Оптические свойства монокристаллов теллурида цинка, легированных примесями переходных элементов группы железа

Актуальность работы. Спектроскопия кристаллов, содержащих ионы группы железа и редкоземельные ионы, является важной областью физики твердого тела. Исследуемые в работе примеси создают в кристаллах, как правило, сильнолокализованные состояния. Вследствие этого электронная структура кристалла с примесью непосредственно связана со структурой изолированного иона. Эта особенность позволяет использовать примесь как своего рода зонд по изучению примесных систем. Легирование кристаллов примесями переходных элементов позволяет, с одной стороны, изучать кристаллы и их влияние на примесные ионы и, с другой стороны, исследовать воздействие примесей на свойства полупроводникового материала.

Следует отметить, что изучаемые спектры примесных ионов в высокосимметричных состояниях коренным образом отличаются от спектров примесей, входящих в состав кластеров из примесей и дефектов или дислокаций. Это обстоятельство позволяет раздельно изучать примеси замещения в различных зарядовых состояниях и их ассоциации с другими дефектами решетки.

Соединение 7иТе находит широкое применение в оптои акус-тоэлектронике. На основе этого полупроводника создаются излучающие и фотоприемные устройства оптического диапазона. Эффективная люминесценция j? nle позволяет создавать когерентные и некогерентные источники света [l.39]. Известно, что Зе/-примеси в соединениях AgBg служат, как правило, гасителями краевого излучения. Однако внутрицентровая люминесценция, появляющаяся взамен краевой, может быть использована в некоторых соединениях для создания перестраиваемых лазеров ближнего ИК диапазона [2.45].

Кристаллы используются для создания высокоскоростных.

Действие этих фильтров основано на насыщении под действием мощного излучения поглощения электронных переходов с участием мелких примесных уровней. Переход на глубокие примесные уровни в перспективе позволит существенным образом расширить спектральную область за счет выбора соответствующей примеси.

Кристаллы, используемые в акустоэлектронике и подверженные воздействию интенсивного ультразвука, способны излучать свет практически не изучено.

Недостаточная изученность изменения оптических свойств перспективного полупроводника 5V"Tr прИ введении примесей первой переходной группы обуславливает актуальность настоящей работы.

Цель работы. Основной целью настоящего исследования является:

1. Экспериментально исследовать энергетическое расположение уровней примесей С%, Мп, Со и V/ по отношению к зонной структуре соединения? и~Те. .

2. Исследовать особенности проявления электронно-колебательного взаимодействия в кристаллах гГлТё t легированных элементами группы железа, а также влияние примесей на колебательный спектр кристаллов.

3. Получить информацию о влиянии изучаемых примесей на экситонные состояния в соединении .

4. Изучить проявление акустолюминесценции в кристаллах просветляющихся фильтров, работающих в области.

Влияние на этот процесс примесей, особенно глубоких, lyiTe.

Научная новизна диссертации состоит в следующем: I. В работе показано, что фотоионизационное поглощение света определяется переходами с основного уровня примеси в зону проводимости.

2. Определено оптическое положение уровней Со, /V/, Л? л, Съ и $с по отношению к энергетическим зонам кристаллов? и1е.

3. Изучено влияние матрицы AgBg, где Ag = cd — Bg =^, , Те, на глубину залегания основного уровня примеси. Показано, что положение примесного уровня переходного элемен.

9, та в зарядовом состоянии Me относительно зоны проводимости определяется примесью, ближайшим окружением атомами У1 группы и их геометрическими размерами.

4. Экспериментально показано увеличение электрон-фононно-го взаимодействия в ТлТе при введении переходных элементов, что приводит к сглаживанию тонкой структуры в кристаллах ?*Те:Со по сравнению с Cclle’Co.

5. Впервые исследована акустолюминесценция кубических кристаллов соединения AgBg — 7"Те, нелегированных и легированных марганцем.

Практическое значение. Полученные в работе результаты могут быть использованы для развития теории глубоких примесных состояний и описания спектров оптических переходов с изменением зарядового состояния примеси, а также при исследовании оптических свойств соединений A^Bq, легированных элементами группы железа.

На основании изученного можно увеличивать поглощение кристаллов 7пТе в той или иной спектральной области введением примеси, что может быть полезно, например, для нужд нелинейной оптики.

Изучение широкой бесструктурной внутрицентровой люминесценции рассматриваемых примесей интересно с точки зрения создания перестраиваемых лазеров, особенно в ИК области.

Перспективным является и возможность управлять экситонными свойствами кристаллов с помощью легирования примесями.

Результаты настоящей работы позволяют также выбрать полупроводниковый материал группы AgBg, в котором глубина залегания уровня близка к заданной.

Общая методика исследований. Исследование выращенных кристаллов проводилось по известным методикам. Спектры поглощения, люминесценции и отражения изучались с использованием фотоэлектрической системы регистрации. Изучались также электропроводность, акусто-, электрои термолюминесценция. Основные защищаемые положения:

— предложена схема уровней примесей переходных элементов С г, Mn «Со и в соединениях A^Bg ;

— определены зарядовое состояние изученных примесей, вид переходов с изменением зарядового состояния примесей и соответствующие глубины залегания примесных уровней в Zrile;

— изучены особенности проявления электронно-колебательного и электрон-дырочного взаимодействий в легированном Z/i7e ;

— определено влияние примесей на излучательную рекомбинацию в кристаллах ZnTe при различных видах воздействий.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на научных семинарах и научных конференциях аспирантов и молодых ученых Киевского государственного педагогического института им. А. М. Горького (I982-I9S3 г. г.), на научных семинарах Института физики АН УССР (1982;1983 г. r.j, на научной конференции преподавателей Винницкого политехнического института (l984 r. j, на 19 Всесоюзном съезде по спектроскопии f г. Томск, июль 1983 r. j, на У Всесоюзном совещании по физике и техническому применению полупроводников дПв" (г. Вильнюс, декабрь 1983 г.), на I конференции молодых ученых Львовского политехнического института (1983 г.).

Публикации. По результатам исследований опубликовано 7 научных работ [3.1−4,6−8] .

Диссертация содержит пять глав, выводы и список использованной литературы.

1.1. Андреев А. А., Борисенко Н. Д., Коджеспиров Ф. Ф. Спектр поглощения? п Sx. — JL прикл. спектр., 1976, 24, P1. с. 155−157.

2. Андроник И. К., Вавилов B.C., Заставнецкий М. В., Миха-лаш П.Г., Чукичев М. В. Краевая люминесценция кристаллов 2/jТе при электронном возбуждении. ФТП, 1979, 13, W- 10, с. 1966;1970.

3. Анисимов В. И., Губанов В. А., Курмаев 3.3. Электронная структура моносульфидов переходных металлов и интерпретация их рентгеновских эмиссионных спектров на основе МО ЛКАО кластерных расчетов. Ж. структ. химии, 1980, 21, № 3, с. 46−56.

4. Аширов Т. К., Гуткин А. А., Кумеков С. Е., Седов В. Е., Спектры фотоионизации глубокого примесного центра в условиях слабого электрон-фононного взаимодействия при низких температурах ФТП, 1978, 12, № 9, с. 1750−1754.

5. Бабий П. И. Влияние примесей группы железа на оптические и магнитные свойства теллурида кадмия: Дисс.. канд. физ. мат. наук. — Черновцы, 1983. — 201 с.

6. Бабий П. И., Букивский П. Н., Гавалешко Н. П., Гнатенко Ю. П. Проявление динамического эффекта Яна-Теллера в кристаллахUTeСо. Киев, 1982. — 25 с. Препринт/Ш АН УССРW- 21 .

7. Барановский С. Д., Эфрос А. Л. Размытие краев зон в твердых растворах. ФТП, 1978, 12, W II, с. 2233−2237.

8. Баранский П. И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника: Свойства материалов. Справочник. — К.: Наукова думка, 1975. — 704 с.

9. Берсукер И. Б., Полингер В. З. Вибронные взаимоцействия в молекулах и 1фисталлах. М.: Наука, 1983. — 336 с.

10. Блашкив B.C. Особенности люминесценции теллурица цика в видимой и ближней ИК областях спектра: Дис.. канд. физ. мат. наук. — Киев, 1976. — 136 /8/ с.

11. Блашкив B.C., Гоменгак А. Ф. Термолюминесценция теллурида цинка. ФТП, 1976, 10, в.2, с.275−279.

12. Боборыкина Е. Н., 1уткин А.А., Матвеев Б. А., Седов В. Е. Электрон-фотонное взаимодействие при оптических переходах глубокий примесный уровень разрешенные зоны в ар-сени де галия, легированном медью. — ФТП, 1978, 12, 7, с.1298−1303.

13. Бокша О. Н., Грутл-Гржимайло С. В. Исследование оптических спектров кристаллов с ионами группы железа при комнатной и низких температурах. М.: Наука, 1972. — 99 с.

14. Боровков О. В., Островский И. В., Хотяинцева Г. Ю. Свечение системы пьезоэлектрик-газ, возбуждаемое акустической волной. Письма в ЖТФ, 1983, 9, в. 9, с.558−560.

15. Вайслейб А. В., Олейников В. П., Розенфельц Ю. Б. Электрон-фононные состояния в кристаллах с Ян-Теллеровскими примесями. ФТТ, 1982, 24, в.4, с.1074−1080.

16. Вакуленко О. В., Горин С. Н., 1усева О. А. Спектр фотоионизации акцепторов в s±g . ФТП, 1980, 14, $ 8, с.1568−1572..

17. Верещагин И. К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974, — 279 с..

18. Верлан В. И. Влияние легирования и компенсации примесями первой и второй групп на физические свойства теллурида цинка: Автореф. дис.. канд.физ.-мат.наук. Кишинев, 1977. — 16 с.- 129.

19. Вертхейм Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечных дефектов. М.: Атомиздат, 1977. — 206 с..

20. Верцимаха Я. И., Гнатенко Ю. П., Рожко А. Х. Оптическое поглощение кристаллов CdS с примесью Hi. ФТТ, 1974, 16, в. II, с. 3456−3460..

21. Верцимаха Я. И., Курик М. В., Рожко О. Х. 0собливост1 елек-тронних переход1 В дом1шка зона в кристаллах CdSiHi УФЖ, 1976, 21, № 10, I74I-I743..

22. Вехтер Б. Г. Факторы вибронной редукции для спин-орбитальных компонент ян-теллеровеких центров. ФТТ, 1983, 25, в.5, с. 1537−1539..

23. Вул Б. М., Иванов B.C., Рукавишников В. А., Сальман В. М., Чапнин В. А. Свойства CdTe, легированного Fe. фТП, 1972, 6, в. 7, с. 1264−1267.ТТ УТ.

24. Георгобиани А. Н. Широкозонные полупроводники, А В и перспективы их применения. УФН, 1974, ИЗ, в.1, с. 129 155..

25. Георгобиани А. Н., Тодуа П. А. Доменная электролюминесценция сульфида цинка. Тр. ФИАН, 1977, 97, с. 22−40..

26. Гнатенко Ю. П., Курик М. В., Рожко А. Х. Спектры экситонного отражения кристаллов CdS, активированных примесью Hi «ФТТ, 1977, 19, № II, с. 3458−3461..

27. Гнатенко Ю. П., Рожко А. Х. Структура бесфононной линии ян-теллеровской системы при слабой вибронной связи с псевдолокальными колебаниями.- Письма в ЖЭТФ, 1976, 24, № 3, с. 125−128..

28. Гнатенко Ю. П., Рожко А. Х. Структура спектра поглощения кристаллов CdS, активированных Со2+, при низких темп ратурах. Опт. и спектр., 1977, 42, в.6, с. 1202- 1204..

29. Горн И. А., Черный В. Д., Зиборов А. И. Исследование ионовСг+ и в селениде цинка методами фото ЭПР, фотопроводимости и фотолюминесценции. Тр. Моск. энергет. ин-та, 1982, № 563, с. 19−24..

30. Дубенский К. К., Рыскин А. И., Хилько Г. И. Расщепление линии поглощения 4274 см" «*иона Ui2+ в монокристаллах ZnS и эффект Яна-Теллера. ФТТ, 1967, 9, № 7, с. 1974;1982..

31. Еремин М. В. Межконфигурационные переходы в примесных центрах кристаллов. В кн.: Спектроскопия кристаллов. Л.: Наука, 1978, с. 39−45..

32. Ермаков Е. Н., Ницович В. В., Ницович Б. М. Поглощение и рассеяние экситонов и цримесных кристаллах. Киев, 1982. -19 с. — /Препринт/ ИФ АН УССР: № 7/..

33. Ильин Н. П., Мастеров В. Ф. Электронная структура глубоких центров в арсениде галлия, легированном переходными элементами группы железа. ФТП, 1977, II, в. 8, с. 1470−1477..

34. Казанский G.A., Рыскин А. И. Хранение, обработка и воспроизведение информации с помощью кристаллов, активированных парамагнитными ионами. В сб.: Оптическая и электрооптическая обработка информации. М.: Наука, 1974, с. 104−107..

35. Кикоин К. А., Соколов В. И., Флеров В. Н., Чернаев В. В. «Акцепторные» и «донорные» экситоны, связанные с примесями переходных металлов в полупроводниках A2Bg ЖЭТФ, 1982, 83, в. 6 /12/, с. 2335−2347..

36. Кикоин К. А., Соколов В. И., Суркова Т. П., Флеров В. Н., Черняев В. В. Амфотерный захват экситонов примесями 3dэлементов в полупроводниках а2в6. В кн.: Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников: Тез. докл. Баку, 1982, т. II, с. 227−228..

37. Коваленко А. В., Кушнир А. С., Омельченко G.A., Штамбур И. В., Якунин А. Я. Расчет кинетик люминесценции, цроводи-мости и концентрации парамагнитных центров в монокристаллах А1¹ на ЭЦВМ. Изв. АН СССР, сер. физ., 1976, 40, № 9, с. I8I7-I820..

38. Колчанова Н. М., Логинова И. Д., Яссиевич И. Н. Фотоионизация глубоких hцентров в полупроводниках. ФТТ, 25, в. 6, с. 1650−1659..

39. Кононенко В. А., Тупеневич П. А. Инжекционная люминесценция и электрические свойства структур на ZnTe. Минск, 1975. — 62 с. — /Препринт/ ИФ АН БССР /..

40. Копылов А. А., Пихтин А. Н. Влияние температуры на спектры оптического поглощения глубокими центрами в полупроводниках. ФТТ, 1974, 16, № 7, с. 1837−1843..

41. Копылов А. А., Пихтин А. Н. Об определении энергии ионизации глубоких центров в полупроводниках по спектрам оптического поглощения. ФПТ, 1976, 10, № I, с. 15−19..

42. Копылов А. А., Пихтин А. Н. Форма спектров поглощения и люминесценции на глубоких центрах в полупроводниках. (Кислород в GaP), ФПТ, 1974, 8, № 12, с. 2398−2404..

43. Крамарь В. М., Личук М. В., Мельничук С. В. Магнитная восприимчивость CdTe, легированного цримесями группы Ре. УФЖ, 1981, 25, № II, с. 1863−1868..

44. Курик М. В., Рожко А. Х. Краевая фотои ультразвуковая люминесценция селенида кадмия.- ФТП, 1980, 14, № II, с.2281−2283..

45. Лансберг Г. С. Оптика. Изд. 5-е, перераб. и доп. Учебное пособ. для вузов. М.: Наука, 1976, 926 с..

46. Личук М. В., Товстюк Н. К., Мельничук С. В. Исследование состояний примесей 3 d группы железа в полупроводниках кубической симметрии. Киев, 1981, — 22 с. — Препринт/ Ин-т теор. физ.- № 5 ..

47. Личук М. В., Крамарь В. М., Мельничук С. В. Исследование формы полосы поглощения внутрицентрового перехода BZnTe: Со Черновцы, 1982. — 4 с. — Труды ХУ Всесоюзного семинара «Экситоны в кристаллах». Деп. в ВИНИТИ 1982 г., № 3235 -82..

48. Лукашевич П. Г. Рекомбинационное излучение в теллуриде цинка вблизи края собственного поглощения: Дис. .канд. физ. мат. наук. — Минск, 1983. — 155 с..

49. Мастеров В. Ф., Саморуков Б. Е. Глубокие центры в соединениях АШВУ. Ш, 1978, 12, в.4, с. 625−652..

50. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.-М.: Мир, 1977. 562 б.с..

51. Натадзе Л. Д., Рыскин А. И. Проявление электронно-колебательного взаимодействия в спектрах поглощения и люминесТТ VIценции кристаллов, А В, легированных ионами переходных металлов. Изв. АН СССР, сер. физ., 1976, 40, № 9, с. 1846−1850..

52. Нокс Р., Голд А. Симметрия в твердом теле. М.: Наука, 1970. — 424 с..

53. Омельяновский Э. М., Фистуль В. И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М.: Металлургия, 1983.-192с..

54. Островский И. В., Лысенко В. Н., Хотяинцева Г. Ю. Акустоин-жекционная люминесценция на границе металл-полупроводник.- 133 В кн. Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников: Тез. докл. Баку, 1982, т. II, с. 259−260..

55. Островский И. В. Акустолюминесценция кристаллов. В кн.: Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников: Тез. докл. Баку, 1982, т. II, с. 256..

56. Островский И. В., Коротченков О. А. Акустолюминесценция щелочногалоидных кристаллов. УФЖ, 1981, 26, № 10, с. 1747−1749..

57. Островский И. В., Коротченков О. А. Акустопроводимость кристаллов ZnS. ФТТ, 1983, 25, № I, с. 259−261..

58. Островский И. В., Половина А. И. Акустоэлектрическая ин-жекция в пьезоэлектрических резонаторах CdS. УФЖ, 1983, 28, № 7, с. II09-III0..

59. Островский И. В., Рожко А. Х. Влияние УЗ-волн Лэмба на экситонные спектры в CdS. УФЖ, 1979, 24, № 9, с. 1404−1405..

60. Островский И. В., Рожко А. Х., Лысенко В. Н. Возбуждение зеленого краевого излучения CdS ультразвуковой волной Лэмба. УФЖ, 1979, 24, № 8, с. 1234−1235..

61. Островский И. В., Лысенко В. Н. Генерация ультразвуком точечных дефектов в CdS. ФТТ, 1982, 24, в 4, с.1206−1208..

62. Островский И. В., Рожко А. Х., Лысенко В. Н. Ионизация ультразвуком локальных состояний с CdS. ФТТ, 1981, 23, в. 5, с. I548−1550..

63. Островский И. В. Собственно-дефектный механизм акустолю-минесценции кристаллов. Письма в ЖЭТФ, 1981, 34, № 8, с. 467−471..

64. Островский И. В., Рожко А. Х., Лысенко В. Н. ХХУП Совещание по люминесценции. Эзерниеки, 1980. 185. 134.

65. Островский И. В., Коротченков О. А. Спектры акустолюми-несценции каС1 и КС1. ЖОС, 1982, 53, № 3, с. 387−389..

66. Островский И. В., Рожко А. Х., Лысенко В. Н. Тонкая структура ультразвуковой люминесценции. ФТП, 1981, 15, № 3, с. 618−620..

67. Островский И. В., Рожко А. Х., Лысенко В. Н. Ультразвуковая люминесценция монокристаллов CdS. Письма в ЖТФ, 1979, 5,№ 15. с. 910−913..

68. Островский И. В., Лысенко В. Н. Частотные характеристики ультразвуковой люминесценции резонаторов CdS ФТП, 1981, 15, в.9, с. I8I4-I8I7..

69. Перель В. И., Яссиевич И. Н. Модель глубокого примесного центра в двухзонном приближении. В кн.: Вопросы физики полупроводников. Материалы для полупроводниковой электроники.: Материалы X Зимней школы по физике полупроводников. Л., 1982, с. 4 -25..

70. Перель В. И., Яссиевич И. Н. Модель глубокого примесного центра в полупроводниках в двухзонном приближении. -ЖЭТФ, 1982, 82, № I, с. 237−248..

71. Плюхин А. Г., Суслина Л. Г. Роль флуктуаций концентрации в экситонной спектроскопии твердых растворов полупроводников. ФТТ, 1982, 24″ № с. 2738−2746..

72. Потыкевич И. В., Скицко И. Ф., Иванчук Р. Д., Мищенко Л. А. Особенности влияния примесей Мп, Ре и Со на экситон-ные и магнитные свойства ZnTe. УФЖ, 1982, 27, № II, с. 1732−1733..

73. Потыкевич И. В., Курик М. В., Скицко И. Ф. Экситонные спектры отражения ZnTe, легированного Сг, Мп, Ре ФТТ, 1979, 21, № 2, с. 590−592. 135.

74. Процюк JI.П., Рожко О. Х. Люм1несценц1я кристалл1 В CdS, легованих Ып та Со. УФЖ, 1976, 21, № II, с. 1849−1852..

75. Радауцан С. И., Цуркан А. Е. Теллурид цинка. Кишинев: Штиинца, 1972. — 204 с..

76. Рожко А. Х. Акустолюминесценция примесных молекул азота в сульфиде кадмия. УШЖ, 1982, 27, № II, с. 1704−1708..

77. Рожко А. Х. Возбуждение акустической волной оптического излучения в области фундаментального поглощения сульфида кадмия. УФЖ, 1982, 27, № 8, с. 1265−1266..

78. Рожко А. Х. Оптические проявления примесей группы железа в кристаллах CdS: Дис.. канд. физ.-мат. наук. -Киев, 1977, 123 с..

79. Розенфельд Ю. Б., Полингер В. З. Динамический эффект Яна-Теллера для Е-терма с учетом фононнойдисперсии.- ЖЭТФ, 1976, 70, № 2, с. 597−609..

80. Свиридов Д. Т., Смирнов Ю. Ф. Теория оптических спектров ионов переходных металлов. М.: Наука, 1977. — 328 с..

81. Слынько В. В., Никонюк Е. С., Матлак В. В. Нанесение контактов на поверхности полупроводниковых кристаллов. -ПТЭ, 1968, № 3, с. 203..

82. Соболев Л. М., Пензина Э. Э., Мецик В. М., Макушев К. А. Фотолюминесценция монокристаллов LiF-Ki4″ 4″. Ж. прикл. спектр., 1983, 38, № 4, с. 675−677..

83. Соколов В. И. Исследование экситонов, связанных с изо-электронными примесями в полупроводниках.-в сб.: Электронная структура и свойства твердых тел. Свердловск, 1982, с. I16−120..

84. Соколов В. И., Никифоров А. Е., Черняев В. В., Шашкин С.Ю.2+Обнаружение новых состояний экситона, связанного сМ в ZnSe. Письма в ЖЭТФ, 1981, 33, № 4, с.188−192..

85. Соколов В. И., Черняев В. В., Чукичев М. В., By Зоан Мьен, Вавилов B.C. Электронные переходы в ZnSe обусловленные м. ФТТ, 1983, 25, в. 6, с. I585−1588..

86. Справочник по лазерам / Под. ред. A.M.Прохоро ва.-М.: Сов. радио, 1978, т.2, 400 с..

87. Суслина Л. Г., Плюхин А. Г., Федоров Д. Л., Арешкин А. Г. Уширение экситонных состояний в твердых растворах полупроводников. ФТП, 1978, 12, № 11, с. 2238−2243..

88. Физика и химия соединений /Перев. под.ред. С. А. Медведева М.: Мир, 1970. — 624 с..

89. Фок М. В. Развитие представлений о механизме электролюминесценции. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1981, 45, № 2, 376−379..

90. Baranowski J.M., Allen J.W., Pearson G.L. Crystal-Field spectra of 3dn Impurities in II-VI and III-V Confound Semiconductors. I&ys. Rev., 1967, 160, n.3, p.627−632..

91. Biernacki S.W., Theory of iron-group impurities in II-VI compounds. J. Phys. Chem. Solids, 1976,^7, p.819−824..

92. Biernacki S.W. Splitting of the 3d Levels of Iron Group Impurities in Crystals with Zincblend Structure. -phys. stat. sol.(b), 1983, v. rm, № 2, p. 525−533..

93. Boyn R., Ruszczynski G. Jahn-Teller Structure in 3A2Absorption Band of CdS: Ti2+. phys. stat. sol.(b), 1971, 48″ P* 643−655..

94. Cieplak M.Z., Godlewski M., Baranowski J.M. Optical Charge Transfer Spectra and EPR Spectra of Cr2+(d4) and Cr+(d5) in CdTe. phys. stat. sol.(b), 1975, v.20, KS 1, p. 323−331..

95. Pleurov V.N., Kikoin K.A. On the theory of the deep levels of transition metal impurities in semiconductors. J. Phys. C: Solid State Phys., 1976, 2, Ш 9, p. 1673−1683..

96. Pleurov V.H., Kikoin K.A. k"p perturbation theory for light absorption in semiconductors doped by 3d metals. J. Phys. C: Sol. State Phys., 1982, p.3523−3537..

97. Fleurov V. N"> Kikoin K.A. Amphoteric exciton trapping Ъу 3d impurities in A2B6 semiconductors, Sol. St. Commun., 1982, v.42, n.5, p. 353−3?7..

98. Freidman S.P., Gubanov V.A. Electronic structure of 3d-metai monosulphides Ъу the X^ discrete variational method. J. Ifcys. Chem. solids, 1983, 44, n.3, p. 187 194..

99. Furdyna J.K. The dependence of the lattice parameter and density of znIxMnxTe on composition, J, Solid St. Chem., 1983, 46, n.3, p. 349−352..

100. Gardavsky J., Boyn R. linear electroabsorption. I. Study of co2+ in CdS and CdSe. $iys. stat. sol.(b), 1975, 68, p. 575−587..

101. Gardavsky J. Relative intensities in cristal field spectra of co2+ ions in AIIBVIcrystals. J. phys. C: Solid St. Phys., 1974, 7, n.24, p. Ь454*-Ь456..

102. Goede 0., Hennig D., Jo^bt L. Disorder Effect on Free Excitons in CdSj^^e^. Mixed Crystals. Itiys. stat. sol.(b), 1979, 96, n.2, p. 671−681..

103. Grancharova E.I., Lascaray J.P., Biouri J., Allegre J. Comments of the Behaviour of the Absorption Edge of Cdj^^m^Te for x>0.4. Siys. stat. sol.(b), 1982, 113, n.2, p. 503−508..

104. Hamera M. Calculations of the g-shift aad superhyperfine Structure Tensor of Mn2+ Ion in AjjB^ Tetrahedral Semiconductors. Ifcys. stat. sol.(b), 1978, 85, n.2, p. 645−655..

105. Kaminska M., Baranowski J.M., TJha S.M., vallin J.T. Absorption and luminescence of cr2+(d^) in Il-yl compounds. J. $iys. CS Solid phys., 1979, 2, p. 21 972 214..

106. Kaminska M., Baranowski J.M. przejscia e3e ctronowe z pasma walencyjnego na powloke d domieszki chomu w swiczkach analogiem molekularnych procesov charge transfer? prace Inst. Fiz. PAN" 1981, n.82, s. 165−170..

107. Karipidou A., Nelkowski H., Roussos G. Near infrared Luminescence of Ni and Fe Doped ZnSe Crystals. J. Cryst. Growth., 1982, 59, p. 307−311 ..

108. Kaufman U., Schirmer O.F. Selection rules for defect acti vated transitions in cristals from point group compatibility tables. Optics Commun., 1971, 4, n.3, p. 243 237..

109. Kaufman U., Koidl P., Schiiraer O.P. Near infrared ad2+sorption of Hi in ZnO and ZnS: Dynamic Jahn-Teller Effect in the 3T? state. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1973, 6, n.2, p. 310−322..

110. Kocot K., Kaminska M., Pearson G.L. Potojonizacia i fo2+ 4toneutralizacja domieszki chromu Cr /d / w Al^Ga^^As. Prace Inst. Piz. PAN, 1981, N2 82, p. 171−178..

111. Koidl P. Jahn-Teller Effect in the 4T.,(G) and 4T2(G)2+States of Tetrahedrally Coordinated Mn. phys. stat. sol.(b), 1976, N2 2, p. 477−484..

112. Kurik M.V. Urbach Rule. phys. stat. sol.(a), 1971, 8, Ш 1, p. 9−45..

113. Kwietniak Ш. Zjawiska Luminescencij w ZnTe. Prace Inst. Piz. РАК, 1980, US 85, p. 135..

114. Landi A., Deville A. Influence of the Jahn-Teller effect4 2+on the Zeeman splittings of the T2 level of Mn inZnS. J. Physique (Prance), 1980, Ш 2, р.1б1−1б8..

115. Langer D., Ibuki S. Zero-Phonon Lines and Phonon Coupling in ZnSsMh. Phys. Rev., 1965, JJ38, H2 ЗА, p. A809-A815..

116. Langer D.W., Richter H.J. Zero-Phonon Lines and Phonon Coupling of ZnSe: Mn and CdS: Mn. Phys. Rev., 1966, 146. H3 2, p. 554−557..

117. Langer J.M. Comments on the Theory of Photoionization of Transition Metal Impurities in Semiconductors. -phys. stat. sol.(b), 1971, ?L, p. 443−449..

118. Le Manh Hoang, Baranowski J.M. Absorption and Luminescence of V (d-*) in II-VI Compound Semiconductors. -phys. stat. sol.(b), 1977, 84″ P* 361−365..

119. Leslie Т.С." Allen J.W. Thermal Quenching of photolu-minescence in ZnSiMn. and ZnSe: Mn. phys. stat. sol. a), 1981, 65, p. 545−551..

120. Loudon R. Selection rules for defect-activated lattice hands and rihronic transition in face-centred cubic, dyamand and 2sinc hlende lattices. proc. phys. Soc., 1964, 84, n.539, p. 379−388..

121. Lucovsky G. On the Ihotoionization of Deep Impurity Centers in Semiconductors. — solid state commun., 1965, v.3, p. 299−302..

122. Lucovsky g. Optical Absorption Associated with Deep Semiconductor Impurity Centers. Bui. Amer. phys. Soc., 1966, v.2, p. 206..

123. Majewski j.a. Electronic Structure of Transition Metal impurities in Zinc sulphide. phys. stat. sol.(b), 1981, 108, n.2, p. 663−672..

124. Majewski J.A. Ti2+ Impurity States in ZnSe hy the Green"s Function Method. Solid State Commun., 1981, 40, n.4, p. 407−410..

125. MoriwafcL M.M., Becker W.M., Gehhardt W., Galazka r.r. Study of the 2.0 ev photoluminescence in Cd^^Mn^Te semiconductor alloys. phys. Rev., 1982, v. B26, n.6, p. 3165−3171..

126. Moulton P.F., Mooradian A. Broadly tunahle СW operation of Ni: MgF2 and CotMg^ lasers. Appl. phys. Lett., 1979, 35, n. II, p. 338−340..

127. Nazareno H.N., Amato M.A. Deep impurities and critical points in semiconductors. J. phys. сSolid State phys., 1982, v.15, p. 2165−2168..

128. Noras J.m., Allen J.w. Siotoionization of nickel in ZnS and ZnSe. J. phys. c: Solid state phys., 1980, 13, n.18, p. 3511−3521..

129. Noras J.M. Comment on empirical photoionization thresholds for deep-level impurities in semiconductors. -J. Phys. c: Solid State Phys., 1981, 14, n.23, p. L713-L715..

130. Noras J.m., Szawelska H.R., Allen J.W. Energy levels of cobalt in ZnSe and ZnS. J. Phys. cs Solid St. Phys., 1981, 14, p. 3255−3268..

131. Radlinski A.P. position of the Co2+ level in wide-gap II-VI semiconductors. J. phys. C! Solid state phys., 1979, 12, p. 4477−4482..

132. Radlinski A.P. Infrared luminescence of cohalt impurities in II-VT compounds. J. Luminescence, 1979, 18/19, p. 147−150..

133. Radlinsld. A.P. Experimental study of the optical analogue of the Mosshauer effect: effect of the temperature on the no-phonon line in cobalt impurity luminescence in II-VI compounds. J. Phys. cs Solid St. phys., 1980, 13, n.12, p. 2407−2423..

134. Ridley B.K. Reply to comment on empirical photoionization thresholds. J. Phys. C: Solid State Phys., 1981, 14, n.23, p. L717-L 718..

135. Ridley B.K., Amato M.A. A model for the interpretation of measurements of photoionization and capture cross sections associated with deep-level impurities.- J. Phys. с: Solid State phys., 1981, 14, n.9, p. 1255−1269..

136. Robbins D.J.j Dean P.J., Glaper J.L.j Bishop S.G. New High-Energy luminescence Bands from Co2+ in ZnSe. -Solid State Commun., 1980, 36, p. 61−67,.

137. Robbins D.J." Dean P.J., West C.L., Hayes W. The Deep Impurity Conduction Band Charge Transfer Transition in ZnSesco. — phill. Trans. R. Soc. bond., 1982, v. A 364, p. 499−531..

138. Rosenfeld A., Boyn R., Ruszczynski G. Jahn-Teller Effect on the Optical Absorption Spectra of cdSSTi2+ and CdSe: Ti2+. Phys. stat. sol.(b), 1975, 70, p.601−610..

139. Roussos G., Schulz H.-J. A New Infrared Luminiscence of Nickel-Doped ZnS and Its Interpretation Ъу Means of Absorption Spectroscopy with Ni2+ Ions. phys. stat. sol.(b), 1980, 100, n.2, p. 577−587..

140. Slodowy p.A.> Baranowski J.M. Optical spectra of CdTe doped with transition-metals. Electron Technology, 1972, 5, n.¾, p. 59−64..

141. Slodowy p.A.j Baranowski J.M. Absorption Spectra of Ti (d2), V (d" *) and Cr (d4) Ions in CdTe. phys, stat. sol (b), 1972, 49, p. 499−503..

142. Sokolov V.I.j Surkoya T.P.j Ckernyaev V.y. Two Typesof Excitons Bound with Ni in ZnSe and ZnS. Phys. Stat. Sol.(b), 1982, v.114, n.2, p. K195-K199..

143. Sundersheshu B.S.j Kendelwicz T. Temperature Dependence of the Absorption Edge of Cdj^^Mi^Te Mixed Crystals. phys. stat. sol.(a), 1982, 69, n.2, p.467−474..

144. Suto K., Aoki M. photo-ijvduced Electron paramagneticResonance of Cr+in ZnTe and Associated $ 10toconductivity Jiienomena. J. phys. Soc. Japan, 1967, v.22, n. I, p. 149−155..

145. Weakliem H.A. Optical Spectra of Ni2+, Co2+ and Cu2+ in Tetrahedral Sites in Crystals. J. Chem. phys., 1962, 36, n.8, p. 2117−2140..

146. Woody W.K., Meese J.M. Ihotoluminescence of ZnTe. J. Appl. Phys., 1976, 47, n.8, p. 3640−3643..

147. Wray E.M., Allen J.W. Crystal field spectra of 3dn impurities in zinc selenide. J. phys. Ci Solid St. phys., 1971, 4, p. 512−516..

148. Zimmermann H., Boyn R. On the Configuration coordinate Diagram of ZnSSFe. phys. stat. sol.(h), 1983, 117, p. 611−618..

149. Гнатенко Ю. П., Жмурко А. И., Курик M.B. Влияние примесейпереходных металлов Со, М и Ял на оптические спектрыZhTe. Тезисы докладов У Всесоюзного совещания «ФиП УТзика и техническое применение полупроводников АХВ, Вильнюс, 1983, т.1, с. 28−29..

150. Гнатенко Ю. П., Жмурко А. И. Глубокое примесное состояние никеля в теллуриде цинка. УШ, 1984, 29, № 8, с. 11 821 185..

151. Гнатенко Ю. П., Жмурко А. И., Курик М. В., Потыкевич И. В. Поглощение кристаллов Т*. содержащих глубокие примесные центры. Тезисы докладов XIX Всесоюзного съезда по спектроскопии, Томск, 1983, ч.4, с. 217−218..

152. Гнатенко Ю. П., Жмурко А. И., Потыкевич И. В., Фарина И. А. Энергетическая структура 1нТе<�Со>. ФТП, 1984, 18, в.. 6, с. II05-II07..

153. Дейбук В. Г., Мельничук С. В. Самосогласованный расчет примесных уровней системы CjTe'-Mn. уфж, 1984, 29, Р 2, с. 305−306..

154. Жмурко А. И., Коротченков О. А., Курик М. В., Островский И. В. Акустолюминесценция кристаллов. ФТТ, 1983, 25, в.7, с. 2182−2184..

155. Жмурко А. И., Рожко А. Х. Внутрицентровая фотои акустолюминесценция ZhTe-Mn. Письма в ЖТФ, 1984, 10, в. 14, с. 889−892..

156. Жмурко А. И., Рожко А. Х. Предпробойная электролюминесценция кристаллов 7h~Te. ФТП, 1984, 18, в.5, с. 920 922..

157. Зимин Л. Г., Грибковский В. П., Радауцан С. И. и др. Насыщение поглощения в монокристаллах ZnTe, легированных элементами I группы. Ж. прикл спектр., 1978, 28, в.1,с. 157−159..