Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Методы и средства моделирования и оценки радиационной стойкости микросхем флэш памяти

Диссертация: Методы и средства моделирования и оценки радиационной стойкости микросхем флэш памяти
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Вторая глава посвящена вопросам расчетно-экспериментального моделирования основных радиационных эффектов в элементах и узлах микросхем флэш памяти. Рассмотрены основные доминирующие радиационные эффекты при воздействии ионизирующего излучения различной природы, и выявлены наиболее чувствительные к ним узлы ИС флэш памяти. На основе экспериментальных результатов как опубликованных, так… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Тенденции развития, основные параметры, принципы построения микросхем флэш памяти
    • 1. 1. Современное состояние и перспективы развития энергонезависимой памяти для систем управления электронной аппаратуры военной и космической техники
    • 1. 2. Принципы работы ячеек флэш памяти
    • 1. 3. Схемотехнические и технологические особенности реализации ячеек микросхем флэш памяти
    • 1. 4. Анализ методов и средств для обеспечения контроля работоспособности микросхем флэш памяти при радиационных испытаниях
      • 1. 4. 1. Методы контроля работоспособности флэш памяти при радиационных испытаниях
      • 1. 4. 2. Средства контроля работоспособности флэш памяти при радиационных испытаниях
    • 1. 5. Выводы
  • Глава 2. Расчетно-экспериментальное моделирование радиационных отказов микросхем флэш памяти
    • 2. 1. Расчетно-экспериментальное моделирование микросхем флэш памяти к дозовым эффектам
      • 2. 1. 1. Основные дозовые эффекты в СБИС флэш памяти
      • 2. 1. 2. Механизмы потери информации в СБИС флэш памяти
      • 2. 1. 3. Радиационные отказы схем управления
    • 2. 2. Моделирование сбоев при воздействии импульсного ионизирующего излучения
    • 2. 3. Исследование СБИС флэш памяти на воздействие отдельных ядерных частиц
    • 2. 4. Выводы
  • Глава 3. Влияние ионизирующего излучения на характеристики типовых представителей СБИС флэш памяти
    • 3. 1. Дозовые эффекты
    • 3. 2. Локальные радиационные эффекты
    • 3. 3. Объемные ионизационные эффекты в микросхемах флэш памяти
    • 3. 4. Влияния отдельных радиационных макродефектов на работоспособность микросхем флэш памяти
    • 3. 5. Выводы
  • Глава 4. Методическое обеспечение экспериментальных исследований радиационной стойкости микросхем флэш памяти
    • 4. 1. Выбор рационального состава экспериментальных исследований
    • 4. 2. Особенности задания режимов и контроля параметров микросхем флэш памяти при экспериментальных исследованиях
    • 4. 3. Особенности радиационных испытаний микросхем флэш памяти
    • 4. 4. Методическое обеспечение экспериментальных исследований на испытательных установках
    • 4. 5. Выводы
  • Глава 5. Аппаратно-программные средства для экспериментальных исследований радиационной стойкости микросхем флэш памяти
    • 5. 1. Анализ технических требований к экспериментальному оборудованию
    • 5. 2. Методы контроля работоспособности СБИС флэш памяти при радиационных испытаниях
    • 5. 3. Аппаратно-программные средства экспериментального комплекса
    • 5. 4. Средства контроля параметров стабильности флэш памяти
    • 5. 5. Выводы

Методы и средства моделирования и оценки радиационной стойкости микросхем флэш памяти (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Современные системы управления электронной аппаратуры военной и космической техники включают в себя энергонезависимую память, которая обеспечивает хранение прикладного программного обеспечения, констант и некоторой другой дополнительной информации, например, электронных карт звездного неба или местности. Если раньше эта информация хранилась на магнитных носителях, то в современных электронных системах предпочтение отдается энергонезависимой памяти, реализованной на интегральных схемах, благодаря ее компактности, высокой надежности и большой информационной емкости, а также в относительно невысокой цене. К основным преимуществам такого способа хранения данных можно отнести компактность микросхемы, малая потребляемая мощность, быстродействие, большой объем хранимых данных и относительно небольшая цена. Все выше перечисленные достоинства микросхем флэш памяти делает ее незаменимым компонентом электронных систем военной и космической аппаратуры.

Развитие современных электронных систем управления военной и космической техники, ставит задачу использования стойкой номенклатуры электронных компонентов, и в частности, микросхем флэш памяти. Однако, как показывает анализ, микросхемы флэш памяти в силу своего принципа работы могут иметь высокую чувствительность при воздействии ионизирующего излучения искусственного и естественного происхождений.

Осложняет процесс анализа и систематизации радиационного поведения микросхем флэш памяти большое количество их типов, разные схемотехнические и топологические решения, принадлежащие разным производителям. Перед автором стала задача по систематизации большого количества данных о радиационной стойкости микросхем флэш памяти, полученных как по итогам собственных экспериментальных исследований, так и по уже известным результатам, в ходе которой было необходимо выделить основные чувствительные узлы и режимы работы разных типов 4 интегральных схем (ИС).

Другой задачей, требующей отдельного решения при исследовании радиационной чувствительности ИС флэш памяти, стало отсутствие доступных технических средств для контроля работоспособности микросхем флэш памяти при проведении их испытаний на радиационную стойкость. Проведенный анализ показал, что система контроля функционирования должна обладать мобильностью, иметь достаточную гибкость при ее настройке для каждого исследуемого типономинала. Решение последней задачи невозможно без разработки общих методических подходов при исследовании радиационных характеристик микросхем флэш памяти.

Целью диссертации является развитие методов и технических средств моделирования и оценки показателей радиационной стойкости микросхем флэш памяти, а также элементов и функциональных узлов на их основе.

Указанная цель достигается решением в работе следующих задач:

1. Расчетно-экспериментального моделирования доминирующих радиационных эффектов в элементах и узлах микросхем флэш памяти при воздействии различных видах ионизирующего излучения.

2. Поиска и анализа наиболее критичных функциональных узлов, отвечающих за радиационный отклик ИС в целом, и влиянию технологий изготовления микросхем флэш памяти на показатели радиационной стойкости.

3. Разработки и апробирования методик исследования радиационных дефектов микросхем флэш памяти на их работоспособность.

4. Разработки методических, аппаратно-программных средств для проведения экспериментальных радиационных исследований и испытаний микросхем флэш памяти на моделирующих и имитирующих установках.

5. Получения и систематизации оригинальных экспериментальных данных, устанавливающих общность радиационного поведения ИС флэш памяти в широких диапазонах режимов работы и условий эксплуатации.

На защиту выносятся следующие положения.

1. Расчетно-экспериментальные методы моделирования доминирующих радиационных эффектов в элементах и узлах микросхем флэш памяти при воздействии различных видов ионизирующего излучения;

2. Модели дозовых отказов и локальных радиационных эффектов микросхем флэш памяти в различных режимах функционирования.

3. Методики экспериментальных исследований микросхем флэш памяти по определению радиационной стойкости при воздействии различных факторов естественного и искусственного происхождений и реализующие ее технические средства, обеспечивающие относительно полный функциональный контроль микросхем флэш памяти.

4. Расчетно-экспериментальный метод и методику исследования влияния радиационных макродефектов на работоспособность микросхем флэш памяти.

5. Результаты экспериментальных исследований радиационного поведения и испытаний основных типов микросхем флэш памяти отечественного и иностранного производства по всей совокупности доминирующих радиационных эффектов.

6. Аппаратно-программные средства для контроля функциональных и электрических параметров микросхем флэш памяти в процессе радиационных испытаний.

Научная новизна работы состоит в разработке:

1. Моделей, учитывающих схемно-технологическую реализацию микросхем флэш памяти и позволяющих проводить прогнозирование радиационного поведения к дозовым и локальным радиационным эффектам микросхем флэш памяти с проектными нормами до 0.1 мкм.

2. Методик расчетно-экспериментального моделирования сбоев и отказов в микросхемах флэш памяти вследствие дозовых и локальных радиационных эффектов, позволяющих учитывать режим функционирования в процессе радиационных исследований, достоверно оценивать уровень радиационной б стойкости микросхем флэш памяти и выявлять наихудшие режимы фун кционирования.

3. Методики исследования микросхем флэш памяти при наличии радиационных макродефектов, которая позволяет оценить влияние радиационно-индуцированных неоднородностей, создаваемых в чувствительной области элемента памяти, за счет анализа изменения количества циклов перезаписи микросхемы флэш памяти.

4. Аппаратно-программных средств и методов функционального контроля, позволяющих проводить дистанционные испытания (до 50 м) флэш памяти с объемом до 64 Гбайт с частотой опроса до 50 МГц на моделирующих и имитирующих установках в условиях действия мощных электромагнитных помех.

Практическая значимость работы:

1. Предложена структура и реализован универсальный аппаратно-программный комплекс, позволяющий производить функциональный контроль широкого класса современных ИС флэш памяти. Разработанный комплекс позволяет производить гибкую настройку для каждого исследуемого типономинала, функциональный и параметрический контроль непосредственно в процессе радиационных испытаний.

2. Разработаны методики функционального контроля ИС флэш памяти, учитывающие вид радиационного воздействия и внутреннюю архитектуру флэш памяти. Разработанные методики позволяют определить место возникновения сбоя или отказа, а также обеспечить наиболее критичный режим для разных факторов ионизирующего излучения.

3. Получены оригинальные результаты испытаний более чем 20 типономиналов флэш памяти. Выявлены основные особенности радиационного поведения рассматриваемого типа ИС, наиболее критичные узлы и режимы работы.

4. Результаты диссертации вошли в отчетные материалы по НИР и составным частям ОКР («Абонемент», «Автолог», «БИВК-СВВ», «Джут», 7.

Микология", «Микро-Д», «Сверло С2» и др.), выполняемых в интересах Минобороны РФ, Росатома и предприятий оборонного комплекса.

5. Результаты использованы в проекте РД В 319.03.58−2010 «Методы испытаний и оценки стойкости интегральных схем и мощных МДП-транзисторов по эффектам отказов от воздействия отдельных высокоэнергетичных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства» и в «Методические указания по обеспечению стойкости бортовой аппаратуры изделий разработки ФГУП ГНПРКЦ „ЦСКБ-Прогресс“ к воздействию тяжелых заряженных частиц и высокоэнергетичных протонов космического пространства».

6. Методика функционального контроля ИС флэш памяти и аппаратно-программный комплекс функционального контроля внедрены в ОАО «ЭНПО спэлс».

Содержание диссертации.

В первой главе проведен обзор научных работ посвященных строению микросхем флэш памяти, основным принципам работы ячеек, особенности режимов их функционирования, а также принципов построения внутренней архитектуры анализируемого вида ИС. Рассматриваются тенденции и перспективы развития ИС флэш памяти.

Вторая глава посвящена вопросам расчетно-экспериментального моделирования основных радиационных эффектов в элементах и узлах микросхем флэш памяти. Рассмотрены основные доминирующие радиационные эффекты при воздействии ионизирующего излучения различной природы, и выявлены наиболее чувствительные к ним узлы ИС флэш памяти. На основе экспериментальных результатов как опубликованных, так и полученных лично авторов проанализированы механизмы сбоев и отказов в микросхемах флэш памяти. Результаты проведенного моделирования дозовых отказов периферийных схем и ячеек флэш памяти удовлетворительно соотносятся с экспериментальными результатами. Выявлены основные причины сбоев в ячейках флэш памяти 8 под действием отдельных ядерных, частиц (ОЯЧ) представлены результаты прогнозирования по чувствительности многоуровневых ячеек памяти к действию ОЯЧ. Приведены результаты экспериментального моделирования работоспособности микросхемы при действии импульсного гамма излучения.

Третья глава содержит информацию о радиационном поведении разных представителей семейства микросхем флэш памяти. На основе большого количества полученных экспериментальных данных обобщаются основные закономерности поведения микросхем флэш памяти под действием разных видов ионизирующего излучения.

В четвертой главе представлены методические аспекты при проведении экспериментальных исследований на чувствительность ИС флэш памяти к различным типам доминирующих радиационных эффектов. Обосновывается рациональный состав испытаний с учетом особенностей задания режимов и контроля параметров СБИС флэш памяти при экспериментальных исследованиях.

Пятая глава посвящена рассмотрению аппаратно-программных средств для экспериментальных исследований радиационной стойкости СБИС флэш памяти. Представлены различные технические и программные средства, разработанные автором.

5.5. Выводы.

I. Задачи экспериментального исследования радиационной чувствительности СБИС флэш памяти потребовали создания аппаратно программного комплекса на основе автоматизированных инструментальных средств для измерения параметров и контроля’функционирования флэш ЗУ. Представлены основные требования к системе контроля работоспособности флэш памяти. Обоснован способ выбора программно-аппаратного комплекса на основе ПК в качестве системы функционального контроля. Разработанный комплекс позволяет проводить ФК микросхем флэш памяти с информационной емкостью до 4 Гбайт со скоростью обмена 5 Мбит/с.

2. Разработано прикладное программное обеспечение для системы функционального контроля микросхем флэш памяти. Реализованы опции добавления испытанных микросхем в библиотеку, которая учитывает необходимые временные диаграммы работы с микросхемой, а также подготовленную для нее оснастку. Расширены возможности этой системы, добавлением аналогового блока сбора данных. Разработана и апробирована схема аппаратно-программного комплекса для контроля параметров стабильности флэш памяти.

3. Разработанная система функционального контроля адаптирована для радиационных испытаний-на моделирующих установках. Она реализована по следующей концепции: исследуемый объект — средства ФК, расположенные не далее 1 м от объекта — локальная сеть — виртуальный компьютер. Подобная реализация позволяет проводить относительно полный функциональный контроль ИС флэш памяти на расстояниях более 20 м.

4. С целью ускорения процедуры тестирования всего массива ячеек памяти при проведении экспериментальных исследований ИС флэш памяти на воздействие ОЯЧ на основе ПЛИС был разработан специализированный аппаратно-программный комплекс, который позволяет проводить обмен информации с исследуемым образцом на максимально возможной скорости до 50 Мбит/с. Это устройство позволяет также увеличить относительное время нахождения микросхемы флэш памяти в таких критичных для нее режимах, как запись и стирание при радиационных исследованиях. Разработанный комплекс на основе ПЛИС также используется при определении возможного количества циклов перезаписи для микросхемы флэш памяти, т.к. значительно сокращает время проведения эксперимента.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Keeney S.N. Dielectric scaling challenges and approaches in floating gate non-volatile memories // Dielectric for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing. 2004. — PP. 151−159.
  2. Cester A., Gasperin A., Paccagnella A., Ancarani V. Impact of heavy ion strikes on nanocrystal nonvolatile memory cell arrays // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2006. — Vol. 53, — № 6. -PP. 3195−3201.
  3. Ostraat M. L. et al. Synthesis and characterization of aerosol silicon nanocrystal nonvolatile floating-gate memory devices // Applied Physics Letters. -2001. Vol. 79. — № 3. — PP. 433−435.
  4. Hanafi I., et al. Fast and long retention time nanocrystal memory // IEEE Translations on Electron Devices. 1996. — Vol.43. — № 9. — PP. 1553−1558.
  5. Oldham T.R., Suhail M., ICuhn P., Prinz E., Kim H.S., LaBel K.A. Effects of heavy ion exposure on nanocrystal nonvolatile memory // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2005. — Vol. 52. — № 6, — PP. 2366−2371.
  6. Cester A., Wrachien N., Gasperin A., Paccagnella A., Portoghese R., Gerardi C. Radiation tolerance of nanocrystal based flash memory arrays against heavy ion irradiation // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2007. — Vol. 54. -№ 6, — PP. 2196−2203.
  7. Cester A., Wrachien N., Schwank J.R., Vizkelethy G., Portoghese R., Gerardi C. Modeling of heavy ion induced charge loss mechanisms in nanocrystal memory cells // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2008. — Vol. 55. — № 6-PP. 2895−2903.
  8. Wrachien N., Cester A., Portoghese R., Gerardi C. Investigation ofproton and X-ray irradiation effects on nanocrystal and floating gate memory cell131arrays // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2008. — Vol. 55. — № 6 — PP. 30 003 008.
  9. Chang L. A hybrid approach to NAND-flash-based solid-state disks // Proc. of the IEEE. 2010. — Vol. 59. — № 10. — PP. 1337−1349.
  10. Kgil T., Roberts D., Mudge T. Improving NAND flash based disk caches // Computer Architecture 2008. ISCA '08. 35th International Symposium. -2008.-PP. 327−338.
  11. Fazio A., Keeney S., Lai S. ETOX Flash memory technology: Scaling and integration challenges // Intel technology journal. 2002. — Vol. 6. — PP. 2330.
  12. Cappelletti P., Golla C., Olivo P., Zanoni E. Flash Memories // Boston.: Kluwer. 2000. — 526p.
  13. White M.H., Adams D.A., Bu J. On the Go with SONOS // IEEE Circuits and Devices Magazine. 2000. — Vol. 16. — № 4 — PP. 22−31.
  14. Kamigaki Y., Minami S. MNOS Nonvolatile semiconductor memory technology: present and future // IEICE transactions on Electronics. 2001. — Vol. E84-C. — PP. 713.
  15. Brown W. D., Brewer J. Nonvolatile Semiconductor Memory Technology // IEEE Press. 1997. — 590p.
  16. Wellekens D., Van Houdt J. The future of flash memory: Is floating gate technology doomed to lose the race? // ICICDT 2008. IEEE International Conference. 2008. — PP. 189−194.
  17. Oldham T.R., Friendlich M., Carts M.A., Seidleck C.M., LaBel K.A. Effect of radiation exposure on the endurance of commercial NAND flash merpory// IEEE Transaction on Nuclear Science. 2009. — Vol. 56. — № 6- PP. 3280−3284.
  18. Chimenton A'., Spinelli A.S., Ielmini D., Lacaita A.L., Visconti A., Olivo P. Drain-accelerated degradation of tunnel oxides in flash memories // IEEE Electron Devices Meeting. 2002, — PP. 167−170.
  19. Lee J.D., Choi J.H., Park D., Kim K. Degradation of tunnel oxide by FN current stress and its effects on data retention characteristics of 90 nm NAND flash memory cells // IEEE Reliability Physics Symposium. 2003. — PP. 497−501.
  20. Shin B.J. Keun K.P. Consideration of an oxide-nitride-oxide-nitride layer for the inter-poly dielectric of a flash EEPROM cell // Journal of the Korean Physical Society. 2002. — Vol. 41. — № 5, — PP. 801−804.
  21. Pavan P., Larcher L., Marmiroli A. Floating gate devices: operation and compact modeling. // Boston.: Kluer Academic Publisher. 2004. -131 p.
  22. Mori S., Yamaguchi Y., Sato M., Meguro H. Thickness scaling limitation factors of ONO interpoly dielectric for nonvolatile memory devices // IEEE Trans. Electron Devices. 1996. — Vol. 43. -№ 1. — PP. 47−53.
  23. Lai S. K. Flash memories: successes and challenges // IBM Journal of Research and Development. 2004. — Vol. 52 — PP. 529−535.
  24. Pavan P., Bez R., Olivo P., Zanoni E. Flash memory cells an overview // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1997. — Vol. 85 — PP. 1248−1271.
  25. Two technologies compared: NOR vs. NAND. M-Systems. — White Paper. — www.dataio.com/pdfOSrAND/MSystems/MSystemsNORvsNAND. pdf.-2003.- PP.14.
  26. Campardo G., Scotti M.3 Scommegna S., Pollara S. et al. An overview of flash architectural developments // Proc. of the IEEE. 2003. — Vol. 91. — № 4.1. PP. 523−536.
  27. Eitan B., Kazerounian R., Roy A., Crisenza G., Cappelletti P. Multilevel flash cells and their trade-offs // Electron Devices Meeting. 1996. — PP. 169— 172.
  28. MirrorBit© Quad Technology: The First 4-bit-per-cell Flash Memory. -Spansion. WhitePaper. — http://www.spansion.com/flashmemory technology/43704A-Spansion-MirrorBit-Quad- Whitepaper. pdf
  29. G. Atwood, et al. Intel StrataFlash memory technology overview // Application note from Intel Corporation. 1998.
  30. Sexton F. W., Fleetwood D. M., Shaneyfelt M. R., Dodd P. E. Single event gate rupture in thin gate oxides // IEEE Transaction on Nuclear Science. -1997.-Vol. 44. № 6. -PP.2345.
  31. Nguyen D.N., Lee С.I., Johnston А.Н. Total ionizing dose effects in flash memories // 1998 IEEE Radiation effects Data Workshop. 1998, — PP. 100 103.
  32. Cellere G., et.al., A model for TID effects on floating gate memory cells // ГЕЕЕ Transaction on Nuclear Science. 2004. — Vol. 51. — № 6. — PP. 1523−1530.
  33. Cellere G., Paccagnella A., Visconti M., Bonanomi M. Total ionizing dose effects in NOR and NAND flash memories // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2007. — Vol. 54. — № 6. — PP. 1066−1070.
  34. Bagatin M., Gerardin S., Cellere G., Paccagnella A., Visconti A., Bonanomi M., Beltrami S. Error instability in floating gate flash memories exposed to ТШ // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2009. — Vol. 56. — № 6-PP. 3267−3273.
  35. Draper В., Dockerty R., Shaneyfelt M., Habermehl S., Murray. J. Total dose radiation response of NROM-style SOI nonvolatile memory elements // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2008. — Vol. 55. — № 6, — PP. 3202−3205.
  36. Nguyen D.N., Guertin S.M., Swift G.M., Johnston A.H. Radiation effects on* advanced flash memories // IEEE Transaction on Nuclear Science. -1999. Vol. 46. — № 6. — PP. 1744−1750.
  37. Miyahria T., Swift G. Evaluation of radiation effects in flash memories // MAPLD Conference, Greenbelt, MD, U.S.A., 1998
  38. Oldham T.R., McLean F.B. Total ionizing dose effects in MOS oxides and devices // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2003. — Vol. 50. — № 6. — PP. 483−499.
  39. А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М.: Радио и связь, 2004. — 320 с.
  40. Васильев A. J1. Оценка чувствительности ячеек флэш памяти к дозовым эффектам // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. -М.:МИФИ, 2007. С. 255−257.
  41. Nguyen D.N., Guertin S.M., Patterson J.D. Microdose induced data loss on floating gate memories // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2006. — Vol. 53.-PP. 3518−3524.
  42. Benedetto J.M., Boesch Ы.Е. The relationship between 60Co and 10 keV X-ray damage in MOS devices // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1986. -Vol. 33,-№ 6,-PP. 1317−1323.
  43. Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M., Schwank J.R., Hughes K.L. Charge yield for cobalt-60 and 10-keV X-ray irradiations of MOS devices // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1991. — Vol. 38. — № 6, — PP. 1187−1194.
  44. G. Cellere et al. Charge loss after 60Co irradiation of flash arrays // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2004. — Vol. 51. — № 6. — PP. 2912−2916.
  45. Paillet P., Schwank J.R., Shaneyfelt M.R., Ferlet-Cavrois V., Jones R.L. Comparison of charge yield in MOS devices for different radiation sources // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2002. — Vol. 49. — № 6. — PP. 2656−2661.
  46. Cellere G., Paccagnella A., Visconti A., Bonanomi M., Candelori A., Lora S. Effect of different total ionizing dose sources on charge loss from programmed floating gate cells // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2005. -Vol. 52. — № 6.- PP. 2372−2377.
  47. H., Walter D., Gliem F., Nickson В., Harboe R. ТШ and SEE tests of an advanced 8 Gbit NAND flash memory // IEEE Radiation Effects Data Workshop. 2008. — PP. 38−41
  48. Mahapatra S., Parikh C.D., Vasi J., Rao V., Viswanathan C.R. A direct charge pumping technique for spatial profiling of hot-carrier induced interface and oxide traps in MOSFETs // Solid State Electronics. 1999. — Vol. 43. — PP. 915 922.
  49. Lin, H., Chang H., Wong С. Novel high positive and negative pumping circuits for low supply voltage // IEEE International Symposium on Circuits and Systems. 1999.-Vol. l.-PP. 238−241.
  50. Martin K. Digital integrated circuit design // Oxford. 2000. — 543p.
  51. Monna G. et al. Charge pump for optimal dynamic range filters // IEEE Transactions on Circuits and Systems. 1994. — Vol. 5. — PP. 747−750.
  52. A.H. Снижение тока записи ячеек флеш ЗУ // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов. М.: МИФИ. 2005. — С. 178−179.
  53. Pon H. Technology scaling impact on NOR and NAND flash memories and their applications // Solid-State and Integrated Circuit Technology. 2006 -PP. 697−700.
  54. Pan F., Samaddar T. History of the high-voltage charge pump // New York.: McGraw-Hill Professional. 2006. — 40p.
  55. Scheick L., Nguyen D. Radiation issues and applications of floating gate memories // Nonvolatile memory technology symposium. 2000.
  56. А.Л. Прогнозирование чувствительности микросхем флэш памяти к дозовым эффектам // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. М.:МИФИ, 2009. — С. 258−265.
  57. Cellere G., Paccagnella A., Larcher L., Chimenton A. Anomalous charge loss from floating gate memory cells due to heavy ion irradiation // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2002. -Vol. 49- № 6. — PP. 3051−3058.
  58. Snyder E.S., McWhorter P.J., Dellin T.A., Sweetman J.D. Radiation response of floating gate EEPROM memory cells // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1989. — Vol. 36. — № 6, — PP. 2131−2139.
  59. Lee J., et al. A 90-nm CMOS 1.8-V 2-Gb NAND flash memory for mass storage applications // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2003. — Vol. 38.-№ 6.-PP. 1934−1942.
  60. McNulty P.J., Abdel-Kader W.G. Charge removal from FGMOS floating gates // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2002. — Vol. 49. — № 6-PP. 3016−3021.
  61. Cellere G., Paccagnella A., Visconti A., Bonanomi M. Variability in FG memories performance after irradiation // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2006. — Vol. 53. — № 6, — PP. 3349−3355.
  62. Cellere G., et al. Transient conductive path induced by a single ion in 10 nm Si02 layers. // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2004. — Vol. 51. -№ 6. -PP. 3304−3311.
  63. Scarpa A., Paccagnella A., Montera F., Ghibaudo G. Ionizing radiation induced leakage current on ultra-thin oxides // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1997. — Vol. 44. -№ 6. -PP. 1818−1825.
  64. A.R., Campbell А. В., Hauser J. R. Charge transport by the ion shunt effect // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1986. — Vol. 33. — № 6. -PP. 1560−1564.
  65. Esseni D., Selmi L. A Better understanding of substrate enhanced gate current in MOSFETs and flash cells, Part I: Phenomenological aspects // IEEE transactions on electron devices. 1999. — Vol. 46. -№ 10. — PP. 369.
  66. Massengil L.W. et.al. Heavy-ion induced breakdown in ultra-thin gate oxides and high-k dielectrics // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2001. -Vol. 48,-№ 6.-PP. 1904−1911.
  67. Cellere G., Paccagnella A., Visconti A., Bonanomi M. Secondary effects of single ions on floating gate memory cells // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2006. — Vol. 53. — № 6, — PP. 3291−3297.
  68. Larcher L., et al. Data retention after heavy ion exposure of floating gate memories: analysis and simulation // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2003. -Vol. 50. — № 6. — PP. 2176−2183.
  69. Cellere G., Larcher L., Paccagnella A., Visconti A., Bonanomi M. RILC in 10 nm Si02 layers // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2005. — Vol. 52. -№ 6.-PP. 2144−2152.
  70. Ceschia M., Paccagnella A., Cester A., Scarpa A., Ghidini G. Radiation-induced leakage current and stress induced leakage current in ultra-thin gate oxides // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1998. — Vol. 45. — № 6. — PP. 2375−2382.
  71. Bude J.D., Pinto M.R., Smith R.K. Monte Carlo simulation of CHISEL flash memory cell // IEEE transactions on electron devices. 2000. — Vol. 47. -№ 10.-PP. 1873.
  72. Shuang-Yuan C., Heng-Sheng H., Yen-Ching W., Mao-Quan C., Joe K. A study on tunneling current of ONO films and data retention effects in flash memories // Tamkang Journal of Science and Engineering. 2004. — Vol. 7. -№ 3- PP. 161−166.
  73. Ceschia M., Paccagnella A., Cester A., Scarpa A.,. Ghidini G. Radiation induced leakage current and stress induced leakage current in ultra-thin gate oxides // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1998. — Vol. 45. — № 6 — PP. 2375−2382.
  74. Larcher L., Paccagnella A., Ceschia M., Ghidini G. A model of radiation induced leakage current (RILC) in ultra-thin gate oxides // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1999. — Vol. 46. — № 6, — PP. 1553−1561.
  75. Cellere G., Larcher L., Paccagnella A., Visconti A., Bonanomi M. Radiation induced leakage current in floating gate memory cells // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2005. — Vol. 52. — № 6- PP. 2144−2152.
  76. Cellere G., Pellati P., Chimenton A., Wyss J. Radiation effects on floating gate memory // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2001. — Vol. 48. -№ 6, — PP. 2222−2228.
  77. Cellere G., A. Paccagnella A. A review of ionizing radiation effects in flash memories // IEEE Transaction on Device and Material Reliability. 2004. -Vol. 3. — PP. 359−370.
  78. Schwartz H.R., Nichols D.K., Johnston A.H. Single-event upsets in flash memories // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1997. — Vol. 44. -№ 6. -PP. 2315−2324.
  79. Butt N., Alam M. Modeling single event upsets in floating gate memory cells // Reliability Physics Symposium. 2008. — PP. 547−555.
  80. К.И., Калинкин И. Ю., Емельянов В. В. Исследование одиночных сбоев FLASH-ПЗУ фирмы INTEL // «Радиационная стойкость электронных систем», выпуск 4, Сб. научн. трудов. М.: 2001, — С.103−104.
  81. Sprat J.P. et.al. Modeling high-energy heavy-ion damage in silicon // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2001. — Vol. 48. — № 6. — PP. 2136−2139.
  82. Koga R., et.al. SEE sensitivities of selected advanced flash and first-in-first-out memories // 2004 IEEE Radiation effects Data Workshop. 2004. — PP. 47−52.
  83. Cannon E.H., Cabanas-Holmen M. Heavy ion and high energy proton-induced single event transients in 90 nm inverter, NAND and NOR gates // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2009. — Vol. 56. — № 6, — PP. 351 1 -3518.
  84. Langley Т.Е., Murray P. SEE and TLD test results of 1 Gb flash memories // 2004 IEEE Radiation effects data workshop. 2004. — PP. 58−61.
  85. Oldham T.R., Friendlich M., Howard J.W., Berg M.D. TID and SEE response of an advanced Samsung 4Gb NAND flash memory // 2007 IEEE Radiation effects data workshop. 2007. — PP. 221−225.
  86. Cellere G., Paccagnella A., Visconti A., Bonanomi M., Beltrami S. Single event effects in NAND flash memory arrays // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2006. — Vol. 53. -№ 6. — PP. 1813−1818.
  87. Nguyen D. N., Scheick L. F. TID, SEE and radiation induced failures in advanced flash memories // 2003 IEEE Radiation EffectsData Workshop. -2003 .-PP. 18−23.
  88. Irom F., Nguyen D. N. Single Event Effect Characterization of High Density Commercial NAND and NOR Nonvolatile Flash Memories // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2007. — Vol. 54. — № 6. — PP. 2547−2553.
  89. O’Bryan et.al. Recent radiation damage and single event effects results for microelectronics // 1999 IEEE Radiation effects Data Workshop. 1999. — PP. 1−14.
  90. O’Bryan M., et al. Single event effects and radiation damage results for candidate spacecraft electronics // 1998 IEEE Radiation effects Data Workshop. -1998.-PP. 39−49.
  91. Прогнозирование локальных радиационных эффектов в ИС привоздействии факторов космического пространства / Чумаков А. И., Васильев140
  92. АЛ., Козлов А. А., Кольцов Д. О., Криницкий А. В., Печенкин А. А., Тарараксин А. С., Яненко А. В. // Микроэлектроника. 2010, — Т. 39. — № 2. -С. 85−90.
  93. А.Л. Чувствительность микросхем флэш памяти с разным напряжением питания к дозовым эффектам. // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость 2009». — М.:МИФИ, 2009. — С. 27−28.
  94. Oldham T.R., et al., SEE and ТШ characterization of an advanced commercial 2 Gbit NAND flash nonvolatile memory // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2006. — Vol. 53. — № 6. — PP. 3217−3222.
  95. А.Н. КМОП флэш ЗУ с произвольной выборкой / Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. М., 2008. — 26 с.
  96. А.Л. Влияние макроскопических дефектов на надежность микросхем флэш памяти // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. М.:МИФИ, 2005. — С. 206−208.
  97. Scheick L.Z., McNulty P.J., Roth D.R. Dosimetry based on the erasure of floating gates in the natural radiation environments in space // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1998. — Vol. 45. — № 6- PP. 2681−2688.
  98. Tarr N.G., Mackay G.F., Shortt K., Thomson I. A floating gate MOSFET dosimeter requiring no external bias supply // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1998. — Vol. 45. — № 3.-PP. 1470−1474.
  99. K9F5608U0C Datasheet // Samsung Electronics. 2003. — 39 p.
  100. A.JI. Расчетно-экспериментальное моделирование радиационных эффектов в микросхемах флэш памяти. // Научно-технический сборник «Радиационная стойкость электронных систем -Стойкость 2008». М.:МИФИ, 2008. — С. 47−48.
  101. A.JI. Устройство контроля микросхем флэш памяти // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. М.:МИФИ, 2005. — С. 214−215.
  102. П.В., Демидов А. А., Калашников О.А Универсальное устройство функционального контроля микросхем памяти // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов / Под редакцией В. Я. Стенина. -М.: МИФИ, 2004. С.300−303
Заполнить форму текущей работой

На отлично!