Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Компьютерное моделирование элементов радиотехнических систем на микро-и наноуровне

Диссертация: Компьютерное моделирование элементов радиотехнических систем на микро-и наноуровне
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Работа является результатом исследований, в которых автор принимал непосредственное участие в течение последних 4 лет. По теме диссертации опубликовано 19 работ, 6 из которых в журналах, включенных ВАК в Перечень рецензируемых журналов. Общий объем работ 2,8 п.л. (автора — 0,7 п.л.). Основные положения и результаты исследования обсуждались на научных конференциях различного… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Радиотехнические наносистемы
    • 1. 1. Современное состояние микроэлектроники
    • 1. 2. Нанотехнологии в электронике
    • 1. 3. Методы и технологии получения гетероструктур
    • 1. 4. Использование органических соединений для радиосистем
    • 1. 5. Выводы
  • Глава II. Компьютерные технологии в наноструктурном анализе
    • 2. 1. Методы моделирования роста наноструктур
    • 2. 2. Метод дискретного моделирования разбиений и упаковок
    • 2. 3. Основные понятия теории роста квантовых точек
    • 2. 4. Комплекс программ «Компьютерный наноскоп»
    • 2. 5. Выводы
  • Глава III. Проектирование радиотехнических наноэлементов и наносистем
    • 3. 1. Квантовые точки для нанотехнологий
    • 3. 2. Проектирование непериодических сверхрешеток
    • 3. 3. Моделирование полупроводниковых органических структур
    • 3. 4. Электродинамическое моделирование фрактальных антенных систем
    • 3. 5. Исследование и моделирование перспективных материалов для радиосистем на наноуровне
    • 3. 6. Выводы

Компьютерное моделирование элементов радиотехнических систем на микро-и наноуровне (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие радиотехники и наноэлектроники предъявило новые требования к элементам радиотехнических систем, использующих кристаллическое состояние вещества: квазикристаллы, нанокластеры, квантовые точки, сверхрешетки и гетероструктуры. В наше время основу радиотехнической промышленности составляет монокристаллический кремний, но уже невозможно обойтись без использования других, самых разнообразных наноструктур, которые могут выполнять функции элементов радиосистем. Поскольку изделия из кристаллов широко распространены во многих сферах нашей жизни, то задачи совершенствования методов выращивания кристаллов и моделирования технологий их производства остаются практически важными в наши дни. Однако, пока еще не создана достаточно полная теория зарождения и роста кристаллов, особенно на наноуровнене доведены до понимания общие вопросы сопряжения материалов при эпитаксиипочти полностью, за исключением углеродных нанотрубок и некоторых металлов, отсутствует информация о строении конкретных наноструктур, в часности молекулярных соединений. Все это тормозит развитие вычислительных систем, систем связи, систем локации, передачи и приема информации. Исследования наноструктур и материалов на их основе в последние несколько лет являются общим направлением для многих классических научных дисциплин: физической химии, физики твердого тела, физики конденсированного состояния и др. В каждой из этих наук как на уровне поиска системных решений, так и при создании принципиально новых материалов используется компьютерное моделирование, результаты которого затем проверяются в сложных дорогостоящих экспериментах с использованием высокотехнологичного оборудования. В электронике применение наноструктур позволяет расширить область действия закона Мура и ускорить полный переход от классических устройств к «однокристальной системе на чипе», занимающей физически малый объем и потребляющей меньше энергии.

Актуальность темы

.

Совокупность перечисленных проблем приводит к необходимости совершить в радиотехнике и микроэлектронике принципиальный переход к нанотехнологиям. Решение задачи по разработке основ наноструктурного анализа, включающего в себя методы моделирования нанокластеров и их роста, прогнозирование и расчет молекулярных наноструктур, в том числе с полупроводниковыми свойствами, а также по моделированию процессов сборки функционально ориентированных радиотехнических наносистем, является актуальным.

Цель работы и задачи исследования.

Целью работы является исследование и компьютерное моделирование наноструктурных элементов радиосистем и разработка основ технологии сборки радиотехнических микрои наносистем.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

1. Создание единого комплекса компьютерных программ «Компьютерный наноскоп», предназначенного для моделирования наноструктур и компьютерного проектирования наносистем.

2. Проведение наноструктурных исследований квантовых точек некоторых органических полупроводников, диэлектриков и металлов, используемых в системах наноэлектроники.

3. Разработка модели непериодической фрактальной сверхрешетки, в том числе с изменяемой симметрией, как элемента управляемой радиосистемы на микрои наноуровне.

4. Расчёт излучательных свойств созданной модели фрактальной сверхрешетки.

5. Проведение экспериментальных исследований поверхности некоторых перспективных материалов для сборки радиосистем на наноуровне методами 4 электронной микроскопии, рентгенофлуоресцентной спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии.

6. Разработка модели МОП-структуры и структуры металл-оксид-металл на наноуровне.

7. Определение общих рекомендаций по компьютерному проектированию наноструктурных элементов для радиотехнических систем.

Методы исследования.

В работе использован метод дискретного моделирования молекулярных упаковок и методы компьютерного моделирования роста наноструктур на базе международных банков структурных данных. Исследование свойств некоторых перспективных материалов для радиотехнических наносистем проведено методами рентгенодифракционного анализа, рентгенофлуоресцентной спектроскопии и электронной микроскопии.

Научная новизна диссертационной работы заключается:

— в разработке методики послойного роста кристаллических зародышей органических полупроводников (класса полиаценов), металлов и диэлектриков с целью создания радиотехнических наносистем;

— в создании модели фрактального нанообъекта на базе математической операции свертки точечных функций;

— в создании модели фрактальной непериодической сверхрешетки для управляемого приемно-передающего устройства на микрои наноуровне;

— в создании модели МОП-структуры на основе алюмооксида и органических полупроводников.

— в создании модели структуры металл-оксид-металл на основе алюмооксида и нанокластеров меди.

Практическая значимость полученных результатов заключается в создании программно-технологического комплекса компьютерных средств 5 обработки информации о структурах для микрои наноэлектроники. Применение данного комплекса позволит:

— получить гетероструктуры с заданными электрофизическими свойствами;

— повысить надежность радиосистем, электронных приборов;

— удешевить и сократить сроки их разработки.

Положения, выносимые на защиту.

1. Методика расчета моделей молекулярных наноструктур реальных соединений от молекулярной структуры на первом этапе к модельным упаковочным полиэдрам роста на конечном этапе.

2. Методика компьютерного моделирования нанокластеров структур органических полупроводников (антрацена, пентацена, коронена), диэлектриков (на примере серы), металлов (на примере меди).

3. Этапы проектирования радиотехнических наносистем на основе органических полупроводников, металлов и окислов.

Личный вклад автора заключается: в компоновке комплекса компьютерных программ «Компьютерный наноскоп" — в апробации комплекса «компьютерный наноскоп» на ряде кристаллических наноструктур (медь, сера, антрацен, пентацен, коронен), а так же в проведении их сравнительного геометрического анализав разработке моделей фрактальных непериодических сверхрешеток с управляемой симметриейв проведении серии экспериментов на основе созданных моделей в САПР Аг^ой Ш^- в проведении серии экспериментов по исследованию технологических свойств некоторых перспективных материалов для микрои нанотехнологии методами рентгенодифракционного анализа, рентгенофлуоресцентной спектроскопии и электронной микроскопиив разработке модели МОП-структуры на наноуровнев разработке модели структуры металл-оксид-металл на наноуровне.

Результаты работы внедрены и реализованы:

1. В Micro Components Ltd.- Russia, ООО «МСЛР» при выполнении НИР по теме: «Разработка прикладного программного обеспечения для конструирования светодиодных подложек, производимых по технологии „ALOX“ с учетом тепловых процессов».

2. В малом инновационном предприятии ООО «Hi111 «НАНОтех» для компьютерного моделирования структурообразования нанокластеров при создании новых композитных материалов.

3. В ФГБОУ ВПО ВлГУ использованы в учебном процессе при подготовке специалистов по направлениям «Нанотехнология» и «Радиотехника».

Апробация работы. Работа является результатом исследований, в которых автор принимал непосредственное участие в течение последних 4 лет. По теме диссертации опубликовано 19 работ, 6 из которых в журналах, включенных ВАК в Перечень рецензируемых журналов. Общий объем работ 2,8 п.л. (автора — 0,7 п.л.). Основные положения и результаты исследования обсуждались на научных конференциях различного уровня. Получено положительное решение о выдаче патента РФ на полезную модель «Фрактальная патч-антенна» от 30.07.2012 г. Результаты диссертационной работы были представлены в виде стендовых докладов на международных форумах по нанотехнологиям Rusnanotech 2011, 2012 гг.

Список работ, опубликованных по теме диссертации.

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК.

1. Никитин O.P., Ломтев Л. А., Скворцов К. В., Pay В. Г. Структуры квантовых точек в компьютерном наноскопе // Известия института инженерной физики. — 2009. — Т. 3. — № 13. — С. 25−29.

2. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов К. В., Ломтев Л. А. Органические полупроводники. Антрацен в компьютерном наноскопе // Известия института инженерной физики. — 2009. — Т. 4. — № 14. — С. 15−20.

3. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов К. В., Pay Т.Ф., Малеев A.B. Моделирование фрактальных структур, антенн и излучателей для нанотехнологий // Известия института инженерной физики. — 2010. — Т. 1. — № 15.-С. 61−65.

4. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов К. В., Pay Т. Ф .Моделирование сборки фрактальных наноструктур для управляемых приемно-передающих устройств // Известия института инженерной физики. — 2010. — Т. 3. — № 17. -С. 39−42.

5. Pay В.Г., Скворцов К. В., Потехин К. А., Малеев A.B. Геометрический анализ моделей молекулярных нанокластеров серы (S8)x в компьютерном эксперименте // Журнал структурной химии. — 2011. — Т.2. — № 4. — С. 781−787.

6. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов К. В., Pay Т. Ф. Проектирование электронных средств на нанои атомно-молекулярном уровне// Известия института инженерной физики. — 2012. — Т.З. — № 25. — С. 100−103.

Прочие публикации.

7. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов К. В., Корнеева H.H. Проектирование элементов непереодических сверхрешеток для нанотехнологий // Труды Владимирского государственного университета. Выпуск 7. Физико-математические основы индустрии наносистем и материалов. — 2010. — С. 8588.

8. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов К. В., Корнеева H.H. Фрактальные антенны из квантовых точек // Труды Владимирского государственного 8 университета. Выпуск 7. Физико-математические основы индустрии наносистем и материалов. — 2010. — С. 83−85.

Публикации в материалах конференций.

9. Потехин К. А., Скворцов К. В., Малеев A.B., Pay В. Г. Расчет спектров координационных упаковочных полиэдров роста кристаллических структур методом кластеризации разбиений // XXVII научные чтения имени академика Н. В. Белова.- Нижний Новгород, 2008. — С. 78−80.

10. Потехин К. А., Скворцов К. В., Малеев A.B., Pay В. Г. Исследование спектров модельных зародышей роста кристаллической серы методом кластеризации разбиений // XIII Национальная конференция по росту кристаллов.- ИК РАН, — Москва, 2008. С. 163.

11. Pay В.Г., Ломтев Л. А., Скворцов К. В., Беляев И. В. Модель разбиения дискретного периодического пространства на области транзитивности // V международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация для нанотехнологий, техники и медицины» .- Иваново, 2008. С. 53.

12. Малеев A.B., Pay В.Г., Житков И. К., Скворцов К. В. Комплекс программ для кластеризации и роста наноразмерных зародышей // V международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация для нанотехнологий, техники и медицины» — Иваново, 2008.-С.73.

13. Скворцов К. В., Потехин К. А., Малеев A.B., Pay В. Г. Использование компьютерного наноскопа для геометрического анализа молекулярных нанокластеров кристаллической серы // V Национальная кристалло-химическая конференция.- КазНЦ РАН.- Казань, 2009. С. 157.

14. Rau V.G., Skvortsov K.V., Rau T.F., Gorshkov К.A. The model of the anthracene nanostructure in the «computer nanoscope» // Illrd International Conference «Crystal Materials 2010», STC «Institute for Single Crystals», Kharkov, Ukraine, 2010.

15. Скворцов К. В., Pay Т.Ф., Богаткина Е. А., Pay В. Г. Этапы построения кристаллического многогранника роста антрацена в компьютерной модели // VI Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Самоорганизация при фазообразовании». Иваново, 2010, С. 112.

16. Pay В.Г., Никитин O.P., Pay Т.Ф., Скворцов К. В. Проектирование предфрактальных непериодических сверхрешеток для сборки наноантенн // XIV Национальная конференция по росту кристаллов, ИК РАН, Москва, 2010.-С.186.

17. Скворцов К. В., Pay Т.Ф., Богаткина Е. Г., Горшков К.A., Pay В. Г. Наноструктурные исследования молекулярных соединений антрацена (С14Н10), пентацена (С22Н14) и коронена (С24Н12) // XIV Национальная конференция по росту кристаллов.- ИК РАН.- Москва, 2010. С. 88.

18. Pay В.Г., Скворцов К. В., Никитин O.P. Учебноисследовательский программный комплекс «Компьютерный наноскоп» // IV Всероссийские научные Зворыкинские чтения «Наука и образование в развитии промышленного потенциала и социально-экономической сфер регионов России», — Муром.- 2011, С. 553.

19. Богаткина, Е.Г., Горшков К. А., Скворцов К. В., Pay Т.Ф., Pay В. Г. Кристаллохимический аспект нано-структурных исследований молекулярных соединений антрацена, пентацена, коронена и мочевины // VI национальная кристаллохимическая конференци.- Суздаль, 2011. С. 167.

Структура работы.

Диссертация состоит из введения, трех глав, включающий иллюстрированный материал (71 рисунок), выводов и списка литературы (93 источника). Общий объем работы составил 116 страниц машинописного текста.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. На базе отдельных компьютерных программ создан исследовательский комплекс «Компьютерный наноскоп», предназначенный для дискретного моделирования структуры материалов конкретных веществ и компьютерного проектирования элементов радиосистем на наноуровне.

Комплекс состоит из согласованных программ:

— Международных баз данных кристаллических структур (КБСД, Минкрист), основанных на реальных исследованиях атомно-молекулярного строения вещества методами рентгеновской дифракции, нейтронографии и др. Могут быть использованы варианты возможных структур, полученных методом дискретного моделирования упаковок, разработанного в ВлГУ.

— Программа разбиения кристаллического пространства конкретного вещества, на дискретные области Вороного — Дирихле и выделения графа связности этих областей, определяющего ближайшее окружение любой области в структуре.

— Программа посферного (для ЗЭ-) и послойного (для графа связности, определяющего форму роста нанокластеров, после выбора начальной вершины графа из физико-химических соображений. В результате формируется информация о поверхностных координационных связях каждого нанокластера.

— Программа построения различных вариантов ЗЭмоделей нанокластеров для сборки наносистем как кристаллического, так и гелевого состояния вещества на основе координационных связей, полученных на выходе предыдущей подпрограммы. Физико-химические параметры наносистемы используются далее в квантовомеханических расчетах.

2. Проведена апробация комплекса для расчета «квантовых точек» -нанокластеров некоторых органических полупроводников, диэлектриков и металлов, используемых в системах радиотехники. Показано, что нанокластеры антрацена, пентацена, коронена, меди и др. характеризуются плотнейшей упаковкой молекул (атомов) с магическими числами, У подчиняющимися закону 10к +2, а следовательно являются устойчивыми.

3. Разработаны компьютерные модели непериодических фрактальных сверхрешеток, в том числе с изменяемой симметрией, как элементов радиосистемы, на микрои наноуровне. Предложен математический аналог процедуре сборки фракталов, основанный на операции свертки дискретных функций.

4. Разработаны модели и рассчитаны излучательные свойства фрактальных антенных решеток, симметрия которых соответствует симметрии образующих их наноструктур. Проведен совместный расчет поля решетки при когерентном рассеянии наноструктурными элементами и спектра мощности излучения (диаграмм направленности) элементами классической решетки.

5. Методами электронной микроскопии, рентгенофлуоресцентной спектроскопии и рентгенодифракционного анализа проведено экспериментальное исследование поверхности некоторых перспективных материалов для сборки радиосистем на микрои наноуровне. Показано, что одним из наиболее перспективных материалов является пористая структура анодированного оксида алюминия (АОА).

6. Разработана компьютерная модель МОП-структуры на основе алюмооксида и органических полупроводников на наноуровне. Проведен квантовомеханический расчет системы «АЬОХ — Антрацен».

7. Разработана компьютерная модель структуры металл-оксид-металл на основе алюмооксида и нанокластеров меди.

8. Разработаны рекомендации по последовательности действий при проектировании наноструктурных элементов для радиотехнических систем. Определена процедура технологии сборки радиотехнических микрои наносистем. В этой процедуре важная роль отводится поэтапному мониторингу технологического процесса на базе высокотехнологического оборудования.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.И., Новик Е. Г. Классификация приборных структур одноэлектроники 1. ФТП. —Том 33, — Выпуск 11.— 1999. — с. 1388−1394.
  2. Е.Е. Справочник по анодированию — М: Машиностроение, 1988. —224 с.
  3. .И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур II ФТП. — Том 32, — Выпуск 1. — 1998. — с. 3−18.
  4. А.Б., Алыиина Е. А., Лимонов А. Г. // Журнал вычислительной математики и математической физики. — Том 48, Выпуск 11. —2008. —с. 55.
  5. Л. Органические транзисторы базовые принципы и устройство II Компьютерное обозрение. — 2008. — с. 32−38.
  6. Р. Атомы в молекулах. Квантовая теория — М: Мир, 2001. — 536 с.
  7. P.C., Смирнов Б. М. Фазовые переходы в кластерах различных типов. IIУФН. — Том 179, — Выпуск 2. — 2009. — с. 147−177.
  8. В. А. Илюшин Г. Д. Кластерная самоорганизация кристаллообразующих систем: супраполиэдрические кластеры-предшественники и самосборка икосаэдрической структуры ZrZn22 II Кристаллография. — Том 54, — Выпуск 4. — 2009. — с. 590−595.
  9. И. Мерей Дж. Физические основы микротехнологии — М: Мир, 1985, —496 с.
  10. .К. Современная кристаллография Т. 3. — М: Наука, 1980. —408 с.
  11. К. А. Физика субмикронной литографии — М: Наука-Физматлит, 1990. — 528 с.
  12. Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара — М: Наука, 1977. — 303 с.
  13. В.Л. Какие проблемы физики и астрофизикипредставляются сейчас особенно важными и интересными (тридцать лет108спустя, причем уже на пороге XXI века)? II УФЫ. — Том 169, — Выпуск 4. — 1999, —с. 419−441.
  14. В.П., Зегря Г. Г., Маханец A.M. Спектры электронов и дырок в сверхрешетке цилиндрических квантовых проволок II ФТП. — № 33., Выпуск 5. — 1999. — с. 603−607.
  15. .Н. Геометрия положительных квадратичных форм II УМН. — Выпуск 3. — 1937. — с. 16−62.
  16. .Н., Фаддеев Д. К. Теория иррациональностей третьей степени — М: Изд-во АН СССР, 1940. — 340 с.
  17. И.А., Сурис P.A. Затухание блоховских осцилляций в сверхрешетках из квантовых точек. Общий формализм II ФТП. — Том 36., Выпуск 12. — 2002. — с. 1449−1459.
  18. И.А., Сурис P.A. Локализация электронов и блоховские осцилляции в сверхрешетках из квантовых точек в постоянном электрическом поле II ФТП. — Том 35., Выпуск 2. — 2001. — с. 219−226.
  19. В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники: учебное пособие- 2-е изд., испр. и доп — НГТУ, 2004. — 496 с.
  20. В.Г. Самоподобный рост периодических разбиений и графов II Алгебра и анализ. — № 13. — 2001. — с. 69−92.
  21. В.Г., Малеев A.B., Pay В.Г., Шутов A.B. Рост случайных графов и упаковок II Кристаллография. — Том 47. — 2002. — с. 976−981.
  22. JI. В. Свойства полупроводниковых сверхрешеток II ФТТ. — Том 4. Выпуск 8. — 1962. — с. 2265−2267.
  23. А.И. Молекулярные кристаллы М: Наука, 1971. -424 с.
  24. Д.А. Математический цветник — М: Наука, 1983. — 493 с.
  25. Е.А., Шмытько И. М., Струкова Г. К. Аномальные структурные состояния оксидов редкоземельных металлов притвердофазном синтезе в режиме непрерывного нагрева II ФТТ. — Том 50., Выпуск 5. — 2008. — с. 924.
  26. П. О симметрии в физических явлениях: симметрия электрического и магнитного полей — М: Наука, 1966. — с. 95−113
  27. H.H., Устинов В. М., Щукин В. А., Копьев П.С, Алферов Ж. И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор II ФТП. — Том 32., Выпуск 4. — 1998. — с. 385−410.
  28. Малеев A.B., Pay В.Г., Потехин К. А., Пархомов Л. Г., Pay Т.Ф. и др. Метод дискретного моделирования упаковок в молекулярных кристаллах II Доклады АН СССР, —Том 315, — 1990. —с. 1382−1385.
  29. A.B. п-Мерные упаковочные пространства II Кристаллография. — Том 40. — 1995. — с. 394−396.
  30. A.B., Житков И.К., Pay В. Г. Генерация кристаллических структур гетеромолекулярных соединений методом дискретного моделирования упаковок И Кристаллография. — Том 50., Выпуск 5. — 2005. — с. 788−797.
  31. П.П. Нанотехнологии. Наноматериалы. Наносистемная техника: Мировые достижения-2008 г. под ред. Мальцев П. П. — М: Техносфера, 2008. — 430 с.
  32. Мартинес-Дуарт Дж. Нанотехнологии для микро — и оптоэлектроникщ Мир материалов и технологий под ред. Якимов Е. Б. пер. Хачоян A.B. — М: Техносфера, 2007. — 368 с.
  33. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов К. В., Ломтев Л. А Органические полупроводники. Антрацен в компьютерном наноскопе II Известия института инженерной физики. — № 14.— 2009. — с. 15−20.
  34. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов К. В., Ломтев Л. А. Структуры квантовых точек в компьютерном наноскопе И Известия института инженерной физики. — № 13.— 2009. — с. 25−29.
  35. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов K.B., Pay Т. Ф. Проектирование электронных средств на нано- и атомно-молекулярном уровне II Известия института инженерной физики. — № 25. — 2012. — с. 100−103.
  36. Никитин O.P., Pay В.Г., Скворцов К. В., Pay Т.Ф., Малеев A.B. Моделирование фрактальных структур, антенн и излучателей для нанотехнологий II Известия института инженерной физики. — № 15. — 2010.с. 61−65.
  37. Ю.Э., Потехин К. А., Панов В. Н., Стручков Ю. Т. Рентгено-структурное исследование обратимого полиморфного перехода в монокристалле II Доклады АН. — № 340. — 1995. — с. 62−66.
  38. В.Н., Потехин К. А., Гончаров A.B. О верхней границе числа граней стереоэдров II Кристаллография. — Том 44. — 1997. — с. 389.
  39. К.А., Стручков Ю. Т. и др. Панов В.Н. Молекулярная и кристаллическая структура (S, S)-0-(a-dimemwiaMUH03miui) фенил. фениларилкарбинолов. II Кристаллография. —- Том 45. — 2000. — с. 662−668.
  40. О.П., Болховитянов Ю. Б., Двуреченский A.B. Фойхтлендер Б. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства. Обзор. II ФТП. — Том 34., Выпуск 11, —2000. —с. 1281−1299.
  41. M. Е. Взаимодействия кристаллов со средой: структурно-геометрический анализ — М: Изд. Моск. ун-та, 2008. — 240 с.
  42. Pay В.Г., Богатов B.C., Pay Т.Ф., Никитин O.P., Федотчев А. И // Вестник Нижегородского университета. — № 9., Вып. 1. — 2006. — с. 56−61.
  43. Pay В.Г., Никитин O.P., Гаврилов В. М. Радиофизические методы дистанционного зондирования Земли и космических объектов под ред. Под ред. В.Г. Pay. — Владимир: ВГПУ, 2007. — 144 с.
  44. Pay В.Г., Пугаев A.A., Pay Т. Ф. Координационные числовые последовательности и координационные волны в среде II Кристаллография.
  45. Том 51, — Выпуск 1. — 2006. — с. 8−16.
  46. Pay В.Г., Скворцов К. В., Потехин К. А., Малеев A.B. Геометрический анализ моделей молекулярных нанокластеров серы (S8)x в компьютерном эксперименте II Журнал структурной химии. — Том 52, Выпуск 4. — 2011.с. 781−787.
  47. РУСАЛОКС, URL: http://rusalox.ru/technology-uniqueness.html.
  48. С. А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур: Учебное пособие для вузов по направлению «Техническая физика» под ред. Шик А. Я. — СПб: Наука, 2001. — 52 с.
  49. В.М., Харечкин С. С., Гафнер Ю. Я., Гафнер C.J1. Молекулярно-динамическое исследование плавления и кристаллизации наночастиц II Кристаллография. — № 54, — Выпуск 3. — 2009. — с. 563−569.
  50. .Д. Антенны и устройства СВЧ II Вестник ВлГУ. — 1988. —с. 24.
  51. В.В. Материалы и методы нанотехнологии: учебное пособие под ред. Патрикеев JI.H. — М: Бином. Лаборатория знаний, 2008. — 431 с.
  52. П.Й., Черпак В. В., Волинюк Д. Ю. Свойства гетероперехода на основе пентацена и производных перилена II ФТП. — Том 43., Выпуск 2. — 2009. — с. 204−209.
  53. И.В., Эпельфельд A.B., Людин В. Б., Борисов A.M., Крит Б.Л. URL: http://tompve.ru/science/Obzor-pribor4.htm (дата обращения: 20.12.2011).
  54. .П. Физическая химия полупроводников — М: Металлургия, 1962. —224 с.
  55. Н.В., Маханец A.M., Зегря Г. Г. Электроны, дырки и экситоны в сверхрешетке цилиндрических квантовых точек с предельно слабой связью квазичастиц между слоями квантовых точек II ФТП. — Том 36., Выпуск 5.2002. —с. 543−549.
  56. А.Г., Золотухин И. В. Аппаратура и методы синтеза твердотельных наноструктур — Москва: Издательство Машиностроение-1, 2007, —316 с.
  57. А.В. Физика и технология гетероструктур, оптика квантовых наноструктур: Учебное пособие — СПб: СПбГУ ИТМО, 2009. — 56 с.
  58. Г. Э., Устинов В. М. Дубровский В.Г. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения II ФТП. — № 43., Выпуск 12. — 2009. — с. 1585−1629.
  59. Ченг JL, Плог К. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры — М: Мир, 1989. — 600 с.
  60. Г. Д. Строение оксида алюминия и катализаторов гидрообессеривания. Механизмы реакций — М: Типография Паладин, ООО «Принта», 2010. — 288 с.
  61. Шик, А .Я., Бакуева Л. Г., Мусихин С. Ф., Рыков С. А. Физика низкоразмерных систем СПб.: Наука, 2001. — 160 с.
  62. AntSoft HFSS, URL: WWW.ansys.com.
  63. Brunner G.O. The Properties of Coordination Sequences and Conclusions Regarding the Lowest Possible Density of Zeolites II 46. J. Solid State Chem. — № 29, — 1979.—p. 41−45.
  64. Brunner G.O., Laves F. Problemder Koordinazionszahl II Wiss. Z. Tech. Univ. Dresden. — № 20. — 1971. — p. 387−390.
  65. Cambridge Structural Database System. Version 5.29. Cambridge Crystallographic Data Centre, 2008.
  66. Cohen Gang Han, Taleb Mokari, Caroline Ajo-Franklin, and Bruce E. // J. Am. Chem. Soc. — Vol. 47., № 130. — 2008. — p. 15 811−15 813.
  67. Eley D. D. Organic semiconductors II Research. — № 12. — 1956. — p. 293−299.
  68. Eley D. D. and Parfitt G. D. The semiconductivity of organic substances.
  69. Part 2II Soc., Faraday Trans. — Vol.51. — 1955. — p. 1529−1539.113
  70. Esaki L., Tsu R. // IBM J.Res.Dev. — Vol.14, — № 61. — 1970.
  71. Fawwaz J. Jibrael, Feaz F. Shareef and Wafaa S. Mummo Small Size and Dual Band of a Quadratic Koch II American Journal of Applied Sciences. — Vol.5, № 12. —2008. —p. 1804−1807.
  72. Fischer W., Koch E. Geometrical packing analysis of molecular compounds IIZ. Kristallogr. — Vol. 150. —1979. — p. 245−260.
  73. George M. Whitesides and J. Christopher Love The Art of Building Small! I Scientific American. — № 285., Vol. 3. — 2001. — p. 46.
  74. Gianvittorio J. P. Fractal Antennas: Design, Characterization, and Applications USA — Los Angeles: University of California, 2000. — 109 p.
  75. Gonzalez-Arbesu J.M., Rius J.M. and Romeu J. Comments on: On the relationship between fractal dimension and the performance of multiresonantdipole antennas using Koch curves II IEEE Trans, on Antennas and Propagation. — Jul. 2004. — p. 1626−1627.
  76. Herrero Carlos P. Coordination sequences of zeolites revisited: asymptotic behaviour for large distances II J. Chem. Soc., Faraday Trans. — Vol. 90. — 1994. — p. 2597−2599.
  77. Hoseman R., Bagchi S. Direct analysis of diffraction by matter. — Amsterdam: North-Holland Publishing Company, 1962. — 734 p.
  78. Kim Y. and Jaggard D.L. The Fractal Random Array II Proceedings of the IEEE. — Vol. 74., № 9. — sept. 1986. — p. 128−1280.
  79. Kohn W., Sham L.J. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects II Physical Review. — Vol.140., Issue 4A. — 1965. — p. 1133−1138.
  80. Kossel W. Zur Theorie des Kristallwachstums II Nachr. Ges. Wiss. Gottingen. — № 2, — 1927. — p. 135−143.
  81. Maleev A.V., Zhitkov I.K., Rau V.G. Generation of Crystal Structures of Heteromolecular Compounds by the Method of Discrete Modeling of Packings II Crystallography Reports. — № 50., Vol. 5. — 2005. — p. 727−734.
  82. Medeiros-Ribeiro G., Bratkovski A., Kamins T. I., Ohlberg D. A. and Williams R. S. Shape transition of Germanium nanocrystals on a Silicon (001) Surface from Pyramids to Domesll Science. — № 353., — 1998. — p. 297.
  83. Migliore M. An intuitive electromagnetic approach to MIMO communication systems. II Antennas and Propagation Magazine, IEEE. — Vol.48., № 3. — June 2006. — p. 128−137.
  84. O’Keeffe M. Dense and rare four-connected nets II Z. Kristallogr. — 1991.—p. 21−37.
  85. PC GAMESS, URL: http://classic.chem.msu.su
  86. Rau V.G., Pugaev A.A., Rau T.F., Maleev A.V. Geometrical Aspect of Solving the Problem of Real Structure Growth on the Model of Alkali Metal Halides of the NaCl Type II Crystallography Reports. — Vol.54., № 7. — 2009. — p. 1128−1134.
  87. Rau V.G., Zhuravlev V.G., Rau T.F., Maleev A.V. Morphogenesis of Crystal Structures in the Discrete Modeling of Pacrings II Crystallography Reports. — Vol.47., № 5. — 2002. — p. 727−730.
  88. Russer P., Fichtner N., Lugli P. Nanoelectronics-Based Integrated Antennas II IEEE Microwave Magazine. — Vol.11., № 7. — Dec. 2010. — p. 5871.
  89. D., Mews A., Eychmuller A., Wellr H. // Phys. Rev. B. — Vol.47. — 1994. — p. 1359−1365.
  90. Tiwari S., Rana F., K. Chan K., H. Hanafi H., Chan W., Buchanan D. Volatile and nonvolatile memories in silicon with nanocrystal storage II IEDM Tech. Digest. — 1995. — p. 512−525.
  91. University of Newcastle: Condensed Matter Group.
  92. Weismuller J., Gleiter H. Precipitation in nanocrystalline Al-Agprepared by high energy ball milling and inert gas condensation // Nanostructured Materials. — Vol. 43, — № 3. 1995. — p. 1087−1098.
  93. Yang X., Chiochetti J., Papadopoulos D. and Susman L. Fractal Antenna Elements and Arrays II Applied Microwave & Wireless. — May 1999. — p. 3446.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!