Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
В завершение мне хочется выразить глубокую признательность тем, без кого данная работа не была бы возможна. Моим родителям и сестре за веру в меня и поддержку, моему научному консультанту-наставнику Василию Ивановичу Зубкову, Максиму Клёнову за дружескую поддержку и постоянные консультации по работе с криогенным оборудованием, Галине Николаевне Виолиной за моральное поддержание духа при написании… Читать ещё >
Содержание
- Список условных обозначений
Глава 1. Методы спектроскопии адмиттанса для исследования квантово-размерных гетероструктур.
1.1 Емкость и проводимость объемного полупроводника, 5-легированного слоя, квантовой ямы и квантовой точки (кластера)
1.2 Квазистатические методы спектроскопии адмиттанса. Вольт-фарадное профилирование.
1.3 Динамические методы спектроскопии адмиттанса.
1.3.1 Температурные спектры проводимости.
1.3.2 Частотные спектры проводимости.
1.3.3 Диаграммы Коула-Коула.
1.4 Нестационарные методы спектроскопии адмиттанса.
1.5 Электрохимическое вольт-фарадное профилирование.
1.6 Использование сканирующей зондовой микроскопии для измерений адмиттанса.
1.6.1 Метод зонда Кельвина.
1.6.2 Отображение сопротивления растекания.
Выводы по главе 1.
Глава 2. Измерительная аппаратура и методики, применяемые для диагностики образцов с МКЯ ЬЮаИ/ОаЫ.
2.1 Автоматизированный комплекс спектроскопии адмиттанса.
2.2 Реализованные методики спектроскопии адмиттанса.
2.3 Способ измерения спектров адмиттанса.
2.4 Программное обеспечение измерительного комплекса спектроскопии адмиттанса.
Выводы по главе 2.
Глава 3. Исследуемые образцы, их особенности, способы их получения и подготовки для измерения методами спектроскопии адмиттанса.
3.1 Свойства ОаМ и его твердых растворов с ЫЧ.
3.1.1 Основные легирующие примеси ОаЫ.
3.1.2 Твердые растворы 1пхОа
3.1.3 Особенности выращивания ОаИ.
3.2 Светодиодные гетероструктуры с МКЯ ШЗаЫ/ОаК.
3.3 Поляризационные эффекты в КЯ InGaN/GaN.ВО
3.4 Подготовка образцов для измерений методами спектроскопии адмиттанса. Требования к образцам для адмиттансных измерений
Выводы по главе 3.
Глава 4. Вольт-фарадное профилирование гетероструктур с МКЯ ГгЮаМ/ОаЫ
4.1 С-У характеристики гетероструктур с МКЯ 1пОаМ/ОаЫ.
4.2 Моделирование «наблюдаемых» концентрационных профилей носителей заряда в МКЯ 1пОаШлаН.
4.3 Электрохимическое вольт-фарадное профилирование гетероструктур с МКЯ 1пОаТчГ/ОаК.
4.3.1 Особенности электрохимического профилирования гетероструктур на основе ОаЫ.
4.3.2 Контроль режимов ЕСУ и глубины травления с помощью атомно-силовой микроскопии.
Выводы по главе 4.
L. ?1. .11ЛИ11ВШ8ММ1И I m ЩЩ ДЦ Ml ВИН—1М1Ч l ЯМИН lailinil')—ии—питип
Глава 5. Динамическая спектроскопия адмиттанса гетероструктур с МКЯ 1пОаШ5аМ.
5.1 Температурные спектры проводимости гетероструктур с МКЯ 1пОаЖ}?й*.
5.2 Частотные спектры емкости и проводимости гетероструктур с МКЯ ЬЮаШЗаМ.
5.3 Диаграммы Коула-Коула гетероструктур с МКЯ 1пОаМСаК.
5.4 Идентификация энергетической структуры гетероструктур с МКЯ ЫваМ/ваК по температурным спектрам проводимости.
5.5 Определение природы эмитирующего уровня (центра).
5.6 Учет влияния различных механизмов на эмиссию носителей заряда из квантовой ямы при оценке величины энергии активации.
5.6.1 Эффект Френкеля-Пула.
5.6.2 Туннельный эффект.
5.6.3 Расчет туннельного эффекта аналитическим методом.
5.6.4 Расчет туннельного эффекта численным методом.
5.7 Температурные спектры проводимости при протекании в гетероструктуре с МКЯ 1пСаНЧдаМ больших инжекционных токов
5.8 Моделирование температурных спектров проводимости гетероструктур с МКЯ InGaN/GaN.
Выводы по главе 5.
Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Современные полупроводниковые приборы, такие как лазеры, мощные светодиоды, НЕМТ-транзисторы и др., изготавливаются на основе гетерост-руктур, которые в свою очередь могут включать квантовые ямы (КЯ) и квантовые точки (КТ). Наноструктуры с множественными квантовыми ямами (МКЯ) 1пОаЫ/ОаЫ активно используются для создания принципиально нового поколения сверх мощных светодиодов, которые сегодня начинают вытеснять в быту лампы накаливания. Наличие размерного квантования в таких наногетероструктурах, коллективные многочастичные эффекты, явление псевдоморфизма и анизотропные пьезоэффекты вызывают интерес с точки зрения изучения фундаментальных основ физики конденсированного состояния вещества в наномасштабах, а, с другой стороны, являются причиной возникновения новых уникальных явлений и свойств.
Несмотря на достигнутый высокий уровень развития технологии выращивания приборов на основе Ш-нитридов, до сих пор нет полного понимания физических процессов, происходящих в активной области прибора при его работе. Так, большинство светодиодных нитридных гетеро структур, излучающих в синей и сине-зеленой областях спектра, содержат набор квантовых ям 1пОаМЛЗа][, хотя известно, что в других гетеро системах материалов (например, ТпОаАзЛлаАБ, ОаАэ/АЮаАз и др.) для эффективной работы достаточно сформировать только одну КЯ.
Введение
дополнительных КЯ изменяет внутренние механические напряжения, встроенные пьезополя модифицируют профиль потенциальной энергии как потолка валентной зоны, так и дна зоны проводимости. Все это влияет на энергетическую структуру прибора на основе нитрида галлия.
Для исследования готового корпусированного прибора можно применять только неразрушающие методы диагностики. Наиболее эффективными методами, исследующими зарядовое состояние прибора, распределение подвижных и неподвижных зарядов по координате вглубь образца, а также энергетическую структуру локализованных уровней, являются методы спектроскопии адмиттанса. Для комплексной диагностики квантоворазмерных структур с МКЯ 1пОаЫ/ОаК необходимо совместное применение квазистатических и динамических методов спектроскопии адмиттанса, реализующих температурную развертку и смещение границы области объемного заряда прибора. Их совместное использование сочетает пространственное разрешение по координате и информацию об энергетическом спектре квантово-размерной системы. Развитию методов спектроскопии адмиттанса для анализа квантоворазмерных гетероструктур с МКЯ 1пОаЫ/ОаЫ посвящена данная работа.
Основными объектами исследования являлись полупроводниковые гетероструктуры с множественными квантовыми ямами 1пОа1чГ/ОаН, выращенные на сапфировых подложках и используемые при создании мощных синих, сине-зеленых и белых светодиодов нового поколения.
Целью работы являлось развитие методической и экспериментальной базы адмиттансной спектроскопии применительно к полупроводниковым ге-тероструктурам, содержащим множественные квантовые ямы 1пСаЫ/ОаЫ, и получение на этой основе конкретных сведений о пространственном распределении квантовых ям и их энергетической структуре.
Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие задачи:
1. Разработка конструкции и создание автоматизированного аппаратно-программного комплекса температурной спектроскопии адмиттанса (10.500 К) полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами на базе измерителя иммитанса, контроллера температуры и гелиевого криостата замкнутого цикла.
2. Разработка способа измерений, реализующего комплекс квазистатических и динамических методик адмиттанса.
3. Проведение вольт-фарадных измерений гетероструктур различных производителей с множественными квантовыми ямами 1пОаН/ОаЫ в ж ¦мшащим" мм мнпциив ¦аш-чиилгпш Biaijimf UM-itтгшштш 7 широком диапазоне температур.
4. Проведение температурных измерений проводимости и емкости гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при различных внешних смещениях и частотах тестового сигнала.
5. Определение основных параметров исследуемых гетероструктур: число квантовых ям, ширина барьеров между квантовыми ямами, расположение системы МКЯ относительно металлургической границы р-п перехода, профиль основных носителей заряда, природа эмитирующих энергетических уровней, энергия активации носителей заряда с уровней квантования.
Научная новизна работы:
1. Разработан и построен автоматизированный комплекс спектроскопии адмиттанса полупроводников на базе LCR-метра Agilent Е4980А, контроллера температуры LakeShore 33IS и гелиевого криостата замкнутого цикла Janis CCS400/204Nпо своим параметрам комплекс превосходит имеющиеся в России аналоги.
2. Предложен, реализован и запатентован оригинальный способ измерения спектров адмиттанса на основе ступенчатого изменения температуры с внутренним циклом по частоте, позволяющий существенно сократить время измерения полной базы данных спектров адмиттанса образца по сравнению с линейным изменением температуры.
3. Предложена методика идентификации природы пиков, наблюдаемых в экспериментальных спектрах проводимости гетероструктур (принадлежность глубокому центру, распределенному в объеме, уровню квантования в квантовой яме или распределенной системе энергетических уровней в кластере).
4. Показано, что отклонение графика Аррениуса от линейной зависимости и возникающее вследствие этого заниженное значение активации носителей заряда с энергетического уровня квантования возникает вследствие конкурирующего туннельного механизма эмиссии носителей из системы.
1 аЖ ш Ш шшш I шшт ъ шжшт&шшшшт шяшитшшжшишяшшшттяшшшщтщцфц дшцр""^"!^-Т" «MHlllllll ттл ¦¦! ¡-ишмшши 8.
МКЯ InGaN/GaN.
5. Обнаружено появление дополнительного пика на температурны: спектрах проводимости гетероструктур с МКЯ InGaN/GaN при наступлении!: условий инжекции.
Все эти положения выдвинуты впервые.
Практическая ценность работы заключается в следующем:
1. Разработан и создан аппаратно-программный комплекс спектро— скопии адмиттанса на базе LCR-метра Agilent Е4980А, контроллера темпера— туры LakeShore331 и гелиевого криостата замкнутого цикла Janis—CCS400/204N, позволяющий измерять температурные и частотные спектры: проводимости и вольт-фарадные характеристики в широком диапазоне тем— ператур, частот и приложенных смещений.
2. Разработан и запатентован оригинальный способ измерения тем— пературных спектров адмиттанса, позволяющий за счет ступенчатой разверт— ки температуры в рамках одного температурного цикла собрать полную базу^ данных спектров адмиттанса образца и кардинально сократить время измерений.
3. Создано программное обеспечение автоматизации измерительного комплекса спектроскопии адмиттанса и математической обработки данных, позволяющее строить на основе экспериментальной базы данных адмиттанса любые зависимости (С, G)-fiJJ, Т, со) с их последующим анализом.
4. Разработана система комплексной диагностики адмиттансными: методами полупроводниковых гетероструктур с МКЯ InGaN/GaN, дающая: информацию о количестве и периоде квантовых ям, запасенном в них заряде, и их энергетических характеристиках, включая энергии активации носителей: заряда с уровней квантования.
Научные положения, выносимые на защиту: 1. Спектроскопия адмиттанса обеспечивает неразрушающий контроль гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN, предоставляя информацию о ширине барьеров, количестве квантовых ям, шшштштт ни" ни шин тнии мшии «- пт винит» и штии! паи."итчичичтии ниитшт витчитчт 9 запасенном в них заряде, и их энергетических характеристиках, включая энергии активации носителей заряда с уровней квантования.
2. Регистрируемая по температурным спектрам проводимости гетерост-руктур с множественными квантовыми ямами ЫваМ/ваИ непрерывная зависимость «наблюдаемой» энергии активации от приложенного смещения является отличительной особенностью неупорядоченных ЗБ-наносистем, которые можно идентифицировать как кластеры 1п (Са)К.
3. Туннельный механизм эмиссии носителей заряда из квантовой ямы существенно влияет на значения «наблюдаемой» энергии активации, определяемой по графикам Аррениуса из спектров проводимости, занижая ее при низких температурах.
4. Температурные спектры проводимости при прямых смещениях, соответствующих инжекции в светоизлучающих диодах на основе множественных квантовых ям 1пОа]Ч/Оа][, позволяют определять характеристики уровня квантования, обеспечивающего излучательную рекомбинацию.
Все положения выдвинуты впервые. Результаты работы использованы при выполнении Гос. контрактов № 02.740.11.0213 от 07.07.2009, №П890 от 18.08.2009, № 14.740.11.0445 от 30.09.2010, № 14.740.12.0860 от 22.04.2011, №П454 от 13.05.2010 и №П1605 от 10.09.2009 в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009;2013г, Комплексного проекта по созданию высокотехнологичного производства (договор от 07.09.2010 г. № 13.С25.31.0040 с Минобрнауки РФ в рамках Постановления Правительства РФ от 09.04.10 г. № 218) — Гос. контракта № 5425р/7978 от 14.12.07 г. на выполнение НИОКР по программе УМНИК;
Гранта №А03−3.15−161 поддержки НИР аспирантов Минобразования РФ 2003 г.
Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и школах:
3 rd International Workshop on Nanotechnology and Application (Vung Tau, Vietnam, 2011),.
X Всероссийской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 2011 г.);
IX и XV Международных симпозиумах «Нанофизика и наноэлектрони-ка» (Нижний Новгород 2005 и 2011 г.);
6-й, 7-й и 8-й Всероссийских конференциях «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы» (Санкт-Петербург 2008 г., Москва 2.010 года г., Санкт-Петербург 2011 г.);
The XXI and XXII International Conference on «Relaxation Phenomena in Solids» (Voronezh 2004 and 2010);
III Всероссийской конференции по наноматериалам «НАНО-2009» (Екатеринбург 2009 г.);
7-й научно-практической конференции «Образовательные, научные и инженерные приложения в среде Lab VIEW и технологии National Instruments — 2008» (Москва, 2008);
VII международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск 2007 г.);
2-nd International Conference «Physics of electronic materials» (Kaluga., Russia, 2005) — научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ (2002;2011 гг.).
Публикации. По теме диссертации опубликовано 15 работ, из них: 6 научных статей из списка ВАК, 1 статья в другом издании, материалы трудов 7 международных и российских научно-технических конференций. Основные положения защищены в том числе 1 патентом на способ измерения и: 1 свидетельством о регистрации программы для ЭВМ.
Структура и объем диссертации
Диссертация состоит из введени^я, и пяти глав, заключения и списка используемой литературы, включающего 91 наименование. Общий объем работы составляет 170 страниц машинописного текста. Работа содержит 74 рисунка и 4 таблицы.
СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.
С — Барьерная емкость полупроводника f — частота измерительного сигнала.
У — Адмиттанс.
Р — коэффициент, не зависимый от температуры.
В — реактивная (емкостная) часть (зшсер1апсе).
К — сопротивление.
X — импеданс еп — скорость эмиссии.
Б — Напряженность электрического поля.
Еа — Энергия активации.
Ее — Энергия дна зоны проводимости го — Равновесное расстояние между атомами.
АЕс — Величина разрыва зоны проводимости.
Ел — Глубина залегания донорной примеси.
ЕР — Энергия уровня Ферми.
Е% - Ширина запрещенной зоны полупроводника.
Е1 — Энергия уровня квантования.
Еу ~ Энергия потолка валентной зоны.
АЕу ~ Величина разрыва валентной зоны е — Заряд электрона.
С — Активная проводимость полупроводниковой структз^.
Й — Постоянная Планка.
1 ~ Сила тока к — Постоянная Больцмана.
Ьц — Дебаевская длина экранирования.
ИИ—1 ШШШЯЯЯЫ Ш11ЩВ ШШЯШШШ И1ШШ11 11Л1П1Ш1ШЦ. Ш-1Н «ЯМ—I МП вщщвш.
13 т* - Эффективная масса электрона в полупроводнике щ — Концентрация свободных электронов Л^ - Концентрация акцепторов п (х) — Наблюдаемый профиль концентрации носителей заряда.
Ис — Эффективная плотность состояний в зоне проводимости.
Л^ - Концентрация доноров дг+ - Концентрация ионизованных доноров.
Ыт — Концентрация глубоких ловушек р — Концентрация свободных дырок Ос — Плотность заряда в обедненной области /^-«-перехода.
— Сопротивление области пространственного заряда полупроводника.
— Сопротивление квазинейтральной области полупроводника — Площадь р-п перехода или контакта Шоттки Т — Абсолютная температура Тт — Температура максимума г — Постоянная времени эмиссии носителей заряда с глубокого уровня или уровня квантования Уф — Напряжение смещения, поданное на кантилевер Р’сар ~ Емкостная сила между зондом атомно-силового микроскопа и поверхностью и — Потенциальная энергия V — Внешнее приложенное напряжение м> - Ширина области объемного заряда полупроводника р — Плотность объемного заряда Ф — Электростатический потенциал.
М||[|Ш (1! ж.
Фк — Контактная разность потенциалов.
X — Электронное сродство полупроводника е0 — Диэлектрическая проницаемость вакуума.
8 — Статическая диэлектрическая проницаемость ст — Поверхностная плотность заряда на гетеропереходе — Волновая функция электрона.
X — Де-Бройлевская длина волны электрона ю — Круговая частота.
ВФХ, C-V — Вольт-фарадная характеристика.
DLTS — Нестационарная спектроскопия глубоких уровней.
КТ (QD) — Квантовая точка.
КЯ (QW) — Квантовая яма.
МКЯ — Множественные квантовые ямы.
ACM (AFM) — Атомно-силовая микроскопия.
ООЗ — Область объемного заряда.
МВБ — Молекулярно-пучковая эпитаксия.
MOCVD — Газофазное осаждение из металло-органических соединений.
CP — Сверхрешетка.
КПСР — Короткопериодная сверхрешетка.
ГУ (ГЦ) — Глубокий уровень (глубокий центр) гШьШжШ.&ШШЖШ\?Ш&I 1ШЖШШШ1 I & ШШШШШЯЖШ 11К1ШК1 ШкШШШ&КШШШШШШВ ШШХк ш^ташялт-тШГЛШт'1ШШШ№ 1ЯШУ19тГШ.
Выводы по главе 5.
1. Проведены измерения температурных и частотных спектров проводимости образцов ГС с МКЯ 1пОаН/ОаИ, на которых наблюдалось несколько пиков, соответствующих нескольким эмиссионным уровням различной природы.
2. По анализу изменения значения энергии активации носителей заряда, виду графика Аррениуса и поведения амплитуды активационных пиков на температурных спектрах проводимости предложен способ идентификации их происхождения (от глубокого уровня, квантовой ямы или кластера 1п (Оа)Ы).
3. Показано, что в реализуемом в измерительной установке спектроскопии адмиттанса интервале частот и температур температурные спектры проводимости являются более информативными по сравнению с частотными, поскольку перекрывают больший диапазон значений скорости эмиссии.
4. Проведена оценка влияния туннельной составляющей эмиссии носителей заряда в ГС с МКЯ ЫваМ/ОаКГ. Показано, что ее влияние растет с понижением температуры.
5. Наблюдающийся в эксперименте факт появления нового пика на температурном спектре проводимости ГС с МКЯ 1пОаЫ/ОаЫ при протекании больших токов инжекции объясняется наступлением условий для возникновения эмиссии носителей заряда с низшего уровня квантования в ближайшей к металлургической границе квантовой яме.
6. С использованием численного моделирования температурных спектров проводимости ГС с МКЯ 1пОаМ/ваК уточнены значения энергии активации носителей заряда с уровней квантования. Сопоставляя полученные из спектров электролюминесценции светодиодов с МКЯ 1пОаКЛлаН значения энергетических переходов с уточненными из моделирования данными по энергии активации носителей заряда, восстановлена структура энергетических уровней в исследуемых светодио-дах.
UitiR n mwmi ¦laianu.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
.
Нитридгаллиевые гетероструктуры, являющиеся основой чипов высокоэффективных белых, синих или сине-зеленых светодиодов, сложны в изготовлении, а анализ их электрофизических характеристик далеко не тривиален. Предложенные методики измерения адмиттанса гетероструктур с 1Ч4КЯ InGaN/GaN как функции от ряда параметров (температуры, частоты и напряжения) могут дать обширную информацию о свойствах полупроводниковых наноструктур. Сложная интерпретация полученных результатов при анализе измеренных спектров адмиттанса требовала учитывать различную природу эмитирующих центров и вклад различных механизмов эмиссии носителей заряда (термоактивационный, туннельный). Методы адмиттансной спектроскопии наногетероструктур, как обобщение емкостных и токовых методов диагностики полупроводников объединяют их достоинства, а с использованием численного моделирования, как показано в данной работе, позволяют получить полную информацию об электронном спектре, поведении носителей заряда, динамических и даже оптических характеристиках исследуемого объекта. Для комплексной реализации квазистатических и динамических неразру-шающих методик адмиттанса построена измерительная установка и предложен оригинальный способ измерения, позволивший за один температурный цикл сканирования собрать полную базу данных адмиттансных измерений образца и сократить время измерений в десятки и более раз.
В ходе выполнения диссертационной работы были получены следующие основные результаты:
1. Развит комплекс квазистатических и динамических методов спектроскопии адмиттанса применительно к светодиодным гетероструктурам с МКЯ InGaN/GaN.
2. Разработана автоматизированная установка спектроскопии адмиттанса на базе LCR-метра Agilent Е4980А, контроллера температуры &bdquo-ИИМИИШШМ""!"."!"" .
LakeShore 33IS, неоптического гелиевого криостата замкнутого цикла Janis SSC 400/204N, вакуумной станции Pfeiffer TSH 71Е с турбомоле-кулярным насосом и персонального компьютера со встроенной платой сбора данных PCI-GPIB (National Instruments), которая позволяет проводить измерения в широком диапазоне температур (от 10 до 500 К), частот (от 20 Гц до 2 МГц) и напряжений (±40 В). Для автоматизации измерительного комплекса написано программное обеспечение в среде программирования Lab VIEW.
3. Проведено координатное профилирование светодиодных гетерострук-тур с МКЯ InGaN/GaN. Получены концентрационные профили распределения основных носителей заряда по глубине образцов, проведена оценка эффективности накопления квантовыми ямами носителей заряда, определено количество КЯ, профилированных границей ООЗ, барьеры между КЯ.
4. Проведены оценки энергетических параметров серии гетероструктур с МКЯ InGaN/GaN различных производителей и их сравнение.
5. По анализу изменения значения энергии активации носителей заряда, виду графика Аррениуса и поведения амплитуды активационных пиков на температурных спектрах проводимости предложен способ идентификации их происхождения (от глубокого уровня, квантовой ямы или кластера In (Ga)N).
6. Показано, что отклонение графика Аррениуса от линейной зависимости связано с влиянием конкурирующего туннельного механизма эмиссии носителей с уровня квантования. Влияние этого механизма становится особенно значительным при низких температурах.
7. Впервые при больших прямых смещениях обнаружено появление дополнительного пика на температурных спектрах проводимости ГС с МКЯ InGaN/GaN, связанного с наинизшим уровнем квантования, отвечающего за излучательную рекомбинацию в светодиодах на основе нитрида галлия.
В завершение мне хочется выразить глубокую признательность тем, без кого данная работа не была бы возможна. Моим родителям и сестре за веру в меня и поддержку, моему научному консультанту-наставнику Василию Ивановичу Зубкову, Максиму Клёнову за дружескую поддержку и постоянные консультации по работе с криогенным оборудованием, Галине Николаевне Виолиной за моральное поддержание духа при написании этого труда, моим коллегам по лаборатории наноэлектроники Татьяне Алексеевне Орловой, Илье Яковлеву, Дмитрию Фролову, Анастасии Петровской и другим сотрудникам кафедры микрои наноэлектроники.
Список литературы
- Зубков, В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса Текст.: монография / В. И. Зубков. СПб.: Элмор, 2007. — 167 с.
- Фейнман, Р. Фейнмановские лекции по физике: В 9 т. Т. 5. Электричество и магнетизм Текст.: учеб. для вузов / Р. Фейнман, Р. М. Лейтон, Сэндс. М.: Мир, 1977. — 304 с.
- Vincent, G. Conductance and capacitance studies in GaP Schottky barriers Text. / G. Vincent, D. Bois, P. Pinard // J. Appl. Phys. 1975. — Vol. 46, N 12.-P. 5173−5178.
- Oldham W. G, Naik S.S. Admittance of p-n Junctions Containing Traps Text. // Solid State Electronics. 1972. — Vol. 15. — P. 1085−1096.
- Об определении параметров глубоких центров в полупроводниках по спектрам НЕСГУ / Зубков В. И., Соломонов A.B., Тодоров М. Т. // ФТП. -1987.-Т. 21.-N9.-С. 1734−1736.
- Singh, D. V. Admittance spectroscopy analysis of the conduction band offsets in Si/Si.-x-yGexCy and Si/Sii-yCy heterostructures Text] / D. V. Singh, K. Rim, Т. O. Mitchell, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons. // J. Appl. Phys. -1999.-Vol. 85, N2.-P. 985
- Иванов-Шиц, А. К. Ионика твердого тела: В 2 т. Т.1. Текст.: учеб. для вузов / А.К. Иванов-Шиц, И. В. Мурин СПб: Изд-во СПб ун-та, 2000. -616с.
- П.Берман, JI.C. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках Текст.: монография / Берман JI.C., Лебедев А. А. Л.: Наука, 1981.- 176 с.
- Соломонов, А.В. Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов Текст.: монография. / А. В. Соломонов. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2000. — 134 с.
- Lefevre, Н. Double correlation technique (DDLTS) for analysis of deep level profiles in semiconductors / H. Lefevre, V. Schulz // Appl.Phys. 1977-Vol.l2-P. 45−53.
- ECV-Pro. Electrochemical C-V Profiler. User manual. Issue 1. Accent Optical Technologies (U.K.) Ltd, England.
- Nonnenmacher, M. Kelvin probe force microscopy Текст./ M. Nonnenmacher, M.P. O’Boyle, H.K. Wikramasinghe // Appl. Phys. Lett. 1991. -Vol. 58.-N25.-P. 2921−2923.
- I III ц I [ I I (I IE I 1 II | II Ii II (II I I IE ¦¦ i 1 ¦ II I II IUI! I I ПК I I I I I Hill MI160
- МОШНИКОВ, B.A. Атомно-силовая микроскопия для нанотехнологии и диагностики Текст.: уч. пособие / В. А. Мошников, Ю. М. Спивак. — СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 2009. — 80 с.
- Кузнецова, А.Н. Характеризация квантоворазмерных структур нано-электроники неразрушающими методами адмиттанса Текст. / А. Н. Кузнецова, О. В. Кучерова, В. И. Зубков, A.B. Соломонов // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2008. — № 2. — С. 7−13.
- Agilent Technologies Impedance Measurements Handbook Text.: A guide to Measurement Technology and Techniques, Agilent, 2006
- Малков, М.П. Справочник по физико-техническим основам криогеники Текст. / Малкова М. П. // М. Энергоатомиздат. 1985. — 432 с.
- ЯЖШШШШ ШЯi ii и шшш1шлш1шин1ши
- McMahon, Н.О. A New Low-Temperature Gas Expansion Cycle Текст. / H.O. McMahon, W.A. Gifford // Advances in Cryogenic Engineering 5. -New York: Plenum Press, Inc, 1960. Vol.5 — P.354−372.
- Jirmanus, M.N. Introduction to Laboratory Cryogenics Текст.: уч. пособие / M.N. Jirmanus Janis Research Company, Inc.
- Gifford, W.A. The Gifford-McMahon Cycle Текст. / W.A. Gifford // Advances in Cryogenic Engineering 11.- New York: Plenum Press, Inc, 1966. -Vol.11, P. 152−159.
- Способ определения параметров полупроводниковых структур Текст.: пат. Рос. Федерация: МПК G 01 R 31/26 / Зубков В. И., Кучерова О. В., Яковлев И.Н.- заявитель и патентообладатель СПбГЭТУ. № 2 010 125 595/28- заявл. 22.06.2010- выд. 25.05.2011.
- Тревис, Дж. Lab VIEW для всех Текст. / Дж. Тревис [и др.]- пер. с англ. Клушин Н. М.: ДМК Пресс- ПриборКомплект, 2005. 544 с.
- Зубков, В.И. Компьютерные технологии в научных исследованиях Текст.: учеб. метод, пос. / В. И. Зубков, А. В Соломонов. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2006. 88 с.
- Nakamura, S. The blue laser diode / S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol, Berline: Springer Verlag Berline Heidelberg, 2000. — 371 p.
- Шретер, Ю.Г. Широкозонные полупроводники Текст.: уч. пособие / Ю. Г. Шретер, Ю. Т. Ребане, В. А. Зыков. СПб: Наука, 2001. 125 с.
- Morko9, Н. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices: Materials properties, physics and growth Text. / H. Morko?, Weinheim: Wiley-VCH, 2008.-P. 1311.
- Vurgaftman, I. Band parameters for nitrogen-contanining semiconductors Text. / I. Vurgaftman, J. R Meyer // J. of Appl. Phys. 2003. — Vol 94, N6. -P. 3675−3696.
- Neugebauer, J. Atomic geometry and electronic structure of native defects in GaN Текст./ Jorg Neugebauer and Chris G. Van de Walle // Phys. Rev. В 1994.- Vol. 50.- N. 11.- P. 8067−8070.
- P. Boguslawski, P. Native defects in gallium nitride Текст. / P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc // Phys. Rev. В 1995 — Vol. 51— N.23 — P. 17 255−17 258.
- W. Gotz, N.M. Johnson, C. Chen, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler Appl. Phys. Lett. 68, 3144 (1996).
- Amano, H. P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI) Текст. / Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. // Jpn. J. Appl. Phys.- 1989. Vol. 28. — P. L2112-L2114.
- Strite, S. GaN, A1N, and InN: A review Text. / S. Strite, H. Morkoc [Text] //J. Vac. Sei. Technol. B. 1992. — Vol. 10, N4.-P. 1237−1266.
- Akasaki, I., H. Amano, Widegap Column-Ill Nitride Semiconductors for UV/Blue Light Emitting Devices Text. / I. Akasaki, H. Amano // J. Electro-chem. Soc.-1994.-Vol. 141, N8.-P. 2266−2271.
- Chia, С. K. Impact ionization in AlxGai-xAs/GaAs single heterostructures Text. / С. K. Chia, J. P. R. David, G. J. Rees, S. A. Plimmer, R. Grey, P. N. Robson // J. Appl. Phys. 1998. — Vol. 84. — P. 4363.
- Karpov, S.Yu. Surface Segregation and Composition Fluctuations in ammonia MBE and MOVPE of InGaN Text. / S.Yu. Karpov, R.A. Talalaev, E.V. Yakovlev, Yu.N. Makarov // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2001. — Vol. 639.-P. G3.18.2- G3.18.6.
- Humphreys, C.J. Does In form In-rich clusters in InGaN quantum wells? Text. / C. J. Humphreys // Philosophical Magazine. 2007. — Vol. 87. — N 13.-P. 1971−1982.
- Manasevit, Н. М. The Use of Metalorganics in the Preparation of Semiconductor Materials Текст. / H. M. Manasevit, F. M. Erdmann, and W. I. Simpson//J. Electrochem. Soc. 1971.-Vol.118, P. 1864.
- Юнович, А.Э. Свет из гетеропереходов Текст. / А. Э. Юнович // Природа. 2001. — № 6. — С. 38−46.
- I" I. II I Uli II HI Ulli lili II II II, 11 I IUI II III ¦ I Ii III II I II! II HI I I I III! 11,1 lili I Ы il I III i IKIULBl165
- Кучерова, О.В. Комплексное исследование гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN емкостными методами Текст. / О. В. Кучерова, В. И. Зубков // Известия Государственного электротехнического университета. 2006. — № 2. — С. 36−40.
- Зубков, В.И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGaixAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции Текст. // Физика и техника полупроводников. 2007. — Т. 41, Вып. 3. — С. 331−337.
- Петровская, А.Н. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 К Текст. / Петровская, А.Н., Зубков, В.И. // Физика и техника полупроводников. 2009. — Т. 43, Вып. 10 — С. 1368−1373.
- Зубков, В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса Текст.: эл. учебное пособие. / В. И. Зубков. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. — 162 с.
- Мооп, С. R. Electron distribution and capacitance-voltage profiles of multiple quantum well structure from self-consistent simulations Text. / C. R. Moon, Byung-Doo Choe, S. D. Kwon, H Lim // Appl. Phys. Lett. 1997. -Vol. 70, N 22. — P. 2987−2989.
- Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериод-ной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530−560 nm Текст. / В. В. Лундин [и др.] // Письма в Журнал технической физики. 2010. — Т. 36, Вып. 22.-С. 89−95.
- Gerthsen D. // Физика и техника полупроводников. 2011. — Т. 45, Вып. 2. — С. 274−279.
- Зи, С. Физика полупроводниковых приборов Текст.: учеб. для вузов. / С. Зи. М.: Мир. 1984. — Т.1. — 456 с.
- P. Blood. Capacitance-voltage profiling and characterization of II-V semiconductors using electrolyte barriers Text. / P. Blood //Semicond. Sci. Technol. 1985 — Vol.1, -p.7−27.
- Ambridge, T. An automatic carrier concentration profile plotter using an electrochemical technique Text. / T. Ambridge, M. Faktor. // J. of Appl. Electrochem.- 1975. Vol. 5. — P. 319−328.
- T. Wolff, T. Electrochemical etching and CV-profiling of GaN Text. / T. Wolff, M. Rapp, T. Rotter // Phys. stat. sol. (a).- 2004. Vol. 201, N 9. — P. 2067−2075.
- M. Huygens, I. M. Electrochemistry and photoetching of и-GaN Text. / I. M. Huygens, K. Strubbe, W. P. Gomes. // J. of The Electrochem. Society. -2000. Vol. 5. — P. 1797−1802.
- Nguyen N. D., Germain М., Schmeits М., Schineller В., Heuken М. Thermal admittance spectroscopy of Mg-doped GaN Schottky diodes // J. Appl. Phys. 2001. Vol.90, № 985 (2001) — 1 379 345 (9 pages).
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Properties of advanced semiconductor materials: GaN, A1N, InN, BN, SiC, SiGe. Wiley-IEEE, (2001).
- Kapteyn, C.M.A. Electron escape from InAs quantum dots Text. / Kapteyn C.M.A., Heinrichsdorff F., Stier O., Heitz R., Grundmann M., Zakharov N.D., Bimberg D., Werner P. // Phys. Rev. B. 1999. — Vol. 60, N 20. — P. 14 265−14 268.
- Kapteyn, C.M.A. Carrier emission and electronic properties of self-organized semiconductor quantum dots: dissertation Text. / Kapteyn C.M.A. -Mensch&Buch Verlag Berlin. Berlin, 2001.- 156 p.
- Ланно, M. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория Текст.: учеб. для вузов / Бургуэн Ж., Ланно М. М.: Мир, 1984. — 264 с.
- Драгунов, В.П. Основы наноэлектроники Текст.: учеб. для вузов / Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Новосибирск: Издательство НГТУ, 2000. — 331 с.
- Сатанин, A.M. Динамика электронов в наноструктурах Текст.: Учебно-методический материал по программе повышения квалификации
- Новые материалы электроники и оптоэлектроники для информацион но-телекоммуникационных систем" / A.M. Сатанин, — Нижний Новго род: ННГУ, 2006. 96 с.