Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Разработка полупроводниковых тензочувствительных элементов для систем неразрушающего контроля напряженно-деформированного состояния материалов

Диссертация: Разработка полупроводниковых тензочувствительных элементов для систем неразрушающего контроля напряженно-деформированного состояния материалов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В этой связи широкое распространение получают методы и средства неразрушающего контроля (НК) напряженно-деформированного состояния (НДС) материалов и изделий, применяемых в различных отраслях народного хозяйства. Однако используемые в них в качестве первичных измерительных преобразователей неэлектрических величин (механического напряжения, деформации, перемещения и т. д.) тензочувствительные… Читать ещё >

Содержание

  • 1. ИНФОРМАЦИОННЫЙ ОБЗОР И АНАЛИЗ ПРОБЛЕМЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ И ДЕФОРМАЦИЙ ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ
    • 1. 1. Общая характеристика проблемы определения механических напряжений и деформаций
    • 1. 2. Краткий анализ тензорезисторных средств контроля, применяемых для определения механических напряжений и деформаций
    • 1. 3. Постановка задачи исследования влияния деформации на параметры полупроводниковых структур и пути ее решения
    • 1. 4. Выводы
  • 2. ИССЛЕДОВАНИЕ И АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ДЕФОРМАЦИИ НА ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ МДП-СТРУКТУРЫ
    • 2. 1. Влияние деформации на изменение концентрации носителей заряда
    • 2. 2. Формирование области пространственного заряда
    • 2. 3. Деформационная зависимость подвижности носителей заряда с учетом полевого эффекта
    • 2. 4. Выводы
  • 3. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ, ПРОИСХОДЯЩИХ В ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОМ ЭЛЕМЕНТЕ НА ОСНОВЕ МДП-СТРУКТУРЫ ПРИ ОДНООСНОЙ УПРУГОЙ ДЕФОРМАЦИИ
    • 3. 1. Разработка математической модели
    • 3. 2. Влияние электрофизических параметров на выходной сигнал тензочувствительного элемента
    • 3. 3. Влияние топологических и электрических параметров на выходной сигнал тензочувствительного элемента
    • 3. 4. Методика разработки тензочувствительных элементов с заданными метрологическими характеристиками
    • 3. 5. Выводы
  • 4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ СИСТЕМЫ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ НАПРЯЖЕННО-ДЕФОРМИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ МАТЕРИАЛОВ
    • 4. 1. Основные технологические этапы изготовления тензочувствительного элемента
    • 4. 2. Влияние технологических операций на метрологические характеристики тензочувствительного элемента
    • 4. 3. Метрологический анализ разработанного тензочувствительного элемента
    • 4. 4. Разработка конструкций интегральных тензопреобразователей
    • 4. 5. Структурная схема и принцип работы микропроцессорной системы неразрушающего контроля напряженно-деформированного состояния материалов. Ю
    • 4. 6. Выводы

Разработка полупроводниковых тензочувствительных элементов для систем неразрушающего контроля напряженно-деформированного состояния материалов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В процессе эксплуатации машины, аппараты, конструкции и сооружения подвергаются воздействию различных дестабилизирующих факторов, приводящих к нарушениям целостности и разрушениям изделий. Это могут быть статические и динамические деформации, вибрации, удары, воздействие давления и усталостное напряжение. Влияние данных факторов и неконтролируемое протекание деформационных процессов в материалах приводят к возникновению аварийных ситуаций. Поэтому в настоящее время большое распространение получают методы и средства неразрушающего контроля напряженно-деформированного состояния материалов, используемые в машиностроении, авиационной и военной технике, теплоэнергетическом комплексе, автомобилестроении, железнодорожном транспорте, нефтяной, химической и других отраслях промышленности.

Актуальность работы. Разрушения изделий, аппаратов, конструкций, связанные с нарушением прочности материалов, приводят к серьезным последствиям, а в некоторых отраслях и технологических процессах они просто недопустимы. Следовательно, при эксплуатации таких изделий, особенно в условиях интенсивных термосиловых воздействий, необходимо обеспечить периодический или непрерывный контроль состояния применяемых материалов. Важность контроля деформаций обусловлена тем, что данный фактор является источником возникновения механических напряжений в материалах. Инерционные силы, возникающие при этом, могут превышать пределы прочности конструкций, а их длительное воздействие приводит к усталостным разрушениям материалов.

В этой связи широкое распространение получают методы и средства неразрушающего контроля (НК) напряженно-деформированного состояния (НДС) материалов и изделий, применяемых в различных отраслях народного хозяйства. Однако используемые в них в качестве первичных измерительных преобразователей неэлектрических величин (механического напряжения, деформации, перемещения и т. д.) тензочувствительные элементы (ТЧЭ) и тен-зопреобразователи далеко не всегда удовлетворяют современным требованиям. К их недостаткам, прежде всего, стоит отнести низкую чувствительность и точность, сложность настройки и балансировки при изготовлении, нестабильные выходные характеристики.

Поэтому широко развивается направление в области разработки и создания тензочувствительных элементов и тензопреобразователей на основе полупроводниковых структур и материалов, выпускаемых по высокопроизводительной микроэлектронной технологии. Применение ТЧЭ и тензопреобразователей, созданных на основе новых полупроводниковых материалов и структур, благодаря высокой чувствительности полупроводников к механическим воздействиям позволит улучшить ряд параметров существующих измерительных устройств: повысит чувствительность и точность измерений, расширит рабочий диапазон, позволит упростить аппаратуру и легче совместить ее с современными средствами вычислительной техники.

Таким образом, задача разработки ПИП с улучшенными метрологическими характеристиками для систем НК НДС материалов на основе новых полупроводниковых тензочувствительных элементов является весьма актуальной.

Цель работы: исследование физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структурах) при деформации, и разработка на их основе ТЧЭ и тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем НК НДС материалов и изделий.

Основные задачи работы. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: провести информационный обзор и сравнительный анализ существующих ТЧЭ и тензопреобразователей, применяемых в измерительных устройствах и системах РЖ НДС материалов и изделий;

— провести исследование влияния деформации на электрофизические параметры МДП-структур на основе монокристаллических полупроводников для выявления возможности их использования в качестве ТЧЭ;

— разработать математическую модель физических процессов, происходящих в ТЧЭ на основе МДП-структуры при одноосной упругой деформации;

— провести исследование математической модели для оценки влияния основных параметров МДП-структуры на выходную характеристику ТЧЭ;

— по результатам исследования математической модели создать методику разработки ТЧЭ на основе МДП-структуры с заданными метрологическими характеристиками;

— провести разработку, экспериментальные исследования ТЧЭ на основе МДП-структуры и анализ погрешностей измерений;

— разработать конструкции интегральных тензопреобразователей и микропроцессорную систему НЕС НДС материалов и изделий, в составе которых применяются ТЧЭ на основе МДП-структуры.

Методы и методики исследования. Результаты исследований, включенные в диссертацию, базируются на теоретических основах физики полупроводников, математическом моделировании, основах интегральных полупроводниковых технологий, физическом эксперименте с использованием опытных образцов, а также на экспериментальных исследованиях, проведенных на кафедре «Материалы и технология» ТГТУ.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

— разработана математическая модель физических процессов, происходящих при деформации в полупроводниковых ТЧЭ на основе МДП-структуры, учитывающая влияние основных топологических, электрических и электрофизических параметров, на основе которой создана методика разработки ТЧЭ с заданными метрологическими характеристиками;

— проведены экспериментальные исследования влияния деформации на параметры МДП-структур, подтвердившие возможность их использования в качестве ТЧЭ;

— на основе созданной методики и проведенных исследований разработан новый полупроводниковый ТЧЭ, содержащий на поверхности монокристалла кремния «-типа проводимости диэлектрический слой двуокиси кремния, а также изолированный электрод, что позволяет повысить чувствительность и точность определения параметров НДС материалов и изделий;

— разработан интегральный тензопреобразователь, который, в отличие от известных тензорезисторных ПИП, является прибором с двойным управлением. Двойное управление выходным сигналом осуществляемое как за счет деформации полупроводникового кристалла, так и изменения потенциалов на изолированных электродах МДП-структуры позволяет повысить точность балансировки и упростить процедуру настройки тензопреобразователя;

— разработана микропроцессорная система НК НДС материалов и изделий, включающая в свой состав ТЧЭ на основе МДП-структуры, и позволяющая проводить компенсацию разбаланса тензосхем в автоматическом режиме.

Практическая ценность работы заключается в том, что на основе созданной методики и проведенных исследований разработаны конструкции интегральных тензопреобразователей и микропроцессорная система, применение которых позволяет повысить точность измерений и достоверность мониторинга прочностных характеристик изделий. Используемые при их создании оригинальные технические решения признаны изобретением, подтвержденным положительным решением о выдаче патента РФ на изобретение. Результаты исследований могут быть рекомендованы для использования в научно-исследовательской деятельности, промышленности, других отраслях техники для повышения оперативности и точности контроля механических напряжений, деформаций, перемещений и целого ряда других механических величин.

Проведена реализация результатов теоретических и практических исследований автора, и они внедрены и приняты к использованию в ОАО «Тамбовский завод «Электроприбор», ОАО «Тамбовский завод «Ревтруд». Также результаты работы используются в научно-исследовательской и учебной деятельности на кафедре «Материалы и технология» Тамбовского государственного технического университета.

Апробация работы. Основные научные и практические результаты исследований по теме диссертации докладывались на II, III, IV Международных научно-практических конференциях «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» (Санкт-Петербург, 20 062 007 гг.) — Международной научно-технической конференции «Проблемы автоматизации и управления в технических системах — 2007» (Пенза, 2007 г.) — III Международной научно-практической конференции «Составляющие научно-технического прогресса» (Тамбов, 2007 г.) — III Международной научно-практической конференции «Глобальный научный потенциал» (Тамбов, 2007 г.) — Шестой Международной теплофизической школе «Теплофизика в энергосбережении и управлении качеством» (Тамбов, 2007 г.) — II Международной научно-практической конференции «Наука и устойчивое развитие общества. Наследие В. И. Вернадского» (Тамбов, 2007 г.).

Публикации. По теме диссертационного исследования опубликовано 15 печатных работ, из которых 4 статьи в ведущих рецензируемых научных журналах, 1 положительное решение о выдаче патента РФ на изобретение.

Личный вклад автора. В работах, опубликованных в соавторстве, при непосредственном участии автора были получены основные теоретические и экспериментальные результаты, предложена математическая модель процессов, происходящих в ТЧЭ на основе МДП-структуры при одноосной упругой деформации. Предложено алгоритмическое, технологическое и конструкторское обеспечение разработки и изготовления полупроводниковых ТЧЭ. Разработана структурная схема микропроцессорной системы.

Структура работы. Диссертация содержит введение, 4 главы, заключение и приложения, изложенные на 131 странице машинописного текста, 38 рисунках, 8 таблицах. Список используемой литературы включает 98 наименований.

Основные результаты диссертационного исследования заключаются в следующем:

1. Проведен информационный анализ применяемых в настоящее время тензочувствительных элементов и тензопреобразователей, подтвердивший актуальность разработки ТЧЭ на основе новых полупроводниковых монокристаллических материалов и структур, позволяющих улучшить метрологические характеристики существующих систем НК НДС материалов.

2. Исследовано влияние деформации на основные параметры МДП-структур, выполненных на различных монокристаллических полупроводниках, и выявлены возможности их использования в качестве ТЧЭ.

3. Разработана математическая модель физических процессов, происходящих при одноосной упругой деформации и устанавливающая взаимосвязь выходного сигнала с топологическими, электрическими и электрофизическими параметрами МДП-структуры, являющаяся теоретической базой для создания методики разработки полупроводниковых ТЧЭ с заданными метрологическими характеристиками.

4. На основе результатов исследований математической модели создана методика разработки полупроводниковых ТЧЭ, позволяющая прогнозировать метрологические характеристики на этапе проектирования.

5. Разработан полупроводниковый ТЧЭ, содержащий на поверхности монокристалла кремния я-типа проводимости диэлектрический слой двуокиси кремния, а также изолированный электрод, что позволяет повысить чувствительность и точность определения параметров НДС материалов и изделий.

6. Проведены экспериментальные исследования и анализ погрешностей измерений разработанных полупроводниковых ТЧЭ. Результаты исследований подтвердили адекватность предложенной математической модели и корректность основных теоретических выводов, положенных в основу разработки ТЧЭ на основе МДП-структур и их применимость при создании ПИП механических величин.

7. Разработан интегральный тензопреобразователь, в котором реализована возможность управления выходным сигналом за счет изменения потенциалов на изолированных электродах. Применение ТЧЭ на основе МДП-структуры в составе тензопреобразователя обеспечивает повышение его надежности и точности балансировки мостовой схемы.

8. Разработана и принята к использованию в промышленном производстве микропроцессорная система НК НДС материалов, включающая в свой состав ТЧЭ на основе МДП-структуры, позволяющая повысить оперативность и достоверность контроля.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Н.П. Тензорезисторы: Теория, методики расчета, разработки / Н. П. Клокова. М.: Машиностроение, 1990. — 224 с.
  2. , Н.П. Тензорезисторы / Н. П. Клокова // Датчики и системы. -2004.-№ 3.-С. 10−12.
  3. , Б.А. Электротензометры сопротивления / Б. А. Глаговский, И. Д. Пивен. Л.: Энергия, 1972. — 86 с.
  4. Тензометрия в машиностроении. Справочное пособие / под. ред. P.A. Макарова. -М.: Машиностроение, 1975. 288 с.
  5. , И. Практическое применение тензорезисторов / И. Немец. М.: Энергия, 1970. — 144 с.
  6. , Н.Г. Микропроволока для термокомпенсированных тензодат-чиков / Н. Г. Тисенко, Г. Х. Боркунский. — М.: Машиностроение, 1968. -92 с.
  7. , Н.П. Тензодатчики для экспериментальных исследований / Н. П Клокова, В. Ф. Лукашик, Л. М. Воробьева, А. Б. Волчек. М.: Машиностроение, 1972. — 152 с.
  8. , Н.С. Полупроводниковые тензодатчики / Н. С. Ильинская, А. Н. Подмарьков. Л.: Энергия, 1966. — 120 с.
  9. Полупроводниковые тензодатчики / под. ред. М. Дина. М. — Л.: Энергия, 1985.-213 с.
  10. , В.И. Интегральные тензопреобразователи / В. И. Ваганов. -М.: Энергоатомиздат, 1983. — 136 с.
  11. П.Эрлер, В. Электрические измерения неэлектрических величин полупроводниковыми тензорезисторами / В. Эрлер, Л. Вальтер. К4.: Мир, 1974.-288 с.
  12. , Е.А. Интегральные датчики. Состояние разработок и производства. Направление развития, объемы рынка / Е. А. Мокров // Датчики и системы.- 2000. -№ 1. С. 28−30.
  13. Meek, R.L. Electrically thinned n/n+ epitaxial silicon method and applications / R.L. Meek // J. Electrochem. Soc. 2001.- v. 118, N 7. p. 1240 -1246.
  14. Waggener, H.A. Electrochemically controlled thinning of silicon / H.A. Waggener, J.V. Dalton // B. S. T. J. 1998. — v. 49, N 3. p. 473 — 479.
  15. Van Dijk, K.J.A. Preparation of thin silicon crystals by electrochemical thinning of epitacxially grown structures / K.J.A. Van Dijk, J. DeLonge // J. Electrochem. Soc. 1993. — v. 110, N 1. p. 553 — 554.
  16. The electrochemistry of semiconductors / Ed. P. Holmes. Lond. And N.Y.: Academic Press, 1962. — 385 p.
  17. Полупроводниковые тензопреобразователи давления и силы на основе гетероэпитаксиальных структур «кремний на сапфире» / А.В. Белогла-зов, В. М. Стучебников, В. В. Хасиков и др. // Приборы и системы управления. 1982. — № 5. С. 21 — 27.
  18. , B.C. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе / B.C. Папков, М. В. Цыбульников. -М.: Энергия, 1979.-88 с.
  19. , И.Н. Высокотемпературные чувствительные элементы датчиков давления со структурой «кремний на диэлектрике» / И. Н. Баринов // Датчики и системы. 2007. — № 1. С. 36 — 39.
  20. , И.Н. Полупроводниковый чувствительный элемент на основе структуры «кремний на диэлектрике» для высокотемпературного датчика давления / И. Н. Баринов // Датчики и системы. 2004. — № 12. С. 39−41.
  21. , B.B. Серия микроэлектронных датчиков давления «Мида» / В. В. Бушев, O.JI. Николайчук, В. М. Стучебников // Датчики и системы. -2000.-№ 1. С. 21 -26.
  22. Датчики давления/ Тематический каталог промышленной группы «Метран». Челябинск. 2007.
  23. , И.Н. Физика полупроводниковых приборов / И. Н. Викулин, В. И. Стафеев. М.: Радио и связь, 1990. — 264 с.
  24. , Г. Г. Кремниевые двухстоковые полевые тензотранзисторы / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, H.H. Шаран // Журнал технической физики. — 2000. Т.70, вып. 10. С. 45 —49.
  25. , A.JI. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1979. — 168 с.
  26. A.C. 934 257 СССР, МПК G01L9/04. Полупроводниковый тензопреоб-разователь / A.B. Белоглазов, В. Е. Бейден, Г. Г. Иордан и др.- заявл. 20.02.78- опубл. 07.06.82- бюл № 21.
  27. Пат. 2 043 671 РФ, МПК 6Н01С10/10, G01B7/16. Полупроводниковый тензорезистор / Н.Т. Горбачук- заявитель и патентообладатель Киевский технологический институт легкой промышленности. — № 4 875 001/10- заявл. 15.10.90- опубл. 10.09.95.
  28. Пат. 1 393 265 РФ, МПК 5 H01L29/84. Тензочувствительный интегральный преобразователь / В. В. Беклемишев, С. О. Бритвин, В.И. Ваганов- заявитель и патентообладатель Московский инженерно-физический институт. -№ 4 030 218/25- заявл. 07.01.86- опубл. 28.02.94.
  29. Пат. 2 284 074 РФ, МПК H01L29/84. Полупроводниковый тензопреоб-разователь / В.И. Суханов- заявитель и патентообладатель ОАО «НИИ-Теплоприбор». -№ 2 005 109 864/28- заявл. 06.04.05- опубл. 20.09.06.
  30. Пат. 2 265 811 РФ, МПК 7 G01L9/04, G01B7/16. Тензометрическое устройство / Е. А. Мокров, В. М. Левин, Н. Г. Желагин, В.П. Маланин- заявитель и патентообладатель ФГУП НИМ физических измерений. — № 2 004 106 085/28- заявл. 01.03.04- опубл. 10.12.05.
  31. , Е.М. Тензометрическая система «Эпсилон» / Е. М. Кольман, А. И. Беклемищев, A.C. Липешонков и др. // Датчики и системы. 2004. — № 3. С. 18−19.
  32. , М.Л. Методы и средства натурной тензометрии: Справочник / М. Л. Дайчик, Н. И. Пригоровский, Г. Х. Хуршудов. М.: Машиностроение, 1989.-240 с.
  33. Блокин-Мечталкин, Ю. К. Тензометрический измерительно-вычислительный комплекс ИВК М2 / Ю.К. Блокин-Мечталкин, В.В. Петроне-вич, Е. К. Чумаченко // Датчики и системы. 2004. — № 3. С. 14 — 17.
  34. , В.Е. Малогабаритный измерительно-вычислительный комплекс «Тензор» для мониторинга прочности сложных механических конструкций / В. Е. Бодров, A.B. Краячич, Б. П. Подборонов, Ю. А. Свирский // Датчики и системы. 2006. — № 5. С. 2 — 7.
  35. , A.B. Первичный измерительный преобразователь упругих деформаций / A.B. Кочетков, А. П. Королев, В. П. Шелохвостов, В. Н. Чернышов // Вестн. Тамб. гос. ун-та. Сер. Естеств. и технич. науки. -Тамбов, 2003. Т. 8. Вып. 4. — С. 702 — 703.
  36. , A.B. Особенности тензорезистивного эффекта в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при статической и переменной деформации / A.B. Озаренко, Ю. А. Брусенцов, А. П. Королев // Вестник Тамб. гос. техн. ун-та. 2008. — Т. 14, № 1А. С. 158- 163.
  37. , A.B. Температурная коррекция интегральных тензопреобра-зователей / A.B. Озаренко, Ю. А. Брусенцов // Теплофизика в энергосбережении и управлении качеством: материалы 6-й междунар. тепло-физической школы. Тамбов, 2007. — Т.2. — С. 98 — 101.
  38. , A.B. Способ компенсации температурной погрешности тен-зопреобразователей / A.B. Озаренко // Глобальный научный потенциал: сб. материалов междунар. науч.-практ. конф. Тамбов, 2007. С. 112 -114.
  39. , A.B. Интегральный полупроводниковый тензопреобразова-тель / A.B. Озаренко // Составляющие научно-технического прогресса: сб. материалов 3-й междунар. науч.-практ. конф. Тамбов, 2007. С. 138 — 140.
  40. , Ю.А. Моделирование процессов проводимости в полупроводниковых структурах при ультразвуковом воздействии / Ю. А. Брусенцов, A.B. Озаренко, А. П. Королев, С. А. Попов // Вестник Тамб. гос. техн. ун-та. -2007, — Т. 13, № 1А. С. 164- 169.
  41. , С.А. Применение полевых структур для измерения деформаций возникающих при ультразвуковых воздействиях / С. А. Попов, А. В. Озаренко // Сборник статей магистрантов Тамб. гос. техн. ун-та. — 2006. -Выпуск IV. С. 137−140.
  42. , Ю.А. Исследование электрофизических процессов в полевых полупроводниковых структурах для измерения теплофизических характеристик / Ю. А. Брусенцов, А. В. Озаренко, А. П. Королев // Вестник Тамб. гос. техн. ун-та.-2006.-Т. 12, № 1А. С. 122- 128.
  43. Korolev, А.Р. Semiconductor primary initial transformer design for heat values measurement / A.P. Korolev, V.P. Shelokhvostov, V.N. Chernyshov // Transactions Tambov state technical university. 1999. — T.5, № 4. P. 536 -542.
  44. , K.B. Физика полупроводников / K.B. Шалимова. — M.: Энергия, 1976.- 416 с.
  45. , Н.М. Полупроводниковые приборы / Н. М. Тугов, Б. А. Глебов, Н. А. Чарыков. М.: Энергоатомиздат, 1990. — 576 с.
  46. , П.И. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник / П. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. -Киев.: Изд-во «Наукова думка», 1975. 705 с.
  47. , М.К. Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si <В, Мп> / М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Х. Ф. Зикриллаев // Письма в ЖТФ. 1998. — Т.24, № 22. С. 23−28.
  48. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1 / С. Зи.-М.: Мир, 1984.-456 с.
  49. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 2 / С. Зи.-М.: Мир, 1984.-456 с.
  50. , A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников / A.B. Ржанов. М.: Наука, 1970. — 480 с.
  51. , А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем / А. Н. Бубенников. М.: Высш. шк., 1989. — 320 с.
  52. Бонч-Бруевич, B. J1. Физика полупроводников / Бонч-Бруевич, B. JL, Калашников С. Г. М.: Наука, 1977. — 672 с.
  53. Ю, Питер. Основы физики полупроводников / Питер Ю, М. Кардона.-М.: Физматлит, 2002. 560 с.
  54. , Д. Полупроводники: пер. с англ. / Д. Смит- под. ред. H.A. Пени-на. М.: Мир, 1982. — 558 с.
  55. , И.Н. Электронная теория полупроводников. Введение в теорию / H.H. Петровский. Минск: Высш. шк., 1964. — 250 с.
  56. , B.C. Дефекты в кремнии и на его поверхности / B.C. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. М.: Наука, 1990. — 190 с.
  57. , Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов / Г. Е. Пи-кус. М.: Наука, 1965. — 340 с.
  58. , В.Г. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник / В. Г. Литовченко, А. П. Горбань. Киев.: Изд-во «Наукова думка», 1978. — 316 с.
  59. , Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок / Л. А. Коледов. М.: Радио и связь, 1989. — 400 с.
  60. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование / Л. А. Коледов, В. А. Волков, H.H. Докучаев и др.- Под ред. Л. А Коледо-ва. -М.: Высш. шк., 1984.-231 с.
  61. , В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / В. Н. Черняев. М.: Радио и связь, 1987. — 464 с.
  62. , О.Д. Технология микросхем / О. Д. Парфенов. М.: Высш. шк., 1986.-319 с.
  63. , A.C. Технология и конструирование интегральных микросхем / A.C. Березин, О. Р. Мочалкина. М.: Радио и связь, 1983. — 232 с.
  64. Технология СБИС, А Под ред. С. Зи: пер. с англ. под ред. Ю. Д. Чистякова.-М.: Мир, 1986.-853 с.
  65. , З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник / З. Ю. Готра. М. Радио и связь, 1991.-528 с.
  66. Экспериментальная механика: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. / Под ред. А. Кобаяси.-М.: Мир, 1990.-616 с.
  67. Экспериментальная механика: В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с англ. / Под ред. А. Кобаяси. -М.: Мир, 1990. 552 с.
  68. , Ю.П. Математические методы планирования экспериментов / Ю. П. Грачев, Ю. М. Плаксин. М.: ДеЛи принт, 2005. — 296 с.
  69. , М.А. Метрологические основы технических измерений / М. А. Земельман. -М.: Изд-во стандартов, 1991. -228 с.
  70. , В.А. Методы обработки экспериментальных данных при измерениях / В. А. Грановский, Т. Н. Сирая. Л.: Энергоатомиздат, 1990.-288 с.
  71. , П.В. Оценка погрешностей результатов измерений / П. В. Новицкий, И. А. Зограф. Л.: Энергоатомиздат, 1991. — 304 с.
  72. , А.П. Автоматизация технологического проектирования РЭС: Учеб. пособие / А. П. Королев, С. Н. Баршутин. Тамбов.: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. — 76 с.
  73. , В.В. Метрологическое обеспечение измерений / В. В. Богданов, А. И. Самойленко, В. К. Маскаев // Датчики и системы. — 2004. — № 3. С. 28−30.
  74. , Ю.А. Об эффективности пассивных схем термокомпенсации дрейфа начального разбаланса тензомостов / Ю. А. Зеленцов, В. Ю. Зеленцов // Датчики и системы. 2007. — № 2. С. 10 — 13.
  75. , В.Я. Принципы построения датчиков давления и топология тензорезисторов / В. Я. Распопов // Датчики и системы. 2007. — № 2. С. 22−26.
  76. , В.Д. Конструирование интегральных датчиков / В. Д. Вавилов, В. И. Поздяев. М.: МАИ, 1993. — 68 с.
  77. , К.З. Влияние гидростатического давления на статические и динамические свойства кристалла InSe: исследования из первых принципов / К. З. Рущанский // Физика твердого тела. 2004. — Т.46, вып. 1. С. 177- 184.
  78. , С.П. Тензорезистивный эффект в слоях пористого кремния с различной морфологией / С. П. Зимин, А. Н. Брагин // Физика и техника полупроводников. 2004. — Т.38, вып. 5. С. 616−619.
  79. , Г. Датчики: Пер. с нем. / Г. Виглеб. М.: Мир, 1989. — 196 с.
  80. Проектирование датчиков для измерения механических величин / Под ред. Е. П. Осадчего. М.: Машиностроение, 1979. — 480 с.
  81. , Ю.М. Типовые элементы систем автоматического управления / Ю. М. Келим. М.: ФОРУМ: ИНФРА-М, 2002. — 384 с.
  82. Решение о выдаче патента РФ на изобретение. Устройство для измерения давления / A.B. Озаренко, Ю. А. Брусенцов, А. И. Фесенко, А.П. Королев-2 007 128 640/28(31 192) — Заявл. 25.07.2007.
  83. , Б.И. Микропроцессорные аналитические приборы / Б. И. Герасимов. М.: Машиностроение, 1997. — 246 с.
  84. Схемотехника измерительно-вычислительных систем / Под. ред. Е. И. Глинкина. Тамбов.: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2000. — 80 с.
  85. , В.Н. Анализ и синтез измерительных систем / В. Н. Чернышев и др. Тамбов.: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 1995. — 234 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!