elango М., Kikas A., Hommiste Е., Pruulmann J., Saar А. The Quantum Yield Spectra of Electron Emission of Solids in XUV Region. Phys.Stat.Sol.(Ъ), 1982, vol.114,1. No.2, p.487−493.
  192. К., Нордлинг К., Фальман А. и др. Электроннаяспектроскопия. М.:Мир, 1971.- 493 с.
  193. А.Г., Бронштейн И. М. Упругое отражение электронов и вторичная электронная эмиссия с si при малых энергиях первичных электронов. Изв. АН СССР, сер.физ., 1973, т.37, № 12, с.2492−2494.
  194. Henke B.L., Smith J.A., Alwood D.5E. 0.1−10 keV X-Ray-Induced Electron Emission from Solids Models and Secondary Electron Measurements. — J.Appl.Phys., 1977, vol.48, Ho.5, P. T852−1866.
  195. Swank R.K., Brown P.O. Lifetime of the Excited F-Center. Phys. Rev., 1963, vol.130, No.1, p.34−41.
  196. T.A., Лущик Н. Ё., Лущик Ч. Б. Спектры ионизации Ag± и Си+ -центров в кристаллах NaCl и КС1 «-Труды ИФА АН ЭССР, 1972, № 39, с.123−140.
  197. .А., Бичевин В. В., Кяэмбре Х. Ф. Поверхностные и объемные процессы в ТСЭЭ NaCl-Ag, В кн.: Экзоэлектрон-ная эмиссия и ее применение: Тез. докл. П Всесоюзного симпозиума, М., 1982, с.68−69.
  198. .А., Кяэмбре Х. Ф. Новое об экэоэлектронной Оже-эмиссии. В кн.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Вып.5. Свердловск, изд. УПИ, 1983, с.8−14.
  199. .А., Бичевин В. В., Кяэмбре Х. Ф. Дырочно-индуци-рованная зкзоэлектронная эмиссия. Изв. АН СССР. сер. физ., 1982, т.46, № 7, с.1407−1411.
  200. Соркин Б.Ш.-А., Кяэмбре Х. Ф. Новое об экэоэлектронной Оже-эмиссии. В кн.: Экзоэлектронная эмиссия й ее применение: Тез. докл. П Всесоюзной конференции. Рига, изд. РПИ, 1981, с.24−25.
  201. Соркин Б.Ш.-А., Бичевин В. В., Кяэмбре Х. Ф. Дырочно-инду-цированная экзоэлектронная эмиссия. В кн.: Эмиссионная электроника: Тез. докл. ХУШ Всесоюзной конференции. М.: Наука, 1981, с.333−335.
  202. Sorkin В., Kaambre Н* A New Evidence for Hole-Induced
  203. Thermo-Exo emission. Phys, Stat.Sol.(a), 1984, vol.83,No.1,p. К 39-чг.
  204. Соркин Б.Ш.-А., Кяэмбре Х. Ф. Дырочно-индуцированная ТСЭЭ с КВг и CsBr. В кн.: Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Свердловск, изд. УПИ,(в печати).
  205. Sorkin В., Kaambre Н. Vk-Centres in Thermo-Exoemissionfrom CsBr-Tl. Phys.Stat.Sol.(a), 19Q4, vol.82, No.2,p. К
  206. Sorkin B., Kaambre H, Thermo-Exoemission of NaCl-Ag Crystals, Cleaved Before and After X-Irradiation. Phys. Stat.Sol.(a), «1984, vol.83, No.2,p.KM-m.
  207. C.M. Температурная зависимость и механизмы радиационного окрашивания чистых и легированных кристаллов КС1 . Дисс.. канд.физ.-мат.наук. — Ташкент, 1970,
  208. Klick С.С., Claffy E.W., Corbies S.G., Attix P.H., Schul-man I.H., Allard I, G. Thermoluminescence and Color Centers in LiP-Mg. J.Appl.Phys., 1967, vol.38, No.10, p.3867−3874.
  209. B.C., Зазубович С. Г. Фотоионизация -центра в KCl-Ag . ФТТ, 1973, т.15, № 8, с.2386−2392.
  210. Nakazawa P., Kanzaki H. Low Temperature Photoconductivity of P Center in KC1. J. Phys. Soc. Japan, 1967, vol.22, Ho.3, p.844−858.
  211. M.M. Низкотемпературное создание ВУФ-радиацией пар дефектов Френкеля в KC1, квги СвВЗДвтореф. дисс.. канд.физ.-мат.наук. Тарту, 1983, — 15 с.
  212. Г. К., Лущик Ч. Б. Дырочные процессы и рекомби-национная люминесценция активированных ионных кристаллов. Труды ИФА АН ЭССР, 1966, № 31, с.121−132.
  213. Р.А. Рекомбинационная люминесценция кристаллов KI-T1 и Kl-In . Труды ИФА АН ЭССР, 1966, № 34, сЛ45−160.
  214. Д.Ю. Люминесценция активированных щелочногалоидных кристаллов при возбуждении в области фундаментального поглощения. Дисс.. канд. физ.-мат.наук. — Рига, 1976.
  215. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик Н. Е., Пунг Л. А. Ре-лаксированные и нерелаксированные возбуждения в кристаллах типа NaCl. Труды ИФА АН ЭССР, 1972, № 39, с, 3−46.
  216. V/hitortth R.W. Charged Dislocations in Ionic Crystals. -Adv. Phys., 1975, vol.24, No.2, p.203−304.
  217. В.В., Тале И. А., Калентьев В.А. Термостимулирован-ная экзоэлектронная эмиссия заряженных монокристаллов
  218. P. В кн.: Эмиссионная электроника: Тез. докл. ХУШ Всесоюзной конференции. М., 1981, с.341−343.
  219. Tale I., Kortov V., Popov V. Trap Spectroscopy in Alkali Halides at Synchronous Measurements of Exoelectron Emission and Luminescence by Fractional Glow Technique. -Phys. Stat. Sol.(a), 1982, vol.74, No.2, p.395−401.
  220. Л.А., Лущик А. Ч. Дырочные процессы в кристаллах CsBr . Труды ИФ АН ЭССР, 1975, № 44, с.69−87.
  221. А.Ч., Отс А.Э., Пунг Л. А., Рейфман С. П., Семан В. О., Халдре Ю. Ю. Автолокализованные дырки в люминесци-рующем кристалле CsiBr. Изв. АН СССР, сер.физ., 1974, т.38, № 6, с.1271−1273.
  222. Sidler Т., Pellaux J.-P., Nouailhat A., Aegerter М.А.
  223. Study of Vk Centers in Csl Crystals. Solid State Commun., 1973, vol.13, No.4, p.479−482.
  224. Pilloud J.-J., Jackard C. Dynamic Properties of Xg Centres in Cesium Halides. Phys. Stat. Sol.(b), 1979, vol. 92, No.1, p.233−239.
  225. Braunlich P., Dickinson J.T. Thermodynamic (Reaction Kinetics) Aspects of Theimally Stimulated Exoemission.-In: Proc. 6th Internet. Symposium on Exoelectron Emission and Applications. Ahrenshoop, 1979, p.9−23.
  226. Kabler M.N. Low-Temperature Recombination Luminescencein Alkali Halide Crystals. Phys. Rev.(A}, 1965, vol.136, No.5, P.1296−1302.
  227. Ф.А. Запасание энергии кристаллофосфором Zns-Cu при фото- и % -облучении. Труды ИФ АН ЭССР, 1972,41, с.77−99.
  228. В., КаатЪге Н. TSEE of Vacuum-Cleaved Alkali-Ha-lide Crystals. Radiation Protection Dosimetry, 1983, vol.4,No.3−4, p.191.
  229. Т.Н., Гиндина Р. И., Осминин B.C., Эланго A.A. Эффективность радиационного создания Xg-центров в щелочногалоидных кристаллах. Труды ИФ АН ЭССР, 1977, № 47, с.168−183.
  230. Wollhrandt • I., Bruckner U., Linke E. Investigation of He-chanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals. Phys. Stat. Sol.(a), 1983, vol.78, Uo.1, p.163−168.
  231. .В., Кротова H.A., Хрусталев Ю. А. Электрические свойства ювенильных поверхностей., В кн.: Активная поверхность твердых тел. М., 1976, с.6−15.
  232. И.Д., Цаль Н. А., Шкрибало Ю. М., Фечан В. Г. Электрический заряд поверхности скола монокристалла. -В кн.: Активная поверхность твердых тел. М., 1976, с. 16−21.
  233. Л.В., Козловский М. В. Экзоэмиссия со щелочных галогенидов при физико-химических процессах образования и разрушения центров окраски. ЖФХ, 1982, т.56, № 8, с.1921−1924.
  234. В.М., Галанин М. Д. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах. М.:Наука, 1978. — 384 с.
  235. B.C., Подчерняева И. А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. М.: Атомиздат, 1975. — 320 с.
  236. В.Я. Туннельная рекомбинационная люминесценция КВг и КС1 . Автореф. дисс.. канд.физ.-мат.наук. -Рига, 1979. — 16 с.
  237. Д.Э. Низкотемпературная туннельная люминесценция и фотолиз в щелочно-галоидных кристаллах типа НаС1 . -Автореф. дисс.. канд.физ.-мат.наук. Рига, 1981.16 с.
  238. Я.Р. Знак и кинетика рекомбинационной люминесценции ЩГК. Дисс.. канд.физ.-мат.наук. — Рига, 1969.
  239. Д.Э., Плеханов В. Г. Туннельная и термостимулиро-ванная люминесценция кристаллов Hal и НаС1. Опт. и спектр., 1981, т.50, вып.6, с.1147−1155.
  240. Delbecq C.I., Toyozawa Y., Yuster P.H. Tunneling Recombination of Trapped Electrons and Holes in KCL-AgCl and KC1-T1C1. Phys.Rev.(B>, 1974, vol.9, Ho.10, p.4497−4505.
  241. Tanimura K., Itoh H. The Hopping Motion of the Self-Trapped Exciton in HaCl. J. Phys. Chem. Solids, 1981, vol.42,1. Ho.10, p.901−910.
  242. В.В., Кортов B.C., Калентьев В. А. Термостимулирован-ная эмиссия монокристаллов LiF при низких температурах. Изв. АН СССР, сер.физ., 1982, т.46, № 12, с.2358−2360.
  243. Delbecq C.I., Ghosh А.К., Yuster P.H. Trapping and Annihilation of Electrons and Positive Holes in KC1-T1C1. -Phys. Rev., 1966, vol.151, Ho.2, p.599−609.
  244. С. Стохастические проблемы в физике и астрономии. М.:ИЛ, 1947.
  245. С .Г., Штанько Б. И. Парные активаторные центры в кристалле CsBr-In . Опт. и спектр., 1970, т.29, вып.1, C. I09-II8.
  246. Isuboi Т. Assignment of (Tl+)2 Absorption Bands in Alkali Halides by Magnetic Circular Dichroism Spectra. -Phys. Stat. Sol.(b), 1981, vol.106, Hoi.1, p.301−307.
  247. Г. К., Круминьж А. П. Кинетика затухания ФСЛ и пространственное распределение радиационных дефектов в активированных ЩГК.П. Изв. АН Латв. ССР, сер. физич. и техн. наук, 1982, № I, с.55−59.
  248. Т.Н., Малышева А. Ф., Маароос А. А., Мюрк В. В. Термо-стимулированная люминесценция монокристаллов MgO в области температур 4,2−600 К. ФТТ, 1980, т.22, вып.4, с.1178−1183.
  249. З.Х. ВУФ-люминесценция свободных и связанных эк-ситонов в окиси магния. Дисс.. канд.физ.-мат.наук. -Тарту, 1983. — 216 с.
  250. Т.Н., Соркин Б. А. Дырочные процессы в кристаллах MgO при фотостимулированной люминесценции и электронной эмиссии. ФТТ, 1978, т.20, вып.9, с.2696−2699.
  251. Т.Н., Малышева А. Ф., Маароос А. А. Термостимулирован-ная люминесценция монокристаллов MqO в широком интервале температур. Труды ИФ АН ЭССР, 1979, № 50, с.35−54.
  252. Кярнер Т. Н. Термическая стабильность дырочных центров и дырочная рекомбинационная люминесценция MgO, СаО и
  253. SrO с различными примесями, Труды ИФ АН ЭССР, 1977, № 47, с.93−110.
  254. К.А., Кярнер Т. Н., Лущик Ч. Б. и др. Зкситонный и электронно-дырочный переносы энергии в люминесцирующих кристаллах MgO . Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, № II, с.2313−2316.
  255. Sibley Y/.A., Kolopus J.L., Mallard W.C. A Study of the Effect of Deformation on the ESR, Luminescence and Absorption of MgO Single Crystals. Phys. Stat. Sol., T969, vol.31, No.1, p.223−231.
  256. Chen Y., Sibley Y/.A. Study of lonisation Induced Radiation Damage in MgO. Phys. Rev., 1967, vol.154, No.3, p.842−850.
  257. Searle Т.Ы., Glass A.M. The Thermal Decay of the V-Center in MgO. J. Phys. Chem. Solids., 1968, vol.29, N0.4,p.609−614.
  258. Searle T.M., Bowler B. Optical Study of the Excited State, of the V-Centre in MgO. J. Phys. Chem. Solids, 1971, vol.32, Ыо. З, p.591−602.
  259. .А., Кяэмбре Х. Ф. Вероятное проявление Оже-про-цессов в фотостимулированной электронной эмиссии MgO . -ФТТ, 1976, т.18, № 9, с.2836−2838.
  260. Clarke P.P. Irradiation Damage in Single Crystals of Magnesium Oxide. Phil. Mag., 1957, ser.8,vol.2,No.17,p.607 627.
  261. Day H.R. IrradiationrInduced Photoconductivity in Magnesium Oxide. Phys.Rev., 1953, vol.91, No.4, p.822−827.
  262. Peria W.T. Optical Absorption and Photoconductivity in Magnesium Oxide Crystals. Phys. Rev., 1958, vol.112, No.2, p.423−433.
  263. Т.Н. Рекомбинационная люминесценция и парамагнитные центры в облученных кристаллах MgO . Дисс.. канд.физ.-мат.наук. — Тарту, 1979. — 288 с.
  264. Nanto Н, Konischi I., Nishikawa Т., Kikuchi R., Kawani-shi M. EE, TSL and TSC in MgO Single Crystals. In: Exoelectron Emission and Applications: Proc. 6th Internat. Symposium. Part I. Ahrenshoop, 1979, p.76−79.
  265. В.П., Кудараускас И. А. Влияние облучения на эмиссионные свойства окиси магния. В кн.: Радиационно-стиму-лированные явления в твердых телах. Вып.2. Свердловск, изд. УПИ, 1980, с.50−52.
  266. И.В. Новые достижения в экзоэлектронной дозиметрии. Атомная техника за рубежом, 1982, № I, с.10−18.
  267. Becker К, Principles of Thermally Stimulated Exoelectron Emission (TSEE) Dosimetry. Atomic Energy Review IAEA Vienna, 1970, vol.8, No.1, 173−218.
  268. Becker K., Schamiann A. Eirdfuhrung in die Festkorperdosi-metrie. Hunchen, 1975. — 246 p.
  269. А.И. Промышленные образцы дозиметров рентгеновского, гамма- и бета-излучений на основе экзоэлектронной эмиссии. В кн.: Экзоэлектронная эмиссия и ееприменение: Тез. докл. П Всесоюзного симпозиума. Москва, изд. МГУ, 1982, с.88−8^.
  270. К.П., Голиков В. Я., Коренков И. П., Тер-Казарьян Н.С., Пауткина Н. П. Внутриполостная гамма-терапия рака шейки матки и ее сравнительная радиационно-гигиеническая оценка. Медиц. радиология, 1976, т.21, с, 15−21.
  271. О.А., Голиков В. Я., Коренков И. П., Тер-Казарьян Н.С., Миндлин Г. М. Радиационно-гигиеническая оценка внутритканевой гамма-терапии, проводимой по принципу последующего введения. Медиц. радиология, 1978, т.23, с.29−34.
  272. Gammage R.B. Ceramic ВеО Exoelectron Dosimeters for Tritium and Radon Monitoring. Ins Exoelectron Emission and Applications: Proceedings of 6th Internet. Symp., Ahrenshoop, *979, P. 151−153.
  273. Sujjak B., Gieroszynske K., Gieroszynski A. Dosimetric Properties of Ni-NsF Thin Film System in UV Range (TSEE
  274. Method). In: Proc. of 6th Internet. Symp., Ahrenshoop, 1979, p.174−175.
  275. В.В., Лущик Ч. Б., Савихин Ф. А., Соколов А. Д., Яэк И .В. Термолюминесцентный дозиметр быстрых нейтронов. Атомная энергия, 1967, т.22, № 6, с.482−488.
  276. Jaek I., Savikhin P., Kaambre H. LET Dependence of TSL and TSEE Yield as a Basis for a Past Neutron Dosimetry Method. In: Proc. of 4th Internet. Conf. on Luminescence Dosimetry, Krakov, 1974, p.565−580.
  277. Elango M.A., Kadchenko V.N., Saar A.M.-E., Zhurakovski
  278. A.P. Thermoluminescence Light Sum Storage in NaCl: Agby Ultrasoft X-Rays. J. Luminescence, 1976, vol.14, No.5−6, p.376−388.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!