Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах

Диссертация: Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Поверхность многокомпонентных веществ, как правило, имеет двухслойную структуру и состоит из поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного по стехиометрическому составу кристаллического слоя. Растворение/окисление многокомпонентных соединений проводится по механизму равномерного или селективного травления. При селективном механизме травления полупроводников типа АШВУ наблюдается… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Формирование и исследование межфазных границ (поверхности) полупроводников АШВУ (литературный обзор)
    • 1. 1. Формирование необходимого состава поверхности на многокомпонентных полупроводниках жидкостным травлением. И
    • 1. 2. Методы и результаты исследования поверхности полупроводников
      • 1. 2. 1. Основные физические методы
      • 1. 2. 2. Вольтамперометрические методы анализа фазового состава поверхности полупроводников.'
    • 1. 3. Диаграммы Пурбе, как метод описания основных межфазных превращений и оценки возможного состава поверхности элементарных веществ и их соединений
    • 1. 4. Влияние растворенного кислорода на фазовый состав поверхности
      • 1. 4. 1. Способы удаления растворенного кислорода из водных растворов
  • Глава 2. Выявление основных потенциалопределяющих реакций для систем АшВу-Н20(рН) представление их в виде диаграмм Пурбе. Возможный состав и строение поверхности исследуемых полупроводников
    • 2. 1. Диаграммы кажущийся равновесный электродный потенциал — рН и продукты межфазных превращений
      • 2. 1. 1. Арсенид индия и арсенид галлия
      • 2. 1. 2. Нитрид галлия
    • 2. 2. Протяженность приповерхностной области полупроводников А1ПВУ
  • Глава 3. Аппаратура и методика эксперимента
    • 3. 1. Аппаратура и электроды
    • 3. 2. Реактивы и материалы
    • 3. 3. Объекты исследования
  • Глава 4. Формирование межфазных границ (поверхности) полупроводников типа АШВУ. Подбор условий равномерного и селективного травления и выявление факторов, влияющих на результат обработки
    • 4. 1. Межфазные превращения на поверхности арсенида индия
    • 4. 2. Межфазные превращения на поверхности арсенида галлия
    • 4. 3. Межфазные превращения на поверхности антимонида индия
    • 4. 4. Влияние растворенного в промывной жидкости кислорода на фазовый состав поверхности арсенидов индия и галлия
      • 4. 4. 1. Выбор условий дезактивации кислорода в воде с добавками муравьиной кислоты и ее использования для отмывки пластин полупроводников после травления

      4.4.2 Исследование возможности применения раствора муравьиной кислоты после УФ облучения в качестве фонового электролита для вольтамперометрического исследования фазового состава поверхности ОаАэ и ЬгАэ.-.

      4.5 Экспериментальное доказательство существования теоретически предсказываемого приповерхностного кристаллического слоя с нарушенной структурой.

Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

исследования.

Полупроводники типа АШВУ нашли широкое применение в электронике благодаря более высокой по сравнению с кремнием подвижности носителей заряда. Арсенид и нитрид галлия используются для создания светодиодов и СВЧ устройств, а арсенид и антимонид индия — ИК фотоприемников. Одна из основных операций в технологии полупроводниковых устройствобработка поверхности материалов в газовой или жидкой среде. Однако этот процесс для бинарных полупроводников по сравнению с элементными полупроводниками значительно сложнее, в том числе из-за неравномерного растворения/окисления их компонентов. При этом полного понимания путей (механизма) формирования состава и строения межфазных границ (поверхности) еще нет.

Согласно представлениям Гиббса, граница раздела фаз является поверхностью разрыва (переходным слоем с определенной протяженностью), в которой возникает градиент свойств и состава, определяемый внешними условиями. Исходя из этого, поверхность веществ следует рассматривать как сложную структуру. Согласно современным представлениям, она состоит из поверхностного фазового и приповерхностного кристаллического слоя с нарушенной стехиометрией, лежащего между поверхностным фазовым слоем или раствором и объемом кристалла. Возможность существования приповерхностного слоя обоснована теоретически, однако экспериментальные доказательства его существования и оценки его толщины отсутствуют. Это затрудняет прогнозирование и целенаправленное формирование состава и строения поверхности.

Особенно это важно в связи с тем, что в последние годы появилось новое направление по созданию наноразмерных поверхностных структур и твердых полупроводниковых растворов путем управляемого роста или селективного удаления и внедрения в кристаллическую решетку одного из компонентов соединения или гетероатомов, в том числе обработкой в 5 жидких средах. Решение этой задачи сдерживается трудностями исследования размера, состава и структуры межфазных границ (поверхности). В связи с этим возникает необходимость развития известных подходов к описанию межфазных явлений с термодинамических и кинетических позиций, а также экспериментального обоснования и проверки получаемых теоретических результатов.

Цель работы.

На основе общих представлений о возможных межфазных превращениях в системах нитрид галлия-НгО (рН), арсенид (антимонид) галлия (индия)-Н20 (рН) выявить соответствующий им состав поверхностного фазового слоя, наличие и толщину приповерхностного нарушенного кристаллического слоя, лежащего между поверхностным фазовым слоем (или при отсутствии такового — раствором) и объемом кристалла.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи.

1. Выявить основные потенциалопределяющие реакции, ответственные за межфазные превращения и образование соответствующего им поверхностного фазового слоя на многокомпонентных кристаллических материалах типа АШВУ в связи с величиной электрического потенциала и рН средыпредставить их в виде диаграмм потенциал — рН.

2. Теоретически оценить максимально возможную толщину приповерхностного кристаллического слоя с нарушенным стехиометри-ческим составом, лежащего между поверхностным фазовым слоем (или раствором) и объемом кристалла. Экспериментально подтвердить наличие такого слоя.

3. На примере ГпАб, 1п8Ь и ОаАэ доказать соответствие (или несоответствие) и возможность практического использования полученных теоретических выводов о составе и строении межфазных границ, представляемых в виде поверхностного фазового слоя и приповерхностного нарушенного кристаллического слоя: а) с использованием диаграмм потенциал — рН выбрать условия для целенаправленного формирования межфазных границ (поверхности) исследуемых соединений в связи с возможным механизмом растворения (окисления) соединений в водных средахб) с привлечением различных методов экспериментально исследовать состав и строение сформированных межфазных границ (поверхности) и сопоставить полученные результаты с теоретическими данными.

4. Найти подход для предотвращения изменения состава сформированного фазового слоя на поверхности полупроводников в процессе отмывки образцов водой после травления, обычно возникающего из-за протекания процесса коррозии с участием растворенного в промывной жидкости кислорода и не учитывающегося при расчете и построении диаграмм Пурбе. Рассмотреть возможность дополнительного применения полученных результатов при вольтамперометрическом исследовании фазового состава сформированного поверхностного слоя.

Связь темы с планом основных научных работ.

Выполнение работы проводилось в соответствии с планом проблемной научно-исследовательской лаборатории химии РЗЭ темплана ТГУ на 20 092 011 г. (номер госрегистрации НИР 1 200 903 823). Работа выполнялась при поддержке гранта РФФИ на 2010;2012 г. (№ 10−08−575а), госконтракта № 8169р/12 641 по программе У.М.Н.И.К.

Научная новизна.

Впервые экспериментально подтверждено наличие теоретически предсказываемого приповерхностного кристаллического слоя с нарушенным стехиометрическим составом, образующегося между поверхностным фазовым слоем и объемом кристалла в условиях селективной псевдоселективной) обработки поверхности соединений. Впервые, исходя из данных об области гомогенности соединений типа АШВУ в качестве 7 граничных условий, на основе диффузионных представлений произведена оценка его возможной максимальной толщины.

На примере систем арсенид галлия и индия, антимонид индия-НгО (рН) экспериментально подтверждено соответствие расчетных данных о возможных здесь межфазных превращениях и соответствующих им составов поверхностного фазового слоя. На этой основе предложена методика для целенаправленного формирования последнего в связи с внешними условиями обработки (травления) материалов в жидкой среде.

Впервые выявлены основные возможные потенциалопределяющие реакции, протекающие в системе 0аМ-Н?0 (рН). Результаты представлены в виде диаграммы потенциал — рН.

Предложен фотохимический метод подготовки водной среды, использующейся для промывки пластин полупроводников после травления, а также для вольтамперометрического исследования состава поверхностного фазового слоя. Такой подход позволил избежать изменения состава поверхности материала за счет протекания коррозии с кислородной деполяризацией.

Практическая значимость.

Общие теоретические представления и разработанная методика целенаправленного формирования межфазных границ (поверхности) могут быть использованы для подготовки поверхности полупроводников к последующему проведению различных технологических операций, включая получение поверхности лишенной поверхностного фазового слоя, защиты/пассивирования поверхности слоем мышьяка (сурьмы) или собственными оксидами.

Метод удаления растворенного кислорода фоторазложением муравьиной кислоты можно использовать для подготовки промывных жидкостей с дезактивированным кислородом и также в качестве фонового электролита при проведении фазового вольтамперометрического анализа поверхности полупроводников. При этом не происходит переформирования 8 фаз на поверхности в процессе промывки, также нет необходимости использования продувки инертными газами.

Теоретические представления и данные по формированию приповерхностного кристаллического слоя с изменяемым стехиометрическим соотношением компонентов полупроводника могут послужить предпосылками для последующей разработки процесса формирования низкоразмерных поверхностных структур (гетероструктур) в условиях естественной среды.

Положения, выносимые на защиту.

1. Основные потенциалопределяющие реакции, ответственные за межфазные превращения и образование соответствующего им состава поверхностного фазового слоя в системах полупроводник типа А111ВУ-Н20 (рН) на примере арсенидов галлия и индия, нитрида галлия, представляемые в виде диаграмм потенциал — рН.

2. Результаты экспериментальных исследований состава поверхностных фазовых слоев, сформированных на арсениде галлия и индия, антимониде индия в соответствии с условиями обработки, выбранными на основе теоретических данных о межфазных превращениях на границе с Н20 (рН), и методика их целенаправленного формирования в водной среде.

3. Результаты экспериментальной проверки наличия теоретически предсказываемой приповерхностной области полупроводникового кристалла с нарушенной кристаллической решеткой, образующейся в условиях селективного (псевдоселективного) разрушения соединений и теоретической оценки максимально возможной толщины такой области.

4. Фотохимический способ подготовки водной среды, использующейся для отмывки пластин полупроводников после травления, а также для приготовлении электролита при проведении вольтамперометрического исследования состава поверхностного фазового слоя, позволяющий избежать изменения состава поверхности материала (окисления растворенным в воде молекулярным кислородом).

Апробация работы.

Результаты работы представлялись на Международных конференциях: Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии (Ставрополь, 2008), Полифункциональные материалы, и нанотехнологии (Томск, 2008), Нанотехнологии-2010 (Таганрог, 2010), 10th Conference of the Asian Crystallographic Association (Busan, 2010), на Taiwan-Siberian Innovation Forum (Taipei, 2011) — а также на Всероссийских конференциях: Методы исследования состава и структуры функциональных материалов (Новосибирск, 2009), Физика и химия высокоэнергетических систем (Томск, 2010) — Полифункциональные химические материалы и технологии (Томск, 2012) — Химия и химическая технология: достижения и перспективы (Кемерово, 2012).

Работа выполнялась при поддержке гранта РФФИ на 2010;2012 г. (№ 10−08−575а), госконтракта № 8169р/12 641 по программе У.М.Н.И.К., темплана ТТУ на 2009;2011 г. (номер гос. регистрации НИР 1 200 903 823).

Достоверность научных положений, выводов и рекомендаций.

Достоверность результатов настоящей работы обусловлена использованием серийного оборудования, проведением многочисленных экспериментов, сопоставлением результатов данной работы с результатами, полученными независимых методов. Анализ экспериментальных зависимостей проведен на основе классических теоретических положений и полученные результаты не противоречат имеющимся в литературе данным.

Публикации.

По материалам работы опубликовано 18 работ, из них 4 статьи в источниках согласно списку ВАК.

Объем и структура работы.

Диссертационная работа изложена на 128 страницах печатного текста, включает 42 рисунка, 12 таблицсостоит из введения, 4 глав, заключения, выводов, списка литературы, включающего 123 наименования.

выводы.

1. Выявлены основные потенциалопределяющие реакции, ответственные за межфазные превращения и образование соответствующего им состава поверхностного фазового слоя на многокомпонентных кристаллических материалах типа АШВУ в связи с величиной электрического потенциала и рН средырезультаты представлены в виде диаграмм потенциал — рН.

2. На основе предположения о возможности использования в качестве граничных условий обычно наблюдаемых величин отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединений и диффузионных представлений проведена оценка максимально возможной толщины приповерхностного нарушенного кристаллического слоя материалов АШВУ в условиях их (псевдо)селективного разрушения. Найдено, что величина приповерхностного нарушенного кристаллического слоя может находиться в диапазоне от 5 до 500 нм.

3. На основе построенных диаграмм Е — рН проведен подбор условий для целенаправленного формирования необходимого фазового состава поверхности арсенида (антимонида) галлия (индия). Проведенный фазовый анализ поверхности соединений показал, что в отсутствии растворенного кислорода фазовый состав и строение межфазной границы после проведения травления соответствует ожидаемому (расчетному).

4. Методом рентгеноструктурного анализа (в двух вариантах методик и оборудования) подтверждено наличие на межфазной границе кристаллического слоя с нарушенной структурой. Установлено, что в результате (псевдо)селективного травления на межфазной границе происходит формирование кристаллитов полупроводника с нановклю-чениями элемента пятой группы. По уширению полос в спектрах рентгеновской дифракции оценен размер области когерентного рассеяния таких кристаллитов. На межфазной границе антимонида индия формируются кристаллиты 1п8Ь со средним размером 100 нм, и включения элементной сурьмы со средним размером 20 нмна межфазной границе арсенида индия средний размер кристаллитов 1пА8 20 нм.

5." Показано, что водный раствор муравьиной кислоты с дезактивированным кислородом путем УФ облучения в течение 15−20 минут можно использовать в качестве промывных вод после химического травления арсенидов индия и галлия, а также для вольтамперометрического исследования состава поверхностного фазового слоя на полупроводниках.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Поверхность многокомпонентных веществ, как правило, имеет двухслойную структуру и состоит из поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного по стехиометрическому составу кристаллического слоя. Растворение/окисление многокомпонентных соединений проводится по механизму равномерного или селективного травления. При селективном механизме травления полупроводников типа АШВУ наблюдается преимущественное растворение элементов третьей группы как более электроотрицательных компонентовповерхность обогащается элементами пятой группы. При равномерном механизме травления накопления мышьяка на поверхности происходить не должно. Показано, что оценку возможных межфазных превращений в системе АШВУ-вода можно проводить с использованием диаграмм кажущийся равновесный потенциал — рН. В ходе проведенного исследования выявлены основные потенциалопределяющие реакции, ответственные за межфазные превращения и образование соответствующего им состава поверхностного фазового слоя на многокомпонентных кристаллических материалах типа АШВУ в связи с величиной электрического потенциала и рН среды и представлены в виде диаграмм потенциал — рН. На основе построенных диаграмм проведен подбор условий для целенаправленного формирования необходимого фазового состава поверхности арсенида (антимонида) галлия (индия). Проведенный фазовый анализ поверхности соединений показал, что в отсутствии растворенного кислорода фазовый состав и строение межфазной границы после проведения травления соответствует ожидаемому (расчетному).

При подборе условий химической обработки на основе фазовых диаграмм типа Пурбе для систем полупроводник АшВу-вода (рН) необходимо учитывать, что диаграммы построены без учета наличия окислителей, таких как растворенный кислород, в системе. В присутствии растворенного в воде кислорода реакции образования оксидов на, но поверхности материала становятся более термодинамически выгодными. Для удаления кислорода из растворов используются различные методы: вымораживание раствора, вакуумирование, деаэрирование инертными газами, фотохимическое разложение органических веществ. Преимуществом последнего метода являются простота аппаратурного оформления и отсутствие баллонов с инертными газами. В работе исследована возможность использования водного раствора муравьиной кислоты (рН 2,5) с УФ облучением для удаления растворенного кислорода из промывных вод при травлении арсенидов индия и галлия. Показано, что водный раствор муравьиной кислоты с УФ облучением в течение 20 мин можно использовать в качестве промывных вод при химическом травлении арсенидов индия и галлия, а также для вольтамперометрического исследования состава поверхностного фазового слоя на полупроводниках в качестве фонового электролита.

Неравномерное разрушение материалов АШВУ, протекающее с преимущественным выходом компонентов третьей группы в раствор, неизбежно должно приводить к изменению стехиометрического состава соединения на межфазной границе. Это, в свою очередь, должно приводить к образованию приповерхностного кристаллического слоя с нарушенным элементным составом в соответствии с областью гомогенности соединения. На основе предположения о возможности использования в качестве граничных условий возможных величин отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединений и диффузионных представлений проведена оценка толщины приповерхностного слоя материалов АШВУ. В условиях селективного разрушения полупроводников максимальная толщина обедненного компонентом, А приповерхностного слоя может находиться в диапазоне от 5 до 500 нм.

Методом рентгеноструктурного анализа экспериментально доказано, что на межфазной границе в результате селективного растворения полупроводника происходит образование приповерхностного.

111 кристаллического слоя с нарушенной кристаллической структурой. Причем, чем ближе к поверхности, тем нарушение структуры сильнее. При селективном растворении полупроводников из-за отклонения от стехиометрического состава компонентов полупроводников происходит распад пересыщенной вакансиями приповерхностной области кристалла с формированием нановключений элемента пятой группы. По уширению полос в спектрах рентгеновской дифракции оценен размер области когерентного рассеяния таких кристаллитов. На межфазной границе антимонида индия формируются кристаллиты 1пБЬ со средним размером 100 нм, и включения элементной сурьмы со средним размером 20 нмна межфазной границе арсенида индия средний размер кристаллитов ГпАб 20 нм.

Показать весь текст

Список литературы

  1. PaikS-J., Kim J., ParkS., Kim S., Koo C., Lee S-K, Cho D. A novelmicromachining technique to fabricate released GaAs microstructures with a rectangular cross section // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. — Vol.42, Pt. 1. — No.l. — P.326−332.
  2. Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов: справочник /
  3. Ю.П. Пшеничнов. М.: Металлургия, 1974. — 71 с.
  4. Kohler М. Etching in microsystem technology / M. Kohler. Germany.: Wileyvch., 1999.-368 p.
  5. Zhuang D., Edgar J.H. Wet etching of GaN, A1N, and SiC: a review // Materials
  6. Science and Engineering R. 2005- Vol. 48 — P. 1−46.
  7. B.B., Алешин В. Г., Гассанов Л. Г., Семашко Е.М., Сенкевич
  8. А.И., Прокопенко В. М., Варченко H.H. Влияние физико-химических воздействий на поверхность арсенида галлия // Поверхность. 1983. — № 2.-С. 88−94.
  9. Physics and chemistry of III—V compound semiconductor interfaces/Ed.:
  10. Wilmsen Carl W. New-York, London: Plhenum Press, 1985. -465 p.
  11. MorotaH., Adachi S. Properties of GaP (001) surfaces treated in aqueous HFsolutions //J. of Appl. Phys. -2007-Vol. 101. P. 113 518−1-113 518−6.
  12. Lie F.L., Rachmady W., Muscat A.J. A comparison of liquid and gas phasesurface preparation of III-V compound semiconductors for atomic layer deposition // Microelectronic Engineering. 2009. — № 86. — P. 122−127.
  13. Lie F.L., W. Rachmady, A.J. Muscat InO.53GaO.47As (100) native oxideremoval by liquid and gas phase HF/H20 chemistries // Microelectronic Engineering. 2010. — № 87. — P. 1656−1660.
  14. Lin J.C., P.W. Fry, R.A. Hogg, M. Hopkinson, I.M. Ross, A.G. Cullis, R.S.
  15. Kolodka, A.I. Tartakovskii, M.S. Skolnick The control of size and arealdensity of InAs self-assembled quantum dots in selective area molecular beam epitaxy on GaAs (0 0 1) surface // Microelectronics Journal. 2006. — № 37. -P. 1505−1510.
  16. Adachi S., Kikuchi D. Chemical etching, characteristics of GaAs (100) surfacesin aqueous HF solutions // Journal of The Electrochemical Society. 2000. -Vol. 147, № 12. — P. 4618624.
  17. Rei Vila M., El Beghdadi J., Debontridder F., Artzi R., Naaman R., Ferraria A.M., Botelho do Rego A. M. Characterization of wet-etched GaAs (100) surfaces // Surf. Interface Anal. 2005- Vol. 37 — P. 673−682.
  18. Losurdo M., Giangregorio M.M., Lisco F., Capezzuto P., Bruno G., Wolter S.
  19. D., Angelo M., Brown A. InAs (100) Surfaces Cleaning by an As-Free Low-Temperature 100 °C Treatment // J. Electrochem. Soc. 2009. — Vol. 156., Issue 4.-P. H263-H267.
  20. Li Y.G., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Zheng J.C. Ion-induced nitridation of GaAs100. surface //Appl. Surf. Sci. 2001. — Vol. 174. — P.275−282.
  21. Т.П., Мокроусов Г. М. Формирование поверхности заданного состава у арсенида галлия // Неорганические материалы. 2000. — Т. 36, № 9.-С. 1029−1036.
  22. Вгусе С., Berk D. Kinetics of GaAs Dissolution in H2O2-NH4OH-H2O Solutions // Ind. Eng. Chem. Res. 1996. — Vol. 3. — P. 4464470.
  23. Negrila C.C., Logofatu C., Ghita R.V., Cotirlan C., Ungureanu F., Manea A.S., 1. zarescu M.F. Angle-resolved XPS structural investigation of GaAs surfaces // Journal of Crystal Growth. 2008 — Vol. 310. — P. 1576−1582.
  24. Song J.S., Choi Y.C., Seo S.H., Oh D.S., Cho M.W., Yao Т., Oh M.H. Wetchemical cleaning process oh GaAs substrate for ready-to-use // J. of Crystal Growth. 2004. — Vol. 264. — P. 98−103.
  25. Tomashik Z. F., Danilenko S. G., Tomashik V. N., Kusyak N. V. Interaction of
  26. As and InSb with aqueous solutions of nitric acid // Inorganic Materials. -2000.-№ 36.-P. 153−156.
  27. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R. New and unified model for Schottky barrier and III-V- insulator interface states formation // J. Vac. Sci. Technol. -1979. Vol. 16, № 5. -P. 1422−1433
  28. Tereshchenko O.E., Placidi E., Paget D., Chiaradia P., Balzarotti A. Well-ordered (100) InAs surfaces using wet chemical treatments // Surface Science. 2004. — Vol. 570. — P. 237−244.
  29. Paget D., Tereshchenko O.E., Gordeeva A.B., Berkovits V.L., Onida G. Originof the broadening of surface optical transitions of As-rich and Ga-rich GaAs (0 0 1) // Surface Science. 2003. — Vol. 529. — P. 204−214.
  30. Tereshchenko O.E. Structure and composition of chemically prepared and vacuum annealed InSb (0 01) surfaces //Applied Surface Science. 2006. -Vol. 252. — P. 7684−7690.
  31. Tereshchenko O.E., Paget D., Rowe A.C.H., Berkovits V.L., Chiaradia P., Doyle B.P., Nannarone S. Clean reconstructed InAs (111) A and В surfaces using chemical treatments and annealing // Surface Science. 2009. — № 603. -P. 518−522.
  32. Kesler V.G., Seleznev V.A., Kovchavtsev A.P., Guzev A.A. Composition, morphology and surface recombination rate of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed InAs (l 1 1) A surfaces //Applied Surface Science. 2010. -Vol. 256. — P. 4626−4632.
  33. H.A., Левцова T.A., Путято M.A., Семягин Б. Р., Селезнев В.А.,
  34. В.В. Методы получения структурно-совершенной поверхности арсенида галлия // Вестник НГУ. Серия: Физика. 2008. -Т.З, вып. 4. — С. 3−8.
  35. Lebedev M.V., Ensling D., Hunger R., Mayer Т., Jaegermann W. Synchrotronphotoemission spectroscopy study of ammonium hydroxide etching to prepare well-ordered GaAs (100) surfaces // Applied Surface Science. 2004. — № 229.-P. 226−232.
  36. Lebedev M. V. Mankel E., Mayer Т., Jaegermann W. Wet etching of GaAs (100)in acidic and basic solutions: a synchrotron photoemission spectroscopy study
  37. J. Phys. Chem. 2008. — № 112.-P. 18 510−18 515.
  38. Huang Y., Luo J., Ivey D.G. Comparative study of GaAs corrosion in H2S04and NH3-H2O solutions by electrochemical methods and surface analysis // Materials Chemistry and Physics. 2005. — Vol. 93. — P. 429142.
  39. Steer C.A., Weng G.S., Luo J.L., Ivey D.G. Formation of As2 03 during anodicdissolution of GaAs // Electrochemistry Communications. 2000. — Vol. 24 -P. 754−761.
  40. Ю.А., Вилков JI.B. Физические методы исследование в химии.
  41. М.: Мир, ООО «ИздательствоАСТ», 2003. 683 с.
  42. N.L. Dmitruk), S.V. Mamykin, O.V. Rengevych. Formation, geometric andelectronic properties of microrelief Au-GaAs interfaces// Appl.Surf. Sci. -2000. Vol. 166. — P. 97−102.
  43. Kidalov V.V. Photoluminescence and Raman spectroscopy of porous p-type
  44. GaAs // Складшсистеми i процеси. 2007. — № 1. — С. 38−41.
  45. Gayou Y.L., Salazar-Hernandez В., Constantino M.E., Rosendo Andres E., Diaz Т., Delgado Macuil R., Rojas Lopez M. Structural studies of ZnS thin films grown on GaAs by RF magnetron sputtering // Vacuum. 2010. — Vol. 84, № 10.-P. 1191−1194.
  46. Sun W.-C., Chu c.-H., Chang H.-C., Wu B.-K., Chen Y.-R., Cheng C.-W., Chiu
  47. M.-S., Shen Y.-C., Wu H.-H., Hung Y.-S., Chang S.-L., Hong M.-H., Tang M.-T, Stetsko Yu. P. // Thin Solid Films. 2007. — Vol. 515 — P. 5716−5723.
  48. С. В., Котов JI. Н., Петраков А. П., Асадуллии Ф. Ф. Рентгеновскиеисследования термической и лазерной диффузии бора в кремнии // Вестник Челябинского университета, Физика. 2008. — Т. 126, № 25. -Вып. 3. — С.78−82
  49. Singh L.S.S., Tiwary К.Р., Purohit R.K. ECR plasma etching of GaAs in
  50. CC12F2/Ar/02 discharge and IR studies of the etched surface //Current Appl. Phys.-2005.-Vol. 5. -P.351−355.
  51. Friedrich M., Himcinschi C., Salvan G., Anghel M., Paraian A., Wagner Th.,
  52. Kampen T.U., Zahn D.R.T. VASE and IR spectroscopy: excellent tools to study biaxial organic molecular thin films: DiMe-PTCDI on S-passivated GaAs (100) // Thin Solid Films. 2004. — Vol. 455-^156. — P.586−590.
  53. Chazalviel J.-N., Belaidi A., Safi ML, Maroun F., Erne B.H., Ozanam F. In situsemiconductor surface characterisation: a comparative infrared study of Si, Ge and GaAs // ElectrochimicaActa. 2000. — Vol. 45. — P. 3205−3211.
  54. Herms M., Irmer G., Goerigk G., Bedel E., Claverie A. Precipitation in lowtemperature grown GaAs // J. Materials Sci. and Engineering. 2002. — Vol. B91−92.-P. 466169.
  55. Campos C.E.M., Pizani P. S. Morphological studies of annealed GaAs and GaSb surfaces by micro-Raman spectroscopy and EDX microanalysis// Appl.
  56. Surface Sci. 2002. — Vol. 200. — P. 111−116.
  57. Gilliam S.J., Merrow C.N., Kirkby S.J., Jensen J.O., Zeroka D., Banerjee A.
  58. Raman spectroscopy of arsenolite: crystalline cubic As406 //Journal of Solid State Chemistry. 2003. — № 173. — P. 54−58.
  59. Mavi H.S. Shukla, A.K., Chauhan B. S., Islam S.S. Surface morphology andformation of GaAs nanocrystals by laser-induced etching: SEM, PL and Raman studies // Materials Science & Engineering B/ 2004. — Vol. 107. -P. 148−154.
  60. Hashimoto A., Furuhata T., Kitano T., Nguyen A.K., Masuda A., Yamamoto A.
  61. RF-MBE growth and Raman scattering characterization of lattice-matched GalnNAs on GaAs (0 0 1) substrates// J. of Crystall Growth. 2001. — Vol. 227−228. — P. 532−535.
  62. Machac P., Machovic V. Raman spectroscopy of Ge/Pd/GaAs contacts Nanostructuring-induced modification of optical properties of p-GaAs (100) // Microelectronic Engineering. 2004. — Vol. 71. — P. 177−181.
  63. Udayashankar N.K., Bhat H. L. Influence of growth parameters on the surfacemorphology and crystallinity of InSb epilayers grown by liquid phase epitaxy //"Bull. Mater. Science. 2003. — Jte 26.'- P. 685−692.
  64. Quagliano L.G. Detection of As203 arsenic oxide on GaAs surface by Ramanscattering //Appl. Surface Sci. 2000. — Vol. 153. — P. 240−244.
  65. Dmitruk N., Kutovyi S., Dmitruk I., Simkiene I., Sabataityte J., Berezovska N.
  66. Morphology, Raman scattering and photoluminescence of porous GaAs layers // Sensors and Actuators. 2007. — Vol. B126. — P. 294−300.
  67. Ben Khalifa S., Gruzza B., Robert-Goumet C. et al. Morphology and opticalproperties of p-type porous GaAs (l 0 0) layers made by electrochemical etching // Journal of Luminescence. 2008. -Vol. 128 — P. 1611−1616.
  68. Lockwood D. J. Raman Spectroscopy of Oxides of GaAs Formed in Solution //
  69. Journal of Solution Chemistry. 2000.-Vol. 29, №. 10. — P.1039−1046.
  70. Ali N. K., Hashim M. R., Abdul Aziz A., Abu Hassan H. Correlation of Ramanand photoluminescence spectra of electrochemically prepared n-type porous GaAs // Semicond. Sei. Technol. 2008. — Vol. 23. doi:10.1088/0268−1242/23/5/55 016.
  71. B.B., Рублинецкая Ю. В. Локальный электрохимический анализ. М.: ФИЗМАТЛИГ, 2010.-321 с.
  72. Т.П., Шпурик В. Н., Белый В. И., Захарчук Н. Ф. Исследование химического состава поверхности антимонида индия // Изв. СО АН СССР, Сер.хим. наук. 1982. — № 7, вып. 3. — С. 93−97.
  73. Н.Ф., Смирнова Т. П., Белый В. И., Юделевич И. Г. Вольтамперометрия твердых фаз в исследовании состава поверхности полупроводников // Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. -1984.-Ч. 2.-С. 143−151.
  74. Т.П., Захарчук Н. Ф., Белый В. И. Фазовый состав и структура пленок собственного оксида на GaAs // Неорган. Материалы. 1990. — Т. 26, № 3. — С. 492−499.
  75. Т.П., Белый В. И., Захарчук Н. Ф. О состояниях элемента V группы на поверхности AniBv // Поверхность. Физика, химия, механика. -1984. № 2. — С. 94—99.
  76. Е.П., Волкова В. Н., Алифанова И. А. Новые возможности ртутного электрода в фазовом анализе поверхности твердых тел (арсенида галлия) // Ж. аналит. химии. 1994. — № 9. — С. 1013−1016.
  77. Г. М., Князева Е. П., Волкова В. Н., Алифанова И. А. Возможности ртутного электрода в фазовом анализе поверхности твердых тел (арсенида галлия) // Ж. аналит. химии. 1994. — № 9. -С.1013−1016.
  78. В.М. Окислительные состояния элементов и их потенциалы вводных растворах: Пер. с англ. М.: Иностр. лит-ра. 1954. 400с.
  79. Pourbaix M. Atlas of electrochemical equilibria in aqueous solution. N.Y.: Pergamon Press. 1966. 644p.
  80. В.А., Катаев Г. А. Диаграмма равновесия электродный потенциаларсенида галлия pH раствора. Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. унта в 2 т. — 1969. — Т. 2. — С.220−224.
  81. Schwartz В. GaAs surface chemistry a review. CRC Crit. Revs. Solid State
  82. Sei. 1975. — Vol.5, No.4. — P.609−624.
  83. Металловедение: Химия и физика металлов и сплавов: Пер. с нем. М.-Л.: ОНТИ, 1935.-439 с.
  84. И.К. Электрохимическое поведение и характер разрушения твердых растворов и интерметаллических соединений // Коррозия и защита от коррозии: Итоги науки и техники. М.: ВИНИТИ. 1971. — Т. 1. — С.138−155.
  85. Г. М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз. Томск:
  86. Изд-во Томск, ун-та. 1990. 230с.
  87. Г. М. Границы раздела фаз, новые материалы и методики аналитического контроля // Химики ТГУ на пороге третьего тысячелетия. Томск: Изд-во Том. ун-та. 1998. — С. 73−86.
  88. Hitota Y. Effects of dissolved oxygen in a de-ionized water treatment on GaAssurface // J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 75, № 3. — P. 1798−1803.
  89. McGrath W.D., Norrish G.W. Studies of the Reactions of Excited Oxygen Atoms and Molecules Produced in the Flash Photolysis of Ozone // Proc. R. Soc. London A, Mathematical and Physical Sciences. 1960. — Vol. 254, No. 1278.-P.317−326.
  90. Allongue P., Blonkowski S. Corrosion of III-V compounds- a comparative study of GaAs and InP // J. Electroanal. Chem. 1991. — Vol. 317. — P. 77−99.
  91. Massies J., Contour J.P. Substrate chemical etching prior to molecular-beamepitaxy: An x-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs {001} surfaces etched by the H2SO4-H2O2-H2O solution // J. Appl. Phys. 1985. — Vol. 58, № 2.-P. 806−810.
  92. Pat. 7 264 655, Gas/liquid separation in water injection into hydrocarbon reservoir/ 25.12.1990. Joynson, et al. publ. 04.09.2007
  93. Pat. 4 979 370 United States. Process for manufacturing clear and pattern iceproducts / Hotaling, E.William. publ. 25.12.1990.
  94. Pat. 7 344 649 United States. Catalytic removal of dissolved oxygen from organic liquids / Redlingshofer, • Hubert, Dorflein, Andreas, Weckbecker, Christoph. publ. 18.03.2008.
  95. Pat. 5 612 522 United States. Adsorption and ion exchange zeolite gel media toimprove the quality and carbonation of water / Levy, Ehud. publ. 18.03.1997.
  96. Pat. 6 241 893 United States. Water filtration media, apparatus and processes /1.vy, Ehud. publ. 05.06.2001.
  97. Pat. 7 344 649 United States. Catalytic removal of dissolved oxygen from organic liquids / Redlingshofer, Hubert, Dorflein, Andreas, Weckbecker, Christoph. publ. 18.03.2008.
  98. Pat. 6 417 318 United States. Process for the removal of dissolved oxygen fromphenol / Heydenreich, Frieder, Wagner, Rudolf, Bodiger, Michael. publ. 09.07.2002.
  99. Pat. 4 540 494 United States. Method for the removal of oxygen dissolved inwater/ Fuchs, Wilfried, Richter, Horst, Kaufmann, Vendelin, Renker, Wolfgang, Kober, Roland. publ. 10.09.1985.
  100. Pat. 3 983 048 United States. Composition for accelerating oxygen removal comprised of a mixture of aqueous hydrazine and an aryl amine compound / Schiessl, W. Henry, Kaufman, D. John, Csejka, A.David. publ. 28.09.1976.
  101. Pat. 4 348 289 United States. Water treatment method to. remove dissolved oxygen therefrom / Jr. Snavely,' S. Earl, Jr. Caldwell, L. Paul. publ. 07.09.1982.
  102. Е.И. Влияние антиоксидантов на процесс электровосстановления кислорода / Материалы симпозиума: теория электроаналитической химии и метод инверсионной вольтамперометрии. Томск, 28 сент. — 1 окт. 2000 г. — Томск, 2000. — 332 с.
  103. В.Н. и др. Выбор условий и оценка метрологических характеристик определения тяжелых металлов в природных и сточных водах методом инверсионной вольтамперометрии с УФ- облучением // ЖАХ. 1987. — т. ХШ, № 2 — С. 246 — 251.
  104. Электрохимические методы анализа: учебно методическое пособие длястудентов специальности «Охрана окружающей среды и рациональное использование природных ресурсов» и специализации «Экспертная химия» / Баталова В. Н — Том. гос. ун-т. Томск, 2008. — 41 с.
  105. Э.А. Применение фотохимических реакций в вольтамперометрическом анализе / Материалы симпозиума: теория электроаналитической химии и метод инверсионной вольтамперометрии.- Томск, 28 сент. 1 окт. 2000 г. — Томск, 2000. — С. 332 с.
  106. Г. М., Зарубина О. Н. Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа АШВУ // Известия Томского политехнического университета. 2008. — Т. 313, № 3. — С. 25 -30.
  107. О.Н., Мокроусов Г. М. Межфазные превращения в системе Н20рН) арсенид галлия (индия). Формирование поверхностного фазового слоя на полупроводнике // Бутлеровские сообщения. — 2009. — Т. 17, № 6.- С. 330.
  108. Sokolov V.N., Kim К. W. Terahertz generation in submicron GaN diodes within the limited space-charge accumulation regime // J. Appl. Phys. 2005. --Vol. 98, №. 6. — P. 64 507−64 507−7.
  109. P.X., Мармалюк А. А. Нитрид галлия перспективный материалэлектронной техники. Часть III. Технологические приемы улучшения структурных и электрофизических характеристик эпитаксиальных слоев // Материаловедение. 2001. — №. 10. — С. 21−29.
  110. Macpherson R.F., Dunn G.M. The use of doping spikes in GaN Gunn diodes //
  111. Appl. Phys. Lett. 2008. — Vol. 93? № 6. — P.62 103−62 103−2.
  112. Sevik C., Bulutay C. Efficiency and harmonic enhancement trends in GaN-based Gunn diodes: Ensemble Monte Carlo analysis // Appl. Phys. Lett. -2004. Vol. 85, № 17. — P.3908−3910.
  113. Kohler M. Etching in microsystem technology / Transl. by Wiegand A. New
  114. York- Chichester- Brisbane- Singapore- Toronto: Wiley-VCH, 1999. 368 p.
  115. Nowak G., Xia X.H., Kelly J.J., Weyher J.L., Porowsky S. Electrochemicaletching of highly conductive GaN single crystals // J. Crystal Growth. 2001. — Vol. 222. — P.735−740.
  116. В.Г., Дрижук А. Г., Шагалов М. Д., Сидоров Д. В., Усиков А. С. Повышение эффективности i-n-GaN-светодиодов с помощью электрохимического травления // Письма в ЖТФ. 1999.-Т. 25, № 2. — С. 55−60.
  117. Macht L., Kelly J.J., Weyher J.L., Grzegorczyk A., Larsen P.K. An electrochemical study of photoetching of heteroepitaxialGaN: kinetics and morphology // J. Crystal Growth. — 2005. — Vol. 273. — P.347−356.
  118. Г. M., Зарубина О. Н., Бекезина Т. П. Межфазные превращения в системе GaN-НгО (рН) // Бутлеровские сообщения. -2011.-Т. 24, № 2. С.58−62.
  119. Pearton S.J., Chen J.J., Lim W.T., Ren F., Norton D.P. Wet chemical etching of wide bandgap semiconductors-GaN, ZnO and SiC // ECS Transactions. -2007.-Vol. 6, № 2.-P. 501−512.
  120. П.И. Химия галлия, индия и таллия. Новосибирск: Наука, 1977.-222 с.
  121. Zhuang D., Edgar J.H. Wet etching of GaN, A1N, and SiC: a review // Materials Science and Engineering R. 2005. — Vol. 48. — P. l-46.
  122. .С. Диффузия в металлах. М.: металлургия, 1978. — 248 с.
  123. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. — 256 с.
  124. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1972. — 384 с.
  125. ОрмонтБ.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию: Учебное пособие. 2-е изд. М.: Высш. Школа, 1973. 600 с.
  126. А.И., Гаврилов С. А., Тихомиров А. А. Оптические свойства пористого наноразмерного GaAs // Физика и техника полупроводников.2005. Т. 39, вып. 2. — С. 258−263.
  127. Naddaf М., Saloum S. Nanostructuring-induced modification of optical properties of p -GaAs (100) // Physica. 2009. — № 41. — P. 1784−1788.
  128. Li S.Q., Liang Y.X., Guo T.L., Lin Z.X., Wang Т.Н. // Materials Letters.2006. № 60. — P. 1492- 1495.
  129. W.J., Jarori U., Zemlyanov D., Ivanisevic A. /Characterization of amino acid adlayers on InAs surfaces using X ray photoelectron spectroscopy / Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. -2009.-№ 172.-P. 47−53.
  130. Zhou X.L., Wei Q.M., Wang L.M., Sun K. Optical characteristics of highly ordered gallium oxidenano islands on GaAs // Applied Physics. — 2009. -№ 96. -P. 61−65.
  131. Dong H., Yang H., Yang W., Yin W., Chen D. Diameter-controlled growth of 1пгОз nanowires on the surfaces of indium grains // Materials Chemistry and Physics. 2008. — № Ю7. — P. 122−126.
  132. Campomanes R.R., Silva J.H., Vilcarromero J., Cardoso L.P. Crystallization of amorphous GaAs films prepared on to different substrates // Journal of Non- Crystalline Solids. 2002. — № 299−302. — P. 788−792.
  133. P.А. Молочко B.A., Андреева JI.JI. Химические свойства неорганических веществ- под ред. Р. А. Лидина / 3-е изд. М.: Химия, 2000.-480 с.
  134. Т.Н., Белый В. И., Голубенко А. Н., Захарчук Н. Ф., Вицина Н. Р. Химический состав окисных слоев на арсениде индия // Изв. Сиб. отдел, акад. наук СССР. Сер. хим. наук. -1983.- Вып. 6. С. 90- 98.
  135. М., Hinkle L.C., Vogel Е. М., R. М. Wallace Interfacial chemistry of oxides on III-V compound semiconductors // Journal of Structural Chemistry. -2008. № 6. — P. 131−172.
  136. Hollinger G., Skheyta-Kabbani R., Gendry M. Oxides on GaAs and InAs surfaces: An X-ray-photoelectron-spectroscopy study of reference compounds and thin oxide layers // Physical Review. -1994. -№ 16-P. 11 159−11 167.
  137. Veiko V.P., Kieu Q.K., Nikonorov N.V. Laser modification of glass-ceramics structure and properties: a new view to traditional material // Proceedings of SPIE 2004. — Vol. 5662. — P. 119−128.
  138. Г. Курс неорганической химии. М.: Мир, 1972. — 824 с.
  139. J. van de Ven, J. L. Weyher. Kinetics and morphology of GaAs etching in aqueous СгОЗ-HF solutions // J. Electrochem. Soc. 1986. — Vol. 133, № 4 -P. 799−806.
  140. Е.И. Закономерности процесса электровосстановления кислорода, осложненного адсорбцией поверхностно-активных веществ, и их использованиев аналитической практике. Дис. .канд. хим. наук. -Томск, 1995−234 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!