Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Фоторефрактивные голограммы, формируемые в условиях фотоиндуцированного поглощения света в кристаллах класса силленитов

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Привлекательными материалами для создания различных фоторефрактивных устройств являются номинально чистые и легированные кристаллы титаната висмута (Bi^TiC^o), обладающие быстрым откликом при воздействии на них излучением из видимой области спектра, и малым удельным оптическим вращением. Однако формирование динамических голограмм в этих кристаллах сопровождается значительным фотоиндуцированным… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Фотоиндуцированные явления в фоторефрактивных кристаллах
    • 1. 1. Фоторефрактивный эффект в нецентросимметричных кристаллах
      • 1. 1. 1. История открытия фоторефрактивного эффекта
      • 1. 1. 2. Применения фоторефрактивного эффекта
    • 1. 2. Механизмы фоторефрактивного эффекта
      • 1. 2. 1. Интерференция света при двухпучковом взаимодействии
      • 1. 2. 2. Одноуровневая модель зонного переноса
      • 1. 2. 3. Диффузионный, дрейфовый и фотовольтаический механизмы переноса зарядов
      • 1. 2. 4. Двухуровневая модель переноса зарядов и фотоиндуцированное поглощение света
      • 1. 2. 5. Модель с двукратно ионизируемыми донорными центрами и мелкими ловушками
    • 1. 3. Двухпучковое взаимодействие света на фоторефрактивных решетках
      • 1. 3. 1. Геометрия встречного взаимодействия световых волн в фоторефрактивных кристаллах
      • 1. 3. 2. Динамические отражательные решетки в кубических фоторефрактивных кристаллах силленитов
  • 2. Динамика фоторефрактивного отклика в кристаллах силлснитов с двукратно ионизируемыми донорными центрами и мелкими ловушками
    • 2. 1. Основные уравнения и методика анализа
    • 2. 2. Динамика фоторефрактивного отклика кристалла на картину интерференции двух взаимно когерентных световых пучков
    • 2. 3. Влияние постоянного внешнего электрического поля на эффекты хранения и проявления фоторефрактивных решеток в кристаллах с двукратно ионизируемыми донорами и мелкими ловушками
      • 2. 3. 1. Эффекты усиления скрытого изображения при
  • приложении внешнего поля и его проявления при включении считывающего светового пучка
    • 2. 3. 2. Эффект проявления голографической решетки при

Фоторефрактивные голограммы, формируемые в условиях фотоиндуцированного поглощения света в кристаллах класса силленитов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Большой интерес к фоторефрактивным кристаллам не угасает с момента открытия фоторефрактивного эффекта и связан с возможностью их использования для приложений нелинейной оптики: в устройствах динамической голографии, оптической памяти, усиления оптических изображений, обращения и самообращения волнового фронта, и многих других. Своими особенностями данные кристаллы обязаны электрооптическому эффекту и возможности образования поля пространственного заряда под действием неоднородного освещения, что позволяет записывать и хранить в этих кристаллах объемные фазовые голограммы (М.П. Петров, С. И. Степанов, А. В. Хоменко (1992)).

В ряде кристаллов (Bi^SiCbo, Bii2Ti02o, ВаТЮз, KNbC^iFe) формирование фоторефрактивных голограмм сопровождается значительным фотоиндуцированным поглощением света, оказывающим заметное влияние на характеристики устройств на их основе. Явление фотоиндуцированного поглощения света традиционно связывают с наличием в кристаллах, наряду с донорными, мелких ловушечных уровней, имеющих большее сечение фотоионизации (К. Buse (1997)). Для описания фотоиндуцированного поглощения и фотопроводимости в некоторых кристаллах применяются модели зонного переноса, включающие в рассмотрение несколько фотоактивных центров, способных находиться в различных зарядовых состояниях. Формирование поля пространственного заряда при записи голограмм в таких кристаллах сопровождается образованием нескольких зарядовых решеток. Динамика их взаимодействия при формировании голограмм и релаксации в режиме хранения, а также при изменении внешних условий, может оказать существенное влияние на параметры фоторефрактивного отклика. В связи с этим знание механизмов данного явления имеет важное значение для описания динамических голограмм в фоторефрактивных кристаллах и проектирования устройств на их основе.

Привлекательными материалами для создания различных фоторефрактивных устройств являются номинально чистые и легированные кристаллы титаната висмута (Bi^TiC^o), обладающие быстрым откликом при воздействии на них излучением из видимой области спектра, и малым удельным оптическим вращением. Однако формирование динамических голограмм в этих кристаллах сопровождается значительным фотоиндуцированным изменением оптического поглощения, связанным со сложной структурой дефектных центров (О. V. Kobozev, S.M. Shandarov et al. (1999)). Наличие таких центров приводит к различным эффектам, не описываемым в рамках традиционных моделей фоторефракции. Предполагаемое участие одних и тех же фотоактивных центров в процессах образования объемного заряда и фотоиндуцированного изменения поглощения позволяет получить информацию о них из результатов экспериментальных исследований каждого из этих эффектов. Следует отметить, что для силленитов, к которым относится титанат висмута, установившиеся представления о типе фотоактивных дефектов и о зонной модели переноса заряда в настоящее время отсутствуют.

Использование попутного двухпучкового взаимодействия при записи голографических решеток не всегда позволяет добиться достаточно хорошей дифракционной эффективности в случае диффузионного механизма формирования поля пространственного заряда. Увеличение фоторефрактивного отклика, обычно достигаемое за счет приложения к кристаллу внешнего электрического поля с высокой напряженностью, делает данную схему мало привлекательной. В тоже время, увеличение амплитуды фоторефрактивной голограммы может быть реализовано при встречном распространении световых пучков (Е.Ю. Агеев, С. М. Шандаров и др.(2001)). В этом случае пространственный период объемной голограммы имеет наименьшее значение, увеличивая тем самым ее дифракционную эффективность.

Взаимодействие световых волн в кубических фоторефрактивных кристаллах на объемных голограммах сопровождается изменением поляризационного состояния светового поля, что делает необходимым использование векторных моделей для его описания. В кристаллах симметрии 23 изменение поляризации взаимодействующих волн происходит также вследствие естественной оптической активности. В результате при анализе встречного взаимодействия световых волн на отражательных голограммах в нецентросимметричных кубических фоторефрактивных кристаллах со сложной структурой дефектных центров необходимо также учитывать анизотропию электрооптического и фотоупругого вкладов в фазовую модуляцию оптических свойств среды полем пространственного заряда решетки и ее абсорбционную составляющую, эффекты поглощения света и истощения накачки. Однако изучение литературных данных показало, что такого полного анализа проведено не было.

Все вышеизложенное определило цель диссертационной работы.

Цель и задачи диссертационной работы.

Целью работы является исследование процессов формирования голографических решеток и развития фотоиндуцированного поглощения света в фоторефрактивных кристаллах с учетом сложной структуры дефектных центров и изменения внешних условий, а также влияния векторного характера светового поля на двухволновое взаимодействие на фоторефрактивных отражательных голограммах в нецентросимметричных кубических кристаллах.

Для достижения данной цели решались следующие основные задачи: — разработка методики численного решения дифференциальных уравнений для фоторефрактивного кристалла с двукратно ионизируемыми донорными центрами и мелкими ловушками, и анализ динамики формирования поля пространственного заряда в изменяющихся условиях;

— создание экспериментальной установки и проведение исследований по фотоиндуцированному поглощению света в кристалле титаната висмута при двухцветном облучении;

— разработка векторной модели встречного двухволнового взаимодействия световых пучков на отражательных голографических решетках в кубических фоторефрактивных кристаллах;

— изучение влияния анизотропии электрооптического эффекта на двухпучковое взаимодействие на отражательной голографической решетке в кубических фоторефрактивных кристаллах.

Методы исследования. Теоретический анализ динамики фоторефрактивного отклика основывался на модели зонного переноса для кристаллов, содержащих донорные и ловушечные центры. При численном моделировании для решения системы нелинейных дифференциальных уравнений использовался метод Эйлера.

При экспериментальном исследовании фотоиндуцированного поглощения в кристаллах титаната висмута использовалось некогерентное узкополосное излучение полупроводниковых светодиодов, исключающее образование фоторефрактивных голограмм.

При теоретическом анализе встречного двухволнового взаимодействия в кубических фоторефрактивных кристаллах использовался методы медленно меняющихся амплитуд и связанных мод, при этом учитывалась естественная оптическая активность, дополнительный фотоупругий вклад в модуляцию оптических свойств среды фазовой компонентой голографической решетки, и ее абсорбционная составляющая.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. В кристаллах с монополярной электронной проводимостью, фотоактивными мелкими ловушками и двукратно ионизируемыми донорными центрами фоторефрактивные голограммы усиливаются в темновых условиях при приложении внешнего постоянного электрического поля и проявляются при включении считывающего светового пучка, вследствие пространственного сдвига соответствующих зарядовых решеток относительно их первоначального положения, связанного с неоднородностью тока проводимости.

2. Ловушечные центры, обусловливающие фотоиндуцированное поглощение света в легированных кальцием кристаллах титаната висмута, не являются мелкими, и соответствующие им энергетические уровни расположены в запрещенной зоне на расстояниях, превышающих 1,42 эВ от дна зоны проводимости.

3. В кристаллах титаната висмута вклад фазовой составляющей отражательной голографической решетки в межмодовые процессы взаимодействия, происходящие с изменением показателя преломления собственных волн, отсутствует в кристаллографических плоскостях типа {100} и достигает максимальных значений при ориентации вектора решетки в плоскостях типа {ПО}, вдоль кристаллографических направлений вида <111>.

4. Анизотропия электрооптического эффекта в кубических фоторефрактивных кристаллах приводит к тому что, вклад фазовой составляющей отражательной голографической решетки во внутримодовые процессы взаимодействия достигает максимума при ориентации вектора решетки вдоль кристаллографических направлений вида <100> и отсутствует при ориентации вектора решетки вдоль направлений вида <110> и <111>.

Достоверность результатов.

Достоверность теоретической части работы обеспечивалась использованием обоснованных приближений (метод медленно меняющихся амплитуд, адиабатическое приближение и др.).

Корректность проведенных численных расчетов и выбранного шага дискретизации подтверждается сравнением с другими вычислениями, имеющими более высокий порядок точности.

Достоверность экспериментальных результатов базируется на использовании измерительных приборов с известными характеристиками, имеющих цифровой выходна обработке большого массива экспериментальных данных, позволяющей оценить случайные погрешности измерений, которые не превышали 5%- а также на применении методов минимизации систематических погрешностей.

Достоверность первого положения подтверждается тем, что на его основе могут быть объяснены результаты экспериментов, описанных МЛ. Петровым, М. Г. Шмелиным, и др. (1985).

Достоверность третьего и четвертого положений подтверждается отсутствием противоречий с результатами других работ (А. Г. Мартьянов, С. М. Шандаров и др. (2002)).

Научная новизна:

1. Выведены уравнения для первых пространственных гармоник зарядовых решеток в кристаллах с двукратно ионизируемыми донорными центрами и фотоактивными мелкими ловушками, на основе которых разработана методика численного анализа динамики поля пространственного заряда фоторефрактивной голограммы при изменяющихся внешних условиях ее формирования, хранения и восстановления.

2. Предложена и экспериментально реализована методика исследования динамики фотоиндуцированного поглощения света в фоторефрактивных кристаллах при двухцветном облучении квазимонохроматическим излучением полупроводниковых светодиодов.

3. Развита самосогласованная векторная модель встречного двухволнового взаимодействия световых пучков на отражательных голографических решетках в кубических фоторефрактивных кристаллах, принимающая во внимание естественную оптическую активность, дополнительный фотоупругий вклад в модуляцию оптических свойств кристалла, абсорбционную составляющую решетки, а также эффекты фотоиндуцированного поглощения света и истощения накачки.

Научная ценность:

1. Проведенный численный анализ динамики формирования поля пространственного заряда в кристаллах с фотоактивными мелкими ловушками и двукратно ионизируемыми донорными центрами позволил дать теоретическое описание наблюдаемых ранее экспериментально эффектов усиления скрытой голограммы в темновых условиях при приложении внешнего электрического поля и ее проявления при включении считывающего светового пучка.

2. Развитая модель перезарядки дефектных центров позволяет удовлетворительно описать динамику фотоиндуцированного поглощения света в кристаллах Bi12Tio20: Ca при двухцветном облучении и делает возможным прогнозирование влияния посторонней засветки на характеристики устройств динамической голографии на основе кристаллов титаната висмута.

3. Проведен полный анализ анизотропии вклада фазовой составляющей отражательной голографической решетки во внутримодовые и межмодовые процессы взаимодействия в кубических фоторефрактивных кристаллах, позволяющий определить ориентации вектора фоторефрактивной решетки в кристалле, при которых происходит наиболее эффективное взаимодействие световых волн.

Практическая значимость проведенных исследований заключается в следующем:

1. Разработанная методика численного анализа динамики поля пространственного заряда пригодна для проектирования и создания устройств динамической голографической памяти и оптической обработки информации на основе фоторефрактивных кристаллов класса силленитов, обладающих сложной структурой фотоактивных дефектных центров.

2. Разработанные методики численного анализа динамики фотоиндуцированного поглощения света в кристаллах со сложной структурой фотоактивных дефектных центров позволяют в рамках используемых моделей определить материальные параметры фоторефрактивных кристаллов, необходимые для проектирования устройств динамической голографии, таких как адаптивные интерферометры для измерительных систем оптических датчиков.

3. Развитая векторная модель встречного взаимодействия световых пучков на отражательных голограммах в кубических фоторефрактивных кристаллах пригодна для использования при проектировании устройств динамической голографии, таких как адаптивные интерферометры для измерительных систем оптических датчиков, устройства обращения волнового фронта лазерных пучков, и др., основанных на диффузионном механизме формирования поля пространственного заряда и не требующих приложения к кристаллу внешнего электрического поля.

Внедрение результатов работ и рекомендации по их дальнейшому использованию. Результаты диссертационной работы используются на кафедре Электронных приборов Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники при проведении плановых и инициативных научно-исследовательских работ и выполнении курсовых и дипломных работ студентамивключены в спецкурсы «Фоторефрактивная нелинейная оптика» и «Голография и когерентная оптика» для студентов, обучающихся по индивидуальным учебным планам. Созданные экспериментальные установки используются в исследованиях динамики фотоиндуцированного поглощения света в фоторефрактивных кристаллах и эффектов фоторефрактивной нелинейной оптики. Разработанные алгоритмы и программы численного анализа используются для компьютерного моделирования векторного двухпучкового взаимодействия на отражательных решетках и динамики фотоиндуцированных явлений в кристаллах силленитов. Акты внедрения приведены в Приложении к диссертации. Результаты диссертации целесообразно использовать в Институте автоматики и процессов управления ДВО РАН при разработке оптоэлектронных устройств.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на VI Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Современные техника и технологии СТТ'2000», (г. Томск, Россия, 28 февраля -3 марта, 2000 г.), на Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2000» (г. Санкт-Петербург, Россия, 19−21 октября, 2000 г.), на Второй школе-семинар молодых ученых «Современные проблемы физики и технологии», (Томск, Россия, 5−7 февраля, 2001 г.), на VIII Российской научной студенческой конференции «Физика твердого тела», (Томск, Россия, 16−18 мая, 2000 г.), на XXXIX международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс, Физика», (Новосибирск, Россия, 10−12 апреля, 2001 г.), на XV международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс», (Новосибирск,.

Россия, 2002), на VIII российской научной студенческой конференции «Физика твердого тела», (Томск, Россия, 14−16 мая, 2002 г.), на Международном оптическом конгрессе «Фундаментальные проблемы оптики», (Санкт-Петербург, Россия, 14−17октября, 2002 г.), на III международной научной коференции молодых ученых и специалистов «0птика-2003», (Санкт-Петербург, Россия, 20−23 октября, 2003 г.).

Публикации. Основные результаты диссертации изложены в 5-ти статьях в центральных российских журналах [57*, 58*, 79*, 82*, 97*], в 1-й статье в периодическом издании Американского оптического общества [59*], в 8-ми публикациях в сборниках трудов Международных конференций [60*, 61*, 62*, 64*, 81*, 83*, 85*, 86*] и в 3-х публикациях в сборниках трудов Российских научных конференций [63*, 80*, 84*]. Ссылки на них в тексте помечены символом «*».

Личный вклад диссертанта.

В диссертации использованы только те результаты, в получении которых автору принадлежит определяющая роль. Опубликованные работы написаны либо без соавторов, либо в соавторстве с членами научной группы, а также со студентами: А. В. Медовник, Н. Н. Черняк, К. С. Плинта. В совместных работах диссертант принимал участие в моделировании, расчетахв создании экспериментальных установок, проведении экспериментов и интерпретации результатов. Постановка задач исследований осуществлялась научным руководителем.

Структура, объем и содержание диссертации. Диссертация состоит из Введения, четырех глав, Заключения, списка литературы и Приложения. Полный объем диссертации — 143 страниц, включая 41 рисунок и 4 таблицы.

Основные результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Получены уравнения для первых пространственных гармоник зарядовых решеток в кристаллах с двукратно ионизируемыми донорными центрами и фотоактивными мелкими ловушками. На их основе разработана методика численного анализа динамики поля пространственного заряда фоторефрактивной голограммы при изменяющихся внешних условиях ее формирования, хранения и восстановления. Методика позволяет моделировать изменение периода голографической решеткипродолжительность процессов записи, хранения и проявления голограммамплитуды прикладываемого внешнего постоянного электрического поля- «включать» и «выключать» в произвольные моменты времени световые пучки накачки и сигнала, их взаимную когерентность и внешнее электрическое поле.

2. На основе проведенного численного анализа показано, что динамика поля пространственного заряда в кристаллах с двукратно ионизируемыми донорными центрами и мелкими ловушками определяется не только изменениями амплитуд зарядовых решеток, но и их сдвигом в пространстве относительно друг друга при приложении внешнего поля, который связан с неоднородностью тока проводимости. Показана возможность наблюдения в таких кристаллах эффектов усиления скрытой голограммы в темновых условиях при приложении внешнего электрического поля и ее проявления при включении считывающего светового пучка.

3. Проведен анализ двух режимов записи фоторефрактивной решетки для кристаллов с мелкими ловушками и глубокими донорами, допускающими двукратную ионизацию. Показано, что возможность двукратной ионизации донорных центров приводит к особенностям в поведении релаксации поля пространственного заряда после «выключения» взаимной когерентности записывающих решетку световых пучков. Динамика релаксации при этом состоит из двух этапов. Первый характеризуется быстрым падением амплитуды решетки за время, сравнимое с временем диэлектрической релаксации. На втором этапе наблюдается медленное падение поля пространственного заряда, скорость которого определяется релаксацией самих зарядовых решеток.

4. Использование численного анализа динамики фотоиндуцированного поглощения света на основе модели, рассматривающей наличие в кристалле ловушечных центров и глубоких доноров, допускающих двукратную ионизацию, и подгонки результатов под экспериментальные данные позволило определить материальные параметры исследованного кристалла Bi^TiC^Ca. Сравнение результатов расчета с экспериментом показало, что используемая модель позволяет описать динамику роста и релаксации фотоиндуцированного поглощения, с воспроизведением таких качественных особенностей, как более резкий переход от медленного участка к быстрому при повторной засветке кристалла, и уменьшение скорости нарастания на медленной стадии процесса с каждой последующей засветкой.

5. Установлено, что ловушечные центры, обуславливающие рост фотоиндуцированного поглощения в легированных кальцием кристаллах титаната висмута, не являются мелкими, и соответствующие им энергетические уровни расположены в запрещенной зоне на расстояниях, превышающих 1.42 эВ от дна зоны проводимости.

6. Предложена и экспериментально реализована методика исследования динамики фотоиндуцированного поглощения света в фоторефрактивных кристаллах при двухцветном облучении квазимонохроматическим излучением полупроводниковых светодиодов. Ее применение к кристаллам титаната висмута позволило установить важные закономерности: ИК излучение с длиной волны 870 нм слабо влияет на наведенное красным светом (660 нм) дополнительное поглощениеосвещение кристалла красным (зеленым) светом влияет как на собственное поглощение, так и на оптические потери в зеленой (красной) области спектрадлинноволновое (красное) излучение приводит к большему увеличению оптических потерь для коротковолновой компоненты (зеленый свет), чем для собственного поглощениядлинноволновое излучение уменьшает изменения в поглощении на собственной длине волны, наведенные коротковолновым светом.

7. На основе анализа характерных особенностей в динамике коэффициентов поглощения кристалла на двух длинах волн развита модель перезарядки дефектных центров, позволяющая удовлетворительно описать динамику фотоиндуцированного поглощения света в кристаллах Bi12Tio20: Ca при двухцветном облучении. Модель предполагает существование в кристалле двух дефектных систем, соответствующих фотоактивным донорным центрам одного типа и ловушечным центрам другого типа. Каждая из дефектных систем характеризуется своим энергетическим спектром и допускает внутрицентровые переходы электронов между энергетическими уровнями.

8. Развита векторная модель встречного двухволнового взаимодействия световых пучков на отражательных голографических решетках в кубических фоторефрактивных кристаллах, принимающая во внимание естественную оптическую активность, дополнительный фотоупругий вклад в модуляцию оптических свойств кристалла, абсорбционную составляющую решетки, а также эффекты фотоиндуцированного поглощения света и истощения накачки.

9. Установлено, что в кристаллах титаната висмута вклад фазовой составляющей отражательной голографической решетки в межмодовые процессы взаимодействия, происходящие с изменением показателя преломления собственных волн, отсутствует в кристаллографических плоскостях типа {100} и достигает максимальных значений при ориентации вектора решетки в плоскостях типа {ПО}, вдоль кристаллографических направлений вида <111>.

10. Показано, что анизотропия электрооптического эффекта в кубических фоторефрактивных кристаллах приводит к тому что, вклад фазовой составляющей отражательной голографической решетки во внутримодовые процессы взаимодействия достигает максимума при ориентации ее вектора вдоль кристаллографических направлений вида <100>.

11. Для случая пренебрежимо малого вклада абсорбционной составляющей во взаимодействие на отражательной решетке введен эффективный коэффициент усиления для встречного взаимодействия, который характеризует эффективность энергообмена на фазовой отражательной решетке, не зависит от коэффициента поглощения света в кристалле, и может быть определен из экспериментальных данных. Установлено, что максимально достижимое значение эффективного коэффициента усиления уменьшается с ростом толщины гиротропного кристалла.

12. Выполнены экспериментальные исследования поляризационных зависимостей эффективного коэффициента усиления и эффектов преобразования векторов поляризации взаимодействующих на отражательной голографической решетке световых пучков в кристалле Bi12Tio20: Fe, Cu среза (100). Проведенный на основе развитой векторной модели анализ полученных экспериментальных данных позволил сделать вывод о фазовом характере отражательной фоторефрактивной решетки, формирующейся при встречном взаимодействии света в данном образце.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Solymar L., Webb D.J., Grunnet-Jepsen A. The physics and applications of photorefractive materials. -CLARENDON PRESS OXFORD, 1996, -495 pp.
  2. Ashkin A., Boyd G.D., Dziedzic J.M., Smith R.G., Ballman A.A., Levinstein J.J., Nassau K. Optically -induced refractive index inhomogeneities in LiNb03 and LiTa03 // Appl. Phys. Lett. 1966. 9. P. 72−74.
  3. Thaxter J.B. Electrical control of holographic storage in strontium barium — niobate // Appl. Phys. Lett. 1969. 15. P. 210−212.
  4. Townsend R.L., LaMacchia J.T. Optically induced refractive index changes in LiTa03 // J. Appl. Phys. 1970. 41. P. 5188−5192.
  5. Chen F.S., Denton R.T., Nassau K., Ballman A.A. Optical memory planes using LiNb03 and LiTa03 // Proc. IEEE. 1968. 56. P. 782−783.
  6. Chen F.S. A laser induced inhomogeneity of refractive indices in KTN // J. Appl. Phys. 1967. 38. P. 3418−3420.
  7. Amodei J.J. Electron diffusion effects during hologram recording in crystals // Appl. Phys. Lett. 1971. 18. P. 2224.
  8. Glass A.M., D. von der Linde, Negran T.J. High -voltage bulk photovoltaic effect and photorefractive process in LiNb03 // Appl. Phys. Lett. 1974. 25. P. 233.
  9. Staebler D.L., Burke W.J., Phillips W., Amodei J.J. Multiple storage and erasure of fixed holograms in Fedoped LiNb03 // Appl. Phys. Lett. 1975. 26. P. 1 82−1 84.
  10. Huignard J.P., Herriau J.P., Micheron F. Selective erasure and processing in volume holograms superimposed in photosensitive ferroelectrics // Ferroelectrics. 1976. 1 1. P. 393−396.
  11. Kukhtarev N., Markov V., Odulov S. Transient energy transfer during hologram formation in LiNb03 in external electric field // Opt. Commun. 1977. 23. P. 338−343.
  12. Vinetskii V.L., Kukhtarev N.V., Markov V.B., Odulov S.G., Soskin M.S. Amplification of coherent light beams by dynamic holograms in ferroelectric crystals // Bull. Acad. Sci. USSR. -Phys. Ser. 1977. 41. P. 136−143.
  13. Huignard J.P., Micheron F. High sensitivity read -write volume holographic storage in Bil2Si020 and Bi 12Ge020 crystals // Appl. Phys. Lett. 1976. 29. P. 591 593.
  14. Glass A.M., Johnson A.M., Olson D.H., Simpson W., Ballman A.A. Four wave mixing in semi — insulating InP and GaAs using the photorefractive effect // Appl. Phys. Lett. 1984. 44. P. 948−950.
  15. Hellwarth R.W. Generation of time reversed wave fronts by non — liner refraction // J. Opt. Soc. Am. 1977. 67. P. 1.
  16. Yariv A. Four wave nonlinear optical mixing as real time holography // Opt. Commun. 1978. 25. P. 23−25.
  17. Huignard J.P., Herriau J.P., Aubourg P., Spitz E. Phase conjugate wave — front generation via real — time holography in crystals // Opt. Lett. 1979. 4. P. 21−23.
  18. Kukhtarev N.V., Odulov S.G. Wave front conjugation viadegenerate four wave mixing in electro — optic crystals // Proc. SPIE. 1979. 213. P. 2−9.
  19. White J.O., Yariv A. Real time image processing and distortion correction via four — wave mixing // Opt. Eng. 1980. 21. P. 224−230.
  20. White J.O., M. Cronin Golomb M., Fisher В., Yariv A. Coherent oscillation by self — induced gratings in the photorefractive crystals BaTi03 // Appl. Phys. Lett. 1982. 42. P. 450−452.
  21. Anderson D.Z., Lininger D.M., Feinberg J. Optical tracking novelty filter // Opt. Lett. 1987. 12. P. 123−125.
  22. Wilde J., McRuer R., Hesselink L., Goodman J. Dynamic holographic interconnection using photorefractive crystals // Proc. Soc. Photo opt. Instrum. Eng. 1987. 752. P. 200 208.
  23. Ч. Голографическая интерферометрия. -M.: Мир, 1982, -504с.
  24. М.П., Степанов С. И., Хоменко А. В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. -СПб.: Наука, 1992, -320с.
  25. Buse К. Light induced charge transport processes in photorefractive crystals I: Models and experimental method // Appl. Phys. B. 1997. 64. P. 273−291.
  26. Vinetskii V.L., Kukhtarev N.V. Theory of the conductivity induced by recording holographic grating in nonmetallic crystals // Sov. Phys. Solid State. 1975. 16. P. 2414−2415.
  27. Kukhtarev N.V., Markov V.B., Odulov S.G., Soskin M.S., Vinetskii V.L. Holographic storage in electroopticcrystals. I. Steady State // Ferroelectrics. 1979. 22. P. 949−960.
  28. Glass A.M., D. von der Linde, Auston D.H., Negran T.J. Excited state polarization, bulk photovoltaic effect and the photorefractive effect in electrically polarized media // J. Electron. Mater. 1975. 4. P. 915−943.
  29. Au L.B., Solymar L. Space charge field in photorefractive materials at large modulation // Opt. Lett. 1988. 13. P. 660−662.
  30. Ч. Введение в физику твердого тела. -М.: Гостехиздат, 1957. -523 с.
  31. Stepanov S.I., Petrov М.Р. Efficient unstationary holographic recording in photorefractive crystals under external alternating electric field // Opt. Commun. 1985. 53. P. 292−295.
  32. Huignard J.P., Marrakchi A. Coherent signal beam amplification in two wave mixing experiments with photorefractive Bil2Si020 crystals // Opt. Commun. 1981. 38. P. 249−254.
  33. Belinicher V.I., Malinovsky V.K., Sturman B.I. Photogalvanic effect in crystals with a polar axis // Sov. Phys. JETP. 1977. 73. P. 692−699.
  34. .И., Фридкин В. М. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. -М.: Наука. Гл. ред. физ. мат. лит., 1992. -208 с.
  35. Motes A., Kim J.J. Intensity dependent absorption coefficient in photorefractive ВаТЮЗ crystals // J. Opt. Soc. Am. B. 1987. 4. P. 1379−1381.
  36. Brost G.A., Motes R.A., Rotge J.R. Intensity -dependent absorption and photorefractive effects in barium titanate // J. Opt. Soc. Am. B. 1988. 5. P. 1879−1885.
  37. Valley G.C. Erase rates in photorefractive materials with two photoactive species // Appl. Opt. 1983. 22. P. 3 160−3 164.
  38. Tayebati P., Mahgerefteh D. Theory of the photorefractive effect for Bil2Si020 and Bil2Ti020 with shallow traps // J. Opt. Soc. Am. B. 1991. 8. P. 1053−1064.
  39. Buse K., Kratzig E. Three valence charge — transport model for explanation of the photorefractive effect // Appl. Phys. B. 1995. 61. P. 27−32.
  40. Kobozev O.V., Shandarov S.M., Kamshilin A.A., Prokofiev V.V. Light induced absorption in a Bil2Ti020 crystal // J. Opt. A: Pure Appl. Opt. 1999. 1. P. 442−447.
  41. М.П., Степанов С. И., Хоменко А. В. Фоточувствительные электрооптические среды вголографии и оптической обработке информации. -JI.: Наука, 1983. -256 с.
  42. Р., Беркхарт К., Лиин J1. Оптическая голография. -М.: Мир, 1973. -686 с.
  43. С.Г., Соскин М. С., Хижняк А. И. Лазеры на динамических решетках: Оптические генераторы на четырехволновом смешении. -М.: наука. Гл. ред. физ -мат. лит., 1990. -272 с.
  44. Yeh P. Introduction to photorefractive nonlinear optics. -New York: Wiley, 1993. -409 pp.
  45. Е.Ю., Шандаров C.M., Веретенников С.10., Мартьянов А. Г., Карташов В. А., Камшилин А. А., Прокофьев В. В., Шепелевич В. В. Двухволновое взаимодействие на отражательной решетке в кристалле Вi12Ti020 // Квантовая электроника. 2001. 31. 4. С. 343−345.
  46. Ja Y.H. Energy transfer between two beams in writing a reflection volume hologram in a dynamic medium // Opt. Quantum Electron. 1982. 14. P. 547−556.
  47. Ja Y.H. Beam coupling and decoupling in degenerate two-wave mixing in reflection geometry with photorefractive Bil2Ge020 crystals // Opt. Quantum Electron. 1984. 16. P. 399−404.
  48. Kukhtarev N., Bo Su Chen, Venkateswarlu P., Salamo G., Klein M. Reflection holographic gratings in 111. cut Bil2Ti020 crystal for real time interferometry // Optics Commun. 1993. 104. P. 23−28.
  49. Mallick S., Miteva M., Nikolova L. Polarization properties of self-diffraction in sillenite crystals: reflection volume gratings // J. Opt. Soc. Am. B. 1997. 14. 5. P. 1179−1186.
  50. А. Г., Шандаров С. M., Литвинов Р. В. Взаимодействие световых волн на отражательной голографической решетке в кубических фоторефрактивных кристаллах // ФТТ. 2002. 44. 6. С. 1006−1010.
  51. И.Ф., Малиновский В. К., Суровцев Н. В. Узкополосные голографические интерференционные фильтры на LiNb03 // ФТТ. 2000. 42. С. 2079−2084.
  52. Е.Ю., Шандаров С. М., Кобозев О.В., Решетько
  53. A.В. Динамика фоторефрактивного отклика в кристаллах силленитов с мелкими ловушками // Известия Челябинского Научного Центра. 1999. № 3. С. 1−6.
  54. А.И. Голографическая запись в фоторефрактивных кристаллах в условиях нестационарности и нелинейности фотопроводимости // ФТТ. 1999. 41. 6. С. 1012−1018
  55. А.А., Петров М. П. Инфракрасное гашение фотопроводимости и голографическая запись в силекате висмута // ФТТ. 1981. 23. С. 3110−3116
  56. Odulov S.G., Shcherbin K.V., Shumeljuk A.N. Photorefractive recording in BTO in the near infrared // J.Opt.Soc.Am.B 1 1. 1994. P. 1780−1785
  57. Miteva M., Nicolova L. Oscillating behaviour of diffracted on uniform illumination of holograms in photorefractive Bi 12ТЮ20 crystals // Opt. Commun. 1988. 67. P. 192−194
  58. М.П., Шмелин М. Г., Шалаевский H.O., Петров
  59. B.М., Хоменко A.M. Новый механизм записи изображений в фоторефрактивный кристалл // ЖТФ. 1985. 55. 11. С. 2247−2250
  60. Shandarov S., Reshet’ko A., Emelyanov A., Kobozev O., Krause M., Kargin Yu., Volkov V. Two-beam coupling in sillinite crystals // Proc. SPIE. 1996. 2969. P. 202−210
  61. А.И. О монополярности примесной фотопроводимости кристаллов типа силленита // ФТТ. 1998. 40. С. 2178−2179
  62. А.И. Голографическая запись в фоторефрактивных кристаллах в условиях нестационарности и нелинейности фотопроводимости // ФТТ. 1999. 41. С. 1012−1018
  63. А.С. Спонтанное нарастание волн перезарядки ловушек в кристаллах без центра инверсии при однородном освещение // ФТТ. 1987. 29. 4. С. 1076−1085
  64. Egorysheva A.V., Burkov V.I., Kargin Yu. F., Skorikov V.M. Stoichiometric dependence of optical and photoconductive properties of Bil2Ti020 single crystas // Proc. SPIE. 2001. 4358. P. 97−101
  65. Kamshilin A.A., Kobozev O.V., Grachev A.I., Karavaev P.M. Manifestation of long-lived photosensitivity gratings in two-wave mixing experiments with sillenite crystals // J. Opt. Soc. Am. B. 19. 2002. P. 202−207
  66. Ю.Ф., Бурков В. И., Марьин А. А. Егорышева А.В. Кристаллы В i 12 Мх020±-5 со структурой силленита. Синтез, строение, свойства. -М.2004. -3 12 с79. * Шандаров С. М., Мандель А. Е., Казарин А. В., Плесовских A.M., Каргин Ю. Ф., Волков В. В., Егорышева
  67. A.В. Динамика фотоиндуцированного поглощения света в кристалле Вi 12Ti020: Са // Известия Вузов «Физика». 2002. № 8. С. 29−34.80. * Казарин А. В., Плесовских A.M., Мандель А. Е., Шандаров С. М., Цуркан М. И., Каргин Ю. Ф., Волков
  68. Schirmer O.F., Veber С., Meyer М. Parameters of light-induced charge transfer processes in photorefractive crystals // ФТТ. 2002. 44. C. 1367−1373.
  69. В.К., Гудаев О. А., Гусев В. А., Деменко С. И. Фотоиндуцированные явления в силленитах.-Новосибирск: Наука, 1990. -160 с.
  70. В.И., Егорышева А. В., Каргин Ю. Ф. Оптические и хиротропические свойства кристаллов со структурой силленита // Кристаллография. 2001. Т.46. С.356−380.
  71. Г. А. // Электроны в полупроводниках. Вып. 6. Электронная структура и оптические спектры полупроводников / Под ред. Ю. Пожелы. Ин-т физики полупроводников АН ЛитССР. Вильнюс: Мокслас, 1987. С. 41−124.
  72. Kargin Yu.F., Egorysheva A.V., Volkov V.V., Burkov V.I., Shandarov S.M., Mandel A.E., Skorikov V.M. Growth and characterization of doped Bil2Ti020 single crystals // J. of Crystal Growth, 15 February 2005, V.275, P. 779−784
  73. А.В. Край поглощения кристаллов Bi 12Мх020±-5, (M=Zn, В, Ga, Р, V, А1, Р., [Ga, P], [Fe, P], Zn, V) со структурой силленита // Ж. Неорганической химии. 2005. 50. № 3. С. 1−6.
  74. Uhrich С., Hesselink L. Temperature, intensity, and field dependence of the absorption coefficient of Bi 12Si020 // Opt. Lett. 1990. V.15. P. 455−457.
  75. Von Bally G., Thien R., Kemper B. High resolution reversible hologram recording in photorefractive crysralc // Ukr. J. Phys. 2004. 49. P. 457−460
  76. В.И., Каргин Ю. Ф., Кухтарев Н. В., Привалко А. В., Семенец Т. Н., Шандаров С. М., Шепелевич В. В. Влияние фотоупругости на самодифракцию света в электрооптических кристаллах // Квантовая электроника. 1991. 18. С. 1237−1240
  77. .И., Подивилов Е. В., Каменов В. П., Нипполайнен Е., Камшилин А. А. Векторное взаимодействие волн в кубических фоторефрактивных кристаллах // ЖЭТФ. 2001. 1 19. С. 125−142
  78. С.И., Шандаров С. М., Хатьков Н. Д. Фотоупругий вклад в фоторефрактивный эффект в кубических кристаллах //ФТТ. 1987. Т. 29. вып. 10. С. 2054−3059.
  79. В.В., Миргородский В. И., Пешин С. В., Соболев А. Т. Фотоупругие свойства германата висмута // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. вып. 2. С. 124−126.
  80. Г. А., Реза А. А., Леонов Е. И., Шандарис В. И. Фотоупругие свойства Bil2Si020 // ЖТФ. 1985. Т. 55. вып. 6. С. 1203−1205.
  81. УТВЕРЖДАЮ: Проректор^по 11Р ТУСУР1. В.Н. Ильюшенко2001 г. 1. АКТо внедрении (использовании) результатов НИР
  82. Тема: Инициативная работа (№ х/договора)от «Ь> сентября 1999 (дата открытия темы)
  83. Автоматизированная установка для исследования фоторефрактивных эффектовнаименование НИР
  84. ВЫПОЛНЕННАЯ аспирантами ЕЛО. Агеевым. С. Ю. Веретенниковым. студентами С. В. Беляевым, В. А. Карташовым. А. Г. Мартьяновым и A.M. Плесовских
  85. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ кафедрой Электронных приборов ТУСУР при проведении НИР Г/б 5/00/3 и Международного договора 0194/02/98
  86. ВРЕМЯ ВНЕДРЕНИЯ (ИСПОЛЬЗОВАНИЯ) П квартал 2000 гола
  87. ВИД ВНЕДРЕНИЯ Лабораторный комплекс
  88. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В РАЗРАБОТКЕ ИЗОБРЕТЕНИИ не использовались
  89. НАИМЕНОВАНИЕ И НОМЕРА ДОКУМЕНТОВ, ПОДТВЕРЖДАЮЩИХ ВНЕДРЕНИЕ акт приемочной комиссии от 15 мая 2000 г.
  90. JfettfyV В. А. Карташов gy А. Г. Мартьянов ^/-gff A.M. Плесовскихл у с у р КОПИЯ ВЕРНА ОБЩИИрТДЕЛ1. Поллсь .1. ОТ ЗАКАЗЧИКА:1. Зав,-кас}),-ЭП1. С.М. Шандаров1. В.Н. Давыдов
  91. Доцент каф. СВЧ и КР -/jfe- А.Е. Мандель
  92. УТВЕРЖДАЮ: оректор по HP ТУ СУР1. В.Н. Ильюшенко2001 г. 1. АКТо внедрении (использовании) результатов НИР
  93. Тема: Инициативная работа от «24» июня 1999х/договора) (дата открытия темы)
  94. Компьютерная программа расчета динамики фотоиндуцированного поглощения, динамики формирования поля пространственного заряда под действием неоднородного освещения ивнешнего переменного или постоянного электрического поля. наименование НИР
  95. ВЫПОЛНЕННАЯ студентом A.M. Плесовских-
  96. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ кафедрой Электронных приборов ТУ СУР при проведении НИР 1.5.97 и Международного договора 0194/02/9
  97. ВРЕМЯ ВНЕДРЕНИЯ (ИСПОЛЬЗОВАНИЯ) I квартал 2000 года
  98. ВИД ВНЕДРЕНИЯ Компьютерная программа
  99. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В РАЗРАБОТКЕ ИЗОБРЕТЕНИИ не использовались
  100. НАИМЕНОВАНИЕ И НОМЕРА ДОКУМЕНТОВ, ПОДТВЕРЖДАЮЩИХ ВНЕДРЕНИЕ статья в журнале «Физика твердого тела», т. 43. вып. 2. с. 242 -245. (2001)
  101. Доцент каф. СВЧ и КР •М&К А.Е. Мандель
  102. УТВЕРЖДАЮ: роректор по HP ТУСУР1 В. Н. Ильюшенко 2001 г. 1. АКТо внедрении (использовании) результатов НИР
  103. Тема: 6-ВУЗ (№ х/договора)от «1» мая 2001 (дата открытия темы)
  104. Установка для исследования влияния инфракрасной подсветки на основные характеристики фоторефрактивных кристаллахнаименование НИР
  105. ВЫПОЛНЕННАЯ доцентом А. Е. Манделем, аспирантом С. Ю. Веретенниковым, студентом A.M. Плесовских'
  106. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ кафедрой Электронных приборов ТУСУР при проведении НИР Г/б 5/00/3. Международного договора 0194/02/98 и договора 6-ВУЗ
  107. ВРЕМЯ ВНЕДРЕНИЯ (ИСПОЛЬЗОВАНИЯ) III квартал 2001 года
  108. ВИД ВНЕДРЕНИЯ Лабораторный комплекс
  109. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В РАЗРАБОТКЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ не использовались
  110. НАИМЕНОВАНИЕ И НОМЕРА ДОКУМЕНТОВ, ПОДТВЕРЖДАЮЩИХ ВНЕДРЕНИЕ
  111. Доклад на 2 Международной конференции «Оптика 2001», 16−19 октября, 2001, Санкт-Петербург. Россия, с. 138
  112. С.Ю. Be- A.M. Пле А. Е. Манде!1. ОТ ЗАКАЗЧИКА:1. Зав>каф^ЭП1. С.М. Шандаровг1. Усу р К0ПИЯВЕРНА1. АКТо внедрении (использовании) результатов НИР
  113. Тема: 6-ВУЗ от «1» мая 2001х/договора) (дата открытия темы)
  114. Установка для исследования фотоиндуцированного поглощениянаименование НИР
  115. ВЫПОЛНЕННАЯ доцентом А. Е. Манделем, аспирантом А. В. Казариным. студентом A.M. Плесовских
  116. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ кафедрой Электронных приборов ТУСУР при проведении НИР Г/б 5/00/3. Международного договора 0194/02/98 и договора 6-ВУЗ
  117. ВРЕМЯ ВНЕДРЕНИЯ (ИСПОЛЬЗОВАНИЯ) IV квартал 2001 года
  118. ВИД ВНЕДРЕНИЯ Лабораторный комплекс
  119. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В РАЗРАБОТКЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ не использовались
  120. НАИМЕНОВАНИЕ И НОМЕРА ДОКУМЕНТОВ, ПОДТВЕРЖДАЮЩИХ ВНЕДРЕНИЕ
  121. Доклад на 2 Международной конференции «Оптика 2001», 16−19 октября. 2001. Санкт-Петербург. Россия, с. 135
  122. Исполнители М^ыъ ^ -А.В. Казарин.A.M. Шю А. Е. М-1. Зав. каф. ЭП1. С.М. Шандаров
Заполнить форму текущей работой