Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование и инженерия поверхности сорбентов (угли, геттеры, криослои) , трековых мембран и пленок

Диссертация: Исследование и инженерия поверхности сорбентов (угли, геттеры, криослои) , трековых мембран и пленок
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные положения и результаты работы доложены на VI, VII, VIII, IX, X научно-технических конференциях «Вакуумная наука и техника» (Гурзуф, 1999 г. и Судак 2000, 2001, 2002, 2003 г. г.), VIII и IX Международных студенческих школах-семинарах «Новые информационные технологии» (Судак, 1999 и 2000 г. г.), VII, VIII и IX Международных научно-технических конференциях студентов и аспирантов… Читать ещё >

Содержание

  • Условные обозначения
  • Актуальность проблемы
  • Цель работы
  • Научная новизна
  • Практическая ценность
  • Автор защищает
  • Достоверность полученных результатов
  • Апробация работы
  • Публикации
  • Структура и объем работы
  • 1. Современное состояние вопроса по исследованию и описанию микроструктуры поверхности твердого тела
    • 1. 1. Современные методы исследования микроструктуры поверхности
      • 1. 1. 1. Сканирующая туннельная микроскопия
      • 1. 1. 2. Сканирующая туннельная спектроскопия
      • 1. 1. 3. Атомно-силовая микроскопия
    • 1. 2. Современная система характеристик для описания поверхности твердого тела.41'
      • 1. 2. 1. Амплитудные параметры
      • 1. 2. 2. Функциональные параметры
      • 1. 2. 3. Пространственные параметры
      • 1. 2. 4. Фрактальные параметры

Исследование и инженерия поверхности сорбентов (угли, геттеры, криослои) , трековых мембран и пленок (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Практически любое изделие, аппарат, система имеют набор поверхностей. В одних случаях достаточно знать макрохарактеристики поверхностей системы, в других необходимо иметь информацию еще и об их микроструктуре. Рельеф поверхности может оказывать значительное влияние на характеристики систем и процессов.

На данный момент инженерия поверхности [1] является одним из наиболее перспективных и бурно развивающихся направлений современного материаловедения, обслуживающим различные области науки и отрасли народного хозяйства — физику, химию, биологию, медицину, микроэлектронику, машиностроение, металлургию и т. д. Инженерия поверхности, как отдельное научно-техническое направление, включает в себя:

1. комплекс оборудования и методов, обеспечивающих эффективное воздействие на поверхность материала с целью придания ей необходимых свойств;

2. комплекс оборудования и методов, обеспечивающих нанесение многофункциональных покрытий: плазменных, ионно-плазменных, электронно-лучевых, ионно-лучевых, лазерных, гальванических, химических, химико-термических и газофазных;

3. различные методы диагностики и прогнозирования как собственно модифицированного поверхностного слоя, так и объемных характеристик материала по состоянию его поверхности.

Если рассматривать задачи, связанные с диагностикой поверхности, то здесь можно выделить несколько важных направлений:

1. Изучение влияния на микроструктуру поверхности методов и режимов создания и модификации поверхности. При этом в результате исследования необходимо сделать выводы об оптимальности выбранных условий создания поверхности или воздействия на нее, а также при необходимости дать рекомендации по дальнейшему направлению работ по модификации поверхности для получения структур с заданными свойствами.

2. Изучение влияния на микроструктуру поверхности различного рода факторов, связанных с эксплуатацией (а также хранением) изделий, систем, установок, которые могут приводить к ухудшению их характеристик. При этом в результате исследования необходимо сделать выводы о влиянии этих факторов на структуру поверхности.

3. Изучение влияния уже самой микроструктуры поверхности на различные характеристики систем и процессов. При этом целью исследования является установление корреляции с другими характеристиками поверхности или целиком системы (например, с интегральным коэффициентом прилипания и проводимостью системы, с электрофизическими свойствами поверхности и т. д.) или просто определение микрорельефа для учета его при определении параметров системы или процессов.

При этом решение подобных задач требует:

1. Экспериментального изучения образцов с помощью методов микроскопического исследования. В этом случае возникает необходимость выбора метода микроскопического исследования, наиболее адекватного поставленной задаче.

2. Описания полученной топографии поверхности с помощью определенного набора характеристик. При этом встает проблема формирования системы характеристик, используемой для описания поверхности, ее задания и сравнения с другими поверхностями.

3. Моделирования микроструктуры поверхности для изучения влияния ее на характеристики рассматриваемой системы, в случае, если прямое экспериментальное исследование по каким-либо причинам затруднено или невозможно, а также, если необходимо упрощенное задание поверхности. Тогда встает задача выбора метода моделирования для создания методики, учитывающей особенности конкретной задачи.

Актуальность проблемы.

Для создания и поддержания сверхвысокого безмасляного вакуума в таких системах, как экспериментальные установки термоядерного синтеза, имитаторы космоса, установки физики твердого тела, системы микроэлектроники, ускорительно-накопительные комплексы и т. д., используются сорбенты. Свойства сорбентов будут определять откачные характеристики вакуумной системы, обеспечивающей проведение технологического процесса. В процессе эксплуатации на сорбенты воздействуют различные факторы, которые могут приводить к ухудше9 нию сорбционных характеристик, уменьшению, вследствие этого, сроков эксплуатации вакуумного оборудования или даже к выходу из строя всей системы целиком. В связи с этим, на этапе проектирования систем необходимо знать исходные свойства и характеристики сорбентов, влияние на эти характеристики условий получения сорбентов, а также возможное ухудшение свойств сорбентов в процессе эксплуатации. Химическая природа и структура поверхности будут определять сорбционные характеристики сорбента. Таким образом, одним из важных направлений исследований в данной области является анализ структуры поверхности сорбентов, ее количественное описание для выявления тенденций изменения ее характеристик в зависимости от различных факторов.

В экспериментальных установках термоядерного синтеза применяются три основных вида сорбентов: активированные угли, геттеры и криослои легкокон-денсируемых газов.

Активированный уголь на данный момент считается одним из лучших сорбентов. Он используется в качестве криосорбента в системе первичной откачки ИТЭР. В процессе эксплуатации слой криосорбента, наряду с типичным для крио-сорбционных насосов фактором циклического термомеханического воздействия в режимах откачка — регенерация, испытывает также специфическое деструктивное влияние трития, которое связано с бэта-облучением сорбента и накоплением в нем радиогенного гелия-3. Эти обстоятельства особо существенны ввиду жестких требований к ресурсу криосорбционнных панелей и стабильности их вакуумнофизических характеристик. В связи с этим большое значение имеет изучение.

10 влияния различного рода воздействий на свойства криосорбентов из активированного угля, в том числе на структуру его поверхности. В вакуумной системе ИТЭР используются также нераспыляемые геттеры для откачки Н2.

Альтернативным видом сорбентов в области термоядерного синтеза являются криослои десублимированных газов. Преимуществами данного рода сорбентов перед другими являются простота формирования и регенерации, отсутствие пыли. Адсорбция на криослоях легкоконденсируемых газов является одним из перспективных методов откачки трудноконденсируемых газов (таких как 3Не, 4Не). Криослои в качестве сорбентов используются, например, в экспериментальной установке JET (Англия). Сорбционные характеристики криослоев в значительной мере зависят от условий формирования. Таким образом, для получения сорбентов, обладающих наилучшими сорбционными характеристиками, необходимо уметь предсказывать форму поверхности и изменение ее в зависимости от условий осаждения криослоев.

Сорбенты являются объектами со сложной структурой поверхности, данные о которой приходится получать по косвенным данным — из экспериментов по сорбции. Однако проведение таких экспериментов сложная, энергоемкая и дорогостоящая задача. В связи с чем, в определенных случаях возможным путем упрощения решения задачи является изучение свойств сорбентов по состоянию внешней поверхности. Метод сканирующей зондовой микроскопии, появившийся сравнительно недавно, позволяет помимо изображения поверхности получать количественные характеристики для дальнейшего сравнения степени воздействия на.

11 поверхность изучаемых факторов и определения различий в структуре поверхности сорбентов различных марок.

Криослои имеют крайне сложную структуру сорбирующей поверхности. Непосредственное наблюдение этой поверхности с помощью методов микроскопии затруднено из-за малой толщины и хрупкости криослоя, а также низкой температуры (около 4 К) криоповерхности. В связи с этим актуальным является проведение моделирования возможной структуры криослоев с помощью метода пробной частицы Монте-Карло по аналогии с методами построения фрактальных кластеров для выявления тенденций изменения характеристик криослоев при увеличении толщины покрытия и определения влияния на форму поверхности условий осаждения, таких как структура подложки, тип источника и т. д.

Определение влияния на вид поверхности условий осаждения требуется также при решении задач, связанных с нанесением покрытий. При этом нанесение покрытий может использоваться для самых различных целей: улучшение рабочих характеристик полимерных трековых мембран, создание наноуглеродных пленок на полимерных подложках, обладающих заданными свойствами (электрофизическими и бактерицидными), диагностика работы серийно выпускаемого оборудования по нанесению тонкопленочных покрытий и выбор наилучшего режима осаждения.

Трековые мембраны, изготавливаемые в Лаборатории ядерных реакций им. Г. Н. Флерова облучением полимерных пленочных материалов ускоренными на циклотроне У-400 тяжелыми ионами и их последующей физико-химической.

12 обработкой, имеют большое прикладное значение. Они широко применяются в процессах тонкой очистки воздуха, газообразных и жидких технологических сред для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов других типов, в процессах разделения и анализа компонентов газовых смесей. В криогенной технике трековые мембраны используются при изготовлении экрано-вакуумной теплоизоляции. Перспективным направлением исследований является изучение возможности уменьшения размера пор трековых мембран нанесением на их поверхность различного рода покрытий для увеличения селективности разделения. При решении данной задачи возникает необходимость в фиксации и изучении изменения структуры поверхности при различных условиях.

Помимо этого, покрытия используются при решении других задач. Так, одним из важных и интересных направлений исследований, имеющихся в данной области в настоящее время, является изучение влияния микрорельефа поверхности на биоактивность и электрофизические свойства углерод-полимерных наноструктур с целью создания на их основе изделий с улучшенными характеристиками для использования в технологиях РЭС и медико-биологических областях. Углерод-полимерные наноструктуры получают нанесением ионно-плазменными методами углеродных пленок на полимерные подложки, такие, например, как поли-этилентерефталат и политетрафторэтилен. Для решения данной задачи требуется изучение топографии поверхности углеродных пленок разной толщины, полученных при различных условиях (с использованием и без предварительной обработки поверхности подложки, нанесения вспомогательного покрытия).

Покрытия требуются также при производстве зеркал. На сегодняшний день функциональные и декоративные покрытия на стекло требуются в самых различных областях. Спрос существует как на зеркальные и тонирующие покрытия, так и на различные многослойные системы, например, на многослойные антибликовые покрытия для автомобильных зеркал. При этом высокое качество покрытия является непременным требованием к готовым изделиям. Структура поверхности является косвенным критерием, позволяющим получить информацию о качестве рассматриваемого покрытия и диагностировать процесс нанесения. В связи с этим, для выбора наилучших режимов работы оборудования по нанесению покрытий, такого, например, как серийно выпускаемые установки УВН-4М и УВН-4ЭД можно использовать результаты топографических исследований поверхности.

Таким образом, для решения целого ряда важных научно-технических задач необходимо исследование топографии поверхности материалов и количественный ее анализ. Однако параметров, используемых для описания поверхности достаточно много, что создает определенные неудобства в случае, если необходимо сравнить несколько поверхностей между собой.

Цель работы.

С учетом вышеперечисленных проблем, характеризующих актуальность работы, можно определить ее цели:

1. Проведение анализа известных методов изучения и описания поверхности твердого тела, определение возможности применимости фрактальной размерности в качестве характеристики для сравнения поверхностей, различающихся по различным параметрам (по марке, материалу, методу и режиму создания рельефа поверхности, воздействию в процессе эксплуатации).

2. Проведение комплексного исследования поверхности материалов криогенной и вакуумной техники (сорбентов, тонкопленочных покрытий, трековых мембран) для определения влияния на нее различных факторов, таких как:

— марка сорбента (для нераспыляемых геттеров);

— воздействие эксплуатационных факторов (для активированного угля);

— материал покрытия, параметры режима осаждения и вид исходной поверхности (для полимерных трековых мембран, подвергнутых модификации покрытиями);

— параметры режима осаждения, структура исходной поверхности и ее обработка (для наноуглеродных пленок на полимерных подложках);

— методы и режимы осаждения покрытий (для покрытий, полученных на установках магнетронного и плазменно-дугового осаждения в вакууме).

3. Построение модели формирования криослоев с использованием методов фрактальной геометрии для определения тенденции изменения их характеристик;

4. Анализ применимости различных теорий, используемых для описания процессов адсорбции, на основе экспериментальных данных по криосорбции гелия-4 на криослоях азота и аргона.

Научная новизна.

1. На основе фрактального анализа поверхностей, различающихся по различным параметрам (по марке, материалу, методу и режиму создания рельефа поверхности, воздействию в процессе эксплуатации), была показана применимость фрактальной размерности для диагностики изменений, произошедших в структуре поверхности в результате инженерии (модификации с целью придания ей заданных свойств) или же в процессе эксплуатации.

2. На основе комплексного анализа топографии поверхности образцов активированного угля, подвергнутых различного рода воздействию (экспозиции в тритии, дейтерии, термоциклированию, прогреванию при откачке), проведенного в диапазоне размеров от 80 нм до 100 мкм, было показано, что данными методами влияние деструктивных факторов на активированные угли не обнаружено.

3. Впервые была проанализирована применимость 7 основных уравнений изотерм адсорбции к процессу сорбции гелия-4 на криослоях аргона и азота и обоснован выбор уравнений ДРК и теории объемного заполнения микропор при и=1, как наилучших для данных сорбентов.

4. Разработан алгоритм на базе метода статистических испытаний пробной частицы, позволяющий моделировать структуру криослоев и определять характер изменения их основных характеристик (плотности, удельной поверхности, размеров кристаллитов) в зависимости от толщины криослоя.

5. Для полимерных трековых мембран на основе данных микроскопического исследования образцов с размерами пор 0,2 и 1,8 мкм и толщиной 23 и 3 мкм соответственно, была показана возможность инженерии поверхности нанесением тонкопленочных покрытий из алюминия и на основе кремния.

6. На основе микроскопического анализа поверхности углеродных пленок (толщиной от 100 до 1200 А), нанесенных на полиэтилентерефталат и политетрафторэтилен, а также исходных подложек, подвергнутых различной обработке, была показана возможность наноструктурирования поверхности и получения полимеров с заданными рельефными характеристиками поверхности.

7. Исследование поверхности тонкопленочных покрытий, полученных с помощью установок магнетронного и плазменно-дугового осаждения в вакууме, показало возможность применения методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики режимов работы промышленного оборудования.

Практическая ценность.

1. Изучение структуры поверхности активированного угля, подвергнутого экспозиции в тритии, проводилось в рамках международной программы НИОКР в поддержку проекта ИТЭР. Полученные выводы об отсутствии значительных изменений в микроструктуре поверхности активированных углей после экспозиции в тритии и термоциклирования являются положительным результатом с точки зрения использования данного рода сорбентов.

2. Результаты работы по анализу топографии поверхности полимерных трековых мембран после их модификации тонкопленочными покрытиями предполагается использовать для улучшения характеристик трековых мембран, производимых Лабораторией ядерных реакций им. Г. Н. Флерова (ОИЯИ).

3. Данные о характере микрорельефа поверхности углеродных пленок на полимерных подложках, полученных при различных условиях, предполагается использовать при разработке материалов, обладающих заданными электрофизическими свойствами и бактерицидностью, и создании на их основе изделий с улучшенными характеристиками для использования в технологиях РЭС и медико-биологических областях.

4. Рекомендации по применению уравнения Дубинина-Радушкевича-Каганера для случая адсорбции гелия-4 на криослоях азота и аргона могут быть полезны инженерам-проектировщикам криосорбционных насосов.

5. Диагностика поверхности тонкопленочных покрытий из титана и алюминия, полученных с помощью серийно выпускаемых установок УВН-4М и УВН-4ЭД (ОАО «Вакууммаш», г. Казань), показало ухудшение качества покрытий при удалении от центра подложки для установки УВН-4М.

Полученные в работе результаты используются в учебном процессе в Московском энергетическом институте (техническом университете) в курсах «Крио-вакуумная техника», «Расчет сложных вакуумных систем», «Основы нанотехно-логии».

Автор защищает.

— Результаты микроскопического исследования (в диапазоне 0,1−4-100 мкм) поверхности: активированного угля после различного рода воздействия (экспозиции в тритии, дейтерии, термоциклирования, прогревания при откачке) — трековых мембран, подвергнутых модификации тонкопленочными покрытиямиуглеродных пленок на полимерных подложках, полученных при различных условиях;

— Применимость фрактальной размерности для диагностики изменений, произошедших в структуре поверхности в результате инженерии (модификации с целью придания ей заданных свойств) или же в процессе эксплуатации;

— Для сорбции гелия-4 на криослоях аргона и азота в диапазоне температур и давлений наилучшим для использования является уравнение Дубинина-Радушкевича-Каганера.

— Компьютерную модель роста фрактальных структур, применительно к криос-лоям, для определения характера изменения основных характеристик криосло-ев в зависимости от их толщины.

Достоверность полученных результатов.

Достоверность полученных результатов обеспечивалась применением аттестованных измерительных средств, апробированных методик измерения и расчетов, хорошей повторяемостью полученных результатов сканирования поверхности материалов и сравнением с данными, полученными разными методами.

Апробация работы.

Основные положения и результаты работы доложены на VI, VII, VIII, IX, X научно-технических конференциях «Вакуумная наука и техника» (Гурзуф, 1999 г. и Судак 2000, 2001, 2002, 2003 г. г.), VIII и IX Международных студенческих школах-семинарах «Новые информационные технологии» (Судак, 1999 и 2000 г. г.), VII, VIII и IX Международных научно-технических конференциях студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (Москва, 2001, 2002, 2003 г. г.), 20-м и 23-м заседаниях научно-технического семинара «Электровакуумная техника и технология» (Москва, 2002 и 2003 г. г.), 7-й Международной конференции по инженерным проблемам термоядерных реакторов (С.-Петербург, 2002), XXVII и XXIX Международных молодежных научных конференциях «Га-гаринские чтения» (Москва, 2001 и 2003 г. г.), 5-й Международной конференции и выставке «Цифровая обработка сигналов и ее применение» (Москва, 2003 г.), V и VI Международных симпозиумах «Вакуумные технологии и оборудование» (Харьков, 2002 и 2003 г. г.), Международном научно-практическом симпозиуме «Функциональные покрытия на стеклах» (Харьков, 2003 г.), XI Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» (Москва, 2003 г. г).

Публикации.

По теме диссертации имеется 32 печатных работы, в том числе 15 статей и материалов в трудах конференций, 17 тезисов докладов.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, 5 глав и заключения и имеет объем 244 стр., включая 118 рисунков и 43 таблицы. Библиография включает 141 наименование.

5.4. Выводы по главе 5.

1. На основе микроскопического анализа поверхности углеродных пленок (толщиной от 100 до 1200 А), нанесенных на полиэтилентерефталат и политетрафторэтилен, а также исходных подложек, подвергнутых различной обработке, была показана возможность наноструктурирования поверхности и получения полимеров с заданными рельефными характеристиками поверхности.

2. Нанесение покрытия, в первый момент времени, приводит к сглаживанию микронеровностей поверхности (шероховатость уменьшается), при дальнейшем росте толщины пленки высота неровностей увеличивается, при этом диаметр конгломератов остается примерно одинаков, однако при достижении некоторой толщины размер зерна увеличивается.

3. Предварительная обработка поверхности подложки с помощью CF4 приводит к различному действию: уменьшению шероховатости исходной поверхности для полиэтилентерефталата и увеличению шероховатости для политетрафторэтилена. При этом при достаточно длительной обработке поверхность после нанесения покрытия имеет большую шероховатость, чем без предварительной обработки. Увеличение длительности предварительной обработки увеличивает шероховатость поверхности, получаемой после осаждения покрытия.

4. Предварительное нанесение на подложку слоя AI2O3 позволяет получать поверхность с сильно развитым рельефом. Шероховатость поверхности при этом увеличивается почти в 100 раз по сравнению с пленкой, наносимой непосредственно на поверхность.

5. Исследование поверхности тонкопленочных покрытий, полученных с помощью установок магнетронного и плазменно-дугового осаждения в вакууме, показало возможность применения методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики режимов работы промышленного оборудования.

6. Сравнение покрытий, полученных на установках УВН-4М и УВН-4ЭД, показало структурную разницу покрытий, при этом покрытия, наносимые с помощью установки УВН-4ЭД отличаются значительно большим уровнем шероховатости (значения шероховатости отличаются более чем 40 раз), зернистость покрытия из алюминия значительно больше, нежели у покрытия из титана.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

С помощь методов СЗМ проведен комплексный анализ поверхностей материалов криогенной и вакуумной техники (сорбентов, тонкопленочных покрытий, трековых мембран) для определения влияния на их структуру различного рода факторов и получены следующие результаты:

1. На основе фрактального анализа поверхностей, различающихся по различным параметрам (по марке, материалу, методу и режиму создания рельефа поверхности, воздействию в процессе эксплуатации), была показана применимость фрактальной размерности для диагностики изменений, произошедших в структуре поверхности в результате инженерии (модификации с целью придания ей заданных свойств) или же в процессе эксплуатации.

2. В связи с тем, что для разных марок сорбентов значения фрактальной размерности близки, т. е. степень разветвленности рельефа поверхности примерно одинакова, то для сопоставления с сорбционными характеристиками требуютс ся также другие данные о поверхности.

3. На основе комплексного анализа топографии поверхности образцов активированного угля, подвергнутых различного рода воздействию (экспозиции в тритии, дейтерии, термоциклированию, прогреванию при откачке), проведенного в диапазоне размеров от 80 нм до 100 мкм, было показано, что данными методами влияние деструктивных факторов на активированные угли не обнаружено.

4. На основе систематических экспериментальных результатов был осуществлен подбор уравнения для криосорбции 4Не на криослоях. Показано, что уравнение Дубинина-Радушкевича-Каганера является наилучшим для использования, хорошо описывает экспериментальные данные также уравнение теории объемного заполнения микропор при степени п= 1, кроме того, для описания изотерм адсорбции можно применять эмпирическое уравнение Фрейндлиха.

5. Разработан алгоритм на базе метода статистических испытаний пробной частицы, позволяющий моделировать структуру криослоев и определять характер изменения их основных характеристик (плотности, удельной поверхности, размеров кристаллитов) в зависимости от толщины криослоя. Показано уменьшение удельной сорбционной емкости при увеличении толщины покрытия, что совпадает с данными, полученными из экспериментов.

6. Для полимерных трековых мембран на основе данных микроскопического исследования образцов с размерами пор 0,2 и 1,8 мкм и толщиной 23 и 3 мкм соответственно, показана возможность инженерии поверхности нанесением тонкопленочных покрытий из алюминия и на основе кремния. Уменьшение размеров пор происходит от 1,5 раз до полного заращивания (для разных образцов).

7. На основе микроскопического анализа поверхности углеродных пленок (толщиной от 100 до 1200 А), нанесенных на полиэтилентерефталат и политетрафторэтилен, а также исходных подложек, подвергнутых различной обработке, была показана возможность наноструктурирования поверхности и получения полимеров с заданными рельефными характеристиками поверхности. Опреде.

229 лено, что развитость рельефа поверхности при нанесении покрытия, а также проведении предварительной обработки подложки и нанесения вспомогательного покрытия, может увеличиваться при этом от 2 и до 50 раз. 8. Исследование поверхности тонкопленочных покрытий, полученных с помощью установок магнетронного и плазменно-дугового осаждения в вакууме, показало возможность применения методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики режимов работы промышленного оборудования. Качества покрытия, полученных на установке УВН-4М, может значительно ухудшаться по мере удаления от центра подложки. Сравнение покрытий показало структурную разницу покрытий, при этом покрытия, наносимые с помощью установки УВН-4ЭД отличаются значительно большим уровнем шероховатости (значения шероховатости отличаются более чем 40 раз), зернистость покрытия из алюминия значительно больше, нежели у покрытия из титана.

Автор выражает глубокую признательность научному руководителю профессору Нестерову С. Б. за постановку задачи и постоянную помощь в работе, научному консультанту д.т.н. Кеменову В. Н. и д.т.н. Саксаганскому Г. Л. за постоянный интерес к работе и консультации, к.т.н. Андросову А. В. и к.т.н. Васильеву Ю. К. за помощь в проведении вычислений, к.т.н. Качалину Г. В. и Тер-Арутюнову Б.Г. за помощь в проведении исследований на оптическом микроскопе Axiovert 25 СА, д.т.н. Алексенко А. Г., к.т.н. Патрикееву JI.H., Кузькину В. И. за помощь в проведении исследований на установке «Луч-2», к.т.н. Филатову Д. О. и Гущиной Ю. Ю. за помощь в проведении исследований на микроскопе ТМХ-2100 «Ассигех».

Показать весь текст

Список литературы

  1. Новые материалы. / Колл. авторов. Под ред. Ю. С. Карабасова. — М.:МИСИС. -2002.-736 с.
  2. А.Н. Интерферометры. М., 1952.
  3. М. Фазово-контрастный и интерференционный микроскопы. Пер. с франц.-М., 1960.
  4. Люминесцентный анализ. / Сб. статей под редакцией М.А. Константиновой-Шлезингер. — М., 1961.
  5. Э. Автоионная микроскопия. // Успехи физических наук. -1967. -Т. 92.-Вып. 2.-С. 293.
  6. Ю.А., Озеров Р. П. Магнитная нейтронография. М., 1966.
  7. Г., Кокрен В. Определение структуры кристаллов. Пер. с англ. М., 1961.
  8. Г. Б., Порай-Кошиц М.А. Рентгеноструктурный анализ. М., 1964.
  9. А. Рентгенография кристаллов. Пер. с франц. М., 1961.
  10. Я.С. Рентгенография металлов и полупроводников. М., 1969.
  11. .М., Лютцау В. Г., Ханонкин А. А. Рентгенографические методы исследования структурных несовершенств и дефектов решетки в кристаллических материалах. // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1971. -Вып. 9.-С. 3−35.
  12. Ю.П. Фазовая рентгенография. М., 1974.
  13. В.Г. Рентгеновская теневая микроскопия включений, неоднородности состава зерен и примесей по их границам. // Заводская лаборатория. -1959.-Т. 25.-С. 3.
  14. .К. Структурная электронография. М., 1956.
  15. Р.В. Как исследуют расположение атомов в поверхностных слоях твердых тел. // Соросовский образовательный журнал. 1997. — № 7. — С. 103−108.
  16. Ведринский Р.В. EXAFS-спектроскопия новый метод структурного анализа. // Соросовский образовательный журнал. — 1996. — № 5. -С. 80−84.
  17. А.В. От спектроскопии EXAFS к спектроскопии XANES: новые возможности исследования материи. // Соросовский образовательный журнал.- 1998.-№ 12.-С. 101−104.
  18. В.Г. Прецизионный рентгеноструктурный анализ кристаллов. // Соросовский образовательный журнал. 2000. — Т. 6. — № 6. — С. 98−104.
  19. В.П. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. // Соросовский образовательный журнал. 1999. — № 2. — С. 110−116.
  20. В.Г., Попов Ю. В., Смирнов Ю. Ф. Электронная импульсная спектроскопия атомов, молекул и тонких пленок. // Успехи физических наук. -1999. Т. 169. -№ 10. — С. 1112−1139.
  21. С.С. Оже-электронная спектроскопия. // Соросовский образовательный журнал. 2001. — Т. 7. — № 2. — С. 82−88.
  22. В.И. Резонансные методы исследования вещества. // Соросовский образовательный журнал. 1997. — № 9. — С. 86−90.
  23. В.К. Ядерный магнитный резонанс. // Соросовский образовательный журнал. 1996.-№ 10.-С. 70−75.
  24. О.А. Нелинейная оптика поверхности металлов и полупроводников. // Соросовский образовательный журнал. 2000. — Т. 6. — № 12. — С.71−78.
  25. С. И. Микроскоп на поверхностных плазмонах. //Соросовский образовательный журнал. 1999. — № 8. — С. 76−82.
  26. Г., Рорер Г. Сканирующая туннельная микроскопия — от рождения к юности — Нобелевские лекции по физике 1996. УФН, т. 154 (1988), вып.2, с. 261−278
  27. С. Б., Зилова О. С. Сканирующая зондовая микроскопия (обзор). // «Вестник МЭИ». -М.: МЭИ. 2003 (принято к публикации).
  28. А.А., Чижик С. А. Сканирующие зондовые микроскопы. // Материалы, технологии, инструменты. 1997. — № 3. — С. 78- 89.
  29. М. О., Яминский И. В. Сканирующая зондовая микроскопия: основные принципы, анализ искажающих эффектов.
  30. П. А., Толстихина A. JL Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть I. // Микроэлектроника. 1999 — Т. 28. — № 6. — С. 405−414.
  31. П. А., Толстихина A. JI. Атомно-силовой микроскоп — универсальное средство измерения физических величин в мезоскопическом диапазоне длин. // Датчики и Системы. ИКА.- 2000 -№ 4. С. 39−48.
  32. Д. О., Круглов А. В., Гущина Ю. Ю. Методы сканирующей зондо-вой микроскопии: Учеб. пособие. Н. Новгород: Изд. ННГУ, 2001 — 33 с.
  33. А. А., Овчинников Д. В., Бухараева А. А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор). // Заводская лаборатория. 1997. — № 5. — С. 10−27.
  34. А. А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии (обзор). // Заводская лаборатория. 1994. — Т. 60. — № 10. -С. 15−25.
  35. Д. Б., Ключник А. В., Лозовик Ю. Е. Теория сканирующей емкостной микроскопии. // Физика твердого тела. 2000. — Т. 42, вып. 2. — С. 361 366.
  36. Г. В. Нанотрибология: экспериментальные факты и теоретические модели. // Успехи физических наук. Июнь 2000. — Т. 170. — № 6. — С. 585 618.
  37. Сканирующая зондовая микроскопия биополимеров. / Под ред. И.В. Ямин-ского. М.: Научный мир, 1997. — 87 с.
  38. Howland R., Benatar L. A practical guide to scanning probe microscopy. // Park Scientific Instruments. 1996.
  39. Исследование поверхности твердых тел методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Описание лабораторной работы. / Сост. Д. О. Филатов, А. В. Круглов. Н. Новгород: НОЦ СЗМ Нижегородского государственного университета, 2001. — 22 с.
  40. Д. И. Вакуумная микроэлектроника. // Соросовский образовательный журнал. 1997. — № 4. — С. 58−64.
  41. В. Г. Современные приложения сканирующей туннельной микроскопии для анализа и модификации поверхности. // Соросовский образовательный журнал.-2001.-Т. 7. — № 5.-С. 110−116.
  42. Лабораторная работа № 2. Освоение методики работы на сканирующем туннельном микроскопе (СТМ). // Институт нанотехнологий Международного Фонда Конверсии. 2001. — 18 с.
  43. Р. 3. Сканирующая туннельная микроскопия новый метод изучения поверхности твердых тел. // Соросовский образовательный журнал. -2000. — Т. 6. — № 11. — С. 83-89.
  44. Hamers R.J., Tromp R.M., Demuth J.E. Surface electronic structure of Si (lll) -(7×7) resolved in real space. // Phys. Rev. Lett. 1986. — V.56. — P. 1972.
  45. Исследование топографии поверхности твердых тел методом атомно-силовой микроскопии в неконтактном режиме. Описание лабораторной работы. / Сост. Д. О. Филатов, А. В. Круглов, Ю. Ю. Гущина. Н. Новгород: Изд. ННГУ, 2001.-22 с.
  46. П. А., Толстихина A. JI. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть И. // Микроэлектроника. 2000 — Т. 29. — № 1. — С. 13−22.
  47. П. А., Толстихина A. JI. Конструктивные и электрофизические характеристики датчиков силы в атомно-силовой микроскопии. // Микроэлектроника. 1998 — Т. 27. — № 4. с. 304−316.
  48. NT-MDT Co. Catalog-2001. Zelenograd Research Institute of Physical Problem, Moscow, Russia. — 31 p.
  49. Г. В., Кясов А. А. Электромагнитные флуктуационно-диссипативные силы между нанозондом и поверхностью. // Физика твердого тела. 2001. -Т.43, вып. 3. — С. 536−542.
  50. В. Н., Арутюнов П. А. Нормативная документация в области метрологических характеристик поверхности твердого тела при измерениях в сканирующей зондовой микроскопии. // Автоматизация и современные технологии. 2002. -№ 7. — С. 27−34.
  51. П. А., Толстихина А. Л., Демидов В. Н. Система параметров для анализа шероховатости и микрорельефа поверхности материалов в сканирующей зондовой микроскопии. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов 1999. — Т. 65. — № 9. — С. 27−35.
  52. А. И., Флат А. Я. Использование концепции фрактала в физике конденсированной среды. // Успехи физ. наук. 1993. — Т. 163. — № 12. — С. 150.
  53. А.Д. Введение в теорию фракталов. Москва-Ижевск: Институт компьютерных исследований, 2002. — 160 с.
  54. Е. Фракталы.- М.: Мир, 1991.
  55. Пайтген Х.-О., Рихтер П. X. Красота фракталов. Образы комплексных динамических систем. Пер. с англ.-М.: Мир, 1993.
  56. Фракталы в прикладной физике./ Под. общ. ред. А. Е. Дубинова.- Арзамас: ВНИИЭФ, 1995.
  57. Hobson J.P. Theoretical isotherms for physical adsorption at pressures below Ю"10 torn- J. Vac. Sci. Technol., vol. 3, № 5, pp.281−284.
  58. Hobson J.P. Analysis of ultrahigh vacuum isotherm data with the Brunauer-Emmett- Teller equation. J. Vac. Sci. Technol. A, voll4, no. 3, May/Jun 1996, pp 1277−1280.
  59. Hobson J.P. Calculated physical adsorption isotherm of neon and radon on a heterogeneous surface J. Vac. Sci. Technol. A, vol. 15, no. 3, May/Jun 1997, pp 728−730.
  60. Hobson J.P. Physical adsorption isotherm extending from ultrahigh vacuum to vapor pressure., J. Phys. Chem. 73, 2720 (1969).
  61. Wallen E. Adsorption isotherms of H2 and mixtures of H2, CH4, CO, and C02 on copper plated stainless steel at 4.2 K- J. Vac. Sci. Technol. A, vol. 14, no. 5, Sep/Oct 1996, pp 2916−2929.
  62. M. Г. Новый метод определения удельной поверхности адсорбентов и других мелкодисперсных веществ. // Ж. физ. Химии. 1959. — Т. 33. — № 10. -С. 2202−2210.
  63. С.Б. Криосорбция изотопов гелия. Физические особенности и практические приложения. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. Москва, МЭИ, 2000,420 с.
  64. С.Б., Крюков А. П. Откачка гелия и водорода слоями сконденсированных газов. // Вакуумная техника и технология. 1994. — Т.4. — № 4. — С. 323.
  65. А. М., Марфенина И. В., Микулин Е. И. Криогенные системы: Основы теории и расчета. М.: Машиностроение, 1988.
  66. Н. В. Основы адсорбционной техники.-М.: Химия, 1984.
  67. Е. Н. Промышленная адсорбция газов и паров М.: Высш. Школа, 1969.
  68. Р. Криовакуумная техника. Пер. с нем.-М.: Энергоатомиздат, 1983.
  69. М.М. Адсорбция и пористость. (Учебное пособие) М.: Изд. ВАХЗ, 1972.
  70. С. Б., Зилова О. С. Об уравнении изотерм сорбции гелия на криос-лоях азота и аргона. // Материалы Седьмой научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника». -М.: МГИЭМ. 2000. — С. 128−134.
  71. С. Б., Зилова О. С. Уравнения изотерм сорбции гелия на криослоях азота и аргона. // Тезисы докладов VIII Международной студенческой школы- семинара «Новые информационные технологии». М.: МГИЭМ. — 2000. -С. 158.
  72. О. С. Исследование процесса сорбции в условиях низких температур и высокого вакуума. // Тезисы докладов XXVII Международной молодежной научной конференции «Гагаринские чтения». М.: МАТИ. — 2001. — Т. 6. -С. 63.
  73. С. Б., Зилова О. С. Изотермы сорбции гелия-4 на криослоях азота иаргона. // Proceedings of 5th International Conference «Vacuum Technologies and237
  74. Equipment». Kharkov: NSC «Kharkov Institute of Physics and Technology».2002. P. 35−42.
  75. С.Б., Зилова О. С., Андросов А. В. Моделирование роста криослоев. // Proceedings of 6th International Conference «Vacuum Technologies and Equipment». Kharkov: NSC «Kharkov Institute of Physics and Technology». — 2003. -P. 26−29.
  76. С. Б., Зилова О. С. Фрактальный рост криослоев. // Тезисы докладов IX Международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика». М.: МЭИ.2003.-С. 26.
  77. А.В., Андросов А. В., Зилова О. С., Нестеров С. Б. Анализ роста криослоев. // Материалы X научно-технической конференции «Вакуумная наука и техника». -М.:МГИЭМ.-2003.-Т. 1.-С. 161−164.
  78. Ю. Д. Дендриты, фракталы и материалы. // Соросовский Образовательный Журнал. 1998. — № 11с. 96−102.
  79. И.В., Калинин Ю. А., Стогней О. В. Новые направления физического материаловедения: Учебное пособие. — Воронеж: Изд. ВГУ, 2000. -360 с.
  80. М.С. Металлокластеры. // Соросовский образовательный журнал. -1999.-№ 5.-С. 54−59.
  81. О.М. Наглядное моделирование фрактальных структур. // Успехи физических наук.-1995.-Т. 165.-№ 9. -С. 1095−1097.
  82. А.Д. Медленный электрический пробой вдоль поверхности полимерных диэлектриков. // Соросовский Образовательный Журнал. — 1997. -№ 4.-С. 79−82.
  83. .М. Физика фрактальных кластеров.- М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1991.
  84. Witten Т.А., Sander L.M. Diffusion-Limited Aggregation, a Kinetic Critical Phenomenon. // Phys. Rev. Lett. 1981. — V. 47. — P. 1400−1403.
  85. M.J. // J. Colloid and Interface Sci. 1959 — V. 14. — P. 168.
  86. M.J. // J. Colloid and Interface Sci. 1963 — V. 18. — P. 684.
  87. Sutherland D.N.// J. Colloid and Interface Sci. 1966 — V. 22. — P. 300.
  88. A.B., Никитин A.B. Анализ генерации фрактальных структур, полученных методом Виттена-Сандера.
  89. Botet R., Jullien R., Kolb M. Gelation in Kinetic growth models. // Phys. Rev. -1984, Ser. A. V. 30. — P. 2150−2152.
  90. R., Kolb M. // J. Phys. 1984, Ser. A. — V. 17. — P. L639.
  91. Brown W.D., Ball R.C.//J. Phys.- 1985, Ser. A.-V. 18.-P.L517.
  92. Richter R. et al. // Bull. Am. Phys. 1983. — V. 28. — P. 261.
  93. L .M., С heng Z .M., R ichter R. D iffusion-limited a ggregation in three d i-mensions. // Phys. Rev. 1983, Ser. В. — V. 28. — P. 6394−6396.
  94. Garik P. Anisotropic growth of diffusion-limited aggregates. // Phys. Rev. 1985, Ser. A. — V. 32. — P. 1275−1278.
  95. R., Kolb M., Botet R. // J. Phys. (Paris). 1984. — V. 45. — P. L211.
  96. Jullien R., Kolb M. Unified Description of Static and Dynamic Scaling for Kinetic Cluster Formation. // Phys. Rev. Lett. 1984. — V. 53. — P. 1653−1656.
  97. Kim S.G., Brock J.R. Growth of Ferromagnetic Particles from Cation Reduction by Borohydride Ions. // J. Colloid and Interface Sci. 1986 — V. 116. — P. 431−443.
  98. Влияние формы и агрегации частиц серебра на усиление спектров комбинационного рассеяния и второй гармоники. /Акимов И.А., Баранов А. В., Дубнов В. М., Петров В. И., Сулабе Е. А. // Оптика и спектроскопия. 1987. — Т. 63.-Вып. 6.-С. 1276−1279.
  99. Meakin P. The effects of rotational diffusion on the fractal dimensionality of structures formed by cluster-cluster aggregation. // J. Chem. Phys. 1984. — V. 81. — P. 4637−4639.
  100. Meakin P. Effects of cluster trajectories on cluster- cluster aggregation: A com-parision of linear and Brownian trajectories in two-and three dimensional simulation. // Phys. Rev. — 1984, Ser. A. — V. 29. — P. 997.
  101. Miyasima M., Meakin P., Family F. Aggregation of oriented anisotropic particles. //Phys. Rev. 1987, Ser. A.-V.36.-P. 1421−1427.
  102. F. // Computer Simulation Studies in Condensed Matter Physics / Ed. By D.R. Landau, K.K. Mon, H.B. Schuttler. Berlin.: Springer-Verlag, 1988. — P. 65.
  103. Family F., Meakin P. Scaling of the Droplet-Size Distribution in Vapor-Deposited Thin Films. // Phys. Rev. Lett. 1988. — V. 61. — P. 428−431.
  104. Helgesen G., Skjeltorp A.T., Mors P.M. et al. Aggregation of Magnetic Microspheres: Experiments and Simulations. // Phys. Rev. Lett. 1988. — V. 61. — P. 1736−1739.
  105. Eriksson A.B., Johnson M. Scaling law for aggregates of magnetic particles. // Phys. Rev. Lett. 1989. — V. 62. — P. 1698.
  106. Meakin P., Jullien R. The effects of restructuring on the geometry of clusters formed by diffusion-limited, ballistic, and reaction-limited cluster-cluster aggregation. // J. Chem. Phys. 1988. — V. 89. — P. 246−250.
  107. Meakin P. The effects of random bond breaking on diffusion limited cluster-cluster aggregation. // J. Chem. Phys. 1985. — V. 83. — P. 3645−3649.
  108. Meakin P. Diffusion-controlled deposition on fibers and surfaces. // Phys. Rev. -1983, Ser. A. -V. 27. P. 2616−2623.
  109. Weitz D.A. et al. Dynamics of Diffusion-Limited Kinetic Aggregation. // Phys. Rev. Lett. 1984.-V. 53.-P. 1657−1660.
  110. Meakin P. Diffusion-controlled deposition on surfaces/ Cluster-size distribution, interface exponents, and other properties. // Phys. Rev. 1984, Ser. В. — V. 30. -P. 4207−4214.
  111. Devillard P., Stanley H.E. First-order branching in diffusion-limited aggregation. // Phys. Rev. 1987, Ser. A. — V. 36. — P. 5359−5364.
  112. Kolb M., Herrmann H.J. Surface fractals in irreversible aggregation. // Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 59. — P. 454−457.
  113. Meakin P. Diffusion-limited surface deposition in the limit of large anisotropy. // Phys. Rev. 1986, Ser. A. — V. 33. — P. 1984−1989.
  114. С. Б., Васильев Ю. К., Андросов А. В., Расчет сложных вакуумных систем. М.: Издательство МЭИ, 2001. — 180 с.
  115. МАГАТЭ. Workshop On Tritium Experience In Large Tokomak. Application to ITER, Princeton, March 1998, P. 16−18.
  116. А.И., Глаголев M.B., Саксаганский Г. Л. и др. Research Into Tritium Effect On Cryosorption Panel Models Under Condition Simulating The Operation Of Fusion Reactors High Vacuum Pumps. Book of abstract. Madrid, 2000, P. 91.
  117. С. Б., Зилова О. С. Определение фрактальной размерности поверхностей сорбентов. // Материалы VIII Научно-технической конференции сучастием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника». -М.: МГИЭМ. 2001. — С. 30−36.
  118. С. Б., Зилова О. С. Определение фрактальной размерности различных поверхностей. // Тезисы докладов IX Международной студенческой школы- семинара «Новые информационные технологии». М.: МГИЭМ. -2001.-С. 153.
  119. О. С., Нестеров С. Б. Исследование структуры поверхности поли-имидной пленки методами сканирующей зондовой микроскопии. // Тезисы докладов XXIX Международной молодежной научной конференции «Гага-ринские чтения». М.: МАТИ. — 2003. — С. 50.
  120. О. С., Кеменов В. Н., Нестеров С. Б. Подходы к изучению и описанию поверхности материалов, применяемых в вакуумной технике. // Материалы X Научно-технической конференции «Вакуумная наука и техника». -М.: МГИЭМ.-2003.- Т. 1.-С. 152−156.
  121. Г. Н., Барашенков B.C. Практические применения пучков тяжелых ионов.//Успехи физич. наук. 1974, т. 114, с. 351−373.
  122. Г. Н., Барашенков B.C., Самойлова Л. И., Третьякова С. П., Щего-лев В.А. К методике изготовления ядерных фильтров. // Деп. публ. ОИЯИ № Б1−14−8214. Дубна, 1974.
  123. Т.С., Гвоздев Б. А., Звара И. И. К вопросу об изготовлении ядерных фильтров. // Деп. публ. ОИЯИ № БЗ-14−8291. Дубна, 1974.
  124. С.П., Акапьев Г. Н., Барашенков B.C., Самойлова Л. И., Щего-лев В.А. Применение ионов аргона для изготовления ядерных фильтров. // Атомн. энергия. 1977, т. 42, с. 395−397.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!