Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Физико-химические закономерности активирования поверхности диэлектрических материалов перед металлизацией

Диссертация: Физико-химические закономерности активирования поверхности диэлектрических материалов перед металлизацией
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные положения диссертации докладывались и обсуждались на Всероссийской конференции «Экологические проблемы промышленных регионов» (Екатеринбург, 2004), на научно-техническом семинаре «Уральское отделение РАН — г. Каменск-Уральскому» (Екатеринбург, 2001), на Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы — 2004» (Екатеринбург, 2004), на II… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. СТАДИИ И МЕТОДЫ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ПЕРЕД ХИМИЧЕСКОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИЕЙ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
    • 1. 1. Общая характеристика процесса химической металлизации
    • 1. 2. Стадии и растворы, применяемые для химической подготовки поверхности диэлектрических материалов перед её активированием
    • 1. 3. Общие сведения о методах и растворах активирования
    • 1. 4. Беспалладиевая активация поверхности диэлектрических материалов
      • 1. 4. 1. Требования к активации
      • 1. 4. 2. Активация в коллоидных растворах
      • 1. 4. 3. Фото — и термоактивация
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССОВ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ К МЕТАЛЛИЗАЦИИ
    • 2. 1. Методика изготовления микрошлифов
    • 2. 2. Методы анализа компонентов раствора совмещенного активирования и их примесей
      • 2. 2. 1. Уточнение способов приготовления и корректирования раствора и квалификации реактивов
      • 2. 2. 2. Определение олова в растворе совмещенного активирования
      • 2. 2. 3. Определение содержания палладия в растворе совмещенного активирования фотометрическим методом
      • 2. 2. 4. Определение содержания меди в растворе совмещенного активирования фотометрическим методом
      • 2. 2. 5. Определение примеси титана фотометрическим методом
      • 2. 2. 6. Определение примеси железа фотометрическим методом
    • 2. 3. Методика приготовления активирующего раствора на основе одновалентной меди
    • 2. 4. Методика анализа активирующего раствора
  • ГЛАВА 3. ПРОЦЕСС БЕСПАЛЛАДИЕВОЙ АКТИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ РАСТВОРАМИ МЕДИ (I)
    • 3. 1. Особенности процесса активации
    • 3. 2. Физико-химические закономерности процессов набухания и травления диэлектрика перед активацией
      • 3. 2. 1. Последовательность стадий подготовки поверхности диэлектрического материала перед металлизацией
      • 3. 2. 2. Кинетика набухания адгезивного слоя в органических растворителях
      • 3. 2. 3. Особенности процесса травления адгезивного слоя
      • 3. 2. 4. Влияние подготовки диэлектрика на структуру адгезивного слоя
    • 3. 3. Обоснование выбора состава активирующего раствора
    • 3. 4. Влияние комплексообразования на растворимость хлорида меди (I)
    • 3. 5. Технология нанесения и закрепления активатора на поверхности диэлектрика
      • 3. 5. 1. Определение сравнительных характеристик поверхностно-активных веществ по их влиянию на эффективность активирующего раствора
      • 3. 5. 2. Модификация активирующего раствора органическими растворителями
      • 3. 5. 3. Выбор оптимального режима сушки активирующего раствора на поверхности диэлектрика
    • 3. 6. Восстановление меди на поверхности диэлектрического материала в растворе акселерации
    • 3. 7. Исследование стабильности активирующего раствора на основе меди (I) и хлористоводородной кислоты
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. ФОТОСЕЛЕКТИВНАЯ АКТИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ
    • 4. 1. Общая характеристика процесса фотоактивации поверхности диэлектрических материалов
    • 4. 2. Механизм фотовосстановления меди
      • 4. 2. 1. Электронная структура ацетата меди
      • 4. 2. 2. Электронная структура антрахинона
      • 4. 2. 3. Квантовохимический механизм переноса электронной плотности с антрахинона на медь
    • 4. 3. Методика нанесения фоточувствительной композиции на поверхность диэлектрика и ее фотоэкспонирование
    • 4. 4. Феноменологическое описание кинетики восстановления меди (II) на поверхности диэлектрика
  • Выводы к главе 4

ГЛАВА 5. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ АКТИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ СОВМЕЩЕННЫМИ РАСТВОРАМИ НА ОСНОВЕ ПАЛЛАДИЯ (II) И ОЛОВА (II) 5.1 Ионные равновесия в совмещенном активирующем растворе.

5.1.1 Схема расчета ионных равновесий в растворах активирования.

5.1.2 Состояние меди (I) в совмещенных растворах активирования.

5.1.3 Расчет долевых концентраций ионных форм меди (II).

5.1.4 Распределение олова (II) по ионным формам в совмещенных растворах активирования.

5.1.5 Расчет ионного состава палладия (II).

5.2 Термодинамический анализ окислительно-восстановительных процессов, протекающих в совмещенном растворе активирования на основе палладия (II) и олова (II).

5.3 Влияние процессов комплексообразования на окислительно-восстановительные процессы в активирующем растворе.

5.4 Динамика изменения концентрации палладия (II) и олова (II) в процессе активации диэлектриков.

5.4.1 Влияние растворимых форм меди на изменение концентрации олова (II) в совмещенном растворе активирования.

5.4.2 Динамика изменения концентрации палладия (II), олова (II) и меди (I) в зависимости от площади поверхности активируемого диэлектрика.

5.4.3 Расчет расхода палладия (II) в процессе активирования поверхности диэлектрика и определение его минимально возможной концентрации.

Выводы к главе 5.

Физико-химические закономерности активирования поверхности диэлектрических материалов перед металлизацией (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы В производстве приборов, средств вычислительной техники, различных видов электронных устройств и бытовой радиотехнической аппаратуры, как средство автоматизации монтажно-сборочных операций, широко применяются печатные платы (ПП).

Они обеспечивают снижение металлоемкости, габаритных размеров, а также повышение эксплуатационных свойств изделий. При изготовлении ПП в зависимости от их конструктивных особенностей и масштабов производства применяются различные варианты технологических процессов, в которых используются химические и гальванические операции [1].

В настоящее время почти все схемы радиоаппаратуры, будь это простейший радиоприемник или блок ЭВМ, обычно изготовляются в виде металлического рисунка на диэлектрической основе путем химического избирательного вытравливания отдельных участков медной фольги, приклеенной на основу из диэлектрика. Участки фольги, которые не должны вытравливаться и которые составляют нужный электропроводящий рисунок радиотехнической схемы, защищаются от воздействия травильного раствора стойким в нем покрытием (резистом). Последний может иметь органическую природу или выполняться из неразрушающегося металла или сплава [2].

Химическим путем производится покрытие медью отверстий ПП (сначала химическим, а затем электрохимическим методами) и нанесение металлических резистов на нужные участки медной фольги на платах (методом гальванопокрытий).

Принципиально новым шагом в производстве радиоэлектронных схем является замена технологии изготовления изделий с применением радиотехнического рисунка из вытравленной медной фольги на процесс получения радиосхем непосредственно на диэлектрических основах, используя физико-термические и химические методы локального нанесения покрытий различными металлами — медью, никелем, серебром и др. Это позволяет значительно снизить расход металлов, а также уменьшить габариты и массу изделий [3].

Широкое распространение в производстве радиоэлектронных изделий получили процессы химической металлизации, особенно химическое меднение и никелирование [4]. Металлизация поверхности деталей производится для получения желаемых поверхностных характеристик: электропроводности, коррозионной стойкости, декоративных качеств, магнитных свойств, паяемости Качество нанесенного на поверхность диэлектрика металлического покрытия (адгезия, пластичность, электропроводность, разрешающая способность и др.) во многом определяются подготовкой поверхности диэлектрика перед металлизацией, к которой предъявляются два вида требований: оптимальные структурные характеристики поверхности диэлектрика (однородность, шероховатость) — достаточно высокая поверхностная концентрация активных центров, обеспечивающая локализацию процесса восстановления металла на поверхности диэлектрика, а не в объеме раствора меднения.

Эти требования выполняются соответствующей организацией процессов набухания, травления и активирования поверхности диэлектрика. Подбор соответствующих химических составов и режимов обработки, как правило, носит эмпирический характер. Поэтому актуальной является задача исследования физико-химических закономерностей соответствующих процессов и выбор оптимальных составов соответствующих рабочих растворов и режимов обработки ими поверхности диэлектрических материалов.

Цель и задачи работы.

Целью работы является детальный физико-химический анализ процессов, протекающих при подготовке и активации поверхности диэлектрических материалов перед металлизацией.

В рамках общей проблемы с учетом вариантности методов активации поверхности диэлектрических материалов решались следующие задачи:

1. Изучение закономерностей и определение оптимального режима проведения процесса беспалладиевой активации поверхности диэлектрических материалов растворами меди (I);

2. Детальное изучение квантово-химического механизма фотовосстановления меди (II) и установление кинетических закономерностей фотоселективной активации поверхности диэлектрических материалов;

3. Определение влияния процессов комплексообразования в совмещенных растворах активирования на основе Pd (II) и Sn (II) на возможность протекания, как рабочих, так и побочных окислительно-восстановительных реакций. Определение наиболее экономичного режима работы данного раствора активирования.

Научная новизна.

1. Установлено, что процесс набухания адгезивного слоя диэлектрика хорошо описывается в модели медленной диффузии молекул растворителя в среде адгезивного слоя при условии, что фронт диффузии еще не достиг границы раздела «адгезив — подложка» (случай бесконечной диффузии).

2. С помощью детального термодинамического анализа ионных равновесий в растворах активирования на основе меди (I) показано, как достичь необходимой концентрации растворимых форм меди (I).

3. На основании квантовохимического анализа электронной структуры ацетата меди и антрахинон-2,6-дисульфокислоты установлен механизм передачи электронной плотности от антрахинона к меди под воздействием УФ-излучения.

4. Впервые дан термодинамический анализ возможности протекания, как рабочих, так и побочных окислительно-восстановительных реакций в совмещенном растворе активирования на основе Pd (II) и Sn (II) с учетом процессов комплексообразования Pd (II), Си (II), Си (I), Sn (II).

Практическая значимость работы.

1. Разработанные модели процессов набухания и травления позволили установить оптимальный состав соответствующих растворов и режимы 7 проведения указанных операций. Разработаны состав раствора активирования на основе меди (I), технология его нанесения, и режим сушки, а также технология акселерации активированного слоя.

2. Полученные результаты анализа кинетических закономерностей восстановления меди (II) в разработанных фоточувствительных композициях позволяют организовать процесс активирования поверхности диэлектрических материалов в оптимальном режиме.

3. Уставлены основные каналы расходования двухлористого палладия и двухлористого олова в совмещенном растворе активирования на основе Pd (II) и Sn (II). Дан количественный анализ динамики расхода основных компонентов, что позволяет установить оптимальный состав и оптимальный режим эксплуатации указанного раствора активирования.

Апробация работы. Основные положения диссертации докладывались и обсуждались на Всероссийской конференции «Экологические проблемы промышленных регионов» (Екатеринбург, 2004), на научно-техническом семинаре «Уральское отделение РАН — г. Каменск-Уральскому» (Екатеринбург, 2001), на Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы — 2004» (Екатеринбург, 2004), на II семинаре СО РАН — УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Екатеринбург, 2004), на II семинаре СО РАН — УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Новосибирск, 2005), на Международной конференции «Теоретические аспекты использования сорбционных и хроматографических процессов в металлургии и химической технологии» (Екатеринбург, 2006).

Публикации. По теме диссертации опубликованы 7 статей, а также 9 тезисов докладов конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и основных выводовизложена на 168 страницах, включает 35 таблиц, 30 рисунков и список цитируемой литературы из 159 наименований.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. Изучена кинетика набухания эпокси-каучукового адгезивного слоя в растворах ДМФА и ДМСО. Впервые показано, что кинетика набухания эпокси-каучукового слоя в органических растворителях хорошо описывается в модели полубесконечной диффузии, что позволило целенаправленно управлять процессом набухания и проводить его в оптимальном режиме.

Изучена кинетика процесса травления эпокси-каучукового адгезивного слоя. Установлено, что процесс травления обеспечивает максимальную адгезию покрытия при (h и Dглубина и диаметр кратеров травления), что позволило определить оптимальные условия проведения процесса травления.

2. Обоснован выбор состава активирующего раствора на основе монохлорида меди. Детально проанализированы вопросы термо-динамического равновесия в сложной системе «Си (I) — Н20 — СГ — СиОНтв — СиС1тв». Установлено, что процессы комплексообразования позволяют во много раз повысить растворимость CuCl и создать необходимую концентрацию Си (I) в активирующем растворе. Полученные данные позволили установить концентрационные характеристики раствора активирования. Разработана технология нанесения, закрепления, акселерации, стабилизации и регенерации активирующего раствора.

3. Дан детальный анализ механизма фотоактивации поверхности диэлектрических материалов с помощью разработанной композиции на основе ацетата меди и динатриевой соли антрахинон-2,6 — дисульфокислоты. Показана определяющая роль в механизме передачи электронной плотности от антрахинона на вакантные орбитали меди (триплетное электронное состояние биядерного комплекса ацетата меди) возбужденных триплетных долгоживущих электронных состояний антрахинона. Показано, что антрахинон может передать меди лишь один электрон. Дальнейшее восстановление меди до металлического состояния осуществляется вторичными восстановителями в так называемых темновых реакциях.

Дан феноменологический анализ кинетики фотовосстановления меди (II) на поверхности диэлектрика. Разработаны две модели кинетики фотовосстановления меди. В случае формирования на поверхности диэлектрика однородного мелкокристаллического сухого светочувствительного слоя процесс восстановления меди описывается кинетическим уравнением I порядка. Если слой фотоактиватора имеет выраженную кристаллическую структуру, то восстановление меди описывается как типичная топохимическая реакция. Найденные в обоих случаях константы скорости реакции позволяют организовать процесс фотовосстановления меди в оптимального режиме.

4. На основании детального анализа процессов комплексообразования в совмещенном растворе активирования на основе палладия (II) и олова (II) впервые определены эффективные окислительно-восстановительные потенциалы (фэф")" учитывающие степень «закомплексованности» металла т. Проведенный с использованием (рЭфСТ термодинамический анализ окислительно-восстановительных реакций, имеющих место в совмещенном растворе активирования, доказал:

— возможность активирования поверхности диэлектрика за счет реакции.

Pd (II) + Sn (II) -> Pd° + Sn (IV);

— интенсивность взаимопревращений между различными формами меди с участием Sn (II), что приводит к сокращению срока службы раствора активирования.

5. Проведен количественный анализ расхода двухлористого палладия в зависимости от площади обрабатываемой поверхности для активирующих растворов с различной начальной концентрацией двухлористого палладия с учетом адсорбции Pd (II) и его потерь, связанных с переносом заготовки печатной платы из одной ванны в другую с минимальными потерями дефицитного и дорогостоящего палладия. Предложен наиболее экономичный режим активации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Для создания проводящих элементов печатной платы в настоящее время широко используются субтрактивный (химический), электрохимический и комбинированный способы, предполагающие использование фольгированных диэлектриков, толщина медной фольги которых составляет 35 — 50 мкм. С целью создания определенной схемы печатной платы эти технологии включают в себя стадию травления меди, в результате которой большая часть меди переходит в раствор с последующей ее утилизацией.

В данных технологиях для активации поверхности сквозных отверстий диэлектрических материалов перед металлизацией широко используются совмещенные растворы активирования на основе олово-палладий, которые являются достаточно дорогостоящими.

В последнее время наблюдается возросший интерес к аддитивной технологии изготовления печатных плат, позволяющей получить необходимую схему печатной платы без использования фольгированных диэлектриков. Применение этого метода приводит к снижению стоимости печатных плат на 20−25% за счет уменьшения расходов химикатов, сокращения производительных площадей и расходов на оборудование.

Создание новых технологий изготовления печатных плат потребовало изучения активирующих растворов, исключающих использование дорогостоящих металлов.

В литературе [30−39] имеется лишь небольшое число работ, посвященных исследованию растворов беспалладиевой активации. Кроме того, следует отметить, что в литературных источниках [28, 80 81, 98, 138] недостаточно информации о физико-химических закономерностях активации поверхности диэлектрических материалов растворами на основе олово-палладий.

Поэтому исследование активации поверхности диэлектрических материалов перед химической металлизацией актуально как вследствие новизны постановки вопроса, малоизученности физико-химических закономерностей процесса активации, так и вследствие практической потребности в разработке беспалладиевой активации.

Целью наших исследований являлось создание активирующих растворов на основе меди (I) и фоточувствительных композиций на основе меди (II), изучение физико-химических закономерностей активации с использованием композиций на основе меди (I) и меди (II) и сравнение их активирующей способности с растворами совмещенного активирования (SnPd).

В качестве раствора беспалладиевой активации нами был разработай раствор на основе монохлорида меди [158]. Установлено, что для обеспечения необходимого количества меди на поверхности для инициирования металлизации (3−5 г/м), концентрация меди (I) в растворе должна составлять 0,3 — 0,5 моль/л.

Было высказано предположение, что увеличение растворимости монохлорида меди можно добиться за счет комплексообразования с С1 «ионами. С этой целью было изучено влияние комплексообразования на растворимость меди (I). Установлено, что при высоких концентрациях хлорид-ионов медь (I) существует, главным образом, в виде комплексного соединения СиСЬ Показано, что увеличение растворимости хлорида меди (I) объясняется не только комплексообразованием иона Си (I) с ионами СГ, но и величиной рН раствора.

Активирующий раствор содержит три основных компонента, концентрация которых варьируется в следующих пределах (моль/л): монохлорид меди — 0,3−0,5- хлористоводородная кислота — 2,4- 3,1- поверхностно-активные вещества — 0,01−0,03.

На активацию диэлектрического материала оказывает влияние качество его поверхности, которая должна обладать гидрофилыюстью и шероховатостью, что обеспечит равномерное распределение активатора по поверхности, закрепление необходимого количества активатора на поверхности и достаточно высокую адгезию металлопокрытия к диэлектрической подложке.

При двустадийиой подготовке поверхности диэлектрика с эпоксидно-каучуковым адгезивным слоем определяющей является стадия набухания адгезивного слоя в органических растворителях (диметилформамид, диметилсульфоксид). Нами изучен механизм набухания адгезивного слоя в органических растворителях[156].

Процесс набухания можно моделировать, как медленную диффузию молекул растворителя в среде адгезивного слоя, которая подчиняется законам Фика. При условии, что фронт диффузии не достиг границы «адгезив-подложка», получено выражение для числа молей растворителя п (т),.

Масса растворителя ко времени т может быть рассчитано по уравнению кнаб (ДМФА) = 0,781 мг/см2-минП2.

Обеспечение высокой адгезии металлопокрытия к диэлектрику обусловлено двумя факторами:

1) достаточно большой площадью поверхности сцепления металлопокрытия с диэлектриком- 2) высокой поверхностной плотностью активных центров на поверхности диэлетрика. Коэффициент увеличения поверхностного сцепления ксц определяется диаметром кратеров (D), образующихся при травлении и их глубиной (h) и варьируется от 1 до 2 к = D .

D-h.

Для обеспечения высокой адгезии металлопокрытия к диэлектрику режим травления в хромовокислых растворах должен быть таким, чтобы h=D/2, ксц =2.

Для получения более высокой каталической активности активирующий слой на поверхности диэлектрика подвергается акселерации в растворах восстановителей. Наилучшие результаты получены при восстановлении гидразином.

Активирующий раствор на основе хлорида меди (I) и хлороводородной кислоты обладает достаточно высокой стабильностью (более 30 суток) при продиффундировавших в адгезивный слой за время т.

Это уравнение позволило рассчитать кнаб (ДМСО) = 0,423 мг/см2-минтвведении в его сотав металлической меди (30 г/л) и не требует в течение этого времени промежуточной корректировки.

Преимуществом фоточувствительных активирующих растворов на основе меди (II), содержащих оптический сенсибилизатор и вторичный восстановитель, является возможность получения после ультрафиолетового облучения необходимого рисунка схемы.

В работе дано квантовохимическое описание механизма восстановления меди (II) в рассматриваемой фоточувствительной композиции. Показано, что основную роль в данном процессе играет наличие вакантного триплетного электронного состояния биядерного комплекса ацетата меди и близлежащего фотовозбужденного долгоживущего триплетного электронного состояния антрахинона.

При изучении кинетических закономерностей процесса фотовосстановления меди (II) в твердой фазе в качестве критерия глубины и хода процесса нами было выбрано пропускание фоточувствительного слоя.

Нами предложены две модели, позволяющие объяснить процесс фотоактивации диэлектрических материалов.

Согласно первой модели реакция восстановления меди (II) в сухом слое фотокомпозиции может быть отнесена к гомогенной, т. е. элементарный акт реакции локализован в любой точке объема фоточувчтвительной композиции.

Получено уравнение, позволяющее рассчитать константу скорости фотохимической реакции к = —£п-[- — + — -It~кГг ], г, D2 D2 значение которой составляет 0,20 мин.

Вторая модель предлагает, что реакция фотовосстановления меди (II) является типичной топохимической реакцией. Процесс восстановления меди (II) локализован вблизи фронта реакции, который двигается вглубь фотокомпозиции со скоростью оф=- = к0-сохф йт.

Эффективная константа фотохимической реакции может быть найдена путем обработки экспериментальных данных в соответствии с уравнением.

Нами установлено, что соответствие протекания процесса фотовосстановления меди (II) предложенным моделям определяется структкрой сухого светочувствительного слоя, которая определяет кинетические закономерности процесса [155].

Для исследуемых фотокомпозиций заданного состава, содержащих пентаэритрит, при сушке которых на поверхности формируется слой, имеющий выраженную кристаллическую структуру кЭфф = 2,5 мин.

Знание величины эффективной константы может быть использовано для проектирования технологических процессов экспонирования фоточувствительных композиций.

Проведенный детальный анализ ионных равновесий в совмещенном растворе активирования на основе палладий (II) — олово (II) позволил по-новому оценить термодинамическую вероятность протекания различных окислительно-восстановительных процессов в рассматриваемом растворе на основе расчета эффективных стандартных электродных потенциалов [157].

Проведено изучение изменения концентрации двухлористого палладия и двухлористого олова в зависимости от площади обрабатываемой поверхности в совмещенном растворе активирования на основе Pd (II) и Sn (II). В процессе активирования происходят не только уменьшение основных компонентов, но и накопление хлорида меди (II) за счет растворения медной фольги.

Показано, что нет смысла работать с высокими концентрациями палладия.

II), так как минимальная адсорбция палладия, обеспечивающая активность.

6 2 поверхности (rmjn = 3,178 -10″ моль/м) может быть достигнута при концентрации двухлористого палладия 0,035 г/л.

Используя полученное нами уравнение, описывающее динамику расхода соли палладия c (S) = С0 ?1 — 10−6 • Aj^v-io' К можно организовать процесс активации поверхности перед металлизацией в оптимальном режиме.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Инженерная гальванотехника в приборостроении / Под редакцией A.M. Гинберга. М.: Машиностроение, 1977. 512 с.
  2. А.А., Котов Е. А., Явич Э. Р. Многослойные печатные платы. М.: Советское радио, 1977. 248 с.
  3. А.И., Алехин В. П., Шоршоров М. Х. Процессы сварки и пайки в производстве полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1981. 224 с.
  4. С.А. Химические и электрохимические способы осаждения металлопокрытий. М.: Машиностроение, 1975. 312 с.
  5. А.А., Котов Е. П., Явич Э. Р. Химические процессы в технологии изготовлеия плат. М.: Радио и связь, 1981. 133 с.
  6. М., Вашкялис А. Химическая металлизация пластмасс. Л.: Химия, 1985. 144с.
  7. М.М., Кирюкин А. В., Кондратов Э. К. Покрытия для полимерных материалов. М.:Химия, 1980. 288 с.
  8. В.А. Металлизация диэлектриков. J1.: Машиностроение, 1977. 80 с.
  9. Г. И. Технология химико-гальванической металлизации пластмасс. Киев: Техшка, 1981. 112 с.
  10. Химико-гальваническая металлизация пластмасс // Сб. научных трудов ОНПО «Пластополимер», Л., 1979. 63 с.
  11. Г. В., Кинаш В. Г., Князева, Ю.И. Применение каталитической эмали для создания адгезионнго слоя // Обмен опытом в радиопромышленности, 1988. Вып. З, С. 15.
  12. Г. А., Левкович Ю. И., Феофилова Н. И. и др. Выбор растворителей для подготовки поверхности диэлектрика к металлизации // Обмен опытом в радиопромышленности, 1987. Вып.З. С.23−24.
  13. А.В., Муслакова Т. И. Подготовка поверхности нефольгированного диэлектрика к металлизации // Обмен опытом в радиопромышленности, 1986.9.С.44−45.
  14. А.В., Иванова Л. П., Корниенко Г. А. и др. Подготовка полиимидной пленки к металлизации // Обмен опытом в радиопромышленности, 1987. Вып.11. С.22−23.
  15. Ю.С. Разрушение полимеров под действием агрессивных сред. 2-е издание. М.: Химия, 1972. 232 с.
  16. Г .Я. Химическая стойкость полимерных материалов. М.: Химия, 1981. 296 с.
  17. Ю.В., Заиков Г. Е. Химическая стойкость полимеров в агрессивных средах. М.: Химия, 1979. 288 с.
  18. Г. Б., Моргачева Н. И. Подготовка поверхности отверстий печатных плат к металлизации // Обмен опытом в радиопромышленности, 1989. Вып.4. С.26−27.
  19. Л.В. Электролит для подготовки поверхности диэлектрика // Обмен опытом в радиопромышленности, 1985. Вып.9. С. 28.
  20. Т.П. Химические покрытия. Казань: Химия, 2000. 68 с.
  21. Т.Н. Химическое никелирование неметаллических материалов. М.: Металлургия, 1982. 144 с.
  22. А.Х., Мелащенко Р. Ф. Нанесение гальванопокрытий на детали из пластмасс // Обмен производственно-техническим опытом, 1988. Вып.9. С.26−28.
  23. Ф.П., Старикова Т. А., Болотова Г. И. и др. Влияние модификаторов активации на процесс химической металлизации // Обмен производственно-техническим опытом, 1990. Вып.9. С.27−28.
  24. М.Б., Миронова B.C. Активирование поверхности диэлектриков совмещенным раствором // Обмен производственно-техническим опытом, 1989. Вып. 10. С.36−38.
  25. Ю.Б. Применение совмещенных растворов для активации текстильных материалов перед химической металлизацией // Крашение и окраска тканей, 1970. С.33−35.
  26. В.Н., Бирюкова А. А., Морякова Л. М. Спектрофотометрическое исследование условий образования комплексных соединений Pd (II) с хлоридом олова (II) в растворах // Ж. пеорган. химии, 1969, № 14.
  27. Л.А. Меднение печатных плат // Обмен производственно-техническим опытом, 1988. Вып.11. С. 24.
  28. С.И., Шпаков Г. И., Котсико Г. П. Снижение концентрации хлористого палладия в растворе совмещенного активатора // Обмен опытом в радиопромышленности, 1983. Вып. 3. С. 18 19.
  29. Т.Ф., Корииенко Г. А., Бордюгов Ю. М. Изготовление печатных плат с применением раствора активирования // Обмен производственно-техническим опытом, 1988. Вып.1. С. 16−17.
  30. Е.Ю. Беспалладиевая металлизация деталей из пластмассы АБС // Обмен произволствеино-техническим опытом, 1990. Вып.9. С. 27.
  31. Пат. США, № 3 982 054, 1976. 3 993 491, 1976. 4 265 942, 1982. 4 321 285, 1982. 4 338 355, 1982.
  32. Пат. США № 4 199 623, 1980.4 222 778, 1980.
  33. Т.Ф., Строгая Г. М., Пяточкова Т. В. Применение растворов активирования без драгоценных металлов для химической металлизации // Сб.: Снижение расходов дефицитных металлов в гальванотехнике, МДНТП, 1983.
  34. В.М., Чумаков А. А., Морозов А. А. Снижение расхода палладия и его замена на недефицитные металлы в производстве печатных плат // Сб.: Снижение расходов дефицитных материалов в гальванотехнике, МДНТП, 1983.
  35. JI.A., Грекова Н. А., Крупина T.JI. и др. Беспалладиевая активация диэлектрических подложек // Обмен производственно-техническим опытом, 1989. Вып.6. С.44−45.
  36. Г. А., Брусницына J1.A., Крупина T.JI. Активация поверхности диэлектрика перед металлизацией // Сб.: Прогрессивная технология и оборудование при изготовлении плат печатного монтажа // Материалы семинара. М.: ЦНИИинформации, 1987.
  37. Г. А. и др. Процесс беспалладиевой активации диэлектриков перед металлизацией // Сб.: IX Всесоюзная межвузовская конференция по электрохимической технологии «Гальвапика-87″. Казань: Изд-во Казанского политехнического института, 1987.
  38. Л.И., Свиридов В. В., Браницкий Г. А. О новом способе активирования поверхности диэлектрика перед металлизацией // ЖПХ, 1980. Т.53, № 3.
  39. Л.И., Барковская Л. В., Райкколайпен Я. И. и др. Активирование диэлектриков перед металлизацией без использования солей палладия. // Обмен опытом в радиопромышленности, 1985. Вып.9. С.26−28.
  40. ОСТ 107.460 092.004.01−86. Платы печатные. Типовые технологические процессы. Часть!
  41. В.В., Воробьева Т. Н., Гаевская Т. В., Степанова Л. И. Химическое осаждение металлов из водных растворов. Минск: Университетское, 1987. 269 с.
  42. Способ химической металлизации с активированием поверхности водным раствором окиси неблагородного металла // Пат. США 3 993 799, 1976. МКИ В 05 Д 3/04.
  43. Способ добавления каталитических промоторов в каталитические композиции на основе неблагородных металлов, используемых в процессе химической металлизации // Пат. США 4 151 311, 1979. МКИ С 23с 3/02.
  44. Дисперсия для активизации непроводящих материалов при химической металлизации // Пат. США 4 220 678, 1980. МКИ С 23с 3/02.
  45. Способ активации перед химическим осаждением металла // Пат. США 4 180 600, 1979. МКИ С 23с 3/02.
  46. Способ активирования поверхности неметаллических материалов // А.с. СССР 637 458, МКИ С 23с 3/02, С 25 Д 5/54.
  47. Process ising activated electrolles plating catalysts // Пат. США 4 338 355, МКИ С 23с 3/02.
  48. D.A. // Trans. Inst. Metal Finish., 1982. Vol .60, № 3. P.97−101.
  49. Method for rendering non platable surfaces platable // Пат. США 4 181 760, МКИ С 23с 3/02,В 05 D 3/10.
  50. Process ising activated electrolles plating catalysts // Пат. США 4 273 804, МКИ С 23с 3/02.
  51. Dispersions for activating non conductors for electrolles plating // Пат. США 4 282 271, МКИ С 23с 3/02.
  52. Активирование поверхности при химическом осаждении металла // Пат. США 4 309 454, 1982. МКИ С 23с 3/02.
  53. Способ активирования изделий перед металлизацией // Пат. США 4 450 190, 1984. МКИ С 23с 3/02.
  54. Способ химического осаждения металла // Пат. США 4 321 285, 1982. МКИ С 23с 3/02.
  55. Метод приготовления коллоидного смачивающего сенсибилизатора // Пат. США 4 322 451, 1982, МКИ С 23с 3/02.
  56. Способ приготовления олово-медных коллоидных смачивающих сенсибилизаторов // Пат. США 4 384 893, 1983. МКИ С 23с 3/02.
  57. Nathan Feldstun colloidal compositions for electrolles deposition compising colloidal copper-stannic oxide product // Пат. США 4 327 125, 1982. МКИ С 23с 3/02.
  58. Стабилизирующие композиции для процессов металлизации // Пат. США 4 192 764, 1980. МКИ С 23с 3/02.
  59. Метод осаждения металла па поверхность // Пат. США 4 268 536, 1981. МКИ С 23с 3/02.
  60. Метод осаждения металла на поверхность // Пат. США 4 181 750, 1980. МКИ С 23с 3/02.
  61. Способ получения фотографических изображений из выпавших в осадок металлов //Пат. ФРГ 1 572 186, 1973. МКИ С 23с 3/02.
  62. Способ изготовления печатных плат// Пат. США 4 216 289, 1980. МКИ С 23с 3/02.
  63. Фотохимический способ получения металлических покрытий определенного рисунка на изоляционных подложках // Патент ФРГ 2 224 471, 1978. МКИ С 23с 3/02.
  64. A., Joston I. // Metalloberflache, 1984. Bd.38, № 8. S.388−392.
  65. A., Joston I., Bogenschutz A. // Metalloberflache, 1984. Bd.38, № 8. S.343−346.
  66. Backenbaugh W., Dinella D., Polakowski 1.1 I Metal Finish., 1982. Vol.4. P. 11−16.
  67. W., Dinella D., Polakowski I. // Metal Finish., 1982. Vol.5. P.39−43.
  68. Раствор для активирования поверхности диэлектриков // А.с. СССР 905 317, 1982. МКИ С 25d 5/54.
  69. Способ металлизации отверстий печатных плат//А.с. СССР 905 317, 1982. МКИ С 25d 5/54.
  70. О.Н., Маккаев A.M. // Изв. Сиб. отд. АН СССР, 1983. № 4. С. 131−136.
  71. И.М., Гринберг Ю. А., Бусыгин В. П. Опыт бесспаладиевой активации // Обмен опытом в радиопромышленности, 1985. № 7. С. 182−186.
  72. Ю.И., Ломовский О. Н., Лушииков А. Я. Активирование поверхности диэлектрика//ЖФХ, 1980. Т.54. С.2582−2586.
  73. Способ активирования поверхности диэлектриков перед металлизацией // А.с. СССР 647 361, МКИ С 23с 3/02.
  74. Способ активирования перед химическим меднением // Заявка Японии 60 36 671, 1985. МКИ С 23с 3/02.
  75. Способ активирования перед химическим меднением // Заявка Японии 60 36 672, 1985. МКИ С 23с 3/02.
  76. Сенсибилизация подложек для химической металлизации // Пат. США 3 925 578, МКИ С 23с 3/02.
  77. .И. и др. Обнаружение внутренних дефектов паяных соединений на печатных платах // Обмен опытом в радиопромышленности, 1980. Вып.З. С. 15−17.
  78. A.M., Фадеев С. В. Основы контроля печатных плат. Челябинск: Полет, 1974. 288 с. 79. „Circuits Manufacturing“, 1972. № 6. Р.34−35, 38.
  79. D., Eugene D. Коллоидный раствор для активирования и способ его приготовления // Пат. США кл.106−1. (С 23 В 5/52, С 23 В 3/02, № 3 532 518), заявл.28.06.67, оп.06.10.70.
  80. Способ получения палладиево-оловяпного активирующего раствора для химической металлизации диэлектриков // Авт. св. 23 118 НРБ, заявл. 28.03.75, № 29 475, оп. 28.09.70, МКИ С 25d 5/56.
  81. Сенсибилизация непроводников перед их металлизацией // Пат. США, кл. 117−47R, (B44d 1/18, С23с 3/00), № 3 627 558, заявл. 27.11.68, опуб. 14.12.71.
  82. Активирующие растворы, их приготовление и использование при химической металлизации поверхности // Пат. США, кл. 117−47 R (B44d 5/00), № 3 874 897, заявл. 25.06.73, оп. 21.03.72.
  83. Раствор для активирования непроводников // Пат. США, кл. 204−30, (С 23 В 5/60, В44 1/092), № 3 650 913, заявл. 08.09.69, оп. 01.04.75.
  84. Раствор для активирования неметаллической поверхности перед химической металлизацией // Авт. св. СССР, № 427 097.
  85. Каталитический раствор для химического осаждения металла на подложку // Пат. США, кл. 147−304 R (B44d 1/092), № 3 904 792, заявл. 27.06.72, № 374 093, оп. 09.09.75.
  86. Каталитические растворы для химического осаждения металлов на подложку // Пат. США, кл. 106−1, (С23с 3/00), № 3 874 882, заявл. 14.11.73, оп. 01.04.75.
  87. Активирующие растворы, их приготовление и использование при химическом осаждении покрытий // Пат. США, кл. 106−1, (С23с 3/00), № 3 871 889, заявл. 29.10.73, оп. 18.03.75.
  88. Активирующие растворы, их приготовление и использование при химическом способе нанесения покрытий // Пат. США, кл. 252−794, (С23с 3/02, С23 f 1/00), № 3 767 583, заявл. 13.08.71, оп. 23.10.73.
  89. А.А., Кузнецов В. Н. К вопросу об активировании фольгированных диэлектриков // Сб.: 2 Всес.конф.мол.учен.по физ. химии, Москва, 10−14 октября 1983. М., 1983.205с.
  90. Новые сенсибилизирующие растворы на основе драгоценных металлов // Пат. США, кл. 106−286, (С23с 3/02), № 3 682 671, заявл. 05.02.70, оп. 08.08.72.
  91. Метод металлизации с использованием коллоидного раствора катализатора // Пат. США, кл. 106−1, (С23с 3/02), № 3 841 881, заявл. 19.09.72, оп. 15.10.74.
  92. Металлизация непроводников // Пат. США, кл.427/304, (В 05d 3/04), № 4 284 666, заявл. 26.12.79, оп. 18.08.81.
  93. Метод химического нанесения покрытий на непроводящую основу с использованием водного раствора палладий-олово, содержащего оксизамещенные органические кислоты // Пат. США, кл. 427/304, (С23с 3/02), № 4 182 784, заявл. 16.12.77, № 861 385, оп. 08.01.80.
  94. Активирующий раствор для химического осаждения металлов и способ его изготовления // Заявка ФРГ, кл. С23с 3/02, № 2 417 717, заявл. 11.04.74, оп. 30.10.75.
  95. Активирующий раствор для химического осаждения металла в присутствии катализатора и способ получения указанного раствора // Пат. Франции, № 2 267 385, МКИ С23с 1/02, C08j 7/06, Н05к 3/10, оп. 1975.
  96. Активирующий раствор для химической металлизации и способ его приготовления // Заявка Франции, кл. С23с 3/02, № 2 432 055, заявл. 10.07.79, оп. 22.02.80.
  97. Применение водных суспензий благородных металлов для одностадийной активации диэлектриков при химическом осаждении покрытий // Пат. США, кл.427/304, (С23с 3/02), № 4 004 051, заявл. 10.02.75, оп. 18.01.77.
  98. ОСТ 4 Г0.054.223 -1987. Платы печатные. Типовые технологические процессы изготовления.
  99. Х.Б. Гальванизирование на пластмассе. София: Техника, 1982. 248с.
  100. В.Б. Аналитическая химия олова. М.: Наука, 1975.
  101. П.П. Титрометрический и гравиметрический анализ в металлургии. Справочник. М.: Металлургия, 1985.
  102. С.И. Аналитическая химия платиновых металлов. М.: Наука, 1972.
  103. Гергиунс A. JL, Верезубова А. А., Толстых Ж. А. Фотоколориметрическое определение меди с помощью 2−2'-бицинхониновой кислоты // Изв. Вузов: Химия и химическая технология, 1961. Т.4, № 1. С.25−27.
  104. Органические реактивы для определения неорганических ионов. Ассортимент реактивов на титан. М.: НИИТЭХИМ, 1972.
  105. Органические реактивы для определения неорганических ионов. Ассортимент реактивов на железо. М.: НИИТЭХИМ, 1972.
  106. В.А., Кирпичек А. А. Материалы для изготовления печатных плат // Обмен опытом в радиопромышленности, 1985. № 10. С. 37 40.
  107. Verfahren zum Verbessern der Haftungseigenschaften einer geharteten Epoxy-Oberflache // Пат. ФРГ 2 203 949 МКИ H 05К 1/03.
  108. С.Г., Васильев А. В., Зайцев В. И., Борисова J1.H. Перспективные материалы для изготовления печатных плат// Электротехника, 1985. № 12. С.38−42.
  109. , Ю.Г. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы. М.: „Химия“, 1982. с. 400.
  110. М., Доллимер Д., Галвей А. Реакции твердого тела. М.: Мир, 1983. 360с.
  111. Т.Н., Рухля В. А., Рускевич О. П. Рельеф поверхности, модифицированной под металлизацию полиимидной пленки и ее роль вформировании адгезионных связей подложки с металлом. М.: ДСП. ВИНИТИ 00.00.82 № 2726, 1882.27с.
  112. ИЗ. Александрова Л. Г., Борисова JI.H., Зайцев В. И. Адгезиопиые свойства эпоксидио-каучуковых покрытий стеклотекстолитов для печатных плат. // Пластические массы, 1986. № 10. С.14−15.
  113. Ю.В., Ангелов И. И. Чистые химические вещества. М.: Химия, 1974. 408 с.
  114. Краткий справочник химика / Под редакцией О. Д. Куриленко. Киев: Наукова думка, 1974. 984 с.
  115. Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. М: Химия, 1971. 144 с.
  116. Л.А., Китаев Г. А. Влияние поверхиостпо-активных веществ на процесс фотоактивации диэлектрических материалов // ЖПУ, 1999. Т.72. Вып.8.1. C.1272−1275.
  117. И.Т., Назаренко Ю. П., Некряч Е. Ф. Краткий справочник по химии. Киев: Наукова думка, 1974.984с.
  118. Дж.Н. Ионные равновесия. Л.: Химия, 1973. 446 с.
  119. А.А. Поверхностно-активные вещества. Свойства и применение. Л.: Химия, 1981.304с.
  120. Поверхностно-активные вещества. Справочник / Под ред. А. А. Абрамзона и Г. М. Гаевского. Л.: Химия, 1979. 376с.
  121. В.Ф. Химия и технология синтетических моющих средств. М.: Пищевая промышленность, 1964.195с.
  122. М.И., Калинкин И. П. Практическое руководство по фотоколориметрическим и спектрофотометрическим методам анализа. Л.: Химия, 1972. 408с.
  123. Backenbaugh W., Dinella D., Polakowski Т. A new process for process for patterning prinked wiring boards // Electronic packaging and production, 1981, № 12, p.76−90.
  124. Pat. 4 268 536 (USA) Method for depositing a metal on a surface // W. Backenbaugh,
  125. D. Dinella, T. Polakowski. Опубл. в Изобр. в СССР и за рубежом, 1982. № 2, вып.20.
  126. Pat. 393 096 (USA). Method for the production of radiant energgimaged printed circuits boards / J. Polichette, S. Farmingdall, E. Leech, O.Bay. Опубл. в Изобр. за рубежом, 1973. № 1, вып.26.
  127. Дж., Питтс Дж. Фотохимия. М.: Мир, 1968. 671 с.
  128. Pat. 3 821 016 (USA). Method of forming an adherent metallic pattern on a polyimide surfache / M.A. De Angelo. Опубл. в Изобр. за рубежом, 1974. № 13, вып.8.
  129. Pat. 3 451 813 (USA). Method of depositing a metal on a non conductive substrate / L.C.Kenney. Опубл. в Официал. Бюллетене по материалам пат. ведомства США, 1969, № 4 (25), т.863, разд.Н.
  130. В.В. Использование реакций химического осаждения металлов в процессах физического проявления. В кн. Процессы усиления в фотографических системах регистрации информации: Тез. докл. Всес. Конференции. Минск, 1981.С. 27−29.
  131. А.Г., Беккер Г. О. Фотохимические процессы в слоях. Л.: Химия, 1978. 231 с.
  132. А.В., Швинк М. А., Ларнер С. А. Применение и действие азинов в фотографическом процессе // Изв. Сиб. отд. АН СССР. Сер. хим. наук, 1980, № 2 (1). С. 91−100.
  133. П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. М.: Наука, 1972. 399 с.
  134. А.И., Шерстюк В. П., Дилунг И. И. Фотоперенос электрона и его прикладные аспекты. Киев: Наукова думка, 1982. 240 с.
  135. JI.A. Физико-химические закономерности процесса фотоактивации диэлектрических материалов: Автореф. канд.дис. Свердловск, 1985. 20 с.
  136. И.В., Киричек А, А» Дятленко В, А, Исследование процесса подготовки поверхности подготовки поверхности диэлектрика к химической металлизации // Обмен опытом в радиопромышленности. 1981, № 1. С. 128−132.
  137. Van Nickerk J.N., Schoening F.R.L. //Acta Cryst., 1953, v.6, № 227. p.501.
  138. И.Б., Аблов A.B. Химическая связь в комплексных соединениях. Кишинев: «Штлинца», 1962. 206 с.
  139. И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. -Л.: Химия, 1976.350 с.
  140. В.В. Магнето- и спектрохимические исследования координационных соединений некоторых переходных и актиноидных элементов. Автореферат дисс. на соиск. уч. ст. д.х.п. Москва, ИОНХ, 1968.
  141. А.Г., Семченко Д. П. Физическая химия. Учебник для вузов. М.: Высшая школа, 1999. 527с.
  142. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. А. А. Гавделя и А. Н. Пономаревой. Л.: Химия, 1983. 232с.
  143. Краткий справочник химика, т.1 /Под редакцией Никольского. Киев: М. «Наука», 1963. с. 1071.
  144. Т.Л., Брусницына Л. А., Макурин Ю. Н., Никоненко Е. А., Двойнип В. И. Кинетика набухания адгезивного слоя диэлектрических материалов. // V -семинар СО РАН-УрОРАН «Термодинамика и материаловедение». Тезисы докладов. Новосибирск, 2005. С 106.
  145. Т.Л., Брусницына Л. А., Макурин Ю. Н., Степановских Е. И. Влияние комплексообразования на растворимость хлорида меди (I). // Вестник УГТУ УПИ. Серия химическая, 2005. № 5 (57). С. 216−218.
  146. Ильичева T. JL, Брусницына JI.A., Макурин Ю. Н. Кинетические особенности восстановления меди (И) в твердой фазе // Вестник УГТУ УПИ. Серия химическая, 2004. № 7 (37). С. 40−41.
  147. Ильичева T. JL, Макурин Ю. Н., Брусницына JI.A. Извлечение никеля, меди и тартрата из растворов химического меднения // Материалы всероссийской конференции «Экологические проблемы промышленных регионов», Екатеринбург, 2004. С. 367.
  148. Т.Л., Брусницына JI.A., Марков В. Ф. Регенерация и утилизация растворов подготовки поверхности диэлектрических материалов // Материалы всероссийской конференции «Экологические проблемы промышленных регионов», Екатеринбург, 2004. С. 366−367.
  149. T.JI. Проблемы очистки сточных вод на ГУП «ПО «Октябрь» // Материалы научно-технического семинара «Уральское отделение РАН г. Каменск-Уральскому», 2001. С. 98−99.
  150. Т.Л., Макурин Ю. Н., Бруспицыиа Л. А., Степановских Е.И., Двойнин
  151. B.И. Механизм набухания эпоксикаучукового слоя в органических растворителях. // Химия и химическая технология. Научные труды УГТУ-УПИ, г. Екатеринбург, 2006.1. C.130−132.
  152. Т.Л., Макурин Ю. Н., Брусницына Л. А., Степановских Е. И., Двойнин В.И Определение содержания меди (И) в адгезивном слое органических стеклопластиков. // Заводская лаборатория, 2006. № 11, С.25−26.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!