Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Моделирование методом Монте-Карло процессов испарения, конденсации и диффузии в светоизлучающих материалах

Диссертация: Моделирование методом Монте-Карло процессов испарения, конденсации и диффузии в светоизлучающих материалах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Процессы роста, испарения и диффузии успешно описываются решеточным вариантом метода Монте-Карло. Суть метода Монте-Карло состоит в воспроизведении с помощью ЭВМ функционирования вероятностной модели некоторого объекта. При применении метода Монте-Карло моделируются случайные величины с известными законами распределения и по заданным алгоритмам вычисляются значения более сложных величин. Изучена… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ АДСОРБЦИИ, ДЕСОРБЦИИ И ДИФФУЗИИ АТОМОВ И ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МОНТЕ-КАРЛО ДЛЯ ИХ МОДЕЛИРОВАНИЯ (ОБЗОР)
    • 1. 1. Метод Монте-Карло
    • 1. 2. Процесс испарения и конденсации атомов вольфрама при работе ламп накаливания
    • 1. 3. О механизмах роста нитевидных кристаллов
      • 1. 3. 1. Диффузионно-дислокационная модель
      • 1. 3. 2. Механизм «Пар-жидкость-кристалл»
      • 1. 3. 3. Диффузионно-капельная модель
      • 1. 3. 4. Другие бездислокационные механизмы
    • 1. 4. Активация люминофоров диффузией и влияние дефектов структуры на этот процесс
  • ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ИСПАРЕНИЯ И
  • КОНДЕНСАЦИИ ВОЛЬФРАМА
    • 2. 1. Методика моделирования
      • 2. 1. 1. Расчетные формулы
      • 2. 1. 2. Геометрическое моделирование
    • 2. 2. Описание и работа программы
    • 2. 3. Результаты, их обсуждение и сравнение модели с экспериментом
  • ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ РОСТА НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ
    • 3. 1. Методика моделирования
      • 3. 1. 1. Расчетные формулы и геометрическое моделирование
      • 3. 1. 2. Описание и работа программ
    • 3. 2. Результаты и их обсуждение
    • 3. 3. Сравнение результатов моделирования с экспериментом
  • ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА АКТИВАЦИИ ЛЮМИНОФОРОВ ДИФФУЗИЕЙ ПО ДИСЛОКАЦИЯМ
    • 4. 1. Распределение примесей вдоль оси дислокации
    • 4. 2. Распределение примесей вокруг оси дислокации
    • 4. 3. Сравнение модели с экспериментом
  • ВЫВОДЫ

Моделирование методом Монте-Карло процессов испарения, конденсации и диффузии в светоизлучающих материалах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Сфера применения источников света различного назначения неуклонно расширяется. Постоянно растут требования к техническим и эксплуатационным характеристикам светоизлучающих материалов. Очень широк спектр физических воздействий на конструкционные материалы в процессе их технологической обработки и эксплуатации. Кроме того, на характеристики ис- - точников света могут влиять несовершенства структуры материалов: границы зерен, дислокации, поры и т. д. Отсюда вытекает необходимость изучения закономерностей физических процессов в источниках света и влияния на них структурных несовершенств с целью оптимизации их изготовления и применения. Изучить на атомном уровне физические процессы в светоизлучающих материалах позволяют методы математического моделирования, использующие современные быстродействующие ЭВМ. Вычислительные эксперименты позволяют неограниченно расширить интервалы температур, давлений, концентраций и т. д., разделить влияние различных физических факторов и • получить набор следствий из представлений, лежащих в основе физической модели процесса.

Численное моделирование составляет неотъемлемую часть современной фундаментальной и прикладной науки, причем по важности оно приближается к традиционным экспериментальным и теоретическим методам. Развитие компьютерных технологий приводит к новому взгляду на физические системы.

Численное моделирование имеет много общего с лабораторными экспериментами. Такой вычислительный эксперимент служит мостом между ла- - бораторными экспериментами и теоретическими расчетами.

Процессы роста, испарения и диффузии успешно описываются решеточным вариантом метода Монте-Карло. Суть метода Монте-Карло состоит в воспроизведении с помощью ЭВМ функционирования вероятностной модели некоторого объекта. При применении метода Монте-Карло моделируются случайные величины с известными законами распределения и по заданным алгоритмам вычисляются значения более сложных величин.

Растущий кристалл представляет собой естественную решеточную систему, на которую конденсируется некристаллические ростовые единицы (атомы, молекулы, ионы). Процессы адсорбции-десорбции и диффузионные перемещения носят случайный характер и могут быть описаны вероятностными соотношениями.

В процессе роста на поверхности кристалла появляются многочисленные структурные детали, например скопления атомов, поверхностные ступени, винтовые дислокации, которые все начинаются с микроскопических, атомных масштабов длин, но которые могут приводить к кооперативным явлениям макроскопических масштабов. Все эти структуры зависят от симметрии решетки подложки и от типа и дальности взаимодействий между атомами.

Поверхностная диффузия адсорбированных атомов может приводить к заметному изменению характеристик роста. Атомы, адсорбированные изолированными узлами обычно испаряются до того, как их захватят уже существующие кластеры. Диффундирующие по поверхности атомов имеют больше шансов до испарения встретить другие адашмы и кластеры.

Так как при применении ЭВМ имеют дело с довольно малыми моделируемыми системами, то обычно используют периодические граничные условия для моделирования бесконечной поверхности кристалла с заданной кристаллографической ориентировкой.

Несмотря на то, что исследования в области светоизлучающих материалов ведутся очень давно, к моменту начала работы метод Монте-Карло для них почти не применялся.

ЦЕЛЬЮ РАБОТЫ являлось описание кинетики процессов испарения и роста, а также диффузии в светотехнических материалах численным методом Монте-Карло.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Разработать математическую модель процессов, происходящих на поверхности тела накала. Применить полученную модель для описанных процессов испарения и осаждения атомов вольфрама в процессе эксплуатации лампы накаливания.

2. Разработать математические модели роста нитевидных кристаллов с учетом процессов адсорбции-десорбции и диффузии атомов и применить их к описанию различных механизмов образования таких кристаллов в галогенных лампах.

3. Разработать математическую модель диффузионного внедрения активатора в кристалл люминофора и проанализировать на ее основе влияние дефектов структуры на люминесценцию.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Математическая модель изменения структуры поверхности тела накала с учетом процессов испарения и конденсации атомов. Результаты применения полученной модели для описания процесса работы лампы накаливания с вольфрамовым телом накала.

2. Математические модели роста нитевидных кристаллов по диффузи-онно-дислокционному механизму и механизму пар-жидкость кристалл. Выявлены условия реализации того или иного механизма роста таких кристаллов на поверхности тела накала в галогенных лампах.

3. Математическая модель внедрения активатора в кристалл люминофора и результаты исследования методом Монте-Карло распределения атомов активатора в присутствии структурных несовершенств.

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ

Подавляющее большинство конструкции-онных материалов в источниках света используется в твердом (конденсированном) состоянии. Изменении их свойств в процессе изготовлении и эксплуатации проявляется прежде всего в изменении их структуры на атомном уровне, в том числе в возникновении и взаимных превращениях дефектов кристаллической решетки.

Несмотря на то, что в настоящее время накоплен большой объем данных о дефектах и связанных с ними структурных свойствах к моменту начала работы отсутствовала микроскопическая картина кинетики испарения тела накала, оставались неясными механизмы роста нитевидных кристаллов вольфрама в процессе работы ламп и роль дефектов в тушении люминесценции. Повышение эксплуатационных характеристик источников света невозможно без изучения физических процессов в светоизлучающих материалах на атомном уровне. Это определило актуальность темы. Для решения указанных проблем был использован комплексный подход, сочетающий в себе теоретическое моделирование указанных процессов в сравнении с многочисленными экспериментальными данными.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА. Впервые проведено изучение методом Монте-Карло процессов испарения, конденсации и диффузии в светоизлучающих материалах в присутствии структурных дефектов: границ зерен, вакансий, дислокаций. Разработаны соответствующие математические модели и реализующие их компьютерные программы.

Методом машинного моделирования исследована кинетика роста нитевидных кристаллов в галогенных лампах. Установлены условия реализации того или иного механизма их образования.

Исследован процесс внедрения атомов активатора в решетку люминофора и влияние на их распределение структурных дефектов.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ работы состоит в создании программных средств, реализующих эффективные методы машинного моделирования, которые позволяют исследовать структуру светотехнических материалов, ее изменения и физические свойства, связанные с ними.

Разработанный пакет программ может быть использован при исследовании светотехнических материалов при различных эксплуатационных условиях и режимах их изготовления. Программы также могут быть использованы в качестве демонстрационных средств в учебном процессе.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Основные результаты работы докладывались на:

— 2-й Научно-методической конференции «Использование научно-технических достижений в демонстрационном эксперименте», Саранск, 1994,.

— 9-й Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов, Томск, 1996,.

— Международной научно-технической конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики», Саранск, 1997,.

— Всероссийской научно-технической конференции «Особенности и тенденции развития инженерного университетского образования», Саранск, 1997,.

— Научном семинаре Средневолжского математического общества под руководством профессора Е. В. Воскресенского при Мордовском Государственном Университете им. Н. П. Огарева, Саранск, 1998,.

— 1-й Всероссийской научно-технической конференции «Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве», Нижний Новгород, 1999.

По теме диссертационной работы опубликованы следующие статьи и тезисы:

1. Коган А. Н., Молина (Росланова) О. В., Молин В. Н. Моделирование процессов испарения вольфрама и роста нитевидных кристаллов на его поверхности// Радиофизика и электроника./ Сборник научных трудов. Саранск. — 1994. — С. 66−71.

2. Aleksandrov L. N., Kogan A. N., Mordyuk V. S., Tichonova N. P., Roslanova O.V. The Study of Whisker Growth by the Monte-Carlo Method.// Phys. Stat. Sol.(a), 147,461−465, 1995.

3. Zolotkov V. D. Mordyuk V. S., Roslanova О. V., Molin V. N. About the Model of Dislocation-Zone Luminescence Spectrum Widening, aroused by UV-radiation.// Тезисы докл. 9-ой Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов. — Томск. — 1996. — С.283−284.

4. Золотков В. Д., Мордюк В. С., Молин В. Н., Росланова О. В. О зонной структуре деформированного люминофора.// Тезисы докл. Международной научно-технической конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики». — Саранск. -1997. — С. 9.

5. Росланова О. В., Иванов О. Ю., Карьгин И. П., Мордюк В. С., Тихонова Н. П. Физическое и компьютерное моделирование процессов в материалах для источников света.// Тезисы Всероссийской научно-технической конференции «Особенности и тенденции развития инженерного университетского образования». — Саранск. — 1997. — С. 9.

6. Молина О. В. Моделирование методом Монте-Карло процессов испарения, роста и диффузии в светотехнических материалах. Средневолж-ское матем. общество, препринт № 13. — Саранск. — 1998. — 16 с.

7. Росланова О. В., Иванов О. Ю., Золотков В. Д., Молин В. Н., Мордюк В. С. Компьютерное моделирование процесса активации люминофоров диффузией по дислокациям.//Источники излучения. — Саранск. — 1999. — С. 57−64.

8. Атаев А. Е., Лисицын В. М., Мордюк В. С. Росланова О. В. и др. Компьютерные модели физических процессов в светотехнических материалах и производстве.// Тезисы докладов 1-й Всероссийской научно-технической конференции «Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве». — Нижний Новгород. — 1999. — С. 3−8.

ВЫВОДЫ.

1. Разработаны математические модели:

— изменения структуры поверхности тела накала с учетом процессов испарения и конденсации атомов для описания процесса работы лампы накаливания с вольфрамовым телом накала,.

— роста нитевидных кристаллов по диффузионно-дислокционному механизму и механизму пар-жидкость кристалл на поверхности тела накала в галогенных лампах,.

— внедрения активатора в кристалл люминофора и перераспределения атомов активатора в присутствии структурных несовершенств.

Составлены реализующие эти модели программы на языках QWBASIC и TURBOPASCAL.

2. Показано, что испарение вольфрамового тела накала при работе лампы происходит по ступенчатой модели с образованием кристаллографической огранки и выходом на поверхность плотноупакованных плоскостей (110), устойчивых к испарению, а по границам зерен образуются канавки термического травления.

3. Изучены на атомном уровне различные механизмы образования нитевидных кристаллов на теле накала в процессе работы галогенных ламп. Показано, что морфология нитевидных кристаллов зависит от механизма их образования. В случае нарушения галогенного цикла растут тонкие ветвящиеся и пересекающиеся кристаллики, в случае выхода на поверхность супердислокации — полые кристаллы.

4. Определена энергия активации диффузионного роста нитевидных кристаллов, которая составляет 144 кДж/моль (1,5 эВ), что близко к экспериментально полученным значениям (160 кДж/моль).

5. Показано, что при росте нитевидных кристаллов по механизму «пар-жидкость-кристалл» на скорость роста оказывает влияние комплекс различных факторов: температура кристалла, род активирующей рост примеси и ее концентрация.

6. Изучена диффузия атомов активатора в кристаллах люминофора при наличии краевых дислокаций. Показано, что в этом случае диффузия примесей идет главным образом вдоль осей дислокаций, вокруг которых образуются атмосферы Коттрелла. Это приводит к уменьшению эффективности люминесценции за счет изменения вероятностей возбуждения и излучения актаваторных центров вокруг дислокационного ядра.

7. Определены безразмерные машинные коэффициенты диффузии по регулярной решетке и по дислокациям при разных температурах и значение энергии активации диффузии атомов активатора, которая составляет 0,8 эВ.

8. По результатам моделирования показано, что перераспределение активаторов в области дислокационного ядра может приводить к асимметрии спектров излучения активаторных полос, что наблюдалось в ряде экспериментальных работ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К. Введение. Общие вопросы теории и техники статистического моделирования методом Монте-Карло// Методы Монте-Карло в статистической физике. М.: Мир, 1982. — С. 7−57.
  2. Metropolis N., Rosenbluth A., Rosenbluth М., Teller A. Equation of state calculation by fast computing machines// J. Chem. Phys. 1953. — Vol.21, N 6.-P. 1087−1092.
  3. C.M. Метод Монте-Карло и смежные вопросы. М.: Наука, 1971.-327 с.
  4. Вуд В. Исследование моделей простых жидкостей методом Монте-Карло// Физика простых жидкостей, экспериментальные исследования. М.: Мир, 1973. -С. 275−394.
  5. Л.М., Бочкова Р. В., Коган А. Н., Тихонова Н. П. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991. — 168 с.
  6. Michaels A.J., Ives М.В. Monte-Carlo simulation of diffusion and evaporation on a (100) surface of an fee crystal// Proc. Intern. Conf. Comput. Simul. Mater. Appl. Phys. Gaithersburg., Md. 1976. — Vol.1. — P.133−142.
  7. Lavine J.P., Losee D.P. Monte-Carlo treatment of impurity diffusion in polycrystallme films// J.Appl.Phys. 1984. — Vol.56, N 4. — P.924−926.
  8. Tringides M., Gomer R. A Monte-Carlo study of oxygen diffusion on the (100) plane of tungsten//Surf.Sci. 1984. -Vol. 145, N 1.-P.121−144.
  9. Paul M. Diffusion-controlled deposition of fibers and surfaces// Phys.Rev. A. 1983. — Vol. 27, N 5. — P.2616−2626.
  10. Franke H., Lacmann R. Monte-Carlo simulation of dendrites development from very small crystals// Phys. Stat. Sol. (a). .1980. — Vol. 60, N 2. -P. 475−478.
  11. Lavine J. P. Monte-Carlo simulation of impurity diffusion in thin films diffusion barriers// J.Appl.Phys. 1986. — Vol. 59, N 6. — P. 1986−199L
  12. Л.H., Мордюк B.C. Внутреннее трение и физические свойства тугоплавких металлов. Саранск: Мордовское книжное издательство, 1966.-252 с.
  13. Д., Паунд Г. Испарение металлических кристал-лов//Проблемы физики. Элементарные процессы роста кристаллов. М.: Изд. Иностр. Лит. 1959. — С. 191−216.
  14. B.C., Вдовин А. И. Учет межатомных связей и порядок испарения поверхностных атомов вольфрама-УМатериалы с частично и сильно разупорядоченной структурой/.Межвузовский сборник научных трудов. Саранск, МГУ имени Н. П. Огарева. 1990. — 127 с.
  15. B.C. Физические модели, структурные механизмы и методы замедления процессов старения материалов для источников света //Автореф.докт.дисс. Москва, МЭИ, 1995. 38 с.
  16. B.C. Физические модели, структурные механизмы и методы замедления процесса старения материалов в ИС. Докт.диссер.
  17. А.П. Электрические источники света. Госэкс^гойзДмТ^ М. -Л.: 1955.-288 с,
  18. Л. Н., Мордюк В. С., Рубцов А. А., Токарев А. Г. Рост и декристатлизация «усов» вольфрама в контролируемой атмосфере.// Тезисы докладов 6-й Всесоюзной конференции по рост}' кристаллов. Ереван, 1987. -Т. 2. -С. 57.
  19. Aieksandrov L, N., Mordyuk V. S., Rubtzov A. A., Tokarev A. G. Growth and Removing of Tungsten Whiskers under Controlled Conditions.// Cryst. Res. Technol. 1987. — Vol. 22. — p. 503−508.
  20. Г. В. Нитевидные кристаллы. M.: Наука. 1969. — 246 с.
  21. С.А., Постников B.C. Нитевидные кристаллы. Воронеж: Издательство ВПИ. 1972. — 176 с.1ivy
  22. Дж. Влияние адсорбированных пленок да кинетику роста кристаллов. Там же. С. 136−151.
  23. Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука. 1977. — 304 с.
  24. Е.И. Механизм роста нитевидных кристаллов из газовой фазы// Физика твердого тела. 1964. — Т. 6. — № 6. — С. 1084 -1808.
  25. Wagner R. S., in: Whisker Technology, Ed. Levitt A. P., N. Y., 1970p.47.
  26. Hoionyak N. Jr., Jillison D. S., Bevacqua S. F., in: Metallurgy of Elemental and Compound Semiconductors. Metal. Soc. Conferences. Intersciense. N. Y., 1961. Vol.12.-p.81.
  27. .И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз.1961.
  28. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа. 1982. — 376 с.
  29. Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат. 1972.600 с.
  30. Бонч-Бруевич В. Л., Гласко В. Б. К теории электронных состояний, связанных с дислокациями//Физ ика твердого тела. 1961. Т. 3. — Вып. 1. -С.36−44.
  31. А. Н. Использование ЭЦВМ при изучении кинетики формирования структур материалов// Электронная структура и фазовые превращения. Саранск. — 1986. — С. 60−67.
  32. Л. Н., Коган А. Н., Бочкова Р. В., Тростина Н. П. Изучение методом Монте-Карло влияния несовершенств поверхности подложки на кинетику роста и испарения полупроводниковых пленок// Кристаллография. 1985. — Т. 30, вып. 2. — С. 236−242.
  33. А. Н., Мордюк В. С., Тихонова Н. П. Изучение атомного механизма разрушения вольфрамовой спирали// Тезисы докладов Всесоюзной конференции по физике прочности и пластичности металлов и сплавов. Куйбышев. 1989. — С. 335−336.
  34. А. Н., Мордюк В. С., Тихонова Н. П. Изучение структурных превращений в вольфраме при работе ламп накаливания//Тезисы докладов 3-й Всесоюзной конференции «Моделирование роста кристаллов». Рига. -1990.-С. 14.
  35. А. Н., Миркин Л. И., Мордюк В. С., Тихонова Н. П. Изучение методом Монте-Карло изменения структуры вольфрамовой спирали при работе галогенных ламп// Физика и химия обработки материалов. 1995. -№ 2.-С. 128−134.
  36. А. Н., Молина (Росланова) О. В., Молин В. Н. Моделирование процессов испарения вольфрама и роста нитевидных кристаллов на его поверхности// Радиофизика и электроника./ Сборник научных трудов. Саранск. 1994. — С. 66−71.
  37. А. П. Электрические источники света. Ч. 1. Лампы накаливания. М. — Л.: ГОНТИ. — 1948. — 375 с.
  38. М. М. Основы светотехники и источники света. М.: Энергая.- 1983.-384 с.
  39. Г. Н. Газоразрядные источники света. М.: Энергия. 1971. -328 с.
  40. В. С., Рохлин Г. Н. Тепловые источники оптического излучения. М.: Энергия. 1975. — 246 с.
  41. O.A., Алейникова В. И., Туровская В. Н. Процессы теп-ломассопереноса в лампах накаливания. Минск. Наука и техника. 1979. -160 с.
  42. Таблицы физических величин. М.: Атомиздат. 1976. — 1008 с.
  43. Л.И., Мордюк B.C., Кириенко В. И., Мортышук Л. Н. Ав-тоионномикроскопические исследования микрокристаллов вольфрама, выращенных из газовой фазы//Физ. металлов и металловедение. 1974. — т. 38. -№ 4.
  44. А. Рост кристаллов и дислокаций. М.: ИЛ. 1958. — 216 с.
  45. С.А., Постников B.C. О механизмах и кинетике роста нитевидных кристаллов//Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. Материалы 11 Всесоюзной научной конференции. Воронеж. ВПИ. — 1975. — 308 с.
  46. Langmur J. Acicular crystals of Tungsten in halogen cycle// Journal Amer. Chem. Soc.-1915. -Vol.37. -P.l 159−1162.
  47. Van Arkel A. E. Metallwirtschaft. 1934. — Vol. 13. — S. 405−409.
  48. Ahlhorn H., Wasserman E. Zeiteschritt fur Metallcunde. 1962. — B. 53. — S. 138.
  49. Hoffman T. W" Nikliborg J.// Acta Physica Polan. 1964. — B. 25. — S. 633−637.
  50. Weis G., Gunter R. Kristall und Technik. 1970. — В. 5. — S. 2−7.
  51. Л. H., Коган А. Н. Исследование прочности игольчатых кристаллов вольфрама// Физика твердого тела. 1964. — Т. 6. — С. 307.
  52. М. В. Кварцевые инфракрасные лампы // Светотехника. 1962. -№ 8. — С. 12.
  53. Г. К. Нитевидный рост металлов//Успехи физических наук.-1960. Т.З. — С.83−87.
  54. Weis G., Owsian G. Tungsten crystal growth from gas phase as a result of chemical transport reactions// J. Of the Less-Common Metals. 1970. — № 1. -P. 122−128.
  55. В. С., Синицын Г. Ф. Релаксации внутренних напряжений в вольфрамовой проволоке//Электрические источники света7Труды ВНИИИС. 1970. Вып. 10. — С. 110−113.
  56. В. С., Мальцев А. Н., Степанов В. В., Токарев А. Т. Масс-спектрометрические исследования состава газовыделений из различных ламповых кварцевых стекол,// Электр. Техника. Сер. Металлы. 1979. — Вып. 1. г 7 с v^. / О.
  57. Л.Я., Пекерман Ф. М., Петошина Л. И. Люминофоры. М.: Химия, 1966.-232 с.
  58. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: ГИТТЛ. 1957.1. V.
  59. К. Н., Homer Н. Н. Improvment in fluoriscent lamp efficiency from partile control of phosphores/ДП. Eng. 1960. Vol. 55. — № 7. — p.396−403.
  60. H. Люминесценция. М.-Л.:ГИТТЛ. 1946. — 164 с.
  61. Р. А., Трошенский Д. П. Усовершенствование люминофоров для источников света^/Изв. АН СССР. 1961. — Т. 25. — № 3. — С. 435 438.
  62. Ф. А., Агранян М. Н. и др. О применении люминесценции в светотехнике/ЛГезисы докладов IX Совещания по люминесценции (кри-сталлофосфоры). Изд. АН СССР. 1960. — С. 16−18.
  63. В.Л., Рыжиков В. Д. Влияние размеров натуральных и раздробленных кристаллов на люминесценцию цинксульфидных фосфоров. Известия АН СССР. Сер.физ. 1961. — Т.25. — № 3. — с.362−365.
  64. В. С. Развитие и становление новых физических методовисследования материлов для источников светаЧ Научно-технический сборник ВНИИИС. Саранск. 1968. — № 3. — С. 41−67.
  65. Л. Н. О влиянии степени искажения кристаллической решетки люминофора на яркость свечения//Изв. АН СССР. 1962. — Т. 26. -№ 4. — С. 532−536.
  66. Л. Н., Золотков В. Д., Мордюк В. С.и др. Влияние дефектной структуры люминофоров на эксплуатационные характеристики люминесцентных ламп // Электрические источники света. ВНИИИС, Саранск. -1976.-Вып.8, —С. 18−25.
  67. Л. М., Шибанов Л. С. Структурные дефекты кристал-лофосфоров/7 Изв. АЛ СССР. 1961. — Т.25. — № 3. — С.351−353.
  68. В. С., Горюнов В. А., Скреблюков А. С. и др. О дислокационном механизме термостимулированной люминесценции,/,'ОКурнал прикладной спектроскопии. 1973. — Т. 18. — Вып. 4. — С. 730−732.
  69. В. Д., Мордюк В. С., Молин В. Н. Влияние деформации на оптические спектры поглощения монокристаллов фторапатита. Томск, 818−9. Рукопись. Деп. в ВИНИТИ, № 1277 81.
  70. Л. Н., Золотков В. Д., Мордюк В. С. Ростовые и радиационные дефекты кристаллов люминофоров для источников света. Новосибирск: Наука. 1986. — 184 с.
  71. В. Д., Мордюк В. С., Светкина В. В. Влияние высоких давлений на характеристики люминофоров//Светотехника. 1984. — № 5. -С.11−12.
  72. В. С., Горюнов В. А., Скреблюков А. Е. О связи дефектной структуры с эффективностью галофосфатов кальция//Электрические источники света/Труды ВНИИИС. Саранск. 1974. — Вып. 6. — С. 190−200.
  73. М. Г. Ламповые люминофоры на основе танталлатов РЗЭ// 2-е всесоюзное совещание по вопросам материаловедения для источников света и светотехнических изделий. Саранск. — 1990. — С. 8.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!