Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Релаксационные процессы в объеме и на границе кристаллитов в оксидах с перовскитоподобной структурой

Диссертация: Релаксационные процессы в объеме и на границе кристаллитов в оксидах с перовскитоподобной структурой
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одним из надежных и чувствительных методов изучения физических свойств реальных сегнетоэлектриков, в значительной мере определяющихся взаимодействием различных дефектов с кристаллической решеткой, являются методы исследования диэлектрических характеристик, к которым относится метод импедансной спектроскопии. Данный метод исследования может дать ценнейшую информацию в изучении физических процессов… Читать ещё >

Содержание

  • ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.9'
    • 1. 1. Сегнетоэлектрики типа перовскита
      • 1. 2. 1. Изовалентные твердые растворы с широкими пределами растворимости
    • 1. 2. Слоистая висмутсодержащая сегнетокерамика
    • 1. 3. Диэлектрическая релаксация
      • 1. 3. 1. Модель Дебая и эмпирические описание диэлектрических спектров
      • 1. 3. 2. Релаксация Максвелла-Вагнера и представления о распределении времен релаксации
      • 1. 3. 3. Модели прыжкового переноса
    • 1. 4. Модель Хейванга
  • ГЛАВА 2. ПОЛУЧЕНИЕ ОБРАЗЦОВ И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ
    • 2. 1. Получение образцов
    • 2. 2. Обоснование выбора методики
      • 2. 2. 1. Метод импедансной спектроскопии
      • 2. 2. 2. Эквивалентные электрические схемы
  • ГЛАВА 3. МИКРОСТРУКТУРА И РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛЛАХ (Ва, хАх) ТЮ3 (А=8г, РЬ) и Б^^Ть^Ь^О-,.'
    • 3. 1. Микроструктура и элементный анализ исследуемых составов
    • 3. 2. Моделирование релаксационных процессов системы твердых растворов (Ва]. хАх) ТЮз (А=8г, РЬ) и З^^/гТ^зМЬьОгОэ (0<х<1)
    • 3. 3. Релаксационное поведение твердых растворов и слоистых висмутсодержащих соединений
    • 3. 4. Влияние мягкой фононной моды на прыжковый перенос носителей заряда в сегнетоэлектрической висмутсодержащей слоистой керамике
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕ СКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ И СЛОИСТЫХ ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИИ
    • 4. 1. Влияние рентгеновского излучения на диэлектрические характеристики слоистой висмутсодержащей керамики
    • 4. 2. Экспериментальное исследование процессов закалки и отжига керамического твердого раствора (Ва0.б78г0.зз)ТЮз

Релаксационные процессы в объеме и на границе кристаллитов в оксидах с перовскитоподобной структурой (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Сегнетокерамические материалы находят широкое применение в качестве различных элементов электроники, таких как позис-торы, варисторьт, термисторы, газовые сенсоры, а, в последнее время, и как элементы энергонезависимой памяти. Основным материалом для ячеек памяти рассматривают составы цирконата-титаната свинца, но они подвержены процессам старения и усталости. Как альтернатива предлагаются слоистые висмутсодержащие перовскитоподобные структуры. Однако электрофизические процессы в них до конца не изучены, что сдерживает практическую реализацию.

В данной работе изучались твердые растворы титаната бария-стронция и титаната бария-свинца, которые являются перспективными в качестве различных датчиков, так как их свойства чувствительны к изменению парамет-: ров внешней среды. Кроме того, исследовались слоистые висмутсодержащие структуры состава З^г^х/гТ^КЬ^гОд (х=0. 1), которые обладают интересными электрофизическими свойствами, связанными с процессами диэлектрической релаксации и переноса электрического заряда. Свойства изучаемых материалов во многом определяются дефектами их кристаллической структуры, а также явлениями, проходящими на границе кристаллитов. Понимание процессов проводимости, которые протекают в керамических образцах на границе и внутри зерен, является основой для более широкого использования этих материалов. Процессы прыжкового переноса, которые наблюдается в данных соединениях, связаны с взаимодействием носителей заряда с различными модами колебании кристаллической решетки. Установление закономерностей в этих процессах позволяет глубже понять физическую природу наблюдаемых эффектов для данных соединений. Изучение дефектов кристаллической структуры таких материалов и сравнение электрических свойств со свойствами простых перовскитов позволит глубже понять природу происходящих процессов.

Одним из надежных и чувствительных методов изучения физических свойств реальных сегнетоэлектриков, в значительной мере определяющихся взаимодействием различных дефектов с кристаллической решеткой, являются методы исследования диэлектрических характеристик, к которым относится метод импедансной спектроскопии. Данный метод исследования может дать ценнейшую информацию в изучении физических процессов в реальных (содержащих дефекты) сегнетоэлектриках.

Таким образом, актуальность темы определяется необходимостью создания таких керамических материалов, свойства которых отвечали бы современным требованиям к приборам микроэлектроники и сохраняли бы свои рабочие характеристики в широком интервале температур при длительном сроке эксплуатации.

Цели и задачи работы. Разделение вкладов диполей и носителей заряда в диэлектрический отклик поликристаллических перовскитоподобных структур в слабых электрических полях диапазона радиочастот и широком интервале температур. Установления механизмов диэлектрической релаксации и влияние на них рентгеновского излучения, закалки, отжига.

Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1. Развитие методики импедансной спектроскопии и расчет основных электрофизических характеристик исследуемых соединений.

2. Контроль состава структур методами сканирующей электронной микроскопии и рентгенофазового анализа.

3. Расчет эквивалентной схемы замещения и выявления механизмов релаксации и переноса заряда для исследуемых соединений.

Объекты исследования. В качестве объектов исследований были выбраны керамические твердые растворы (Ва^А^ТЮз (А=8г, РЬ 0<х<1), относящиеся к семейству оксидных сегнетоэлектриков со структурой перовскита и слоистая висмутсодержащая сегнетокерамика З^гО^х/г'Пх/гМЬьх^Оэ.

0<х<1) в структуре которой происходит чередования висмуткислородных слоев и перовскитоподобных фрагментов. Выбор таких материалов был обусловлен следующими причинами. Во-первых в указанных объектах имеется возможность менять фазовый состав, что позволяет влиять на диэлектрические свойства. Во-вторых, данные составы можно получать по хорошо отработанной технологии в виде массивных образцов с воспроизводимыми свойствами. В-третьих, оба типа составов хорошо изучены. Это, несомненно, облегчит интерпретацию полученных в работе результатов и их сопоставление с данными других авторов.

Научная новизна и практическая значимость.

1. Впервые на основе анализа кривых дисперсии импеданса и диэлектрического модуля, установлены принципиальные различия механизмов релаксации для объемов зерен керамических перовскитовых структур и слоистых висмутсодержащих перовскитовых соединений.

2. Впервые для объяснения недебаевского поведения температурной зависимости времени диэлектрической релаксации в сегнетоэлектрической фазе слоистых соединений приведено математическое описание данного явления, основанное на предположении о взаимодействии прыгающих зарядов с мягкой фононной модой.

3. Впервые установлено влияние изовалентного замещения ионов ИЬ ионами Тл и в кислородных октаэдрах для слоистых висмутсодержащих соединений на диэлектрические параметры данных составов и изменение этих параметров при радиационных воздействиях.

4. Совокупность полученных данных для исследованных образцов в переменных электрических полях позволяет прогнозировать соотношение вкладов в импеданс объема или границ зерен в зависимости от частоты электрического поля и температуры, что имеет важное практическое значение при разработках устройств электронной техники с сегнетокерамическими рабочими элементами.

Основные научные положения, выносимые на защиту.

1. Исследование диэлектрических свойств сегнетокерамики составов (Bai.xAx)Ti03 (A=Sr, Pb) SrBi2(Wx/2Tix/2Nbi.x)209 (0<х<1) показывает принципиальное различие механизмов релаксации для твердых растворов перовски-тов и слоистых висмутсодержащих соединений, что отражается как в значениях степенных эмпирических формул диэлектрического отклика, так и в величине предэкспонинциального множителя зависимости времени релаксаций от температуры.

2. На основе подобранной эквивалентной схемы замещения определены значения энергии активации и времени релаксации для объемов кристаллитов и их граничных областей и изменение этих значении при воздействии рентгеновского излучения и закалки.

3. Изовалентное замещение ионов Nb ионами W и Ti в слоистых структурах наряду с изменениями параметра элементарной ячейки приводит к изменению электрон-фононного взаимодействия, выражающееся в смещении частоты максимума мнимых компонент диэлектрического отклика в сторону низких частот с ростом температуры.

4. Математический вывод для объяснения экспериментального факта ,<�• Ъ смещение максимума мнимой части электрического модуля в сторону низких частот с ростом температуры.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Ш-ей и IV-ой Всероссийских конференциях «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах» (Воронеж, 2006, 2008) — VII-ой международной научной, конференции «Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии» (Кисловодск, 2007) — XVIII-ой Всероссийской конференции по физике сегнетоэлек-триков (С-Петербург, 2008) — V-ом VI-ом и Международных семинарах «Физико-математическое моделирование систем» (Воронеж, 2008, 2009) — VII-ой Всероссийской конференции-школы «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2009). 6-ом Международном семинаре по физике сегнетоэлектриков (Воронеж, 2009). ХХП-ой международной научной конференции «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 2010).

Публикации. Основные результаты диссертации полностью отражены в 15 печатных работах, из которых 4 опубликованы в реферируемых журналах «Физика твердого тела», «Вестник ВГУ», «Известия РАН, серия физическая», «Вестник ВГТУ», остальные — в сборниках трудов и тезисов докладов всероссийских, международных и других конференций.

Личный вклад автора в разработку проблемы. Основные результаты работы получены лично автором и опубликованы в соавторстве с научным руководителем A.M. Солодухой. В совместных работах научному руководителю принадлежит постановка задачи и определение направления исследований. Подробное проведение рассуждений, расчетов, анализ и интерпретация полученных результатов выполнены лично автором.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав, выводов, списка цитированной литературы. Общий объем составляет 105 страниц, включая 51 рисунок, 2 таблицы. Список цитированной литературы содержит 103 наименования.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Релаксационные процессы в объеме зерна твердых растворов в пара-фазе не описывается в рамках классической модели Дебая. Однако отклонение от Дебаевскго поведения незначительно. В* то же время в слоистых структурах наблюдается значительное отклонение от дебаевской модели.

2. Наиболее вероятным различием прыжкового механизма в слоистых и перовскитовых структурах является, то что перенос заряда в перовскито-вых соединениях связан с образованием кислородных вакансии вкисло-родном октаэдре, а в слоистых висмутсодержащих соединениях с образованием кислородных вакансий в висмуткислородных слоях.

3. Воздействие рентгеновского излучения на исследуемые составы приводит к разрушению дипольного механизма релаксации имеющего место в объеме зерна, в то же время процессы на границе зерна более устойчивы к рентгеновскому излучению. Закаливание образцов сопровождается необратимыми изменениями свойств границ зерен, что вероятно связано с образованием метало-оксидных комплексов у поверхности кристаллитов.

4. Изовалентное замещение ионов №) ионами Т1 и в слоистых висмутсодержащих соединениях приводит к локальному искажению структуры (следствием чего является смещение точки Кюри в сторону более высоких температур) и увеличивает вероятность взаимодействия локальных носителей заряда с мягкой фононной модой.

5. Характерной чертой различия прыжкового механизма в слоистых и перовскитовых структурах является то что в слоистых соединениях локализованные носители заряда взаимодействуют с фононами гораздо меньшей частоты чем в перовскитовых соединениях в том числе с мягкой фон-ноной модой ниже точки Кюри.

В заключение автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю Солодухе Александру Майоровичу за постоянное внимание и руководство над работой, а так же всем сотрудникам лаборатории сегнетоэлектриков ВГУ за всестороннюю помощь и ценные советы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Глас. -М.: Мир, 1981.-736 с.
  2. Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане. М.: Мир, 1965.- 555 с.
  3. В. П., Фесенко Е. Т. Физика сегнетоэлектрических пленок. -Ростовский университет. 1979. 189 с.
  4. . Пьезоэлектрическая керамика /Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе // Москва: Мир. 1974. 288 с.
  5. Dissado L.A. Ferroelectric response of dopants in finite-grain-sized perovskite ceramics/ L A Dissado, M E Brown R M Hill // Journal of Physics. 1983.-V. 16. № 20.-P. 4041.
  6. Brown M.E.Correlations between the amplitude of the susceptibility and the loss peak frequency in a doped ceramic ferroelectric/ M.E. Brown// J. Mat. Sci. 1981. — V.16. № 5.-P. 1410−1412.
  7. Scott J.F. Ferroelectric memories /J.F. Scott C.A. Paz de Araujo // Science.- 1989.-V. 246. -P. 1400−1405.
  8. Auciello O. The physics of ferroelectric memories / O. Auciello, J.F. Scott, and R. Ramesh //Physics Today. 1998. V. 51. — P. 22−27.
  9. Dey S. Integrated Sol-gel PZT Thin-films on Pt, Si, and GaAsfor Nonvolatile Memory Applications / S. Dey, R. Zuleeg // Ferroelectrics. 1990.- V. 108. -P.37−46.
  10. Haertling G. H Ferroelectric thin films for electronic applications/ G.H.Haertling // J. Vac. Sci. Technol. 1991. — V. 9. № 3. — P. 414 — 420.1 l. Lee J.J. Electrode contacts on ferroelectric Pb (ZrxTil-x)03 and
  11. Shareef, A.I. Kingon, X. Chen, K.R. Bellur, O. Auciello // J. Mat. Res. -1994. V. 9. № 11.- P. 2968−2975.
  12. Warren W.L. Ferroelectric fatigue in perovskite oxides / W.L. Warren, B.A. Tuttle, D. Dimos // Appl. Phys. 1995. -V. 67. — P.1426−1428 (1995).
  13. Pan W.Y. Asymmetry in fatigue and recovery in ferroelectric Pb (Zr, Ti)03thin-film capacitors/ W.Y. Pan, C.F. Yue, B.A. Tuttle // Ceram. Trans. 1992.-V. 25.-P. 385.
  14. Melnick B.M. Characterization of anN-channel 1T-1C nonvolatile memory cell using ferroelectric SrBi2Ta209 as the capacitor dielectric / B.M. Mel-nick, J. Gregory, C.A. Paz de Araujo // Integrated Ferroelectrics. 1995. -V. 11.-P. 145−160.
  15. B.K. Сегнето-электрические висмутсодержащие соединения со смешанной слоистой перовскитоподобной структурой / В. К. Яновский, В. И. Воронкова В.И. // Кристаллография-1988. Т. 33. Вып. 5-С. 1278−1281.
  16. Пул Ч. Справочное руководство по физике / Ч. Пул. М.: Мир, 2001. -461 с.
  17. Е.А. Основы электродинамики материальных сред в переменных и неоднородных полях / Е. А. Памятных, Е. А. Туров. М.: Наука, 2000. — 240 с.
  18. Г. Теория диэлектриков / Г. Фрелих. — М.: Из — во ин. лит., 1960.-251 с.
  19. Cole K.S. Dispersion and Absorbption in Dielectrics / K.S. Cole, R.H. Cole //J. Chem. Phys. 1941. -V. 9.-P. 341 -351.
  20. Davidson D.W. Dielectric Relaxation in Glycerol, Propylene Glycol, and n-Propanol / D.W. Davidson, R.H. Cole // J. Chem. Phys. 1951. — V. 19, № 12.-P. 1484−1490.
  21. Nigmatullin R.R. New approach in the description of dielectric relaxation phenomenon: correct deduction and interpretation of the Vogel-Fulcher
  22. Tamman equation / R.R. Nigmatullin, S.I. Osokin, G. Smith // J. Phys.: Condens. Matter.-2003.-V. 15.-P. 3481 -3503.
  23. Ihrig H. A systematic experimental and theoretical investigation of the grain-boundary resistivities of n-doped ВаТЮз ceramics/ H. Ihrig, W. Puschert // J. Appl. Phys. 1977. — V. 48. — P. 3081−3088.
  24. A.P. Диэлектрики и волны / A.P. Хиппель. M.: Изд — во ин. лит., 1960.-438 с.
  25. Диэлектрическая спектроскопия / Сб. ст. М.: Ин. лит., 1960. — 362 с.
  26. Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотг, Э. Девис. М.: Мир, 1982. — T.I. — 368 с.
  27. Miller A. Impurity conduction at low concentration / A. Miller, E. Abrahams // Phys. Rev. 1960. — V. 120. — P. 745 — 755.
  28. Pollak M. The model hopping Conduction with wide distribution of jamp distances / M. Pollak, T.N. Geball // Phys. Rev. 1961. — 122, № 4, -P.1742- 1753.
  29. Heywang W. Barium titanate as a semiconductor with blocking layers / W. Heywang // Solid-State Electron. 1961. -V. 3. — P. 51−58.
  30. Jonker G. H. Some aspects of semiconducting barrium titanate / G.H. Jonker // Solid-State Electron. 1964. — V. 7. — P. 895−903.
  31. Tseng T. Y. ac electrical properties of high-curie-point barium-lead titanate PTCR ceramics/ T. Y. Tseng, S. H. Wang //" Materials Lett. 1990. — V. 9. -P. 164.
  32. Johnston D.E. Characterisation of PTCR Barium Titanate by Impedance Spectroscopy. /D.E. Johnston, D.C. Sinclair, A.R. West//, Special Ceramics. 1992. — V. 9. № 49. — P. 223−227.
  33. Gillot C. Microscopic origin of the PTC effect in niobium-doped barium titanate /С. Gillot, J-P. Michenaud // J. Am. Ceram. Soc., 1997. -V. 80 № 4.-P. 1043−1046.
  34. Gaosheng L. Effect of BaO and Si02 addition on PTCR ВаТЮз ceramics /L. Gaosheng, R.D. Roseman// J. Materials Science. 1999. — V. 34. P. 4439 -4445.
  35. Heywang W. Semiconducting Barium Titanate // J. Mater. Sci. 1971 -V.6.—P.1214−1226.
  36. Zhang F., Zhang Z., Mi Q., Tang Z., Zhu P. Investigation of surface acceptor state density and resistivity j amp of ytterbium-doped (Ba, Sr) Ti03 materials// J. Mater. Sci.- 1999.- V.34.- P.5051−5054.
  37. Vollmann M. Grain-boundary defect chemistry of acceptor-doped titanates inversion layer and low-reid conduction /М. Vollmann, R. Hagenbeck // J. Am. Ceram. Soc. 1997. — V. 80. № 9. -P. 2301−2314.
  38. Daniels J. New aspects of an improved PTC model / J. Daniels R. Wernicke //Philips Res. Rep.- 1976.-V. 31.-P. 544.
  39. Daniels J. The PTC effect of barium titanate/ Daniels J. Wernicke R. // Philips Tech. Rev. 1979.-V. 38.-P. 73.
  40. Ю.А. Основы физики и технологии оксидных полупроводников / Ю. А. Брусенцов, Минаев A.M. // Изд-во. Тамб. гос. техн. ун-та 2002. 80 с.
  41. Sinclair D.C. Bulk РТС effect in doped BaTi03 /D.C. Sinclair, A.R. West// J. Mat. Sci. Lett. 1988. -V. 7.-P. 823−824.
  42. Е.Г., Фельдман Н. Б. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Советское радио. — 1971. С. 200.43.0кадзаки К. Технология керамических диэлектриков /К. Окадзаки// М., Энергия. 1976. 336 с.
  43. В.Б. Полупроводниковые приборы с биполярной проводимостью. М. Ж Энергоатомиздат. -1988.-С. 128.
  44. Иванов Шиц А. К. Ионика твердого тела. Т. 1. / А. К. Иванов — Шиц, И. В. Мурин: В 2 т. — СПб.: Изд — во С. — Петерб. ун — та. Т. 1. — 2000. -616 с.
  45. А. Химия твердого тела / А. Вест // М.: Мир, Т1 -1988 .— 555 с.
  46. Г. С. Релаксационные процессы в параэлектрической фазе керамических оксидов со структурой перовскита /Г.С. Григорян, A.M. Солодуха// Физика твердого тела. -2009.-Т.51.- С.1375−1377.
  47. A.M. Влияние мягкой фононной моды на прыжковый перенос носителей заряда всегнетоэлектрической висмут содержащейслои-стой керамике /A.M. Солодуха, Григорян Г. С.// // Известия РАН. Серияфизическая.-2010.-Т.74,№ 9-. С. 1323−1325.i
  48. Т.А. Особенности пленок вольфраматов индия, полученных методом послойного напыления / Т. А. Мячина, A.M. Солодуха, Г. С. Григорян, В.А. Логачева// Неорг. мат. 2008. — Т.44, №.3. — С. 366−371.
  49. A.M. Степенные показатели релаксационных процессов.в неоднородных диэлектриках /A.M. Солодуха, Г. С. Григорян// Конденсированные среды и межфазные границы. 2007. — Т.9, № 3. — С. 258 260.
  50. A.M. Влияние границ зерен на динамическую электропроводность сегнетоэлектрической керамики титанатов бария-стронция-/A.M. Солодуха Г. С. Григорян// Вестник ВГУ. Сер. физ., мат. 2008. -Т. 4, № 1.-С. 93−97.
  51. Г. С. Релаксационные процессы в параэлектрической фазе керамических оксидов со структурой перовскита /Г.С. Григорян, A.M. Солодуха// XVIII Всеросс. конф. по физике сегнетоэл. 9 -14 июня 2008 г. Тез. докл. С-Петербург, 2008 г. С. 238.
  52. Г. С. Моделирование релаксационных процессов поликристаллических материалов на основе титаната бария /Г. С. Григорян,
  53. A.M. Солодуха// Материалы V междунар. семинара «Физико-математ. моделирование систем», ч.1. 28−29 ноября 2008 г. С. 61−65.
  54. A.M. Влияние рентгеновского излучения на диэлектрические характеристики слоистой висмутсодержащей керамики / A.M. Солодуха, Г. С. Григорян// Вестник ВГТУ 2007.Т.З, № 11.- С. 139−140/
  55. A.M. Диэлектрическая релаксация в твердом растворе тита-ната бария-стронция /A.M. Солодуха, Г. С. Григорян// Вестник ВГУ. Серия физика математика 2010.- № 1-. С. 51−54.
  56. A.M. Диэлектрические свойства перовскитоподобной слоистой висмутсодержащей керамики /A.M. Солодуха, Г. С. Григорян//
  57. Конденсированные среды и межфазные границы. 2007. — Т.9, № 1. -С. 75−78.
  58. Г. С. Диэлектрическая релаксация неравновесных точечных дефектов в керамике титаната бария-стронция /Г.С. Григорян, A.M. Солодуха//ХХН «Международ, конфер. Релакс. явления в тв. телах.» Воронеж, 14−17 сент. 2010. С. 90.
  59. Waser R., Hagenbeck R. Grain boundaries in dielectric and mixed-conducting ceramics//Acta mater. 2000.-V.48.- P.797−825.
  60. Neumann, H. Maxwell-Wagner relaxation and degradation of SrTi03 and ВаТЮз ceramics/ H. Neumann, G. Arlt // Ferroelectrics. — 1986. V.69. -P. 179−186.
  61. Blumenthal, R. N. and Seitz, M. A., in Electrical Conductivity in Ceramics and Glass / R. N. Blumenthal M. A Seitz // Part A, New York. 1974. — P. 136−178.
  62. Honda, M., The Impedance Measurement Handbook. A guide measurement technology and techniques, Hewlett-Packard, Rockville, 1990.
  63. West A.R. Characterization of electrical materials, especially Ferroelectrics, by impedance spectroscopy /А. R. West, D. C. Sinclair// J. Electroceramics. -1997.-P. 65−71.
  64. Kim J.S. Impedance Spectra near the Phase Transition Temperature of Potassium Lithium Niobate Crystals/ J.S. Kim, J.N. Kim // J. Appl. Phys. -2000. V. 39. — P. 3502−3505.
  65. Grant I.M. Conductivity dispersion in single crystal beta alumina electrolyte //R.J. Grant, I.M. Hodge, M.D. Ingram and A.R. West// Nature. 1977. — V. 266.-P. 42−43.
  66. Jonscher A.K. Dielectric relaxation in solids./ A.K. Jonscher // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. — V. 32. — P. 57.
  67. Sinclair D.C. Electrical properties of, а ГлТаОз single crystal /D.C. Sinclair, A.R. West// Phys. Rev. B. 1989. -V. 39, №.18. — P. 13 486−13 492.
  68. Hirose N. Impedance Spectroscopy of Undoped ВаТЮЗ Ceramics /N. Hi-rose, A.R. West, J.//Am. Ceram. Soc. 1996. — V. 79.-P. 1633−1641.
  69. Flores-Ramirez R. Curie-Weiss behaviour in polycrystalline barium titanate from ac measurements. /R. Flores-Ramirez, A. Huanosta, E. Amano, R. Valenzuela, A.R. West// Ferroelectrics. 1989. -V. 99. — P. 195−201.
  70. Bidault O. Space-charge relaxation in perovskites /О. Bidault, P. Goux, M. Kchikech, M. Belkaoumi, M. Maglione// J. Phys. Rev. 1994. — 7868−7873c.
  71. MTeko J.C. Dielectric anomaly and low frequency dispersion in ferroelectric materials at high temperatures /J.C. M’Peko, J. Portelles, F. Calderon, G. Rodriguez//J. Materials Science 33. 1998. — 1633 — 1637c.
  72. M’Peko J.C. Dynamics of the electrical response of ceramic dielectric materials in the presence of interfacial blocking effects / J.C. MTeko,// J. Materials Science 19. -2000.- 1925−1927c.
  73. A.M. Либерман З. А. Электрофизические свойства твердых растворов на основе SrBi2Nb209. Неорг. материалы. — 1995. Т. 31, № 8. -С. 1119−1120.
  74. Ang С., Yu. Z., Cross L.E. Oxygen-vacancy-related low-frequency dielectric relaxation and electrical conduction in Bi: SrTi03//Phys. Rev. B-2000, — V.62.-№ 1. — P. 228−236.
  75. Andres-Verges M. Impedance and Modulus Spectroscopy ofZnO Varistors, /М. Andres-Verges, A.R. West// J. Electroceram. 1997. — V.2. — P. 125 132.
  76. Venkataraman B.H. Frequency dependent dielectric characteristics of undoped and vanadium-doped SrBi2Nb209 ferroelectric ceramics: a comparative study/ В. H. Venkataraman K.B.R. Varma//Ferroelectrics. 2005. — V. 324.-P. 121−132.
  77. Palanduz A.C. The similar defect chemistry of highly-doped SrBi2Ta209 and SrBi2Nb209 / A.C. Palanduz, D.M. Smyth // J. Electroceramics. 2005. V.14.-P. 123−132.
  78. P.P. Диэлектрическая релаксация типа Коула-Девидсона и самоподобный процесс релаксации / P.P. Нигматуллин, Я. Е. Рябов // Изв. вузов. Физика. 1997. — № 4 — - С. 101- 105.
  79. P.P. Дробный интеграл и его физическая интерпретация // ТМФ. 1992. — Т.90. — С. 354−367.
  80. Sinclair D.C. Impedance and modulus spectroscopy of РТСЯВаТЮз /D.C. Sinclair, A.R. West// J. Appl. Phys. 1989. — V. 66. — P. 3850−3856.
  81. Lai С. H. Analysis of the AC electrical response for (Ba, РЬ) ТЮз positive temperature coefficient ceramics/ С. H. Lai, T. Y. Tseng, // IEEE Trans. Comp., Packag., Manufact. Technol. 1994. — V. 17. № 2. — P. 309−315.
  82. Sinclair D.C. Impedance and modulus spectroscopy of РТСЯВаТЮз. /D.C. Sinclair, A.R. West// J. Appl. Phys. 1989. — V. 66. — P. 3850−3856.
  83. Lewis. G. PTCR effect in BaTi03/G. Lewis, C. Catlow, // J. Am. Ceram. Soc. 1985. -V. 68. — P. 555−558.
  84. Jonker G.H. Halogen treatment of barium titanate semiconductors/ G.H. Jonker // Mater. Res. Bull. 1967. — V. 2. — P. 401−407.
  85. .А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б. А. Струков, А. П. Леванюк. М.: Наука, 1995. 304 с.
  86. Venkataraman В.Н. Impedance and dielectric studies of ferroelectric SrBi2Nb209 ceramics / В. H. Venkataraman, K.B.R. Varma// Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2003. — V. 64. — P. 2105−2112.
  87. Wubbenhorst M. Analysis of complex dielectric spectra.I. One-dimensional derivative techniques and three-dimensional modeling / M. Wubbenhorst, J. Turnhout//Journal of Non-Crystalline Solids. 2002. — V. 305. — P. 40−49
  88. Yu Т. Size effect on the ferroelectric phase transition in SrBi2Ta209 nanoparticles. /Т. Yu, Z. X. Shena, W. S. Toh, J. M. Xue, J. Wang// J. Appl. Phys.-. 2003. V. 94, № 11.-P. 2003.
  89. П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высш. шк. 1977.-448 с.
  90. Jonscher А.К. Ferroelectrics Low-frequency dielectric dispersion in tri-glycine sulphate / A.K. Jonscher, D.C. Dube // Ferroelectrics. 1978. — V. 17.-P. 533−536.
  91. Lu Z. Correlation between low frequency dielectric dispersion (LFDD) and impedance relaxation in ferroelectric ceramic Pb2KNb4TaOi5 / Z. Lu., J.P. Bonnet, J. Ravez, P. Hagenmulle // Solid State Ion. 1992. — V. 57. — P. 235−244
  92. Nealon T.A. Low-frequency dielectric responses in PMN-type ceramics / T.A. Nealon // Ferroelectrics. 1987. — V. 76. — P. 377 — 382.
  93. B.M. Гуревич Электропроводность сегнетоэлектриков. M.: Из-во Ком. Станд., 1969.-С. 383.
  94. Pollak М. On the frequency dependence of conductivity in amorphous solids IM. Pollak // Phil. Mag. 1971. — V.23, № 183. — P.519 -542.
  95. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела / А. Фельц // М: Мир, 1986. 556 с.
  96. Г. М. Релаксационные процессы в стеклообразных системах / Г. М. Бартенев, Д. С. Сандитов// Новосибирск: Наука, 1986.-247 с.
  97. Chen Т.С. Impedance spectroscopy of SrBi2Ta209 and SrBi2Nb209 ceramics correlation with fatigue behavior /Т.С. Chen, C.L. Thio, S.B. Desu//J. Mater. Res. 1997.-V. 12. № 10.- P. 2628 .
  98. Szot K. Pawelczyk M, J. Herion J. Nature of the surface layer in АВОЗ-type perovskites at elevated temperatures/K. Szot, M.J. Pawelczyk. J. Herion // Appl. Phys. 1996.- A. 62. — P. 335−343.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!