Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Структура и электрофизические свойства сверхпроводящих твердых растворов BaPb/1-x/ BixO3

Диссертация: Структура и электрофизические свойства сверхпроводящих твердых растворов BaPb/1-x/ BixO3
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Изучение слабосвязанных систем сверхпроводников — так называемых даозефсоновских переходов, привело к быстрому развитию нового прикладного направления — сверхпроводниковой квантовой электроники /5/. Перспективными являются одномерные последовательности или двумерные решетки джозефсоновских туннельных переходов и мостиков, однако в этом направлении имеются трудности технологического характера… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Сверхпроводящие керамические материалы
    • 1. 2. Основные особенности технологии изготовления твердых растворов ВРВ
    • 1. 3. Кристаллографические свойства твердых растворов ВРВ
    • 1. 4. Особенности сверхпроводящего состояния в ВРВ
    • 1. 5. Явления переноса
    • 1. 6. Влияние давления
    • 1. 7. Оптические свойства
    • 1. 8. Диэлектризация электронного спектра
    • 1. 9. Влияние изоморфного замещения ионов
    • 1. 10. Энергетическая зонная структура твердых растворов
    • 1. 11. Природа сверхпроводимости ВРВ
    • 1. 12. Применения твердых растворов ВРВ
    • 1. 13. Выводы по обзору литературы и формулировка цели работы
  • 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Объекты исследований
    • 2. 2. Методика рентгеноструктурных исследований
    • 2. 3. Методика измерений электрофизических характеристик
      • 2. 3. 1. Измерение удельного сопротивления и определение критической температуры
      • 2. 3. 2. Измерение поверхностного сопротивления
      • 2. 3. 3. Определение концентрации носителей тока
    • 2. 4. Методика восстановления в вакууме
    • 2. 5. Методика измерения электрофизических характеристик при воздействии гидростатического давления
    • 2. 6. Технология получения керамики ВРВ
    • 2. 7. Выводы
  • 3. КРЙСТАЛЛОГРАФИЧЕСЖИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ВРВ 82 3.1. Выводы
  • 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 4. 1. Удельное сопротивление керамики ВРВ
    • 4. 2. Критическая температура керамики ВРВ
    • 4. 3. Влияние восстановления в вакууме на электрофизические свойства ВРВ
    • 4. 4. Влияние гидростатического давления на электрофизические свойства твердых растворов ВРВ
    • 4. 5. Поверхностное сопротивление керамики ВРВ
    • 4. 6. Рекомендации по применению результатов, изложенных в главе 4
    • 4. 7. Выводы
  • 6. НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ ВРВ
    • 5. 1. Твердые растворы ВаРЬ^^О^
    • 5. 2. Влияние легирования ВРВ оксидом германия
    • 5. 3. Выводы

Структура и электрофизические свойства сверхпроводящих твердых растворов BaPb/1-x/ BixO3 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Открытое в I9II году явление сверхпроводимости до настоящего времени остается одним из наиболее удивительных известных физических феноменов природы. Не удивительно, что микроскопическая теория сверхпроводимости, объяснившая приндипи-. альные особенности сверхпроводящего состояния и ставшая классической — теория Бардина, Купера и Шриффера появилась лишь в 1957 году, т. е. более чем через 40 лет после экспериментального открытия явления. Практическое применение сверхпроводимости начинается с шестидесятых годов после открытия сверхпроводящих материалов с высокими критическими параметрами. Сверхпроводниковые материалы находятся вне конкуренции при создании уникальных магнитных систем, используемых в науке, энергетике, транспорте, медицине и других прикладных областях / I, 2/. Наряду с этим все более широкое применение в самых различных областях науки и техники находят элементы и устройства, использующие «слаботочные» эффекты в сверхпроводниках. Разработаны высокодобротные резонансные системы сверхвысокочастот-иого диапазона, использующиеаффективное снижение поверхностного сопротивления проводника в сверхпроводящем состоянии / 3, 4 /. Резкое изменение свойств проводящего материала при переключении из сверхпроводящего состояния в несверхпроводящее используется для создания выключателей, управляемых СВЧ атенюаторов и ограничителей /4/.

Изучение слабосвязанных систем сверхпроводников — так называемых даозефсоновских переходов, привело к быстрому развитию нового прикладного направления — сверхпроводниковой квантовой электроники /5/. Перспективными являются одномерные последовательности или двумерные решетки джозефсоновских туннельных переходов и мостиков, однако в этом направлении имеются трудности технологического характера, поскольку характерные размеры джозефсоновских переходов в этом случае составляют доли микрона /3/,.

Следует отметить, что в настоящее время главенствующее положение в сверхпроводниковом материаловедении все ещё занимают металлические сплавы и соединения на основе ниобия /6/. Наряду с этим в последние года широким фронтом ведется поиск новых материалов с более высокими критическими параметрами и ю свойствами, позволящими расширить функциональные возможности сверхпроводниковых устройств.

В этом аспекте в настоящее время все возрастающий интерес вызывает система твердых растворов Ba. PbhXBixClB {BPS), сверхпроводимость которой обнаружил в 1974 году Слейт /7,8/.

ВРВ является первым высокотемпературным сверхпроводником с критической температурой порядка 12 К, не содержащим атомов переходных элементов. Интерес к этому материалу обусловлен несколькими аспектами. Во-первых, — это проблема возникновения высокотемпературной сверхпроводимости в материалах с малой плотностью носителей тока /9−11/. Во-вторых, в этих материалах не исключено сосуществование сверхпроводящего состояния и полярного (антиполярногодипольного упорядочения, что представляет значительный научный и практический интерес /12,13/. В-третьих, — керамические образцы ВРВ можно рассматривать как систему слабо, связанных сверхпроводников — аналогом гранулярных сверхпроводников /14/, в которых наблюдается когерентное, с одинаковыми значениями критического тока, переключение большого числа соединенных последовательно даозефсонов-ских переходов /15,16/. С точки зрения применений следует отметить стойкость^" к длительным термическим нагрузкам до 800 °C в воздушной атмосфере /17/, высокое удельное сопротивле-ление в несверхпроводящем состоянии /18/, а также возможность создания элементов нового типа для криоэлектроники /19−21/.

Исследованиям ВРВ посвящено сравнительно много работ, опубликованных в основном за последние 5 лет, однако их результаты и выводы все ещё не дают возможности полностью понять природу сверхпроводимости этого материала /18,22,23/, что в значительной степени затрудняет дальнейшее целенаправленное улучшение физических параметров ВРВ в прикладных задачах.

Исследования структуры ВРВ проводились в основном при комнатной температуре, а результаты различных работ противоречивы /7,13,24−26/. Последнее объясняется как недостаточной точностью применяемых методик исследования, требующего ввиду незначительного искажения псевдокубической ячейки ВРВ особо тщательного подхода, так и несовершенством и неоднофазностью исследованных образцов. Подавляющее большинство исследований проведено на керамических образцах поскольку, проблема получения качественных и достаточно больших монокрисТаллов в. настоящее время еще далека от своего решения /13,27−29/.

Известно, что межкристаллитные. границы влияют на явления переноса заряда и критические параметры, однако более глубокое изучение этой взаимосвязи в ВРВ отсутствует /18,23,30/. Недостаточно изучено влияние различных внешних воздействий, в том числе гидростатического давления /31−33/ и дефектов по кислороду /34,35/ на электрофизические свойства ВРВ. Отсутствуют данные о поверхностном сопротивлении в переменном электрическом поле.

Следует прийти к выводу, что появилась необходимость комплексного исследования керамики ВРВ контролируемого качества. Получение качественных образцов керамики указанного состава — трудная технологическая задача. Отметим, что многие известные из литературы результаты получены на образцах, содержащих микронеоднородности с отличающихся содержанием компонент ВаР603 и BaBiD3 /36/, с плохо сформированной керамической структурой /23,37/, обладающих большой пористостью /10,38,39/. Важной задачей является исследование кристаллографических свойств ВРВ, желательно при помощи методики, хорошо апробированной при изучении других систем твердых растворов со структурой перовскита. Это может позволить на микроскопическом уровне понять причину происхождения максимума критической температуры в ряду твердых растворов ВРВ /Ю, II/ и дать рекомендации о возможностях ее повышения. Исследование влияния различных внешних воздействий (давления, восстановления в вакууме, легирования) может способствовать развитию и уточнению имеющихся представлений о влиянии межкристаллитных границ на параметры сверхпроводящего состояния, выявить физическую причину нежелательных эффектов, подавляющих сверхпроводимость, и наметить пути целеноправленного изменения свойств.

ВРВ .

Учитывая вышеизложенные соображения, была сформулирована следующая основная задача настоящей диссертационной работы: провести исследование взаймосвязи структурных особенностей и электрофизических свойств сверхпроводящей керамики ВРВ.

Решение поставленной задачи включало в себя несколько этапов.

1. Определение технологических факторов, влияющих на сверхпроводниковые параметры керамики ВРВ.

2. Разработка оптимальной технологии и получение качественной керамики ВРВ .

3. Исследование кристаллографических свойств сверхпроводящей керамики ВРВ .

4. Исследование электрофизических характеристик.

5. Исследование влияния внешних воздействий на сверхпроводниковые параметры керамики ВРВ .

6. Разработка рекомендаций по использованию полученных результатов.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

5.3. Выводы.

I. Твердые растворы BaPbt-*Vb*Os (х^ 0,30) не переходят в сверхпроводящее состояние до 4,2 К. Твердые растворы &-а Р6/-х №>xOj (X^i 0,30) имеют при комнатной температуре удельное сопротивление порядка IQ ом"м и температурный коэффициент сопротивления Н> 4 3-|0~^град.~^, что делает их перспективным резистивным материалом.

2. Легирование твердых растворов ВРВ оксидом германия количеством до 2 вес.% повьшщет удельное сопротивление в несверхпроводящем состоянии на два порядка при незначительном понижении критической температуры. ф.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящей работе проведено исследование кристаллографических и электрофизических свойств сверхпроводящей керамики ВаРЬ/-л&(х0з. Кратко суммируем основные результаты проведенных исследований.

ГРазработана технология получения однофазной сверхпроводящей керамики Век Рб/~хВ<*Оз (X? 0,40) с шириной перехода в сверхпроводящее состояние л Т< ], 4 К.

2.Показано, что сверхпроводящие твердые растворы BaPbt-*BixO} характеризуются моноклинным искажением элементарной ячейки ниже температуры размытого структурного фазового перехода в кубическую модификацию.

3. Немонотонная (с максимумом) концентрационная зависимость критической температуры Т/с в твердых растворах &o.Pbh*BuQ} коррелирует с величиной искажения и степенью упорядочения низкотемпературной (моноклинной) фазы. Максимальная Тк = 10,74 К для состава X =0,25 обуславливается наибольшей близостью структуры к кубической (минимум моноклинного угла fi) и максимальной степенью упорядочения ионов РЬ и Bi в перовскитной структуре, А В Оз.

4. Имеет место диэлектризация межкристаллитных слоев керамики Ь<�к РбневиОз, которой можно целенаправленно управлять при помощи варьирования условий изготовления £способ получения керамического твердого раствора, температура обжига, время выдержки) и изменения величины внешних воздействий (давление, восстановление в вакууме).

5. Изменения удельного сопротивления и критических параметров сверхпроводящего перехода керамики BaPbi-xBiO$ в результате восстановления в вакууме при температурах Т = 400 -г 700 °C вызваны как. понижением концентрации свободных носителей тока, так и образованием барьерных межкристаллитных слоев.

Работа выполнена в Институте физики твердого тела Латвийского Государственного университета им. П.Стучки.

Результаты, изложенные в диссертации, докладывались на 40-ой, 41-ой, 43-ей Научных конференциях ЛГУ им. П. Стучки (г. Рига, 1981, 1982, 1984), на 4-ом Северо-западном научно-техническом межведомственном семинаре по сегнетоэлектрическим материалам (г. Рига, 19−80), на 1-ой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектриков и родственных материалов (г. Звенигород, 1980), на 10-ой Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриv ков в народном хозяйстве (г. Минск, 1982), на 8-ом научном семинаре «Влияние высокого давления на вещество» (г. Киев, Г983), на 2-ой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов (г. Звенигород, 1983), на 23-ем Всесоюзном совещании по физике ни низких температур (г. Таллин, 1984).

По теме диссертации опубликовано 8 работ и получено авторское свидетельство СССР, цитируемые в списке литературы под, но номерами 128, 132−138, и 139, соответственно.

Автор считает своим долгом отметить большой личный вклад безвременно ушедшего из жизни профессора В.Я.Фрицберга/ предоставившего интересную тему диссертауии и своей поддержкой способствовавшего успешному выполнению начальных этапов диссертационной работы.

Автор благодарен научному руководителю Л. А. Шебанову за постоянное внимание и ценные советы, а так-же всему колективу Отделения физики сегнетоэлектриков, творческая атмосфера которого во многом благоприятно способствовала выполнению работы.

Автор также пользуется приятной возможностью выразить глубокую признательность химикам технологам Отдела синтеза сегне-элэлектрических материалов М. Ж. Калнберга и А. И. Калване за предоставление высококачественной сверхпроводящей керамики.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.В., Изюмов Ю. А., Курмаев 3.3. Сверхпроводимость переходных металлов, их сплавов и соединений. М., 1−977, 384с.
  2. И.М. В мире сверхпроводимости. Киев,"Наукова думка", 1981,'256 с. •
  3. А.Ф., Заварицкий Н. В., Надь &-.Я. Электронные устройства на основе слабосвязанных сверхпроводников. М., «Советское радио», 1978, 168 с.
  4. О.Г., Козырев А. Б. Сверхпроводниковые пленки в СВЧ микроэлектронике.- Изв. высших учебных заведений СССР, Радиоэлектроника, 1983, т.26, МО, с. 18−28.
  5. Л.Г., Губанков В. Н. Слабая сверхпроводимость.-М., «Знание», 1984, 64 с.
  6. Fujii G. Present Practices in Japan for the Measurement and Definition of varios superconducting Parameters.- Technical Report of ISSP, 1980, ser. A, No.1063, p.1−64.
  7. SIeight A.W., Gillson J.L., Bierstedt P.E. High Temperature Superconductivity in the Bet PbhxBifls System. Solid State Commun., 1975, vol.17, No. I, p.27−28.
  8. U.S. Patent No.^.932.315. Sleight A.W. Superconductive Barium-Lead-Bismuth Oxides, 1974.
  9. M., Гладстоун Г., Йенсен M., Шриффер Дк. Сверхпроводимость полупроводников и переходных металлов. М., «Мир», 1972, 306 с.
  10. T.D., Кота A., Tanaka S. Superconductivity in the
  11. ВаРЬ BiD System* Appl. Phys., 1980, vol.22, p.205−2121.Х X 3
  12. Д.П., Уварова С. К., Феник М. Б. ЭДС Холла и проводимость в сверхпроводящей окисной системе ВаРЬ^-ВаВ/Оъ. -£из. твердого тела, 1981, т.23, вып.8, с.2347−2351.
  13. Jurkevich V.E., Rolov B.N., Stanley Н.Е. Superconductivity in ordening Systems. Chech. J. Phys. B, 1978, vol.28, Ho. 8," p.241−247.
  14. В.В., Веневцев Ю. Н. Твердые растворы системы ВаРЬОъ -ВаВШ3 . Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1984, т.20, вып. I,-с.127−133.
  15. J., Jahn М.Т., Као Y.H. Josephson Effects in a Bulk Granular Superconductor. J. Appl. Phys., 1971, vol.42, No.12, p.5194−5196.
  16. Enomoto I., Suzuki M., Murakami Т., Inukai Т., Inamura T. Observation of Grain Bondary Josephson Current in
  17. ВаРЬ01 В (0,ъО$ Films. Jap. J. Appl. Phys., 1981, vol.20, No.9, p"1661−1664.
  18. H.A., Габович A.M., Лежненко И. В. и др. Множественное туннелирование в трехмерной гранулярной системе
  19. Ва PbhxBcxО3. Письма в ЖЗТ®-, IS82, Т.8, вып. 17, с. 1075−107
  20. Gilbert L.R., Messier R., Roy R. Bulk Crystalline BaP^Bit/fiy a Ceramic Superconductor. Mater. Res. Bulletin, 1982, vol.17, Wo.4, p.467−472.
  21. Tanaka S., Kitazava K., Tani S. Mechanism of Superconduc-t ivity of BaPbhtBc%0z. Annual Reports of Engeneer Res. Inst., Faculty Engeneering, University Tokyo, 1982, vol.41, p.151−139.
  22. Ito M., Enomoto I., Suzuki M., Murakami Т., Inamura T. Hysteresis Loop in Current-Voltege Curve for &aP607Bia303
  23. Josephson Junction Array in a Microwave Field. Jap. J. Appl. Phys., 1982, vol.21, Ho.6, p. L375-L376.
  24. Enomoto I., Suzuki M., Murakami Т., Inamura T. New Pheno-men in Grain Bondary Josephson Junction Networks of BaPbojBitfOs Films. Jap. J. Appl. Phys., 1983, vol.21, No.6, p. L384-L386.
  25. It о M., Enomoto Y., Murakami T. Highly sensitive Photo-detection using a Microwave-coupled ВаРЬ0/78{0)ЪОъ Joseph-son Junction Array. Appl. Phys. Letters, 1983, vol.4−3, N0.3, p.314−317.
  26. Mattheis L.P., Hamann D.R. Electronic Structure of
  27. Ва. РЬ,.^ВсхОъ. Phys. Rev., 1983, vol.28, No.8, p.4227−4-241.
  28. Зайцев-Зотов С.В., Протасов Е. А. Особенности низкотемпературной проводимости сверхпроводящей керамики Ва P6/.KB (KD3f связанные с гранулярной структурой. ®-из. твердого тела, 1.84, т.26, вып.5, с.1374−1381.
  29. Сох D.E., Sleight A.W. Structural Studies of the BaP6/.xBijp5
  30. System. Proceedings of the Conference on Neutron Scattering, Gathlinburg, USA, 1976, Pfc. I, p.45−54.
  31. Khan I., Nahm K., Rosenberg M., Willner H. SuperconductiОvity and Semiconductor-Metall Phase Transition in the System? cLP6,-x8ix02. Phys. status solidi, a, 1977, vol.39, No. I, p.79−88-r
  32. Cox D.E., Sleight A.W. Mixed-Valent Ва^ВГВ^е,. Structure and Properties vs Temperature. Acta Crystallogr., 1979, vol. B35-, p. I-IO.
  33. Katsui A., Suzuki M. Single Crystal Growth of Ba (Pb, Bt)03 from molten KC1 Solvent. Jap. J. Appl. Phys., 1982, vol.21, No.3, P. LI57-LI58.
  34. Katsui A. Single Crystal Growth of superconducting
  35. BclPL,^BiK03 from PbOz -BizOb -BaPhOz Solution. Jap. J. Appl. Phys. (Letters), 1982, vol.21, N0.9, P. L553-L554.
  36. Remeika J.P., Batlogg В., Di Salvo P., Bar2 H. Transport and Magnetic Properties of Single Crystal BaPhhKBixOz • -Bulletin of Amer. Phys. Soc., 1982, vol.27, N0.3, p.318.
  37. Lin Т.Н., Shao X.Y., Wu M.K., Ног P.H., Jin X.C., Ghu C.W. Observation of a reentrant superconducting resistive Transition in Granular Ba РЬ0/?ГBlozs05 Superconductor. Phys. Rev. B, 1984, vol.29, N0.3, p. 1493−14−96.
  38. Chu C. W, Huang S., Sleight A.W., Hydrostatic Pressure Effect on Tc ^¦&CiogK6i, PbmBio^b ' «S0l±d State °°m» 1976, vol.18, N0.8, p.977−979.
  39. Clark I.В., Dachille Б1., Roy R. Resistance Measurements of High Pressure in the System PbhxBiAOb. Solid State Commun., 1976, vol.19, No.9, p.989−991″
  40. Wu K.M., Meng B.L., Huang S.Z., Chu C.W. Superconductivity in Ba Pbt, xPi))(D5 near the Metal-Semiconductor Phase Boundary under Pressure. Phys. Rev. B, 1981, vol.24, N0.7, p.4073−4078.
  41. А.П., Протасов E.A., Чубунова E.B. Влияние содержания кислорода на сверхпроводящие свойства
  42. Ва.РЬ,.%Всж03. Шиз. твердого тела, 1981, т.23, вып.12, с.3703−3705.
  43. Д.П., Прихотько А. Ш., Уварова С. К. О влиянии кислорода на сверхпроводимость керамики ВаРЬ,.%ВСх0ъ -Украинский физ. ж., 1982, т.27, № 9, с.1427−1429.
  44. Methfessel G., Methfessel S. The irregular Superconductivity of Bcl PbhxBiA05. In: «Superconductivity in d- and f-Band Metals», Karlsruhe, 1982, p.393−399.
  45. Д.П., Уварова С. К. Микроструктура и сверхпроводимость твердых растворов ВаРЬ^В^ . Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1981, т.17, F9, с.1685−1688.
  46. Tani Т., Itoh 0?., Tanaka S. Seebeck Effect in Superconducting ВаРЬ-хВ^Оъ. J. Phys. Soc. Japan, 1980, vol.4−9, Supplement A, ji. 309- 312.
  47. Schooley J.F., Frederikse H.P., Hosier W.R., Pfeifer E.P. Superconductive Properties of Ceramic Mixed Titanates. -Phys. Rev., 1967, vol.159, No.2, p.301−305.
  48. Халм «LyX., Кюнцлер дн:., Маттиас Б. Путь к сверхпроводящим материалам. В кн.: „Физика за рубежом“, М.,"Мир», 1982.
  49. Fisher R., Chevrel Phases: supercondi/cting and normal State Properties. Appl. Phys., 1978, vol.16, No. I, p.28−33.
  50. Chevrel R., Potel M., Sergent M., Prigent J. Ternary Molybdenum Ghalcogenides: a new large Family of Cluster Ternary Supercondustors. Ann. Chim. Fr., 1982, vol.7, No.2/3, p.92-I08-r
  51. Meul H.W., Decroux M., Odermatt R., Noer R., Fisher R. Transport Properties and the Nature of the low Temperature Phase of EuM0Ss. Phys. Rev. B, 1982, vol.26, p.6431−6437.
  52. Johnston D.C., Prakash H., Zachariasen W.H. High Temperature Superconductivity in the Li-Ti-0 Ternary System. -Mat. Res. Bulletin, 1973, vol.8, p.777−784.
  53. Inukai Т., Murakami Т., Inamura T. Li-Ti-0 Superconducting Compounds prepared by Hcrb-pressing. JaP* J* Appl. Phys., 1981, vol.20, No.9, p. L264-L266.
  54. Inukai Т., Murakami Т., Inamura T. Aging Effects of Li-Ti-0 Superconducting Compounds. Jap. J. Appl. Phys., 1981, vol.20, Ho.9, P. L68I-L682.
  55. Inukai Т., Murakami Т., Inamura T. Preparation of Superconducting Li Ti?0^ thin Films. Thin Solid Films, 1982, vol.94, No. I, p.47−50.
  56. Gilbert L.R., Messier R., Roy R. Superconducting
  57. Ba Pb,.x BixDz Ceramic Films prepared by R.F. Sputtering.-Thin Solid Films, 1978, vol.54, p.129−136.
  58. E.A., Зайцев-Зотов С.В., Веневцев Ю. Н., Богат-ко В. В. Сверхпроводимость в окисной системе Ва, РЬ,.хВ^Оъ.-Физ. твердого тела, 1978, т.20, вып. II, с.3503−3505.
  59. A.M., Гаврилюк JI.B., Моисеев Д. П. и др. Сверхпроводимость и диэлектризация полуметаллических систем. -Украинский физ. ж., 1979, т.24,№ 5, с.674−681.
  60. Л.С., Моисеев Д. П., Музалевский S.A., Уварова С.К. Сверхпроводимость твердых растворов
  61. Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1979, т.15, вып.10, с.1893−1894.
  62. В.В., Веневцев Ю. Н. Сверхпроводимость Ba.PbOs. -Физ. твердого тела, 1980, т.22, вып.4, с.1211−1212.
  63. Suzuki M., Murakami Т., Inamura Т. Superconductivity in
  64. Ba,.xSrxP60?s.&с0г?Оъ. Jap. J. Appl. phys., 1980, vol.19, No.2, p. L72-L74.
  65. E.T., ёесенко Е.Г. Синтез и структурные исследования некоторых висмутсодержащих перовскитов. Кристаллография, 1969, т.14, 'вып.6, с.1066−1067.
  66. Sholder R., Ganter K.W., Glasser Н., Merz G. ttber Alkali und Erdkalioxobismutate. Z. anorg. allg. Chem., 1963″ Bd.5I9, p.375−386. •
  67. А.В. Пьезоэлектрики со структурой перовскита и сил-ленита в бинарных системах 8iz03 -МеО (где Не = Мд, Ва) •
  68. В кн.: «Тезисы докладов 2-ой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов», Звенигород, 1983, с. 294.
  69. Inamura Т., Murakami 0?., Inukai Т., Enomoto Y., Suzuki M. New Materials for Josephson Junction Devices. Jap. J. Appl. Phys., 1982, vol.21, suppl. I, p.313−318.
  70. Suzuki M., Enomoto Y., Murakami Т., Inamura T. Preparation and Properties of Superconducting Ba Pb,.K thin Films by Sputtering. J. Appl. Phys., 1982, vol.53,1. N0.3, p.1622−1630.
  71. Hidaka Y., Suzuki M., Murakami Т., Inamura T. Effect of a Lead Oxide annealing Atmosphere on the Superconducting
  72. Properties of Ва P6D7 Bi0t3Q3 sputtered Films. Thin Solid Films, 1983, vol.106, No.4, p.311−319.
  73. Зайцев-Зотов С.В., Ыартынюк А. Н., Протасов Е. А. Сверхпроводимость пленок BaPb, xBix03, полученных методом лазерного напыления. шиз. твердого тела, 1983, т.25, вып.1,с.184−189.
  74. Сох D.E., Sleight A.W. Crystal Structure of ВагВГвг&euro-6 Solid State Commun., 1976, vol.19, p.969−973.
  75. JI.Г., Климов В. В., Веневцев Ю. Н. Новый висмутсодержащий перовскит и некоторые данные о его свойствах. -Злектронная техника, сер. 14. Материален, I96S, вып.1, с.4−5.
  76. Е.Т., ©-есенко Е.Г. Синтез и рентгеноструктурное исследование перовскитов Ba. PbD3 и SrP603. Кристаллография, 1970, т.15, вып.2, с.379−380.
  77. Shannon R.D., Bierstedt Р.Е. Single-Crystal Growth and electrical Properties of BaPb03. J. Amer. Ceramic Society, 1970, vol.53, No. II, p.653−654.
  78. Arpe R., MUller-Bushbaum H. Ein Beitrag zur Kristallchemie von BaBify. Z. anorg. allg. Chem., 1977, Bd.434, p.73−77.
  79. Nakamura Т., Kose S. Paramagnetism and Semiconductivity in a triclinic Perovskite BaBi03. J. Phys. Sos. Japan, 1971″ vol.31, No.4, p.1284.
  80. Hebard A.F., Vandenberg J.M. Role of Clusters in the Approach to Localization of Josephson-coupled granular Lead Films. Phys. Rev. Letters, 1980, vol.44, No. I, p.50−53.
  81. Simanek E. Origin of the Resistivity Minima in granular Superconductors. Phys.Rev.B, 1982, vol.25, p.237−244.
  82. Suzuki M., Murakami Т., Enomoto Y., Inamura Т. Temperature Dependence of Maximum DC Josephson Current through Grain Boundary Junctions in Ba Films. -Jap. J. Appl. Phys., 1982, vol.21, No.7, P. L437-L439.
  83. Зайцев-Зотов С.В., Протасов Е. А., Чуркин О. А. Аномальное магнитосопротивление в BaPbo^s-Bio^s^. Шиз. твердого тела, 1982, т.24, вып.8, с.2488−2490.
  84. Methfessel С.Е., Stewart G.R., Matthias В.Т., Patel K.N. Why is there no Bulk specific Heat Anomaly at the superconducting Transition Temperature of Ba. Pbj-x.B^O^? Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 1980, vol.77, No. II, p.6307-&308.
  85. Soto M., Fuji shit a H. Specific Heat Anomaly of Ba Pb, xBixOs at the superconducting Transition. J. Phys. C: Solid State Phys., 1983, vol.16, p. L4I7-L42I.
  86. A.M., Шпигель А. С. Теплоемкость сверхпроводниковс волнами зарядовой и спиновой плотности. / Препринт Института физики АН УССР, Киев, 1984.
  87. A.M., Моисеев Д. П., Проканович JI.В., Уварова С. К., Ячменев В. Е. Экспериментальное доказательство объемнойсверхпроводимости в перовскитной системе ВаРЬ^ВС^О^ . -Ж. эксперт и теорет. физики, 1984, т.86. вып.5, с.1727−1733
  88. Д.П. Сверхпроводимость твердых растворов соединений содержащих элементы J? группы. Автореферат канд. дисс., 1984, Киев.
  89. С.В., Бенделиани Н. А. Высокие давления. М., 1974, 168 с.
  90. De Hair J.Th.W., Blasse G. Determination of the Valence State of Bismuth in by Infrared Spectroscopy.
  91. Solid State Commun., 1973″ vol.12, No.7, p.727−729.
  92. Tajima S., Kitazawa K., Tanaka S. Effective Mass of Electrons in BaP6/.xBix0b. Solid State commun., 1983, vol.47, No.8, p.659−661.
  93. A.M., Моисеев Д. П., Шпигель А. С. Термодинамические свойства' сверхпроводящей керамики Ва Pbt-xBixd2 . -Препринт Института физики АН УССР, № 10, 1981, Киев.
  94. A.M., Моисеев Д. П., Шпигель А. С. Природа сверхпроводимости в твердых растворахВаРЬ^ВсО^ со структурой перовскита. Роль,' диэлектризации электронного спектра. Ж. экспер. и теорет. физики, 1982, т.83, вып.4(10), с.1382−1388.
  95. Gabovich A.M., Moiseev D.P., Shpigel A.S. Thermodynamic Properties of Superconducting Ceramics В (хРЬ/.кВСхОъ" -J. Phys. C, 1982, vol.15, p. L569-L572.
  96. Bilbro G., McMillan W.L. Theoretical Model of Superconductivity and the Martensitic Transformation in A-I5 Compounds. Phys. Rev. B, 1976, vol.14, No.5, p. I887-I892.
  97. Kimball C.W., Kazlov T.F., Dvight E.A., Faber J. Phonon Softening above TQ in Superconducting Ba Pb0i67В^ъОъ («%}J .Bull. Amer. Phys. Soc., 1982, vol.27, N0.3, p.3I8.
  98. McDowell D.J., Taneja S.P., Dvight A.E., Kimball C.W. Superconducting Behavior of Ba. Pb/.x (Bl, Sb) xCompounds. -Bull. Amer. Phys. Soc., 1982, vol.27, N0.3, p.3I8.
  99. Farrah S.K., Kimball C.W., Karlov T.F., Staford B.L., Dvight A.E. M*9ssbauer Study of the Superconducting Perov-skites B
  100. Groznov I.N., Ionov S.P., Kevdina I.B. et al. Mossbauerand Positron Studies of Superconducting Oxides BaPbj^BiJ)^-Phys. Status Solidi (B/', 1984, vol.123, No. I, p.183−190.
  101. M.B., Рейман С. И., Богатко В. В., Веневцев Ю.Н. Корреляция изомерного сдвига мессбауэрской линии с температурой сверхпроводящего перехода в системе BaPb03'BaBi0^r
  102. Физ. твердого тела, 1983, т.25, вып.8, с.2508−2510.
  103. Rice Т.М., Sneddon L. Real-Space and k-Space Electron Pairing in BaPb, xBixOz. Phys. Rev. Lett., 1981, vol.47, No.9, p.689−692.
  104. Wertheim G.K., Remeika J.P., Buchanan D.N.E. Electronic Structure of BaP6UxBix05. Phys. Rev. B, 1982, vol.26, No.4, p.2084−2087.
  105. Mattheiss L.F., Hainan D.R. Electronic- and Crystal-Structure Effects on Superconductivity in th® BclP6i-xBl/Os System. Phys. Rev. B, 1982, vol.26, N0.5, p.2686−2689.
  106. Mattheiss L.F. Plasma Energies for BaPb,.KBix03. -Phys. Rev. B, 1983, vol.28, No.12, p.6629−6633.
  107. Balzarotti A., Menushenkov A.P., Motta N., Purans J. EXAFS of the Superconducting Oxide ВаРЬнхВ1ц03. Solid State’Commun., 1984, vol.49, N0.9, p.887−890.
  108. В.JI., Ларкин А. И., Фирсов К).А. О возможности сверхпроводимости у полупроводников. Физ. твердого тела, 1962, т.4, вып.1, с.185−180.
  109. Hein R.A., Gibson J.W., Mazelsky R. et al. Superconductivity in Germanium Telluride. Phys. Rev. Letters, 1964, vol.12, No.12, p.320−322.
  110. Allen P.В., Cohen M.L. Carrier Concentration-dependent Superconductivity in SnTe and GeTe. Phys. Rev., 1969, vol.177, Ко.2, p.704−706.
  111. Schooley J.F., Hosier W.R., Cohen M.L. Superconductivity in semiconducting SrTiO^. Phys. Rev. Letters, 1964, vol.12, No.7, p.474−475.
  112. Schooley J.F., Thurber W.E. Superconductivity of semiconducting SrTiO^. J. Phys. Soc. Japan, 1966, vol.21, suppl., p.959−642.
  113. Koonce C.S., Cohen M.L. Superconducting Transition Temperatures of semiconducting SrTiO^. Phys. Rev., 1976, vol.163, No.2, p.380−390.
  114. Baratoff A., Binnig G. Mechanism of Superconductivity in SrTiO^. Physica B, I98I, vol.108, No.1−3, p. I335-I336.
  115. Thompson J.R., Boatner L.A., Thompson J.O. Very Low-temperature Search for Superconductivity in semiconducting КТаО^. J. of Low Temperature Physics, 1982, vol.47, N0.5I6, p.467−475.
  116. B.M. Сегнетоэлектрики полупроводники. M., 1976, 408 с.
  117. Wagner D., Bauerle D., Schwabl F. et al. Soft Mode Behavior in heavily reduced SrTiO^. Ferroelectrics, 1980» vol.26, p.725−728.
  118. B’auerle D., Rehwald W. Structural Phase Transitions in semiconducting SrTiO^. Solid State Commun., 1978″ vol.27, No.12, p.1343−1346.
  119. Matthias B.T. Superconductivity versus Ferroelectricity. -Material Research Bulletin, 1970, vol.8, N0.8, p.665−668.
  120. Bechgard К., Carneiro К., Rassmussen F.B., Jakobsen C.S. Zero-Pressure Organic Superconductor. Di-(Tetramethil-tetaselenefulvalenium)-Perch.lQrate ((TMTSF^CIO^). -Physical Reviev Letters, 1981, vol.46,1. No.13, p.852−855.
  121. Э.Б., Щеголев И. Ф., Лаухин В. Н. и др. Сверхпроводимость при нормальном давлении в органическом металле (веот-ттБ2^з (трииодидбис (этилендитили) тетратиофиль-валена). Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, вып.1, с.12−15.
  122. НО. Birman J.L. Are Superconductivity and Ferroelectricity mutually Compatible? Ferroelectrics, 1977″ vol.16,
  123. No. 1−4, p.171−172. III. Смоленский Г. А., Боков B.A., Исупов В. А. и др. Сегнето-электршш и антисегнетоэлектрикш. Ленинград, «Наука», • 1971, 476 с.
  124. Antcliffe G.A., Bate R.T., Buss D.D. On the Ferroelectric Nature of the Cubic-Rhombohedral Phase Transition in PbT Ge Т. е. Solid State Commun., 1973″ vol.13, p.1003−1006.
  125. Kamitakahara W.A., Schanberg K., Schanks H.R. Special Phonons and Superconductivity in the Hexagonal Tungsten Bronzes. Phys. Rev., 1979, vol.43, No.21, p. I607-I6II.
  126. Э.А. 0 плазменном механизме сверхпроводимостив вырожденных полупроводниках и полуметаллах. 3ft. эксп. и теорет. физики, 1969, т.9, $ 6, с.367−371.
  127. Scokan M.R., Moulton W.G., Morris R.C. Normal and Superconducting Properties of CsxW0^. Phys. Rev. B, 1979, vol.20, N0.9, p.3670−3677.
  128. Ikeda К., Gachneider К.A., Beandry B.J., Atzimany U. Heat Capacity in Superconducting and Normal-State LaS (1,333 1,500) Compounds. Phys. Rev. B, 1982, vol.25, No.7, p.4604- 4622.
  129. Abeles В., Sheng P., Coutts M.D., Arie Y. Structural and Electrical Properties of granular Metal Films. Adv. Phys., 1975, vol.24, N0.3, p.408−461.
  130. Deutscher G., Imry Y., Gunther L. Superconducting Phase Transitions in granular Systems. Phys. Rev. B, 1974, vol.10, No. II, p.4598−4606.
  131. К. Технология керамических диэлектриков. М., «Энергия», 1976, 336 с.
  132. Ю.Н., Соловьев С. П., Жданов Г. С. Методика рентгенографического исследования малых искажений кубических элементарных ячеек. Заводская лаборатория,¦ 1961, т.27, c. III2-III5.
  133. М.Ф., Филипьев B.C.рентгенографическое исследование малых искажений сложных перовскитов. Кристаллография, 1963, т.8, вып. З, с.356−362.
  134. Шебанов Л.А., Рентгеноструктурное исследование тетрагонального-кубического фазового перехода в сегнетоэлектрических твердых растворах (balSr)TcOh. Учен. зап. Латв. у-та, 1974, т.189, с.150−160.
  135. И.Н., Крюков А. В., Калинин В. И. Модифицированная камера высокого давления. Ж. физ. химии, 1975, т.49,№ 6, с.1840−1841.
  136. В.А., Макаренко И. Н., Стишов С. М. Многоканальный электроввод высокого давления. Приборы и техн. экспер., 1972, с.195−196.
  137. Браидт 'Н.Б., Кувшинников С.В.", Минина Н. Я., Скипетров Е. П Способ повышения гидростатического сжатия при низких температурах в бомбах фиксированного давления. Приборы и техника эксперимента, 1973, 1Ю, с.160−164.
  138. Д.П., Семенова Е. Л., Уварова С. К. Сверхпроводимость в системе2п -On. Физ. металлов и металловедение, 1975, т.39, Jp6, C. II63-II67.
  139. Л.А., Гаевскис А. П., Калване А. И., Бородаенко Н.й. Температурные зависимости кристаллографических свойств твердых растворов системы В>а P6/-x8ix03. В кн.: Актуальные проблемы сегнетоэлектрических фазовых переходов. Рига, 1983, с.80−95.
  140. Н.Ф. Переходы металл-изолятор. Ы., «Наука», 1979, 312 с.
  141. Flukiger Н., Jorda J.L., Junod A., Fisher P. Superconductivity, Atomic Ordening and Stoichiometry in the AI5 Type Phase NbjAl. Appl. Phys. Commun., I9SI, vol.1, p.9−30.
  142. Э.С., Радаус В. Д., Петров А. Е. Повышение температуры перехода TQ сверхпроводников типа AI5 после нейтронного облучения. Известия АН Латв. ССР, сер. физических и технических наук, 1983, М, с.41−45.
  143. А.й., Фреймале М. Ж., Шебалов Л. А., Гаевскис А. П. Физико-химические исследования системы Во. Pb^Bifib. В кн.: «Тезисы докладов 4-го Северо-западного научно-технического межведомственного семинара», Рига, 1980, с. 91.
  144. А.П., Шебанов Л.А.Сверхпроводимость в системе твердых растворов Ва PhhA. В кн.: «Структура и свойства сегнетоэлектриков». Рига, 1983, с.31−57.
  145. Shebanov L.A., Fritsberg V.Ya., Gaevskis A.P. Crystallo-graphic Properties and Superconductivity of Solid Solutions of the Ba РЬ,.жВ^Оь System. Physica status soli-di (a), 1983, vol.77, No. I, p.369−373.
  146. А.П., Шебанов Л. А. Влияние восстановления на свойства керамики ВлР6,^Вгх0з . В кн.: «Тезисы докладов 2-ой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов». М.,"Знание", 1983, с. 176.
  147. А.П., Фрицберг П. А. Влияние гидростатического давления на удельное сопротивление сверхпроводящих твердых растворов BaPl/^Bt'xOi. В кн.: «Фазовые переходыи сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках», Рига, 1984, с.154−163.
  148. О.Г., Козырев А. Б., Морозик В. П., Самойлова Т. Б., Гаевскис А.П. Поверхностное сопротивление керамики
  149. BcLphxBUO}. В кн.-«Тезисы докладов 23-го Всесоюзного совещания по физике низких температур, ч. Г Таллин, 1984, b.104−105.
  150. А.П., Шебанов Л. А., Калване А. И., Калнберга М. Ж. Резистивный материал. Авторское свидетельство № II25666,. 1984, опубликовано в бюллетене № 43, 23.11.84.
  151. . J.K., Matthias В. (С, Overwiew of Superconducting Materials Development. Superconducting Material Sci. T Methods, Fabrication and Application. Proceedings, New-York — London, 1981, p.1−61.
  152. И.Я., Кононюк И. Ф., Ляшевич А. С. Влияние состава шихты и условий спекания на электропроводность метаплюм-бата бария. Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1982, т.39,№ 3, с.454−457.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!