Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов посредством изменения симметрии и вращения теплового поля

Диссертация: Метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов посредством изменения симметрии и вращения теплового поля
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Результаты работы докладывались автором и коллегами на 11-th International Conference on Crystal Growth (ICCG-11), The Hagua, Netherlands, 26−31 July 1995; 12-th International Conference on Crystal Growth (ICCG-12), Jerusalem, Israel, 26−31 July 1998; второй региональной конференции «Материалы Сибири», Барнаул, 6−9 сентября 1998; SPIE LASE'99 conference, Part of Photonics WEST… Читать ещё >

Содержание

  • Часть 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
  • Глава 1. Управление процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов
    • 1. 1. Контактные и бесконтактные способы управления
    • 1. 2. Характеристика тепловых полей
      • 1. 2. 1. Принцип симметрии Кюри и симметрия конвективных процессов
      • 1. 2. 2. Температурные колебания при выращивании кристаллов
    • 1. 3. Критерии подобия и численное моделирование
    • 1. 4. Тепломассоперенос при выращивании кристаллов гидротермальным методом
    • 1. 5. Выводы к главе
  • Глава 2. Борат бария р-ВаВгС^ - материал нелинейной оптики
    • 2. 1. Введение к главе
    • 2. 2. Бораты бария. Система ВаО-ВгОз
    • 2. 3. Стеклообразование в системе ВаО-ВгОз
    • 2. 4. Получение исходного состава ВаВ
      • 2. 4. 1. Водные способы синтеза: осаждение ВаВгО^пНгО из водных растворов
      • 2. 4. 2. Синтезы методами «мягкой химии»
      • 2. 4. 3. Безводные высокотемпературные способы синтеза: обменные химические реакции, спекание, сплавление
    • 2. 5. Полиморфизм и кристаллическая структура
    • 2. 6. Особенности кристаллизации расплава ВаВ2С>
    • 2. 7. Выращивание монокристаллов (З-ВаВгС^
      • 2. 7. 1. Выращивание из собственного расплава
      • 2. 7. 2. Выращивание из раствора в расплаве
        • 2. 7. 2. 1. Подбор растворителя
        • 2. 7. 2. 2. Техника выращивания
    • 2. 8. Дефекты и примеси в кристаллах
    • 2. 9. Свойства и применение
    • 2. 10. Выводы к главе 2
  • Часть 2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
  • Глава 3. Моделирование процессов тепло-массо-переноса при изменении симметрии и вращении теплового поля
    • 3. 1. Постановка задачи и граничные условия для численного моделирования
    • 3. 2. Алгоритм численного решения
    • 3. 3. Численное моделирование тепловых полей и конвективных течений при выращивании кристаллов в стационарном азимутально-распределенном тепловом поле
    • 3. 4. Численное моделирование тепловых полей и конвективных течений при выращивании кристаллов во вращающихся тепловых полях
      • 3. 4. 1. RotL2 симметрия теплового поля
      • 3. 4. 2. RotLi симметрия теплового поля
    • 3. 5. Выводы к главе
  • Часть 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
  • Глава 4. Прецизионная нагревательная печь для выращивания кристаллов
    • 4. 1. Типовая нагревательная печь
    • 4. 2. Конструкция прецизионной печи
    • 4. 3. Характеристика теплового поля прецизионной печи
    • 4. 4. Дополнительные возможности
    • 4. 5. Выводы к главе 4
  • Глава 5. Фазовые равновесия в тройной системе BaO-BiCb-NaiO
    • 5. 1. Методика эксперимента
    • 5. 2. Результаты экспериментальных исследований
      • 5. 2. 1. Рентгенограмма порошка (3- ВаВ
      • 5. 2. 2. Разрез BaB204-Na
      • 5. 2. 3. Соединение NaBaB
      • 5. 2. 4. Поверхность ликвидуса в фазовом треугольнике
  • ВаВ204 — NaB02 — NaBaB
    • 5. 3. Обсуждение результатов
  • Глава 6. Выращивание кристаллов (3 фазы метабората бария (ВВО) с использованием контактных методов управления процессами тепломассопереноса
    • 6. 1. Синтез шихты
    • 6. 2. Выращивание кристаллов в условиях высоких значений градиентов температур
    • 6. 3. Выращивание кристаллов на гибком подвесе
    • 6. 4. Выращивание кристаллов с принудительным перемешиванием маточного раствор-расплава
    • 6. 5. Выращивание кристаллов с подпиткой
    • 6. 6. Концентрационное переохлаждение
    • 6. 7. Вывод к главе 6
  • Глава 7. Выращивание кристаллов методом изменения симметрии и вращения теплового поля (Heat Field Rotation Method — HFRM)
    • 7. 1. Модельные эксперименты и аналитическое обоснование
    • 7. 2. Установка для выращивания кристаллов в условиях вращения теплового поля
      • 7. 2. 1. Устройство установки
      • 7. 2. 2. Создание стационарных и вращающихся тепловых полей различной симметрии
      • 7. 2. 3. Амплитудно-частотные характеристики теплового поля
      • 7. 2. 4. Управление амплитудно-частотными характеристиками тепловой волны в модернизированной установке для выращивания кристаллов в условиях вращения теплового поля
    • 7. 3. Выращивание кристаллов ВВО
      • 7. 3. 1. Выращивание кристаллов ВВО в стационарных азимутально распределенных тепловых полях
      • 7. 3. 2. Выращивание кристаллов ВВО во вращающихся тепловых полях различной симметрии
    • 7. 4. Выращивание кристаллов двойного цезий-литиевого бората (CsLiBgOio — CLBO) методом Киропулоса во вращающемся тепловом поле
      • 7. 4. 1. Система СвгО-Ь^О-ВгОз-МоОз
      • 7. 4. 2. Методика выращивания кристаллов CLBO
    • 7. 5. Перспективы применения метода вращения теплового поля к выращиванию кристаллов «закрытыми» способами — гидротермальному и ампульному
  • Глава 8. Контроль качества выращенных кристаллов ВВО, изготовление оптических элементов и их применение в нелинейной оптике
    • 8. 1. Предварительная разделка буль
    • 8. 2. Оптический контроль качества
    • 8. 3. Изготовление нелинейно-оптических элементов
    • 8. 4. Вхождение примесей щелочных металлов в структуру ВВО
    • 8. 5. Применение кристаллов в устройствах нелинейной оптики
      • 8. 5. 1. Оптическое пропускание кристаллов
      • 8. 5. 2. Генерация высших гармоник
      • 8. 5. 3. Параметрические генераторы света на кристалле ВВО
      • 8. 5. 4. ВВО как нелинейно-активный кристалл
  • 3-его порядка
    • 8. 5. 5. Генерация 4-ой и 5-ой гармоник излучения Nd: YAP лазера на кристалле CLBO

Метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов посредством изменения симметрии и вращения теплового поля (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Выращивание кристаллов представляет собой сложную научно-технологическую область деятельности, в которой тесно переплетены и взаимосвязаны многие научные дисциплины и самые современные технические достижения. В основе большинства технологий выращивания кристаллов находятся представления о фазовых равновесиях, растворимости, тепловых полях, процессах тепломассопереноса и механизмах кристаллизации. Только комплексный подход с учетом всех перечисленных выше представлений может привести к прогрессу в получении того или иного кристалла.

Развитие многих отраслей современной науки и техники в значительной степени обусловлено получением и последующим использованием монокристаллов заданного состава, достаточного размера и высокого оптического качества, обладающих специальными свойствами. В 80-х годах прошлого столетия были обнаружены нелинейно-оптические свойства у кристаллов боратов металлов первой и второй группы ЫВО3 (LBO) и ВаВгС^ (ВВО) и несколько позже у кристалла двойного цезий-литиевого бората CsLiBfiOio (CLBO). Все эти кристаллы имеют достаточно высокую нелинейность, низкий край поглощения в ближнем ультрафиолете и хорошие эксплуатационные характеристики, что и определяет актуальность исследований по поиску наиболее эффективных методов их получения.

В данной работе наибольшее внимание было уделено совершенствованию технологии выращивания кристаллов ВВО, как в плане совершенствования техники и методики выращивания, так и в плане поиска оптимального состава кристаллизационной среды. Первоначально, при решении одной из конкретных технологических задач нами был найден принципиально новый и оригинальный метод управления процессами тепломассопереноса, который в последующем был развит, научно обоснован и применен для выращивания кристаллов ВВО в конфигурации метода Чохральского и кристаллов CLBO методом Киропулоса. Более того, по нашему мнению, данный метод в перспективе может эффективно применяться при выращивании других кристаллов различными методами (в частности, гидротермальным и ампульным).

Таким образом актуальность работы была обусловлена необходимостью решения материаловедческой проблемы, связанной с выращиванием важных для науки и техники нелинейно-оптических кристаллов.

Цель работы заключалась в разработке нового высокоэффективного способа управления процессами тепломассопереноса при росте кристаллов, создании аппаратурной базы, научно-методических основ и его практической реализации при выращивании нелинейно-оптических кристаллов ВВО и CLBO, имеющих большое практическое значение в лазерных технологиях. Поставленная цель достигнута путем решения следующих конкретных задач: разработка прецизионной нагревательной печи и системы терморегулирования с возможностью создания стационарных и вращающихся тепловых полей различной конфигурации и симметрии;

— разработка численной модели и проведение численных экспериментов по исследованию процессов тепломассопереноса в кристаллизационной среде при неоднородном и циклически изменяющемся распределении температуры на ее внешних границах;

— исследование и уточнение фазовой диаграммы ВаО — В2О3 — №гО для определения оптимального состава для выращивания кристаллов ВВО из раствор-расплава;

— разработка технологии и поиск оптимальных режимов выращивания кристаллов бората бария (ВВО), пригодных для изготовления нелинейно оптических и электро-оптических элементов с размерами до 10×10×20 мм3 и более;

— экспериментальная проверка применимости метода изменения симметрии и вращения теплового поля к выращиванию кристаллов методом Киропулоса (на примере выращивания кристаллов CLBO);

— экспериментальная проверка применимости метода изменения симметрии и вращения теплового поля к выращиванию кристаллов гидротермальным методом (на примере выращивания кристаллов берилла).

Научная новизна:

Создан и запатентован новый метод бесконтактного управления процессами тепломассопереноса в кристаллизационной среде при выращивании кристаллов различными методами, состоящий в изменении концепции нагрева, а именно, в изменении симметрии и вращении теплового поляРазработана численная модель метода изменения симметрии и вращения теплового поля;

В тройной системе ВаО — В2О3 — Na20 получено и охарактеризовано соединение состава NaBa[BCb], дана новая интерпретация фазовых равновесий в данной системе в подсистеме ВаВ2С>4 — NaBaBCb — NaB02.

Результаты, полученные в работе, имеют как научное, так и практическое значение. Практическая значимость определяется следующими факторами: Разработана конструкция прецизионной нагревательной печи и система терморегулирования, позволяющие выращивать кристаллы в стационарных и вращающихся тепловых полях различной симметрии;

Создана полупромышленная мелкосерийная технология выращивания кристаллов ВВО, пригодных для изготовления нелинейно-оптических и электро-оптических элементов с размерами до 5-н10×5-нЮ х 22^-15 мм, воспроизводимость получения кристаллов достигает 80%- Нелинейно-оптические элементы, изготовленные из выращенных в лаборатории роста кристаллов Института минералогии и петрографии СО РАН кристаллов ВВО нашли применение в лазерных системах при решении различных научно-технических задач в Институтах Сибирского отделения РАН (ИЛФ, ИФП, ИОА, ИТФ), и также в НИИ «Полюс» (Москва), НПО «ЛИТМО» (Санкт-Петербург) и др.;

Объем реализации нелинейно-оптических элементов за рубежом составил около 80 тыс. долларов США за последние 2 года;

В качестве основных защищаемых положений на защиту выносятся:

1) Изменение симметрии и вращение теплового поля представляет собой новый эффективный способ бесконтактного (дистанционного) управления процессами тепломассопереноса в кристаллизационной среде при выращивании кристаллов различными методами;

2) При выращивании кристаллов ВВО из раствора в расплаве в системе ВаОВ2О3 — №гО в стационарном тепловом поле, обладающем осью симметрии третьего порядка достигается существенное усиление конвективного режима, что позволяет значительно увеличить коэффициент массовыделения и тем самым размер выращиваемого кристалла;

3) В тройной системе ВаО — В2О3 — №гО отсутствует соединение ВаВгО^ЫагО (ЫагВаВгОэ), точкой триангуляции в данной системе является соединение состава NaBaBOs. Конфигуративная точка тройной эвтектики в подсистеме.

BaB204 — ЫаВаВОз — NaB02 имеет координаты: температура 745 °C, 41мол.% ВаО, 41 мол.% В203, 18 мол.% Na20 (или 70 мол.% ВаВ204, 30 мол.% Na20) и находится очень близко к прямой псевдобинарного разреза BaB204 — Na20, что, вероятно, и объясняет ошибочность мнения ряда исследователей о существовании соединения BaB204-Na20.

Работа была начата в Конструкторско-технологическом институте монокристаллов СО РАН и продолжена в Институте минералогии и петрографии СО РАН в лаборатории роста кристаллов № 447, организованной в 1998 году.

Работа проводилась в соответствии с планами научно-исследовательских работ по госбюджетным темам: «Комплексные физико-химические исследования процессов роста монокристаллов оптического качества для технических целей», 1996;98гг, научн. рук. д.т.н. Л. И. Исаенко, № гос.рег. 1 960 009 929- «Экспериментальное исследование физико-химических условий минералообразования, синтез, рост и свойства кристаллов», 1998;2000гг, научн. рук. д.г.-м.н. Б.А.Фурсенко- «Экспериментальное исследование физико-химических условий минералообразования, синтез, рост и свойства кристаллов», 2001;2003гг, научн. рук. к.т.н. А. Е. Кох, № гос.рег. 1 200 108 412;

— в порядке выполнения НИР по контрактам № 440/4 981 590/99001 (Приложение 3) и № 440/4 981 590/01001 (Приложение 4) — в рамках проекта № 11−10 «Исследования фазовых диаграмм, поиск растворителей и выращивание нелинейно-оптических кристаллов в тепловых полях различной симметрии» (постановление № 118 Президиума СО РАН от 09.04.2002г, научн.рук. к.т.н. А.Е.Кох) интеграционного проекта «Новые принципы и методы создания и напрвленного синтеза веществ с заданными свойствами» (координатор академик Н. Т. Кузнецов, директор ИОНХ им. Н. С. Курнакова РАН) — по гранту РФФИ № 02−05−64 280 «Экспериментальное и теоретическое исследование процессов тепломассопереноса и синтеза минералов гидротермальным методом в условиях вращающегося теплового поля» (рук. к.т.н. А.Е.Кох) — в соответствии с договором о творческом содружестве между ИМП СО РАН и ИК им. А. В. Шубникова РАН (Приложение 5) в области исследования фазовых равновесий и кристаллизации соединений семейства нецентросимметричных боратов- - в порядке личной инициативы.

Апробация работы. Результаты работы докладывались автором и коллегами на 11-th International Conference on Crystal Growth (ICCG-11), The Hagua, Netherlands, 26−31 July 1995; 12-th International Conference on Crystal Growth (ICCG-12), Jerusalem, Israel, 26−31 July 1998; второй региональной конференции «Материалы Сибири», Барнаул, 6−9 сентября 1998; SPIE LASE'99 conference, Part of Photonics WEST, San Jose, USA, 23−29 January 1999; European Material Conference — 1999 Spring Meeting, Strasbourg, France, 1−4 June 1999; Third АРАМ Topical Seminar «Asian Priorities in Materials Development», Novosibirsk, 7−10 June 1999; V Российско-китайском международном симпозиуме ADVANCED MATERIALS AND PROCESSES «Фундаментальные проблемы создания новых материалов и технологий XXI века», Байкальск, 26−30 июля 1999; IV Международной конференции «Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул», Томск, 13−17 сентября 1999; 3-ей Международной конференции «РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ, ПРОБЛЕМЫ ПРОЧНОСТИ И ТЕПЛО-МАССОПЕРЕНОС (ICSC-99)», Обнинск, 21−24 сентября 1999; IV Международной конференции «КРИСТАЛЛЫ: рост, свойства, реальная структура, применение», Александров, ВНИИСИМС, 18−22 октября 1999; VII Российском симпозиуме «Механика невесомости. Итоги и перспективы исследования гравитационно-чувствительных систем», Москва, 11−14 апреля 2000; 6-th International Conference on Advanced Computational Methods in Heat Transfer (HEAT TRANSFER 2000), Madrid, Spain, June 2000; IX Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2000), Москва, 16−20 октября 2000; 3rd International Workshop on Modeling in Crystal Growth.

— WMCG, Stony Brook, New York, USA, 18−20 October 2000; Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы-2000», Екатеринбург, 24−26 октября 2000; the SPIE’s conference LASE'2001, Part of Photonics WEST, San Jose, USA, 20−26 January 2001; International Conference of the Corning, Ltd. «Crystalline materials research», Санкт-Петербург, 3 апреля 2001; International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2001), Singapore, 1−6 July 2001; 13-th International Conference on Crystal Growth — ICCG-13, Kyoto, Japan, July 30.

— August 4, 2001; V Международной конференции «КРИСТАЛЛЫ: рост, свойства, реальная структура, применение», Александров, ВНИИСИМС, 10−14 сентября 2001; Международной конференции КРИСТАЛЛОГЕНЕЗИС И МИНЕРАЛОГИЯ, посвященной 100-летию со дня рождения Г. Г. Лемлейна, Санкт-Петербург, 17−21 сентября 2001; 4-ой Международной конференции РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОС, Обнинск, 24−28 сентября 2001; 14-ом Российском совещании по экспериментальной минералогии, Черноголовка, 2−4 октября 2001; 7th International Conference on Advanced Computational Methods in Heat Transfer (HEAT TRANSFER 2002), Khalkidiki, Greece, April 22−24, 2002; Fifth International Conference on Solvo-Thermal Reactions (ICSTR), East Brunswick, NJ, USA, July 22−26, 2002; International Conference on Computational Mathematics, Novosibirsk, 2002; 15-th International Symposium on Industrial Crystallization, Sorrento, Italy, September 15−18,.

2002; Всероссийской научной конференции, посвященной 10-летию РФФИ, Иркутск, 1−4 октября 2002 г.

Разработка «Резистивная нагревательная печь для выращивания кристаллов» была включена в перечень основных результатов НИР Объединенного института геологии, геофизики и минералогии СО РАН по приоритетным направлениям фундаментальных исследований за 1998 год. А разработка «Бесконтактный метод низкоэнергетического воздействия для управления тепломассопереносом при выращивании кристаллов» — в перечень основных достижений СО РАН по приоритетным направлениям фундаментальных исследований и критическим технологиям федерального уровня за 1999 год.

Личный вклад автора заключается в предложении конструкций прецизионной нагревательной печи, установок для выращивания кристаллов с принудительным перемешиванием раствор-расплава, установок для выращивания кристаллов различными способами в условиях изменения симметрии и вращения теплового поля. Авторство идеи об управлении процессами тепломассопереноса в кристаллизационной среде методом изменения симметрии и вращения теплового поля полностью принадлежит Коху А. Е. Автор принимал участие в постановке задачи по исследованию фазовых диаграмм, в том числе в выборе методов исследования и анализа, а также в обсуждении и интерпретации полученных результатов. В организации исследований и обсуждении полученных результатов по исследованию фазовых равновесий активная помощь и участие оказывались научным консультантом П. П. Федоровым. Исследования процессов тепломассопереноса методом численного моделирования выполнены совместно и при активном участии второго научного консультанта — В. Н. Попова.

Лично автором смонтировано более двадцати ростовых установок и проведено большое количество опытов по выращиванию кристаллов (более тысячи за 10 лет), что, наряду с результатами исследований кристаллов, является фактической основой работы, надежной базой для экспериментального обоснования и гарантией достоверности полученных результатов.

Экспериментальные исследования, анализ наблюдаемых закономерностей проведены автором самостоятельно и совместно с сотрудниками лаборатории роста кристаллов № 447 ИМП СО РАН и других научно-исследовательских организаций. В ходе исследований был использован широкий спектр экспериментальных и теоретических методов и различные методологические подходы: комплексное исследование многокомпонентных систем, включающее изучение различных кристаллических фаз и их стабильности, фазовых превращений в зависимости от условий кристаллизации и термообработки, анализ структурных особенностей конечных продуктов кристаллизации, исследование физико-химических свойств полученных материалов. Для решения поставленных задач использовались разнообразные современные методы исследования (рентгенофазовый анализ, рентгеноструктурный анализ, электронная микроскопия, оптическая микроскопия, химический анализ, дифференциально-термический анализ, оптическая спектроскопия в широком диапазоне длин волн, метод комбинациооного рассеяния света, визуально-политермический метод и др.).

В целом работа представляет собой новое крупное достижение в решении основной проблемы материаловедения — для получения материалов с заданными свойствами создан новый метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов. В результате проведенных исследований в диссертации изложены научно обоснованные технические и химико-технологические решения выращивания нелинейно-оптических кристаллов бората бария, внедрение которых принесло существенную экономическую выгоду.

Публикации. По теме диссертации опубликовано около 80 печатных работ, в том числе один заказной обзор, получено 5 патентов на изобретения.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введениятрех частей: литературного обзора (главы 1 и 2), математического моделирования (глава 3) и экспериментальной части (главы 4−8) — основных выводов и заключениясписка цитируемой литературы и приложений. Диссертация содержит 271 страницу, в том числе 74 рисунка, 12 таблиц в тексте, библиографию из 381 названий, 6 приложений на 9 страницах.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

1) Исследована часть фазовой диаграммы и проведена триангуляция тройной системы ВаО — В2О3 — Na20. Показано, что разрез ВаВ204 — Na20, чаще всего используемый для выращивания монокристаллов метабората бария (3-ВаВ204, является нестабильным, соединение Na2BaB205 не существует. Выявлено и охарактеризовано соединение NaBaB03. Конфигуративная точка тройной эвтектики в подсистеме ВаВ204 — ЫаВаВОз — NaB02 имеет координаты: температура 745−750°С, 41мол.% ВаО, 41 мол.% В203, 18 мол.% Na20 (или 70 мол.% ВаВ204, 30 мол.% Na20) и находится очень близко к прямой псевдобинарного разреза ВаВ204 — Na20, что и объясняет ошибочность мнения ряда исследователей о существовании соединения BaB204-Na20.

2) С помощью численного моделирования проведено исследование течений в жидкости в широком диапазоне теплофизических свойств (расплавы германия, кремния и Bi (2Si02o) при различных режимах разогрева боковых стенок цилиндрического сосуда вертикальными нагревательными элементами, т. е. при вращении теплового поля. Показано, что при изменении симметрии стационарного теплового поля и его вращении в зависимости от геометрических параметров системы и теплофизических свойств жидкости, а также в зависимости от его динамических параметров в последней формируются конвективные течения различной интенсивности с азимутальной составляющей вектора скорости. Показано, что существуют режимы синхронизации скоростей вращения теплового поля и внутренних течений в жидкости, при которых образуются замкнутые тороидальные течения в объеме расплава с азимутальной составляющей вектора скорости. Таким образом, методом численного моделирования подтверждено, что вращение теплового поля предоставляет возможность бесконтактного управления процессами тепло-массопереноса в кристаллизационной среде.

3) Разработана конструкция прецизионной ростовой нагревательной печи, которая позволяет формировать прецизионные осесимметричные тепловые поля для выращивания кристаллов методом Чохральского и другими сходными методами. Конструкция печи предоставляет также возможность конфигурирования и создания тепловых полей определенной формы и симметрии. Разработана установка для выращивания кристаллов методом изменения симметрии и вращения теплового поля. На примере выращивания кристаллов ВВО и CLBO из раствор-расплавных систем показано, что изменение симметрии и вращение теплового поля представляет собой новый способ бесконтактного (дистанционного) управления процессами тепломассопереноса в кристаллизационной среде при выращивании кристаллов различными методами.

4) При выращивании кристаллов ВВО из раствора в расплаве в системе ВаОВ2О3 — ЫагО в стационарном тепловом поле, обладающем осью симметрии третьего порядка достигается существенное усиление конвективного режима, что позволяет значительно увеличить коэффициент массовыделения и тем самым размер выращиваемого кристалла. На основании данной методики создана технология высоковоспроизводимого (около 80%) полупромышленного выращивания кристаллов ВВО, из которых можно изготавливать нелинейнои электрооптические элементы размером до 10×10×20 мм3 любой ориентации.

5) При выращивании кристаллов ВВО на разрезе ВаВгО^ЫагО в стационарном тепловом поле, обладающем осью симметрии третьего порядка, и на разрезе ВаВ204-КаВаВ0з во вращающемся тепловом поле без механического вращения кристалла достигается существенное повышение оптического качества, выражающееся в заметном уменьшении или полном отсутствии визуально наблюдаемого рассеивания лазерного луча, снижении уровня поглощения в УФ области спектра и, в конечном итоге, в высоких к.п.д. преобразования лазерного излучения.

Автор глубоко благодарен Н. Г. Кононовой, П. П. Федорову и В. Н. Попову, чьи идеи и поддержка способствовали постановке и проведению как экспериментальных, так и модельных исследований. Автор признателен Я. В. Васильеву, В. Н. Шлегелю, В. С. Бердникову, Г. В. Букину, А. Б. Каплуну, А. Н. Черепанову, Е. Г. Цветкову, В. П. Солнцеву, А. И. Алимпиеву, В. Н. Матросову, Ю. Н. Пальянову, Ю. Н. Борздову, Г. Р. Колонину, В. С. Павлюченко, В. Г. Томасу, А. Г. Кирдяшкину, Б. И. Кидярову, А. А. Меркулову, В. В. Воробьеву, Л. Н. Безматерных, Ю. В. Письменному, А. А. Каминскому, Е. В. Жарикову, В. М. Гармашу, А. А. Соболю, Ю. Ф. Каргину, В. И. Полежаеву, В. С. Земскову, В. С. Балицкому за обсуждение широкого круга вопросов, связанных как с теорией, так и с практикой выращивания и исследования кристаллов. Искреннюю признательность автор выражает.

A.М.Юркину, В. Н. Семененко, Н. А. Пыльневой, Т. Б. Беккер, П. В. Мокрушникову,.

B.А.Влезко, А. С. Вакуленко, Е. Г. Самойловой, Е. М. Сербуленко, В. Е. Коху, Б. Г. Ненашеву, К. А. Коху, Н. Д. Гладун, Л. А. Мироновой, В. А. Гецу, О. С. Ильиной, Г. Н. Власовой, Л. Н. Митрохиной, сотрудникам лаборатории роста кристаллов, за полезные дискуссии и помощь в работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.Т., Бурак Я. В., Довгий Я. О., Китык И. В. Дисперсия фазового синхронизма нелинейного кристалла (З-ВаВгС^ // Кристаллография. — 1991. — Том 36, вып. 1.-С.229−231.
  2. Р.Н., Войцеховский В. Н., Калинцев А. Г., Шведова М.В., Якобсон
  3. B.Э. Опыт выращивания монокристаллов титанилфосфата калия (КТР) и изготовление из них нелинейных элементов // Оптический журнал. 1995.- № 11.1. C.75−79.
  4. В.Д. Теплофизические свойства нелинейно-оптических кристаллов семейства боратов // Автометрия. 1998.- № 1. — 24−26.
  5. В.Д., Гусев В. А., Юркин A.M. Электрооптические свойства боратов бария и лития // Автометрия. 1996, — № 3. — С.6−21.
  6. В.Н. Механизм и условия роста ритмичнопостроенных кристаллов // ДАН. 1999, — Том 364, № 1. — С.94−96.
  7. А.В., Виноградова С. А., Пущаровский Д. Ю., Хостеттлер М., Шапуи Ж., Димитрова О. В. Новый борокислородный слой в структуре гидрокарбоната бария Ва5В2оОзз(ОН)4.-НгО // Кристаллография. 2000.- Том 45. -С.448.
  8. СЛ., Габриелян В. Т., Патурян С. В., Простомолотов А. И. Экспериментальное и теоретическое исследование влияния гидродинамических процессов на форму фронта кристаллизации // Кристаллография. -1994, — Том 39, № 1.-С.124−134.
  9. Х.С. Выращивание из растворов в высокотемпературных расплавах (раствор в расплаве) // Современная кристаллография. Том 3. М.: Наука, 1980. С.329−337.
  10. Т.Т. Спектроскопия новых ВКР-активных кристаллов и твердотельные ВКР-лазеры // Успехи физ. наук. -2001, — Том 169. С. 1149.
  11. Безматерных J1.H., Темеров B. JL, Васильева Е. П., Жгун В. И. (1992) Способ выращивания кристаллов гематита. Авторское свидетельство № 1 740 505, Бюл. № 22, 15.06.92.
  12. М.Ю., Зыков С. Г., Рябуха С. Б. и др. Математическое моделирование и измерение микроускорений на орбитальной станции «Мир» // Механика жидкости и газа. -1994,-№ 5. С.5−14.
  13. А.А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики. М.: МИСИС, 2000. — 432 с.
  14. Г. В., Годовиков А. А., Кляхин В. А., Соболев B.C. Методы выращивания кристаллов изумруда // Рост кристаллов, том 13. М.: Наука, 1980. С.215−223.
  15. Дж.К., Чаттерджи У., Рудра A.M., Кумбхакар П. Генерация перестраиваемого по частоте излучения в дальней УФ области посредством преобразования частоты в кристалле ВВО // Квантовая электроника. 1999, — Том 28, № 3. — С.245−250.
  16. А.Б., Дозмаров В. В., Мельников O.K. Выращивание монокристаллов (3-ВаВ204 из фторсодержащих растворов-расплавов // Кристаллография. 1994. -Том 39, № 4. — С.720−724.
  17. Я.А., Ивлева Л. И., Кузьминов Ю. С., Пуятс В. А., Спрингис М. Е. Люминесценция кристаллов а-ВаВгС^ // Оптика и спектроскопия. 1989.- Том 66, вып. 2. -С.308−311.
  18. Я.В., Кантер И. Б. Низковольтная тигельная печь для метода Чохральского. Новосибирск: ИНХ СО АН, 1983. — 31 с. (рук.).
  19. К., Дзизиати Ю., Мюллер У., Pay Э.И., Спивак Г. В., Уразгильдин И. Ф., Чубаренко В. А. Комплексное исследование в РЭМ локальных электрофизических параметров МДП-структур // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986, — Том 5. — С.114−129.
  20. С.А., Пущаровский Д. Ю., Аракчеева А. В., Димитрова О. В. Кристаллическая структура нового декабората Na2Ba2 В kjOi7(ОН)2. // Кристаллография. 2002. — Том 47, № 1. — С.30−34.
  21. П.К., Захаров Б. Г., Осипьян Ю. А. Определение модельных сред и условий для исследования динамики расплавов полупроводников на земле и в космосе // ДАН. 1999, — Том 367, № 1. — С.35−39.
  22. Ю.К., Ивлева Л. И., Кудрявцев А. Б., Осико В. В., Соболь А. А. Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов, а ВаВгС^ // Неорганические материалы. — 1992а.- Том 28, № 8. — С.1694 — 1698.
  23. Ю.К., Горбачёв А. В., Соболь А. А., Цымбал Л. И. Спектры комбинационного рассеяния света и строения бор кислородных группировок в кристаллах и расплаве метабората бария // Неорганические материалы. — 1994, — Том 30, № 5. — С.646−652.
  24. В.М., Гармаш М. В. Способ выращивания монокристаллов // А.с. RU 2 067 626, Бюл. 28, 10.10.96.
  25. Ю.М., Горбунов Л. А., Сорокин М. З. Электромагнитные методы воздействия на гидродинамику и тепломассообмен в процессах выращивания объемных монокристаллов (обзор) // Рост кристаллов. Том XVI М.: Наука, 1988. С.234−247.
  26. В.А., Барышев С. А., Калашникова И. И., Коломина И.В., Турикова
  27. Г. В. Способ выращивания монокристаллов метабората бария р-ВаВг04 // Описание к а.с. SU 1 811 230, 05.10.90.
  28. Г. К. Синтез и свойства кристаллических боратов щелочноземельных металлов выделенных из водных растворов: Дис. докт. хим. наук. Рига, 1974.
  29. Г. К. Синтетические бораты как наполнители для производства пористых и самозатухающих изделий из пластмасс // Бораты народному хозяйству. -Рига: Изд. АН Латв. ССР, 1982. С.122−130.
  30. Г. К., Клявиня JI.A., Швиркст Я. Я., Плышевский Ю. С., Габова Е. Л., Суворова М. Р. Способ получения кристаллического дибората бария // А.с. № 1 611 861 СССР, Бюл. изобрет., № 45, — 1990.
  31. Г. Г., Дмитриев В. Г., Никогосян Д. Н. Нелинейно-оптические кристаллы. Справочник. М.: Радио и связь, 1991. — 160 с.
  32. Й. Естественная конвекция. М.: Мир, 1983. — 400 с.
  33. О.В. Синтез в гидротермальных системах новых Ва и РЬ боратов // Кристаллогенезис и минералогия. С.-Петербург: СПбГУ, 2001. — С.92−93.
  34. B.C., Раухман М. Р. Влияние невесомости и магнитного поля на структуру и распределение примесей в кристаллах антимонида индия // Гидромеханика и тепломассообмен при получении материалов. М.: Наука, 1990. -С.131−141.
  35. B.C., Раухман М. Р., Шалимов В. П. Особенности кристаллизации двухфазных сплавов InSb-InBi в условиях невесомости // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001.- № 10. — С.54−59.
  36. Л.И., Киселев Д. Т., Кузьминов Ю. С., Полозков Н. М. Получение и исследование монокристаллов метабората бария // Неорганические материалы. -1988. Том 24, № 7. — С. 1153−1157.
  37. Л.И., Гордадзе И. Г., Кузьминов Ю. С., Воронов В. В., Ивановская В. М. Синтез и кристаллизация метабората бария // Неорганические материалы. 1989. -Том 25, № 5.-С.804−807.
  38. А.А., Багаев С. Н., Юркин A.M., Кох А.Е., Эйхлер Г., Финдайзен Ю. Новые нелинейно-лазерные эффекты в «активном кристалле р-ВаВ204 // Доклады Академии Наук. 1999. — Том 367, № 4. — С.468−474.
  39. А.Б., Галашов Е. Н., Вшивкова Г. Д., Мешалкин А. Б. Кристаллообразование Р-ВаВ204 в системе ВаВ204 Na20-BaB204 // Неорганические материалы. — 1994. — Том 30, № 4. — С.521−524.
  40. А.В. Микрогравитационная чувствительность легированных расплавов полупроводников при их кристаллизации в космосе // Кристаллография. -2000. Том 45, № 6. — С.1108−1113.
  41. JI.C. Расчет и конструирование электрических печей. -М.:Госэнергоиздат, 1959. 440 с.
  42. П.Д., Ремизов И. А. О возможности улучшения перемешивания расплава при выращивании кристаллов по методу Чохральского // Неорганические материалы. 1980. — Том 16, № 10. — С.1727−1732.
  43. А.Д. Синтез боратов в водном растворе и их исследование. Рига: Изд. АНЛатв. ССР, 1955. — 180 с.
  44. А.Г., Фурсенко Д. А., Фурсенко И. Б. Турбулентная свободная конвекция в вертикальном плоском слое в условиях неустойчивой стратификации // ПМТФ. 1994. — № 1. — С.42−48.
  45. Комплект документов технологического процесса. Изготовление светозвукопровода АОС-1: Отчет по х/д 8−87, ДШТ 1 048.021. Новосибирск: СКТБ монокристаллов СО АН СССР, 1987. — 232 с.
  46. Н.В., Шагов А. А., Демидчик К. Л., Юркин A.M., Кох А.Е. Перестраиваемый в области 300−2340 нм параметрический генератор света на кристалле ВВО с накачкой 4-й гармоникой YAG: Nd-na3epa // Квантовая электроника. 2000. — Том 30, № 3. — С.253−254.
  47. Кононова Н. Г, Кох А. Е. Исследование области кристаллизации р-ВаВг04 в системе Ва0-В20з-Иа20 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. — № 5. — С.45−48.
  48. Н.Г., Кох А.Е. Способ получения раствор-расплава для выращивания монокристаллов (3-ВаВ204 // Заявка на патент2 001 125 225/12(26 894), приоритет 13.09.2001: 2002 Решение о выдаче патента на изобретение.
  49. Кох А.Е., Ипатьева О. Е. Особенности выращивания кристаллов парателлурита автоматизированным методом Чохральского // Труды Ш Межд. конф. «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура применение», том 1. Александров: ВНИИСИМС, 1997. — С.136−142.
  50. Кох А.Е., Кох В. Е., Гец В. А., Кононова Н. Г. Прецизионная нагревательная печь для выращивания кристаллов // Приборы и техника эксперимента. 1998а. — № 4. — С.153−158.
  51. Кох А.Е., Гец В. А., Юркин A.M., Ильина О. С., Самойлова Е. Г. Нелинейно-оптический кристалл ВВО: выращивание, свойства, применение // Сборник тез. Второй конференции «Материалы Сибири». Барнаул: АлГТУ, 19 986. -С.145−146.
  52. Кох А. Е. Устройство для выращивания монокристаллов // Патент РФ № 2 133 786 / Заявлено 02.07.97 № 97 111 347/25, МПК 6 С 30 В 15/20. Бюл. № 21, 27.07.1999.
  53. Кох А.Е., Кох В. Е., Кононова Н. Г. Устройство для подпитки растущего кристалла // Приборы и техника эксперимента. 1999а, — № 2. — С. 145−147.
  54. Кох А.Е., Гец В. А., Кононова Н. Г., Ильина О. С., Семиколенова Г. В. Способ выращивания кристаллов Р-ВаВ204 // Патент РФ № 2 139 957 / Заявлено 22.05.98 № 98 109 637/12, МПК 6 С 30 В 29/22, 9/04. Бюл. № 29, 20.10.19 996.
  55. Кох А.Е., Кох В. Е., Кононова Н. Г. Установка для выращивания кристаллов в условиях вращения теплового поля // Приборы и техника эксперимента. 2000а. -№ 1. — С.157−160.
  56. Кох А.Е., Вакуленко А. С., Кох В. Е. Управление характеристиками тепловой волны при выращивании кристаллов в установке с вращением теплового поля // Приборы и техника эксперимента. 20 006, — № 6. — С. 136−138.
  57. Кох А.Е., Мокрушников П. В., Попов В. Н. Конвекция в горизонтальном слое при вращении теплового поля // Изв. РАН МЖГ. 2001а.- № 3. — С.36−51.
  58. Кох А.Е., Кононова Н. Г., Кох В. Е. Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления // Патент РФ № 2 163 943 / Заявка № 99 110 643/12/12(10 325) с приоритетом от 11.05.1999. Бюл. № 7, 10.03.20 016.
  59. Кох А.Е., Кох В. Е., Кононова Н. Г. Способ гомогенизации раствор-расплавов или расплавов при выращивании монокристаллов // Патент РФ № 2 164 561 / Заявка № 2 000 102 158 с приоритетом от 26.01.2000. Бюл. № 9, 27.03.2001 В.
  60. Кох А. Е. Гидротермальный рост кристаллов изумруда в условиях вращающегося теплового поля // Труды V Межд. конф. «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение», том 1. Александров, ВНИИСИМС, 2001. — С. 153 163.
  61. Кох А.Е., Мокрушников П. В., Попов В. Н. Способ выращивания монокристаллов из расплава // Патент РФ № 2 182 606 / Заявка № 2 000 118 693/12 с приоритетом от 14.07.2000. Бюл. № 14, 20.05.2002а.
  62. Кох А.Е., Кононова Н. Г., Федоров П. П., Боярков B.C., Закалюкин P.M., Чубаренко В. А. О вхождении примесей щелочных металлов в монокристаллы метабората бария р-ВаВгС^ // Кристаллография. 20 026.- Том 47, № 4. — С.616−622.
  63. Кох А.Е., Миронова JI.A., Попов В. Н. Конвективные течения в расплаве при выращивании кристалла в условиях периодически меняющегося температурного поля // Изв. РАН МЖГ. 2002 В, — № 5. — С.5−11.
  64. В.Б. Кристаллическая структура ВаВ204+4Н20=ВаВ(0Н)4.2 // Ж. структурной химии. 1965. — № 6. — С.724.
  65. А.И. К вопросу о волнообразном распределении примеси вдоль длины растущего монокристалла// ФММ. 1985, — Том. 6, вып. 1. — С.148−155.
  66. Г. С. Оптика. М.: Наука, 1976. 928 с.
  67. Н.И., Леонюк Л. И. Кристаллохимия безводных боратов. М.: Изд-во МГУ, 1983.
  68. Р. и Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. — 542 с.
  69. О.В., Стрельцина М. В., Швайко-Швайковская Т.П. Свойства стекол и стеклообразующих расплавов // Справочник, Том 2. Ленинград: Наука, 1975. -С.632.
  70. М.М., Куряк А. Н. Флоуресценция атмосферы под действием излучения 5-й гармоники Nd:YAG лазера (212,8 нм) // Оптика атмосферы и океана. -2001, — Том 14, № 10. С.950−952.
  71. Л.С. Пульсации в скорости роста кристалла и их влияние на структуру и свойства монокристалла, получаемого методом Чохральского // Кристаллография. 1961.- Том 6, № 2. — С.249−254.
  72. М.Г., Освенский В. Б. Проблемы современной кристаллографии. М.: Наука, 1975. — С.79−109.
  73. К., Витт А., Гейтес X. Распределение примесей в монокристаллах. -М.: Мир, 1968.-С.25−261.
  74. А.Ф. Физико-химическое изучение природных боратов. М.: Изд-во АН СССР, 1947. — 240 с.
  75. И.И., Боришанский В. М. Теория подобия в термодинамике и теплопередаче. М.: Атомиздат, 1979.
  76. В.В., Басиев Т. Т. Кристаллы для фотоники // IX Национальная конференция по росту кристаллов / Тез. докладов. М.: ИКР АН. — С.7.
  77. И.А., Фёдорова П. В. Способ получения безводного метабората бария // А.с. № 1 024 866. Бюл. изобрет., № 23. -1983.
  78. Р.В., Фарбштейн И. И., Шульпина И. Л., Якимов С.В., Шалимов
  79. B.П., Турчанинов A.M., Иванов А. И., Савин С. Ф. Рекристаллизация теллура в условиях микрогравитации и свойства полученных образцов // Физика твердого тела. 2000, — Том 42, вып. 2. — С.238−245.
  80. В.Н., Кох А.Е., Прушковский К. В. Численное исследование конвекции при ротации теплового поля в расплаве // Труды НГАСУ. Новосибирск: НГАСУ, 2001а.-Том 4, № 1(11). — С.6−19.
  81. В.Н., Кох А.Е., Мокрушников П. В. Конвекция в расплаве при ротации теплового поля вокруг тигля // Математическое моделирование. 2002, — Том 14, № 1. -С.16−26.
  82. А.А., Юданова Л. И., Потапова О. Г. Фазовые диаграммы систем KGd(W04)2 KNd (W04)2, RbGd (W04)2 — RbNd (W04)2 и выращивание монокристаллов KGd (W04)2 и KGd (W04)2, активированных неодимом //
  83. Неорганические материалы. 1997.- Том 33, № 1. — С.72−75.
  84. В.И., Литвин Б. Н. Выращивание монокристаллов в гидротермальных условиях. М.: Наука, 1986. — 192 с.
  85. А.И. Гидродинамика, тепло- и массообмен при выращивании кристаллов вытягиванием из расплава (метод Чохральского) // Теплофизические процессы при кристаллизации веществ. Новосибирск: ИТФ СО АН СССР, 1987.1. C.100−128.
  86. А.И. Исследование гидродинамических процессов в условиях возможных управляющих воздействий при выращивании кристаллов методом Чохральского // Гидромеханика и тепломассообмен при получении материалов. М.: Наука, 1990.-С.56−68.
  87. Н.А., Кононова Н. Г., Данилов В. И., Юркин A.M., Лисова И. А. Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiBgOio // Патент РФ № 2 119 976 / Заявлено 02.04.97 № 97 105 310/25, МПК 6 С 30 В 29/22, 9/06, 9/12. Бюл. № 28, 10.10.1998.
  88. Э.Г., Тесленко В. В. Пирогидролиз неорганических фторидов. М.: Энергоатомиздат, 1987.
  89. А.Р., Глазов В. М. Физические свойства электронных расплавов. М.: Наука, 1980. — 296 с.
  90. И.А. Численное моделирование радиального распределения примеси в неизотермическом расплаве при выращивании кристаллов методом Чохральского // Неорганические материалы. 1984.- № 10. — С.1633−1639.
  91. Г. Неорганические стеклообразующие системы. М.:Мир, 1970.-312 с.
  92. А.А., Николаев Е. С. Методы решений сеточных уравнений. М.: Наука, 1978.
  93. Ю.А. О возможности кристаллизации расплава в режиме автоколебаний // Теплофизика высоких температур. 1979.- Том. 17, № 5. — С.992−996.
  94. Р.Г., Бобкова М. Б., Плющев В. Е. Системы Li2Mo04-Rb2Mo04 и Li2Mo04-Cs2Mo04 // ЖНХ. 1969, — Том 14. — С.3140−3142.
  95. А.Ф., Вервель Е. Е. О фазовых переходах метабората бария // Актуальные вопросы современной химии / Тезисы докл. 2 республиканской конференции молодых ученых и специалистов. Минск, 1991. — С.33−34.
  96. В.И., Карпов О. Г., Швиркст Я. Я., Годе Г. К. // Кристаллография. -1989.- Том 34. С. 1292.
  97. Ю.И., Шаскольская М. П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1979.-640 с.
  98. В.П., Цветков Е. Г., Юркин A.M. Выращивание объемных монокристаллов а-ВаВ204 для изготовления поляризационных устройств лазерных систем // IX Национальная конференция по росту кристаллов / Тезисы докл. М.: ЖРАН, 2000. — С.455.
  99. Н.С., Крицкая В. Е., Пирогова Г. Н. Радиационно-оптические свойства кристаллов ВаВ204 // Неорганические материалы. -1996, — Том 32, № 8. -С.995−997.
  100. В.И., Сидоров B.C., Захаров Б. Г. Образование полос роста в монокристаллах Ge, выращиваемых в условиях слабой тепловой конвекции при вибрационных воздействиях на расплав // Кристаллография. -2001.- Том 46, № 4. -С.759−764.
  101. М. Р. Габова Е. Л., Сороокина Т. В., Калитина Л. Н., Берг Н. И., Леонтьева И. А. Некоторые физико-химические свойства боратов бария и цинка // Технология борных соединений/ Труды УНИХИМ. Свердловск, 1976. -Вып. 40. -С.70−75.
  102. В.А. Рост кристаллов из растворов-расплавов. М.: Наука, 1978. -268 с.
  103. В.А. Физико-химические и методические основы раствор-расплавного поиска новых технических кристаллов. М.: ИК АН, 1990. — 498 с.
  104. У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. М.: Мир, 1982. — С.93.
  105. Н.А., Базарковский В. П., Лапин В. В., Курцева Н. Н. Диаграммы состояния силикатных систем / Справочник. Л.: Наука, 1969. — 822 с.
  106. Е.Б. Кинетика роста и растворения кристаллов. Л.: Изд-во ЛГУ, 1979.
  107. .М., Мильвидский М. Г. Моделирование процесса перемешивания расплава при выращивании кристаллов по методу Чохральского // Кристаллография. 1961,-Том 6, № 5. — С.759−762.
  108. В.И., Цветков Е. Г., Храненко Г. Г. К вопросу о фазовых соотношениях в системе ВаО В2О3 — №гО при выращивании кристаллов метабората бария // XIX национальная конференция по росту кристаллов / Тезисы докл. — М.: ИКР АН, 2000. — С.50.
  109. В.И., Цветков Е. Г., Храненко Г. Г. К вопросу о фазовых соотношениях в системе ВаО В2О3 — Na20 при выращивании кристаллов метабората бария // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2002.- № 6. — С.25−30.
  110. П.П., Медведева Л. В. О термографическом определении температур ликвидус // Журн. неорган, химии. 1989.- Том 34, № 10. — С.2674−2677.
  111. П.П. Морфологическая устойчивость фронта кристаллизации бинарных твердых растворов вблизи точек минимумов и максимумов на кривых ликвидуса // Неорганические материалы. 2001, — Том 37, № 1. — С.95−103.
  112. П.П., Кононова Н. Г., Кох А.Е., Соболь А. А., Каргин Ю. Ф., Боярков B.C., Закалюкин P.M., Ткаченко Е. А. Фазовые равновесия при выращивании монокристаллов метабората бария р-ВаВгС^ // Журн. неорган, химии. 2002а.- Том 47, № 7. С. 1150−1158.
  113. П.П., Кох А.Е., Кононова Н. Г. Борат бария Р-ВаВ204 материал для нелинейной оптики // Успехи химии. — 20 026, — Том 71, № 8. — С.741−763.
  114. П.П., Соболев Б. П. Расчет температур метастабильного плавления низкотемпературных модификаций трифторидов редкоземельных элементов // Журн. физ. Химии. 1988, — Том 62. — С.896.
  115. И.А. Расчеты и исследования многозонных электропечей сопротивления прецизионного нагрева. М.: ВНИИЭМ, 1966. — 14 с.
  116. И.А., Гутман М. Б., Рубин Г. К., Шадрич Н. И. Расчет нагревателей электрических печей сопротивления. М.: Энергия, 1966.
  117. М. Процессы затвердевания. М.: Мир, 1977.
  118. Д. Колебания температуры в расплавленных металлах и их связь со слоистым распределением примесей в кристаллах, выращиваемых из расплавов // Проблемы роста кристаллов. -М., 1968. С.200−215.
  119. Е.Г., Юркин A.M. Некоторые представления об особенностях выращивания объемных монокристаллов метабората бария из раствора-расплава методом Чохральского // Кристаллография. 1988, — Том 43, № 6. — С.1142−1148.
  120. Е.Г., Томиленко А. А., Храненко Г. Г., Юркин A.M. Исследование включений и причин их появления при выращивании кристаллов метабората бария // Кристаллография. 2000, — Том45, № 4. С.762−767.
  121. . Теория затвердевания. М.: Металлургия, 1968. — 288 с.
  122. А.Н., Асанов О. Н. Динамика колебательных режимов кристаллизации сплавов // Теплофизические процессы при кристаллизации веществ.- Новосибирск: ИТФ СО АН СССР, 1987. С.32−45.
  123. М.П. Кристаллография. М.: ВШ, 1976. — 303 с.
  124. Е.М., Дзене А. Е. Бораты и боратные системы/ Под ред Г. Я. Слайдинь.- Рига: Зинатне, 1978. 101 с.
  125. И.Р., Сапрыкин А. И. Аналитическая лаборатория Института неорганической химии СО РАН // ЖНХ. 2001.- Том 56, № 8. — С.867−870.
  126. Г. Теория пограничного слоя. М.: Наука, 1969.
  127. JT.A., Урусовская А. А., Желудев И. С., Залесский А. В., Семилетов С. А., Гречушников Б. Н., Чистяков И. Г., Пикин С. А. Современная кристаллография. Том 4. Физические свойства кристаллов. М.: Наука, 1981.
  128. Ю.О., Калаков Б. А. Кристаллизатор для выращивания кристаллов из растворов в лабораторных условиях // Приборы и техника эксперимента. 1998, — № 2. — С.157−161.
  129. Adhav R.S., Adhav S.R. and Pelaprat J.M. BBO’s non-linear optical phase-matching properties // Laser Focus World. 1987, — No. 9. — P.88.
  130. Atuchin V.V., Kokh A.E., and Pokrovsky L.D. Real structure of polished P-BaB204 surfaces // Труды VI Всероссийской школы-семинара «Люминесценция и сопутствующие явления», Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 2001. С.41−44.
  131. Bai К. and Jung S.T. Growth and characterization of pure and Er-doped CsLiB60io single crystals // J. Crystal Growth. 1998, — Vol. 186. — P.612−615.
  132. Banks P. S., Feit M.D., and Perry M.D. (1999) High-intensity third-harmonic generation in beta barium borate through second-order susceptibilities // Optics Letters. 1999, — Vol. 24, No. 1. — P.4−6.
  133. Barilo S.N., Ges A.P., Guretskii S.A., et al. Seeded growth of rare -earth orthoferrits from ВгОз-ВаРг-ВаО solvent. 1. Study of conditions and physico-chemical crystallization parameters // J. Crystal Growth. 1991, — Vol. 108. — P.309−313.
  134. Basu В., Enger S., Breuer M., Durst F. Effect of crystal rotation on the three-dimensional mixed convection in the oxide melt for Czochralski growth // J. Crystal Growth. 2001, — Vol. 230. — P.148−154.
  135. Baumann I. Analysis of optically detected compositional inhomogeneities in Czochralski-grown LiNb03 // J. Crystal Growth. 1994, — Vol. 144. — P. 193−200.
  136. Beasley J.D. Thermal conductivities of some novel nonlinear optical materials // Applied Optics. 1994, — Vol. 33, No. 6. — P.1000−1003.
  137. Becker P., Liebertz J., Bohaty L. Top-seeded growth of bismuth triborate, BiB306 // J. Crystal Growth. 1999, — Vol. 203. — P. 149.
  138. Benedikt R. Ber. Deut. Che. Ges. 1874, — No. 7. — P.703.
  139. Bhar G.C., Das S., and Chatterjee U. Evaluation of beta barium borate crystal for nonlinear devices // Applied Optics. 1989a.- Vol. 28, No. 2. — P.202−204.
  140. Bhar G.C., Das S., and Chatterjee U. Second harmonic generation from noncollinear orthogonally polarised Nd: YAG laser radiation in P-BaB204 // J. Phys. D: Appl. Phys., Printed in the UK. 1989b.- Vol. 22. — P.562−563.
  141. Bhar G.C., Das S., and Chatterjee U. Noncollinear phase-matched second-harmonic generation in beta barium borate // Appl. Phys. Lett. 1989c.- Vol. 54, No. 15.1. P.1383−1384.
  142. Bhar G.C., Kumbhakar P., Chatterjee U., Rudra A.M., Kuwano Y., and Kouta H. Efficient generation of 200−300-nm radiation in beta barium borate by noncollinear sum-frequency mixing // Applied Optics. 1998, — Vol. 37, No. 33. — P.7827−7831.
  143. Bhar G.C., Kumbhakar P., Chatterjee U., Rudra A.M., Kuwano Y., and Kouta H. Efficient generation of 200−300-nm radiation in beta barium borate by noncollinear sum-frequency mixing: errata // Applied Optics. 1999.- Vol. 38, No. 9. — P. 1802.
  144. Bhar G.C., Kumbhakar P., Chatterjee U., Chaudhary A.K., and Kokh A. Highly efficient deep ultraviolet generation by sum-frequency mixing in a BBO crystal pair // Pramana Journal of Physics. 2002, — Vol. 59, No. 1. — P.69−74.
  145. Bhat H.L. Growth and characterization of some novel crystals for nonlinear optical applications // Bull. Mater. Sci., Printed in India. 1994, — Vol. 17, No. 7. — P.1233−1249.
  146. Bhat S.I., Rao P.M., Upadyaya V., Nagaraja H.S. Growth and characterization of a new nonlinear optical mixed borate crystal // J. Crystal Growth. 2002.- Vol. 236.1. P.318−322.
  147. Block S., Perloff A. The crystal structure of barium tetraborate, Ва0−2В20з // Acta Crystallogr. 1965, — Vol. 19. — P.297.
  148. Bordui P.F., Calvert G.D., Blachman R. Immersion-seeded growth of large barium borate crystals from sodium chloride solution// J. Crystal Growth. 1993, — Vol. 129, P.371.
  149. Borzutzky A., Brunger R., Huang Ch., and Wallenstein R. Harmonic and sum-frequency generation of pulsed laser radiation in BBO, LBO, and KD*P // Appl. Phys. -1991, — Vol. В 52. P.55−62.
  150. Bosenberg W.R., Pelouch W.S., and Tang C.L. High-efficiency and narrow-linewidth operation of a two-crystal (3-BaB204 optical parametric oscillator // Appl. Phys. Lett. 1989a.-Vol. 55, No. 19. — P.1952−1954.
  151. Bosenberg W.R., Cheng L.K., Tang C.L. Ultraviolet optical parametric oscillation in (3-BaB204 // Appl. Phys. Lett. 1989b.- Vol. 54, No. 1. — P.13−15.
  152. Bosenberg W.R., Lane R. J., Tang C.L. Growth of large, high-quality beta-barium metaborate crystals // J. Crystal Growth. 1991, — Vol. 108. — P.394−398.
  153. Brixner L.H., Babcock K. Inorganic single crystals from reactions in fused salts // Mater. Res. Bull. 1968, — Vol. 3, No. 10. — P.817−824.
  154. Bromley L.J., Guy A., Hanna D.C. Synchronously pumped optical parametric oscillation in beta-barium borate // Optics Commun. 1988.- Vol. 67, No. 4. — P.316−320.
  155. Brown M. Increased spectral bandwidths in nonlinear conversion processes by use of multicrystal designs // Optics Letters. 1998.- Vol. 23, No. 20. — P.1591−1593.
  156. Bunlcin A.Yu., Nishnevitch M.B. Interaction of fluid flow under a rotating crystal with the growing surface // J. Crystal Growth. 1995, — Vol. 156. — P.454−458.168. de Carli F. // Atti Reale Acad. Naz. Line. 1927, — Sec. 6, Vol. 5. — P.44.
  157. Carruthers J.R. Flow transitions and interface shapes in the Czochralski growth of oxide crystals // J. Crystal Growth. 1976, — Vol. 36, No. 2. — P.212.
  158. Chen C. et al. A new type ultraviolet non-linear crystal 3-BBO // CLEO conference on laser and electrooptics. San Francisco, California, 1984.
  159. Chen C., Wu В., Jiang A.D., You G. A new type ultraviolet SHG crystal p-BaB204 // Sci Sinika B. 1985, — Vol. 28. — P.235−240.
  160. Chen С., Fan Y.X., Eckardt R.C., Byer R.L., Chen C., and Jing A. Efficient high-power harmonic heneration in (3-BBO // CLEO conference on laser and electrooptics. -San Francisco, California, 1986. -P.3322.
  161. Chen C., Wu Y., Li R. The development of new NLO crystals in the borate series // J. Crystal Growth. 1990, — Vol. 99. — P.790−798.
  162. Chen C., Wang Y., Wu В., Wu K., Zeng W. and Yu L. Design and synthesis of an ultraviolet-transparent nonlinear optical crystal ЗггВегВгСЬ // Nature. 1995, — Vol. 373.-P.322−324.
  163. Chen C. T, Xu Z., Deng D., Zhang J., Wong G.K.L., Wu B.C., Ye N., and Tang D. The vacuum ultraviolet phase-matching characteristics of nonlinear optical КВегВОзРг crystal // Appl. Phys. Lett. 1996, — Vol. 68. — P.2930.
  164. Chen C. Overview of violet and deep-UV nonlinear optical crystals in the last decade // J. Syntetic Crystals (China). 2001, — Vol. 30, No. 1. — P.36−42.
  165. Chen C., Liu G. // Annu. Rev. Mater. Sci. 1986, — Vol. 16. — P.203.
  166. Chen D.W. and Yeh J.J. Alexandrite laser frequency doubling in (3-BBO crystals // Opt. Letters. 1988, — Vol. 13. — P.808.
  167. Chen Q.S., Prasad V., Chatterjee A., Larkin J. A porous media-based transport model for hydrothermal growth // J. Crystal Growth. 1999.- Vol. 198/199. — P.710−715.
  168. Cheng L.K., Bosenberg W., Tang C.L. Growth and characterization of low temperature phase barium metaborate crystals // J. Crystal Growth. 1988a.- Vol. 89. -P.553−559.
  169. Cheng L.K., Bosenberg W.R., and Tang C.L. Broadly tunable OPO in (3-BBO // Appl. Phys. Lett. 1988b.- Vol. 53, No. 3. — P.175−177.
  170. Cheng L.K., Bosenberg W.R., and Tang C.L. // Prog. Crystal Growth and Charact. 1990.- Vol. 20.-P.9.
  171. Cheng W.-D., Lu J.-X. Chinese J. Struct. Chem. 1997, — Vol. 16. — P.81.
  172. Cheng Z., Lei Y., Tang D. Molecular dynamics study of BBO crystal growth melts // J. Crystal Growth. 1998, — Vol. 183. — P.227−239.
  173. Choe K.S., Stefani J.A., Dettling T.B., Tien J.K., Wallace J.P. Effects of growth conditions on thermal profiles during Czochralski silicon crystal growth // J. Crystal Growth. 1991, — Vol. 108. — P.262−276.
  174. Corriel S.R., McFadden G.B., Sekerka R.F. // Annu. Rev. Mater. Sci. 1985.- Vol. 15.-P.119.
  175. Droz C., Kouta H., and Kuwano Y. Walk-off compensated 266-nm generation with two p-BaB204 crystals // Optical review. 1999, — Vol. 6, No. 2. — P.97−99.
  176. Dubietis A., Tamosauskas G., Varanavicius A., and Valiulis G. Two-photon absorbing properties of ultraviolet phase-matchable crystals at 264 and 211 nm // Applied Optics. 2000, — Vol. 39, No. 15. — P.2437−2440.
  177. Durcok S. and Pollert E. Modification of the top-seeded growth from high temperature solutions // J. Cryst. Growth. 1987.- Vol. 82. — P.501−508.
  178. Ebbers C.A. Linear electro-optic effect in p-BBO // Appl. Phys. Lett. 1988, — Vol. 52, No. 23. — P.1948−1949.
  179. Ebrahimzadeh M., Henderson A.J. and Dunn M.H. An Eximer-pumped BBB OPO tunable from 354 nm to 2,370 micron // IEEE J.Q.E. 1990, — Vol. 26, No. 7.
  180. Edelstein D.C., Wachman E.S., Cheng L.K., Bosenberg W.R. and Tang C.L. Femtosecond UV pulse generation in p-BBO // Appl. Phys. Lett. 1988.- Vol. 52, No. 26. -P.2211−2213.
  181. Eimerl D., Davis L., Velsko S., Graham E.K., Zalkin A. Optical, mechanical and thermal properties of barium borate // J. Appl. Phys. 1987.- Vol. 62, No. 5. — P. 19 681 983.
  182. Evtushenko G.S., Troitskii V.O. Effective conversion of copper-vapor laser in a BaB204 crystal // J. of Russian Laser research. 1994, — Vol. 15, No. 1. — P.18−25.
  183. Fan Y.X., Eckardt R.C., Byer R.L., Nolting J. and Wallenstein R. Visible BBO OPO pumped at 355 nm by a single-axial-mode pulsed source // Appl. Phys. Lett. -1988, — Vol. 53, No. 21. P.2014−2016.
  184. Fedoseyev A.I. and Alexander J.I.D. Investigation of vibrational control of convective flows in Bridgman melt growth configurations // J. Crystal Growth. -2000.-Vol. 211. P.34−42.
  185. Fedyushkin A.I. and Bourago N.G. Influence of vibrations on Marangoni and natural convection in Czochralski crystal growth // Proc. of Fourth Intl. Conf. Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer, Vol. 4. Obninsk: IPPE, 2001. — P.970−980.
  186. Feigelson R.S., Raymakers R.J., Route R.K. Solution growth of barium metaborate crystals by top seeding // J. Crystal Growth. 1989, — Vol. 97. — P.352−366.
  187. Feigelson R.S., Raymakers R.J., RouteR.K. // Prog. Crystal Growth and Charact. -1990,-Vol. 20.-P.l 15.
  188. O., Merlino S., Vinogradova S.A., Pushcharovsky D.Yu., Dimitrova O.V. // J. Alloys Сотр. 2000, — Vol. 305. — P.63.
  189. Fix A., Schroder Т., Wallenstein R. // Laser and Optoelectron. -1991, — Vol. 23. -P.106.
  190. French R.H., Ling J.W., Ohuchi F.S., Chen C.T. Electronic structure of (3-BaB204 and LiB3C>5 nonlinear optical crystals // Phys. Rev. B. -1991.- Vol. 44, No. 16.1. P.8496−8502.
  191. Frohlich R. Crystal structure of the low-temperature form of BaB204 // Z. Krist. B. -1984.-Vol. 168.-P.109−112.
  192. Fukuda K. Production of nonlinear optical single crystal of p-BaB^CU // Patent Japan No. 24 9698(A), from 4.10.1989 / Опубл. РЖ «Изобретения стран мира», Вып. 72 МКИ С30, № 8. М.: ВНИИПИ, 1990. — С.15.
  193. Garandet J.P. Microsegregation in crystal growth from the melt: an analytical approach // J. Crystal Growth. -1993.- Vol. 131. P.431−438.
  194. Gelfgat Yu.M. Rotating magnetic fields as a means to control the hydrodynamics and heat/mass transfer in the processes of bulk single crystal growth // J. Crystal Growth. 1999. — Vol. 198/199. — P. 165−169.
  195. Glab W.L. and Hessler J.P. Efficient generation of 200 nm light in (3-BBO // Appl. Opt. 1987.- Vol. 26, No. 16. — P.3181−3182.
  196. Gmelins Handbuch der anorganichen Chemie. Barium. System-nummer 30. Verlag Chemie, Berlin, 1932. S.390.
  197. Gmelins Handbuch der anorganichen Chemie. Band 28. Borverbindungen. Teil 7. Boroxide. Borsauren. Borate. Springer-Verlag, Berlin- Heidelberg- New York, 1975. -S.300.
  198. Gualtieri D.M., Chai B.H.-T., Randies M.H. Growth of (3-barium borate from NaCl-Na20 solutions //J. Crystal Growth. -1989, — Vol. 97. P.613−616.
  199. Guertler W. HZ. Anorg. Chem. 1904,-Vol. 40. -P.343.
  200. Hageman V.B.M., Oonk H.A.J. // Phys. Chem. Glasses. 1979.- Vol. 20. — P.126.
  201. Hengel R.O., Fischer F. TSZM growth of (3-BaB204 crystals // J. Crystal Growth. -1991, — Vol. 114. -P.656−660.
  202. Hong S-L., Wu B-C. Symmetry properties of the normal modes of lattice vibration for (3-BaB204 // Optical Engineering. 1995, — Vol. 34, No. 6. — P. 1738−1742.
  203. Hong X., Lu K., Li L., Tang D. Viscosity and density of BaB204, BaB204-NaF and BaB204- Na20 melts // J. Crystal Growth. 1998.- Vol. 193. — P.610−614.
  204. Hou J., Tan Q., Zhao Q., Wu В., and Chen Ch. Direct detection of microdefects in beta barium metaborate bulk crystals by light scattering tomograph // Appl. Phys. Lett. -1991, — Vol. 58, No. 11. P.1149−1151.
  205. Hu Zh-G., Higashiyama Т., Yoshimura M., Mori Y., Sasaki T. Flux growth of the new nonlinear optical crystal: K2A12B207 // J. Crystal Growth. 2000.- Vol. 212, No. 1−2. — P.368−371.
  206. Huang Q.-Z., Luang J.K. // Acta Phys. Sinica. 1981, — Vol. 30. — P.559.
  207. Huang Q., Luang J. Studies on flux systems for the single crystal growth of (3-BaB204 // J. Crystal Growth. 1989, — Vol. 97. — P.720−724.
  208. Huang X., Zhao Y., Lu K., Tang D. Density, surface tension and viscosity of BaB204 melt // J. Crystal Growth. 1996.- Vol. 165. — P.413.
  209. Hubner K.-H. Uber die borate 2Ba0−5B203, tief- Ba0B203, 2Ba0-B203 und 4Ba0B203 // Neues Jahrbuch fur Mineralogie Monatsh. 1969.- S.335.
  210. Hubner K.-H. Untersuchungen im Dreistoffsystem ВаО-А12Оз-В2Оз // Neues Jahrbuch fur Mineralogie Abhandl. 1970, — В. 112, No. 2. — S. 150−162.
  211. Hultgrn R., Desai P.D., Hawkins D.T. et al. (1973) Selected values of the thermodynamic properties of elements // Ohio, Amer. Soc. Met. 1973. — P.636.
  212. Hurle D.T.J. // J. Crystal Growth. 1983, — Vol. 65. — P.124.
  213. Hurle D.T. J., Cockayne B. Handbook of Crystal Growth, Vol. 2. North-Holland, Amsterdam, 1994. — P.99−211.
  214. II’in V.P. Incomplete factorization methods. Singapore: World Scientific Publishing Co., 1992.
  215. Imai S., Yamada Т., Fujimori Y., and Ishikawa K. Third-harmonic generation of an alexandrite laser in p-BaB204 // Appl. Phys. Lett. 1989.- Vol. 54, No. 13. — P. 12 061 208.
  216. Imaishi N., Yasuchiro S., Akiyama Y., Yoda S. Numerical simulation of oscillatory Marangoni flow in half-zone liquid bridge of low Prandtl number fluid // J. Crystal Growth. 2001, — Vol. 230. — P.164−171.
  217. Imoto S., Kimura S., Anzai Y., Kuwano Y. Physical properties of the BaB204 melt //J. Crystal Growth. 1994, — Vol. 135. — P.279−284.
  218. Ito K., Marumo F., Ohgaki M., Tanaka K. Structure refinement of p-BaB204 // Research Lab. on Eng. Materials: Tokyo Institute of Technology Report. 1990.- Vol. 15.-P.1−11.
  219. Itoh K., Marumo F., Kuwano Y. P-barium borate single crystal growth by a direct Czochralski method // J. Crystal Growth. 1990, — Vol. 106. — P.728−731.
  220. Iwamoto M., Akamatsu M., Nakao Т., Ozoe H. Numerical computation of non-axisymmetric convection in the melt of Czochralski crystal growth // Abstract book of the 1st Asian conf. on crystal growth and crystal technology. Sendai, Japan, 2000. -P.370.
  221. Jafri I.H., Prasad V., Anselmo A.P., Cupta K.P. Role of crucible portition in improving Czochralski melt conditions // J. Crystal Growth. 1995, — Vol. 154. — P.280−292.
  222. Jiang A., Cheng F., Lin Q., Cheng G., Zheng Y. Flux growth of large single crystals of low temperature phase barium metaborate // J. Crystal Growth. 1986.-Vol. 79. — P.963−969.
  223. Jing C. J, Imaishi N., Yasuhiro S., Miyazawa Y. Three-dimensional numerical simulation of spoke patten in oxide melt // J. Crystal Growth. 1999.- Vol. 200. -P.204.
  224. Joosen W., Bakker H.J., Noordam L.D., Muller H.G., and H.B. van Linden van den Heuvell. Parametric generation in (3-barium borate of intense femtosecond pulses near 800 nm//J. Opt. Soc. Am. B. 1991, — Vol. 8, No. 10. — P.2087−2093.
  225. Jung Т., Muller G. Amplitudes of doping striations: comparison of numerical calculations and analytical approaches // J. Crystal Growth. 1997.- Vol. 171. — P.373−379.
  226. Kakimoto K. Oxygen distribution in silicon melt under inhomogeneous transverse-magnetic fields // J. Crystal Growth. 2001, — Vol. 230. — P.100−107.
  227. Kato K. Second Harmonic Generation to 2048 A in P-BaB204 // IEEE Journal of Quantum Electronics. 1986, — Vol. QE-22, No. 7. — P.1013−1014.
  228. Katsumata Т., Ishijima H., Sugano Т., Yamagishi M., Takahashi K. Preparation of starting materials of P-BaB204 by zone melting // J. Crystal Growth. 1992.- Vol. 123. — P.597−600.
  229. Kim J.-S., Lee T. Numerical study of the melt-thermal effect on a silicon crystal in Czochralski growth system // J. Crystal Growth. 2000, — Vol. 209. — P.55−67.
  230. Kimura H., Feigelson R.S. Phase formation of BaB204 from melts in graphite crucible // J. Alloys and Compounds. 1992.- Vol. 123. — P.597−600.
  231. Kimura H., Numazawa Т., Sato M. Crystal growth of BaB204 from melt using a Pt tube as a seed // J. Crystal Growth. 1996.- Vol. 165. — P.408.
  232. Kimura H., Numazawa Т., Sato M. Melt supercooling behavior and crystal growth of Ba (Bi.xMx)204 (M: A1 or Ga) // J. Crystal Growth. 1997, — Vol. 174. — P.308.
  233. Kimura H., Jia X., Shoji K., Sakai R., Katsumata T. Crystal growth of Ba (Bi xA1x)2C>4 using a new Fz furnace with double ring-shaped halogen lamp heater // J. Crystal growth. 2000. — Vol. 212, No. 1−2. — P.364−367.
  234. J.S., Brown L.C. // Can. Metall. Q. 1963, — Vol. 2. — P.89.
  235. Kobayashi N. Hydrodynamics in Czochralski growth-computer analysis and experiments // J. Crystal Growth. 1981.- Vol. 52. — P.425.
  236. Kobayashi N. Steady state flow in a Czochralski crucible // J. Crystal Growth. -1995, — Vol. 147.-P.382.
  237. Kobayashi M., Tsukuda Т., Hozawa M. Effect of internal radiative heat transfer on transition of flow modes in CZ oxide melt // J. Crystal Growth. 2000.- Vol. 208. -P.459−465.
  238. Kokh A., Guets V., Ilyina O., Yurkin A. Growth of barium metaborate (BaB204) single crystals // Abstracts of XI Intl. Conf. On Crystal Growth. The Hagua, 1995. -P.104.
  239. Kokh A. Crystal growth through forced stirring of melt or solution in Czochralski configuration // J. Crystal Growth. 1998, — Vol. 191, No. 4. — P.774−778.
  240. Kokh A.E., Kononova N.G. Crystal growth through forced stirring of melt or solution in Czochralski configuration II // J. Crystal Growth. — 1999.- Vol. 198−199. -P.161−164.
  241. Kokh A.E. and Kononova N.G. Crystal growth under heat field rotation conditions // Solid-State Electronics. 2000, — Vol. 44, No.5. — P.819−824.
  242. Kokh A.E., Popov V.N., Mokrushnikov P.W. A contact-free control over heat-mass-transfer processes in crystal growth through heat field rotation // Abstracts of Third Intl. Workshop on Modeling in Crystal Growth. New York, 2000c. — P. 157 158.
  243. Kokh A.E., Kononova N.G., Mokruchnikov P.W. An azimuthal pattern of heat field in p-BaB204 crystal growth // J. Crystal Growth. 2000d.- Vol. 216, No. 1−4. -P.359−362.
  244. Kokh A.E., Kononova N.G., Lisova I.A., Muraviov S.V. CsLiBeOio crystal: forth and fifth-harmonic generation in Nd: YAP laser // Proc. SPIE. 2001a.- Vol. 4268. -P.43−48.
  245. Kokh A.E., Kononova N.G., Popov V.N., Mokruchnikov P.W. BBO crystal growth in static and rotating heat fields of variable symmetry // Proc. SPIE. 2001b.- Vol. 4268. — P.161−166.
  246. Kokh A.E., Popov V.N., Mokrushnikov P.W. Numerical modeling of contact-free control over crystal growth heat-mass-transfer processes through heat field rotation // J. Crystal Growth. 2001e.- Vol. 230, No. 1−2. — P. 155−163.
  247. Kokh A.E., Kononova N.G. Heat Field Rotation Method of BBO Crystal Growth // Abstracts of the Intl. Conf. on Materials for Advanced Technologies. Singapore, 2001.-P.141.
  248. Kokh A.E., Popov V.N., Mironova L.A. Heat Field Rotation Method of Crystal Growth: Numerical Simulation H Heat Transfer VII: Advanced computational Methods in Heat Transfer. WIT press Southampton, Boston, 2002a. — P.383−392.
  249. Kokh A.E. Hydrothermal emerald crystal syntesis under heat field rotation conditions // Experiment in GeoSciences. 2002, — Vol. 10, No. 1. — P.54−56.
  250. Kopetsch H. A numerical method for the time-dependent Stephan problem in Czochralski crystal growth // J. Crystal Growth. 1988.- Vol. 88. — P.71−86.
  251. Kosushkin V.G. Some low energetic possibilities for control of GaAs crystal growth // Proc. of Fourth Intl. Conf. Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer, Vol. 2. Obninsk: IPPE, 2001. — P.395−400.
  252. Kouta H. Wavelength dependence of repetitive-pulse laser-induced damage threshold in p-BaB204 // Applied Optics. 1999, — Vol. 38, No. 3. — P.545−547.
  253. Kouta H., Kuwano Y., Ito K., Marumo F. p-BaB204 single crystal growth by Czochralski method II // J. Crystal Growth. 1991, — Vol. 114. — P.676−682.
  254. Kouta H. and Kuwano Y. Attaining 186-nm light generation in cooled P-BaB204 crystal // Optics Letters. 1999a.- Vol. 24, No. 17. — P.1230−1232.
  255. Kouta H. and Kuwano Y. Annealing to reduce scattering centers in Czochralski-grown p-BaB204 // Applied Optics. 1999b.- Vol. 38, No. 6. — P.1053−1057.
  256. Kozuki Y., Itoh M. Metastable crystal growth of the low temperature phase of barium metaborate from the melt // J. Crystal Growth. 1991, — Vol. 114. — P.683−686.
  257. Krogh-Moe J., Ihara M. // Acta Crystallogr., Ser. B. 1969, — Vol. 25. -P.2153.
  258. Kuroda E., Kozuka H., Takano Y. The effect of temperature oscillations at the growth interface on crystal perfection // J. Crystal Growth. 1984, — Vol. 68. — P.613−623.
  259. L. // Acta Cryst. 1969, — B25. — P.1811.
  260. Lehmann H.-A., Muhmel K., Sun Dzui-Fang. Uber ein niederes Hydrat und eine neue Tieftemperatur-form des barium (1:1) barates // Z. Anorg. Allg. Chemie. 1967.-B. 355. -P.238−241.
  261. Leonyuk N.I. Structural aspects in crystal growth of anhydrous borates // J. Crystal Growth. 1997, — Vol. 174. — P.301−307.
  262. Levin E.M., McMurdie H.F. The system Ba0-B203 // J. Res. Nat. Bur. Standarts. -1949, — Vol. 42.-P.131−138.
  263. Levin E.M., McMurdie H.F., Robbins C.B. Phase Diagrams for Ceramists, 1964.
  264. Levin E.M., Urginic G.M. The system barium oxide-boric oxide-silica // J. Res. Nat. Bur. Standards. 1953, — Vol. 51. — P.37−56.
  265. Liang J.-K., Zhang Y.-L., Huang Q.-Z. // Acta Chem. Sinica. 1982.- Vol. 40. -P.994.
  266. Liebertz J. Space group symmetry of the two forms of BaB204 // Z. Krist. 1988.-B. 182.-S.307−308.
  267. Liebertz J., Frohlich R. Strukture and Kristallchemie von Ba2M (ВзОб)2 mit M = Ca, Cd, Mg, Co und Ni // Z. Krist. 1984.- B. 168. — S.293−297.
  268. Liebertz J., Stahr S. Zur Tieftemperaturphase von BaB204 // Z. Krist. 1983.- B. 165. — S.91−93.
  269. Lin J., Lee M.-H., Liu Z.-P., Chen C., Pickard Ch.J. // Phys. Rev. B. 1999, — Vol. 60.-P.13 380.
  270. Lu S., Ho M., Huang J. Crystal Structure of the low-temperature form of barium borate Ваз (ВзОб)2 // Wuli Xuebao (Acta Phys. Sinica). 1982, — Vol. 31. — P.948−955.
  271. Lu J.Q., Lan G.X., Li В., Yang Y.Y., Wang H.F., Wu B.C. Raman scattering study of the single crystal |3-Ваз (ВзОб)2 under high pressure // J. Phys. Chem. Sol. 1988.-Vol. 49, No. 5. — P.519−527.
  272. Luginets A.M., Guretskii S.A., Ges A.P., Milovanov A.S., Markova L.V., Burak V.S. The influence of growth conditions on the optical properties of barium metaborate single crystals // J. Crystal Growth. 1996.- Vol. 162. — P.89−94.
  273. Marezio M., Plettinger H.A., Zachariasen W.H. The bond lengths in the sodium metaborate structure // Acta. Cryst. 1963.- Vol. 16. — P.594−595.
  274. Markgraf S.A., Furukawa Y. and Sato M. Top-seeded solution growth of UB3O5 // J. Crystal Growth. 1994, — Vol. 140.-P.343.
  275. Matsubara K., Tanaka U., Imajo H., Watanabe M., and Urabe S. All-solid-state light source for generation of tunable continuous-wave coherent radiation near 202 nm // J. Opt. Soc. Am. B. 1999, — Vol. 16, No. 10. — P. 1668−1671.
  276. A.D., Perloff A. // Acta Crystallogr. 1966, — Vol. 20. — P.819.
  277. Miller W., Rehse U., Bottcher K. Influence of melt convection on the interface during Czochralski crystal growth // J. Crystal Growth. 2000, — Vol. 44. — P.825−830.
  278. Min Z., Quandt R.W., Bersohn R., and Kim H.L. Extended range of second harmonic generation in Р-ВаВг04 // IEEE J. of Quantum Electronics. 1998, — Vol. 34, No. 12. — P.2409.
  279. Miyazaki K, Sakai H. and Sato T. // Opt. Lett. 1986, — Vol. 11, No. 12. — P.797−799.
  280. Mori Y., Kuroda I., Nakajinia S., Sasaki T. and Nakai S. New nonlinear optical crystal: cesium lithium borate // Appl. Phys. Lett. 1995a.- Vol. 67, No. 13. — P. 18 181 820.
  281. Mori Y., Kuroda I., Nakajinia S., Taguchi A., Sasaki T. and Nakai S. Growth of a nonlinear optical crystal: cesium lithium borate // J. Crystal Growth. 1995b.- Vol. 156. -P.307−309.
  282. Morris P.A. Impurities in nonlinear optical crystals // J. Crystal Growth. 1990.-Vol. 106. -P.76.
  283. Nakamura Т., Nishinaga Т., Ge P., Huo C. Distribution of Те in GaSb grown by Bridgman technique under microgravity // J. Crystal Growth. 2000, — Vol. 211.-P.441−445.
  284. Nakatani H., Bosenberg W.R., Cheng L.K., Tang C.L. Laser-induced damage in beta-barium metaborate // Appl. Phys. Lett. -1988, — Vol. 53, No. 26. P.2587−2589.
  285. Nikitin N., Polezhaev V. Direct simulations and stability analysis of the gravity driven convection in a Czochralski model // J. Crystal Growth. 2001.- Vol. 230. -P.30−39.
  286. Nikogosyan D.N. Beta barium borate (BBO) // Appl. Phys. 1991.- Vol. A52. -P.359−368.
  287. Nikolov V., Peshev P. On the growth of (3-BaB204 (BBO) single crystals from high-temperature solutions: I. Study of solvents of the Bao-Na20-B203 system // J. of Solid State Chemistry. 1992, — Vol. 96. — P.48−52.
  288. V., Peshev P., Khubanov Kh. // J. Crystal Growth. 1992, — Vol. 97. -P.36.
  289. Nikolov V., Peshev P. The effect of variation of thermal field on the morphology of (3-BaB204 single crystals grown by top-seeded solution growth // J. Crystal Growth. -1995,-Vol. 147. P.117.
  290. Ogawa H., Waseda Y. Molecular dynamics study on the liquid structures of BaB204 just after melting// J. Crystal Growth. 1993, — Vol. 128. — P.945.
  291. Ono, N., Kida, M., Arai, Y., Abe, K., and Sahira, K. A new technique for controlling the dopant concentration in the double-crucible method // J. Crystal Growth. 1994, — Vol. 135. — P.359−364.
  292. Oseledchik Yu.S., Prosvirnin A.L., Starchenko V.V., et al. Crystal growth and properties of strontium tetraborate// J. Crystal Growth. 1994, — Vol. 135. — P.373−376.
  293. Ovanesyan K.L., Petrosyan A.G., Shirinyan G.O. Solidification behaviour of BaB204 melts // Cryst. Res. Techn. 1989.- Vol. 24, No. 9. — P.859−863.
  294. Perlov D., Roth M. Isothermal growth of p-barium metaborate single crystals by continuous feeding in the top-seeded solution growth configuration // J. Crystal Growth. 1994, — Vol. 137. — P. 123−127.
  295. Peter A., Polgar K., Beregi E. Revealing growth defects in non-linear borate single crystals by chemical etching // J. Crystal Growth. 2000.- Vol. 209. — P.102−109.
  296. Polezhaev V.I., Bessonov O.A., Nikitin N.V., Nikitin S.A. Convective interaction and instabilities in GaAs Czochralski model // J. Crystal Growth. 2001.- Vol. 230. -P.40−47.
  297. Polgar K. and Peter A. Etching study on beta barium metaborate ф-ВаВгО^ single crystals // J. Crystal Growth. 1993, — Vol. 134. — P.219−226.
  298. Popov V.N., Kokh A.E., Mironova L.A., Gainova I.A. Numerical modeling of convection under the conditions of cyclic heating of side walls of a crucible // Proc. of the Intl. Conf. on Computational Mathematics, Part 2. Novosibirsk, 2002. — P.679−685.
  299. Pracht W.E. A numerical methods for calculating transient greep flows // J. Comput. Physics. 1971, — Vol. 7, No 1. — P.46−60.
  300. Prochnov E. and Edwards D.F. The precision hand polishing of BBO and LBO // Appl. Optics. 1998,-Vol. 37, No. 34. — P.8130−8131.
  301. Pushcharovsky, Merlino S., Ferro O., Vinigradova S.A., DimitrovaO.V. // J. Alloys Сотр. -2000, — Vol. 306. P. 163.
  302. Pylneva N.A., Kononova N.G., Yurkin A.M., Kokh A.E., Bazarova G.G., Danilov V.I., Lisova I. A., Tsirkina N.L. Top seed solution growth of CLBO crystals // Proc. SPIE. 1999a.- Vol. 3610. — P.148−155.
  303. Qi Н., Chen С. A new UV-nonlinear optical material Ba2Be2B207 // J. Syntetic Crystals (China). 2001, — Vol. 30, No. 1. — P.59−62.
  304. Rao G.H., Liang J.K., Qiao Z.Y., Huang Q.Z. Optimization of the BaB204-Na2B204 and BaB204- K2B204 binary phase diagrams // Calphad. 1989a.- Vol. 13, No. 2.-P.169−175.
  305. Rao G.H., Liang J.K., Qiao Z.Y. Measuzment and calculation of the Na2B204 -K2B204 binary phase diagrams // Calphad. 1989b.- Vol. 13, No. 2. — P. 177−182.
  306. Rehse U., Miller W., Frank Ch., Rudolph P., Neubert M. A numerical investigation of the effects of iso- and counter-rotation on the shape of the VCz growth interface // J. Crystal Growth. -2001, — Vol. 230. P.143−147.
  307. Roache P.J. Computational Fluid Dynamics. Hermosa, Albuquerque, N.M., 1972.
  308. C.B., Levin E.M. // J. Res. Nat. Bur. Standarts. 1969.- Vol. 73A. — P.615.
  309. Rojo J.C., Dieguez E., Derby J.J. A heat shield to control thermal gradients, melt convection, and interface shape during shouldering in Czochralski oxide growth // J. Crystal Growth. 1999, — Vol. 200. — P.329−334.
  310. Ryu G., Yoon C.S., Han T.P.J., Gallagher H.G. Growth and characterization of CsLiBgOio (CLBO) crystals // J. Crystal Growth. 1998, — Vol. 191. — P.492−500.
  311. Sabharwal S.C., Sangeeta. // J. Crystal Growth. 1998, — Vol. 187. — P.253.
  312. Sabharwal S.C., Sangeeta, Goswami M., Kulkarni S.K., Padalia B.D. Growth, optical transmission studies of ВаВгОд single crystals // J. Mat. Sci.: Materials in Electronics. 2000, — Vol. 11. — P.325−329.
  313. Sangeeta, Sabharwal S.C. Effect of atmosphere on the crystallization temperature of BaB204 melt // J. Crystal Growth. 2001, — Vol. 222. — P.427.
  314. Santos M.T., Rojo J.C., Cintas A., Arizmendi L., Dieguez E. Changes of the solid-liquid interface during the growth of Bii2Si02o, Bii2GeC>2o and LiNbC>3 crystals grown by the Czochralski method // J. Crystal Growth. 1995, — Vol. 156. — P.413−420.
  315. К. Японский патент № 63−18 755(A) // Опубл. РЖ «Изобретения стран мира», вып. 72 МКИ С30, № 6. М.: ВНИИПИ, 1990. — С.13.
  316. U. // Atti Line. 1914, — Vol. 28. — Р.854.
  317. Scheel H.J., and Schulz-Dubois E.O. Flux growth of large crystals by accelerated crucible-rotation technique // J. Crystal Growth. 1971, — Vol. 8. — P.304−306.
  318. Schleich D.M. Chimie-douce low temperature techniques for synthesizing useful compounds // Solid State Ionics. — 1994, — Vol. 79/71. — P.407.
  319. Schneider W., Carpenter G.B. Bond lengths and thermal parameters of potassium metaborate, K3B306 // Acta Cryst. B. 1970, — Vol. 26. — P. l 189−1191.
  320. Sole R., Nikolov V., Pujol M.C., Gavalda Jna., Ruiz X., Massons J., Aguilo M., Diaz F. Stabilization of P-BaB204 in the system BaB204 Na20 — Na203 // J. Crystal Growth. — 1999.- Vol. 207. — P. 104−111.
  321. Solntsev V.P., Tsvetkov E.G., Gets V.A., Antsygin V.D. Growth of a-BaB204 single crystals from melts at various compositions: comparison of optical properties // J. Crystal Growth. 2002, — Vol. 236, No. 1−3. — P.290−296.
  322. Stone J.L., Keszler D.A., Aka G., Kahn-Harari A., Reynolds T.A. Nonlinear optical borate crystal Ba2B10OI7//Proc. SPIE. 2001,-Vol. 4268. — P.175−179.
  323. Taguchi A., Miyamoto A., Mori Y., Haramura S., Inoue Т., Nishijima K., Kagebayashi Y., Sakai H., Yap Y.K. and Sasaki T. Effects of the moisture on CLBO // Advanced solid state lasers. 1997.- Vol. 10. — P.19−23.
  324. Taira Y. High-power continuous-wave ultraviolet generation by frequency doubling of an Argon laser // Jpn. J. Appl. Phys. 1992.- Vol. 31, Pt. 2, No. 6A. -P.L682−684.
  325. Takagi Т., Fukazawa Т., Ishii M. Inversion of the direction of the solid-liquid interface on the Czochralski growth of GGG crystals // J. Crystal Growth. 1976.- Vol. 32, No. 1. -P.89.
  326. S., Kimura S., Sugiyama K. // High Temp. Mater. Process. 1992, — Vol. 10. -P.209.
  327. Takee H., Suzuki Т., Mamiya M., Sakai F., Koike M., Mori Y. and Sasaki T. Thermal expansion of pure and Al-doped CsLiBgOio crystals for nonlinear optical application // J. Appl. Phys.- 1997, — Vol. 36. P.126−128.
  328. Tan Q., Mao H., Lin S., Chen H., Lu S., Tang D., Ogawa T. Defects in p-BaB204 crystals observed by laser scanning tomography // J. Crystal Growth. 1994, — Vol. 141.-P.393−398.
  329. Tang C.L., Bosenberg W.R., Ukachi Т., Lane R.J., and Cheng L.K. Advanced materials and parametric oscillator development // Laser Focus World. October 1990. — P.107−118.
  330. Tang D.Y., Route R.K., Feigelson R.S. Growth of barium metaborate (BaB204) single crystal fibers by the laser-heated pedestal growth method // J. Crystal Growth. -1988, — Vol. 91. P.81−89.
  331. Tang D.Y., Zeng W.R., Zhao Q.L. A study on growth of (3-BaB204 crystals // J. Crystal Growth. 1992, — Vol. 123. — P.445−450.
  332. Tang D., Xia Y., Wu В., Chen C. Growth of a new UV nonlinear optical crystal: KBe2(B03)F2 // J. Crystal Growth. 2001, — Vol. 222. — P. 125−129.
  333. Thomas V.G., Demin S.P., Foursenko D.A., Bekker T.B. Pulsation processes at hydrothermal crystal growth (beryl as example) // J. Crystal Growth. 1999.- Vol. 206. — P.203−214.
  334. Tsvetkov E.G., Tyurikov V.I. Growth, fabrication, devices, and applications of laser and nonlinear materials // Proc. SPIE. 2001.- Vol. 4268. — P.186.
  335. Tu J.-M. and Keszler D.A. BaNaB03 // Acta Cryst. 1995, — Vol. C51. — P.1962−1964.
  336. Tyurikov V.I., Tsvetkov E.G., Antsygin V.D., Khranenko G.G., Samoilova E.G. Some concepts concerning twinning and cellular growth of bulk barium metaborate (BBO) crystals // Opt. Mater. 2000, — No. 14. — P.313−320.
  337. Vizman D., Friedrich J., Muller G. Three dimensional numerical simulation of thermal convection in a Czochralski melt // Proc. of Sixth Intl. Conf. on Advanced Computational Methods in Heat Transfer. WIT press, Southampton, Boston, 2000. -P.137−146.
  338. Wang B.G., Lu Z.P., Shi E.W., Zhong W.Z. Twinning morphologies and mechanisms of (3-ВаВг04 (ВВО) crystal grown by TSSG method // Cryst. Res. Tech. -1998, — Vol. 33, No. 6. P.929−935.
  339. Watanabe M., Eguchi M., Kakimoto К., Ono H., Kimura S., Hibiya T. Flow mode transition and its effects on crystal-melt interface shape and oxigen distribution for Czochralski-grown Si single crystals // J. Crystal Growth. 1995, — Vol. 151. — P.285−290.
  340. Watanabe M., Eguchi M., and Hibiya T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999.- Vol. 38. -P.L10.
  341. Weeks J.D., Vansaarloos W., Grant M. Stability and shapes of cellular profils in directional solidification: expansion and matchind method // J. Crystal Growth. -1991,-Vol. 112.-P.244.
  342. C.E., Schroeder R.A. // J. Research NBS. 1964, — Vol. 68A. — P.465.
  343. Williams G.P. Numerical integration of the three-dimensional Navier-Stokes equations for incompressible flow // J. Fluid Mech. 1969.- Vol. 37, part 4. — P.727−750.
  344. Wilson L.O. The effect of fluctuating growth rates on segregation in crystal growth from the melt // J. Crystal Growth. 1980, — Vol. 48. — P.435−450.
  345. I., James P.F. // Glass Technol. 1984, — Vol. 25. — P.98.
  346. Wu R. High-efficiency and compact blue source: intracavity frequency tripling by using LBO and BBO without the influence of birefringence // Applied Optics. 1993,-Vol. 32, No. 6. -P.971−975.
  347. Wu S., Wang G., Xie J., Wu X., Zhang Y., Lin X. Growth of large birefringent a-BBO crystal // J. Crystal Growth. 2002, — Vol. 245. — P.84−86.
  348. Xiao Q., Derby J.J. Three-dimensional melt flows in Czochralski oxide growth: high-resolution, massively parallel, finite element computations // J. Crystal Growth. -1995,-Vol. 152.-P.169−181.
  349. Xue D., Betzler K., Hesse H., Lammers D. Nonlinear optical properties of borate crystals // Solid State Commun. 2000, — Vol. 114. — P.21.
  350. O., Tominaga K., Shimizu K. // Ceramurgia Int. 1980, — Vol. 6. -P.103.
  351. Ye N., Zeng W.R., Jiang J., Wu В., Chen C.T. (2000) New nonlinear optical crystal K2AI2B2O7 // J. Opt. Soc. Am. 2000, — Vol. B17. — P.764.
  352. Yi K.-W., Booker V.B., Eguchi M, Shyo Т., Kakimoto K. Structure of temperature and velosity fields in the Si melt of a Czochralski crystal growth system // J. Crystal Growth. 1995, — Vol. 156. — P.383−395.
  353. Yoshimoto N., Kimura S. Thermal treatment of molten BaB204 on crystallization and transformation // J. Crystal Growth. 1994.- Vol. 144. — P.229−235.
  354. Zhang J.Y., Huang J.Y., Shen Y.R., Chen C. Optical parametric generation and amplification in barium borate and lithium triborate crystals // J. Opt. Soc. Am. -1993, — Vol. B10, No. 9. P.1758−1764.
  355. Zhang Т., and Yamakawa K. Numerical analysis of type I third-harmonic generation through third order and cascaded second-order nonlinear optical processes // Jpn. J. Appl. Phys. 2000, — Vol. 39. — P.91−95.
  356. Zharikov E.V., Prichod’ko L.V., Storozhev N.R. Fluid flow formation resulting from forced vibration of a growing crystal // J. Crystal Growth. 1990, — Vol. 99. -P.910−914.
  357. КОНТРАКТ № 440/4 981 590/99001 на выполнение научно-исследовательской работыг. Новосибирск 01.03.1999 г.
  358. Требования к передаваемой Заказчику научно-технической продукции, (держатся в техническом задании, являющимся неотъемлемой частью настоящего жтракта.
  359. Содержание и сроки выполнения Контракта и его основных этапов |ределяются календарным планом, составляющим неотъемлемую часть настоящего жтракта.
  360. Документами подтверждающими выполнение предусмотренных Контрактом |учно-исследовательских работ является акт приемки-передачи, счет-фактура и узовая таможенная декларация.
  361. ЦЕНА И ОБЩАЯ СУММА КОНТРАКТА
  362. Цена на передаваемую научно техническую продукцию определяется оотоколом договорной цены, являющемся неотъемлемой частью настоящего жтрактз.
  363. Общая сумма по настоящему Контракту составляет 72 000,00 USD емьдесят две тысячи долларов США). Код валюты 840.
  364. З.ПОРЯДОК СДАЧИ И ПРИЕМКИ РАБОТ.
  365. Перечень научно-технической продукций, подлежащей передаче ¦-полнителем Заказчику на отдельных этапах выполнения и по окончании Контракта, феделен техническим заданием, являющимся частью Контракта.
  366. Выращивание и передача опытных образцов кристаллов: LBO в количестве 14 см3- ВВО количестве 6,4 см3- КТР количестве 2,5 см³.
  367. КОНТРАКТ № 440/4 981 590/01001 на выполнение научно-исследовательской работыг. Новосибирск 01.02.2001 г.
  368. Требования к передаваемой Заказчику научно-технической продукции содержатся в техническом задании, которое является неотъемлемой частью настоящего Контракта.
  369. Содержание и сроки выполнения Контракта и его основных этапов определяются календарным планом, составляющим неотъемлемую часть настоящего Контракта.
  370. Документами, подтверждающими выполнение предусмотренных Контрактом научно-исследовательских работ, являются акт приемки-передачи, счет-фактура и грузовая таможенная декларация.
  371. ЦЕНА И ОБЩАЯ СУММА КОНТРАКТА
  372. Цена на передаваемую научно техническую продукцию определяется Протоколом договорной цены, являющимся неотъемлемой частью настоящего Контракта.
  373. Общая сумма по настоящему Контракту составляет 72 000.00 USD (Семьдесят две тысячи долларов США). Код валюты 840.
  374. ПОРЯДОК СДАЧИ И ПРИЕМКИ РАБОТ
  375. Перечень научно-технической продукции,. подлежащей передаче Исполнителем Заказчику на отдельных этапах выполнения и по окончании Контракта, определен техническим заданием, являющимся частью Контракта.
  376. Поставка научно-технической продукции Заказчику осуществляется поэтапно в течение 15 дней после получения авансового платежа в размере 100%-ной
Заполнить форму текущей работой

На отлично!