Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Развитие пространственных неоднородностей в процессах минералообразования

Диссертация: Развитие пространственных неоднородностей в процессах минералообразования
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установленные закономерности развития пространственных неоднородностей в кристаллообразующих растворах в низкотемпературных и высокотемпературных (докритических) условиях имеют единую физическую и физико-химическую природу с рядом закономерностей эволюции геологических и минералогических процессов в гидротермальных полостях, пегматитовых камерах на последних стадиях минералообразования, а также… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ НЕОДНОРОДНОСТИ В КРИСТАЛЛООБРАЗУЮЩИХ СИСТЕМАХ
    • 1. L Температурно-концентрационные неоднородности в подвижных средах кристаллизации
      • 1. 2. Неоднородности в диффузионных средах кристаллизации
  • Глава 2. ОПТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ РЕГИСТРАЦИИ НЕОДНОРОДНОСТИ КРИСТАЛЛОВ И
  • КРИСТАЛЛООБРАЗУЮЩИХ СРЕД
    • 2. 1. Оптические методы измерения локальных неоднородностей физических свойств вещества
    • 2. 2. Теневые методы. Методы расчета показателя преломления по теневым измерениям
    • 2. 3. Методы интерферометрии. Анализ интерференционной картины
  • Глава 3. ПРОЦЕССЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ИЗ РАСТВОРОВ
    • 3. 1. Концентрационное поле растущего кристалла
    • 3. 2. Развитие крупномасштабных неоднородностей кристаллообразующего раствора
    • 3. 3. Закономерности эволюции высокотемпературных сред кристаллизации
  • Глава 4. РАЗВИТИЕ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В
  • КРИСТАЛЛООБРАЗУЮЩЕЙ СРЕДЕ С ГРАДИЕНТОМ ПЛОТНОСТИ
    • 4. 1. Развитие тепловой и концентрационной конвекции в открытой системе кристалл-среда
    • 4. 2. Процессы роста и растворения кристаллов разного состава в подвижных многокомпонентных растворах
  • Глава 5. РАЗВИТИЕ ПРОЦЕССОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И
  • НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В ГЕЛЕВЫХ СРЕДАХ
    • 5. 1. Гелевые среды, кристаллизации. Развитие диффузионных процессов при кристаллизации в гелях
    • 5. 2. Лимитирующие стадии кристаллизации в гелях
    • 5. 3. Развитие формы кристаллов в связи с неоднородностью физико-химических параметров гелевой системы. А9А
  • Глава 6. ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ КРИСТАЛЛООБРАЗОВАНИЯ И ФРАКТАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ НЕОДНОРОДНОСТИ КРИСТАЛЛОВ
    • 6. 1. Эволюция формы кристалла в кинетическом режиме роста. Моделирование оптимальных условий кристаллосинтеза
    • 6. 2. Модель роста скелетных и дендритных кристаллов. Фрактальные свойства кристаллических объектов
    • 6. 3. Моделирование открытой неравновесной гелевой системы кристаллообразования
    • 6. 4. Фрактальный анализ зональности кристаллов кварца Приполярного Урала
  • ВЫВОДЫ

Развитие пространственных неоднородностей в процессах минералообразования (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность. Известно, что процессы кристаллогенезиса, в том числе важные для геологии процессы природного минералообразования, включают в себя: фазовые переходы (зародышеобразование, рост кристаллов) — разнообразные химические реакциипереносы вещества и энергии в среде кристаллизации.

Все эти виды процессов функционально связаны с пространственными неоднородностями среды кристаллизации в форме различных градиентов: концентрации, температуры, плотности и скоростей движения кристаллообразующей среды.

Вследствие этого, изучение пространственных неоднородностей среды кристаллизации дает ключевую информацию о факторах, управляющих кристаллообразованием.

Таким образом, исследование закономерностей зарождения и последующей эволюции пространственных неоднородностей среды кристаллизации является весьма актуальной научной проблемой. Эта проблема несомненно принадлежит к числу фундаментальных в области минералогической кристаллографии и кристаллогенезиса.

Цель работы. Установление закономерностей развития пространственных неоднородностей в средах кристаллизации в процессах роста и растворения кристаллов и создание адекватных количественных моделей кристаллообразования, отражающих генезис пространственных неоднородностей.

Задачи исследования. 1. Создание экспериментальных оптических комплексов, позволяющих проводить локальные неразрушающие и синхронные измерения параметров среды кристаллизации и растущего кристалла в ходе кристаллообразования.

2. Исследование механизмов возникновения плотностных (концентрационных и температурных) неоднородностей в прилегающих к растущей поверхности кристалла областях раствора и в объеме кристаллизатора при росте и растворении кристаллов в различных термодинамических условиях. Выявление закономерностей эволюции кристаллообразующих сред при взаимодействии концентрационных и температурных полей различного генезиса в гравитационно-стратифицированных условиях.

3. Установление закономерностей развития процесса кристаллообразования, включающего массоперенос, химические реакции, зародышеобразование и рост кристаллов в диффузионной пористой среде.

4. Создание математических численных моделей кристаллообразования адекватных экспериментальным и природным кристаллообразующим системам.

5. Адаптация новых подходов теории фракталов и теории динамических систем к оценке неоднородностей минералов (зональности).

Диссертационная работы выполнена в соответствии с планами научно-исследовательских работ Института геологии Коми НЦ УрО РАН по темам: «Факторы, механизмы и эволюция минералообразования», «Кристаллогенетическая теория и моделирование кристаллообразующих процессов» .

Научная новизна. 1. Установлены закономерности формирования и диапазон термодинамических условий существования кристаллогенетической плотностной стратификации раствора в процессе роста или растворения кристалла.

2. Раскрыты закономерности формировании группы конвективных явлений в стратифицированном многокомпонентном кристаллообразующем растворе при взаимодействии температурных и концентрационных полей.

3. Выявлены условия формирования двух режимов кристаллообразования в пористых диффузионных средах, их физические, физико-химические и кристаллогенетические признаки.

4. Установлены фрактальные свойства диффузии и зародышеобразования в гелевой кристаллообразующей системе. Диапазон значений показателя Херста для процессов диффузии и зародышеобразования составляет от 0.3 до 0.8.

5. Установлена важнейшая роль поверхностной диффузии строительных частиц при переходе от фрактального (дендритного) к идиоморфному росту кристаллов.

6. Построены математические модели гелевых систем кристаллизации, адекватные физическому эксперименту, и установлены закономерности перехода от непрерывного образования кристаллов в гелевой колонке к формированию полос Лизеганга.

Практическое значение работы. Автором разработаны и применены оригинальные экспериментальные комплексы на базе оптических интерференционных и теневых методов исследования, которые дают возможность проводить локальные, неразрушающие и синхронные измерения неоднородностей концентрации и температуры в объеме среды кристаллизации и у поверхности растущего кристалла, а также нормальной скорости роста грани кристалла и рельефа ее поверхности в ходе единого процесса. Показаны перспективы развития научных исследований на базе разработанных оптических экспериментальных комплексов, позволяющие создать более глубокую теоретическую базу для работ технологического направления.

На основе установленных закономерностей развития кристаллообразующих систем предложены пути оптимизации процессов синтеза кристаллов, созданы новые методы контроля параметров среды кристаллизации и способы выращивания кристаллов из раствора и геля, которые защищены патентами и авторскими свидетельствами и используются на практике. Получен патент на способ контроля степени однородности изотропной и двупреломляющей кристаллической крупки, использование которого позволяет решить важную проблему оценки качества сырья в производстве кристаллов и варки стекла. Результаты проведенных исследований использовались автором в трех спецкурсах, прочитанных им на физическом факультете Сыктывкарского государственного университета.

Основные защищаемые положения.

1. Необходимым условием развития кристаллогенетической плотностной стратификация раствора в поле силы тяжести является существование динамического концентрационного пограничного слоя у поверхности растущего или растворяющегося кристалла. Неоднородности пограничного слоя транслируются в крупномасштабные неоднородности раствора при достаточно ограниченном интервале термодинамических и физико-химических условий.

2. Механизм развития процесса кристаллообразования в пористых диффузионных средах включает два основных этапа — кинетический и диффузионный. На первом этапе скорость массовой кристаллизации ограничивается скоростями химических реакций и зародышеобразования, а на втором — химическая реакция, зародышеобразование и, как следствие, скорость кристаллизации ограничены диффузионным массопереносом вещества в зону роста".

3. Процессы кристаллообразования в пористых диффузионных средах обладают фрактальными свойствами, отражающими взаимовлияние основных физико-химических процессов: диффузии компонентов, химических реакций, зародышеобразования и роста кристаллов.

4. Тонкая ростовая зональность природных кристаллов кварца из хрусталеносных полостей отражает «детерминированный хаос» колебаний кристаллогенетических параметров.

Объем и структура работы. Диссертация содержит введение, 6 глав, выводы, заключение и список литературы. Общий объем работы составляет 301 страница, из них текст — 203 стр., рис.- 154, табл.-10., библ. — 253.

ВЫВОДЫ.

1. Совокупность научных положений и выводов, изложенных в данной работе, представляет собой решение проблемы зарождения и последующей эволюции пространственных неоднородностей среды кристаллизации в процессе роста кристаллово.

2. Разработан оригинальный комплекс методов неразрушающего оптического контроля важнейших термодинамических и физико-химических параметров системы кристаллообразования на базе голографической и классической интерферометрии, теневых методов и гониометрии, в том числе создана универсальная интерференционная установка, предназначенная для комплексных многоканальных исследований неоднородностей возникающих в системе кристалл-среда в процессе роста и растворения кристаллов. Решена задача анализа ряда термодинамических, физико-химических параметров кристаллообразования по оптическим данным.

3. Развитие динамического пограничного слоя раствора у растущего или растворяющегося кристалла при небольших отклонениях от равновесия происходит зеркально симметрично. Эта симметрия прослеживается по отношению к процессам массопереноса в пограничном слое и массовой скорости роста кристалла, но не к процессам морфологической перестройки. Симметрия роста и растворения фиксируется в развитии кристаллогенетической гравитационной плотностной стратификации раствора. Детально исследовано воздействие ультразвука частотой 1.5 МГц на рост кристалла, рельеф граней и неоднородности в растворе. При малых мощностях волны до 0.01 Вт/см2 скорость.

Г) роста всех граней кристалла увеличивается, а при больших 0.03 Вт/см зафиксировано возникновение стоячей волны в пограничном слое раствора и, как следствие, волнообразное изменение рельефа растворяющейся грани. Характерное время отклика скорости роста грани на включение ультразвука в 2−3 раза больше, чем время отклика на выключение.

Переход от ламинарного к турбулентному режиму движения раствора в пограничном слое происходит одновременно с существенными изменениями в кинетике роста грани кристалла и изменениями ее морфологического типа, что свидетельствует о явлениях саморегуляции процесса кристаллизации в масштабах долей миллиметра на кристаллогенетическом микроуровне — «поверхность кристалла — подвижный пограничный слой раствора» .

4. Кристаллогенетическая плотностная (концентрационная) стратификация низкотемпературного раствора является результатом гравитационного накопления «отработанного» раствора, побывавшего в зоне пограничного слоя у поверхности растущего или растворяющегося кристалла. Плотностная стратификация отражает интегральные изменения структуры пограничного слоя за время роста и таким образом зависит от существования пограничного слоя. Перепад концентрации в кристаллогенетически стратифицированном растворе определяется в конечном итоге величиной пересыщения раствора и не превышает его значения.

Кристаллогенетическая плотностная стратификация многокомпонентной подвижной среды кристаллизации наблюдается в достаточно ограниченном интервале термодинамических и физико-химических условий. При температурах выше 150−200°С в гидротермальных растворах в связи с высокой подвижностью воды основной массоперенос в растворе осуществляется тепловой конвекцией и кристаллогенетическая плотностная стратификация не формируется. Однако при температурах ниже критических плотностная стратификация раствора не кристаллогенетической природы возможна и обусловлена только формой полости, разрушающей общую конвекцию на ряд ячеек, на границах которых фиксируются перепады концентрации, температуры и плотности раствора. Вероятно индикатором существования плотностной стратификации раствора в гидротермальной полости и соответственно признаком относительно низкой температуры процесса кристаллизации (ниже 300°С) может служить факт корреляции значительных морфологических отличий кристаллов с геометрией полости.

Закономерности взаимовлияния кристаллогенетически стратифицированного раствора и растущего кристалла, выражающиеся в падении скорости роста кристалла со временем по гиперболическому закону и сбалансированности массовой скорости роста кристалла и скорости диффузионного переноса вещества между зонами стратификации отражают явление саморегуляции процесса кристаллизации в масштабах сантиметров на кристаллогенетическом мезоуровне -" кристалл — раствор". Другая сторона саморегуляции проявилась в достижении динамического равновесия между процессом идиоморфного роста кристалла и равномерным процессом теплоили массообмена с внешним окружением.

5. В результате анализа развития формы кристалла в процессе его вдеоморфнош роста в рамках физико-геометрического подхода установлено, что морфологическая эволюция кристалла, идущая в направлении упрощения, является достаточно закономерным процессом при небольших, не приводящих к другим фазовым переходам, изменениях физических параметров кристалл-среда. Однако, в связи с отсутствием корреляции динамической формы кристалла с пересыщением, без учета начальной формы кристалла, невозможно точное решение обратной задачи — восстановление условий процесса по конечной форме кристалла.

Каждому диапазону термодинамических условий роста кристаллов из растворов определенного химического состава соответствует свой набор стационарных форм. Стабильность термодинамических и физико-химических условий в процессах кристаллообразования при идиоморфном росте кристаллов связана со степенью отклонения среднестатистической формы, рассчитываемой по совокупности кристаллов, от стационарной формы кристаллов, а также с величиной статистической дисперсии форм кристаллов, отобранных по соседству. С одной стороны, чем меньше отклонения стационарной формы от среднестатистической, тем более стабильными во времени были условия кристаллообразования, и с другой стороны, чем меньше дисперсия среднестатистической формы, тем более однородным был состав кристаллообразующей среды в пределах окружения рассматриваемой совокупности кристаллов.

6. Возникновение тепловой конвекции при нагреве стратифицированного раствора происходит при определенных соотношениях физических параметров системы, входящих в критерий Релея, который достигает значения 200. Многоячеистая тепловая конвекция в условиях концентрационной стратификации раствора при росте и растворении кристалла в процессе нагревания представляет собой устойчивый тип поведения, к которому подвижный кристаллообразующий раствор переходит достаточно быстро. В условиях кристаллогенетической стратификации раствора кристалл своим положением определяет границы конвективных ячеек так, что он располагается в зоне максимальных градиентов концентрации, температуры и скоростей движения раствора. Это обстоятельство вызывает существенную анизотропию роста и растворения кристалла. Массоперенос в неоднородных по концентрации и температуре растворах осуществляется как с помощью концентрационной конвекции, источником которой служит перепад концентрации раствора, так и с помощью температурной конвекции, при наличии перепадов температур достаточных для возникновения тепловых струй в растворе. Иногда функцию теплопереноса выполняет концентрационная конвекция.

7. Эффекты аномального распределения концентраций компонентов в смешанном низкотемпературном (вязком) растворе при растворении кристаллов подчиняются общей плотностной стратификации раствора, или условию постоянства плотности на одном горизонтальном уровне. При растворении кристалла одного из компонентов в растворе происходит перераспределение концентрации обоих веществ. Причем, перераспределение вещества, задающего начальный градиент плотности в растворе является необходимым условием образования аномального распределения концентрации. В пределах аномальной зоны концентрация этого «буферного» вещества практически выравнивается до некоторой небольшой величины, а на границах области градиент концентрации его значительно возрастает.

8. В процессе кристаллообразования в гелевых средах диффузия веществ, химические реакции, нуклеация и рост кристаллов взаимовлияют друг на друга таким образом, что диффузионная гелевая система кристаллизации представляет собой яркий пример самоорганизующейся системы на кристаллогенетическом макроуровне — «сообщество кристаллов — среда кристаллизации». Фрактальные свойства процессов диффузии и зародышеобразования и точка перехода между различными режимами поведения системы — монотонным выпадением осадка и образованием полос Лизеганга, свидетельствуют о явлениях самоорганизации. Установлены два этапа развития процесса кристаллообразования в геле: кинетический и диффузионный. На первом кинетическом этапе процесс роста кристаллов лимитируется скоростями химических реакций и скоростью нуклеации. На втором диффузионном этапе все процессы и в конечном итоге скорость кристаллизации лимитированы диффузионным массопереносом.

Диффузионный массоперенос в геле описывается фрактальным обобщенным Броуновским движением частиц.

9. Построены математические модели процессов кристаллообразования в геле на основе дифференциальных уравнений и проведено численное моделирование. Установлено, что механизмы случайного и детерминированного зародышеобразования в геле не вызывают принципиальных различий в поведении системы. Формирование полос Лизеганга происходит в гелевой системе при существовании значимой метастабильной области пересыщений для процесса нуклеации. Причем, развитие процесса кристаллообразования в геле с необходимостью приводит к возникновению периодического осадка.

Смена режимов осаждения кристаллов в природных диффузионных условиях от монотонного к осциллирующему может быть связана не с резким изменением внешней обстановки минералообразования, а следствием единого процесса кристаллообразования с плавным изменением параметров кристаллизацииконцентрации компонентов и температуры.

10. Рост фрактальных самоподобных кластеров и рост идиоморфных кристаллов могут быть описаны на атомно-молекулярном уровне одним диффузионным механизмом переноса вещества с небольшим отличием, которое заключается в явлении поверхностной миграции частиц по кристаллу. При изменении эффективности механизма поверхностной миграции частиц продемонстрированы все переходные формы кристаллов от дендритов до монокристалла.

11. Установлено, что на кристаллах кварца месторождения Желанное (Приполярный Урал) тонкая зональность, выявленная по плотности окраски обладает свойствами детерминированного хаоса. Фрактальные размерности портретов тонкой зональности группируются в две области: 5.6±0.5 (для 1 этапа роста) и 3.9±0.2 (для 2 этапа роста после этапа регенерации). Этот факт отражает смену количества переменных в динамической гидротермальной кристаллообразующей системе с 6 на первом этапе до 4 на втором этапе развития месторождения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Установленные закономерности развития пространственных неоднородностей в кристаллообразующих растворах в низкотемпературных и высокотемпературных (докритических) условиях имеют единую физическую и физико-химическую природу с рядом закономерностей эволюции геологических и минералогических процессов в гидротермальных полостях, пегматитовых камерах на последних стадиях минералообразования, а также при вторичном минералообразовании в зонах гипергенеза, при карстообразовании. Поэтому результаты исследований кристаллообразующих растворов, в виде сформулированных критериев и признаков могут быть применимы при анализе условий природного минералои рудообразования. Так в частности, индикатором существования плотностной стратификации раствора в гидротермальной полости и соответственно признаком относительно низкой температуры последних стадий процесса кристаллизации (ниже 300°С) может служить факт взаимосвязи значительных морфологических отличий кристаллов, размещенных на стенках полости с ее геометрией.

Результаты лабораторного моделирования концентрационно-температурной конвекции в многокомпонентных стратифицированных растворах могут являться наглядной иллюстрацией развития океанических гидротерм и мантийных плюмов. Установленные механизмы гидродинамических пульсаций и конвективного расслаивания стратифицированных по плотности растворов, закономерности развития аномальных по составу и температуре зон могут быть использованы при создании моделей крупномасштабных мантийных вулканогенных процессов, моделей развития внутрикоровых интрузивных магматических тел при решении проблемы дифференциации магматогенного рудного материала и выделении этапов минерализации, построении моделей формирования океанических гидротермальных месторождений.

Развитие природных процессов метасоматоза с образованием гелевой коллоидной фазы и последующим рудообразованием во многом сходно с процессами кристаллообразования в гелевых средах, изученными в данной работе на примере модельных систем. Широкое распространение коллоидного состояния вещества и его роль в процессах формирования и преобразования минералов позволяет утверждать, что выявленные закономерности могут быть использованы для анализа условий образования ряда полосчатых текстур. Установленные закономерности являются общими, в первую очередь благодаря диффузионному переносу вещества, и химически неравновесным условиям, характеризующим природные и модельные гелевые системы кристаллообразования. В частности вывод о том, что переход от сплошных к полосчатым текстурам может быть связан не с резким изменением внешней обстановки минералообразования, а следствием естественного хода процесса кристаллообразования с монотонным изменением параметров кристаллизации — концентрации компонентов и температуры может упростить ряд построений в конкретных моделях минералообразования.

Результаты моделирования эволюции формы кристалла при идиоморфном росте и формы кристалла-кластера могут быть с небольшими уточнениями применимы при генетических реконструкциях условий природного минералообразования. Так, малая степень отклонения среднестатистической формы кристаллов минералов от их стационарной формы может служить признаком стабильности термодинамических и физико-химических условий минералообразования, а малая дисперсия среднестатистической формы указывает на однородный состав кристаллообразующей среды в пределах рассматриваемой совокупности кристаллов.

Современные методы фрактального анализа формы дендритных кристаллов, зональности монокристаллов минералов, а также процессов распространения фронтов диффузии и кристаллизации, продемонстрированные и развиваемые в данной работе, могут быть непосредственно применены и для анализа других природных объектов. Хотя есть определенные трудности в расчетах фрактальнык размерностей природных объектов и в их точной интерпретации, тем не менее, фрактальные размерности являются новыми и высокоинформативными характеристиками многих сложных природных динамических систем, к которым относятся и минералообразующие системьг. Можно заключить, что постоянство фрактальных размерностей природных объектов указывает на постоянство условий данного динамического процесса. Кроме формы дендритных и скелетных кристаллов, непериодической зональности кристаллов и текстур горных пород, сеть включений, трещин в минерале, а также сеть тектонических разломов в земной коре и др. могут являться объектами фрактального анализа.

Показать весь текст

Список литературы

  1. B.C., Аветисян А. Г., Налбандян О. Г. // Материалы 6 конференции по росту кристаллов. Цахкадзор. 1985. С. 96−97.
  2. A.M. Процессы и механизмы кристаллогенезиса. JL: Наука, 1984. 168 с.
  3. A.M. Кристаллогенезис и эволюция системы «кристалл-среда». СПб: Наука, 1993. 154 с.
  4. A.M., Зайнуллин Г. Г., Ракин В. И. Кристаллизация в гелях / Ин-т геологии Коми фил. АН СССР. М., 1984. 100 с. Деп. в ВИНИТИ, № 2937−84.
  5. A.M., Ракин В. И. Конвективная эволюция сред с градиентом плотности // ДАН СССР. 1987. Т.292, N 6. С. 1465−1467.
  6. A.M., Ракин В. И. Физика растущего кристалла // Физика минералов и их аналогов. Л.: Наука, 1991. С. 68−77.
  7. Х.С., Хаимов-Мальков В.Я. Некоторые экспериментальные данные о природе образования фигур травления в ультразвуковом поле // Кристаллография. 1957. Т.2, N.2.
  8. Г. Рост кристаллов. М.:ИЛ, 1954. 407 с.
  9. B.C. Экспериментальное изучение процессов хрусталеобразования. М., 1978. 143 с.
  10. В.Н., Худяев B.C. Численное моделирование инфильтрационной метасоматической зональности при локальном равновесии: программа EHS // Экспериментальные проблемы геологии. М.: Наука, 1994. С.456−478.
  11. К. Рост кристаллов из раствора // Новые исследования по кристаллографии и кристаллохимии: (Рост кристаллов). М.:ИЛ, 1950. С.98−106.
  12. И., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхностей // Элементарные процессы роста кристаллов. М.:ИЛ, 1959. С.11−109.
  13. A.B., Левина И. М. О механизме роста граней октаэдра алюмокалиевых квасцов // Кристаллография. 1983. Т. 28, вып.1. С. 130−191
  14. А.Г. Минералогия. М.: изд. геол. лит. 1950. 950 с.
  15. Г. Е. Кристаллогенезис серы. Л.: Наука, 1990. 104 с.
  16. Г. Е., Ракин В. И. Кристаллизация серы из расплава // Минералогенезис и рост кристаллов. Сыктывкар, 1987. С.81−91.
  17. Е.Б., Гладышев Г. П. // Журнал физической химии. 1983. Т.57,№ 6. С. 1337−1342.
  18. В.В. Горный хрусталь Приполярного Урала. Л., Наука, 1974. 212 с.
  19. П.Н., Горбачевский А. Я., Мелихов И. В. Моделирование роста кристаллов в пористой среде из бинарных растворов // Математическое моделирование. 1991. Т. З, № 4. С.31−37.
  20. П.Н., Горбачевский А. Я. Математическое моделирование массопереноса и кристаллизации в пористой среде // Математическое моделирование. 1995. Т.7, № 9. С. 15−22.
  21. Ван Бюрен Дефекты в кристаллах. М.: Иностр. лит., 1962. 584 с.
  22. Л.А. Теневые методы. М.: Наука, 1968. 400 с.
  23. В.А., Веников Г. В. Теория подобия и моделирования. М., 1984, 439 с.
  24. В.И. Кристаллография. М., 1988, 344 с,
  25. Л.И., Хорольский Ю. М., Мироненко Л. А., Установка для контроля степени однородности стекла // Стекло и керамика. 1960. N8. С.22−26.
  26. К.Т. Выращивание кристаллов. Л.:Недра, 1977. 423 с.
  27. А.Н., Винчелл Г. Оптические свойства искусственных минералов. М.:Мир. 1967. 526 с.
  28. Г. В. Избранные работы по кристаллофизике и кристаллографии. М.:Наука, 1952. 343 с.
  29. Выращивание кристаллов из растворов / Т. Г. Петров, Е. Б. Трейвус, Ю. О. Пунин, А. П. Касаткин. Л.: Недра, 1983. 200 с.
  30. И.Г. Строение и свойства гидротермальных растворов. Формы миграции минерального вещества // Известия АН СССР, сер. Геология, 1977. N3, СЛ11−115.
  31. И.Г., Румянцев В.Н, Физико-химические аспекты гидротермального выращивания кристаллов // Кристаллография, 1977, Т.22, вып.1. С. 162−167.
  32. Гемфрис-Оуэн С. Рост отдельных граней кубического кристалла хлората натрия из водного раствора // Новые исследования по кристаллографии и кристаллохимии: (Рост кристаллов). М.:ИЛ, 1950. С. 106−111.
  33. Г. Выращивание кристаллов в гелях. М.: Мир, 1973. 112 с.
  34. В.М., Гусева И. Н., Крамаренко З. Г. Применение голографической интерферометрии для наблюдения за состоянием раствора при выращивании монокристаллов // Кристаллография. 1972. Т.17, вып.5. С.1012−1014
  35. В.М., Степанов Б. М. Голографические измерения. М.: Радио и связь, 1981. 296 с.
  36. Г. П. Термодинамика и макрокинетика природных иерархических процессов. М.: Наука, 1988. 287 с.
  37. А.И. Методы морфометрии кристаллов. JI.: Недра, 1981. 147 с.
  38. А.Э., Глазов А. И. Проблема генетической интерпретации формы кристаллов // ЗВМО. 1979. 4.108. N 5. С.536−551.
  39. С. Роль диффузии при росте кристаллов из раствора // Выращивание кристаллов .М.: Металлургия, 1970. С.31−43.
  40. JI.JT., Рузов В. П., Цыпанов A.B. Исследование процессов зарождения и роста кристаллов в гелях: подавление центров зарождения / Сыктывкарский гос. ун-т. М., 1989. 22 с. Деп. в ВИНИТИ, № 19-В89.
  41. Д.П. Онтогения минералов. Львов: Изд-во ЛГУ, 1961. 284 с.
  42. Д.П., Буканов В. В., Маркова Г. А. Синхронизация процессов по зональности кристаллов // ДАН СССР. 1969. Т.185, N 5. С.1129−1133.
  43. Д.П., Жабин А. Г. Онтогения минералов (индивиды). М.: Наука, 1975. 339 с.
  44. О.С., Касаткин И. А. Особенности кинетики и морфологии роста кристаллов в нестационарных условиях // Расширенные тезисы VII Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Т II. М., 1988. С. 37−38.
  45. И.Н., Гинзбург В. М., Крамаренко В. А. Концентрационная неоднородность раствора при росте и растворении кристаллов // Рост кристаллов. Ереван: Изд-во ЕГУ, 1975. С. 216−220.
  46. Р., Уайкс К. Голографическая и спекл-интерферометрия. М.: Мир, 1986. 328 с.
  47. Н.З. К вопросу об изменении формы кристаллов минералов в процессе их роста // Зап.ВМО. 1958. 4.87, С.647−656.
  48. Н.З. Практический аспект кристалломорфологии касситерита // Зап. ВМО. 1972. Ч. 101, вып.2.
  49. Н.З. Оценка гидротермальных проявлений олова и золота кристалло-морфолотческим методом // Минералогические критерии рудоносности. М., 1981. С. 90−109.
  50. H.A. Этюды по кристаллогенезису. // Зал имп. Акад. наук. 8-я серия, 1914, Т. ЗЗ, № 5. С. 13.
  51. В.М., Морозов В. Н., Смирнова Е. В. Оптические постоянные природных и технических сред: Справочник. Д.: Химия, 1984. 216 с.
  52. Исследование кинетики роста кристаллов ADP из раствора методом in situ рентгеновской топографии / А. А. Чернов, ИЛ. Смольский, В. Ф. Парвов и др. // ДАН СССР. 1979. Т.248, N.2. С 356−358.
  53. ., Леви А., Лиджери Л. Моделирование дендритного роста на основе «случайного дождя» //Фракталы в физике: Труды VI Международного симпозиума по фракталам в физике. М.: Мир, 1988. С. 388−394.
  54. А.П. Влияние ультразвука на кинетику кристаллизации. М., Изд-во АН СССР, 1962. С. 3−62.
  55. А.П., Кавалюнайте В. Е. Кристаллизация квасцов из водных растворов в ультразвуковом поле // Рост кристаллов. Т.2. М.: Изд-во АН СССР, 1957.
  56. А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1974. 496 с.
  57. Г. К. К теории диффузионных методов выращивания кристаллов // Рост кристаллов. Т. 12. Ереван, 1977. С.124−129.
  58. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 792 с.
  59. Ю.Л. Проблемы статистической теории открытых систем: критерии относительной степени упорядоченности состояний в процессах самоорганизации // УФН, 1994, Т.158. Вып.1. С.59−92
  60. В.А. Генетические особенности морфологии кристаллов кварца // ДАН СССР. 1982. Т. 226, № 6. С. 1455−1458.
  61. А.Н. Прецизионный метод определения температуры насыщения прозрачных растворов.// Рост кристаллов. М.:Наука, Т.1, 1957. С.337−340.
  62. Ю.В. Интерферометры. Л.: Машиностроение, 1976. 296 с.
  63. Р., Беркхарт К., Лин Л. Оптическая голография. М.: Мир, 1973. 686 с.
  64. A.A. Введение в биоминералогию. СПб: Недра, 1992. 280 с.
  65. Д.С. Теория метасоматической зональности. М.: Наука, 1969.112 с.
  66. В.П., Соболев B.C., Дубнищев Ю. Н. Лазерная интерферометрия. Новосибирск: Наука, 1983. 214 с.
  67. Н.И., Петров Т. Г. Генезис минеральных индивидов и агрегатов. СПб: Невский курьер, 1997. 228 с.
  68. Краткий справочник физико-химических величин. Изд. 8-е перераб./ Под ред. А. А. Равделя и А. М. Пономаревой Л.:Химия, 1983, 232 с.
  69. Кристалломорфологическая эволюция минералов / Д. П. Григорьев, Н. З. Евзикова, Б. Зидарова, И. Костов, С. К. Кузнецов и др. Сыктывкар, 1981. 28 с. (Сер. препринтов «Науч. докл.» / Коми филиал АН СССР- Вып. 76). Куинн Т. Температура. М.:Мир, 1985. 448 с.
  70. Е.К. Основы генетической минералогии. Львов, Изд-во Львов, ун-та, 1963. 410 с.
  71. Л.Д., Лифшиц Е. М. Гидродинамика 3-е изд. М.:Наука, 1986. 736 с. Левин Г. Г., Вишняков Г. Н. Оптическая томография. М.: Радио и связь, 1989. 224 с.
  72. Д.Д. Теневые методы исследования оптических систем // ГТТИ. Сер. «Проблемы новейшей физики», 1934. Вып. XXIII. 43 с.
  73. Д.У. Кристаллизация. М.:Металлургия, 1965. 342 с. Мандельброт Б. Б. Самоафинные фрактальные множества // Фракталы в физике. М.:Мир, 1988. С. 9−47.
  74. Л.Н. Кристаллизация из растворов в химической промышленности. М.: Химия. 1968. 304 с.
  75. Н. Новый прибор для исследования стационарной диффузии // Приборы для научных исследований. 1987. N4. С. 99−104.
  76. П. Некоторые последние достижения в моделировании ограниченной диффузией агрегации и родственных процессов // Фракталы в физике- М.:Мир, 1988. С. 283−295.
  77. В.И. Причины расслаивания пересыщенных растворов // ЗВМО 1930, 4.59. С. 303−311.
  78. Моделирование процессов, происходящих при росте кристаллов в гелях / Л .Л.Гошка, С. И. Колосов, В. П. Рузов, А. В. Цыпанов. М., 1987. 24 с. — Деп. в ВИНИТИ, N4002−687.
  79. Мун Ф. С. Хаотические колебания. М.: Мир, 1990. 312 с.
  80. Г., Пригожин И. Познание сложного. Введение. М.: Мир, 1990. 344 с.
  81. Н.В. Метод измерения малых разностей показателя преломления // Труды ГОИ. 1919. Т.1, N.1, С.1−16.
  82. А.И., Флат А. Я. Использование концепции фрактала в физике конденсированной среды // УФН. 1993. Т.163, N 12. С. 1−50.
  83. Н.М., Мокиевский В. А., Татарский В. Б. Поведение вициналей октаэдра квасцов в направленном потоке раствора // ЗВМО 1969. Т.98, N 2. С 230−232.
  84. Оптическая голография / Под ред. Г. Колфилда. М.:Мир, 1982. 736 с.
  85. Ю.И., Бутусов М. М., Островская Г. В. Голографическая интерферометрия. М.: Наука, 1977. 336 с.
  86. В.И., Юшкин Н. П., Попов В. А. Онтогенический метод в минералогии. Киев, Наукова Думка, 1988. 119 с.
  87. А.Р., Бхат Х. Л. Выращивание монокристаллов сульфата свинца в гелях // Рост кристаллов. Т.12. Ереван, 1977. С.120−123.
  88. В.А. Рост кристаллов в гетерогенных растворах. Л.:Наука, 1983. 144 с.
  89. В.А., Рузов В. П., Ракин В. И. Взаимодействие кристалла и среды (по данным исследования методом голографической интерферометрии) Сыктывкар, 1979, 47 с. (Сер. препринтов «Науч. докл.» / АН СССР. Коми фил.- Вып. 48).
  90. В.А., Трошев С. А., Щанов М. Ф. Взаимодействие кристалла и среды. Сыктывкар, 1992. 328 с.
  91. В.А., Щанов М. Ф., Ракин В. И. Прямое наблюдение гидротермальных процессов в автоклавных системах. Сыктывкар, 1984. 18 с. (Сер. препринтов «Новые научные методики» / АН СССР. Коми фил.- Вып. 13).
  92. В.И. Нейтронно-активационная радиография минералов. Миасс.: Ин-т Мин. УрО РАН. 1995. 188 с.
  93. Применение голографии в кристаллографии / В. М. Гинзбург., И. Н. Гусева, Е. ИЛехциер и др. // Труды ВНИИОФИ, 1972. Вып.2, сер Б.
  94. Процессы реального кристаллообразования / Н. Н. Шефталь, В. Е. Кисенко, А. Н. Бузынин и др. М., 1977. 235 с.
  95. Ю.О. Образование автодеформационных дефектов при росте кристаллов из растворов // Рост кристаллов. М., 1983. Т. 14. С. 108−117.
  96. В.И. Голографическая интерферометрия высокотемпературных сред кристаллизации // Минералообразования из вскипающих растворов. Тез. докладов IV сессии Сев.-Кав. Отд. ВМО АН СССР, Пермь. 1988. С.47−48.
  97. В.И. Голографический контроль однородности и рельефа поверхности монокристаллов // Физические методы исследования горных пород и минералов. Сыктывкар. 1987. С.40−46 (Труды Института геологии Коми филиала АН СССР- Вып. 60).
  98. В.И. Голографометрия кристаллообразующих сред. Л.: Наука, 1990а. 96 с.
  99. В.И. Динамика диффузионных процессов при кристаллизации в гелях // Расширенные тезисы VII Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Т II. М., 1988. С. 54−56.
  100. В.И. Динамика теплового возмущения в кристаллообразующем растворе // Минералогическая кристаллография и свойства минералов. Сыктывкар, 1984. С.38−48 (Труды Института геологии Коми филиала АН СССР- Вып. 46).
  101. В.И. Концентрационно-температурные изменения в кристаллообразующей среде / Автореферат канд. дисс. М. 1985. 18 с.
  102. В.И. Лимитирующие стадии процесса кристаллообразования в гелях // Конденсированное некристаллическое состояние вещества земной коры. СПб: Наука, 1995. С.168−176.
  103. В.И. Метод определения степени однородности кристаллов. Сыктывкар, 1991. 18 с. (Сер. препринтов «Новые научные методики» / Коми НЦ УрО АН СССР- Вып. 40).
  104. В.И. Процессы кристаллообразования в гелях. Сыктывкар, Коми НЦ УрО РАН, 1997а. 109 с.
  105. В.И. Способ выращивания монокристаллов в геле. A.c. N1624062 от 1.10.19 906.
  106. В.И. Температурно-концентрационные условия вблизи растущего кристалла. // Кристаллогенезис Сыктывкар, 1982. С. 7−13 (Труды Института геологии Коми филиала АН СССР- Вып. 39).
  107. В.И. Условия массопереноса и кинетика роста кристалла из раствора // Минералогическая кристаллография, кристаллогенезис, крист аил осинтез. Сыктывкар, 1992. С.69−75 (Труды Института геологии Коми НУ УрО РАН- Вып. 77).
  108. В.И. Численное моделирование кристаллизации в пористых средах // Материалы VI Международного симпозиума по применению мат. методов и компьютеров в горном деле, геологии и металлургии, Прага, Чехия, 19 976. с. 1−5
  109. В.И., Асхабов A.M. Исследование in situ концентрационной эволюции раствора, морфологии и кинетики роста кристаллов // Кристаллография. Т. 34. Вып. 2, 1989. С. 446−453.
  110. В.И., Асхабов A.M., Петровский В. А. Голографические и теневые методы в исследовании процессов роста кристаллов. Сыктывкар, 1983. 32 с. (Сер. препринтов «Новые научные методики» / АН СССР Коми фил.- Вып. 10).
  111. В.И., Асхабов A.M., Петровский В. А. Голографические методы в исследовании минералов и процессов их образования // Современная техника и методы экспериментальной минералогии. М.: Наука, 1985. С. 103−107.
  112. В.И., Асхабов A.M., Петровский В. А. Концентрационное поле растущего кристалла // Морфология и фазовые равновесия минералов. Материалы 13 конгресса ММА. София, Болгария, 1986. С. 103−110.
  113. В.И., Асхабов A.M. Способ выращивания кристаллов из раствора A.c. N1314730. 1987.
  114. В.И., Асхабов A.M. Способ определения температуры насыщения. A.c. N1412378. 1988.
  115. В.И., Богданов Г. Е. Развитие формы кристалла в кинетическом режиме роста. Сыктывкар, 1993. 20 с. (Сер. препринтов «Науч. докл.» Коми НЦ УрО РАН- Вып. 328).
  116. В.И., Каткова В. И. Кристаллизация одноводнош оксалата кальция в гелевой среде // Сыктывкар, 1995. С.68−72 (Тр. Института геологии Коми НЦ УрО РАН- Вып. 88).
  117. В.И., Кузнецов С. К., Матвеев Д. В. Зональность кристаллов и хаос // Сыктывкарский минералогический сборник № 26. Сыктывкар, 1997 В. С. 45−50 (Труды Института геологии Коми НЦ УрО РАН- Вып. 93).
  118. В.И., Хорошилова JT.A. Рост кристаллов иодата кальция в гелевой среде //Тезисы докладов II Всесоюзного совещания «Теория минералогии». Сыктывкар, 1991. С.14−16.
  119. В.И., Щанов М. Ф., Петровский В. А. Методика расшифровки голографических интерферограмм автоклавных процессов // Экспериментальные модели минералообразования и рост кристаллов, Сыктывкар, 1985. С.51−58.
  120. В.И., Юхтанов П. П. Способ определения оптической однородности крупки. Патент N 1 819 347 от 11.11.1990.
  121. И.Т. Парагенетический анализ зональных минералов. М.: Наука, 1986. 144 с.
  122. В.Н. Природа кислотной стадии в химической эволюции гидротермальных растворов // ЗВМО, сер.2, ч. Ю7, 1978. С.669−684.
  123. A.A., Гулин A.B. Численные методы. М.:Наука, 1989. 432 с.
  124. Сандер JIM. Фрактальный рост // В мире науки. 1987. N.3. С.62−70.
  125. А.Г. Простая количественная модель для объяснения ритмической зональности в кристаллах // Геохимия. 1983. N12. С. 1720−1729.
  126. М.И. Модели процессов кристаллизации в гелях // Физика кристаллизации. Калинин: Изд-во КГУ, 1989. С. 91−103.
  127. М.И. Распределение твердой фазы при кристаллизации в гелях // Физика кристаллизации. Калинин: Изд-во КГУ, 1987. С.38−43.
  128. .М. Фрактальные кластеры // УФН. 1986. Т.149″ вып.2. С.177−219. Соболев С. Л. Локально-неравновесные модели процессов переноса // УФН. 1997. Т. 167, N10. С.1095−1106.
  129. Современная кристаллография. Т. З. Образование кристаллов / А. А. Чернов, Е. И. Гиваргизов, Х. С. Бащасаров и др. М., Наука, 1980, 407 с.
  130. Справочник по вероятностным расчетам / Г. Г. Абезгауз, А. П. Тронь, Ю. Н. Копенкин, И. А. Коровина. М.:Воен. издат., 1970. 536 с.
  131. A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.: Мир, 1978 Т.1 570 с. Т.2. 358 с.
  132. Стрикленд-Констебл Р. Ф. Кинетика и механизм кристаллизации. Л.: Недра, 1971. 412 с.
  133. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. И. К. Кикоина, М.: Атомиздат, 1976. 1006 с.
  134. Е.Б. Введение в термодинамику кристаллогенезиса. Л.: Изд-во ЛГУ, 1990. 152 с.
  135. Е.Б. Кинетика роста и растворения кристаллов. Л.: Изд-во ЛГУ, 1979.248 с.
  136. А.Ю. Эллипсометрическое исследование поверхности растущего кристалла 1лЮз in situ // Расширенные тезисы VII Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Т II. М., 1988. С.66−67.
  137. С.А. Структура и динамика пограничного слоя в процессе роста кристалла / Автореферат канд. дисс. Сыктывкар., 1994. 19 с.
  138. Фракталы в физике: Труды VI Международного симпозиума по фракталам в физике (МЦТФ, Триест, Италия, 1985): Перевод с англ./ Под ред. Л. Пьетронеро, Э.Тозатти. М.:Мир, 1988. 672 с.
  139. Франк-Каменецкий В. А. Природа структурный примесей и включений в минералах. Л., 1964. 240 с.
  140. . Дислокации М.: Мир, 1967. 644 с.
  141. Физические исследования кварца / Под ред. М. И. Самойловича, Л. Н. Хетчикова. М., 1975.
  142. Г. Синергетика. М.: Мир, 1985. 419 с.
  143. . Рост и форма кристаллов. М.: ИЛ. 1961. 212 с.
  144. В.Н., Эскин В. Е., Френкель С. Я. Структура макромолекул в растворах. М.: Наука, 1964. 720 с.
  145. A.A. Процессы кристаллизации // Современная кристаллография. Образование кристаллов. Т.З. М., 1980. С.7−232.
  146. A.A. Слоисто-спиральный рост кристаллов // УФН. 1961. Т.73, N.2. С.1277−1331.
  147. A.A., Рашкович Л. Н., Смольский И. Л. и др. Процессы роста кристаллов из водных растворов (Группа KDP) // Рост кристаллов. М. 1986. Т. 15, С. 43−88.
  148. В.Н., Семенов В. Б. Агат. Свердловск: Среднеур. кн. изд-во, 1982. 160 с.
  149. В.Ф. Коллоиды в земной коре. М.: Изд-во АН СССР, 1955. 672 с. Шафрановский И. И. История кристаллографии. Л.: Наука, 1978. 295 с. Шафрановский И. И. Кристаллография в СССР. 1917−1991. СПб.: Наука, 1996. 191 с.
  150. И.И. Кристаллы минералов. Кривогранные, скелетные и зернистые формы. М., 1961. 332 с.
  151. И.И. Лекции по кристаллографии. М., 1968. 172 с. Шелюбский В. И. Новый метод определения и контроля однородности стекла // Стекло и керамика. 1960. N 8. С. 17−22.
  152. В.И. Однородность стекла и метод ее определения // XY International congress on glass. Leningrad, 1989. Proceeding. V 3a. P. 35−39.
  153. В.Д., Блоджет И. А., Гликсман М. Е. Применение голографических методов для исследования роста кристаллов // Рост кристаллов. Ереван: Изд-во ЕГУ, 1975. С. 208- 216.
  154. H.H. Ритмичность в процессах роста кристаллов // Вестник МГУ, 1966.№ 6. С. 28−36.
  155. H.H., Гаврилова И. В. Равновесная форма кристаллов с учетом объемной свободной энергии // Рост кристаллов. М.: Наука, 1965. С. 242−245.
  156. A.B. Избранные труды по кристаллографии. М.: Наука, 1975. С. 551.
  157. А.В., Шубникова О. М. Статистический метод в применении к изучению внешней формы кристаллов // Изв. АН СССР. 1926. Сер.6. Т. 20, N.5,6.1. С. 363−384.
  158. В. Образование структур при необратимых процессах. М., 1979.279 с.
  159. Н.П. Минералогия и парагенезис самородной серы в экзогенных месторождениях. J1.: Наука, 1968. 187 с.
  160. Н.П. Мир биоминералов и проблемы биоминералогии // Минер, сб. Львовск. МО. 1991. N 1. С.5−13.
  161. Н.П. Теория и методы минералогии (избранные проблемы). Л.:Наука, 1977. С 291.
  162. Н.П. Теория микроблочного роста кристаллов в природных гетерогенных растворах / Сыктывкар, — 1971. 52 с. (Сер. препринтов «Научные доклады» / АН СССР, Коми фил.- Вып.1).
  163. Abdulkhadar М., Ittyachen М.А. Growth of different habits of lead bromide crystals in silicagel by new gel technique //Kristall und Technik. 1980.V.15, N 10. P. 1123−1129.
  164. Adrian R.J., Asanuma Т., Durao D.F.G. et al. Applications of laser anemometry to fluid mechanics. Berlin Springer-Verlag. 1989. P.535.
  165. Andreazzo P., Lefaucheux F., Mutaftschiev B. Nucleation in confined space: application to the crystallization in gel // Journ. Crystal Growth. 1988. V.92, N3−4. P. 415−422.
  166. Arakelyan V.S. Effect of ultrasound on crystal growth from melt and solution // Acta Phys. Hungarica. 1987. V.61, N2. P. 185−187
  167. Aquilano D., Franchini-Angela M. Twin Laws of whewellite, CaC204-H20. A structural and growth approach // Phys. Chem.Minerals. 1981. N7. P. 124−129.
  168. Bedarida F. Zefiro L. Pontiggia C. Crystal growth from solution studied by holographic interferometry // Неоднородность минералов и рост кристаллов. М.: Наука, 1980. С. 195−198.
  169. Bedarida F., Boccacci P., Zeffiro L., Pontiggia C. The application of holographic interferometry to hydrodynamic phenomena in crystal growth // Phys. Chem. Hydr. 1982. V.2, N4. P.327−341.
  170. Bhat H.L., Patel R.M. Single crystal growth of triglycine sulphate (TGS) in silica gel // Journ. Cryst. Growth. 1981. V.53, N.3. P. 633−635.
  171. Chen Q. Fractal/multifractal modelling and spatial analysis // Proceedings of IAMG'97, Barcelona, 1997. P.57−72.
  172. Chen P. S., SMichta P.J., Lefever H.A. Convection phenomena during the growth of sodium chlorate crystals from solution // loum. Cryst Growth. 1979. Vol.41, N.l. P. 43−46.
  173. Chernov F.F. Formation of crystal in solutions // Contemporary Physics. 1989. V.30. N4. P.251−276.
  174. Cipanov A.V., Goshka L.L., Kolosov S.I., Ruzov V.P. Mathematical Modeling of Crystal Growth Processes in Gel // Crystal Res. and Technol. 1990. V.25, N.2. P. 119 128.
  175. Dana J.D., Dana E.S. The system of mineralogy. Wiley and Sons, London. 1951. V. II. P.1099−1101.
  176. Desai C.C. Recent advances in the theory of crystal growth in silica gel medium // Cryst. Res. and Technol. 1988. V.23, N2. P. 195−198.
  177. Desai C.C. Theoretical aspects of the crystal growth in gel medium // Cryst. Res. and Technol. 1987. V. 22, N9. P. 1117−1119.
  178. Desai C.C., Rai J.L. Nucleation and growth of Snl4 single crystal in silica gels // Surface Technol. 1982. V.15. N2. P. 131−139.
  179. Desai C.C., Ramana M.S.V. Controlled nucleation and growth kinetics of lead nitrate phosphate in silica hydrogel and characterization of growth crystals // Bull. Mater. Sci. 1988. V. ll, N1. P.21−30.
  180. Desautels P.E. The Mineral Kingdom. A Ridge Press Book, New York, 1968. 252 p.
  181. Donnay I.D.H, Harker D. A new law of crystal morphology extending the law of Bravais // Amer. Mineral. 1937. V.23. P.446−467.
  182. Dud’a R., Rejl L. La Grande Encyclopedic des Mineraux. Paris. Grund, 1987. 520 p.
  183. Falconer K.J. The geometry of fractal sets. Cambridge University Press, 1985. Feder J. Fractals. Plenum Press, NY, 1988.
  184. Fractal in Physics: Proceeding of the Sixth Trieste Int.Symp. on Fractal in Phys / Eds. L. Pietronero, E.Tosatti. North-Holland, 1986.
  185. Franchini-Angela M., Aquilano D. Theoretical growth morphology of whewellite, CaC204-H20 // Phys. Chern. Minerals. 1984. N10. P. 144−120.
  186. Gabor J.D. A new microscopic principle // Nature. 1944. V.161. P. 777.
  187. Gits-Leon S., Lefaucheux F., Robert M.C. Mass transport by diffusion in tetramethoxysilane gel // Journ. Crystal Growth. 1987. V. 84, N 1.
  188. Goldschmidt V. Atlas der Kristallformen. Heidelberg. 1913. B.l. 1923. B.9.
  189. Grassberger P., Proccacia I. Measuring the strangeness of strange attractors // Physica D.-1983. V.9. P.189−208.
  190. Grassberger P., Proccacia I. Dimensions and entropies of strange attractors from a fluctuating dynamics approach // Physica. D -1984. V.13. P.34−54.
  191. Griffiths J.H.E., Owen J., Ward I.M. Magnetic resonance in irradiated diamond quartz // Defects in Crystalline Solids/ Report of Bristol Conference, Phys.Soc.London.-1955.-P.81−87.
  192. Hariharan P. Optical holography. Principles, techniques and applications Cambridge Univ. Press. 1984. P. 320.
  193. Hartman P., Perdok W. On the relation between crystal structure and crystal morphology. // Acta Cryst. 1955. V.8. P.49−52, 521−524, 525−529.
  194. Henisch H.K. Garsia-Ruiz J.M. Crystal growth in gels and Liesegang ring formation // Journ. Crystal Growth. 1986. V. 75, N2.
  195. Hijnen W.M.M. The growth morphology of calcium oxalate trihydrate- a contribution to urinary stone research // Journ.Cryst. Growth. 1982. Y.65, N3. P.216−232.
  196. Holten T., Jamtveit B., Meakin P., Cortini M., Blundy J., Austrheim H. Statistical characteristics and origin of oscillatory zoning in crystals // Am. Min. 1997. V.82. P.596−606.1.oue S., Yamane M. // Ceramic Bull. 1975. V. 63, N 1. P. 1412−1415.
  197. Joshi M.S., Trivedi S.G. Growth of calcium iodate crystals by gel method // Kristall und Technik. 1980. V. 15, N10. P.1131−1135.
  198. Karniewicz J, Wiktorowska B. The crystal growth in gels // Crystal Res. and Technol. 1980. Y.15, N11. P. 1227−1235.
  199. Katkova V.I. Rakin V.I. Bacterial genesis of calcite // Journ. Crystal Growth. 1994. V.142, N3. P.271−274.
  200. Meakin P., Diffusion-controlled cluster formation in 2−6 dimensional space // Phys Rev., A 27. 1983. P.1495−1507.
  201. Nernst W. Uber die Loslichkeit von Mischkristallen //Z. Phys. Chem., 1892. Bd 9, N.2. S. 137−142.
  202. Nickl H.J., Henisch H.K. Growth of calcite crystals in gels // Journal Electrochem. Soc. 1969. V.116, N9. P.1258−1260.
  203. Niggli P. Kristallization und morphologie des rhombischen schwefels // Z. Kristallographie. 1923. Bd 58. S. 490−521.
  204. O’Brian M.C.M. The structure of colour centres in smoky quartz // Proc. Roy. Soc.-1955.-V.A231.-P.404−414.
  205. Patel A.R. Arora S.K. Gel growth of single crystals of barium and strontium tungstate // Journ. of Cryst. Growth. 1973.V. 19, N2. P.199−201.
  206. Patel A.R., Venkateswara Rao A., Growth single crystals of KCIO4 in silica gels // Journ. of Cryst. Growth. 1977. V. 38, N3. P. 288−292.
  207. Pawlikowski M. Mineralizacja organiznra cztowieka zyjacege (mmeralogia cztowieka) // Prase Mineral. 1988. N79. 873 p.
  208. Petrovsky V.A., Rakin V.I., Ruzov V.P. Holographic studies of the solution surrounding a growing or dissolving crystal // Journ. Cryst. Growth. 1982. V. 56, N1.1. P. 7−14.
  209. Prieto M., Femandez-diaz L., Lopez-Andres L.S. Supersaturation evolution and first precipitate location in crystal growth in gels. Application to barium and strintium carbonates // Journ. Cryst. Growth. 1989. V. 98, N3. P. 447−460.
  210. Prieto M., Viedma C., Lopez-Acevedo V. et al. Mass-transfer and supersaturation in crystal growth in gels. Application to CaSC>4*2H20 // Journ. Cryst. Growth. 1988. V.92, N1. P.61−68.
  211. Rakin Y.I. Crystallisation in gel media. Numerical modelling // Proceedings of IAMG'97, Barcelona, Spain, 1997. Part 2., P. 1041−1046.
  212. Rakin V.I. Growth of fractal and nonfractal crystal-clusters // 30th IGC Abstracts, V2., Beijing, China, 1996. P.519.
  213. Rakin V.I. Holographic interferometry of the optical crystals and glasses // XV International congress on glass. Proceeding, Leningrad, 1989, V.l. P. 130 -132/
  214. Rakin V.I. Influence of mass transport conditions on crystal growth kinetics / Abstracts, 15 General meeting of IMA, Beijing, China, 1990. P.397−398.
  215. Rakin V.I. The shape of a growing crystal: a numerical study // Journal of crystal growth, 1995. V.155. P.260−265.
  216. Rakin V.I., Stolypko A.L. Influence of ultrasound on crystal growth from solution // Abstracts of Int. Conference «Advanced methods in X-ray and neutron structure analysis of materials Praha. 1990.
  217. Saito Y., Ueta T. Monte Carlo studies of equilibrium and growth shapes of a crystal // Phys Rev. A 40. 1989. P.3408−3419.
  218. Schubert G., Brien G. Crystallographic investigation of urinary calcium oxalate calculi // Int. Ur. & Nephr. 1981. V.13, N3. P.249−260.
  219. Stern K.H. Bibliography of Liesegang rings. Washington (D.C.): US Dep. Commerce Misc. Publ., 1967. V.292. 61 p.
  220. Stern M. E, Maximum buoyancy flux across a salt finger interface // Journ. Mar. Res. 1976. Vol. 34. P. 95−110.
  221. Suib S.L., Weller P.F. Gel growth of single crystal of some rubidium and cesium tin halides // Journ. Cryst. Growth. 1980. V. 48, N1. P, 155−160.
  222. Sunagawa I. Growth of crystals in nature / Materials science of the earth’s interior / Ed. I.Sunagawa. Tokyo: TERRAPUB, 1984.
  223. Sutor D.J. Growth studies of calcium oxalate in the presence of various ions and compounds // Brit. Journal of Urology. 1969. V.41, N2. P.171−178.
  224. Twyman F. The hilger microscope interferometer // Trans. Opt. Soc. 1922−1923. V.24, N4. P. 189−208.
  225. Uwaha M. Saito Y. Fractal aggregation and dendritic crystal growth // Journ. Cryst. Growth. 1990. V. 99, N1−4. P.175−178.
  226. Vedam K. Refractive index of liquids at high pressures // CRC Critical Reviews in solid State and material sciences. 1982. V. ll, iss. 1. 42 p.
  227. Weil J.A. Aluminum centers in alpha-quartz // Radiat. Effects.-1975.-V.26.-N.4.-P.261−265.
  228. Weil J.A. A review of electron spin spectroscopy and its application to the study of paramagnetic defects in crystalline quartz // Phys. Chem. Minerals.-1984.-V.10.-P.149−165.
  229. Witten T.A. and Sander L.M. Diffusion-limited aggregation // Phys Rev. A 27. 1983. P.5686−5697.
  230. Xiao R-F, Alexander I.D., Rosenberger F. Morphological evolution of growing crystals: A Monte Carlo simulation // Phys Rev. A 38. 1988. P. 2447−2456.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!