Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном

Диссертация: Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В последние годы разрабатывается халькогенная предварительная обработка поверхности полупроводников с целью снижения ПЭС. Она также применяется для создания гетероструктур на основе полупроводников АШВУ. Модификация поверхности АШВУ атомами серы или селена, позволяет в принципе осуществлять кз, к химическую, так и электронную пассивацию поверхности. Использование халькогенной пассивации, с одной… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДОВ ГАЛЛИЯ И ИНДИЯ
    • 1. 1. Структура поверхности полупроводников АШВУ и современные методы исследования поверхности твёрдых тел
      • 1. 1. 1. Электронная спектроскопия и микроскопия поверхности твёрдых тел
      • 1. 1. 2. Просвечивающая электронная микроскопия
      • 1. 1. 3. Реконструкция поверхности полупроводников АШВУ
    • 1. Л .4. Реконструкция поверхности АШВУ при адсорбции атомов халькогена
      • 1. 2. Пассивация поверхности и природа электронных состояний на. поверхности в полупроводниках АШВУ
        • 1. 2. 1. Электронные процессы, происходящие на поверхности полупроводников АШВУ при адсорбции кислорода
        • 1. 2. 2. Халькогенная пассивация АШВУ
      • 1. 3. Соединения со стехиометрическими вакансиями типа А2шВ3у и способы получения тонких плёнок из этих материалов
  • Выводы по главе 1. Цель работы и задачи исследования
  • ГЛАВА 2. ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ОаАз (ЮО) В ПАРАХ СЕЛЕНА
    • 2. 1. Формирование нано- и гетероструктур в системе ОаА8-Оа28е
      • 2. 1. 1. Подготовка подложек арсенида галлия и арсенида индия
      • 2. 1. 2. Обработка поверхности подложек ОаАэ и 1пАб в парах селена
    • 2. 2. Пассивация поверхности арсенида галлия в процессе обработки в парах селена
    • 2. 3. Ювенилизация поверхности арсенида галлия в процессе обработки в парах селена
    • 2. 4. Выводы по главе
  • ГЛАВА 3. КИНЕТИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ, МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЁНОК Ga2Se3 НА ПОВЕРХНОСТИ GaAs (lOO)
    • 3. 1. Кинетические закономерности образования новой фазы на поверхности арсенида галлия
    • 3. 2. Электронографический фазовый анализ образующихся в процессе ГВЗ плёнок на поверхности GaAs (lOO)
    • 3. 3. Электронно-микроскопические микродифракционные исследования структур GaAs (100)-Ga2Se
    • 3. 4. Выводы по главе 3
  • ГЛАВА 4. СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ InAs (lOO) И КИНЕТИКА ОБРАЗОВАНИЯ СЕЛЕНИДА ИНДИЯ В ПРОЦЕССЕ ОТЖИГА В ПАРАХ СЕЛЕНА
    • 4. 1. Кинетические закономерности образования новой фазы на поверхности арсенида индия в процессе отжига в парах селена
    • 4. 2. Структурно-фазовые превращения на поверхности InAs (lOO) при обработке в парах селена
    • 4. 3. Выводы по главе 4
  • ГЛАВА 5. НАНОРАЗМЕРНЫЙ СЛОЙ ФАЗЫ Am2Bv, 3(l 11) С УПОРЯДОЧЕННЫМИ ВАКАНСИЯМИ КАТИОНА НА GaAs (lll) И InAs (lll)
    • 5. 1. Структурно-фазовые превращения и реконструкция поверхности GaAs (l 11) при обработки в парах селена
    • 5. 2. Структурно-фазовые превращения и реконструкция поверхности InAs (l 11) при обработки в парах селена
    • 5. 3. Выводы по главе 3

Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

:

Атомно гладкие, химически чистые поверхности полупроводников и резкие границы раздела необходимы для создания искусственных полупроводниковых микроструктур, в которых реализуются электронные явления в сверхтонких (квантоворазмерных) слоях и областях гетероструктур, с которыми, в частности, связано новое направление развития полупроводниковой электроники — наноэлектроника [1,2].

Многие оптоэлектронные устройства и твёрдотельные элементы с повышенным быстродействием в своей основе используют полупроводниковые соединения AmBv (GaAs5 InP, AlAs).

Однако до настоящего времени практическая реализация приборов на основе различных материалов класса AmBv сдерживается проблемой формирования совершенной границы раздела в гетероструктурах металлАШВУ и диэлектрик — АШВУ ввиду высокой плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) на этих границах раздела [3].

Известно, что снижение плотности ПЭС может быть обусловлено реконструкцией поверхностей полупроводников АШВУ. Реконструированное состояние полупроводников АШВУ наблюдается in situ только на сколотых или очищенных в сверх высоком вакууме (СВВ) поверхностях полупроводников АШВУ, в том числе и с адсорбированным монослоем халькогена [2, 4].

В последние годы разрабатывается халькогенная предварительная обработка поверхности полупроводников с целью снижения ПЭС [3, 5, 6]. Она также применяется для создания гетероструктур на основе полупроводников АШВУ [3, 7, 8]. Модификация поверхности АШВУ атомами серы или селена [3, 5, 9−13], позволяет в принципе осуществлять кз, к химическую, так и электронную пассивацию поверхности. Использование халькогенной пассивации, с одной стороны, позволяет улучшить характеристики различных приборов за счёт существенного уменьшения плотности ПЭС [9, 10] и снижения скорости поверхностной рекомбинации, а с другой стороны, позволяет существенно замедлить процессы окисления полупроводниковой поверхности в атмосфере. В результате такой химической пассивации с поверхности полупроводника удаляется слой окисла, вместо которого формируется тонкая кристаллическая плёнка химически инертного материала. Эта плёнка и выполняет функции сверхтонкого буферного слоя, защищая поверхность подложки от контакта с агрессивными компонентами ростовой среды [14]. Необходимо отметить, что для подложек 1пАз подобные исследования практически отсутствуют [1,3].

В работах [15−20] показано, что обработка в парах халькогена приводит к формированию наноразмерных гетероструктур типа полупроводниковый слой соединения Аш2ВУ1з на подложке из полупроводника АШВУ, что открывает пути к практической реализации новых различных типов классов приборов на основе, А В [15, 21], в частности, солнечных элементов и светодиодов.

В современной литературе представлено большое количество работ, посвященных процессу формирования гетероструктур А1И2ВУ1з/А111ВУ, однако вопрос о механизме и кинетике образования новой фазы и структуры формирующейся гетерограницы в процессе реакции гетеровалентного замещения (ГВЗ) мышьяка на селен и, особенно на начальных стадиях процесса, до сих пор остается открытым. Поскольку именно эти процессы обуславливают структурное совершенство и функциональные характеристики данного класса гетеропереходов, целью работы являлось: установление закономерностей образования новой фазы на поверхности ваАБ и 1пАб в процессе взаимодействия с селеном.

Основными задачами исследования, исходя из поставленной цели, являются:

1. Выбор термодинамических условий проведения процессов ГВЗ отвечающих начальным стадиям образования новой фазы на поверхности ваАБ и 1пАз при взаимодействии с селеном.

2. Изучение условий получения атомно-гладкой поверхности подложек из GaAs и InAs.

3. Исследование кинетики образования слоев из селенидов галлия и индия на поверхностях подложек соответственно из GaAs и InAs в процессе термической обработки их в парах селена.

4. Исследование топологии и кристаллической структуры поверхности подложек из GaAs (lOO), GaAs (lll), InAs (lOO) и InAs (lll) обработанных в парах селена в диапазоне температур и времен процесса, соответствующих начальной стадии реакции ГВЗ.

Объекты и методы исследования. Исследовались монокристаллические подложки арсенида галлия электронного типа проводимости марки АГЧ-25а <100> толщиной (390 ± 5) мкм, АГЧ-25а <111> В толщиной (390 ± 5) мкм и арсенида индия: ИМЭА-2а <111> В толщиной (350 ± 5) мкм, ИМЭА-2а <100> толщиной (350 ± 5) мкм исходные и обработанные в парах селена. Процессы ГВЗ проводились в СВВ в камере квазизамкнутого объёма (КЗО) в процессе термического отжига.

Исследование кристаллической структуры гетерограниц GaAs (lOO)-Ga2Se3, GaAs (lll)-Ga2Se3, InAs (100)-In2Se3 и InAs (l 1 l)-In2Se3 проводилось в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ) Hitachi Н-800 при ускоряющем напряжении 200 кВ и электронографии «на отражение» с помощью электронографа ЭГ-100М. Рельеф поверхности подложек контролировался на атомно-силовом микроскопе (ACM) Solver-Pro (НТ-МДТ) и сканирующем электронном микроскопе (СЭМ) JEOL-JSM-6380LA с системой энерго-дисперсионного анализа INCA-250 для изучения элементного состава поверхности образцов методом рентгеноспектрального микроанализа (РСМА). Толщина образовавшихся пленок халькогенида определялась на эллипсометре ЛЭФ-ЗМ и в некоторых случаях по сколу в СЭМ.

Научная новизна.

Обнаружены псевдоморфные к подложке ваАэ ГЦК фаза 0а28е3(100) со структурой сфалерита, имеющая 25% упорядоченных вакансий и ГЦК фаза Оа28е3(111) со структурой сфалерита, имеющая 33% упорядоченных стехиометрических вакансий. При этом в изучаемых гетероструктурах ваАБ-Оа28е3 поверхность ОаАз (ЮО) реконструирована по типу (2×2) и СаАз (111) по типу (л/Зхл/ЗЭ-ИЗО0.

Идентифицированы псевдоморфная ГЦК фаза 1п28е3(111) со структурой сфалерита, имеющая 33% упорядоченных стехиометрических вакансий. Определена реконструкция поверхности 1пАз (111) по типу (^Зхл^З)-ЮО0 в гетероструктуре 1пАз-1п28е3 с 33% упорядоченных стехиометрических вакансий в плёнке 1п28е3.

Впервые реконструкция поверхности полупроводника АШВУ идентифицируется по дифракционным изображениям в ПЭМ в гетероструктурах ОаАз (100)-Оа28е3, ОаАБ (111)-Са28е3, 1пАз (100)-1п28е3 и 1пА8(111)-1п28е3.

Практическая значимость.

В данной работе были получены гетероструктуры ОаАз (100)-Оа28е3, ОаАБ (111)-Оа28е3,1пАз (100)-1п28е3 и 1пАз (111)-1п28е3, в которых сохраняется реконструкция подложки за счёт стабилизирующего действия псевдоморфной плёнки АШ2ВУ12. Эти гетероструктуры могут быть использованы, например, в фотопреобразователях солнечной энергии. Обработка в парах селена может быть использована для пассивации поверхностей арсенидов галлия и индия. Установлен факт ювенилизации поверхности арсенида галлия в результате обработки её в парах селена.

На защиту выносятся следующие положения:

1-. Стабилизация реконструкции ОаАз (100)(2×2) псевдоморфным слоем Оа28е3, а также реконструкции ОаАз (1 11)(^3хл/3)к-30° и ЫАбО 11)(^3хл/3)я.

30° псевдоморфными слоями Ga2Se3 и Iti2Se3, соответственно. В слоях селенидов Ain2Se3 стехиометрические вакансии в катионной решётки упорядочиваются коррелированно с типом реконструкции подложки.

2. Происходящая при обработке в парах селена поверхности GaAs (lOO) (Тп=(600−620) К и времени обработки (5−15) минут) и InAs (lOO) (Тп=(500−550) К и времени обработки (5−15) минут) реакция ГВЗ анионов приводит к образованию псевдоморфных к подложке релаксированных слоёв ГЦК фаз Ga2Se3(100) и In2Se3(100) со структурой сфалерита, соответственно.

3. С увеличением времени обработки в парах селена поверхности InAs (lOO) образуется тонкая плёнка ГЦК фазы со структурой сфалерита In2Se3 (а=5.460 A), в которой стехиометрические вакансии не упорядочены.

4. В исследованном диапазоне температур скорость образования селенидов вначале ограничена диссоциацией полупроводников АШВУ, а затем диффузией компонентов реакции через слой селенида. При этом для подложек InAs (lOO) наблюдается нарушение условия" квазистационарности процесса ГВЗ.

5. Процесс ювенилизации поверхности арсенида галлия в результате обработки в парах селена при Тп=(600−620) К и времени (5−15) минут объясняется двухстадийным механизмом формирования слоя селенида галлия. Нарушение квазистационарности протекания двух механизмов в случае ГВЗ в InAs не позволяет получить ювенильную поверхность подложки в этом случае.

Личный вклад автора. Постановка задачи и определение направлений исследований осуществлялись д. ф.-м. н., профессором H.H. Безрядиным. Проведение основных экспериментов осуществлено автором лично. На некоторых этапах в работе принимали участие к.ф.-м. н., доцент Г. И. Котов, к.т.н., доцент Б. Л. Агапов. Обсуждение результатов на протяжении всей работы проведены вместе с д. ф.-м. н., профессором Н. Н: Безрядиным, к.ф.-м. н., доцентом Г. И. Котовым.

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на XXI Российской конференции по электронной микроскопии «ЭМ'2006» (Черноголовка, 2006 г.), XII и XIII национальной конференции по росту кристаллов (НКРК — 2006, 2008) (Москва, 2006 г., 2008 г.), III Всероссийской конференции (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехнология» (Санкт-Петербург, Хилово, 2006 г.), X международной конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (Томск, 2006 г.), Молодёжная конференция (Санкт-Петербург, 2007 г.), VIII Российской конференции по физике полупроводников (Екатеринбург, 2007 г.), International Conference «Crystal Materials'2010» (ICCM'2010) (Kharkov, Ukraine, 2010), а также на отчетных научных конференциях ВГТА за 2006, 2007, 2008, 2009 года (Воронеж, 2007 г., 2008 г., 2009 г., 2010 г.).

Публикации.

Материалы диссертации опубликованы в 21 печатных работах, из которых 4 статьи в журналах рекомендованных ВАК, 4 публикации в журналах, не входящих в перечень ВАК и 13 тезисов докладов на всероссийских и международных конференциях.

Объем и структура диссертации.

Диссертация содержит 157 страниц машинописного текста, 47 рисунков, 13 таблиц и по структуре состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы, включающего 172 наименование работ отечественных и зарубежных авторов.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Обработка подложки GaAs в парах селена повышает степень атомной гладкости (ювенилизации) поверхности подложки. Подобного эффекта не наблюдается для подложек из арсенида индия из-за нарушения квазистационарности процесса ГВЗ в этом случае.

2. Идентифицирована ГЦК фаза селенида индия In2Se3(100) кристаллизующаяся в решётке сфалерита, с параметром решётки 5.460 А.

3. Изучены кинетические закономерности протекания реакции ГВЗ мышьяка на селен в полупроводниках GaAs и InAs на начальных стадиях процесса. Установлено, что в отличие от GaAs, процесс ГВЗ в подложке из InAs протекает не в стационарных условиях.

4. Поверхности арсенида галлия ориентацией (100) и (111) и арсенида индия (111) реконструируются в процессе термического отжига в парах селена. Тип реконструкции формируется коррелированно с характером упорядоченного распределения стехиометрических вакансий в образующейся псевдоморфной к подложке GaAs (100) и (111) или InAs (lll) плёнке Ga2Se3 или In2Se3, соответственно.

5. Впервые идентифицированы кубические фазы с упорядоченными вакансиями катиона Ga2Se3 и In2Se3 псевдоморфные к GaAs и InAs, соответственно.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур/ Ж.И. Алферов// ФТП. -1998. -Т. 32, № 1. -С. 3−18
  2. Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников: Пер. с англ./ Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн М.: Мир, 1990. — 448 с.
  3. В.Н., Лебедев М. В. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников А3В5 // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 11, с. 1281−1299.
  4. К. Введение в физику поверхности. / К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А. Саранин, А. В. Зотов, М. Катаяма-М.: Наука, 2006. 490 с.
  5. K. Ueno / Growth and characterization of Ga2Se3/GaAs (100) epitaxial thin films// K. Ueno, M. Kawayama, Z. R. Dai, A. Koma, F. S. Ohuchi. Jornal of Crystal Growth, V. 207, Iss. 1−2, 1999, p. 69−76.
  6. St. Hohenecker / The influence of a selenium interlayer on the In/GaAs (100) interface formation// St. Hohenecker, D. Drews, M. Lubbe, D.R.T. Zahn, W. Braun. Applied Surface Science, Volumes 123−124, 1998, 585−589.
  7. Е.Ф. и др. Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности арсенида галлия // Физика и техника полупроводниковю 1995. № 2.
  8. С.И., Примаченко В. Е. Электронные свойства сульфидированной поверхности арсенида галлия // Поверхность. 1994. № 12.
  9. В.Л., Иванцов Л. Ф. исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе натрия // Физика и техника полупроводников. 1990. Т. 25. № 3.
  10. В.М., Жиляев Ю. В., Коненкова Е. В. Сульфидная пассивация силовых GaAs-диодов // Физика и техника полупроводников. 1999. Т. 33. № 6.
  11. М.П. Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированные обработкой GaAs в парах селена: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук, Воронеж, 1999.
  12. Т.В. Львова. Сульфидная пассивация подложек InAs (lOO) в растворах N2S/ T.B. Львова, И. В. Седова, М. С. Дунаевский, А. Н. Карпенко, В .П. Улин, С. В. Иванов, В.Л. Берковиц// ФТТ. 2009, том 51, вып. 6.
  13. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах М GaAs / Б. И. Сысоев и др. // ФТП. -1993. -Т. 27, №. 1. -С.131 — 135.
  14. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия Am2Bv3(l 10)/ Б. И. Сысоеви др. // ФТП.- 1995. -Т. 29, № 1. -С. 24−32.
  15. Sysoev B.I., Bezryadin N.N., Shlyk Yu.K. et al. Electrophysical properties of In2Te3 InAs heterojunction // Phys. St. Sol. (a), 1986, v. 95, p. K169-K173.
  16. Б.И. Сысоев, Б. Л. Агапов, H.H. Безрядин и др. Гетеровалентное замещение в процессе получения полупроводникового гетероперехода In2Te3/InAs // Неорганические материалы, 1996, т. 32, № 12, с. 1449−1453.
  17. Б.И. Сысоев, Б. Л. Агапов, H.H. Безрядин и др. Свойства границы раздела InAs тонкий полуизолирующий слой In2Se3 // ФТП, 1991, т. 25, № 4, с. 699−709.
  18. H.H. Безрядин, A.B. Буданов, Е. А. Татохин и др. Синтез плёнок In2Se3 на подложках из арсенида индия методом гетеровалентного замещения // Неорганические материалы, 2000, т. 36, № 9, с. 1037−1041.
  19. Изолирующее покрытие для арсенида галлия / Б. И Сысоев и др.// ЖТФ. -1986. -Т.56, № 5. -С.913 -915.
  20. В.М. Просвечивающая электронная микроскопия неорганических материалов: учебное пособие/ В. М. Иевлев, С.Б. Кугцев- Воронеж: ВГТУ, 2003. 164 с.
  21. С. С. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. / С. С. Горелик. -М.:-МИСИС, 1994.
  22. Э. Физика поверхности: пер. с англ./ Э. Зенгуил М.: Мир, 1990.-536с.
  23. Q. Xue, T. Hashizume, A. Ichiniya, T. Ohno, Y. Hasegawa, T. Sakuraj. Sci. Rep. RITU, A44, 113 (1997).
  24. A.R. Avery, D.M. Holmes, T.S. Jones, B.A. Joyce, G.A. Briggs. Phys. Rev. В, 50, 8098 (1994).
  25. Q. Xue, T. Hashizume, T. Sakuraj. Progr. Surf. Sci., 56, 1 (1997).
  26. T. Hashizume, Q. Xue, J. Zhoe, A. Ichiniya, T. Sakuraj. Phys. Rev. Lett., 73, 2208 (1994).
  27. Ю.Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов. ФТП, 2000, т.34, вып. 8.
  28. Ю.Г. Галицын, С. П. Мощенко, А. С. Суранов. ФТП, 2000, т.34, вып. 2.
  29. D.J. Chadi, J. Vac, Sci. Technol. A, 5, 834 (1997).
  30. Structure of Ga-stabilized GaAs (OOl) surface at high temperatures/A. Ontake et al.//Appl. Surf. Sci. -2003. -V. 212−213. -P.146−150.
  31. Hirichi Y. Surface structure transitions on InAs and GaAs (OOl) surfaces/Y. Hirichi, H. Yoshiji//Phys. Rev. B. -1995. -V. 51, № 15. -P.9836−9854.
  32. Seino K. Structure and energetics of Ga-rich GaAs (OOl) surfaces/K. Seino, W.G. Schmidt// Surf. Sci. -2002. -V. 510. -P. 406−410.
  33. Nagashima A. Surface structure of GaAs (001)-C (4×4), studied by LEED intensity analysis/ A. Nagashima, A. Nishimura, T. Kawakami// Surf. Sci. 2004. -V. 564,1. 1−3. -P.218−224.
  34. Hiroki S. Determinations of surface structures of GaAs-(2×4) As-rich phase/ S. Hiroki, S. Masanori // Phys. Rev. B. -1995. -V. 51, № 7. -P.4200−4212.
  35. Hiroki S. Fabrication of rectangular holes along (2×4) unit cells on GaAs (OOl) reconstructed surface with a scanning tunneling microscope/ S. Hiroki, S. Masanori, T. Masafumi// Jap. J. Appl. Phys. Pt.2. -1995. V. 34, № 6B. -P.727−729.
  36. Y. Hirota. Scanning tunneling microscopy studying of GaAs (OOl) surface prepared by deoxygenated and de-ionized water treatment/ Y. Hirota, T. Fukuda// Appl. Phys. Lett. -1995. -V.66, № 21. -P.2837−2839.
  37. STM/nc-AFM investigation of (nx6) reconstructed GaAs (OOl) surface/B. Such etal.// Surf. Sci. -2003. -V.530,1. 3. -P.149−154.
  38. W.G. Schmidt. Geometry and electronic structure of GaAs (001)(2×4) reconstructions/W.G. Schmidt, F. Bechstedt// Phys. Rev., B, 54, 23 (1996).
  39. C. Ratsch. Surface reconstructions for InAs (OOl) stadied with DFT and STM/ C. Ratsch, W. Barvosa-Carter, F. Grosse, J. H. G. Owen, J.J. Zinck//
  40. P. De Padova. Low-dimensional electronic structures on In-terminated InAs (001)-c (4×4) and (4×2)c (8×2) surfaces/ C. Ratsch et. al.//
  41. Ю.Г. Галицын. Соразмерные и несоразмерные фазы In на поверхности (111)A InAs/ Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, И. И. Мараховка, И.П. Петренко// ФТП, 1998, т. 32, № 1, стр. 89−94.
  42. J.M. Thornton, P. Unsworth, M.D. Jackson, P. Weightman, D.A. Woolf. Surf. Sci., 316, 231 (1994).
  43. D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 52, 1911 (1984).
  44. D.A. Woolf, D.J. Westwood, R.H. Williams. Appl. Phys. Lett., 62, 13730(1993).
  45. Pashley M.D. Control of the Fermi-level position on the GaAs (lOO) surface: Se passivation/.M.D. Pashley, D. Li// J.Vac.Sci.&Technol.A. -1994. -V. 12.- 1848−1854.
  46. Li D. Interaction of selenium with the GaAs (001)-(2×4)/c (2×8) surface studied by scanning tunneling microscopy/ D. Li, M.D. Pashley// Phys. Rev. B.- 1994.-V. 49.-P. 13 643−13 649.
  47. Gundel S. First principles simulation of Se and Te adsorbed on GaAs (001)/S. Gundel, W. Faschinger// Phys. Rev. B. -1999. -V. 59, № 8. -P. 56 025 611.
  48. Ohno T. Passivation of GaAs (OOl) surface by chalcogen atoms (S, Se and Te)/ T. Ohno// Surface Science. -1991.- V. 386,1. 3. -P. 225- 229.
  49. Szcsa B. Chalcogen passivation of GaAs (lOO) surface: theoretical study/B. Szcsa, Z. Hajnala, Th. Frauenheima//Appl. Surf. Sci. -2003. -V.212−213. -P. 861−865.
  50. Biegelsen D.K. Selenium and tellurium terminated GaAs (lOO) surfaces observed by scanning tunneling microscopy/D.K. Biegelsen, R.D. Bringans, J.E. Nothrup// Phys. Rev. B. -1994. -V. 49, № 8. -P. 5424 5428.
  51. Erico T. Sano. Adsorption on (001) GaAs under various AS4 pressure/Erico T. Sano, Yoshiji Horikoshi// Jpn. J. Appl. Phys.Pt.2. -1993. -V. 32, № 5A. -P.L.641-L644.
  52. Shigekawa H. Selenium treated GaAs (001)-2×3 surface studied by scanning tunneling microscopy/ H. Shigekawa, H. Oigawa, K. Miyake// Appl. Phys. Lett. -1994. -V.65, № 5. -P. 607−609.
  53. Bringans R.D. Scanning Tunneling Microscopy Studies Gf Semiconductor Surface Passivation / R.D. Bringans, D.K. Biegelsen, J.E. Nothrup//Jpn. J. Appl. Phys. -1993. -V.32, № 3B. -P.1484−1492.
  54. Li D. Reconstruction structure at Ga2Se3/GaAs epitaxial interface/ D. Li, Y. Nakamura, N. Otsuka// J.Cryst.Growth. -1991, №. 111. -P. 1038−1042.
  55. Tamotsu O. Control of Arrangement of Native Gallium Vacancies in Ga2Se3 on (100)GaAs by Molecular Beam Epitaxy/O. Tamotsu, T. Tsuyoshi, Y. Akira// Jpn. J. Appl. Phys. Pt.l. -1995.-V.34, № 11. -P. 5984−5988.
  56. Reflection high-energy electron diffraction and photoemission spectroscopy study of GaAs (OOl) surface, modified by Se adsorption/ T. Smireca et al.// Phys. Rev. B. -1992.-V. 45.-P. 8498−8505.
  57. Takatani S. Reflection high-energy electron diffraction and photoemission spectroscopy study of GaAs (001) surface modified by Se adsorption/ S. Takatani, T. Kikawa, M. Nakazawa// Phys. Rev. B. -1992. -V. 45, N. 15. -P.8498- 8505.
  58. Kampen T.U. Surface properties of chalcogen passivated GaAs (100)/T.U. Kampen, D.R.T. Zahn, W. Braun// Appl. Surf. Sei. -2003. -V. 212−213. -P.850−855.
  59. Gundel S. An ab initio study of Se-reacted GaAs (OOl) surfaces/ S. Gundel, W. Spahn, W. Faschinger// J. Cryst. Growth. 1998. -V. 184−185. -P.80−84.
  60. Atomic geometry and electronic states on GaAs (l ll) A-Se (2V3x2V3) — K. Chuasiripattana, R. H. Miwa, G.P. Srivastava- Surface Science. 2004. — V. 566−568. — P. 909−915.
  61. Structure of Se-adsorbed GaAs (l 1 l) A-(2V3x2"V3)-R30° surface- Akihiro Ohtake, Phys. Rev. В 59, 8032 8036 (1999).
  62. M. В. Лебедев, M. Shimomura, Y. Fukuda. Реконструкция поверхности InSb (lll)A при адсорбции серы // Физика и техника полупроводников. 2007, том 41, вып. 5.
  63. Grazhulis V.A. Some recent results on low-temperature studies of cleaved Si and Ge surfaces/ V.A. Grazhulis //Surf. Sei. -1986. -V. 168. -P. 16 -27.
  64. B.B. Переходный слой поверхностно барьерных структур на Si и GaAs/ B.B. Миленин, P.B. Конакова// Петербургский журнал электроники. -2003.- № 2. -С. 13−26.
  65. Fundamental studies of III-V surfaces and III-V oxide interface/ W.E. Spicer et al. // Thin Solid Films. -1979. -V.56, № ½. -P. 1−19.
  66. Unified mechanism for Shottky barrier formation and III-V oxide interface states// W.E. Spicer et al.// Phys. Rew. Lett. -1980. -V. 44, № 6. -P. 420−423.
  67. Brundle C.R. Oxygen interaction with GaAs surfaces: an XPS/UPS study/ C.R. Brundle, D. Seybold// J. Vac. Technol. -1979. -V. 16, № 5. -P. 11 861 190.
  68. Childs K.D. Species-specific densities of states of Ga and As in the chemisorption of oxygen on GaAs (110)/ K.D. Childs, M.G. Lagally //Phys. Rev. B. -1984. -V. 30, № 10. -P. 5742−5752.
  69. The surface electron structure of III-V compounds and the mechanism of Fermi level pinning by oxigen (passivation) and metal (Schottky barrier)/ W.E. Spicer et al.// Surface Sci. -1979. -V.86. -P.763−768.
  70. Kirchner P.D. Oxide layers on GaAs prepared by thermal, anodic and plasma oxidation in-depth profiles and annealing effects// P.D. Kirchner, A.C. Warren// Thin Solid Films. -1979. -V. 56. -P. 63−73.
  71. Oxide passivation of photochemically unpinned GaAs/ P.D. Kirchner, et al. // J. Electrochem. Soc. 1988. -V. 135, № 7. -P. 1822−1824.
  72. Chang C.C. Chemical preparation of GaAs surfaces and their characterization by Auger-electron and X-ray photo-emission spectroscopies/ C.C. Chang, P.H. Citrin, B. Schwartz.// J. Vac. Sci. Technol. -1977. -V. 14. № 4. -P. 943−952.
  73. Citrin P.H. Atomic geometry of cleavage surfaces of tetrahedrally cootdinated compound semiconductors// J. Vac, Sci. Technol.// P.H. Citrin, B. Schwartz/- 1976. -V. 13, № 4. -P. 761−768.
  74. В.И. Белый /Химия поверхности полупроводников AmBv// Проблемы электронного материаловедения. Новосибирск: Наука, 1986, с. 168
  75. Ow K.N., Wang X.W. // Phys. Rev. В. 1996. Vol.54.N 24.P. 1 766 117 666.
  76. Т., Shiraishi К. // Phys. Rev. В. 1990. Vol.42. N 17.P. 11 941 197.
  77. Ren S.-F., Chang Y.-C. // Phys. Rev. B. 1990. Vol.41.N 11.P. 77 057 712.
  78. D. Paget, J. E. Bonnet, V.L. Berkovits, P. Chiaradia, J. Avila. Phys. Rev. В 53, 4604 (1996).
  79. V.L. Berkovits, V.P. Ulin, D. Paget, J.E. Bonnet, T.V. L’vova, P. Chiaradia, V.M. Lantratov. J. Vac. Sei. Technol. A 16, 4, 2528 (1998).
  80. H. Sagahara, M. Oshima, H. Oigava, H. Shigekava, Y. Nannichi. J. Appl. Phys. 69, 4349(1991).
  81. И.В. Седова, T.B. Львова, В. П. Улин, C.B. Сорокин, A.B. Анкудинов, В. Л. Буковиц, С. В. Иванов, П. С. Копьёв. ФТП 36, 1, 59 (2002).
  82. T.V. L’vova, I.V. Sedova, V.P. Ulin, S.V. Sorokin, V.A. Solov’ev, V.L. Berkovits, S.V. Ivanov. Vacuum 57, 2, 163 (2000).
  83. Sandroff C.J. Pramatic enhancement in the gain of a GaAs/GaAlAs heterostructure bipolar transistor by surface chemical passivation/ C.J. Sandroff, R. N .Nottenburg, J.C. Bischoftf/ Appl. Phys. Lett. -1987. -V. 51, N 1. -P.33−35.
  84. Yablonovich E. Nearly ideal electronic properties of sulfide coated GaAs surfaces/ E. Yablonovich, C. J Sandroff., R. Bhat// Appl.Phys.Lett. -1987.-V. 51, N6.-P. 439−441.
  85. Sandroff C.J.Electronic passivation of GaAs surfaces through the formation of arsenic-sulfur bands/ C. J Sandroff., M.S. Heyde, L.A. Farrow// Appl. Phys. Lett. -1989. -V. 54, N 4. -P. 362−364.
  86. Carpenter M.S. Effect of Na2S and (NH^S edge passivation treatments on the dock current voltage characteristics of GaAs pn diodes/ M.S. Carpenter, M.R. Melloch// Appl. Phys. Lett. -1988-V. 52.-P. 2157−2159.
  87. Carpenter M.S. Schottky barrier formation on (NH4) S2-treated n- and p-type (100) GaAs/ M.S.Carpenter, M.R. Melloch, Т.Е. Dungan // Appl. Phys. Lett. -1988. V. 53, № 1. -P.66−68.
  88. Min-Gu Kang. Surface preparation and effective contact formation for GaAs surface/ Min-Gu Kang, Hyung-Ho Park// Vacuum. -2002. -V.67, 1.1. -P.91−100.
  89. B.H. Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония/ В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, М. В. Лебедев, D.R.T. Zahn/ ФТП. -1997. -Т. 31, № 11. -С.1350−1356.
  90. В.Н. Сравнение эффективности пассивации GaAs из растворов сульфидов натрия и аммония/В.Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, М.В. Лебедев//ФТТ. -1997. -Т. 39, № 1. -С.63−66.
  91. Konenkova E.V. Modification of GaAs (100) and GaN (0001) surfaces by treatment in alcoholic sulfide solution/ E.V. Konenkova// Vacuum. -2002. -V.67,1.1. -P.43−52.
  92. Сульфидная пассивация поверхности полупроводников А3В5: роль заряда иона серы и реакционного потенциала раствора/ В. Н. Бессолов и др. //ЖТФ. -1998. -Т. 68, № 8. -С.116−119.
  93. Ji-Wan Kim. A study on the structural distribution of Se-passivated GaAs surface/ Ji-Wan Kim, Seung-Hoon Sa, Min-Gu Kang// Thin Solid Films. -1998. -V.332,1.1−2. -P. 305−311.
  94. Seung-Hoon Sa. The comparative analysis of S and Se in an (NH4)2(S, Se) lj08-treated GaAs (100) surface/ Seung-Hoon Sa, Min-Gu Kang, Hyung-Ho Park // Surface and Coating Technology. -1998. -V. 100−101. -P. 222 228.
  95. Belkovich S. GaAs surface chemical passivation by (NH4)2S+Se and effect of annealing treatment/ S. Belkovich, C. Aktik, H. Xu// Solid-State Electronics. -1996. -V. 39,1.4. -P.507−510.
  96. Meskinis S. Effect of selenious acid treatment on GaAs Schottky contacts/ S. Meskinis, S. Smetona, G. Balcaitis// Sem. Sci. Technol. 1999. -V. 14. -P. 168−172.
  97. Effect of SeS2 treatment on the surface modification of GaAs and adhesive wafer bonding of GaAs with Silicon/ P. Premchander et al.// J. Cryst. Growth. -2004. -V. 263,1. 1−4. -P. 454−458.
  98. А. В. M. O. Passivation of GaAs surface by GaS/ А. В. M. O. Islam, T. Tambo, C. Tatsuyama// Vacuum. -2000. -V. 59,1.4.-P.894−899.
  99. Scimeca T. Surface chemical bonding of selenium-treated GaAs (ll 1) A, (100) and (111)В/ Т. Scimeca, Y. Watanabe, R. Berrigan.// Phys. Rev. B.-1992. -V. 46, 10 201−10 206.
  100. Takatani S. Reflection high-energy electron diffraction and photoemission spectroscopy study of GaAs (001) surface modified by Se adsorption/ S. Takatani, T. Kikawa, M. Nakazawa// Phys. Rev. B. -1992. -V. 45, N. 15. -P.8498- 8505.
  101. Chambers S.A. Structure, chemistry and band bending at Se-passivated GaAs (OOl) surface/ S.A. Chambers, V.S. Sundaram// Appl. Phys. Lett. -1990. -V. 57,1.22. -P.2342−2344.
  102. Massies J. Monocrystalline aluminum ohmic contact to n-GaAs by H2S adsorption/ J. Massies, J. Chaplart, M. Laviron// Appl. Phys. Lett. -1981. -V. 38, № 9. -P. 693−695.
  103. Feng P.X. Surface and bulk properties of GaAs (OOl) treated by Se layers/ P.X. Feng, J.D. Riley, R.G.G.Leckty// Surf. Sci. -2000. -V.468. -P. 109 121.
  104. Feng P.X. Surface, interface and bulk properties of GaAs (lll)B treated by Se layers/ P.X. Feng, J.D. Riley, R.G.G. Leckty// J. Phys. D: Appl. Phys. -2001. -V.34. -P.678−682.
  105. Formation of a Me/GaAs heterocontact with an intermediate layer of gallium selenide/B.I. Sysoev et al.//Phis. Stat. Sol.(a). 1992. V.129. -P.207−212.
  106. Электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком / Н. Н. Безрядин и др.// ФТП. -1999. -Т. 33, №. 6. -С. 79−81.
  107. Н. Oigawa, J.F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Jpn. J. Appl. Phys. 30, L 322 (1991).
  108. Y. Fukida, Y. Suzuki, N. Sanada, M. Shimomura, S. Nasuda. Phys. Rev. В 56, 1084 (1997).
  109. D.Y. Petrovykh, M.J. Yang, L.J. Whitman. Surf. Sci. 523, 231 (2003).
  110. Chemical and electronic properties of sulfur-passivated InAs surfaces, D.J. Petrovykh, M.J. Yang, L.J. Whitman, Surface Science, vol.523, issue 3, 20 January 2003, p. 231−240.
  111. А.И., Сергеева B.M. ФТТ, 1960, т.2, № 2, стр. 112.
  112. А.А., Григорьева B.C. Сб. «Исследования по полупроводникам. Новые полупроводниковые материалы». Изд-во «Картя Молдовеняскэ», Кишинёв, 1964, стр. 77.
  113. Л.С., Белова Е. К., Козьма А. А. ДАН СССР, 1964, т. 159, № 1,р. 362.
  114. Л.В., Гальчинецкий Л. П., Кошкин В. М., Палатник Л. С. «Известия АН СССР», Неорганические материалы, 1965, т.1, № 12, стр. 2140.
  115. Л.С., Атрощенко Л. В., Гальчинецкий Л. П., Кошкин В. М. ДАН СССР, 1965, т. 165, стр. 809.
  116. Л.С., Белов Е. К. «Известия АН СССР», Неорганические материалы, 1965, т.1, № 2, стр. 1983.
  117. В.П., Сергеева В. М., Шелех А. И. ФТТ, 1960, т.2, № 11, стр. 2858.
  118. Suchet J. P. J. Phys. Chem. Solids., 1962, v. 23, №½, p. 19.
  119. Л.С., Кошкин B.M., Комник Ю. Ф. Сб. «Химическая связь в полупроводниках и твёрдых телах». Изд-во «Наука и техника», 1965, стр. 301.
  120. JI.C. Палатник, В. М. Кошкин, Е. К. Белова, Е. И. Рогачёва. «Соединения переменного состава», изд. «Химия», М.-Л., 1969, с. 434−455.
  121. J. Jasinski. / Crystal structure of k-In2Se3// J. Jasinski, W. Swider, J. Washburn, Z. Liliental-Weber, A. Chaiken, K. Nauka, G. A. Gibson, C.C. Yang.
  122. C.H. de Groot. / Growth and characterization of a novel In2Se3 structure // C.H. de Groot, J.S. Moodera. J. Appl. Phys. v. 89, n. 8 (2001).
  123. Shinichiro Takatani. /Evidence of Ga2Se3-related compounds on Se-stabilized GaAs surfaces// Shinichiro Takatani, Asao Nakano, Kiyoshi Ogata, Takeshi Kikawa. Jpn. J. Appl. Phys. vol. 31 (1992) pp. L458-L460.
  124. Investigation into the crystal structure of gallium-selenide nanowires. Alison Hatt. Department of Physics, University of Washington. Research Experience for Undergraduates Program, 2004.
  125. Heteroepitaxy of gallium-selenide on Si (100) and (111): New silicon-compatible semiconductor thin films for nano structure formation. Taisuke Ohta. University of Washington. Presentations, 2004.
  126. Taisuke Ohta. Intrinsic vacancy-induced nanoscale wire structure in heteroepitaxial Ga2Se3/Si (001). Taisuke Ohta, D.A. Schmidt, Shuang Meng, A. Klust. Phys. Rev. Lett. 94, 116 102 (2005).
  127. S. Marsillac. / A new simple technique to obtain In2Se3 polycrystalline thin films // S. Marsillac, J.C. Bernede, R. Le Ny, A. Conan. Vacuum. Vol. 46, Iss. 11 (1995), p. 1315−1323.
  128. И.В. Бондарь. / Электрические свойства монокристаллов In2Se3 и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In2Se3// И. В. Бондарь, Г. А. Ильчук, Р. Ю. Петрусь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, М. Сергинов. ФТП, 2009, т. 43, вып. 9, стр. 1179−1182.
  129. С. Tatsuyama / Substrate orientation dependence of the growth of GaSe thin films on GaAs // C. Tatsuyama, H. Nishiwaki, K. Asai, K.K. Lim, T. Tambo, H. Ueba. Applied Surface Science, v. 117−118, 1997, p. 523−529.
  130. Т. Izumi / Ga—Se films grown on a GaAs (OOl) surface at high temperature using a thermal evaporation of GaSe // T. Izumi, H. Nishiwaki, T. TamboC. Tatsuyama. Applied Surface Science, v. 104−105, 1996, p. 570−574.
  131. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. Коллектив авторов. М.: Наука, 1979. 339 с.
  132. JCPDS-ICDD, 1995, PDF-2 Sets 1−45 database, Newton Square, Pa 19 073, USA, card №: 08−0387, 44−931, 44−1012, 20−0492, 34−0455, 20−0494, 341 279, 20−0493, 34−1313, 23−0294, 32−389, 5−724.
  133. A.B. Буданов, E.A. Татохин, В. Д. Стрыгин, Е. В. Руднев // Новые модификации In2Se3 и Ga2Se3, полученные при взаимодействии подложек InAs и GaAs с селеном. Неорганические материалы, 2009, т. 45, № 10, с. 1−5.
  134. Контролируемое травление эпитаксиальных слоев GaAs и твердых растворов GaixAlxAs и его применение в интегральной оптике/ Ж. И. Алферов и др. // ЖТФ. -1975. -Т. 45, Вып. 12. -С. 2602−2606.
  135. .Д. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников/Под ред. Б. Д. Луфт.- М.: Радио и связь, 1982. 136с.
  136. Piotrowska A. Methods of surface preparation for some A3Bs semiconductor compounds// A. Piotrowska, E. Kaminska, A. M. Kaminska// Electron Technol. -1984. -V. 14, № 1−2. -P. 3−24.
  137. В.Ф. Химическое травление полярных плоскостей арсенида галлия в сернокислом травителе// В. Ф. Антюшин, Т. А. Кузьменко, В.Д. Стрыгин// Полупроводниковая электроника: Межвузовский сборник научных трудов. Воронеж: ВГПИ. -1985. С. 11−15.
  138. Baruchka I. Chemical etching of (100) GaAs in a sulphuric acid-hydrogen peroxide-water system/ I. Baruchka, I. Zubel// J. of Mater. Sci. -1987. -V. 22, № 4. -P. 1299−1304.
  139. Saletes A. Morphology of GaAs and InP (OOl) substrates after different preparation procedures prior to epitaxial growth/ A. Saletes, P. Turco, J. Massies//J. Electrochem. Soc.-1988. -V. 135, № 2. -P. 504−509.
  140. Chemical etching of {111} surfaces of GaAs crystals in H2SO4-H2O2-H20 system// S. Sugawara, K. Saito, J. Yamauchi// Jpn. J. Appl. Phys. -2001. -V. 40. P. l, № 12. -P. 6792−6796.
  141. Waldrop J. Influence of S and Se on the Shottky-barrier height and interface chemistry on Au contacts/ J. Waldrop// J. Vac. Sci. Technol. B.-1985.-V. 3,1.4.-P. 1197−1985.
  142. B. J. Skromme, C. J. Sandroff, E. Yablonovich, T. J. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51,2022(1987).
  143. B.H., Гриняев C.H., Колин Н. Г. // Изв. Выс. Уч. зав. сер.(Физика). 2003. № 6. С. 59−65.
  144. Nannichi Y., Fan J., Oigawa H., Кота А. // Jap. J. Appl. Phys. 1988.V.27. № 12. P. L2367-L2369.
  145. C.J., Heyde M.S., Farrow L.A. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 4. P. 362−364.
  146. .И., Стрыгин В. Д., Котов Г. И. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. № 9. С. 22−26.
  147. Н. А. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 10. С.1205−1213.
  148. В.И. Белый / Проблемы электронного материаловедения. -Новосибирск: Наука, 1986. С. 29−40.
  149. В.И. Белый, В. Р. Белослудов // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука, 1988. С. 43−90.
  150. J. S., Chang C.C., Chen M.F., Chen C.C. //Journal of Physics D: Applied Physics. 2003. V. 1. № 1. P. 348−353.
  151. B.M. // Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава, Ужгород, 1970. С. 26−35.
  152. Б.JT. Агапов, H.H. Безрядин,. C.B. Кузубов и др. Электронномикроскопическое исследование наноразмерных структур GaAs (100)/(Ga2Se3)/GaAs / Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007, № 12, с. 62−65.
  153. H.H. Безрядин, Г. И. Котов, C.B. Кузубов и др. Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия / Письма в ЖТФ, 2008, т.34, № 10, с.47−52.
  154. H.H. Безрядин, A.M. Самойлов, Т. В. Прокопова, C.B. Сизов. Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение», 1.11, 47 (2002).
  155. Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ.: В 2-х книгах. Книга 1. Пер. с англ/ Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери, П. Эчлин и др. М.: Мир, 1984. — 303 с.
  156. Формирование наноструктур в системе Ga2Se3/ GaAs/ H.H. Безрядин,. .A.A. Стародубцев и др.// ФТП. 2005. — Т. 39, вып. 9. — С. 10 251 029.
  157. Дж. Техника свервысокого вакуума. Пер. с англ./ Дж. Уэстон. М.: Мир, 1988, с. 365.
  158. В.И. Физика и химия твёрдого тела в 2 томах / В. И. Фистуль. -М.: Металлургия. 1995.Т.2. С. 320.
  159. В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках / В. И. Фистуль. М.: Физматлит. 2004. С. 431.
  160. .В. Основы химической кинетики / Б. В, Романовский. М.: Экзамен. 2006. С. 415.
  161. J.Y., Chatillon С. // J. of Crystal Growth. 1990. V.106. P.543 552.
  162. В.Л., Кировская В. А. // Неорганические материалы. 1989. Т.25. № 2. С.207−211.
  163. Кинетика и механизм образования наноструктур селенидов Am2BVI3 на поверхности полупроводников GaAs и InAs/H.H. Безрядин, Г. И.
  164. , C.B. Кузубов и др. // Конденсированные среды и межфазные границы, 2010, т. 12, № 1, с. 28−35.
  165. Образование наноостровков и пленок селенида галлия на поверхности GaAs, обработанной в парах селена/ H.H. Безрядин,. A.A. Стародубцев и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. -2004. Т. 6, № 3. — С. 225−228.
  166. Компьютерные технологии для обработки физического эксперимента/ H.H. Безрядин и др.// Современные проблемы механики и прикладной математики. Сборник трудов международной школы-семинара.-Воронеж, 2005.-Ч.1.-С. 48.
  167. Структурно-фазовые превращения поверхности GaAs (100) и InAs (lOO) в процессе взаимодействия с селеном/ Г. И. Котов, C.B. Кузубов, Б. Л. Агапов // Межвузовский сборник научных трудов. ВГТУ. «Твёрдотельная электроника и микроэлектроника», 2009, С. 52−58.
  168. H.H. Безрядин, Г. И. Котов, C.B. Кузубов, Б. Л. Агапов. Наноразмерный слой фазы Am2BVI3(lll) с упорядоченными вакансиями катиона на GaAs (lll) и InAs (lll). / Кристаллография, 2010, т.55, № 5, с.896−899.
  169. К., Muschwitz C.V., Ranke W. // Surf. Sei. 1979. V. 82. № 1.1. P.270.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!