Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов

Диссертация: Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Волоконно-оптическая связь находит всё более широкое применение для передачи сигналов. Вместе с тем важной является проблема совместимости оптоэлектроники с современной технологией кремниевой твердотельной электроники. В этой связи перспективным является исследование люминесценции ионов эрбия Ег3+ в I кристаллическом, аморфном и пористом кремнии. Это вызвано потребностью в создании кремниевых… Читать ещё >

Содержание

  • Глава1. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ
    • 1. 1. Фотолюминесценция эрбия в структурах с нанокристаллами кремния и в пористом кремнии
      • 1. 1. 1. Фотолюминесценция эрбия в кремниевых нанокристаллах
      • 1. 1. 2. Фотолюминесценция эрбия в монокристаллическом кремнии
      • 1. 1. 3. Фотолюминесценция эрбия в пористом кремнии
    • 1. 2. Фотолюминесценция, ЭПР и транспорт тока в пористом кремнии
      • 1. 2. 1. Фотолюминесценция в пористом кремнии
      • 1. 2. 2. Модели ФЛ пористого кремния
      • 1. 2. 3. Рь-центры в пористом кремнии
    • 1. 3. Выводы, постановка задачи
  • Глава 2. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СЛОЁВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПРОПИТАННОГО ВОЛЬФРАМ-ТЕЛЛУРИТНЫМ СТЕКЛОМ С ПРИМЕСЯМИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
    • 2. 1. Изготовление образцов
      • 2. 1. 1. Приготовление слоев пористого кремния
      • 2. 1. 2. Получение плёнок вольфрам-теллуритного стекла методом ВЧ-магнетронного распыления
      • 2. 1. 3. Приготовление слоев пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями РЗЭ
      • 2. 1. 4. Окислительный отжиг пористого кремния
    • 2. 2. Измерение электрических свойств, ЭПР и ФЛ пористого кремния пропитанного ВТС с примесями РЗМ
      • 2. 2. 1. Измерение ВАХ диодных структур с прослойкой ПКУВТС: РЗМ
      • 2. 2. 2. Измерение ЭПР исследуемых структур
      • 2. 2. 3. Измерение оптических и люминесцентных параметров исследуемых структур
  • Глава 3. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПРОПИТАННОГО ВОЛЬФРАМ-ТЕЛЛУРИТНЫМ СТЕКЛОМ С ПРИМЕСЯМИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
    • 3. 1. Свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных элементов
      • 3. 1. 1. Введение
      • 3. 1. 2. Технология вплавления ВТС в пористый кремний и детали измерения ФЛ, ЭПР, транспортных свойств и рентгеноспектрального анализа
      • 3. 1. 3. Рентгеноспектральный анализ элементного состава плёнки ВТС на пористом кремнии
      • 3. 1. 4. Транспортные свойства ПК/ВТС
    • 3. 5. ЭПР ПК/ВТС
      • 3. 1. 6. ФЛ слоев ПК/ВТС
    • 3. 2. Оптимизация состава вольфрам-теллуритного стекла по его фотолюминесцентным характеристикам
      • 3. 2. 1. Методы многофакторного эксперимента
      • 3. 2. 2. Полный факторный эксперимент
      • 3. 2. 3. Метод крутого восхождения по поверхности отклика
      • 3. 2. 4. Ортогональное планирование второго порядка
      • 3. 2. 5. Постановка и результаты экспериметов
    • 3. 3. Влияние предварительного окислительного отжига на фотолюминесценцию пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных элементов
      • 3. 3. 1. Введение
      • 3. 3. 2. Технология окисления и формирования слоев ПК/ВТС, методы измерений их свойств
      • 3. 3. 3. Результаты влияния предварительного окислительного отжига на поперечный транспорт, ЭПР и ФЛ

Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

4.1.2. Методика введения РЗЭ в слои ПК, легированного ионами фосфора.90.

4.1.3. Влияние ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию окисленного пористого кремния с эрбием.91.

4.2. Исследование влияния облучения ионами Аг+, и Р+ на люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Ег и УЬ.98.

4.2.1.Введени е.98.

4.2.2. Технология изготовления образцов.98.

4.2.3. Влияние облучения ионами инертных элементов Аг+, Ые+.102.

I +.

4.2.4. Влияние облучения электрически активным элементом Р .106 I.

4.2.5. Обсуждение и анализ результатов.108.

4.3.

Заключение

к главе 4.119.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

120.

Список использованной литературы.122.

Публикации по теме диссертации.130.

Актуальность работы.

Волоконно-оптическая связь находит всё более широкое применение для передачи сигналов. Вместе с тем важной является проблема совместимости оптоэлектроники с современной технологией кремниевой твердотельной электроники. В этой связи перспективным является исследование люминесценции ионов эрбия Ег3+ в I кристаллическом, аморфном и пористом кремнии. Это вызвано потребностью в создании кремниевых светодиодов, оптических усилителей и лазеров, эффективно излучающих в районе длин волн около 1.5 мкм в интервале максимума пропускания волоконных линий связи. К настоящему времени детально изучены свойства кремния, легированного эрбием либо непосредственно в процессе эпитаксиального роста [1,2], либо с использованием методов ионной имплантации и диффузии [3]. Для повышения эффективности излучательной способности эрбия в кремнии было также предложено использовать пористый кремний, который представляет собой систему кремниевых нанокристаллов вкрапленных в матрицу ЭЮг [4]. Квантово-размерные эффекты приводят к такой перестройке электронных состояний, которая позволяют преодолеть непрямозонность монокристаллического кремния, препятствующую созданию кремниевых I светоизлучателей для оптоэлектронных устройств. Есть работы, где эрбий вводился в пористый кремний ионной имплантацией, электрохимическим способом, золь-гель методом и пропиткой в растворе солей редкоземельных элементов. При этом предполагалось повышение эффективности излучения Ег за счёт сенсибилизации нанокристаллами кремния. Однако к началу выполнения настоящей работы квантовый выход фотолюминесценции в таких структурах был невелик. Данная экспериментальная работа посвящена разработке нового более эффективного композиционного материала, в котором планировалось объединение полезных свойств одного из самых эффективных матричных материалов для люминесценции ионов Ег3+ - вольфрам-теллуритного стекла (ВТС), легированного иттербием и эрбием, и пористого кремния за счёт дополнительных каналов передачи внешнего возбуждения по схемам: пс81->Ег3+, пс81 —>УЬ3+—>Ег3+. Исследовались тонкоплёночные структуры, представляющих собой слои ПК с вплавленным в них ВТС с примесями иттербия и эрбия.

Цель работы и задачи исследования.

Целью настоящей работы является исследование возможностей сочетания полезных свойств одного из самых эффективных матричных материалов для ионов Ег3+ - вольфрам-теллуритного стекла и пористого кремния в тонкоплёночных структурах за счёт многоканальной передачи энергии внешнего возбуждения к ионам эрбия через нанокристаллы кремния и ионы иттербия в пористом кремнии. Для достижения поставленной цели потребовалось решение следующих задач.

1. Анализ литературных данных и данных предварительных экспериментальных | исследований фотолюминесценции эрбия в пористом кремнии и в структурах с нанокристалами кремния.

2. Исследование фотолюминесцентных и электрофизических свойств структур на основе слоёв пористого кремния, пропитанного ВТС, влияние степени окисления пористого кремния, а также оптимизация состава ВТС для усиления ФЛ таких структур.

I 3. Выяснение влияние ионной имплантации электрически активных и инертных элементов на свойства пористого кремния с примесями редкоземельных элементов.

В ходе выполнения работы применялся комплекс современных экспериментальных методов: высокочастотное магнетронное распыление, электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), фотолюминесцентная спектроскопия, поперечный транспорт тока, эллипсометрия, высокоразрешающая электронная микроскопия и элементный анализ, рентгеновская дифракция.

Научная новизна работы.

1. Впервые была применена методика введения редкоземельных элементов эрбия и иттербия в пористый кремний ВЧ-магнетронным напылением плёнок вольфрам-теллуритного стекла на слои ПК с последующими отжигами.

2. Применительно к вольфрам-теллуритным стёклам, легированным РЗЭ, впервые ' была использована методика многофакторного анализа при определении оптимального состава для достижения максимума ФЛ на длинах волн в районе 1.54 мкм.

3. Впервые были исследованы электрофизические и фотолюминесцентные свойства структур ПК с вплавленным в него ВТС с примесями РЗЭ в зависимости от степени окисления ПК или облучения ионами электрически активных и инертных I компонентов.

4. В ионно-легированных фосфором образцах ПК обнаружена широкая сравнительно интенсивная полоса ФЛ, захватывающая актуальный для волоконной оптики диапазон длин волн 1,45−1,65 мкм, и не связанная с присутствием эрбия.

Практическая значимость.

1. Показана возможность создания структур на основе пористого кремния, имеющих эффективную фотолюминесценцию на актуальной для волоконной оптики длине волны 1.54 мкм путём вплавления в пористый кремний вольфрам-теллуритного стекла с примесями эрбия и иттербия.

2. Показано существенное влияние на фотолюминесцентные свойства структур предварительного окисления пористого кремния, а также облучение ионами, инертных (Аг, Ne) и электрически активных (Р) элементов. Определены оптимальные режимы таких обработок для максимального усиления ФЛ.

3. Установлена возможность формирования интенсивной ФЛ в актуальном для волоконной оптики диапазоне длин волн 1,45−1,65 мкм, не связанной с присутствием эрбия.

Положения, выносимые на защиту.

1. Вплавление ВТС в ПК не приводит к исчезновению в нём наночастиц кремния. При этом подавляется безызлучательная рекомбинация на известных Рь-центрах, сохраняется дискретное туннелирование электронов сквозь ne-Si. Подавление безызлучательной рекомбинации и улучшение люминесцентных характеристик структур nK/BTC:(Yb, Er) связано с тем, что вплавление ВТС снимает механические напряжения в ПК на границе раздела Si/SiCh и уменьшает количество Рь-центров.

2. Вплавление ВТС, активированного РЗЭ Ег и Yb, в окисленный ПК является эффективным способом усиления ФЛ ионов Ег3+в районе 1,5 мкм. Присутствие наночастиц кремния в пропитанном ВТС слое ПК на кремнии позволяет на порядок и более увеличить интенсивность ФЛ эрбия и иттербия по сравнению с объёмным ВТС с теми же примесями РЗЭ. Температура предварительного окислительного отжига 700 °C является оптимальной для достижения максимума такой ФЛ.

3. Существует оптимальный уровень ионно-лучевого легирования фосфором ПК для усиления его люминесценции в области актуального для волоконной оптики диапазона длин волн 1,45−1,65 мкм, и не связанной с присутствием эрбия При.

13 2 дозах фосфора более 5 10 см" происходит снижение интенсивности ФЛ в указанном диапазоне.

I 4. Увеличение до 5 раз интенсивности ФЛ эрбия на длине волны 1,54 мкм в результате облучения структур ПК/ВТС:(УЬ, Ег) ионами Р+ и Аг+ связано с ионным I перемешиванием, в результате которого более значительная доля ионов Ег3+ оказывается близко расположенной к границам нанокристаллов кремния в ПК, и улучшаются условия передачи энергии от возбужденных светом этих нанокристаллов к ионам Ег3+.

Личный вклад автора:

Автор самостоятельно осуществляла изготовление структур пористого кремния, вместе с к.ф.-м.н. Ю. И. Чигиринским проводила оптимизацию состава вольфрам-теллуритного стекла методами многофакторного анализа, осуществляла ВЧ магнетронное напыление пленок на основе этого стекла на кремний и пористый кремний, самостоятельно проводила измерения спектров фотолюминесценции, вместе с Е. А. Европейцевым — электротранспортных свойств слоев и спектров ЭПР пористого кремния после различных обработок, совместно с научным руководителем выполняла теоретические оценки и расчёты, подготовку графических материалов и написание статей по результатам исследований, лично докладывала часть результатов на научных конференциях.

Достоверность научных результатов.

Достоверность полученных результатов и обоснованность научных положений и выводов, сформулированных в диссертации, обеспечиваются использованием современного научного оборудования, комплекса хорошо апробированных физических методов исследования, корректных теоретических представлений при анализе и интерпретации экспериментальных результатов.

Апробация работы.

Основные результаты работы обсуждались и докладывались на конференциях: 15-я и 16-я Нижегородская сессия молодых учёных (г.Нижний Новгород 2010, 2011 гг), 16-я Всероссийская конференция студентов физиков и молодых учёных (г. Волгоград, 2010 г.). 9-я и 10-я Всероссийская конференция с элементами молодёжной научной школы: «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики» (г. Саранск, 2010, 2011гг.), XI и XIII Всероссийская молодёжная школасеминар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (г. Екатеринбург, 2010, 2012 гг.), ХУ-й и XVI международный симпозиум «'Нанофизика и наноэлектроника» (Н. Новгород, ИФМ РАН t.

2011 и 2012 гг.), 17-я Всероссийская конференция студентов физиков и молодых учёных, (г. Екатеринбург, 2011г), XLIX Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс», (Новосибирск, 2011 г.), XIV Всероссийская конференция и VI Школа молодых учёных «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение.» (Нижний Новгород ИХВВ 2011 г.), VIII и IX Международная конференция и VII и VIII Школа молодых ученых и специалистов «КРЕМНИЙ 2011» (Москва, НИТУ «МИСиС» 2011), XIII Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск 2011 г), V.

Всероссийская школа семинар студентов, аспирантов и молодых учёных i.

Нанодиагностика — 2012″ (г. Рязань, 2012 г.). i.

Публикации.

По материалам работы опубликовано три статьи в научных журналах из списка ВАК и 16 публикаций в материалах конференций.

Диссертационная работа выполнялась при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» и при поддержке РФФИ (гранты №№ 08−02−97 044р, 11−02−855а).

ГЛАВ Al. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В КРЕМНИЕВЫХ ! НАНОСТРУКТУРАХ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенных исследовании можно сделать выводы i i t.

I 1 Данные ЭПР и поперечного транспорта тока показали, что вплавление ВТС не приводиТ| к исчезновению в нем наночастиц кремния При вплавлении ВТС в ПК подавляются Рь — центры безызлучательной рекомбинации, сохраняется дискретное ту|ннелирс>вание электронов сквозь ne-Si Подавление Рь-центров безызлучательной рекомбинации и улучшение люминесцентных характеристик ПК-ВТС связано с тем, что вплавление ВТС снимает механические напряжения в ПК на границе раздела S1/S1O2 и i? i n уменьшает количество Рь-центров 2 установлено, что вплавление ВТС, активированного РЗЭ Ег и Yb, в окисленный,! i i'.

ПК является эффективным способом многократного усиления ФЛ ионов Ег в районе.

1540 нм и ионов Yb3+ в районе 980 нм по сравнению с объемным ВТС с теми же примесями РЗЭ Это усиление ФЛ связывается с присутствием наночастиц кремния в пропитанном ВТС слое ПК.

3 Предварительный окислительный отжиг ПК перед вплавлением ВТС способствуют 121 многократному усилению ФЛ как ионов Ег в ВТС, так и ne-Si в ПК на длинах волн 750 и' '! 1540 нм[ соответственно. Оптимальной для усиления ФЛ ионов эрбия является i I! l + температура отжига 700 °C. При таком отжиге квантовый выход ФЛ ионов Ег3+ увеличился1 в '170 раз при коротковолновой накачке и в 7 раз при длинноволновой по сравнению со.

1 ! структурой без предварительного отжига. В структуре с предварительным окислительным | отжигом 900 °C интенсивность ФЛ ne-Si возросла в 16 раз.

1 i i| ' i.

I I ' I 13 2 ! 4. В? ионно-легированных фосфором образцах ПК (ЮОкэВ, 5 10 см"), где эрбий | '! > 1 вв’одился! пропиткой водными растворами солей, обнаружена широкая сравнительно i интенсивная полоса ФЛ, захватывающая актуальный для волоконной оптики диапазон длин волн 1,45−1,65 мкм, и не связанная с присутствием эрбия. Эта люминесценция спадает при превышении дозы имплантации фосфора свыше 1015 см" 2, существует! j i i оптимальный уровень легирования фосфором для улучшения такой люминесценции. i + +.

1 5. При облучении ионами Р и Аг слоев ПК/ВТС:(УЬ, Ег) до 5 раз усиливается интенсивность фотолюминесценции эрбия на длине волны 1,54 мкм. Это связано с i ионным перемешиванием, в результате которого более значительная доля ионов Ег3+ оказывается расположенной близко к границам нанокристаллов кремния в ПК и- ' улучшаются условия передачи энергии от возбужденных светом этих нанокристаллов к ионам Ег.' I.

В заключение автор выражает искреннюю благодарность и признательность i научному руководителю — заведующему кафедрой электроники твердого тела физического.

II факультета ННГУ профессору Демидову Е. С. за большое внимание к данной работе,' ' старшим научным сотрудникам НИФТИ ННГУ Чигиринскому Ю. И. и Михайлову А. Н., профессорам Тетельбауму Д. И. и Павлову Д. А. за помощь в организации некоторых экспериментов и обсуждении результатов, а также сотрудникам физического факультета i.

ННГУ и| НИФТИ ННГУ, принимавшим участие в исследованиях на разных этапах i «выполнения работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Electroluminescence of erbium-oxygen-doped silicon diodes grown by molecular beam jjepitaxy /siimmer J., Reittinger A., Nutzel J.F., Abstreiter G. // Appl.Phys.Lett. -1996, — Vol.68. ii ' i 3290−3293 * iIj 1! |
  2. Erbium in Silicon: Problems and Challenges /S. Binetti, M. Donghi, S. Pizzini and oth. //
  3. Solid State Phenomena -1997 -Vol. 57 -58 -P. 197−206i -3|. Соболев H.A. ФТП Светоизлучающие структуры Si: Er. Технология и физические1. ii ! Miсвойства Обзор/ Соболев H.A. // ФТП-1995. Т. 29. В.7- С. 1153−1178. I l"I
  4. Optically active erbium centers in silicon/ H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevich> et al.// Phys.Rev. B. 1996 — Vol.54 — P.2532 -2547
  5. JMater Sci., Springer-Verlag, Berlin 1996 -Vol. 301.|j
  6. The erbium-impurity interaction and its effects on the 1.54 цт luminescence of Er3+ in crystalline silicon / F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa and oth.// J. Appl. Phys. 1995. — Vol.78: -P.3874−3883.1 J • 1
  7. Excitaltion and temperature quenching of Er-induced luminescence in a-Si:H (Er) / W. Fuhs, I. I i i i — i
  8. Time-resolved photoluminescence of erbium centers in amorphous hydrogenated silicon / ^ B.V. Kamenev, V.Yu. Timoshenko, E.A. Konstantinova and oth. // J. Non-Cryst., Sol. 2002 — >1. Vol. 299TiP.668−672.ij
  9. Ы. Photoluminescence of Er + ions in amorphous silicon layers under intensive laser excitation1i —
  10. B.V. Kamenev, V.I. Emelyanov, E.A. Konstantinova et al. //Appl. Phys. В 2002 — Vol.74 -i P.?151−154. ¦ -1 ?1: и
  11. Luminescence from erbium-doped silicon nanocrystals in silica: Excitation mechanisms /> >1.'' '
  12. AiJ. Kenyon, C.E. Chryssou, C.W. Pitt and oth. //J. Appl. Phys. 2002 — Vol. 91 — P.367−375.I
  13. Size-controlled highly luminescent silicon nanocrystals: A Si0/Si02 superlattice approach/j
  14. Solid Film-2001 Vol. 397 — P.211−215.
  15. Эффективная люминесценция ионов эрбия в системах кремниевых нанокристаллов / П. К. Кашкаров, Б. В. Каменев, М. Г. Лисаченко и др.// ФТТ 2004 -Т. 46. В.1 — С 105−110.
  16. В.М. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных ср(едах. /В.М.Агранович, М. Д. Галанин. Москва: Наука, 1978 — 383с. ,
  17. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и ! металлов1! нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика / С.А. 1
  18. Особенности фотолюминесценции монокристаллических и пористых слоев кремния, легированных эрбием /Л.К. Орлов, С. В. Ивин, Д. В. Шенгуров, Э.А. Штейнман// Письма в ЖТФ- 1999 -Т. 25, В. Ю С.31−35. I1., 1 1
  19. , В.А. Получение эпитаксиальных пленок кремния n-типа сублимацией в ' вакууме /'В.А.Толомасов, Л. Н. Абросимова, Г. Н. Горшенин // Кристаллография 1970 —, 1.1
  20. Т.| 15.В.6 С. 1233 — 1238.
  21. D. Pacifici', G. Franzo, F. Priolo et al. // Phys. Rev. B 2003 — Vol. 67 — P.245 301−245 313.
  22. Excitation of Er3+ ions in silicon dioxide films thermally grown on silicon / A. Kozanecki, Ml Stephikova, H. Pzybylinska et al. // Appl. Phys.Lett. 1998 — Vol.73 — P.2929−29 311.j 3+
  23. Kozanecki, A. Sensitization of Er emission at 1.5 jj. m in Si02 thermally grown on siliconby coimplantation of Yb / A. Kozanecki, K. Homewood, B.J. Sealy // Appl. Phys.Lett. 19 991. Vol. 75 P.793−7951 i
  24. Kozanecki, A. Room-temperature photoluminescence excitation spectroscopy of Er3+ ionsi1 in! Er- and (Er+Yb)-doped Si02 films / A. Kozanecki, H. Przybylinska, L. Palmetshofer, W.
  25. Jantsch. // Дрр1. Phys. Lett. 1999 — Vol. 75 — P. 2041−2043i | '1 35. Kozanecki, A. Excitation of Er3+ emission in Er, Yb codoped thin silica films / A. <
  26. Kozanecki, B.J. Sealy, K. Homewood. //J. Alloys Compd. 2000 — Vol. 300−301 — P.61−64• 1
  27. M. V. Volkin, J. Jorne, P.M. Fauchet et al. // Phys. Rev. Lett. 1999 — Vol.82 — P. 197−200.1
  28. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной ' I Iтемпературе / Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, И. Е. Шеек и др. // ФТП -2011 Т.45. В 8 1. I Р., 1038−10 401. I !!
  29. Соболев, ?М. С. Бреслер., О. Б Гусев и др. // ФТП 1995 — Т. 28, B. l 1 — С. 1995−2000.1.I
  30. , Э.А. Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода / Штейман Э. А. // ФТТ -2005 Т.47, В.1 — С.9−12. (
  31. Light guiding in oxidised porous silicon optical waveguides / Maiello G., La Monica S., Ferrari A.-et al. // Thin Solid Films 1997 — Vol. 297 — P.311−314i < i311 ' ' '
  32. Homewood, К. P. Light from Si via dislocation loops / K.P. Homewood, M.A. Lourenco //, il i Ii MaterialsiToday 2005 (January) — P.34−39.
  33. Adler, 'D.L. Local structure of 1.54-pm-luminescence Er3+ implanted in Si / D.L. Adler, i
  34. DJC. Jacobson, D.J. Eaglesham // Appl. Phys. Lett. -1993 Vol.61 — P. 2181−2183 5^. Namavar F., Lu F., Perry C.H. et al. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. — 1995 — Vol. 358, P.1.i35. ! i 1 ! 5 7. ¡-Shin]В
  35. Jung H. Origin of the 1.54pm luminescence of erbium-implanted porous silicon / Jung
  36. Shin, G. N. van den Hoven and A. Polman // Appl.Phys. Lett. 1995 — Vol.66 — P.2379−2381
  37. Erbium luminescence in porous silicon doped from spinon films / A.M. Dorofeev, N.V.I
  38. Gaponenko, V.P. Bondarenko et al. // J. Appl. Phys. -1995 Vol.77 — P.2679−268
  39. Luminescent properties of visible and near-infrared emissions from porous silicon preparedi'
  40. On the origin of 1.5 pm luminescence in porous silicon coated with sol-gel derived erbium doped Fe^s films / N.V. Gaponenko, A.V. Mudryi, O.V. Sergeev et al. // J. Lumin. 1999.1. Vi80. -P.399−403.i I
  41. Lopez, Herman A. Porous Silicon Nanocomposites for Optoelectronics andj t
  42. Telecommunication Application / Herman A. Lopez University of Rochester. Rochester, New1. York, 200*1 216 c. iI
  43. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics / O. Bisi, S. i
  44. Ossicini, Ij. Pavesi // Surface Science Reports 2000 — Vol.38 — 126 p.
  45. Raman and Optical Characterization of Porous Silicon / J. V. Harvey, M. Shen, R.A. Lux et alJ // Mater Res. Soc.Symp. Proc. 1992 -Vol. 256 — P. 175
  46. Tsybekov, L. Blue emission in porous silicon: Oxygen-related photoluminescencei, ii i i ii
  47. Tsybeskov, J.V. Vandyshev, and P.M. Fauchet. // Phys. Rev. B. 1994 — Vol. 49 — P.782'1−7824.i
  48. Oxidation and Other Treatments Help Us Understand the Nature of Light-Emitting ' Porous Silicon? / P.M. Fauchet, E. Ettedgui, A. Raisanen et al.//Mat. Res. Soc. Symp. Proc.9t93 Vol.298 — P.307.1
  49. Pavesi, L «Porous silicon dielectric multilayers and microcavities» / L. Pavesi // La Rivistadel Nuovo Cimento 1997 — Vol.20 — P. 1−76.: n, i ii 1 И1 it 1 if
  50. Optical band gap of Si nanoclusters / C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo / J. Lumin. -1999 j 1 Vol.80 -P'65−73.i ii, iи 1
  51. Structural change from crystalline to amorphous states in siloxene by thermal annealing /1.i
  52. H. Ubara, T. Imura, A. Hikari et al. // J. Non-Cryst. Solids 1983 — Vol. 59 -60 — P.641−644.
  53. H.E. Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии: i11 '
  54. Дисс. кандидата физ.-мат. наук Н. Новгород 2010 — 143с. i •!1.'! 1
  55. Bardeleben"D. Stievenard, A. Grosman et al. // Phys. Rev. 1993. — Vol. 47. — P. 10 899 — 10 902 1.| i 1179.' Stesmans, A. / Undetectability of the point defect as an interface state in thermal (100)1."
  56. SiySi02 / X. Stesmans, V.V. Afanas’ev // J. Phys. Condens. Mat. 1998. — Vol. 10. — P. L1915. -
  57. Brandt, M.S. Spin-dependent effects in porous silicon / M.S. Brandt, M. Stutzman // Appl.
  58. Pliys. Lett! 1992. — Vol. 61. — P. 2569 — 2571. it! ii i
  59. Electron paramagnetic resonance in heat treated porous silicon / R. Laiho, L.S. Vlasenko,') M-.M. Afanasiev, M.P. Vlasenko // J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 76 — P. 4290−4293.1.i
  60. , H.E. Демидова, В.Н. Шабанов. // ФТП. 1994. — Т. 28, В.4. — С. 701 — 705. ii Iг! i ii i !
  61. Weber, E.R. Electronic paramagnetic resonance characterization of defects insemiconductors / E.R.Weber // SPIE, 524 Spectroscopic Characterization Techniques for’jii ''
  62. Semiconductor Technology II. 1985. — P. 160. 11.!8(7. Яхкинд А. Физико-химические свойства и структура теллуритных стёкол. / Под. ред. ,• |
  63. AJ Власова. и В. Флоринской. JL: Химия, 1974 — 353с. | 1
  64. Rare-|earth doped tungsten tellurite glasses and waveguides: fabrication and characterizationi
  65. Conti G Nunzi, S. Bernesch, M. Betinelli et al. // J. of Non-Crystalline Solids 2004 — P 343J, ii I348 I
  66. , Ю.И. Получение плёнок твёрдого электролита на основе стабилизированного скандием диоксида циркония методом ВЧ-магнетронногоосаждения. Описание к лабораторной работе. / Ю. И. Чигиринский, В. А Новиков /!
  67. Н.'Новгор'од изд-во ННГУ, 1997 — 15с. j1.?1 I 'i
  68. , Е.С. Дискретное туннелирование дырок в пористом кремнии / ЕС. Демидов '
  69. В'.| В. Карз'анов, В. Г Шенгуров //, Письма в ЖЭТФ 1998 — Т. 67, В. 10 — с. 794 -797.1.I
  70. Е.Б. Получение плёнок вольфрам-теллуритного стекла методом ВЧ-магнетронного распыления и исследование их оптических свойств: Дисс. кандидата физ1 Iмат наук.|- Н. Новгород 2006.
  71. Пики избыточных шумов диодных структур на пористом кремнии / Демидов Е. С.,! i| I I I ' I
  72. Н.Е., Карзанов В. В., Шабанов В.Н//, Письма в ЖЭТФ 2002 — Т. 75, В 11 -С.I63−675. .I
  73. Физика твёрдого тела 2005 — В 8 — С. 22−46.
  74. , И. О Кинетические явления и эффекты дискретности заряда ' в1.Iгранулированных средах / И. О Кулик, Р. И. Шехтер //ЖЭТФ — 1975 — Т 68 — С. 623 640, I129I1. i i
  75. Дискретное туннелирование в электронных транспортных свойствах1.'Iнаногранулнрованного пористого кремния и подобных гетерофазных системах / Демидов1.' !
  76. E.G., Демидова Н. Е., Карзанов В. В. и др. / ФТТ 2009 — Т.51, В. 10 — С. 1894−19 009?7. Налимов В. В. Статистические методы планирования экстремальных экспериментов /i' II
  77. В .(В. Налимов, Н.А. Чернова-М.: Наука, 1965 340 с.98. Patent USA, N: US 6,266,181 Bl. 24. 07. 2001. Tellurite Glass, Optical amplifier, and '1.?I 11. ght Source. Assignee: Nippon Telegraph and Telefon Corporation, Shinjuku-ku (JP). / Ohishi11 '
  78. Yj- Mori A.- Yamada M.- Ono H.- Kanamori Т.- Shimada T. i iк i
  79. Interaction between Er ions and shallow impurities in Si nanocrystals within SIO2 / K. i ! i Imakita, I^Fujii, Y. Yamaguchi, S. Hayashi // Phys. Rev. B. 2005. — Vol.71. — P. 115 440 11?5446. I1. I iM ?
  80. Люминесцентные свойства пористого кремния, сформированного на п± и р+| 'монокристаллах, легированных ионной имплантацией бора или фосфора / Е. С. Демидов, I
  81. Photoluminescence of porous silicon stain etched and doped with erbium and ytterbium /
  82. BJ Diaz-Herrera, В. Gonzalez-Diaz, R. Guerrero-Lemus et al. // Physica E. 2008i 'i I• doi:10.1016/j.physe.2008.09.015.1 '! >i '
  83. Control of photoluminescence properties of Si nanocrystals by simultaneously doping n• Iand p-type impurities / M. Fujii, Y. Yamaguchi, Y. Takase et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. -' Vol.85 -P.1158−1160.1-P. 537−5,39.1
  84. Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные! 'i1.в слоях S1O2 / Г. А. Качурин, С. Г. Яновская, М.-О. Ruault et al. // ФТП. 2000. — Т.34, № 8. 1 СЛ 004−1009.i
  85. Defect production and annealing in ion-irradiated Si nanocrystals / D. Pacifici, E.C., Moreira, G. iFranzo et al. / Phys. Rev. B. 2002. — Vol.65. — P.144−109.1. S > ! ! 1 !| '130h, 1. I if I .)l
  86. Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации1.1 В нанокристаллы кремния / Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин и др. // ФТП. 2008. 1. i T.42,№ 9.!-C.l 145−1149.'I
  87. Effect of ion doping with donor and acceptor impurities on intensity and lifetime of1• | 'I I i -j i photoluminescence from S1O2 films with silicon quantum dots / A.N. Mikhaylov, Ю,.1.'|
  88. Fabrication and emission properties of Er3+/Yb3+ codoped tellurite glass fiber for broadband optical amplification / J. Zhang, S. Dai, G. Wang et al. // J. Lumin. 2005. — Vol.115.1.j P.45−52.и 1 I
  89. Co. Pte. Ltd., 2009. 452 p. !, 1. + !'• lil5. Guha, S. Characterization of Si+ ion-implanted Si02 films and silica glasses / Soumyendu1 I 1 I 1• Guha // Jj’Appl. Phys. 1998. — Vol.84, № 9. — P.5210−5217.i
  90. Optical and electrical properties of Si-nanocrystals ion beam synthesized in Si02 / B.1
  91. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez et al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2004. — Vol. 21'6. — P.213−221. j1 1 i
  92. , М.В. Карзанова, Ю.И. Калинина // Сборник трудов Девятой >
  93. И. А. Гришин, О. Н. Горшков, Е С. Демидов, М. В. Карзанова и др. // Тезисы I Iдокладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых учёных -1.и
  94. Школы молодых ученых и специалистов «КРЕМНИИ 2011″. Москва, НИТУ
  95. CI Демидов, Ю. И. Чигиринский, Е.А. Европейцев// Труды V Всероссийскойшколы-семинара студентов, аспирантов и молодых учёных по направлению
  96. Диагностика наноматериалов и наноструктур». г. Рязань, 17−20 сентября 2012 г. —: '1. С.7^-73.: ¦ j ' || ' ¡-i18А. ИКтЛюминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов /
Заполнить форму текущей работой

На отлично!