Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование воздействия синхротронного излучения на толстые слои полименых материалов в процессах формирования микроструктур с высоким аспектным отношением

Диссертация: Исследование воздействия синхротронного излучения на толстые слои полименых материалов в процессах формирования микроструктур с высоким аспектным отношением
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые проведено комплексное исследование радиационно-индуцированного повышения температуры на поверхности и внутри толстых полимерных слоев для различных диапазонов СИ, падающей мощности, различных условий теплообмена с окружающей средой. Выявлены условия, при которых радиационно-индуцированная температура в процессе облучения может превышать температуру стеклования облучаемого полимера… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Характеристики воздействия ионизирующего излучения на вещество
    • 1. 2. Радиационные физико-химические процессы в полимерах
      • 1. 2. 1. Полиметилметакрилат
      • 1. 2. 2. Полиэтилентерефталат
      • 1. 2. 3. Политетрафторэтилен
    • 1. 3. Исследование радиационного травления и абляции полимеров
      • 1. 3. 1. Полиметилметакрилат
      • 1. 3. 2. Политетрафторэтилен
    • 1. 4. Особенности воздействия синхротронного излучения на полимерные материалы
    • 1. 5. Процессы рентгенолитографии в слоях полиметилметакрилата
      • 1. 5. 1. Тонкие слои
      • 1. 5. 2. Толстые слои
    • 1. 6. Моделирование процессов рентгенолитографии
      • 1. 6. 1. Моделирование облучения
      • 1. 6. 2. Моделирование профиля микроструктур
  • Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТ
    • 2. 1. Исследуемые полимерные материалы
    • 2. 2. Методики и режимы формирования структур в полимерных материалах
      • 2. 2. 1. Экспонирование синхротронным излучением
      • 2. 2. 2. Растворение
    • 2. 3. Методы исследования облученных полимерных материалов и процессов формирования микроструктур
      • 2. 3. 1. Оптическая, интерференционная и электронная сканирующая микроскопия
      • 2. 3. 2. ИК спектроскопия
      • 2. 3. 3. Измерение аномального рассеяния рентгеновских лучей
      • 2. 3. 4. Метод гель-проникающей хроматографии
      • 2. 3. 5. Методика Бециуса для определение температуры плавления
      • 2. 3. 6. Измерение температуры полимеров в процессе облучения
      • 2. 3. 7. Измерение теплопроводности
      • 2. 3. 8. ЭПР спектроскопия
      • 2. 3. 9. Изменение потери массы взвешиванием
      • 2. 3. 10. Измерение мощности СИ
    • 2. 4. Программное обеспечение
  • Глава 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Расчетные и экспериментальные характеристики мощности СИ, поглощенного в полимерах
      • 3. 1. 1. Методика расчета плотности дозы поглощенного СИ в толстых слоях полимерных материалов
      • 3. 1. 2. Расчет распределения поглощенной мощности в толстых слоях полимеров
        • 3. 1. 2. 1. Спектральное распределение поглощенной мощности
        • 3. 1. 2. 2. Угловое распределение поглощенной мощности
        • 3. 1. 2. 3. Распределение поглощенной мощности СИ вглубь полимера
        • 3. 1. 2. 4. Контраст поглотителя рентгеновской маски
      • 3. 1. 3. Экспериментальное определение мощности СИ
    • 3. 2. Изучение радиационно-индуцированного температурного поля в полимерах в процессе облучения СИ
      • 3. 2. 1. Измерение радиационно-индуцированной температуры
      • 3. 2. 2. Расчет распределения температуры в толстом слое полимера
    • 3. 3. Исследование физико-химических свойств облученных полимерных слоев
      • 3. 3. 1. ИК спектроскопия поглощения
      • 3. 3. 2. Аномальное рассеяние рентгеновского излучения
      • 3. 3. 3. Молекулярная масса и общий радиационный выход
      • 3. 3. 4. Концентрация парамагнитных центров
      • 3. 3. 5. Температура плавления
      • 3. 3. 6. Теплопроводность
      • 3. 3. 7. Морфология поверхности
    • 3. 4. Исследование абляции толстых слоев полимеров
      • 3. 4. 1. Экспериментальное изучение абляции ПММА
      • 3. 4. 2. Экспериментальное изучение абляции ПТФЭ
      • 3. 4. 3. Физико-химическая модель абляции ПТФЭ
    • 3. 5. Изучение рентгенолитографических процессов формирования глубоких микроструктур
      • 3. 5. 1. Характеристические зависимости скорости растворения полимеров от удельной дозы поглощенного излучения
      • 3. 5. 2. Глубина растворения полимеров
      • 3. 5. 3. Временная и концентрационная зависимость скорости растворения ПЭТФ
      • 3. 5. 4. Физико-химическая модель растворения облученных пленок
  • ПЭТФ
    • 3. 6. Моделирование профиля глубоких микроструктур с высоким аспектным отношением
      • 3. 6. 1. Математическая модель
      • 3. 6. 2. Результаты численного анализа
    • 3. 7. Примеры изготовленных микроструктур с высоким аспектным отношением в полимерных материалах и их применение
  • ВЫВОДЫ

Исследование воздействия синхротронного излучения на толстые слои полименых материалов в процессах формирования микроструктур с высоким аспектным отношением (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В последнее десятилетие появился новый раздел механики — микромеханика, основанный на микросистемной инженерии. Процессы формирования микромеханических элементов должны воспроизводить размеры с точностью порядка 0,1 мкмсоответствовать процессам микроэлектроникиудовлетворять широкому спектру материаловобеспечивать массовое производство. Рентгеновское облучение полимерных материалов в диапазоне длин волн 1−6 А и последующее растворение облученных участков позволяют формировать микроструктуры с заданными горизонтальными размерами в несколько микрон и высотой несколько сотен микрон, так называемые микроструктуры с высоким аспектным отношением. Процессы глубокой литографии с использованием синхротронного излучения (СИ) являются наиболее перспективными для создания микромеханических систем.

Широкая экспериментальная практика и теория тонкопленочной рентгенолитографии являются фундаментом для исследований процессов глубокой рентгенолитографии, но не учитывают особенности, характерные для процессов формирования трехмерных микроструктур с высоким аспектным отношением в толстых полимерных слоях. Наибольший прогресс достигнут в теоретических и экспериментальных исследованиях процессов формирования микроструктур в толстых слоях полиметилметакрилата (ПММА), полимеризуемого непосредственно на подложке. Однако литературные данные по исследованию свойств толстого слоя облученного ПММА в зависимости от дозы поглощенного излучения противоречивы. Для формирования микросистемных элементов представляет интерес исследование радиационно и термически более стойких, чем ПММА, полимеров, обладающих специфическими свойствами. К таким полимерам относятся полиэтилентерефталат (ПЭТФ) — распространенный представитель соединений класса сложных полиэфиров и политетрафторэтилен (ПТФЭ), типичный представитель фторсодержащих карбоцепных полимеров. Физико-химические процессы деструкции, сшивки, диффузии молекул, абляции протекающие в указанных полимерах под действием рентгеновского излучения, мало изучены. Работ по исследованию процессов формирования микроструктур с высоким аспектным отношением в ПТФЭ и ПЭТФ практически нет.

В связи с вышесказанным актуальным является изучение физико-химических процессов, происходящих в полимерах под действием СИ и при последующем растворении облученных участков полимера для формирования микроструктур с высоким аспектным отношением.

Цель работы — изучение физико-химических процессов, происходящих в полимерах под действием синхротронного излучения и при последующем растворении и позволяющих формировать трехмерные микроструктуры с высоким аспектным отношением.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование радиационно-химических процессов в облученных полимерных материалах (ПММА, ПТФЭ и ПЭТФ) в зависимости от дозы и мощности поглощенного СИ: деструкции и сшивки между молекулами, диффузии летучих фрагментов, накопления парамагнитных центров.

2. Экспериментальное и теоретическое исследование температурного поля, индуцируемого синхротронным излучением на поверхности и в объеме толстого слоя полимера.

3. Исследование температуры плавления полимеров в зависимости от параметров облучения в рентгеновском диапазоне длин волн.

4. Исследование процесса растворения облученных полимеров.

5. Математическое моделирование процессов рентгенолитографии при формировании профиля микроструктур, получаемых в процессе облучения и проявления скрытого изображения в процессе растворения.

6. Разработка режимов формирования микроструктур с высоким аспектным отношением в толстых слоях полимеров.

Научная новизна работы.

1. Впервые проведено систематическое экспериментальное исследование процессов радиационной абляции ПММА и ПТФЭ под действием синхротронного излучения рентгеновского диапазона.

2. Впервые предложена физико-химическая модель радиационной абляции пленок ПТФЭ, объясняющая пороговую зависимость скорости абляции от мощности СИ, вызванную радиационно-индуцированным нагревом полимера.

3. Впервые исследован в широком интервале варьируемых параметров процесс растворения в водном растворе щелочи пленок ПЭТФ, облученных СИ в рентгеновском диапазоне спектра. Выявлено влияние концентрации раствора и параметров облучения на скорость растворения. Предложена физико-химическая модель процесса растворения облученного полимера.

4. Впервые проведено математическое моделирование профиля микроструктур с высоким аспектным отношением в слоях толщиной более 1 мкм. Показано, что профиль дна микроструктуры, угол наклона стенок и предельная глубина микроструктур зависит от диапазона длин волн излучения, размера источника синхротронного излучения, дозы поглощенного излучения.

5. Проведено систематическое теоретическое и экспериментальное исследование радиационно-индуцированного температурного поля в толстых полимерных слоях под действием СИ.

6. Впервые определены условия, позволяющие посредством облучения пучком СИ формировать вертикальные и наклонные микроструктуры в ПТФЭ, ПЭТФ с заданным аспектным отношением.

Практическая значимость.

1. Сформулированы принципы, определяющие формирование профиля микроструктур для микромеханики методами глубокой рентгенолитографии, абляции и травления в толстых полимерных материалах.

2. Разработаны основы технологии формирования регулярных микроструктур с высоким аспектным отношением в полимерных материалах. Получены микроструктуры в ПММА глубиной до 1000 мкм, в ПЭТФ — глубиной до 200 мкм, в ПТФЭ — глубиной до 600 мкм.

3. Изготовлены образцы регулярных микроструктурных фильтров и матриц из листового органического стекла, фторопласта, лавсана. Экспериментально показана возможность их использования в качестве: фильтров в ВУФ УФ, и видимом диапазоне спектра для спектроскопических и оптических научных и прикладных исследованийструктурированных рентгеновских экранов для использования в медицинефазоконтрастных тест-объектов в рентгеновском диапазоне длин волн в научных исследованиях.

Автор выносит на защиту.

1. Результаты расчета поглощения синхротронного излучения в толстых слоях полимерных материалов.

2. Результаты исследования зависимости скорости абляции, глубины диффузии летучих фрагментов, концентрации парамагнитных центров, температуры плавления ПММА и ПТФЭ от дозы поглощенного СИ и от интенсивности температурного поля, индуцированного в полимере.

3. Результаты исследования температурного поля, индуцированного в полимерах под действием СИ.

4. Результаты исследования среднечисловой и средневесовой молекулярной массы в ПММА и скорости растворения ПММА в зависимости от дозы поглощенного излучения.

5. Физико-химическую модель абляции ПТФЭ, индуцированной синхротронным излучением.

6. Результаты изучения надмолекулярной микроструктуры, скорости растворения ПЭТФ в зависимости от дозы поглощенного излучения, периода сканирования пучком СИ, концентрации щелочи в растворе. Моделирование процесса растворения облученного полимера.

7. Математическое моделирование профиля микроструктур с высоким аспектным отношением, получаемых в полимерах в последовательности процессов: облучение синхротронным излучением через рентгеновскую маску и растворение облученных участков.

8. Способ формирования микроструктур с заданным аспектным отношением.

Работа выполнена в соответствии с планами НИР ИЯФ СО РАН и грантом РФФИ 98−02−17 840.

Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на следующих конференциях: 3-я конференция молодых ученых и специалистов по микроэлектронике (Новосибирск, 1981), International conference SRI-82 (Hamburg, BRD, 1981), Всесоюзное совещание по использованию синхротронного излучения СИ-82 (Новосибирск, 1981), международные конференции по использованию синхротронного излучения СИ-94, СИ-96 (Новосибирск, 1994, 1996), SPIE International Symposium «Microlithography-96» (Santa-Clara, USA, 1996), 4th Intern. Conf. on SR Sources and 2nd Asian Forum on SR (Kyongju, Korea, 1995), Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-97 (Дубна, 1997), Национальная конференция по использованию синхротронного излучения СИ-98 (Новосибирск, 1998), SPIE International Symposium «Microlithography-99» (Santa-Clara, USA, 1999).

Публикации по работе. По теме диссертации опубликовано 22 статьи, 14 тезисов докладов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка литературы. Работа изложена на 180 страницах машинописного текста, включая 72 рисунка и 17 таблиц.

Список литературы

насчитывает 200 наименований.

выводы.

1. Исследованы процессы рентгеновского облучения, абляции и последующего растворения толстых слоев полимерных материалов ПММА, ПТФЭ и ПЭТФ, причем впервые это выполнено для ПЭТФ, при формировании микроструктур с высоким аспектным отношением.

2. Проведен численный анализ и экспериментальные исследования характеристик поглощения синхротронного излучения в толстых слоях полимерных материалов в зависимости от спектрального и углового распределения излучения и амплитуды сканирования пучком СИ. Показано, что в направлении в глубь полимера удельная доза поглощенного рентгеновского излучения неэкспоненциально уменьшается, причем характер этого изменения с увеличением глубины зависит от физических свойств полимера, максимум спектра поглощенного излучения смещается в коротковолновую область, увеличивается компонента рассеянного излучения.

3. Впервые проведено комплексное исследование радиационно-индуцированного повышения температуры на поверхности и внутри толстых полимерных слоев для различных диапазонов СИ, падающей мощности, различных условий теплообмена с окружающей средой. Выявлены условия, при которых радиационно-индуцированная температура в процессе облучения может превышать температуру стеклования облучаемого полимера. Определено, что длительность установления стационарного температурного поля определяется свойствами полимера. При моделировании радиационно-индуцированного температурного поля показано, что для диапазона излучения 2-г11 А тепловой источник расположен на поверхности, а для диапазона излучения 0,5ч-5 А источник тепла распределен в объеме полимера.

4. Исследован процесс абляция ПТФЭ и ПММА под действием СИ. Установлена и объяснена скачкообразна зависимость глубины микроструктур, формируемых в процессе удаления ПММА, от удельной дозы поглощенного излучения. Показана связь данной зависимости с процессами деструкции и межмолекулярной сшивки в полимере. Обнаружено и обосновано увеличение топологических размеров микроструктур влиянием радиационно-индуцированной температуры. Установлено, что глубина диффузии летучих фрагментов в ПММА под действием СИ составляет 10 мкм.

5. Показано, что процесс абляция ПТФЭ под действием СИ характеризуется пороговой мощностью излучения. Впервые предложена физико-химическая модель радиационной абляции пленок ПТФЭ под действием мощного пучка СИ, в рамках которой показано, что с ростом радиационно-индуцированной температуры уменьшаются коэффициент теплопроводности и температура плавления облученного полимера. В результате происходит плавление полимера.

6. Исследованы следующие характеристики облученных полимеров: молекулярная масса, надмолекулярная структура, общий радиационный выход деструкции и сшивки макромолекул, радиационный выход парамагнитных центров, температура плавления в зависимости от удельной дозы поглощенного и распределенного в полимере излучения. Показано, что свойства толстых облученных слоев неоднородны в глубь. В процессе облучения толстых полимерных слоев впервые количественно исследованы: процессы деструкции, межмолекулярной сшивки, диффузия легких фрагментов, увеличение межплоскостного расстояния, аморфизация — на глубине в несколько микрон и более, а также рост количества микротрещин и их размер на поверхности. Установлено, что в толстых слоях облученных полимеров изменяется как молекулярная масса, так и надмолекулярная структура слояэти изменения определяют свойства облученных полимеров и происходят в разной степени по направлению вглубь полимера в зависимости от дозы поглощенного излучения.

7. Исследован процесс растворения облученных ПММА и ПЭТФ в широком интервале варьируемых параметров процессов растворения и облучения. Предложена физико-химическая модель процесса растворения облученного ПЭТФ, объясняющая наблюдаемые зависимости скорости растворения от дозы поглощенного излучения, концентрации раствора, периода сканирования пучком СИ. Определена функция скорости растворения облученного полимера от плотности дозы поглощенного излучения. Показано, что скорость растворения ПЭТФ имеет две составляющих: растворение с поверхности микротрещин и растворение с поверхности образца. Показано, что максимальная глубина микроструктур определяется спектром излучения, дозой поглощенного излучения и режимом растворения облученного полимера.

8. Проведено математическое моделирование процесса формирования профиля края микроструктур с высоким аспектным отношением в толстых слоях ПММА, облученных синхротронным излучением. Показано, что профиль дна, угол наклона стенок и предельная глубина микроструктур определяется для выбранных условий растворения плотностью дозы поглощенного излучения, спектром излучения и размером источника СИ, а также контрастом поглотителя рентгеновской маски.

9. Определены оптимальные условия для процессов формирования глубоких микроструктур в полимерных материалах с заданным профилем и аспектным отношением. Впервые изготовлены перпендикулярные и наклонные к поверхности полимера микроструктуры в ПТФЭ и ПЭТФ с высоким аспектным отношением.

10. Полученные результаты являются научной основой одной из базовых технологий устройств микромеханики и миниатюрной робототехники.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Физическая энциклопедия.- М.: Советская энциклопедия, Т.П. — 1990. — 703 С.
  2. А. Чарльзби. Ядерные излучения и полимеры. М.: ИЛИ. — 1962. — 522 С.
  3. Ф.Бовей. Действие ионизирующих излучений на природные и синтетические полимеры. М.: ИЛ. — 1959. — 548 С.
  4. Радиационная химия макромолекул. Под ред. М.Доула. М: Атомиздат. -1978.-328 С.
  5. Л.В.Гурвич, Г. В. Карачевцев, В. Н. Кондратьев, Ю. А. Лебедев, В. А. Медведев,
  6. B.К.Потапов, Ю. С. Ходеев. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. М.: «Наука». — 1974. — 351 С.
  7. Л.Фелдман, Д.Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир. — 1989. — 344 С.
  8. В.С.Корсаков, А. Д. Кривоспицкий, В. А. Кудряшов, В. П. Лаврищев,
  9. C.Н.Мазуренко. Влияние фото- и ожэ-электронов подложки на процесс экспонирования в рентгенолитографии // Электронная техника. Сер.З.Микроэлектроника. 1978 — вып.5. — С. 19−25.
  10. M.Feldman, J.Sun. Resolution limits in x-ray lithography // J.Vac.Sci.Technol. -1992 Vol. BlO, N6 — P.3173−3176.
  11. J.R.Maldonado, G.A.Coquin, D. Maydan, S.Somekh. Spurious effects caused by the continuous radiation and ejected electrons in x-ray lithography // J.Vac.Sci.Technol. Vol.12, N.6 — P. l329−1331.
  12. У.Моро. Микролигография: В 2-х ч. Ч.2.-М.:Мир, 1990.-632 с.
  13. М.А.Блохин. Физика рентгеновских лучей.- М.: Гостехиздат. 1957. 518 С.
  14. В.В.Громов. Влияние ионизирующего излучения на кинетику растворения твердых тел. М.: Атомиздат. — 1976. — 128 С.
  15. Ю.С.Боков. Фото-, электроно- и рентгенорезисты. М.: Радио и связь. — 1982. — 136 С.
  16. P.Bley. The LIGA process for fabrication of three-dimensional microscale structures // Interdisciplinary Sci.Rev. 1993.- Vol.18, N. 3. — P.267−272.
  17. C.Muller, J.Mohr. Microspectrometer fabricated by the LIGA process // там же, 1. Р.273−279.
  18. H.Freimuth, V. Hessel, H. Kolle, M. Lacher, W.Ehrfeld. Formation of complex ceramic miniaturized structures by pyrolysis of poly (vinylsilazane) // J.Am.ceram.soc. 1996. — Vol.79, N. 6. — P.1457−1465.
  19. П.Ю.Апель, А. Ю. Дидык, П. Н. Житарюк, И. Е. Ларионова, Т. И. Мамонова, О. Л. Орелович, Л. И. Самойлова, И. В. Янина, Свойства трековых мембран различной толщины // Коллоидный журнал. 1994. — Т.56, N. 6. — С.746−750.
  20. Б.В.Петухов. Полиэфирные волокна М.: Химия. — 1976. — 268 С.
  21. Ю.А.Паншин, С. Г. Малкевич, Ц. С. Дунаевская. Фторопласты. Л.: «Химия». -1978. — 232 С.
  22. M.Inayoshi, M. Ikeda, M. Hori, T. Goto, M. Hiramatsu, and A.Hiraya. High-rate anisotropic ablation and deposition of polytetrafluoroethelene using syncrotron radiation process // Jpn.J.apl.phys. 1995. — Vol.34, Part 2, N. 12B. — P. L1675-L1677.
  23. T. Ichikawa, H. Yoshida. Mechanism of radiation-induced egradation of poly (methyl metacrylate) as studied by ESR and electron spin echo methods // J.Polym.Sci.Part A.:Polym.Chem.- 1990 Vol.28, N. 5 — P. 1185−1196.
  24. F.Tominette, J.Verdu. Effect of a tensile stress on the radiolytic degradation of poly (methyl methacrylate): Pap. Amer. Chem. Soc.Div. Polym. Chem. Meet., Washington, D.C. Aug. 21−26, 1994 // Polym.Prepr.Amer.Chem.Soc. — 1994. -Vol.35, N.2 — P.971−972.
  25. Luo Yunxia, Yang Hong, Li Shuhua, Yu Bin, Ding Mengxian, Jiang Bingzhen. The effect of molecular motion on radiation induced chain scission and racemization of iso-poly (methyl methacrilate) // Radiat.Phys.and Chem. 1993. -Vol.42, N. l-3. — P.233−236.
  26. А.А.Бикетов, С. Г. Бычков, И. М. Красников. Влияние типа теплового источника на процесс деструкции ПММА // Физ. и хим.обраб. матер. 1992.1. N.6 C.53−57.
  27. X.Zhang, C. Jacobsen, S. Lindaas, S.Williams. Exposure strategies for polymethyl methacrylate from in situ x-ray absorption near edge structure spectroscopy // J.Vac.Sci.Technol. B. 1995. — Vol.13, N. 4 — P.1477−1483.
  28. T. Ichikawa. Mechanism of radiation induced degradation of poly (methyl methacrylate), temperature effect //Nucl.Instr.Meth.Phys.Res.B. 1995.- Vol.105, N. l-4 — P.150−153.
  29. M.Despa and J.R.Collier. Swelling of thick PMMA resists upon X-ray irradiation // Preprint N.4, CHE7700, Depart. of Chem. Eng., Luisiana State University. Baton-Rouge, USA. — 1995.
  30. T.F.Williams. Correlation of the radiation chemistry of liquid hydrocarbons with the energetics of molecular-ion reactions // Trans, of the Faraday Soc. 1961 -Vol.57, Part.5.-P.755−763.
  31. N.Ueno, K. Tanaka, Site-specific chemical bond scission in poly (methyl methacrylate) by inner shell excitation// Jpn. J.Appl.Phys. 1997. — Vol.36, Part 1, N. 12B. — P.7605−7610.
  32. J.Wilske, H.Heusinger. ESR- Untersuchungen zur intramolekularen Energieubertragung on y-bestrahlten Poly-methylmethacrylat- Styrol Copolymeren //Radiochemicaacta. 1969. — Bd. 11, N. ¾. — S. 187−193.
  33. D.G.Gardner, L.M.Epstein. Protection against radiation damage in poly-(methyl methacrylate) by high energy electrons and by ultraviolet light // J. Chem.Phys. -1961. Vol.34, N. 5. — P.1653−1660.
  34. D.G.Gardner, G. Henry, D. Ward, In: Energy transfer in radiation processes. Ed .G.O.Phillips, «Elsevier». Amsterdam, Holland. — 1966.
  35. J.O.Choi, J.A.Moore, J.C.Corelli, J.P.Silverman, H.Bakhru. Degradation of polymethylmethacrylate) by deep ultraviolet, x-ray, electron beam, and proton beam irradiations // J.Vac.Sci.Technol. 1988 — V0I. B6, N. 6. — P.2286−2289.
  36. H.Yamada, M. Hori, S. Morita, S.Hattori. Self development of polymethylmethacrylate by synchrotron radiation exposure. // J.Electrochem.Soc.-1988 Vol.135, N. 4. — P.966−970.
  37. M.C.K.Tinone, T Sekitani., K. Tanaka, J. Maruyama, K Kamiya, N. Ueno. Massspectrometric study of photodecomposition of PMMA in soft x-ray region // Photon Factory Activity Report. 1993, #11. — P.291.
  38. S.Ishimura, M. Hirata, H. Tanino, N. Atoda, M. Ono, K.Hoh. Direct engraving on positive resist by synchrotron radiation. // J.Vac.Sci.Technol. 1983. — Vol. Bl, N. 4. — P.1076−1079.
  39. M.Valkiainen, H. Mutka, O.J.A.Tiainen.The growth of macroscopic radiolytic gas bubbles in polymethyl methacrylate//Radiat.eff. 1980. — Vol.45, N.3−4. — P.155−158.
  40. O.Vladimirsky, G. Calderon, Y. Vladimirsky, H.Manohara. Thick PMMA layer formation as an X-ray imaging medium for micromachining // Proc. SPIE. 1996. -Vol.2723.-C.360−371.
  41. C.K.Malek and V.Saile. X-Ray microfabrication at the Center for Advanced microstructures and Devices (CAMD) // Jpn.J.Appl.Phys. 1997. Vol.36, Part. l, N. 12B. — C.7732−7735. .
  42. P.M.Reddy, N.M.Murthy. X-radiation induced changes in thermal expansion and glass transition temperature of polymethylmethacrylate // J.Polym.Sci.: PartC: Polym.Lett. 1989. — Vol.27. — P.259−261.
  43. А.Л.Богданов, К. А. Валиев, Л. В. Великов, С. Д. Душенков. Наведенная облучением пористость и микролитографические свойства ПММА // Микроэлектроника. 1988. — Т.17, Вып.З. — С.261−265.
  44. A.Charlesby. Effect of high-energy radiation on long chain polymers // Nature. -1953. N.4343 — P.167.
  45. A.Todd. Pile irradiation of polyethylene terephthalate (Terylene) // Nature. 1954. -N. 4430.-P.613.
  46. S.Siegel, H.Hedgpeth. Chemistry of irradiation induced polytetrafluoroethylene radicals: I. Re-examination of the EPR spectra // J.Chem.Phys.-1967.- Vol.46, N.10.- P.3904−3912.
  47. Н.А.Словохотова, Г. К. Садовская, В. А. Каргин Действие быстрых электронов на структуру полиэтилентерефталата // Высокомолек. соед. 1961. — Т. З, N.4. — С.515−519.
  48. А.И.Виленский, В. Ф. Пиндюрин, О. А. Макаров, Л. А. Мезенцева,
  49. Н.А.Тимченко, В. А. Бровков, Б. В. Мчедлишвили. Радиационно-химические превращения в полимерах под действием синхротронного излучения и получение регулярных трековых мембран. Труды Российской конференции РСНЭ-97. Дубна 25−29 мая 1997 г. — T.III. — С.339−344.
  50. M.Pietrzak. Change in the -COOH and -OH group content in y-irradiated polyterephthalates //Radiochem.Radioanal.Let. 1982. — Vol.54, N.2. — P.67−76.
  51. А.Е.Калиников. Влияние у-излучения на механические характеристики полиэтилентерефталатной пленки // Механика полимеров. 1966. — вып.З. -С.461−462.
  52. A.Wlochowicz, M. Pietrzak, J.Kroh. X-ray diffractometry of y-irradiated linear polyterephthalates // Eur.Polym.Journ. 1972ю — Vol.8. — P.313−319.
  53. Т.Е.Рудакова, Ю. В. Моисеев, А. Е. Чалых, Г. Е. Зайков. Кинетика и механизм гидролиза полиэтилентерефталата в водных растворах гидроокиси калия // Высокомолек. соед, Сер.А. 1972. — Т.14, N. 2. — С.449−453.
  54. В.В.Воеводский. Физика и химия элементарных химических процессов. М.: Наука. — 1969.-415 С.
  55. Фторполимеры. Под ред. Л.Уолла. М.: «Мир». — 1975. — 448 С.
  56. A.Ferse, W. Koch, L.Wuckel. Einwirkung von Gammastrahlung auf Polytetrafluorathylen // Kolloid Zeitschrift Zeitschrift fur Polymere. 1967. -Bd.219, Heft 1. S.20−29.
  57. Ю.А.Паншин, С. Г. Малкевич, Ц. С. Дунаевская. Фторопласты. Л.: «Химия».1978.-232 С.
  58. Я.С.Лебедев, Ю. Д. Цветков, Г. М. Жидомиров. Анализ асимметричных линий в спектрах ЭПР как метод исследования внутренних движений в полимерах // ЖСХ. 1962. — Т. З, N. 1. — С.21−27.
  59. W.B.Ard, H. Shields, W.Gordy. Paramagnetic resonance of x-irradiated teflon effects of absorbed oxygen // J.Chem.Phys. 1955, — Vol.23, N. 9. — P.1727−1728.
  60. Э.Р.Клиншпонт, В. К. Милинчук. Исследование методом ЭПР парамагнитных образований в у-облученном политетрафторэтилене // ХВЭ. 1967. — Т.1, N. 3. — С.242−247.
  61. H.S.Judeikis, H. Hedgpeth, S.Siegel. Free radical yields in polytetrefluoroethelene as the basis for a radiation dosimeter // Rad.res. -1968.-Vol.35. P.247−262.
  62. Э.Р.Клиншпонт, В. К. Милинчук, С. Я. Пшежецкий. Исчезновение перекисных радикалов в полимерах под действием ионизирующего излучения // ХВЭ. -1969.-Т.З, N. 4.- С.357−363.
  63. P.Barnaba, D. Cordischi, A. Delle Site, A.Mele. Main-chain scission and ESR spectra of irradiated polytetrafluoroethylene oxide // J.Chem.Phys. 1966.-Vol.44, N.10. — P.3672−3677.
  64. Б.К.Пасальский, В. А. Вонсяцкий, Я. И. Лаврентович, А. М. Кабакчи. Химический дозиметр из политетрафторэтилена // Атомная энергия.-1973.-Т.35, Вып.6, С.427−428.
  65. К.А., Беликов Л. В., Махвиладзе Т. М., Прохоров A.M. Травление полимеров в потоках квантов и частиц В кн.: Проблемы физики твердого тела. Под ред. А. С. Прохорова. М.: Мир. 1984.-С.291−322.
  66. К.А., Беликов Л. В., Душенков С. Д. Фототравление полимерных пленок под действием мягкого рентгеновского излучения // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. — N.5. — С.73−79.
  67. К.А., Данилов В. А., Раков А. В., Щучкин А. Г. Физическая природа процесса травления пленок полиметилметакрилата ионами средних энергий // Микроэлектроника. 1984. — Т.13, вып.2.- С.167−169.
  68. К.А., Данилов В. А., Пешехонов С. В., Раков А. В., Щучкин А. Г. Эффект травления позитивных электронных и рентгеновских резистов приоблучении ионами средних энергий // Микроэлектроника.-1983.-Т. 12, вып.З. -С.195−199.
  69. К.А. Физика субмикронной литографии. М.:Наука. — 1990. — 528 С.
  70. К.А.Валиев, Т. М. Махвиладзе, С. Б. Пекарчук. Численное моделирование фотолиза кислорода вакумным ультрафиолетом и механизма ВУФ травления полимерных пленок в кислородсодержащей атмосфере. Препр. ИОФАН СССР. N. 360. — 1986. — 33 С.
  71. К.А.Валиев, Т. М. Махвиладзе, С. Б. Пекарчук. Численное исследование кинетики фотолиза кислорода вакуумным ультрафиолетовым излучением // Хим.физика. 1987, — Т.6, N. 12. — С.1739−1746.
  72. К.А.Валиев, Л. В. Великов, Т. М. Махвиладзе. Роль атомов кислорода 0(3Р) в процессах ВУФ травления полиметилметакрилата в кислородсодержащей атмосфере //Микроэлектроника. 1988. — Т.17, N.l. — С.74−75.
  73. К.А., Махвиладзе Т. М. Теория процесса фототравления полимеров под действием рентгеновского излучения // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. — N.3. — С.57−67.
  74. К.А.Валиев, Л. В. Великов, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. Кинетические закономерности радиационного травления полимеров в условиях цепной деполимеризации макромолекул // Микроэлектроника. 1989. — Т. 18, Вып.1. -С.27−35.
  75. Т.М.Махвиладзе, М. Е. Сарычев. Макрокинетическая теория радиационного травления полимеров // Труды ИОФАН. М.: Наука. — 1988, — Т.14, — С.33−52.
  76. M Inayoshi, M. Ikeda, M. Hori, T. Goto, M. Hiramatsu, A.Hiraya. High rate film formation and micromashinig of polytetrafluoroethelene using synchrotron radiation ablation process // UVSOR Activity Report 1995. UVSOR, Okazaki, Japan. — 1996. -P.234−235.
  77. F.Cerrina. X-ray lithography: Process and applications // Synchrotron radiation news. 1996. — Vol.9, N 3. — P.6−16.
  78. M.Schmidt, W. Ehrfeld, G. Feiertag, H. Lehr and A.Schmidt. Deep X-ray lithography for microfabrication // Synchrotron radiation news. 1996. — Vol.9, N. 3. — P.36−41.
  79. W. Ehrfeld and H.Lehr. Deep X-ray lithography for the production of three-dimensional microstructures from metals, polymers, and ceramics // Radiat.Phys.Chem. 1995. — Vol.45, N. 3. — C.349−365.
  80. D.W.L.Tolfree. Microfabrication using synchrotron radiation // Rep.Prog.Phys. -1998.-Vol.61.-C.313−351.
  81. C.K Malek, V. Saile, H. Manohara, B.Craft. Deep X-ray lithography with a tunable wavelength shifter at С AMD // J. Synchrotron Rad. 1998. — Vol.5, — P. 1095−1098.
  82. Отчет Сибирского Международного центра СИ за 1991−1992 гг. / ИЯФ им. Г. И. Будкера СО РАН. Новосибирск. — 1993. — 156 С.
  83. J.Greeneich. Developer characteristics of poly-(methyl methacrylate) electron resist. //J.Electrochem.Soc.-1975.-Vol.l22, N. 7. P.970−976.
  84. G.N.Taylor. X-ray resist materials. // Solid state technol. 1980. — N.5. — P.73−80.
  85. W.M.Moreau. State of the art of acrylate resists: An overview of polymer structure and lithographic performance // Proc. SP?. 1982. — Vol.333. — P.2−7.
  86. E.Spiller, R.Feder. X-ray lithography in «Topics in Applied Physics» Berlin.: «Springerverlag». — 1977. — V.22. — P.35−92.
  87. D.L.Spears, H.I.Smith. X-ray lithography a new high resolution replication process // Solid state technology. — 1972. — V.7. — P.21−26.
  88. H.Y.Ku, L.C.Scala. Polymeric electron beam resist // J.Electrochem.Soc.-1969. -Vol.116, N. 7. P.980−985.
  89. H.I.Smith, D.L.Spears, S.E.Bernacki. X-ray lithography: A complementary technique to electron beam lithography // J.Vac.Sci.Technol.-1973.-Vol.10, N. 6. -P.913−917.
  90. L.F.Tompson, E.D.Feit, M.J.Bowden, P.V.Lenzo, E.G.Spencer. Polymeric resists for x-ray lithography // J.Electrochem.Soc.-1974.-Vol.l21, N. l 1.-P. 1500−1503.
  91. A.Shiltz, Weill A., Paniez. Modification de la loi de Charlesby.I.Calcul du profil de la densite de coupure creee dans une couche de polymere par des faisceaux de paticules // Rev.phys.appl. 1984. — V.19, N.6. — P.431−438.
  92. A.Shiltz, A. Weill, P.Paniez. Modification de la loi de Charlesby. II. Sensibilite macroscopique //Rev.phys.appl.-1984.-V.19, N.6. P.439−444.
  93. M.Suzuki, T. Kaneko, Y.Saitoh. Replicated resist pattern resolution with synchrotron orbital radiation // J.Vac.Sci.Techn.B. 1989. — V.7, N. l — P.47−54.
  94. W.Ehrfeld, P. Bley, F. Gotz, J. Mohr, D. Munchmeyer, W.Schelb. Progress in deep-etch synchrotron radiation lithography // J.Vac.Sci.Technol.-1988.-B6, N.l. -P.178−182.
  95. М.А.Брук, Г. Г. Исаева Радиолиз тонких слоев полимеров на поверхности твердых тел различной природы // ХВЭ. 1992 — Т.26, N.l. — С.49−53.
  96. W.Ehrfeld, P. Bley, F. Gotz, J. Mohr, D. Munchmeyer, and W. Schelb, Progress in deep-etch synchrotron radiation lithography // J.Vac.Sci.Techn. 1988. — V0I. B6, N.l.-P.178−182.
  97. J.Mohr, W. Ehrfeld, and D. Munchmeyer. Requirements on resist layers in deep-etch synchrotron radiation lithography // J.Vac.Sci.Technol. 1988. — V0I. B6, N.6. — P.2264- 2267.
  98. H.Betz. Untersuchung zur Herstellung von Trenndusenstrukturen mittels Rontgenlithographie // HASYLAB Jahresbericht 1981. DESY, Hamburg, BRD.-1981. -S.153−155.
  99. Handbook of Microlithography, Micromachining and Microfabrication. Bd.2. Micromachining and Microfabrication. Ed. P. Rai-Choudchury / SPIE Opt.Eng. Press. Bellingham, Washington, USA, The Institution of Electrical Engineers, London, UK. — 692 P.
  100. G.Feiertag, H. Lehr, R. Lutte, F. Reichenbach, G. Reuter, A. Schmidt, M.Schmidt. Accuracy of deep x-ray lithography at the BESSY wavelength shifter / BESSY Jahresbericht 1996. BESSY, Berlin, BRD. — 1996. — S.92−96.
  101. F.J.Pantenburg, J. Chlebek, A. El-Kholi, H.-L.Huber, J. Mohr, H.K.Oertel, J.Schulz. Adhesion problems in deep-etch x-ray lithography caused by fluorescence radiation from the plating base // Microelec.Eng. 1994. — Vol.23. — P.223−226.
  102. K.Malek, V. Saile, H. Manohara and B. Craft, Deep X-ray lithography with a tunable wavelength shifter at CAMD // Journ. of Synchrotron Radiation. 1998. — Vol.5. -P.1095−1098.
  103. Y.Vladimirsky, K. Morris, J.M.Klopf, O. Vladimirsky, V. Saile, and J.Scoott. X-ray exposure system for induced chemistry and dry processes in microlithography//J. Vac.Sci.Technol. 1995. — Vol. B13, N.6. — C. 3109−3113.
  104. A. Rogner, W. Ehrfeld, D. Munchmeyer, P. Bley, C. Burbaum, and J.Mohr. LIGA-based flexible microstructures for fiber-chip coupling//J.Micromech.Microeng. -1991.-Vol.1.-P. 167−170.
  105. A.F.M.Barton. Handbook of Solubility Parameters and other Cohesion Parameters, Chemical Rubber. Boca Raton, Florida. — 1983.
  106. G.Feiertag, H. Lehr, RJLuttge, F. Reichenbach, G. Reuter, A. Schmidt, M.Schmid.Accuracy of deep X-ray lithography at the BESSY wavelength shifter // BESSY Jahresbericht. BESSY, Berlin, BRD. — 1996. — S.92−96.
  107. Moreau W.M., Semiconductor lithography: Principles- Practices and Materials. -Plenum Press, New York, USA. 1988.
  108. D.Munchmeyer and J.Langen. Manufacture of three-dimensional microdevices using synchrotron radiation // Rev.Sci.Instrum. 1992. — Vol.63, N.l. — P.713−721.
  109. Y.Vladimirsky, N. Rau, N. Manohara, K. Morris, J.M.Klopf, G. Calderon, O.Vladimirsky. Thin metal film thermal micro-sensors // Proc. of SPIE. 1995.1. Vol.2640. P. 184−192.
  110. H.M.Manohara, G. Calderon, J.M.Klopf, K. Morris, O. Vladimirsky, Y.Vladimirsky. Temperature rise in thick PMMA resist during X-ray exposure // Proc. of SPEE. -1996.-Vol.2880.-P.183−190.
  111. A.R.Neureuter. Simulation of x-ray resist line edge profiles. // J.Vac.Sci.Technol. -1978. Vol.15, N.3. — P.1004−1008.
  112. P.Tisher, E.Hundt. Profiles of structures in PMMA by x-ray lithography // Proc. 8th Int.Conf.on Electron and Ion Beam Science and Technology, R. Bakish, Ed. ECS, Boston, USA, — 1978. — P.444−457.
  113. B.L.Henke, P. Lee, T.J.Tanaka, R.L.Shimabukuro, B.K.Fujikawa. Low energy x-ray interaction coefficients: photoadsorption, scattering and reflection. E=100.2000 eV, z=1.94 // Atomic data and nuclear data tables. 1982. — Vol.27. — P. l-144.
  114. Э.Сторм, Х.Исраэль. Сечения взаимодействия гамма-излучения (для энергий 0,001- 100 МэВ и элементов с 1 по 100): Справочник. М.: Атомиздат. — 1973. -253 С.
  115. А.Л.Запысов, А. С. Ганеев, И. М. Израилев, Н. И. Савин, В. Н. Сапрыкин. Коэффициенты ослабления рентгеновского излучения: методические рекомендации. Л.: ЛНПО «Буревестник». — 1975.- 134 С.
  116. D.L.Windt, W.C.Cash, M. Scott, P. Arendt,. B. Newnam, R.F.Fischer, and A.B.Schwartzlander, P.Z. Takacs, and J.M.Pinneo. Optical constants for thin films of C, diamond, Al, Si, and CVD SiC from 24A to 1216A // Appl.Opt. 1988. -Vol.27, N.2. — P.279−295.
  117. B.L.Bracewell, W.J.Veigele. Tables of x-ray mass attenuation coefficients for 87 elements at selected wavelengths // Devel. in Appl. Spectr. 1971.- Vol.9. — P.357−399.
  118. J.R.Maldonado, G.A.Coquin, D. Maydan, S.Somekh. Spurious effects caused by thecontinuous radiation and ejected electrons in x-ray lithography // J.Vac.Sci.Technol. 1975. — Vol.12, N.6, — P.1329−1331.
  119. С.Н.Мазуренко, В. В. Мануйлов, В. М. Матвеев. Моделирование процессов генерации и энергетических потерь фото- и оже-электронов при рентгеновском экспонировании полимерных резистов // Микроэлектроника -1990. Т.19, вып. З — С.284−292.
  120. K.Murata. Theoretical studies of the electron scattering effect on developed pattern profiles in x-ray lithography // J.Appl.Phys. 1985. — Vol.57, N.2. — P.575−580.
  121. J.C.Ashley, C.J.Tung, R.H.Ritchie, V.E.Anderson. Calculations of mean free paths and stopping powers of low energy electrons (<10 keV) in solids using a statistical model // IEEE Trans, on Nuclear Science. 1976. — Vol. NS-23, N.6 — P.1833−1837.
  122. J.C.Ashley. Inelastic interactions of low-energy electrons with organic solids: simple formulae for mean free paths and stopping powers // IEEE Trans, on Nuclear Science. 1980. — Vol. NS-27, N.6 — P. 1454−1457.
  123. H.Betz, A. Heinrich, A. Heuberger, H. Huber, H.Oertel. Resolution limits in x-ray lithography calculated by means of XMAS // Proc. 29th Int.Symp.Electr., Ion, Photon Beams, May 1985. Portland, Oregon, USA. — 1985.
  124. K.Heinrich, H. Betz, A. Heuberger, S.Pongratz. Computer simulations of resist profiles in x-ray lithography // J.Vac.Sci.Technol. 1981.- Vol.19, N.4. — P. 12 541 258.
  125. H.Betz, K. Heinrich, A. Heuberger, H. Huber, H.Oertel. Resolution limits in x-ray lithography calculated by means of x-ray lithography simulator XMAS // J.Vac.Sci.Tecnol. 1986. — Vol. B4, N.l. — P.248−252.
  126. K.Murata, M. Kotera, H. Nagami, S.Namba. Monte-Carlo modeling of the photo-and Auger electron production in x-ray lithographywith synchrotron radiation // IEEE Trans. on Electron Devices. 1985. — Vol. ED-32, N.9. — P. 1694−1703.
  127. K.Deguchi, H. Namatsu, K. Komatsu, A.Yoshikawa. Effects of photoelectrons ejected from the substrate on patterning characteristics in x-ray lithography // J.Vac.Sci.Technol. 1987. — Vol. B5, N.2. — P.551−554.
  128. M.Feldman, J.Sun. Resolution limits in x-ray lithography // J.Vac.Sci.Technol. -1992. V0I. B6, N.6. — P.3173−3176.
  129. К.А.Валиев, И. М. Коба, Б. Н. Ковтун, Т. М. Махвиладзе. Функция близости и разрешающая способность рентгеновской литографии // Микроэлектроника.1990. Т.19, вып.4. — С.347−359.
  130. К.А.Валиев, И. М. Коба, Б. Н. Ковтун, Т. М. Махвиладзе. Сквозное моделирование рентгенолитографического процесса // Микроэлектроника.1991. Т.20, вып.З. — С.279−288.
  131. К.А.Валиев, И. М. Коба, Б. Н. Ковтун, С. Н. Мазуренко, Т. М. Махвиладзе. Эффективный метод расчета функции близости в рентгеновской литографии //Микроэлектроника. 1992. — Т.21, вып.1. — С.66−74.
  132. А.В.Никитин. Дифракционные ограничения в рентгенолитографии // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1980. — Вып.6. — С.67−73.
  133. R.K.Kupka, Y. Chen, F. Rousseaux, A.M.Haghiri-Gosnet, H.Launois. Properties of electromagnetic fields in x-ray lithographic masks: Guided modes and beam propagation calculus // J.Vac.Sci.Technol. 1993.- Vol. Bl 1, N.3. — P.667−680.
  134. A.R.Neureuter. ICP process modeling and topography design // Proc. of the ШЕЕ. 1983. -Vol.71, N.l. -P.121−128.
  135. К.А.Валиев, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. Модель растворения полимерных резистов // Микроэлектроника. 1992. — Т.21, Вып.5. — С.45−51.
  136. A.Neureuter, C.G.Wilson, Reduction in X-ray lithography shot noise exposure limit by dissolution phenomena // J.Vac.Sci.Technol. 1988. — V0I. B6, N.l. -C.167−173.
  137. С.Ю.Шепурев, Г. В. Принцев, Ф. Н. Басманов. Моделирование профилей проявления рентгенорезиста с учетом полутеневых эффектов // Электронная техника. Сер.7. 1984. — Вып.2(123). — С.15−17.
  138. С.Ю.Шепурев. Моделирование процесса рентгенолитографии с учетом генерации фотоэлектронов // Радиотехника и электроника, Минск. 1985. -Вып. 14. — С.88−91.
  139. В.Н.Лаврук, В. В. Мануйлов, В. М. Матвеев. Модели проявления рентгенорезистов//Электронная техника. Сер.З.Микроэлектроника. 1991. -Вып.1.-С.35−38.
  140. С.Н.Мазуренко, В. В. Мануйлов, В. М. Матвеев. Физические аспектыиспользования синхротронного излучения в микролитографии // Электронная техника. Сер.З.Микроэлектроника. 1991. — Вып.1. — С.54−60.
  141. С.И.Зайцев, А. А. Свинцов. Теория изотропного локального травления: постановка задачи и основные уравнения // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. — N.4. — С.27−31.
  142. С.И.Зайцев, А. А. Свинцов. Теория изотропного локального травления: свойства задачи и некоторые аналитические решения // Поверхность. Физика.Химия.Механика. 1987. — N.1 — С.47−52.
  143. С.И.Зайцев, А. А. Свинцов. Алгоритмы моделирования проявления негативных и позитивных резистов // Численные методы и средства проектирования и испытания элементов твердотельной электроники, Тез.докл.респ.совещ., Таллинн, 1989. — Т.1. — С.15−18.
  144. A.El-Kholi, J. Mohr, R.Stransky. Ultrasonic supported development of irradiated micro-structures // Microelectr.Eng. 1994. — Vol.23. — P.219−222.
  145. В.Р.Говарикер, Н. В. Висванатхан, Дж.Шридхар. Полимеры. М.: Наука. -1990.-396 С.
  146. В.Дебский. Полиметилметакрилат. М.: Химия. — 1972. — 152 С.
  147. Энциклопедия полимеров. Т.З. М.: «Советская энциклопедия». — 1977. — 576 С.
  148. Д.Д.Чегодаев, З. К. Наумова, Ц. С. Дунаевская. Фторопласты. JL: Госхимиздат. — 1960. — 194 С.
  149. Химическая энциклопедия, Т.З. М.: БРЭ. — 1992. — 640 С.
  150. L.D.Artamonova, A.N.Gentselev, G.A.Deis, A.A.Krasnoperova, E.V.Mikhalyov, V.S.Prokopenko, G.N.Kulipanov, L.A.Mezentseva, V.F.Pindyurin. X-ray lithography at the VEPP-3 storage ring // Rev.Sci.Instr. 1992. — Vol.63, N.l. -P.764−766.
  151. V.E.Panchenko. X-Ray topography on the VEPP-3 SR beams and x-ray imaging techniques //Nucl.Instr.Meth.Phys.Res. 1987. — Vol. A261, N1−2. — P.227−232.
  152. Отчет о работе Сибирского центра синхротронного излучения за 1990 год. /Новосибирск, Институт ядерной физики СО АН СССР. 1991. — 159 С.
  153. J.Schock, J. Gottert, J. Mohr, A. El-Kholi, K.Stierl. Herstellung von Mikrostrukturendurch Rontgentiefenlitthografie mit Synchrotronstrahlung / IMT Bericht Nr. 103/19. — Kernforschungszentrum Karlsruhe GMBH. — Karlsruhe, BRD. — 1990.
  154. П.Ю.Апель. Регрессия треков в полиэтилентерефталате после сенсибилизации различными методами / Препринт ОИЯИ 13−91−423. Дубна. -1991, 8 С.
  155. А.Н. Прецизионная дифрактометрия поликристаллов на синхротронном излучении. Автореф. на соиск. уч. ст. к.ф.-м.н. Новосибирск.- 1996.-22 С.
  156. Таблицы физических величин: справочник. Ред.акад. А. И. Кикоин. М.: Атомиздат. — 1976. — 1008 С.
  157. Г. Н.Дульнев, Э. М. Семяшкин. Теплообмен в радиоэлектронных аппаратах. -JL: «Энергия». 1968. — 360 С.
  158. В.А.Кудряшов. Исследование особенностей воспроизведения изображения мягким рентгеновским излучением. Автореф. на соиск. уч.ст. к.ф.-м.н. -Черноголовка. 1983. — 16 С.
  159. Г. Н.Кулипанов, А. Н. Скринский. Использование синхротронного излучения: состояние и перспективы // УФН. 1977. — Т.122, вып.З. — С.369−418.
  160. И.Н.Бронштейн, К. А. Семендяев. Справочник по математике. Лейпциг: «Тойбнер», М.: «Наука». — 1981. — 720 С.
  161. Э.Ф.Лазнева. Лазерная десорбция. Л.: Изд-во ЛГУ. 1990. — 200 С.
  162. В.П.Кирюхин, В. К. Милинчук. Радиационно-химические выходы парамагнитных центров в полимерах // Высокомол.соед., Сер.А. 1974. — N. 4.- С.816−819.
  163. А.Н.Тихонов, A.A.Самарский. Уравнения математической физики. М.: «Наука». 1977. — 736 С.
  164. Г. Корн, Т.Корн. Справочник по математике. М.: Наука. — 1968. — 720 С.
  165. Л.Д. Исследование технологии многоэтапной ориентации ПЭТФ пленок. Автореф. дисс. на соиск.уч.степени к.т.н., М. 1975. — 23 С.
  166. Д.Дехант, Р. Данц, В. Киммер, Р.Шмольке. Инфракрасная спектроскопия полимеров. М.: Химия. — 1976. — 350 С.
  167. F.Fontaine, J. Ledent, Groeninckx, H.Reynaers. Morphology and melting behaviorof semi-crystalline poly (ethylene terephthalate): 3. Quantification of crystal perfection and cristallinity // Polymer. 1982. — Vol.23, N.2.- P. 185−191.
  168. O.Saito. On the effect on high energy radiation to polymers // Journ of the Phys.Soc.of Japan. 1958. — Vol.13. — P.163−168.
  169. Ю.Н.Молин, Ю. Д. Цветков. Об изменении формы линий электронного парамагнитного резонанса с температурой в радикалах перекисного типа // ЖФХ. 1959. — Т. ЗЗ, N.7. — С. 1668−1670.
  170. Lu Xinya, Yiang Bindzheng. Соотношение между температурой перехода в стеклообразном состоянии Тс и молекулярными параметрами полимеров II. Влияние молекулярного веса на Тс // Acta Polym.Sin. 1990. — N.5. — С.532−537 (кит.)
  171. G.Geuskens, E. Hellinckx, C.David. Thermal degradation of gamma irradiated isotactic and atactic polymethyl methacrylate // Eur.Polym.J. 1971. — Vol.7. -P.87−93.
  172. Л.П.Вишневецкая, Л. П. Сарычева. К вопросу о терминологии в области тепловых свойств полимеров // Пластические массы. 1972. -N.11.- С.40−41.
  173. Г. М.Бартенев, В. А. Ломовской, Н. Ю. Ломовская. Влияние термодеструкции на стеклование и спектры времен релаксации полиметилметакрилата // Высокомол.соед.Сер.А. 1994. — Т.36, N. 9. — С.1529−1534.
  174. В.В.Пасынков. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа. — 1980. — 406 С.
  175. Л.М.Поляков. Влияние УФ излучения, вакуума на прочность и разрушение полимерных пленок // Механика полимеров. 1966. — Т.З. — С.359−364.
  176. И.В.Мизик, А. П. Гаврик. Влияние гамма-облучения на механические свойства полиэтилентерефталатной пленки // Проблемы ядерной физики и космических лучей. 1989. — Вып.31. — С.45- 48.
  177. А.Е.Калинников. Влияние гамма-облучения на механические характеристики полиэтилентерефталатной пленки // Механика полимеров. 1966. — Вып.З. -С.461- 462.
  178. X.Zhang, C. Jacobsen, S. Lindaas, S. Williams, Exposure strategies for polymethyl metacrylate from in situ x-ray absorption near edge structure spectroscopy // J.Vac.Sci.Technol. 1995. — Vol. B13, N.4. — P.1447−1483.
  179. A.Rogner, J. Eicher, D. Miinchmeyer, R.-P. Peters, J.Mohr. The LIGA-technique -what are the new opportunities // J.Micromech.Microeng. 1992. — Vol.2. — P. 133 140.
  180. Т.М.Махвиладзе, Е. Г. Пантелеев, М. Е. Сарычев. Модель прямого травления полимерных резистов с учетом движения полимерной матрицы // Матем.моделирование. 1990. — Т.2, N. 3, — С.3−14.
  181. П. Эткинс. Физическая химия. Т.2. М.: Мир. — 1980. — 584 С.
  182. А.П.Сенченков. Техника физического эксперимнета. М.: Энергоатомиздат.- 1983.-240 С.
  183. V.K.Sharma, R.A.Pethrick, S.Affrossman. РММА: influence of tacticity on its use as an elecrton resist // Polymer. 1982. — Vol.23, N.12. — P.1732−1736.
  184. Е.И.Пустыльник. Статистические методы анализа и обработки наблюдений. -М.: Наука. 1968. — 288 С.
  185. А.Ф.Алкснис, Г. Е. Зайков, В. П. Карливан. Химическая стойкость полиэфиров.- Рига: Зинатне. 1978. — 222 С.
  186. T.Alfrey, E.F.Gurnee, W.G.Lloyd. Diffusion in glassy polymers // J.Polym.Sci., Part C. 1966. — N.12. — P.249−261.
  187. T.K.Kwei, H.M.Zupko. Diffusion in glassy polymers. I // J.polym.Sci.:Part A-2.1969. Vol.7, N.5. — P.867−877.
  188. T.T.Wang, T.K.Kwei, H.L.Frisch. Diffusion in glassy polymers. Ill // J.polym.Sci.rPart A-2. 1969. — Vol.7, N.ll. — P.2019−2028.
  189. T.T.Wang, T.K.Kwei. Diffusion in glassy polymers. Reexamination of vapor sorption data // Macromolecules. 1973. — Vol.6, N.6. — P.919−921.
  190. Т.Б.Бобоев, Е. М. Джонов, Ш. Туйчнев. Влияние термомеханической предистории на структуру и кинетику фотомеханической деструкции ПЭТФ //Высокомол.соед.Сер.Б. 1998. — T.40,N.8. — С.1372−1376.
  191. М.В.Беляев. Модель диффузии низкомолекулярных веществ в полимерах // Теор.осн.хим.технол. 1996. — Т. ЗО, N.4. — С.36−365.
  192. Л.Д.Ландау, Е. М. Лифшиц. Теория поля. Т.2. М.:Наука. — 1973. — 504 С.
  193. А.Мшдетт. Оптика мягкого рентгеновского излучения. М.: Мир. — 1989. -352С.
  194. По материалам диссертации опубликованы следующие работы:
  195. E.G.Churin, V.P.Koronkevich, G.N.Kulipanov, O.A.Makarov, L.A.Mezentseva, V.P.Nazmov, V.F.Pindyurin. Preliminary experience of optical elements fabrication by X-ray lithography // Nucl.Instr.Meth.Phys.Res. 1995. — Vol. A359, N1−2. -P.412−414.
  196. A.V.Mitrofanov, I.A.Zhitnik, M.N.Filippov, L.A.Mezentseva, V.P.Nazmov, V.F.Pindyurin. The optical properties of regular microporous membranes // Nucl.Instr.Meth.Phys.Res. 1998. — Vol. A405, N2−3. — P.319−322.
  197. Б.Г.Гольденберг, Г. Н. Кулипанов, В. П. Назьмов, В. Ф. Пиндюрин. Аттестация геометрической прозрачности регулярных микропористых мембран, получаемых с помощью глубокой рентгеновской литографии // Там же, -С.569.
  198. В.П.Назьмов, Л. А. Мезенцева, Е. Н. Яковлева, Ф. И. Анчаров, В. Ф. Пиндюрин, Г. Н. Кулипанов. Формирование микропористых структур в лавсановых пленках толщиной 3−100 мкм с использованием синхротронного излучения // Там же, С. 574.
  199. В.П.Назьмов, Е. Ф. Резникова. Температура поверхности толстого слоя ПММА в процессе экспонирования синхротронным излучением // Там же, С. 575.
  200. С.И.Мишнев, В. П. Назьмов. Фототравление органического стекла под действием синхротронного излучения // Там же, С. 576.
  201. Б.Г.Гольденберг, Г. Н. Кулипанов, В. П. Назьмов, В. Ф. Пиндюрин. Аттестация геометрической прозрачности регулярных микропористых мембран, получаемых с помощью глубокой рентгенолитографии // Там же, С.351−356.
  202. А.Н.Генцелев, В. Н. Корчуганов, Г. Н. Кулипанов, Л. А. Мироненко, С. И. Мишнев,
  203. B.П.Назьмов, В. Ф. Пиндюрин, В. А. Ушаков, А. В. Филипченко, Л. М. Щеголев, Г. И. Эрг. Модернизация LIGA станции на накопителе ВЭПП-3 // Там же, 1. C.345−350.
  204. Nazmov V.P., Pindyurin V.F., Mezentseva L.A., Mchedlishvili B.V., Vilensky A.I. Regular microfilters on base of PTFE // Abstracts Book of SPIE’s Internat. Symp. on Microlythography, Santa-Clara, California, USA. — 1999.-P. 46.
  205. А.Н.Генцелев, В. Н. Корчуганов, Г. Н. Кулипанов, Л. А. Мироненко, С. И. Мишнев,
  206. V.F.Pindyurin, V.I.Kondratyev, M.V.Kuzin, G.N.Kulipanov, N.A.Mezentsev,
  207. E.S.Gluskin, A.A.Krasnoperova, G.N.Kulipanov, V.P.Nazmov, V.F.Pindjurin,
  208. A.N.Skrinsky, V.V.Chesnokov. Experiments on X-ray lithography using synchrotron radiation from the VEPP-2M storage ring // Nucl.Instr.Meth. 1983. -Vol.208, N.2.-P.393−398.
  209. V.V.Anashin, N.A.Gorbunova, I.A.Koop, V.P.Nazmov, V.N.Osipov, V.F.Pindyurin. SR power calorimetry and photon measurements at the photodesorption beam line of the VEPP-2M storage ring // Nucl.Instr.Meth.Phys. Res. 1995. Vol. A 359, N 1−2. -P.437−439.
  210. В.В.Чесноков, Л. Д. Артамонова, А. М. Домахина, А. М. Москалюк, Н. Д. Иванцова, О. С. Ильина, А. А. Красноперова, В. П. Назьмов, Г. А. Черков,
  211. B.В.Чеблуков. Разработка технологии рентгенолитографического производства интегральных схем с использованием синхротронного излучения: Отчет по НИР, шифр «Рондо» / ЦНИИ «Электроника». N ГР АА 10 011, N ОР 98 075. — М., 1980.
  212. В.В.Чесноков, Л. Д. Артамонова, А. М. Домахина, А. М. Москалюк,
  213. Н.Д.Иванцова, О. С. Ильина, А. А. Красноперова, В. П. Назьмов, Г. А. Черков, В. В. Чеблуков. Разработка и внедрение рентгенолитографии интегральных схем: Отчет по ОКР, шифр «Рондо-2» / ЦНИИ «Электроника». N ГР Ф 17 182, ЫОР 2 001 579. — М., — 1982.
  214. С.И.Мишнев, В. П. Назьмов. Фототравление органического стекла под действием синхротронного излучения // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998. — № 11. — С.45−50.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!