Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование процессов переключения спонтанной поляризации в высокотемпературном сегнетоэлектрике LaBGeO5

Диссертация: Исследование процессов переключения спонтанной поляризации в высокотемпературном сегнетоэлектрике LaBGeO5
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Обнаружено изменение времени переключения более чем на четыре порядка в интервале температур от 20 °C до 120 °C и более чем на три порядка в интервале полей от 20 kV/cm до 200 kV/cm. Показано, что изменение температуры в указанном интервале не влияет на формфактор кривой тока переключения. Обнаружено качественное изменение вида временной зависимости тока переключения при увеличении электрического… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Современные представления о механизме процессов переключения спонтанной поляризации в модельных сегнетоэлектриках (ВаТЮз, ТГС, LiNbOa)
    • 1. 2. Структура и свойства кристалла LaBGeOs
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ
    • 2. 1. Образцы
    • 2. 2. Методика для исследования пироэлектрических свойств
    • 2. 3. Методика для исследования процессов переключения в высоких электрических полях до 300 kV/cm
    • 2. 4. Методика для исследования процессов переключения в установившемся режиме и в режиме одиночных импульсов с переменной скважностью
    • 2. 5. Методика исследования пьезоэффекта статическим методом
  • ГЛАВА 3. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ, СПОНТАННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ И ПЬЕЗОЭФФЕКТ В МОНОКРИСТАЛЛЕ LaBGeOs
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СПОНТАННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ КРИСТАЛЛА I^aBGeOs В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 20 °C — 200 °С
  • ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СПОНТАННОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ КРИСТАЛЛА LaBGeOs В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР ОТ 200 °C ДО 530 °С

Исследование процессов переключения спонтанной поляризации в высокотемпературном сегнетоэлектрике LaBGeO5 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы.

Интерес исследователей к процессам переключения спонтанной поляризации в сегнетоэлектриках под действием электрического поля возник в начале пятидесятых годов и не ослабевает по сегодняшний день. Предприняты многочисленные попытки создать непротиворечивую теорию процессов переключения спонтанной поляризации и движения доменных границ в сегнетоэлектриках. В настоящее время сравнительно полное теоретическое описание этих процессов существует только для модельных сегнетоэлектриков с малой величиной коэрцитивного поля, таких как ВаТЮз и ТГС. Однако, теория, описывающая процессы переключения в высококоэрцитивных (жестких) сегнетоэлектриках, таких как ЫЫЪОз, LiTa03, находится на стадии развития. В этом смысле исследование процессов переключения в монокристалле LaBGeOs имеет фундаментальное значение и представляет особый интерес, так как в районе 20 °C кристалл демонстрирует поведение «жестких» сегнетоэлектриков, а при повышении температуры величина его коэрцитивного поля плавно уменьшается и при высоких температурах ~400 -500 °С обнаруживаются особенности процессов переключения, во многом сходные с наблюдаемыми на модельных сегнетоэлектриках, таких как ВаТЮз и ТГС. В последние годы интерес к проблеме усилился в связи с открытием многих прикладных направлений применения сегнетоэлектрических материалов. Так, ведется работа по созданию устройств энергонезависимой памяти на сегнетоэлектриках [84]. В связи с этим становится актуальным исследование кинетики переполяризации в различных сегнетоэлектрических кристаллах и тонких пленках. Развивается направление, названное «доменной архитектурой», состоящее в создании искусственных доменных структур для некоторых практических применений. Примером устройств, в которых применяется искусственно созданные периодические доменные структуры, могут служить удвоители частоты света, построенные на принципе искусственного волнового квазисинхронизма. Наиболее распространенным методом получения таких доменных структур является метод переключения спонтанной поляризации-под действием внешнего электрического поля [101 105]. Поэтому по сегодняшний день актуальны исследования процессов стабилизации доменной структуры, эффектов экранирования, влияния примесей и дефектов кристаллической решетки, материалов электродов и процессов в области контакта электрод — кристалл на процесс переключения спонтанной поляризации. Монокристалл LaBGeOs может являться привлекательным объектом для создания устройств доменной архитектуры, так как он обладает устойчивой доменной структурой в интервале «рабочих» температур вблизи комнатной, а при повышенных температурах >~300°С спонтанная поляризация может быть переключена сравнительно малым электрическим полем.

Цели и задачи работы.

Основной целью работы являлось исследование процессов переключения спонтанной поляризации в монокристаллах LaBGeOs под действием электрических полей напряженностью от ~1 до 300 kV/cm в широком диапазоне температур от 20 до 530 °C.

Для достижения данной цели были поставлены следующие задачи:

Разработать и изготовить установку для квазистатических пироэлектрических измерений в диапазоне температур 20 °C — 700 °C на образцах с пониженным электросопротивлением (~1 МП), позволяющую исключить влияние токов проводимости на результаты пироэлектрических измерений.

Разработать и изготовить установку для исследования процессов переключения спонтанной поляризации сегнетоэлектрических кристаллов под действием высоковольтных импульсов амплитудой до 12 kV (метод Мерца) и медленно меняющихся напряжений произвольной формы амплитудой до 15 kV в интервале температур 20 °C — 700 °C.

Определить температурную зависимость пирокоэффициента и спонтанной поляризации в высокотемпературном сегнетоэлектрике LaBGeOs (LBGO) методом квазистатических пироэлектрических измерений. Определить условия получения монодоменного состояния. Статическим методом измерить независимые пьезомодули в монокристалле LBGO.

Исследовать кинетику переключения спонтанной поляризации в монокристаллах LaBGeOs под действием импульсных и медленно меняющихся электрических полей напряженностью до 300 kV/cm в интервале температур от 20 до 200 °C и до 12 kV/cm в интервале температур 200 -530 °С.

Оценить применимость наиболее известных на сегодняшний день моделей, описывающих кинетику переключения спонтанной поляризации сегнетоэлектриков, для объяснения экспериментальных данных.

Объекты и методы исследования.

Объектами исследования являлись монокристаллы LaBGeOs, выращенные методом Чохральского в проблемной лаборатории магнетизма физического факультета МГУ к.ф.-м.н Б. В. Миллем на установке Malvern MSR2. Образцы представляли собой пластинки, вырезанные перпендикулярно оси третьего порядка кристалла толщиной от 0.5 до 2 mm, площадью ~ 0.5 cm2. Большие грани образцов полировались алмазными порошками до оптического качества и покрывались металлическими электродами, состоящими из подслоя титана толщиной в 40 nm и слоя золота толщиной 1 цт. При проведении пьезоэлектрических измерений использовались срезы трех различных кристаллографических ориентаций.

Научная новизна.

1. Определена температурная зависимость пирокоэффициента и спонтанной поляризации в высокотемпературном сегнетоэлектрике LaBGeOs (LBGO) методом квазистатических пироэлектрических измерений. Определены коэффициенты Ландау фазового перехода второго рода. Обнаружена возможность создания устойчивого монодоменного состояния кристалла путем охлаждения через фазовый переход в малом —10 V/cm электрическом поле.

2. Впервые показана возможность переключения спонтанной поляризации под действием электрического поля в монокристаллах LaBGeOs в окрестности комнатной температуры 20 °C — 200 °C. Обнаружено экспоненциальное нарастание коэрцитивного поля от 20 kV/cm до 180 kV/cm при понижении температуры в интервале от 20 °C до 200 °C.

3. Обнаружено изменение времени переключения более чем на четыре порядка в интервале температур от 20 °C до 120 °C и более чем на три порядка в интервале полей от 20- kV/cm до 200 kV/cm. Показано, что изменение температуры в указанном интервале, не влияет на формфактор кривой тока переключения. Обнаружено качественное изменение вида временной зависимости тока переключения при увеличении электрического поля, от классической куполообразной, при малых полях, до монотонно убывающей в полях, больших 70 kV/cm.

4. Предложена модель зародышеобразования, учитывающая существование в кристалле центров зарождения доменов, занимающих определенную долю площади кристалла. С помощью предложенной модели, следуя теории Колмогорова — Аврами — Ишибаши, качественно объяснены формы импульсов тока переключения, наблюдаемых в монокристалле LBGO, в интервале температур 20 °C -120 °С.

5. При температурах выше ~200 °С обнаружена зависимость параметров переключения от частоты и скважности приложенного электрического поля в установившемся режиме переключения, а также явления стабилизации доменной структуры при выдерживании кристалла в монодоменном и деполяризованом состояниях. В рамках существующих моделей определены времена релаксации внутреннего поля.

6. Статическим методом впервые измерены шесть независимых пьезомодулей в монокристалле LBGO. *.

Практическая значимость.

Полученный комплекс данных по пироэлектрическим и пьезоэлектрическим свойствам исследованного кристалла предоставляет необходимую информацию для практического применения монокристалла LaBGeOs в качестве чувствительного элемента пирои пьезодатчиков.

Полученная информация о кинетике переключения спонтанной поляризации, устойчивости доменной структуры, условиях получения монодоменного состояния и процессах стабилизации доменной структуры открывают возможности применения кристалла LaBGeOs в устройствах доменной архитектуры. На основании проведенной работы сделан вывод о перспективности монокристалла LBGO для создания электроуправляемых нелинейнооптических устройств, пьезо и пиродатчиков.

Апуобаиия работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих всероссийских и международных конференциях:

— Международной конференции по сегнетоэлектричеству, Мадрид, Испания, 2001;

— Семинаре памяти В. М. Рудяка «Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках», Тверь, 2002;

— Европейском совещании по сегнетоэлектричеству, Кембридж, Великобритания, 2003;

— Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения», Москва, МИРЭА, 2003;

— Четвертом международном семинаре по физике сегнетоэластиков, Воронеж, 2003;

— Международном научно-практическом семинаре «Сегнетоэлектрические материалы», Белоруссия, Минск, 2004.

Публикаиии.

По результатам работы опубликовано 4 статьи в российских и зарубежных реферируемых научных изданиях,^ также 6 тезисов докладов на всероссийских и международных научных конференциях.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, заключения и библиографии, содержащей 123 наименования. Общий объем 178 страниц, включая 91 рисунок и 5 таблиц.

Основные результаты и выводы.

1. Разработана и изготовлена установка для квазистатических пироэлектрических измерений в диапазоне температур 20 °C — 700 °C на образцах с пониженным электросопротивлением (~1 МП), позволяющая исключить влияние токов проводимости на результаты пироэлектрических измерений.

2. Разработана и изготовлена установка для исследования переключения спонтанной поляризации сегнетоэлектрических кристаллов под действием высоковольтных импульсов амплитудой до 12 kV и медленно меняющихся напряжений произвольной формы амплитудой до 12 kV в интервале температур 20 °C — 200 °C.

3. Определена температурная зависимость пирокоэффициента и спонтанной поляризации в высокотемпературном сегнетоэлектрике LaBGeOs методом квазистатических пироэлектрических измерений. Определены коэффициенты Ландау фазового перехода второго рода. Обнаружена возможность создания устойчивого монодоменного состояния кристалла путем охлаждения через фазовый переход в малом -10 V/cm электрическом поле.

4. Впервые показана возможность переключения спонтанной поляризации под действием электрического поля в LBGO в окрестности комнатной температуры 20 °C — 200 °C. Обнаружено экспоненциальное нарастание коэрцитивного поля от 20 kV/cm до 180 kV/cm при понижении температуры в интервале от 200 °C до.20 °С.

5. Обнаружено изменение времени переключения более чем на четыре порядка в интервале температур от 20 °C до 120 °C и более чем на три порядка в интервале полей от 20 kV/cm до 200 kV/cm. Показано, что изменение температуры в указанном интервале не влияет на формфактор кривой тока переключения. Обнаружено качественное изменение вида временной зависимости тока переключения при увеличении электрического поля, от классической куполообразной, при малых полях, до монотонно убывающей в полях, больших 70 kV/cm.

6. Предложена модель зародышеобразования, учитывающая существование в кристалле центров зарождения доменов, занимающих определенную долю площади кристалла. С помощью предложенной модели, следуя теории Колмогорова — Аврами — Ишибапга, качественно объяснены формы импульсов тока переключения, наблюдаемых в монокристалле LBGO в интервале температур 20 °C -120 °С.

7. При температурах выше -200 °С обнаружена зависимость параметров переключения от частоты и скважности приложенного электрического поля в установившемся режиме переключения, а также явления стабилизации доменной структуры при выдерживании кристалла в монодоменном и деполяризованном состояниях. В рамках существующих моделей определены времена релаксации внутреннего поля.

8. Статическим методом измерены шесть, независимых пьезомодулей в монокристалле LBGO.

9. На основании проведенной работы можно сделать вывод о перспективности монокристалла LBGO для реализации «доменной архитектуры» и создания электроуправляемых нелинейнооптических устройств, пьезо и пиродатчиков.

Заключение

.

Все экспериментальные результаты были получены на кафедре Общей физики и магнитоупорядоченных сред физического факультета Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова. Основные результаты опубликованы в работах [114−124].

В заключение хочу выразить искреннюю благодарность научному руководителю проф. Борису Анатольевичу Струкову за постановку задачи, всестороннюю поддержку и постоянный интерес к моей работе. Я также очень благодарен Владимиру Николаевичу Милову за помощь и поддержку в работе, Антонине Михайловне Кадомцевой за внимание к моей работе, Борису Вениаминовичу Миллю за предоставленные монокристаллы и всем сотрудникам проблемной лаборатории магнетизма за теплое отношение и поддержку. Кроме того, я очень признателен Михаилу Борисовичу Кадомцеву за ценные теоретические дискуссии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Merz W. J., Domain properties in ВаТЮЗ, Phys. Rev., 1952, V. 88, N. 2, p. 421−422
  2. Merz W. J., Domain formation and domain wall motions in ferroelectric BaTi03single crystals, Phys. Rev., 1954, V. 95, N. 3, p. 690−698
  3. Merz W. J., Switching time in ferroelectric ВаТЮЗ and its dependence on crystalthickness, J. Appl. Phys., 1956, V. 27, N. 8, p. 938−942
  4. Pulvari C. F. and Kuebler W., Phenomenological Theory of Polarization Reversalin BaTi03 Single Crystals, J. Appl. Phys.1958 V. 29 N. 9 p. 1315−1320
  5. Little E. A., Dynamic behavior of domain walls in barium titanate, Phys. Rev., 1955, V. 98, N. 4, p. 978−984
  6. Stadler H. L, Ferroelectric switching time of ВаТЮз crystals at high voltages, J.
  7. Appl. Phys., 1958, V. 29, p. 1485−1487
  8. Miller R. C. and Savage A., Further experiments on the sidewise motion of 180°domain walls in BaTi03, Phys. Rev., 1959, V. 115, N. 5, p. 1176−1180
  9. Stadler H. L. and Zachmanidis P. J., Nucleation and growth of ferroelectricdomains in BaTi03 at fields from 2 to 450 kV/cm, J. Appl. Phys., 1963, V. 34, N. 11, p. 3255−3260
  10. R. C. Miller, On the origin of Barkhausen pulses in ВаТЮз, J. Phys. Chem. Solids, 1960, V. 17, p. 93−100
  11. Kinase W. and Takahashi H., On the 180°-type domain wall of ВаТЮз crystal, J.
  12. Phys. Soc. Japan, 1957, V. 12, N. 5, p. 464−476
  13. В. А., К теории доменных стенок в сегнетоэлектриках, ЖЭТФ, 1958,
  14. Т. 35, вып. 5, р. 1175−1180
  15. . А., Леванюк А. П., Физические основы сегнетоэлектрическихявлений в кристаллах, Москва, изд. Наука, 1983,240 с.
  16. Л. П., Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типатитаната бария, Рига, изд. «Зинатне», 1971, 224с.
  17. Fatuzzo Е. and Merz W., Switching mechanism in triglycine sulfate and otherferroelectrics, Phys. Rev., 1959, V. 116, N. 1, p. 61−68
  18. Chynoweth A. G. and Abel J.L., Built-in nucleation sites in triglycine sulfate, J.
  19. Appl. Phys., 1959, V.30, N. 10, p. 1615−1617
  20. Landauer R., Electrostatic considerations in ВаТЮз domain formation duringpolarization reversal, J. Appl. Phys., 1957, V. 28, N. 2, p. 227−234
  21. Miller R. C. and Weinreich G., Mechanism for the sidewise motion of 180°domain wails in barium titanate, Phys. Rev., 1960, V. 117, N. 6, p. 1460−1466
  22. Abe R., Theoretical treatment of the movement of 180° domain in ВаТЮз singlecrystal, J. Phys. Soc. Japan, 1959, V. 14, N. 5, p. 633−642
  23. Fatuzzo E. and Merz W. J., Ferroelectricity, Amsterdam, North-Holland
  24. Publishing Company, 1967,287p.
  25. Nakamura Т., Possible mechanism of ferroelectric domain boundary movement, J.
  26. Phys. Soc. Japan, 1954, V. 9, N. 3, p. 425−426
  27. Nakamura Т., Kinematic theory of ferroelectric domain growth, J. Phys. Soc.
  28. Japan, 1960, V. 15, N. 8, p. 1379−1386
  29. Takahasi H., Nakamura Т., and Y. Ishibashi, Shape of nucleus domain anchoredto a screw dislocation in ferroelectric crystal, J. Phys. Soc. Japan, 1960, V. 15, N. 5, p. 853−859
  30. Hayashi M., Kinetics of domain wall motion in ferroelectric switching. I. Generalformulation, J. Phys. Soc. Japan, 1972, V. 33, N. 3, p. 616−628
  31. Hayashi M., Kinetics of domain wall motion in ferroelectric switching. П.
  32. Application to barium titanate, J. Phys. Soc. Japan, 1973, V. 34, N. 5, p. 1 240 1244x
  33. Miller R. C., Some experiments on the motion of 180° domain walls in ВаТЮз,
  34. Phys. Rev., 1958, V. 111, N 3, p 736−739
  35. Chynoweth A. G. and Abel J.L., Polarization reversal by sideways expansion ofdomains in ferroelectric triglycine sulphate, J. Appl. Phys., 1959, V. 30, N. 7, p. 1073−1080
  36. Л. И., Тихомирова Н. А., Булатова Л. Г., Дрогни В. И., Чеботарев А.
  37. А., Шильников А. В., Шувалов Л. А., Зависимость характеристик переключения кристаллов ТГС от толщины, ФТТ, 1987, т. 29, вып.4
  38. Н.А., Донцова Л. И., Гинзберг А. В., Чеботарев А.А., Шувалов
  39. Л.А., Особенности процесса переполяризации тонких пластин кристалла ТГС, ФТТ, 1986, Т. 28, с.3319
  40. Dontsova L.I., Tikhomirova N.A. and Shuvalov L.A., Investigation of domainstrukture and switching processin ferroelectrics by the liquid crystal method, Ferroelectrics, 1989, v.97, pp. 87−124
  41. Л. И.,. Булатова Л. Г, Попов Э. С., Шильников А. В., Чеботарев А.
  42. А., Тихомирова Н. А., Баранов А. И., Шувалов JL А., Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС, Кристаллография, 1982, Т. 27, вып. 2, с. 305−312
  43. Л. И., Тихомирова Н. А., Булатова Л. Г., Попов Э. С., Шильников
  44. А. В., Шувалов Л. А., Аномальное переключение доменов в кристаллах триглицинсульфата, Кристаллография, 1983, Т. 28. вып. 2, с. 388−391
  45. Н. Н, Model for switching and polarization reversal in colemanite, J.
  46. Appl.Pys., 1960, V.31,N. l, p. 180−187
  47. AvramLM., Kinetics of phase change. 1 General theory, J. Chem. Phys., 1939, V.7, p. l 103−1112
  48. Avrami M., Kinetics of phase change. 2 Transformation-Time Relations for
  49. Random Distribution of Nuclei, J. Chem. Phys., 1940, V. 8, p. l 103−1112
  50. Avrami M., Granulation, Phase Change and Microstructure. Kinetics of phasechange. 3, J. Chem. Phys., 1941, V. 9, p. l 103−1112
  51. Husimi K., Phenomenological Theory of Ferroelectric Polarization Reversal, J.1. Phys. Soc. Jap, 1970, V28
  52. Fatuzzo E., Theoretical considerations on the switching transient in ferroelectrics,
  53. Phys. Rev., 1962, V. 127, N. 6, p. 1999−2005
  54. J., -Ibeas, A theoretical interpretation of the contour and symmetry ofxswitching transients in ferroelectric crystals, J. Appl. Phys., 1967, V. 38, N. 13, p. 5141−5148
  55. White D. J., Models for Switching in Ferroelectrics, J. Appl. Phys., 1961, V. 32, p.1169
  56. Ishibashi Y. and Takagi Y., Note on ferroelectric domain switching, J. Phys. Soc.
  57. Japan, 1971, V. 31, N. 2, p. 506−510
  58. A. H., К статистической теории кристаллизации металлов, Изв.
  59. АН СССР, сер. мат., 1937, Т. 3, с. 355−359
  60. Sekimoto К., Evolution of the domain structure during the nucleation and grownprocess with non-conserved order parameter, 1986, Physica, V. 137A, p. 328 346.
  61. Sekimoto K., The saddle-point configuration of the symmetric
  62. Ohta Т., Enomoto Y., Kato R., Domain growth with time-dependent front velocityin one dimension, 1991, Phys. Rev. В, V. 43, N. 16, p. 13 262−13 268.
  63. С. А., Осипов А. В., Термодинамика и кинетика начальныхстадий переключения в сегнетоэлектриках, 2001, ФТТ, т. 43, в. 1, с. 80−87
  64. С.А., Осипов А. В., Кинетика переключения в сегнетоэлектриках, 2001, ФТТ, т. 43, в. 1, с. 80−87
  65. С. А., Осипов А. В., Кинетика переключения в сегнетоэлектрикахв области сильной метастабильности, 2001, ФТТ, т. 43, в. 2, с. 312−315
  66. С.А., Захаров М. А., Кинетика переключения в сегнетоэлектрикахсегнетоэластиках, 2002, ФТТ, т. 44, в. 1, с. 2193−2203
  67. Н. М. and Beale P. D., Grain-size effects in ferroelectric switching, Phys.
  68. Rev. В., 1990, V. 41, N. 1, p. 490−495
  69. Orihara H. and Ishibashi Y., A statistical theory of nucleation and growth in finitesystems, J. Phys. Soc. Japan, 1992, V. 61, N. 6, p. 1919−1925
  70. Ishibashi Y. and Orihara H., Size Effect in Ferroelectric Switching, J. Phys. Soc.
  71. Jap. 1992, V.61, N. 12, p. 4650−4656
  72. Shur V. Ya, Rumyantsev E. L. and Makarov S. D., Kinetics of phasetransformations in real finite systems: application to switching in ferroelectrics, J. Appl. Phys., 1998, V. 84, N. 1, p. 445−451
  73. Shur V. Ya., Kinetics of polarization reversal in normal and relaxor ferroelectrics: relaxation effects, Phase transitions, 1998, V. 65, pp. 49−72
  74. Shur V. Ya, Rumyantsev E. L., Makarov S. D., Ponomarev N. Yu., Nikolaeva
  75. E.V., and Shiskin E.I., How to learn domain kinetics from the switching current data, Integrated Ferroelectrics, 1999, V. 27, pp. 179−194.
  76. Shur V. Ya. and Rumyantsev E. L., Kinetics of ferroelectric domain structureduring switching: theory and experiment, Ferroelectrics, 1994, V. 151, pp. 171 180
  77. Y. Ishibashi, Theory of Polarization Reversals in Ferroelectrics Based on Landautype free energy, J. Appl. Phys., 1992, Vol. 31, pp. 2822−2824.
  78. C.L. Wang, L. Zhang, W.L. Zhong, P.L. Zhang, Phys. Lett. A., 1999, V. 254, pp.297.300
  79. V. Gopalan and Mool C. Gupta, Origin of internal field and visualization of 180°domains in congruent LiTaCb crystals, J. Appl. Phys., 1996, V. 80, p. 6099
  80. Gopalan V. and Mitchell Т. E., Wall velocities, switching times, and thestabilization mechanism of 180° domains in congruent ЬЛТаОз crystals, J. Appl. Phys., 1998, V. 83, N. 2, p. 941−954
  81. Gopalan V., Mitchell Т., Furukawa Y., and Kitamura K., The role ofnonstoichiometry in 180° domain switching of LiNbOj crystals, Appl. Phys. Lett., 1998, V. 72, N. 16, p. 1981−1983
  82. Kitamura K., Furukawa Y., Niwa K., Gopalan V. and Mitchell Т., Crystal growthand low coercive field 180° domain switching characteristics of stoichiometric LiTaOs, Appl. Phys. Lett., 1998, V. 73, N. 21, p. 3073−3075
  83. Gopalan V., Mitchell Т. E., Sickafus К. E., Switching kinetics of 180° domains incongruent LiNbC>3 and LiTaCb crystals, Solid State Communications, 1999, V. 109,111−117
  84. Gopalan V. and. Mitchell Т. E, In situ video observation of 180° domainswitching in LiTa03 by electro-optic imaging microscopy, J. Appl. Phys., 1999, V. 85, N. 4, p. 2304−2311
  85. Gopalan V., Jia, Q. X. and Mitchell Т. E., In situ video observation of 180°domainkinetics in congruent LiNbC>3, Appl. Phys. Lett, 1999, V. 75, N. 16, p. 2482−2484
  86. Kim S., Gopalan V., Kitamura K., Furikawa Y., Domain reversal andnonstohiometry in lithium tantalate, J. Appl. Phys., 2001, V. 90, N. 6,29 492 963
  87. Shur V. Ya., Nikolaeva E. V., Shishkin E. I., Kozhevnikov V. L., Chernykh A. P.,
  88. Terabe K. and Kitamura K., Polarization reversal in congruent and stoichiometric lithium tantalate, Appl. Phys. Lett., 2001, V. 79, N. 19, p. 31 463 148
  89. Shur V. Ya., Rumyantsev E. L., Shishkin E. I., Nikolaeva E. V., Batchko R., Fejer
  90. M., Byer R. and Mnushkina I., Domain kinetics in congruent and stoichiometric lithium niobate, Ferroelectrics, 2002, V. 269, p. 189−194
  91. Shur V. Ya., Nikolaeva E. V., Shishkin E. I., Chernykh A. P., Terabe K.,
  92. Kitamura K., Ito H., and Nakamura K., Domain shape in congruent and stoichiometric lithium tantalite, Ferroelectrics, 2002, V. 269, p. 195−200
  93. Shur V. Ya., Rumyantsev E. L., Nikolaeva E. V., and Shishkin E. I., Formationand evolution of charged domain walls in congruent lithium niobate, Appl. Phys. Lett., 2000, V. 77, N. 22, p. 3636−3638
  94. Ro J. H. and Cha M., Subsecond relaxation of internal field after polarizationreversal in congruent LiNbCb and ЫТаОз crystals, Appl. Phys. Lett, 2000, V. 77, N. 15, p. 2391
  95. Ф., Ширане Д., Сегнетоэлектрические кристаллы, Москва, изд. Мир, 1965, 555с.
  96. R. С. and Savage A., Motion of 180° domain walls in metal electrodedbarium titanate crystals as function of electric field and sample thickness, J. Appl. Phys., 1960, V. 31, N. 4, p. 662−669
  97. Shur V. Ya., Rumyantsev E., Nikolaeva E., Shishkin E. I., Batchko R., Miller G.,
  98. Fejer M., and Byer R., Regular ferroelectric domain array in lithium niobate crystals for nonlinear optic applications, Ferroelectrics, 2000, V. 236, p. 129 144
  99. Shur V. Ya, Rumyantsev Е. L.,. Nikolaeva E. V, Shishkin E. I., Fursov D. V.,
  100. Batchko R., Eyres L., Fejer M., Byer R., and Sindel J., Formation of self-organized nanoscale domain patterns during spontaneous backswitching in lithium niobate, Ferroelectrics, 2001, V. 253- p. 105−114
  101. Shur V. Ya, KorovinaN.V. and Gruverman A.L., Time dependence of the internalfield in lead germanate, Sov. Phys. Tech. Phys., 1985, V.30, p.120
  102. Shur V. Ya, Gruverman A.L., Korovina N.V., Orlova M.Z. and Sherstobitova
  103. V., Spatial distribution of the internal field in lead germanate having different types of domain structure, Sov. Phys. Solid State, 1988, V. 30, p. 172
  104. Shur V. Ya, Letuchev V. V., and Popov Yu. A., Changes in the domain structureof lead germanate single crystals, 1982, Sov. Phys. Sol. State, V. 24, p.1957
  105. Фридкин B. M, Фотосегнетоэлектрики, Москва, изд. «Наука», 1979,264 с.
  106. Shur V. and Rumyantsev E., Arising and Evolution of the domain structure inferroics, J. Korean Phys. Soc., 1998, V. 32, p. S727-S732
  107. Shur V. Ya., Rumyantsev E. L., Nikolaeva E. V., Shishkin E. I., and Baturin I. S.,
  108. Kinetic approach to fatigue phenomenon in ferroelectrics, J. Appl. Phys., 2001, V. 90, N. 12, p. 6312−6315
  109. Shur V. Ya., Rumyantsev E. L., Nikolaeva E. V., Shishkin E. I., Baturin I. S., M.
  110. Ozgul and C. Randall, Kinetics of fatigue effect, Integrated Ferroelectrics, 2001, V. 33, p. 117−132
  111. Шур В. Я., Румянцев E. JI., Николаева E. В., Шишкин E. И., Батурин И. С.,
  112. Кинетический подход к объяснению эффекта усталости в сегнетоэлектриках, ФТТ, 2002, Т. 44, вып. 11, с. 2049−2055,
  113. Scott J.F., The Physics of Ferroelectric Ceramic Thin Films for Memory
  114. Applications, Ferroelecrics Reviev, 1998, V. l, pp. 1−129
  115. А. А., Милль Б. В., Белоконева Е. Л., Буташин А. В.,
  116. Выращивали структура и спектроскопия кристаллов боргерманата лантана, LaBGeOs, Неорганические материалы, 1990, с. 1105−1107
  117. Е. Л., Милль Б. В., Буташин А. В., Каминский А. А., Полиморфизм соединений LnBGeOs, Неорганические материалы, 1991, Т.27, № 8, с. 1700−1707
  118. Kaminskii A. A., Butashin А. V., Maslyanizin I. A., Mill В. V., Mironov V. S.,
  119. Rozov S. P., Sarkisov S.E., Shigorin V. D., Pure and Nd3+ -, Pr3+ Ion Doped Trigonal Acentric LaBGeOs Single Crystals, phys. stat. sol., 1991, V.125, c. 671
  120. С.Ю., Милль Б. В., Буташин A.B., Сегнетоэлектричество и фазовые переходы в стилвеллите LaBGeOs, Кристаллография, 1992, Т.37, вып. 4, с. 965−970.
  121. Uesy Y., Horiuchi N., Osakabe E., Omori S., Strukov B. A., On the Phase Transition of New Ferroelectric LaBGeOs, 1993, J. Phys. Soc. Jap., V62, N. 7, pp. 2522−2523
  122. Onodera A., Strukov B. A., Belov A. A., Taraskin S. A., Haga H, Yamashita H., Uesu Y., Thermal and Dielectric Properties of a New Ferroelectric LaBGeOs, J. Phys. Soc. Jap., 1993, V.62, N. 12, pp. 4311−4315
  123. P. В., Серан M., Комбинационное рассеяние света в сегнетоэлектрике LaBGeOs, ФТТ, 1995, Т.37, № 12, с. 3669−3680,
  124. С. Ю., Мосунов А. В., Милль Б. В., Сигаев В. Н., Сегнетоэлектричество в структурном семействе стилвеллита, Изв. Акад. Наук, сер. Физ., 1996, Т. 60, № 10, с. 78−84
  125. Belokoneva Е. L., David W. I. F., Forsyth J. В., Knight К. S., Structural aspects of the 530 °C phase transition in LaBGeOs, J. Phys. Cond. Matter, 1997, V. 9, pp.3503−3519
  126. Mitsui Т. and Furuchi J., Domain structure of rochelle salt and KH2PO4, Phys.
  127. Rev., 1953, V. 90, N. 2, p. 193−202
  128. Miller R.C., Savage A., Velosity of Sidewise 180° Domain-Wall Motion in
  129. ВаТЮз as a Function of the Applied Electric Field, Phys. Rev, 1958, V. 112, p.755
  130. Chynoweth A. G., Barkhausen Pulses in Barium Titanate, Phys. Rev., 1958, V.110, p. 1316
  131. Hatta I., Swada S., Switching Transient in NaN02, Jpn. J. Appl. Phys, 1965, V. 4, p. 389
  132. Kumada A., Phys. Lett., V. 1969,30A, p. 186
  133. Hase T. and Shiosake Т., Preparation and Switching Kinetics of Pb (Zr, Ti) C>3 Thin
  134. Films Deposited by Reactive Sputtering, Jpn. J. Appl. Phys., 1991, V. 30, N 9B, p. 2159−2162
  135. Nevott L., Proc. Intern. Meeting on Ferroelectricity, Prague, 1966, V. 2, p. 112
  136. Myers L. E., Periodicaly poled materials for nonlinear optics, Advanced in lasersand applications, 1998, V.52, pp. 141−180
  137. Mizuuchi K., Yamamoto K. and Kato M., Generation of ultraviolet light byfrequency doubling of a red laser diode in a first-order periodically poled bulk
  138. Ta03, Appl. Phys. Lett., 1997, V. 70, N. 10, p. 1201−1203*
  139. Yamada M., Nada N., Saitoh M. and Watanabe K., First order quasi-phasematched LiNb03 waveguide periodically poled by applying an external field for efficient blue second harmonic generation, Appl. Phys. Lett., 1993, V. 62, N. 5, p. 435−436
  140. Rosenman G., Skliar A. and Arie A., Ferroelectric domain engineering for quasiphase-matched nonlinear optical devices, Ferroelectrics Review, 1999, V. 1, p. 263−326
  141. Zhu S., Zhu Y., Zhang Z., Shu H., Wang H., Hong J., Ge C. and Ming N., LiTa03crystal periodically poled by applying an external pulsed field, J. Appl. Phys., 1995, V. 77, N. 10, p. 5481−5483
  142. В. В., Спивак Г. В., О наблюдении доменной структуры тонких сегнетоэлектрических пленок в просвечивающем электронном микроскопе, Изв. АН СССР, сер. физ, 1966, Т. 30, вып. 5, с. 823−828
  143. В. И., Николаев И. Н., Попов Э. С., Наблюдение развития доменной структуры монокристаллов NaNCb в растровом электронноммикроскопе, ФТТ, 1987, Т. 29, вып. 6, с. 1855−1857
  144. J. Wittborn, С. Canalias, and K.V. Rao, Nanoscale Imaging of domains anddomain walls in periodically poled ferroelectrics using atomic force microscopy, Appl. Phys. Letters, 2002, V. 80,1622−1624
  145. Meyer E., Huser Т., Heinzelmann H. and H. J. Guntherodt, Ferroelectric domaincharacterisation and manipulation: a challenge for scanning probe microscopy, Ferroelectrics, 1999, V. 222, p. 153−162
  146. Cho Y., Kazuta S. and Matsuura K., Scanning nonlinear dielectric microscopywith nanometer resolution, Appl. Phys. Lett., 1999, V. 75, N. 18, p. 2833−2835
  147. Saurenbach F. and Terris B. D., Imaging on ferroelectric domain walls by force microscopy, Appl. Phys. Lett., V. 56, N. 17, p. 1703−1705
  148. Robels U., Calderwood J.H. and Arlt G., Shift and deformation of the hysteresis curve of ferroelectrics by defects: An electrostatic model, J. Appl. Phys., 1995, V. 77 (8), 4002−4008
  149. Lohkamper R., Neumann H., Arlt G., Internal bias in acceptor-doped ВаТЮз ceramics: Numerical Evaluation of increase and decrease., J. Appl. Phys., 1990, V. 68(8), pp 4220−4224
  150. E. В., Струков Б. А., Пироэлектрический эффект и спонтанная поляризация в высокотемпературном сегнетоэлектрике LaBGe05, ФТТ, 2001, Т.43, с.495
  151. Milov Е. V., Strukov В. A and Milov V. N., Spontaneous polarization and domain reversal in new ferroelectric LaBGeOs, Ferroelectrics, 2001, V. 269, p. l5
  152. Milov E. V., Milov V. N., Strukov B. A., Anomalous «fatigue» effect in high-temperature ferroelectric crystal LaBGeOs, Ferroelectrics, 2004, V. 61, p. 205
  153. E. В., Милов В. H., Струков Б. А., Частотная зависимость параметров переключения в монокристалле LaBGeOs в окрестности высокотемпературного фазового перехода, Изв. РАН сер. физ., 2004, Т. 68, с. 963
  154. Milov Е. V., Strukov В. A and Milov V.N., Spontaneous polarization and domain reversal in new ferroelectric LaBGeOs, Abs book of the 10th IMF, 3−7 Sep. Madrid, Spain, 2001
  155. Milov E.V., Milov V.N., Strukov В.A., Anomalous «fatigue» effect in high-temperature ferroelectric crystal LaBGeOs, J. of Conf., 10й1 EMF, 3−8 Aug. Cambridge, United Kingdom, 2003
  156. Е. В., Милов В. Н. Струков Б. А. Особенности процесса переполяризации в новом сегнетоэлектрике LaBGeOs, Сборник докладов международного научно-практического семинара «Сегнетоэлектрические материалы», с.5, Белоруссия, Минск, 28- 29 апреля, 2004.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!