Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Радиационное создание Сl-3-центров и катионных дефектов в кристаллах КСl, легированных катионами-гомологами

Диссертация: Радиационное создание Сl-3-центров и катионных дефектов в кристаллах КСl, легированных катионами-гомологами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для проверки реализации создания КФД по ассоциативному механизму (II) посредством образования Хд~- центров при Н-Н взаимодействии с выталкиванием из регулярных узлов в междоузлия катиона и аниона нами были вьщелены спектральные характеристики (CL~) М.* CLцентров* в KCl-Li и в KCl~Na ^ усд. U и проверена возможность их возникновения при взаимодействии Н-центров с Нд-центрами. (Нд2локализованный… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ВВЕДЕНИЕ
  • 2. РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ АНИОННЫХ И КАТИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ШГК (Литературный обзор)
    • 2. 1. Электронные возбуждения и их распад с рождением анионных френкелевских дефектов
    • 2. 2. Радиационное создание катионных дефектов в ЩГК
  • 2. «3. Радиационные дефекты в ЩГК с примесью катионов-гомологов
    • 2. 4. Х3"-центры вЩГК
    • 2. 5. Нерешенные проблемы и задачи настоящей работы
  • 3. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 3. 1. Объекты исследования
    • 3. 2. Техника эксперимента
  • 4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
  • KCL-Nci И KCI-L
    • 4. 1. Особенности твердых растворов KCL~NaCl
  • И KCL-LCI
    • 4. 2. Электронные возбуждения и люминесценция кристаллов KCbNa и KCL-LL при 4,2 К
    • 4. 3. Рентгенолюминесценция кристаллов KCI,
  • KCl-Na и KCI-LL
  • 5. ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ
  • KGI, KCl-Sl~> KCl-Na и KCL-LL. Ill
    • 5. 1. Методика измерения ионной проводимости кристаллов. III
    • 5. 2. » Характеристика ионной проводимости
    • 5. 3. Влияние Х-облучения на ионную проводимость кристаллов KGI, KCL-St", KCL-Na и KCI-LI
  • 6. CI3 — ЦЕНТРЫ И КАТИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В KCI, КС1Ч
  • И KCl-Sr
    • 6. 1. Спектры поглощения и термостимулированная люминесценция облученных кристаллов KCI
    • 6. 2. Примесные С1зд -центры в KCL-LL и механизм их образования
    • 6. 3. Примесные CL -центры в KClrSr и механизм их образования
    • 6. 4. Модели примесных CIg -центров в KClrLl и
  • KCL-Sr, образующихся при взаимодействии подвижных Н-центров с Нд и {-(^-центрами
  • 7. СОЗДАНИЕ АНИОННЫХ И КАТИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В Х-ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ KCtrNa
    • 7. 1. Спектры поглощения Х-облученных кристаллов KCl-Na
    • 7. 2. Термостимулиро ванная люминесценция Х-облу-ченных кристаллов KCl~Nc
    • 7. 3. Структура С1з~-центров в KCHia
    • 7. 4. Обсуждение механизмов создания Х-облу-чением С^"-центров и катионных дефектов в KCl-Na. v
  • 8. СОЗДАНИЕ АНИОННЫХ И КАТИОННЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ
  • РАСПАДЕ ОКОЛОНАТРИЕВЫХ ЭКСИТОНОВ В KCl-Na.. 191 8.1. Селективное создание ВУФ-радиацией Рд"Н
  • -пар
    • 8. 2. Создание ВУФ-радиацией /~ и других пиков TCJI
    • 8. 3. О распаде околонатриевых экситонов с излучением и с рождением френкелевских дефектов
    • 8. 4. 0 возможных механизмах распада околонатриевых экситонов с рождением катионных френкелевских дефектов

Радиационное создание Сl-3-центров и катионных дефектов в кристаллах КСl, легированных катионами-гомологами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В современной физике твердого тела одной из наиболее актуальных проблем следует считать выяснение детальных механизмов создания радиационных дефектов, определяющих процессы порчи конструкционных материалов при облучении и процессы запоминания радиационного воздействия, имеющие важное значение при применении радиации в науке и технике.

Наиболее подробно процессы радиационного дефектообразова-ния в настоящее время изучены для металлов и полупроводников, где доминирует универсальный механизм упругих смещений атомов [1−3], и в ионных кристаллах (особенно щелочногалоидных кристаллах (ЩГК), где происходит эффективный распад электронных возбуждений (ЭВ) с рождением дефектов Френкеля [4−7].

В настоящее время не вызывает сомнения, что в ЩГК распад ЭВ идет с рождением анионных френкелевских дефектов (АФД): Р-центров (V* е~) и междоузельных атомов галоида (, Н-цен-тров), анионных вакансий (V*, обцентров) и междоузельных ионов галоида (, I-центров) (см. напр., [4−7]).

Давно высказана гипотеза [8,9], что при высоких температурах (> 60 К, когда подвижны Iи Н-центры) для стабилизации АФД необходимо предполагать создание в ЩГК катионных френкелевских дефектов (КФД): катионных вакансий (V"), междоузельных ионов и атомов щелочного металла (L*, 1°). Имеются четкие проявления радиационного создания КФД в ЩГК (см. обзоры [10,11]). Однако явление создания КФД в ЩГК и особенно конкретные механизмы создания КФД до сих пор изучены неизмеримо меньше, чем процессы создания АФД. Причина заключается прежде всего в том, что КФД (I*, v~), в отличие от АФД, как правило, оптически не проявляются, так как характерное для них поглощение попадает в область собственного поглощения ЩГК и традиционные методики абсорбционной спектроскопии прямо к ним применить нельзя.

Кроме того, процессы создания КФД за счет распада ЭВ при гелиевых температурах, по-видимому, заморожены [12^, что не позволяет изучать процессы создания КЗД в условиях, когда все релаксированные точечные дефекты неподвижны. Необходимо проводить исследования создания КФД при Т80 К, в условиях высокой подвижности АФД. При этом Н-центры могут вступать во взаимодействие как друг с другом, так и с КФД. В связи с этим, несмотря на существование ряда работ [13−26], посвященных изучению радиационного создания КФД в ЩГК [13−26], эти процессы изучены пока очень мало. Так обстоит дело даже для кристаллов KCI, в которых ЭВ и радиационные дефекты изучены с наибольшей полнотой.

В настоящее время кроме универсального механизма упругих смещений, реализующегося под действием квантов большой энергии, в ЩГК рассматриваются два основных класса механизмов рождения КФД, связанные с безызлучательной аннигиляцией электронных возбуждений:

I. Непосредственный распад электронных возбуждений (особенно экситонов) с рождением КФД (V", ? илицентров (V'e4*) и 1°) [8,9,II]. Такой механизм получил название «эк-ситонный механизм». галоида.

II. Парная ассоциация междоузельных атомов (Н-центров) с выталкиванием в междоузлия иона галоида и иона щелочного металла [27−29]. Такой механизм можно назвать «ассоциативным механизмом» .

Условия реализации экситонных и ассоциативных механизмов (I и II) к настоящему времени очень мало изучены.

Основной задачей настоящей работы было выявление и дискриминация экситонных и ассоциативных механизмов при создании КФД радиацией в щелочно-галоидных кристаллах.

Основная идея, лежащая в основе настоящей работы, заключается в том, чтобы облегчить создание КФД в ЩГК (типа irtO путем введения в них катионов-гомологов малого радиуса (Мд+) (напр., ионов Li+ и No" в KCI) [4,20].

Естественно было ожидать, что примесный ион, радиус которого меньше, чем радиус катиона матрицы, легче можно перевести в имеющие малый размер тетраэдрические междоузлия.

Введение

в ЩГК примесей катионов-гоиологов меньшего размера, чем катион основания, должно облегчить как экситонный механизм I, так и ассоциативный механизм II создания КФД и тем самым упростить обнаружение, исследование и дискриминацию элементарных механизмов создания КФД в ЩГК.

Основным источником информации о влиянии Мд±примесей на радиационное дефектообразование было изучение создания в KGI-Мд (по сравнению с KCI) V?.(V’e4″) — и С1д~-центров окраски, в состав которых входят v~, а также наведенной радиацией ионной проводимости, обусловленной v~. Соответствующие характеристики высокочистых KCI [30] были подробно исследованы ранее в работах [31−35]. Благодаря тоь^у, что для получения fi кристаллов KGI-Мд сырье также очищалось до уровня 10 молярн.

7 8 ных долей по примесям гомологов и до уровня 10 -10 по примесям ОН" и М2+ [30], могло быть изучено влияние Мд+ на процессы создания КФД в KCI при сравнительно низких концентрациях (Ю~4-Ю~5) примеси.

Для проверки реализации экситонного механизма (I) нами была ввделена область селективного создания ВУФ-радиацией околонатриевого экситона в KCl-Na и изучены каналы его безызлучательной аннигиляции. Нами были сопоставлены спектры эффективности создания пика ТСЛ Vpцентров (пик 235 К) со спектром селективного создания в°^а)-экситонов.

Для проверки реализации создания КФД по ассоциативному механизму (II) посредством образования Хд~- центров при Н-Н взаимодействии с выталкиванием из регулярных узлов в междоузлия катиона и аниона нами были вьщелены спектральные характеристики (CL~) М.* CLцентров* в KCl-Li и в KCl~Na ^ усд. U и проверена возможность их возникновения при взаимодействии Н-центров с Нд-центрами. (Нд2локализованный около катиона-гомолога Н-центр) после прекращения Х-облучения, что позволяло исключить образование этих центров на паре КФД (V", Мд^), созданной по механизму I в момент облучения.

В работе получены следующие основные результаты: I. В KCL-Na методами низкотемпературной вакуумной спектроскопии при 4,2 К и 80 К вьщелена область селективного создания фотонами 7,55+7,65 эВ околонатриевых электронных возбуждений и установлены каналы их распада с излучением (2,8 эВ), с созданием анионных (Рд, Н) и катионных френкелевских дефектов (Vie*" -центров). Эффективность околопримесного экситонного механизма создания катионных дефектов возрас Индекс внизу после скобок указывает место в кристаллической решетке (а, с — анионный и катионный узлы, соответственно, i — междоузлие), а индекс сверху — заряд относительно решетки. тает при увеличении температуры.

2. В результате распада околопримесных экситонов наличие в кристаллах KCI примесных ионов Net* малого радиуса облегчает создание катионных фррнкелевских дефектов рентгеновской радиацией, что проявляется в увеличении числа катионных вакансий, определяющих усиление ионной проводимости, в усилении V7e+ -пиков термостимулированной люминесценv ции и в увеличении эффективности создания С1д~-молекул, занимающих не только анионные, но и катионные узлы решетки.

3. Наличие в KGI примесных ионов t-ii малого радиуса приводит к реализации ассоциативного механизма создания катионных френкелевских дефектов при взаимодействии подвижных Н-цент-ров с Нд (Ы+) -центрами, которое обуславливает образование сложных центров окраски (^з)аса^L ' ® кристалле КСЫ|а парные ассоциации Н-Нд центров, а следовательно и Н-Н взаимодействие в чистом KGI не приводят к созданию катионных френкелевских дефектов.

Таким образом, установлено осуществление механизма создания катионных френкелевских дефектов непосредственно при распаде экситонов в KCI около катионной примеси малого радиуса, а также ассоциативного механизма создания катионных дефектов в ходе перестройки решетки при Н-Н взаимодействии в KCI около частично смещенного в междоузлие иона bL .

Полученные результаты подтвердили, что введение примесей катионов-гомологов малого радиуса может облегчить создание КФД в ЩГК.

Материалы диссертации опубликованы в работах [36−43] и доложены на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

— Международная конференция по дефектам в диэлектрических кристаллах, Рига, 1981;

— Всесоюзное совещание по радиационной физике твердых тел, Звенигород, 1981;

— У Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1983;

— Прибалтийские семинары по физике ионных кристаллов (Лиелупе 1981, 1983; Лохусалу 1981; Эзерниеки 1982).

Диссертация содержит 252 страницы, в том числе 149 страниц основного текста, 6 таблиц, 59 рисунков и библиографию из 273 названий.

В первой главе (введении) охарактеризована актуальность проблемы, степень изученности вопроса о создании КФД в ЩГК до настоящего исследования, цель работы и основные результаты.

Во второй главе дан литературный обзор механизмов распада электронных возбуждений на анионные и особенно катионные дефекты в ЩГК, обзор данных о влиянии примесей катионов-гомологов (МА+) на создание и накопление радиационных дефектов в ЩГК, а также обзор данных о центрах окраски, в состав которых входят катионные вакансии.

В третьей главе описаны использованные в работе способы приготовления объектов исследования и методики спектральных исследований.

В четвертой главе приведены физико-химические и оптические характеристики KCl-Na и KCl-Li •.

В пятой главе описана методика измерения ионной проводимости кристаллов (ИП) и сопоставляется влияние облучения на ИП чистых кристаллов KCI и KCI с примесями Lu", No", Sr2″ *.

В шестой и седьмой главах приведены результаты изучения влияния Мд±примесей в KCI на создание С1д~-центров и V —центров. Обсуждаются результаты изучения структуры и механизма образования примесных С^'-центров в KClrLi, KClrSt" и KCl-Na.

В восьмой главе приведены результаты изучения основных каналов распада околонатриевых экситонов в KCL-Nla при 4,2 и 80 К, а также обсуждаются возможные механизмы распада e°(Na] с рождением КФД.

В девятой главе (заключении) перечислены основные результаты и выводы работы.

9.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Проведенное нами методами оптической и термоактива-ционной спектроскопии исследование процессов создания рентгеновской и вакуумной ультрафиолетовой радиацией центров окраски в выращенных в вакууме из зонноочищенного сырья кристаллах KCL-LL и KCL-Na с концентрацией примесиг 10″ ^ молярных долей позволяет выделить следующие основные новые результаты:

1. Высокочистые кристаллы KCL-Na (1(Г^г1(Г^) представляет собой при 300 К нестабильные твердые растворы. Этот эффект не был замечен ранее из-за компекнсирующего нестабильность влияния других (обычно неконтролируемых) примесей R84* и др.). Расположение ионов NaT в катионных узлах решетки KCI фиксируется по известной HjNaJ-полосе л поглощения (3.45 эВ^ в облученных кристаллах, которая не возникает после распада твердого раствора. Для кристаллов KCL~Nci характерно неравномерное распределение примеси по объему.

2. Проведенное сравнительное исследование влияния рентгеновского облучения при 80−300 К на ионную проводимость KCI и KCL-Na выявило, что наличие ионов Nci^ приводит к усилению наведенной облучением ионной проводимости при 290−330 К (с энергией активации Е = 0,6 эВ), связанной с радиационным созданием в KCL-Na катионных вакансий. В этом существенное отличие от чистого KCI, где облучением наводится бивакансионная ассоциативная проводимость с Е = 0,9 эВ.

3. Обнаружено, что введение ионов Na* в KCI л к в концентрации 10−10 в несколько раз повышает эффективность радиационного создания С1д~-центров при 80−300 К и значительно снижает их термическую стабильность (в облученном при 80 К KCI CIg" - и F-центры стаоильны до 400 К, а в KCL-Na разрушаются в основном в районе 240−300 К).

4. Изучены характеристики возникающих около примесных ионов С1дд~-центров в KCL-LL (полосы поглощения 5,1 и 6,35 эВ, температуры разрушения 340 К) и в KCL-Na (полосы поглощения 5,05 и 6,4 эВ, температура разрушения 350 К). Установлено, что в KCL~Sr Clg^ -центры имеют кроме известной полосы поглощения при 5,6 эВ, также полосу поглощения при 6,4 эВ.

5. Сделан вывод, что CL3A (Ll) -центры имеют структуру (CQciccl Ц, CL.. Поглощение ионов (С13″)аса (5,1 эВ) и CLT (6,35 эВ) при термическом разрушении и разрушении L электронами С1дд" -центров изменяются параллельноС1дд" —центры возникают при взаимодействии подвижных Н-центров с Нл (Ll+) -центрами, структура которых хорошо известна п из данных ЭПР.

6. Сделан вывод, что CL.^-центры в KCL~Sh имеют структуру (CL~)aJSr*+?CL.

Заключение

сделано на основании известного ранее факта, что CL—центры образуются при взаимодействии Н-центров с Нцентрами известной структуры, а также на основании установленного в работе факта, что в состав CLцентра входит CL.-ион (наличие полосы.

ЪЪ I" поглощения 6,4 эВ).

7. На основании сравнительного изучения методом термо-стимулированной люминесценции продуктов фотодиссоциации.

С1з")°аса-(полоса поглощения 5,3 эВ) и С1дд~-центров (полоса поглощения 5,05 эВ) в KCL~Na выделены продукты диссоциации (Нд" и 1д-центры) и сделано заключение, что С1зд~-центры имеют структуру (CL3jacaNatCL .

8. Из установленного нами по изучению термостимулиро-ванной люминесценции факта, что рентгеновское облучение при 80 К создает в KCL-Na значительно большее число Vp-центров (дырка, локализованная около катионной вакансии, пик TCJI 235 К), чем в KCI, а также из ряда перечисленных выше экспериментальных фактов (п. 2,3) следует, что в KCL-Na облучением эффективнее создаются катионные вакансии, чем в чистом KCI.

9. Для KCL-Na не обнаружено образования С1зд" -центров в ходе термического освобождения Низ Нд (^сГ] -центров (в отличие от KCLLL)• Предполагается, что СП МаХй.

3/CLCCL I".

— центры в процессе Х-облучения образуются при захвате двух.

Н-центров на созданной паре КФДv" «» Na" при распаде окос L лонатриевого экситона.

10. Изучением рентгенолюминесценции кристаллов KCL-Na при 80−240 К установлено, что околонатриевне экситоны при Х-облучении при 80 К образуются при последовательном захвате на примеси.

Na горячих дырок и электронов. Свечение околонатриевых возбуждений возникает при 80 К после прекращения Х-облучения при последующейподсветке.

11. Для выделения области селективного создания околонатриевых электронных возбуждений фотонами при 4,2 и 80 К проведено исследование спектров возбуждения свечения околонатриевого экситона (2,8 эВ). Установлено, что при 4,2 К максимум полосы возбуждения e°(Na) расположен при 7,62 эВ, а при 80 К — при 7,59.

12. При 4,2 К выявлены каналы распада околонатриевых экситонов как с излучением (2,8 эВ, квантовый выход 1^=0,1), так и с ровдением АФД (Рд, Н). Установлено, что выход создания стабильных Рд, Н-пар при распаде околонатриевых экситонов много ниже, чем выход создания стабильных F, H-nap при распаде экситонов в регулярной решетке.

13. Измерены спектры создания ВУФ радиацией различных пиков ТСЛ в KCL-Na. Установлено, что спектральная область максимальной эффективности создания Vfцентров совпадает со спектром создания околонатриевых экситонов, что свидетельствует в пользу того, что осуществляется непосредственный распад околонатриевых экситонов с рождением катионных Френкелевских дефектов.

14. Пик ТСЛ VFцентров более эффективно создается при облучении KCL-Na ВУФ радиацией, создающей околонатриевые экситоны при 80 К, чем при 4,2 К. Это соответствует предположению, что для разделения пар КФД требуется тепловая диффузия.

На основании изложенных результатов сделано заключение, что введение в KCI примесей катионов малого радиуса Ll и Na" облегчает рождение катионных френкелевских дефектов как непосредственно при распаде околопримесного экситона (KCL-Na), так и в результате образования (^Ц)аса^дСi- ~ЧентР0 В в ходе перестройки решетки при ассоциации двух Н-центров около примесных катионов-гомологов малого радиуса (KCL-L'l).

Обсуждены условия создания катионных френкелевских дефектов при парной ассоциации Н-центров. Процесс осуществляется в KCL~LL около Li+ «частично смещенного в междоузлие. При взаимодействии HA (Na!»)-H в KCL-Na, где примесный катион малого размера расположен в катионном узле KCI, не обнаружено образования.

— центров. Это позволяет сделать заключение, что Н-Н взаимодействие в регулярной решетке KCI не является основным механизмом создания (С12″ «)аса-центров и катионных френкелев-ских дефектов, по крайней мере при Т ^ 130 К.

В заключение хочу выразить глубокую благодарность научному руководителю, старшему научному сотруднику ИФ АН ЭССР кандидату физико-математических наук Ревекке Ирмовне Гиндиной за руководство настоящей работой, многочисленные плодотворные обсувдения полученных результатов и поддержку в повседневной работе.

Хочу сердечно поблагодарить члена-корреспондента АН ЭССР профессора Чеслава Брониславовича Лущика за предложение темы и плодотворное обсуждение затронутых в настоящей диссертации проблем, а также кандидата физ.-мат. наук А. А. Эланго за стимулирующие дискуссии.

Я благодарен кандидатам химических наук Л. А. Плоому, А. А. Маароосу и инженеру О. А. Федоровой за помощь при выращивании кристаллов, а также кандидату физ.-мат. наук М. М. Тайирову за участие в проведении некоторых экспериментов.

Пользуясь случаем, хочу поблагодарить всех сотрудников сектора физики ионных кристаллов ИФ АН ЭССР за оказанную поддержку в работе.

Весьма признателенК. Вестре, Х. Гросс, Т. Алтуховой за помощь при оформлении диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М., «Мир», 1971. 367 с.
  2. B.C., Кив А.Е., Ниязова А. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., «Наука», 1981, 368 с.
  3. В.Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев, «Наукова думка», 1969, 334 с.
  4. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. УЗД, 1977, т. 122, в. 2, с. 223−251.
  5. Williams R.T. Photochemistry of F-center formation in Halide Crystals.- Semiconductors and Insulators, 1977, v. 3, P. 251−283.
  6. Varley I.H.O. A new interpretation of irrdiation--induced phenomena in alkali halides.- I. Nuclear Energy, 1954, v. 1, p. 130−143.
  7. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллов. ФТТ, 1968, т.10, в. 9, с. 2753−2759.
  8. Ч.Б., Гиндина Р. И., Йыги Х. В., Плоом Л. А., Цунг Л. А., Тийслер Э. С., Эланго А. А., Яансон Н. А. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочногалоидных кристаллах. Тарту, Труды ИФ АН ЭССР, 1975, т. 43, с. 7−62.
  9. Lushchik CluB", Elango А*, Gindina R., Pung L., Lushchik
  10. Maaroos A., Nurakhmetov Т., and Ploom L. Mechanisms of cation defects creation in alkali halides.- I. Se-micond.and Insulators, 1900, v.5, p, 133−158.
  11. Lushchik Ch., Creation of Frenkel defects pairs by exci-tons in alkali halides, — In: Radiation effects in crystals" Ed, Johnson R. and Orlov A* Chapter 10, North1. Holland Puhl.(in press).
  12. Йыги X.P.-B., Лущик Ч. Б., Малышева А. Ф., Тийслер Э. С. Электронномикроскопическое обнаружение и оптическое исследование продуктов распада экситонов в кристаллах
  13. КВг. ФТТ, 1972, т. 14, в. I, с. II7-I23.
  14. А.А., Анненков Ю. М., Пичугин В. Ф., ФрангульяН Т.С., Нестеренко А. П. Радиационная генерация катионных вакансий в щелочно-галоидных кристаллах. Изв. ВУЗов, Физика, № 3, с. 135−136.
  15. Ю.М., Арефьев В. П., Биллер В. К. Радиационные центры захвата позитронов в кристаллах КВг при больших мощностях поглощенной дозы. ФТТ, 1979, т. 21, в. 7, с. 2155−2157.
  16. Мелик-Гайказян И.Я., Дерябин П. Е. Кинетика радиационного накопления катионных вакансий и дивакансий в нитевидных кристаллах КС1 и КВг. Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1974, № 4, с. 137−139.
  17. П.Е., Мелик-Гайказян И.Я., Захаров В. Ф. Ионная проводимость нитевидных щелочно-галоидных кристаллов. Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1973, № 9, с.126−128.
  18. А.В., Мелик-Гайказян И.Я., Белова Н. С. Дефектообразование в катионной подрешетке нитевидных кристаллов КВг при эффективной температуре. Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1978, № 7, с. 148−150.
  19. Н.А., Гиндина Р. И., Лущик Ч. Б. Создание анионных и катионных дефектов в нитевидных кристаллах КВг . ФТТ, 1974, т. 16, в. 4, с. 379−383.
  20. Ч.Б., Гиндина Р. И., Маароос А. А., Плоом Л. А., Лущик А. Ч., Цунг Л. А., Пыллусаар Ю. В., Соовик Х. А. Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах KCI. ФТТ, 1977, т. 19, в. 12, с. 3625−3630.
  21. Л.А., Лущик А. Ч., Халдре Ю. Ю. Рекомбинационная люминесценция и ЭПР в KCI и КВг с катионными френке-левскими дефектами. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т. 40, № 8, с. 1952−1954.
  22. Лущик А.Ч. Optical investigation of cation defects in irradiated RbBr. Изв. АН ЭССР, Физика-математика, 1980, т. 29, с. 173−180.
  23. Elango A.A., Nurakhmetov T. N, Structure and generation mechanism of Br^"-centers in X-rayed KBr" — phys. stat, sol.(Ъ), 1976, v. 78, E92, p. 529−536.
  24. Т.Н. 0 существовании в облученных при 80 Ккристаллах КВг междоузельных ионов калия, ассоциированных с междоузельными ионами брома. Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1977, т. 47, с. 184−194.
  25. А.К. Вг^ -центры в кристаллах КБг с примесями Li+ и Na+ . Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1981, т. 52, с. I2I-I37.
  26. П.К., Громовой Ю. С., Ковтун А. А. Исследование электронной структуры радиационных дефектов в кристаллах KCl-LiCl. Вопросы атомн. науки и техн. Серия: Физика радиацион. повреждений и радиацион. материаловедение, 1982, вы. 2(21), с. 73−75.
  27. Hobbs L", Hughes А.Е., Pooley D. A study of interstitial clusters in irradiated alkali halides using direct electron microscopy, — Poroc. Roy.Soc. London A, 1973, v. 332, p. 167−185.
  28. Catlow C.R.A., Diller K.M., Norgett M.I. Interstitial defects in irradiated alkali halides.- I.Phys.C: Sol. stat.Phys., 1975, v. p. L34-L36.
  29. Catlow C.R.A., Diller K.M., Hobbs L.W. Irradiation-induced defects in alkali halide crystals.- Phil.Mag., A, 1980, v. 42, N22, p. 123−150.
  30. Р.И., Maapooc A.A., Плоом JI.А., Яансон H.A.
  31. Разработка методики получения кристаллов KCI и квгfi —8с содержанием примесей 10″ -10″". Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, т. 49, с. 45−89.
  32. Р.И., Плоом Л. А., Маароос А. А., Пылусаар Ю. В. Центры окраски в кристаллах KCI повышенной чистоты. -ЖПС, 1977, т. 27, в. 3, с. 520−527.
  33. Л.А. Методика получения и радиационные дефектыfi — ftкристаллов KCI с содержанием примесей 10″ -10″ . Диссертация, канд. химич.н. 1977, Тарту.
  34. А.Ч. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах CsBr, RbBr и KCI. Диссертация, канд.физ.-мат.наук. Саласпилс, 1980.
  35. М.М. Низкотемпературное создание ВУФ-радиацией пар дефектов Френкеля в КС1, КВг и CsBr . Диссертация, канд.физ.-мат.наук, 1983, Тарту.
  36. Lushchik Ch., Kolk J., Lushchik A., Lushchik N., Taiirov M. and Vasilchenko E. Decay of Excitons into long-litfed F, H and
  37. К.Ш., Гиндина P.И., Ллоом Л. А. Создание CI3"--центров в кристаллах KCl-Li и NaCl-Li. Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1980, т. 51, с. 143−162.
  38. К.Ш., Гиндина Р. И., Плоом Л. А. Создание и разрушение С1д~"-центров и катионные дефекты в кристаллах KCl-Na . Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1981, т. 52, с.101-- 120.
  39. Gindina R.I., Lushchik A.Ch., Ploom L.A., Pung L.A., and Shunkeev K.Sh. Creation of radiation defects in KCI Crystals. International Conference Defects in Insulating Crystals (Abstracts).- Riga, 1981, p. 191−192.
  40. Р.И., Щункеев К. Ш., Плоом Л. А. Радиационные катионные дефекты в кристаллах KCl-Li, KCl-Na и NaCl-Li Вопросы атомн.науки и техники. Серия: Физика радиац. поврежд. и радиац. материаловедение, 1981, в. 4(18), с. 91−92, Харьков.
  41. Ч.Б., Гиндина Р. И., Лущик Н. Е., Тайиров М. М., Щункеев К. Ш. Распад экситонов с рождением анионныхи катионных дефектов в KCl-Na. Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1982, т. 53, с. I46-I7I.
  42. К.Ш., Гиндина Р. И. О структуре (С1д~)2-центров в облученных кристаллах KCl-Sr. Тарту, ТР. ИФ АН ЭССР, 1983, т. 54, с. 122−135.
  43. Р.И., Шункеев К. Ш. Механизмы создания и структура С1д~-центров в кристаллах KCI с катионными примесями Na+, Li+, Sr2+ . Тезисы докладов У-го Всесоюзного совещания по радиац. физике и химии ионных кристаллов, 1983, с. 145−146. Рига.
  44. К.Ш., Гиндина Р. И., Федорова О. А. Спектры рентгенолюминесценции и термостимулированной люминесценции KCI, KCl-Na, KCl-Ыи KCl-Sr при 80−400 К., -Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1984, т. 55, с. 143−164.
  45. Ч.Б. Элементарные механизмы создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. Тарту, Тр. ИФА
  46. АН ЭССР, 1972, т. 39, с. 81−99.
  47. Sonder Е., Sibley W.A. Defects Creation by Radiation in Polar Crystals.- In: Point defects in Solids./Ed. by Crawford J/.Plenum Press, 1972, 202 p.
  48. Lushchik Ch.B. Free and self-trapped excitons in alkali halides: spectra and dinamics. Ins Modern problem in condensed matter sciences, v.2 «Excitons» Ed. by Rashba E.I. and Sturge M.D.-North-Holland, 1982., p. 505−541.
  49. Ч.Б., Лийдья Г. Г., Эланго М. А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах. ФТТ, 1964, т. 6, в. 8, с. 2256−2262.
  50. Э.Р., Кинк Р. А., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Взаимные превращения электронных возбуждений в ионных кристаллах. Изв. АН СССР, сер. физ., 1965, т. 29,1. I, с. 27−35.
  51. Ч.Б., Вале Г. К., Эланго М. А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски. Изв. АН СССР, сер.физ., 1967, т. 31, № 5, с. 820−828.
  52. Ч.Б. Собственные электронные возбуждения и дефекты ионных кристаллов. Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1978, т. 48, с. 24−63.
  53. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига «Зинатне», 1979, с. 251.
  54. Gastner T.G., Kanzig W, The electronic structure of v-cen-ters.-J.Phys.Chem.Sol., 1957, v.3,№ 3, p.178−19 953* Лущик Ч. Б., Васильченко E.A., Лущик H.E., Цунг Л.A.
  55. Релаксированные и нерелаксированные возбуждения в кристаллах типа NaCl. Тарту, Тр. ИФА АН ЭССР, 1972, т. 39, с. 3−46.
  56. Knox R.S., Teegarden К.Т. Electronic excitation of perfect alkali halide crystals. In: Physics of Color Сenters, Academic Press, N.-Y., 1968, p. 1−47.
  57. P.A., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б., Соовик Т. А. Экситонные процессы в щелочногалоидных кристаллах. -Тарту, Тр. ИФА АН ЭССР, 1969, т. 36, с. 3−56.
  58. Tomiki Т. Optical Constants and Exciton States in KCI Single Crystals I. The Low Temperature Properties.-J.Phys.Soc.Japan, 1967, v.22, Ш 2 p. 463−487.
  59. И.Л., Либлик П. Х., Лийдья Г. Г., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б., Соовик Т. А. Краевая люминесценция экситонов щелочных иодидов. ФТТ, 1975, т. 17, в. 12, с.3546--3550.
  60. Lushchik Ch., Kuusmarm I., Plekhanov V. Luminescence of free and self-trapped excitons in ionic crystals.-J, Luminescence, v.18,19, 1979″ p. 11
  61. И.Л., Лущик Ч. Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализирующимися экситонами.-Изв. АН СССР, сер. фия., 1976, № 9, т. 40, с. 1785−1792.
  62. В.В. Коротковолновая люминесценция ионных кристаллов, возбуждаемая сильноточным пучком электронов наносекундной длительности. Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1982, т. 53, с. 122−145.
  63. Purely А.Е., Murray R.B., Song K.S., Stoneham A.M. Studies of self-trapped exciton luminescence in KCl.-Phys. Rev, В., 1977, v. 15, N2 4, p. 2170−2176.
  64. Schulze P., Hardy I. Schot1§- defects in alkali halides -PhyS, Rev.B., 1972, v.5, № 8, p. 3270−3275, Frenrel defects in alkali halides.-Phys.Rev., B,1972,v.6,№ 4, p.1580−1584.
  65. Rowell D.K., Sangster M.J.L. Calculations of intrinsic defect energies in alkali halides, — J.Phys. C: Solid Stat. Phys., 1981, v. 14, p. 2909−2921.
  66. Seitz F. Generation of F-Centers at Low temperature. -Phys•Rev., 1953, v. 89, p. 1299.
  67. Г. К., Гиндина Р. И., Лущик Ч. Б., Эланго А. А. Электронные процессы в нитевидных ионных кристаллах. Тарту, Тр. ИФА АН ЭССР, 1964, т. 30, с. 3−15.
  68. С.У., Быкова А. И., Мелик-Гайказян И.Я. Некоторые исследования нитевидных щелочногалоидных кристаллов. Изв. АН СССР, сер.физ., 1967, т. 31, с. 1964−1967.
  69. Gebhardt W. Zwischengitterionen als Wirksamestorstellen in Warmeleitungsexperiment an KCl-und EBr-Einkristallen,-J.Phys.Chem.Solids, 1962, v.23, Ю 8, p. 1123−1134.
  70. Behr A., Peisl H., Waidelich W. Thermal annealing of low-temperature X-irradiated KCl.-Phys.Lett., 1967″ v. 24A, p. 379−380.
  71. Duerig W.H., Markham J.J. Color centers in alkali hali-des at 5 K.- Phys. Rev., 1952, v. 88, p. 1043−1049.
  72. Kanzig W., Woodruff Т.О. Electron-Spin Resonance of H-Centers.-Phys.Rev., 1958, v. 109, p. 220−221.
  73. Delbecq. C.I., Kolopus J.L., Jasaitis E.L., Yuster P.H. Correlation of the Optical and Electron-spin Resonance Absorptions of the H-Center in KCI.- Phys.Rev., 1967, v. 154, № 3, p. 866−871.
  74. Peisl H., Balzer R., Waidelich W. Schottky and Prenkel disorder in KCI with color centers.- Phys.Rev.Lett., 1966, v. 17, p. 1129−1131.
  75. Balzer R., Peisl H., Waidelich W. Evidence for Prenkel defect formation in low-temperature X-irraddiated KCI and KBr.-Phys.Lett., 1968, v. 27A, p. 31−32.
  76. Саар А.М.-Э., Эланго M.A. Создание центров окраскив кристаллах KCI ультрамягкими рентгеновскими лучами. ФТТ, 1970, т. 12, с. 2993−2996.
  77. Lushchik Ch.B., Liidja G.G., Jaek 1.7. The mechanism of formation of colour centers in ionic crystals by ultraviolet irradiation.- Proc.Intern.Confer. on Semiconductor Physics. Praque, 1960, p. 717−721.
  78. Ч.Б., Роозе Н. С., Эланго М. А. Электронные возбуждения и радиационное окралмвание ионных кристаллов Тарту, Тр. ИФА АН ЭССР, 1969, т. 36, с. 57−108.
  79. Bichevin V., Kaambre Н., Lushchik Ch. Creation Spectra of Colour Centers in KCI and NaCl Developed via Electron Emission.- Phys.Styt., Solidi, 1971, v. A5, p. 525−529.
  80. В., Кяэмбре X., Лущик Ч. Б., Тийслер Э. Экситонные и электронно-дырочные процессы в кристалле KCI при создании центров окраски ультрафиолетовой радиацией.- ФТТ, 1970, т. 12, с. 2888−2894.
  81. И.К. Современные представления о механизме рекомбинационной люминесценции щелочногалоидных крис-таллофософров.- Изв. АН СССР, сер.физ., 1966, т. 30, № 4, с. 564−569.
  82. Pooley D. F-Center Production in Alkali Halides by Radiationless Electron-Hole Recombination.-Sol.Stat. Communic., 1965, v. 3, № 9, p" 241−243*
  83. Hersh H.U. Proposed excitonic mechanism of colour-center formation in alkili halides.-Phys.Rev., 1966, r. 148, Ш 2, p. 928−932.
  84. Ч.Б., Эланго М. А. Экситонный механизм создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. В сб.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Минск, Наука и техника, 1970, с. 195−202.
  85. Smoluchowski R., Lazareth O.W., Hatcher R.D., Dienes G.J. Mechanism of point-defect formation in ionic crystals.-Phys.Rev.Lett., 1971, v. 27, N3 19″ р.12Э8−1290.
  86. М.А. Об энергетических аспектах нестабильности экситонов относительно распада на дефекты структуры в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1975, т. 17, в. 8, с. 2356−2359.
  87. Е.А., Тайиров М. М. Низкотемпературный распад экситонов на френкелевские дефекты и их туннельная перезарядка в КС1, КС1-Вг и KC1-I.. Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1982, т. 53, с. I72−191.
  88. Ueta М., Kondo J., Hirai М., Yoshinari Т. F-Center Formation in KCI Crystals by Pulsed Electron Beam at 80K. -J.Phys.Soc.Japan, 1969″ v. 26, p. 1000−1006.
  89. В.П., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б., Соовик Х. А. Ионизация и распад экситонов в кристаллах NaBr.. -- ФТТ, 1976, т. 18, с. 2I5I-2I57.
  90. Bradford J.N., Williams R.T., Faust W.L. Study of F-center formation in KCI on a picosecond time scale.-Phys.Rev., Lett., 1975, v. 35, p. 300−303.
  91. Williams R.T. Intersystem Crossing Polarization and Defect Formation Induced by Optical Excitation of Self-Trapped Excitons in Alkali Halides.-Phys.Rev.Lett., 1976, v. 36, p. 529−532.
  92. Williams R.T., Kabler M.N. Excited State absorption spectroscopy of self-trapped excitons in alkili halides.-Phys.Rev.B., 1974, v.§, N2 4, p. 1897−1907.
  93. Yoshinari Т., Iwano H., Hirai M. F-H center formation by the optical conversion in self-trapped excitons in KCI crystals.- J.Phys.Soc.Japan., 1978, v. 45, p.936−943.
  94. Itoh N" Primary process of deffeet formation in alkali halides.- In: Defects in Insulating Crystals Proceedings of the International Conference./Ed. by Tuchkevich V., and Shvarts K./-Riga, 1981, p. 343−362.
  95. Itoh N., S toneham A.M., Harker A.H. Non-radiative deexcitation of highly exci+ed self-trapped excitons inialkali halides: mechanism of the P and H-centre produc-tion.-J.Phys.Soc. Japan, 1980, v.49,NS 4, p. 1364−1371.
  96. Toyozawa Y. A proposed Model of Excitonic Mechanism for Defect Formation in Alkali Halides.-J.Phys.Soc.Japan., 1978, v.44, N2 2, p. 482−488.
  97. Leung C.H., Song K.S. Model of excitonic mechanisms for defect formation in alkali halides.- Phys. Rev. В., 1978, v. 18, p. 922−929.
  98. H.H. О возможности дефектообразования из термически равновесного состояния автолокализованного экситона в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1979, т. 21, с. 2054−2057.
  99. Е.А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б., Соовик Х. А., Тайиров М. М. Образование вакансий и ин-терстициалов в щелочно. галиодных кристаллах при оптическом создании экситонов. ФТТ, 1981, т. 23, с. 481−487.
  100. Ч.Б., Васильченко Е. А., Колк Ю. В., Лущик Н. Е. Создание и преобразование дефектов в КС1-Т1 при аннигиляции электронных возбуждений. Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1983, т. 54, с. 38−72.
  101. Ч. Б. Ваеильченко Б.А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е. Тайиров М.М. Экситонные и примеено-экситонные механизмы создания Р, Н-пар в щелочногалоидных кристаллах.-Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1983, т. 54, с. 5−37.
  102. Ч.Б., Гиндина Р. И., Цунг Л. А., Тийслер Э. С., Эланго А. А. Яансон Н.А. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах AI ВУП.- Изв. АН СССР, сер. физ., 1974, т. 38, № 6, с. I2I9-I222.
  103. Ч.Б., Гиндина Р. И., Лущик Н. Е., Плоом Л. А., Пунг Л. А., Соовик Х. А., Эланго А. А. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах NaBr . Тарту, Тр. ИФ АН ХСР, 1975, т. 44, с. 3−44.
  104. Мелик-Гайказян И.Я., Куракина Э. П. Радиационное образование диванансий и катионных вакансий в KCI.- Изв. АН СССР, сер. физ., 1971, т. 35, № 7, с. 1360−1363.
  105. Lushchik Ch., Elango А., Gindina R., Lushchik A., blaaroos A, Nurakhmetov Т., Ploom L., Pollusaar I., Soo-vik H., Janson N. Mechanisms of cation defects creation in insulating crystals.-In:Abstr.Intern.Conf.Gatlinburg1. USA), 1977, p. 273−274.
  106. Д.И., Матлис С. Б. Рекомбинационно-ударный механизм генерации френкелевских дефектов в катионной подрешетке щелочногалоидных кристаллов.- Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1977, № I, с. 135−136.
  107. А.А., Завадовская Е. К., Анненкоб Ю. М. Электрофизические исследования радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах.- Изв. Томского политехнического инст-та, 1969, т. 170, с. 90−101.
  108. А.Ч. Фотодиссоциация, оптическая анизотропия и механизмы создания CIg'-центров в кристаллах KCI и КС1-Н02 . Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, т. 49, с. 25−44.
  109. Vakhidov Sn., Dzhumanov S. Mehanisms of Defect Production in the Cation Sublattice.- phys.stat.sol.(b), 1980, v. 100, p. K17-K22.
  110. НО. Анненков Ю. М., Столяренко В. Ф., Франгульян T.C. Исследование Хд~-центров в фисталлах КВг методом импульсной оптической спектроскопии.- Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1982, т. 25, № 8, с. 17−21.
  111. Tomiki Т., Ueta М. Electronmiecoscopic Observationsof the KCI Single Crystal Irradiated with Ultra-Violet Light.-J.Phys.Soc.Japan, 1959, v.14, p.602−608.
  112. Йыги X.P.-B., Малышева А. Ф. Электронномикроскопическое и оптическое исследование кристаллов КВг, облученных ультрафиолетовой радиацией.- Тарту, ИФА АН ЭССР, 1972, т. 39, с. I12−122.
  113. Kawamata Y. The formation of dislocation loops and the outgrowth of crystallites by electron irradiation of thin alkali halide foils.- J.Phys.(Prance) 1976(1977), v. 37, Collog. N 7, p. 502−506.
  114. H.A. Влияние анионных примесей на свойства щелоч-. ногалоидных кристаллов и некоторые вопросы роста этихкристаллов. Автореферат. Дис. канд. физ.-мат. наук.-Львов, 1964, II с.
  115. Kawamata Y. Dislocation Loops Induced by Electron Irradiation of Potassium Chloride at Low Temperatures, -phys.stat.sol (a), 1972, v. 8, p. 283−289*
  116. Stott J.P., Crawford J.H. Dipolar Complexes in KCI Resulting from 1,5 Mev Electron Bombardment.- Phys. Rev.B., 1972, v. 6, № 12, p. 4660−4667.
  117. Kanzig W. Paramagnetic resonance study of radiation damage in lithium fluoride.- J.Phys.Chem.Sol., 1960, v. 17, p. 88−92.
  118. Schoemaker D.G. g and hyperfine components of centers.-Ehys.Rev.B., 1973, v. 7, КЗ 2, p. 786−801.
  119. Ю.М., Васильченко E.A., Лущик H.E., Лущик Ч. Б., Махов В. Н., Сырейщикова Т. И., Якименко М. Н. Распад анионных и катионных экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в CsBr ФТТ, 1982, т. 24, «3, с. 740−746.
  120. Catlow C.R.A., Cormack A.N., Walker J.R. Theoretical studies of defects in insulators.- In: Defects in Insulating Crystals: Proceedings of the International Conference./Ed.by Tuchkevich V., and Shvarts K./, Riga, 1981, p. 163−185.
  121. А.Ч., Цунг Л. А., Эланго А. А. Создание френкелевских дефектов при взаимодействии дырки и междоузель-ного галогена.- Тезисы докладов 4-го Всесоюзн.совещ.по радиац. физике и химии ионныз кристаллов, 1978, Рига, с. 75−76.
  122. Chadderton L.T., Morgan D.V., Torrens I.Mc.C. Computer simulation of the Varley mechanism.- Phys.Lett. 1966, v. 20, p. 329−331.
  123. M.A. Об образовании Р-центров при распаде рентгеновских возбуждений ионных кристаллов.-ФТТ, 1968, т. 10, № 11, с. 3434−3436
  124. Cruz-Vidal B.A., Gomberg H.J. The Eole of К Shell ionization in the formation of F-centers in alkali halides at 78 К III.KBr.- J.Phys.Chem.Sol., 1970, v. 31, p. 1273−1281 .
  125. И.JI., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах.- Тарту, Тр. ИФА АН ЭССР, 1976, т. 46, с. 5−80.
  126. Huzhnyakov V.V., Plekhanov V.G., Shepelev V.V., Zavt G.S. Hot Luminescence of Self-Trapped Excitons in Al-kaliHalide Crystals.-Phys.stat.sol.(b)., 1981, v.108,1. N8 2, p. 531−540.
  127. И.К., Грабовскис В. Я. Модель диссоциации экситона на дефекты катионной подрешетки щелочно-галоидных кристаллов.- Изв. АН СССР, сер.физ., 1974, т. 38, Jt> 6, с. 1225−1226.
  128. Block D., Wasiela A., and Merle D’Aubigue Т. ENDOR of self-trapped exciton in KCI.- J.Phys. C: Sol.stat. Phys., 1978, v. 11, p. 4201−4211.
  129. Onaka R., Fujita I., Fukuda A. oc-centers in alkali halide crystals.- J.Phys.Soc.Japan., 1963, v. 18, suppl. II, p. 263−267.
  130. Kuczynski G.C., Byun J.J. Diffusion of F-centers in Potassium Chloride Crystals.- phys.stat.solidi (b), 1972, v. 50, № 1, p. 367−377.
  131. Pick H. Optical Properties of Solids. „Color Centers“, Ed. by Abeles P., Amsterdam-London, 1972, 653 p.
  132. Delbecq C.J., Hayes W., Yuster P.H. Absorption Spectra of 9 and in tlie Halides.- Phys. Rev., 1961, v. 121, В 4, p# 1043−1050.
  133. Delbecq. Ch.J., Schoemaker D., Yuster P.H. EPR and Optical absorption study of BrCl» and associated centersin doped KCI crystals.III.-Phys.Rev., B, 1974, v. 9, K? 4, p. 1913−1920.
  134. Dozendorf H. Ultraviolette Absorptionsbanden und photo-chemisch veranderten KCI und KBr fcristallen.- Z.Phys. 1951, B, 129, s. 317−326.
  135. Christy R.W., Phelps D.H. Production of Vycenters in KCI by X-rays.-Phys.Rev., 1961, v.124, p. 1053−1060.
  136. Ramdas S., Shukla A .1С., Rao C.H.R. Mechanism of ion movement in alkali halides.-Phys.Rev.B., 1973, v. 8, p. 2975−2981.
  137. Catlow C.R.A., Corish J., Diller K.M., Jacobso P.W.M., Norgett M.J. A theoretical study of intrinsic and extrinsic defects properties of alkali halides.- J. Physique Collog. 1976, v. 37, C7−253-C7−259.
  138. Tarmalingam E. The mobility oa intestitial ions in alkali halides.-J.Phys.Chem.Sol., 1964, v. 25, p. 255−257.
  139. Delbecq,-Ch. J., Schoemaker D., Yuster P.H. Electron-parsmagnetic-resonance and Optical absorption study of BrCl" and associated centers in doped KCI crystals. II.-Phys.Rev., B., 1973, v. 7, № 8, p. 3933−3944.
  140. Schoemaker D., Delbecq C.J., Yuster P.H., Electron spin resonance and optical absorption of two different ClBr" molecular ions in KCl-KBr-Pb2+ crystals.- Bull. Amer.Phys.Soc., 1964, v. 9, p. 629−630.
  141. X45. Delbecq C.J., Hutchinson E., Schoemaker D., Yasaitis E.L., Yuster P.H. ESR and Optical-Absorption study of the V-center in KCl-NaCl.- Phys. Rev., 1969, v. 187, 3, p. 1103−1119.
  142. Schoemaker D., Kolopus J.L. Electron Paramagnetic Resonance and Optical Absorption Studies of the V^(Li+) Center in KCl-Li+.- Phys.Rev., B., 1970, v. 2,1. K2 4, p. 1148−1159.
  143. Schoemaker D., Yasaitis E. Reorientation Motions of the HA (Li+) — Center in KCl-Li+.- Phys. Rev., В., 1972, v. 5, p. 4970−4986.
  144. Schoemaker D. Electron-Paramagnetic-Resonance Study of the Structure and Motions of Ндд a^d Ндд, Centers in Na± and Li± Doped KCI.- Phys.Rev., В., v. 3, № 10, p. 3516−3531.
  145. Ю.В., Радиационные создание, перезарядка и отжиг парамагнитных Н- и -центров в KCI и KCl-Rb при 20−100 К.- Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1984, т. 55, с.106-- 142.
  146. Dalai M.L., Sivaraman S., Murti Y.V.G.S. Thermal dissociation energy of F-centers in alkali halides.-Phys. stat.sol.(b), 1982, v. 110, p. 349−356.
  147. Р.И., Заитов Ф. Н., Исмаилов Ш. И., Лущик Ч. Б., Плоом Л. А. Термическая диссоциация ^С1з~)°аса в облученных кристаллах KGI.- Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, т. 51, с. 125−142.
  148. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах.- Иркутск, Восточно-Сибирское книжное изд-во, 1977, 208 с.
  149. Mollenauer L.F., Olson D.H. A broadly tunable CW laser using color centers.- Appl.Phys.Lett., 1974, v. 24,1. K°. 8, p. 386−388.
  150. J57# Itoh N. Interstitial and Trapped-Hole Centers in Alka-ly Halides.-Cryst.Latt.Def., 1972, v.3,p.115−143.
  151. Callow C.R.A., Diller K.M., Norgett M.I., Corish J., Parker B.M., Jacobs P.W.M. Off-Center displacements of inivalent impurity ions in alkali halide crystals.-Phys.Rev.B., 1978, v. 18, p. 2739−2749.
  152. A.M. Теория дефектов в твердых телах. Изд-во «Мир», т. II, 1978, 358 с.
  153. Giuliani G. Interstitial Stabilization and Color-Center Production in KBr.-Phys.Rev., B., 1970, v.2, K! 2, p. 464−471.
  154. А.К. Радиационное создание и рекомбинация дефектов Френкеля в кристаллах КВг и KI с различны* содержанием примеси bi+ и Na+ . Автореферат. Диссерт. канд. физ.-мат. наук, 1983, Тарту, 16 с.
  155. Л.А., Халдре Ю. Ю. Исследование электронных и дырочных процессов в кристаллах KCi-Agметодом ЭПР.-Тарту, Тр. ИФА АН ЭССР, 1966, т. 31, с. I33-I4I.
  156. Agullo-Lopez P., Lopez P.J., Jaque Р. Role of Cation Impurities on Radiation-inducec Processes. in Alkali Halides.- Cryst.Latt.Def. and Amorph.Mat., 1982, v. 9, p. 227−252.
  157. Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочнога-лоидных кристаллофосфорах.- Тарту, Тр. ИФА АН ЭССР, 1955, т. 3, с. 3−299.
  158. А.Н., Шахова К. В., Удовченко Л. В., Ширан Н. В. Термическая стабильность активаторных центров в кристаллах Csi-Na . ЖПС, 1981, т. 34, в. 3, с. 501−504.
  159. Mori Y., Rayal А.Н., Jaccard С. A search for Na atom in Csi-Na,.-Sol.Stat.Commun., 1982, v. 41, p. 69−74.
  160. Ziraps V., Blumbergs J., Kruminhsh.V.- In: Defects in Ionic Crystals.(Abstract).Int.Conf.Reading, 1971, H188.
  161. В.И., Денкс В. П., Дудельзак А. Э. Термополевая ионизация электронных ловушек в люминесцирующих кристаллах KCi-In, Na .- ФТТ, 1973, т. 15, в. 8, с.2454--2459.
  162. Schneider I. Electron trapping by alkali inn. impurities in alkali halides.- Sol.Stat.Commun., 1978, v. 25, p. 1027−1029.
  163. Д.К. Исследование роли туннельной люминесценции в процессах накопления радиационных дефектов в щелоч-ногалоидных кристаллах.- Рйга, Диссертация, канд.физ.--мат. наук, 1975.
  164. Dauletbekova A., Elango A. Conversion of F-Нд Pairs into <*-1д Pairs in KBr-Li and KBr-Na X-Rayed at 80K.-phys. stat.sol.(b), 1981, v. 108, H2.2, p. 299−305.
  165. Dauletbekova A., Akilbekov A., Elango A. Thermo- and Photostimulated Recombinations of Р-Нд and Centers in. KBr with Large Na+ Concentration.- phys.stat. sol.(b), 1982, v. 112, Hi 2, p. 445−451.
  166. Tanimura K., and Okada T. Effects of the Na+ impurity on the relaxation of an exciton in KBr at low temperatures.- Phys.Rev.B., 1976, v. 13, KS 4, p. 1811−1816.
  167. Tanimura K. Energy Transfer by the Precursor of Prenkel Pairs in Alkali Halides.- In: Abstract. Intern.Conferen., Gatlinburg, 1977, p. 422−423.
  168. С.A., Эцин С. С. Генерация радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах с катионными примесями.-Тезисы докладов У-го Всесоюзного совещ. по радиац. физике и химии ионных кристаллов. Часть I, Рига, 1983, с. 163−164
  169. Faraday B.J., Compton W.D. Color Centers in KCI and KBr Produced by Prolonged X-irradiation.at low Temperatures." Phys.Rev., 1965, v. 138, Ш ЗА, p. 893−911.
  170. Weibenga E.H., Havinga E.E., Boswijk K.H. Structures of Interhalogen Compounds and polyhalides.- Advan. Inorg.Chem.Radiochem., 1961, v. 3, p. 133−169.
  171. Hersh H.N. Spectra of halogen solutions and V-bands in alkali halides.- Phys.Rev., 1957, v. 105, ffi 4, p. 1410−1411.
  172. Andrews L. Optical spectra of the Dibromide and Diiodi-de Ions in the Matrix-Isolated M+Br2"" — and M+I2~ Species.-J. American Chem.Soc./98:8/, 1976, p. 2153−2156.
  173. Andrews L. Optical Spectra of the Difluoride, Dichlo-ride, and Thrichloride Ions in the Matrix-Isolated .
  174. M+Cl2, and M+C1^ Species.- J. American Chem. Soc./98:8/, 1976, № 4, p. 2147−2152.
  175. Taurel L., Ezepka E., Lefrant S. Raman Scattering induced by Y-Centers and their aggregates in alkali halides.- Radiation. Effects, 1983, v. 72, № 1^-4. Proc.-4, Europ.Top.Conf.Lattice Defects Ion.Cryst., Dublin, 1982, PtA, 115−121.
  176. Tasker P.W. A calculation of the electronic.states.of thrihalide.anions.- Molecular Physics, 1977, v. 33, p. 511−513.
  177. Kingsley J.D. Bleaching and symmetry. properties of the V^ center.-J.Phys. Chem. Solids, 1962, v. 23, p. 949−953.
  178. Winter E.M., Wolfe D.R., Christy R.W. Dichroism of. V bands in potassium and rubidium halides.- Phys.Rev., 1969, v. 186, 111 3, p. 949−952.
  179. В.ft., ъауманис Э.А. Рекомбинационные механизмы генерации и терморазрушения V^ -центров в кристаллах KBr .- Уч. запис.Латв.Гос.Универс., 1976, т. 254, с. I0I-I28.
  180. В.Я., Бауманис Э. А. Генерация и термическое разрушение V2 -центров в KBr. В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах, в. 4, Рйга, 1975, с. 99−110.
  181. А. Э. Ъиикс Ю.Е., Дзельме Ю. Р., Бугаенко Л. Т. Определение молярного коэффициента экстинкции и силы осциллятора v2 -центров в облученных кристаллах KCIи NaCl . Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и техн. наук, 1978, № 2, с. 40−44.
  182. А. Э. Дзельме Ю.Р., Витке Ю. Е. Вероятная модель центра, ответственного за поглощение в v^-полосе спектра облученных кристаллов KCI. Изв. АН Латв. ССР, сер.физ. и техн. наук, 1978, с. II5-II6.
  183. А.Э., Дзельме Ю. Р., Ткликс Ю.Е., Бугаенко Л. Т. Взаимная связь v2-" v^ -центров в облученных кристаллах
  184. KCI" Изв. АН Латв. ССР, сер.физ. и техн. наук, 1979, № I, с. 72−82.
  185. Sonder Е., Bassignani G., Camagni P. Impurities and secondary reactions in radiation defect production at liquid-nitrogen temperature in alkali halides.- Phys. Rev., 1969, v. 180, № 3, p. 882−889.
  186. Т.Н. Структура и механизмы образования центров окраски, возникающих в квг в результате ассоциации Н-центров.- Диссертация, канд.физ.-мат.н., 1977, Тарту.
  187. Itoh N. Formation of lattice defects Ъу ionizing. radiation in alkali halides.- J. Physique, 1976, v. 37, p. C7−27-C7−37.
  188. White W.W., Green А.С. Energetics of interstitial molecule formation dn alkali halides: Cl2 in NaCl.-Crystal Lattice Defects, 1969, v.1, W 1, p. 83−90.
  189. Mitsushima Y., Morita K., Matsunami N., Itoh N. Dter-mination of the V^-Center Structure in KBr Crystals by Means of Double Alignment Channeling Technique.-J.Physique, Colloque C7, 1976, Tome 37, p. С7-С95-ЮО).
  190. AkilbekovA., Elango A. Low-Temperature pair assdcia-tes of H centers in KBr.- phys.stat.sol.(b), 1984, v. 122, K2 2, p. 715−723.
  191. А. Ассоциация Н-центров в процессе отжига Х-облученного при 4,2 К кристалла KBr .-Тарту, Тр. ИФ АН ЭССР, 1984, т. 55, с. 165−179.
  192. ZOZ. Hoshi J., Saidoh M., Itoh N. Stabilization of the1. terstitial Center by Divalent impurities in alkali halides.-Cryst. Latt.Def., 1975, v.6, p. 15−34
  193. Marat-Mendes J.N., Comins J.D. Capture of H-centers by IV dipoles during both X-irradiation.and H-centre annealing in KCl-Sr.-J.Phys.c: Sol.Stat.Phys., 1977, v. 10, p. 4425−4439.
  194. Egemberdiev Zh., Zazubovich S., Seeman Т., Nagirnyi V. Luminescence Accompanying the Recombination of Electrons with Vp-Centers in KCI Crystals.-phys.stat.sol. (b), 1982, v. 109, p. 473−482.
  195. A.A., Тале И. А. Энергия активации термического отжига F- и ./г -центров в кристаллах KCI. в сб.: «Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах», 1977, в. 6, с. I03-II3.
  196. Egemberdiev Zh., Elango A., and Zazubovich S. Luminescence Accompanying the Recombination -of Vp. and F Centers in KCI and KBr Crystals.- phys.stat. solidi (b), 1980, v. 97, p. 449−456.
  197. B.C. Теория изоморфной смесимости, -Изд-во «Наука», М., 1977, с. 172
  198. Neogy c"> ОеЪ S.K. Heat of formation of solid solution of alkali halides.- J.Phys.Chem., 1980, v. 41, p. 1381−1386.
  199. Barrett W.I., Wallace W.E. Studies of NaCl-KCl solid solutions. I. Heats of formation lattice spacings, Schottky defects and mutual solubility.- J.Amer.Chem. Soc., 1954, v. 76, p. 366−372.
  200. Г. А. Измерение коэффициента распределения лития в галогенидах калия методом изотопного разбавления. ФТТ, 1969, т. И, с. I4I2-I4I3.
  201. Comins J.D., Carragher В.О. Model of first-stage F-center production in alkali halides containing divalent cation impurities.- Phys.Rev., B, 1981, v. 24,1. H2 1, p. 283−294.
  202. B.C., Сафонов B.B., Дробот Д. В. Диаграммы плавкости хлоридных систем. Изд-во «Химия», 1972, 158 с.
  203. Herendeen R.A., Silsbee R.H. Paraelectric resonance of KCl-Li.-Phys.Rev., 1969, v.188, p. 645−654.
  204. Bridges P. Paraelectric phenomena.- Crit.Rev.Sol. Stat.Sci., 1975″ v. 5, p. 1−88.
  205. Л.Н., Шматко O.A. Ячеистый распад пересыщенных твердых растворов. 1976, Киев. Изд-во «Наукова думка», 223 с.
  206. Г. А. Распределение примесей при кристаллизации NaCl, KCI и КВг из водных растворов. Кристаллография, 1967, т. 12, в. I, с. 104−108.
  207. Ingle S.G., Ghadekar S.R. The growth, X-ray studies and the microstrueture of solution-grown mixed crystals Ы NaCl and KCI.-J.Phys., 1978, D11, p. 913−917.
  208. A.M., Звинчук P.А. Возникновение и ликвидация гетерогенных областей в монокристаллах твердых растворов (К, Na) С1 .- ФТТ, I960, т. 2, с. 2 370 222. Scheil Е., Stadelmaier Н. Untersuchungen uber die
  209. Entmischung in Kaliumchlorid-Natriumchlorid-Mischkris-tallen.-Z.Metallk., 1952, v.43, Ю 6, p. 227−231.
  210. В.А. Распад твердых растворов двухвалентных катионов в щелочно-галоидных кристаллах. Автореферат. Дис. канд. физ.-мат. наук, Ленинград, 1982.
  211. Suzuki К. X-ray studies on.the.structures of solid solutions NaCl-CdCl2- J.Phys.Soc.Japan, 1955, v. 13.p. 179−186.
  212. Г. Х. Исследование низкотемпературного распада твердых растворов на основе щелочно-галоидных монокристаллов методом вакуумного декорирования.-Автореф. Дис. канд.физ.мат.н., Харьков, 1980.
  213. Ф.Д., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б. 0 диффузии активатора в щелочногилоидныхфисталлофосфорах.- Тр. ИФА АН ХСР, 1955, т. I, с. 72−93.
  214. Catlow C.R.A., Shukla A.K., Rao C.N.R. Energy of migration of monovalent ions in NaCl: an experimental and theoretical study.-J.Phys.Chem.Sol., 1977, v.38,p. 521−527.
  215. Дж. Физика электролитов. Изд-во «Мир», М., 1978, 555 с.
  216. Pehkonen S. Spinodal decomposition of. equimolar NaCl-KCl crystals.-J.Phys.D.Appl.Phys., 1973"v.6,1. P.544−551
  217. Medra&o C.P., Garcia-Sole J., Murricta H.S., Rubio J.O.
  218. Agullo-Lopez P. Influence of the precipitated phases of 2+ 2+
  219. РЪ and Sr on the P-coloring behavior of NaCl.-Sol.stat., Commun., 1983, v.45, Ю 9, p. 775−778.
  220. Л.А., Гиндина Р. И. Получение кристаллов KCI спониженным содержанием брома и их термолюминесценция. Тарту, Тр. ИФА АН ЭССР, 1974, т. 42, с. 215−227.
  221. Toyoda К., Nakamura К., Uakai.Y. Relaxation Processes of Free Excitons in KBr-Na.-J.Phys.Soc.Japan, 1983, v.52, p. 3254−3259.
  222. Teegarden K.J., Baldini G. Optical Absorption. Spectra of the. Alkali Halides at 10K.-Phys.Rev., 1967, v.155, Ш 3, p. 896−907.
  223. Я.А. Люминесценция щелочногалоидных кристаллов, обусловленная излучательной аннигиляцией локализованных экситоноподобных возбуждений.- Автореф. Дис. канд.физ.-мат.н., 1966, Рига, с. 13.
  224. Ikeya М., Crawford J. Recombination Luminescence, in Alkali Halides Doped with Monovalent Cations.(Vg+e)^-Type Emission.-phys.stat.sol.(b), 1977, v.79, p.559−566
  225. Д.Э., Витол И. К., Гринфел^дс А.У. «Туннельная люминесценция KCI. В кн. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах», Латв. ГУ им. П. Стучки,
  226. Рига, 1980, № 8, с. 132−142.
  227. Nakai Murata Т., Nakamura К. Exciton Absorption in
  228. Mixed Alkali Chlorides, KCl-RbCl and KCl-NaCl.-tJVPhys. Soc. Japan, 1963, v. 18, p. 1481−1485.
  229. Shluger A., Kotorain E., Kontorovich L. Calculation of energies of radiative tunneling transitions between defects in alkali halides.-Sol.St., Commun., 1982, v. 42, p. 749−752,
  230. Я.Р., Витол И. К. Исследование дырочных процессов и их роли в радиационных явлениях в ЩГК.- В сб.: Тр. межвуз.конф. по радиац.физике. Томск, 1967, Томск. унив-т, 1970, с. 120−124.
  231. Л.Г., Миллере Д. К. Рентгенолюминесценция монокристаллов KCI при температурах 500−750 К.- В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах, Рига, 1980, в. 8, с. 143−152.
  232. Я.Р., Лейнарте-Нейланде И.Ф., Кандерс У. К. Туннельная люминесценция кристаллов КС1-Т1И NaCl-Ag. В кн.: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах, 1973, т. I, с. 4−16. Рига.
  233. Puller R.G., Marguardt C.L., Reilly М.Н., Wells.J.C. Ionic Transport in Potassium Chloride.-Phys.Rev., 1968, v. 176, S3 3, p. 1036−1045.
  234. Chandra S., Rolfe J. Ionic Conductivity of potassium iodide crystals. Ionic conductivity of chloride crystals. -Can.J.Phys., 1970, v.48,K4, p.397−411, 412−418.
  235. Jacobs G., Vandewiele L.G., Hamerlinck A. Mobility of BEomine Vacancies in KBr Single Crystals.-J.Chem. Phys., 1962, v.36, B.11, p. 2946−2950.
  236. Acuna A., Jacobs P. Ionic Conductivity of Potassium Chloride.-J.Phys.Chem.Sol., 1980, v.41,p.595−604.
  237. Markham J.J. F-centers in Alkali Halides N.-Y., London, 1966, p. 140.
  238. H.H., Тюрксон Э. Э. Расчет свойств парной вакансии в щелочно-галоидном кристалле.- ФТТ, 1964, т. 6, с. 1246−1248.
  239. Ю.И. Сравнительный анализ моделей ионной и электронной проводимости облученных кристаллов NaBr и KBr .- Деп. № 2959−82, Томск-82, с. 1−47.
  240. Christy R.W., Harte W.E. Electrical conductivity of X-irradiat&d NaCl.-Phys.Rev., 1958, v.109,p.710−715.
  241. Мелик-Гайказян И.Я., Завадовская Б. К., Игнатьева М. И. Изменение электропроводности кристаллов KCI с добавками двухвалентных примесей после действия рентгеновского излучения. ФТТ, 1964, т. 6, с. 1243−1246.
  242. Э.С., Эланго М. А. К вопросу о роли ионных процессов при создании и разрушении центров окраскив кристаллах NaCl . Тр. ИФА АН ЭССР, 1962, т. 18, с. 93−101.
  243. А.А. О росте, чистоте и совершенстве щелочно-галоидных нитевидных кристаллов.- В сб.: Проблемы чистоты и совершенства ионных кристаллов. Тарту, 1969, с. 49−52.
  244. Н.А., Гиндина Р. И. Исследование точечных дефектов в кристаллах KBr, выращенных из раствора и расплава.- Тр. ИФА АН ХСР, 1974, т. 42, с. 195−214.
  245. Н.А., Гарапын И. В. Особенности радиационного изменения проводимости кристаллов Naci-OH . Изв. ВУЗов СССР «Физика», 1982, т. 25, № 8, с. II2-II4.
  246. Ю.М. Исследование процессов радиационной генерации дефектов в катионной подрешетке ионных кристаллов. Тезисы докладов Ш-го Всесоюзного совещ. по радиац. физике и химии ионных кристаллов, 1975, Рига, с. 29−30.
  247. В.К. О природе эффекта возрастания проводимости в облученных протонами щелочногалоидных кристаллах.-ВИНИТИ.Деп. № 5233−82, 1982, Томск, с. I-I2.
  248. Ю.М., Биллер В. К., Валяев А. Н., Франгульян Т. С. Модель радиационного накопления давакансий в щелочногалоидных кристаллах.- Изв. ВУЗов СССР Физика, 1980,7, с. I2I-I23.
  249. В.Э., Гравер В. Е., Круминып И. Я. Взаимосвязь ионной проводимости и термостимулированной деполяризации в кристаллах КВг. Уч. зап. Латв. ун-та, 1975, т. 245, с. I29-I4I.
  250. Г. П., Зирап В. Э. Отжиг радиационных дефектови перенос зарядов в NaCl при температуре выше комнатной.-Межвузовск.сборн.научных трудов, Рига, Латв. ун-т им. П. Стучкй, 1980, № 8, с. 30−57.
  251. Bucci С., Fieschi R., Guidi G. Ionic Thermocurrents in Dielectrics"-Phys.Rev., 1966, v.148, Ш 2, p. 816−823.
  252. А. Ионная проводимость кристаллов. ИЛ. Москва, 1962, 222 с.
  253. Van Puymbroeck W., Schoemaker D. Electron-spin-resonance study of complex interstitial halogen H^-type defects in KCI doped with divalent cations.- Phys.Rev. В., 1981, v. 23, Ш 4, p. 1670−1684.
  254. Seretlo J.R. Annealing of Defects Produced by Room Temperature Irradition in KCl-Ca and KCl-Sr Crystals (II). -phys.stat.sol.(a), 1972, v. 11, № 2, p. 319−325.
  255. Katz I., Chenfoux В., Kristianpollar N. Thermal Annealing of X-Ray-Indueed Defects in Sr-Doped KCI Crystals, -phys.st.sol.(a), 1972, v. 12, p. 307−315.
  256. Rascon A., Alvarez-Rivas J.L. Thermoluminescence and colour centre thermal stability in KCl-Ca.and.KCl-Sr irradiated at. room temperature.-J.Phys.C., Sol.Stat. Phys., 1978, v. 11 N3 6, p. 1239−1251.
  257. .К., Фридкин В.м., йнденбом Б.Л. Современная кристаллография, 2 том, 1979, Изд-во «Наука» М., 359 с.
  258. Ш. И., Заитов Ф. Н., Арапов Б. А. Термическое обесцвечивание v2- и Р-полос в кристаллах KCI с двухвалентными примесями.- Тезисы XXIII- Всесоюзн. конференции по люминесц. Кишинев, 1976, с. 74.
  259. А.А. Термический отжиг р-, v2, V^ -центров в кристаллах KCI. Изв. АН Латв. ССР, сер.физ. и техн. н., 1979, № б, с. 38−44.
  260. А.Ч., Лущик Н. Е., Фрорип А. Создание и отжиг изолированных пар френкелевских дефектов в KCi-Rb .-ФТТ, 1984 (в печати).
  261. Belling L., Havey М., Dawson D. Absorption and emission spectra of Na atoms trapped in rare-gas matrices.-J. Chem.Phys., 1978, v. 69, В 4, p. 1670−1675.
  262. Blair I., Pooley D., Smith D. The lifetimes of fast recombination luminescence transitions in alkali halides.-J.Phys.C: Sol.Stat.Phys., 1972, v. 5, № 12, p. 1537−1552
Заполнить форму текущей работой

На отлично!