Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Комплексообразование кадмия и свинца (II) с тиомочевиной, состав и свойства гидрохимически осажденных пленок PbS и CdxPb1-xS на пористом стекле

Диссертация: Комплексообразование кадмия и свинца (II) с тиомочевиной, состав и свойства гидрохимически осажденных пленок PbS и CdxPb1-xS на пористом стекле
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Таким образом, поставленная в работе цель достигнута путем решения ряда экспериментальных и теоретических задач. Определены термодинамические величины образования тиомочевинных комплексов кадмия и свинца (II) в водном растворе и на поверхности пористого стекла. Спрогнозирован и подтвержден механизм образования центров зарождения сульфидной фазы, их влияние на состав и свойства пленок. Исследованы… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Гидрохимический метод получения пленок сульфидов металлов 9 и твердых растворов на их основе с использованием тиомочевины
    • 1. 2. Тиомочевина: ее структура, электронное строение, лигандные 11 свойства
      • 1. 2. 1. Взаимодействие тиомочевины в водных растворах с солями 13 металлов и механизм образования сульфидов
      • 1. 2. 2. Тиомочевинные комплексы свинца и кадмия в водных 14 растворах
    • 1. 3. Влияние роли материала подложки при гидрохимическом 18 синтезе сульфидов металлов на состав, структуру и свойства тонких пленок
    • 1. 4. Пористое стекло: характер связи 81 — О" и сродство ионов к 20 поверхности кремнеземов
    • 1. 5. Комплексы металлов на поверхности твердых носителей
      • 1. 5. 1. Влияние обменных ионов и поверхностных комплексов на адсорбционные свойства носителей
    • 1. 6. Роль поверхностных комплексов металлов в формировании 33 свойств тонкопленочных сенсоров
    • 1. 7. Использование тонких пленок сульфидов металлов в качестве материалов химических сенсоров
  • Выводы
  • Глава 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Химические реактивы
    • 2. 2. Пористое стекло и его физико-химические характеристики
      • 2. 2. 1. Исследование температурной зависимости адсорбции воды на 42 поверхности пористого стекла
      • 2. 2. 2. Определение обменной емкости пористого стекла
      • 2. 2. 3. Подготовка пористых стекол к исследованиям
    • 2. 3. Методы изучения состава комплексов и их термодинамических 43 характеристик
      • 2. 3. 1. Методика калориметрического изучения комплексов в растворе 43 и на поверхности пористого стекла
      • 2. 3. 2. Методика спектрофотометрического изучения комплексов в 45 растворе
      • 2. 3. 3. Методика расчета термодинамических величин по методу 46 Яцимирского-Бударина
    • 2. 4. Методика гидрохимического синтеза пленок РЬБ, РЬ8(1) и 49 твердых растворов замещения Сс^РЬ^Б
    • 2. 5. Методы исследования состава, структуры и сенсорных свойств 50 пленок сульфидов металлов
  • Глава 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН 52 ОБРАЗОВАНИЯ ТИОМОЧЕВИННЫХ КОМПЛЕКСОВ И СУЛЬФИДНОЙ ФАЗЫ КАДМИЯ И СВИНЦА (II) В РАСТВОРЕ И НА ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО СТЕКЛА
    • 3. 1. Исследование поверхностных свойств пористого стекла
    • 3. 2. Спектрофотометрическое исследование взаимодействия кадмия 54 и свинца (II) с тиомочевиной в водном растворе
    • 3. 3. Калориметрическое исследование взаимодействия кадмия и 67 свинца (II) с тиомочевиной на поверхности пористого стекла и в водных растворах
    • 3. 4. Калориметрическое исследование фазового перехода 77 тиомочевинных комплексов кадмия и свинца (II) в сульфиды на поверхности пористого стекла
    • 3. 5. Обсуждение экспериментальных данных
  • Выводы
  • Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ СОСТАВА, СТРУКТУРЫ И СЕНСОРНЫХ СВОЙСТВ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ НА ПОРИСТОЕ СТЕКЛО ПЛЕНОК СУЛЬФИДА СВИНЦА И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Сс^РЬ^
    • 4. 1. Анализ условий образования сульфида свинца и твердых 92 растворов замещения Cd^Pbi^S при гидрохимическом осаждении
      • 4. 1. 1. Анализ условий образования сульфидов металлов
      • 4. 1. 2. Расчет условий образования сульфида свинца в цитратно- 94 аммиачной системе
      • 4. 1. 3. Расчет условий совместного гидрохимического осаждения 95 сульфидов свинца и кадмия
    • 4. 2. Получение и исследование кристаллической структуры 98 химически осажденных пленок Cd^Pb^S
      • 4. 2. 1. Условия получения твердых растворов Cd^Pb^S
      • 4. 2. 2. Исследование кристаллической структуры химически 101 осажденных пленок Cd^Pbi^S
      • 4. 2. 3. Исследование элементного состава и морфологии пленок 106 CdJPbi.-Д осажденных на пористое стекло
    • 4. 3. Исследование сенсорных свойств пленок PbS и Cd^Pb^S, 109 осажденных на пористое стекло
      • 4. 3. 1. Взаимодействие газов с поверхностью полупроводниковой 110 пленки
      • 4. 3. 2. Исследование отклика пленок PbS и Cd^Pb^S на присутствие в 111 воздушной среде диоксида азота
      • 4. 3. 3. Исследование отклика полученных пленок на присутствие в 119 воздушной смеси оксида азота
      • 4. 3. 4. Исследование отклика полученных пленок на присутствие в 123 воздухе монооксида углерода
  • Выводы

Комплексообразование кадмия и свинца (II) с тиомочевиной, состав и свойства гидрохимически осажденных пленок PbS и CdxPb1-xS на пористом стекле (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность исследования. Образование поверхностных комплексных соединений играет важную роль в процессах разделения и очистки газовых и жидких смесей, хроматографии, катализе, а также в образовании центров нуклеации и последующем росте пленок полупроводниковых материалов. Большой интерес для теории и практики химического осаждения тонких пленок халькогенидов металлов представляют исследования состава и устойчивости комплексов переходных металлов с тиоамидами на поверхности пористых стекол. Этому способствуют их развитая поверхность и высокая адсорбционная селективность.

Актуальной также является разработка научных основ целенаправленного гидрохимического метода синтеза пленок твердых растворов замещения прогнозируемого состава на основе сульфидов металлов для использования в качестве функциональных материалов оптоэлектроники, сенсорной техники, солнечных элементов, неорганических сорбентов.

Настоящая работа является результатом комплексных исследований, проведенных на кафедре физической и коллоидной химии Уральского государственного технического университета — УПИ. Работа выполнена в соответствии с тематикой исследований, проводимых в рамках единого заказ-наряда УГТУ-УПИ по направлению «Разработка физико-химических основ получения из водных сред материалов на основе халькогенидов, оксидов, галидов металлов с широким спектром заранее заданных электрофизических и химических свойств» (коды ГРНТИ 31.15.19, 31.15.27- 1999;2003), научно-технических программ: «Интеграция» грант И 0965 (2002;2004 гг.), программы Министерства образования РФ № 04.01 «Научно-технические исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» (2000;2002 гг.) по направлению «Охрана атмосферного воздуха» (ГРНТИ 44.01.94- 87.17.81- 59.35.35.20). Исследования были поддержаны Российским фондом фундаментальных исследований (грант № 01−03−96 518 РФФИ-Урал, 2000;2002 гг.), Американским фондом С1ШР (грант ЫЕС-005 НОЦ «Перспективные материалы», 2001;2005 гг.).

Цель работы. Определение состава, констант устойчивости и термодинамических величин образования тиомочевинных комплексов кадмия, свинца (II) в водном растворе и на поверхности пористого стекла, выявление условий зарождения СёБ и РЬБ. Гидрохимическое осаждение пленок твердых растворов замещения в системе РЬБ-СёБ различного состава на пористом стекле, исследование их структуры, состава, сенсорных свойств к оксидам азота и монооксиду углерода.

Научная новизна.

1. Впервые определены состав, константы устойчивости, значения энтальпии, энтропии и изобарно-изотермического потенциала образования тиомочевинных комплексов кадмия и свинца (II) на поверхности пористого стекла.

2. Гидрохимическим методом на пористой подложке впервые синтезированы слои, содержащие в своем составе пересыщенные твердые растворы Сс^РЬ^ (0.048 <*< 0.133).

3. Установлены кристаллическая структура, элементный и фазовый состав, морфология пленок пересыщенных твердых растворов замещения Сс^РЬ^, осажденных на пористом стекле и проведен их сравнительный анализ со слоями на ситалловой подложке.

4. Впервые выявлены сенсорные свойства пленок сульфида свинца и пересыщенных твердых растворов СёдРЬ^, осажденных на пористом стекле, к оксидам азота и монооксиду углерода, и определены их динамические и релаксационные свойства.

Практическая ценность.

1. Получены значения констант устойчивости тиомочевинных комплексов кадмия и свинца (II) на поверхности пористого стекла и в водных растворах при температуре 298 К.

2. Установлены условия гидрохимического осаждения на пористом стекле пленок РЬБ и пересыщенных твердых растворов замещения Сс^РЬ^.

3. Определены составы пленок пересыщенных твердых растворов замещения Сс^РЬк^, перспективных в качестве сенсорных материалов для определения в воздухе микроконцентраций оксидов азота и монооксида углерода.

4. Показано влияние пористой подложки на состав и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения Cd^Pb^S, полученных при гидрохимическом синтезе.

Положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Результаты определения констант устойчивости, термодинамических величин образования тиомочевинных комплексов кадмия и свинца (II) на поверхности пористого стекла и в водных растворах при температуре 298 К.

2. Результаты гидрохимического синтеза пленок пересыщенных твердых растворов замещения Cd^Pbi^S (0.048 < х < 0.133) на подложке из пористого стекла.

3. Результаты исследования микроструктуры, элементного и фазового состава осажденных пленок Cd^Pb^S на пористой подложке в сравнении со слоями, полученными в аналогичных условиях на ситалле.

4. Результаты исследования сенсорных свойств пленок сульфида свинца и пересыщенных твердых растворов замещения Cd^Pb^S, осажденных на пористой подложке к содержанию в воздухе микроконцентраций оксидов азота и монооксида углерода.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертации доложены и обсуждены на Всероссийской научно-практической конференции «Экология промышленного региона и экологическое образование» (Н.Тагил,.

2004), VII отчетной конференции молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ (Екатеринбург, 2005), V Всероссийской конференции молодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Саратов,.

2005), VIII Международной школе-семинаре «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» (Барнаул, 2005), XV Российской студенческой научной конференции, посвященной 85-летию Уральского государственного университета им. A.M. Горького, «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2005), XV Международной конференции по химической термодинамике в России (Москва, 2005), V Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений нейтронов и электронов для исследования наноматериалов и наносистем (Москва, 2005), Научнопрактической конференции «Перспективные химические материалы и технологии для различных отраслей народного хозяйства» (Екатеринбург, 2005).

Публикации. По результатам исследований опубликовано 9 статей в отечественных журналах и сборниках трудов, трое тезисов докладов в материалах российской, национальной и международной конференций.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Материал изложен на 146 страницах машинописного текста. Работа содержит 38 рисунков, 32 таблицы. Библиографический список состоит из 213 наименований.

Выводы.

1. Рассчитаны условия образования сульфида свинца и совместного осаждения сульфидов свинца и кадмия из цитратно-аммиачной системы в водных средах.

2. На подложках из пористого стекла осаждены слои РЬ8 и PbS-CdS. С использованием рентгеновского анализа исследована их структура. Установлено, что при совместном осаждении РЬ8 и CdS полученные пленки содержат в своем составе пересыщенные твердые растворы Сс1лРЬ).л8 (0.048 < х < 0.133).

3. Исследованы элементный состав и морфология пленок, как индивидуального сульфида свинца, так и твердых растворов замещения С^РЬ^Б. Установлено, что помимо кристаллического твердого раствора осажденные пленки содержат рентгеноаморфный сульфид кадмия. По результатам сравнительного анализа пленок, осажденных на пористом стекле и ситалле, установлено, что в диапазоне концентраций соли кадмия в растворе от 0.04 до 0.08 моль/л: доля последнего для пористого стекла значительно выше (в среднем в 5.3 раза), а размер и габитус микрокристаллов резко изменяются.

Время, с.

Рис. 4.14. Изменение относительной величины омического сопротивления пленок РЬБ (1), РЬБ, легированного йодистым аммонием (3), Cd0.099Pb0.9015 (2), Cdo.133Pbo.867S (4) от времени их контакта с СО. Содержание СО в газовоздушной о 1 смеси 166 мг/м. Состав реакционной смеси, моль л": РЬ (СН3СООН)2 — 0.04, Ыа3С6Н507 — 0.30, 1ЧН40Н — 4.0, С8(№ 12)2 — 0.60, CdCl2 — 0.04 (2), N11 — 0.2 (3), CdCl2 — 0.06 (4). Температура синтеза 353 К. Время синтеза 90 минут. Подложка: пористое стекло.

Например, при добавке соли кадмия в реакторе с концентрацией 0.04 моль/л, в случае пористой подложки, нарушается огранка кристаллов, которые приобретают форму глобул с размерами от 0.41 до 0.89 мкм, что не характерно для пленок, осажденных на ситалловой подложке, которые практически сохраняют полиэдрическую форму кристаллов.

4. Исследован отклик пленок сульфида свинца, легированного йодистым аммонием, и твердых растворов замещения С^РЬ^З на присутствие в воздухе диоксида азота, монооксидам азота и углерода. Установлено, что наибольшим откликом к диоксиду и монооксиду азота обладают слои твердого раствора замещения Cdo.133Pho.867S, а к СО — Cd0.099Pb0.9018. Сенсорные свойства пленок, синтезированных на пористом стекле, значительно превосходят слои, осажденных в аналогичных условиях на ситалловых подложках.

5. Полученные экспериментальные результаты величины отклика исследованных пленок к содержанию в воздухе N02 удовлетворительно описываются линейной формой изотермы Ленгмюра, что предполагает мономолекулярный механизм адсорбционного взаимодействия газа с пленкой.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Полученные в настоящей работе результаты исследований и сделанные обобщения свидетельствуют о значительной роли процессов комплексообразования на поверхности твердой фазы, определяющим влиянии материала подложки на состав, микроструктуру и свойства осажденных пленок пересыщенных твердых растворов, в частности Сс^РЬ^З.

В литературе до настоящего времени отсутствовали данные о составе и устойчивости поверхностных тиомочевинных комплексов металлов, использовании при гидрохимическом синтезе пленок твердых растворов замещения сульфидов металлов подложек из пористых материалов.

В настоящей работе впервые определены константы устойчивости и термодинамические характеристики тиомочевинных комплексов кадмия и свинца (II) на поверхности пористого стекла, а также получены данные по составу и термодинамическим характеристикам аналогичных комплексов в водной среде.

На основании проведенных экспериментальных исследований сделан прогноз о механизме и условиях образования центров зарождения сульфидных фаз кадмия и свинца," их влиянии на состав и свойства пленок.

С использованием рентгеновского анализа показано, что при совместном осаждении сульфидов свинца и кадмия на пористое стекло, образуются пересыщенные твердые растворы Сс^РЬ^Б, степень замещения свинца в которых значительно превышает аналогичные значения для ситалловых подложек. Исследованы элементный, фазовый состав, структура и морфология полученных пленок и проведен сравнительный анализ с результатами исследования слоев РЬЗ и твердых растворов Сс^РЬ^Б на ситалле.

Изучен отклик пленок сульфида свинца и ряда пересыщенных растворов Сс^РЬ^З к N02, N0 и СО. Исследованы динамические и релаксационные свойства осажденных пленок в процессе и после контакта с газами.

По результатам исследований ряд полученных пленок обладают устойчивым откликом к присутствию в воздухе не более 0.02 мг/м N02 и 0.1 мг/м3 N0.

В связи с этим слои твердого раствора Cdo.133Pbo.867S и Cd0.099Pb0.9018 могут быть использованы для создания химических сенсоров для экспересс-обнаружения в воздухе микроконцентраций оксидов азота и угарного газа.

Таким образом, поставленная в работе цель достигнута путем решения ряда экспериментальных и теоретических задач. Определены термодинамические величины образования тиомочевинных комплексов кадмия и свинца (II) в водном растворе и на поверхности пористого стекла. Спрогнозирован и подтвержден механизм образования центров зарождения сульфидной фазы, их влияние на состав и свойства пленок. Исследованы условия гидрохимического синтеза, состав, структура и сенсорные свойства полупроводниковых пленок сульфида свинца, а также пересыщенных твердых растворов замещения С^РЬ^ к токсичным газам Ж)2, N0 и СО. Выявлена роль влияния материала подложки как на состав и микроструктуру твердых растворов в системе PbS-CdS, так и на величину отклика и динамику взаимодействия с газами.

Полученные результаты имеют гораздо более широкое значение. Они открывают серьезные перспективы в изучении тиомочевинных поверхностных комплексов серебра, меди, ртути, цинка прогнозировании условий получения сульфидов и селенидов этих металлов, на основе которых перспективен синтез пересыщенных твердых растворов замещения, являющихся важными функциональными соединениями современной микроэлектроники.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Технология тонких пленок: справочник / Под ред. Майссела JL, Глэнга Р. Пер. с англ. М.: Сов. радио. 1977. Т. 1. 664 с.
  2. К. Получение полупроводников / Пер. с англ. М.: Мир. 1964. 436 с.
  3. Д.М. Получение пленок соединений А4В6 // Приборы и техника эксперимента. 1976. № 5. С. 7−17.
  4. Пленочная микроэлектроника / Под ред. Холлэда JI. М.: Мир. 1968. С. 144 257.
  5. Технология толстых и тонких пленок. Сб. статей / Под ред. Рейсмана А., Роуза К. М.: Мир. 1972. С. 9−15.
  6. Рост кристаллов / Под ред. Гудмана К. М.: Мир. 1977. С. 98−148.
  7. Hill J.E., Chamberlin R.R. Process for marking conductive film // Patent USA. № 3, 148, 084. от 08.09.1964.
  8. Chamberlin R.R., Skarmen J.S. Chemical spray deposition process for inorganic films // J. Electrochem. Soc. 1966. V. 113. № 1. P. 86−89.
  9. Chamberlin R.R., Skarmen J.S. Chemically sprayed thin film photovoltaic converters // Solid stat. electron. 1966. V. 9. № 8. P. 819−822.
  10. Chamberlin R.R. Effects of substrate on films of chemical spray deposited CdS // Am. Ceram. Soc. Bull. 1966. V. 45. № 8. P. 698−701.
  11. Use of centrifugal disk atomizer to produce CdS films / Maa J.S. et al. // Rev. Sci. Instrum. 1978. V. 19. № 9. P. 1359−1361.
  12. С.А. Фотопроводимость и дрейф локальных центров в тонких пленках сульфида кадмия, выращенных в кислородсодержащей атмосфере: Автореф. дисс. канд. физ. мат. наук. Одесса. 1984. 16 с.
  13. Gorska М. et al. CuInSr films prepared by spray pyrolysis // Solar Energy Mater.1979. V. 1. № 3−4. P. 313−317.
  14. Gorska M. et al. Spray pyrolysis of silver Indium sulfides // Thin solid films.1980. V. 67. № 2. P. 341−345.
  15. Mooney J.B., Radding S.B. Spray pyrolysis processing // Annual Rev. Mater. Sci. 1982. V. 12. P. 81−101.
  16. В.Н. Получение пленок халькогенидов металлов методом пульверизации с последующим пиролизом: Дис. .канд. техн. наук, наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1989. 149 с.
  17. В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений: Дис. .докт. хим. наук. Воронеж. 2002. 355 с.
  18. Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. Л.: Химия. 1971. С. 17−41.
  19. С.Г., Ткачев Ю. Д. Экспериментальное исследование ламинарных систем. Образование ультратонких пленок сульфида кадмия на границе раздела фаз твердое тело раствор // Коллоид, журн. 1962. Т. 23. № 4. С. 438−441.
  20. Г. А. Исследование процессов получения пленок халькогенидов металлов в водных растворах, содержащих тио-, селеномочевину и селеносульфат натрия: Дис. .докт. хим наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1971. 431 с.
  21. В.Ф., Белозерская В. В., Черницын А. И. Применение тиомочевины для осаждения сульфидов таллия и свинца // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технол. 1964. Т. 7. № 6. С. 898−903.
  22. Л.Е. Осаждение осадков и пленок халькогенидов кадмия и ртути химическим способом: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1972. 134 с.
  23. Kicinski F. The preparation of photoconductive cells by chemical deposition of lead sulphide // Chem. Ind. 1948. № 4. P. 54−57.
  24. Norr M.K. The lead salt-thiourea reaction // J. Phys. Chem. 1961. V. 65. № 7. P. 1278−1279.
  25. Г. А., Фофанов Г. М., Лундин А. Б. Условия химического осаждения зеркальных пленок сульфида свинца // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1967. Т. 3. № 3. С. 473−478.
  26. Л.Г., Мещененко К. К., Богомолов Ю. И. Выбор оптимальных условий осаждения пленок сульфида свинца // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1970. Т. 6. № 7. С. 1337−1338.
  27. Т.В. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов свинца, серебра и твердых растворов замещения на их основе для создания датчиков экологического контроля: Дис. .канд. хим. наук. Екатеринбург. 2005. 171 с.
  28. Г. А., Мокрушин С. Г., Урицкая А. А. Условия образования тонких пленок сульфида кадмия на поверхности стекла // Коллоид, журнал. 1965. Т. 27. № 1.С. 51−56.
  29. Pavaskar N.R., Menezes С.М., Sinha A.P. Photoconductive CdS films by chemical bath deposition process // J. Electrochem. Soc. 1977. V. 124. № 5. P. 743−748.
  30. Dona J.M., Herrero J. Process and Film Characterization of Chemical-Bath-Deposition ZnS Thin Films // J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. № 1. P. 205 210.
  31. Г. А., Урицкая А. А., Ятлова JI.E., Миролюбов B.P. Осаждение сульфида цинка из раствора N-аллилтиомочевиной // Журн. прикл. химии. 1994. Т. 67. № 10. С. 1612−1615.
  32. Meherzi-Maghraoui Н., Dachraoui М., Belgacem S. et al. Structural, optical and transport properties of Ag2S films deposited chemically from aqueous solution // Thin Solid Films. 1996. V. 288. P. 217−223.
  33. Г. А., Болыцикова Т. П. Осаждение зеркальных пленок сульфида серебра на поверхности стекла химическим способом // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1966. Т. 2. № 1. С. 65−69.
  34. К.К., Позигун Е. А. Нанесение тонких слоев сернистого серебра на различные изоляционные материалы // Тр. Одесского гос. университета. 1952. Т. 16. С. 105−107.
  35. А.Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1967. 133 с.
  36. Г. М. Анализ условий химического осаждения пленок сульфида и селенида свинца на поверхности стекла: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1968. 121 с.
  37. Т.П. Исследование тиомочевины для осаждения из растворов осадков и пленок сульфидов серебра и меди: Дис. .канд. хим. наук. Свердловск. 1969. 163 с.
  38. В.З. Осаждение сульфидов металлов с использованием аллилтиомочевины: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1973. 143 с.
  39. Ятлова J1.E., Китаев Г. А. Условия химического осаждения тонких пленок CdS на твердую поверхность с помощью аллилтиомочевины // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технол. 1969. Т. 12. С. 709−713.
  40. H.A. Исследование условий осаждения пленок и осадков сульфидов цинка и кадмия из растворов, содержащих тиоацетамид: Дис. .канд. хим. наук /Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1972. 190 с.
  41. А.Б. Исследование процессов химического осаждения сульфидов металлов в виде осадков и пленок тиосемикарбазидом: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1978. 173 с.
  42. Т.Ю., Юсупов P.A. Получение тонких пленок сульфида свинца из щелочных растворов при помощи тиосемикарбазида // Журн. физич. химии. 1975. Т. 48. № 3. С. 724−725.
  43. Bauer R., Wehling I. Thiohanstoffais Tallunhamittel fur Schwermetallsulfide // Ztschr. Analyt. Chem. 1964. B. 199. S. 171−173.
  44. Г. А., Романов И. Т. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1974. Т. 17. № 9. С. 14 271 428.
  45. И.Т. Исследование реакции разложения и синтеза тиомочевины в водных средах: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1975. 182 с.
  46. Г. А., Романов И. Т. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1976. Т. 19. № 6. С. 941−943.
  47. В.Р. Об особенностях кинетики осаждения сульфида свинца из водных растворов // Труды вузов РФ «Физико-химия процессов на межфазных границах». Свердловск: Издание УПИ. 1976. С. 15−18.
  48. Najdoski М., Minceva-Sukarova В., Drate A. et al. Optical properties of thin solid films of lead sulfide // J. Molecular Structure. 1995. V. 349. P. 85−88.
  49. Г. А., Урицкая A.A., Белова H.C. Анализ условий образования сульфидов металлов в водных растворах тиосульфата натрия // Журн. прикл. химии. 2000. Т. 73. № 9. С. 1433−1437.
  50. М.С., Дегтева JI.B., Иванов А. И. и др. Исследование кристаллизации халькогенидов свинца из водных растворов // Изв. АН СССР. Серия физическая. 1972. Т. 36. № 9. С. 1971−1973.
  51. Р.А., Попель А. А., Сальников Ю. И. и др. Образование сульфидов свинца (II) и таллия (I) в щелочных растворах тиосемикарбазида и тиомочевины // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1979. Т. 22. № 5. С. 515−519.
  52. Nair Р.К., Garcia V.M., Fernandez А.В. et al. Photoaccelerated chemical deposition of PbS thin films: novel applications in decorative coatings and imaging techniques // J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. V. 24. P. 1466−1472.
  53. Н.Д., Ипатова Е. Г., Егоров Ю. В. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. VI Синтез и физико-химические свойства на основе сульфида свинца // Радиохимия. 1982. Т. 24. № 3. С. 363−368.
  54. В.И., Кононов Ю. А., Миролюбов В. Р. Влияние условий осаждения на микроструктуру тонких пленок PbS // Труды вузов РФ «Физико-химия процессов на межфазных границах». Свердловск: Издание УПИ. 1976. С. 39−43.
  55. Orozco-Teran R.A., Sotelo-Lerma М., Ramirez-Bon R. et al. PbS-CdS bilayers prepared by the chemical bath deposition technique at different reaction temperatures // Thin Solid Films. 1999. V. 343−344. P. 587−590.
  56. Nair P.K., Ocampo M., Fernandez A.B., Nair M.T. Solar control characteristics of chemically deposited lead sulfide coatings // Sol. Energy Mater. 1990. V. 20. P. 235−243.
  57. Meldrum F.C., Flath J., Knoll W. Formation of patterned PbS and ZnS films on self-assembled monolayers // Thin Solid Films. 1999. V. 348. P. 188−195.
  58. Pintilie I., Pentia E., Pintilie L. et al. Growth and characterization of PbS deposited on ferroelectric ceramics // Appl. Phys. 1995. V. 78. № 3. P. 188−195.
  59. А.Б., Китаев Г. А. Кинетика осаждения тонких пленок сульфида свинца на границе раздела PbS-раствор // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1967. Т. 10. № 4. С. 408−411.
  60. К.К., Манько B.C. Влияние концентрации щелочи и ацетата свинца на фоточувствительность химически осажденного сульфида свинца // Оптико-механич. промышленность. 1978. № 10. С. 47−49.
  61. Candea R.M., Turcu R., Margeneanu P. The dynamic behavior of the electrical conductivity of PbS films // Phys. Status, solidi. 1986. A. 96. № 1. P. 337−343.
  62. Kothiyal G.P., Ghosh В., Deshpande R.V. Effect of morphological structure on photosensitivity of chemically deposited PbS thin films // J. Phys. 1980. D. 13. № 5. P. 869−872.
  63. The study of lead sulfide films. The behavior at low-temperature thermal treatment / Pop I., Ionesku V., Nascu C. et al. // Thin Solid Films. 1996. V. 283. P. 119−223.
  64. Structural and optical properties of PbS thin films obtained by chemical deposition / Pop I., Ionesku V. et al. // Thin Solid Films. 1997. V. 307. P. 240 244.
  65. Salim S.M. Hamid O. Growth and characterization of lead sulfide films deposited on glass substrates // Renewable Energy. 2001. V. 24. № 3. P. 575 580.
  66. The influence of H202 on crystalline orientation of chemically deposited PbS thin films / Tottiant Iris C. et al. // Thin Solid Films. 1981. V. 77. № 4. P. 347 356.
  67. Wolten G.M.A. Note on the chemically of lead sulfide sensitization for infrared detection//J. Eltectrochem. Soc. 1975. V. 122. № 8. P. 1149−1150.
  68. В.Б., Глобус E.P., Залевская Л. Н. Управление характеристиками осажденных пленок сернистого свинца // Прикладная физика. 1999. № 2. С. 96−101.
  69. А.А., Китаев Г. А., Мокрушии С. Г. Кинетика и механизм образования пленок сульфида кадмия на поверхности стекла // Коллоид, журн. 1967. Т. 27. № 5. С. 767−772.
  70. А.А. Химическое осаждение из растворов тонких пленок сульфида кадмия на поверхность стекла: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1966. 121 с.
  71. В.П. Изучение осаждения пленок сульфида кадмия из растворов на поверхности стекла и гранулированной целлюлозе: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1977. 193 с.
  72. Bhushan S., Dipti Thakur. Photoconductivity of chemically deposited rare-earth-doped CdS films // J. of Mat. Sci.: Mater, in Electr. 1992. V. 3. № 1. P. 35−40.
  73. Lincot D., Ortega-Borges R., Fromet M. Epitaxial growth of cadmium sulfide layers on indium phosphide from aqueous ammonia solutions // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 5. P. 569−571.
  74. Conversion of chemically deposited photosensitive CdS thin films to n-type by air annealing and ion exchange reaction. Nair M.T.S., Nair P.K., Zingaro R.A., Meyers E.A. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. № 3. P. 1557−1564.
  75. Low resistivity cubic phase CdS films by chemical bath deposition technique. Melo O., Hernandez L., Zelaya-Angel O. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. № 10. P. 1278−1280.
  76. Study of CdS epitaxial films chemically deposited from aqueous solutions on InP single crystals / Froment M., Bernard M.C., Cortes R. et al. // J. Electrochem. Soc. 1995. V. 142. № 8. P. 2642−2649.
  77. Structural transformation of dip coated CdS thin films during annealing / Narayanan K.L., Vijaykumar K.P., Nair K.G. et al. // J. of Mater. Sci. 1997. V. 32. № 18. P. 4837−4840.
  78. Electrical characterization of chemically deposited CdS thin films under field application / Vigil O., Zelaya-Angel O., Rodriguez Y. et al. // Phys. Status. Solidi. 1998. V. 176. A. 1. P. 143−150.
  79. Optical properties of cadmium sulfide thin films chemically deposited from baths containg surfactants / Popesku V., Pica E.M., Pop I., Grecu R. // Thin Solid Films. 1999. V. 349. P. 67−70.
  80. Photovoltaic windows by chemical baths deposition / Herrero J., Gutierrez M.T., Guillen C. et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 361−362. P. 28−33.
  81. Chemical baths deposition of CdS buffer layers prospects of increasing materials yield and reduction waste / Hariskos D., Powalla M., Chevaldonnet et al. // Thin Solid Films. 2001. V. 387. P. 179−181.
  82. Formation of band gap energy on CdS thin film growth by two different techniques / Oliva A.I., Solis-Santo O., Castro-Rodrigues R. et al. // Thin Solid Films. 2001. V. 391. P. 28−35.
  83. Optical properties of thin solid films of lead sulfide / Najdoski M., Minceva-Sukarova В., Drate A. et al. // J. of Molec. Str. 19 995. V. 349. P. 85−88.
  84. Sharma N.C., Pandya D.K., Sehgal H.K., Chopra K.L. Electroless deposition of epitaxial Pb^Hg^S // Thin Solid Films. 1979. V. 59. № 2. P. 157−164.
  85. M.A. Отрицательная проводимость пленок Cdi^Zn^S, полученных осаждением из раствора // Неорган, материалы. 1998. Т. 34. № 9. С. 1034−1036.
  86. М.А. Фотоэлектрические свойства пленок Cdi^Zn^S (0 < х < 0.6), осажденных из водного раствора // Неорган, материалы. 1999. Т. 35. № 11. С. 1307−1312.
  87. Electrical transport properties of (Cd, Zn) S thin films / Deshmukh L.P., Rotti C.B., Garadkar K.M., Hankare P.P. // Ind. J. Pure and Appl. Phys. II. 1996. V. 34. P. 893−897.
  88. Я.А., Яценко О. Б., Авербах E.M. Оптические свойства пленок сульфидов свинца и кадмия, полученных химическим способом // Твердотельная радиоэлектроника. Воронеж: Изд-во Воронеж, гос. ун-та. 1973. С. 77−81.
  89. Г. А., Марков В. Ф., Маскаева JI.H. и др. Синтез и исследование пленок твердых растворов Cd^Pb^S // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. Т. 26. № 2. С. 248−250.
  90. Мухам едьяров Р. Д., Китаев Г. А. Параметры полупроводниковых сверхструктурных соединений CdiPb15S и Cd5Pb24S // Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6. В. 21. С. 1330−1333.
  91. Bethke P.M., Barton P.B. Sub-solids relations in the system PbS-CdS // Amer. Miner. 1971. V. 56. № 11−12. P. 2034−2039.
  92. И.А. Физико-химические закономерности процесса получения твердых растворов CdxPbi.xS химическим осаждением: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1980. 174 с.
  93. В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и твердых растворов осаждением из водных сред: Дис. .докт. хим. наук / Уральск, гос. техн. ун-т. Екатеринбург. 1998. 366 с.
  94. Mukherjee М., Bhushan S. Effect of CdCl2 on the photoconductivity of chemically deposited neodymium doped (Cd-PbS)S films // J. Optical Materials. 2003. № 22. P. 51−57.
  95. В.Ф., Маскаева JI.H. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора оксидов азота на основе сульфида свинца // Журн. аналит. химии. 2001. Т. 56. № 8. С. 846−850.
  96. В.Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Прогнозирование состава твердых растворов замещения Cd^Pb^S при гидрохимическом осаждении из водных растворов // Нерган. материалы. 2000. Т. 36. № 12. С. 1421−1423.
  97. Л.Н., Марков В. Ф., Виноградова Т. В. и др. Гидрохимический синтез и свойства пересыщенных твердых растворов замещения Ag^Pbi.^S // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2003. № 9. С. 35−42.
  98. Л.Н., Марков В. Ф., Иванов П. Н. Получение твердых растворов замещения Pbi.^Cu^Si.j осаждением из водных растворов // Неорган, материалы. 2002. Т. 38. № 9. С. 1037−1040.
  99. Л.Н., Марков В. Ф., Гусев А. И. Пленки, содержащие пересыщенные по цинку твердые растворы замещения Zn^Pbj.^S: синтез, структура, состав // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2004. № 2. С. 100−109.
  100. Maskaeva L.N., Markov V.F., Voronin V.I., Gusev A.I. Hydrochemical synthesis, structure and properties of films of supersaturated substitutional CuTPbK, S solid solutions // Thin Solid Films. 2004. V. 461. P. 325−335.
  101. Jl.H. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения Me^Pb^S (Me — Zn, Cd, Cu, Ag): Дис. .докт. хим. наук. Екатеринбург. 2004. 386 с.
  102. A.A. и др. Органическая химия. М.: Высшая школа. 1981. 592 с.
  103. Ю.Н., Плетнев Р. Н., Клещев Д. Г., Желонкин H.A. Промежуточный комплекс в химических реакциях. Свердловск: АН СССР УрО. 1990.198 с.
  104. А.Н., Несмеянов H.A. Начала органической химии. Т. 1. М.: Химия. 1969. С. 375.
  105. Show W.H.R., Walker D.G. The decomposition of thiourea in water solutions //J. Amer. Chem. Soc. 1956. V. 78. No 22. P. 5769−5772.
  106. Л.А., Лавренева Л. Г., Зегжда T.B., Шульман В. М. Разложение тиомочевины в щелочных средах // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1968. В. 16. № 14. С. 57−63.
  107. Heintze H.U. Thiourea as addition agent in copper electrodeposition. Monreal. 1973. 264 p.
  108. И.Я., Разумнова Г. И. Тиоацетамид заменитель сероводорода в анализе металлов. ГОНТИ. 1963. 158 с.
  109. ИК-спектры поглощения и нормальные колебания металлов с тиомочевиной / Харитонов Ю. Я., Брега В. Д., Абилов A.B., Проскина H.H. // Журн. неорган, химии. 1974. Т. 19. В. 8. С. 2166−2177.
  110. Воробьев-Десятовский Н.В., Кукушкин Ю. Н., Сибирская В. В. Соединения тиомочевины и ее комплексы с солями металлов // Корд, химия. 1985. Т. 11. № 10. С. 1299−1328.
  111. Я.А., Миронов И. В., Пшевицкий В. И. Комплексообразование меди (I) с тиомочевиной // 17 Всесоюзное Чугуевское совещание по химии координационных соединений. Тезисы докладов. Минск. 1990. С. 210.
  112. Ю.Н. Реакционная способность координационных соединений. М.: Химия. 1987. 246 с.
  113. Bruckmann G. Dasstellung und Eigenschaften dunner BleisulfidSchichten unter bsonderer Beruchsichtigung intrer Detekterwirkung // Koll. Ztschr. 1933. B. 61. № l. s. 1−11.
  114. Г. И., Дарюсина С. А., Герасимов Ю. М. Ранние стадии кристаллизации как метод установления неоднородности кристаллических поверхностей // Доклады АН СССР. 1964. Т. 154. В. 6. С. 1328−1331.
  115. Г. И., Дарюсина С. А. Электронно-микроскопическое исследование образования слоев сернистого свинца // Кристаллография. 1962. № 7. С. 107−111.
  116. В.В. Применение тиомочевины для осаждения сульфидов металлов: Дис .канд. хим. наук. Казань. 1965. 135 с.
  117. В.А., Прокофьева И. В. К вопросу образования тиомочевинных комплексов металлов // Ин-т общей и неорган, химии. Сектор платины. 1952. № 27. С. 62−79.
  118. Ю.Н. Химия координационных соединений. М.: Высшая школа. 1985. 455 с.
  119. П.К., Цыплякова A.M., By Нгок Бан. Исследование простых и смешанных комплексов кадмия с тиомочевиной и галогенами в водно-спиртовых растворах // Журн. неорган, химии. 1977. Т. 22. № 10. С. 26 692 674.
  120. Справочник химика: В 3 Т. / Под ред. Никольского Б. П. Т. 3. Химическое равновесие и кинетика. Свойства растворов. Электродные процессы. Л, М.: Химия. 1965. С. 167.
  121. Kortly S., Sucha L. Handbookof chemical equilibria in analitic chemistry. N.-Y.- Brisbane-Chichester-Toronto. 1985. P. 143.
  122. Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. М.: Химия. 1989. 448 с.
  123. H.A. Физико-химические закономерности формирования пленок сульфидов металлов при взаимодействии сорбированной тиомочевины с растворами солей металлов: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1982. 193 с.
  124. М.С., Дегтева Л. В. Исследование кристаллизации халькогенидов свинца из водных растворов // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1972. Т. 36. № 9. С. 1971−1973.
  125. Г. И., Дарюсина С. А. Новый метод декорирования кристаллической поверхности // Кристаллография. 1962. Т. 7. № 2. С. 266 270.
  126. Г. И., Кобзарева С. А. Прямое наблюдение активных центров поверхностей полупроводниковых кристаллов // Физика твердого тела. 1965. Т. 7. В. 8. С. 2450−2454.
  127. Р.К. Коллоидная химия кремнезема и силикатов. М.: Гостройиздат. 1959. 288 с.
  128. А.П., Алесковский В. Б. Силикагель неорганический катионит. Л.: Госхимиздат. 1963. 91 с.
  129. Иониты и ионный обмен. Сб. статей / Под ред. Самсонова Г. В., Романкова П. Г. Л.: Наука. 1975. 230 с.
  130. С.К. Адсорбция на силикагеле // Журн. теоретич. и эксперим. химии. 1969. Т. 3. В. 5. С. 361−365.
  131. Ионообменные материалы в науке и технике. Материалы семинара. М. 1969. 217 с.
  132. К.В. Поверхностные химические соединения и их роль в явлениях адсорбции. Л.: Из-во ЛГУ. 1957. 311 с.
  133. Ионный обмен и его применение. Сб. статей / Под ред. Чмутова К. В. М.: Из-во АН СССР. 1959. 320 с.
  134. Ионный обмен. Сб. статей. Л.: Из-во Ленинградского университета. 1965. 192 с.
  135. С.И. Состав и химическое строение твердых веществ. Л. 1988. 83 с.
  136. А.Л. Химия поверхности 8Ю2, природа и роль активных центров кремнезема в адсорбционных и хемосорбционных процессах: Автореф. дисс. докт. хим. наук. Киев. 1971. 16 с.
  137. Ю.С., Марков В. Ф., Боков Н. Т. Адсорбция кобальта, никеля и меди (II) на различных формах пористого стекла // Научныетруды VII отчетной конференции молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ. Сб. статей в 3 ч. Ч. 2. Екатеринбург. 2005. С. 302−303.
  138. Н.Т. Термодинамика образования роданидных, хлоридных и бромидных комплексов кобальта (II) на поверхности пористого стекла и в растворах метилового спирта: Дис. .канд. хим. наук. / ЛГПИ. Ленинград. 1974. 126 с.
  139. Н.Т., Лобов Б. И., Добычин Д. П. Изучение роданидных, хлоридных и бромидных комплексов кобальта (И) в метанольном растворе и на кремнеземной поверхности калориметрическим методом // Журн. неорган, химии. 1975. № 20. С. 180−185.
  140. Н.Т. Адсорбция золота на силикагеле Na-формы // Ученые записки НТГПИ. Естественные науки. Нижний Тагил. 2003. С. 138−141.
  141. Г. К., Александрова Н. Е. Термодинамика образования роданидных комплексов никеля (II) в метиловом спирте // Журн. неорган, химии. 1975. Т. 20. № 8. С.
  142. Т.К., Александрова Н. Е., Добычин Д. П. Термодинамика образования роданидных, хлоридных и бромидных комплексов меди (II) на поверхности пористого стекла и в растворах метилового спирта // Журн. неорган, химии. 1976. Т. 21. № 10. С.
  143. Неорганические ионообменные материалы. Сб. науч. трудов. Л.: Из-во Ленинградского университета. 1974. В. 1. С. 192.
  144. Сорбенты на основе силикагеля в радиохимии / Под ред. Ласкорина Б. Н. М.: Атомиздат. 1977. 174 с. 164. цит. по 152.: Tominaga H., Kaneko M. // J. Catal. 1977. V. 50. № 23. P. 400−405.
  145. А.П., Буянова И. Е., Гудкова Г. Б. Методы исследования катализаторов и каталитических реакций. Т. 2. Новосибирск. 1971. С. 2.
  146. H.H., Мовчан Н. И., Юсупов P.A. и др. Расчет коэффициента диффузии при ионном обмене Pb (II)/Ag (I) на тонкопленочном сорбенте PbS // Журн. физ. химии. 2000. Т. 74. № 9. С. 1707−1709.
  147. H.H., Мовчан Н. И., Юсупов P.A., Сопин В. Ф. Влияние комплексообразующих агентов на ионный обмен Ag (I)/Pb (II) в тонких поликристаллических пленках PbS // Журн. физ. химии. 2002. Т. 76. № 8. С. 1485−1488.
  148. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора на основе сульфида кадмия / Головань Н. В., Гудин А. Я., Смынтына В. А. // Журн. аналит. химии. 1991. Т. 46. В. 12. С. 2374−2379.
  149. Golovan N., Smyntya V. The sensitization of semiconductor gas sensors // Sensors and Actuators. B. 1992. V. 6. P. 289−292.1. О. Oi
  150. Ю.С., Боков H.T. Изучение сорбции ионов РЬ и Cd поверхностью пористого стекла (ПС) // Сб. науч. трудов аспирантов и соискателей НТГСПА. Нижний Тагил. 2005. Вып 7. С. 141−150.
  151. С.П. Методы исследования структуры высокодисперсных и пористых тел. М.: Изд. АН СССР. 1958. С. 117.
  152. Г., Флашка Г. Комплексонометрическое титрование. М.: Химия. 1970. 360 с.
  153. Ю.С., Марков В. Ф., Боков Н. Т. Образование пленок PbS на поверхности пористого стекла // Вестник УГТУ-УПИ. Сер. химическая. Екатеринбург. 2004. № 7 (37). С. 51−52.
  154. Г. К., Боков Н. Т., Александрова Н. Е. Калориметрия для физико-химических исследований // 27-е Герценовские чтения. Ленинград. 1975. № 27. С. 60−65.
  155. К.Б., Бударин Л. И. Новый способ вычисления констант устойчивости при ступенчатом комплексообразовании // Журн. неорган, химии. 1962. Вып. 5. Т. 7. С. 1090.
  156. Vegard L. Sko-norske Vidensk. Akad. Mat. Naturn Kbisse. 1947. № 2. P. 83.
  157. A.B., Сипавина Jl.B. Параметры ячеек твердых растворов. M.: Наука. 1982. 171 с.
  158. В.Ф., Маскаева Л. Н., Иванов П. Н., Шишкин Е. И. К вопросу о механизме формирования химически осажденных пленок сульфидов металлов и твердых растворов на их основе // Вестник УГТУ-УПИ. Сер. химическая. 2004. № 14 (44). С. 126−134.
  159. Ф.Б., Ключников Н. Г. Химия комплексных соединений. М.: Просвещение. 1982. 160 с.
  160. H.H., Черняев И. И. Химия комплексных соединений. М.: Высшая школа. 1966. С. 387.
  161. В.А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник. JL: Химия. 1977. С. 25−26.
  162. B.C., Таусон В. Л., Акимов В. В. Геохимия твердого тела. М.: ГЕОС, 1997. 500 с.
  163. Т.В., Косарева Л. А., Шульман В. М. К вопросу о тиомочевинном методе получения сульфидов // Сб. Халькогениды. Киев. Наукова думка. 1967. С. 86−93.
  164. В.Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Кинетика химического осаждения PbS в присутствии галогенидов аммония, микроструктура и электрофизические свойства // Журн. прикл. химии. 2000. Т. 73. № 8. С. 1256−1259.
  165. Н.С., Урицкая А. А., Китаев Г. А. Исследование кинетики осаждения сульфида свинца из цитратных растворов тиомочевины // Журн. прикл. химии. 2002. Т. 75. № 10. С. 1598−1602.
  166. В.Ф., Маскаева JI.H., Китаев Г. А. Особенности микроструктуры и свойства пленок сульфида свинца, осажденных из галогенидсодержащих растворов // Неорган, материалы. 2000. Т. 36. № 7. С. 792−795.
  167. JI.H., Марков В. Ф., Иванов П. Н., Петухова Т. А. Роль аниона при гидрохимическом осаждении твердых растворов замещения сульфидов металлов // Вестник УГТУ-УПИ. Сер. химическая. 2003. № 3. С. 59−63.
  168. В.Ф., Маскаева JI.H., Дивинская Г. Г., Морозова И. М. Определение температурных зависимостей констант гидролитического разложения тио- и селеномочевины // Вестник УГТУ-УПИ. Сер. химическая. 2003. № 3. С. 120−125.
  169. Г. Б., Рыженко Б. Н., Ходаковский И. Л. Справочник термодинамических величин (для геологов). М.: Атомиздат. 1971. 240 с.
  170. В.Ф., Маскаева Л. Н., Виноградова Т. В., Березюк В. Г. Температурная зависимость констант ионизации цианамида и ее влияние на область образования халькогенидов металлов // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. Т. 4. № 1. С. 84−86.
  171. Е.С. Изоморфизм атомов в кристаллах. М.: Атомиздат. 1973. 288 с.
  172. А.И. Физическая химия тугоплавких нестехиометрических соединений. М.: Наука. 1991. 286 с.
  173. Calawa A.R., Mrcoczkowski J.A., Harman Т.С. Preparation and properties of Pb^Cd^S // J. Electron. Mat. 1972. V. 1. P. 191−201.
  174. Stetiu P. Sur le diagram d’egeuelibre du systeme PbS-CdS // Phys. Stat. Solid. 1973. V. 15. P. 19−26.
  175. Фазовая диаграмма системы PbS-CdS / Олейник Г. С., Мизецкий Г. А., Низкова А. И. и др. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. Т. 19. № 11. С. 1799−1801.
  176. Bethke P.M., Barton P.B. Sub-solids relations in the system PbS-CdS // U S. Geol. Sur. Prof. Pap. 1961. V. 424. B. 11−12. P. 266.
  177. Stetiu P. About some transport phenomena in Pb^Cd^S solid solutions // J. Phys. Chem. Solid. 1976. V. 37. P. 457−460.
  178. Kepi W., Zemel J. N. Priperties of Cd^Pb^S epitaxial films // J. Vac. Sci. Tech. (USA). 1969. V. 6. № 4. P. 494−501.
  179. Sood A.K., Wu K., Zemel J.N. Metastable Pb^Cd^S epitaxial films. I. Growth and Physical Properties // Thin Solid Films. 1978. V. 48. P. 73−86.
  180. Sood A.K., Wu K., Zemel J.N. Metastable Pb^Cd^S epitaxial films. II. Electrical Properties // Thin Solid Films. 1978. V. 48. P. 87−94.
  181. Jensen J.D., Scholar R.B. Electrical properties of Pb^Cd^S epitaxial films // J. Electron. Mat. 1978. V. 7. № 2. P. 237−252.
  182. JI.H., Марков В. Ф., Гусев А. И. Температурный диапазон распада и деградации пересыщенных твердых растворов Cd^Pbi^S // Доклады Академии Наук. 2003. Т. 390. № 5. С. 639−643.
  183. Г. В., Дроздова С. В. Сульфиды свинца и кадмия. — В кн. Сульфиды. М.: Металлургия. 1972. С. 346−349.
  184. В.Р. Оксиды азота в дымовых газах котлов. М.: Энергоиздат. 1987. 144 с.
  185. Н.В., Смынтына В. А., Шмилевич A.M. Влияние адсорбции сернистого ангидрида на поверхностный потенциал сульфида кадмия // Журн. физич. химии. 1992. Т. 66. № 4. С. 1073−1075.
  186. В.Ф., Маскаева Л. Н., Уймин С. Н., Маркова Н. В., Китаев Г. А. Способ получения полупроводникового материала для селективного детектора оксидов азота. Патент РФ № 2 143 677 с приоритетом от 11.11.97.
  187. В.Ф. Экология, здоровье и охрана окружающей среды в России: Учебное и справочное пособие. М.: Финансы и статистика. 2000. 672 с. 1 сз46 ^
  188. Ю.Г. Курс коллоидной химии. (Поверхностные явления и дисперсные системы): Учебник для вузов. М.: Химия. 1982. 400 с.
  189. И.И., Филько А. И. Сборник вопросов и задач по физической и коллоидной химии. М.: Просвещение. 1975. 192 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!