Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Экспериментальная установка для исследования вакуумно-плазменных процессов обработки кварца

Диссертация: Экспериментальная установка для исследования вакуумно-плазменных процессов обработки кварца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В производстве микросхем в настоящее время широко используются процессы, происходящие в низкотемпературной неравновесной плазме. Данные процессы используются для очистки поверхности подложек, травления рабочих слоев, удаления резиста. Применение плазменных технологий позволяет увеличить разрешающую способность, повысить производительность труда, дает возможность автоматизировать производство… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений и обозначений
  • Глава 1. Плазменные процессы травления и обработки кварца
    • 1. 1. Классификация методов травления и обработки материалов с использованием низкотемпературной газоразрядной плазмы
    • 1. 2. Вакуумно-технические параметры травления материалов
    • 1. 3. Сравнительный анализ различных методов травления 15 1.3.1. Ионно-плазменное травление 15 1.3.2 Ионно-лучевое травление
      • 1. 3. 3. Реактивное ионно-плазменное и реактивное ионно-лучевое травление
      • 1. 3. 4. Плазменное травление
    • 1. 4. Особенности построения оборудования для реализации процессов вакуумного плазменного травления
      • 1. 4. 1. Требования к вакуумным откачным средствам
      • 1. 4. 2. Особенности построения реакторов для реализации ВПТ
    • 1. 5. Особенности ВПТ кварца
  • Глава 2. Оборудование для травления и обработки кварца
    • 2. 1. Установка для высокоскоростного травления кварца
      • 2. 1. 1. Базовая установка травления
      • 2. 1. 2. Модернизация установки травления
    • 2. 2. Установка для проведения процессов ионно-плазменного и ионно-лучевого травления и обработки кварца
  • Глава 3. Приборы контроля газовой среды и изменения ее состава, методики измерения скорости травления, шероховатости поверхности кварца при ВПТ
    • 3. 1. Устройство для утилизации хлорсодержащих газов
    • 3. 2. Методы контроля травления и обработки кварца
      • 3. 2. 1. Контроль скорости травления
      • 3. 2. 2. Методика измерения скорости травления кварца
      • 3. 2. 3. Контроль параметров поверхности кварца после обработки в плазме
      • 3. 2. 4. Методика измерения шероховатости кварца
  • Глава 4. Особенности вакуумного плазменного травления кварца
    • 4. 1. Необходимость разработки методов ВПТ кварца
    • 4. 2. Моделирование процессов травления кварца
    • 4. 3. Локальное ВЧ магнетронное реактивно-ионное травление кварца
    • 4. 4. Особенности ионно-лучевого травления кварца в аргоне и среде фтор- и хлорсодержащих газов
      • 4. 4. 1. Ионно-лучевое травление в хлорсодержащих газах
      • 4. 4. 2. Реактивное ионно-лучевое травление в среде СР
      • 4. 4. 3. Ионно-лучевое травление в среде Аг
  • Глава5. Влияние ионно-плазменной и ионно-лучевой обработки кварца на его шероховатость
    • 5. 1. Шероховатость. Методы уменьшения шероховатости
    • 5. 2. Фрактальные параметры
    • 5. 3. Влияние ИЛТ на шероховатость поверхности кварца
    • 5. 4. Зависимость шероховатости и фрактальности поверхности кварца от среды проведения ИПТ
  • Основные научные результаты и
  • выводы
  • Список публикаций по теме диссертации

Экспериментальная установка для исследования вакуумно-плазменных процессов обработки кварца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

В производстве микросхем в настоящее время широко используются процессы, происходящие в низкотемпературной неравновесной плазме. Данные процессы используются для очистки поверхности подложек, травления рабочих слоев, удаления резиста. Применение плазменных технологий позволяет увеличить разрешающую способность, повысить производительность труда, дает возможность автоматизировать производство микросхем и перейти от жидкостных технологий к методам сухой вакуумной литографии [1]. Хотя физические явления, происходящие в плазме и на поверхности подложек, до конца не исследованы, они весьма перспективны для изготовления различных изделий.

Низкотемпературную неравновесную плазму перспективно применять для травления кварца, который широко используется в качестве материала чувствительного элемента твердотельного волнового гироскопа [2], корпусов специализированных микросхем, подложек для ГИС СВЧ и устройств на поверхностных акустических волнах [3]. Плазменное травление кварца можно применять как для удаления «трещиноватого» слоя, возникающего при его механической обработке, так и для его высокоточной размерной обработки, что избавит от необходимости анизотропного травления в плавиковой кислоте, применяемого в настоящее время. Специализированного оборудования для высокоточной размерной обработки кварца промышленностью не выпускается, поэтому необходима модернизация уже имеющихся установок ион-но-плазменного травления.

При реактивном ионно-плазменном травлении используются высокотоксичные газы и жидкости, поэтому задача утилизации продуктов реакции требует своего решения.

В связи с вышеизложенным исследование процессов вакуумно-плазменного травления и обработки кварца является актуальной задачей.

Целью настоящей работы является разработка экспериментальной установки для исследования обработки кварца в низкотемпературной плазме аргона, кислорода, фтор — и хлорсодержащих газов.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Разработка оборудования и приборов, обеспечивающих высокоскоростное размерное травление, ионно-лучевую и ионно-плазменную полировку кварца.

2. Разработка устройства утилизации хлорсодержащих газов, переводящего хлорсодержащие газы в неактивные соединения с низким давлением насыщенных паров.

3. Исследование возможности использования твердотельного источника фтора для ионно-лучевого травления кварца.

4. Определение режимов ионно-лучевых и ионно-плазменных процессов травления и полировки кварца.

Научная новизна работы.

1. Впервые разработана конструкция и схема расположения катодного и анодного узлов, обеспечивающих высокие скорости ионного и реактивно-ионного травления различных материалов. Определены оптимальные режимы травления кварца.

2. Впервые предложено устройство для утилизации хлорсодержащих газов и (или) изменения состава рабочего газа.

3. Определены оптимальные режимы процессов реактивного ионно-лучевого травления кварца в различных хлорсодержащих газах.

4. Впервые исследованы возможности использования твердотельного источника фтора для ионно-лучевого травления кварца.

5. Определены оптимальные режимы ионно-лучевых и ионно-плазменных процессов полировки кварца.

Практическая ценность работы.

Результаты диссертационной работы могут быть использованы при разработке процессов изготовления изделий из плавленого кварца, а также при финишной обработке подложек. Разработанные конструкции и устройства могут быть использованы в лабораторных приборах, в технологических процессах изготовления изделий микромеханики и микроэлектроники.

Положения, выносимые на защиту;

1. Конструкция электрода с кольцевым выступом, обеспечивающим напуск рабочего газа непосредственно в зону эрозии, увеличивает скорость травления в 4−5 раз и позволяет получать углубления до 150 мкм с резко обозначенным профилем.

2. Расположение цилиндрического магнетрона на реакторе и напуск газа через него позволяют изменять состав реактивного рабочего газа. Использование цилиндрического магнетрона при расположении его между реактором и высоковакуумным насосом позволяет утилизировать хлорсодержащие газы и защитить средства откачки. Наиболее эффективно (95−98%) утилизация хлорсодержащего газа происходит при использовании мишени из молибдена.

3. Максимальная скорость реактивного ионно-лучевого травления плавленого кварца в S1CI4 определяется давлением рабочего газа и ускоряющим напряжением, а в СС14 — еще и концентрацией кислорода в смеси рабочего газа.

4. Использование твердотельного источника фтора при ионно-лучевом травлении кварца дает увеличение скорости в 1,7 — 2,8 раза.

5. Определены режимы ионно-плазменной обработки, обеспечивающие уменьшение шероховатости кварца.

Личный вклад автора.

Диссертация является самостоятельной работой, обобщившей результаты, полученные лично автором. Постановка задач исследований, определение методов решения и анализ результатов исследований выполнены совместно с научным руководителем и соавторами опубликованных работ.

Апробация работы.

Основные положения диссертационной работы обсуждались и докладывались на Всесоюзном постоянном научно-техническом семинаре «Низкотемпературные технологические процессы в электронике», Ижевск, 1990; Первом Всесоюзном постоянном семинаре «Низкотемпературное легирование полупроводников и многослойных структур микроэлектроники», Устинов, 1987; Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике, Тбилиси, 1987; Научной конференции с международным участием «75 лет высшему образованию в Удмуртии», Ижевск, 2006; XVIII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», Москва, 2007.

Публикации.

Общее число публикаций — 15. Из них 7 статей, в том числе 6 статей в ведущих рецензируемых журналах (список ВАК), 1 авторское свидетельство, 7 публикаций в материалах научно-технических конференций.

Структура и объем диссертации

.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав с краткими выводами по каждой главе, заключения, списка цитируемой литературы и приложений. Она включает 138 страниц машинописного текста, 42 рисунка, 10 таблиц и библиографию из 84 наименований.

Выводы по пятой главе.

1. При ИЛТ в аргоне улучшение параметров поверхности материала в первом цикле (мягкий режим) составляет, в среднем, около 40%. Второй цикл обработки (жесткий режим) дает улучшение около 75%.

2. Исследовано влияния угла падения ионов аргона на шероховатость поверхности кварца. При ионно-лучевом травлении кварца в среде Аг улучшение наблюдается при углах 75°, 60°, 45°, в остальных случаях идет ухудшение статистических параметров. Рекомендуется травление при 60°.

3. В результатах, полученных при РИЛТ в 8Ю4 и СС14, наблюдается увеличение параметров шероховатости по сравнению с исходными образцами. В первом цикле (мягкий режим) статистические параметры обработанной поверхности ухудшились, в целом, на 40%.Во втором цикле (жесткий режим) параметры обработанной поверхности ухудшились на 80%.

4. Оптимальные режимы обработки ИПТ:

Араз = 200 Вт, Р = 1 Па, уменьшение шероховатости в 5 раз (Среда — 02). АРаз=100 — 200Вт, Р = 1 Па, уменьшение шероховатости в 3 раза (СредаАг).

Основные научные результаты и выводы.

1. Разработана конструкция и схема расположения катодного и анодного узлов, обеспечивающие высокие скорости ионного и реактивно-ионного травления различных материалов.

2. Разработано устройство для утилизации хлорсодержащих газов и (или) изменения состава рабочего газа. Наиболее эффективно (95−98%) утилизация происходит при использовании мишени из молибдена.

3. Исследовано реактивное ионно-лучевое травление кварца в хлорсодержащих газах. Определены режимы травления кварца, обеспечивающие высокие скорости травления: травление в 8Ю4: давление — 1,2−10″ 1 Па, ускоряющее напряжение — 1,5 кВ, ток разряда — 110 тА, скорость травления — 61нм/минтравление в смеси СС14 и 02: рабочее давление — 1,4−10″ 1 Па, ускоряющее напряжение — 1,5 кВ, ток разряда — 160 тА, скорость травления -158 нм/мин, оптимальная концентрация 02 в СС14 — 20%;

4. Исследовано ионно-лучевое травление кварца с использованием твердотельного источника фтора. Использование твердотельного источника фтора при ионно-лучевом травлении кварца дает увеличение скорости травления в 1,7 — 2,8 раза и составляет 60 нм/мин.

5. Исследованы ионно-лучевые и ионно-плазменные процессы полировки кварца. Определены режимы ионно-плазменной обработки, обеспечивающие уменьшение шероховатости кварца в 5 раз: мощность разряда — 300 Вт, давление — 1 Па, среда — 02.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ Статьи.

1. Ветошкин В. М., Васюта O.K., Крылов П. Н., Алалыкин С. С. Локальное высокочастотное магнетронное реактивно-ионное травление кварца. Приборы и техника эксперимента, 2002, № 6, С. 123−126.

2. Ветошкин В. М., Крылов П. Н, Данилов A.A. Использование высокочастотного магнетронного разряда для утилизации хлорсодержащих газов. //Приборы и техника эксперимента. 2003, № 4. С. 134−137.

3. Ветошкин В. М., Крылов П. Н. Алалыкин A.C. Исследование процессов ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления плавленого кварца. //Вакуумная техника pi технология, 2005, Т. 15. № 3. С. 239−246.

4. Ветошкин В. М., Крылов П. Н. Влияние обработки низкоэнергетическими ионами на шероховатость подложек из ситалла, поликора, кварца. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008, № 10. С. 57−59.

5. Ветошкин В. М., Крылов П. Н., Романов Э. А. Исследование влияния режимов ионно-плазменной обработки на шероховатость подложек из кварца, поликора и ситалла. //Вакуумная техника и технология, 2008, Т. 18. № 2. С. 81−86.

6. Ветошкин В. М., Крылов П. Н. Особенности ионно-лучевого травления кварца в среде хлорсодержащих газов. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009, № 1. С. 93−95.

7. Акашкин A.C., Ветошкин В. М., Печенкин Н. Е. Устройство для обработки подложек в вакууме. Автор. свид.№ 1 665 858 С23С 14/34 зарегистр. 22. 03. 1991.

8. Ветошкин В. М.,, Крылов П. Н., Шинкевич М. В Особенности ионно-лучевого травления кварца и кремния в среде хлорсодержащих газов. //Вестник УдГУ, сер. «Физика». 2007, № 4. С. 67−76.

Материалы конференций.

1. Акашкин A.C., Ветошкин В. М., Печенкин Н. Е. Особенности ВЧ-магнетронного травления кварцевого стекла. //Тезисы докладов Всесоюзного научно-технического семинара «Низкотемпературные технологические процессы в электронике». Ижевск. 1990, С. 101.

2. Акашкин A.C., Ветошкин В. М., Перевозчиков Б. Н., Мартынова Т. Н. Утилизация продуктов плазмохимических реакций. //Материалы Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Рига. 1994, С. 9.

3. Ветошкин В. М., Крылов П. Н. Высокоскоростное ВЧ-магнетронное реактивно-ионное травление кварца. //Труды IV Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск. 2001, С. ???

4. Ветошкин В. М., Крылов П. Н. Травление кварца и кремния в среде SiC14, CC14. //Тезисы докладов научной конференции с международным участием «75 лет высшему образованию в Удмуртии». Ижевск. 2006, С. 48.

5. Ветошкин В. М., Крылов П. Н., Шинкевич М. В. Влияние ионно-лучевой обработки на шероховатость поверхности подложек. //Тезисы докладов научной конференции с международным участием «75 лет высшему образованию в Удмуртии». Ижевск. 2006, С. 47.

6. Ветошкин В. М., Крылов П. Н. Влияние обработки низкоэнергетическими ионами на шероховатость подложек из ситалла, поликора кварца. //Труды восемнадцатой международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью». М., 2007, Т.1. С. 127−129.

7. Ветошкин В. М., Крылов П. Н. Особенности ионно-лучевого травления кварца в среде хлорсодержащих газов. //Труды восемнадцатой международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью». М., 2007, Т.1.С. 130−132.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Плазменная технология в производстве СБИС: Перевод с англ. С сокращениями./ Под редакцией Н. Айнспрука, Д. Брауна. — М.: Мир, 1987.
  2. В. А. Матвеев. В. И. Липатников. Проектирование волновых твердотельных гироскопов. Издательство МГТУ им. Н, Э. Баумана.
  3. А. А. Голубский, Н. Г. Казанцева, А. А. Лавренов, А. В. Лушников, Ю. Г. Жукова. Пав-резонаторы с отражательными решетками в виде канавок.// Материалы Международной научно-практической конференции, 2003, с.
  4. В. Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ион-но-химическое травление микроструктур. —М.: Радио и связь, 1983.
  5. J. M. Е., Cuomo J. J., Kaufman H. R. Material Processing with Broad-Beam Ion Sources // Ann. Rev. Mater. Sei. 1983, Vol. 15, № 1, p. 413−439.
  6. Chuang T. J. Laser-Enchanced Gas-Surface Chemistry: Basic Processes and Applications //J. Vac. Sei. Technol. 1982. Vol. 21, № 3. P. 798−806.
  7. Mcbrath T. Applications Of Excimer Lasers in Microelectronics // Solid State Technol. 1983. Vol. 26, № 12. P.165−169.
  8. Coburn J. W., Winters H. F. Plasma-Assisted Etching in Microfabrication // Ann. Rev. Mater. Sei. 1983, № 13, p. 91−116.
  9. . С., Киреев В. Ю. Вакуумно-технические проблемы ионного, ионно-химического и плазмохимического травления: Обзоры по электронной технике. Сер. 3. Микроэлектроника. 1985, вып. 5(1050) (ЦНИИ «Электроника»).
  10. . С., Киреев В. Ю., Сырчин В. К. Энергетическая эффективность процесса ионного распыления материалов и систем для его реализации //Физика и химия обработки материалов. 1979. № 2. С. 52−56.
  11. Распыление твёрдых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериша: перевод с англ. -М.: Мир, 1984.
  12. . С., Киреев В. Ю. Ионное травление микроструктур. -М.: Советское радио, 1979.
  13. H. В. Физические проблемы катодного распыления. —М.: ИАЭ им. И. В. Курчатова, 1979.
  14. Westwood W. D. Calculation of Deposition Rates in Diode Sputtered Systems //J. Vac. Sci. Technol. 1978, Vol. 15, № 1, P. 1−9.
  15. Meyer K., Shuller I. K., Falco С. M. Thermalization of Sputtered Atoms // J. Appl. Phys. 1981, Vol. 52, № 9, p. 5803−5805.
  16. Mase H., Tanabe T., Miyamoto G. Direct Measurement of Diffusion Coefficients of Sputtered Atoms in Ar//J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, № 5, p. 36 843 686.
  17. Bollinger D., Lida S., Matsumoto O. Reactive Ion Etching: It’s Basis and Future // Solid State Technology. 1984, Vol. 27, № 5−6, p. 111−117, 167−173.
  18. . С. Магнетронные распылительные системы универсальный метод получения тонкоплёночных структур // Электронная техника. Сер. 6. Материалы 1983. Вып. 6 (179), с. 65−73.
  19. . С., Киреев В. Ю., Назаров Д. А. Реактивное ионное травление. //Обзоры по электронной технике. Сер. 3. Микроэлектроника. 1984.Вып. 1 (1010) (ЦНИИ Электроника). 71 с.
  20. Rewell P. J., Goldspink G. F. A Revew of Reactive Ion Beam Etching for Production // Vacuum. 1984. Vol. 34, № 3−4. p. 455−462.
  21. Ким В., Киреев В. Ю., Назаров Д. А. Ионно-лучевое и реактивное ион-но-лучевое травление материалов ионами низких энергий. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1983. Вып. 3 с. 69−72.
  22. О. И., Гусев В. В., Васильков А. К., Кузнецов В. И., Сологуб В. А., Любимов О. И. Устройство травления изделий в вакууме. Авторское свидетельство 1 505 340 от 06.04.87.
  23. С. О., Гурский Л. И., Дударчик А. И., Зеленин В. А., Паничев М. И., Рудцевич И. И. Устройство для вакуумно-плазменного травления платин из немагнитных материалов. Авторское свидетельство 1 289 308 от 18.06.85.
  24. Н. М., Буравцев А. Т., Красанов В. Г., Логунов В. И., Митин Ю. А., Нагурский В. Б. Устройство ионного травления. Авторское свидетельство 1 036 076 от 01.06.81.
  25. Etchihg Characteristics of n+Poly-S ahd A1 Employing a Magnetron Plasma/H. Okano, Y. Horiike, T. Yamazaki e. a. //Jap. J. Appl. Phys. 1984. vol. 23, № 4. p. 482−486.
  26. К. M. Способ реактивного ионного травления тонких плёнок в ВЧ магнетронном разряде. Авторское свидетельство 1 602 283 от 04.10.88.
  27. Н. М., Красанов В. Г., Логунов В. И., Сатаров Г. X. Агрегат ионного и ионно-химического травления «Трион» с высокочастотной магнетронной системой // Электронная промышленность. 1980, № 5, с. 49−50
  28. В. Г., Пасечник Л. Л., Ягола В. В. Влияние магнитного поля на высокочастотный разряд // Физика плазмы. 1979, т.5, Вып. 1, с. 179 183.
  29. А. Ю., Сыргин В. К., Кремеров М. А., Ванин А. А., Кузнецов В. И. Способ плазмохимического травления диэлектрических и полупроводниковых материалов. Авторское свидетельство 1 308 109 от 08.07.85.
  30. В. М. Раскатов., В. С. Чуенков., Н. Ф. Бессонова. Машиностроительные материалы. Краткий справочник. М. Машиностроение. 1980
  31. А. В. Сулим Производство оптических деталей. Высшая школа Москва 1969
  32. . С., Киреев В. Ю., Кузнецов В. И. Вакуумно-плазменные методы травления микроструктур 4.1. Классификация и сопоставление процессов травления. //Электронная техника. Сер.6. Материалы 1982. Вып. 2 (163), с. 3−9.
  33. . С., Киреев В. Ю., Кузнецов В. И. Вакуумно-плазменные процессы травления микроструктур ч.2. Рабочие газы. //Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1982. Вып. 4(165), с.3−8.
  34. . С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов,— М.: Энергоатомиздат, 1987.
  35. Sato M., Nakamura H. The Effects of Mining N2 in CCI4 an Aluminium Reactive Ion Ettching// J. Electrochem. Soc. 1982. vol. 129, № 11. p. 2522−2527.
  36. M. Ю., Мышенков С. К., Тянгинский А. Ю., Борисов Ю. В., Густов А. Е., Кубрин В. И. Способ плазмохимического травления кварцевых пластин. Авторское свидетельство 1 288 640.
  37. В. А., Михайлов Л. Л., Степанов А. А. Устройство плазменного травления. Авторское свидетельство 1 561 756 от 12.04.88.
  38. Л. Н. Panno, С. В. Редкин и В. А. Юнкин Способ реактивного ионного травления монокристаллического кварца. Авторское свидетельство 1 436 776.
  39. В. Ю., Лаврищев В. П., МаховВ. И., Ястребов В. П. Устройство плазмохимического травления. Авторское свидетельство 1 010 881 от 25.02.80.
  40. Н.Г., Иванов В. И., Онсин В. И. Способ плазмохимического травления тонких пленок. Авторское свидетельство 1 210 616 от 08. 12. 82.
  41. Е. Ф., Медведев Н. Г., Гущин О. П. Способ реактивно-ионного травления пленок двуокиси кремния нитрида кремния на кремниевой подлжке. Авторское свидетельство 1 625 273 от 26. 05. 89.
  42. Установка реактивного ионно-плазменного травления со сканируемым ВЧ магнетроном. //Специальная техника связи. Серия «Технология про-изводстстваи оборудование». 1987 Выпуск 1 стр. 97−100
  43. Установка ионного травления УРМЗ.279.029. Техническое описание
  44. Ю.П., «Источники ионов для реактивного ионно-лучевого травления и нанесения пленок». //Электронная промышленность, 1990, № 5, стр. 15−18.
  45. Крылов П. Г Ветошкин В. М., Данилов А. А. Использование высокочастотного магнетронного разряда для утилизации хлорсодержащих газов. //Приборы и техника эксперимента, 2003,№ 4, стр. 134−137.
  46. Масс-спекрометр типа МХ-7304 ЦФ1.560. 014 ТО
  47. МИИ -4 Техническое описание и инструкция по эксплуатации. JIOMO, 1981.
  48. Коломийцов. Ю. В. Интерферометры. Основы инженерной теории. Применение. // Машиностроение, Ленинградское отделение, 1976
  49. Ф. П. Фотолитографические методы в технологии поупроводни-ковых приборов и интегральных микросхем. М.: Советское радио, 1978
  50. Сканирующий зондовый микроскоп Solver Р 47-PRO.
  51. В. Миронов Основы сканирующей зондовой микроскопии. Техносфера. М.2004
  52. Г. В., Ватолин H.A., Трусов В. Г., Моисеев Т. К. Применение ЭВМ для термодинамических расчетов металлургических процессов. М. Наука, 1982.
  53. В. М. Ветошкин, О. К. Васюта, П. Н. Крылов, С. С. Алалыкин Локальное высокочастотное магнетронное реактивно-ионное травление кварца. //Приборы и техника эксперимента, 2002, № 6, С. 123−126
  54. В. А., Хавин 3. Я. Краткий химический справочник. Издательство «Химия». Ленинградское отделение. 1977.
  55. А. С. Акашкин., В. М. Ветошкин., и Н. Е. Печенкин Устройство для обработки подложек в вакууме. Авторское свидетельство 1 665 858 от 22.08.89
  56. Е. В. Берлин., С. А. Данилин., Сейдмман Л. А. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок. Москва. Техносфера. 2007
  57. В. М. Ветошкин, П. Н. Крылов, М. В. Шинкевич Особенности ионно-лучевого травления кварца и кремния в среде хлорсодержащих газов. //Вестник УдГУ, сер. «Физика», 2007, № 4, с.67−76.
  58. В.М., Крылов П. Н. Особенности ионно-лучевого травления кварца в среде хлорсодержащих газов //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009, № 1. С. 93−95.
  59. В. М. Ветошкин, П. Н. Крылов, А. С. Алалыкин Исследование процессов ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления плавленого кварца //Вакуумная техника и технология, 2005, том 15, вып. З, с.239−246
  60. В. Ю., Чернышов А. И., Манукян А. А. Способ плазмохимиче-ского травления тонких пленок. Авторское свидетельство 1 574 115 от 06. 10. 87.
  61. А. И.,. Новицкий Н. Н.,. Стукалов О. М. Ионно-лучевое полирование наноразмерного рельефа поверхности оптических материалов. //Письма в ЖТФ-2002. Т.28.вып. 1. С. 39−48.
  62. В. М. Ветошкин, П. Н. Крылов, Романов. Исследование влияния режимов ионно-плазменной обработки на шероховатость подложек из кварца, поликора и ситалла. // Вакуумная техника и технология, 2008, Т. 18. № 2. С. 81−86.
  63. Р. И. Краткий справочник конструктора JI. Машиностроение. 1983
  64. А. А.,. Бушуев В. А., Караванский В. А. .Исследование шероховатостей поверхности и границ раздела пористого кремния высокоразрешающими рентгеновскими методами. //Кристаллография том 54 № 5 2000 стр. 915−920
  65. Н. В. Гапонов С. В., Миронов В. Л. Определение эффективной шероховатости подложек из стекла в рентгеновском диапазоне волн поданным атомно-силовой микроскопии. //Поверхность.-2001.-Т 1 С. 38 -42.
  66. Proved Т., Kunz B. Application of profilometry and fractal analysis to the characterization of coating surface roughness // Progress in Organic Coatings.- 1996.-V.27.-N.1−4.-P.219−226.
  67. Tong W.M., Williams R.S. Kinetics of Surface Growth: Phenomenology, Scaling, and Mechanisms of Smoothening and Roughening / Annu. Rev. Phys. Chem.-1994.-V.45.-P.401 -438.
  68. Collins G.W., Letts S.A., Fearon E.M., McEachern R.L., Bernat T.P. Surface Roughness Scaling of Plasma Polymer Films. // Phys. Rev Lett.-1994.-V.73.-№ 5.-P708−711.
  69. Krim J., Palasantzas G. Experimental observations of self-affme scaling and kinetic roughening at sub-micron lengthscales.// Int. J. Modern Physics B.-1995.-V.9.-№ 6.-P. 599−632.
  70. H. Iwamoto A., Yoshinohu T. // Mem. Inst. Sci. Res., Osaka Unv., 1994-V.51 .-P.35−43.
  71. П.А., Толстихина A.JI., Демидов В. П. Система параметров для анализа шероховатости и микрорельефа поверхности материалов в сканирующей зондовой микроскопии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. -19 990.-.т.65.-№ 9.-с.27−37.
  72. Mandellbrot В.В., Passoja D.E., Paullay A.J. Fractal character of fracture surfaces of metals. //Nature.-1984.-V.308.-P.721−722.
  73. Pfeifer P., Avnir D., Farin D. Scaling behavior of surface irregularity in the molecular domain: From absorption studies to fractal catalyst. // J. Stat. Phys.-1984.-V.36.-P.399−716.
  74. Palasantzas G. et al. Electrical conductivity and thin-film growth dynamics // Phys. Rev. B.-2000.-V.61.-N.16.-P.1109−1117.
  75. Zhao Y.-P., Wang G.-C., Lu T.-M., Palasantzas G., Hosson J. Th. M. De Surface-roughness effect on capacitance and leakage current of an insulating film. //Phys. Rev. B.-1999.-V.60.-N.12.-P.9157−9164.
  76. Hilders O.A., Pilo D. On the development of a relation between fractal dimension and impact toughness. // Materials characterization.-1997.-V.38.-N.3.-P.121−127.
  77. В. B. Mandelbrot. The fractal geometry of nature. N. Y. Freevfy, 1983
  78. Б. Мандельброт. Фрактальная геометрия природы. Москва. Институт компьютерных исследований, 2002
Заполнить форму текущей работой

На отлично!