Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Диэлектрические свойства Bi-содержащих слоистых сегнетоэлектриков

Диссертация: Диэлектрические свойства Bi-содержащих слоистых сегнетоэлектриков
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одними из таких материалов являются слоистые СЭ с общей формулой Ат.1В12Вт03т+з1 которые являются сложными перовскитами. В последние годы для классификации и прогнозирования новых типов кристаллических структур, а также поиска оптимальных путей их синтеза используется модульный подход, который рассматривает отдельные слои как строительные блоки кристаллических структур. В известной мере этот… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПРОЦЕССЫ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ С РАЗМЫТЫМ ФАЗОВЫМ ПЕРЕХОДОМ (РФП)
    • 1. 1. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом
    • 1. 2. Процессы диэлектрического старения в СЭ
    • 1. 3. Сегнетоэлектрические твердые растворы со слоистой структурой
    • 1. 4. Выводы
  • ГЛАВА 2. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ АППАРАТУРА, МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ И ПОДГОТОВКИ ОБРАЗЦОВ
    • 2. 1. Экспериментальные установки для исследования диэлектрического отклика образцов
    • 2. 2. Установка для измерения токов поляризации и деполяризации образцов
    • 2. 3. Методика измерений
    • 2. 4. Образцы
  • ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ НИЗКО- И ИНФРАНИЗКОЧАСТОТНОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОТКЛИКА ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ СЛОИСТЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
    • 3. 1. Температурные зависимости в'(Т) и 5"(Т) в керамике ВаВ12МЬ209 в области размытого фазового перехода
    • 3. 2. Диэлектрические свойства керамик N30,5613.52^4027, № 0,5В18.5Т12Та4О27, Ко, 5В18.5Т12№>
      • 3. 2. 1. Температурные зависимости е'(Т) и е"(Т)
      • 3. 2. 2. Влияние предыстории материала на поведение диэлектрического отклика
      • 3. 2. 3. Токи деполяризации в слоистых сегнетоэлектриках Ма^Вкз'ПзМцОгу и Нао, 5В18.5Т12Та
    • 3. 3. Диэлектрический отклик 8гВ12Та209 в слабых переменных полях в широкой области температур
    • 3. 4. Выводы
  • ГЛАВА 4. ПОВЕДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ НЕЛИНЕЙНОСТИ В ОБЛАСТИ РАЗМЫТОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В КЕРАМИКЕ ВаВ121МЬ209и 8гВ12Та
    • 4. 1. Реверсивные зависимости диэлектрической проницаемости е'(Е) в ВаВУчГЬ209 в широкой области температур
    • 4. 2. Амплитудные зависимости в’Эфф (Е) и е"Эфф (Е) в керамике ВаВ12М
    • 4. 3. Реверсивные зависимости г'(Е=) в керамике 8гВ12Та
    • 4. 4. Амплитудные зависимости е’Эфф (Е) и г"Эфф (Е) в 8гВ12Та
    • 4. 5. Выводы

Диэлектрические свойства Bi-содержащих слоистых сегнетоэлектриков (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Во многих функциональных устройствах, используемых в различных отраслях науки и техники, в качестве активных элементов применяют поликристаллические материалы, к которым относятся и сегнетоэлектрики с их уникальными электрофизическими свойствами. По мере развития сегнетоэлектричества продолжался и процесс поиска новых материалов, относящихся к обнаруженному классу материалов. Особое внимание этому направлению физики твердого тела было оказано во второй половине XX века, когда был открыт ряд новых сегнетоэлектриков, выявлена область их применения, а также разработаны методы получения сегнетоэлектриков (СЭ) с заданными свойствами. Работы В. А. Исупова и А. Г. Смоленского [69] показали, что наряду с СЭ материалами, обладающими четким фазовым переходом (ФП), существует особый вид СЭ, у которых наблюдается сильное размытие максимумов диэлектрической проницаемости (в') при сегнетоэлектрических фазовых переходах В дальнейшем подобные свойства были обнаружены у большого ряда сегнетоэлектрических материалов.

Одними из таких материалов являются слоистые СЭ с общей формулой Ат.1В12Вт03т+з1 которые являются сложными перовскитами [71]. В последние годы для классификации и прогнозирования новых типов кристаллических структур, а также поиска оптимальных путей их синтеза используется модульный подход, который рассматривает отдельные слои как строительные блоки кристаллических структур. В известной мере этот подход подобен подходам к поэтапной сборке сложных наноматериалов с тем принципиальным отличием, что фундаментальными структурными единицами в случае слоистых структур являются не ограниченные группы атомов или кластеры, а бесконечно протяженные слои. Интерес к слоистым СЭ вызван и перспективностью их использования в современном приборостроении, например, для изготовления конденсаторов, нелинейных элементов варисторного типа, в устройствах оперативной памяти, которые могут заменить считывающее — запоминающие устройства, основанные на кремнии, так как обладают низким рабочим напряжением, высокой скоростью чтения-записи и энергонезависимы. Кроме того, данные материалы проявляют превосходную выносливость к многократному переключению поляризации (до 10″ циклов).

Применение низких и инфранизких частот при исследовании диэлектрического отклика подобных структур является актуальным, так как позволяет более детально исследовать и получить дополнительную информацию, касающуюся фундаментального аспекта физики размытых переходов в неупорядоченных конденсированных средах, а также существенно расширить область прикладных задач относительно применения слоистых сегнетоэлектриков.

Тематика диссертационной работы соответствует «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН, а работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики Волгоградского архитектурно-строительного университета по изучению физических свойств электрически активных материалов.

Цель работы заключалась в исследовании процессов низкои инфранизкочастотной релаксации поляризации слоистых сегнетоэлектриков-керамик ВаШгМьОд, Као^В^^'ПоМ^СЬ?,.

Ыао, 5В18.5Т12Та4027, ^^?а.зТъМ^СЬу, 8гВ12Та209 при влиянии внешних воздействий различной природы в широкой области температур. В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи: 1. Изучение низко— (НЧ) и инфранизкочастотных (ИНЧ) диэлектрических спектров комплексной диэлектрической проницаемости е* слоистых сегнетоэлектриков.

2. Исследование особенностей процессов долговременной релаксации поляризации в слоистых сегнетоэлектриках в зависимости от предыстории материалов.

3. Изучение характера диэлектрической нелинейности и особенностей переполяризационных характеристик в керамиках ВаВ12Мз209 и 8гВ12Та209 при различных значениях внешнего смещающего и переменного электрических полей в широкой температурной области.

Научная новизна.

1. У слоистого сегнетоэлектрика ВаВ12МЬ209 выявлен релаксорный тип частотно-температурной зависимости диэлектрического отклика в диапазоне низких и инфранизких частотах.

2. Для слоистых сегнетоэлектриков Ка0,5В18.5Т12НЬ4О27, Нао, 5В18.5Т12Та4027 показано существование при температурах, расположенных ниже Тс, дополнительных максимумов е'(Т), зависящих от времени старения материала.

3. При изучении влияния смещающего поля показано, что характер диэлектрической нелинейности в слоистом сегнетоэлектрике ВаВьКЬ209 может определяться поведением полярных кластеров и нанообластей подобно тому, как это происходит в неупорядоченных системах типа полярного (дипольного) стекла.

4. Показано, что характер переполяризационных процессов в керамике 8гВ12Та209 в диапазоне инфранизких частот определяется поведением доменной структуры в существенно дефектной среде.

Результаты были получены впервые.

Практическая значимость. Новые экспериментальные результаты и закономерности, полученные в настоящей диссертационной работе при исследовании диэлектрического отклика в слоистых сегнетоэлектриках ВаВъ№>209, Нао, 5В18.5Т12№>4027, Ыа^В ¡-8.5ТъТа4027, Ко^В^^ТьМ^О^,.

8гВьТа209 в зависимости от влияния постоянных и переменных электрических полей, позволяют значительно пополнить имеющуюся информацию о процессах диэлектрической релаксации в материалах, обладающих размытым фазовым переходом, что будет полезно как для разработчиков технических применений, так и для проверки существующих и разработки новых теоретических представлений об особенностях физических свойств в области размытых фазовых переходов.

Объекты исследований. В качестве объектов исследований выбраны следующие составы слоистых сегнетоэлектриков: ВаВьМ>209, Ыа0,5В18.5Т12МЬ4О27, Иао^В^ 5ТьТа4027, Ко^В^.зТЪМ^СЬу, 8гВ12Та209. Данные материалы приготовлены из тонкоизмельченных оксидов или солей соответствующих металлов методом термохимической реакции в твердой фазе в Институте физики твердого тела Латвийского университета. Рентгеноструктурный анализ синтезированных соединений показал, что во всех случаях кристаллическая решетка имеет два перовскитоподобных слоя, чередующихся с висмут-кислородными слоями.

В зависимости от соотношения компонент и степени упорядоченности ионов в узлах кристаллической решетки данные материалы относятся к сегнетоэлектрикам с размытым фазовым переходом. Существенное различие как в степени размытия фазового перехода, так и в значениях температур фазового перехода дают возможность провести сравнительные исследования данных объектов и получить новую информацию, актуальную как с точки зрения фундаментальных исследований, так и в связи с перспективностью применения их в технике.

На защиту выносятся- 1. В основе релаксороподобного диэлектрического отклика слоистого сегнетоэлектрика ВаВъМъОд лежат медленные процессы релаксации поляризации, характерные для неупорядоченных систем типа полярного (дипольного) стекла.

2. Экспериментальные результаты, устанавливающие причины возникновения дополнительных аномалий электрофизичеких свойств в слоистых сегнетоэлектриках Nao, 5Bi8.5Ti2Nb4027 и Nao^Big.sTV^Cby при температурах, расположенных существенно ниже температур сегнетоэлектрического фазового перехода в данных материалах.

3. Вклад в диэлектрический отклик слоистого сегнетоэлектрика SrBi2Ta2C>9 в слабых полях инфранизкой частоты определяется двумя основными составляющими: релаксацией объемного заряда и осцилляцией доменных границ в существенно дефектной среде.

4. Экспериментальные результаты, определяющие характер переполяризационных процессов в слоистом сегнетоэлектрике SrBi2Ta209 в широкой области температур.

Апробация результатов работы. Основные результаты, изложенные в диссертационной работе, докладывались на 5 Международном семинаре физики сегнетоэластиков (ВГУ, Воронеж, 2006), XI Региональной конференции молодых исследователей Волгоградской области (ВолГУ, Волгоград, 2006) — Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (МИРЭА, Москва, 2006) — Международной конференции «Функциональные материалы и нанотехнологии FMNT'2007» (Рига, Латвия, 2007) — 13-й Всероссийской Конференции Студентов Физиков и Молодых Ученых ВНКСФ-13 (ЮФУ, Ростов-на-Дону-Таганрог, 2007) — Международной конференции «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах» (институт физики ДагНЦ РАН, Махачкала, 2007) — Международной конференции по материалам для электронных компонентов (2007, Маракеш) — Polecer conference piezoelectricity for end users III (Либерцы, Чешская республика, 2007) — XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков ВКС-18 (ЛЭТИ, Санкт-Петербург, 2008) — Международной конференции «Функциональные материалы и нанотехнологии FMNT'2008».

Рига, Латвия, 2008) — 6-ом Международном семинаре физики сегнетоэластиков (ВГУ, Воронеж, 2009) — Второй международной конференции по материалам для электронных компонентов (Хаммет, Тунис, 2009) — на 15-ой конференции по полупроводникам и диэлектрическим материалам (Вильнюс, 2009) — на 12-ой международной конференции по сегнетоэлектричеству и на 18-ой международном симпозиуме по сегнетоэлектрическим материалам (Ксиан, Китай, 2009) — Ежегодных научно-технических конференциях ВолГАСУ (2006, 2007, 2008, 2009).

Публикации.

Содержание диссертации опубликовано в 21 печатной работе (из них 14 статей в научных журналах, 4 из которых опубликованы в изданиях, рекомендованных ВАК РФ и 7 тезисов конференций).

Структура и объем.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 113 страниц, включая 41 рисунок, 3 таблицы.

Список литературы

содержит 126 наименований.

4.5. Выводы.

1) При изучении влияния смещающего поля Е= на характер диэлектрического отклика керамики ВаШ2МЬ209 установлено, что в слоистом сегнетоэлектрике ВаВьШьОд существенно проявляются, медленные процессы релаксации поляризации, связанные с поведением полярных кластеров и нанообластей, определяющих основной вклад в поляризацию в неупорядоченных системах типа полярного (дипольного) стекла.

2) При исследовании реверсивных зависимостей г'(Е) в слоистом сегнетоэлектрике — керамике 8гВьТа2С>9 показано, что поведение е'(Е) в 8гВ12Та209 существенным образом отличается от поведения г'(Е) в ВаВьЫЬ209. Причиной данного отличия является то, что в 8гВ12Та2С>9 основной вклад в характер релаксации поляризации определяется поведением сегнетоэлектрических доменных границ в существенно дефектной среде.

3) Динамикой доменных границ в данном материале обуславливается и характер частотно-температурной эволюции петель поляризации в 8гВъТа209 на частотах 0,1 — 10 Гц при температурах Т<�ТС. Показано, что в достаточно протяженном температурном интервале имеет место «закругление» концов петель, указывающее на существование значительной «диэлектрической вязкости» при процессах переполяризации в 8гВ12Та2С>9 и которая свидетельствует о значительной концентрации различных дефектов в данном материале.

4) Выявлено, что при увеличении температуры образца (Т> 20°С) проявляется существенный вклад проводимости в процессы релаксации поляризации в 8гВьТа209 на инфранизких частотах. Анализ частотных зависимостей эффективной проводимости свидетельствует о прыжковом типе параметра.

5) Изучение температурно-полевых зависимостей остаточной поляризации показало, что в исследуемом материале 8гВ12Та209 отношение Рг/Рт достигают значений (0,9), свидетельствующие о хороших переключательных свойствах материала.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящей работе исследованы низко— и инфранизкочастотные диэлектрические свойства слоистых сегнетоэлектриков — керамик ВаВъ№>209, Ыао, 5В18.5Тъ№>4027, Ыа0,5В18.5,П2Та4О27, К^В^зТЬМ^О^, 8гВ12Та209 при влиянии внешних воздействий различной природы: сильных и слабых, постоянных и переменных полей, в широкой области температур. Основные выводы сделанные по работе представлены ниже:

1. Установлено, что в основе релаксороподобного диэлектрического отклика слоистого сегнетоэлектрика ВаВ12М)209 лежат медленные процессы релаксации поляризации, характерные для неупорядоченных систем типа полярного (дипольного) стекла, а именно, переориентацией полярных нанообластей и осцилляциями фазовых (доменных) границ полярных сегнетокластеров.

2. Обнаружены дополнительные аномалии электрофизичеких свойств в слоистых сегнетоэлектриках Ыао, 5В18.5Т12НЬ4027 и Ма0,5В185гП2Та4О27 при температурах расположенных существенно ниже температур сегнетоэлектрического фазового перехода в данных материалах. Наиболее вероятными причинами проявления как диэлектрических аномалий на инфранизких частотах при слабых измерительных полях, так и аномалий токов являются физические процессы, в основе которых лежат явления, связанные с образованием ловушек для неравновесных носителей заряда в существенно неоднородной структуре (наличие межзеренных, межкристаллитных, фазовых границ). С.

3. Исследование НЧ и ИНЧ дисперсии & и процесса диэлектрического старения в слоистом сегнетоэлектрике 8гВьТа209 позволяет сделать вывод о том, что вклад в диэлектрический отклик данного материала при слабых измерительных полях определяется двумя основными составляющими: релаксацией объемного заряда и осцилляцией доменных границ в существенно дефектной среде.

4. Установлено, что характер переполяризационных процессов в слоистом сегнетоэлектрике 8гВ12Та209 в средних и сильных полях обуславливается динамикой доменных границ в данном материале. При этом, анализ петель поляризации показал существование значительной релаксации, связанной с «диэлектрической вязкостью» материала при процессах переполяризации в средних полях в 8гВ12Та209, которая обусловлена значительной концентрацией дефектов в данном материале.

5. Показано, что «крутизна» фронта переключения поляризации определяемая по амплитудной зависимости нормированной остаточной поляризации Рг/Рт в определенном температурном интервале достигает достаточно высоких значений, что делает актуальной исследуемую керамику 8гВ12Та209 для применения в качестве активного элемента в каких-либо рабочих ячейках на основе СЭ материалов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.С. -Сегнетоэлектрические кристаллы для управлениялазерным излучением. // М.: Наука. 1982, с. 100−175.
  2. М.Ф. В сб. Монокристаллы и техника./Дрогайцев Е.А., Теплицкая
  3. Т.С. // Харьков. ВНИИ монокристаллов, 1975, В.5 с. 23.
  4. Ainger Frank W. -Ferroelectrics electro-optic materials. // Electro-Opt. and
  5. Nonlinear Opt. Mater.: Proc. Symp. Electro-Opt. and Nonlinear Opt., Anaheim, Calif., Oct. 31-Nov. 1989. Westerville (Ohio), 1990. c. 3−20.
  6. Ю.Л. Пьезо- и сегнетоматериалы и их применение/ Кравченко
  7. В.Б., Дудник О.Ф.// М.: МДНТП им. Ф. Э. Дзержинского, 1978, 86 с.
  8. М. Сегнетоэлектрические и родственные им материалы./ Гласс А.
  9. Москва.: «Мир», 1981, 316 с.
  10. Л.А. Научно-технические прогнозы в области сегнетоэлектриков.
  11. Сегнето— и антисегнетоэлектрические соединения. ./ Веневцев Ю. Н. // М., НИИТЭХИМ. 1984. 75 с.
  12. А.Э. Прозрачная сегнетокерамика в качестве объекта физическихисследований, оптические и электрические свойства. Фазовые переходы и сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках.// Сб. научн. трудов. Рига. ЛГУ. 1984. с.3−24.
  13. Г. А. Электрооптический эффект в кристаллах PbMgi/3Nb2/303./
  14. Н.Н., Бережной А. А., Мыльникова И. Е. // ФТТ. 1968, т. 10, вып. 2, с. 467−471.
  15. Г. А. Фазовые переходы в некоторых твердых растворах, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами./ Исупов В. А. // ДАН СССР. 1954. т. 9, № 1. с. 653−654.
  16. Г. А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов станната-титаната бария./ Исупов В. А. // ЖТФ. 1954. т. 24, № 8. с. 13 751 386.
  17. Г. А. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом./ Исупов В. А., Аграновская А. И., Попов С. Н. // ФТТ. 1960, т. 2, вып. 11, с.2906−2918.
  18. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics. // Ferroelectrics 1987. V.76. N1−2. P.241 267.
  19. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics: an overview. // Ferroelectrics. 1994. V.151. P.305−320.
  20. В.В. Релаксационная поляризация сегнетоэлектрика PbMgi/3Nb2/3 с размытым фазовым переходом. / Кириллов В. В., Исупов В. А. //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971. Т.35. № 12. С.2602−2606.
  21. А.В. Пьезоэлектрическое приборостроение. Том I. Физика сегнетоэлектрической керамики./ Дудкевич В. П., Куприянов М. Ф., Панич А. Е., Турик А.В.// М.: ИПРЖ, 1999. 368 с.
  22. Sternberg A. Transparent ferroelectric ceramics recent trend and status quo.
  23. Ferroelectrics. 1992. V.131. P. 13−23.
  24. Zuo-Guang Ye. Relaxor ferroelectric Pb (Mgi/3Nb2/3)03: properties and presentunderstanding. //Ferroelectrics. 1996. V.184. P. 193−208.
  25. В. А. Поляризационно—деформационные состояния сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом. // ФТТ. 1996. Т. 38. № 5. С.1326−1330.
  26. Isupov V.A. New approach to phase transition in relaxor ferroelectrics. //Phys.Stat. Sol. (b). 1999. V.213. P.211−218.
  27. В.А. Сегнетоэлектрики со слабо размытыми фазовыми переходами. // ФТТ. 1986. Т.28. № 7. С. 2235−2238.
  28. Isupov V.A. Diffuse ferroelectric phase transition and PLZT ceramics // Ferroelectrics. 1992. V.131. P.41−48
  29. В.А. Явления при постепенном размытии сегнетоэлектрическогофазового перехода. // ФТТ. 1992. Т.34. № 7. С.2025−2030
  30. Isupov V.A. Parametrs of ferroelectric phase transitions diffuseness in PMN-PT and PMN-PNN solid solutions. / Isupov V.A., Pronin I.P., Ayazbaev T.// Ferroelectrics. 1998. V.207. P.507−517.
  31. Размеры областей Кенцига и размытие фазового перехода в керамике PMN-PZT./ Цоцорин А. Н., Гриднев С. А., Рогова С. П., Лучанинов А. Г. //Изв.РАН. Сер.физ. 1998. Т.62. № 4. С.1579−1583.
  32. А.Н. Диэлектрическая релаксация и размытые фазовые переходы в твердом растворе PMN-PZT. // Автореф. дисс. на соискание ученой степени к. ф —м. н., Воронеж. 1999. ВГТУ. 16 с.
  33. С.А. Электрострикционные свойства твердого раствора магнониобата свинца цирконата- титаната свинца. / Гриднев С. А., Цоцорин А. Н., Лучанинов А. Г. // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1999. Вып. 1.5. С.85−89.
  34. Bell A.J. Calculations of dielectric properties from the superparaelectric modelof relaxors. //J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V.5. № 46.P. 8773−8792.
  35. Toulouse J. Relaxor and superparaelectric behavior in the disordered ferroelectrics KLT and KTN / Toulouse J. and Pattnaik R. // Ferroelectrics. 1997.V.199. P.287−294.
  36. B.A. Природа физических явлений в сегнеторелаксорах. / ФТТ, 2003, т. 45, вып. 6, с. 1056−1060.
  37. В.А. Возможность суперпараэлектричества в керамике СВТ (SrTi03: Bi). / ФТТ, 2005, т.47, вып. 12, с.2152−2156.
  38. С.В. Магнетизм.// Наука, М., (1971).
  39. Burns G. Glassy polarization behavior in ferroelectric compounds Pb (Mg1/3Nb2/3)03 and РЬ (2п,/зЫЬ2/з)Оз. / Burns G., Dacol F.N.// Solid State Commun. 1983.V.48.№ 10.P.853−856.
  40. Burns E. Crystalline ferroelectrics with glassy polarization behavior. / Burns
  41. E., Dacol F.H. // Phys. Rev. B. 1983. V.28. № 5. P.2527−2530.
  42. Viehland D. Deviation from Curie-Weiss behavior in relaxor ferroelectrics. /
  43. Viehland D., Jang S. J, Cross L. E, Wuttig M. // Phys. Rev. B. 1992. V.46. № 13. P.8003−8006.
  44. Dielectric spectra and Vogel-Fulcher scaling in Pb (INo.sNbo.5)03 relaxor ferroelectric./ Bokov A.A., Leschenko M.A., Malitskaya M.A. and Raevski I. P // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. l 1. P. 4899−4911.
  45. Kleeman W. Random-field induced antiferromagnetic, ferrolectric and structural domains states. Hint. J. Mod. Phys. B. 1993. V. 7. № 3. P. 24 692 507.
  46. Westphal V. Diffuse phase transition and random-field-induced domain statesof the «relaxor» ferroelectric PhMg^Nba^Cb. /Westphal V., Kleeman W. and Glinchuk M.D.// Phys. Rev. Lett. 1992. V.68. № 6. P.847−850.
  47. Glinchuk M.D. Relaxor ferroelectrics in the random field theory framework ./
  48. Glinchuk M.D., Farhi R. and Stefanovich V.A.// Ferroelectrics. 1997.V.199. P. 11−24.
  49. А.Э. Прозрачная сегнетокерамика в качестве объекта физических исследований, оптические и электронные свойства. // Фазовые переходы и сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках: Сб.науч.трудов. Рига, ЛГУ. 1984. С. 3−62.
  50. В.Б. Аномальные фото-э.д.с. в модели сильно легированного и компенсированного сегнетоэлектрика / Сандомирский В. Б., Халилов Ш. С., Ченский Е. В. //ФТТ. 1982. Т.24. № 1. С. ЗЗ 18−3326.
  51. А.Э. Случайные поля и фазовые переходы в прозрачной сегнетокерамике ДТСЛ //Сегнетоэлектрики: Сб.науч.трудов. Минск. МПИ. 1985. С.72−78.
  52. Glinchuk M.D. Theory of nonlinear susceptibility of relaxor ferroelectrics. /
  53. Glinchuk M.D. and Stephanovich V.A. // J.Phys.: Condens.Matter. 1998. V.10. P.11 081−11 094.
  54. Tagantsev A.K. Mechanism of polarization response in the ergodic phase of arelaxor ferroelectric. /Tagantsev A.K. and Glazounov A.E. //Phys. Rev. (B). 1998. V.57.№ 1.P.18−21.
  55. Tagantsev A.K. Dielectric non-linearity and the nature of polarization responseofPbMg1/3Nb2/303 relaxor ferroelectric. /Tagantsev A.K. and Glazounov A.E. //J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P. S951-S954.
  56. Glazounov A.E. Evidence for domain-type daynamics in ergodic phase of PbMgl/3Nb2/303 relaxor ferroelectric. /Glazounov A.E., Tagantsev A.K. and Bell A.J. // Phys. Rev.B. 1996. V.53. P. 11 281−11 289.
  57. Glazounov A.E. A «breathing» model for the polarization response of relaxorferroelectrics. /Glazounov A.E., and Tagantsev A.K. // Ferroelectrics. 1999. V. 221. P. 55−66.
  58. Nattermann T. Nucleation, pinning and hysteresis effects at the incomensurate-commensurate transition //J. Phys. C: Solid State Phys. 1985. V.18. № 30. P.5683−5996.
  59. Nattermann T. Dielectric tails in K2ZnCl4: no evidence for an intrinsic chaoticstate. //Phys. Stat. Sol. 1986. V. B133. №l.P.65−70.
  60. A.B. Низкочастотная диэлектрическая дисперсия в кристаллах ТГС. // Тезисы докл. VII науч. конф. по сегнетоэлектричеству. Воронеж. 1970. С. 136.
  61. Низкочастотная диэлектрическая дисперсия в кристаллах сегнетовой соли
  62. А.В., Попов Э. С., Рапопорт С. Л., Шувалов Л. А. // Кристаллография. 1970. Т.15. С. 1176−1181.
  63. A.B. Некоторые диэлектрические свойства полидоменных монокристаллов сегнетовой соли, триглицинсульфата и дигидрофосфата калия. // Дис. канд. физ. мат. наук. 1972. Волгоград. ВГПИ. 224с.
  64. A.B. Низко- и инфранизкочастотная диэлектрическая спектроскопия некоторых сегнетоэлектрических кристаллов и керамик. //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. т.51,№ 10. с.1726−1735.
  65. А. Старение монокристаллов титаната бария // ФТТ. I960. Т.2.6. C. I276-I282.
  66. Ф. Изменение ширины доменов в кристаллах триглицинсульфата со временем /Моравец Ф., Константинова В. П. // Кристаллография. 1968. Т.13. № 2. С.284−289.
  67. В.П. Исследование доменной структуры триглицинсульфата при старении . / Константинова В. П., Станковская Я. //Кристаллография. 1971.Т.16. № 1. C. I58-I63.
  68. Л.И. Влияние термических и электрических воздействий на процесс старения сегнетоэлектриков // Дис.канд.фиэ.-мат. наук. Калинин. КГУ. 1969. 238с.
  69. Л.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы КН2РО4 / Камышева Л. Н., Сидоркин A.C., Зиновьев И. Н. // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1984. Т.48. № 6. С.1126−1130.
  70. Fernandez J.F. Dielectric and piezoelectric aging of pure and Nb-doped BaTi03 /Fernandez J.F., Duran. P, and Moure CM Ferroelectrics. 1990. V.106. P.381−386.
  71. Plessner K.W.// Proc. Phys. Soc. 1956. V.69. P. 1261−1272.
  72. Ikegami S. Mechanism of Aging in Poly crystalline BaTi03 /Ikegami S. and
  73. I. //J.Phys.Soc.Jpn. 1967. V.23. P.725−734.
  74. О некоторых особенностях доменного вклада в диэлектрические свойствамонокристаллов ТГС на инфранизких и низких частотах / Шильников A.B., Попов Э. С., Шувалов Л. А., Донцова Л. И., Савин A.M.,
  75. В.П. //Сб. Физика диэлектриков и полупроводников. ВПИ. Волгоград. 1978. С.7−18.
  76. Diderichs Н. and Arlt G. //Ferroelectrics. 1986. V.68. P.281−287.
  77. .А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. /Струков Б.А., Леванюк А.П.//М.: Наука. 1983. 239с.
  78. Robel U. Dielectric aging and its temperature dependence in ferroelectric ceramic. / Robel U., Schneider-Stormann and Arlt G. // Ferroelectrics. 1995. V. 168. P. 301−311.
  79. Arlt G. Aging and fatigue in bulk ferroelectric perovskite ceramics. /Arlt G. and Robel U. // Integrated Ferroelectrics. 1993. V.3. P.343−349.
  80. V.M. Ischuk, Z.A. Samoylenko, V.L. Sobolev, J.Phys.: Condens. Matter, 18,11 371 (2006).
  81. Физика сегнетоэлектрических явлений. /Смоленский Г. А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник Н. Н., Пасынков Р. Е., Соколов А. И., Юшин Н. К. -Л.: Наука, 1985, 396 с.
  82. К. Борманис. Получение и свойства слоистых соединений типа перовскита./ М. Дамбекалне, А. Калване, А. И. Бурханов. Мисарова А.// ФТТ. 2006. Т.48. № 6. С. 1086−1087.
  83. В.А. Исупов. Некоторые особенности слоистых сегнетоэлектриков типа
  84. Ат., В12МтОзт+з// ФТТ. 1997. Т.39. № 1. С.135−136.
  85. Г. А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов цирконата бария в титанате бария. / Смоленский Г. А., Тарутин Н. П., Трушин Н. П. // ЖТФ. 1954. т. 24, вып. 9, с. 1584−1593.
  86. В.А. Электрические и оптические свойства монокристаллов-сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом. / Боков В. А., Мыльникова И.Е.// ФТТ, 1961, т. 3, вып. 3, с. 841−855.
  87. Low frequency dielectric response of PbMgi/3Nb2/303 /Colla E.V., Okuneva
  88. N.M., Koroleva E.Yu., Vakhrushev S.B.// J. Phys. Condensed Matter, 1992, v. 4, pp. 3671−3677.
  89. Tellier J. A comparative study of the Aurivillius phase ferroelectrics CaBi4Ti4Oi5 and BaBi4Ti4Oi5./ Boullay Ph., Manier M., Mercurio D. J. Solid State Chem. 2004. 177. № 6. C. 1829−1837.
  90. How R.Z. Substitution of Sm3+ and Nb3+ for Bi3+ in SrBi8Ti7027 mixed aurivillius phase./ Chen X.M., Wu S.Y.// Jap. J. Appl. Phys. Pt.l. 2003. 42. № 8. C.5169−5171.
  91. Pineda-Flores J.L. Synthesis and dielektric characteristics of the layered structure Bi4. xRxTi3Oi2 (Rx=Pr, Nb, Gd, Dy)./ Chavira E., Reyes-Gasga J., Gonzalez A.M., Huanosta-Tera A.J.// J.Eur.Ceram. Soc. 2003. 23. № 6. C.839−850.
  92. Yan Haixue. Dong Xianlin. Thermal depoling of high point Aurivillius phaseferroelectric ceramics./ Zhang Hongtao, Reece Michael J.//Appl. Phys. Lett. 2005.87. № 8. C.82 911/1−82 911/3.
  93. Aoyagi Rintaro. Ferroelectric and piezoelectric properties of bismuth layeredstructure ferroelectric (Sr, Na, Bi) Bi2Ta2C>9 ceramics./ Takeda Hiroaki, Okamura Soichiro, Shiosaki Tadashi// Mater. Sci. and Eng. B. 2005. 116. № 2. C.156−160.
  94. Власенко В. Г. Структура и диэлектрические свойства фазы ауривиллиуса
  95. Bi2,25Cao, 5Nao, 25Nb209./ Шуваев А. Т., Дранников Д. С., Пирог И. В., Зарубин И. А. // Неорган, матер. 2006. 42. № 5. С.596−602.
  96. Takenaka Т. Bismuth layer-structured ferroelectrics with high Curie temperatures: Тез. 3 Asian Meeting on Electroceramics, Singapore, 7−11 Dec, 2003./ Nagata H., Suzuki M.// (Япония, Tokio University of Science) Ceram. Int. 2004. 30. № 7. C.2053.
  97. Е.П. Синтез и электрофизические свойства смешанослойныхфаз Ауривиллиуса/ Воронкова В.И.// Неорган, матер., Vol:43, № 12, С.1488−1493.
  98. В.К., Сегнетоэлектрические висмутсодержащие соединения сосмешанной слоистой перовскитоподобной структурой./Воронкова В.И.// Кристаллография. 1988. Т. 33. № 15. С. 1278−1281.
  99. Teller J. The Ciystal Structure of the Mixed-Layer Aurivillius Phase Bi5Ti1.5W1.5O15./ Boullay Ph., Creon N., Mercurio D.// Solid State Sci. 2006. V. 7. P. 1025−1034.
  100. Cai Meng-Qiu. Electronic structures and ferroelectric properties of ABi2Ti209/
  101. Yin Zhen, Zhang Ming-Sheng.// Solid State Commun. 2005. 133. № 10. C.663−666.
  102. JI.C. Новая кристаллоструктурная фаза в нестехиометрическом по кислороду слоистом перовските NbBaCo205−72/ Троянчук И.О.// Письма в ЖЭТФ. 2005. Т.82.№ 11.С. 814−817.
  103. A.M. Особенности праыжковой проводимости в висмутсодержащей оксидной слоистой керамике/ Либерман З.А.// ФТТ. 2001. Т.43. № 11. С. 1966−1968.
  104. Huang Ping. Диэлектрические свойства слоистого композита висмута Sro-3Ba0(7Bi4.xLaxTi4Oi5./ Xu Tingxian, Sun Qingchi.// Guisuanyuan xuebao=J. Chin. Ceram. Soc. 2004. 32. № 7. C.808−811.
  105. Chon Uong. Layered perovskites with giant spontaneous polarizations for nonvolatile memories./ Jang Eyum M., Kim M.G., Chang C.H.// Phys. Rev. Lett. 2002. 89, № 8, c. 87 601/1−87 601/4.
  106. Fernandez J.F. Relaxor behavior of PbxBi4Ti3+xOi2+3X (x=2,3) Aurivillius ceramics./ Coballero A.C., Villages M., De Frutos J., Lascano L.// Apple. Phys. Lett. 2002. 81, № 25, c. 4811−4813.
  107. Borg Stefan. Structure study of Bi2,5Nao, 5Ta209 and Bi2,5Namis5Nbm03m+3 (m=2−4) by neutron powder diffraction and electron microscopy./ Svensson Goran, Bovin Jan-Oiov.// J. Solid State Chem. 2002. 167, № 1. c. 86−96.
  108. K. Yoshio. Ferroelectric phase transition and new intermediate phase in Bi-layered perovskite SrBi2Ta209./ A. Onodera, H. Yamashita.// Ferroelectrics, 2003. V.284. P. 65.
  109. ASTM-D 150−70 — Методы определения диэлектрической проницаемостии диэлектрических потерь твердых электроизоляционных материалов при переменном токе. // Сборник стандартов США. -М. 1979. ЦИОНТ ПИК ВИНИТИ № 25. С. 188−207.
  110. . Пьезоэлектрическая керамика. /Яффе Б., Кук У., Яффе Г. (Перевод с английского под ред. Л.А.Шувалова) // М: Мир. 1974. 288с.
  111. В.Н. Динамика доменных и межфазовых границ в сегнетоэлектрических твердых растворах на основе цирконата титаната свинца (компьютерный анализ) // Дис. канд.физ.мат.наук. Волгоград. ВолгГАСА. 1998. 172 с.
  112. Ю.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных диэлектриков и полупроводников./ Бордовский Г. А. //М: Наука. 1991. 248с
  113. Gridnev S.A. Dielectric relaxation in disordered polar dielectrics// Ferroelectrics. 2002. V.266. P. 171−209.
  114. P.H. Короткое. Диэлектрический свойства твердых растворов (l-x)0.7PbZr03−0.3Ko, 5Bio, 5Ti03.-xSrTi03 в окрестностях фазовых переходов./ С. П. Рогова, Н.Г. Павлова// ЖТФ. 1999. Том. 69. Вып. 3. С.35−38.
  115. A.B. Турик. Диэлектрические спектры неупорядоченных сегнетоактивных систем: поликристаллы и композиты./ Г. С. Радченко, А. И. Чернобабов, С. А. Турик, В. В. Супрунов.// ФТТ. 2006. Т48. В6. С.1088−1090.
  116. А.И. Бурханов. Особенности низко- и ифранизкочастотного диэлектрического отклика слоистых сегнетоэлектриков. /В.Н. Нестеров, Ю. В. Кочергин, К. Борманис, А. Калване, М. Дамбекалне.// Известия РАН. Серия Физическая. Т.71. № 10. 1453 (2007).
  117. A.B. Турик, В. Я. Мащенко, Г. И. Хасабова, А. Д. Феронов. Физика твердого тела. Т. 17. № 8. 2389 (1975).
  118. С.А. Гриднев. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики./ Л. Н. Коротков.// Сборник научных трудов. Калининград (1989). С. 16. Калинин, гос. ун-т — редкол.: В. М. Рудяк (отв. ред.) и др.
  119. А.И. Бурханов. Диэлектрические свойства разупорядоченной сегнетоэлектрической керамики PSN-PT/ С. А. Сатаров, A.B. Шильников,
  120. К. Борманис, А. Штернберг, А. Калване.// Известия РАН. Серия физическая. Т.68. № 7. 978 (2004).
  121. В.М.Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука. Москва. (1976). 408 с.
  122. А.А. Спрогис. Фазовый переход и сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках./ JI.A. Шебанов, В. И. Димза, А. И. Калване.// Сборник научных трудов. Рига. (1984). С. 63. Латвийский, гос. ун-т — редкол.: JI. Шебанов (отв. ред.) и др.
  123. А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материала.// Москва: Физматлит. 2000. 240с.
  124. Huang Y.N. Domain freezing in KDP and TGS. /Huang Y.N., Wang Y.N., Li X. and Ding Y. // Journal of the Korean Physical Society. 1998. V.32. P. S733-S736.
  125. Г. И. Реальная структура сегнетоэлектрических кристаллов и влияние воздействия на элементы этой структуры // Сегнетоэлектрики при внешних воздействиях: Сб.науч.трудов. Ленинград. ФТИ. 1981. С. 17−29.
  126. Al-Shareef H.N. Qualitative model for the fatigue-free behavior of SrBi2Ta209./ Dimos P., Boyle T.J., Warren W.L., Tuttle B.A.// Applied Physics Letters, V. 68, Issue 5, 1996, P. 690−692.
  127. П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. Учеб. Пособие для специальности «Полупроводники и диэлектрики» вузов. М., «Высшая школа». 1977. 448 с.
  128. А.И.Бурханов. Реверсивные зависимости диэлектрической проницаемости в сегнетокерамике х PZN-(l-x) PSN./ А. В. Алпатов, А. В. Шильников, К. Борманис, А. Калване, М. Дамбекалне, А.Штернберг.// Физика твердого тела 48, 1047 (2006).
  129. А.И. Влияние внешних воздействий на релаксационные явления в монокристалле Sr0.75Ba0.25Nb2O6. /Бурханов А.И., Шильников А. В., Узаков Р. Э. //Кристаллография. 1997. Т.42. № 6. С.1069−1075.
  130. Д.М. Сегнетоэлектрические конденсаторы. M-JL: Государственное энергетическое издательство. 1956.- 223с.
  131. Yul-Kyo CHUNG and Dong-II CHUN, J. of the Korean Physical Society, 32, S724 (1998).
  132. I.N.Geifman. Phase transitions in Kl-xLixTo03. Ferroelectrics 131, 207 (1992).
  133. B.M. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. -М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1986. 286 с.
  134. А.В. -Роль доменных и фазовых границ в процессах низко-и инфранизкочастотной поляризации и переполяризации модельных сегнетоэлектриков. // Дисс. д-ра физ.-мат. наук. 1988. 319с.
  135. Lord Rayleigh R.S. // Phil. Mag. 1887, Vol. 23, p. 225.
  136. Indrani Coondoo. Ferroelectric and piezoelectric properties of tungsten substituted SrBi2Ta209 ferroelectric ceramics./ S.K. Agarwal, A.K. Jha.// Materials Research Bulletin 44 (2009) 1288−1292.
  137. A.I. Burkhanov, A.V. Shil’nikov, O.N. Startseva, A.P. Prygunov, R.E. Uzakov, L.I. Ivleva. The Slow Processes of Polarization Relaxation in the
Заполнить форму текущей работой

На отлично!