Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Низкотемпературный транспорт в гетероструктурах на основе p-GaAs/Al0.5Ga0.5As при комбинированном воздействии освещения и одноосного сжатия

Диссертация: Низкотемпературный транспорт в гетероструктурах на основе p-GaAs/Al0.5Ga0.5As при комбинированном воздействии освещения и одноосного сжатия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы Результаты исследования, изложенные в диссертации, докладывались и обсуждались на 10-й (HPSP X, Великобритания, Гилфорд, 2002) и 11-й (HPSP XI, США, Беркли, 2004) Международных конференциях по физике полупроводников при высоких давленияхКонференции Европейского общества по физике высоких давлений (EHPRG'42 and COST Action D30 Meeting, Швейцария Лозанна, 2004) — 4-ой Международной… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Гетероструктуры на основе GaAs/AUGa^As
    • 1. 1. Молекулярно-лучевая эпитаксия
    • 1. 2. Схема образования квантовых ям и энергетический спектр двумерных дырок в гетероструктурах на основе GaAs/AIo.5Gao.sAs
      • 1. 2. 1. Образование квантовых ям в гетероструктурах p-GaAs/Alo.5Gao.5As и p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.jGao.5As
      • 1. 2. 2. Спектр 2D дырок в гетероструктурах p-GaAs/Alo.sGao.sAs и p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As
      • 1. 2. 3. Влияние одноосного сжатия на спектр 2D дырок
      • 1. 2. 4. Экспериментальное подтверждение развития анизотропии спектра 2D дырок в p-GaAs/Alo.sGaasAs

Низкотемпературный транспорт в гетероструктурах на основе p-GaAs/Al0.5Ga0.5As при комбинированном воздействии освещения и одноосного сжатия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В связи с появлением технологий (молекулярно-лучевая эпитаксия с применением модулированного и 5-легирования), позволяющих изготавливать эпитаксиальные структуры с точностью до моноатомных слоев, закономерно возрос интерес к структурам на основе GaAs/AlxGaj.xA.s. Такие гетероструктуры обладают замечательной особенностью: при большой разнице ширины запрещенных зон в GaAs и AlxGa-.xAs они имеют очень близкие параметры решетки, а также упругие и термические коэффициенты. Это позволяет избежать значительных напряжений на границе раздела и нежелательных граничных состояний. На данный момент существуют образцы с очень высокой подвижностью двумерных (2D) носителей порядка 106 см2/(В-с) при температурах жидкого гелия.

Поскольку гетероструктуры GaAs/AkGa^As находят широкое применение в оптоэлектронике, исследование их фотоэлектрических свойств является крайне важным. В настоящее время используются в основном гетероструктуры n-типа из-за более высокой подвижности 2D электронов. Однако I применение гетероструктур р-типа весьма перспективно для производства компактных детекторов инфракрасного диапазона. В то время как в гетероструктурах n-типа из-за квантово-механических правил отбора межзонных переходов нормально падающее излучение не поглощается [1, 2, 3], в структурах р-типа из-за квантово-механического смешивания состояний лёгких и тяжёлых дырок оптические переходы разрешены и для нормального падения света[4, 5]. Это обстоятельство существенно упрощает изготовление детекторов инфракрасного диапазона на материале р-типа [5], так как в этом случае не требуется изготовление на их поверхности специальной решетки, способствующей поглощению нормально падающего излучения.

Вообще говоря, оптическое возбуждение выводит систему из состояния равновесия, а исследование переходных процессов может дать информацию о присутствии глубоких примесных центров. В полупроводниковых структурах и приборах на основе GaAs при определенных условиях наблюдаются эффекты захвата носителей, обусловленные наличием глубоких примесей и дефектов.

Эффекты захвата проявляются во всех транзисторах, диодах и источниках света на основе GaAs. Было показано, что глубокие донорные центры в n-AlxGa-.xAs оказывают сильное влияние (вызывают гистерезис) на вольт-фарадные характеристики полевых транзисторов [6]. Явления захвата на глубокие уровни могут стать доминирующими при низких температурах. В GaAs они выражены ярче, чем в приборах на основе Si или Ge, поскольку GaAs является более широкозонным и, кроме того, бинарным полупроводником. Наиболее ярким проявлением эффектов захвата является связанная с глубокими DX-центрами задержанная фотопроводимость в GaAs/AJ^GajAs: Si.

В большинстве случаев именно наличие глубоких центров того или иного типа придает полупроводнику (полупроводниковой структуре) желаемые или, наоборот, нежелательные свойства. Поэтому с изучением глубоких центров (их физико-химической природы, энергетической структуры, свойств и методов контролируемого введения) во многом связано решение основной задачи полупроводникового материаловедения — создание полупроводниковых, материалов и приборов с заданными свойствами.

Оптические и транспортные свойства гетероструктур в значительной степени определяются наличием гетерограницы. В то время как методики эпитаксиального роста позволяют выращивать отдельные слои гетероструктуры практически без дефектов, на гетерогранице часто аккумулируются электронные и дырочные ловушки[7, 8]. Поверхностные состояния на гетерогранице или глубокие уровни, связанные с дефектами вблизи гетерограницы, привлекают внимание исследователей своим влиянием на характеристики устройств, изготовленных с применением гетероструктур[9, 10].

В гетероструктурах возникновение дефектов может быть связано именно с наличием гетерограницы. Например, на границе двух материалов, имеющих сходную структуру, но отличающихся постоянными решеток, образуется сетка дислокаций, которые называются дислокациями несоответствия. Однако в случае GaAs/AJ^Ga/.^As различие постоянных решеток материалов слишком мало для возникновения таких дислокаций в обычно используемых слоях до 200 нм [11, 12]. В гетероструктурах Al^Ga/.^As/GaAs появление глубоких уровней может быть связано также с эффектами сегрегации и диффузии примеси [13, 14]. Наличие инвертированной гетерограницы в случае, когда слой GaAs напыляется методом молекулярно-лучевой эпитаксии на слой A^Ga^As также увеличивает вероятность появления различных дефектов [15, 16].

На данный момент в отличие от материалов n-типа на основе GaAs проблема глубоких уровней в материалах р-типа недостаточно хорошо изучена. Как это имеет место в случае глубоких DX-центров и ряда других глубоких ловушек, именно характер фотопроводимости часто отражает их наличие в исследуемом материале. Поэтому данная работа посвящена всестороннему исследованию и анализу гетероструктур GaAsMJo.5Gao.5As р-типа на предмет возможного существования вблизи гетерограницы глубоких уровней, наличием которых можно объяснить обнаруженные в настоящей работе явления: 1) термоактивированную отрицательную фотопроводимость в одиночных гетероструктурах GaAsMJo.5Gao.5As р-типа, существующую ниже 6 — 10 К- 2) отрицательную и положительную задержанную фотопроводимость в двойных гетероструктурах p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As, которые также проявляются только в области температур ниже 100 К.

Актуальность диссертационной работы определятся тем, что поставленная в ней цель направлена на поиск моделей, объясняющих обнаруженные в ней новые эффекты низкотемпературной фотопроводимости с привлечением новейших представлений о глубоких центрах и кинетике захвата на них носителей заряда. С этой точки зрения она имеет как фундаментальное, так и важное прикладное значение, если учесть широкое использование гетероструктур на основе GaAs/Al^Ga 1 .хAs в современной оптоэлектронике.

Цель работы В настоящей работе обнаружены новые явления термоактивированной отрицательной фотопроводимости и положительной задержанной фотопроводимости, существующей в области низких температур в гетероструктурах на основе GaAs/Afo.sGao.sAs р-типа с акцепторной примесью Be в активном слое. Целью работы явилось построение и обоснование модели наблюдаемых явлений, в основе которой предполагается наличие глубоких ловушек вблизи гетерограницы. Общая задача настоящей работы состояла во всестороннем исследовании транспортных свойств гетероструктур на основе p-GaAs/Alo.sGao.sAs в условиях существования отрицательной и положительной фотопроводимости как при атмосферном давлении, так и при одноосном сжатии.

Для достижения поставленной цели в работе решаются следующие конкретные задачи:

1) Исследование эффекта отрицательной фотопроводимости в p-GaAs/Alo.sGao.sAs при 1.7 К при освещении с переменной интенсивностью и различными длинами волн в красном и инфракрасном диапазонах.

2) Исследование температурных зависимостей сигнала Холла и сопротивления для определения концентрации и подвижности 2D дырок в квантовой яме в условиях существования отрицательной термоактивированной фотопроводимости у гетероструктур p-GaAs/Alo.sGao.sAs (освещение красным светодиодом с энергией фотона 1.96 эВ при температурах 1.7 -ИО К).

3) Изучение переходных процессов в p-GaAs/Alo.sGao.jAs после выключения освещения: релаксации концентрации 2D дырок к темновому состоянию.

4) Исследование влияния одноосной деформации на все исследуемые транспортные свойства у p-GaAs/Alo.jGao.sAs в состоянии отрицательной фотопроводимости.

5) Исследование транспортных свойств 2D дырок в двойной гетероструктуре p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As при освещении красным светодиодом в широком интервале температур 1.7 — 200 К.

6) Из анализа характерных особенностей концентрации и подвижности 2D дырок в условиях низкотемпературной фотопроводимости в исследуемых гетероструктурах создать адекватную модель наблюдаемых явлений.

Научная новизна работы и положения, выносимые на защиту. В настоящей работе исследованы транспортные свойства гетероструктур на основе p-GaAs/Alo.5Gao.5As при освещении в красном и инфракрасном диапазоне и температурах 1.7 -г- 20 К как при атмосферном давлении, так и в условиях одноосного сжатия, а также изучены переходные процессы после выключения освещения. Исследована также отрицательная и положительная задержанная фотопроводимость в двойных гетероструктурах p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As в интервале температур 1.7 -s- 200 К.

В результате проведенных исследований в работе впервые:

1) Обнаружен термоактивационный характер отрицательной фотопроводимости в гетероструктурах p-GaAs/Alo.sGao.sAs, существующей ниже 6 К. Определена пороговая длина волны света Я = 750 нм, вызывающего явление отрицательной фотопроводимости.

2) Исследованы транспортные свойства (концентрация и подвижность) 2D дырок на гетерогранице p-GaAs/Alo.sGao.sAs в условиях отрицательной термоактивационной фотопроводимости как при нормальном давлении, так и при одноосном сжатии до 4.6 кбар в интервале температур 1.7−1-20 К. Обнаружено, что приложение одноосного сжатия сильно увеличивает эффект термоактивации.

3) Показано, что отрицательная термоактивационная фотопроводимость в гетероструктурах p-GaAs/Alo.5Gao.sAs хорошо описывается в модели глубоких донороподобных центров с малой величиной термоактивационного барьера, расположенных в спейсере на расстоянии 10 н- 50 нм от гетерограницы. Согласно проведенному анализу, такими глубокими центрами наиболее вероятно являются диффундирующие из активного слоя межузельные атомы Be-.

4) Из температурной зависимости концентрации 2D дырок в квантовой яме в условиях отрицательной фотопроводимости, определена величина термоактивационного барьера Ев = 3 ± 0.5 мэВ, препятствующего возврату неравновесного электрона на ионизованный глубокий донороподобный уровень. Показано, что переходный процесс из состояния отрицательной фотопроводимости также описывается в модели с глубокими донороподобными центрами, а величина Ев = 2 ± 0.3 мэВ практически совпадает со значением, определенным из температурной зависимости концентрации 2D дырок.

5) Установлено, что в пределах ошибки эксперимента ± 0.5 мэВ величина термоактивационного барьера не меняется при одноосном сжатии, тогда как сильное влияние последнего на термоактивационную отрицательную фотопроводимость связан с падением концентрации и подвижности 2D дырок.

6) Обнаружен эффект задержанной положительной фотопроводимости после освещения красным светодиодом при гелиевой температуре гетероструктуры p-Alo.jGao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As. Задержанная долгоживущая фотопроводимость, характерная для материалов n-типа, в гетероструктурах р-типа наблюдалась впервые. Исследована холловская концентрация 2D дырок в этой структуре в интервале температур 4.2 4- 200 К как под освещением, так и после его выключения. Предполагается, что данный эффект обусловлен электронными ловушками с термоактивационным барьером Ев = 22 ± 2 мэВ, расположенными вблизи инвертированной гетерограницы.

Практическая ценность работы Обнаружение и анализ термоактивационной низкотемпературной отрицательной фотопроводимости в гетероструктурах на основе p-GaAs/AlxGa-.xAs:Be представляет не только фундаментальный, но и конкретный практический интерес для материаловедения. Показано, что это явление объясняется возникновением вблизи гетерограницы дефектов, которыми являются, скорее всего, диффундирующие из активного слоя атомы бериллия. Это ограничивает применение материалов Ga As/AUGaу As р-типа, легированных бериллием, в оптоэлектронике, если они используются при низких температурах, например, в космической аппаратуре.

Апробация работы Результаты исследования, изложенные в диссертации, докладывались и обсуждались на 10-й (HPSP X, Великобритания, Гилфорд, 2002) и 11-й (HPSP XI, США, Беркли, 2004) Международных конференциях по физике полупроводников при высоких давленияхКонференции Европейского общества по физике высоких давлений (EHPRG'42 and COST Action D30 Meeting, Швейцария Лозанна, 2004) — 4-ой Международной конференции «Наномитинг-2001» (Белоруссия, Минск, 2001) — Международном симпозиуме «Физика и технология наноструктур» (Санкт-Петербург, 2002) — 33-м Всероссийском совещании по физике низких температур (Екатеринбург, 2003) — 2-ой Международной конференции по материаловедению и физике конденсированного состояния (Молдова, Кишинев, 2004) — Международной конференции студентов-физиков (Дания, Оденсе,.

2003) — на 3-й, 4-й и 6-й Всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2001, 2002, 2004 гг.) — Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов» (Россия, Москва, 2003) — 8-й (Екатеринбург 2002), 9-й (Красноярск, 2003) и 11-й (Екатеринбург 2005) Всероссийских научных конференциях студентов-физиков и молодых ученых.

Части данного исследования были отмечены премией 2-ой степени на 3-й Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Россия, Санкт — Петербург, 2001), а также дипломом 2-ой степени на 11-й Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Екатеринбург 2005).

Публикации Содержание работы опубликовано в 6-и статьях в отечественных и зарубежных научных журналах, а также в трудах 16 Всероссийских и Международных научных конференций.

Статьи в реферируемых журналах:

1) Kraak W., Minina N.Ya., Savin A.M., Ilievsky A.A., Berman I.V., Sorensen C.B. Persistent photoconductivity in p-type Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As heterostructures. Nanotechnology 12, pp.577−580 (2001).

2) Краак В., Минина Н. Я., Савин А. М., Ильевский А. А., Соренсен К. Б., Положительная задержанная фотопроводимость в двойных гетероструктурах Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As р-типа. Письма в ЖТФ 2Щ12), сс. 85−90 (2002).

3) Kraak W., Minina N.Ya., Ilievsky A.A., Sorensen C.B., Berman I.V. Thermoactivated conductivity in p-GaAs/Afo.sGao.sAs below 5K under combined influence of illumination and uniaxial stress. Phys.Stat.Sol.(b) 2350J, pp.390−395 (2003).

4) Berman I.V., Bogdanov E.V., Ilievsky A.A., Minina N.Ya., Kraak W. Pressure dependence of 2D hole mobility in thermoactivated photoconductivity effect observed in pGaAs/Afo.sGaasAs heterostructures. Phys.Stat.Sol.(b) 2Щ14), pp.3410−3415 (2004).

5) Н. Я. Минина, А. А. Ильевский и В. Краак «Термоактивационная отрицательная фотопроводимость ниже 6 К в гетероструктурах p-GaAs/Alo.sGaojAsвлияние одноосного сжатия». Письма в ЖЭТФ 82(10), 734−740(2005).

6) Н. Б. Брандт, Е. В. Богданов, А. А. Ильевский, В. Краак, Н. Я. Минина «Низкотемпературная фотопроводимость в квантовой яме p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As с нормальной и инвертированной гетерограницами», Вестник Московского университета (принято в печать).

Тезисы докладов на конференциях:

1) Kraak W., Minina N.Ya., Savin A.M., Ilievsky A.A., Berman I.V. Persistent photoconductivity in p-type Alo.5Gao.5As/GaAs/Ao.5Gao.5As heterostructures. -Proceedings of 9th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, June 18−22, 2001, pp. 499−501.

2) Александров C.C., Ильевский A.A., Минина Н. Я. Активационная проводимость в p-GaAs/Alo.5Gao.5As при комбинированном воздействии освещения и одноосной деформации, — Третья всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 5−8 декабря 2001 г., с. 42.

3) Minina N.Ya., Savin А.М., Ilievsky A.A., Bogdanov E.V., Sorensen C.B., Kraak W. Negative and persistent positive photoconductivity in p-type Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As. — Reviews and Short Notes to Nanomeeting-2001, Minsk, Belarus, May 22−25 2001, pp. 130−133.

4) Ильевский A.A., Минина Н. Я. Проявление термоактивационной проводимости в гетероструктурах p-GaAs/Alo.sGao.sAs под освещением. -Восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых. Тезисы докладов, Екатеринбург, 29 марта — 4 апреля 2002 г., с. 186−187.

5) Kraak W., Minina N.Ya., Savin A.M., Ilievsky A.A., Sorensen C.B., Berman I.V. Thermoactivated conductivity in p-GaAs/Alo.sGaasAs below 5 К under combined influence of illumination and uniaxial stress. — Tenth International Conference on High Pressure Semiconductor Physics. Great Britain, Guilford,.

August 5−8 2002, Abstracts, p. Th03.

6) Ильевский A.A., Минина Н. Я. Термоактивационная проводимость и глубокие уровни вблизи гетерограницы в p-GaAs/Afo.sGao.sAs. -Четвертая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 3−6 декабря 2002 г., с. 28.

7) Краак В., Богданов E.B., Минина Н. Я., Ильевский А. А., Соренсен К. Б. Фотоиндуцированная термоактивируемая проводимость в р-GaAs/Alo.5Gao.5As ниже 5 К при одноосном сжатии. — В сб.: 33 Всероссийское совещание по физике низких температур. Тезисы докладов секций S и N: «Сверхпроводимость» и «Наноструктуры и низкоразмерные системы» .Екатеринбург, 17−20 июня 2003, с.226−227.

8) Minina, N.Ya., Ilievsky А.А. Negative photoconductivity in p-GaAs/Alo.sGao.jAs below 5K under illumination and uniaxial stress. -International Conference for Physical Students. Conference Handbook. Odence, Denmark. 7−14 of August 2003, pp.44−45.

9) Ильевский A.A., Минина Н. Я. «Отрицательная фотопроводимость в p-GaAs/Alo.sGao.sAs гетероструктурах при температурах ниже 5 К». Тезисы докладов секции «Материаловедение» международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов», Москва, Россия, 15−18 апреля 2003 г., часть 2, стр. 417.

10) Ильевский А. А., Минина Н. Я. Долговременные релаксационные процессы в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs, индуцированные освещением при температуре ниже 5.5 К. — Девятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых. Сборник тезисов, Красноярск, 28 марта — 3 апреля 2003 г., т. 1, с. 163−164.

11) Minina N.Ya., Bogdanov E.V., Savin A.M., Ilievsky A.A., Polyanskiy A.V.

Magnetic breakdown in 2D hole system at GaAs/Alo.jGao.sAs heterointerface. i.

— Abstracts. 2 Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics. Chisinau. Moldova. September 21−26, 2004, p.217.

12) Bogdanov E.V., Ilievsky A.A., Kraak W., Minina N.Ya. Photoconductivity in pGaAs/Alo.jGaasAs and deep donor like states at the heterointerface. -Abstracts. 2nd Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics. Chisinau. Moldova. September 21−26, 2004, p.223.

13)Berman I.V., Bogdanov E.V., Ilievsky A.A., Minina N.Ya., Kraak W. Pressure dependence of 2D hole mobility in thermoactivated photoconductivity effect observed in pGaAs/Alo.5Gao.5As heterostructures. Abstracts of HPSP XI, August 2−5, 2004, Berkeley, USA, p. 84.

14) Kraak W., Savin A.M., Minina N., Ilievskiy A. Transformation of 2D hole Fermi surface and magnetic breakdown in pGaAs/Alo.sGao.sAs heterostructures under uniaxial stress. — Abstractrs of EHPRG'42 and COST AcionD30 Meeting, Lausanne, Switzerland, September 1−4, 2004, p.53.

15) Ильевский А. А., Минина Н. Я. О глубоких уровнях с малой величиной термоактивационного барьера вблизи гетерограницы GaAs/AlGaAs. -ВНКСФ-10, Сборник тезисов, 1−7 апреля 2004, Москва, ч.1, сс.423−425.

16) Ильевский А. А., Зайцев А. Н., Минина Н. Я. Глубокие уровни в гетероструктурах p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As. — Шестая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 6−10 декабря 2004 г., с. 82.

Основные выводы и результаты.

1. Впервые исследованы транспортные свойства (концентрация и подвижность) 2D дырок на гетерогранице p-GaAs/Alo.jGao.sAs, легированном акцепторной примесью Be, в интервале температур 1.7 -s- 20 К при комбинированном воздействии освещения и одноосного сжатия.

2. Обнаружен термоактивационный характер низкотемпературной отрицательной фотопроводимости в гетероструктурах p-GaAs/Alo.sGaasAs и показано, что она существует только ниже 6 К. Установлено, что данное явление наблюдается при облучении красным светом с длиной волны 650 нм, однако не возникает, если длина волны света больше 750 нм. Показано, что одноосное сжатие до 4.6 кбар сильно увеличивает эффект термоактивации в гетероструктурах p-GaAs/Alo.sGao.sAs.

3. Установлено, что эффект термоактивационной отрицательной фотопроводимости в р-Ga As/Alo. 5 Gao. 5 As хорошо описывается в рамках модели глубоких донороподобных ловушек вблизи гетерограницы, если введен термоактивационный барьер, препятствующий возврату возбужденной ловушки в основное состояние. Из температурной зависимости концентрации 2D дырок в квантовой яме в условиях отрицательной фотопроводимости определена величина термоактивационного барьера Ев- 3.0 ± 0.5мэВ. В пределах точности эксперимента не обнаружено влияние одноосного сжатия на величину Ев.

4. Впервые изучены релаксационные процессы из состояния отрицательной фотопроводимости к темновому у 2D дырок в квантовой яме на гетерогранице p-GaAs/Alo.sGao.sAs после выключения освещения при различных температурах и давлениях и проведен их анализ. Установлено, что наблюдаемые релаксационные процессы также описываются в рамках выбранной модели термоактивационной отрицательной фотопроводимости с термоактивационным барьером величиной Ев — 2.0 + 0.3 мэВ, что хорошо согласуется с величиной Ев полученной из температурной зависимости концентрации 2D дырок.

5. Проведен расчет подвижности 2D дырок в квантовой яме на гетерогранице p-GaAs/Alo.5Gao.jAs в рамках выбранной модели с глубокими донороподобными ловушками и показано, что основным механизмом рассеяния в условиях отрицательной фотопроводимости является рассеяние на ионизованных светом глубоких ловушках, которые согласно расчету находятся в спейсере на расстоянии 7 т 50 нм от гетерограницы и, предположительно, являются межузельными атомами Be, диффундирующими из активного слоя. Установлено, что сильное влияние одноосного сжатия на термоактивационную отрицательную фотопроводимость определяется не изменением термоактивационного барьера, а температурной зависимостью подвижности 2D дырок вследствие рассеяния на ионизованных ловушках и, в меньшей степени, барической зависимостью их концентрации.

6. Низкотемпературная термоактивационная отрицательная фотопроводимость была обнаружена также в двойной гетероструктуре p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.jAs, легированной Be в активном слое. Исследована температурная зависимость холловской концентрации 2D дырок в этой структуре в интервале 4.2 200 К как под освещением, так и после его выключения. В области температур 1.7 40 К из температурной зависимости концентрации 2D дырок под освещением определена энергия термоактивации отрицательной фотопроводимости 6 ± 0.9 мэВ, которая по аналогии с одиночной гетероструктурой p-GaAsMjo.5Gao.5As определяется глубокими донороподобными ловушками на гетерограницах.

7. У вышеупомянутой гетероструктуры p-Alo.5Gao.5As/GaAs/Alo.5Gao.5As с прямой и инвертированной гетерограницами обнаружено новое явлениевозникновение задержанной положительной фотопроводимости после освещения красным светодиодом при гелиевой температуре. Предполагается, что эффект положительной задержанной фотопроводимости связан с электронными ловушками, расположенными вблизи инвертированной гетерограницы. Из температурной зависимости концентрации дырок после выключения освещения в области 80 ч- 140 К определена энергия активации этих ловушек 22 ± 2 мэВ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. B.F. Levine, R.J. Malik, J. Walker, K.K. Choi, C.G. Bethea, D.A. Kleinman, J.M. Vanderberg «Strong 8.2 |дш infrared intersubband absorption in doped GaAs/AlAs quantum well waveguides», Appl. Phys. Lett 50(5), 273−275(1987)
  2. B.F. Levine, C.G. Bethea, G. Hasnain, J. Walker, R.J. Malik «High detectivity D* = l. OxlO10 cm (Hz)½AV GaAs/AlGaAs multiquantum well X = 8.3 im infrared detector.» Appl. Phys. Lett. 53(5), 296−298(1988)
  3. B.F. Levine, C.G. Bethea, G. Hasnain, V.O. Shen, E. Pelve, R.R. Abbott, S.J. Hsieh High sensitivity low dark current 10 цт GaAs quantum well infrared photodetectors, Appl. Phys. Lett. 56(9), 851−853 (1990)
  4. B.F.Levine, S.D. Gunapala, J.M. Kuo, S.S. Pei, S. Hui Normal incidence hole intersubband obsorption long wavelength GaAs/AlxGai-xAs quantum well infrared photodetector, Appl. Phys. Lett. 59(15), p. 1864−1866(1991)
  5. K.M.S.V. Bandara, B.F. Levine, J.M. Kuo «p-doped single-quantum-well infrared photodetector», Phys. Rev. В 48(11), p. 7999−8001(1993)
  6. Fischer, R, Drummond, T.J., Kopp, W., Morkoc, H., Lee, K., Shur, M.S. «Instabilities in modulation doped field-effect transistors (MODFETS) at 77-K.» Electronics Lett. 19, 789 791 (1983).
  7. J.S Rimmer, B. Hamilton, P. Dawson, M. Missous amd A.R. Peaker «Correlation between optical spectroscopy and capacitance-voltage profile simulation applied to interface states in multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures», J. Appl. Phys. 73, 5032 (1993)
  8. R. Fischer, G. Peter, E.O. Gobel, M. Capizzi, A. Frova, A. Fischer and K. Ploog «Hydrogen passivation of interface defects in GaAs/AlAs short-period superlattices», Appl. Phys. Lett. 60, 2788 (1992)
  9. S.R. McAfee, D.V. Lang, and W.T. Tsang «Observation of deep levels associated with the GaAs/AlxGaixAs interface grown by molecular beam epitaxy», Appl. Phys. Lett. 40, 520 (1982)
  10. K. Xie, C.R. Wie, J.A. Varriano and G.W.Wicks «Interface traps and interface recombination in AlGaAs/GaAs quantum well laser diodes», Appl. Phys. Lett 60, 428 (1992)
  11. B.C. Cooman and C.B. Carter «The accomodation of misfit at {100} heterojunctions in III-V compound semiconductors by gliding dissociateddislocations», Acta metall. 37, 2765(1989)
  12. E.F. Fitzgerald, G.P. Watson, R.E. Proano, D.G. Ast, P.D. Kirchner, G.D. Pettit and J.M. Woodall «Nucleation mechanisms and the elimination of misfit dislocations at mismatched interfaces by reduction in growth ares», J.Appl. Phys. 65, 2220 (1989)
  13. S. Yu, T.Y. Tan, U. Gosele «Diffusion mechanism of zinc and beryllium in gallium arsenide», J. Appl. Phys. 69(6), 3547−3565(1991)
  14. P. Krispin and R. Hey «Electron and Hole Traps in AlAs p±n Junctions Grown by MBE», Materials Science Forum vols. 143−147, 339−365 (1994)
  15. P. Krispin, R. Hey and H. Kostial «Intrinsic origin and composition dependence of deep-level defects at the inverted GaAs/AlxGal-xAs interface grown by molecular-beam epitaxy», J. Appl. Phys 77, p.5773−5775(1995)
  16. P. Krispin, R. Hey, H. Kostial and K.H. Ploog «Growth mode-related generation of electron traps at the inverted AlAs/GaAs interface», J. Appl. Phys 837, p. 1496(1998)
  17. JI. Ченг, К. Плог. Молекулярно-лучевая эпитаксия, М. Мир (1989)
  18. Е.Н.С. Parker, Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy, Ed. New York: Plenum, 1985
  19. A.C. Gossard «Growth of microstructures by molecular beam epitaxy», IEEE J. of Quantum Electronics QE-22 (9), 1649 (1986)
  20. J.H. Neave, B.A. Joyce, P.J. Dobson and N. Norton, Appl. Phys. A31 «Dynamics of film growth of gallium arsenide by MBE from RHEED observations», pp. l-8(1983)
  21. J.M. van Hove, P.R. Pukite, and P. Cohen «The dependence of RHEED oscillations on MBE growth parameters», J. Vac. Sci. Technol. В 3, pp. 563−567 (1985)
  22. P.M. Petroff, R.C. Miller, A.C. Gossard, and W. Wiegmann «Impurity trapping, interface structure, and luminescence of GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy», Appl. Phys. Lett. 44, pp. 217−219(1984)
  23. D.V. Lang, A.Y. Cho, A.C. Gossard, M. Uegems, and W. Wiegmann, «Study of electron traps in n-GaAs grown by molecular beam epitaxy» J. Appl. Phys. 47, 2558 (1976)
  24. N. Chand, A.M. Sergent, J.P. van Ziel, and D.V. Lang, J. Vac Sci. Technol. «Reduction and origin of electron and hole traps in GaAs grown by molecular-beam epitaxy"B 7, 399 (1989)
  25. Umar S. Qurashi, M. Zafar Iqbal, and N. Baber, T.G. Andersson «Effects of A1 doping on deep levels in MBE GaAs», J. Appl. Phys. 78(8), 5035(1995)
  26. G.S. Spencer, J. Menendez, L.N. Pfeiffer, and K.W. West «Optical-phonon Raman-scattering study of short-period GaAs-AlAs superlattices: An examination of interface disorder», Phys. Rev. В 52, 8205(1995)
  27. B.Jusserand and F. Mollot «Long range gallium segregation in the AlAs layers of GaAs/AlAs superlattices», Appl. Phys. Lett. 61, 423 (1992)
  28. P.M. Young and H. Ehrenreich «Evidence for quantum well asymmetry in optical absorption», Appl. Phys. Lett. 61, 1069(1992)
  29. W. Braun, A. Trampert, L. Daweritz, K. Ploog «Nouniform segregation of Ga at AlAs/GaAs heterointerfaces» Phys. Rev. В 55(3), p.1689−1695 (1997)
  30. T. Achtnich, G. Burri, M. A. Py and M. Ilegems, «Secondary ion mass spectrometry study of oxygen accumulation at GaAs/AlGaAs interfaces grown by molecular beam epitaxy», Appl. Phys. Lett 50, 1730(1987)
  31. T. Saku, Y. Horikoshi, and S. Tarucha «High-mobility inverted modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures», Jpn. J. Appl. Phys., Part. 1 33, 4837 (1990)
  32. N. Chand, S.N.G. Chu and M. Geva «Effects of substrate misorientation on incorporation of ambient oxygen and interfacial roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by molecular-beam epitaxy», Appl. Phys. Lett. 59, 2874 (1991)
  33. O. Albrektsen and H. Salemink «Tunneling microscopy and spectroscopy on cross sections of molecular-beam-epitaxy-grown (Al)GaAs multilayers», J. Vac. Sci. Technol. В 9, 779 (1991)
  34. H. Morkoc, T.J. Drummond, R. Fischer, and A.Y. Cho «Moderate mobility enhancement in single period AlxGaixAs/GaAs heterojunctions with GaAs on top», J. Appl. Phys 53, 3321 (1982)
  35. Т., Фаулер А., Стерн Ф., Электронные свойства двумерных систем. М. Мир 1982 (T.Ando, A. Fowler, F. Stern, «Electronic properties of two-dimensional systems», Review of Modern Physics, Vol.54, No.2, 1982)
  36. T.Forchhammer, E. Veje, P Tidemand-Peterson «Experimental determination of the conduction-band offset at GaAs/AlxGai-xAs heterojunctions with the use of ballistic electrons», Phys. Rev. В 52(20), 14693(1995)
  37. Wang Ren-zhi, Ke San-huang, Huang Mei-chun «Valence-band offset at AlxGai. xAs/GaAs: Applicaton of average-bond-energy theory in conjunction with thecluster expansion method», Phys. Rev. В 51(3), 1935(1995)
  38. Т. Ando «Self-consistent results for a GaAs/AlGaAs heterojunction.», J. Of the Phys. Soc. Of Jap. 54, pp. 1528−1536 (1985)
  39. U.Ekenberg, and M. Altarelli «Calculation of the hole subbands at the GaAs/AlxGai-xAs interface», Phys. Rev. В 30, pp. 3569−3572 (1984)
  40. К.И. «Анизотропия энергетического спектра и оптические переходы в гетероструктурах p-GaAs/Alo.sGao.jAs при одноосном сжатии». -Канд. Дисс., М., МГУ, 1999
  41. F.J.Ohkawa and Y. Uemura «Hartree approximation for the electronic structure of a p-channel inversion layer of silicon MOS metal-oxide-semiconductor]», Prog. Theor. Phys., Suppl.57,164 (1975)
  42. E.Bangert and G. Landwehr «Self-consistent calculations of electric subbands in p-type silicon inversion layers», Surf.Sci. 58, 138 (1976)
  43. J.P. Eisenstein, H.L. Stormer, V. Narajanamurti, A.C. Gossard, W. Wiegmann «Effect of inversion symmetry on the band structure of semiconductor heterostructures», Phys.Rev.Letters 53, 2579, 1984-
  44. H.L. Stormer, Z.L.Schlesinger, AChang, D.C.Tsui, A.C.Gossard and W. Wiegman «Energy structure and quantized Hall effect of two-dimensional holes». Phys.Rev.Lett., 1983, v.51, p.126
  45. E.E. Mendez «Two-dimensional holes at high magnetic fields», Surf. Sci. 170, 561(1986)
  46. O.P. Hansen, W. Kraak, N. Minina, J.S. Olsen, B. Saffian, and A.M. Savin «Effect of uniaxial compression on quantum Hall plateaus and Shubnikov~de Haas oscillations in p-type GaAs/AlxGai.xAs heterostructures», Phys. Stat. Sol (b) 198, 295 (1996)
  47. Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, — М. Наука, 1972
  48. Е. Bangert, G. Landwehr «Self-consistent calculation of electric subbands in p-type GaAlAs-GaAs heterojuctions, Superlattices and Microstructures». 1(4), 363−367(1985)
  49. В., Савин А. М., Минина Н.Я.,. Ильевский А. А, А. А Полянский А. А, Письма в ЖЭТФ, 2004, т.80, в.5, сс.398−402
  50. AM. Savin, С.В. Soerensen, О.Р. Hansen, N.Ya. Minina and M. Henini, Semicond. Sc. and Technol. 14, 632−636 (1999)
  51. H.E. Алексеевский, Ю. П. Гайдуков и др., Электроны проводимости, Изд. «Наука», Москва 1984 г
  52. Н.Е. Алексеевский, К.-Х. Бергель, В. И. Нижанковский, М. Глиньский, Г. Фукс, ЖЭТФ 73, 700 (1977)
  53. Ju. Н. Kim, S.Y. Han, J.S. Brooks «Magnetic breakdown phenomenon in quasi-two-dimensional organic conductors: A quantum model inspired by a realistic band structure», Phys. Rev. В 60, 3213 (1999)
  54. R.Dingle, H.L. Stormer, A.C. Gossard, and W. Wiegmann «Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices.», Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978)
  55. H.L. Stormer, A.C. Gossard and W. Wiegmann «Observation of intersubband scattering in a 2-dimensional electron system», Solid State Commun. 41, 707 (1982)
  56. K.Lee, M.S. Shur, T.J.Drummond, H. Morkoc «Low field mobility of 2-d electron gas in modulation doped AlGaAs/GaAs layers» J.Appl. Phys. 54(11), p.6432 (1983)
  57. W.Walukiewicz, HE. Ruda, J. Lagowski, H.C. Gatos «Electron mobility in modulation doped heterstructures» Phys.Rev.B, 30(8) p.4571(1984)
  58. B.JI. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников, «Физика полупроводников», М. Наука, 1990
  59. С1. В. Sorensen, Ph.D. Thesis, Nov. 1998, Mikroelektronik Centret, and Niels Bohr Institute f. AFG, MBE-Growth, Processing and Characterization of Low Dimensional GaAs/AlAs Heterostructures
  60. P.J. Price «Two-dimensional electron transport in semiconductor layers. I. Phonon scattering», Annals of Physics (San Diego) 133, 217(1981)
  61. D.C. Tsui, A.C. Gossard, G. Kaminsky, and W. Wiegmann «Transport properties of GaAs-AlxGaixAs heterojunction field-effect transistors», Appl. Phys. Lett. 39, 712 (1981)
  62. J. Behrend, M. Wassermeier, W. Braun, P. Krispin and K.H. Ploog «Formation of GaAs/AlAs (001) interface studied by scanning tunneling microscopy». Phys. Rev. В 53, 9907 (1996)
  63. H.C. Gatos, N.C. Lavine «Characteristics of the {111} surfaces of the Groups III-V intermetallic compounds», J. Electrochem. Soc. 107, 427(1960)
  64. Y. Marcus, U. Meirav, H. Shtrikman, and B. Laikhtman «Anisotropic mobility and roughness scattering in a 2D electron gas», Semicond. Sci. Technol., 9, 1297 (1994)
  65. Yang В., Cheng Y., Wang Z., Liang J., Liao Q., Lin L., Zhu Z., Xu B. and Li W. «Interface roughness scattering in GaAs-AlGaAs modulation-doped heterostructures», Appl. Phys. Lett. 65, 3329 (1994)
  66. Y. Tokura, T. Saku, S. Tarucha and Y. Horikoshi «Anisotropic roughness scattering at a heterostructure interface», Phys. Rev. В 46, 15 558 (1992)
  67. S. Pollitt, M. Pepper and C. J. Adkins «The Anderson transition in silicon inversion layers», Surf. Sci. 58, 79 (1976)
  68. E. Abrahams, P. W. Anderson, D. C. Licciardello, Т. V. Ramacrishman «Scaling theory of localization: Absence of quantum diffusion in two dimensions», Phys. Rev. Lett. 42, 637 (1979)
  69. A. G. Aronov, P. A. Lee, B. L. Altshuler «Interaction effects in disordered Fermi systems in two dimensions», Phys. Rev Let. 44, 1288−1291(1980)
  70. С. B. Duke «Zero-Bias Tunnel-Conductance Minima Due to the Excitation of Collective Modes in the Barrier», Phys. Letters 24A, 461 (1967).
  71. E.M. Hamilton «Variable range hopping in a non-uniform density of states», Philos. Mag. 26, 1043 (1972)
  72. M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, M. Pepper, E. H. Linfield, P. D. Rose, D. A. Ritchie, A. K. Savchenko, and T. G. Griffiths «Metal-Insulator Transition at В = 0 in a Dilute Two Dimensional GaAs-AlGaAs Hole Gas», Phys. Rev. Let. 80, 1292 -1295 (1998)
  73. E. Arnold «Conduction mechanisms in bandtails at the Si—SiC>2 interface», Surf. Sci. 58, 60(2002)
  74. S. I. Khondaker, I. S. Shlimak, J. T. Nicholls, M. Pepper, and D. A. Ritchie, «Two-dimensional hopping conductivity in a delta-doped GaAs/AlxGai-xAs heterostructure» Phys.Rev. В 59, 4580−4585 (1999)ьss:
  75. M.I. Nathan «Persistent photoconductivity in aluminum gallium arsenide/gallium arsenide modulation doped, layers and fi6ld effl? t transistors: a review», Solid State Electron. 29, 167 (1986)
  76. A. Kastalsky and R. A. Kiehl «(AlGa)As/^aAs modulation-Doped Field-Effect Transistors», IEEE Trans. Electron Dev. ED-33, 414 (1986)
  77. P.M. Mooney «Deep donor levels (DX-centers) in III-V semiconductors», J. Appl. Phys. 67, R1 (1990)
  78. D.J Chadi and K.J. Chang «Energetics of DX-center formation in GaAs and AlxGai. xAs alloys», Phys. Rev. В 39,10 063 (1989)
  79. Ming-Fu Li «Modern semiconductor quantum physics», World Scientific, Singapore-New Jersey-London-Hong Kong (1994), 315
  80. A.R.Peaker and F. Saleemi «Defect Energy Levels in AlGaAs» in Properties of Aluminium Gallium Arsenide, edited by S. Adachi, EMIS Datareview Series No. 7 (INSPEC, London, 1993), pp. 269−277
  81. D.V. Lang, R.A. Logan, and L.C. Kimerling ««Observation of deep level energy shifts as a function of composition in AlxGai. xAs mixed crystals,» Proceedings of the 13th International Conference on the Physics of Semiconductors, NETHERLANDS, 615 (1976).
  82. M. Ilegems «Beryllium doping and diffusion in molecular-beam epitaxy of GaAs and AlxGaixAs», J. Appl. Phys. 48, 1278 (1977)
  83. S. Jujita, S.M. Bedair, M.A. Littlejohn, and J.R. Hauser «Doping characteristics and electrical properties of Be-doped p-type AlxGal-xAs by liquid phase epitaxy», J. Appl. Phys. 51, 5438 (1980)
  84. N. Chand, A.S. Jordan, and S.N.G. Chu «Residual oxygen levels in AlGaAs/GaAs quantum-well laser structures: Effects of Si and Be doping and substrate misorientation», Appl. Phys. Lett. 59, 3270 (1991)
  85. L. Pavesi and M. Guzzi «Photoluminescence of AlxGaixAs alloys», J. Appl. Phys. 75, 4779(1994)
  86. H.L. Stormer and W.-T. Tsang «Two-dimensional hole gas at a semicnoductor heterojunction interface, Appl. Phys. Lett» 36, 685 (1980)
  87. Norihiko Kamata, Kikiio Kobayashi, Koichi Endo, Takeo Suzuki and Akira Misu «Growth Temperature Dependence of Disorderings in a Be-Doped GaAs/AlAs Multilayered Structure», Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 26, 1092(1987)
  88. Masahiko Morita, Kikuo Kobayashi, Takeo Suzuki and Yoshimichi Okano «Photoluminescence from Highly Be-Doped AlGaAs Grown by MBE», Jpn. J. Appl. Phys Part 1 28, 553 (1989)
  89. Seref Kalem and Gregory E. Stillman «Deep Acceptor Levels in Molecular Beam Epitaxial High Purity p-Type GaAs», Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 6086 (1994)
  90. J.C. Chen, Z.C. Huang, Bing Yang, H.K. Chen, Tao Yu, and Kun-Jing Lee «Effect of Se-doping on Deep Impurities in AlxGai-xAs Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition», J. Electron. Mater. 24, 1667(1995)
  91. J. Szatkowski, Platczek-Popko, K. Sieranski, and O.P. Hansen, «Deep hole traps in Be-doped Alo.5Gao.5As layers grown by molecular beam epitaxy», J. App. Phys. 86(3), 1433 (1999)
  92. RJ.Nelson «Long-lifetime photoconductivity effect in n-type GaAlAs», Appl. Phys. Lett. 31,351 (1977)
  93. H.J.Queisser and D.E.Theodorou «Decay kinetics of persistent photoconductivity in semiconductors», Phys. Rev. В 33, 4027 (1986)
  94. A. Kastalsky and J. С. M. Hwang «Study of persistent photoconductivity effect in n-type selectively doped AlGaAs/GaAs heterojunction», Solid State Commun. 51,317(1984)
  95. L. Pfeiffer, E. F. Schubert, K.W. West and C.W. Magee «Si dopant migration and the AlGaAs/GaAs inverted interface», Appl. Phys. Lett., 58(20), p. 2258(1991)
  96. H.J. Queisser and D.E. Theodorou «Hall-effect analysis of persistent photocurrents in n-GaAs layers», Phys. Rev. Lett., 43, 401(1979)
  97. E.F. Schubert, J. Knecht and K. Ploog «Transient and persistent photoconductivity in n-AlxGal-xAs and selectively doped n-AlxGal-xAs/GaAs heterostructures», J. Phys. C: Solid State Phys. 18, L215-L221 (1985)
  98. D.V.Lang «Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors», J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)
  99. M. F. Li, W. Shan, P. Y. Yu, W. L. Hansen, E. R. Weber, and E. Bauser «Pressure dependence of the DX center in GaixAlxAs: Te in the vicinity of the Г-Х crossover», Appl. Phys. Lett. 53, 1195 (1988)
  100. W. Shan, P. Y. Yu, M. F. Li, W. L. Hansen, and E. Bauser «Pressuredependence of the DX center in Gai. xAlxAs:Te», Phys. Rev. В 40, 7831 (1989)
  101. N.S.Caswell, P.M.Mooney, S.L.Wright, and P.M.Solomon «Effect of the silicon doping concentration on the recombination kinetics of DX centers in Alo.35Gao.65As», Appl. Phys. Lett. 48, 1093 (1986)
  102. P.M.Mooney, N.S.Caswell, and S.L.Wright «The capture barrier of the DX center in Si-doped AlxGaixAs», J. Appl. Phys. 62, 4786 (1987)
  103. V. Mosser, S. Contreras, J. L. Robert, R. Piotrzkowski, W. Zawadzki, and J. F. Rochette «Negative charge state of the DX center in AlxGai. xAs:Si», Phys. Rev. Lett. 66, 1737 (1991)
  104. H. Pettersson and H. G. Grimmeiss, L. Powell, С. C. Button, J. S. Roberts, and P. I. Rockett «Persistent decrease of dark conductivity due to illumination in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures», J. Appl. Phys. 74, 5596(1993)
  105. C.S. Chang, H.R. Fetterman, D. Ni, E. Sovero, B. Mathur and W.J. Ho «Negative photoconductivity in high electron mobility transistors», App. Phys. Lett. 51,2233(1987)
  106. M.J. Chou, D.C. Tsui and G. Weimann «Negative photoconductivity of two-dimensional holes in GaAs/AlGaAs heterojunctions», Appl. Phys. Lett. 47, 609 (1985)
  107. S. Juen, R.A. Hopfel and A.C. Gossard ««Negative photoconductivity due to carrier drag in GaAs/AlGaAs quantum wells» S, Appl. Phys. Lett. 54(21), 2097(1989)
  108. R.A. Hopfel «Extremely high negative photoconductivity in p-modulation-doped GaAs quantum wells», Appl. Phys. Lett. 52, 801 (1988)
  109. С.Г., Шик А.Я. ЖЭТФ «Контактные явления в низкоразмерном электронном газе», 1989, 96, стр.2229
  110. С.Г., Шик А.Я. «Контактные явления в двумерном электронном газе» ФТП, 1989, 23, стр.1113
  111. В.А. Изменение энергетического спектра у висмута и сплавов висмут-сурьма при сильных деформациях типа одноосного сжатия и растяжения. Канд. Дисс., М., МГУ, 1978
  112. O.P.Hansen, J.S. Olsen, W. Kraak, B. Saffian, N.Ya.Minina, and A.M.Savin «Spin splitting in a 2D hole system under uniaxial compression» Phys. Stat. Sol. (b) 198, 295 (1996)
  113. O.P.Hansen, J.S.Olsen, W. Kraak, B. Saffian, N.Ya.Minina, and A.M.Savin, «Effect of uniaxial compression on quantum Hall plateaus and Shubnikov-de Haasoscillations in p-type GaAs/AlxGai.xAs heterostmctures» Phys.Rev.B 54, 1533 (1996)
  114. А.Э. «Механизмы излучательной рекомбинации, обусловленные примесями в полупроводниковых соединениях AIIIBV и AIVBVI» диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. Москва, МГУ, 1988
  115. К.Г., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. «Спектр электролюминесценции светодиодов на основе InGaN/AlGaN гетероструктур с квантовыми ямами», ФТП, 1997. том31, № 9, стр.1055
  116. R М Kusters, Т J В М Janssen, С J G М Langerak, J Singleton, JAAJ Perenboom, G, А С Jones, D A Ritchie and J E F Frost, «A novel mechanism for parallel conduction in GaAs-(Ga, Al) As heterojunctions», Semicond. Sci. Technol. 7, 961(1992)
  117. Savin A.M., Minina N.Y.a., Polyanskiy A.V., Sorensen C.B., Hansen O.P., Berman I.V. «Anisotropy of Two-Dimensional Electron and Hole Mobilities in (001) GaAs/AlxGai-xAs Heterostmctures Under Uniaxial Stress», High Pressure Research 22, 267 (2002)
  118. E.F. Schubert, J.M. Kuo, R.F. Kofp, H.S. Luftman, L.C. Hopkins, and N.J. Sauer «Beryllium 8-doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy», J. Appl. Phys. 67(4), 1969(1990)
  119. J. Szatkowski, K. Sieranski, A. Hajdusianke, E. Placzeck-Popko «Deep hole traps in Be-doped Alo.2Gao.8As layers grown by molecular beam epitaxy» Physica В 340−342, 345 (2003)
Заполнить форму текущей работой

На отлично!