Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологических решений

Диссертация: Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологических решений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Среди прогрессивных технологий в современной промышленности все шире используются плазмохимические (ПХ) процессы — «сухие» технологии. Это, с одной стороны, сокращает объем используемых в производстве химических реактивов, уменьшает степень загрязнения окружающей среды, улучшает санитарно-гигиенические условия труда, с другой — улучшает качество изделий, приводит к экономии энергоресурсов… Читать ещё >

Содержание

  • Раздел 1. Исследование проблем современного производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов (ЭЛ и ФП)
    • 1. 1. Исследование физико-технологических причин возникновения производственного дефекта электронно-оптического преобразователя (ЭОП) «увод изображения»
    • 1. 2. Анализ возможных причин возникновения производственного дефекта ЭОП «разрешающая способность меньше нормы»
    • 1. 3. Исследование основных факторов, приводящих к возникновению производственного дефекта «светлые мерцающие точки»
    • 1. 4. Основные факторы, влияющие на производственные дефекты люминесцентных экранов ЭОП
    • 1. 5. Исследование основных причин возникновения дефекта «чувствительность меньше нормы» в современном производстве
    • 1. 6. Общие физико-технологические причины большинства производственных дефектов ЭОП
    • 1. 7. Выводы по разделу
  • Раздел 2. Возможные усовершенствования традиционной технологии производства ЭЛ и ФП
    • 2. 1. Введение операции контроля качества внутренней поверхности колбы приборов с помощью проекционного аппарата
    • 2. 2. Модернизация процесса напыления первого слоя сурьмы при формировании мультищелочного фотокатода ЭОП
    • 2. 3. Оптимизация вязкости лака и режима формирования органической пленки на люминофорном покрытии экрана ЭОП
    • 2. 4. Оптимизация расположения подложки относительно плоскости испарителей при вакуумном напылении пленки
    • 2. 5. Разработка и внедрение в производство устройства для оперативного неразрушающего контроля толщин металлических покрытий
    • 2. 6. Выводы по разделу
  • Раздел 3. Оборудование и плазмохимические (ИХ) процессы, пригодные для использования в производстве ЭЛ и ФП. Влияние этих процессов на состояние обрабатываемых поверхностей
    • 3. 1. Факторы, ограничивающие использование плазмохимических процессов в производстве ЭЛ и ФП. Характеристика ПХ процессов, пригодных для производства ЭЛ и ФП
    • 3. 2. Оборудование для организации ПХ процессов в производстве ЭЛ и ФП
    • 3. 3. Параметры ПХ процессов, пригодных для производства ЭЛ и ФП
    • 3. 4. Физико-математическая модель ПХ процесса в ВЧЕ разряде, рекомендованного для использования в технологии производства ЭЛ и ФП
    • 3. 5. Исследование влияния ПХ процессов на состояние обрабатываемых поверхностей ЭЛ и ФП
      • 3. 5. 1. Исследование влияния низкотемпературной ВЧ плазмы на параметры стекла
      • 3. 5. 2. Влияние плазменной обработки на параметры цинк -кадмиевого люминофора
      • 3. 5. 3. Влияние плазмохимической обработки на состояние алюминиевого покрытия люминесцентных экранов ЭЛ и ФП
    • 3. 6. Выводы по разделу
  • Раздел 4. Плазмохимическая очистка деталей, узлов и колб ЭЛ и ФП
  • Финишная плазмохимическая обработка ЭЛ и ФП
    • 4. 1. Плазмохимическая очистка анодных узлов ЭОП
    • 4. 2. Плазмохимическая обработка внутренних поверхностей колб ЭЛ и ФП
    • 4. 3. Финишная плазмохимическая обработка ЭЛ и ФП
      • 4. 3. 1. Устройства для осуществления ФПХО крупногабаритных ЭЛ и ФП
      • 4. 3. 2. Выбор режима ФПХО кинескопов и ЭЛТ. Определение напряжения на ВЧ электродах
      • 4. 3. 3. Оценка рабочих параметров плазмы и потенциалов электродов при ФПХО
      • 4. 3. 4. Оценка времени откачки объема газа, выделенного в процессе ФПХО кинескопов
      • 4. 3. 5. Экспериментальное исследование процессов ФПХО на различных приборах
    • 4. 4. Выводы по разделу
  • Раздел 5. Специализированные плазмохимические процессы для производства ЭЛ и ФП
    • 5. 1. Плазмохимическая обработка алюминированных люминесцентных экранов ЭЛ и ФП
    • 5. 2. Метод высокочастотного нонно-термнческого нанесения металлических и окисных пленок
      • 5. 2. 1. Разработка и создание метода высокочастотного ионно-термического получения металлических пленок
    • 5.
  • Исследование возможности получения пленки окиси алюминия методом высокочастотного ионно — термического испарения (ВЧ
  • Удаление органической пленки, покрытой алюминием, в низкотемпературной кислородной плазме
    • 5. 3. 1. Расчет газовыноса с образца в процессе низкотемпературного плазменного выжигания оргпленки, покрытой алюминием
      • 5. 3. 2. Экспериментальное исследование процесса низкотемпературного плазменного выжигания оргпленки на экранах ЭОП
      • 5. 3. 3. Выжигание органической пленки с экранов крупногабаритных электронно-лучевых приборов
      • 5. 3. 4. Определение момента окончания процесса выжигания оргпленки
      • 5. 4. Выводы по разделу

Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологических решений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Развитие радиоэлектроники, автоматики, вычислительной техники, оптоэлектроники, астрономии, медицины, космонавтики, физических исследований и других областей науки и техники требует непрерывного совершенствования электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов (ЭЛ и ФП), а также увеличения объема их выпуска. В настоящее время число принципиально отличных классов ЭЛ и ФП достигает нескольких десятков, число разновидностей серийно выпускаемых приборов — несколько сотен [1]. Осциллографические электронно-лучевые трубки, приемные телевизионные приборы — кинескопы, проекционные кинескопы, передающие электроннолучевые приборы, индикаторные трубки, потенциалоскопы, электронные микроскопы, фотоэлектронные умножители, электронно-оптические преобразователиразновидности ЭЛ и ФП, над совершенствованием которых в настоящее время работают ученые и инженеры всего мира. Повышение чувствительности, разрешающей способности, надежности, уменьшение габаритов, веса и стоимости ЭЛ и ФП — важные научно-технические задачи.

Большое число научных работ, в том числе ранние работы автора [2 — 16] посвящены вопросам улучшения параметров электронно-лучевых приборов (ЭЛП) с помощью конструктивных решений: поиск конструкций электронных линз и оптимальной длины ЭЛП, обеспечивающих наименьшую сферическую аберрацию и минимальный размер кроссовераразработка подфокусирующих систем, обеспечивающих значительное увеличение токопрохождения при сохранении разрешающей способностисоздание ЭЛП с системами послеускоре-ния. Эти конструктивные разработки проводились на основе метода оптимизации электронно-оптической системы ЭЛП с целью повышения разрешающей способности, предложенного и описанного автором в научных работах [8, 9]. Большинство результатов этих работ были использованы при разработках ЭЛП в ОКБ завода «Экран» (г. Новосибирск), что обеспечило некоторое улучшение параметров, однако процент выхода годных приборов и их стоимость практически не изменились, т.к. последние определяются не только конструктивными особенностями, но и технологическим уровнем производства. Повышение технологического уровня производства требует не только пересмотра традиционных технологических процессов, но и поиска, и разработки новых, ранее не использованных в этом производстве. В связи с этим дальнейшее внимание автора было направлено на совершенствование технологии производства ЭЛ и ФП.

Высокая стоимость приборов в современном производстве ЭЛ и ФП обусловлена большим числом дефектов, возникающих при их изготовлении. Известно, что наиболее критичными узлами ЭЛ и ФП к технологическим воздействиям являются люминесцентный экран и фотокатод. Анализ результатов патентного поиска за 15 лет по 6 ведущим странам (Великобритания, СССР, США, Франция, ФРГ и Япония) и литературного обзора [17], проведенного под руководством автора по 238 литературным источникам, показал, что наибольшая часть усилий исследователей фотокатодов (ФК) направлена на улучшение их структуры, отыскание оптимального содержания щелочных металлов, усовершенствование технологии формирования катода, управление этим процессом, на отработку оптимальной технологии формирования структуры подложки, усовершенствование контроля технологического процесса, позволяющего следить за окончанием процесса нанесения фоточувствительных слоев. Работы по люминесцентным экранам направлены на конкретные способы осаждения люминофора на подложку, на способы очистки воды для суспензий, на оптимизацию структуры и толщины алюминиевой пленки, на способы контроля качества люминесцентных экранов. В большинстве работ особо обращено внимание на качество обработки и очистки не только самих подложек ФК и экранов, но и всех узлов и внутренних поверхностей колб приборов, оказывающих влияние на ФК и экраны в процессе производства ЭЛ и ФП. Часть результатов анализа использовано в производстве ЭЛ и ФП на заводе «Экран» (г. Новосибирск, прил. 1). Однако, проведенный анализ показал, что современные исследования по снижению отдельных видов производственных дефектов не позволяют в комплексе решить вопрос повышения технологического уровня современного производства ЭЛ и ФП. Технологические дефекты в современном производстве ЭЛ и ФП и по сей день остаются бичом производства. Устранение причин этих дефектов является серьезной научно-технической проблемой. Для решения этой проблемы необходимо провести глубокий анализ современного производства ЭЛ и ФП, исследовать связи между причинами дефектов, выявить их общие корни. На базе этого анализа необходимо найти пути воздействия на острые проблемы производства, попытаться выявить возможности корректировки традиционных процессов, исследовать возможность использования прогрессивных технологий, существующих в смежных областях промышленности, а при необходимости, разработать и внедрить новые.

Среди прогрессивных технологий в современной промышленности все шире используются плазмохимические (ПХ) процессы — «сухие» технологии [18 — 27]. Это, с одной стороны, сокращает объем используемых в производстве химических реактивов, уменьшает степень загрязнения окружающей среды, улучшает санитарно-гигиенические условия труда, с другой — улучшает качество изделий, приводит к экономии энергоресурсов. К преимуществам «сухих» технологий можно также отнести регулируемость и гибкость процесса, сравнительную простоту, универсальность и чистоту обработки. Анализ динамики изучения и использования в народном хозяйстве плазмохимических процессов, проведенный с участием автора по данным периодической печати, показал, что «сухие» технологии наиболее интенсивно начали внедряться в конце 60-х годов в металлообработку, в начале 70-х — в приборостроение, причем в основном — в микроэлектронику, и только в 80-х годах — в электровакуумное приборостроение [25]. Однако, в производстве ЭЛ и ФП «сухие» технологии до сих пор не получили должного распространения. Литературные источники по использованию плазменных процессов для повышения степени обработки внутренних поверхностей узлов, деталей, колб, а также для формирования качественных покрытий, выжигания резистивных слоев и т. д. (что уже имеет место в микроэлектронике) в технологии изготовления ЭЛ и ФП практически отсутствуют.

Таким образом, исследование основных проблем современного производства ЭЛ и ФП, модернизация традиционных технологических процессов в производстве ЭЛ и ФП и разработка новых плазменных процессов, пригодных для производства ЭЛ и ФП, обеспечивающих мягкое, регулируемое и избирательное воздействие на приповерхностные слои обрабатываемых узлов приборов с целью повышения технологического уровня производства — актуальная проблема, необходимость решения которой диктует современная промышленность.

Цель работы. Целью диссертационной работы является анализ технологических особенностей и проблем современного производства ЭЛ и ФП, выявление, анализ и систематизация основных причин возникновения производственных дефектов и их взаимосвязей, поиск научно обоснованных технологических решений (направленных на снижение этих дефектов), внедрение которых обеспечило бы повышение технологического уровня на базе усовершенствования традиционных технологических процессов и создания новых, ранее не использованных в производстве ЭЛ и ФП.

Для достижения указанной цели основное внимание в работе уделено решению следующих задач:

1. Исследование особенностей и проблем современного производства ЭЛ и ФП, выявление основных производственных дефектов, научное обоснование их сущности, анализ причин возникновения каждого из дефектов в отдельности. Проведение системного анализа и выявление общих причин дефектов. Установление взаимной связи дефектов и их зависимости от конструктивно-технологических особенностей приборов.

2. Поиск конкретных, научно обоснованных путей воздействия на процессы, приводящие к причинам возникновения дефектов, регулируемыми и контролируемыми технологическими операциями.

3. Выработка конкретных научно-технических решений по усовершенствованию традиционных технологических процессов с целью решения острых проблем в производстве ЭЛ и ФП.

4. Исследование возможности использования технологий, существующих в смежных областях промышленности, в частности, плазмохимических с целью повышения технологического уровня производства ЭЛ и ФП.

5. Поиск и разработка новых технологических процессов, существенно повышающих технологический уровень производства ЭЛ и ФП.

Методы исследования. Исследования выполнены с применением современных методов, использующих математический анализ, численный расчет и моделирование с помощью ЭВМ, электронную микроскопию, лазерный микроанализ, электронно-спектроскопический анализ химического состава поверхности, а также традиционные производственно-технологические методы анализа в заводских условиях.

Достоверность результатов подтверждается соответствием данных расчета, физического представления и моделирования данным экспериментарезультатами современных объективных методов анализа структуры и состава образцова также изменением уровня производственно-технологических дефектов приборов, изготовленных с использованием разработанных процессов и устройств, подтверждаемого статистическим анализом производства.

Научная новизна работы состоит в следующем.

1. Впервые установлено, что нестабильность положения изображения во времени на экране электронно-оптических преобразователей (ЭОП) определяется эффектом накопления заряда на локальных, изолированных друг от друга, участках на внутренней поверхности боковых стенок колбы, возникающих при определенных условиях. Предложена математическая модель, связывающая потенциал указанных участков («островков»), конструктивные параметры прибора и нестабильность положения изображения во времени. Наличие «островков» подтверждено не только с помощью предложенной математической модели, но и результатами экспериментальных исследований. Показано, что сформированный заряд на «островках» приводит также к снижению разрешающей способности ЭОП.

2. В результате уточнения представления о динамике фазовых изменений в системе пленка нитроцеллюлозного лака — водная подложка установлено, что получение практически бездефектных органических пленок на основе нитро-целлюлозных лаков методом флотации в технологии люминофорных экранов возможно при снижении времени формирования полимерной пленки на водной подложке до 1 секунды, что подтверждено результатами эксперимента.

3. Установлено, что эффект отслаивания частиц сурьмы в процессе формирования мультищелочного ФК приводит к образованию зародышей кристаллов на проводящем слое ФК и дефектов на люминесцентном экране и внутренней поверхности колбы, что существенно влияет на качество прибора. Предложены и научно обоснованы меры по устранению эффекта отслаивания.

4. Предложена концепция введения в технологию производства ЭЛ и ФП высокочастнотных плазмохимических процессов. Научно обоснованы необходимые значения параметров ПХ процессов, определяющихся специфическими конструктивно-технологическими особенностями ЭЛ и ФП. Показана возможность упрощения технологии производства, улучшения ее экологичности, а также снижения основных производственных дефектов приборов: «увод изображения», «разрешающая способность меньше нормы», «сцинтилляция», «серость экранов», «темные точки», «электропробой».

5. Установлено и научно обосновано, что применительно к ЭЛ и ФП в ряде случаев воздействие плазмы приводит к специфическим изменениям параметров обрабатываемых поверхностей конструктивных элементов ЭЛ и ФП: увеличению содержания натрия на поверхности стеклаобразованию прочной пленки окиси алюминия с переходом последней из аморфной фазы в у-фазу, п химически более стойкую и менее гигроскопичную, на алюминиевом покрытии люминесцентного экрананезначительной потери яркости люминесцентного экрана.

Практическая значимость и реализация результатов.

1. Впервые проведен комплексный анализ технологии производства ЭЛ и ФП с целью выявления наиболее критичных процессов, приводящих к основным технологическим дефектам, определены взаимосвязи дефектов и их общие корни. Вскрыты физико-технологические причины основных дефектов современного производства ЭЛ и ФП, дано научное обоснование их сущности, выявлены общие причины большинства дефектов, определены их взаимосвязи и зависимости от конструктивно — технологических особенностей прибора.

2. Найдены конкретные научно обоснованные пути воздействия на причины возникновения дефектов, выработаны конкретные научно-технические решения по усовершенствованию ряда традиционных технологических процессов производства ЭЛ и ФП. С целью снижения уровня производственных потерь, вызванных основными исследованными дефектами модернизированы операция контроля качества внутренней поверхности колбы и процесс формирования мультищелочного фотокатода. С целью снижения уровня дефектов люминесцентных экранов модернизированы процессы формирования органической пленки на люминофорном покрытии, формирования алюминиевого покрытия на люминесцентном экране и неразрушающего контроля толщин металлических покрытий.

3. Исследованы, разработаны, внедрены в производство ЭЛ и ФП (либо доведены до стадии производственного опробования) и защищены патентами РФ плазмохимические процессы, направленные на снижение уровня всех исследованных дефектов: обработка узлов и колб, финишная обработка ЭЛ и ФПа также ПХ процессы, направленные на снижение дефектов люминесцентных экранов: окисления алюминиевого покрытия люминесцентных экранов, высокочастотного ионно-термического формирования металлических пленок и процесс выжигания органической пленки, покрытой алюминием.

4. Разработаны, исследованы и внедрены (или доведены до производственного опробования) оригинальные, защищенные патентами РФ устройства, позволяющие реализовать усовершенствованные традиционные технологические процессы и разработанные плазмохимические: для измерения толщин металлических покрытий в диапазоне 0,01 — 1 мкмдля реализации процесса ПХ обработки крупногабаритных колб ЭЛ и ФПдля плазменного выжигания оргпленки с экранов крупногабаритных ЭЛ и ФПдля осуществления финишной ПХ обработки крупногабаритных ЭЛ и ФП. 5. Разработанные процессы и устройства внедрены на предприятиях г. Новосибирска: завод «Экран», п/я Р-6964, п/я Г-4294, Новосибирском электровакуумном заводе, опробованы на массовых партиях и переданы для внедрения на Московский электроламповый завод (МЭЛЗ), а также переданы для исследований в университет г. Ульсан (Ю. Корея). Внедрение разработанных процессов и устройств позволило значительно увеличить выход годных приборов в современном производстве ЭЛ и ФП (на 2 — 10%). Экономический эффект от внедрения разработанных процессов и устройств, подтвержденный актами о внедрении, составил 1 300 ООО руб. в год по состоянию рубля на 1988 — 1991 гг.

Личный вклад автора выразился в постановке задач, теоретической трактовке результатов исследований и анализа, обобщении полученных результатовнаучном руководстве работами, проводимыми в рамках хоздоговорных работ (Новосибирск, Москва), проектов по Государственным программам «Технологии, машины и производства будущего», и «Трансферные технологии, комплексы и оборудование в машиностроении. Мелкосерийная и малотоннажная наукоемкая продукция», гранта «Фундаментальные исследования в области металлургии" — договора о сотрудничестве с университетом г. Ульсан (Ю. Корея) — разработке методик проведения исследований, вариантов конструкций предложенных устройств и эффективных технологических процессов;

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 11 Международных научно-технических конференциях и симпозиумах, 8 — Всесоюзных, 10 — Российских: на Международных симпозиумах «Наука и технологии», КОРУС (1997, Ульсан, Ю. Корея- 1998, Томск) — на Международных НТК «Информатика и проблемы телекоммуникаций» (Новосибирск, 1995, 1996, 1997, 1998 гг.) — на Международных НТК «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Новосибирск, 1992, 1994, 1996, 1998, 2000 гг.) — на Всесоюзной НТК «Методы и средства измерений электромагнитных характеристик материалов на ВЧ и СВЧ» (Новосибирск, 1987 г.) — на I Всесоюзной НТК «Методы диагностики двухфазных и реагирующих потоков» (Харьков — Алушта, 1988 г.) — на Всесоюзном совещании «Физика, химия и технология люминофоров» (Ставрополь, 1989 г.) — на Всесоюзной НТК «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Новосибирск, 1990 г.) — на Республиканском семинаре «Проблемы повышения эффективности и качества электронных приборов» (Киев, 1981 г.) — на Региональной НТК «Электронное приборостроение» (Новосибирск, 1986 г.) — на Республиканском семинаре «Повышение эффективности производства путем применения электронно-ионной обработки материалов» (Ленинград, 1987 г.) — на III Республиканской НТК «Плазменная техника, технология и их применение на предприятиях республики» (Казань, 1988 г.) — на Республиканском НТ совещании «Состояние и перспективы дальнейшего развития плазменных процессов» (Москва, 1992 г.) — на Российских НТК, посвященных дню радио. (Новосибирск, 1993, 1994 гг.) — на Российском семинаре по государственной НТ программе «Технологии, машины и производства будущего» (Саратов, 1993 г.) — на Российском семинаре по государственной программе «Трансферные технологии, комплексы и оборудование в машиностроении» (Саратов, 1994 г.) — на Российской межвузовской НТК «Фундаментальные проблемы металлургии» (Екатеринбург, 1995 г.);

Публикации по теме диссертации. Предложенные теоретические и технические решения подробно описаны и представлены автором индивидуально или в соавторстве в 122 работах:

26 научно-технических отчетах по НИОКР- 10 информационных листках ЦНТИ- 7 статьях в сборниках научных трудов НЭТИ;

24 статьях и 19 тезисах в материалах Международных, Всесоюзных и Российских конференций, симпозиумов и семинаров;

1 обзоре по электронной технике;

21 публикации в центральных журналах;

2 авторских свидетельствах;

12 патентах Российской Федерации.

Связь работы с научными программами, планами, темами. Диссертация является результатом выполнения.

— научно-исследовательских хоздоговорных работ с крупнейшими предприятиями России:

— Новосибирским заводом «Экран»,.

— Новосибирским электровакуумным заводом,.

— п/я Г-4294, п/я Р-6964,.

— Московским заводом электровакуумных приборов;

— договоров о научно-техническом сотрудничестве:

— с университетом г. Ульсан (Ю. Корея),.

— с Сибирским государственным научно-исследовательским институтом метрологии.

Работа проводилась при поддержке.

— Гранта «Фундаментальные исследования в области металлургии» (1994 -1995 гг.),.

— Государственных научно-технических и Межвузовских инновационных программ:

— «Технологии, машины и производства будущего», раздел «Мелкосерийная и малотоннажная наукоемкая продукция» (1991 — 1995 гг.),.

— «Интеллектуальная собственность Высшей школы Российской Федерации» (1994 г.),.

— «Неразрушающий контроль и диагностика» (1994 — 1997 гг.),.

— «Трансферные технологии, комплексы и оборудование» (1996 — 1999 гг.).

Научные положения и технические решения, выносимые на защиту.

1. Повышение качества ЭЛ и ФП может быть реализовано на основе физико-технологических процессов, устраняющих причины появления нерегулярно-стей и посторонних включений на поверхности фотокатода.

2. Нестабильность положения изображения во времени на экране ЭОП определяется эффектом накопления заряда на локальных, изолированных друг от друга, участках («островках») на внутренней поверхности боковых стенок колбы со стороны фотокатода, что подтверждено предложенной математической моделью, связывающей потенциал указанных «островков», конструктивные параметры прибора и нестабильность положения изображения во времени, а также результатами экспериментальных исследований.

3. Получение практически бездефектных органических пленок на основе нитроцеллюлозных лаков методом флотации в технологии люминофорных экранов возможно при снижении времени формирования полимерной пленки на водной подложке до 1 секунды, что подтверждено результатами эксперимента.

4. Отслаивание частиц сурьмы в процессе формирования мультищелочного фотокатода приводит к образованию зародышей кристаллов на проводящем слое ФК, дефектов на люминесцентном экране и внутренней поверхности колбы, что существенно влияет на качество прибора. Предварительное оплавление сурьмы и уменьшение скорости ее распыления снижает уровень дефектов прибора.

5. Конкретные научно-технические решения по модернизации процессов оперативного контроля качества внутренней поверхности колбы прибора, вязкости лака, используемого для формирования органической пленки, и толщины алюминиевого покрытия на люминесцентном экране, а также режимов традиционных процессов формирования мультищелочного фотокатода, органической пленки и алюминиевого покрытия на люминесцентном экране, позволяют снизить уровень основных производственных дефектов, что подтверждено результатами микроскопического и спектрометрического анализов и экспериментальных исследований.

6.

Введение

в технологию производства ЭЛ и ФП комплекса высокочастотных ПХ процессов приводит не только к упрощению технологии, повышению ее экологичности, но и к существенному снижению уровня технологических дефектов. В ряде случаев плазменное воздействие приводит к специфическим изменениям параметров обрабатываемых поверхностей конструктивных элементов ЭЛ и ФП: увеличению содержания натрия на поверхности стеклаобразованию прочной пленки окиси алюминия с переходом последней из аморфной фазы в у-фазу, химически более стойкую и менее гигроскопичную, на алюми6 ниевом покрытии люминесцентного экрананезначительной потери яркости люминесцентного экрана, что подтверждено результатами микроскопического и спектрометрического анализов и экспериментальных исследований.

7. Конкретные научно-технические решения по модернизации существующих плазмохимических (ПХ) процессов для обработки узлов и колб ЭЛ и ФП, предложенный процесс финишной плазмохимической обработки приборов способствуют снижению уровня основных производственных дефектов.

Предложенные специализированные ПХ процессы: окисление алюминиевого покрытия люминесцентных экрановвысокочастотное ионно-термическое формирование металлических пленок и процесс выжигания органической пленки, покрытой алюминием, способствуют снижению уровня дефектов люминесцентных экранов, что подтверждено результатами экспериментальных исследований и производственной статистики.

8. Оригинальные технические решения по созданию устройств для реализации модернизированных и предложенных процессов: для измерения толщин металлических покрытий в диапазоне 0,01 — 1 мкмдля реализации процесса ПХ обработки крупногабаритных колб ЭЛ и ФПдля плазменного выжигания оргпленки с экранов крупногабаритных ЭЛ и ФПдля осуществления финишной ПХ обработки крупногабаритных ЭЛ и ФП, способствуют повышению технологического уровня производства ЭЛ и ФП.

1. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОБЛЕМ СОВРЕМЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫХ И ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ (ЭЛ И ФП).

Современная технология производства электровакуумных приборов базируется на основополагающих работах Векшинского С. А., Черепнина Н. В., Розанова Л. Н. (по вопросам очистки, обезгаживания и откачки, сорбционных явлений, по вопросам физико-химических процессов в вакууме и на поверхности твердого тела, по основам конструирования вакуумных систем), Хруничева A.A., Евстигнеева С. И. и Ткаченко A.A. (по вопросам создания термокатодов), Барановского В. И. (по особенностям технологии производства электроннолучевых приборов), Гугеля Б. М. и Нелендра P.A. (по технологии создания люминесцентных экранов), Соммера А. (по фотоэмиссионным материалам), Слуцкой В. В. (по технологии тонких пленок). Эти работы позволили предприятиям электровакуумной промышленности вывести на определенный технологический уровень производство ЭЛ и ФП, который постоянно совершенствуется благодаря работам современных ученых и исследователей.

Основной проблемой современного производства ЭЛ и ФП является недостаточно высокий выход годных приборов ввиду большого числа производственных технологических дефектов. Снижение уровня этих дефектов — серьезная проблема современного производства. Для отыскания путей решения этой проблемы необходимо провести исследования причин возникновения основных дефектов в современном производстве и выявить превалирующие, которые влекут за собой возникновение нескольких видов производственных дефектов. Исследование основных проблем современного производства ЭЛ и ФП проведено на примере электронно-оптических преобразователей (ЭОП), содержащих оба наиболее критичных к конструктивно-технологическим факторам узла: фотокатод и люминесцентный экран. Исследованию подвергнуты технологические процессы, приводящие к наиболее характерным для ЭОП производственным дефектам: «увод изображения», «разрешающая способность меньше нормы», «светлые мерцающие точки», «серость экранов», «темные точки на экране», «чувствительность меньше нормы».

5.4 Выводы по разделу 5.

1. Показано, что использование двухслойного алюминиевого покрытия по патенту США (плотный слой алюминия покрытый пористым) нецелесообразно в существующем в России производстве ЭЛ и ФП, ввиду резкого (в 1,5 — 2 раза) снижения светоотдачи экранов. Использование двухслойного алюминиевого покрытия по авторскому свидетельству СССР (пористый слой алюминия покрыт плотным) нецелесообразно в существующем производстве ЭЛ и ФП, ввиду того, что пористый слой алюминия, обращенный к вакуумному объему прибора, является источником посторонних частиц.

2. Предложен новый метод окисления алюминиевого покрытия на люминесцентном экране ЭЛ и ФП в низкотемпературной кислородной плазме. Разработан режим ПХО алюминированных люминесцентных экранов. Показано, что под действием ПХО происходит структурное упорядочение окисной пленки и переход ее состояния из аморфной фазы в-фазу с большей химической стойкостью и меньшей гигроскопичностью. Разработанный процесс внедрен в производство.

3. Разработан метод высокочастотного ионно-термического получения металлических пленок. Получена математическая модель распределения толщины покрытия по поверхности подложки при напылении пленки методом ВЧ ИТИ. Реализован метод ВЧ ИТИ. Показано, что пленки, полученные этим методом, в сравнении с пленками, полученными методом вакуумного термического испарения имеют:

— повышенную равномерность по толщине (более, чем на порядок);

— увеличенную адгезию (примерно на порядок);

— уменьшенное число просветов (более, чем на порядок);

— уменьшенное электрическое сопротивление в 2 раза);

— уменьшенное содержание инородных включений (например, углерода ~ в 2 раза).

Химическое состояние поверхностей пленок, полученных обоими методами, идентичны, за исключением процентного содержания углерода.

Метод ВЧ ИТИ опробован на процессе формирования алюминиевой пленки на люминесцентных экранах ЭОП с большим преимуществом по проценту выхода годных приборов, а так же на процессе формирования метки на ЭОП с большим преимуществом по адгезии пленки по сравнению с существующими на производстве процессами и рекомендован в производство.

4. Исследована возможность получения пленки окиси алюминия методом высокочастотного ионно-термического испарения. Этим методом получены пленки А1203 толщиной ~ 0,2 мкм с процентным содержанием окиси алюминия у поверхности не ниже 60, имеющие по сравнению с пленками, полученными термическим испарением, более высокую адгезию (более, чем в 2 раза), меньшее число просветов (~ в 40 раз), большую равномерность по толщине.

Исследована возможность увеличения процентного содержания окиси алюминия в пленке, полученной методом ВЧ ИТИ. Достигнуто содержание А1203 на поверхности пленок толщиной 0,1−0,2 мкм — 90%, толщиной 1 мкм -60%.

5. Проведены теоретические исследования и показана возможность выжигания органической пленки, покрытой алюминием, в кислородной плазме.

Предложена методика расчета необходимой скорости откачки объема с целью осуществления плазменного выжигания органической пленки с сохранением целостности алюминиевой пленки.

Проведено экспериментальное исследование и выбран режим низкотемпературного плазменного выжигания оргпленки на экранах ЭОП.

Разработано устройство и режим для плазменного выжигания оргпленки с крупногабаритных экранов ЭЛ и ФП, позволяющий провести полное выжигание оргпленки за 12 минут.

Намечено дальнейшее направление работ по снижению времени выжигания оргпленки с экранов крупногабаритных ЭЛ и ФП — оптимизация процентного содержания инертного газа в рабочем объеме.

Предложено с целью определения момента окончания процесса выжигания оргпленки контролировать изменение давления в откачиваемом объеме в процессе выжигания и сравнивать его со скоростью изменения давления на зи контрольном графике, полученном заранее на очищенном образце. Рассмотрена возможность контроля проводимости плазмы с помощью вихретокового преобразователя.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе изложены, теоретически обоснованы, проанализированы и обобщены полученные и опубликованные результаты научных исследований автора, предложенных и реализованных технических и технологических решений, направленных на снижение выявленных производственных дефектов, внедрение которых внесло значительный вклад в ускорение научно-технического прогресса в области производства электроннолучевых и фотоэлектронных приборов и обеспечило повышение технологического уровня на базе усовершенствования традиционных технологических процессов и создания новых, ранее не использованных в производстве ЭЛ и ФП.

Основные научные и практические результаты работы заключаются в следующем.

1. Впервые проведен комплексный анализ технологии производства ЭЛ и ФП с целью выявления наиболее критичных процессов, приводящих к основным технологическим дефектам, определены взаимосвязи дефектов и их общие корни. Вскрыты физико-технологические причины основных дефектов современного производства ЭЛ и ФП, дано научное обоснование их сущности, выявлены общие причины большинства дефектов, определены их взаимосвязи и зависимости от конструктивно — технологических особенностей прибора.

На основе систематических и теоретических исследований установлено, что основными физико-технологическими факторами, приводящие к большинству дефектов в современном производстве ЭЛ и ФП являются:

— отслаивание частиц сурьмы в процессе формирования мультищелочного фотокатода ЭОП и оседание их на все узлы прибора;

— наличие различных нерегулярностей и посторонних включений на внутренней поверхности узлов и деталей прибораосновными факторами, приводящими к дефектам экранов, являются:

— наличие отверстий в органической пленке более 10 мкм;

— нарушение целостности алюминиевого покрытия в процессе выжигания оргпленки;

— недопустимый разброс толщин и химическая нестойкость алюминиевого покрытия.

Впервые установлено, что нестабильность положения изображения во времени на экране электронно-оптических преобразователей (ЭОП) определяется эффектом накопления заряда на локальных изолированных друг от друга участках на внутренней поверхности боковых стенок колбы, возникающих при определенных условиях. Предложена математическая модель, связывающая потенциал указанных участков («островков»), конструктивные параметры прибора и нестабильность положения изображения во времени. Наличие «островков» подтверждено не только с помощью предложенной математической модели, но и результатами экспериментальных исследований. Показано, что сформированный заряд на «островках» приводит также к снижению разрешающей способности ЭОП.

В результате уточнения представления о динамике фазовых изменений в системе пленка нитроцеллюлозного лака — водная подложка установлено, что получение практически бездефектных органических пленок на основе нитро-целлюлозных лаков методом флотации в технологии люминофорных экранов возможно при снижении времени формирования полимерной пленки на водной подложке до 1 сек, что подтверждено результатами эксперимента.

Установлено, что эффект отслаивания частиц сурьмы в процессе формирования мультищелочного ФК приводит к образованию зародышей кристаллов на проводящем слое ФК и дефектов на люминесцентном экране и внутренней поверхности колбы, что существенно влияет на качество прибора. Предложены и научно обоснованы меры по устранению эффекта отслаивания.

На основе систематических и теоретических исследований установлено, что основными физико-технологическими причинами появления всех исследуемых дефектов современного производства ЭОП («увод изображения», «разрешающая способность меньше нормы», «сцинтилляция», дефекты экранов — «серость» и «темные точки») являются недостаточное качество и степень очистки внутренних поверхностей узлов и деталей приборов, недостаточная их контролируемость, а также неудовлетворительный режим формирования фотокатода.

Установлено что существуют факторы, приводящие только к дефектам люминесцентных экранов ЭОП: невысокое качество алюминиевого покрытия и неконтролируемость его толщинынеконтролируемость вязкости лака, используемого для формирования промежуточной пленки и необоснованно длительное время формирования последнейнеудовлетворительное качество традиционного процесса выжигания оргпленки.

2. Найдены конкретные научно обоснованные пути воздействия на причины возникновения дефектов, выработаны конкретные научно-технические решения по усовершенствованию некоторых традиционных технологических процессов производства ЭЛ и ФП. С целью снижения основных исследованных производственных дефектов модернизированы операция контроля качества внутренней поверхности колбы и процесс формирования мультищелочного фотокатода. С целью снижения дефектов люминесцентных экранов модернизированы процессы формирования органической пленки на люминофорном покрытии, формирования алюминиевого покрытия на люминесцентном экране и неразрушающе-го контроля толщин металлических покрытий.

3. Предложена концепция введения в технологию производства ЭЛ и ФП высокочастотных плазмохимических процессов. Научно обоснованы необходимые значения параметров ПХ процессов, определяющихся специфическими конструктивно-технологическими особенностями ЭЛ и ФП. Показана возможность упрощения технологии производства, повышение ее экологичности, а также снижения основных производственных дефектов приборов: «увод изображения», «разрешающая способность меньше нормы», «сцинтилляция», «серость экранов», «темные точки», «электропробой».

4. Установлено и научно обосновано, что применительно к ЭЛ и ФП в ряде случаев плазменное воздействие приводит к специфическим изменениям параметров обрабатываемых поверхностей конструктивных элементов ЭЛ и ФП: увеличению содержания натрия на поверхности стеклаобразованию прочной пленки окиси алюминия с переходом последней из аморфной фазы в у-фазу, химически более стойкую и менее гигроскопичную, на алюминиевом покрытии.

— люминесцентного экрананезначительной потери яркости люминесцентного экрана".

5. Исследованы, разработаны и внедрены в производство ЭЛ и ФП (либо доведены до стадии производственного опробования) плазмохимические процессы, направленные на снижение всех исследуемых дефектов: обработки узлов и колб, финишной обработки крупногабаритных ЭЛ и ФПа также ПХ процессы, направленные на снижение дефектов люминесцентных экранов: окисления алюминиевого покрытия люминесцентных экранов, высокочастотного ионно-термического формирования металлических пленок и процесс выжигания органической пленки, покрытой алюминием (рис. <Ь0).

6. Разработаны, исследованы и внедрены (или доведены до производственного опробования) конкретные устройства, позволяющие реализовать усовершенствованные традиционные технологические процессы и разработанные плазмохимические: для оперативного определения вязкости лакадля измерения толщин металлических покрытий в диапазоне 0,01 — 1 мкмдля реализации процесса ПХ обработки крупногабаритных колб ЭЛ и ФП;

Предложенные ПХ процессы для производства ЭЛ и ФП с целью влияния на технологические причины возникновения Дефектов (пути повышения уровня производства ЭЛ и ФП).

Рис.

160. для плазменного выжигания оргпленки с экранов крупногабаритных ЭЛ и ФПдля осуществления финишной ПХ обработки крупногабаритных ЭЛ и ФП. 7. Разработанные процессы и устройства внедрены на предприятиях г. Новосибирска: завод «Экран», п/я Р-6964, п/я Г-4294, Новосибирском электровакуумном заводе, опробованы на массовых партиях и переданы для внедрения на Московский электроламповый завод (МЭЛЗ), а также переданы для исследований в университет г. Ульсан (Ю. Корея). Внедрение разработанных процессов и устройств позволило значительно снизить процент производственных дефектов, увеличить выход годных приборов в современном производстве ЭЛ и ФП на 2 — 10%. Комплекс проведенных работ позволил найти научно обоснованные технические решения, внедрение которых внесло значительный вклад в ускорение научно-технического процесса в области производства ЭЛ и ФП и в повышение технологического уровня современного производства ЭЛ и ФП. Экономический эффект от внедрения разработанных процессов и устройств, подтвержденный актами о внедрении, составил 1 300 ООО руб. в год по состоянию рубля на 1988 — 1991 гг. Новизна разработок подтверждена 12 патентами РФ и 2 авторскими свидетельствами. По теме диссертации опубликовано более 100 работ.

Разработанные процессы и устройства неоднократно получали призовые места на различных конкурсах:

Доклады, посвященные выявлению причин дефектов люминесцентных экранов, на Международной конференции АПЭП-96 отмечены дипломом I степени филиала Американского института «Electrical and Electronics Engineers» IEEE (приложение 51).

Процесс ВЧ ионно-термического получения металлических пленок отмечен грантом по результатам конкурсного отбора по фундаментальным исследованиям в области металлургии (1994 — 1995 гг.), включен в Каталог научно-технических достижений Высшей школы России, вып.1. М, 1994 г., включен в Каталог «Transfer Technologies, Complex Sets Ad «Equipment». Issue I., ISC «Transfer», 1995.

Процесс ФПХО кинескопов на конкурсных началах включен в программу «Интеллектуальная собственность ВШ РФ» (1994 г.), в программу «Мелкосерийная и малотоннажная наукоемкая продукция» (1992 — 1994) и Каталог «Научно-техническая продукция» по этой программе (1993 г.), в каталог научно-технических достижений Высшей школы России, вып.2, М. 1997 г. Устройство для измерения толщины проводящих покрытий включено в.

5 С7 первый выпуск каталога «Научные достижения организаций Высшей школы России» (1995 г.) и отмечено Дипломом на Международной выставкеярмарке «Сибполитех-98».

Разработка технологических плазменных процессов и устройств для их реализации и контроля на конкурсной основе включены в Государственную программу «Технологии, машины и производства будущего» (1991;1995 гг.).

Результаты диссертации рекомендуется использовать не только на предприятиях электронной промышленности, но и в машиностроении, и в металлур гии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.А., Шамаева Г. Г. Электронно-лучевые и фотоэлектронные приборы. — М. «Высшая школа», 1982.
  2. В.Г., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР. № гос.рег.71 034 968, инв. № Б 224 536, Новосибирск, 1972, 98 с.
  3. В.Г., Лисицына Л. И. О разрешающей способности ЭЛТ с поел еускорением. «Электронная техника», с. 4, Вып.6, 1972, с.122−125.
  4. В.Г., Лисицына Л. И. О разрешающей способности ЭЛТ с рассеивающими линзами. Исследования в области физической и технической электроники. Сборник научных трудов. Новосибирск, 1972, с.71−80.
  5. В.Г., Лисицына Л. И. Коэффициент поперечного увеличения электронно-оптических систем. Исследования в области физической и технической электроники. Сборник научных трудов. Новосибирск, 1972, с.81−86.
  6. В.Г., Лисицына Л. И. Улучшение токопрохождения в пушках ЭЛТ. Исследования в области физической и технической электроники. Сборник научных трудов. Новосибирск, 1972, с.87−95.
  7. В.Г., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.72 059 224, инв. № Б 334 336, Новосибирск, 1973, 82 с.
  8. Л.И. Повышение разрешающей способности осциллографи-ческих электронно-лучевых трубок. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Новосибирск, 1974, 16.с.
  9. Л.И. Повышение разрешающей способности осциллографи-ческих электронно-лучевых трубок. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Новосибирск, 1974, 146 с.
  10. В.Г., Лисицына Л. И. Оптимизация электронно-оптических систем осциллографических ЭЛТ. XVI1 Н.Т. конференция ко дню Радио и связиста. Новосибирск, 1974, с.38−40.
  11. В.Г., Лисицына Л. И. Отчет по НИР, № гос.рег.75 013 624, инв. № Б 416 081, Новосибирск, 1975, 81 с.
  12. В.Г., Лисицына Л. И. Отчет по НИР, № гос.рег.74 018 220, инв. № Б 397 360, Новосибирск, 1975, 122 с.
  13. Л.И. Сферическая аберрация электростатических линз. Исследования в области физической и технической электроники. Сборник научных трудов. Вып.2, НЭТИ, Новосибирск, 1975, с. 140−150.
  14. Л.И. Оптимизация конструкций электронно-оптических систем ЭЛТ типов 6Л02А, 13ЛОЭ7И, ЛО-247. Сборник научных трудов. Вып.2, НЭТИ, Новосибирск, 1975, с. 151−162.
  15. Л.И. К расчету электронно-оптических систем ЭЛТ с заданными длинами пушки и трубок. Сборник научных трудов. Вып.2, НЭТИ, Новосибирск, 1975, с. 163−171.
  16. Л.И., Кузина A.A., Вычегжанин С. П. Электронно-оптические параметры некоторых электростатических линз. Сборник научных трудов. Вып.2, НЭТИ, Новосибирск, 1975, с.172−183.
  17. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.81 050 235, инв.№ 2 816 012 574, 1981, Новосибирск, 363 с.
  18. Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов. М., «Радио и связь», 1986, 231 с.
  19. .С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М., «Энергоатомиздат», 1989, 327 с.
  20. .С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М., «Энергоатомиздат», 1987, 263 с.
  21. Ю.Н. Низкотемпературная плазма и высокочастотные электромагнитные поля в процессах получения материалов для ядерной энергетики. М., «Энергоиздат», 1989.
  22. Плазменно-дуговая технология в промышленном производстве (обзор по зарубежной информации. Раздел 5.6 Плазменное травление. М. «АО Стан-дартэлектро», 1993.
  23. Mechael Т. Mocella. The Fine-Tuning of Plasma Desmearing. «Electronic Packarding and Producting», 1986. V.26, N8, p.55−56.
  24. В.М., Клевцов В. А., Лисицына Л. И. и др. Развитие генераторных ламп для технологических установок. Обзоры по электронной технике. С. 4. Электровакуумные и газоразрядные приборы. Вып.5(1492).М., ЦНИИ «Электроника», 1989, 33 с.
  25. А.П., Журавлев Г. И. О применении низкотемпературной плазмы в технологии производства защитных полимерных масок // Тезисы докладов (т.2) 6-й Всесоюзной конференции по физике низкотемпературной плазмы.- Л., 1983, с.408−410.
  26. И.П., Морозов Г. В. Технология гибридных интегральных схем. М., «Высшая школа», 1980, с.86−89.
  27. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.81 050 235, инв. № 2 826 028 008, Новосибирск, 1981, 116 с.
  28. Р.И., Лисицына Л. И., Трайнин Л .Я. и др. Анализ причин брака «увод изображения» в электронно-оптических преобразователях. «Электронная техника», с. 4, Вып.6(111), 1985, с.51−53.
  29. М.М., Степанов Б. М., Фанченко С. Д. Электронно-оптические преобразователи и их применение в научных исследованиях. М., Наука, 1978, 432 с.
  30. Л.И., Городнова И. И., Подъякова H.A. и др. Падение напряжения на покрытии фотокатода в электроннооптическом преобразователе. Тезисы докладов XXV Н.Т. конференции, посвященной дню Радио, Ш, Новосибирск, 1982, с.80−81.
  31. Сборник задач по математике для втузов. Специальные курсы. Под ред. А. Ф. Ефимова. М. «Наука». 1984, с. 518.
  32. Математическая энциклопедия, т.1, М., «Советская энциклопедия», 1977, с. 459.
  33. И.Н., Семендяев К. А. Справочник по математике. М.: Наука, 1980.
  34. И.А., Селицкая С. А., Заводова Г. П. О зависимости разрешающей способности и светоотдачи экранов от удельной навески и дисперсности люминофоров. «Электронная техника», с. 4, вып. З, 1968, с.227−235.
  35. А.Г., Гаванин В. А., Зайдель И. Н. Вакуумные фотоэлектронные приборы. М., «Радио и связь», 1988, 272 с.
  36. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.81 050 235, инв. № 2 830 023 859, Новосибирск, 1982, 173 с.
  37. Л.И. Одна из возможных причин брака «разрешающая способность меньше нормы» электронно-оптических преобразователей. Тезисы докладов XVIII Н.Т. конференции, посвященной 40-летию Победы и дню Радио, Новосибирск, 1985, с. 77.
  38. М.М., Карапетян Б. О., Липатов C.B. Шумы электронно-оптических усилителей яркости изображения и методы их устранения. «Физическая электроника» (сборник статей), М., 1976.
  39. M.M. Шумы в электронно-оптических преобразователях. «Труды ВНИИ оптико-физических измерений», сер. В, вып.1, 1972.
  40. Мах Р.Н. и др. Связь многоэлектронных шумов в вакуумных высоковольтных приборах с давлением и составом остаточных газов. «ПТЭ», № 5, 1971.
  41. В.М., Лисицына Л. И. Отчет по НИР, № гос.рег.81 050 235, инв. № 0283.004.5647, Новосибирск, 1982, 83 с.
  42. Irothe Н, Schimmel I., Dekoration Von Hunststoffoberflachen, 1968. Fourth Evropean Regional Conference, Rome, 1968, Vol.1.
  43. Краткая химическая энциклопедия, «Советская энциклопедия», М., 1963.
  44. Л.И., Городнова И. И., Коломийчук Н. Н. и др. К анализу причин возникновения нестабильности ФЭП. Тезисы докладов XXVn Н.Т. конференции, посвященной дню Радио, Новосибирск, 1984, с. 92.
  45. А.А., Лисицына Л. И. Основные факторы, влияющие на брак люминесцентных экранов. «Электронная промышленность», № 2, 1989, с. 32.
  46. Йенское обозрение. Вып. 3,4,5, 1962.
  47. П. Электронная оптика и электронная микроскопия. М., «Мир», 1974.
  48. Новое в исследовании поверхности твердого тела. Вып.2, Перевод с англ. Под ред. В. Б. Сандомирского и А. Г. Ждана. М., «Мир», 1977.
  49. К., Нордлинг К. и др. Электронная спектроскопия. Пер. с англ. Под ред. И. Б. Боровского, М., «Мир», 1971.
  50. .М. Люминофоры для электровакуумной промышленности, М., «Энергия», 1967.
  51. И.А., Семицкая С. А., Заводова Г. П. О зависимости разрешащей способности и светоотдачи экранов от удельной навески и дисперсии люминофоров. «Электронная техника», Сер.4, вып. З, 1968, с.227−235.
  52. В.И., Рыжков Б. Д. Изв. АН СССР, сер. физики, 1961, т.25, № 3.
  53. Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л. Майссела, Р. Гленга, М., «Сов.радио», 1977, т.1, с. 523.
  54. Leiwis Keith L., Arthur Cordon S., Banyard A. Hydrogen-related defects in vapour-deposited zinc sulphide. «I.Gryst Growth», 1984, 66, № 1, p.125−136.
  55. .М. Исследования по химии неорганических люминофоров и люминесцентных покрытий. Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. Томск, 1976.
  56. А.В. Катодлюминесценция. М.-Л., Госкомиздат, 1949, ч.2.
  57. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.81 050 235, инв. № 2 840 033 322, Новосибирск, 1983, 124 с.
  58. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.81 050 235, инв. № 0285.67 544, Новосибирск, 1985, 76 с.
  59. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.1 860 054 421, инв. № 0288.0.62 952, Новосибирск, 1988, 26 с.
  60. А. Фотоэмиссионные материалы, М., «Энергия», 1973.
  61. H.A., Меламид А. Е. Фотоэлектронные приборы. М., «Высшая школа», 1974.
  62. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.81 050 235, инв. № 0283.0.83 832, Новосибирск, 1983, 139 с.
  63. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.81 050 235, инв. № 0284.0.3 322, Новосибирск, 1983, 124 с.
  64. К.И., Рябинина Л. В. и др. Технический анализ. М. «Высшая школа», 1972.
  65. Ф. Электронно-оптические преобразователи изображений и усилители ренгеновского изображения. М-Л. 1961.
  66. Измерения в промышленности. Пер. с нем. М. 1980.
  67. Л.И., Лапкина C.B. и др. Устройство для оценки условной вязкости органических лаков. ИЛ№ 560−88, ЦНТИ, Новосибирск, 1988.
  68. Л. И. Коломийчук H.H., Лапкина C.B. и др. Оценка вязкости лака, применяемого при изготовлении экранов ЭЛП. Тезисы докладов XXVI Н.Т. конференции, посвященной дню Радио, ч. П, Новосибирск, 1983, с.59−60.
  69. Равич-Щербо М.И., Новиков В. В. Физическая и коллоидная химия. М. «Высшая школа», 1975.
  70. Физический энциклопедический словарь. Под ред. Прохорова А. М. М. «Советская энциклопедия», 1983.
  71. П.Д., Корзун И. Н. Стационарный метод измерения парциальных коэффициентов диффузии.
  72. С.С. Физическая и коллоидная химия. М., «Химия», 1975.
  73. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.81 050 235, инв. № 195, Новосибирск, 1984, 83 с.
  74. Н.Л. Общая химия. М. «Металлургия», 1979.
  75. Л. Нанесение тонких пленок в вакууме, Л., «Госэнергоиздат», 1963, с.194−198.
  76. Технология толстых и тонких пленок./ Под ред. А. Рейсмана, К.Роуза. Пер. с англ., М., «Мир», 1972, с.9−26.
  77. А.С., Мочалкина O.P. Технология и конструирование интегральных схем. / Под ред. Степаненко В. А., М., «Радио и связь», 1983, с. 231.
  78. Steckelmacher W. Comparision of film thickness for varions types of ring vapour souress. Thin solid films, 1973, v. 16, № 2.
  79. Л.И., Геллер B.M., Лисицына C.B. и др. Оптимальное расположение подложки относительно плоскости испарителей при вакуумном напылении пленки. «Электронная техника», с. 4, Вып. 1(120), 1988, с.73−75.
  80. Л.И., Рубцова С. А. Устройство для вакуумного напыления пленок ИЛ№ 308−88, ЦНТИ, Новосибирск, 1988.
  81. Л.И., Лисицына C.B., Чушикина В. И. Патент 1 672 200 РФ, МКИ С 10 В7/10. Устройство для измерения толщин токопроводящих покрытий. Открытия. Изобретения. № 3, 1993.
  82. Л.И., Лисицына C.B., Чушикина В. И., Поляков Ю. С. Устройство для измерения толщин токопроводящих покрытий и металлических изделий. Электронная техника. Сер.7, вып.4(173), 1992, с. 62.
  83. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР, № гос.рег.1 860 054 421, инв. № 0287.0.18 243, Новосибирск, 1986.
  84. C.B., Лисицына Л. И. Устройство для измерения толщин токопроводящих покрытий на диэлектрической подложке. Патент РФ № 1 835 043, БИ № 30, 1993.
  85. C.B., Лисицына Л. И., Чушикина В. И., Грехов Е. А. Устройство для измерения толщины токопроводящих покрытий и металлических изделий на вихретоковом преобразователе. ИЛ № 188−94, ЦНТИ, Новосибирск, 1994.
  86. Прибор для измерения толщины проводящих покрытий. Каталог научно-технических достижений, Вып.1. М. «Высшая школа России», с. 86, «Машиностроение», с. 40, «Радиоэлектронная промышленность», с. 28, 1994.
  87. C.B., Лисицына Л. И. и др. Устройство для измерения толщины токопроводящих покрытий и металлических изделий. Электронная техника, сер.7, ТОПО, вып.4(173), 1992, с. 62.
  88. Приборы для неразрушающего контроля. Справочник, под ред. Клюева В. В., т. 1,2, М&bdquo- 1986.
  89. В.П., Гордиенко Ю. С., Дудкин Ю. А., Хорошайло. Вихретоко-вый измеритель толщины. ПИТЭ, 1983, № 2, с. 246.
  90. A.B. Расчет и проектирование индуктивных датчиков перемещений. Омск, 1980.
  91. Ферриты и магнитоэлектрики. Справочник под ред. Горбунова Н. Д., Матвенева Г. А. «Советское радио», М, 1968.
  92. C.B., Лисицына Л. И. и др. Устройство для измерения толщины диэлектрических образцов. Электронная техника, сер.7, ТОПО, вып.4(173), 1992, с. 62.
  93. C.B., Лисицына Л. И. и др. Устройство для измерения толщины диэлектрических образцов. ИЛ № 244−94, ЦНТИ, Новосибирск, 1994.
  94. C.B. Оптимизация параметров вихретокового щелевого двухкольцевого преобразователя с учетом свойств объекта измерения. Электронная техника, сер.7, ТОПО, вып.6(175), 1992, с.40−42.
  95. Плазменно-дуговая технология в промышленном производстве. Обзор по зарубежной информации. Раздел 5.6. Плазменное травление. «АО.Стандартэлектро», М. 1993.
  96. Подъем плазменной технологии «Revue de I’energie», 1986, т.37, № 385, p. 574−592. Франция.
  97. Новые применения плазменной технологии. «Environmental science and technology». 1986. 20. № 11, p. 1104−1105, США.
  98. Плазменная технология. Перспективы ее применения в Канаде «Revue canadience de genie elecrique», № 1, 51−56, Канада.
  99. Использование плазменных процессов в электротехнической и электронной промышленности. «IEEE Electrical insulation», 1986, 2, № 6, 8−14, США.
  100. В.И., Коротков В. А., Любимова О. И., Долгополов В. М. Обзоры электронной техники, технология, организация производства и оборудование. Вып. 18 (689), сер.7. М.:ЦНИИ «Электроника», 1979, 67 с.
  101. .С., Киреев В. Ю. «Электронная промышленность», 1975, № 1, С.74.
  102. .С., Киреев В. Ю., Савельев A.A. «Электронная техника» Сер. «Микроэлектроника», 1976, вып. З (бЗ), с. 49.
  103. Способ и устройство для плазменной обработки. Заявка № 61−208 222, 1985−86, Япония.
  104. Способ и устройство для плазменной обработки. Заявка № 61−208 223, 1985−86, Япония.
  105. Установка для плазменной обработки поверхности. Патент № 60 206 029, 1985, Япония.
  106. Метод и установка для плазменной обработки поверхности. Патент № 60−50 923, 1985, Япония.
  107. Устройство для плазменной обработки поверхности. Заявка № 63 190 173, 1987, Япония.
  108. Определение параметров плазменного покрытия. «Welding Design and Fabrications», 1987, 60, № 6, 41−43, США.
  109. Установка для нанесения покрытий плазмой в вакуумной камере. Заявка № 3 422 718, 1984−86, ФРГ.
  110. Нанесение покрытий плазменной полимеризацией. «Metalloberfache», 1987, Т.41, № 6, 271. ФРГ.
  111. Плазменное нанесение покрытий. «Le Guellec: du stelite an plasma», 1988, 512−513. Франция.118: Устройство для ввода частиц для термического плазменного распыления. Патент № 1 255 974, 1986, Канада.
  112. Особенности технологии обработки плазменным напылением и оценка качества. «Int. Conf. Ady. Surface Freatment Corrosion and Wear Resistance». Newcastle Upon Type. 6th-9th Sept, 1988- Conf. Abstr. Newcastle Upon Type, 1988, 80. Великобритания.
  113. Патент № 70 232 ФРГ. Compagnie Electro-Mecanique. Способ и устройство равномерного нагрева с помощью потока электромагнитной индукции, пересекающего плоские электропроводные детали.
  114. Патент № 56−26 349 Япония. Камида Токиеси (Мацубиси дэнки). Индукционный нагреватель.
  115. Авторское свидетельство № 1 064 482 СССР. Установка для индукционного нагрева изделий. / Голицин A.B., Мухин A.B., Сельский C.B. опуб. 1983, бюл. № 48.
  116. Патент № 55−10 957 Япония. Хасимото Манабу. Индукционные нагревающие устройства.
  117. В.В., Трехов Е. С., Фоменко А. Ф. Измерение параметров плазмы импульсного вихревого разряда зондовыми методами / Физика газоразрядной плазмы. М.: Атомиздат, 1968.
  118. П.Л., Цейтмин Л. А. Расчет индуктивностей. Справочная книга. Л.: Атомиздат, 1986.
  119. .М., Детлаф A.A. Справочник по физике. М.: Наука, 1985.
  120. Ю.А. Приборы свервысоких частот. М.: Высшая школа, 1973.
  121. Фейнман Р.,.Лейтон Р., Сэндс С. Фейнмановские лекции по физике // Электродинамика. М.: Мир, 1966.
  122. Г. В., Обоишев Ю. П. Индукционные измерительные преобразователи переменных магнитных полей. Л.: Энергоатомиздат. Ленинградское отделение, 1984.
  123. C.B., Китаев C.B. Фотоприемное устройство на переменном световом сигнале для диагностики плазмы. ИЛ № 555−86. ЦНТИ, Новосибирск, 1986.
  124. Л.И., Плюснина Ю. С., Плюснин A.B. Оптимизация конструкции индуктора плазменной ВЧИ установки с целью обеспечения равномерности процесса. / Электронная техника. Сер.7. ТОПО. 1988. — Вып.5(150), 1988, с.56−60.
  125. Л.И., Чудинов И. П. и др. Генератор высокочастотного напряжения ГВЧ-1. Паспорт КТМЦ3.541.002ПС, НЭТИ, Новосибирск, 1991.
  126. .В., Ларионов A.C., Калугин A.M. Электроваккумные электронные и ионные приборы. Справочник. Книга вторая. М.: Энергия, 1970.
  127. В.М., Лисицына Л. И. и др. Анализ состояния техники генераторных ЭВП и прогнозы их развития и применения. / Электронная техника. Сер.4. Вып. 1 (77), 1980, с.72−78.
  128. В.М., Лисицына Л. И. и др. Анализ развития генераторных ламп средней и большой мощности. / Электронная техника. Сер.4. Вып.6(105), 1984, с.77−80.
  129. В.М., Ласточкина Л. П., Лисицына Л. И. Предпочтительная конструкция генераторных ламп в ВЧ диапазоне. / Электронная техника. Сер.4. Электровакуумные и газоразрядные приборы. Вып.2(113), 1986, с.15−19.
  130. Л.И. и др. Отчет о НИР № гос. per. 01. 920 000 905, Инв. № 02. 9. 20 9 627, НЭТИ, Новосибирск, 1992, 41с.
  131. Плазменная технология в производстве СБИС. Под ред. Н. Айнспрука и Д. Брауна. Пер. с англ. М.: Мир, 1987.
  132. Очистка и методы контроля в производстве печатных плат. Реферативный обзор № зз. НИИЭИД, 1987.
  133. Н.П., Федорова И. Г. Высокочастотный нагрев диэлектрических материалов. Л.: Машиностроение, 1983.
  134. A.C. Ламповые генераторы для ВЧ нагрева. Л.: Машиностроение, 1979.
  135. В.И. Технология производства приемных электроннолучевых трубок. М.: Энергия, 1970.
  136. Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987.
  137. Ю.П., Шнейдер М. Н., Яценко H.A. Высокочастотный емкостной разряд. М.: МФТИ, Наука Физматлит, 1995.
  138. Э.Ю. Основы теории электронных ламп. -М.: Высшая школа, 1974.
  139. Л.И. Выбор режима плазмохимической обработки кинескопов и ЭЛТ. Труды международной НТ конференции АПЭП-92, т.2, Новосибирск, 1992, с.7−16.
  140. X. Справочник по физике. -М.: Мир, 1983.
  141. М.А. Электровакуумные материалы. М.Л.: Госэнергоиз-дат, 1956.
  142. Daniel Y., McCaughan, Murpy V.T. Low-energy ion-bombardment of silicon dioxide films on silicon. J.Appl.Phys., 1973, vol.44, № 5, p.2008 — 2017.
  143. Шмидт, Маккоэн, Кумнир. Вопросыанализа полупроводниковых материалов, подвергаемых воздействию ионизирующих излучений. ТИИЭР, 1974, т.62, № 9, с.43−46.
  144. Л.И., Катаев A.A. и др. Отчет о НИР № гос. per. 01.8.90.042689. Инв. № 02.9.10 35 365. НЭТИ, Новосибирск, 1991, 22с.
  145. Л.И., Катаев A.A. и др. Обработка поверхности стекла С95−2 низкотемпературной ВЧ-плазмой. Всесоюзная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы электронного приборостроения». Тезисы докладов. Новосибирск, 1990, с. 76.
  146. А.П., Предко К. Г. Оптика люминесцентного экрана. М.: Наука и техника, 1984.
  147. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -М.: Высшая школа, 1982.
  148. О.О., Пивнева С. П., Царегородцев Ю. П., Вескер Л. И. Ад-сорболюминесценция катодолюминофоров на основе в атмосфере молекулярного кислорода // В сборнике научных трудов ВНИИ люминофоров. М., вып. 14, с.40−43, 1976.
  149. В.А., Горбань А. Н. Люминесценция и адсорбция. М.: Наука, 1969.
  150. К. и др. Электронная спектроскопия, М., Мир, с.321−336.
  151. Анализ поверхности оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д. Бриггса и М. П. Сиха, М., Мир, 1987.
  152. В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Справочник. М., Химия, 1984.
  153. Н.П., Федорова И. Г. Высокочастотный нагрев диэлектрических материалов. Л.: Машиностроение, 1983.
  154. Отчет по НИР. Исследование физико-химических процессов на поверхности катодлюминофоров и экранов. № гос. per. 0182. 9 056 284, Томск, ТГУ, 1983, с.56−59.
  155. Отчет по НИР. Исследование для разработки технологического процесса ионно-лучевого легирования кремния, № гос. per. 79 081 497, Минск, МРТИ, 1979, с. 20.
  156. С.А., Мовнин С. М. Физические основы электронной техники. М.: Высшая школа, 1982.
  157. Л.С., Черемской П. Г., Фукс М. Я. Поры в пленках. М.: Энергоиздат, 1982.
  158. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет о НИР № гос. per. 1 860 054 421. Инв. № 0 287.0 67 377. НЭТИ, Новосибирск, 1987, 89с.
  159. C.B., Лисицына Л. И. Влияние поверхностной обработки в кислородной плазме на изменение яркости свечения цинк кадмий — сульфидного люминофора. Электронная техника. Сер.7. ТОПО, Вып.4(173), 1992, сЗЗ-38.
  160. Химический энциклопедический словарь. М.: Советская энциклопедия, 1983.
  161. И.А., Андронов А. Н., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984.
  162. A.C., Стрелецкий В. Е. О структуре углеродных пленок, образуемых при осаждении быстрых ионов. ИСТФ. Академия наук СССР, т.51, вып.11. Л.: Наука, 1981, с. 2414.
  163. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет о НИР № гос. per. 81 050 235. Инв. № 0 285.0 25 966. НЭТИ, Новосибирск, 1984, 42с.
  164. Л.И., Геллер В. М., Городнова И. И. и др. Обработка алюми-нированных экранов электроннолучевых приборов в плазме с целью улучшения их качества. Электронная техника. Сер.7. ТОПО, Вып.4(149), 1988, с86−88.
  165. A.A., Смирнов Б. М. Справочник по атомной и молекулярной физике. М.: Атомиздат, 1980.
  166. Л.И., Поспелова Е. Е., Шипунова Т. Н., Чушикина В. И. Плазмохимическая обработка колб электронно-оптических преобразователей. Материалы международной научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», т. Н, 1995, с.140−143.
  167. Л.И., Балаш Л. П. и др. Отчет о НИР № гос. per. 0189.0 18 521, инв. № 029.20 10 407, Новосибирск, 1982.
  168. Л.И., Катаев A.A. и др. Плазмохимическая обработка деталей, узлов и колб электровакуумных приборов. ИЛ № 245−94. ЦНТИ, Новосибирск, 1994.
  169. Л.И., Катаев A.A., Кузнецова Л. А., Суворова М. И. Патент № 1 821 836 РФ, МКИ Н 01J9/38. Устройство для очистки колбы фотоэлектронного умножителя. // Открытия. Изобретения № 22, 1993.
  170. Л.И., Катаев A.A. и др. Способ вакуумной обработки электровакуумного прибора. Патент РФ № 1 776 154, 1992.
  171. Технология и оборудование производства электровакуумных прибо-ров./Под ред. Ю. А. Хруничева.-М.: Высшая школа, 1979.
  172. Комплексная автоматизация сборочного производства цветных электронно-лучевых трубок./Под ред. С. И. Бродского. -М.: Радио и связь, 1984, с. 88.
  173. А.Т. и др. Технологическое оборудование электровакуумного производства, М.-Л.: Госэнергоиздат, 1962.
  174. Л.И., Катаев A.A. и др. Устройства для вакуумной обработки кинескопов. Патент РФ № 1 721 660, 1991.
  175. Л.И., Катаев A.A., Чушикина В. И. и др. Устройство для вакуумной обработки электронно-лучевой трубки. Патент РФ № 2 058 610, 1996.
  176. Л.И., Катаев A.A., Куренинова Е. В. и др. Устройство для вакуумной обработки электровакуумного прибора. Патент РФ № 1 776 153, 1993.
  177. H.A. ЖТФ, 1982, т.52, с. 1220.
  178. Л.И., Битюгов В. А., Третьякова Ю. А. Физико-математическая модель процесса плазменной очистки деталей в ВЧЕ разряде. МНТК «Информатика и проблемы телекоммуникаций». Новосибирск, 1998, с.162−166.
  179. Lisitsyna L.I. Model of Process of Low-Temperature Plasma-Chemical Treatment of CRPhED Nodes. The Second Russian-Korean International Symposium on science and Technology. KORUS'98, Tomsk, 1998, p. 175.
  180. .И., Кузнецов В. И., ПипкоА.И., Плисковский В. Я. Основы вакуумной техники. -М.: Энергия, 1975.
  181. С. Дэшман. Научные основы вакуумной технике. М. «Мир», 1964.
  182. Л.И. и др. Отчет по НИР № гос.рег.10 890 042 689, инв. № 029.10.35 365. Новосибирск, 1991.
  183. Л.И., Катаев A.A. и др. Влияние финишной плазмохимиче-ской обработки на процесс откачки кинескопов. Тезисы докладов Российской НТ конференции, посвященной дню Радио. Новосибирск, 1993, с. 138.
  184. Л.И., Поспелова Е. Е. и др. Отчет о НИР № гос.рег.01.920 000 905, инв. № 02.9.20 009 627, Новосибирск, 1992.
  185. Л.И., Катаев A.A. Способ вакуумной обработки электровакуумного прибора. Патент РФ № 1 776 154, 1992.
  186. Л.И., Яковлев Г. О. и др. Экономичный ВЧ индуктор для технологических целей. Тезисы докладов Российской НТ конференции. Новосибирск, 1993, с. 132.
  187. Л.И., Катаев A.A. и др. Финишная плазмохимическая обработка кинескопов и крупногабаритных ЭЛП. ИЛ № 191−94. ЦНТ, Новосибирск, 1994.
  188. Л.И., Ласточкина Л. П. и др. Финишная обработка кинескопов в низкотемпературной ВЧ плазме. Тезисы докладов XLIV Всесоюзной научной сессии, посвященной дню радио. -М.: Радио и связь, 1989, с. 118.
  189. Л.И., Катаев A.A. Исследование возможности уменьшения времени вакуумной обработки кинескопов. Труды Всесоюзной НТ конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения», Новосибирск, 1990, с. 79.
  190. Л.И., Катаев A.A. и др. Финишная плазмохимическая обработка крупногабаритных электронно-лучевых приборов. Электронная техника, серия 7, ТОПО, вып.4(173), 1992, с. 62.
  191. Патент США, кл. 313/102 (Н01 39/00), № 803 349, 15.05.79.
  192. Авторское свидетельство СССР № 396 746 (Н01 9/20), 28.09.70.
  193. Л.И., Геллер В. М. и др. Авторское свидетельство СССР № 1 531 739 (Н01 J9/20). Способ изготовления люминесцентных экранов электронно-лучевых приборов. 11.05.87.
  194. Е.Е., Плазменное анодирование в радиоэлектронике. Библиотека технолога радиоэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1983.
  195. B.C., Одынец Л. Л. Электрохимия, № 7, 1971, с.848.
  196. Л.И., Геллер В. М. и др. Плазменная обработка алюминиро-ванных экранов фотоэлектронных приборов. ИЛ № 458−88, ЦНТИ, Новосибирск, 1988.
  197. В. Технология электровакуумных материалов. Т.1. Пер. с нем. Под ред. Нилендра P.A. и Котляра A.A. М., Л. «Гос. Энергетическое издательство». 1962.
  198. Л.И., Невейко С. А., Лапкина C.B., Катаев A.A. Способ изготовления люминесцентных экранов электронно-лучевых приборов. Патент № 1 711 624 РФ, НО J9/22, 1983.
  199. Мулл ер Я.Н., Геллер В. М., Лисицына Л. И. и др. Исследование поперечного СВЧ-разряда как активной среды He-Ne лазера. Радиотехника и электроника, 1979.-№ 4, с.790−798.
  200. В.В. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот. М.-Л.: Госэнергоиздат, 1962.
  201. Л.И. Расчет распределения толщины проводящего покрытия, полученного методом ВЧ ионно-термического испарения. Российская HT конференция «Информатика и проблемы телекоммуникаций». Тезисы докладов, Новосибирск, 1994, сЛ 09−110.
  202. Л.И. Метод высокочастотного ионно-термического получения металлических пленок. Труды Второй Международной HT конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения», АПЭП-94, т.1, Новосибирск, 1994, с.57−66.
  203. Я.Н., Лисицына Л. И., Хрусталев В. А. Использование явления вторичной электронной эмиссии в He-Ne лазерах с поперечным СВЧ разрядом. «Квантовая электроника», т.6, № 3, 1979, с.446 450.
  204. Л.И., Муллер Я. Н., Хрусталев В. А. АС № 701 452. Устройство для возбуждения газового лазера. 1979.
  205. Л.И., Катаев A.A. и др. Ионно-термическое получение металлических пленок. «Электронная техника», сер.7, 1992, вып.4(173), 61.
  206. Л.И., Невейко С. А. и др. Способ высокочастотного ионно-термического получения тонких металлических пленок. ИЛ № 190−94, ЦНТИ, Новосибирск, 1994.
  207. Л.И., Рубцова С. А., Катаев A.A. К вопросу о получении равномерного алюминиевого покрытия. Тезисы докладов Всесоюзной НТ конференции «Электронное приборостроение», Новосибирск, 1988, с. 37.
  208. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР № гос.рег. 1 860 054 421, инв.№ 2 880 062 952. Новосибирск, 1988.
  209. В.М., Лисицына Л. И. и др. Отчет по НИР № гос.рег. 1 860 054 421, инв.№ 2 880 019 169. Новосибирск, 1988.
  210. Л.И. Высокочастотный ионно-термический способ получения металлических пленок. «Фундаментальные проблемы металлургии». Тезисы докладов Российской межвузовской НТ конференции. Гос.ком.РФ, конкурсный центр грантов. Екатеринбург, 1995, с. 80 81.
  211. H.A. Общая химия. Л.: Химия, 1985.
  212. A.C., Попов A.M., Рахимов А. Г., Рахимова Т. В., Феоктистов В. А. Самосогласованная модель ВЧ разряда низкого давления в кислородной плазме./УФизика плазмы. 1993, т. 19, вып.7, с.910−918.
  213. Jrving S.M. A plasma oxidadion procese for removing protoresist films.-Solid State Technol, 1971, vol.14, № 6, p.47.
  214. Л.И., Дьячков C.A. Исследование возможности получения пленки окиси алюминия методом высокочастотного ионно-термического испарения. Материалы Международной НТ конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций». Новосибирск, 1997, с.202 206.
  215. Lisitsyna L.I., Hui Gon Chun, Dyachkov S.A. Creation of A1203 Film by High-fequency Ion-thermal Evaporation. Proceedings KORUS 97. The 1st Korea-Russia International Symposium on Science and Technology. Ulsan. Republic of Korea. 1997, p.221 224.
  216. Lisitsyna L.I. Hui Gon Chun, Dyachkov S.A. Creation of A1203 Film by High-frequency Ion-thermal Evaporation. Abstracts The First Korea-Russia International Symposium on Science and Technology. Ulsan, Republic of Korea. 1997, p.97.
  217. Технология тонких пленок. Справочник. Под. Ред. Елинсона М. И., Смолка Г. Г. М. «Советское радио». 1977.
  218. Анализ поверхностей методом Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Бриггса Д. И Сиха М. П. М. «Мир», 1987.
  219. Л.И. Исследование возможности увеличения процентного содержанияокиси алюминия в пленке полученной методом ВЧ ИТИ. Труды IV МНТК АПЭП-98. ССС Code 0−78−03−4938−5/98 $ 10.00 1998 IEEE, с. 167−170.
  220. Успехи физики и химии полимеров./Под ред. З. А. Роговина и др.-М.: Химия, 1970, с. 447.
  221. В.А. Избранные труды. Структура и механические свойства полимеров. -М.: Наука, 1979, с. 451.
  222. АС 983 811, СССР. МКИ, НО 119/20. Способ алюминирования электроннолучевых приборов./В.В.Имшенецкий, Б. С. Малкиель.-Опубл.1982.-Бюл.№ 47.
  223. Плазменные процессы в технологии кремниевых солнечных элементов. 7th E.C.Protovou Sobar Energu Conf. Proc.Int.Cons.Sevill, 27−31 Oct, 1986−87, c.719−725, Нидерланды.
  224. Использование плазмы для нанесения покрытий и травления. Ober-flachentechn, Vortr, 3 Surtec-Kongr. Gemeinsam «Interfmish Eur., Berlin, Oct. 1985, c.103−110, ФРГ.
  225. B.M., Городнова И. И., Лисицына Л. И. и др. Выжигание органической пленки, покрытой алюминием, в кислородной плазме./Электронная техника. Серия 7. ТОПО. Вып.4(149), 1988, с.83−85.
  226. Е.И. Общая технология электровакуумного производства. -М.: Высшая школа, 1984.
  227. Л.Н. Вакуумная техника. -М.: Высшая школа, 1990.
  228. Л.И., Поспелова Е. Е. Расчет газовыноса с образца в процессе низкотемпературного плазменного выжигания органической пленки, покрытой алюминием./Электронная техника. Серия 7 ТОПО. Вып.2(171), 1992, с.34−38.
  229. В.В., Долгополов В. М., Словецкий Д. И., Шелыхманова Е.Ф./Особенности спектра плазмы ВЧ разряда при травлении алюминия.//Теплофизика высоких температур.-1983.-T.21.-Вып. 1, с.22−29.
  230. Л.И., Лапкина C.B. и др. Патент РФ № 1 701 058. Устройство для обработки экрана электронно-лучевого прибора. 1993.
  231. Е.И., Вассерман Р. Н. Технохимические работы в электровакуумном производстве. -М.: Высшая школа, 1972.
  232. Л.И., Поспелова Е. Е., Катаев A.A. Плазмохимическое выжигание оргпленки с экранов ЭЛП. Труды международной HT конференции АПЭП-92, т.2, Новосибирск, 1992, с.30−35.
  233. Л.И., Лапкина C.B. и др. Устройство для обработки экрана электронно-лучевого прибора. ИЛ № 246−94, ЦНТИ, Новосибирск, 1994.
  234. В.М., Иванов В. И., Коротков В. А., Соловьев В. И. Разработка спектрального индикатора для контроля процесса плазмохимического удаления фоторезиста. Электронная техника, сер. З „Микроэлектроника“, вып.4(88), 1980, с.39−43.
  235. Л.И., Китаев C.B. Диагностика плазменного технологического процесса на переменном световом сигнале с применением ЭВМ. I Всесоюзная HT конференция „Методы диагностики двухфазных и реагирующих потоков“. Алушта, Харьков, 1988, с. 216.
  236. Л.И., Ласточкина Л. П., Кузнецова Л. А. и др. Патент РФ № 1 774 778 AI. Способ вакуумной обработки деталей и узлов электровакуумных приборов. 1993.
  237. Л.И., Лисицына C.B. Контроль электропроводности плазмы бесконтактным методом с использованием вихревых токов. Материалы международной HT конференции „Информатика и проблемы телекоммуникаций“, т.2, Новосибирск, 1995, сЛ 58−160.
  238. Л.И., Трайнин Л .Я. Математическая модель распределения потенциала на оси электронно-оптического преобразователя. Труды IV МНТК АПЭП-98. ССС Code 0−78−03−4938−5/98 $ 10.00 1998 IEEE, с. 123−126.336
  239. Lisitsyna L.I., Trainin L.Ya. Mathematical Model of Potential distribution on axis of electron-optical converter. Proceeding APEIE-98, V.l. Selected papers of English. IEEE Catalog Number 98 EX 179. Library of Congress 98−85 265, 1998, p.36−39.
  240. Л.И., Катаев A.A., Макарова Т. Б. и др. Финишная плазмохимическая обработка крупногабаритных электронно-лучевых приборов. Электронная техника, с. 7. ТОПО, Вып.4(173), 1992, с. 60.
  241. Л.И., Катаев А. А. и др. Способ вакуумной обработки крупногабаритного электронно-лучевого прибора. Патент РФ № 1 701 059, 1991.
  242. Л.И. Выбор преимущественного угла падения ионов на обрабатываемую поверхность в производстве электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов. МНТК „Информатика и проблемы телекоммуникаций“. Новосибирск, 1998, с. 122−124.
  243. Н.В. Основы чистки, обезгаживания и откачки в вакуумной технике. М. Сов. радио. 1967.
  244. Н.В. Сорбционные явления в вакуумной технике. М. Сов. радио. 1973.
  245. Р, а с ч е экономического эффектапрезультате проделанного патентногопоиска по теме ЭП-3~в1/А.(н.рук. Л'.И, Лисицына)
  246. Стоимость патентного поиска по расценкам БЦПУ (Всесоюзный центр патентных услуг) I предмет посика, за I год по I ведущей стране — 22,8 руб.
  247. H0I -7 1/54, 1/62, 1/70, 9/20, 9/22, 9/227, 23/00, 29/00, 29/10, 29/18, 29/22, 29/30, 29/32, 31/12, 31/20, COI Т 5/00, СОЗ G И/12, С 09К 1/00, И/46.
  248. Люминофорные материалы: и их использование: HOI J 1/63, 61/44, C0IK 1/36, C07G 15/00, С09К И/00,
  249. Подложки для люминофорных материалов: HOI J 1/66.
  250. Связующие клеи для экранов с подложкой HOI J 1/64, 29/18, 61/46 и способы их нанесения В05Д 5/12.
  251. Экраны, их монтаж, крепление: HOI J 29/02
  252. Фотоэлектрические экраны, экраны с использованием вторичной эмиссии H0I У 29/36, 29/38, .29/41, экраны с защитными слоями HOI jf 1/707. Изготовление фотокатодов
  253. HOI J 1/34, 9/12, 36/06, 39/00, 39/06, 39/22, 40/06, 40/16- HOI L 431/10
  254. Конструкции фотокатодов: HOI J 1/34, 27/14, 43/089. Материалы фотокатодов:
  255. HOI J I/I4, 1/34, 9/12, 29/36, 29/38, 39/06, 39/16, 39/18, 39/22, 40/06, 40/16, 40/18, 43/08.
  256. Электростатические линзы ЗОГЦ электроды для создания пучков
  257. H0I 3 1/02, 29/46, 29/48, 29/52, 29/62, 31/02, 31/04.
  258. Соединительные элементы в приборе, устройства для крепления1. HOI J 29/92,37/20.
  259. Баллоны для высокого напряжения, покрытия на стенкк баллонов, 1. HOI J 5/06,5/08
  260. Средства для поддержания давления HOI J 7/14
  261. Конструктивные элементы для предупреждения обратного зажигания: H0IJ 13/21, 13/22
  262. Аберрации прибора HOI J 29/о6
  263. Измерения и испытания приборов H0I J 9/42, Н05 В 37/00
  264. Устройства для преобразования энергии, выполненные на газоразрядных, электронных и полупроводниковых приборах без управляющего электрода в импульсной технике НОЗ К 4/00, 4/83, 4/86.
  265. Конструкции твердотельных 90 П
  266. H0I J 31/50, 39/00, 40/00, 47/00, 49/00- НОТ I 31/04, 31/14,. 33/00, Н05 В 37/00, COI 1/02.
  267. Материалы для элементов твердотельных Э0П, H0I h 31/14, 31/18, 33/00, 43/10
  268. Стоимость проведенного патентного поиска по расценкаи1. ВЦПУ:
  269. С = 22,8 У лет П с^ад Г) предметамгде п лет глубина поиска,
  270. П стран „числ0 стр8**“ по которым проведен патентный поиск, ti Предм число предметов поиска
  271. С =22,8 '20 * 6 20 = 54 720 руб.
  272. По темам ВУЗов на патентный поиск отводится 3−5% от объема работ согласно „Временному указанию об организации и проведении патентных исследований при выполнении НИР в Высших учебный заведениях Минвуза РСФСР“ от 22 декабря 1975 г.
  273. Экономический эффект рассчитанный как разница между стоимостью поиска по расценкам ВЦПУ и фактической стоимостью, равен54 720 (300 000. 0,03) = 45 720 руб, где 300O00 руб — стоимость темы ЭП-3−81/А с ОКБ завода „Экран“. .
  274. Y Гл. инженер ОКБ /• ¦. — Р.И.Багдуев| Экономист ОКБ уС ??.< Г. М.Харитонова1. ЛГ'340: ' -УТВЕИЩЮ
  275. Зам. директора по экономик • ^^шз&дприятия. в/я Р-6964- г. и
  276. Расчет экономического эффекта»реашзовйнного отвнедрения ¦ рекомендаций по теме «Kpocc-I», Динза-1//Н.рук Л ЛДискшша. ВДГс
  277. Экономический эффект от внедрения измененного режима падения сурьмыi здедиям: ЮИОО&я ШТ029-.. — * - - * .- ^
  278. Расчет ^кономиче^кого эффекта без затрат производится по формуле: Эт А- 4ЮО. С
  279. А-годов'ой выпуск изделия Ш008−23,1тыс шт^ЦПХ^-^тыс.шт"
  280. BjB2- процент годных изделий на операции до. внедрения и после —
  281. ЭЬ 23, I.85*9"80 .100.бад0=35 089руб29,3.85,9 «'л По U1T029 ¦ .и о 85,9−80 ~ •1. Э-р-. 1008. б480−9890руб9.85,9 : —: «
  282. Экономический эффект. по уменьшению брака «увод изображения» поЮИООЗ
  283. А=56,64 тыс шт Б2−98,87^ /брак-1ДЗ?/1. Bj-96,87^ /Бра к-3,13 $/ '•: С?3881руб
  284. Окончательный экономический эффект считается по формуле:. 3=al+3j -:.-3j -0,15.3 где 3затраты по теме ЗООтыс руб.343
Заполнить форму текущей работой

На отлично!