Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Влияние примесей редкоземельных металлов на электрофизические свойства аморфного гидрогенизированного кремния

Диссертация: Влияние примесей редкоземельных металлов на электрофизические свойства аморфного гидрогенизированного кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наиболее известное свойство аморфного гидрогенизированного кремния — это возможность его эффективного легирования в процессе синтеза, что отличает его от других аморфных полупроводников типа халькогенидных стекол. Однако, несмотря на впечатляющие достижения в области легирования а-81(Н), остается нерешенной важнейшая проблема — подавляющая часть примесных атомов, традиционно используемых для… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Введение
  • 2. АМОРФНЫЙ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫИ КРЕМНИИ (литературный обзор)
    • 2. 1. Фундаментальные свойства аморфных ковалентных полупроводников
    • 2. 2. Модели состояния в запрещенной зоне а-8і(Н)
    • 2. 3. Электроперенос в а-8і(Н)
    • 2. 4. Свойства пленок аморфного кремния
    • 2. 5. Легирование а-8і(Н)
    • 2. 6. Методы получения а-8і(Н)
    • 2. 7. Мессбауэровская спектроскопия в исследовании примесных состояний в аморфном кремнии

Влияние примесей редкоземельных металлов на электрофизические свойства аморфного гидрогенизированного кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

4.2. Пленки а-8і(Н) 65−72.

4.3. Примесные атомы железа в а-8і(Н) 73−81.

4.3.1. Экспериментальные результаты 73−78.

4.3.2. Обсуждение результатов 78−81.

4.4. Примесные атомы европия в а-8і(Н) 82−93.

4.4.1. Экспериментальные результаты 82−86.

4.4.2. Обсуждение результатов 86−93.

4.5. Примесные атомы диспрозия в а-81(Н) 94−101.

4.5.1. Экспериментальные результаты 94−95.

4.5.2. Обсуждение результатов 95−101.

4.6. Сложнолегирование пленок а-81(Н) железом и РЗМ 102−108.

4.6.1. Экспериментальные результаты 102−107.

4.6.2. Обсуждение результатов 108.

4.7. Центры фотолюминесценции в пленках а-8Юх (Н):Ег 109−119.

4.7.1. Особенности методика эксперимента 110−111.

4.7.2. Экспериментальные результаты и их обсуждение 112−119.

4.8. Примесные центры редкоземельных металлов в а-81(Н) 120−130.

4.8.1. Экспериментальные результаты 120−125.

4.8.2. Обсуждение результатов 125−130.

5. Основные результаты 131−132.

6.

Литература

133−144.

7. Список публикаций по теме диссертационной работы 145.

1.

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы.

Аморфный гидрогенизированный кремний я-81(Н) давно привлекает внимание экспериментаторов и теоретиков [1, 2]. Объясняется это двумя фундаментальными причинами. Во-первых, этот материал является основой многих электронных приборов (наиболее важные из них — это преобразователи солнечной энергии) и, во-вторых, он является модельным объектом при исследовании фундаментальных проблем физики неупорядоченных полупроводников.

Наиболее известное свойство аморфного гидрогенизированного кремния — это возможность его эффективного легирования в процессе синтеза, что отличает его от других аморфных полупроводников типа халькогенидных стекол [3−6]. Однако, несмотря на впечатляющие достижения в области легирования а-81(Н), остается нерешенной важнейшая проблема — подавляющая часть примесных атомов, традиционно используемых для легирования а-Б^Н), оказывается в электрически неактивной форме, что ухудшает электрические, фотоэлектрические и оптические качества материала и, как результат, делает не конкурентно-способными многие приборы, которые могут быть созданы на его основе.

Проблема электрической неактивности значительной доли примесных атомов, вводимых в структуру <�з-81(Н) в процессе его получения, может быть решена как путем последовательного решения именно этой проблемы для классических примесных атомов (фосфора, мышьяка, бора и т. д.), так и путем последовательного расширения списка химических элементов, используемых для легирования а-81(Н). Однако в последнем случае возникает не менее актуальная проблема — традиционный и наиболее эффективный метод легирования пленок й-81(Н) путем высокочастотного разложения смесей си-лана и газообразной лигатуры оказывается не пригодным для введения в а.

81(Н) примесей, не имеющих газообразных соединений. И хотя существует альтернативный метод легирования я-81(Н) путем высокочастотного распыления монокристаллической мишени кремния и соответствующего металла в газовой смеси аргона, водорода и силана, в научной литературе имеется мало сведений о его эффективности. Наиболее очевидна эта проблема возникает для случая легирования а-81(Н) примесями редкоземельных металлов (РЗМ).

Известно, что примеси редкоземельных металлов в кристаллических полупроводниках образуют электрически и оптически активные центры [7] и ожидается образования аналогичных центров в структуре я-81(Н). Кроме того, примеси редкоземельных металлов представляют собой идеальный объект исследования влияния степени заполнения внутренних электронных оболочек примесных атомов на природу их электрической активности. Наконец, редкоземельные металлы имеют мессбауэровские изотопы, позволяющие идентифицировать их валентные (зарядовые) состояния.

Легирование кристаллического и аморфного гидрогенизированного кремния (впрочем, как и других полупроводниковых материалов) примесями редкоземельных металлов актуально с точки зрения практических оптоэлек-тронных приложений — оно открывает принципиальную возможность создания оптически активных сред с температурно-независимой спектральной линией. Такие уникальные свойства полупроводниковых материалов, легированных редкоземельными металлами, связаны с тем, что оптическая активность примесей РЗМ обусловлена внутриэлектронными переходами в частично заполненныхоболочках редкоземельных ионов, которые эффективно экранированы от воздействия кристаллической решетки внешними и 5р-оболочками этих ионов. Конкретно интерес экспериментаторов и теоретиков к кремнию (кристаллическому и аморфному), легированному РЗМ, обусловлен, в первую очередь, возможностью создания на его основе излучающих устройств, совместимых с кремниевой технологией и излучающих в одном из окон прозрачности волоконно-оптических линий связи.

Однако до 1990 года практически отсутствовали сведения о получении пленок а-81(Н), легированных примесями РЗМ. Ситуация изменилась после обнаружение вначале фотолюминесценции [8], а затем и электролюминесценции [9] при длине волны 1.54 мкм в кристаллическом кремнии, в который были имплантирован эрбий, поскольку это сделало возможным создание источников излучения для оптоэлектронных приборов на основе кремниевой технологии. Обнаруженная фотолюминесценции обусловлена внут-рицентровыми переходами А1 3/2 —> 415/2 иона Ег3+, а длина волны излучения 1.54 мкм не зависит от матрицы внедрения, условий возбуждения и температуры. Важно, что этой длине волны соответствует минимум потерь стандартных кремниевых волноводов. Однако сдерживающим фактором для практического применение с-81+Ег, является низкая эффективность излучения и резкое уменьшение его интенсивности (в ~ 10 раз) при переходе от температуры 4.2 до 300 К.

В этом отношении пленки аморфного гидрогенизированного кремния оказались более перспективными объектами для создания источников излучения на длине волны 1.54 мкм, поскольку большая величина ширины запрещенной зоны я-81(Н) (она может быть доведена до 1.9 эВ) приводит к увеличению интенсивности фотолюминесценции при комнатной температуре [10, 11]. Кроме того, существующие технологии получения пленок а-81(Н) позволяют вводить примеси в процессе роста пленки и тем самым исключают процессы имплантации и последующих отжигов, необходимых для уменьшения концентрации дефектов, образующихся при имплантации.

Вслед за пионерскими публикациями [10, 11] появилось большое число исследований примесных атомов эрбия в а-81(Н) [14 — 92]. Однако вплоть до последнего времени многие проблемы состояния эрбия в а-81(Н) остались нерешенными. Кроме того, другие примесные атомы РЗМ в а-81(Н) детально не были исследованы (исключение составляют только примесные атомы неодима [12, 13]).

Все это послужило основанием для формулирования целей диссертационного исследования.

Цель работы:

1. Провести легирование пленок аморфного гидрогенизированного кремния примесями редкоземельных металлов (N (1, 8ш, Ей, Ос1, ТЬ, Бу, Но, Ег, УЪ) методом высокочастотного распыления мишеней монокристаллического кремния и редкоземельного металла в газовой смеси аргона, водорода и си-лана.

2. Провести исследование влияния примесей редкоземельных металлов на электрические и фотоэлектрические свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния с использованием, как традиционных методов физики аморфных материалов, так и современных методов определения концентрации примесных атомов и их электронной структуры в пленках аморфного гидрогенизированного кремния.

Для достижения поставленных целей было необходимо решить следующие задачи:

— реализовать метод легирования пленок аморфного гидрогенизированного кремния путем высокочастотного распыления мишеней монокристаллического кремния и редкоземельного металла в газовой смеси аргона, водорода и силана;

— реализовать методику рентгенофлуоресцентного определения концентрации примесей редкоземельных металлов в пленках аморфного гидрогенизированного кремния;

— реализовать методику мессбауэровской спектроскопии, пригодную для определения зарядовых состояний атомов редкоземельных металлов в пленках аморфного гидрогенизированного кремния;

— реализовать традиционные методы измерения температурной зависимости электропроводности, термоэдс, фотопроводимости и ее спектральной зависимости, фотолюминесценции для определения соответствующих параметров пленок аморфного гидрогенизированного кремния.

Научная новизна:

Впервые продемонстрировано, что легирование пленок аморфного гидрогенизированного кремния примесями редкоземельных металлов позволяет в зависимости от электронной структуры примесного атома получать электронный (Ей, ТЬ, Эу, УЬ), дырочный (N<1 и Но) или собственный (8т, Ос1, Ег) аморфный материал, стимулировать (Ей, Бу и УЬ) или подавлять (ТЬ, N<1, Но, Бт и вс!) его фотопроводимость и фотолюминесценцию, смещать спектральную зависимость фотопроводимости в длинноволновую область.

Положения, выносимые на защиту:

1. Метод высокочастотного распыления мишеней монокристаллического кремния и редкоземельного металла в газовой смеси аргона, водорода и си-лана позволяет проводить эффективное легирование пленок аморфного гидрогенизированного кремния электрически активными примесными атомами редкоземельных металлов.

2. Уровень Ферми в легированном материале закреплен в акцепторной полосе, образованной примесными атомами редкоземельных металлов, лежащей вблизи середины щели подвижности, причем в зависимости от глубины залегания этой полосы аморфный материал при Т < 300 К может быть либо дырочным (N<1 и Но), либо собственным (8ш, вё, Ег), либо электронным (ТЬ, Оу, УЬ).

3. Центрами фотолюминесценции в пленках аморфного гидрогенизированно-го кремния, легированных эрбием, являются кластеры [Ег-О], причем локальная симметрия ионов Ег3+ в этих кластерах аналогична таковой в Ег20з.

В результате выполненных исследований решена задача, имеющая существенное значение для физики конденсированного состоянияреализована возможность ъ^еленаправленного управления электрическими и фотоэлектрическими параметрами пленок аморфного гидрогенизированного кремния путем его легирования примесями редкоземельных металлов.

Теоретическая значимость работы.

Возможность эффективного легирования пленок аморфного гидрогенизированного кремния примесями редкоземельных металлов подтверждает справедливость современных представлений о природе локализованных состояний в зазоре подвижности аморфных полупроводников.

Практическая значимость работы и использование полученных результатов:

Обнаруженное явление эффективного легирование пленок аморфного гидрогенизированного кремния примесями редкоземельных металлов позволяет разрабатывать методы получения аморфного материала с повышенной фотопроводимостью и высокой концентрацией центров излучательной рекомбинации. Материалы диссертационного исследования используются в учебном процессе при подготовке магистров наук по направлению «Физика» по магистерской программа «Физика конденсированного состояния вещества» факультета физики Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена курсовых и дипломных работ.

Достоверность и обоснованность результатов и выводов исследования обеспечиваются применением как традиционных, так и современных экспериментальных методик, позволяющих определять концентрацию примесных атомов, идентифицировать их зарядовое состояние, а также влияние примесных атомов на электрические и оптические свойства пленок аморфного гид-рогенизированного кремниявоспроизводимостью результатов всех измерений, постоянным сопоставлением результатов наших исследования с данными, опубликованными в научной литературе по аморфному гидрогенизиро-ванному кремниюиспользованием методов математической обработки данных на ЭВМ, интерпретацией экспериментальных данных в рамках современных теорий физики аморфных полупроводников.

Апробация работы.

Результаты исследований опубликованы в 4 статьях в журналах из списка ВАК, в 3 докладах на международных конференциях, докладывались на Международной конференции «Физика аморфных и микрокристаллических полупроводников» (СПб, 2012 г.), XI Международной конференции «Физика диэлектриков» (Санкт-Петербург, 2011 г.).

Личное участие соискателя в получении результатов, изложенных в диссертации, заключается как в обосновании целей исследования, выборе и синтезе объектов исследования, так и в получении и обработке экспериментальных данных, обобщении и анализе этих данных. Содержание основных положений, выносимых на защиту, раскрыто в публикациях автора [Ь7] (из них 4 публикаций в журналах из списка ВАК[': 3″ 4'7]).

Структура и объем диссертации

.

Диссертационная работа состоит из Введения, трех глав и раздела Основные результаты. Диссертация изложена на 145 страницах машинопечат-ного текста, включая 46 рисунков, 7 таблиц и 141 наименований библиографии.

Основные результаты.

1. Наилучшие фотоэлектрические параметры (минимальная темновая проводимость, максимальная фотопроводимость) реализованы при температуре подложки Тц = 380 °C. При этой же температуре достигается и эффективное легирование пленок, тогда как при Т8 = 280 °C примесные атомы оказываются в электрически неактивном состоянии. Таким состояниям отвечают ассоциа-ты типа [примесь — дефект структуры], причем с повышением температуры подложки происходит разрушение указанных ассоциатов и возрастает доля электрически активных атомов.

2. Примесные атомы N (1, Бш, вё, Ег, ТЬ, Бу, Но и УЬ образуют в щели подвижности <�з-81(Н) полосу акцепторного типа, лежащую вблизи середины щели подвижности, и уровень Ферми оказывается локализованным в этой полосе. В зависимости от глубины залегания акцепторной полосы легированный материал при Т < 300 К может быть дырочным (примеси N<1, Но), собственным (8т, Ос1, Ег) или электронным (ТЬ, Бу, УЬ). В области высоких температур (Т > 400 К) проводимость осуществляется электронами по дело-кализованным состояниям зоны проводимости.

3. Примесные атомы европия образуют в щели подвижности <�я-81(Н) полосу донорного типа, лежащую на 0.25 эВ ниже порога подвижности зоны проводимости, так что проводимость такого материала осуществляется электронами по делокализованным состояниям зоны проводимости. Такое отличие европия от всех РЗМ объясняется особой устойчивостью полузаполненной 4/оболочки, характерной для атомов Ей.

4. Примесные атомы Ей, Бу и УЬ стимулируют фотопроводимость а-81(Н), что объясняется образованием в процессе легирования ассоциатов типа [Ей у.

— О" «] и одновременным разрушением центров рекомбинации типа [азот — кислород]. Примеси остальных РЗМ подавляют фотопроводимость, поскольку основными центрами рекомбинации в таких материалах оказываются глубокие акцепторные уровни, образованные РЗМ в щели подвижности. Наблюдается корреляция между степенью подавления фотопроводимости и глубиной залегания акцепторной полосы соответствующей примеси.

5. Показано, что центрами фотолюминесценции в пленках аморфного гидро-генизированного кремния а-81(Н), легированных эрбием, являются кластеры [Ег-О], причем локальная симметрия ионов Ег3+ в этих кластерах аналогична таковой в Ег203. Уменьшение размеров кластеров и увеличение плотности частиц приводит к увеличению интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм, т. е. к увеличению оптической активации ионов Ег в пленках а-8Юд (Н):Ег.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Физика годрогеиизироваиного аморфного кремния. Выпуск 1. Струкура, приготовление и приборы. Ред. Джоунопулос Дж., Люковски Дж. Мир. М. 1987. 363 с.
  2. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Выпуск II. Электронные и колебательные свойства. Ред. Джоунопулос Дж., Люковски Дж. Мир. М. 1988. 447 с.
  3. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Ред. Цэндина К. Д. СПб.: Наука. 1996. 485с.
  4. Г. А., Марченко А. В. Идентификация U центров в кристаллических и стеклообразных полупроводниках и полуметаллах методом мес-сбауэровской спектроскопии. СПб. Наука. 2010. 279 е.-
  5. П.П., Бордовский Г. А., Марченко А. В. Мессбауэровские U-минус центры в полупроводниках и сверхпроводниках. Идентификация, свойства и применения. Academic Publishing GmbH & Co. 2011. 297 с.
  6. Bordovsky G., Marchenko A., and Seregin P. Mossbauer og Negative Centers in Semiconductors and Superconductors. Identification, Properties, and Applicaton. Academic Publishing GmbH & Co. 2012. 499 pp.
  7. Rare Earth Doped Semiconductors.Ed. by G.S. Pomrenke // Mater. Res. Soc. Simp. Proc. 1993. V. 301.
  8. H., Schneider J., Pomrenke G., Axmann A. T. 1.54 цт photoluminescence of erbium in silicon // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43. p.943.
  9. Ennen H., Pomrenke G., Axmann A., Eisele К., K. Haydl K., Schneider J. 1.54 (im photoluminescence of erbium in silicon // Appl. Phys.Lett. 1985. V. 46. p.381.
  10. Oestereich Т., Swiatkowski C., Broser I. Photoluminescence erbium-doped amorphous hydrogenated silicon // Appl. Phys. Lett., 56, 446 (1990).
  11. Mebratu G.K., Kim M.-J., Shin J.H. Nd3+ photoluminescence and its implication on the excitation mechanisms of Nd3+ in Nd doped hydrogenated amorphous silicon alloyed with carbon. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2004. V. 347, no. 1−3, pp. 279−284.
  12. Biggemann D., Tessler L.R. Near infra-red photoluminescence of Nd3+ in hydrogenated amorphous silicon sub-nitrides a-SiNx:H Nd. // Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology. 2003. V. 105, no. 1−3, pp. 188−191.
  13. De Oliveira V.I., Freire F.L., Zanatta A.R. Optical properties of Er and Er+Yb doped hydrogenated amorphous silicon films // Journal of Physics Condensed Matter. 2006. V. 18 (32), art. no. 018, pp. 7709−7716.
  14. Figueira D.S.L., Frateschi N.C. Evidences of the simultaneous presence of bow-tie and diamond scars in rare-earth doped amorphous silicon microstadium resonators. // Journal of/ Applied Physics. 2008. V. 103, no. 6, art. no. 63 106.
  15. Kumeda M., Sekizawa Y., Morimoto A., Shimizu T. Environment of Er doped in a-Si:H and its relation with photoluminescence spectra. // Materials Research Society Symposium Proceedings. 2007. V. 910, pp. 131−136.
  16. Kumeda M., Takahashi M., Morimoto A., Shimizu T. Stark splitting in photoluminescence spectra of Er in a-Si:H. // Materials Research Society Symposium Proceedings. 2005. V. 862, art. no. A18.1, pp. 501−506.
  17. M., Biggemen D., Tessler L.R. 1.54 fim luminescence quenching of erbium-doped hydrogeated amorphous silicon deposited by D.C. magnetron sputtering. // Physica Status Solidi C: Conferences. 2004. V. 1, no. 2, pp. 285 289.
  18. Zhao Q., Yan H., Kumeda M., Shimizu T. Photoluminescence of Er-doped hydrogenated amorphous silicon nitride. // Applied Surface Science. 2004. V. 227, no. 1−4, pp. 306−311.
  19. Birukov A.V., Fenuchin A.V., Kazanskii A.G., Terukov E.I. Light-induced effects in a-Si:H (Er). // Materials Science and Engineering B: Solid-State // Materials for Advanced Technology. 2003. V. 105, no. 1−3, pp. 153−156.
  20. Tessler L.R., Biggemann D. Temperature independent Er3+ photoluminescence lifetime in a-Si:H and a-SiOx:H. // Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology. 2003. V. 105, no. 1−3, pp. 165 168.
  21. Chen C.-Y., Chen W.-D., Li G.-H., Song S.-F., Ding K., Xu Z.-J. Role of amorphous silicon domains on Er3+ emission in the Er-doped hydrogenated amorphous silicon suboxide film. // Chinese Physics. 2003. V. 12, no. 4, pp. 438 442.
  22. Dimova-Malinovska D., Sendova-Vassileva M., Northcott R., Marshall J.M. Transport properties of structures containing a-Si:H:Er. // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2003. V. 14, no. 10−12, pp. 745−746.
  23. Photoinduced conductivity change in erbium-doped amorphous hydrogenated silicon films Kazanskii, A.G., Mell, H., Terukov, E.I., Forsh, P.A. 2003 // Semiconductors 37 (7), pp. 766−768 0
  24. Kim M.-J., Mebratu G.K., Sung J.-Y., Shin J.H. Er-doped hydrogenated amorphous silicon: Structural and optical properties. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2003. V. 315, no. 3, pp. 312−320.
  25. Chen C.Y., Chen W.D., Song S.F., Hsu C.C. Correlation between Er3+ emission and' the microstructure of A-SiOX:ITEr} films. // International Journal of Modern Physics B. 2002. V. 16, no. 28−29, pp. 4246−4249.
  26. Mezdrogina M.M., Trapeznikova I.N., Terukov E.I., Nasredinov F.S., Seregin N.P., Seregin P.P. Nature of impurity centers of rare-earth metals and self-organization processes in a-Si:H films. // Semiconductors. 2002. V. 36, no. 11, pp. 1252−1259.
  27. Kon’Kov O.I., Terukov E.I., Granitsina L.S. Conductivity and structure of Er-doped amorphous hydrogenated silicon films. // Semiconductors. 2002. V. 36, no. 11, pp. 1248−1251.
  28. Dukin A.A., Feoktistov N.A., Golubev V.G., Medvedev A.V., Pevtsov A.B., Sel’kin A.V. a-Si:H/a-SiOx:H microcavities with a-Si (Er):H active layer. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2002. V. 299−302 (PART 1), pp. 694−698.
  29. Kazanskii A.G., Mell H., Weiser G., Terukov E.I. Donor formation in plasma-deposited amorphous silicon (a-Si:H) by erbium incorporation. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2002. V. 299−302 (PART 1), pp. 704−708.
  30. Kumeda M., Itoh H., Shitakata N., Shimizu T. Relation between erbium photoluminescence and dangling-bond defects in a-Si:H. //Materials Research Society Symposium Proceedings. 2001. V. 664, pp. A1041-A1046.
  31. Kim M.-J., Kallo M.G., Shin J.H. Effects of erbium concentration on the band tail states of Er-doped hydrogenated amorphous silicon. // Journal of the Korean Physical Society. 2001. V. 39 (SUPPL. Part 1), pp. S333-S336.
  32. Kon’kov O.I., Terukov E.I., Granitsyna L.S. Effect of doping with nitrogen on electrical properties and erbium electroluminescence of a-Si:H (Er) films. // Semiconductors. 2001. C. 35, no. 10, pp. 1197−1202.
  33. Kon’kov I.O., Kuznetsov A.N., Pak P.E., Terukov E.I., Granitsyna L.S. Erbium electroluminescence in an Al/a-Si:H (Er)/p-c-Si/Al heterostructure. //Technical Physics Letters. 2001. V. 27, no. 7, pp. 542−543.
  34. Mezdrogina M.M., Mosina G.N., Terukov E.I., Trapeznikova I.N. Self-organization processes and optical activation of the Er3+ ions in amorphous hydrogenated Er-doped silicon films. // Semiconductors. 2001. V. 35, no. 6, pp. 684−687.
  35. Feoktistov, N.A., Golubev, V.G., Medvedev, A.V., Pevtsov, A.B. a-Si (Er):H films prepared by metalorganic assisted PECVD with strongly hydrogen-diluted silane. // Semiconductor Science and Technology. 2001. V. 16, no. 1, pp. 54−57.
  36. Tessler L.R., Piamonteze C., Iniguez A.C., De Siervo A., Landers R., Morais J. UPS of a-Si:H: What is the energy of the Er 4f states? // Materials Research Society Symposium Proceedings. 2000. V. 609, pp. Al Ill-All 16.
  37. Zanatta A.R., Freire F.L. Optical study of thermally annealed Er-doped hydrogenated a-Si films. // Physical Review B Condensed Matter and // Materials Physics. 2000. V. 62, no. 3, pp. 2016−2020.
  38. Piamonteze C., Tessler L.R., Tolentino H., Do Carmo Martins Alves M., Weiser G., Terukov E. Er environment in a-Si:H prepared by PECVD. // Materials Research Society Symposium Proceedings. 2000. V. 609, pp. AI 121-A1126.
  39. Chen Weide, Liang Jianjun, Wang Yongqian. Photoluminescence and microstructure of Er-Doped a-Si:H, O deposited by PECVD. // Chinese Journal of Semiconductors. 2000. V. 21, no. 10, pp. 988−992.
  40. Ivanov P.A., Kon’kov O.I., Terukov E.I.Current-voltage characteristics of electroluminescent Me/(a-Si:H):Er/c-Si structures prepared by magnetron sputtering.
  41. Semiconductors. 2000. V. 34, no. 5, pp. 598−602.
  42. Tessler L.R., Piamonteze C., Alves M.C.M., Tolentino H. Evolution of the Er environment in a-Si:H under annealing: Ion implantation versus co-deposition. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2000. V. 266−269 A, pp. 598−602.
  43. Tessler L.R., Iniguez A.C. Optimization of the as-deposited 1.54 (im photoluminescence intensity in a-SiOx:H. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2000. V. 266−269 A, pp. 603−607.
  44. Piamonteze C., Tessler L.R., Martins Alves M.C., Tolentino H. Environment of Er in a-Si:H: Co-sputtering versus ion implantation. Brazilian // Journal of Physics. 1999. V. 29, no. 4, pp. 756−759.
  45. Tessler L.R. Erbium in a-Si:H. Brazilian // Journal of Physics. 1999. V. 29, no. 4, pp. 616−622.
  46. Mezdrogina M.M., Annaorazova M.P., Terukov E.I., Trapeznikova I.N., Naza-rov N. Formation of optically active centers in films of erbium-doped amorphous hydrated silicon. // Semiconductors. 1999. V. 33, no. 10, pp. IMS-IMS.
  47. Tessler Leandro R., Iniguez Ana Carola. Photo and electroluminescence of a-Si:Er:H. // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1999. V. 507, pp. 279−290.
  48. Feoktistov N.A., Golubev V.G., Medvedev A.V., Pevtsov A.B. Erbium-doped a-Si:H films fabricated by standard PECVD using metalorganics. // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1999. V. 507, pp. 255−260.
  49. Xue Junming, Zhou Wei, Sun Zhonglin. Photoluminescence for Er, O co-implanted in a-Si:H and a-SiCx:H films. // Journal of Optoelectronics Laser. 1998. V. 9, no. 4, pp. 301−303.
  50. Piamonteze C., Iniguez A.C., Tessler L.R., Martins Alves M.C., Tolentino H. Environment of erbium in a-Si:H and a-SiOx:H. // Physical Review Letters. 1998. V. 81, no. 21, pp. 4652−4655.
  51. Zanatta A.R., Nunes L.A.O. 1.54 pm photoluminescence of Er-containing N-doped a-Si:H. // Journal of Non-Crystalline Solids. 1998. V. 227−230 (PART 1), pp. 389−393.
  52. Bresler M., Gusev O., Kuznetsov A., Kudoyarova V., Terukov E., Yassievich I., Fuhs, Weiser G. Photoluminescence at 1.54 jim of Er-doped hydrogenated amorphous silicon. // Journal of Non-Crystalline Solids. 1998. V. 227−230 (PART 1), pp. 394−398.
  53. Tessler L.R., Zanatta A.R. Erbium luminescence in a-Si:H. // Journal of Non-Crystalline Solids. 1998. V. 227−230 (PART 1), pp. 399−402.
  54. Tessler Leandro R., Piamonteze Cinthia, Iniguez Ana Carola, Martins Alves M.C., Tolentino H. Chemical environment of Er3+ in a-Si:Er:H and a-Si:Er:0:H. // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1998. V. 524, pp. 327−332.
  55. Terukov E.I., Kuznetsov A.N., Parshin E.O., Weiser G., Kuehne H. Photoluminescence of erbium in amorphous hydrogenated phosphorus-doped silicon. // Semiconductors. 1997. V. 31, no. 7, pp. 738−739.
  56. Zanatta A.R., Nunes L.A.O., Tessler L.R. Erbium luminescence from hydrogenated amorphous silicon-erbium prepared by cosputtering. // Applied Physics Letters. 1997. V. 70, no. 4, pp. 511−513.
  57. Polman A., Custer J.S., Zagwijn P.M., Molenbroek A.M., Alkemade P.F.A. Segregation and trapping of erbium at a moving crystal-amorphous Si interface. // Journal Applied Physics. 1997. V. 81, no. 1, pp. 150−153.
  58. Terukov E.I., Kudoyarova V.Kh., Mezdrogina M.M., Golubev V.G., Sturm A., Fuhs W. Photoluminescence at 1.54 (im in erbium-doped amorphous hydrogenated silicon. // Semiconductors. 1996. V. 30, no. 5, pp. 440−443.
  59. M.S., Gusev O.B., Kudoyarova V.Kh., Kuznetsov A.N., Рак P.E., Terukov E.I., Yassievich I.N., Sturm A. Room-temperature photoluminescence of erbium-doped hydrogenated amorphous silicon. // Applied Physics Letters. 1995. V. 67, pp. 3599.
  60. Coffa S., Priolo F., Franzo G., Bellani V., Camera A., Spinella C. Optical activation and excitation mechanisms of Er implanted in Si. // Physical Review B. 1993. V. 48, no. 16, pp. 11 782−11 788.
  61. Kechouane M., Beldi N., Mohammed-Brahim Т., L’Haridon H., Salvi M., Gauneau M. 1.54 цт photoluminescence of erbium implanted hydrogenated amorphous silicon. // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993. V. 298, pp. 453−456.
  62. Kechouane M., Beldi N., Mohammed-Brahim T. 1.54 цш photoluminescence of erbium implanted hydrogenated amorphous silicon. // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993. V. 301, pp. 133−136.
  63. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М. Мир. 1986. 558 с.
  64. Н. Электроны в неупорядоченных структурах. М. Мир, 1969. 182.
  65. Аморфные и поликристаллические полупроводники. Ред. Хейванг В., М., Мир, 1987
  66. Аморфные полупроводники. Ред. Бродски М. 1982.
  67. А. И. Квантовоэлектронная теория аморфных проводников. М. Л. Изд. АН СССР, 1963.
  68. Cohen М.Н. Fritzsche Н., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys. //Phys. Rev. Lett. 1969. V. 22. P.1065.
  69. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир. М. 1982.
  70. Anderson P.W. Model for electronic structure of amorphous Semiconductors. //Physical Review Letters. 1975. V. 34. no 15. pp. 953−955.
  71. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy Semiconductors. // Physical Review Letters. 1975. V. 35, no. 19, p. 1293.
  72. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors. // Physical Review Letters 1975. V. 37, no. 22, p. 1504.
  73. Filatov D.O., Zimovets I.A., Isakov M.A., Kuznetsov, V.P., Kornaukhov A.V. Investigation of energy levels of Er-impurity centers in Si by the method of ballistic electron emission spectroscopy. // Semiconductors. 2011. V. 45 (9), pp. 11 111 116.
  74. Qin X., Liang Y., Wang F. The range distribution of Er ions implanted in silicon crystal. // Key Engineering Materials. 2011. V. 474−476. pp. 178−182.
  75. Ha N.N., Dohnalova K., Gregorkiewicz T. Evaluation of free carrier losses to 1.54 (im emission in Si/Si:Er nanolayers on SOI substrate for optical gain observation. // Optical Materials. 2011. V. 33 (7). pp. 1094−1096.
  76. Timmerman D., Saeed S., Gregorkiewicz T. Fast dynamics of 1.5 ?am photoluminescence in Er-doped Si02 sensitized with Si nanocrystals. // Optical Materials. 2011. V. 33 (7). pp. 1091−1093
  77. Nikas V., Gallis S., Huang M., Kaloyeros A.E. Thermal annealing effects on photoluminescence properties of carbon-doped silicon-rich oxide thin films implanted with erbium. // Journal of Applied Physics.2011. V. 109 (9). art. no. 93 521.
  78. Saeed S., Timmerman D., Gregorkiewicz T. Dynamics and microscopic origin of fast 1.5 ?im emission in Er-doped Si02 sensitized with Si nanocrystals. // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 2011. V. 83 (15). art. no. 155 323
  79. Franzo G., Napolitani E., Cardile P., Boninelli S., Marino A., Priolo F. Erbium Oxygen interactions in crystalline silicon. // Semiconductor Science and Technology. 2011. V. 26 (5). art. no. 55 002.
  80. Silalahi S.T.H., Chen R., Vu Q.V., Pita K., Sun H.D., Yu M.B. The effects of rapid annealing and passivation of co-sputtered erbium doped Si-rich oxide/Si02 superlattice structures. // Photonics Global Conference, PGC 2010, art. no. 5 706 085.
  81. Savchyn О., Coffey K.R., Kik P.G. Determination of optimum Si excess concentration in Er-doped Si-rich Si02 for optical amplification at 1.54 ?im. // Applied Physics Letters. 2010. V. 97 (20). art. no. 201 107.
  82. Mai L., Xu F., Jiang Z., Ma Z., Wang X., Xu R., Fan Y., Zheng L. Annealing temperature dependence of Er3+ photoluminescence in alternately Er-doped Sirich A1203 multilayer film. // Thin Solid Films. 2010. V. 518 (23). pp. 6993−6996.
  83. Tessler L.R., Coffer J.L., Ji J., Senter R.A. Erbium environment in silicon na-noparticles. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2002. V. 299−302 (PART 1), pp. 673−677.
  84. О.А., Казанин M.M., Коньков О. И., Кудоярова В. Х., Теруков Е. И. Пленки аморфного гидрированного кремния, осажденные при повышенных температурах. // Физика и техника полупроводников 1996. Т. 30. вып. 3 с.405−414
  85. К.В., Теруков Е. И., Фус В. Влияние гетерогенности материала на кинетику фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии.// Физика и техника полупроводников. 1998, Т. 32. № 10 .с.1266−1268
  86. К.В., Теруков Е. И., Трапезникова И. Н. Распределение по энергии локализованных состояний в аморфном гидрогенизированном кремнии.// Физика и техника полупроводников. 2000, Т. 34, вып. 1 с.81−85
  87. А.Г., Теруков Е. И., Форш П. А., Kleider J.P. Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой. // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44, вып. 4 с.513−516
  88. О. Б., Теруков Е. И., Ундалов Ю. К., Цэндин К.Д.Термоиндуцированная дефектная фотолюминесценция гидрогенизированного аморфного кремния. // Физика твердого тела. 2011. Т. 53, вып. 2 с.240−246
  89. Coey J.M.D., McEvoy A. Mossbauer study of europium in fluorozirconate glass. // Journal of Non-Crystalline Solids. 1981. V.43. p.387−392.
  90. В.Д., Серегин П. П., Саидов Ч. С., Григорян Т. М., Анисонян Л. Б., Агзамов А. Валентное состояние атомов железа, европия и олова во фторидных стеклах. // Физика и химия стекла. 1987. Т. 13. № 5. С. 779−781.
  91. Todoroki S., Hirao К., Soga N. Rigin of inhomogeneous linewidth of Eu3+ fluorescence in several oxide glasses. // Journal of Applied Physica. 1992. V.72. № 12. P. 5853 -5860.
  92. Tanabe S., Hirao K., Soga N. Local-structure of rare-earth ions in fluoro-phosphates glasses by phonon-band and Mossbauer-spectroscopy. // Journal of None-Crystalline Solids. 1992. V.142, P.148−154.
  93. Takahashi M., Kanno R., Kawamoto Y. Mossbauer and fluorescence spectroscopic study on the local environment around trivalent europium ion in the chlo-rofluorozirconate glass system. // Journal of Physical Chemistry. 1996. V.100, № 26. P. 11 193−11 197.
  94. С.А., Серегин П. П., Томильцев E.A., Тагильцева Н. О. Мессбау-эровское исследование состояния европия во фторидных стеклах.// Физика и химия стекла. 2006. Т.32. № 2. с.356−358.
  95. Публикации по теме диссертационного исследования
  96. Г. А., Марченко A.B., Мездрогина М. М., Налетко A.C., Серегин П. П., Дашина А. Ю. Примесные центры редкоземельных металлов в a-Si(H) // Физика и химии стекла. 2012. Т. 38. № 2. с. 259−267. (0.4/0.3 п.л.)
  97. Marchenko A., Naletko A., Zaiceva A., and Terukov Е. Tin Impurity Centers in Glassy Germanium Chalcogenides // Сборник трудов VIII международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». СПб. 2012. с. 235−236. (0.1/0.05 п.л.)
Заполнить форму текущей работой

На отлично!