Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Формирование и оптические свойства пирамид роста несингулярных граней искусственных кристаллов кварца

Диссертация: Формирование и оптические свойства пирамид роста несингулярных граней искусственных кристаллов кварца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В ходе выполненной исследовательской работы, гидротермальным методом температурного перепада в промышленных автоклавах, была выращена серия кристаллов кварца с закономерно-неоднородным распределением примесных центров в объеме пирамид роста несингулярных граней (НГ) Z-зоны. По картинам рентгеновской дифракционной топографии были проанализированы процессы реконструкции поверхности НГ… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ФОРМИРОВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА
    • 1. 1. Кристаллы кварца их свойства и получение
    • 1. 2. Секториальное строение кристаллов кварца
    • 1. 3. Связь качества искусственных кристаллов кварца с условиями их выращивания. Постановка задачи исследования
  • ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Гидротермальный синтез кристаллов кварца
    • 2. 2. Приготовление образцов для исследований
    • 2. 3. Спектральный анализ
    • 2. 4. Применение ИК-спектроскопии для оценки качества искусственных кристаллов кварца
    • 2. 5. Метод рентгеновской дифракционной топографии
    • 2. 6. Метод рентгенофлуоресцентного анализа
    • 2. 7. Другие методы
  • ГЛАВА 3. СУБСТРУКТУРА ПИРАМИДЫ РОСТА НЕСИНГУЛЯРНЫХ ГРАНЕЙ Z-ЗОНЫ ИСКУССТВЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА
    • 3. 1. Структурные неоднородности в пирамидах роста несингулярных граней Z-зоны искусственных кристаллов кварца, выявляемые методом рентгеновской дифракционной топографии
    • 3. 2. Ступенчатый фронт кристаллизации несингулярных граней Z-зоны искусственных кристаллов кварца
    • 3. 3. Концентрация различных примесных центров в объёме исследуемых образцов по оценкам методом фотометрии пламени и атомно-эмиссионного анализа
    • 3. 4. Поглощение в пирамидах роста несингулярных граней Z-зоны искусственных кристаллов кварца ИК-излучения
      • 3. 4. 1. Поглощение не поляризованного ИК-излучения
      • 3. 4. 2. Поглощение плоско поляризованного ИК-излучения
    • 3. 5. Результаты рентгенофлуоресцентного анализа
  • ГЛАВА 4. МАКРОСТУПЕНЧАТЫЙ ФРОНТ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И СОДЕРЖАНИЕ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ В ОБЪЁМЕ ПИРАМИДЫ — РОСТА НЕСИНГУЛЯРНЫХ ГРАНЕЙ Z-ЗОНЫ ИСКУССТВЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА
    • 4. 1. Формирование пирамид роста несингулярных граней Zзоны искусственных кристаллов кварца макроступенчатым фронтом кристаллизации
    • 4. 2. Ориентационный эффект распределения примесных центров
    • 4. 3. Оптические аномалии пирамид роста, сформированных макроступенчатым фронтом кристаллизации

Формирование и оптические свойства пирамид роста несингулярных граней искусственных кристаллов кварца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы

Гидротермальным методом кристаллы традиционно выращивают на протяжённых затравках (в форме пластин либо стержней), ориентированных параллельно основным кристаллографическим плоскостям с малыми индексами Миллера. Так, например, промышленное производство искусственных кристаллов кварца (ИКК), освоенное во многих ведущих странах мира в связи с широким использованием этих кристаллов в различных областях науки и техники, ведётся на затравочных пластинах, вырезанных параллельно плоскости пинакоида (0001). Причём, точность угла среза затравок во многом определяет качество будущих кристаллов и имеет строги ограничения в международном стандарте качества данного сырья.

ИКК, выращенные на затравочных пластинах, поверхности которых составляют заданный угол с базовой кристаллографической плоскостью (являются несингулярными гранями (НГ), имеют низкое качество, и практического применения пока не находят. Основной причиной образования в их объёме многочисленных дефектов является неустойчивость плоского фронта роста НГ и его реконструкция на начальных этапах выращивания в поверхность сложного профиля. Особенности реконструкции НГ в зависимости от их исходной кристаллографической ориентировки в настоящее время в полной мере не установлены.

Установление связи формы фронта кристаллизации с субструктурой формируемой пирамиды роста и распределением в ней примесных центров на примере ИКК имеет определённый научный и практический интерес, поскольку в перспективе может быть использовано при разработке технологии получения кристаллов с модулированной субструктурой (в частности пластинчатых кристаллов).

Особое место в работе занимает изучение особенностей поглощения поляризованного ИК-излучения в объёме пирамид роста различных граней кристаллов кварца. Данная методика не является традиционной. Обнаруженные оптические аномалии дают важную дополнительную информацию о природе примесных центров в ИКК и особенностях их распределения в пирамидах роста различных граней, которая в дальнейшем может быть использована при совершенствовании методов оценки качества кварцевой продукции.

Работа выполнена в рамках гранта Минобразования России № 01.200 303 784.

Цель работы — изучение формирования субструктуры пирамид роста НГ зоны [0001] ИКК, а так же оценка различными методами содержания в них примесных центров.

Конкретные задачи исследования сводятся:

• к оценке статистических параметров распределения по размерам ступеней фронта кристаллизации НГ Z-зоны ИКК;

• к изучению распределения структурных неоднородностей в объёме пирамид роста НГ Z-зоны ИКК методом рентгеновской дифракционной топографии в варианте Ланга;

• к оценке методами ИК-спектроскопии, рентгенофлуоресцентного анализа, фотометрии пламени и атомно-эмиссионного анализа содержания примесных центров в объёме пирамид роста НГ Z-зоны ИКК;

• к анализу механизма формирования пирамид роста несингулярных граней Z-зоны ИКК и распределения примесных центров в их объёме, обусловленное ступенчатым фронтом роста;

• к исследованию особенностей поглощения плоско поляризованного ИК-излучения в пирамидах роста различных граней ИКК.

Научная новизна работы. 1. Установлено, что стационарная стадия процесса реконструкции НГ Z-зоны ИКК характеризуется установлением одинакового для различных исходных ориентировок НГ среднестатистического расстояния между ступенями.

2. Обнаружен ориентационный эффект распределения примесных центров в объёме пирамид роста НГ Z-зоны ИКК, заключающийся в закономерном уменьшении их валовой концентрации с увеличением параметра несингулярности поверхностей затравочных пластин (угла 0).

3. Показано, что параметры ориентационного эффекта распределения примесных центров в объёме пирамид роста НГ Z-зоны ИКК коррелируют с плотностью пластин роста. При этом, концентрация их в области границы в ~20 раз превышает их концентрацию в матрице.

4. Впервые построены индикатрисы коэффициентов экстинкции основных полос поглощения поляризованного ИК-излучения в объёме пирамид роста различных граней ИКК.

Практическая ценность работы. Показано, что пластинчатая субструктура пирамид роста НГ Z-зоны ИКК обусловлена стационарностью ступенчатого рельефа их фронта роста. Средний размер ступеней задаётся исходной ориентировкой затравочной пластины и для исследованных кристаллов может варьироваться в диапазоне 10−100 мкм.

Обнаруженные оптические аномалии поглощения плоско поляризованного ИК-излучения дают дополнительную информацию о природе структурных примесных центров и в перспективе могут быть использованы в разработке новых методов сертификации высококачественной кварцевой продукции. Автор защищает:

1. Эмпирически установленную связь стационарной стадии процесса реконструкции НГ Z-зоны ИКК в гидротермальных условиях с установлением одинакового среднего расстояния между ступенями, не зависящего от исходной ориентировки затравочной пластины.

2. Экспериментально обнаруженный «ориентационный эффект» распределения примесных центров, состоящий в связи их средней концентрации с исходной ориентировкой затравочной пластины (параметром несингулярности).

3. Корреляционную связь параметров «ориентационного эффекта» распределения примесных центров в объёме пирамид роста НГ зоны [0001] ИКК с плотностью пластин роста.

4. Обнаруженные оптические аномалии поглощения плоско поляризованного ИК-излучения в пирамидах роста различных граней ИКК.

Апробация работы. Основное содержание диссертации отражено в 9 публикациях. Материалы диссертационной работы докладывались на следующих конференциях и семинарах: Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы», Екатеринбург, 2000; IX Национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2000», Москва, 2000; X Национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2002», Москва, 2002; Международной конференции по физике электронных материалов «ФИЭМ» 02″, Калуга, 2002; III Национальной кристаллохимической конференции, Черноголовка, 2003; Пятой международной конференции «Рост монокристаллов и тепломассоперенос» (ICSC-03), Обнинск, 2003; Международном семинаре «Кварц. Кремнезём», Сыктывкар, 2004.

Структура и объем работы. Работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка используемой литературы. Диссертация изложена на 119 страницах, включая 10 таблиц и 23 рисунка. Список цитируемой литературы содержит 231 наименование.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ВЫВОДЫ.

В ходе выполненной исследовательской работы, гидротермальным методом температурного перепада в промышленных автоклавах, была выращена серия кристаллов кварца с закономерно-неоднородным распределением примесных центров в объеме пирамид роста несингулярных граней (НГ) Z-зоны. По картинам рентгеновской дифракционной топографии были проанализированы процессы реконструкции поверхности НГ с искусственным дефектом. Были проведены морфологические исследования реконструирующихся поверхностей несингулярных граней ступенчатого профиля выращенных кристаллов с последующей статистической обработкой данных. Различными, взаимодополняющими методами была проведена оценка концентраций основных примесных центров в объёме исследуемых кристаллов. Проведен анализ взаимосвязи концентраций различных примесных центров в объёме образцов с формой фронта их кристаллизации. Проведен азимутальный анализ поглощения плоско поляризованного ИК-излучения в пирамидах роста НГ Z-зоны искусственных кристаллов кварца.

По полученным экспериментальным данным можно сделать следующие выводы:

1. Показано, что стационарная стадия процесса реконструкции НГ Z-зоны ИКК в гидротермальной среде характеризуется установлением одинакового среднего расстояния между ступенями, независящего от их исходной ориентировки и составляет 40±4 мкм. Гистограммы распределения ступеней по размерам имеют асимметричный, одномодальный вид.

2. Для стационарной стадии реконструкции обнаруживается связь средней высоты макроступеней с исходной ориентировкой НГ (параметром несингулярности). Эмпирическая связь средней высоты макроступеней с исходной ориентацией НГ в исследованном интервале ориентировок 5°s025° может быть аппроксимирована функцией: l/h=-A+Bctg0 где А=(0,043±-0,011) мкм*1, В=(0,026±-0,002) мкм" 1.

3. Различными методами в объёме пирамид роста НГ Z-зоны ИКК обнаруживается «ориентационный эффект» распределения примесных центров, заключающийся в закономерном уменьшении их средней концентрации при увеличении угла среза затравочной пластины.

4. Высказано предположение, что природа ориентационного эффекта распределения примесных центров состоит в их перераспределении на ступенчатом фронте роста. При этом, в частности, Связь концентрации ОН-групп, входящих в дефектные алюминиевые тетраэдры в объёме пирамид роста НГ Z-зоны ИКК с плотностью макроступеней их фронта роста может быть аппроксимирована функцией вида:

С=Со+Сх/гх где Со=(2,3±-0,2), Сх=(44,5±-2,4) мкм.

5. Выявлены оптические аномалии поглощения плоско поляризованного ИК-излучения в образцах Z-среза из пирамид роста различных граней ИКК. Построены индикатрисы коэффициентов экстинкции основных полос поглощения в характеристической области спектров в зависимости от ориентировки образца относительно плоскости поляризации.

Автор считает своим приятным долгом выразить признательность кандидату физ.-мат. наук, доценту Мамаеву Н. А. и доктору хим. наук, профессору Тюменцеву В. А. за общее руководство работой и интерес к её темекандидату хим. наук Погребняк А. П. и кандидату хим. наук Абдрафикову С. Н. за предоставленную возможность стажировки на ОАО «Южноуральский завод «Кристалл» и оказанную помощь в решении некоторых методических вопросов, а также Михалицину А. А. и Михалициной О. В. за полезные обсуждения отдельных разделов диссертации и критические замечанияколлективу кафедры физики конденсированного состояния ГОУВПО «ЧелГУ» и её заведующему Бучельникову В. Д. за апробацию результатов и полезные дискуссии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Asahara I. Superior large autoclaves product synthetic quartz crystals // J. of Elektron. Eng., № 144, p. 36−39.
  2. Laudise R.A. Future needs and opportunities in crystal growth crystal growth toward the year 2000 // J. of Ciystal Growth. 1974, v. 24−25, № 1, p. 32−42.
  3. Дж., Дэна Э. С., Фрондель К. Система минералогии, минералы кремнезёма. М.: Мир, 1966.- 432 с.
  4. М.П. Акустические кристаллы. Справочник. М.: Наука. 1982, 632 с.
  5. А.В., Брызгалов А. Н. Влияние совершенства кристаллов кварца на величину вращения плоскости поляризации света // Оптика и спектроскопия. 2004, т. 96, № 4, с. 658−659.
  6. М.И. Физические исследования кварца. М.: Недра, 1975, -46 с.
  7. М.И., Цинобер Л. И., Хаджи В. Е., Лелекова М. В. Определение энергии активации образования центров дымчатой окраски в синтетическом кварце с примесью алюминия // Кристаллография. 1968, т. 13, № 5, с. 850−853.
  8. В.Г., Киевленко Е. Я., Никольская Л. В., Самойлович М. И., Хаджи В. Е., Цинобер Л. И. Минералогия и кристаллофизика ювелирных разновидностей кремнезёма. М.: Недра. 1979, 152 с.
  9. Ш. А., Гасанов Э. М., Самойлович М. И., Яркулов У. Радиационные эффекты в кварце. Ташкент, изд. «ФАН» УзССР. 1975, — 188с.
  10. B.C., Лисицина Е. Е. Синтетические аналоги и имитация природных драгоценных камней. М.: Недра. 1981, 160 с.
  11. К.П., Фотченко А. А., Капустина Г. А. Процессы радиационного дефектообразования в кварце. Корреляционные зависимости оптических, акустических и диэлектрических свойств // Кристаллография. 1985, т. 30, вып. 2, с. 335−342.
  12. Д. Примеси и внутреннее трение в кристаллическом кварце. В кн.: Физическая акустика. Ред. У. Мезон. М.: 1973, т. 5, с. 72−133.
  13. Milan К. Effect of different kinds of radiation on velocity and attenation of elastic waves: quartz and DKT // Fyz. Cas. 1971, v. 21, № 2−3, p. 132−135.
  14. Lipson H.G., Euler F., Armington A. Low temperature infrared absorption of impurities in high grade quartz // Proceedings Ann. Symp. of Frequency Control. 1978, 32 nd., p. 11−23.
  15. М.Г., Фотченков A.A., Хаджи B.E. Влияние условий кристаллизации на механические потери в кварце. В кн.: Физические исследования кварца. М.: Наука. 1975, — с. 42−46.
  16. Brice J.C. Crystals for quartz resonators // Reviews of Modern Physics, 1985, v.57, 1, p.105−146.
  17. Laudise R.A. Hydrothermal synthesis of single crystals // Progress in inorganic chemistry. New-York, 1962, v.3, p. 1−47.
  18. Ballman A.A., Laudise R.A. Hydrothermal growth // The art and science of growing crystals. New-York, 1963, p. 231−251.
  19. Г. Г. Морфология и генезис кристаллов. М.: Наука. 1973. -328 с.
  20. В.П., Икорникова Н. Ю. Стабильная форма роста кристаллов кварца // Зап. Всесоюзн. минер, об-ва. 1956, вып. 3, с. 395−397.
  21. Л.И., Хаджи В. Е., Гордиенко Л. А., Литвин Л. Т. Особенности механизма роста кристаллов синтетического кварца. -В кн.: Рост кристаллов. Ереван: изд-во Ереванского госуниверситета. 1977, т. 12, с.75−86.
  22. А.А. Регенерация кристаллов. Кинетические и морфологические аспекты. Л.: Наука. 1979. 175 с.
  23. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.:Недра, 1981, С. 390.25. http://www.iec.ch Сайт Международной Электротехнической Комиссии (Text search: quartz).
  24. Sawyer В. Q capability indications from infrared absorption measurements for Na2C03 process cultured quartz// IEEE Trans. SUS. 1972, v. su-19,№l, p. 41−44.
  25. Fraser D.B., Dood D.M., Rudd D.W., Cattell W.J. Using infrared to find mechanical Q of a-quartz // Frequency. 1964, v. 4, 11, p. 18−21.
  26. Chakraborty D. Dependence of mechanical Q of growth rate of quartz single crystals //J. Crystal Growth. 1977, v. 41, 2, p. 177−180.
  27. Furong C. The quality control of quartz growth: a Chinese perspective // Prog. Crystal Growth and Charact. 1995, vol. 30, p. 283−294.
  28. A.P., Миусков В. Ф. Дефекты в природном и синтетическом кварце. -В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука. 1967, т. 7, с. 133−146.
  29. В.Н. К вопросу о секториальном распределении неструктурной примеси в кристаллах синтетического кварца // ЗВМО. 1971, вып. 2, ч. 100, -с. 220−221.
  30. Л.И., Хаджи В. Е., Гордиенко Л. А., Самойлович М. И. Природа дефектов в синтетическом а-кварце. В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука. 1965, т. 6,-с. 22−36.
  31. В.Г., Хаджи В. Е. О природе центров светорассеяния в отожженном синтетическом кварце // Кристаллография. 1976, т. 21, № 3, -с. 614−619.
  32. А.Н., Мусатов В. В. Влияние скорости выращивания кристаллов кварца на их оптические свойства // Вестник ЧГПУ, Челябинск, 1996,-с. 152−157.
  33. Г. В., Брызгалов А. Н., Буторин Л. Н., и др. О природе V-образных дефектов оптической однородности искусственных кристаллов кварца // ЗВМО. 1973, вып. 1, ч. 102, с. 89−93.
  34. Yoshimura J., Kohra К. Studies on growth defects in synthetic quartz by X-ray topography // J. Crystl Growth. 1976, 33, p. 311−323.
  35. У. Исследование резонансных колебаний и нарушений структуры в монокристаллах методом рентгеновской дифракционной топографии / Мэзон У. Физическая акустика. М.: Мир, 1973. с.135−191.
  36. McLaren A.S., Osborn C.F., Saunders L.A. X-Ray Topographic Study of Dislocations in Synthetic Quartz // Phys. State Solids. Ser. A, 1971, v. 4, № 1, p. 235−247.
  37. Lipson H.G., Euler F., Armington A. Low temperature infrared absorption of impurities in high grade quartz // Proceedings Ann. Symp. of Frequency Control. 1978, 32 nd, p. 11−23.
  38. B.E., Самойлович М. И., Орлов O.M., Цинобер Л. И., Гордиенко Л. А. Способ оценки качества кристаллов. Авт. свид. № 769 415, 1980, 601 № 21/17.
  39. Л.Н., Брызгалов А. Н., Клещёв Г. В., и др. Рост кристаллов кварца на сферической затравке // Минер, сб. Львовского ун-та. 1970, вып. 2, № 4, -с. 151−154
  40. Г. В., Брызгалов А. Н., Черный Л. Н. Зависимость внутренней морфологии искусственных кристаллов кварца от ориентировки среза затравочных пластин // Записки Всесоюзного минералогического общества, 1972, вып. 3, С. 359−365.
  41. А.Н., Клещёв Г. В., Кашкуров К. Ф., и др. Структура кристаллов кварца, выявляемая травлением в автоклаве // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1968, т. 4, № 3, -с. 362.
  42. Г. В., Брызгалов А. Н., Чёрный Л. Н., и др. Некоторые закономерности формирования искусственных кристаллов кварца. В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1974, т. 10, -с. 158−164.
  43. А.Н. Проявление «Эффекта пассивных граней» кварца и корунда / Субструктурное упрочнение металлов и дифракционные методы исследования. Киев: Наукова Думка, 1985, -с. 220−221.
  44. А.Н., Мусатов В. В., Халилов J1.M. Направленное дефектообразование / II Всесоюзная школа по физике и химии рыхлых и слоистых кристаллических структур. Харьков, ХПИ. 1988, -с. 141−142.
  45. А.Н., Мусатов В. В. Управление дефектностью кристаллов кварца / Физика кристаллизации. КГУ, 1988, с. 48.
  46. А.Н., Мусатов В. В. Исследование секторов <0001> и <1120> искусственных кристаллов кварца / Физика кристаллизации. Тверь, ТГУ, 1994, с. 92−97.
  47. А.Н., Мусатов В. В. Слепченко Б.М. Формирование кристаллов кварца с микроканальной структурой / Получение, свойства и применение дисперсных материалов в современной науке и технике. Челябинск, 1991,-с. 50−57
  48. Lang A.R. The proection topograph- a new method in X-ray diffraction microradiography // Acta Cryst. 1959, v. 12, № 1, p. 249−255.
  49. Л.В., Клещёв Г. В., Брызгалов А. Н. и др. Пассивные грани и дефектные поверхности кристаллов кварца // ДАН СССР, 1971, т. 190, № 2, с. 327−336.
  50. Н. А. Кузнецов А.Ф. Зацепин А. Ф. Шульгин Б.В. О реконструкции несингулярных граней кристаллов кварца в гидротермальных условиях // Кристаллография. 1987. вып.1. том 32. с. 192−202.
  51. Л.В. Пассивные грани гексагональной призмы кристаллов кварца: Дис. .канд. физ.-мат. наук. Челябинск, 1972.
  52. Г. В., Скобелева JI.B., Брызгалов А. Н. Строение и дефекты кристаллов кварца // Минер, сб. Львовского ун-та. 1974, № 28, вып. 4. -с. 79−85. v
  53. Г. В., Брызгалов А. Н., Скобелева Л. В., и др. Пластинчатое строение кристаллов // Вопросы физики твёрдого тела. Челябинск, 1974, вып.5, -с. 68−79.
  54. Н.А., Погребняк А. П. Дозовые изменения кривых термостимулированной люминесценции в искусственных кристаллах кварца// Вестник Челябинского университета. 1998, вып. 1, -с. 81−89.
  55. А.А., Кузнецов В. А. Кинетика гидротермальной кристаллизациикварца в различных растворах и гипотеза адсорбционной пленки// Кристаллография. 1969, том 14, вып. 5, С. 879−883.
  56. Г. В., Скобелева Л. В., Брызгалов А. Н., Кузнецов А. Ф., Мамаев Н. А., Буренин Н. П. Молекулярный механизм роста кристаллов кварца и их дефекты. В кн.: Вопросы физики твердого тела. Челябинск. 1973, вып. 4, С. 91−99.
  57. А.Н., Слепченко Б. М., Мусатов В. В. Молекулярный механизмформирования низкотемпературного кварца // Материалы конференции по итогам научно-исследовательской работы преподавателей, сотрудников и аспирантов. Челябинск, ЧГПУ, 1994, -с. 78−80.
  58. А.Н., Мусатов В. В. О молекулярном механизме формированиякристаллов низкотемпературного кварца // Материаллы III Российской университетско-академической научно-практической конференции. Ижевск, 1997, -с. 4−5.
  59. Bonzel Н.Р. Surface Morphologies: Transient and Equilibrium Shapes // Interface Science. 2001, 9, p. 21−34.
  60. Mullins W.W. Capillarity-Induced Surface Morphologies // Interface Science.2001, 9, p. 9−20.
  61. И.Л., Малкин A.M., Чернов A.A. Кинетика и нерегулярностьроста граней призмы и дипирамиды кристаллов АДР // Кристаллография. 1986, том 31, вып. 4, С. 769−775.
  62. Reyhani М.М., Oliveira A., Parkinson G.M., Jones F., Rohl A.L., Ogden M.I.1. situ characterization of calcite growth and inhibition using atomic force microscopy // International Journal of Modern Physics B. 2002, vol. 16, № 1&2, p. 25−33.
  63. Coriell S. R., Chernov A.A., Murray B.T., McFadden G.B. Step bunching: generalized kinetics // Journal of Crystal Growth. 1998, 183, p. 669−682.
  64. Murray B.T., Coriell S. R., Chernov A.A., McFadden G.B. The effect of oscillatory shear flow on step bunching // Journal of Crystal Growth. 2000, 218, p. 434−446.
  65. Э.Н., Юферов B.C. Устойчивость плоского фронта кристаллизации с послойным механизмом роста и образование макроступеней // Кристаллография. 1989, том 34, вып. 1, С. 16−21.
  66. Yamamoto Т., Akutsu Y., Akutsu N. Position distribution of steps on vicinalsurface and surface stiffness //Journal of Crystal Growth.2001,229,p.619−624.
  67. A.A. Теория устойчивости гранных форм роста кристаллов // Кристаллография. 1971, том 16, вып. 4, С. 842−863.
  68. Chernov A.A. Crystal growth science between the conturies // Journal of materials science: materials in electronics. 2001, 12, p. 437−449.
  69. Haldenwang P. On Kinetics and hydrodynamics related to the growth of faceted crystals // Journal of Crystal Growth. 1989, 96, p. 652−666.
  70. Kawasaki M., Onuma K., Sunagawa I. Morphological instabilities during growth of a rough interface: AFM observation of cobbles on the (0001) face of synthetic quartz crystals // Journal of Crystal Growth. 2003, 258,1−2, p. 188−196.
  71. Iwasaki H., Iwasaki F., Balitsky V.S., Balitskaya L.V., Makhina I.B. Growthrates anisotropy of synthetic quartz crystals grown on Z-cut hexagonal seeds and computer simulations of growth process // Journal of Crystal Growth. 1998, 187, p. 481−489.
  72. Iwasaki F., Iwasaki H., Yokokawa H., Kurashige M., Oba K. Computer simulation of growth process in synthetic quartz crystals growth from X-bar, Y-bar and rectangular Z-plate seeds // Journal of Crystal Growth. 2002, 234, p. 711−720.
  73. Iwasaki F., Iwasaki H. Historical review of quartz crystal growth // Journal of
  74. Crystal Growth. 2002, 237−239, p.820−827.
  75. Iwasaki F., Iwasaki H. Morphological variations of quartz crystals as deducedfrom computer experiments //Journal of Crystal Growth. l995,151,p.348−358.
  76. Martin J.J., Armington A.F. Effect of growth rate on quartz defects // Journalof Crystal Growth. 1983, 62, p. 203−206.
  77. Lee Y.K., Bak R.H., Chung S.J. The distribution of inclusions in synthetic quartz // Journal of Crystal Growth. 1997, 182, p. 81 -85.
  78. Arnaud R., Cambon O. Decrease of dislocation content by crossed crystal growth of a-quartz // Ann. Chem. Sci. Mater. 1997, 22, p. 577−582.
  79. Borissov M., Dechev D., Yossifov E., Kusev V., Spassov L. Studies on the
  80. Hydrothermal Growth of Piezoelectric Quartz // Bulg. J. Phys. 1982, vol. 9, № 4, p. 353−366.
  81. Guzzo P.L., Raslan A.A., Shinohara A.H., Suzuki C.K., Mikawa Y. Characterization of synthetic quartz crystals grown from cylindrical seeds produced by ultrasonic machining // Journal of Crystal Growth. 2001, 229, p. 275−282.
  82. Utsugita Y. Higher Q value synthetic quartz crystal produces precision crystalproducts //Journal of Electronic Engineering. 1991, 28, Issue 295, p. 26−30.
  83. Furong С. Crystallization at a constant quantity: A new control method in highquality quartz growth // Proceedings of the 1996 50th IEEE International Frequency Control Symposium. 1996, Jun. 5−7, Honolulu, HI, USA, p. 90−93.
  84. Zhong W., Hua S. Defects and quality determination of synthetic quartz //
  85. Yadian Yu Shengguang Piezoelectrics and Acoustooptics. l993,15,Issue5,p. 61−65.
  86. Shinohara A.H., Zampieri P.R., Suzuki C.K. Novel technique for fast X growthin synthetic quartz // Proceedings of the 1998 IEEE International Frequency Control Symposium. 1998, May 27−29, Pasadena, С A, USA, p. 796−800.
  87. Shinohara A.H., Iano M.C., Suzuki C.K., Mikawa Y. Characterization of lowdislocation synthetic quartz grown on highly distorted seed by X-ray topography // Proceedings of the Annuel IEEE International Frequency Control Symposium. 1999, v.2, p. 766−768.
  88. Mikawa Y., Hatanaka M., Banno Y. New technique to decrease dislocations insynthetic quartz crystal // Proceedings of the Annual IEEE International Frequency Control Symposium. 1999, v.2, p. 773−776.
  89. Nagai K., Hamaguchi K., Kita K., Asahara J. Parametric study of line defectsin synthetic quartz crystal // Proceedings of the 1997 IEEE International Frequency Control Symposium. 1997, May28−30,Orlando, FL, USA, p.519−526.
  90. Suzuki C.K., Tanaka M.S., Shinohara A.H. Growth and characterization of optical grade synthetic quartz // Proceedings of the 1996 50 IEEE International Frequency Control Symposium. 1996, Jun. 5−7, Honolulu, HI, USA, p. 78−83.
  91. A.H. Свойства и дефекты оптических кристаллов (кварц, корунд, гранат): Автореф. дис. .д-ра физ.-мат. наук. Челябинск, 1998.
  92. Shinohara A.H., Suzuki C.K. Study of S- and bar synthetic quartz by X-raytopography // Proceedings of the 1996 50th IEEE International Frequency Control Symposium. 1996, Jun. 5−7, Honolulu, HI, USA, p. 72−77.
  93. Bauer N.M., Pogrebnyak A.P., Abdrafikov S.N., Mamaev N.A., Shulgin B.V.
  94. Specific features of crystals lamellar structure // Proceedings of the 1995 49th IEEE International Frequency Control Symposium. 1995, May 31-Jun 2, San Francisco, CA, USA, p. 685−695.
  95. Kawasaki M. Effect of A1 upon the morphology of synthetic quartz crystals //
  96. Journal of Crystal Growth. 1995, 155, p. 75−80.
  97. Hosaka M., Miyata Т., Sunagawa I. Growth and morphology of quartz crystalssyntesized above the transition temperature // Journal of Crystal Growth. 1995, 152, p. 300−306.
  98. Balitsky V.S., Bublikova T.M., Balitskaya L.V., Kalinichev A.G. Growth ofhigh temperature (3-quartz from supercritical aqueous fluids // Journal of Crystal Growth. 1996, 162, p. 142−146.
  99. Iliescu В., Enculescu I., Vasiliu F., Secu M. Growth of metal structures inquartz crystals by electrodiffusion // Journal of Crystal Growth. 1999, 198/199, p. 507−510.
  100. Dersch O., Rauch F. Water uptake of quartz investigated by means of ion-beam analysis // Fresenius J. Anal. Chem. 1999, 365, p. 114−116.
  101. Kagami Т., Matsumoto Т., Sugaya N., Kawasaki M., Mitsugi H., Hamaguchi K., Takahashi J. Heat treatment effect upon etch-channel formation in synthetic quartz crystals // Journal of Crystal Growth. 2001, 229, p. 270−274.
  102. А.А., Будуров С. И. О формах роста макроскопических ступеней. Развитие граней на торцах ступеней // Кристаллография. 1964, том 9, вып. 3, С. 388−395.
  103. В.В., Чернов А. А. Захват примеси при движении элементарной ступени // Кристаллография. 1967, том 12, вып.2,С.222−229.
  104. A.C., Рашкович JI.H., Ржевский В. В., Чернов А. А. Изотропная дислокационная спираль при нелинейной зависимости скорости ступеней роста от пересыщения // Кристаллография. 1989, том 34, вып. 2, С. 439−445.
  105. Shchukin V.A., Bimberg D. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces // Reviews of Modern Physics. 1999, vol.71, № 4, July, p. 1125−1171.
  106. Potapenko S. Yu. Formation of solution inclusion in crystal under effect of solution flow // Journal of Crystal Growth. 1998, 186, p. 446−455.
  107. Coriell S. R., Murray B.T., Chernov A.A., McFadden G.B. Step bunching on a vicinal face of a crystal growing in a flowing solution // Journal of Crystal Growth. 1996, 169, p. 773−785.
  108. Yamamoto Т., Akutsu Y., Akutsu N. Position distribution of steps on vicinal surface and surface stiffness // Journal of Crystal Growth. 2001, 229, p. 619 624.
  109. B.B., Рашкович Л. Н. Влияние подвижной адсорбированной примеси на движение ступеней // Кристаллография. 1992, том 37, вып. 3, С.559−570.
  110. С.Ю. Влияние примеси на соотношение Гиббса-Томсона для ступени на поверхности кристалла // Кристаллография. 1992, том 37, вып. 1, С.26−33.
  111. Sangwal К. Kinetic effects of impurities on the growth of single crystals from solutions //Journal of Crystal Growth. 1999, 203, p. 197−212.
  112. Sato M., Uwaha M. Morphological instability caused by asymmetry in step kinetics // Physical Review B. 1995, 51, 16, p. 11 172−11 175.
  113. Ohtani N., Katsuno M., Takahashi J., Yashiro H., Kanaya M. Evolution of macrosteps on 6H-SiC (0001): Impurity-induced morphological instability of step trains // Physical Review B. 1999, 59, 7, p. 4592−4595.
  114. А. А. Влияние течения внутри пограничного соя на морфологическую устойчивость вицинальной грани // Кристаллография. 1992,37, 1, с. 12−25.
  115. И.Г., Румянцев В. Н. Физико-химические аспекты гидротермального выращивания кристаллов // Кристаллография. 1977, том 22, вып. 1, С. 162−167.
  116. А.Г., Ходаковский И. Л., Рыженко Б. Н. Равновесия в системе Si02-H20 при повышенных температурах (вдоль нижней трехфазной кривой) // Геохимия. 1972, № 5, С. 575−591.
  117. В.Н. О природе спонтанной кристаллизации кварца в гидротермальных растворах//ЗВМО. 1992, № 3, С. 123−129.
  118. В.Н. Растворимость кварца в водных растворах NaOH при повышенных температурах и давлениях // Журнал неорганической химии. 1995, том 40, № 1, С. 42−48.
  119. В.М. Влияние минералообразующей среды на кинетику растворения и кристаллизации кварца в гидротермальных условиях // Записки всероссийского Минералогического Общества. 1993, часть CXXII, № 1, С. 137−147.
  120. В.Н. Расслаивание в щелочных силикатных растворах при повышенных давлениях и температурах (к проблеме строениягидротермальных кварцеобразующих систем) // ЗВМО. 1999, № 1, С. 125−130.
  121. А.В., Погребняк А. П., Мамаев Н. А. Фазообразование в гидротермальной среде // Всероссийская конференция «Химия твердого тела и функциональные материалы» Тезисы докладов. Екатеринбург, УрО РАН, 2000, С. 466.
  122. В.Н. Спонтанная кристаллизация кварца в щелочных растворах при гидротермальных условиях // Неорганические материалы. 1998, том 34, № 2, С. 196−201.
  123. Morris R.C., Chai В.Н.Т. Imperfect low-angle boundaries and fracture in hydrothermally grown berlinite crystals // Journal of Crystal Growth. 1998, 191, p. 108−112.
  124. И.Г. Строение и свойства силикатных растворов // Геохимия. 1974, № 3, С.434−443.
  125. Balitsky V.S., Balitskaya L.V., Lu Т., Shigley J.E. Experimental study of the simultaneous dissolution and growth of quartz and topaz // Journal of Crystal Growth, 2002, 237−239, p. 833−836.
  126. В.Н. Некоторые особенности гидротермальной кристаллизации кварца в условиях гетерогенного состояния растворителя // Кристаллография. 1992, том 37, вып. 2, С.500−508.
  127. B.C., Махина И. Б., Цинобер Л. И. О вхождении фтора в кристаллы синтетического кварца // Геохимия. 1974, № 3, С.487−492.
  128. Balitsky V.S., Machina I.B., Marin А.А., Shigley J.E., Rossman G.R., Lu T. Industrual growth, morphology and some properties of Bi-colored amethyst-citrine quartz (ametrine) // Journal of Crystal Growth. 2000, 212, p. 255−260.
  129. P., Паркер P. Рост монокристаллов. М.:Недра, 1981, С. 390.
  130. Guha А.К., Annamalai N., Kar Т., Sengupta S.P. X-ray Lang topography and infrared spectroscopy in quartz crystals grown hydrothermally with intermittent runs // Crystal Research and Technology. 1997. vol. 32, Issue 2, p. 329−337.
  131. Thomas V.G., Bekker T.B. The method of testing by temperature fluctuations (TTF) to investigate the hydrothermal crystal grows // Forth International Conference. 0bninsk-2001, p. 764−771.
  132. Voigt D.E., Brantley S.L. Inclusions in synthetic quartz // J. Crystal Growth, 1991, 113, p. 527−539.
  133. Yoshimura J., Taki S. Acicular crystals of synthetic quartz a general view of their morphologies and defects // Journal of Crystal Growth. 1992, 125, Issue 1−2, p. 237−250.
  134. C.H., Михалицын А. А., Михалицина O.B. Усовершенствованный способ получения низкодислокационных кристаллов кварца // X Национальная конференция по росту кристаллов. Москва, 2002. Тезисы докладов, с. 280.
  135. Kawasaki М. Growth-induced inhomogeneities in synthetic quartz crystals revealed by the cathodoluminescence method // Journal of Crystal Growth. 2003, 247, p. 185−191.
  136. Iwasaki F., Shinohara A.H., Iwasaki H., Suzuki C.K. Effect of impurity segregation on crystal morphology of Y-bar synthetic quartz // Japanese Journal of Applied Physics. Part 1: Regular Papers & Short Notes.
  137. Baughman R.J. Quartz crystal growth // Journal of Crystal Growth. 1991, 112, Issue 4, p. 753−757.
  138. Laudise R.A. Prog, in Inorg. Chem. T III. 1962, p. 133.
  139. Laudise R.A., Nielson J.W. Solid-State Physics. XII. Acad. Press. N-Y. 1963, p. 198.
  140. Iwasaki F., Iwasaki H., Okabe Y. Growth rate anisotropy of synthetic quartz grown in Na2C03 solution // J. Crystal Growth, 1997, 178, 4, p. 648−652.
  141. К.П., Фотченков А. А. Процессы радиационного дефектообразования в кварце// Кристаллография, 1985,30,1, С.119−125.
  142. К.П., Фотченков А. А. Процессы радиационного дефектообразования в кварце//Кристаллография, 1987, 32, 1, С. 149−156.
  143. Lees N.S., Walsby C.J., Williams J.A.S., Weil J.A., Claridge R.F.C. EPR of a hydrogen/double-lithium center in a-quartz // Phys. Chem. Minerals. 2003, 30, p. 131−141.
  144. .Г., Смагин А. Г. Особенности радиационного дефектообразования в кристаллическом кварце. Москва. ВИНИТИ,. 1986, С. 17.
  145. Iwasaki F., Iwasaki Н. Impurity species in synthetic and Brazilian natural quartz // Japanese Journal of Applied Physics. Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers. 1993, vol. 32, Issue 2, p. 893−901.
  146. Г. В. Определение бериллия, щелочных и щелочноземельных элементов минеральном сырье.М.:Недра, 1984, С. 176.
  147. Н.П., Столярова И. А. Химический анализ горных пород и минералов. М.: Недра, 1974, С. 248.
  148. Н.С. Методы анализа по фотометрии пламени. М.: Химия, 1967, С. 308.
  149. Bahadur Harish. Sweeping investigations on as grown Al-Li+ and Al-OH* centers in natural crystalline quartz // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelec., and Freq. Contr., 1995, 42, 2, p. 153−158.
  150. Campone P., Magliocco M., Spinolo G., Vedda A. Ionic transport in crystalline Si02: The role of alkali-metal ions and hydrogen impurities // Physical Review. В., 1995, v. 52, 22, p. 15 903−15 908.
  151. Dodd D.M., Fraser D.B. The 3000−3900 sm'1 absorption bands and anelastity in a-quarz. //J. Phys. Chem. Sol., 1965, 26, 1, p. 673−686.
  152. Д.В. Примеси и внутреннее трение в кристаллическом кварце / Мэзон У. Физическая акустика. М.: Мир, 1973. С.72−131.
  153. Brice J.C., Cole A.M. The characterization of synthetic quartz by using infrared absorption // Symposium of frequency control. 1978, 32nd, p. 1−10.
  154. Sawyer B. Q capability indications from infrared absorption measurements for Na2C03 process cultured quartz. // J. Cryst. Growth, 1976, 36, p. 345−356.
  155. В.Г., Соколов B.O., Дианов E.M. Гидроксидные группы в высокочистом кварцевом стекле // Неорганические материалы, 2000, 36, 4, С. 497−504.
  156. Bongiono A., Colombo L., Cargnoni F. Hydrogen diffusion in crystalline Si02 // Chemical Physics Letters, 1997, 264, 3−4, p. 435−440.
  157. Hirschmugl C.J. Frontiers in infrared spectroscopy at surfaces and interfaces // Surface Science. 2002, 500, p. 577−604.
  158. Guzzo P.L., Iwasaki F., Iwasaki H. Al-related centers in relatio to y-irradiation // Phys. Chem. Minerals. 1997, 24, p. 254−263.
  159. Bongiorno A., Colombo L., Trioni M.I. Migration of atomic hydrogen in crystalline and amorpheus Si02: a molecular dynamics study // Journal of Non-Crystalline Solids. 1997, 216, p. 30−35.
  160. Zecchini P., Portail F., Merigoux H. Alpha coefficient measurement of synthetic quartz // Proceedings of the 1998 IEEE International Frequency Control Symposium. 1998, May 27−29, Pasadena, CA, USA, p. 810−815.
  161. Bachheimer J.P. Optical (u.v.-v.i.s.-i.r.) study of the darkening effect induced by ionizing radiation of swept synthetic quartz // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1993, 54, Issue 11, p. 1501−1507.
  162. Bachheimer J.P. Thermal (500−580°C) stability of hydrogen in synthetic quartz//Journal De Physique. 1994, 4, Issue 2, p. 173−176.
  163. Sawyer B. International round Robin in infrared alpha measurements on slices of synthetic quartz // IEEE Transaction on Ultrasonics, Ferroelectrcs, and Freguency Control. 1994, 41, Issue 4, p. 467−472.
  164. Tan C.Z. Optical interference in overtones and combinations bonds in a-quartz // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2003, 64, p. 121−125.
  165. А.Г. Инфракрасные спектры неорганических стекол и . кристаллов. Л.:Химия, 1972, С. 289.
  166. И.П. Инфракрасные спектры поглощения некоторых групп природных соединений. Харьков, 1976, С. 156.
  167. К. ИК-спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1991, -536 с.
  168. А., Орвил-Томас У. Колебательная спектроскопия. Современные воззрения. М.: Мир. 1981, 480 с.
  169. Shinoda К., Aikawa N. Polarized IR Spectra of Optically Anomalous Topaz under FITR spectroscopy // Abstracts 16 General Meeting International Mineralogical Association, 4−9 September 1994. Pisa, Italy. P.373−374.
  170. Rossman G.R., Aines R.D. Birefrigent garnet from Asbestos, Quebec, Canada //Amer. Miner. 1986, v. 71, p. 779−780
  171. Akizuki M., Sunugawa I. Study of the sector structure in adularia by means of optical microscopy, infra-red absorption, and electron microscopy // Miner. Mag. 1978, v. 42, p. 453−462.
  172. .К. Современная кристаллография.Т.4.М.:Наука.1981,496 с.
  173. А.Г., Лунин Ю. О. Оптические аномалии в кристаллах // ЗВМО. 1996, № 4, с. 104−120.
  174. Kats A. Distribution of ОН in synthetic and natural quartz crystals // Philips Res. Rep., 1962, v. 17, 2, p. 133−195, 201−279.
  175. А.Г., Мильштеин Б. Г., Заитов Ф. А. Образование радиационных дефектов в кристаллах кварца с примесью железа // Кристаллография, 1997,42,3, С.484−487.
  176. Dodd D.M., Fraser D.B. Infrared studies of the variation of H-bonds OH insynthetic quartz// Amer. Miner., 1967, 52, 1, p. 149−160.
  177. Wood D.L. Infrared absorption of defects in quartz // J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 13, p. 326−336.
  178. Chakraborty D., Lehman G. Hydrogen in alpha-quartz // J. Solid State Chem. 1976, v. 17, 2, p. 305−311.
  179. Brice J.C., Cole A.M. Infrared absorption in a-quartz // J. Appl. Phys., 1979, 12, 2−3, p. 459−463.
  180. Matsuki G., Iwasaki F. Hydrogen bondet OH in synthetic quartz // Jap. J. Appl. Phys. 1968, v. 7, 9, p. 1136−1138.
  181. Iwasaki F. Hydrogen bonded in synthetic quartz // Jap. J. Appl. Phys. 1980, v. 19, 7, p. 1247−1256.
  182. Lias N.C., Grudenski E.E., Kolb F.D., Laudise R.A. The growth of high acoustic Q quartz at high growth rates // Journal of Crystal Growth. 1973, v. 18, -p. 1−6.
  183. Fraser D.B., Dood D.M., Rudd D.W., Cattell W.J. Using infrared to find mechanical Q of a-quartz // Frequency. 1964, v. 4, 11, p. 18−21.
  184. Chakraborty D. Dependence of mechanical Q of growth rate of quartz single crystals //J. Crystal Growth. 1977, v. 41, 2, p. 177−180.
  185. Furong C. The quality control of quartz growth: a Chinese perspective // Prog. Crystal Growth and Charact. 1995, vol. 30, p. 283−294.
  186. Brown R.N., Kahan A. Optical absorption of irradiated quartz in the near IR // J. Phys. Chem. Solids. 1975, v. 36, 5, p. 467−476.
  187. Bahadur H. Radiation-induced modifications of point defects in quartz crystals and their application in radiation dosimetry // Radiation Measurements. 2003, v. 36, 1−6, p. 493−497.
  188. Suzuki S., Nakashima S. In-situ IR measurements of OH species in quartz at high temperatures // Phys. Chem. Minerals. 1999, 26, p. 217−225.
  189. Bachheimer J.P. An investigation into hydrogen stability in synthetic, natural and air-swept synthetic quartz in air temperatures up to 1100 °C // J. Phys. and Chem. Solids, 1998, 59, 5, p. 831−840.
  190. Shimoda Y., Uno T. Study on sweeping and radiation hardness for high-purity synthetic quartz // Electronics & Communications in Japan. Part II: Electronics. 1990, vol. 73, Issue 9, p. 63−71.
  191. Neculae A. A study on the correlation between the point defects and dislocations in cx-Si02 // An. Univ. Timisoara. Ser. Sti. fiz., 1995,32,p.78−83.
  192. Bahadur Harish. A brief survey of aluminum and alkali-related hydroxyl defects in quartz crystals and their radiation effects // Radiation Physics and Chemistry, 1998, 51, 4−6, p.513−514.
  193. Barry T.J., Macnamara P., Moor W.J. Paramagnetic resonance and optical properties of amethyst // J. Chem. Phys. 1965, v. 42, № 7, p. 2599−2605.
  194. Jl.И., Хаджи В. Е., Цыганов Е. М., Самойлович М. И., Шапошников А. А. Выращивание и реальная структура кристаллов синтетического аметиста. В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1980, т. 13, с. 271−279.
  195. В.А., Красилов Ю. И., Бурков В. И. Экспериментальные исследования гиротропии кристаллов // УФН, 1974, т.114,№ 2, с.259−349.201. http://www.sawyerresearch.com Сайт компании Sawyer Research Products.
  196. Blacic J.D. Plastic-deformation mechanismus in quartz: the effect of water // Tectonophys, 1975, v. 27, 1−2, p. 271−294.
  197. Lang A.R. The orientation of Miller-Braveis axes of a-quartz // Acta Cryst. 1965, v. 19, № 2, p. 290−291.
  198. Authier A. Characterization of extended growth defects // Journal of Crystal Growth. 1977, v. 42, p. 612−620.
  199. A.H., Таран M.H., Балицкий B.C. Природа окраски самоцветов. М.: Недра, 1984. С. 196.
  200. А.С. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. М.: Недра. 1975, -376 с.
  201. У. Рентгеновское изображение поля нарушений решётки вокруг отдельных дислокаций / Елистратов. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С. 185 -204.
  202. Инденбом B. JL, Чуховский Ф. Н. Проблема изображения в рентгеновской оптике // УФН. 1971, т. 107, вып. 2, С.229−265.
  203. З.Г. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в идеальных кристаллах. М.: Наука, 1974, С. 368.
  204. В.И., Ревкевич Г. П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: МГУ, 1978, С. 278.
  205. Д.К., Таннер Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. Санкт-Петербург: Наука, 2002, С. 274.
  206. З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. М.: Наука, 1982, С. 390.
  207. В.Г. Прецизионный рентгеноструктурный анализ кристаллов // Соросовский образовательный журнал. 2000, том 6, № 6, С. 98−104.
  208. М.В., Кон В.Г. Рентгеновские стоячие волны новый метод исследования структуры кристаллов // УФН 1986, том 149, вып. 1, Май, С. 69−103.
  209. Г. Н., Пунегов В. И., Шилов С. В., Петраков А. П. Исследование структурных характеристик кристаллов флюорита методами рентгеновской дифрактометрии и топографии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2000, том 66, № 11, С.26−28.
  210. Н.В. Структура и формы материи. М.: Наука, 1966, 120 с.
  211. И.Л., Малкин А. И., Чернов А. А. Кинетика и нерегулярность роста граней призмы и дипирамиды кристаллов АДР // Кристаллография. 1986, том 31, вып. 4, С. 769−775.
  212. Reyhani М.М., Oliveira A., Parkinson G.M., Jones F., Rohl A.L., Ogden M.I. In situ characterization of calcite growth and inhibition using atomic force microscopy // International Journal of Modern Physics B. 2002, vol. 16, № 1&2, p. 25−33.
  213. Кляйнштюк K.-X., Венер Б., Рихтер К. Физические основы РФА / Эрхардт X. Рентгено-флуоресцентный анализ. М.: Металлургия, 1985, С. 256.
  214. М.А., Швейцер И. Г. Рентгеноспектральный справочник. М.: Наука, 1982, С. 376.
  215. ., Кляйнштюк К.-Х., Рихтер К. Проблемы при определении концентраций с помощью РФА / Эрхардт X. Рентгено-флуоресцентный анализ. М.: Металлургия, 1985, С. 256.
  216. Н.Ф. Рентгенофлуоресцентный анализ. Новосибирск: Наука, 1991, С. 176.
  217. ., Кляйнштюк К.-Х., Рихтер К. Определение концентраций с помощью РФА / Эрхардт X. Рентгено-флуоресцентный анализ. М.: Металлургия, 1985, С. 256.
  218. Г., Мудрак Д. Проблемы при определении концентраций с помощью РФА / Эрхардт X. Рентгено-флуоресцентный анализ. М.: Металлургия, 1985, С. 256.
  219. А.Н., Клещёв Г. В., Кузнецов А. Ф., Чёрный JI.H. Некоторые особенности внутреннего строения и роста кристаллов кварца // ЗВМО. 1967, ч. 96, вып. 4, -с. 435−439.
  220. А.Н., Клещёв Г. В. О пирамидах нарастания граней гексагональной призмы кристаллов кварца // Зап. Всес. минер, об-ва, 1970, ч. 99, вып. 1, с. 106−109.
  221. Г. В., Брызгалов А. Н., Скобелева JI.B., и др. О зонарности искусственных кристаллов кварца // ЗВМО. 1973, 4.102, вып.6,-с.711−715
  222. Г. В., Брызгалов А. Н., Скобелева JI.B., и др. Некоторые особенности формирования пирамиды роста пинакоида искусственных кристаллов кварца. В. кн.: Рост кристаллов. 1974, т. 10, — с. 135−142.
  223. Г. В., Брызгалов А. Н. Зависимость строения искусственных кристаллов кварца от условий выращивания // В кн. Рост кристаллов, М., Наука, 1974, т. 10, с. 143−157.
  224. Г. В., Скобелева JI.B., Брызгалов А. Н. О проблеме Н. Стенона // Допросы физики твёрдого тела, Челябинск, 1973, вып. 4, с. 85−90.
  225. А.Н., Скобелева Л. В., Клещёв Г. В., Кузнецов А. Ф. О формировании сектора нарастания пинакоида искусственных кристаллов кварца // Вопросы физики твёрдого тела. Челябинск, 1972, вып. 3, с. 79−85.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!