Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Полупроводниковые генераторы на низкоразмерных резонаторах с характеристиками, регулируемыми магнитными и электрическими полями

Диссертация: Полупроводниковые генераторы на низкоразмерных резонаторах с характеристиками, регулируемыми магнитными и электрическими полями
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Вариационная методика позволяет рассчитать частотные зависимости коэффициента отражения низкоразмерной системы «емкостная диафрагмаблизко расположенный короткозамыкающий поршень» при выборе, в качестве базисной, системы собственных колебаний типа Hmnp для ТЕи ТМ-типов, где индексы изменяются в пределах m, n: 150 и более, р: 1-Н50 и более в широком диапазоне значений частоты, расстояний между… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Анализ современного состояния исследований полупроводниковых СВЧ-устройств на основе резонансных систем «штырь с зазором — короткозамыкатель»
    • 1. 1. Влияние постоянного магнитного поля на характеристики полупроводниковых СВЧ-генераторов
    • 1. 2. Электрическая перестройка резонансных характеристик систем типа «штырь с зазором — короткозамыкатель» полупроводниковым диодом
    • 1. 3. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия
    • 1. 4. Исследования полупроводниковых низкоразмерных СВЧ-систем
  • Глава 2. Исследование влияния стационарного магнитного поля на характеристики систем типа «штырь с зазором — близко расположенный короткозамыкатель»
    • 2. 1. Низкоразмерный СВЧ-генератор на диоде Ганна с магнитной перестройкой
    • 2. 2. Управляемые магнитным полем резонансы в системе «штырь с зазором — близко расположенный короткозамыкатель»
  • Глава 3. Резонансные системы с повышенной кривизной частотных характеристик и их применение
    • 3. 1. Резонансы в низкоразмерных электродинамических системах типа: «емкостная диафрагма — короткозамыкатель с выемкой» и «штырь с зазором — короткозамыкатель с выемкой»
    • 3. 2. Резонаторы с повышенной кривизной частотных характеристик на основе систем «штырь с зазором — короткозамыкатель с выемкой»
    • 3. 3. Подавление шумов лавинно-пролетного диода в низкоразмерной резонансной системе «металлический штырь — близко расположенный короткозамыкатель»
    • 3. 4. Низкоразмерный резонатор с повышенной кривизной частотных характеристик и электрической перестройкой по частоте
    • 3. 5. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп на основе низкоразмерного резонатора
  • Глава 4. Теоретическое описание низкоразмерных электродинамических систем «емкостная диафрагма — близкорасположенный короткозамыкающий поршень»
    • 4. 1. Расчет характеристик резонансных систем «емкостная диафрагма — короткозамыкающий поршень» в многомодовом приближении
    • 4. 2. Отражение СВЧ-излучения от низкоразмерного резонатора «емкостная диафрагма — короткозамыкающий поршень»
    • 4. 3. Результаты расчетов и измерений и их анализ

Полупроводниковые генераторы на низкоразмерных резонаторах с характеристиками, регулируемыми магнитными и электрическими полями (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность.

Область применения твердотельных СВЧ-устройств может быть существенно расширена при решении проблемы эффективного управления их частотными и амплитудными характеристиками. Возможность управления частотой полупроводниковых генераторов введением в них электрически управляемой полупроводниковой емкости хорошо изучена [1, 2]. Сравнительно хорошо изучена также возможность магнитной перестройки частоты СВЧ-генераторов введением в их схему ферритового элемента. Однако такого рода устройства обладают невысокой кривизной частотных характеристик в окрестности резонанса [3−5] и, в этой связи, малочувствительны к внешним воздействиям. Для повышения эффективности работы полупроводниковых СВЧ управляющих и измерительных устройств необходимо повышать кривизну частотных характеристик данных систем.

Возможности совершенствования параметров полупроводниковых СВЧ-устройств могут быть связаны как с изучением физических особенностей работы полупроводниковых структур в условиях воздействия СВЧ-излучения с целью их использования для повышения кривизны частотных характеристик СВЧ-устройств, так и с исследованием специфики взаимодействия СВЧ-колебаний и волн, связанной с электродинамическими системами, являющимися составными частями этих устройств. Отметим, что для теоретического моделирования ситуаций, характерных для указанных выше задач, необходимо решать сложную систему нелинейных дифференциальных уравнений, описывающих физические процессы, протекающие в полупроводниковых элементах при воздействии на них СВЧ-излучения, совместно с не менее сложной задачей по нахождению распределения поля в электродинамической системе, включающей в себя эти элементы. Решение этой задачи связано с достаточно высокими трудностями. Поэтому в большинстве случаев пользуются теми или иными упрощающими предположениями [3, 4, 6−19], к которым можно отнести использование при описании эквивалентной схемы полупроводникового элемента так называемого малосигнального, а при описании электродинамических систем — одномодового приближения.

Анализ исследований, посвященных особенностям волновых процессов в электродинамических системах, содержащих полупроводники, позволяет сделать вывод о том, что до настоящего времени в большинстве работ авторы ограничивались рассмотрением случаев одномодового распространения волны.

В то же время в работах [20−26], отмечалось, что вопреки предсказываемому в результате использования одномодовых представлений характеру взаимодействия СВЧ-излучения с полупроводниковыми структурами, могут наблюдаться качественно иные закономерности, связанные с существованием ближнего поля, обусловленного возбуждением волн высших типов.

Возбуждение волн высших типов в электродинамических системах, содержащих полупроводник, приводит к новым явлениям, описание которых с точки зрения «одномодовой» теории невозможно. В частности, в работах [35] показано, что возбуждением волн высших типов обусловлены эффекты смещения СВЧ-поля при воздействии внешнего постоянного магнитного поля на полупроводниковую пластину, расположенную в волноводе, и эффект невзаимного распространения волны в таком волноводе.

Немонотонный характер зависимости затухания в волноводе от положения, размеров и проводимости размещенного в нем полупроводникового образца, не характерный для одномодового режима распространения волны, объясняется в работах [22−24] тем, что при определенных условиях один из возбужденных высших типов волн распространяется с меньшим затуханием, чем волна основного типа.

Отметим, что в известной литературе исследованию возможности управления характеристиками систем, в которых существенную роль играют эффекты, связанные с существованием ближнего поля, электрическим или магнитным полем уделялось недостаточное внимание.

В литературе, посвященной многомодовому взаимодействию поля с неоднородностью, недостаточно развиты представления о процессе трансформации распределения суммарного поля при возбуждении волн высших типов, недостаточно исследованы случаи взаимодействия ближнего поля с полупроводниковыми структурами с регулируемой проводимостью, исследованы далеко не все особенности, связанные с возбуждением волн высших типов.

В тех немногочисленных работах, в которых рассматриваются ситуации, когда существенен учёт эффектов, связанных с ближним полем в системах, включающих полупроводниковые элементы, осталась не рассмотренной исчерпывающим образом возможность управления характеристиками таких систем, в частности, с помощью электрических и магнитных полей. В частности, не рассмотрены возможности повышения их чувствительности к внешним воздействиям при повышении кривизны частотных характеристик электродинамической системы.

К настоящему времени существует довольно большое число работ, посвященных проблемам ближнеполевой СВЧ-микроскопии [27−45]. По прежнему актуальна проблема повышения чувствительности ближнеполевых СВЧ-микроскопов. К числу нерешенных задач в этой области можно отнести, например, определение предела разрешающей способности, выяснение механизмов взаимодействия микрообъектов с ближним полем, влияния случайных возмущений на результаты измерений. Также не исследованы возможности повышения кривизны частотных характеристик резонансных систем, используемых в качестве измерительных элементов ближнеполевого микроскопа.

В связи с вышесказанным, представляет интерес развитие методов расчета ближнеполевых СВЧ-систем, в том числе систем с полупроводниковыми включениями, поиск путей улучшения характеристик при управлении этими системами с помощью электрических и магнитных полей, возможностей повышения кривизны частотных характеристик резонаторов и использование подобных систем для измерения параметров материалов.

Цель диссертационной работы состоит в увеличении чувствительности полупроводниковых СВЧ-устройств на основе низкоразмерных резонансных систем к внешним воздействиям: влиянию постоянного магнитного поля, электрического смещения и изменению физических параметров нагрузки.

Низкоразмерными называются такие электродинамические системы, в которых длина волны основного типа в 10 и более раз превосходит, по крайней мере, один из размеров системы [46, 47].

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Экспериментальное исследование характеристик низкоразмерных резонансных систем «штырь с зазором — короткозамыкатель», содержащих полупроводниковый элемент, при воздействии на полупроводниковый элемент электрического смещения или постоянного магнитного поля.

2. Разработка способа повышения кривизны частотных характеристик резонансных систем «штырь с зазором — короткозамыкатель».

3. Исследование возможности использования устройств на основе резонансных систем «штырь с зазором — короткозамыкатель с выемкой» для измерения электрических характеристик (диэлектрической проницаемости, проводимости) материалов.

4. Разработка алгоритма расчета амплитудно-частотных характеристик низкоразмерных резонансных систем типа «емкостная диафрагмакороткозамыкатель».

Научная новизна работы 1. Показана возможность расширения полосы частотной перестройки управляющим магнитным полем СВЧ-генератора на диоде Ганна на основе системы «штырь с зазором — короткозамыкатель».

2. Установлена возможность уменьшения шумов лавинно-пролетного диода, работающего в режиме СВЧ-генерации.

3. Экспериментально обоснована возможность повышения кривизны частотных характеристик низкоразмерного резонатора на основе системы «штырь с зазором — короткозамыкатель» при использовании короткозамыкателя с выемкой цилиндрической формы.

4. Показана возможность электрической перестройки частоты резонансной системы «штырь с зазором — короткозамыкающий поршень с выемкой» при использовании в качестве управляющего элемента полупроводникового диода.

5. Показана возможность использования устройств на основе резонансной системы «штырь с зазором — короткозамыкатель с выемкой» для измерения с повышенной локальностью электрических характеристик (диэлектрической проницаемости, проводимости) материалов.

6. Разработан алгоритм расчета коэффициента отражения и КСВН для систем типа «емкостная диафрагма — короткозамыкающий поршень» в широком диапазоне значений частоты, расстояний между поршнем и диафрагмой с использованием многомодового приближения.

Достоверность полученных теоретических результатов обеспечивается: достаточной строгостью используемых математических моделейкорректностью упрощающих допущенийсходимостью вычислительных процессов к искомым решениямвыполнимостью предельных переходов к известным решениямсоответствием результатов расчета экспериментальным данным.

Достоверность экспериментальных результатов обеспечена: применением современной стандартной измерительной аппаратурыметрологической поверкой измерительного оборудования и методик измеренияобработкой экспериментальных данных с помощью современных методов с использованием ЭВМвоспроизводимостью полученных результатов.

Практическая значимость.

Создан генератор на диоде Ганна, работающий в трехсантиметровом диапазоне длин волн, на основе низкоразмерной системы «штырь с зазоромкороткозамыкатель», позволяющий производить перестройку частоты изменением величины постоянного магнитного поля на 75Мгц.

На основе низкоразмерной системы «штырь с зазором — короткозамыкатель» реализован СВЧ-генератор на лавинно-пролетном диоде с пониженным уровнем шума.

Реализована резонансная система «штырь с зазоромкороткозамыкатель с цилиндрической выемкой» с повышенной кривизной частотных характеристик с введенным в нее полупроводниковым диодом, позволяющая производить перестройку резонанса по частоте при изменении величины напряжения обратного смещения на диоде.

Разработан ближнеполевой СВЧ-микроскоп на основе низкоразмерной резонансной системы «штырь с зазором — короткозамыкатель с выемкой», предназначенный для измерения электрических характеристик (диэлектрической проницаемости, проводимости) материалов.

Предложен алгоритм, позволяющий рассчитывать частотные характеристики низкоразмерных систем типа «емкостная диафрагмакороткозамыкающий поршень», качественно согласующиеся с экспериментом в широком диапазоне значений частоты (8−12ГГц), расстояний между поршнем и диафрагмой и другими параметрами электродинамической системы.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Диапазон невзаимной магнитной перестройки частоты и изменения выходной мощности СВЧ-генераторов на диодах Ганна может быть существенно расширен (более чем в 10 раз) по сравнению с известными схемами, если в качестве резонатора использовать низкоразмерную систему «металлический штырь с зазором — близко расположенный короткозамыкатель».

2. В полупроводниковых СВЧ ЛПД-генераторах на основе низкоразмерных резонансных систем уровень шума может быть существенно уменьшен (не менее чем в 10 раз) регулировкой расстояния между штырем и короткозамыкателем.

3. Низкоразмерная система «металлический штырь — близко расположенный короткозамыкатель с цилиндрической выемкой» обладает высокой кривизной частотных характеристик в окрестности резонанса (более чем в 100 раз по сравнению с известными схемами), частоту которого можно электрически перестраивать изменением напряжения на помещенном в систему диоде.

4. Используя низкоразмерную резонансную систему в виде «штырь с зазором — короткозамыкатель с выемкой» с петлей связи, оканчивающейся зондом, выступающим за пределы волновода, возможно с повышенной локальностью (от Юмкм) измерять диэлектрическую проницаемость (1.5-^-400) и проводимость (2−10″ 2-Ч07 Om''-м" 1) материалов на СВЧ.

5. Вариационная методика позволяет рассчитать частотные зависимости коэффициента отражения низкоразмерной системы «емкостная диафрагмаблизко расположенный короткозамыкающий поршень» при выборе, в качестве базисной, системы собственных колебаний типа Hmnp для ТЕи ТМ-типов, где индексы изменяются в пределах m, n: 150 и более, р: 1-Н50 и более в широком диапазоне значений частоты, расстояний между поршнем и диафрагмой и другими параметрами электродинамической системы.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и приложений. Работа изложена на 109 страницах, содержит 29 рисунков, 2 таблицы, список литературы включает 112 наименований, общий объем работы — 117 страниц.

Основные результаты и выводы, полученные в ходе выполнения диссертации, сводятся к следующему:

1. Показано, что использование низкоразмерной системы «металлический штырь с зазором — короткозамыкатель» в качестве резонатора, позволяет существенно расширить диапазон невзаимной магнитной перестройки частоты и изменения выходной мощности СВЧ-генераторов на диодах Ганна по сравнению с известными генераторами.

2. Установлено, что введение в схему СВЧ-генератора на ЛПД низкоразмерной резонансной системы «металлический штырь с зазором — короткозамыкатель» позволяет существенно снизить уровень шума генератора.

3. Установлено, что цилиндрическая выемка в близко расположенном к штырю с зазором короткозамыкателе приводит к существенному увеличению кривизны частотных характеристик, причем частотой резонанса можно электрически управлять изменением напряжения на помещенном в систему полупроводниковом диоде.

4. Использование низкоразмерной резонансной системы позволяет с повышенной локальностью измерять в широком диапазоне значений диэлектрическую проницаемость и проводимость материалов.

5. Установлено, что вариационная методика позволяет рассчитать частотные зависимости коэффициента отражения низкоразмерной системы «емкостная диафрагма — близко расположенный короткозамыкающий поршень».

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Д.А., Горбатов С. С. Управляемый магнитным полем СВЧ выключатель на p-i-n-диодах // ПТЭ, 2003. — № 1. — С. 72−73.
  2. Д.А., Горбатов С. С. Электрически управляемый СВЧ-резонатор // ПТЭ, 2006. № 3. — С. 100−102.
  3. ДА., Скрипаль А. В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях // Известия вузов. Радиоэлектроника. 1987. — Т.30. — № 5. — С.53−55.
  4. ДА., Горбатов С. С. Управляемые магнитным полем резонансы в СВЧ системах с полупроводниковыми диодами // Моделирование в прикладной электродинамике и электронике. Сбор, науч. тр. Вып.6. Изд. Сарат. Университета. 2005. — С.50−54.
  5. М.Е., Пожела Ю. К., Шур М.С. Эффект Ганна / Под. ред. С. М. Рывкина. М.: Сов. радио, 1975. — 288с.
  6. Levinstein М.Е., Nasledov D.N., Shur M.S. Magnetic field influence of the Gunn effect // Phys. Stat. Sol. 1969. — V.33. — № 2 — P.897−903.
  7. Boardman A.D., Fawcett W., Ruch J.G. Monte-Carlo determination of hot electron galvanomagnetic effects in gallium arsenide // Phys. Stat. Sol. (a). -1971. V.4. — № 1. -P.133−141.
  8. Heinle W. Influence of magnetic field on the Gunn effect characteristic of GaAs // Phys. Stat. Sol. (a). 1970. -V.2. — № 1. — P. l 15−121.
  9. В.Б., Левинштейн М. Е., Машовец Д. В. Влияние сильного поперечного магнитного поля на эффект Ганна // ФТП. 1979.- Т.13. Вып.З. — С. 563−569.
  10. А.А., Валов В. А., Козлов В. А., Мазов JLC. Значительное уменьшение порогового поля эффекта Ганна в сильном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 1980. — Т.372. — Вып. 11. — С.628−632.
  11. Ishii Т., Koryn P. Theoretical model of magnetic effect on the Gunn diode // Proc. IEEE. 1983. — V.71. — № 1. — P. 180−181.
  12. В.И., Эткин B.C. Исследование влияния магнитного поля на генерацию СВЧ колебаний при эффекте Ганна // Радиотехника и электроника. — 1975. — Т.20. -№ 11.- С.2416−2417.
  13. В.Н. Влияние магнитного поля на ширину динамических вольт-амперных характеристик диодов Ганна // Радиотехника и электроника. 1972.-Т.17. — № 5.-С.1046−1050.
  14. В.Н., Дранников Г. Р. К исследованию низкочастотных колебаний при эффекте Ганна в магнитном поле // Радиотехника и электроника. 1972.-Т.17. — № 5.-С.1100−1103.
  15. Perlman B.S., Upadhyayula C.L., Siekanowicz W.W. Microwave properties and applications of negative conductance transferred electron devices // Proc. IEEE. 1971. — V.59. — P. 1229−1237.
  16. Sterzer F. Transferred electron (Gunn) amplifiers and oscillators microwave applications // Proc. IEEE. 1971. — V.59. — № 8. — P. 1155−1163.
  17. A.C., Канцеров М. Ю. Зависимость амплитудных характеристик регенеративного СВЧ-усилителя от нелинейных свойств активного элемента // Радиотехника и электроника. — 1976. — Т.21. № 2.1. С.350−356.
  18. М.Ю., Тагер А. С. Влияние нелинейных свойств активного элемента на амплитудно-частотные характеристики регенеративногоусилителя // Радиотехника и электроника. 1977. — Т.22. — № 5. — С.988−994.
  19. А.А., Усанов Д. А. Резонансное затухание СВЧ мощности в полубесконечном волноводе, содержащем индуктивный штырь с зазором // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1986. — Т.29. — № 3. — С.53−57.
  20. Д. А., Горбатов С. С., Вениг С. Б., Орлов В. Е. Резонансы в полубесконечном волноводе с диафрагмой, связанные с возбуждением волн высших типов // Письма в ЖТФ. 2000. — Т.26. — Вып. 18. — С.47−49.
  21. Д.А., Горбатов С. С. Резонансы в волноводной системе «штырь с зазором близкорасположенный поршень» // Изв. вузов. Радиоэлектроника. — 2006. — Т.49. — № 2. — С.27 — 33.
  22. Д.А., Горбатов С. С. Резонансы в системах диафрагма — короткозамыкающий поршень // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. — 2001. Т.4. — № 3. — С. 13−20.
  23. Д.А., Горбатов С. С. Резонансы в системе диафрагма -короткозамыкающий поршень // Изв. вузов. Радиофизика. — 2001. — Т.34. № 12. — С.1046−1049.
  24. А.А., Усанов Д. А., Безручко Б. П., Вагарин А. Ю. Влияние высших типов колебаний на частоту перестраиваемого поршнем волноводного генератора Ганна // Радиотехника и электроника. — 1984. — Т.29. № 10. — С.2057 — 2058.
  25. В.Г., Лицов А. А., Усанов Д. А. Влияние высших типов колебаний на характеристики волноводных управляющих устройств на p-i-n диодах // Радиотехника и электроника. — 1983. — Т.28. — № 1. — С.201−203.
  26. Д.А. СВЧ микроскопия и области ее применения // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2007. — Т. 10 — № 3. — С.80−84.
  27. Anlage S.M., Steinhauer D.E., Feenstra B.J., Vlahacos C.P., Welstood V.C. Near-Field Microwave Microscopy of Material properties // Microwave Superconductivity. Amsterdam. — 2001. — P.23 9−269.
  28. Imtiaz A., Anlage S. A novel Microwave Frequeny Scanning Capacitance Microscope // Ultramicroscopy. 2003. — V.94 — Issues 3−4. — P.209−216.
  29. Dutta S.K., Vlahacos C.P., Steinhauer D.E., Thanawalla A.S., Feenstra B.I., Wellstood F.C., Anlage S.M., Newman H.S. Imaging microwave electric fields using a near-field scanning mivrowave microscope // Appl. Phys. Lett.- 1999-V.74.-P.156−158.
  30. A.H., Юрасова H.B. Ближнеполевая СВИ томография биологических сред // Журнал технической физики. — 2004. Т.74. — № 4.- С.108−117.
  31. Т., Вас I., Mirumo К. Scanning near-field millimeter-wave microscopy using a metal hit as a scanning probe // IEEE Trans. On microwave theory and techniques. 2001. — V.49. — № 3. — P.491−499.
  32. Gobovsky M., Galkin A., Davidov D. High spatial resolution resistivity mapping of large area YBCO films by a near-field millimeter-wave microscope // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1996. — V.44. — № 7. — P. 1390−1392.
  33. Д.А., Вагарин А. Ю., Безменов А. А. Устройство для измерения диэлектрической проницаемости материалов. Авторское свидетельство СССР № 1 114 979. Опубл. 07.08.84. Бюл. 35. Приоритет 22.06.82.
  34. Д.А., Коротин Б. Н., Орлов В. Е. Устройство для измерения толщин. Авторское свидетельство СССР № 1 450 602. Опубл. 07.08.88. Бюл. 29. Приоритет 11.08.86.
  35. Д.А., Лицов А. А. Устройство для измерения параметров матеиалов. Авторское свидетельство СССР № 1 493 939. Опубл. 15.07.89. Бюл.26. Приоритет 26.10.87.
  36. Д.А., Лицов А. А., Феклистов В. Б., Тупикин В. Д., Вагарин А. Ю. Устройство для измерения параметров материалов. Авторское свидетельство СССР № 788 039. Опубл. 07.02.91. Бюл.5. Приоритет 16.03.89.
  37. Black R.C., Wellstood F.C., Dantsker Е., Miklich А.Н., Kingston J.J., Nemeth D.T., Clarke J. Eddy current microscopy using a 77-K superconducting sensor // Appl. Phys. Lett. 1994. — V.66. — P. 100−102.
  38. Imtiaz A.M., Anlage S.M. Effect of tip-geometry on contrast and spatial-resolution of the near-field microwave microscope // Journ. of Appl. Physics. 2006. — V.100. — P.4 44 304- 44 304−8.
  39. Dutta S.K., Vlahacos C.P., Steinhauer D.E., Thanawalla A.S., Feenstra B.J., Wellstood F.C., Anlage S.M. Imaging microwave electric field using a near-field scanning microwave microscope // Appl. Phys. Lett. — 1999. — V.74. P.156−158.
  40. Lai K., Kundhikanjanna W., Kelly M., Shen Z.X. Modeling of a cantilever-based near-field scanning microwave microscope // Rev. Sci. Instrum. 2008. — V.79. — P.63 703
  41. C.C., Сорокин A.H., Усанов Д. А. Частотные характеристики низкоразмерных волноводных систем типа «емкостная диафрагма короткозамыкающий поршень» // Известия вузов. Радиоэлектроника. — 2008. — № 5. — С.77−80.
  42. Д.А., Горбатов С. С. Управляемые магнитным полем резонансы в системе «штырь с зазором близко расположенный поршень» // Радиотехника и электроника. — 2008. — Т.53. — № 3. — с.311−315.
  43. Д.А., Горбатов С. С. Управляемое магнитным полем пропускание света системой из металлических диафрагм с отверстиями, разделенного тонким слоем диэлектрика// Письма в ЖТФ. — 2004. Т.ЗО. — № 14. — С.25−28.
  44. С.С., Семенов А. А., Усанов Д. А., Сорокин А. Н., Кваско В. Ю. Магнитная перестройка частоты СВЧ генератора на диоде Ганна // Известия вузов. Радиоэлектроника. — 2009. — № 3. С.77−80.
  45. Д. А., Горбатов С. С. Волноводный измерительный резонатор // Радиоэлектроника. 2002. — № 9. — С.26−28.
  46. А.С., Вальд-Перлов В.М. Лавинно-пр о летные диоды и их применение в технике СВЧ. — М.: Сов. радио, 1975. 480с.
  47. Д.А. Возможные направления совершенствования параметров устройств полупроводниковой СВЧ-электроники // Радиотехника. 1999. — № 4. — С.96−99.
  48. Tsai W., Rosenbaum F.J., MacKenzie L.A. Circuit analysis of waveguide cavity Gunn-Effect oscillator // IEEE Trans. — 1970. — v. MTT-18. -№ 11.-P. 808−817.
  49. P., Кан P. Теоретическое и экспериментальное исследование держателя СВЧ элемента в волноводе // Зарубежная радиоэлектроника. — 1970. — № 8. — С. 102−125.
  50. А.Е., Кравцов Ю. А., Рылов В. А. Параметрические генераторы и делители частоты. М.: Сов. радио, 1966. — 335с.
  51. White J.F. Simplified theory for post coupling Gunn Diodes to waveguide II IEEE Trans. 1972. — v. MTT-20. — № 6. — P. 372−378.
  52. Kramer N.B. Characterization and modeling of IMP ATT oscillators// IEEE Trans. 1968. — v. ED-15. — № 11. — P. 838−846.
  53. E., Бейярд Д. Р. Теория генератора на туннельном диоде в СВЧ-элементе // ТИИЭР. 1966. — Т.54. — № 4. — С.177−183.
  54. Getsinger W.J. The packaged and mounted diode as a microwave circuit // IEEE Trans. 1966. — v. MTT-14. — № 2. — P.58−69.
  55. Iperen van B.B. Impedance relation in a diode waveguide mount // IEEE Trans. 1968. — v. MTT-16. — № 11. — P.961 -963.
  56. Johnson K.M. Broad band cavity — type parametric amplifier design // IRE Trans. — 1961. — v. MTT-9. — № 2. — P. 187−194.
  57. Ч.А. Точечные и плоскостные диоды миллиметрового диапазона // ТИИЭР. 1966. — Т.54. — № 4. — С. 143−156.
  58. Howes M.J. Circuit consideration in the design of wide-band tunable transferred electron oscillators // IEEE Trans. — 1970. — v. ED-17. — № 12. -P. 1060−1067.
  59. Jethva C.P., Qunshor R.L. An analysis equivalent circuit representation for waveguide mounted Gunn oscillator // IEEE Trans. — 1972. — v. MTT-20.-№ 9.-P. 565−572.
  60. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ / Под ред. М. Хауэса, Д. Моргана. Пер. с англ. под. ред. B.C. Эткина. М.: Мир, 1979. — 444с.
  61. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Г. Уоткинса. Пер. с англ. под ред. B.C. Эткина. -М.: Мир, 1972. 662с.
  62. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия / Пер. с англ.-М.: Мир, 1991.-632с.
  63. Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение / Под ред. В. И. Стафеева. М.: Мир, 1968. — 376с.
  64. Г. Б., Орлов О.С. p-i-n-диоды в широкополосных устройствах СВЧ. М.: Сов. радио, 1970. — 200с.
  65. А.С. Некоторые тенденции развития полупроводниковых приборов СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1977. — Вып. 11.-С.21−39.
  66. А.С. Перспективные направления полупроводниковой электроники СВЧ // Литовский физич. сб. 1981. — № 4. — С.23−44.
  67. А.А., Тагер А. С., Темнов A.M. Полупроводниковые приборы СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 1993. — Вып.1. -С.34−45.
  68. Brown E.R., Sollner T.C.L.G., Goodhue W.D., Parker C.D. Millimeter-band oscillations based on resonant-tunneling in a double-barier diode at room temperature // Appl. Phys. Lett. 1987. — V.50. — P.83−85.
  69. И.В. Нелинейные свойства и характеристики СВЧ p-i-n-диодов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1979. — Т.22. — № 10. — С. 17−26.
  70. Полупроводниковые приборы СВЧ / Пер. с англ. под Ф. Бренда. -М.: Мир, 1972.- 146с.
  71. Dean М., Howes M.J. An electronically tuned Gunn oscillator circuit // IEEE Trans. 1973. — v. ED-20. — № 6. — P. 597−598.
  72. Dean M., Howes M.J. Electronic tuned of stable transferred electron oscillator // IEEE Trans. 1974. — v. ED-21. — № 9. — P. 563−570.
  73. Joshi J.S., Cornick J.A.F. Analysis of a waveguide mounting configuration for electronically tuned transferred electron-devices oscillator and its circuit application // IEEE Trans. — 1976. — v. MTT-24. — № 9. — P. 573 584.
  74. Irvin J.C., Swan C.B. A composite varactor for simultaneous high power and high efficiency harmonic generator // IEEE Trans. 1966. — v. ED-13. -№ 5.-P. 466−471.
  75. Genner R. Phase shifter in waveguide at С band using two diodes // Electron. Lett. 1971. — V.7. — № 16. — P. 474−475.
  76. Dean M., Howes M.J. J-Band transferred electron oscillators // IEEE Trans. — 1973. — v. MTT-21. — № 3. — P. 121 -127.
  77. К., Могалхес Ф. М. 10-W генератор на ЛПД Х-диапазона, использующий метод сложения мощностей // ТИИЭР. 1971. — Т.59. -№ 1. -С.109−110.
  78. Kurokawa К. The single cavity multiple — device oscillator// IEEE Trans. — 1971. — v. MTT-19. — № 10. — P. 793−801.
  79. Ferdo I. Single state, multi — diode amplifier design and performance // Microwave Jornal. — 1974. — v. 17, № 2. pp. 52−56.
  80. Hanson D.C., Rowe J.E. Microwave circuit Characteristics of Bulk GaAs Oscillators// IEEE Trans. 1967. — v. ED-14. — № 9. — P. 469−476.
  81. Clemetson W.J., Kenyon N.D., Kurokawa K., Owen В., Schlosser W.O. An experimental mm Wave path length modulator // The Bell System Tech. Journal. — 1971.-V.50. -№ 9.-P. 2917−2945.
  82. Р., Кон Ж., Коттон Дж., Паккард Р. Ф. Полупроводниковые диодные детекторы, смесители и умножители частоты миллиметрового диапазона//ТИИЭР. 1966. -Т.54. — № 4. — С. 165−176.
  83. R.L. // IEEE MTT-S. Int. Microwave Sump., Cheny Hill, N.S. — 1976. -P.60.
  84. Eisenhart R.L., Grelling P.T., Roberts L.K., Robertson R.S. A useful equivalent for a coaxial waveguide junction // IEEE Trans. — 1978. -v.MTT-26. — № 3. — P. 172−174.
  85. Ю. Неоднородности в волноводах// Зарубежная радиоэлектроника. — 1970. № 3. — С.3−106.
  86. Chang К., Khan P. J. Analysis of a narrow capacitive strip in waveguide // IEEE Trans. 1974. — v. MTT-22. — № 5. -P. 536−541.
  87. Collin R.E. Foundation for Microwave Engineering: 2 Band. New Jork-London: McGraw- Hill. — 1966. -B.l. P.589- B.2. P.362.
  88. JI. Теория волноводов: Методы решения волноводных задач Пер. с англ./Под ред. В. И. Вольмана. — М.: Радио и связь, 1981. — 312с.
  89. Л. Современная теория волноводов. М.: ИЛ, 1954. — 216с.
  90. Mizushina S., Kuwabara N., Kondoh H. Theoretical analysis of a ridged — waveguide mounting structure // IEEE Trans. 1977. — v. MTT-25. — № 12. -P. 1131−1134.
  91. Montgomery J.P. On the complete eigenvalue solution of ridged waveguide // IEEE Trans. 1971. — v. MTT-19. — № 6. — P. 547−555.
  92. El-Sayed O.L. Impedance characterization of a two post mounting structure for varactor — tuned Gunn oscillators // IEEE Trans. — 1974. -v.MTT-22. — № 8. — P. 769−776.
  93. El-Sayed O.L. Generalized analysis of parallel two-post mounting structures in waveguide // IEEE Trans. 1977. — v. MTT-25. — № 1. — P. 24−33.
  94. Joshi J.S., Cornick J.A.F. Analysis of waveguide post configurations: part 1 Gap Immittance Matrices // IEEE Trans. — 1977. — v. MTT-25. — № 3. -P. 169−173.
  95. M. E. Основные ограничения в ВЧ переключателях на полупроводниковых диодах // ТИИЭР. -1964.-№ 11.- С. 1491−1494.
  96. Ю.К., Сестрорецкий Б. В., Синьков Ю. А. Полупроводниковые ограничители мощности СВЧ // Вопросы радиоэлектроники, сер. 12. 1962. — Вып.9. — С.58−75.
  97. Garver R.V. Microwave semiconductors control devices // IEEE Trans. 1979. V. MTT-27. — № 5. — P.523−529.
  98. . А. Аппроксимационные модели электродинамических систем твёрдотельных устройств мм-диапазона длин волн// Изв. ВУЗов радиоэлектроника. 1983. — Т.26. — № 10. — С.38−45.
  99. В.В. Вариационные методы для внутренних задач электродинамики. — М.: Наука, 1967. — 460с.
  100. С.Б., Тагер А. С., Кальфа А. А. Математическое моделирование и анализ на ЭВМ высокочастотных характеристик диодов Ганна // Электронная техника. Сер.1 Электроника СВЧ. 1976. -Вып. 10. — С. 19−31.
  101. JI.A. Основы регистрации данных и планирование эксперимента. Учебное пособие: Изд во ЧТУ, Чебоксары, 2006. — 200с.
  102. С. А., Дьяков Ю. Е., Чиркин А. С. Введение в статистическую радиофизику и оптику. М.: Наука, 1981. — 640с.
  103. К.Р., Купер В. Я. Методы и средства измерений. М.: Энергоатомиздат, 1986. — 448с.
  104. Г. В. Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на СВЧ. Патент на изобретение РФ № 2 234 103, МПК G01R 27/26. Опубл. 10.08.2004. Приоритет 12.05.2003.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!