Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP

Диссертация: Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Всесоюзной конференции по физике соединений, А В, Новосибирск, июль 1981 г., на 9-м координационном совещании секции «Полупроводниковые гетероструктуры», Тбилиси, октябрь 1982 г., на Ш Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых пунктиром отмечены результаты, достигнутые в рамках настоящей работы. В широкозонных четверных соединениях In^Ga^ASyPj^, изо-решеточных… Читать ещё >

Содержание

  • Глава II. ервая
  • ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ И ГЕТЕРО СТРУКТУРЫ В СИСТЕМАХ Inj^Ga^ И Inj^Ga^A&yPj^ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
    • I. Гетероструятуры на основе соединений к^В^
    • 2. Методы получения и свойства твердых растворов
    • 1. п1-хеахр и ^I-x^^I-y
    • 3. Инжекционные лазеры на основе широко зонных гетероструктур в системе In-Ga-As-P
  • Глава вторая.
  • МЕТОДИКА ЗКСЖЕРИМЕНТОВ
    • I. Исследованные образцы. ?
    • 2. Возбуждение и регистрация спектров .фото- и. электролюминесценции
      • 2. 1. Низкий уровень фотовозбувдения
      • 2. 2. Высокий уровень фотовозбувдения
      • 2. 3. Возбуждение и регистрация спектров электролюминесценции
    • 3. Измерение квантового выхода фотолюминесценции
    • 4. Прочие методики и установки
  • Глава третья.
  • ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ШИРОКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ Inj^Ga^ASyPj^ И СПЕКТРЫ ИХ ЛКШШЭДВДШ
    • I. Общий характер спектров люминесценции и границы необратимых изменений поверхностных условий. ^
    • 2. Коэффициент преломления, спектры поглощения и. лвжинесценщи IiiQ^gGaQ^jE и
      • 2. 1. Спектры люминесценции и. края поглощения
      • 2. 2. Коэффициент преломления
  • Глава. четвертая
  • ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДГ-СТРУКТУР 1Пд, 49®-а0, y^I-y
  • ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ (Е^а< Ноз5<�Е^)
    • I. Исследования внешнего и внутреннего выхода излучат ельной рекомбинации двойных гетероструктур при 300 К)
    • 2. Температурные исследования внутреннего квантового выхода излучения
    • 3. Влияние рекомбинации в эмиттерах на время жизни неравновесных носителей в активной области гетероструктур
  • Глава II. ятая. ВОЗБУЖДЕНИЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ШИРОКОЗОННОМ ЭМИТТЕРЕ ДГ-СТРУКТУРЫ
    • I. Распределение носителей и рекомбинационное излучение в многослойных гетероструктурах
    • 2. Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера.. 1Q
    • 3. Исследование люминесцентных характеристик изо-тишшх InGaAsP/GaAs ДГС при высоких уровнях... оптического возбуждения
  • Глава III. естая
  • ИССЛЕДОВАНИЕ НИЗК0П0Р0Г0ВЫХ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ InGaAs P/GaAS ДГС И ПОЛУЧЕНИЕ НЕПРЕРЫВНОГО РЕЖИМА ГЕНЕРАЦИИ
    • I. Зависимость пороговой плотности тока от параметров
  • ДГС^лазеров.. 11&
    • 2. Анализ физических причин особенностей зависимости In (cLJ для ДГС с, а Е^. — 200 мэВ в области. da? 0,3 месм
    • 3. Получение, непрерывного режима генераций

Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Соединения А^В^ в настоящее вреш являются основным материалом для изготовления полупроводниковых инжекционных источников излучения. Создание гетероструктур на основе этих соединений позволило резко улучшить параметры источников спонтанного излучения (светодиодов), импульсных источников когерентного излучения (импульсных лазеров), а также создать новый класс излучающих приборов — непрерывных инжекционных лазеров, В настоящее время потребности оптоэлектроники в спонтанных и когерентных инжекционных излучателях ИК-диалазона удовлетворяются за счет изготовления приборов на основе гетероструктур в системах InGaAsP/InP (Л = 1,6−1,1 мкм) и A? GaA$/GaAs (Я = 0,9−0,75 мкм). Однако параметры инжекционных гетеролазеров на основе системы AlGaAs резко ухудшаются при переходе к видимой области спек^эа (Л < 0,75 мкм). В то же время для целого ряда областей применения необходимы инжекционные лазеры, надежно работающие в видимом диапазоне излучения. Такие лазеры могли бы найти широкое применение при создании быстродействующих устройств записи и считывания информации (лазерная печать), а также в массовой продукции — в системах записи и воспроизведения звука и изображения.

Для решения указанной задачи уже давно ведутся работы по созданию и исследованию гетероструктур на основе пшрокозонных соеди-3 «5 нений, А В. К таким соединениям, цревде всего, относятся тройные твердые растворы Inj^Ga^P (х? 0,5) и четверные твердые растворы InGaAsP с большим содержанием Ga и Р.

В настоящее время в литературе имеется большое количество работ, посвященных технологии получения гетероструктур на основе широкозонных соединений InGaAsP и созданию на их основе гетеролазеров. В частности, сообщено о получении инжекционных лазеров с рекордно короткими длинами волн на основе этой системы. Однако пороговые плотности токов в лазерах на основе этих гетероструктур как в области рекордных длин волн, так и при больших длинах волн значительно превышали пороговые токи в лазерах на основе AEGaAS и InGaA&p/InP. Это затрудняло создание импульсных инжекционных лазеров с достаточно большим сроком службы и препятствовало изготовлению непрерывных источников излучения, работающих при комнатной температуре. Очевидно, что для выяснения причин высоких значений пороговых токов необходимо было детальное исследование фотои электролюминесцентных свойств гетероструктур в системе широкозонных твердых растворов TnGaAsP. К моменту выполнения данной работы систематическое исследование в этом направлении практически не проводилось. Например, данные о внутреннем квантовом выходе излуча-тельной рекомбинации в таких структурах имеются только в одной работе [54].

Задача данной работы состояла в систематическом исследовании люминесцентных и оптических характеристик широкозонных гетероструктур в системе InGaAsP, а также в создании низкопороговых инжекционных лазеров на их основе.

Диссертация состоит из 6 глав, введения и заключения. В первой главе изложены литературные данные относительно методов получения и люминесцентных свойств исследованных в настоящей работе твердых растворов и светоизлучающих приборов на их основе. Вторая глава посвящена описанию методик исследования, использованных в ходе работы. Содержание третьей главы составляют результаты исследований оптических характеристик твердых растворов IhqgGag ^jP и Inj^Ga^ASyPj^y., а также определение границ возникновения необратимых явлений на поверхности гетероструктур. В четвертой главе приводятся результаты исследований зависимостей внешнего и внутреннего квантового выхода излучения ДГ-структур на основе твердых растворов InGaAsP от температуры и плотности возбуждения. В пятой главе рассматриваются вопросы, связанные с возбуждением неравновесных носителей в ишрокозонном эмиттере ДГС. В шестой главе приводятся результаты исследовании инфекционных лазеров на основе InGaAsP/GaAs ДГС.

Основные научные положения, выносимые на защиту, могут быть сформулированы следующим образом:

1. В широкозонных четверных соединениях In^Ga^ASyPj^, изо-решеточных с GaAs-подложкой (х-0,5+0,5у), с шириной запрещенной зоны в пределах 1,42*1,83 эВ внутренний квантовый выход излучате-льной рекомбинации в диапазоне температур 80−300 К приближается к 90 $, также как это имеет место в случае гетероструктур AEGaAs/GaAS и InGaAsP/lriP.

2. Для локализации неравновесных носителей заряда в активной области Xhq 4gGagjP — InGaAsP — IjiqgGag ^jP ДГС и реализации в них значений90 $ разница Е^ эмиттеров и активной области должна быть не менее 200 мэВ в случае толщины активной области da Ъ 0,5 мкм и не менее 300 мэВ при da ^ 0,2 мкм.

3. На основе InGaA.

Работа выполнена в лаборатории контактных явлений в полупроводниках Физико-технического института игл.А. Ф. Иоффе АН СССР.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на о с.

Всесоюзной конференции по физике соединений, А В, Новосибирск, июль 1981 г., на 9-м координационном совещании секции «Полупроводниковые гетероструктуры», Тбилиси, октябрь 1982 г., на Ш Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых пунктиром отмечены результаты, достигнутые в рамках настоящей работы.

Пороговые характеристики видимых гетеролазеров на основе широкозонных соединений InGaAsP .

Год Авторы Метод выращивания ГФЭ ЖФЭ Подложка Параметры гетеролазеров Литература.

Режим и температура работы 1п, кА/см2 К, нм гей.

До начала выполнения настоящей работы. (I975-I98Q гг.).

1975 Ж. И. Алферов и др. й GaAs импульсный, Т = 77 К 3,2 650- [55].

1975 Ж. И. Алферов и др. й GaAs импульсный, Т = 300 К 15″ 710 [56].

1975 w. R.Hitch.Bns et а1. й GaAsP импульсный, Т = 77 К 9,2 585 [57].

1976 Ж. И. Алферов и др. й tt импульсный, Т = 300 К 17−250 637 [5В].

1976 Ж. И. Алферов и др. й ir импульсный, Т = 77 К 13 575 [59].

1976 J. J. Coteman et it. й tl импульсный, Т = 300 К 20 647 [60].

1976 1.1 Cot&man. et at. й II импульсный, Т = 77 К 3,6 592 [61].

1977 R. Chin et at. й — «- импульсный, Т = 300 К 17,0 665 №.

1977 H. ttiessel et at. й — «— непрерывный, Т = 300 К 3,4. — - - J*].

1978 R. CKiri et at. й «— непрерывный, Т = 77 К 0,6 628 Щ.

В период и после выполнения настоящей работы (1980;1984 гг.).

1981 A. Usui el at. й GaAs непрерывный, Т = 300 К 8−16 765 [86].

1981 S. Mukil etat. й it импульсный, Т = 300 К 150″ ' 704−725 [87].

1982 S. Matsumoto et.at. й — «- непрерывный, Т = 300 К 2,9−10 787 [88].

1982 h. Shlma^o. et. at й GaAsP импульсный, Т = 300 к 60 640 [89].

1982 A. Fajlmoto et.al. й п импульсный, Т = 300 к 119 621 [90] [91].

1983 И. Н. Арсеньев и др. й GaAs импульсный, Т = 300 к 5 729.

1983 S. MuAal" et at. й' GaAs непрерывный Т = 300 к — 6 — 785 [85] [92].

1984 Ж. И. Алферов и др. й GaAs непрерывный^ Т = 300 к 3−4 790.

1984 ер овид2 • -GaAi ищръ сны||, 1 = 300 К 1,3−3,5 729−790. 192.1.

1984 Ж. И. Алферов и др. к GaAsP импульсный, Т = 300 К 1,5−3,2 700−664 [9?! ас).

GaAsP — активная область I ы го I гетероструктурах, Одесса, нюнь 1982 г. и содержатся в следующих работах:

1. Э. В. Тулашвили, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсеньев, В. Б. Халфин. Влияние рекомбинации в эмиттерах на фотолюминесцентные характеристики двойных гетероструктур In 05 CaQ5 РInGaAsP. ФТП, 1982, т.16, в.'9, стр.1615−1619.

2. Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, М. К. Трукан, И. Н. Арсеньев. Влияние рекомбинации в эмиттерах на время жизни неравновесных носителей в активной области ДГ-1п о5 Са0>5 РInGaAsР-структур. ФТП, 1982, т.16, в.9, стр. 1543−1547.

3. Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, В. П. Евтихиев, И. Н. Арсеньев. Оптические характеристики эпитаксиальных слоев In^ Gao5 P. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, в.21, стр. I28I-I285.

4. Д. З. Гарбузов, В. Б. Халфин, Э. В. Тулашвили, И. Н. Арсеньев, Л. С. Вавилова. Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера. ФТП, 1983, т. 17, в.2, стр. 242 246.

5. И. Н. Арсеньев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили. Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAsструктурах (Яген= 729 нм, Т^ 300 К, In > 5*Ю3 А/см2). ФТП, 1983, т.17, в.5, стр.843−846.

6. Ж. И. Алферов, И. Н. Арсеньев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAS ДГ лазеры на область 0,73−0,79 мкм (Т = 300К, In = 3,5−1,3 кА/см2). ФШ, 1984, т.18, в.1, стр. 162−165.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность Ж. И. Алферову за предоставленную возможность выполнения работы в лабораторий контактных явлений в полупроводниках, выразить искреннюю благодарность моему. научному руководителю. Д. З. Гарбузову за непосредственную повседневную помощь в работе.,. Хочу выразить благодарность сотрудникам технологической группыИ.Н.Арсентьеву, Л. С. Вавиловой, Т. Н. Дрокинод, сотрудникам лаборатории В. Б. Халфину, М. К. Трукану, В. Д. Румянцеву, Н. Ю. Давидюку,. В. ПЛалому, В. Г. Агафонову, В. В. Агаеву, В. П. Евтихиеву, А.В.Тику-нову, сотрудникам группы микрозондовых изменений под руководством С. Г. Конникова, всему коллективу лаборатории, деловая атмосфера которого обусловила выполнение данной диссертационной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. C.I.Parmer, Y.C.Kiang. Low-current-density LED-pumped Nd: YAG laser using a solid cylindrical reflector. J.Appl.Phys., 1974, vol.45, No.3, p.1356−1371.
  2. H.Kressel, F.Z.Hawrylo. Red-light-emitting laser diodes operating cw at room temperature. Appl.Ph.ys.Lett., 1976, vol.28, No.10, p.598−600.
  3. B.I.Miller, J.E.Ripper, J.C.Dyment, E. Pinkas, M.B.Panish.Semiconductor lasers operating continiously in the «visible» at room temperature. Appl.Phys.Lett., 1971, vol.18, No.9, p.403−405.
  4. K.Itoh, IvI. Inoue, I.Teramoto. New heteroisolation stripe-geometry visible-light-emitting lasers. IEEE J. Quantum Electron., 1975, vol. QE-11, No.7, p.421−426.
  5. Ж.И.Алферов, В. М. Авдеев, Т. Я. Белоусова, В. И. Бородулин, В.А.Го-рбулев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Е. Л. Портной, Н. ПЛерноусов, И. В. Ящумов. Эффективные шшекционные гетеролазеры, работающие в диапазоне длин волн 7400−9000 &.ФТП, 1972, т.6,в.З, стр.568−569.
  6. M.Ettenberg. Yery low-threshold double-het его junction AlxGa1-xAs injection lasers. Appl.Phys.Lett., 1975, vol.27, No.12, p.652−654.
  7. А.П.Богатов, Л. М. Долгшюв, П. Г. Елисеев, М. ГЛ/мльвидский, В. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко. Излучательные характеристики структур на основе 1пР-1п (5аАзР.ФТП, 1975, т.9,в.10, стр.1956−1962.
  8. J.J.Hsieh. Room-temperature (operation of GalnAsP/XnP double-hetегоstructere diode lasers emitting at 1,1jnm. Appl.Phys. Lett., 1976, vol.28, No.5, p.283−285.
  9. Ж.И.Алферов, А. Т. Гореленок, П. С. Копьев, В.Н. ЭДцивани, В. К. Тиб pi-лов. Низкопороговые лазеры на основе гетероструктур в системе In-Ga-As-P. Письма в №, 1977, т.3,в.22, стр. П69-П71.
  10. Ж.И.Алферов, А. Т. Гореленок, В. И. Колышкин, П. С. Копьев, В.Н.ЭДци-вани, И. С. Тарасов, В. К. Тибилов. Гетеролазеры непрерьшного действия в системе InGaAsP. h3b.AH СССР, 1979, т.43,в.7,с.1448−1450.
  11. A.Onton. Proc. lO^Int.Gonf. on Phys.Semicond., p.107, Cam-brige, Massachusets, 1970.
  12. B.Monemar. Fundamental energy gaps of AlAs and A1P from photo-luminescence excitation spectra. Phys.Rev., 1973, vol, B8,1. No.12, p.5711−5718.
  13. P.J.Dean, G. Caminski, R.B.Zetterstrem. Instrinsic optical absorption of gallium phosphide between 2,33 and 3,12 eV. J.Appl. Phys., 1967, vol.38, No.9, p.3551−3556.
  14. M.R.Lorenz, G.D.Pettit, R.C.Taylor. Band gap of gallium phosphide from 0 to 900 К and light emission from diodes at high temperature. Phys.Rev., 1968, vol.171, No.3, p.876−881.
  15. D.D.Sell, H.G.Casey, Jr. Optical absorption and photolumines-cence studies of thin GaAs layers in GaAs-Al^Ga^xAs double-heterostructures. J.Appl.Phys., 1574, vol.45, No.2, p.800−807.
  16. A.Onton, R.J.Chicotca, Y.Vacoby. Proc. 11 Int.Conf. on Phys.Semicond., p.1023, Warszawa, 1972.
  17. W.J.Turner, W.E.Reese, G.D.Pettit. Exciton absorption and emission in InP. Phys.Rev., 1964, vol.136,No.5A, p. A1467-A1470.
  18. W.P.Dumke, M.R.Lorenz, G.D.Pettit. Intra- and interband free-carrier absorption and the fundamental absorption edge in n-type InP. Phys.Rev., 1970, vol. BI, No.12, p.4668−4673.
  19. A.G.Tompson, J.E.Rowe, M.Rubenstein. Preparation and optical properties of InAs1 PV alloys. J.Appl.phys., 1969, vol.40, Ho.8, p.3280−3288.
  20. M.Ettenberg, R.J.Paff. Thermal expansion of AlAs. J.Appl.Phys., 1970, vol.41, No.10, p.3926−3927.
  21. B.M.Авдеев, Л. М. Долгинов, Д.H.Третьяков. Жидкостная эпитак-сия в технологии полупроводниковых приборов."Сов.рацио", 1975.
  22. M.R.Lorenz, W. Reuter, W.P.Dumke, R, J. Chicotca, G.D.Pettit, J.M.Woodall. Band structure and direct transitions electroluminescence in the In^^Ga^P alloys. Appl.Phys.Lett., 1968, voL13, No.12, p.421−423.
  23. Y.Okuno, K. Sato, J.Nishizava. Growth of crystalls from solution. Jap.J.Appl.Phys., 1371, vol.10, No.3,p.388.
  24. R.D.Burnham, N. Holonyak, Jr., D.L.Keune, D.R.Scifres, P.D. Dapkus. Stimulated emission in In1 Ga P. Appl.Phys.Lett., 1. шл Л1970, vol.17, No.10, p.430−432.
  25. A.Laugier, J.Ghevallier. Solution growth of homogeneous
  26. Ga In- P alloys. Phys.Stat.Sol. (a), 1971, vol.7, No.2, p. i «¦л427.430.
  27. H.Itoh, K. Hara, A. Tanaka, T.Sukegava. Reproducible preparation of homogeneous In- vGaP mixed crystalls. Appl.Phys.Lett., 1. Л1971, vol.19, No.9, p.348−349.
  28. H.M.Macksey, N. Holonyak, Jr., D.R.Scefres, R.D.Dupuis, G.W.
  29. Zack. P-n junction lasers, Appl.Phys.Lett., 1971, vol.19, No.8, p.271−273.
  30. A.G.Sigai, C.J.Nuese, R.E.Enstrom, T.Zamerowski. Vapor gtowth of In- „GaP for p-n junction electroluminescence. 1. Material1.""X 2prepaartion. J.Electrochem.Soc., 1973, vol.120, Wo.7, p.947−955.
  31. C.J.ITuese, A.G.Sigai, M.S.Abrachams, J.J.Cannon. Vapor growth of In- Ga P for p-n junction electroluminescence. II. Luminescence characteristics. J.Electrochem.Soc., 1973, vol.120, No.7, p.956−965.
  32. B.W.Hakki, A. Jayaraman, C.K.Kim. Band structure of InGaP from pressure experiments. J.Appl.Phys., 1970, vol.41, Ко.13, p. 5291−5296.
  33. S.Isozumi, Y. Komatsu, T. Kotani, O.Ryusan. Liquid phase epitaxial growth of In- Ga P. Jap.J.Appl.Phys., 1973, vol.12,1.л1. Ко.2, p.306−307.
  34. G, B, Stringfellow. The importance of lattice mismatch in the growth of Ga^n-j.xP epitaxial crystalls. J.Appl.Phys., 1972, vol.43, No.8, p.3455−3460.
  35. Ж.И.Алферов, Д. З. Гарбузов, С. Г. Конников, Д. С. Копьев, В. А, Мишурный, В. Д. Румянцев, Д. Н. Третьяков. Фотолюминесценция эпита-ксиальных слоев твердых растворов GaxInjxP в диапазоне составов 0,3 < х < I. ФТП, 1973, т.7, в. З, стр.624−627.
  36. Ж.И.Алферов, Д. З. Гарбузов, В.А.-Мишурный, В. Д. Румянцев, Д. Н. Третьяков. Люминесцентные свойства твердых растворов СаДп^Р при 0,45< х< 0,50. ФТП, 1973, т.7,в.12,стр.2305−2311,
  37. А.В.Абпамов, И. Н. Арсентьев, В. А. Мишурный, В. Д. Румянцев, Д. Н. Третьяков. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов-расплавов твердых растворов GaKInI-xP* Письма в 1976″ т.2, в.5, стр.204−207.- 149
  38. В. Д. Румянцев. Исследование фото- и электролюминесцентных свойств эпитаксиальных гетероструктур на основе твердых растворов в системах Al-Ga-As и Ga-In-As-P. Кандидатская диссертация. Ленинград, 1976.
  39. R.J.Nelson, N. Holonyak, Jr. Exciton absorption, photolumines-cence and band structure of n-free and n-doped In^^Ga^P.
  40. J.Phys.Chem.Solids, 1976, vol.37, No.6, p.629−637.
  41. A.Onton, M.R.Lorentz, W.Reuter. Electronic structure and luminescence processes in Ga^s alloys. J.Appl.Phys., 1971, vol.42, No.9, p.3420−3432.
  42. Ж.И.Алферов. Сб.докл."Полупроводниковые приборы и их применение“, т.25, стр.204−224."Сов.радио», Москва, 1971.
  43. S.Adachi. Material paramefers of In1-xGa3ASyP1and related binaries. J.Appl.Phys., 1982, vol.53, No.12,p.8775−8792.
  44. A.Suzuki, H. Kyuragi, H. Matsunami, S.Matsumura. Lattice-matched LPE growth of In^Ga^As^P., on (100) GaAs substrates. Jap.J.Appl.Phys., 1980, vol.19,No.4,p.L207-L210.
  45. A.Suzuki, H. Kyuragi, S. Matsumura, H.Matsunami. LPE growth and photoluminescence of In^^Ga^P^yAs on GaAs. Jap.J. Appl.Phys., 1981, vol.20, Suppl.20−1, p.211−214.
  46. S.Mukai, M. Matsuzaki, J.Shimada. LPE growth of InixGax
  47. P., As (z?0.01) on (100) GaAs substrates and its lattice 1-z zconstants and photoluminescence. Jap.J.Appl.Phys., 1981, vol.20, No.2, p.321−327.
  48. А.Онтон, Р.Дж.Чикотка. Люминесцентное исследование структуры электронных зон в In^Ga^.уР. Изв. АН СССР, сер. шизичес-кая, J973, т. ХХХУП, стр.560−565.
  49. R.L.Moon, G.A.Antypas, L.W.James. Band gap and lattice constants of GalnAsP as a function of alloy composition. J. Electronic Mater., 1974, vol.3, No.3, p.635−638.
  50. Х.Кейси, М.Паниш. Лазеры на гетеростру1стурах. «Мир», Москва, 1981.
  51. В.Б.Халфин, Д. З. Гарбузов, Н.ДДавидюк. Многопроходные гетероструктуры. I. Спектральные и угловые характеристики излучения. ФТП, 1976, т.10, в.8, стр.1490−1496.
  52. Ж.И.Алферов, В. Г. Агафоноф, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, В. Р. Ларионов, В. Б. Халфин. Многопроходные гетероструктуры. П. Внешний квантовый выход излучения. ФТП, 1976, т.10, в.8, стр. 1.97−1506.
  53. Ж.И.Алферов, В. М. Андреев, Д. З. Гарбузов, В. Д. Румянцев. 100%-й внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в трехслойных гетеросветодиодах на основе № As-GaAs. ®-ТП, 1975,1. Т.9, в. З, стр.462−469.
  54. Д.З.Гарбузов, А. Т. Гореленок, В.Н.ВДцивани, М. К. Труха, В. П. Чалый, В. В. Агаев. Времена жизни неравновесных носителей и эффекты переизлучения в 1п0аА$Р-гетероструктурах. ФТП, 1981, т. 15, в.2, стр.379−384.
  55. В.В.Агаев, Д. З. Гарбузов, А. Т. Гореленок, В. Н. Мцивани, В.П.Ча-лый. Двойные гетероструктуры IiiP-InGaAsP С 7L =1,3 мкм) с внешним квантовым выходом люминесценции ^ 40% (300 К). ФТП, 1981, т.15, в. II, стр.2282−2285.
  56. И.Н.Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. Д. Румянцев. Внутренний квантовый выход излучательной реокмбинации (р-) в гетероструктурах на основ’е широкозонных твердых растворов GalnAsP. Тез.докл.
  57. П Всесоюз.конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах.- «Ылым», Ашхабад, 1978, т. П, стр.107−109.
  58. Ж.й.Алферов, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, С. Г. Конников, В. Д. Румшщев. Генерация когерентного излучения в гетероструктурах
  59. PGaO, 5InO, 5p-PGax 0,551п1-х^у ОдЛ-у"*^1^' Писыла- 151 в Ш>, 1975, t. I, в.7, стр.305−310.
  60. К.И.Алферов, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. Д. Рут, ганцев. Красные инжекщ-юныые гетеролазеры в системе Ga-In-As-P. Письма в Ш, 1975, т.1, в.9, стр.406−408.
  61. W.R.Hitchens, N. Holonyak, Jr., P.D.Wright, J.J.Coleman. Low-threshold LPE In1-X/ Gax/ P1-z, Asz, /In^Ga^P^As1., / Ga"/ P., As", yellow double-hetero junction laser diodes1.—л X I — Z 2
  62. ЮО4А/cm2,/1^5850 й, 77 К) .Appl.Phys.Lett., 1975, v.27,р.245.
  63. Ж.И.Алферов, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. Д. Румянцев, В. П. Улин. Инфекционный гетеролазер на основе системы Ga-In-As-P, работающий при 300 К на длине волны 637 нм. Пивьма в ЖТФ, 1976, т.2, в.6, стр.241−244.
  64. Ж.И.Алферов, И. И. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. Д. Румянцев, В. П. Улин. 0 предельных значениях энергий генерации шшекционных Ga-In-As-P гетеролазеров, работающих в желто-зеленой области спектра при 77 К. Письма в 2Ш, 1976, т.2, в. II, стр.481−483.
  65. J.J.Coleman, N. Holonyak, Jr., M.J.Ludowise, P.D.Wright. Yellow In- ,.Ga P- «As, double-hetегоjunction lasers. J.Appl.1.Л I»" z z
  66. Phys., 1976, vol.47, No.5, p.2015−2019.
  67. R.Chin, N. Holonyak, Jr., H. Shichijo, W.0.Groves, D.L.Keune, J.A.Rossi. GaAs-|yP het его junction lasers. J.Appl.Phys., 1977, vol.48, No.9, p.3991
  68. H.Kressel, G.H.Olsen, C.J.Nuese. Visible GaAsn 7Pn ^ сw heu, { и, jterojunction lasers. Appl.Phys.Lett., 1977, vol.30, No.5, p. 249−251.
  69. R.Chin, H. Shichijo, N. Holonyak, Jr., J.A.Rossi, D.L.Keune, D.Pirm. Continious operation of visible-spectrum Iny. xGazP|.2As2 laser diodes (6280 S, 77 K). IEEE J. Quantum Electron., 1978, vol. QE-14, No.10, p.711−713.
  70. A.R.Goodwin, J.R.Peters, M. Pion, G.H.B.Tompson, J.E.A.White-away. Threshold temperature characteristics of double hetero-structure Ga^^Al^As lasers. J.Appl.Phys., 1975, vol.46, No.7, p.3126−3131.
  71. H.Kressel, M.Ettenberg. Low-threshold double hetегоjunction AlGaAs/GaAs laser diodes: Theory and experiments. J.Appl. Phys., 1976, vol.47, No.8, p.3533−3537.
  72. Д.З.Гарбузов, В. П. Чалый, В. А. Мишурный, Д. Следов, В. В. Агаев, В. П. Евтихиев. Температурные зависимости порогов генерации ДГ-InGaAs Р-1пР-лазвров (/1=1,55 мкм) при оптическом и токовом возбуждении. ФТД, 1982, т.16, в.5, стр.848−851.
  73. Д.З.Гарбузов, В. П. Чалый, А. Т. Гореленок, В. В. Агаев, В.Н.ЭДци-вани. Влияние эффектов переизлучения на пороговые характеристики ДГ-InGaAsР-1пР-лазеров при оптическом возбуждении. ФТП, 1982, т.16, в.5, стр.844−847.
  74. S.Yamakoshi, T. Sanda, O. Wada, J. Umebi, T.Sakurai. Direct observation of electron leakage in InGaAsP/InP double hetero-structures. Appl.Phys.Lett., 1980, vol.40, No.2, p.144−146.
  75. M.Yano, H. Nishi, M.Takusagawa. Temperature characteristics of threshold in InGaAsP/InP double heterostructure lasers. J.Appl.Phys., 1980, vol.51, N0.8, p.4022−4028.
  76. М.В.Белоконь, А. Н. Рубинов. Приставка преобразователь на растворах органических красителей к серийному лазеру на азоте ЛГИ-21. ПТЭ, 1973, в.5, стр.191−192.
  77. T.Fukui, Y.Horikoshi. Optically induced low photоluminescence regions in InGaAsP. Jap.J.Appl.Phys., 1979, vol.18, No.1,p.127−132.
  78. H.C.Casey, D.D.Sell, K.W.V/echt. Concentration dependence of the absorption coefficient for n- and p-type GaAs between 1,3 and 1,5 eV. J.Appl.Phys., 1975, vol.46, No.1, p.250−257.
  79. T.Mocc, Г. Еаррел, Б.Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника. «Мир», Москва, 1976.
  80. С.Д.Барановский, А. Л. Эфрос. Размытие краев зон в твердых растворах. ФТП, 1978, т.12, в. II, стр.2233−2237.
  81. M.A.Afromowitz. Refractive index of Ga^^Al^As. Solid State Comm., 1974, vol.15, No.1, p.59−63.
  82. А.Н.Пихтин, А. Д. Яськов. Дисперсия коэффициента преломления света в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки. ФШ, 1978, т.12, в.6, стр.1047−1053.
  83. S.H.Wemple, М.Jr.DiDominico. Behaviour of the electronic dielectric constant in covalent and ionic materials. Phys.Rev., 1973, vol. B3, p.1338−1351.
  84. S.H.Wemple, J.D.Gabbe, G.D.Boyd, to be published.
  85. А.Н.Пихтин. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах (обзор). ФТДД977, т. II, в. З, стр.425−455.
  86. Д.З.Гарбузов, А. Н. Ермакова, Б. Д. Румянцев, М. К. Трукан, В.Б.Хал-фин. Многопроходные гетероструктуры. Ш. Эффективное время жизни неравновесных носителей. ФТП, 1977, т. II, в.4, стр. 717 725.
  87. Дж.Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. «Мир», MocicBa, 1964.
  88. Ж.И.Алферов, В. М. Андреев Д.З.Гарбузов, М. К. Трукан. Эффективная инжекционная люминесценция электронно-дырочной плазмы в структурах с двумя гетеропереходами. £ТП, 1974, т.8, в. З, стр.561−565.
  89. В.П.Ёвтихиев, Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, В. Б. Халфин, В, П.Чалый.
  90. Форма краевой полосы в InGaAsP/lnP ДГС (Л=1,3 мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения. ФТП, 1983, т.17, в.9, стр. 1652−1655.
  91. S.Mukai, H. Yajima, Y. Mitsuhashi, J. Shimada, N.Kutsuwada. Continuously operated visible-light-emitting lasers using liquid-phase-epitaxial InGaAsP grown on GaAs substrates. Appl.Phys. Lett., 1983, vol.43, No.1, p.24−26.
  92. A.Usui, Y. Matsuraoto, T. Inoshita, T. Mizutani, H.Yfatanabe. Proc. of the 1981 Int.Symp. on GaAs and Related Compounds, Oiso, 1981,(Institute of Physics, Bristol, 1982), p.137.
  93. S.Mukai, H. Yajima, J. Shimada, Fabrication and visible-light-emission characteristics of room-temperature-operated InGaAsP DH diode lasers grown on GaAs substrates. Jap.J.Appl.Phys., 1981, vol.20, No.10, p. L729-L732.
  94. S.Matsumoto, K. Endo, A. Usui, Y.Puruse. Presented at the Pall Mtg.Japan.Soc.Appl.Phys.(1982), 30p-B-2.
  95. M.Shimura, A. Fujimoto, H. Yashida, S.Yamashita. LPE growth and pulsed room-temperature laser operation of In1xGa3tAszP1z on (100) GaAs., yPy (y^O, 39). Jap.J.Appl. Phys., 1982, vol.21, No.6, p. L338-L340.
  96. A.Pujimoto, H. Yashida, M. Shimura, S.Yamashita. Very short wave length (621,4 nm) room-temperature pulsed operation of InGaAsP lasers. Jap.J.Appl.Phys., 1982, vol.21, No.8, p. L488-L490.
  97. И.Н.Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили. Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (Аген =729 нм, Т>, 300 К, 5. I03 А/см2). ФТП, 1983, т.17, в.5, стр.843−846.
  98. Ж.И.Алферов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные
Заполнить форму текущей работой

На отлично!