Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Нелинейные колебательные системы на основе одно-и двухпереходных полупроводниковых структур

Диссертация: Нелинейные колебательные системы на основе одно-и двухпереходных полупроводниковых структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация. Основные положения диссертации докладывались на пятая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1998) — шестая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1999) — седьмая… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Неустойчивость электрического тока в полупроводни- ^ ках и полупроводниковых структурах
    • 1. 1. Классификация явлений неустойчивости тока и напряжения ^ ^ в полупроводниковых структурах
    • 1. 2. Экспериментальное исследование поверхностно-барьерной не- ^ у устойчивости тока
    • 1. 3. Исследование воздействия оптического излучения на двухпе- 24 реходные структуры
    • 1. 4. Исследование воздействие магнитного поля на двухпереходные ^ структуры
    • 1. 5. Теоретическое описание поверхностно-барьерной неустойчивости тока. Неравновесные электронные процессы на границе раздела в 31 контакте металл-полупроводник
    • 1. 6. Анализ двухпереходной структуры на основе её эквивалентной ^ электротехнической схемы
  • Выводы к разделу
  • 2. Исследование однопереходных структур с поверхностно-барьерным переходом
    • 2. 1. Изготовление образцов однопереходных структур с поверхностно-барьерным переходом
    • 2. 2. Методика исследования электрофизических характеристик однопереходных структур
    • 2. 3. Результаты исследований физических свойств однопереходных структур
  • Выводы к разделу
  • 3. Экспериментальное исследование электрических харак- 65 теристик двухпереходных структур
    • 3. 1. Методы изготовления и измерения электрофизических характеристик двухпереходных структур
    • 3. 2. Вольтамперные характеристики двухпереходных структур, измеренные по схеме с общей базой
    • 3. 3. Вольтамперные характеристики двухпереходных структур, измеренные по схеме с общим эмиттером
    • 3. 4. Вольтамперные характеристики двухпереходных структур, из- ^ меренные по схеме с общим коллектором
    • 3. 5. Исследование электрических характеристик двухпереходных ^ структур изготовленных по технологии термовакуумного напыления
  • Выводы к разделу
  • 4. Математическое моделирование нелинейных колебательных систем на основе одно- и двухпереходных полупро- 99 водниковых структур
    • 4. 1. Модельные приближения и обоснование эквивалентной схемы 99 4.2. Уравнения состояния колебательной системы на основе поверхностно-барьерного перехода
    • 4. 3. Расчет параметров возникающих колебаний
  • Выводы к разделу

Нелинейные колебательные системы на основе одно-и двухпереходных полупроводниковых структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Современная электроника, являющаяся основным средством обработки и передачи информационных потоков, развивается по двум основным направлениям: интегральной электроники или микроэлектроники, и функциональной электроники. Тенденции развития микроэлектроники обусловлены идеологией больших и сверхбольших интегральных схем и осуществляются в направлении освоения субнаносекундных интервалов времени и нанометровых размеров компонентов сверхвысоких уровней интеграции. Эти достижения, реализующиеся на основе транзисторной схемотехники, при использовании принципа технологической интеграции статических неоднородно-стей — потенциальных барьеров, к которым относятся легированные разными примесями полупроводниковые области активных компонентов интегральных схем, металлические и диэлектрические участки кристалла.

Разработчики интегральных схем первого направления изыскивают возможности уменьшения размеров активных областей, способы обхода технологических и физических барьеров. С этой целью разрабатываются вертикальные структуры, в которых стараются разместить максимум элементов в минимальном пространстве. Активные и пассивные элементы схемы размещаются в объеме, и интегральная схема становится трехмерной.

Второе направление основано на полном отказе от понятия классических схемных элементов и непосредственном использовании физических явлений в твердом теле, связанных с кинетическими, квантовыми, механическими, тепловыми, излучательными и магнитными эффектами, а также явлений в жидких средах, связанных с электрохимическими процессами, для выполнения функций сложных электронных систем.

Эти явления являются физической основой функциональной электроники. Интеграция в функциональной электронике параметрическая, интегрируются функции преобразования, что исключает схемотехнический принцип их формирования, а, следовательно, компонентную и элементную их интеграцию. Физические процессы и явления, происходящие в твердом теле, используются для моделирования функций передачи и преобразования, определяемых способами обработки массивов информации.

Одним из направлений функциональной электроники — является негатро-ника. Эта область электроники связана с теоретическим рассмотрением и практической реализацией электронных приборов, имеющих в своих рабочих режимах отрицательное значение основного дифференциального параметра, в частности, отрицательного активного сопротивления. В настоящее время разработаны различные виды полупроводниковых приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Представителями этого класса приборов являются: мощные сверхвысокочастотные приборы — лавинно-пролетные диоды, ключи на лавинных транзисторах с высоким быстродействием и временем отклика на воздействие, сильноточные полупроводниковые переключатели на динисторах и тиристорах. Развитие этой области электроники проходило неравномерно и, в отличие от классической транзисторной электроники, долгое время не имело четкой теоретической базы.

Первым толчком в исследованиях данного направления считается открытие падающего участка на вольтамперной характеристике полупроводникового точечного диода, сделанное О. В. Лосевым. Также принято считать, что это открытие дало начало эре полупроводниковой электроники.

Однако успешное развитие больших и сверхбольших микросхем ослабило научный интерес разработчиков от этого направления. Тем не менее, освоение и дальнейшее использование СВЧ диапазона привело к интенсивным поисковым исследованиям физических эффектов и полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением. Усилия были направлены на создание полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением на высоких и сверхвысоких частотах. Началом поиска путей создания таких СВЧ-приборов было положено Шокли. В ходе экспериментальных исследований были получены практические результаты в виде: диода Ганна, тун5 нельного диода Эсаки, лавинно-пролетного диода и его разновидность ТРА-ПАТТ-диод, инжекционно-пролетный диод.

В низкочастотном диапазоне серьезное практическое распространение получили четырехслойные полупроводниковые структуры типа р-п-р-п и их различные вариации, обладающие отрицательным сопротивлением. В снове принципа работы лежит тиристорный эффект, который обусловлен лавинным умножением носителей на закрытом среднем р-п-переходе. Наиболее широкое применение в схемотехнике получили динисторы и тиристоры. Самые полные теоретические и практические исследования таких тиристорных систем проведены С. А. Гаряиновым и Н. Д. Абезгаузом. Эти приборы могут работать в усилительном, генераторном и ключевом режимах.

Исследование эффекта лавинного умножения в коллекторном переходе биполярного транзистора привело к созданию лавинного транзистора, на вольт-амперной характеристике, которого имеется участок отрицательного сопротивления. Теоретические исследования таких приборов с отрицательным сопротивлением и импульсных устройств на их основе, были проведены В. П. Дьяконовым.

Таким образом, тема диссертационной работы, посвященная разработке физической модели нелинейной колебательной системы на основе однои двухпереходных полупроводниковых структур, содержащей элемент с Б-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления, является актуальной.

Объект исследований: процесс генерации релаксационных колебаний тока и напряжения.

Предмет исследований: однои двухпереходные полупроводниковые структуры.

Цель диссертационной работы.

Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе однои двухпереходных полупроводниковых структур и объяснение с её помощью экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в таких системах.

При этом решались следующие основные задачи:

1. Разработать физическую модель колебательной релаксационной системы, содержащей в качестве необходимого компонента элемент с 8-образной вольтамперной характеристикой.

2. Провести исследование нелинейных электрофизических характеристик однои двухпереходных полупроводниковых структур

3. Определить электрические и материальные параметры влияющие на возникновение релаксационных колебаний тока и напряжения в однои двухпереходных полупроводниковых структурах.

Научная новизна.

1. Построена принципиально новая физическая модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с 8-образной вольтамперной характеристикой.

2. Впервые исследованы электрические и частотные параметры генерируемой неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных полупроводниковых структурах с 8-образной вольтамперной характеристикой в поверхностно-барьерном переходе, выполненных по технологии термовакуумного напыления. Получены релаксационные колебания тока и напряжения при внешнем электрическом напряжении до 40 В частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах.

3. Впервые показана возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с Б-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в физической модели, связаны с геометрическими размерами однопереходной полупроводниковой структуры и электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.

4. Впервые дано объяснение возбуждению релаксационной неустойчивости тока и напряжения в широком диапазоне рабочих напряжений (3-^-40 В).

Научная и практическая значимость.

1. Предложенная физическая модель релаксационной колебательной системы, содержащей элемент с вольтамперной характеристикой 8-типа и барьерную емкость, позволила соотнести рассматриваемую систему с аналогичной системой, рассмотренной в радиофизике. Полученные в работе теоретические выводы в большей степени соответствуют результатам экспериментальных исследований неустойчивости тока и напряжения в однои двухпереходных структурах, чем ранее предложенные модель процессов обмена поверхностных состояний и глубоких энергетических уровней с зоной проводимости полупроводникового кристалла под действием электрического поля, модель, использующая упрощенную эквивалентную схему двухпереходной структуры и модель, использующая эквивалентную схему для объяснения усиления тока и накопления неосновных носителей заряда в базовой области двухпереходной структуры.

2. Результаты диссертационной работы нашли применение в учебном процессе физико-технического факультета в изучении физических явлений, происходящих в полупроводниковых приборах.

Достоверность полученных результатов.

Созданная физическая модель основана хорошо апробированной методике расчета релаксационной колебательной системы используемой в радиофизике. Применение физической модели подтверждается хорошим совпадением экспериментальных и теоретических данных.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Физическая модель нелинейной колебательной системы на основе однои двухпереходных полупроводниковых структур, содержащих активный элемент с 8-образной вольтамперной характеристикой. 8.

2. Результаты исследования электрических и частотных параметров неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных структурах, выполненных по технологии термовакуумного напыления.

3. S-образная вольтамперная характеристика поверхностно-барьерного перехода является необходимым и достаточным условием возникновения релаксационных колебаний.

Личное участие автора в получении научных результатов.

Изготовлены образцы двухпереходных полупроводниковых структур с использованием технологии термовакуумного напыленияпроведены измерения электрофизических характеристик двухпереходных структурразработана физическая модель нелинейной колебательной системы на основе однои двухпереходных полупроводниковых структурпроведены расчеты длительности фаз колебаний, амплитуды напряжения и тока.

Апробация. Основные положения диссертации докладывались на пятая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1998) — шестая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1999) — седьмая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2000) — восьмая всероссийская научно — техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2002) — Semiconductor Devise Research Symposium (University of Virginia, 1999) — седьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Санкт-Петербург, 2001), девятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Красноярск, 2003), десятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Москва, 2004), двенадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Новосибирск, 2006), четырнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Уфа, 2008), пятнадцатая 9.

Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Кемерово-Томск, 2009), семнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Екатеринбург, 2011), третьей международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2002), международной научной конференции «Излучение и рассеяние ЭМВ ИРЭМВ-2005» (Таганрог, 2005), третьей Всеросийской научной конференции молодых ученых и студентов (Краснодар, 2006), научно-технической конференции «Космическая энергетика» (Краснодар, 2011), семнадцатой Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2011), восемнадцатой Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2012), международной конференции «Инноватика-2011» (Ульяновск, 2011), Всероссийская заочная научно-практическая конфе-ренци «Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий» (Краснодар 2012).

Область исследований: содержание диссертационного исследования соответствует пунктам 4, 6, 7, 9, 17, 18 паспорта специальности 01.04.10 — физика полупроводников.

Публикации. По теме диссертационной работы опубликованы 26 печатных работ, из них 3 в изданиях из перечня рецензируемых научных журналов и изданий.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, 4-х разделов, заключения. Список использованной литературы содержит 187 наименований. Текст диссертации содержит 132 страницы машинописного текста, включая 75 рисунков и 3 таблицы.

Выводы к разделу 4.

1. Предложена эквивалентная схема однопереходной структуры с поверхностно-барьерным переходом, отражающая физические процессы. Построена физическая модель колебательной релаксационной системы для этой структуры, описывающая форму экспериментально наблюдаемых колебаний тока и напряжения.

2. Б-образная вольтамперная характеристика является необходимым и достаточным условием существования в рассматриваемой системе колебательных процессов.

3. Получено аналитическое выражение для периода колебаний тока и напряжения. Рассчитанная с помощью модели длительность отдельных фаз изменений напряжения II и тока I в однопереходной структуре от напряжения электрического питания согласуется с экспериментальными данными.

4. Для структур, изготовленных из кремния (81) и германия (ве), выявлена взаимосвязь между удельным сопротивлением полупроводника и частотой колебаний тока и напряжения. Используя экспериментальные данные об амплитуде и частоте колебаний напряжения, вычислено значение удельного сопротивления базового слоя полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, соответствующее реальному значению удельного сопротивления для германия и кремния.

Заключение

.

1. Построена математическая модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с Б-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления. Получена высокая степень соответствия расчетов произведенных с помощью построенной модели и экспериментальными данными.

2. Исследованы генерация неустойчивости тока и напряжения в двухпе-реходных полупроводниковых структурах выполненных по технологии термовакуумного напыления. Впервые были получены релаксационные колебания тока и напряжения при внешнем электрическом напряжении до 40 Вольт частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах. Процент выхода годных структур, в которых реализуется режим релаксационных колебаний, составил 70%.

3. Установлена возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с Б-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в физической модели, связаны с геометрическими размерами однопереход-ной полупроводниковой структуры и электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.

4. Дано объяснение рабочим напряжениям (3+40 В), при которых наблюдается релаксационная неустойчивость тока и напряжения в двухпереходных структурах. Получено соответствие экспериментальных и расчетных величин частот (1+6 МГц) возникающей неустойчивости тока и напряжения. Показано, что в зависимости от сочетания внешенего электрического напряжения (3+40 В) и материальных параметров получены структуры, реализующие релаксационную колебательную систему в двухпереходных структурах, с частотами выходного сигнала 1+6 МГц.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Бонч-Бруевич B. JL, Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972.
  2. М.Е., Пожела Ю. К., Шур М.С. Эффект Ганна, М. Сов. Радио, 1975.
  3. Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М., Наука, 1976
  4. Posse V.A., Jalali В., Levi A.J. Transferred-electron induced instabilities in heterojunction bipolar transistors// Appl. Phys. Lett. 1995. 66. № 24, c.3319−3321
  5. Wang Chia-Chi, Currie Marc, Sobolevski Roman, Hsiang Thomas Y. Subpicosecond electrical pulses generation by edge illumination of silicon and indium phosphide photoconductive// Appl. Phys. Lett. 1995. 67, № 1, 79−81
  6. Gruzinskis V., Starikov E., Starikov P, Reggiani L., Varani L. A double S-type instability in semiconductor heterostructures// J. Appl. Phys. 1995, 77, № 11, c.6067−6069
  7. Aladashvili D.I., Adamia Z.A., Tzakadze E.I. Travelling electrical domains in hopping conductivity range// Solid State Commun. 1997, 101, № 3, c.183−185
  8. A.M. Автосолитоны в системе электронно-дырочная плаз-ма/экситоны в кремнии при температуре 4,2 К// ФТП, 1999, т. ЗЗ, № 10, с.1183−1186
  9. .А., Брандт Н. Б., Абдул А. В., Рябова Л. И. Электротехнические неустойчивости, обусловленные метастабильными электронными состояниями в PbTe(Ga)// ФТП, 1997, 31, 2, 133−136
  10. А.Н., Фок М.В. Осцилляции тока в кристаллах ZnS при возбуждении прямоугольными импульсами// Кратк. сообщ. по физ. 1982, № 6, с. 1622
  11. А.И., Сатюков А. И. Светличный В.М. Низкочастотная нестабильность напряжения в InSb-NiSb// Укр. физ. ж. 1981, 26, № 12, с. 2054−2055
  12. Г. А., Мирианашвили Ш. М., Нанобошвили Д. И. О частоте колебаний тока в высокоомном компенсированном p-InSb// ФТП 1983, 17, № 7, 1304−1306
  13. М.В. Анализ спектра фотоосцилляций в монокристаллах се-ленида цинка со структурными дефектами// Изв. вузов. Физ. 1985, 28, № 7, 103 105
  14. Э.А., Суриков В. Г., Цирулик Л. Г. О механизме доменной неустойчивости в эпитаксиальных слоях Ag-ZnTe:In-Ag// Вестн. Приднестр. унта. 1996, № 1, с. 170−174
  15. H.A., Ганиев Ш. М. Стохастическая неустойчивость тока в CdCr2Se4// ФТТ, 1988, 30, № 2, 586−570
  16. Дрокин H.A.,. Ганиев Ш. М. Электрическая неустойчивость тока в области пространственной неоднородности поля в полупроводниках// Препр. АН СССР. СО. Ин-т физ. 1991. № 683Ф, с. 1−42
  17. А.Г., Тагиров В. И., Джафаров М. Б. Стимуляция низкочастотной осцилляции тока в Ag3ln5Se9 ИК-излучением и электрическим полем// Ж. техн. физ. 1990. 60. № 10. с.190−192
  18. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, М., Мир, 1977
  19. В.А. Условия возбуждения рекомбинационных волн в ограниченных полупроводниках//ФТП, 1982, 16, № 10, 1759−1767
  20. И.В., Сыровегин С. М. Рекомбинационные волны в германии с золотом//ФТП, 1982, 16, № 9, 1601−1605
  21. И.В., Сабликов В. А., Сыровегин С. М. Режим генерации рекомбинационных волн конечной амплитуды// ФТП, 1988, т. 22, № 4, 609−612
  22. А.И. Поверхностные рекомбинационные волны в полупроводниках// ФТП, 1982, 16, № 11, 2058−2061
  23. М.К., Аскаров Ш. И., Нигматходжаев С. С. Автоколебания тока в кремнии, легированном серой// ФТП, 1987, т. 21, № 7, с. 1315−1317
  24. М.К., Парманкулов И. П. Неустойчивость тока в кремнии, компенсированном марганцем, связанная с рекомбинационными волнами// ФТП, 1989, 23, № 9, 1646−1650
  25. М.К., Хамидов А., Илиев Х. М., Парманкулов И. П. Возбуждение рекомбинационных волн в кремнии, компенсированном марганцем, при одноосной упругой информации// ФТП, 1991, 25, № 10, 1731−1736
  26. М.К., Аскаров Ш. И., Курбанова У. Х. Исследование влияния магнитного поля на условия возбуждения и параметры неустойчиво-стей тока инфранизких частот в Si// ФТП, 27, 1993, № 10, 1684−1687
  27. М.К., Азимхуджаев X., Зикрилаев Н. Ф., Сабдуллаев А. Б., Арзикулов Э. Управление условиями возбуждения и параметрами автоколебаний тока в компенсированном кремнии, легированном марганцем// ФТП, 2000, 34, № 2, 177−179
  28. Baev I.A. Current oscillations in p-InSb at helium temperatures// Докл. Бълг. АН, 1991, т. 44, № 4, 43−46
  29. Baev I.A. Slow recombination waves in magnetic field// Bulg. J. Phys. 1997, т. 24, № 3−4, 163−174
  30. I.A. Полупроводниковые фильтры на основе рекомбинационных волн. Semiconductor filters based on recombination waves Докл. Бълг. АН, 1998, 51, № 3−4, 13−14
  31. .В., Привезенцев В. В., Савин А. В. Моделирование движения импульса неравновесных носителей заряда в предпороговом режиме возбуждения рекомбинационных волн// Микроэлектроника, 1999, т. 28, № 4, 308 312
  32. Kornilov B.V., Privezentsev V.V., Savin A.V. Development of recombination waves instability in Si// Тр. ФТИАН. 2000. 16. c. 101−105, 109
  33. Ю.А., Балкарей Ю. И., Голик JI.JI., Елинсон М. И. Автоволновые процессы в одномерной активной полупроводниковой среде с температур-но-электрической неустойчивостью //ФТП, 1983, 17, № 2, 262−268
  34. Ю.И., Ржанов Ю. А., Голик JI.JL, Елинсон М. И. Автоволновая среда с использованием температурно-электрической неустойчивости в полупроводниках//ФТП, 1982,16, № 9, 1558−1565
  35. Ю.А., Балкарей Ю. И., Голик JI.JL, Елинсон М. И. Автоволновые процессы в триггерной полупроводниковой среде с температурно-электрической неустойчивостью// ФТП, 1983,17, № 9, 1545−1548
  36. В.Е., Голик JI.JL, Елинсон М. И., Якушин В. К. Гистерезис автоколебаний и переключения между неустойчивыми состояниями в сульфиде кадмия с температурно-электрической неустойчивостью// ФТП, 1986, 20, № 5, 853−858
  37. Голик JI. JL, Гутман М. М., Паксеев В. Е., Бахадырханов М. К., Зикрила-ев Н.Ф., Турсунов А. А. Динамический хаос и гистерезис автоколебаний в Si, обусловленная температурно-электрической неустойчивостью// ФТП, 1987, 21, № 8, 1400−1403
  38. Ю.И., Голик JI.JL, Паксеев В. Е., Ржанов Ю. А. Экспериментальное и численное исследование стохастической динамики температурно-электрической неустойчивости в полупроводниках// ФТП, 1987, 21, № 8, 13 691 378
  39. Голик JI. JL, Гутман М. М., Паксеев В. Е. Бифуркация удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания// ФТП, 1990, 24, № 7, 1259−1264
  40. В.П., Панкевич З. В., Раренко Н. М., Семенюк А. К., Федосов А. В. Температурно-электрическая неустойчивость в монокристаллах антимо-нида кадмия// Изв. вузов. Физ. 1989, 32, № 4, 108−109
  41. Golik L.L., Gutman М.М., Paskeev V.E. Nonlinear oscillations and chaos in CdS single crystals under temperature-electric instability conditions// Phys. status solidi. B. 1990,162, № 1, 189−211
  42. M.K., Камилов C.C. Температурно-электрическая неустойчивость в кремнии, легированном марганцем //ФТП, 1976, т. 10, с. 760−761
  43. М.К., Зикрилаев Н. Ф. Низкочастотные колебания тока с большой амплитудой в компенсированном марганцем кремнии// ФТП, 1984, 18, № 12, 2220−2222
  44. М.К., Зикрилаев Н. Ф., Турсунов A.A., Аскаров A.A. Спектральная и температурная зависимости температурно-электрической неустойчивости в Si// «Докл. АН УзССР», 1985, № 5, 26−28
  45. М.К., Аскаров Ш. И., Зикрилаев Н. Ф. Влияние магнитного поля на температурно-электрическую неустойчивость в кремнии, легированном марганцем// ФТП, 1986, 20, № 3, 423−426
  46. Ш. И., Зикрилаев Н. Ф., Абдураимов А., Илиев Х. М. Влияние упругого сжатия в направлении 100. на параметры ТЭН в кремнии, легированном марганцем// ФТП 1986, 20, № 9, 1561−1564
  47. Ш. И., Зикрилаев Н. Ф. Влияние степени компенсации и концентрации примесей на температурно-электрическую неустойчивость в кремнии// «Докл. АН УзССР», 1986, 20, № 9, 26−28
  48. М.К., Зикрилаев Н. Ф., Аскаров Ш. И., Турсунов A.A., Абдурахманов Х. Г. Температурно-электрическая неустойчивость в Si при комбинированном освещении// «Докл. АН УзССР», 1987, 21, № 12, 22−24
  49. М.К., Зикрилаев Н. Ф., Эгамбердиев Б. Э. Автоколебательные процессы компенсированном кремнии// Радиотехн. и электрон. 1998, 43, № 3, 300−308
  50. Н.Г., Каган М. С., Калашников С. Г. Термотоковая неустойчивость в компенсированном германии// ФТП, 1983,17, № 10, 1852−1854
  51. Г. Е., Вавилов С. Е., Панфилова С. В. Неустойчивость сильно легированного полупроводника в условиях джоулева разогрева// ФТП, т. 25, вып. 2, 1991, стр. 336−338
  52. H.A., Вейнгер А. И., Питанов B.C. Электрические свойства кремниевых р-п-переходов в сильных СВЧ полях// ФТП, 1988, 22, № 11, стр. 2001−2007
  53. Н.А., Вейнгер А. И., Питанов B.C. Влияние сильного СВЧ поля на фотоэлектрические характеристики кремниевых р-п-переходов// ФТП, 1992, 26, № 6, стр. 1041−1047
  54. Д.А., Скрипаль А. В., Угрюмова Н. В. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе р-п-перехода в СВЧ поле// ФТП, 1998, 32, № 11, стр. 1399−1402
  55. В., Репшас К. Неустойчивость тока и напряжения при шну-равании тока в кремниевых п±п-п±структурах. Лит. физ. сб. 1987, 27, № 6, с.708−713
  56. В.И., Фукс Г. М. Осцилляции напряжения на p-n-v-n-структурах на основе GaAs(Fe) при прямом смещении// Изв. вузов. Физ. 1982, 25, № 7, 115 116
  57. Г. Ф., Гаман В. Н., Караваева Г. Ф., Шумская Е. Г. Осцилли-сторный эффект в кремнии// ФТП, 1985, 19, № 2, 343−345
  58. Ш. М., Абдугафуров A.M. О температурном критерии возбуждения осциллистора на германиевых р±п-п±структурах. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. н. 1983, № 5, с.70−71
  59. А., Юнявичус Д. Неустойчивость фотовозбужденных носителей в субмикронной структуре p±i-n+. Лит. физ. сб. 1986, 26, № 5, 576−581
  60. Abe Yutaka. Simulation of negative resistance and current instabilities in a p-i-n Si diode// Semicond. Sci. And Technol. 1994, 9, № 58, c.603−606
  61. А.А. Панкратов, P.А. Сурис, Б. И. Фукс. Особенности импеданса и фотоотклика компенсированных полупроводников при разогреве носителей// ФТП, 1981, 15, № 10, с.1923−1927
  62. А.А. Релаксационная электрическая неустойчивость коротких образцов монополярных полупроводников. ФТП, 1982, 16, № 7, с. 13 041 305
  63. Coleman Paul D., Freeman Jay, Morkoc H., Hess K., Streetman В., Keever M. Demonstration of a new oscillator based on real-space transfer in heterojunctions// Appl. Phys. Lett. 1982, 40, № 6, 493−495
  64. Van Hall P J., Kokten H. A model for the current instabilities in GaAs-AlGaAs heterojunction// J. Appl. Phys. 1996, 79, № 4, c. 1955−1960
  65. А.И., Кочарян А. А. О механизме возникновения генерации на р-п-переходе с горячими носителями заряда// ФТП, 1982,16, № 2, 305−311
  66. А.И. Вейнгер, А. А. Кочарян. Сравнительное исследование колебаний на n-р-переходе, на сетке тиратрона и на мембране нервной клетки// ФТП, 1982, т. 16, № 7, 1224−1229
  67. А.Б. Переменный пространственный заряд и неоднозначность квантовых состояний в двухбарьерных структурах// ФТП, 2000, 34, № 3, с.340−348
  68. Kuwano Hiroshi, Into Jun-ichi, Endo Katsumi. Oscillation in semiconductors with a dumbbell-shaped structure// Jap. J. Appl. Phys. 1982. Part I, 21, № 6, 896 901
  69. Endo Katsumi, Hirasawa Masao, Murayama Takashi, Oinuma Morihide, Kuwano Hiroshi. Current oscillation and potential oscillation with a dumbbell-shaped structure// Jap. J. Appl. Phys. 1985, Ptl, 24, № 3, 311−316
  70. Hirasawa Masao, Murayama Takashi, Oinuma Morihide, Kuwano Hiroshi. Current oscillation in semiconductors with a dumbbell-shaped structure// Jap. J. Appl. Phys. 1985, Ptl, 24, № 12, 1678−1681
  71. Yoshida S., Akiba Y., Kurosu Т., Iida M. A SOGICON type instability in silicon//Appl. Phys. 1984, A35, № 3, 145−148
  72. Бонч-Бруевич B.JI., Ле By Ки. Стохастические автоколебания концентрации носителей заряда в полупроводнике с примесями// Ж. эксперим. и теор. физ. 1983, 85, № 5, 1701−1706
  73. Bonch-Bruevich V.L. Stochastic self-oscillations in low mobility semiconductors// Phys. Disorder Mater.: New York, London, 1985, 633−644
  74. Ф., Бонч-Бруевич В.Л. Стохастические автоколебания в примесном полупроводнике с интенсивной подсветкой// Ред. ж. Изв. вузов. Физ. Томск. 1986.
  75. Bonch-Bruevich V.L. Stochastic self-oscillations in an extrinsic semiconductor under intense illumination//Nuovo cim. 1986, D7, № 6, 755−766
  76. С.Б., Пирагас K.A., Пожела Ю. К., Тамашаявичус A.B. Хаотические автоколебания фотопроводимости n-Ge(Ni)// ФТП, 1986, 20, 7, с. 11 901 194.
  77. С.Б., Пожела Ю. К., Тамашаявичус A.B. Хаотические автоколебания проводимости в неоднородно фотовозбужденном n-Ge(Ni)// ФТП, 1986, 20, 7, с. 1327−1329.
  78. Bumeliene S., Pozela J., Tamasevichius A. Period multiplying and chaotic response in driven n-Ge with repulsive defect centers// Phys. status solidi. B, 134, № 1, K71-K74
  79. Bumeliene S.B., Pozela Yu.K., Pyragas K.A., Tamasevichius A. Chaotic bihavior of hot electron plasma in Ni-compensated Ge// Physica, 1985, ВС 134, № 13: Proc. 4 Int. Conf. Hot Electrons Semiconductors, Innsbruck, 8−12 July, 1985, 293 298
  80. Weman H., Henry A., Monemar B. Spontaneous oscillations and chaos in silicon induced by excitonic impact ionzation// Solid-State Electron. 1989, 32, № 12, c.1563−1566
  81. Э.Н. Токовая неустойчивость в солнечных элементах на основе a-Si:H, возникающая после засветки. ФТП, т.35, № 6, 703−706
  82. Peinke J., Muhlbach A., Huebener R.O., Parial J. Spontaneous oscillations and chaos in p-germanium// Phys. Lett. 1985, A108, № 8, 407−412
  83. Rohricht В., Wessely В., Pienke J., Muhlbach A., Parisi J., Huebener R.P. Chaos and Hyperhaos in the post-breakdown regime of p-germanium// Physica, 1985, ВС 134, № 1−3: Proc. 4 Int. Conf. Hot Electrons Semiconductors, Innsbruck, 8−12 July, 1985,281−287
  84. Scholl E., Parisi J., Rohricht В., Peinke J., Huebener R.P. Spatial correlatoins of chaotic oscillations in the post-breakdown regime of p-Gell Phys. Lett.1987, Al 19, № 8, 419−424
  85. Pienke J., Parisi J., Muhlbach A., Huebener R.P. Different types of current instabilities during low-temperature avalanche breakdown of p-germanium// Naturforsch. 1987, 42, № 5, 441−443
  86. Pienke J., Parisi J., Rohricht B., Mayer K.M., Rau U., Huebener R.P. Spatio-temporal instabilities in the electric breakdown of p-germanium// Solid-State Electron, 1988, 31, № 3−4, 817−820
  87. Pienke J., Parisi J., Rohricht B., Mayer K.M., Rau U., Clau? W., Huebener R.P., Jungwirt G., Prettl W. Classification of current instabilities during low-temperature breakdown of p-germanium// Appl. Phys. A. 1989, 48, № 2, c. 155−160
  88. Teitwoth S.W. The physics of space charge instabilities and temporal chaos in extrinsic photoconductors. Appl. Phys. A. 1989. 48, № 2, 127−136
  89. Pienke J., Rau U., Clauss W., Richter R., Parisi J. Critical dynamic near the ouset of spontaneous oscillations in p-germanium// Europhys. Lett. 1989, 9, № 8, 743 748
  90. Rau U., Clauss W., Kittel A., Lehr M., Bayerbach M., Parisi J., Pienke J. Huebener R.P. Classification of spontaneous oscillations at the onset of avalanche breakdown in p-type germanium// Phys. Rev. B. 1991, 43, № 3, c.2255−2262
  91. Richter R., Pienke J., Clauss W., Rau U., Parisi J. Evidence of type-Ill in-termittency in the electric breakdown of p-germanium// Europhys. Lett. 1991, 14, № 1, c.1−6
  92. Scholl Eckehard. Nonlinear energy relaxation oscillations and chaotic dynamics of hot carriers. Solid-State Electron, 1988, 31, № 3−4, 539−542
  93. Scholl E. Theoretical approaches to nonlinear and chaotic dynamics of generation-recombination processes in semiconductors// Apll. Phys. A. 1989. 48, № 2, c.95−106
  94. Scholl E., Hupper G., Rein A. Dinamic Hall effect of hot electrons as a novel mechanism for current oscillations, chaos and intermittency// Semicond. Sei. And Technol. 1992, 7, № 7, № 3B, C. B480-B482
  95. К. M., Качишвили З. С. Возникновение двойного предельного цикла при предельном пробое компенсированного полупроводника при закороченной эдс Холла ФТП 2001, т.35, № 8, с. 909−912
  96. К. М., Качишвили З. С. Незатухающие автоколебания в компенсированном полупроводнике в условиях примесного пробоя при наличии магнитного поля. Письма в ЖТФ, 1997, т. 23, № 16, с. 62−66
  97. Kaminska M., Parsey J.M., Logowski J., Gatos H.C. Current oscillations in semi-insulating GaAs associated with field-enhanced capture electrons by the major deep donor EL2// Appl. Phys. Lett., 1982, 41, № 10, p. 989−991
  98. Maracas G.N., Johnson D.A., Goronkin H. Experimental evaluation of low-frequency oscillations in undoped GaAs to probe deep level parameters// Appl. Phys. Lett. 1985, 48, № 3, 305−307
  99. Maracas G.N., Porod W., Johnson D.A., Ferry D.K., Goronkin H. Low-frequency oscillations and routes to chaos in semi-insulating GaAs// Proc. 4 Int. Conf. Hot Electrons Semiconductors, 96 960 Innsbruck, 8−12 July, 1985, 276−280
  100. Pozela J, Tamasevicius A., Ulbikas J. Quantitative characterization of chaotic current oscillations in GaAs: Cr// Solid-State Electron, 1988, 31, № 3−4, SOSSOS
  101. Ю., Килюлис P.-П., Стораста Ю. Влияние магнитного поля на инфранизкочастотные автоколебания тока в дислокационном полуизолирующем арсениде галлия. Лит. физ. сб. 1989, 29, № 4, 514−516
  102. Spangler J., Brandi A., Prettl W. Sequence of different types of nonlinear current oscillation in n-GaAs. Appl. Phys. A. 1989, 48, № 2, 143−147
  103. Brandi A., Kroninger W., Prettl W., Obermair G. Hall voltage collapse at filamentary current flow causing chaotic fluctuations in n-GaAs Phys. Rev. Lett. 1990, 64, № 2, c.212−215
  104. И.Н. Температурно-концентрационно-полевые автоколебания в условиях примесного пробоя. МГУ. М., 1983. (Рукопись деп. в ВИНИТИ ЗОавг. 1983 г. № 4813−83)
  105. И.Н. Температурно-полевые автоколебания в образце с мелкими донорами МГУ. М., 1983. (Рукопись деп. в ВИНИТИ 9 нояб. 1983 г. № 5992−83)
  106. И.Н. Стохастические автоколебания в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя. Изв. вузов. Физ. 1984, 27, № 11,81−90
  107. Voronin I.N. Two kinds of self-oscillations and the flip-flop effect in a semiconductor with shallow donors. Phys. status solidi, 1984, В124, № 2, 793−798
  108. Iqbal M. Zafar, Grimmeiss H.G. Oscillations in the photoconductivity of Si: Au: possible newevidence for chaos. Phys. Rev. B: Condens. Matter, 1987, 35, № 6,3017−3019
  109. .С. Влияние излучения на параметры колебаний поверхностно-барьерного генератора // ФТП, 1975, 9, с. 1140−1142
  110. .С., Кузнецов В. И., Фризен Г. И., Черный В. Н. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока // ФТП, 1972, Т6, вып 11, С. 2114−2122.
  111. .С., Черный В. Н., Яманов И. Л., Потапов А. Н., Жужа М. А. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с туннельно-прозрачным окислом//Микроэлектроника. 1989. Т18. № 4. С.304−309
  112. Н.М., Григорьян Л. Р., Куликов О. Н. Колебательная система релаксационного типа на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом // Экологический вестник научных центров ЧЭС, 2012, № 5, с. 1−5.
  113. .С., Куликов О. Н., Яковенко H.A. Фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным р±п-переходом. // Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Сборник трудов 3-й международной конференции
  114. С.А., Куликов О. Н. Моделирование автоколебательной системы в диодной структуре с поверхностно-барьерной неустойчивостью тока // Излучение и рассеяние ЭМВ. Труды международной научной конференции. Таганрог, 2005, с. 217
  115. Н.М., Григорьян Л. Р., Куликов О. Н. Механизм возникновения S-характеристики в эмиттередвухпереходной полупроводниковой структуры // Иноватика-2011. Труды Международной конференции. Ульяновск, 2011, с 132
  116. Л.Р., Куликов О. Н., Сахно М. А. Накопление носителей заряда в транзисторных структурах с активными энергетическими уровнями // Оптика и спектроскопия конденсированных сред. Материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар, 2012, с. 82
  117. Л.Р., Куликов О. Н., Сахно М. А. Неравновесные процессы в многослойных твердотельных структурах // Оптика и спектроскопия конденсированных сред. Материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар, 2012, с. 89
  118. О.Н. Механизм возникновения S-BAX в эмиттере транзисторной структуры // Научно-техническая конференция"Космическая энергетика". Тезисы докладов. Краснодар, 2011, с. 10
  119. Григорьян J1.P., Муравский Б. С., Яманов И. Л. Труды международного форума по проблемам науки, техники и образования// М. 1997, с. 48−50
  120. B.S. Muravskiy, L.R. Grigorian. Proceedings of 1997 international semiconductor Devise Research Symposium University of Virginia, p. 233−236
  121. .С. Неравновесные процессы и токовая неустойчивость в контактах металл-полупроводник. Докторская диссертация, 1983
  122. М.С., Муравский Б. С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях// ФТТ. 1961. т. З, № 11, с.2504−2506
  123. .С. Исследование аномальных характеристик точечных контактов с поверхностью германия и кремния// ФТТ. 1962, т.9, № 4, с.2485−2489
  124. .С., Яманов И. Л. Неравновесные процессы в структурах с поверхностно-барьерным переходом// ФТП. 1987, 21, № 5. с.961
  125. .С., Кузнецов В. И. Коэффициент передачи тока структуры с барьером Шоттки// Радиотехника и электроника. 1980, 25, № 5, с. 11 121 114
  126. В.Г., Муравский Б. С. Туннельная эмиссия из поверхностных состояний на границе раздела окисел-полупроводник// Поверхность (физика, химия, механика). 1985, т.12, с.28−31
  127. В.Г., Муравский Б. С. Туннельная эмиссия из поверхностных состояний на границе окисел-полупроводник// Поверхность (физика, химия, механика). 1989, № 12, с. 101−105
  128. М.Г., Муравский Б. С., Черный В. Н., Яманов И. Л. Фотоэффект в эпитаксиальной р±п-структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл// ФТП, 1995, т.29, № 1, с.91−95
  129. Е.В., Рогачев A.A. Высокочастотные неустойчивости тока в кремниевом оже-транзисторе// ФТП, 1999, 33, № 9, с. 1126−1129
  130. В.Д., Милешкина Н. В., Остроумова Е. В. Туннельная эмиссия электронов в фотополевых детекторах и в оже-транзисторе в сверхсильных полях// ФТП, 2003, 37, № 3, с372−377
  131. О.Д., Фролов В. Д. Эффект фотостимулированной генерации колебаний тока в полупроводниковой структуре// Письма в ЖЭТФ, 1983, 38, № 5, с. 244−246
  132. С.С., Кнаб О. Д., Лысенко А. П. БИСПИН новый прибор микроэлектроники// Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. Вып.6. с.53−77
  133. .Г., Кнаб О. Д., Фролов В. Д. Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структура с р-п-переходом// Докл. АН СССР. 1989. т. 308, № 3, с.60−605
  134. . О.Д. БИСПИН новый полупроводниковый прибор// Электронная промышленность. 1989, вып. 9. с.3−8
  135. . О.Д., Булгаков С. С. Применение БИСПИН-структур// Электронная промышленность. 1989, вып. 9. с.26−30
  136. С.С. Токовая неустойчивость в транзисторных БИСПИН-структурах// Электронная промышленность. 1990, вып. 8, с. 15−18
  137. . О.Д., Щука A.A. Интеллектуальные датчики на основе БИС-ПИН-структур// Электронный журнал «Исследовано в России» http://zhurnal.ape.relant.ru/articles/1999/025.pdf
  138. Vashpanov Yu A., Serdyuk V.V., Smyntya V.V. Current instabilities in thin cadmium selenide films. Phys. status solidi, 1982, A74, №, K131−135
  139. Барташевич 3.H., Пожела Ю. К., Тамашявичус A.B., Ульбикас Ю. К. Стохастические автоколебания проводимости структур металл-полупроводник на основе Si, GaAs и SiC. Лит. физ. сб. 1987, т.27, № 1,111−112
  140. A.A. Перезарядка поверхностных ловушечных состояний и неустойчивость тока в биполярной модели тонкопленочного МОП-транзистора типа КНИ // Микроэлектроника 1993, т. 22, № 6, с. 17−29
  141. A.A. Перезарядка поверхностных ловушечных состояний и неустойчивость тока в МОП-транзисторах // Микроэлектроника 1991, т. 20, № 5, с. 424−434
  142. Г. Ф., Чуприков H.JL, Успенский Б. А., Линейные и нелинейные параметры поверхностно винтовой неустойчивости в полупроводниковых пластинах Изв. вузов. Физ 1983, т. 26, № 1, с. 90−93
  143. Г. Ф., Чуприков Н. Л., Успенский Б. А. Расчет линейных параметров поверхностно винтовой неустойчивости в полупроводниковых пластинах Изв. вузов. Физ. 1983, т.26, № 6, с. 55−59
  144. Г. Ф., Чуприков Н. Л., Успенский Б. А. Амплитуда колебаний и нелинейный сдвиг частоты при возбуждении поверхностно винтовой неустойчивости в полупроводниковых пластинах Изв. вузов. Физ. 1983, т.26, № 6, с. 59−63
  145. Г. А., Цилильковский И. М. Токовые неустойчивости в п-GaAs в сильных магнитных полях. ФТП, 1983, 17, № 5, 850−853
  146. В.Ф., Гаман В. И., Глущук С. Ф., Терехина Л. И. Генерационные свойства МДП-структур Al-Tb2GeS5-Ge// Изв. вузов. Физ. 1982, т. 25, № 7, стр 28−31
  147. Я.Г., Свердлова A.M. Релаксационные колебания тока и емкости в МДП-п±р-структурах с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика// Поверхность: Рентген., синхротон. и нейтрон, исслед. 1998, № 12, с.99−103
  148. А.И., Гречко В. Д., Грушка Г. Г. Механизм генерации электрических колебаний, усиления фототока и S-образной ВАХ в ПДП-структурах// ФТП, 1989, т. 23, № 3, с. 2049−2055
  149. В. В. Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости в тонкопленочных структурах// ФТП, 1999, 33, № 4. С.423−424
  150. Э. Измерение параметров транзисторов. / Пер. с польск.
  151. A. А. Визеля. Под ред. Ю. А. Каменского.- М.: Сов. радио, 1976. 288с.
  152. В.Н. Физические процессы в транзисторных структурах с контактами металл-полупроводник. Кандидатская диссертация, 1985
  153. А.С.504 438 (СССР). Генератор электрических колебаний (Черный1. B.Н., Муравский Б.С.)
  154. В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник.
  155. Григорьян J1.P. Неустойчивость тока в многослойных структурах с активными энергетическими уровнями. Кандидатская диссертация, 2003
  156. В. Шокли. Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. М.: Изд-во иностр. лит., 1953.
  157. А.Я. «Производство полупроводниковых материалов». М. Металлургия 1985 г.
  158. В.В., Соколов И. А., Кузнецов Г. У. «Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов». М. Металлургия 1982 г
  159. А.И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изд. «Высшая школа», 1986 г.
  160. С.А. Физические модели полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением. М.: Радио и связь, 1997.
  161. A.A., Витт A.A., Хайкин С. Э. Теория колебаний. М. Наука, 1981.
  162. В.В., Медведев В. И., Мустель Е. Р., Парыгин В. Н. Основы теории колебаний. М.: Наука, 1978.
  163. JI.A. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. М.: Высшая школа. 1984.
  164. Ю. Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники М., Советское радио. 1976
  165. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.
  166. И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1980.
  167. Р.В., Кордош П., Тхорик Ю. А., Файнберг В. И., Штофаник Ф. Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов. Киев: Hay кова думка, 1986.
  168. ГОСТ 18 986.4−73. Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости
Заполнить форму текущей работой

На отлично!