Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Транспортные свойства носителей тока в слоях квантовых точек в структурах на основе InAs/GaAs

Диссертация: Транспортные свойства носителей тока в слоях квантовых точек в структурах на основе InAs/GaAs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Транспорт в слоях квантовых точек представляет большой интерес с точки зрения фундаментальной физики, прежде всего с точки зрения теории локализации носителей тока — квантовые точки можно рассматривать как искусственно созданные локализационные центры. Поскольку квантовые точки обладают определенной шириной распределения геометрических параметров и, соответственно, энергетических уровней, системы… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Свойства квантовых точек
    • 1. 1. Механизм образования и свойства квантовых точек.'
    • 1. 2. Энергетический спектр и оптические свойства квантовых точек
    • 1. 3. Локализационные эффекты в низкоразмерных системах
  • ГЛАВА 2. Методика измерений и образцы
    • 2. 1. Методика измерения
    • 2. 2. Образцы
    • 2. 3. Ошибки измерений
  • ГЛАВА 3. Особенности проводимости и фотолюминесценции в короткопериодных сверхрешетках InGaAs
    • 3. 1. Проводимость и магнетосопротивление
    • 3. 2. Фотолюминесценция
  • ГЛАВА 4. Транспорт и локализация
    • 4. 1. Сопротивление, магнетосопротивление, эффект Холла
    • 4. 2. Эффект Шубникова-де Гааза, квантовый эффект Холла
    • 4. 3. Локализация
    • 4. 4. Переход металл-изолятор
  • ГЛАВА 5. Замороженная фотопроводимость в структурах с квантовыми точками
    • 5. 1. Температурные зависимости сопротивления
    • 5. 2. Эффект Шубникова- де Гааза
    • 5. 3. Релаксация замороженной фотопроводимости

Транспортные свойства носителей тока в слоях квантовых точек в структурах на основе InAs/GaAs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

В последние годы структуры с квантовыми точками вызывают огромный научный интерес (см. например, обзоры [1,2,3]). Это связано в первую очередь с возможностью изучения в таких структурах фундаментальных физических эффектов, например, процессов локализации и рассеяния носителей тока [4,5], квантовых оптических свойств [6,7]. Самостоятельный интерес представляют процессы роста и энергетический спектр носителей тока [8,9,10,11] в таких структурах. Помимо научного значения систем с квантовыми точками, они очень перспективны для практического использования в полупроводниковых лазерах [12], транзисторах, элементах памяти [13].

На сегодняшний день наиболее широко представлены исследования оптических свойств квантовых точек, в то время как транспорт носителей тока в структурах с квантовыми точками гораздо менее исследован. Кроме того, в большинстве случаев исследуются структуры, в которых концентрация квантовых точек мала для того, чтобы обеспечить достаточное перекрытие волновых функций носителей, локализованных в соседних квантовых точках. В таких структурах слои квантовых точек не участвуют в проводимости непосредственно, однако могут влиять (как искусственные рассеивающие центры) на проводимость соседних двумерных слоев [14,15].

Транспорт в слоях квантовых точек представляет большой интерес с точки зрения фундаментальной физики, прежде всего с точки зрения теории локализации носителей тока — квантовые точки можно рассматривать как искусственно созданные локализационные центры. Поскольку квантовые точки обладают определенной шириной распределения геометрических параметров и, соответственно, энергетических уровней, системы квантовых точек можно описывать в рамках моделей Андерсона и Лифшица. Современные технологии роста позволяют в известных пределах варьировать степень однородности системы квантовых точек и степень их взаимодействия, таким образом создавая системы искусственных центров локализации с контролируемым присутствием беспорядка.

С точки зрения практического использования перед квантовыми точками открываются широкие перспективы. Энергетический спектр идеальной системы квантовых точек представляет собой набор 5-функций, поэтому применение таких систем позволит выйти на качественно новый уровень создания оптических приборов, например, полупроводниковых лазеров с узкой линией и малой чувствительностью к температуре. Энергетический спектр уединенной квантовой точки близок к атомным уровням, что позволяет создавать на основе квантовых точек одноэлектронные транзисторы и элементы памяти.

Одним из перспективных методов роста систем с квантовыми точками является самоорганизация InAs квантовых точек при высаживании InAs на GaAs подложку, вызванное несоответствием периодов их кристаллических решеток, причем можно использовать как молекулярно-лучевую эпитаксию, так и МОС-гидридную эпитаксию (см. [16] и ссылки в этой работе). Изменяя условия роста можно менять размеры и плотность точек в слое. Один из способов уменьшения разброса положения и размеров квантовых точек — выращивание точек на вицинальных гранях полупроводника [17].

Цель работы.

1) Исследование транспортных свойств и фотолюминесценции структур с докритической толщиной слоев InAs, при которой происходит послойный рост InAs и GaAs без образования квантовых точек, в диапазоне температур 0.05К<�Т<300К и в диапазоне магнитных полей до 10 Тл.

2) Исследование транспортных свойств и фотолюминесценции структур с одним и несколькими слоями InAs/GaAs квантовых точек с пи ртипом проводимости, процессов локализации носителей тока в этих структурах в диапазоне температур 0.05K.

3) Исследование эффекта замороженной фотопроводимости в InAs/GaAs структурах с квантовыми точками при освещении светом с различными длинами волн.

Основные научные положения, выносимые на защиту.

1) В исследованных структурах проводимость вдоль ступеней вицинальной поверхности (направление [-110]) превышает проводимость поперек ступеней (направление [110]), анизотропия проводимости связана с выстраиванием квантовых точек в ряды вдоль ступеней.

2) При низких температурах в образцах с относительно низкой концентрацией носителей тока наблюдается прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка (закон Мотта). Сильная локализация носителей тока при низких температурах осуществляется не в отдельных квантовых точках, а в существенно больших по размеру неоднородностях потенциального рельефа слоев квантовых точек.

3) В исследованных структурах с квантовыми точками с относительно высокой концентрацией носителей тока наблюдается квантовый эффект Холла и эффект Шубникова-де Гааза от двумерных носителей тока, заполняющих энергетическую подзону, образовавшуюся в результате взаимодействия квантовых точек.

4) Замороженная положительная фотопроводимость, обнаруженная в исследованных структурах, возникает из-за пространственного разделения фотогенерированных носителей тока, при котором электроны накапливаются в слоях квантовых точек.

Научная новизна и практическая ценность.

Научная новизна полученных в работе результатов обусловлена тем, что впервые:

1) Проведены комплексные исследования структур с напряженными InAs/GaAs короткопериодными сверхрешетками, в которых номинальная толщина Q слоев InAs варьировалась от 0.33 до 2.7 монослоев (МС) со средним составом Ino. i6Gao.84As и структуры с твердым раствором Ino. i6Gao.84As, а также структур InAs/GaAs как с одиночными так и с множественными слоями квантовых точек, выращенными на вицинальных гранях GaAs. Исследовались фотолюминесценция при 77 К, транспортные свойства и замороженная фотопроводимость (для длин волн Х.=791нм и Я>1120нм) в диапазоне температур 0.05К<�Т<300К, эффект Шубникова-де Гааза и квантовый эффект Холла (в магнитных полях до 10 Тл).

2) В короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs при Q=0.33 и 2.0 МС наблюдалось увеличение интенсивности спектров фотолюминесценции и увеличение холловской подвижности образцов, что можно объяснить релаксацией упругих напряжений при этих значениях толщин слоев.

3) В исследованных структурах со слоями квантовых точек при низких температурах по температурной зависимости сопротивления наблюдался переход от закона Мотта (прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка) к закону ШкловскогоЭфроса (прыжковая проводимость при наличии кулоновской щели в плотности состояний вблизи уровня Ферми). Показано, что локализация носителей тока происходит не в квантовых точках, а в существенно больших по размеру областях пространства — флуктуациях потенциального рельефа слоев квантовых точек.

4) В исследованных структурах при низких температурах наблюдался переход металл-диэлектрик, индуцированный магнитным полем, в образцах с высокой концентрацией носителей при низких температурах и в магнитном поле впервые зарегистрировано необычное состояние двумерной электронной системы, при.

J л котором удельное сопротивление рхх существенно превышает значение h/e (е /hминимальная металлическая проводимость, условно разделяющая двумерный металл и изолятор), но производная dpxx/dT>0.

5) При низких температурах во всех исследованных структурах обнаружена замороженная положительная фотопроводимость, причем ее характер зависит от типа подсветки. Эффект объясняется пространственным разделением фотогенерированных носителей тока, при котором электроны накапливаются в слоях квантовых точек.

Практическая значимость диссертации обусловлена тем, что полученные в настоящей работе данные о локализации носителей тока в слоях квантовых точек в структурах на основе InAs/GaAs важны для разработки полупроводниковых лазеров, одноэлектронных транзисторов и элементов памяти на основе квантовых точек.

В работе показано, что в короткопериодных сверхрешетках при определенных докритических толщинах слоев InAs происходит существенное увеличение подвижности носителей тока, что важно для создания квантовых полупроводниковых приборов на их основе.

Обнаружена и исследована замороженная положительная фотопроводимость в слоях квантовых точек InAs/GaAs, что может быть использовано при создании элементов памяти и оптических приборов.

Публикации по теме диссертации.

1) V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, A.V. Demin «Transport properties of high electron density GaAs delta-doped by Sn structures» Тезисы докладов XII Уральской Международной зимней школы по физике полупроводников.

Электронные свойства низкоразмерных полуи сверхпроводниковых структур", стр. 43. Екатеринбург, Россия, 3−8 марта (1997).

2) Vladimir A. Kulbachinskii, Vladimir G. Kytin, Roman A. Lunin, Alex S. Bugaev, Alexey P. Senichkin, Artyom V. Golikov «Transport properties of delta-doped by Sn GaAs structures» Abstracts of 16th general conference of the condensed matter division, P.225, 85. Leuven, Belgium. (1997).

3) V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, A.V. Demin, I.G. Malkina, B.N. Zvonkov, Yu.N. Safyanov — «Low temperature transport properties of InAs/GaAs structures with quantum dot layers» Abstracts of the 24th International Conference on the physics of semiconductors, Tu-P142. Jerusalem, Israel (1998).

4) B.A. Кульбачинский, В. Г. Кытин, P.A. Лунин, A.B. Голиков, A.B. Демин, И. Г. Малкина, Б. Н. Звонков, Ю. Н. Сафьянов. «Сильная локализация носителей тока в InAs/GaAs многослойных структурах с квантовыми точками». Вестник МГУ Физика и Астрономия 5, 53 (1998).

5) А. В. Голиков, А. В. Демин, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, РА. Лунини, А. С. Бугаев, В. Г. Мокеров, А. П. Сеничкин «Низкотемпературная задержанная фотопроводимость в структурах GaAs с дельта-легированием оловом вицинальных граней» Тезисы докладов XXXI Совещания по физике низких температур, стр. 77. Москва, Россия, 2−3 декабря (1998).

6) V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, I.G. Malkina, B.N. Zvonkov, Yu.N. Safyanov «Peculiarities of optical and low-temperature transport properties of multi-layer InAs/GaAs structures with quantum dots». Phisica В 266, 185 (1999).

7) B.A. Кульбачинский, В. Г. Кытин, P.A. Лунин, A.B. Голиков, И. Г. Малкина, Б. Н. Звонков, Ю. Н. Сафьянов «Особенности фотолюминесценции и транспортных свойств многослойных InAs/GaAs структур с квантовыми точками» ФТП 33, 316 (1999).

8) В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, Р. А. Лунин, А. В. Голиков, А. В. Демин, А. С. Бугаев, А. П. Сеничкин, А. де Виссер, Р.Т.Ф. ван Шхайк «Отрицательная замороженная фотопроводимость в структурах GaAs (5-Sn)» ЖЭТФ 116, 2130 (1999).

9) V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, V.G. Mokerov, A.S. Bugaev, A.P. Senichkin, R.T.F. van Schaijk, A de Visser, P.M. Koenraad «Sn 5-dopping in GaAs» Semicond. Sci. Technol. 14, 1034 (1999).

10) V.G. Kytin, A.S. Bugaev, A.V. Golikov, A.V. Demin, V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, A.P. Senichkin «Negative and positive persistent photoconductivity in GaAs delta-doped by Sn», Тезисы докладов XIII Уральской Международной зимней школы по физике полупроводников «Электронные свойства низкоразмерных полуи сверхпроводниковых структур», стр. 23. Екатеринбург, Россия, 15−20 февраля (1999).

11) V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, A.V. Demin, V.G. Mokerov, A.S. Bugaev, A.P. Senichkin, P.M. Koenraad, R.T.F. van Schaijk, A. de Visser «Observation of negative persistent photoconductivity in GaAs delta-doped by Sn» Proceedings of 7th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», p. 299. St. Petersburg, Russia, June 14−18 (1999).

12) Vladimir A. Kulbachinskii, Alex S. Bugaev, Artem V. Golikov, Alexey V. Demin, Vladimir G. Kytin, Roman A. Lunin, Alexei P. Senichkin, Rob van Schaijk, Anne de Visser «Low temperature negative persistent photoconductivity in Sn delta-doped GaAs», Abstracts of XXII International conference on Low Temperature Physics, p. 602. Helsinki, Finland, August 4−11 (1999).

13) В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, Р. А. Лунин, А. В. Голиков, А. В. Демин, А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев «Отрицательная замороженная фотопроводимость в дельта-легированных оловом GaAs структурах». Тезисы докладов IV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-99», стр. 176. Новосибирск, Академгородок, Россия, 25−29 октября (1999).

14) V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, A.V. Demin, B.N. Zvonkov, S.M. Nekorkin, A de Visser «Optical properties and hopping conductivity in InAs/GaAs quantum dot structures» Abstracts of 8th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology» p. 420. St Petersburg, Russia, June 19−23 (2000).

15) V.A. Kulbachinskii, A.V. Golikov, R.A. Lunin, V.G. Kytin, A.V. Demin, A.V. Rogozin, B.N. Zvonkov, S.M. Nekorkin, A de Visser «Optical properties and hopping conductivity in InAs/GaAs quantum dot structures», Abstracts of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. Part III, p.857. Osaka, Japan, September 17−22 (2000).

16) V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, V.G. Kytin, A.V. Golikov, A.V. Rogozin, V.G. Mokerov, Yu. V Fedorov, A.V. Hook «Optical and transport properties of modulation doped InAs/GaAs superlattices», Abstracts of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors Part II, p. 477. Osaka, Japan, September 17−22 (2000).

17) P.А. Лунин, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, А. В. Голиков, А. В. Демин, В. А. Рогозин, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин «Оптические свойства и прыжковая проводимость в InAs/GaAs структурах с квантовыми точками» тезисы докладов «32 Всероссийское совещания по физике низких температур НТ-32» стр. 75. Казань, Россия, 3−6 октября (2000).

18) V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, A.V. Golikov, R.A. Lunin, R T F van Schaijk, A de Visser, A.P. Senichkin, A.S. Bugaev «Wavelength dependent negative and positive persistent photoconductivity in Sn 8-doped GaAs structures» Semicond. Sci. Technol. 15, 895(2000).

19) А. В. Голиков «Оптические свойства и прыжковая проводимость в InAs/GaAs структурах с квантовыми точками». Тезисы докладов VII международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов-2000» секция «физика» стр. 82. Москва, Россия (2000).

Аппробация.

Основные результаты работы докладывались на :

XII Уральской Международной зимней школе по физике полупроводников «Электронные свойства низкоразмерных полуи сверхпроводниковых структур» 3−8 марта, Екатеринбург, Россия (1997) — 16th General conference of the condensed matter division, Leuven, Belgium (1997) — 24th International Conference on the physics of f semiconductors Jerusalem, Israel, August (1998) — XXXI Совещания по физике низких температур, 2−3 декабря, Москва, Россия (1998) — XIII Уральской Международной зимней школе по физике полупроводников «Электронные свойства низкоразмерных полуи сверхпроводниковых структур», 15−20 февраля, Екатеринбург, Россия (1999) — 7th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia, June 14−18, (1999) — XXII International conference on Low Temperature Physics, Helsinki, Finland, August 4−11, (1999) — IV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-99», Новосибирск, Академгородок, 25−29 октября (1999) — 8th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology» St Petersburg, Russia, June 19−23, (2000) — 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. Osaka, Japan, September 17−22, (2000) — 32 Всероссийском совещании по физике низких температур НТ-32 Казань, Россия, 3−6 октября, (2000) — VII Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов-2000» секция «физика» физический факультет МГУ, Москва, Россия (2000).

Основные результаты и выводы.

1) Проведены комплексные исследования структур с напряженными короткопериодными InAs/GaAs сверхрешетками, в которых номинальная толщина Q слоев InAs варьировалась от 0.33 до 2.7 монослоев (МС) со средним составом Ino. i6Gao.84As, и структур с твердым раствором Ino. i6Gao.84As, а также структур InAs/GaAs как с одиночными, так и с множественными слоями квантовых точек, выращенных на вицинальных гранях GaAs. Исследовались фотолюминесценция при 77 К, транспортные свойства и замороженная фотопроводимость (для длин волн света Х=791нм и А>1120нм) в диапазоне температур 0.05К<�Т<300К, эффект Шубникова-де Гааза и квантовый эффект Холла (в магнитных полях до 10 Тл). Структура слоев квантовых точек исследовалась с помощью атомного силового микроскопа.

2) В короткопериодных сверхрешетках при Q=0.33 и 2.0 МС наблюдается увеличение интенсивности спектров фотолюминесценции и увеличение холловской подвижности электронов, что можно объяснить релаксацией упругих напряжений при этих значениях толщин слоев. При Q>2.7 МС максимум спектра фотолюминесценции сдвигается в область больших длин волн, подвижность носителей тока резко уменьшается, что связывается с образованием слоя квантовых точек.

3) В структурах с относительно высокой концентрацией электронов при низких температурах наблюдался эффект слабой локализации носителей тока, в то время как в структурах с низкой концентрацией электронов наблюдалась сильная локализация.

4) Во всех исследованных структурах со слоями квантовых точек обнаружена анизотропия проводимости, которая объясняется выстраиванием квантовых точек в ряды вдоль ступеней разориентированной подложки, что непосредственно наблюдалось методом атомной силовой микроскопии. Проводимость в направлении вдоль ступенек (направление [-110]) для всех образцов выше, чем в направлении [110] (поперек ступенек).

5) В исследованных структурах с квантовыми точками с относительно высокой концентрацией носителей тока наблюдался квантовый эффект Холла и эффект Шубникова-де Гааза от двумерных носителей тока, заполняющих энергетическую подзону, образовавшуюся в результате взаимодействия квантовых точек. Выявлены существенные различия в транспортных свойствах образцов пи р-типов, объясняемые прежде всего большой разницей в эффективных массах электронов и дырок.

6) В исследованных структурах с достаточно низкой концентрацией носителей тока при низких температурах по температурной зависимости сопротивления наблюдается переход от закона Мотта (прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка) к закону Шкловского — Эфроса (прыжковая проводимость при наличии кулоновской щели в плотности состояний вблизи уровня Ферми). Показано, что локализация носителей тока происходит не в квантовых точках, а в существенно больших по размеру областях пространства — флуктуациях потенциального рельефа слоев квантовых точек.

7) В исследованных структурах при низких температурах наблюдался переход металл-диэлектрик, индуцированный магнитным полем. В образцах с высокой концентрацией носителей тока при низких температурах и в ненулевых магнитных полях впервые зарегистрировано необычное состояние двумерной электронной системы, при котором удельное сопротивление рхх существенно превышает значение h/e2 (e2/h — минимальная металлическая проводимость), но производная dpxx/dT>0.

8) При низких температурах во всех исследованных структурах обнаружена замороженная положительная фотопроводимость, зависящая от длины волны света. Эффект объясняется пространственным разделением фотогенерированных носителей тока, при котором электроны накапливаются в слоях квантовых точек.

Заключение

.

Я выражаю глубокую благодарность моему научному руководителю, профессору Владимиру Анатольевичу Кульбачинскому, за руководство моей научной работой, предоставление интересной темы для диссертационной работы и помощь при работе над нею, искренне благодарю Владимира Анатольевича за огромное влияние, которое он оказал на меня как ученый и как личность.

Я выражаю глубокую благодарность второму моему научному руководителю, к.ф.-м.н. Роману Анатольевичу Лунину, за руководство моей научной работой, за помощь в проведении экспериментов и интерпретации их результатов.

Я благодарю к.ф.-м.н. Владимира Геннадиевича Кытина за большую помощь в проведении экспериментов и интерпретации их результатов.

Я благодарю чл.-корр. РАН В. Г. Мокерова, Ю. В. Федорова, д.ф.-м.н. Б. Н, Звонкова, к.ф.-м.н. А. П. Сеничкина, А. С. Бугаева, за образцы, предоставленные для исследований, благодарю за помощь к.ф.-м.н. Д. О. Филатова, к.ф.-м.н. А. Л. Карузского.

От всей души благодарю всех сотрудников кафедры физики низких температур и сверхпроводимости, так или иначе способствовавших успешному завершению этой работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н.Н. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг «Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор» ФТП 32, 385 (1998)
  2. L. Jacak «Semiconductor quantum dots toward a new generation of semiconductor devices» Eur. J. Phys. 21, 487 (2000)
  3. A.D. Yoffe «Semiconductor quantum dots and related systems: electronic, optical, luminescence and related properties of low dimensional systems» Advanced in Phys. 50, 1 (2001)
  4. L.-H. Lin, N. Aoki, K. Nakao, A. Andresen, C. Prasad, F. Ge, J.P. Bird, D.K. Ferry, Y. Ochiai, K. Ishibashi, Y. Ayoagi, T. Sugano «Localization effect in mesoscopic quantum dots and quantum-dot arrays» Phys. Rev. В 60, R16299 (1999)
  5. G.H. Kim, J.T. Nicholls, S.I. Khondaker, I. Farrer, D.A. Ritchie «Tuning the insulator-quantum Hall liquid transition in a two-dimensional electron gas using self-assembled InAs» Phys. Rev. В 61, 10 910 (2000)
  6. J. Bloch, J. Shah, L.N. Pfeiffer, K.W. West, S.N.G. Chu «Optical properties of multiple layers of self-orginized InAs quantum dots emitting at 1.3 |iim» Appl. Phys. Lett. 77, 2545 (2000)
  7. R.P. Mirin, K.L. Silverman, D.H. Christensen, A. Roshko «Narrow photoluminescence linewidths from ensembles of self-assembled InGaAs quantum dots» J. Vac. Sci. Technol. В 18,1510(2000)
  8. P.B. Joyce, T.J. Krzyzewski, G.R. Bell, B.A. Joyce, T.S. Jones «Composition of InAs quantum dots on GaAs (OOl): Direct evidence for (In, Ga) As alloying» Phys. Rev. В 58, R15981 (1998)
  9. V. Holy, G. Springholz, M. Pinczolits, G. Bauer «Strain Induced Vertical and Lateral Correlation in Quantum Dot Superlattices» Phys. Rev. Lett. 83, 356 (1999)
  10. X.D. Wang, Z. Niu, S. Feng «Influence of InxGai. xAs (0
  11. R. Rinaldi, S. Antonaci, M. DeVittorio, R. Cingolani, U. Hohenester, E. Molinari, H. Lipsanen, J. Tulkki «Effects of few-particle interaction on the atomiclike levels of a single strain-induced quantum dot» Phys. Rev. В 62, 1592 (2000)
  12. F. Schafer, J.P. Reithmaier, A. Forchel «High-performance GalnAs/GaAs quantum-dot laser based on a single active layer» Appl. Phys. Lett. 74,2915 (1999)
  13. P. Recher, E.V. Sukhorukov, D. Loss «Quantum Dot as Spin Filter and Spin Memory» Phys. Rev. Lett. 85,1962 (2000)
  14. E. Ribeiro, E. Muller, T. Heinzel, H. Auderset, K. Ensslin «InAs self-assembled quantum dots as controllable scattering centers near a two-dimensional electron gas» Phys. Rev. В 58, 1506(1998)
  15. A.J. Shields, M.P. O’Sullivan, I. Farrer, D.A. Ritchie, K. Cooper, C.L. Foden, M. Pepper «Optically induced bistability in the mobility of a two-dimensional electron gas coupled to a layer of quantum dots» Appl. Phys. Lett. 74, 735 (1999)
  16. D.Bimberg, M. Grundman, N.N. Ledentsov «Quantum Dot Heterostructures» John Wiley & Sons UK (1998)
  17. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн «Электронные свойства двумерных систем» М. Мир (1985)
  18. ВА. Кульбачинский «Двумерные, одномерные и нульмерные структуры и сверхрешетки» М. Физический факультет МГУ (1998)
  19. В.Н. Луцкий, Л. А, Кулик «Особенности оптических характеристик пленок висмута в условиях квантового размерного эффекта» Письма в ЖЭТФ 8, 133 (1968)
  20. Ж.И. Алферов, Ю. В. Жиляев, Ю. В. Шмарцев «Расщепление зоны проводимости в «сверхрешетке» на основе GaPxAsi. x» ФТП 5, 196 (1971)
  21. J. Christen and D. Bimberg «Line shapes of intersubband and excitonic recombination in quantum wells: Influence of final-state interaction, statistical broadening, and momentum conservation» Phys. Rev. В 42, 7213 (1990)
  22. L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu «Resonant tunneling in semiconductor double barriers» Appl. Phys. Lett. 24, 593 (1974)
  23. R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry «Quantum states of confined carriers in very thin AlxGai .xAs-GaAs- AlxGa, xAs heterostructures» Phys. Rev. Lett. 33, 827 (1974)
  24. R.F. Kazarinov, R.A. Suris «Possibility of the amplification of electromagnetic waves in a semiconductor with a superlattice» Fiz. I Tekh. Poluprovodn. (Sov. Phys. Semicond.) 5, 797(1971)
  25. E. Kapon, D. M. Hwang, R. Bhat «Stimulated emission in semiconductor quantum wire heterostructures» Phys. Rev. Lett. 63,430 (1989)
  26. W. Lu, A.J. Rimberg, A.C. Gossard «Single-electron transistor strongly coupled to an electrostatically defined quantum dot.» Appl. Phys. Lett. 77, 2746 (2000)
  27. M. Grundmann D. Bimberg «Gain and Threshold of Quantum Dot Lasers: Theory and Comparison to Experiments» Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4181 (1997)
  28. А.И. Екимов, A. A, Онущенко «Размерное квантование энергетического спектра электронов в микрокристаллах полупроводников» Письма в ЖЭТФ 40, 337 (1984)
  29. N. N. Ledentsov, P. D. Wang, С. М. Sotomayor Torres, A. Yu. Egorov, М. V. Maximov, V. М. Ustinov, А. Е. Zhukov, P. S. Kop’ev «Optical spectroscopic studies of InAs layer transformation on GaAs surfaces» Phys. Rev. В 50,12 171 (1994)
  30. L. Goldshtein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux «Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices» Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985)
  31. P. D. Wang, N. N. Ledentsov, С. M. Sotomayor Torres, P. S. Kop’ev, V. M. Ustinov «Optical characterization of submonolayer and monolayer InAs structures grown in a GaAs matrix on (100) and high- index surfaces» Appl. Phys. Lett. 64,1526 (1994)
  32. V. Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, K. Pond, P.M. Petroff, W.H. Weinberg «Initial stages of InAs epitaxy on vicinal GaAs (001)-(2×4)» Phys. Rev. В 50, 8479 (1994)
  33. V. Bressler-Hill, S. Varma, A. Lorke, B.Z. Nosho, P.M. Petroff, W.H. Weinberg «Island Scaling in Strained Heteroepitaxy: InAs/GaAs (001)» Phys. Rev. Lett. 74, 3209 (1995)
  34. G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, A.O. Golubok, S.Ya. Tipisev, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundman, D. Bimberg, Surf. Sci. 352−354, 646 (1996)
  35. G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipisev, V.B. Gubanov, Yu.B. Samsonenko, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundman, D. Bimberg Zh.I. Alferov, Surf. Sci. 352−354, 651 (1996)
  36. В.И. Марченко «К теории равновесной формы кристаллов» ЖЭТФ 81,1141 (1981)
  37. В.И. Марченко «Возможные структуры и фазовые переходы на поверхности кристаллов» Письма в ЖЭТФ 33, 397 (1981)
  38. D. Leonard, К. Pond, P.M. Petroff «Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs» Phys. Rev. В 50,11 687 (1994)
  39. R. Heitz, T.R. Ramachandran, A. Kalburge, Q. Xie, I. Mukhametzhanov, P. Chen, A. Madnukar «Observation of Reentrant 2D to 3D Morphology Transition in Highly Strained Epitaxy: InAs on GaAs» Phys. Rev. Lett. 78, 4071 (1997)
  40. A.S. Bhatti, M. Grassi Alessi, M. Capizzi, P. Frigeri, S. Franchi «Optical spectroscopy of quasimonolayer InAs at the onset of quantum-dot nucleation» Phys. Rev. В 60, 2592 (1999)
  41. S. Fafard, Z.R. Wasilewski, M. Spanner «Evolution of the energy levels in quantum dot ensemble with different densities» Appl. Phys. Lett. 75,1866 (1999)
  42. A. Polimeni, A. Patane, M. Capizzi, F. Martelli, L. Nasi, G. Salviati «Self-aggregation of quantum dots for very thin InAs layers grown on GaAs» Phys. Rev. В 53, R4213 (1996)
  43. N.N. Ledentsov, M. Grundman, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alpherov, S.S. Ruvimov, A.O.
  44. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich «Ordered arrays of quantum dots: formation, electronic spectra, relaxation phenomena, lasing» Solid State Electron 40, 785(1996)
  45. G.S. Solomon, J.A. Trezza, J.S. Harris «Substrate temperature and monolayer coverage effects on eptiaxial ordering of InAs and InGaAs islands on GaAs.» Appl. Phys. Lett. 66, 991(1995)
  46. G.S. Solomon, J.A. Trezza, J.S. Harris «Effects of monolayer coverage, flux ratio, and growth rate on the island density of InAs islands on GaAs.» Appl. Phys. Lett. 66, 3161 (1995)
  47. I.N. Stranski, L. Von Krastanov. Sitzungsber. Akad. Wiss. Wien lib, 146, 797 (1938)
  48. J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel «Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs.» Appl. Phys. Lett. 64, 196 (1994)
  49. H. Lee, R. Lowe-Webb, W. Yang, P.C. Sercel «Determination of the shape of self-organized InAs/GaAs quantum dots by reflection high energy electron diffraction» Appl. Phys. Lett. 72, 812 (1998)
  50. D.S.L. Mui, D. Leonard, L.A. Coldren, P.M. Petroff «Surface migration induced self-aligned InAs islands grown by molecular beam epitaxy.» Appl. Phys. Lett. 66, 1620 (1995)
  51. S. Sauvage, P. Boucaud, F.H. Julien, J.-M. Gerard, J.-Y. Marzin «Infrared spectroscopy of intraband transitions in self-organized InAs/GaAs quantum dots» J. Appl. Phys. 82, 3396 (1997)
  52. M. Fricke, A. Lorke, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff «Shell structure and electron-electron interaction in self-assembled InAs quantum dots» Europhys. Lett. 36, 197(1996)
  53. Y. Nabetani, T. Ishikawa, S. Noda, A. Sakai «Initial growth stage and optical properties of a three-dimensional InAs structure on GaAs» J. Appl. Phys. 76, 347 (1994)
  54. S.J. Xu, H. Wang, Q. Li, M.H. Xie, X.C. Wang, W.J. Fan, S.L. Feng «X-ray diffraction and optical characterization of interdiffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum-dot superlattices» Appl. Phys. Lett. 77, 2130 (2000)
  55. F.-Y. Tsai, C.-P. Lee «Photoluminescence Study of High-Quality InGaAs/GaAs Quantum Dots on (111)B GaAs Substrates» Jpn. J. Appl. Phys. 38, 558 (1999)
  56. R. Notzel, T. Fukui, H. Hasegava, J. Temmyo, T. Tamamura «Atomic force miroscopy study of strained InGaAs quantum disks self-organizing on GaAs (nll)B substrates» Appl. Phys. Lett. 65, 2854 (1994)
  57. M. Kawabe, K. Akahane, S. Lan, K. Okino, Y. Okada H. Koyama «Self-Organization of High-Density III-V Quantum Dots on High-Index Substrates» Jpn. J. Appl. Phys. 38 491 (1999)
  58. M. Kitamura, M. Nishioka, J. Oshinowo, Y. Arakawa «In situ fabrication of self-aligned InGaAs quantum dots on GaAs multiatomic steps by metalorganic chemical vapor deposition» Appl. Phys. Lett. 66,3663 (1995)
  59. Г. В. Астахов, В. П. Кочерешко, Д. Г. Васильев, В. П. Евтихиев, В. Е. Токранов, И. В. Кудряшов, Г. В. Михайлов «Фотолюминесценция квантовых точек InAs, выращенных на разориентированных подложках GaAs» ФТП 33, 1084 (1999)
  60. Д.Г. Васильев, В. П. Евтихиев, В. Е. Токранов, И. В. Кудряшов, В. П. Кочерешко «Влияние разориентации подложки на распределение квантовых точек по размерам в системе InAs/GaAs» ФТТ 40, 855 (1998)
  61. Г. Э. Цырлин, В. Н. Петров, М. В. Максимов, Н. Н. Леденцов «Люминесцентные свойства квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом субмонослойной миграционно- стимулированной эпитаксии» ФТП 31, 912 (1997)
  62. Y.H. Xie, S.B. Samavedam, М. Bulsara, Т.А. Langdo, Е.А. Fitzgerald «Relaxed template for fabricating regularly distributed quantum dot arrays» Appl. Phys. Lett. 71, 3567 (1997)
  63. A. Konkar, A. Madhukar, P. Chen «Stress-engineered spatially selective self-assembly of strained InAs quantum dots on nonplanar patterned GaAs (OOl) substrates» Appl. Phys. Lett. 72, 220 (1998)
  64. T.I. Kamins, R.S. Williams «Lithographic positioning of self-assembled Ge islands on Si (001)» Appl. Phys. Lett. 71, 1201 (1997)
  65. R. Murray, S. Malik, P. Siverns, D. Childs, C. Roberts, B. Joyce, H. Davock «Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM) Study of InAs/GaAs Quantum Dots» Jpn. J. Appl. Phys. 38,496 (1999)
  66. M. Grundman, O. Stier, D. Bimberg «InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and electron structure» Phys. Rev. В 52,11 969 (1995).
  67. L.J.M. Selen, L.J. van IJzendoorn, M.J.A. de Voigt, P.M. Koenraad «Evidence for strain in and around InAs quantum dots in GaAs from ion-channeling experiments» Phys. Rev. В vol. 61, no. 12, p. 8270 (2000)
  68. Hongtao Jiang, Jasprit Singh «Strain distribution and electronic spectra of InAs/GaAs self- assembled dots: An eight- band study» Phys. Rev. В 56, 4696 (1997)
  69. G. Muralidharan «Strain in InAs Quantum Dots Embedded in GaAs: A Finite Element Study» Jpn. J. Appl. Phys. 39, L658 (2000)
  70. H. Zhu, S. Feng, D. Jiang, Y. Deng, H. Wang «Strain Effect on the Band Structure of InAs/GaAs Quantum Dots» Jpn. J. Appl. Phys. 38, 6264 (1999)
  71. X.D. Wang, Z. Niu, S. Feng «Influence of InxGai-xAs (0
  72. H.L. Wang, F.H. Yang, S.L. Feng, H.J. Zhu, D. Ning, H. Wang X.D. Wang «Experimental determination of local Strain effect on InAs/GaAs self-organized quantum dots» 61, 5530 (2000)
  73. J. Kim, L.-W. Wang, A. Zunger «Comparison of the electronic structure of InAs/GaAs pyramidal quantum dots with different facet orientations» Phys. Rev. В vol. 57, no. 16, p. R9408 (1998)
  74. J.Y. Marzin, J.M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard «Photoluminescence of Single Quantum Dots Obtained by Self-Organized Growth on GaAs» Phys. Rev. Lett. 73, 716(1994)
  75. М. Grundman, N.N. Ledentsov, О. Stier, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P. S. Kop’ev, Zh.I. Alferov «Excited states in self-organized InAs/GaAs quantum dots: Theory and experiment» Appl. Phys. Lett. 68, 979 (1996)
  76. I. Muhametzhanov, R. Heitz, J. Zeng, P. Cheng, A. Madhukar «Independent manipulation of density and size of stress-driven self-assembled quantum dots» Appl. Phys. Lett. 73, 1841 (1998)
  77. Y. Sugiyama, Y. Nakata, T. Futatsugi, M. Sugawara, Y. Awano, N. Yokoyama «Narrow Photoluminescence Line Width of Closely Stacked InAs Self-Assembled Quantum Dot Structures» Jpn. J. Appl. Phys. 36, L158 (1997)
  78. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, J.-S. Lee «A Narrow photoluminescence linewidth of 21 meV at 1.35 |im from strain-reduced InAs quantum dots covered by InO.2GaO.8As grown on GaAs substrates» Appl. Phys. Lett. 74,1 111 (1999)
  79. I. Muhametzhanov, Z. Wei, R. Heitz, A. Madhukar «Punctuate island growth: An approach to examination and control of quantum dot density, size and shape evolution» Appl. Phys. Lett. 75, 85 (1999)
  80. K. Yamaguchi, K. Yujobo, T. Kaizu «Stranski-Krastanov Growth of InAs Quantum Dots with Narrow Size Distribution» Jpn. J. Appl. Phys. 39, LI245 (2000)
  81. К. Asaoka, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani «Microscopic Photoluminescence Study of InAs Single Quantum Dots Grown on (100) GaAs» Jpn. J. Appl. Phys. 38, 546 (1999)
  82. J.Y. Marzin, G. Bastard «Calculation of the energy levels in InAs/GaAs quantum dots» Solid. State Commun. 92, 437 (1994)
  83. D. Gammon, E.S. Snow, B.V. Shanabrook, D.S. Katzer, D. Park «Homogeneous Linewidths in the Optical Spectrum of a Single Gallium Arsenide Quantum Dot» Science 273, 87 (1996)
  84. О. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg «ELectronic and optical properties of strained quantum dots modeled by 8-band k. p theory «Phys. Rev. В v 59 n 8 p. 5688 (1999)
  85. O. Stier, M. Grundman, D. Bimberg «Inter- and intraband transition in strained quantum dots modeled in eight-band k-p theory» In Proceedings 24th International Conference on The Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel (1998)
  86. M. A. Cusack, P. R. Briddon, M. Jaros «Absorption spectra and optical transition in InAs/GaAs self- assembled quantum dots» Phys. Rev. В 56,4047 (1997)
  87. R. Heitz, M. Grundman, N.N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P. S. Kop’ev, Zh.I. Alferov «Multiphonon-relaxation processes in self-organized InAs/GaAs quantum dots» Appl. Phys. Lett. 68, 361 (1996)
  88. M.J. Steer, D.J. Mowbray, W.R. Tribe, M.S. Skolnik, M.D. Sturge, M. Hopkinson, A.G. Cullis, C.R. Whitehoue, R. Murray «Electronic energy levels and energy relaxation mechanisms in self-organized InAs/GaAs quantum dots» Phys. Rev. В 54, 17 738 (1996)
  89. R. Heitz, M. Veit, N.N. Ledentsov, A. Hoffman, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P. S. Kop’ev, Zh.I. Alferov «Energy relaxation by multiphonon processes in InAs/GaAs quantum dots» Phys. Rev. В 56, 10 435 (1997)
  90. L.-W. Wang, A. Zunger «Pseudopotential calculations of nanoscale CdSe quantum dots» Phys. Rev. В 53, 9579 (1996)
  91. Т. Inoshita, H. Sakaki «Electron relaxation in a quntum dot: Significants of multiphonon processes «Phys. Rev. В 46, 7260 (1992)
  92. F. Adler, M. Geiger, A. Bauknecht, F. Scholz, H. Schweizer, M.H. Pilkuhn, B. Ohnesorge, A. Forchel «Optical transitions and carrier relaxation in self assembled InAs/GaAs quantum dots» J. Appl. Phys. 80, 4019 (1996)
  93. M. Sugawara «Theory of spontaneous-emission lifetime of Wannier excitons in mesoscopic semiconductor quantum disks» Phys. Rev. В 51, 10 743 (1995)
  94. G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, J. S. Harris, Jr «Vertically Aligned and Electronically Coupled Growth Induced InAs Islands in GaAs» Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996)
  95. А. Ф. Цацульников, H. H. Леденцов, M. В. Максимов, А. Ю. Егоров, A. E. Жуков, В. M. Устинов, Б. В. Воловик, И. Л. Крестников, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Н.
  96. А. Берт, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алферов. «Фотолюминесценция массивов вертикально связанных напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs (lOO)» ФТП 30 1822(1996)
  97. S. Taddei, М. Colocci, A. Vinattieri, F. Bogani, S. Franchi, P. Frigeri, L. Lazzarini, G. Salviati «Vertical coupling and transition energies in multilayer InAs/GaAs quantum-dot structures» Phys. Rev. В 62, 10 220 (2000)
  98. M.O. Lipinski, H. Schuler, O.G. Schmidt, K. Eberl, N.Y. Jin-Phillipp «Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs» Appl. Phys. Lett. 77,1789 (2000)
  99. S. Lan, K. Akahane, K.-Y. Jang, T. Kawamura, Y. Okada, M. Kawabe, T. Nishimura, O. Wada «Two-Dimensional Ino.4Gao.6As/GaAs Quantum Dot Superlattices Realized by Self-Organized Epitaxial Growth» Jpn. J. Appl. Phys. 38,2934 (1999)
  100. S. Fafard, M. Spanner, J.P. McCaffrey, Z.R. Wasilewski «Coupled InAs/GaAs quantum dots with well-defined electronic shells» Appl. Phys. Lett. 76, 2268 (2000)
  101. M. Grundman, D. Bimberg «Gain and Threshold of Quantum Dot Lasers: Theory and Comparison to Experiments» Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4181 (1997)
  102. A. Endoh, Y. Nakata, Y. Sugiyama, M. Takatsu, N. Yokoyama «Narrow Photoluminescence Line Width of Closely Stacked InAs Self-Assembled Quantum Dot Structures» Jpn. J. Appl. Phys. 38 1085 (1999)
  103. A. Wojs, P. Hawrylak «Charging and infrared spectroscopy of self-assembled quantum dots in a magnetic field» Phys. Rev. В 53, 10 841 (1996)
  104. C.A. Stafford S.D. Sarma «Collective Coulomb blockade in an array of quantum dots: A Mott-Hubbard approach» Phys. Rev. Lett. 72, 3590 (1994)
  105. H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J.P. Kotthaus, P.M. Petroff «Spectroscopy of quantum levels in charge-tunable InGaAs quantum dots» Phys. Rev. Lett. 73, 2252 (1994)
  106. B.T. Miller, W. Hansen, S. Manus, R.J. Luyken, A. Lorke, J.P. Kotthaus, S. Huant, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff «Few-electron ground states of charge-tunable self-assembled quantum dots» Phys. Rev. В 56, 6764 (1997)
  107. П.Н. Брунков, С. Г. Конников, B.M. Устинов, A.E. Жуков, А. Ю. Егоров, В. М. Максимов, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев, «Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs» ФТП 30, 924 (1996)
  108. G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, P.M. Petroff «Electron and hole energy levels in InAs self-assembled quantum dots» Appl. Phys. Lett. 66,1767 (1995)
  109. S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert «Deep level transient spectroscopy of InP quantum dots» Appl. Phys. Lett. 67, 3016 (1995)
  110. C.M.A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, M. Grundman, D. Bimberg «Electron emission from InAs quantum dots» In Proceedings 24th International Conference on The Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel (1998)
  111. V.V. Ichenko, S.D. Lin, C.P. Lee, O.Y. Tretyak «Deep level transient spectroscopy characterization of InAs self-assembled quantum dots» J. Appl. Phys. 89,1172 (2001)
  112. G. Ghosh, B. Kochman, J. Singh, P. Bhattacharya «Conduction band offset in InAs/GaAs self-organized quantum dots measured by deep level transient spectroscopy» Appl. Phys. Lett. 76, 2571 (2000)
  113. . JI., Аронов А. Г. «Затухание одноэлектронных возбуждений в металлах» Письма в ЖЭТФ 30 514 (1979)
  114. А.Р. Dmitriev, V.Yu. Kachorovskii, I.V. Gornyi «Nonbackscattering contribution to weak localization» Phys. Rev. В 56, 9910 (1997)
  115. В. L. Altshuler, A. G. Aronov «Electron- electron interaction in disordered conductors» Modem problems in Condensed Matter Sciences, edited by A. L. EJros and M. Pollak Amstedam. (1985)
  116. А. А. «Основы теории металлов» M. Наука (1987)
  117. M.I. Dyakonov «Magnetoconductance due to weak localization beyond the diffusion approximation: the high-field limit» Solid State Commun. 92, 711 (1994)
  118. A. Cassam-Chenai, B. Shapiro «Two dimensional weak localization beyond the diffusion approximation» J. Phys. 1 4, 1527 (1994)
  119. E. Abrahams, P. W. Anderson, D. C. Liccardello, Т. V. Ramakrishnan «Scaling theory of localization: absence of quantum diffusion in two dimensions» Phys. Rev. Lett. 42, 673 (1979)
  120. N. F. Mott «Conduction in glasses containing transition metal ions» J. Non- Cryst. Solids 1,1 (1968)
  121. A. L. Efros, В. I. Shklovskii «Coulomb gap and low temperature conductivity of disordered systems» J. Phys. C: Solid State Phys. 8 letter to editor (1975)
  122. S.I. Khondaker, I.S. Shlimak, J.T. Nicholls, M. Pepper, D. A. Ritchie «Two-dimensional hopping conductivity in a 8-doped GaAs/AlxGaiAs heterostructure» Phys. Rev. В 59,4580 (1999)
  123. В.Д. Каган «Влияние кулоновской корреляции на прыжковую проводимость» ФТТ 42, 805 (2000)
  124. . И., Эфрос A. JI. «Электронные свойства легированных полупроводников» Монография М. Наука (1979)
  125. Б. И. Шкловский «Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в сильном магнитном поле» Письма в ЖЭТФ 36,43 (1982)
  126. В.Л., Спивак Б. З. Шкловский Б.И. «Осцилляции Ааронова Бома с нормальным и сверхпроводящим квантами потока в прыжковой проводимости» Письма в ЖЭТФ 41, 35 (1985)
  127. М. Е. Raikh «Incoherent mechanism of negative magnetoresistance in the variable-range- hopping regime» Solid State Commun. 75, 935 (1990)
  128. M.E. Raikh, J. Czingon, Qiu-Yi Ye, F. Koch, W. Schoepe, K. Ploog «Mechanisms of magnetoresistance in variable- range- hopping transport for two- dimensional electron systems» Phys. Rev. В 45, 6015 (1992)
  129. Hui Lin Zhao, Boris Z. Spivak, Martin P. Gelfand, Shechao Feng «Negative magnetoresistance in variable- range- hopping conduction» Phys. Rev. В 44,10 760 (1991)
  130. H. W. Jiang, С. E. Johnson, K. L. Wang «Giant negative magnetoresistance of a degenerate two- dimensional electron gas in variable- range- hopping regime» Phys. Rev. В 46,12830(1992)
  131. S. Kivelson, D.-H. Lee, S.-C. Zhang «Global phase diagram in the quantum Hall effect» Phys. Rev В 46, 2223 (1992)
  132. H.W. Jiang, C.E. Johnson, K.L. Wang, S.T. Hannahs «Observation of Magnetic-Field-Induced Derealization: Transition from Anderson Insulator to Quantum Hall Conductor» Phys. Rev. Lett. 71, 1439 (1993)
  133. T. Wang, K.P. Clark, G.F. Spencer, A.M. Mack, W.P. Kirk «Magnetic-Field-Induced Metal-Insulator Transition in Two Dimension» Phys. Rev. Lett. 72,709 (1994)
  134. D. Shahar, D.C. Tsui, J.E. Cunningham «Observation of n=l quantum Hall effect in a strongly localized two-dimensional system» Phys. Rev. В 52, R14372 (1995)
  135. S. Lan, K. Akahane, H.-Z. Song, Y. Okada, M. Kawabe «Capture, relaxation, and recombination in two-dimensional quantum-dot superlattices» Phys. Rev. В 16 847 (2000)
  136. S. Lan, K. Akahane, H.-Z. Song, Y. Okada, M. Kawabe, T. Nishimura, S. Nishikawa, O. Wada «Formation of extended states in disordered two-dimensional Ino.4Gao.6As/GaAs (311)B quantum dot superlattices» J. Appl. Phys. 88, 227 (2000)
  137. M.V. Artemyev, A.I. Bibik, L.I. Gurinovich, S.V. Gaponenko, U. Woggon «Evolution from individual to collective electron states in a dense quantum dot ensemble» Phys. Rev. В 60,1504(1999)
  138. I.E. Itskevich, T. Ihn, A. Thornton, M. Henini, T.J. Foster, P. Moriarty, A. Nogaret, P.H. Beton, L. Eaves, P.C. Main «Resonant magnetotunneling through individual self-assembled InAs quantum dots» Phys. Rev. В 54, 16 401 (1996)
  139. M. Narihiro G. Yusa, Y. Nakamura, T. Noda, H. Sakaki «Resonant tunneling of electrons via 20 nm scale InAs quantum dot and magnetotunneling spectroscopy of its electronic states» Appl. Phys. Lett. 70,105 (1997)
  140. P.C. Main, A.S.G. Thornton, RJ.A. Hill, S.T. Stoddart, T. Ihn, L. Eaves, K.A. Benedict, M. Henini «Landau-Level Spectroscopy of a Two-Dimensional Electron System by Tunneling through a Quantum Dot» Phys. Rev. Lett. 84, 729 (2000)
  141. O. Millo, D. Katz, Y.W. Cao, U. Banin «Scanning tunneling spectroscopy of InAs nanocrystal quantum dots» Phys. Rev. В 61, 16 773 (2000)
  142. S.K. Jung, S.W. Hwang, B.H. Choi, S.I. Kim, J.H. Park, Y. Kim, E.K. Kim, S.K. Min «Direct electronic transport through an ensemble of InAs self-assembled quantum dots» Appl. Phys. Lett. 74, 714 (1999)
  143. H. Sakaki, G. Yusa, T. Someya, Y. Ohno, T. Noda, H. Akiyama, Y. Kadoya, H. Noge «Transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs selectively doped heterojunctions with embedded InAs quantum dots» Appl. Phys. Lett. 67, 3444 (1995)
  144. J.D. Wasscher «Note on four- point resistivity measurement on anisotropic conductors» Philips Res. Repts. 16, 301 (1961)
  145. B.A. Кульбачинский, В. Г. Кытин, P.A. Лунин, A.B. Голиков, И. Г. Малкина, Б. Н. Звонков, Ю. Н. Сафьянов «Особенности фотолюминесценции и транспортных свойств многослойных InAs/GaAs структур с квантовыми точками» ФТП 33, 316 (1999)
  146. А. де Виссер, В. И. Кадушкин, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, А. П. Сеничкин, E.JI. Шангина «Квазиодномерные электронные каналы и двумерный электронный газ в структурах с дельта- легированием оловом вицинальных граней GaAs» Письма в ЖЭТФ 59, 339 (1994)
  147. В.А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, В. И. Кадушкин, А. П. Сеничкин «Анизотропия явлений переноса в структурах с б-Sn квантовыми ямами на вицинальных гранях GaAs» ФТТ 37,2693 (1995)
  148. V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, A.V. Demin «Transport properties of high electron density GaAs delta-doped by Sn structures» Тезисы докладов XII Уральской Международной зимней школы по физике полупроводников
  149. Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур», стр. 43. Екатеринбург, Россия (1997)
  150. V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, V.G. Mokerov, A.S. Bugaev, A.P. Senichkin, R.T.F. van Schaijk, A de Visser, P.M. Koenraad «Sn S-dopping in GaAs» Semicond. Sci. Technol. 14,1034 (1999)
  151. N.F. Mott, E.A. Davis «Electronic processes in non- crystalline materials» Oxford: Clarendon (1979)
  152. C.E. Johnson, H.W. Jiang «Observation of a nondivergent Hall coefficient for a localized two- dimensional electron gas» Phys. Rev. В 48, 2823 (1993)
  153. Н.Б. Брандт, C.M. Чудинов «Электроны и фононы в металлах» М. Изд-во МГУ 335с. (1990)
  154. К. von Klitzing, G. Dorda, M. Pepper «Realization of a resistance standard based on fundamental constants» Phys. Rev. Lett. 45, 494 (1980)
  155. В.А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, Р. А. Лунин, А. В. Голиков, А. В. Демин, А. С. Бугаев, А. П. Сеничкин, А. де Виссер, Р.Т.Ф. ван Шхайк «Отрицательная замороженная фотопроводимость в структурах GaAs (5-Sn)» ЖЭТФ 116,2130 (1999)
  156. В. Cleijaud, А.М. Hennel, G. Martinez «Cr2+(3/) absorption in GaAs» Solid State Commun. 33,983 (1980)
  157. B.B. Валяев, В. Л. Гуртовой, Д. Ю. Иванов, и др. «Проводимость и замороженная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs с одиночными и двойными дельта-слоями» ЖЭТФ 113, 693 (1998)
  158. H.J. Queisser, D.E. Theodorou «Decay kinetics of persistent photoconductivity in semiconductors» Phys. Rev. В 33,4027 (1986)
Заполнить форму текущей работой

На отлично!