Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование особенностей переноса заряда в многослойных МДМ и МДП структурах на основе полидифениленфталида

Диссертация: Исследование особенностей переноса заряда в многослойных МДМ и МДП структурах на основе полидифениленфталида
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Цель работы. Диссертационное исследование посвящено экспериментальному изучению свойств полимерных пленок полидифениленфталида (ПДФ), вопросам, связанным с определением условий возникновения проводящего состояния, с релаксацией избыточного инжектированного заряда и механизмами его переноса. Были исследованы электрофизические свойства, многослойных структур, где в качестве одного или двух слоев… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1.
  • ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Перенос заряда в тонких пленках несопряженных полимеров при
  • приложении внешних воздействий
    • 1. 2. Влияние одноосного давления электропроводность тонких пленок полимеров
    • 1. 3. Температурные зависимости электропроводимости тонких пленок полиариленфталида
    • 1. 4. Особенности переноса зарядов в органических материалах
    • 1. 5. Модели транспорта носителей зарядов
      • 1. 5. 1. Прыжковая проводимость
      • 1. 5. 2. Прыжки на ближайшие центры
      • 1. 5. 3. Прыжки с переменной длиной прыжка
      • 1. 5. 4. Прыжковый транспорт по центрам с гауссовым распределением энергетических уровней
      • 1. 5. 5. Модель дипольных ловушек
      • 1. 5. 6. Поляронная модель

Исследование особенностей переноса заряда в многослойных МДМ и МДП структурах на основе полидифениленфталида (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

За последние двадцать лет были открыты новые полимерные материалы с электропроводимостью, лишь ненамного уступающие электропроводности металлов. Их открытие стало настоящей сенсацией, поскольку могло повлечь за собой появление новых типов электронных и оптоэлектронных устройств, и положило начало к исследованиям в области синтеза и изучения свойств подобных материалов.

Проводящие полимеры могли бы использоваться как активные элементы в электронных приборах. Множество приборов, таких как биодатчики, электрохимические датчики, полимерные батарейки, электролюминесцентные приборы и диоды Шоттки были изготовлены и испытаны, используя проводящие полимеры. Особое внимание в последние годы уделялось изготовлению и свойствам контактных соединений проводящих органических полимеров с металлами и неорганическими полупроводниками.

В 80-х годах в тонких полимерных пленках были обнаружены новые эффекты электронного переключения, электрические параметры которого сильно зависели от внешних условий (температуры, давления, толщины, величины электрического поля и т. д.). Было показано, что в ходе одноосного сжатия тонких пленок полимерных диэлектриков толщиной 2−30 мкм при определенном давлении Ркр порядка 105 Па, электронное переключение происходит в поле напряженностью в несколько В/см.

Поэтому очень актуальной представляется задача установления механизмов проводимости в тонких полимерных пленках и определения условий возникновения проводящего состояния.

Цель работы. Диссертационное исследование посвящено экспериментальному изучению свойств полимерных пленок полидифениленфталида (ПДФ), вопросам, связанным с определением условий возникновения проводящего состояния, с релаксацией избыточного инжектированного заряда и механизмами его переноса. Были исследованы электрофизические свойства, многослойных структур, где в качестве одного или двух слоев использовались полимерные пленки ПДФ.

Научная новизна. В работе показано, что в системе металл — полимерметалл увеличение давления приводит к изменению инжекции носителей заряда в полимерную пленку. В предпороговой по давлению области происходит увеличение концентрации электронов и их подвижности, что приводит к смене типа основных носителей заряда после перехода.

Установлено, что в различных диапазонах температур и электрических полей структуры металл-полимер-металл (100−200К, 200−300К) возможны три механизма переноса заряда. При 200—ЗООК и высоких электрических полях доминирующим механизмом переноса заряда является термоэлектронная эмиссия Шоттки. При средних электрических полях можно было бы в одинаковой мере привлечь как модель прыжкового транспорта по ловушечным уровням, так и модель дипольных ловушек. При низких температурах (100−200К), преобладает механизм прыжкового транспорта носителей заряда либо туннельный механизм.

Рассмотрены механизмы переноса заряда в многослойных структурах типа полупроводник-полимер-металл и возможность управления проводимостью структуры полупроводник-полимер-металл-полимер-металл при помощи увеличения уровня инжекции в полимерную пленку.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

Анализ полученных результатов позволяет сделать следующие выводы.

1. Установлено, что в системе металл — полидифениленфталид — металл увеличение давления в предпороговой области приводит к изменению инжекции носителей заряда в полимерную пленку. Избыточный заряд в результате взаимодействия с макромолекулой может создавать узкую зону ловушечных состояний вблизи уровня Ферми, по которой осуществляется перенос заряда.

2. В предпороговой по давлению области скорость роста концентрации электронов и их подвижности значительно превосходит соответствующие изменения параметров дырок, что может привести к смене типа основных носителей заряда в постпереходной области.

3. Установлено, что в различных диапазонах температур (100−200К, 250−300К) транспорт заряда лимитируется процессами на границах раздела метапл-полимер. При 250—300К доминирующим механизмом является термоэлектронная эмиссия Шоттки. При температурах 100−200К, преобладает механизм квантово-механического туннелирования на ловушечные уровни вблизи уровня Ферми. В диапазоне 200 -250К преобладает прыжковый транспорт носителей зарядов по объемным ловушечным состояниям полимерной пленки.

4. В структурах полупроводник-полимер-метапл также выделяются определенные выше в п. З интервалы температур с аналогичными механизмами переноса заряда. Причем проводимость пленки при «прямом» включении (на металлическом электроде отрицательный потенциал) примерно на порядок выше, чем при «обратном» включении (на металлическом электроде положительный потенциал).

5. Разработана и исследована пятислойная конструкция вида металл-полимер-металл-полимер-81, позволяющая эффективно управлять процессом переноса заряда через полимерную среду путем изменения потенциала на встроенном в полимерный слой металлическом электроде.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Chiang С.К., Ficher Jr.C.R., Park Y.W., Heeger A J., Shirakawa H., Louis E.J., Gau S.C., McDiarmid A.G., Electrical Conductivity in Doped Polyacetylene // Phys. Rev. Lett. — 1977.- V. 39. — P. 1098−1101.
  2. H.C., Берлин Ю. А., Бешенко С. И., Жорин В. А., Аномально низкое электрическое сопротивление тонких пленок диэлектриков. // Письма в ЖЭТФ. Т. 33. — Вып. 10. — С. 508 — 511.
  3. Н.С., Берлин Ю. А., Бешенко С. И., Жорин В. А., Новое высокопроводящее состояние композиций металл полимер. // ДАН СССР, сер. Физ. химия, — 1981. — Т. 258. — В. 6. — С. 1400 — 1403.
  4. Ф., Лайонс JI. Органические полупроводники, М., Мир, 1970 с. 155.
  5. Ю.А., Бешенко С. И., Жорин В. А., Овчинников А. А., Ениколопян Н. С., О возможном механизме аномально высокой проводимости тонких пленок диэлектриков. // ДАН СССР, сер. Физ. Хим., 1981. — С. 13 861 390.
  6. В.М., Гук Е.Г., Ельяшевич A.M., Ионов А. Н., Тучкевич В. М., Шлимак И. С., Высокопроводящее состояние в пленках окисленного полипропилена. // ДАН СССР. 1989. — Т. 309. — № 3. — С. 603 -606.
  7. В.М., Ионов А. Н., Тучкевич В. М., Шлимак И. С. Сверхвысокая проводимость при комнатной температуре в окисленном полипропилене. // Письма в ЖЭТФ. 1990. — Т. 51. — В. 1. — С. 56 — 61.
  8. Fishchuk I. I., Effective-medium theory of hopping charge-carrier transport in weakly disordered organic solids. // Phys.Rev. В 2002. — V. 65. -125 201 (8 pages).
  9. Tanase С., Meijer E. J., Blom P. W. M., Leeuw D. M., Unification of the Hole Transport in Polymeric Field-Effect Transistors and Light-Emitting Diodes. // Phys.Rev. Lett. -2003. -V. 91.-21 6601(4 pages).
  10. Pasveer W F., Cottaar J., Tanase C., Coehoorn R., Bobbert P. A., Blom P. W. H., Unified Description of Carrier Mobilities in Disordered Semiconducting Polymers. // // Phys.Rev.Lett. 2005. — PRL. 94. — 206 601 (4 pages).
  11. .Т., Калмыкова Н. П., Лебедев Э. А., Таксами И. А., Шпунт В. Х., Локальное легирование и эффект памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. // ФТП 1980. — Т. 14. — В. 4. — С. 726−730.
  12. Электрическиесвойства полимеров. Под ред. Б. И. Сажина. Л.: Хи мия, 1986.
  13. Kost J., Narkis M., Foux A., Quantitative model relating electrical resistance, strain, and time for carbon black-loaded silicone rubber // Polymer Engineering and Science. 1994. — V. 34(21) — P 1628−1634.
  14. Etemad S., Quan X., Sanders N.A., Geometry-defined electrical interconnection by a homogeneous medium //Appl.Phys.Lett. 1986 — V.48 — P. 607−610.
  15. Sakai Y., Sadoaka Y., Okada G., Switching in poly-N-vinylcarbazole thin films //Polymer J. 1983 — V. 15. — N 3. — P. 195−199.
  16. Mott N.F., Twose W.D., The theory of impurity conduction. // Adv. Phys. 1961. — V.10. — N38. — P. 107 -163.
  17. Bogomolov V.N., Kolla E.V., Kumzerov Yu.A. Determinatrion on critical temperature of the ultrathin metals filaments superconducting transition and its dependence on the filament diameter // Sol. State Communs. 1983. — V. 46. — N5. -P.383 — 385.
  18. Giordano N., Experimental study of localization in thin wires. //Phys.Rev. 1980. — V. 22.-N 12.-P.5635−5654.
  19. Larkin A.I., Ovchinnikov Yu.N., Fluctuation conductivity in the vicinity of the superconducting transition. //J. Low Temp. Phys. 1973. — V. 10. — N 3−4/ - P. 407−421.
  20. П., Дальний порядок при сверхпроводящем переходе. //УФН. 1970. — Т. 102. — В. 2. — С. 239 — 243.
  21. Де Жен П., Сверпроводимость металлов и сплавов, М.: Мир, 1968.
  22. О. А., Жеребов А. Ю., Лачинов А. Н., Чувыров А. Н., Делеев В. А., Зарядовая неустойчивость в тонких пленках органических полупроводников. Письма в ЖЭТФ, 1990, Т. 51, В. 3, С. 141 144.
  23. С. А., Шкут В. А., Электронное переключение в аморфных полупроводниках, Киев: Наук. Думка, 1978, С. 101,203.
  24. Jahansson A., Stafstom S., Interchain charge transport in disordered л> conjigated chain systems. // Phys.Rev. B. 2002. — V. 66. — 85 208 (6 pages).
  25. Su W. P., Schrieffer J. R, Heeger A. J., Soliton excitations in polyacetylene.// Phys.Rev. B. 1980. — V. 22. — P. 2099−2111.
  26. Su W. P.,. Schrieffer J. R, Heeger A. J., Solitons in Polyacetylene // Phys.Rev. Lett. 1979. — V. 42. — P. 1698−1701.
  27. Gommans H. H. P., Kemerink M., Charge transport and trapping in Cs-doped poly (dialkoxy-p-phenylene vinylene) light-emitting diodes. // Phys.Rev. B. -2004. V. 69. — 155 216 (10 pages).
  28. Meng H. F., Chen Yi-Chion., Theory of imbalanced electron-hole transport in conjugated polymers. // Phys.Rev. В 2004. — V. 70. — 115 208 (5 pages).
  29. Martens H. C. F., Brom H. B., Aquantitative evaluation of metallic conduction in conjugated polymers. // Phys.Rev. B 2004. — V. 70. — 241 201 (4 pages).
  30. Kwanghee L., Heeger A. J., Crossover to negative dielectric response in the low-frequency spectra of metallic polymers // Phys.Rev. B 2003. — V. 68. -35 201 (5 pages).
  31. Martens H. C. F., Reedijk J. A., Brom H. B., Leeuw. D. M., Menon R., Metallic state in disordered quasi-one-dimensional conductors.// Phys.Rev. B 2001. -V. 63.-73 203 (4 pages).
  32. Prigodin V. N., Epstein A. J., Nature of insulator-metal transition and novel mechanism of charge transport in the metallic state of highly doped electronic polymers // Synth. Met. 2002. — V. 125. — P. 43−53.
  33. Long Y. Chen., Wang J. Li., Wan M. Electronic transport in PANI-CSA/PANI-DBSA polyblends // Physica B. 2004. — V. 344 — P. 82−87
  34. Zimbovskaya N. A., Johnson A. T., Nicholas^ Pinto N. J., Electronic transport mechanism in conducting polymer nanofibers. // Phys.Rev. B 2005. — V. 72.-24 213 (4 pages).
  35. Martin S. J., Karnbili A., Walker A. B., Temperature and dependence of the mobility of highly ordered conjugated polymer films // Phys.Rev. B 2003. — V. 67.-16 5214(7 pages).
  36. Redecker M., Bradlery D. D. C., Inbasekaran M., Woo E. P., Nondispersive hole transport in an electroluminescent polyfluorene // Appl. Phys. Lett.- 1998.-V. 73.-P. 1565−1567
  37. Redecker M., Bradlery D. D. C., Inbasekaran M., Woo E. P., Mobility enhancement through homogeneous nematic alignment of a liquid-crystalline polyfluorene // Appl. Phys. Lett. 1999. — V. 74. — P. 1400−1402.
  38. A. H., Жеребов А. Ю., Корнилов В. M. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении. Письма в ЖЭТФ, 1990, Т. 52, В. 2, С. 742 745.
  39. А. Н., Жеребов А. Ю., Корнилов В. М., Высокопрводящее состояние в тонких пленках полимеров. Влияние электрического поля и одноосного давления.//ЖЭТФ. 1992.-Т. 102.-В. 1 (7).-С. 187−193.
  40. Moses D., Feldblum A., Efrenfreund Е., Heeger A.J., Chug Т., MacDiarmed A. G. Pressure dependence of the photoabsorption of polyacentylene. // Phys.Rev. B-1982. V.26.-N.6.-P.3361−3369.
  41. Park Y. W., and Heeger A. J., Electrical Transport in Doped Polyacetylene. // J.Chem.Phys. 1980. — V.73. — N.2. — P.946−957.
  42. M., Марк П. // Инжекционные токи в твердых телах. М.: «Мир», 1973 С. 416.
  43. И. О предпробойных явлениях в изоляторах и электронных полупроводниках. // ЖТФ. 1938. — В.5 — С.685−686.
  44. Zherebov A. Yu., Lachinov А. N. On the influance of trappit states on the electronic instabilities in Polydiphenylenephthalide. // Synt. Metals. 1992. -V.46. — P.181−188.
  45. Kornilov V. M., Lachinov A. N. Electron-microscopic analysis of polymer thin films capable of switching to conductive state. // Synth. Metals 1993. — V.53. -Nl. — P. l-6.
  46. П. Дальний порядок при сверхпроводящем переходе. // УФН 1970. — Т. 102. — В.2. — С.239−243.
  47. Electronic Properties of Quasi-One-Dimensional Materials, ed. by P. Monceau, Riedel, Dordrecht, The Netherlands.-1985.-P.360.
  48. Dearnley G., Electronic conduction though thin insulated oxide layers. //Phys. Letters. -1967. V.25. -N10. -P.760−767.
  49. Elyashevich A. M., Kiselev A.A., Liapzev A. V., Miroshnichenko G. P., A Model of a conductive channel in a thin insulating film. // Phys. Leters A, V.156,Nl, 2.P.l 11−113.
  50. Heine V., Theory of Surface State. // Phys.Rev. A 1965. — V.138 -P. 1689−1694.
  51. Kao К., Хуанг В. // Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир.-1984.-Т.1.-С.350.Р.
  52. Р. М. Borsenberger, Hole transport in mixtures of l, l-bis (di-4-tolylaminophenyl) cyclohexane and bisphenol-A-polycarbonate.// Appl.Phys. 1990. -68.-P. 5682−5686.
  53. P. M. Borsenberger., L. Pautmeier., H. Bassler., Hole transport in bis (4-N, N-diethylamino-2-methylphenyl)-4-methylphenylmethane// J.Chem.Phys. 1991. -V. 95. -P.1258−1265.
  54. P. M. Borsenberger, L.J. Rossi., Effects of dipolar disorder on electron transport in molecularly doped polymers // J.Chem.Phys. 1992. — V. 96. — P. 23 902 394.
  55. L.B.Schein, A. Rosenberg, S.L. Rice., Hole transport in a molecularly doped polymer: /7-diethylaminobenzaldehyde-diphenyl hydrazone in polycarbonate.// J.Appl.Phys. 1986. — V. 60. — P. 4287−4292.
  56. L.B.Schein., Comparison of charge transport models in molecularly doped polymers// Philos.Mag.B. 1992. — V. 65. -N 4. — P. 795−810.
  57. J.Frenkel., On Pre-Breakdown Phenomena in Insulators and Electronic Semi-Conductors // Phys.Rev. 1938. — V. 54. — P. 647−648.
  58. W.G. Gill., Drift mobilities in amorphous charge-transfer complexes of trinitrofluorenone and poly-«-vinylcarbazole // J.Appl.Phys. 1972. — V. 43. -P.5033−5040.
  59. G. Pfister. Hopping transport in a molecularly doped organic polymer. //• Phys.Rev.B. 1977. -V. 16. -P.3676−3687.
  60. С.А., Кирова H.H., Экситоны, полкроны и биполяроны в проводящих полимерах // Письма в ЖЭТФ 1981 — Т. 33 — В.6. — с. 6−10.
  61. Fritzsche Н., Guevas М., Impurity Conduction in Transmutation-Doped /?-Туре Germanium // Phys. Rev. 1960. -V. 119. — P. 1238−1245.
  62. Mansfield R., Abboudy S., Foozoni F., Hopping conduction in n-type indium phosphide // Philos. Mag. В 1988 — V.57 (6) — P.777−789.
  63. R. Rentzsch, K. J. Friedland, A. N. Ionov, M. N. Matveev, I. S. Shlimak, C. Gladun, H. Vinzelberg., Variable-Range Hopping in Neutron-Transmutation-Doped Gallium Arsenide// Phys. Stat. Sol. (B) 1986. — B. 137. — P 691−700.
  64. Shafarman W.N., Koon D. W., Castner Т.О. hafarman W.N., Koon D. W., dc conductivity of arsenic-doped silicon near the metal-insulator transition // Phys. Rev. 1989.-V40.-P. 1216−1231.
  65. Massey J. G., Lee. M., Direct Observation of the Coulomb Correlation• Gap in a Nonmetallic Semiconductor, Si: В // Phys. Rev. Lett. 1995. — V. 75. — P. 4266−4269.
  66. H. Bassler., Localized states and electronic transport in single component organic solids with diagonal disorder// Phys. Status Solidi (B). 1981. -В. 107.-P.9−54.
  67. H. Bassler. Charge transport in disordered organic photoconductors. A Monte Carlo simulation study.// Phys. Status Solidi (B). 1993. — V. 175. — N. 1. -P. 15−56.
  68. R.Richert, L. Pautmeier, H. Bassler., Diffusion and drift of charge carriers in a random potential: Deviation from Einstein’s law // Phys.Rev.Lett. -1986.-V. 63.-P. 547−550.
  69. R.Richert, L. Pautmeier, H. Bassler., Hopping in a Gaussian Distribution of Energy States: Transition from Dispersive to Non-Dispersive Transport // Philos .Mag. Lett. 1989. — V.59. — P.325−331.
  70. R.Richert, L. Pautmeier, H. Bassler., Poole-Frenkel Behavior of Charge Transport in Organic-Solids with Off-Diagonal Disorder Studied by Monte-Carlo Simulation // Synth. Metals. 1990. — V. 37. — P. 271−281.
  71. R.Richert, L. Pautmeier, H. Bassler. Anomalous Time-Independent Diffusion of Charge Carriers in a Random Potential under a Bias Field // Philos.Mag.B. -1991. -V. 63. 587−601.
  72. P.M. Borsenberger, L. Pautmeier, H. Bassler., Charge transport in disordered molecular solids // J. Chem. Phys. 1991. — V. 94. — P. 5447−5454.
  73. M.A. Abkowitz., Eelctronic transport in polymers // Philos.Mag.B. -1992. V. 65. — N 4. — P. 817−829.
  74. H. Bassler., Charge Transport in Disordered Organic Photoconductors a Monte Carlo Simulation Study // Phys. Status Solidi (B). 1993. — В 175 — P.15−56.
  75. P.M. Borsenberger, H. Bassler., The Role of Polar Additives on Charge Transport in Molecularly Doped Polymers// Phys. Status Solidi (B). 1992. — B. 170. -P. 291−302.
  76. Б.И. Шкловский, A.JI. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников, М.:Наука, 1979.
  77. И.М. Лифшиц, С. А. Гредескул, JI.A. Пастур. Введение в теорию неупорядоченных систем, М.:Наука, 1982.
  78. Дж. Займан. Модели беспорядка, М.:Мир, 1982.
  79. B.JI. Бонч-Бруевич, И. П. Звягин, Р. Кайпер, А. Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, М.:Наука, 1981.
  80. P.M. Borsenberger, L. Pautmeier, H. Bassler., Nondispersive-to-dispersive charge-transport transition in disordered molecular solids // Phys.Rev.B. -1992.-V. 46. -P.12 145−12 153.
  81. Novikov S.V., Vannikov A.V., Field dependence of charge mobility in polymer matrices. // Chem. Phys. Lett. 1991. — V. 182. — P. 598−602.
  82. S.V.Novikov, A.V.Vannikov., Field dependence of charge mobility in polymer matrices, Monte Carlo simulation of the escape of a charge carrier from a dipole trap // Chem. Phys. 1993. — V. 169. — P. 21−33.
  83. Duke C.B. and Fabish T.J., Charge-Induced Relaxation in Polymers. // Phis. Rev. Lett. 1976. — V. 37. — P. 1075−1078.
  84. M., Свенберг Ч., Электронные процессы в органических кристаллах: в 2-х томах. М.:Мир. 1985. 544с
  85. L.B.Schein, J.X.Mack., Adiabatic and non-adiabatic small polaron hopping in molecularly doped polymers // Chem. Phys. Lett. 1988. — V. 149. — P. 109−112.
  86. L. В., D. Glatz, J.C.Scott. .B.Schein, D. Glatz, J.C.Scott., Observation of the transition from adiabatic to nonadiabatic small polaron hopping in a molecularly doped polymer // Phys. Rev. Lett. 1990. — V. 65. — P. 472−475.
  87. М.Г., Ковардаков B.A., Салазкин C.H., Рафиков С. Р., Некоторые закономерности синтеза полиариленфталидов гомополиконденсацией п-(3-хлоро-3-фталидил)-бефинила. // Высокомолек. Соед.-1984.-Т.26а.-№ 6.-С. 1212−1217.
  88. Zolotukhin M.G., Skirda V.D., Sedova Е. A., Sundukov V. I., Salazkin S.N., Gelation in the homopolycondensation of 3-arel-3-clorphtalides. // Macromol. Chem.-1993.-V.194.-№ 2.-P.543−549.
  89. A. C. 734 989 СССР. Полигетероарилены для изготовления термостойких материалов и способ их получения. / Рафиков С. Р., Толстиков Г. А., Салазкин С. Н., Золотухин М. Г. Б.И. — 19 891.-№ 20.
  90. И.В. Взаимодействие полиариленфталидов и их аналогов с иодом. // Канд. дисс., ИОХ УНЦ РАН, Уфа 1996.
  91. С.Н., Золотухин М. Г., Ковардаков В., Дубровина JI.B., Гладкова Е. А., Павлова С. С., Рафиков С.Р., Молекулярно-массовые характеристики полиариленфталида. // Высокомолек. соед. 1987.-А29. — № 7. -С.1431−1436.
  92. Wu C.R., Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Kugler Т., Rasmusson J., Salaneck W.R., The chemical and electronic structure of the conjugated polymer poly (3.3-phthalidyliden-4.4-bihenylilene). // Synth. Metals. -1994.-V. 67. -P.125−128.
  93. Zykov B.G., Baydin V.N., Bayburina Z.Sh. et al.// Journal of Electron Spectroscopy and Rel. Phenomena- 1992.-V.61.-P.123−129.
  94. Moses D., Feldblum A., Ehrenfreund., Heeger A. J., Chug Т., MacDiarmind A.G., Pressure dependence of the photoabsorption of polyacetylene. // Phys.Rev. B-1982. V.26. — N.6. — P.3361−3369.
  95. Park Y.W., and Heeger A. J., Electrical Transport in Doped Polyacetylene.// Chem. Phys. 1980. — V. 73. — N.2. — P. 946−957.
  96. A.H., Загуренко Т. Г., Корнилов B.M., Фокин А. И., Александров И. В., Валиев Р. З., Перенос заряда в системе металл-полимер-нанокристаллический металл. // ФТТ. 2000. — Т. 42. — В. 10. — С. 1882−1888.
  97. Zherebov A., Lachinov A., Kornilov V., Metal phase3 in electroactive polymer induced by traps ionization. // Synth. Metals. 1997. — V, 84. — P.917−920.
  98. Gill W. G., Drift mobilities in amorphous charge-transfer complexes of trinitrofluorenone and poly-n-vinylcarbazole. // Appl. Phys. 1972. — V. 43. — P. 5033−5040.
  99. Pautmeier L., Richert R., Bassler H., Poole-Frenkel behavior of charge transport in organic solids with off-diagonal disorder studied by Monte Carlo simulation // Synth. Metals. 1990. — V. 37. — P. 271−281.
  100. Richert. R., Pautmeier. L., Bassler. H., Diffusion and drift of charge carriers in a random potential: Deviation from Einstein’s law. // Phys. Rev. Lett. -1989.-V. 63.-P. 547−550.
  101. Novikov S.V., Vannikov A.V., Field dependence of charge mobility in polymer matrices. // Chem. Phys. Lett. 1991. — V. 182. — P. 598−602.
  102. S.V.Novikov, A.V.Vannikov., Field dependence of charge mobility in polymer matrices, Monte Carlo simulation of the escape of a charge carrier from a dipole trap // Chem. Phys. 1993. — V. 169. — P. 21−33.
  103. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах. М.:Мир. 1984. 455с.
  104. В.И., Руденко А. И., Андриеш A.M., Иову М. С., Шутов С. Д. Нестационарные инжекционные токи в неупорядоченных твердых телах. -Кишинев: Штиинца, 1983.176 с
  105. Pfister. G., Hopping transport in a molecularly doped organic polymer. // Phys. Rev. В 1977 — V. 16. — P. 3676−3687.
  106. Rhoderick E. M., Metal-Semiconductor Contacts, Clarendon, Oxford, 1978-Transport Processing in Schottky Diodes, in Pepper К. M., Ed., lust. Phys.Conf. Ser., No. 22, Institute of Physics, Manchester, England, 1974, p. 3.
  107. Geppert D. V., Theoretical Shape of Metal-Insulator-Metal Potential Barriers. // Appl. Phys. 1963 — V. 34. — P. 490−493.
  108. HarrisonW. A., Tunneling from an Independent-Particle Point of View. // Phys. Rev. 1961 — V. 123. — P. 85−89.
  109. Bardeen J., Tunnelling from a Many-Particle Point of View. // Phys. Rev. Letters. 1961. — V. 6. — P. 57−59.
  110. Frenkel J., On the Electrical Resistance of Contacts between Solid Conductors//Phys. Rev. 1930 — V. 36. — P. 1604−1618.
  111. Holm R., The Electric Tunnel Effect across Thin Insulator Films in Contacts // Appl. Phys. 1951. — V. 22. — P. 569−574.
  112. Simmons J. G., Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film. // Appl. Phys. -1963.-V 34.-P. 1793−1803.
  113. Simmons J. G., Electric Tunnel Effect between Dissimilar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film // Appl. Phys. 1963. — V. 34. — P. 25 812 590.
  114. Simmons J. G., Generalized Thermal J-V Characteristic for the Electric Tunnel Effect.//Appl. Phys. 1964. -V. 35. — P. 2655−2658.
  115. Murphy E. L., Good R. H., Jr., Thermionic Emission, Field Emission, and the Transition Region.//Phys. Rev. 1956 — V. 102. — P. 1464−1473.
  116. Stratton R., Electron Tunneling with Diffuse Boundary Conditions. // Phys. Rev. 1964. — V. 136. — P. A837-A841.
  117. Tantraporn W., Electron current through metal-insulator-metal sandwiches // Solid-State Electron. 1964. — V. 7. — P. 81−91.
  118. Chow C. K., On Tunneling Equations of Holm and Stratton. // Appl. Phys. 1963. — V. 34. — P. 2490−2492.
  119. Chow C. K., Effect of Insulating-Film-Thickness Nonuniformity on Tunnel Characteristics. // Appl. Phys. 1963. — V. 34. — P. 2599−2602.
  120. Chow C. K., Temperature Dependence of BeO Tunneling Structures. // Appl. Phys. 1963. — V. 34. — P. 2918−2919.
  121. Chow C. K., Square-Mean-Root Approximation for Evaluating Asymmetric Tunneling Characteristics. // Appl. Phys. 1965. — V. 36. — P. 559 563.
  122. Bethe H. A., Theory of the Boundary Layer of Crystal Rectifiers // MIT Radial. Lab. Rep. 1942. — P.43−52.
  123. Schottky W., Halbleitertheorie der Sperrschicht // Naturwissenschafiten. 1938.-V. 26.-P. 843−844.
  124. Crowell C R., Sze S. M., Curent Transport in Metal -Semiconductor Barriers. // Solid State Electron. 1966. — V. 9. — P. 1035.
  125. Pollak M., Seichik J. A., Electron transport thorough insulating this film: in Applied Solid Science. // Wolfe R. (ed). 1969. — V. 1. — P. 343−383.
  126. Emtage P. R., O Dwyer J. J., Richardson-Schottky effect in insulators. // Phys. Rev. Lett. 1966. — V. 16 — P. 356−358.
  127. Musa I., Eccleston W., Electrical properties of polymer/Si heterojuctions // This solid films 1999. — V. 343−344. — P. 469−475.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!