Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Влияние магнитного поля с индукцией до 30 тесла на пластичность и фотопроводимость ионных и молекулярных кристаллов

Диссертация: Влияние магнитного поля с индукцией до 30 тесла на пластичность и фотопроводимость ионных и молекулярных кристаллов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одна из коренных трудностей объяснения МПЭ связана с тем, что МП, используемое для исследования пластичности, в энергетическом отношении является малым возмущением по сравнению с тепловой энергией. Так, сопоставление энергии Е частицы, имеющей магнитный момент (о., равный магнетону Бора, в магнитном поле В=1 Тл со средней энергией теплового движения кТ этой частицы, показывает, что Е~|лВ~10″ 4… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Критерии разграничения «сильного» и «слабого» магнитных полей и их воздействия на физические процессы
    • 1. 2. Экспериментальные данные по магнитопластическим и другим магнитным эффектам в ионных, ковалентных и молекулярных кристаллах
      • 1. 2. 1. Влияние магнитного поля на процесс взаимодействия парамагнитных центров в объеме кристалла и в ядре дислокации
      • 1. 2. 2. Эффекты, связанные с изменением в магнитном поле состояния точечных дефектов в объеме и на поверхности кристалла
      • 1. 2. 3. Возможные объекты в кристалле, которые могут быть подвержены действию магнитного поля
    • 1. 3. Влияние слабых магнитных полей на протекание спин-зависимых реакций в твердых телах
      • 1. 3. 1. Механизм влияния магнитного поля на спин-зависимые химические реакции
      • 1. 3. 2. Магнито-спиновые эффекты в молекулярных, полупроводниковых и ионных кристаллах
    • 1. 4. Физические свойства фуллеритов
      • 1. 4. 1. Перспективы использования фуллеритов в технике, электронике, химии и биологии
      • 1. 4. 2. Пластические свойства фуллеритов
      • 1. 4. 3. Электронное строение идеальной решетки фуллеритов и их магнитные и электрические свойства
    • 1. 5. Постановка целей и задач исследования
  • Глава 2. Методика исследований
    • 2. 1. Методика получения и измерения магнитных полей до 30 Тл
    • 2. 2. Методика исследования подвижности индивидуальных дислокаций, инициированной магнитным полем без
  • приложения внешней механической нагрузки
    • 2. 3. Методика исследования влияния магнитного поля на изменение микротвердости ионных и молекулярных кристаллов
    • 2. 4. Методика исследования фотопроводимости фуллерита С6о в постоянном магнитном поле
    • 2. 5. Выводы
  • Глава 3. Изменение пластичности ионных и молекулярных кристаллов в результате влияния магнитного поля
    • 3. 1. Необратимость изменения состояния метастабильных точечных дефектов под влиянием слабого магнитного поля
    • 3. 2. Влияние умеренных магнитных полей на пробеги индивидуальных дислокаций в ионных кристаллах
    • 3. 3. Обратимость изменения на микропластичность ионных кристаллов под влиянием магнитных полей с индукцией до 30 Тл
    • 3. 4. Выделение полевых зависимостей для разных типов точечных дефектов
    • 3. 5. Влияние импульсного магнитного поля на пластические свойства молекулярных кристаллов Сбо
    • 3. 6. Возможные механизмы влияния умеренного магнитного поля на пластичность ионных и молекулярных кристаллов
    • 3. 7. Выводы
  • Глава 4. Возбуждение точечных дефектов немагнитными воздействиями и инициирование их перехода в магниточувствительное состояние
    • 4. 1. Роль термообработки в формировании чувствительности точечных дефектов в ионных кристаллах к магнитному полю
    • 4. 2. Влияние релаксационных процессов вблизи свежеобразованной поверхности на магнитопластические эффекты в ионных кристаллах
    • 4. 3. Сенсибилизация радиационно-окрашенных кристаллов к действию магнитного поля Р-светом
    • 4. 4. Модели влияния немагнитных факторов на магниточувствительное состояние точечных дефектов
    • 4. 5. Выводы
  • Глава 5. Влияние магнитного поля на фотопроводимость фуллерита Сбо
    • 5. 1. Экспериментальные данные о влиянии магнитного поля на фотопроводимость СбО
    • 5. 2. Модель влияния магнитного поля на электронные переходы в подсистеме фотовозбужденных молекул фуллерита
    • 5. 3. Выводы

Влияние магнитного поля с индукцией до 30 тесла на пластичность и фотопроводимость ионных и молекулярных кристаллов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В последнее время несколькими независимыми группами исследователей установлено, что магнитное поле (МП) с индукцией В~1 Тл влияет на многие физические параметры ионных кристаллов, связанные с пластичностью: под действием МП наблюдается смещение дислокаций в ненагруженных кристаллах [1], увеличение их пробегов при нагружении [2]- увеличение дислокационного внутреннего трения [3]- понижение предела текучести [4]- изменение скорости макропластического течения [5]. Все эти явления объединяются общим названием — магнитопластические эффекты (МПЭ).

Одна из коренных трудностей объяснения МПЭ связана с тем, что МП, используемое для исследования пластичности, в энергетическом отношении является малым возмущением по сравнению с тепловой энергией. Так, сопоставление энергии Е частицы, имеющей магнитный момент (о., равный магнетону Бора, в магнитном поле В=1 Тл со средней энергией теплового движения кТ этой частицы, показывает, что Е~|лВ~10″ 4 эВ на несколько порядков меньше кТ при комнатной температуре. Магнитные поля, которые удовлетворяют соотношению Е"кТ, принято называть слабыми в термодинамическом отношении (для магнитонеупорядоченных сред слабыми являются МП с В<10 Тл при Т=300 К). С другой стороны известно, что слабое МП (В"1 Тл), оказывая влияние на неравновесные состояния вещества, способны существенно воздействовать на диффузию, электропроводность и интенсивность люминесценции в полупроводниковых и молекулярных кристаллах [6], скорость и выход жидкофазных химической реакций, на биологические процессы и так далее. Очевидно, это возможно только в условиях далеких от термодинамического равновесия.

Существующие теории МПЭ в слабых полях предсказывают насыщение в МП с индукцией -1−10 Тл, зависящее от величины принятых параметров, относительно которых пока отсутствуют экспериментальные данные.

Исследование МПЭ в сильных МП (Е>кТ, что соответствует В>100 Тл при Т=300 К) и умеренных МП (Е~кТВ=10-^50 Тл при Т=300 К), может улучшить состояние теории слабополевых эффектов, а также обнаружить дополнительные каналы, связанные с влиянием поля не только на неравновесные, но и на равновесные системы.

Цель настоящей работы заключалась в обнаружении и исследовании явлений, связанных с действием МП с В до 30 Тл на пластичность кристаллов с различным типом межатомной связи, в создании условий для управления МПЭ с помощью «немагнитных» факторов (термической обработки, образования новой поверхности, света оптического диапазона), а также в исследовании одновременно с пластичностью фотопроводимости кристаллических систем в МП. В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи исследования:

1. Создать экспериментальные условия и исследовать МПЭ в ионных и молекулярных кристаллах в умеренных магнитных полях с индукцией до 30 Тл, которые способны сообщать элементарным объектам (носителям спинов) в кристалле энергию, сопоставимую с тепловой энергией при комнатной температуре.

2. Выяснить различия в закономерностях МПЭ, индуцированных магнитными полями, которые обеспечивают различные соотношения между магнитной энергией Е носителей спинов и тепловой энергией ~кТ, для слабых (Е"кТ) и умеренных (Е~кТ) магнитных полей.

3. Исследовать воздействие немагнитных факторов на магниточувствительность ионных кристаллов путем длительного отжига, образования новой поверхности, освещения светом оптического диапазона.

4. Исследовать влияние магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов фуллерита Сбо.

5. На основе полученных экспериментальных результатов предложить модели влияния умеренного магнитного поля на пластичность кристаллов с различным типом связи.

Научная новизна полученных результатов заключается в обнаружении и исследовании новых физических эффектов, связанных с влиянием умеренных МП на пластические свойства ионных и молекулярных кристаллов.

Обнаружено влияние МП с индукцией В~30 Тл на микротвердость ионных кристаллов NaCl и KCl, а также молекулярных кристаллов Сбо. Установлено, что экспозиция кристаллов в МП вызывает длительные (до нескольких суток) остаточные изменения микротвердости. Выявлены зависимости пробегов дислокаций в NaCl в поле внутренних напряжений и зависимости микротвердости кристаллов от индукции МП.

Установлены принципиальные различия в закономерностях воздействия слабых и умеренных МП на пластичность ионных кристаллов. Слабое МП изменяет пластические свойства необратимо, в то время как изменения пластичности, инициируемые умеренным МП, имеют обратимый характер. Так, в отличие от постоянного МП с В~1 Тл, повторные импульсы МП с В~30 Тл способны многократно инициировать изменения микротвердости. В МП с В<10 Тл полевые зависимости МПЭ имеет монотонно нарастающий характер, в то время как в диапазоне 0<В<30 Тл имеет место зависимости с максимумом или насыщением. Повышение чувствительности кристалла к слабому МП под действием внешних факторов не всегда влечет усиление эффектов в умеренном МП, и наоборот.

Определены факторы, приводящие к изменению магниточувствительности пластических свойств ионных кристаллов. Так, показано, что длительный изотермический отжиг и последующее медленное охлаждение приводит к потере кристаллами чувствительности к МП. Механическая активация образцов сколом приводит к повышению магниточувствительности. В у-облученных ионных кристаллах F-свет сенсибилизирует чувствительность к МП, которая была потеряна после действия слабого МП.

Обнаружено влияние слабого МП на фотопроводимость фуллерита Сбо. Выяснено, что прибавка фототока зависит от индукции МП и не сводится к гальваномагнитным эффектам.

Научная ценность и практическая значимость работы. Научная ценность полученных результатов определяется расширением границ наблюдения известных магнитопластических эффектов в области, принципиально отличающиеся от исследованных ранее, и наблюдении ряда новых явлений, индуцированных МП. В частности, выполнены измерения пластических характеристик ионных кристаллов NaCl, КС1 и молекулярных кристаллов Сбо в МП с индукцией до 30 Тл, обеспечивающих выход за пределы диапазона слабых МП. В этих умеренных МП обнаружены новые закономерности их действия на механические характеристики кристаллов: обратимый характер индуцированных изменений, немонотонные полевые зависимости и другие. Установлено, что наряду с пластичностью МП может изменять и электрические свойства кристаллов. Выявлена роль термической обработки, образования новой поверхности и воздействия света оптического диапазона в формировании магниточувствительности ионных кристаллов. Найдены условия и параметры этих немагнитных факторов, обеспечивающих увеличение чувствительности ионных кристаллов к внешнему МП или уменьшение ее вплоть до полного устранения.

Практическая значимость связанна с возможностью бесконтактного управления пластическими свойствами реальных тел. Так, обратимое изменение пластичности в умеренных полях даст возможность восстановления технологически важных свойств материалов. Способность необратимо изменять пластические свойства во всем объеме кристалла под действием слабого МП позволит предотвратить старение составных частей приборов в процессе их эксплуатации. Кроме того, созданные экспериментальные ситуации могут играть роль модельных для изучения более сложных объектов, чувствительных к МП.

— полимерных и белковых макромолекул, а также биологических систем.

Апробация работы. Полученные результаты были представлены на следующих конференциях и семинарах:

— Международная конференция «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» (Тамбов, 1996).

— IX Международная конференция «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах» (Тула, 1997).

— XXXIV Международный семинар «Актуальные проблемы прочности» (Тамбов, 1998).

— The VI International Symposium on «Magnetic Field and Spin Effects in Chemistry and Related Phenomena» (Switzerland, Emmetten, 1999).

На защиту выносятся следующие основные положения и результаты:

1. В ионных кристаллах NaCl, KCl и молекулярных кристаллах Сво наблюдаются магнитопластические эффекты в МП с индукцией до 30 Тл, заключающиеся в изменении микротвердости (NaCl, KCl, Сбо) и увеличения подвижности дислокаций (NaCl) без приложения внешней нагрузки под действием внутренних напряжений.

2. Влияние слабого МП (В<2 Тл) на точечные дефекты в ионных кристаллах имеет необратимый характерв умеренные полях (В~30 Тл) изменения, индуцируемые МП, становятся обратимыми.

3. Восстановить чувствительность ионных кристаллов к действию МП возможно механической активацией (сколом) образца. В-у-облученных кристаллах KCl, потерявших чувствительность к МП, можно сенсибилизировать точечные дефекты к действию МП путем освещения F-светом. Подавить магнитопластический эффект в ионных кристаллах можно путем изотермического отжига с последующим медленным охлаждением, что приводит к устранению исходной неравновесности точечных дефектов.

4. Магнитное поле с индукцией В до 0.5 Тл оказывает влияние на фотопроводимость в монокристаллах фуллерита Сбо, которое не сводится к известным гальваномагнитным явлениям.

Яичное участие автора в получении результатов, изложенных в диссертационной работе. В работах, написанных в соавторстве, автору принадлежит разработка, создание и отладка экспериментальных установок, проведение экспериментов, первичная обработка данных, а также участие в планировании исследований и обсуждении результатов.

Диссертационная работа выполнена при финансовой поддержке Госкомитета РФ по высшему образованию (грант № 95−0-7.1−58), Российского Фонда Фундаментальных Исследований (грант № 97−02−16 074) и программы Университеты России (грант № 381). Основные результаты диссертационной работы опубликованы в [126−136].

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

Проведенные в данной работе исследования позволяют сделать следующие выводы:

1. Обнаружено влияние МП на микротвердость ионных и молекулярных кристаллов. Установлены закономерности магнитопластических эффектов в магнитном поле до 30 Тл в ионных кристаллах NaCl, KCl и молекулярных кристаллах Сбо. Они позволяют предположить, что обсуждаемый механизм действия МП на пластичность может являться универсальным для кристаллических тел с различным типом связи.

2. Разделены и исследованы по отдельности вклады в магнитопластический эффект в ионных кристаллах от двух различных типов точечных дефектов.

3. В отличие от слабых МП с В~1 Тл, где наблюдается необратимое изменение пластических свойств, «умеренные» магнитные поля с В>20 Тл способны влиять на пластичность ионных и молекулярных кристаллов обратимо. Термодинамическая роль «умеренных» магнитных полей может сводиться к передаче энергии дефектам и их возбуждению в неравновесные состояния, из которых они самопроизвольно релаксируют.

4. Магниточувствительность ионных кристаллов зависит от термической предыстории, в частности, ее можно подавить длительным отжигом и последующим медленным охлаждением. Повысить чувствительность к магнитному полю можно механической активацией образца (образованием новой поверхности) и действием на у-облученные кристаллы светом оптического диапазона.

5. Магнитное поле с индукцией В<1 Тл оказывает влияние на фототок в монокристаллах Сбо, которое не сводится к гальваномагнитным эффектам. Вид полевой зависимости эффекта влияния МП на фототок находится в хорошем соответствии с предсказаниями теории спин-зависимой рекомбинации носителей заряда.

6. Для описания магниточувствительных процессов внутри метастабильных комплексов точечных дефектов может быть применена теория спин-зависимых неадиабатических электронных переходов, которая позволяет описать полевые зависимости магнитопластического эффекта, дать оценку времени пребывания точечного дефекта в магниточувствительном состоянии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.И., Даринская Е. В., Перекалина Т. М., Урусовская A.A. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // ФТТ. 1987. Т. 29. № 2. С. 467−470.
  2. Ю.И., Казакова О. Л., Моргунов Р. Б. Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле//ФТТ. 1993. Т. 35. № 5. С. 1384−1386.
  3. Э.П., Светашов A.A., Красников В. Л. Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов // Изв. РАН. Сер. физ. 1997. Т. 61. № 2. С. 291−297.
  4. Урусовская А. А, Алыииц В. И., Смирнов А. Е., Беккауер H.H. О влиянии магнитного поля на предел текучести и кинетику макропластичности кристаллов LiF // Письма в ЖЭТФ, 1997. Т. 65. № 6. С. 470−474.
  5. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 61. № 7. С. 583−586.
  6. .Я., Бучаченко А. Л., Франкевич Е. Л. Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике // УФН 1988. Т. 155. № 1. С. 3−45.
  7. В.И., Даринская Е. В., Петржик Е. А. Магнитопластический эффект в монокристаллах алюминия // ФТТ. 1992. Т. 34. № 1. С. 155−158.
  8. О.И., Алексеенко В. И. Внутреннее трение в магнитообработанном материале с дислокациями//ФТТ. 1997. Т. 39. № 7. С. 1234−1236.
  9. О.И., Алексеенко В. И., Шахова А. Д. Релаксационные процессы в структуре оловянистой бронзы, обработанной импульсами слабого магнитного поля // ФТТ. 1996. Т. 38. № 6. С. 1799−1804.
  10. Ю.И., Моргунов Р. Б., Баскаков A.A., Бадылевич М. В., Шмурак С. З., Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т. 69. № 2. С. 114−118.
  11. Ю.И., Моргунов Р. Б., Ликсутин С. Ю. Влияние импульса сильного магнитного поля на механические свойства полиметилметакрилата. // Высокомолекулярные соединения (серия Б), 1998. Т.40. № 2. С. 373−376.
  12. В.А., Мухина Л. Л., Разумовская И. В. Влияние магнитной обработки на микротвердость полиэтилена и полипропилена // Высокомолекулярные соединения (серия Б). 1998. Т. 40. № 7. С. 1213−1215.
  13. В.И., Даринская Е. В., Петржик Е. А. Микропластичность диамагнитных кристаллов в постоянном магнитном поле // Изв. вузов. Черная металлургия. 1990. № 10. С. 85−87.
  14. В.И., Даринская Е. В., Петржик Е. А. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, Csl, AI. Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов. Тез. докл. 2 Всесоюзн. конф. Ч. 1. Юрмала. 1990. С. 27−28.
  15. В.И., Даринская Е. В., Петржик Е. А. изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления // ФТТ. 1991. Т. 33. № 10. С. 3001−3010.
  16. В.И., Даринская Е. В., Казакова О. Л., Михина Е. Ю., Петржик Е. А. Магнитопластический эффект: релаксация дислокационной структуры в немагнитных кристаллах под действием магнитного поля // Изв. АН. Сер. физ. 1993. Т. 57. № 11. С. 2−11.
  17. Alshits V.l., Darinskaja E.V., Kazakova O.L., Mikhina E.Yu., Petrzhik E.A. Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction // J. of Alloys and Compounds. 1994. V. 211. P. 548−553.
  18. В.И., Даринская E.B., Казакова О. Л. Влияние рентгеновского облучения на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 62. № 4. С. 352−357.
  19. В.И., Даринская Е. В., Казакова О. Л. Влияние концентрации примеси Са на магнитный порог магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl // ФТТ. 1998. Т. 40. № 1. С. 81−84.
  20. В.И., Даринская Е. В., Казакова О. Л. Магнитопластический эффект в облученных кристаллах NaCl и LiF // ЖЭТФ. 1997. Т. 111. № 2. С. 615−526.
  21. В.И., Даринская Е. В., Михина Е. Ю., Петржик Е. А. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в магнитном поле // ФТТ. 1996. Т. 38. № 8. С. 2426−2430.
  22. Kisel V.P., Erofeeva S.A., Shikhsaidov M.Sh. Influence of magnetic field on the movement edge dislocations in ionic crystals //Phil. Mag. 1993. V. 67. № 2. P. 343−360.
  23. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 61. № 7. С. 583−586.
  24. Ю.И., Моргунов Р. Б. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl // Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 58. № з. С. 189−192.
  25. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние отжига в постоянном магнитном поле на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl // ФТТ. 1995. Т. 37. № 4. С. 1239−1241.
  26. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl //ФТТ. 1995. Т. 37. № 5. С. 1352−1361.
  27. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl: Са // ФТТ. 1995. Т. 37. № 7. С. 2118−2121.
  28. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Tyutyunnik A.V. The influence of permanent magnetic and alternative electric fields on the dislocation dynamics in ionic crystals // Phys. Stat. Sol. b. 1995. V. 189. № i.p. 75−80.
  29. Ю.И., Моргунов Р. Б., Тютюнник A.B. Исследование in situ динамики дислокаций в монокристаллах NaCl, обработанных постоянным магнитным полем // Известия РАН (серия физическая). 1995. Т. 59. № 10. С. 3−7.
  30. Golovin Yu. L, Morgunov R.B. Mechanochemical reactions between defects of crystalline structure and the effect of magnetic field on the kinetics of these reactions // Chemistry reviews. 1998. V. 23. № 2. P. 25−60.
  31. Ю.И., Моргунов Р. Б. Магнитопластические эффекты в кристаллах // Известия РАН (серия физическая). 1997. Т. 61. № 5. С. 850−859.
  32. А., Люкке К. Струнная модель дислокации и дислокационное поглощение звука // Физическая акустика. 1969. Т. 4А. С. 261−321.
  33. М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта // ФТТ. 1991. Т. 33. № 10. С. 3112−3114.
  34. Sharp E.J., Avery D. A. Magnetic polarization of electrons at dislocation in alkali halidas // Phis. Rev. 1967. V. 158. № 3. P. 511−514.
  35. Г. И., Каневский B.M., Москвин B.B., Постников С. Н., Рябинин Л. А., Сидоров В. П., Шнырев Г. Д. О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел // ДАН СССР. 1983. Т. 268. № 3. С. 591−593.
  36. В.М., Дистлер Г. И., Смирнов А. Е., Герасимов Ю. М., Кортукова Е. И., Урусовская А. А., Горюнов Е. С. Исследование влияния импульсного магнитного поля на растворимость кристаллов NaCl // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1984. Т. 48. № 12. С. 2408−2413.
  37. Головин Ю. И, Моргунов Р. Б., Иванов В. Е., Жуликов С. Е., Тютюнник А. В. Метастабильные состояния точечных дефектов в ионных кристаллах, чувствительные к слабому магнитному полю // Вестник ТГУ (серия естественнотехническая). 1997. Т. 2. № 3. С. 262−267.
  38. Ю.И., Моргунов Р. Б., Тютюнник А. В., Жуликов С. Е., Афонина Н. М. Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl // ФТТ. 1998. Т. 40. № 12. С. 2184−2188.
  39. ХайникеГ. Трибохимия. М.: Мир, 1987, С. 582.
  40. М.В., Каказей Н. Г. ЭПР в механически разрушенных твердых телах. Киев: Наукова думка, 1979, С. 198.
  41. Г. И., Власов В. П., Герасимов Ю. М., и др. Декорирование поверхности твердых тел. М.: Наука, 1976, С. 168.
  42. В.Н., Заметан В. И., Никифоров И. Я. Динамика развития экзоэлектроннойэмиссии после разрушения кристаллов NaCl и LiF // ФТТ. 1984. Т. 26. № 12. С. 3709−3711.
  43. Ю.М., Дистлер Г. И. Исследование быстропротекающих электрических процессов при раскалывании монокристаллов // Известия АН СССР (Серия физическая). 1977. Т. 41. № 11. С. 1204−1211.
  44. Л.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов. Новосибирск: Наука, 1990, С. 120.
  45. М.С., Егорова JI.H., Андрианов Б. В., Рекус Г. Г., Говор А. И. Прочность сшитых полимеров при отвердении в магнитном поле // Механика полимеров. 1974. № 1. С. 49−53.
  46. H.H., Суровова В. Ю., Якушев П. Н. О влиянии постоянного магнитного поля накинетику деформации полимеров // ФТТ. 1992. Т. 34. № 7. С. 2111−2117.
  47. В.Е., Садых-заде С.М., Трифель Б. Ю., Абдуллаев H.A., Вечхайзер Г. В. Изучение релаксационных переходов в полимерах при воздействии магнитных полей // Механика полимеров. 1971. № 4. С. 611−614.
  48. Д.А., Лутовинов B.C., Лучников А. П., Сигов A.C., Шермухамедов А. Т. Влияние магнитного поля на релаксационный пик диэлектрических потерь в полимерах // ФТТ. 1990. Т. 32. № 4. С. 1172−1176.
  49. Ю.М., Кисис Э. Р., Родин Ю. П. Структурные изменения полимерных материаловв магнитном поле // Механика полимеров. 1973. № 4. С. 737−740.
  50. И. А., Франкевич Е. Л. Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах // УФН. 1973. Т. 111. № 2. С. 261 -288.
  51. С. А., Чечеткина Е. А., Козюхин С. А. Аномальное влияние слабых магнитных полей на диамагнитные стеклообразные полупроводники // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т. 41. С. 74−76.
  52. В.П. Власов, В. М. Канаевский, А. А. Пурцхванидзе. ОЖЭ-Электронная спектроскопия полупроводниковых кристаллов после воздействия импульсного магнитного поля // ФТТ. 1991. Т. 33. № 7. С. 70−73.
  53. М.Н., Зон Б.А. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si // ЖЭТФ. 1997. Т. 111. С. 1373−1397.
  54. В.Н., Лоскутова Е. А., Найден Е. П. Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем // ФТП. 1989. Т. 23. С. 1596−1600.
  55. В.М., Климов Ю. А., Самсонов Н. С., Симанович Е. В. Изменения электрофизических параметров систем Si-SiCh, индуцированные импульсом магнитного поля // ФТП. 1994. Т. 28. С. 772−777.
  56. М.Н., Личманов Ю. О., Масловский В. М. Изменение зарядовой стабильности МДП структур, индуцированное импульсным магнитным полем // Письма в ЖЭТФ. 1994. Т. 20. № 4, С. 27−31.
  57. Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах. М.: Мир, 1971, С. 280.
  58. С.З., Сенчуков Ф. Д. Взаимодействие дислокаций с электронными и дырочными центрами в ЩГК // ФТТ. 1973. Т. 15. № 10. С. 2976−2979.
  59. Jacobs P.W.M. Impurity ions ground-states in ionic crystals // J. of Physics and chemistry of solids. 1990. V. 51. № 1. P. 35−50.
  60. А.Л., Сагдеев P.3., Салихов K.M. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Новосибирск: Наука, 1978, С. 350.
  61. Е.Л., Балабанов Е. И. Новый эффект увеличения фотопроводимости органических полупроводников в слабом магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 1965. Т. 1. № 6. С. 33−37.
  62. Е.Л. О природе нового эффекта изменения фотопроводимости органических полупроводников в магнитном поле//ЖЭТФ. 1966. Т. 50. С. 1226.
  63. Frankevich E.L., Sokolik I.A., Tribel М.М., Kotov B.V. Photoconductivity of the charge transfer complex crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1977. V. 40. P. 655−662.
  64. Р.З., Салихов К. М., Молин Ю. И. Влияние магнитного поля на процессы с участием радикалов и триплетных молекул в растворах // Успехи химии. 1977. Т. 46. № 4. С. 569−593.
  65. Buchachenko A.L., Frankevich E.L. Chemical generation and reception of electromagnetic waves. New York: VCH Publishers, 1993.
  66. Lepley A.R., Closs G.K. Chemically Induced Magnetic Polarization. New York: Wiley, 1973.
  67. A.JI. Химическая поляризация электронов и ядер.М.: Наука, 1974, С. 180.
  68. А.Л., Берлинский В. Л. Химически индуцированное радиоизлучение и химическая радиофизика // Успехи химии. 1983. Т. 52. № 1. С. 3−19.
  69. Salikhov К.М., Molin Yu.N., Sagdeev R.Z., Buchachenko A.L. Spin polarization and magnetic effects in radical reactions. Amsterdam: Elsevier, 1984.
  70. Buchachenko A.L. Progress in reaction kinetics // Chem. Phys. Lett. 1984. V. 13. № 3. P. 164−167.
  71. СоколикИ. А., Франкевич Е. Л. Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах // УФН. 1973. Т. 111. № 2. С. 261−288.
  72. М., СвенбергЧ. Электронные процессы в органических кристаллах: В 2-х т. Т. 1. М.: Мир, 1985, С. 544.
  73. М.И. Спектр электрона, локализованного на краевой дислокации // ФТТ. 1969. Т. 11. № 8. С. 2380−2381.
  74. В.В., Осипьян Ю. А., Шалынин А. И. Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии // ЖЭТФ. 1982. Т. 83. С. 699−714.
  75. Г., Соовик Т. Эффекты спиновой поляризации при фотостимулированной рекомбинации электронов с автолокализованными дырками в KBr, KI и Rbl // ФТТ. 1979. Т. 21. С. 2377−2383.
  76. Г. Проявление спиновой поляризации, реориентации и спин-решеточной релаксации в люминесценции ЩГК при очень низких температурах // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1982. Т. 46. № 3. С. 429−432.
  77. Jaccard С, Ruedin Y., Aegerter M., Schnegg P.-A. Weak magnetic field enchancement of the luminescence from F center pairs in alkali halides // Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V. 50. P. 187−198.
  78. Schnegg P.-A., Jaccard C., Aegerter M. Luminescence and optically detected EPR of close F-center pairs in KC1 // Phys. Stat. Sol. (b). 1974. V. 63. P. 587−598.
  79. Л.В., Храмцов В. А. Нерезонансная спин-зависимая проводимость в кремнии // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т. 42. С. 32−34.
  80. В.В., Осипьян Ю. А. Спинозависимая рекомбинация и проводимость как метод исследования дислокаций в полупроводниках // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. Т. 51. № 4. С. 626−632.
  81. Н.Т., Гусаров А. И., Машков В. А. Спин-зависимые процессы в одномерных неупорядоченных системах оборванных связей в полупроводниках // ЖЭТФ. 1987. Т. 92. № 3. С. 968−987.
  82. Н.Т., Машков В. А. Спин-зависимая рекомбинация в полупроводниках // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1988. Т. 52. № 3. С. 471−476.
  83. А.В., Осипьян Ю. А., Петренко В. Ф. Механизм электропластического эффекта в ZnSe // ФТТ. 1978. Т. 20. № 5. С. 1442−1450.
  84. Л.Т., Петренко В. Ф., Уймин Г. В. О природе дислокационного заряда в ZnSe //
  85. ЖЭТФ. 1978. Т. 74. № 2. С. 742−751.
  86. Hackeloer H.J., Selbach Н., Kanert О., Sleeswyk A.W., Hut G. Determination of the velocity ofmobile dislocations by nuclear spin relaxation measurements // Phys. Stat. Sol. (b). 1977. V. 80. P. 235−243.
  87. Raupach W. Electric field gradients near dislocations in NaCl crystals and resulting NMRlineshapes // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. V. 58. P. 435−442.
  88. Ю.И., Моргунов Р. Б., Тюрин А. И., Иволгин В. И. Магнитный резонанс вкороткоживущих комплексах структурных дефектов в монокристаллах NaCl // Доклады Академии наук. 1998. Т. 361. № 3. С. 352−354.
  89. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е., Жуликов С. Е., Дмитриевский А.А.
  90. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl. //Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 68. № 5. С. 400−405.
  91. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурныхдефектов и пластичность ионных кристаллов. // ЖЭТФ. 1999. Т.115. № 2. С. 605−624.
  92. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е., Дмитриевский А. А., Радиочастотные спектрыпарамагнитного резонанса, детектируемые по смещению дислокаций в монокристаллах NaCl // ФТТ. 1999. Т. 41, №. С. (в печати).
  93. Ю.А., Кведер В. В. Фуллерены новые вещества для современной техники //
  94. Материаловедение. 1997. № 1. С. 2−7.
  95. Taus S.J., Verschueren A.R., Dekker С. Room-temperature transistor based on single carbonnanotube//Nature. 1998. V. 393. P. 49−52.
  96. Ossipyan Yu.A., Bobrov V.S., Grushko Yu.S., Dilanyan R.A., Zharikov O.V., Lebyodkin M.A.,
  97. Sheckhtman V.Sh. On the Mechanical Properties of C60 Fullerite Crystals // Appl. Phys. 1993. V. A56. P 1−4.
  98. Tachibana M., Michiyama M., Kikuchi K., Achiba Y., Kojima K. Temperature dependence of themicrohardness of C60 crystals // Physical Review. 1994. V. B49. № 21. P. 14 945−14 949.
  99. Bobrov V.S., Dilanyan R.A., Fomenko L.S., IuninYu.L., Lebyodkin M.A., Lubenets S.V., Orlov
  100. V.I., Ossipyan Yu.A. Mechanical Properties and Deformation of Fullerites // Journal of seperconductivity. 1995. V. 8, № 1. P. 10−13.
  101. Secar C., Thamizhavel A., Subramanian C. Effect of degradation on surface and mechanicalproperties of C60 and C60/C70 single crystals //Physica C. 1997. V. 275. P. 193−197.
  102. В.И., Никитенко В. И., Николаев P.K., Кременская И. Н., Осипьян Ю. А. Экспериментальное изучение дислокаций в монокристаллах фуллерена С60 и механизмов их пластического деформирования // Письма в ЖЭТФ. Т. 50. № 10. С. 667−670.
  103. Manika I, Maniks J., Kalnacs J. Atmosphere -Induced Effect in Microhardness, Dislocation
  104. Mobility and Plasticity of C60 and Graphite Crystals // Fullerene science and technology. 1997. V 5. № 1. P. 149−166.
  105. Natsik V.D., Lubenets S.V., Fomenko L.S. Effect of orientational ordering of molecules ondislocation mobility in C60 Crystals // Low Temp. Phys. 1996. V. 22. P. 264−267.
  106. Ю.С., Грабко Д. З., Кац M.C. Физика процессов микроиндентирования. Кишенев:1. Штиинца, 1986, С. 294.
  107. Suzuki Н., Kuramoto Abnormal temperature dependence of a yield stress in fee alloys // Trans. Jpn. Inst. Met. (Suppl). 1968. V. 9. P. 697−700.
  108. Reppich B. Temperature dependence of a yield stress in Alkali Halides crystals // Acta Metall.1972. V. 20. P. 557−561.
  109. Matsushi K., Tada K, Onari S., Arai Т., Meng R.L., Chu C.W. Effect of oxygen on the structuralphase transition of solid C60 studied by Raman scattering spectroscopy // Philosophical Magazine B. 1994. V. 70. № 3. P. 795−807.
  110. Ksari Y., Chouteau G. Magnetic Properties of Some Fullerene Compounds.// Fullerene Science
  111. Technology. 1996. V 4. № 6. P. 1227−1246.
  112. Mirsa S.K., Petkov V. Electron Paramagnetic and Muon Resonance Studies in Fullerenes // Appl. Magn. Reson. 1995. V. 8. P. 277−310.
  113. Mizoguchi K. Influence of atmospheric oxygen on physical properties in fullerenes // J. Phis. Chem. Solids. 1993. V. 54. P. 1693−1696.
  114. Stankowiski J., Kempinski W., Koper A., Martinek J. Valence State of Paramagnetic Centers in Fullerenes // Appl. Magn. Reson. 1994. V. 6. P. 145−154.
  115. В.И., Станкевич И. В. Фуллерены новые аллотропные формы углерода: структура, электронное строение и химические свойства //Успехи химии. 1993. Т. 62. № 5. С. 455−475.
  116. Cheville R.A., Halas N.J. Time resolved carrier relaxation in solid Ceo thin films // Phys.Rev. B. 1992. V 45. № 8. P. 4548−4554.
  117. Frankevich E.L., Tribel M.M., Sokolik I.A., Pristupa A.I. Magnetic-resonant modulation of photoconductivity of crystalline charge transfer complexes // Phys. stat. sol.(a). 1978. V. 87, P. 373−379.
  118. Frankevich E.L., Tribel M.M., Sokolik I.A. Photoconductivity of sublimated rubrene films during oxidation // Phys. Stat. Sol (b). 1976. V. 77. P. 265−276.
  119. Е.Л., Соколик И. А., Кадыров Д. И., Кобрянский В. М. Влияние слабого магнитного поля на электропроводность пленок полиацетилена // Письма в ЖЭТФ. 1982. Т. 36. № 11. С. 401−403.
  120. Е.Л., Приступа А. И. Магнитный резонанс короткоживущих пар частиц в процессах, зависящих от спина, в органических системах // Изв. АН. СССР. 1986. Т. 50. № 2. С. 220−223.
  121. А.П., Ванников А. В., Мингалеев Г. С., Саенко B.C. Электрические явления при облучении полимеров. М.: Энергоатомиздат, 1985, С. 176.
  122. Cnare Е.С. Magnetic Flux Compression by Electrically Imploded Metallic Foils // J. Appl. Phys. 1966. V 37. P. 3812−3820.
  123. Herlach F., Knoepfel H., Luppi R., Van Montfoort J.E. // Proc.Conf. Megagauss Magnetic Field
  124. Generation By Explosives and Related Experiments, Euratom, Brussels, 1966.
  125. Г. Сверхсильные импульсные поля магнитные поля. Пер. с англ. М.: Мир, 1972,1. С. 391.
  126. Whitworth R.W. The interaction of dislocations with point defect in ionic crystals // Semiconductors and Insulators. 1978. V. 3. P. 403−421.
  127. B.H., Степанова В. М. Подвижность дислокаций// ДАН СССР. 1960. Т. 133. № 4. С. 804−807.
  128. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: Восточно-Сибирское кн. изд, 1977, С. 208.
  129. Ю.И., Моргунов Р. Б., Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов, ЖЭТФ, 1998, т. 112, № 12, С. 567−573.
  130. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. В 10 т. Т. 3. Квантовая механика (нерелятивистская теория). М.: Наука, 1989, С. 768.
  131. А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. М.: Мир, 1972, С. 625.
  132. .И. Структура и упрочнение кристаллов. Ленинград: Наука, 1981, С. 325.
  133. В.В., Негрии В. Д., Штейнман Э. А., Изотов А. Н., Осипьян Ю. А., Николаев Р. К. Долгоживущие возбужденные состояния и спектры возбуждения фотолюминесценции в монокристаллах фуллерена С60 // ЖЭТФ. 1998. Т. 113. № 2. С. 734−746.
  134. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Lopatin D.V., Baskakov A.A. Influence of a strong magnetic field pulse onNaCl crystal microhardness//Physica Status Solidi (a). 1997. V.160. № 2. P. 3−5.
  135. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов C.E., Киперман В. А., Лопатин Д. В. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // ФТТ. 1997. Т.39. № 4. С. 634−639.
  136. Ю.И., Моргунов Р. Б., Лопатин Д. В., Баскаков A.A. Движение дислокаций в кристаллах NaCl, стимулированное импульсом сильного магнитного поля // Вестник ТГУ (серия естественнотехническая). 1997. Т. 2. № 3. С. 278−279.
  137. Ю.И., Моргунов Р. Б., Лопатин Д. В., Баскаков A.A. Влияние импульсного магнитного поля до 30 Т на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl // Кристаллография. 1998. Т. 43. № 6. С. 1115−1118.
  138. Ю.И., Моргунов Р. Б., Лопатин Д. В., Баскаков A.A., Евгеньев Я. Е. Обратимые инеобратимые изменения пластических свойств кристаллов NaCl, вызванные действием магнитного поля//ФТТ. 1998. Т. 40. № 11. С. 2065−2068.
  139. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е., Жуликов С. Е., Лопатин Д. В. Релаксационныепроцессы, стимулированные слабым магнитным полем в подсистеме точечных дефектов в ионных кристаллах//Кристаллография. 1999. Т. 44. № 5. С. 15−19.
  140. Ю.И., Моргунов Р. Б., Лопатин Д. В., Дмитриевский A.A. Пластичность у-облученных кристаллов KCl и влияние на нее магнитного поля // Известия Вузов (Физика). 1999. Т. 42. № 5. С. 71−74.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!