Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Физико-химические закономерности химического осаждения гидратированных оксидов металлов с использованием органических соединений

Диссертация: Физико-химические закономерности химического осаждения гидратированных оксидов металлов с использованием органических соединений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Настоящий акт составлен в том, что на базе участка гальваники ЗАО «Практика» г. Златоуст проведены испытания процесса гальванического осаждения никеля на поверхности образцов неорганических диэлектриков (стекло, керамика) с использованием проводящего подслоя на основе диоксида олова, разработанного на кафедре технологии неорганических веществ УГТУ-УПИ под руководством доцента, к.х.н. Миролюбова… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Метод химического осаждения
    • 1. 2. Осадители, используемые в химическом осаждении
      • 1. 2. 1. Общая характеристика осадителей
      • 1. 2. 2. Реакции осадителей в водных растворах
    • 1. 3. Химическое осаждение гидратированных оксидов олова и сурьмы
      • 1. 3. 1. Способы осаждения гидратированных оксидов олова и сурьмы
      • 1. 3. 2. Фазовый состав и структура кислородных соединений олова
      • 1. 3. 3. Фазовый состав и структура кислородных соединений сурьмы
      • 1. 3. 4. Взаимодействие олова и сурьмы в водных растворах
    • 1. 4. Способы получения пленок оксида олова 33 1.4.1. Применение оксида олова
  • Выводы
  • Глава 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Исходные реактивы
    • 2. 2. Методика получения осадков
    • 2. 3. Методика осаждения пленок
    • 2. 4. Методы исследования структуры, состава и морфологии полученных образцов осадков и пленок
  • Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ГИДРОЛИТИЧЕСКИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ УРОТРОПИНА, ФОРМАМИДА И ДИМЕТИЛФОРМАМИДА
    • 3. 1. Изучение основных свойств осадителей 48 3.1.1. Изучение основных свойств ГМТА
    • 3. 2. Расчет ионных равновесий в системе «ГМТА — Н20» и «ГМТА — Н20 -НА»
    • 3. 3. Исследование кинетики гидролиза ГМТА, ФА и ДМФА
      • 3. 3. 1. Исследование кинетики кислотного гидролиза ГМТА
      • 3. 3. 2. Исследование кинетики щелочного гидролиза ФА и ДМФА
  • Выводы
  • Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ГИДРАТИРОВАННЫХ ОКСИДОВ ОЛОВА И СУРЬМЫ
    • 4. 1. Расчет условий осаждения оксидов олова и сурьмы в водных и фторидных растворах
      • 4. 1. 1. Расчет ионных равновесий в системе «ион олова (П)-гидроксид олова (II)»
      • 4. 1. 2. Расчет ионных равновесий в системе «ион олова (1У)-гидроксид олова (IV)»
      • 4. 1. 3. Расчет ионных равновесий в системе «ион сурьмы (Ш)-гидроксид сурьмы (III)»
    • 4. 2. Расчет ионных равновесий в системе «Sn (Sb)n± Н20 — ГМТА» и «Sn (Sb)n+ - Н20 — НА — ГМТА»
    • 4. 3. Изучение кинетических характеристик процесса «гомогенного» осаждения гидратированного оксида олова
  • Выводы
  • Глава 5. ИССЛЕДОВАНИЕ СОСТАВА, СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПОЛУЧЕНЫХ ОБРАЗЦОВ ПЛЕНОК И ОСАДКОВ ГИДРАТИРОВАННЫХ ОКСИДОВ ОЛОВА, СУРЬМЫ
    • 5. 1. Исследование образцов осадков
      • 5. 1. 1. Изучение фазового состава образцов
      • 5. 1. 2. Изучение процесса дегидратации методом ИК — спектроскопии
      • 5. 1. 3. Термогравиметрический анализ образцов
    • 5. 2. Гомогенное осаждение и исследование пленок оксида олова
      • 5. 2. 1. Некоторые закономерности кинетики роста пленок
      • 5. 2. 2. Оптические свойства и электропроводность
      • 5. 2. 3. Исследование морфологии и структуры пленок
  • Выводы

Физико-химические закономерности химического осаждения гидратированных оксидов металлов с использованием органических соединений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы Современная микроэлектроника предъявляет постоянно растущие требования к новым материалам, обладающим определенными электрическими, магнитными, оптическими и другими свойствами. Гидратированные оксиды металлов являются очень удобными прекурсорами для дальнейшего синтеза полупроводников, диэлектриков, ферро — и сегнетоэлектриков. Особую роль в этой группе оксидов занимает диоксид олова, который обладает рядом особенностей, вследствие чего электропроводящие порошки и тонкопленочные покрытия находят разнообразное применение. Поэтому исследование физико-химических основ получения покрытий оксида олова с заданными электропроводящими и оптическими свойствами остается актуальной задачей в настоящее время.

Несмотря на большое разнообразие существующих методов получения порошков и покрытий, осаждение из растворов разработано в наименьшей степени и носит несистемный характер, отсутствует теоретическая база для выбора подходящего осадителя, нет кинетических данных по осаждению гидратированного оксида олова. Подбор осадителя и концентрации компонентов системы «соль металла — осадитель — вода» осуществляется эмпирически. Вместе с тем, хорошо известно, что многие органические соединения, такие как карбамид, ГМТА, ФА и ДМФА, используются для осаждения гидратированных оксидов олова, сурьмы, алюминия, цинка и т. д.

Все вышесказанное обусловило актуальность настоящей работы, выполненной на кафедре технологии неорганических веществ Уральского государственного технического университета — УПИ.

Целью работы является изучение физико-химических закономерностей осаждения гидратированных оксидов металлов и разработка на их основе методов управляемого синтеза гидратированных легированного материала.

Научная новизна:

— Произведен термодинамический и кинетический анализ систем «Эп (II) -Н2Ом- «Бп (II) — Б — Н20» — «Бп (IV) — Н20» — «Бп (IV) — Б — Н20» — «БЬ (III) -Н2Ом- «БЬ (III) — Б — Н20» — позволяющий определить условия осаждения твердых гидратированных фаз.

— На основе термодинамического анализа условий осаждения гидратированных оксидов олова, сурьмы и кинетических характеристик гидролиза используемых осадителей предложена методика подбора необходимого осадителя.

— Разработан способ получения дисперсных порошков и тонких пленок электропроводящего материала на основе диоксида олова. Проведено исследование полученных образцов с использованием дифференциального термического анализа (ДТА), рентгенофазового анализа (РФА), ИК-спектроскопии и электронной микроскопии.

Практическая ценность.

— Найдены условия получения проводящих и прозрачных в видимой области спектра тонкопленочных покрытий на основе оксида олова, позволяющие осуществлять их целенаправленный синтез.

— Предложен подбор необходимого осадителя для осуществления синтеза порошков и пленок гидратированных оксидов металлов в условиях гомогенного осаждения исходя из расчета ионных равновесий в системе «Меп+ - Я — Н20» .

— Составлен препаративный регламент осаждения проводящего подслоя диоксида олова для металлизации неорганических диэлектриков. Проведены испытания подслоя для гальванического осаждения никеля.

Положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Термодинамический анализ процесса осаждения гидратированных оксидов олова и сурьмы слабыми органическими основаниями.

2. Определение константы протонизации ГМТА и ее температурной зависимости.

3. Кинетические закономерности кислотного гидролиза ГМТА и щелочного гидролиза ФА и ДМФА.

4. Кинетические закономерности гомогенного химического осаждения гидратированного оксида олова.

5. Определение фазового и химического состава продуктов осаждения.

Публикации и апробация работы.

По результатам исследования опубликовано 16 печатных работ, в том числе 5 статей в реферируемых журналах и сборниках трудов, 11 тезисов докладов в материалах региональных, российских и международных конференций.

Основные положения и результаты диссертации доложены и обсуждены на Всероссийской научно-практической конференции «Энергои ресурсосбережение. Нетрадиционные и возобновляемые источники энергии» (Екатеринбург, 2004), IX отчетной конференции молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ (Екатеринбург, 2006), X отчетной конференции молодых ученых УГТУ-УПИ (Екатеринбург, 2006), IV международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2006), межрегиональной научно-методической конференции «Актуальные проблемы химии и методики ее преподавания» (Нижний Новгород, 2006), XI отчетной конференции молодых ученых УГТУ-УПИ (Екатеринбург, 2007), Второй всероссийской конференции по наноматериалам НАНО-2007 (Новосибирск, 2007), VI Всероссийской конференции молодых ученых с международным участием (Саратов, 2007), VII Международной конференции Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии (Кисловодск — Ставрополь, 2007), Первой международной научной конференции НАН2 008 (Минск, 2008). Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы. Материал изложен на 152 страницах машинописного текста. Работа содержит 60 рисунков, 15 таблиц. Библиографический список состоит из 149 наименований.

Выводы.

1. Синтезировании образцы осадков в системах «8п (П Д У)-Н20 „,“ 8Ь (1П)-Н20» и ''8п (П, 1У)-8Ь (1П)-Н20″ и исследовании с привлечением различных физико-химических методов: ИК-спектроскопии, рентгенофазового и термогравиметрического анализа.

2. Изучены процессы фазообразования и дегидратации в системе «8п (П, 1У) — 8Ь (Ш) — Н20», протекающие при совместном осаждении и последующей термообработке.

3. Методом гомогенного химического осаждения получены пленки 8п02, обладающие хорошей электропроводностью и прозрачностью в видимой области спектра.

4. Получены образцы пленок индивидуального 8п02 и легированного 8п02(8Ь), установлено влияние легирующей добавки на оптические, проводящие свойства, а так же морфологию и структуру пленок.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Систематически исследованы ионные равновесия в системах «Меп+ - И. -Н20» и «Меп+ - К — Н20 — НА» для катиона олова и сурьмы. Теоретически предсказаны и экспериментально подтверждены области рН существования различных ионных форм в изученных системах и определены оптимальные условия гомогенного осаждения гидратированных оксидов металлов на инертную подложку. Показано влияние органического модификатора на состояние ионного равновесия в изученных системах.

2. Исследована кинетика кислотного гидролиза ГМТА и щелочного гидролиза ФА и ДМФА. Процесс описывается кинетическим уравнением реакции второго порядка, рассчитанные значения кажущейся энергии активации, энтальпии и энтропии переходного состояния составили: Еа (гмта) = 95.61±2.0 кДж/моль, Д8#298(гмта) = 52.93 Дж/моль-К, АН#298(гмта) = 90.65 кДж/мольЕа (фа) = 61.5±2.5 кДж/моль, А8#298(фа> = -74.46 Дж/моль-К, АН#298(фа) = 59.02 кДж/мольЕА (дмфа) = 62.1±5.0 кДж/моль, А8#298(дмфа) = -65.20 Дж/моль-К, АН'298(дмфа) = 60.02 кДж/моль.

3. Экспериментально определены значения константы, энтальпии и энтропии протонизации ГМТА, которые составили: К н = 7.9−104, ДН# =.

9.56±2 кДж/моль, д8# = 64.05 Дж/моль-К.

4. В рамках исследования кинетики осаждения гидратированного оксида олова из кислых растворов, для описания процесса получено новое кинетическое уравнение реакции второго порядка. Значение кажущейся энергии активации процесса составило 38.24±5 кДж/моль.

5. Изучены процессы термического превращения и фазообразования в системах: «8п (ПДУ) — Н20», «8Ь (III) — Н20», «8п (II, IV) — 8Ъ (III) — Н20», которые показали что при термической обработке осадков происходят последовательно процессы дегидратация, дегидроксилирования и окисления.

6. Методом гомогенного химического осаждения получены пленки индивидуального 8п02 и легированного 8Ь (III), обладающие хорошей электропроводимостью (Я ~ 103 — 1040м/п) и оптической прозрачностью 83−85% в видимой области спектра.

II'.

Утверждаю п.

1 г.

Утверждаю и есса металлизации неорганических диэлектриков через подслой проводящего диоксида олова.

Настоящий акт составлен в том, что на базе участка гальваники ЗАО «Практика» г. Златоуст проведены испытания процесса гальванического осаждения никеля на поверхности образцов неорганических диэлектриков (стекло, керамика) с использованием проводящего подслоя на основе диоксида олова, разработанного на кафедре технологии неорганических веществ УГТУ-УПИ под руководством доцента, к.х.н. Миролюбова В. Р. аспирантом Фетисовой Т.Н.

Испытанию подвергались образцы в виде пластин размером 2×3 см. Электрохимическое осаждение никеля проводилось с использованием стандартного сернокислотного электролита. .

В результате испытания установлено:

1. На поверхности образцов образуется покрытие блестящего никеля. Внешний вид и адгезия — удовлетворительные.

2. Процесс гальванического осаждения протекает при малой плотности тока по причине весьма значительного поверхностного сопротивления образцов, которое составляет 70 Ом/ш. Время осаждения составляет 15−45 мин.

Считаем, что после проведения дополнительных испытаний качества покрытий и подбора оптимального токового режима осаждения может быть рассмотрен вопрос об использовании предлагаемого метода для металлизации керамических изделий в промышленном масштабе.

К.х.н., доцент кафедры ТНВ УГТУ-УПИ Начальник участка ролюбов В.Р. гальваники ЗАО «Практика» .

Кузнецова Т.Г. м.

Ч^ги^сг^ Фетисова Т. Н. /.

2008 г.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.М. Химическое осаждение из растворов. Л.: Химия, 1980. 208 с.
  2. Г. А., Харрис В. Е. Химический анализ. М.: Химия. 1979. 642 с.
  3. В.П. Гидроокиси металлов. Киев, Наукова думка. 1972. 153 с.
  4. Fujita Kazumi, Nakamura Chizuko, Matsuda Keizo, Mitsuzawa Shunmei. Preparation of tin (II) oxide by a homogenedy precipitation metod // Bull. Chem. Soc. Jap. 1990. 63. № 9. P. 2718−2720.
  5. Matsumoto Taki, Kaneko Yoshiro, Kitamura Kenji. A novel synthetic route to layered double hydroxides using hexamethylenetetramine // J. Chemistry Letters. 2004. 33. № 9. P. 1122−1123.
  6. B.P. Органические основания как осадители гидратированных оксидов металлов. Расчет равновесий в системе «Меп+ R — Н20» // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2003. № 3. С. 5458.
  7. А.А., Пронин И. С., Брылкина Т. В., Макаров В. М. Спектры ПМР и протонномагнитная релаксация в гелеобразующей системе нитрат уранила гексаметилентетрамин — мочевина — вода // ЖНХ. 1979. Т 24. №Ю. С.2728−2732.
  8. В.А., Бадич В. Д., Калиниченко И. И. и др. Получение дисперсных оксидов осаждением из раствора сульфата хрома и алюминия карбамидом // Тр. Уральского научно-исслед. хим. ин-та. Свердловск. 1991. вып. 69. С.113−123.
  9. Л.Ф., Мигачев Б. А. Синтез и качество модифицированных соединений хрома (III). Екатеринбург. 1997. 231 с.
  10. Краткая химическая энциклопедия / Кнунянца И.JI. М. 1961.
  11. Дж. Ф. Формальдегид. М. 1957. 608 с.
  12. Органические растворители. Пер. с англ. М. 1958. С. 434−436.
  13. М. И., Котов В. И., в кн.: Справочник нефтехимика / Огородников С. К. Т. 2. Л. 1978. С. 295−297.
  14. В.А., Колдобский Г. И. Слабые органические основания. 1990.
  15. К. Соединения карбамида с неорганическими солями. Фрунзе. 1971.216 с.
  16. З.Ф., Шалимов А. Е. Рентгенофазовый анализ некоторых соединений мочевины с неорганическими солями. Известия АН. Каз ССР. Серия химическая. 1972. № 2. С. 16.
  17. Т.Н., Сурнина Д. Э. Координационные соединения олова (II) с мочевиной и тиомочевинной. Известия АН. Каз ССР. Серия химическая. 1968. № 3. С 26.
  18. Н.А., Цинцадзе Г. В., Харитонов Ю. Я. Координационные соединения металлов с формамидом. Ташкент. 1980. 113 с.
  19. В.А., Канаев А. Г. Хлоридные комплексы цинка в водно-диметилформамидных растворах // Известия вузов. Химия и химическая технология. 1987. 30. № 1. С.26−30.
  20. Combelas P., Costes М. Et Garrigou-Lagrange С. Protonation du N, N-dimethylformamide: etude par spectrometries vibrationnelle et electronique // Can. J. Chem. 1975. Vol. 53. P. 442−447.
  21. Н.В., Турьян Я. И. Исследование кинетики гидролиза N, N-диметилформамида в присутствии диметиламина // Журнал общей химии. 1972. 42, № 7. С. 1441−1446.
  22. Общая органическая химия / Под ред. Д. Бартона и У. Д. Оллиса. Т. 4. Карбоновые кислоты и их производные. Соединения фосфора / Под ред. О. И. Сезерленда. Пер. с англ. / Под. Ред. Н. К. Кочеткова, Э. Е. Нифантьева, М. А. Членова. М.: Химия. 1983. 728 с.
  23. К.К. Механизм реакций и строение органических соединений. М. 1959. 673 с.
  24. Jack Hine, Richard S.-M. King, W. Robert Midden, and Ashoke Sinha. Hydrolysis of Formamide at 80 °C and pH 1−9 // J. Org. Chem. 1981. 46. P. 3186−3189.
  25. Scyda K. Wlasnosci zasadowe I kinetyka kwasowej oraz spontanicznej hydrolizy mochznikow // Wiad Chem. 1978. 32. № 11. P. 773−787.
  26. В.И., Лебедев B.B. Синтез и применение карбамида. Л. 1970. 448 с.
  27. Йосидзуми Мотохико, Вакабояси Кунинаки, Цунадзима Макато, Мицубиси Киндзоку К. К. Получение тонкодисперсного диоксида олова. Заявка 59−182 229. Япония. Заявл. 30.03.83. № 58−52 439. Опубл. 17.10.84. МКИ C01G19/02.
  28. .П., Кузнецов А. Я. Характер нарушения стехиометрии иэлектропроводность моноокиси олова // Журнал физической химии. 1961. Т 35. № 1. С.80−83.
  29. Кочеткова Н. В, Топтыгина Г. М., Евдокимова В. И. Гидролитическоеосаждение олова (II) в хлоридных растворах // Журнал неорганической химии. 1994. Т 39. № 9. С.1449−1455.
  30. Т.Д., Апарнев А. И., Егорова Л. А. Образование твердыхрастворов сурьмы в диоксиде олова при высоких температурах // Неорганические материалы. 1998. Т 34. № 12. С. 1433−1435.
  31. ЗЗ.Окуда Хируо, Ямагути Тосинабу, Футаи Хидео, Такахаси Хидео, Исихара Санге К. К. Способ получения электропроводящего порошка. Заявка № 2−191 302. Япония. Заявл. 19.07.90. Опубл. 11.03.92. МКИ5 COI G30/00. C08K3/33.
  32. Масаси Сакамото, Окуда Хируо, Такахаси Хидео, Исихара Санге К.К.
  33. Получение электропроводного тонкодисперсного порошка. Заявка 61 286 224. Япония. Заявл. 12.06.85. № 60−127 469. Опубл. 16.12.86. МКИ СОЮЗ0/00, С08КЗ/22.
  34. Окадзаки Иодзи, Камияма Хиродзи, Такэути Масамицу, Фудзицу Сясин
  35. К.К. Получение тонкого порошка электропроводящего оксида олова. Заявка 61−122 123. Япония. Заявл. 17.11.84. № 59−242 618. Опубл. 10.06.86. МКИ COI Gl 9/00, С08КЗ/22.
  36. Окадзаки Иодзи, Камияма Кодзи, Такэути Седзо, Фудзицу Сясин
  37. К.К. Получение тонкого порошка электропроводящего оксида олова. Заявка 61−163 119. Япония. Заявл. 10.01.85. № 60−2523. Опубл. 23.07.86. МКИ C01G19/02. С08КЗ/22.
  38. Диаграммы состояния силикатных систем. Справочник. Выпуск второй.
  39. Металл-кислородные соединения силикатных систем. Торопов H.A., Барзаковский В. П., Бондарь И. А., Удалов Ю. Н. JI.: «Наука». 1969. 372 с.
  40. В.Б., Соболев В. В., Шаплыгин И. С. Химические и физическиесвойства простых оксидов металлов. М.: Наука. 1983. 239 с.
  41. Гидратированные оксиды элементов IV и V групп / Плетнев Р. Н., Ивакин
  42. A.A., Клещев Д. Г. и др. М.: Наука. 1986. 160 с.
  43. А. Структурная неорганическая химия: В 3-х т. Т. 3: Пер. с англ.1. М.: Мир. 1988. 564 с.
  44. Т.А., Плетнев Р. Н., Переляева Л.А.Физико-химическоеисследование свойств гидратированных продуктов олова (IV). Ин-т химии УНЦ АН СССР. Свердловск. 1983. 24 с. Деп. В ВИНИШ 02.08.83. № 4279.
  45. В. А., Карнаухов А. П., Тарасова Д. В., Физико-химическиеосновы синтеза окисных катализаторов, Новосибирск. 1978
  46. В. И. Гидратированные оксиды элементов IV и V групп. М. 1986.158 с.
  47. А. Структурная неорганическая химия: ВЗ-х т. Т. 2: Пер. с англ.1. М.: Мир. 1987. 696 с.
  48. Baes C.F., Mesmer R.E. The Hydrolysis of Cations. New York: John Wiley &1. Sons. 1976. 123 p.
  49. Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. М.: Химия. 1979. 480с.
  50. Gobom S. The hydrolysis of the tin (II) ion // Acte Chem. Scand. 1976. A30.9. P. 745−750
  51. Tobias R.S., Hugues Z. Least squares computer calculations of chloridecomplexing of tin (II), the hydrolysis of tin (II) and the validity of the ionic medium method//J. Phys. Chem. 1961. V 65. № 12. P. 2165−2169.
  52. Pettine M., Millero F.J. Hydrolysis of tin (II) in aqueous solutions // Anal.
  53. Chem. 1981. V 53. № 7. P. 1039−1043.
  54. Э.А., Мацеевский Б. П. О механизме реакции окисления кислородом хлорида олова (II) в водных солянокислых растворах // Кинетика и катализ. 1969. X. № 5. С. 997−1003.
  55. Shinohara Nabayoshi, Mori Katsuhiko, Ihowe Makato. Aqueous Chemistry of tin (II), a flash photolysis study// Chem. Lett. 1886. № 5. P. 661−664.
  56. Glodowski S., Kubli Z. Polerographic investigation of the stability of tin (II) solutions in the presence of some stabilizing Agents // Anal. Chem. Acta/ 1981. V.130. № 1. P.133−140.
  57. Химическое осаждение металлов из водных растворов / Свиридов В. В., Воробьева Т. Н., Гаевская Т. В., Степанова Л. И. Мн. 1987. 270 с.
  58. Справочник химика. Том III. Л.: Химия. 1008 с.
  59. Nikam P. S., Pawar R.R. Galvanomagnetic properties of airoxidized antimony films // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1985. 23. № 3. P. 171−173.
  60. Mar W.K., Yan H., Wong S/P., Wilson J.H., Wong T.K.S. Electrical properties and crystalline grains of vacuum-evaporated Sn02 thin films // Abstr. Mater.Res. Soc. Fall Meet, Boston, Mass. Nov. 27-Dec. 1. 1995. Boston (Mass.). 1995. P. 1−7.
  61. Abraham J.T., Koshy P., Vaidyan V.K., Mukheijee P. S., Guruswamy P., Prasanna Kumari L. XRD and SEM studies of reactively deposited tin oxide thin films // Bull. Mater. Sci. 1995. 18. № 5. p. 557−562.
  62. Hellmich W., Bosch-V., Braurmuhe Ch., Muller G., Sberveglieri G., Berti M., Perego C. The kinetics of formation of gas-sensetive RGTO- Sn02 films // Thin Solid Films. 1995. 263. № 2. P. 231−237.
  63. H.B. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. JL: Химия. 1971. 200 с.
  64. Muranaka Sh., Bando Y., Takada Т. Preparation and properties of Sb-doped Sn02 films by reactive evaporation // Bull. Inst. Res. Kyoto Univ. 1986.64. № 4. P.227−234.
  65. Ryu J.S., Takata M. Influence of powder target on gas sensing properties of sputtered tin oxide films // 2nd World Congr. «Part. Technol», Kyoto, Sept. 19−22. 1990. Pt 4. Tokyo. 1990. P. 518−525.
  66. Maruyama Т., Akagi Н. Fluorine-doped tin dioxide magnetron sputtering // J. Electrochem. Soc. 1996. 143. № 1. P. 782−787.
  67. Munsee C.L., Park C.-H., Hong D., Wager J.F., Keszler D.A. Tin oxide transparent thin-film transistors // Journal of Physics. 2004. 37. № 20. P. 2810−2813.
  68. Mukhitdinov A.M. Amorphous conducting tin oxide films obtained by reactive ion beam deposition // Abstr. Mater.Res. Soc. Fall Meet, Boston, Mass. Nov. 27-Dec. 1. 1995. Boston (Mass.). 1995. P. A7.39.
  69. Banerigle R., Das D. Properties of tin oxide films prepared by reactive electron beam evaporation//Thin Solid Films. 1987. 149. № 3. P.291−301.
  70. Бараненков И. В, Голованов И. А, Козыркин Б. И., Ларионова JI.H., Петров В. Н. Оптические и электрофизические характеристики пленок диоксида олова, полученных окислительным пиролизом тетраэтилолова // Металлорганическая химия. 1988.1.№ 3. С. 641−644.
  71. Badawy W.A., Er-Taher Е.А. Preparation and electrochemical behaviour of some metal oxide films // Thin Solid Films. 1988. 158. № 2. P. 277−284.
  72. Mohammad M.T., Abdul-Ghafor W.A. Properties of fluorine-doped Sn02 films prepared by the spricay pyrolysis technique // Phys. status solid. 1988. A 106. № 2. P. 479−484.
  73. Makida S, Nasu H, Imura T, Osaka I. The preparation of transparent conductive films by thermal decomposition of Sn (COOC7Hi5)2 and Sb (OCH3)3 // Mem. Fac. Eng. Hiroshima Univ. 1988. № 1. P. 1−5.
  74. Luo-Wen-xiu, Chun Yu Lao-chu, Mu-Jien, Feng Shu-sheng, Jang Kongzhang. Thin oxide films I I Acta energy, solans sin. 1988. 9. № 1. P. 66−68.
  75. Kavka Jan. Zpiisob vyroby transporentnich tepelne odraznych vrstev dopovaneho oxidu ciniciteho na skle. A.c. 239 788, ЧССР. Заявл. 25.07.84. № PV5724−84, опубл. 15.04.87. МКИ С 03 С 17 123.
  76. Nakanisbi Y, Suzuki Y, Nakamura T, Hatanaka Y, Fukuda Y, Fujisawa A, Shimaoka C. Coloration of Sn-Sb-0 thin films // Apll. Surface Sci. 1991. 4849. P. 55−58.
  77. Mimila-Arroyo J, Reynoso J.A., Saucedo E, Bourgein J.C. Characterization of growth and properties of spray-deposited Sn02 films // J. Cryst. Growth. 1984. 68. № 3. P. 671−676.
  78. Yagi Isao, Fukushima Shoichi, Imoto Fumio, Kanedo Shoji. Рост тонких пленок Sn02 из оловоорганических соединений в результате распылительного пиролиза // J. Surface Sci. Soc. Jap. 1991. 12. № 5. P. 316−324.
  79. Venugopal N., Subbaramaiah К., Sundara Raja V. Effect of substrate temperature and dopant concentration on the electrical and optical properties of tin oxide films // Bull. Electrochem. 1989. 5. № 12. P. 886−889.
  80. Orel Z., Cryak Z., Orel В., Gunde M. Kajsek. Spectrally selective Sn02: F film on glass and black enameled stell substrates: Spray pyrolytical deposition and optical properties // Sol. Energy Mater. And Sol. Gells. 1992. 26. № 1−2. P. 105−116.
  81. В.И., Сорокина Е. А., Томашпольский Ю. Я., Малыгин М. В., Суровцев И. С., Лесовой М. В. Осаждение пленок Sn02 с заданным размером зерна //Неорганические материалы. 1995. 31. № 3. С. 342−345.
  82. Tsunashima A., Yashimizu H., Kodaina К., Shimada S., Matsushita T. Preparation and properties of antimony-doped Sn02 films by thermal decomposition of tin 2-ethylhexanaate // J. Mater. Sci. 1986. 21. № 8. P. 2731−2734.
  83. Mulla J.S., Rao V.I., Soni H.S., Badrinarayanan S., Sinha A.P.B. Electron spektroscopiic studies on films of Sn02 and Sn02: Sb // Surpace and Coat. Technol. 1987. 31. № 1. P.77−88.
  84. Subramanian V., Krishnakumar R., Ramprakash Y., Lakshmanan A.S., Venkatesan V.K. Sn02: F film properties: effect of electrochemical and mechanical polishing // Bull. Electrochem. 1987. 3. № 1. P. 65−67.
  85. Correa-Lozano В., Comninellis C., De Battisti A. Physicochemical properties of Sn02-Sb205 films prepared by the spray pyrolusis technique // J. Electrochem. Soc. 1996. 143. № 1. P.203−209.
  86. Corred-Lozano В., Comminellis Ch., De Battisti A. Preparation of Sn02-Sb205 by the spray pyrolusis technique // J. Electrochem. Soc. 1996. 26. № 1. P.83−89.
  87. Shanthi S., anuratha H., Subramanian C., Kamasamy P. Effect of fluorine doping on strucktural, elecktrica and optical properties of sprayed Sn02 thin films // J. Cryst. Growth. 1998. 194. № 3−4. P. 369−373.
  88. Joret L., Berthelot J- SAINT GOBAIW VITRAGE S.A. Procede de depod d’une couche a base d’oxyde metallique sur un substrat verrier, substrat verrier ainsi revetu: Зфявка 2 780 054 Франция. МПК6 С 03 С 17/22/. № 9 807 769- Заявл. 19.06.98. опубл. 24.12.99.
  89. Barreca D., Garon S., Zanella P., Tondello E. MOCVD of Sn02 thin films from a new organometallic precursor // J. Phys. Sec. 1999. 9. № 8. 42. P. 667 673.
  90. Kawar R.K., Sadale S.B., Chigare P. S. Properties of spray deposited tin oxide thin films derived from tri-n-butyltin acetate // Thin Solid Films. 2003. 437. № 1−2. P. 34−44.
  91. Hossain M. Mortusa, Rahman M. Mozibur, Hakim M.O., Khan M.R.R. Properties of cadmium doped tin oxide thin films prepared by spray pyrolysis method//Proceedings of SPIE. 2003. 5062. P. 77−82.
  92. Ezure Tetsuya, Okada Kenichi, Matsui Hiroshi, Goto Kenji, Tanabe Nobuo. FTO/ITO double-layered transparent conductive oxide for dye-sensitized solar cells // J. Photochemistry and Photobiology. 2004. 164. № 1−3. P. 199 202.
  93. Postole G., Carata M., Caldararu M., Crisan D., Dragan N., Zaharescu M. The structure properties correlation in the Ce-doped Sn02 materials obtained by different synthesis routes // J. Europ. Ceram. Soc. 2001. № 8. P. 89−93.
  94. Muranaka Shigetoshi, Bando Joshichika, Takada Toshio. Состав аморфных пленок оксида олова и их термическая стабильность // J. Chem. Sok. Jap., Chem and Ind. Chem. 1987.№ 11,P. 1886−1890.
  95. M., Kato H., Imai A., Nishi Y. Получение тонких пленок Sn02 методом химического осаждения из паров // Repts. Nagoya Munic. Ind. Inst. 1985. № 71. P.18−21.
  96. Updhyay J.P., Vishwakarma S.R., Prasad H.C. P. Studis of electrical and optikal properties of Sn02: P films // Thin Solid Films. 1989. 169. № 2. P. 195−204.
  97. Honemann Gunter, Rover Lofhar, Ockert, Udo, Rehm Horst. Verfahren zur Herstellung neuer Erzeugnisse durch Hei? beschichtung von Flachglas // Silikattechnik. 1988. 39. № 8. P. 273−275.
  98. Wartenberg Erwin W., Ackermann Paul W. Electrical and mechanical properties of quenchend Sn02 films on glass substrates // Glastechn. Ber. 1988. 61. № 9. P. 256−262.
  99. ЮО.Невмержицка А. З., Тимгигиин М. В. Электрические и оптические свойства пленок Sn02, легированных кадмием и фтором, осажденных из паровой фазы // Гос. Ун-т «Львов. Политехи.». Львов. 1994. Депю в ГНТБ Украины 30.08.94. № 1805 УК 94.
  100. Kim Kwang Но, Lee Soo Won, Shin Dong Won, Park Chan Gyung. Effect of antimony addition on electrical and optical properties of tin oxide film // J. Amer. Ceram. Soc. 1994. 77. № 4. P. 915−921.
  101. Cavicchi R.E., Suehie J.S., Kreider K.J., Shomaher B.L., Small J.A., Gaitan M., Chaparaia P. Growth of Sn02 films on micromachiened hotplates // Appl. Phys. Lett. 1995. 66. № 7. P. 812−814.
  102. A.M., Закируллин P.C., Мухина О. Б., Сарач О. Б. Использование оксида олова для газовых сенсоров // Тезисы 3 Междунар. Конф. «Наукоемк. хим. техн.», Тверь, 11−15 сент. 1995. Тверь. 1995. С. 132−133.
  103. Reddy S., Mallik А.К., Jawalekar S.R. Optical and electrical properties of Sn02 films prepared by chemical vapeur deposition // Bull. Mater. Sci. 1986. 8. № 3. P. 357−363.
  104. Jones A.C., Epichem Ltd. Depositing tin oxide from a tetraalkoxy compound: Заявка 2 294 273 Великобритания, № 9 521 644. 6- Заявл 23.10.95. Опубл. 24.04.96.
  105. Ray S.C., Karanjai M.K., Dasgupta D. Preparation and study of doped and undoped tin dioxide films by the open air chemical vapour deposition technique // Thin Solid Films. 1997. 307. № 1−2. P. 221−227.
  106. Fujita Kazumi, Nakamura Chizuko, Matsuda Keizo, Mitsuzawa Shunmei. Preparation of tin (II) oxide by a homogenedy precipitation metod // Bull. Chem. Soc. Jap. 1990. 63. № 9. P. 2718−2720.
  107. Fujita Kazumi, Nakamura Chizuko, Matsuda Keizo, Mitsuzawa Shunmei. Preparation of tin (II) oxide by a homogenedy precipitation metod // J. Ceram. Soc. Jap. 1990. 98. № 9. P. 991−994.
  108. Tsukuma Koji, Akiyama Tomoyuki, Imai Hiroaki. Liquid phasedeposition film of tin oxide // J. Non- Gryst. Solids. 1997. 210. № 1. P. 48−54
  109. Supothina Sitthisuntorn, De Guire Mark R. Characterization of Sn02 thin films grown from aqueous solutions // Thin Solid Films.2000. 371. № 1−2. P. 1−9.
  110. Tsukuma Koji, Akiyama Tomoyuki, Imai Hiroaki. Hydrolysis deposition of thin films of antimony-doped tin oxide // J. Amer. Ceram. Soc. 2001. 84. № 4. P. 869.
  111. Kaviendra D., Sharma I.K. Electroless deposition of Sn02 and antimony doped Sn02 films // J. Phus. Chem. Solids. 1985. V46. № 8. P. 945−950. ^
  112. Kanamori М., Takeuchi М., Ohya Y., Takahashi Y. Relationship between gas sensitivity and film structure of Sn02 thin film gas sensor by sol-gel method // Chem. teff. 1994. № 11. P. 2035−2038.
  113. Terrier C., Chatelon J.P., Beijoan R., Roger J.A. Sb-doped Sn02 transporent conducting oxide from the sol-gel dip-coating technique // Thin Solid Films. 1995. 263. № 1. P. 37−41.
  114. Dong Un Ju, chung J.-H., Xou D.-J., Kim S.G. Preparation of Sb/Sn02 particles and their films utilizing the dip-coating method // Ind. And Eng. Chem. Res. 1998. 37. № 5. P. 1827−1835.
  115. Lee J.-H., Oh T.-S., Kim Y.-H. Fabrication of tin oxide film by sol-gel method for photovoltaic solar cell system // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2003. 75. № 3−4. P. 481−487.
  116. Д.Е., Иванченко JI.А. Спектры отражения резистивных композиций на основе порошков легированного диоксида олова и стекла//Порошковая металлургия. 1990. № 1. С. 82−85.
  117. Переменные толстопленочные резисторы / А. И. Антонян, М. Д. Смолин, В. Г. Гребенкина и др. Киев: Наук, думка. 1980. 232 с.
  118. Gwinner Dr. D. Transparente leitgahige Schichten fur Abschirmund und Warmereflexion // Jahrb. Oberflachentechn. 1997. Bd. 53. Heidelberg. 1997. P. 189−197.
  119. Karpel S. Gas sensors based on Tin oxide // Tin and Uses. 1986. № 149. P. 13.
  120. Jhokura K. Solid-state gas sensors in Japan // NTG-Fachber. 1986. № 93. P. 32−38.
  121. Feng C.D., Shimizu Y., Egashinra M. Effect of gas diffusion process on sensing properties of Sn02 thin films sensors in a Si02/Sn02 layer-built structure fabricated by sol-gel process // J. Electrochem. Soc. 1994. 141. № 1. P. 220−225.
  122. Mukhopadhyay A., Mitra P., Chatleijee A., Maifi H. A new method of preparing tin dioxide thin film gas sensors // J. Mater. Sci. Lett. 1998. 17. № 8. P. 625−627.
  123. Д.Е., Лобунец Т. Ф. Влияние термообработки на дисперсность порошков Sn(IV)-Sb-0 и пористость толстопленочных газовых сенсоров на их основе // Порошковая металлургия (Киев). 1999. № 5−6. С. 111— 116.
  124. Capehart Т., Chang S. The Interaction of Tin-Oxide Films with 02, H2, NO and H2S // J. Vac. Sci. Tehnol. 1981. V. l8. № 2. P. 393−397.
  125. .И., Бестаев М. В. Использование датчиков на основе Sn02 для медико-биологических исследований // Известия ГЭТУ. 1998. № 517. С. 17−19.
  126. Д.Е. Механизм образования кислородных вакансий в легированном сурьмой диоксиде олова // Неорганические материалы. 1996. 32. № 1. С. 59−62.
  127. Г. Датчики: Пер. с нем. М.: Мир. 1989. 196 с.
  128. Ю.В., Ангелов И. И. Чистые химические вещества. Изд-е 4-е. М.: Химия. 1974. 408 с.
  129. М., Вашкялис А. Химическая металлизация пластмасс. JL: Химия. 1985. 143 с.
  130. А., Сержент Е. Константы ионизации кислот и оснований. Химия. М. 1964.179 с.
  131. JI.E., Урицкая А. А., Дзюба Т. И. Исследование кинетики гидролиза формамида в кислых средах // Деп. ВИНИТИ. М., 1991. № 6. С. 72.
  132. Bolten P.D., Jacksa G.L. Hydrolysis of Amides V Alkaline. Hydrolysis of Alkyl-Substratuted Amides // Aust. J. Chem. 1971. 24. P. 969−974.
  133. Zavoianu P., Cavadia E. The influence of molecular structure on the reactivity of thioamides // Chem. Oil and Gas Romania. 1971. 7. № 1. P. 3844.
  134. B.P. Исследование взаимодействий в системе гидроксокомплексы алюминия щелочь — формамид // Журнал неорганической химии. 1992. Том 37. № 12. С 2801—2804.
  135. А.Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца: Дис.канд. хим. наук. Свердловск, 1967. 133с.
  136. Т.П. Использование селеномочевины для получения пленок селенидов цинка и свинца на твердых подложках и их осадков из растворов: Дис.канд. хим. наук. Свердловск, 1972. 201с.
  137. Дж. Н. Ионные равновесия. Л.: Химия, 1973. 446 с.
  138. В.Р., Ятлова Л. Е., Устьянцева A.B., Урицкая A.A. Исследование гидролитического осаждения гидроксидов олова // Химия твердого тела. Межвузовский сборник научных трудов. Свердловск. 1989. С.129−134.
  139. Updhyay J.P., Vishwakarma S.R., Prasad Н.С.Р. Effect of addition of fluorine to phosphorous doped tin oxide films // Thin Solid Films. 1989. 167. № 2. P. 7−10.
  140. А. Д. Исследование электродных процессов при электролитическом рафинировании золотосодержащих сурьмяных сплавов: Дис.канд. хим. наук. Свердловск, 1974. 145 с.
  141. И.М., Сендел Е. Б. Количественный анализ. М. 1941.
  142. Руководство по неорганическому синтезу. В 6-ти томах. Т 1. Пер. с нем / Брауэр Г. М.: Мир, 1985. 320с.
  143. House C. I, Kelsall G.H. Potential-pH for the Sn/H20-Cl System // Electrochimica Acta. 1984. Vol. 29. № 10. P. 1459−1464.
  144. Л.М., Вовк C.M., Гончар В. Ф., Барыбин В. И., Перехожева Т. Н. Исследование гидратированной двуокиси олова методом колебательной спектроскопии // Журнал неорганической химии. 1983. Т 28. № 3. С 576−580.
  145. К. ИК-спектры и KP неорганических и координационных соединений. М.: Мир. 1991.536 с.
  146. Физика тонких пленок. Том III / Г. Хасс, Р. Э. Тун, М.: Мир, 1968, 331 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!