Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Оптическая эмиссионная спектроскопия силансодержащих потоков газа, активированных электронно-пучковой плазмой

Диссертация: Оптическая эмиссионная спектроскопия силансодержащих потоков газа, активированных электронно-пучковой плазмой
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Прикладная направленность связана с развитием вакуумных струйных технологий в применении к осаждению тонких пленок, в частности тонких пленок кремния для солнечной энергетики. Тонкопленочные солнечные элементы (СЭ) на аморфном кремнии являются одним из наиболее вероятных кандидатов на широкомасштабное производство СЭ. Сдерживающим фактором развития производства СЭ является высокая их стоимость… Читать ещё >

Содержание

  • Актуальность работы
  • Цели работы
  • Научная новизна
  • Практическая значимость
  • Защищаемые положения
  • Достоверность полученных результатов
  • Апробация работы
  • Личный вклад соискателя
  • Объем и структура работы
  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Электронно-пучковая плазма
    • 1. 2. Метод осаждения пленок кремния из газовой фазы
      • 1. 2. 1. Метод газоструйного плазмохимического осаждения
    • 1. 3. Диагностика плазмы используемой для осаждения пленок кремния
    • 1. 4. Корреляции свойств пленок и излучения плазмы из газовой фазы
  • Глава 2. Влияние электронно-пучковой плазмы на газодинамические параметры свободных струй
    • 2. 1. Методика измерений
    • 2. 2. Расчет спектра и определение вращательной температуры
    • 2. 3. Формулы для определения плотности
    • 2. 4. Экспериментальная установка
    • 2. 5. Методика эксперимента по измерению вращательной температуры
    • 2. 6. Методика эксперимента по измерению плотности
    • 2. 7. Анализ результатов и дискуссия

Оптическая эмиссионная спектроскопия силансодержащих потоков газа, активированных электронно-пучковой плазмой (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы.

Пучок электронов, взаимодействуя с атомами и молекулами газа, проводит к процессам ионизации, диссоциации и возбуждения частиц газа, образуя электронно-пучковую плазму. Изучение параметров такой плазмы в сверхзвуковых струях является важным как с научной точки зрения, так и для практического использования. Научный интерес обусловлен тем, что строгое описание взаимодействия электронного пучка со сверхзвуковым потоком молекулярного газа является затрудненным вследствие необходимости учета большого количества процессов в неравновесной электронно-пучковой плазме: возбуждения внутренних степеней свободы, ионизации и диссоциации. Последующее расширение газа в сверхзвуковой струе с протеканием релаксационных процессов (энергообмен между внутренними степенями свободы и поступательным движением, излучение, плазмохимические реакции) дополнительно усложняют анализ параметров электронно-пучковой плазмы, поэтому использование традиционных методов исследования, применяемых для диагностики сверхзвуковых разреженных потоков газа, наталкивается на ряд проблем.

Прикладная направленность связана с развитием вакуумных струйных технологий в применении к осаждению тонких пленок, в частности тонких пленок кремния для солнечной энергетики. Тонкопленочные солнечные элементы (СЭ) на аморфном кремнии являются одним из наиболее вероятных кандидатов на широкомасштабное производство СЭ. Сдерживающим фактором развития производства СЭ является высокая их стоимость, обусловленная, в конечном итоге, низкой производительностью линий по получению СЭ, поскольку основным на этих линиях является метод осаждение пленок из тлеющего разряда. Метод, основанный на активации потоков газа с помощью электронно-пучковой плазмы, обеспечивает резкое (в десятки раз) увеличение скоростей осаждения пленок на больших площадях подложек при хорошем качестве слоев.

Сказанное выше определяет актуальность экспериментального исследования воздействия электронно-пучковой плазмы на сверхзвуковую струю газа.

Цели работы.

— исследовать потоки плазмы низкого давления с помощью оптической электронно-пучковой диагностики;

— исследовать механизмы излучения электронно-пучковой силановой плазмы- -найти взаимосвязь излучения электронно-пучковой плазмы со скоростью осаждения пленок кремния.

Научная новизна.

— Экспериментально показано, что оптическая электронно-пучковая диагностика может быть использована для диагностики потоков плазмы низкого давления.

— Впервые зарегистрировано, что воздействие электронного пучка на сверхзвуковой поток может существенно изменить распределение плотности и температуры газа в дальнем поле течения.

— Впервые показано, что в электронно-пучковой силановой плазме излучение радикала БШ, возникает в результате диссоциативного возбуждения молекулы ЗШЦ.

— Впервые зарегистрировано излучение иона кремния с длинами волн 412.807 нм и 413.089 нм в плазме, используемой для осаждения пленок кремния газофазными методами.

— Впервые экспериментально показано, что скорость осаждения пленок кремния может контролироваться по оптическому излучению силановой электронно-пучковой плазмы.

— Впервые показано, что скорость осаждения пленок кремния в значительной степени определяется изменением структуры потока газа, связанной с формированием ударных волн в реакторе.

Практическая значимость.

— Полученные данные о воздействии электронного пучка на распределение газодинамических параметров в сверхзвуковой струе могут быть использованы при разработке электронно-пучковых технологий.

— Полученные данные о параметрах плазмы, влияющих на скорости осаждения пленок кремния, могут быть использованы для решения актуальной научно-технологической проблемы контроля параметров пленки в процессе осаждения.

Защищаемые положения.

— методика измерения температуры и плотности газа с помощью оптической электронно-пучковой диагностики для потоков плазмы низкого давления;

— результаты исследования воздействия электронно-пучковой плазмы на газодинамику течения сверхзвуковой струи;

— механизм излучения радикала ЭШ при возбуждении моносилана в электронно-пучковой плазме;

— экспериментальные данные по связи оптического излучения силановой электронно-пучковой плазмы со скоростью осаждения пленок кремния.

Достоверность полученных результатов.

Достоверность полученных результатов основывается «на использо-вании отработанных на других объектах экспериментальных методик, проведением калибровочных и тестовых измерений, повторяемостью результатов, сопоставлением экспериментальных данных с данными математического моделировании, а также сравнением с данными других авторов.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались на международных и российских конференциях и семинарах: IV международная конференция «Plasma Physics and Plasma Technology», Minsk, (2003) — Международная конференция «EuroSun 2004», Fraiburg, Germany, (2004) — V международная конференция «Plasma Physics and Plasma Technology», Minsk, Belarus, (2006) — XXXIX Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс», Новосибирск, (2001) — VII Всероссийская конференция молодых ученых «Актуальные вопросы теплофизики и физической гидрогазодинамики», Новосибирск, (2002) — Материалы Всероссийского симпозиума молодых ученых, студентов и аспирантов «Фундаментальные проблемы приложений физики низкотемпературной плазмы», Петрозаводск, (2005) — III Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств структурного совершенства «КРЕМНИЙ-2006», Красноярск, (2006).

По теме диссертации опубликовано 9 работ, из них 2 в реферируемых журналах, 7 в трудах конференций.

Личный вклад соискателя.

Все результаты, приведенные в диссертации, получены автором, включая участие в обсуждении постановки задачи, создание экспериментального стенда, проведение экспериментов, расчет молекулярных спектров, анализ результатов и подготовку публикаций.

Объем и структура работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

4.3 Выводы.

1. Скорость осаждения пленок кремния в прямоугольном канале, отражает изменение газодинамической структуры, связанное с формированием ударных волн.

2. Обнаружена качественная корреляция между интенсивностью излучения радикала БШ нормированной на плотность моносилана и относительной скоростью осаждения пленок кремния.

Заключение

.

В заключении сформулируем основные результаты работы:

1. 1. Показано, что оптическая электронно-пучковая диагностика может быть использована для исследования и контроля потоков плазмы низкого давления. Таким образом были измерены вращательная температура и плотность в струе азота, активированной электронно-пучковой плазмой.

2. Экспериментально обнаружен эффект воздействия электронно-пучковой плазмы на распределение газодинамических параметров в сверхзвуковых струях азота. При этом на оси струи вращательная температура возрастает, а плотность газа падает.

3. Методом сравнения экспериментального и расчетного спектров измерена вращательная температура состояния А2Л радикала БШ. Значения температуры и анализ возможных химических реакций, показывают, что в электронно-пучковой силановой плазме излучение радикала ЭШ, возникает в результате диссоциативного возбуждения молекулы БШф.

4. Зарегистрировано излучение иона кремния с длинами волн 412.807 нм и 413.089 нм в плазме, используемой для осаждения пленок кремния газофазными методами.

5. Показано, что излучение радикала БЩ может быть использовано в газоструйном плазмохимическом методе для мониторинга скорости осаждения пленок кремния. Что обосновывает, создание оптического диагностического комплекса для контроля процесса осаждения пленок кремния.

Благодарности.

Автор выражает благодарность Шарафутдинову Р. Г. под общим руководством которого выполнялась данная работа. Семеновой О. И. за плодотворные дискуссии и полезные замечания. Сковородко П. А. за расчеты газодинамики струй. Карстену В. М. за помощь в решении технических вопросов. Щукину В. Г. за помощь в проведении экспериментов и ценные замечания по обработке результатов. Всем сотрудникам лаборатории (6.5 ИТ СО РАН) принимавшим участие в обсуждении результатов данной работы на лабораторных семинарах. Юшиной И. В. за проведение измерение толщины пленок кремния. Всем сотрудникам лаборатории (4.1 ИТ СО РАН) за моральную поддержку и безвозмездную помощь. Отдельная огромная благодарность Хмель С. Я за непосредственное руководство, терпение и веру в светлое будущее.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ильин Андрей Александрович. Экспериментальное исследование потока электронно-пучковой плазмы в плотном газе: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.02.05: Москва, 2003 79 с. РГБ ОД, 61:04−1/64−8.
  2. И.В., Васильев М. Н., Гаврилов Ю. А. Закономерности взаимодействия электронно-пучковой неравновесной плазмы с целлюлозой // Журн. приклад, химии. 1996. — Т. 69, вып. 12. — С. 2042 — 2047.
  3. S.G. Walton, D. Leonhardt, D.D. Blackwell, R.F. Fernsler, D.P. Murphy, R.A. Meger, J. Vac. Sci. Technol., A 19 (2001) 1325.
  4. S.G. Walton, D. Leonhardt, R.F. Fernsler, R.A. Meger, Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 626- Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 987.
  5. S.G. Walton, D. Leonhardt, D.D. Blackwell, R.F. Fernsler, D.P. Murphy, R.A. Meger, Phys. Rev., E 65 (2002).
  6. F.J. Mehr, M.A. Biondi, Phys. Rev. 181 (1969).
  7. D.R. Bates, A. Dalgarno, in: D.R. Bates (Ed.), Atomic and Molecular Processes, Academic Press, New York, 1962.
  8. H.C. Straub, P. Renault, B.G. Lindsay, K.A. Smith, R.F. Stebbings, Phys. Rev., A 54 (1996).
  9. H.C. Straub, P. Renault, B.G. Lindsay, K.A. Smith, R.F. Stebbings, Phys. Rev., A 52 (1995).
  10. H. Gunell, R. Schrittwieser, S. Torven. A localised high frequency discharge formed in an electron-beam-produced plasma. Physics Letters, Vol. 241, 1998.
  11. Fabio do Prado, M. Virginia Alves, Renato S. Dallaqua, Dmitry Karfidov. Measurements of Beam Relaxation Length in an Electron Beam Plasma Experiment. Brazilian Journal of Physics, Vol. 27, No. 4, 1997.
  12. J.S. Tsuo and W. Luft. Alternative deposition processes for hydrogenated amorphous silicon and related alloys. // Appl. physics communications, 10 N ½, P. 71−141,1990.
  13. J. P. M. Smitt //Thin Solid Films, v. 174, p. 193−202,1989.
  14. A.T.M. Welbers, G.J. Meeusen, M. Haverlag, G. M. W. Kroesen and D.C. Schram //Thin Solid Films, v. 204, p. 59−75, 1991.
  15. L. Bardos and V. Dusek. Thin Solid Films, v. 158, p. 265−270, 1988, а также L. Bardos, J. Musil, V. Dusek and J. Vyskocil, Czech. Patent 244 982, June 17, 1985.
  16. B.L. Halpern, J.J. Schmitt, J. W. Golz, Y. Di and D.L. Johnson. Appl. Surface Science, v. 48/49, p. 19−26,1991 и J.J. Schmitt, Us Patent 4 788 082, 11/29/88.
  17. T. Takagi. Ionized cluster beam (ICB) deposition and processes. Pure and Appl. Chem. v. 60, N5, pp. 781−794, 1988.
  18. G.J. Collins, L.R. Thompson, J.J. Rocca, P.K. Boyer. Patent US 4.509.451, Apr. 09, 1985. M. Goto, H. Toyoda, M. Kitagawa, T. Hirao, H. Sugai, Jpn.J. Appl.Phys. 34 1997.
  19. R.Toshida, S. Sumiya, B. Merarki, M. Ito, M. Hon, T. Goto, S. Samukawa and T. Tsukada, Dry Process Symp. Proc. 1998 73.
  20. M.Scheib, B. Schroder, H. Oechsner, J. Non-Cryst. Solids 198/200 1996.
  21. U.Kroll, J. Meier, P. Torres, J. Pohl, A. Shar, J. Non-Cryst. Solids 227/230 1998.
  22. Y.B. Kanga, H. Jeon, T.Y. Kim, K.H. Chung, D.K. Ко, J.K. Jung, S.J. Noh Properties of the plasma produced by multi-cathode electron beam plasma sources. Thin Solid Films, Vol. 341, 1999.
  23. Shinzo Morita, Girish J. Phatak, Yuki Mori. Electron-beam excited plasma etching reactor with polyimide interface film. Thin Solid Films, Vol. 386,2001.
  24. Masahito Ban, Makoto Ryoja, Takeshi Hasegawa, Yukitaka Mori, Sadao Fujii, Junzo Fujioka. Diamond-like carbon films deposited by electron beam excited plasma chemical vapor deposition. Diamond and Related Materials, Vol. 11, 2002.
  25. Ryuta ICHIKI, Yuusuke KUBOTA, Masashi YOSHIDA, Yuji FUKUDA, Yasuyuki MIZUKAMO, Tamio HARA. Surface Nitriding of Light Metals using Electron-Beam-Excited-Plasma (EBEP) Source. J. Plasma Fusion Res. SERIES, Vol. 8, 2009.
  26. N. V. Gavrilov and A. S. Mamaev. Low-Temperature Nitriding of Titanium in Low-Energy Electron Beam Excited Plasma. Technical Physics Letters, Vol. 35, No. 8, 2009.
  27. Toshiaka Sasaki, Makoto Ryoji, Yukimi Ichikawa, Masakuni Tohkai Deposition of microcrystalline silicon by electron beam excited plasma Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol. 49,1997.
  28. Y. Ohshita, K. Yamaguchi, H. Motegi, M. Yamaguchi Effect of ions and electrons in electron-beam-excited plasma assisted CVD on nanocrystalline silicon film properties Journal of Crystal Growth, Vol. 237−239, 2002.
  29. R.G. Sharafutdinov et. al. Gas-jet electron beam plasma chemical vapor deposition method for solar cell application. Solar Energy Ma-terials & Solar Cells. 2005. Vol. 89. P. 99 111.
  30. M.A. Алсайед Али ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ПУЧКОВОЙ ПЛАЗМЫ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ ЗОНДОВЫМИ МЕТОДАМИ Электронный журнал «ИССЛЕДОВАНО В РАССИИ» Том 198, 2001.
  31. Т. Takagi, R. Hayashi, G. Ganguly, M. Kondo, A. Matsuda. Gas-phase diagnosis and high-rate growth of stable a-Si:H. Thin Solid Films, Vol. 345, 1999.
  32. Irving P. Herman. OPTICAL DIAGNOSTICS FOR THIN FILM PROCESSING. Annu. Rev. Phys. Chem., Vol. 54,2003.
  33. Roland, J.- Marcoux, P.- Ray, G.- Rnakin, G. Endpoint Detection in Plasma Etching. J. Vac. Sci. Technol. A 1985, 3, 631−636.
  34. B.G. Budaguan, A.A. Popov, A.Yu. Sazonov, M.N. Bosyakov, D.I. Grunsky, D.W. Zhuk, (1998) «The application of low frequency glow discharge to high-rate deposition of a-Si:H,» J. Non-Cryst. Solids, 227−230: 39−42.
  35. Grunskii D.I. Use of optical emission spectroscopy to investigate the process of fabrication of a-Si:H films in a combined silane-containing discharge Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 67, № 4,2000.
  36. Sakuma, Y- Liu, H- Shirai, H- Moriya, Y- Ueyama, H, Low temperature formation of microcrystalline silicon films using high-density SiH4 microwave plasma, Thin Solid Films, 2001, vol. 386, pp. 261−266.
  37. Yang H., Wu Ch., Mai Ya., Li H., Li Ya., Zhao Yi., Xue J., Chen Yo., Ren H., Geng X. High growth-rate deposition of mc-Si:H thin lifin at low temperature with VHR-PECVD International Journal of Modem Physics B, Vol. 16, Num. 29−29, 2002.
  38. Michio Kondo, Susumu Suzuki, Yoshiyuki Nasuno, Masayuki Tanda and Akihisa Matsuda Recent developments in the high growth rate technique of device-grade microcrystalline silicon thin film. Plasma Sources Sci. Technol, Vol. 12, Num. 4,2003.
  39. Гоголев A.3. Экспериментальное исследование гиперзвуковой струи разреженного газа: Дипл. работа. Новосибирск, 1969. 76с.
  40. Л.И. Высокоэнтальпийные сверхзвуковые струи низкой плотности: Дис. на соиск. учен, степени док. физ.-мат.наук. Новосибирск, 1995. 364с.
  41. Экспериментально-теоретическое исследование свойств приповерхностной электронно-пучковой плазмы азота. / В. Л. Бычков, М. Н. Васильев, А. П. Зуев. Теплофизика высоких температур. 1994, т. 32, № 3, с. 323−333.
  42. Вращательные переходы при ионизации азота в состоянии N2+ (B22u+, v=0) электронным ударом / А. Е. Беликов, А. И. Седельников, Г. И. Сухинин и др. Препринт: ИТ СО АН СССР, № 149, 1986. 52с.
  43. Измерение параметров газового потока с помощью электронного пучка / А. А. Бочкарев, В. А. Косинов, А. К. Ребров и др. Сборник: Экспериментальные методы в динамике разреженных газов. Н.: ИТ СО АН СССР, 1974. 218с.
  44. Р.Г. Вращательная релаксация газов в свободных струях: Дис. на соиск. учен, степени док. физ.-мат.наук. Новосибирск,!984. 515с.
  45. Ярыгин В. Н Газодинамика неравновесных сверхзвуковых струйных течений: Дис. на соиск. учен, степени док. тех. наук. Новосибирск, 1987. 340с.
  46. Lawrence М., Ronald К. Emission and laser-induced fluorescence measurements in a supersonic jet of plasma-heated nitrogen. J. Phys. D: Appl. Pliys., 1992, vol. 25, p. 339 351.
  47. Taniguchi K., Sugimoto M., Masuko Sh. High degree of dissociation of nitrogen molecules in large-volume electron-beam-excited plasma. Jpn. J. Appl. Phys., 2000, vol. 39, No. 10A, p. 999−1001.
  48. Tada Sh., Takashima S., Ito M. Measurement and control of absolute nitrogen atom density in an electron-beam-excited plasma using vacuum ultraviolet absorption spectroscopy. J. Of Appl. Phys., 2000, vol. 88, No. 4, p. 1756−1759.
  49. Sasaki K., Kokubu H., Hayashi D. Development of a compact nitrogen radical source by helicon-wave discharge employing a permanent magnet. Thin Solid Films, 2001, vol. 386, p. 243−247.
  50. Jordan D.C., Burns C.T., Doak R.B. Corona discharge supersonic free-jet for 3−5 nitride growth via A3Eu+ metastable molecules. Thin Solid Films, 2001, vol. 386, p. 243−247.
  51. Kovacs I. Rotational structure in the spectra of diatomic molecules. Longon: Adam Hilger, 1969.
  52. Вероятности оптических переходов двухатомных молекул. / М.: Наука, 1980. 320с.
  53. Константы двухатомных молекул. / К.-П. Хьюбер, Г. Герцберг. М.: Мир, 1984, Ч. 2. 368с.
  54. Измерение эффективного сечения гашения возбужденного состояния иона N2+ (B2Eu+, v=0) молекулами азота при температурах 5 300 К / Г. И. Сухинин, Г. А. Храмов, Р. Г. Шарафутдинов. ЖТФ. 1981, т. 51, № 8, с. 1762−1763.
  55. Belikov А.Е., Kuznetsov O.V., Sharafutdinov R.G. Electron-beam diagnostics of gas mixtures involved in Si02 film deposition. Plasma Chem. and Plasma Processing, 1995, vol. 15, No. 3, p. 481−499.
  56. Газодинамические установки низкой плотности. / А. А. Бочкарев, Е. Г. Великанов, А. К. Ребров и др. Сборник: Экспериментальные методы в динамике разреженных газов. Н.: ИТ СО АН СССР, 1974. 218с.
  57. Газодинамика процессов истечения. / В. Г. Дулов, Г. А. Лукьянов. Н.: Наука, 1984. 234с.
  58. Perrin J., Delafosse Е. Emission spectroscopy of SiH in silane glow-discharge // J.Phys.D. Appl. Phys. 1980. V. 13. P. 759−765.
  59. Stamou S., Spiliopoulos N., Mataras D., Rapakoulias D. About rotational temperature measurements and thermodynamic equilibrium in rf glow discharges // J. High Temp. Material Processes, 1999. V. 3. P. 39−50.
  60. Chelouah A., Marode E., Hartmann G., Achat S. A new method for temperature evaluation in a nitrogen discharge // J. Phys. D. Appl. Phys. 1994. V. 27, N 5. P. 940−945.
  61. Schmitt J. P. M., Gressier P., Krishnan M., et al. Production mechanism and reactivity of the SiH radical in silane plasma // J. Chem. Phys. 1984. V. 84. P. 281−293.
  62. Perrin J., Schmitt J.P.M. Emission cross section from fragments produced by electron impact on silane // J. Chem. Phys. 1982. V. 67. P. 167−176.
  63. Tsurubuchi S., Motohashi K., Matsuoka S., Arikawa T. Dissociative excitation of SiH4 by electron impact: emission cross sections for fragment species // J. Chem. Phys. 1992. V. 161, N 3. P.493−500.
  64. Meeusen G.J., Ershov-Pavlov E.A., Meulenbroeks R. F. G., et al. Emission spectroscopy on a supersonically expanding argon/silane plasma // J. Appl. Phys. 1992. V. 71, N 9. P. 4156−4163.
  65. Fantz U. Spectroscopic diagnostics and modelling of silane microwave plasmas // J. Plasma Phys. Control. Fusion. 1998. V. 40, N 6. P. 1035−1056.
  66. Stamou S., Mataras D., Rapakoulias D. Simulation of the SiH (А2Д-«Х2П) emission spectrum in a silane glow discharge and derivation of an improved set of molecular constants // J. Chem. Phys. 1997. V. 218, N 1−2. P. 57−69.
  67. А. К., Чекмарев С. Ф., Шарафутдинов Р. Г. Влияние разреженности на структуру свободной струи азота // ПМТФ. 1971. № 1. С. 136−140.
  68. Ко vacs I. Rotational structure in the spectra of diatomic molecules. Longon: Adam Hilger, 1969.
  69. Г. Спектры и строение двухатомных молекул. М.: Изд-во иностр. лит., 1954.
  70. Klynning L., Lindgren В., Sassenberg U. On the A type doubling in the ground state of SiH // Phys. Scripta. 1979. V. 20. P. 617−619.
  71. Klynning L., Lindgren B. The spectra of silicon hydride and silicon deuteride // Ark. Fysik. 1966. V. 33. P. 73−91.
  72. Ram R. S., Engleman R., Bernath P. F. Fourier transform emission spectroscopy of the А2Д-«Х2П transition of SiH and SiD // J. Molec. Spectroscopy. 1998. V. 190. P. 341 352.
  73. Rochester G. D. Die Banden-Spektren von SiH und SiD // Z. Phys. 1936. Bol. 101. S. 769−784.
  74. A. P., Свентицкий H. С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизованных атомов. М.: Атомиздат, 1966.
  75. M.Tsuji et. al. Dissociative excitation of SiH4 by collisions with helium active species. Chem. Phys. Lett. 1989. Vol. 158. P. 470.
  76. Sato Т., Kono A., Goto T. Level excitation of Si I fragments produced by 100 eV electron impact exitation on SiH4// J. Chem. Phys. 1988. V. 88, N 9. P. 100−105.
  77. Ryan Yang and Rongshun Chen Real-Time Plasma Process Condition Sensing and Abnormal Process Detection Sensors 2010.
  78. M.Tsuji et. al. Dissociative excitation of SiH4 by collisions with metastable argon atoms. Chem. Phys. Lett. 1989. Vol. 155. P. 481.(k
Заполнить форму текущей работой

На отлично!