Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в иттрий-железистых гранатах

Диссертация: Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в иттрий-железистых гранатах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Благодаря стремительному развитию магнитной микроэлектроники большое практическое применение находят кристаллы ферритов-гранатов Это обусловлено сочетанием ряда уникальных свойств, присущих этим кристаллам: высокой оптической прозрачностью, большими магнитооптическими эффектами, разнообразием доменных структур, параметрами которых можно управлять в широких диапазонах температур и внешних… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Структура кристалла
    • 1. 2. Магнитострикция в кристаллах кубической симметрии
    • 1. 3. Фотоиндуцированные явления в кристаллах УзРезО^
  • ГЛАВА 2. ОБРАЗЦЫ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Тензометрический метод
    • 2. 2. Фотолитография
    • 2. 3. Экспериментальная установка и подготовка образца
    • 2. 4. Проведение измерений и погрешности
  • ГЛАВА 3. ФОТОИНДУЦИРОВАННОЕ ИЗМЕНЕНИЕ МАГНИТОСТРИКЦИИ В ИЖГ (Ва) И ИЖГ (РЬ)
    • 3. 1. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в ИЖГ (Ва) и ИЖГ (РЬ)
      • 3. 1. 1. Температурная зависимость фотоиндуцированных изменений магнитострикции
      • 3. 1. 2. Спектральная чувствительность эффекта в ИЖГ (Ва)
    • 3. 3. Расчет зависимостей магнитострикционных деформаций от направления намагниченности в ИЖЦВа) и ИЖГ (РЬ)
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ФОТОИНДУЦИРОВАННОЕ ИЗМЕНЕНИЕ МАГНИТОСТРИКЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ИЖГ (81)
    • 4. 1. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в ИЖГ (81)
    • 4. 3. Спектральная зависимость изменения магнитострикции в ИЖГ (81)
    • 4. 2. Расчет угловых зависимостей в ИЖГ (Б1)
  • Выводы

Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в иттрий-железистых гранатах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Благодаря стремительному развитию магнитной микроэлектроники большое практическое применение находят кристаллы ферритов-гранатов Это обусловлено сочетанием ряда уникальных свойств, присущих этим кристаллам: высокой оптической прозрачностью, большими магнитооптическими эффектами, разнообразием доменных структур, параметрами которых можно управлять в широких диапазонах температур и внешних магнитных полей [1−3]. Подобные свойства, а особенно возможность направленно их изменять, позволяют эффективно использовать ферриты-гранаты в устройствах микроэлектроники, таких как: управляемые транспаранты, магнитооптические модуляторы, запоминающие устройства.

Одним из наиболее распространенных ферритов-гранатов является иттрий-железистый гранат (ИЖГ) — УзРезО^. Этот кристалл по магнитной структуре относится к ферримагнетикам, имеющим две разнонаправленные магнитные подрешетки ионов Ре3+. Он широко применяется в радиотехникев настоящее время ведутся работы по созданию элементов памяти на основе структур, изоморфных ИЖГ [4,5].

Иттрий-железистый гранат является кристаллом кубической симметрии. Легкие оси — направления преимущественной ориентации доменоврасположены по <111>. Это пространственные диагонали куба. Однако, условия роста кристаллов приводят к нарушению регулярной структуры образцов вследствие внедрения примесей. Именно отступление от идеальной структуры, наличие малых немагнитных примесей (например, Б! или Ва) и приводит к появлению «лишних» или «недостаточных» электронов, а значит, ионов или в кристаллографических позициях ионов Бе3*.

Это обуславливает для легированного УзРебОп способность при низких температурах изменять свои магнитные и оптические характеристики в результате освещения. В идеальном кристалле этого не может быть. Разные условия выращивания монокристаллов ведут к появлению примесных дефектов разного типа, а, следовательно, к различным фотомагнитным проявлениям. Например, в образце может отсутствовать перестроение доменной структуры под действием света, но иметь место изменения магнитной проницаемости и кубической анизотропии. Может быть и обратное: фотоиндуцированное перестроение доменой структуры без заметных изменений констант анизотропии. Поэтому выяснение зависимости фотомагнитных свойств УзРез012 от типа легирования представляет большой интерес как с научной, так и с практической точек зрения.

Кроме ИЖГ существуют и другие кристаллы с фотоиндуцированными магнитными эффектами, такие как РеВОз, СёСг28е4. Однако именно в ИЖГ наблюдаемые фотоиндуцированные явления отличаются самым большим разнообразием Кроме того, фотоиндуцированные эффекты в ИЖГ проявляются до более высоких температур, чем в других известных фотомагнитных материалах.

Одним из наиболее ярких проявлений воздействия света на кристаллы ИЖГ является фотоиндуцированное изменение магнитной анизотропии [6,7]. Освещение может изменять как естественную для ИЖГ кубическую анизотропию [8,9], так и приводить к появлению фотоиндуцированной одноосной анизотропии [10,11]. Проявление фотоиндуцированных изменений существенно различно и зависит от типа легирования.

Важная характеристика магнетика, тесно связанная с анизотропиейэто магнитострикция. Изменение формы и размеров кристалла при намагничивании не только часто практически применяется, но и позволяет судить о характере происходящих в нем физических процессов. Вид магнитострикции в чистом ИЖГ хорошо известен. В [2] приводятся данные по температурной зависимости кубических констант магнитострикции и их численные значения при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Однако изучения проявлений фотомагнитного изменения магнитострикции в ИЖГ к моменту начала работы не проводилось.

Целью диссертационной работы являлось исследование под действием освещения магнитоупругих свойств монокристаллов ИЖГ, выращенных из разных растворителей:

1) Ва0-В203. 2) РЬО-РЬР2. 3) РЮ-РЬР2:8Ю2.

В связи с этим решались следующие задачи:

1. Исследование воздействия на величину магнитострикции первоначального освещения, а также ряда последовательных засветок, включая освещение в магнитном поле, действие поляризованным светом, а также светом определенного спектрального состава.

2. Изучение изменения констант магнитострикции под действием освещения в разных условиях.

Для этого была освоена технология фотолитографии в применении к малым магнитным образцам.

Научная новизна работы в том, что получены экспериментальные доказательства изменения магнитострикции вследствие освещения в образцах фотомагнитного ИЖГ, выращенных из разных растворителей: 1) Ва0-В203. 2) РЬО-РЬР2. 3) РЬО-РЬР2:8Ю2. Получены экспериментальные доказательства изменения констант магнитострикции после освещения в образцах, выращенных из растворителей 1 и 3. Экспериментально доказана зависимость изменения констант магнитострикции от условий освещения для образцов, выращенных из растворителя 3: Предложен способ расчета зависимостей магнитострикционной деформации от угла поворота магнитного поля с помощью введения локальных одноосных напряжений.

Практическая ценность. Полученные экспериментальные результаты и модельные представления, используемые для объяснения фотоиндуцированных изменений магнитострикции, могут быть применены в научных исследованиях, а также могут послужить базой для научно обоснованного поиска фотомагнитных материалов с нужными параметрами. Кроме этого, полученные результаты вносят вклад в изучение фотомагнитных свойств реальных кристаллов.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения.

ВЫВОДЫ.

1. Впервые исследовано воздействие света на магнитострикционные деформации монокристаллов иттрий-железистых гранатов и обнаружено фотоиндуцированное изменение констант I магнитострикции в образцах ИЖГ: Ва и ИЖГ:$ 1,.

2. Во всех исследованных образцах обнаружено уменьшение магнитострикционных деформаций в направлениях <111> и <100> на зависимостях магнитострикции от напряженности магнитного поля.

3. Показано, что фотоиндуцированные изменения магнитострикции для исследованных образцов могут реверсивно изменяться при повторном освещении в насыщающем магнитном поле с выделением определенных кристаллографических направлений.

4. Показано, что для образца ИЖГ: РЬ и ИЖГ:81 наблюдается изменение магнитострикции от ориентации вектора Е при воздействии поляризованным светом.

5. В обрацах ИЖГ:81 обнаружено фотоиндуцированное изменение константы магнитострикции Хщ в зависимости от спектрального состава воздействующего света.

Результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Веселаго В. Г., Дорошенко Р. А., Воробьева Н. В. Фотоиндуцированное изменение магнитострикции в ИЖГ. Тезисы докладов X Всесоюзной школы-семинара «Новые магнитные материалы для микроэлектроники», Рига, 1986, ч. II, стр.306−307.

2. Веселаго В. Г., Воробьева Н. В., Дорошенко Р. А. Фотоиндуцированное изменение магнитострикции в ИЖГ. Письма в ЖЭТФ, 1987, т.45, стр. 402−404.

3. Воробьева Н. В., Дорошенко Р. А. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в монокристаллах ИЖГ. XIX Всесоюзная конференция по физике магнитных явлений. Тезисы докладов. i.

Ташкент. 1991, ч.1, с. 75.

4. Vorobyova N.V., Doroshenko R.A., Seryogin S.V. Photoinduced Magnetoelastic Effects in YIG Single Crystals. Intern. Symp. Magn.-Optics. Kharkov. USSR. 1991. P.34.

5. Vorobyova N.V., Doroshenko R.A. Photoinduced Magnetostrictive Changes in YIG (Si) Single Crystals. EMMA, 1993, Kosica CSFR.

6. Воробьева H.B., Дорошенко P.A. Фотоиндуцированное изменение магнитострикции в монокристаллах EDKT (Si). XIV школа-семинар

Новые магнитные материалы для микроэлектроники". Тезисы i докладов. Москва, 1994, ч. III, стр. 57.

7. Воробьева Н. В., Дорошенко Р. А. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в иприй-железистых гранатах. Первая объединенная конференция по магнитоэлектронике. Тезисы докладов. Стр. 96−97. Москва, 1995.

8. Дорошенко Р. А., Воробьева Н. В. Фотоиндуцированное изменение магнитострикции в иттрий-железистых гранатах. В сб. Структурные, магнитоупругие и динамические эффекты в упорядоченных средах. Уфа, 1997 г., из-воБашГУ, 213 стр., стр.36−48.

97 I.

9. P.A. Дорошенко, М. Д. Надеждин, Н. В. Воробьева. Фотиндуцированные спектрально-зависимые изменения магнитострикции и оптического поглощения в ИЖГ. «Новые материалы магнитоэлектроники». Тезисы докладов XV Всероссийской щколы-семинара 18−21 июня 1996 года. Москва, стр. 280.

10.Doroshenko R., Seregin S., Vorobyova N., Nadejdin M., Chulga N. Photoinduced Magnetic Phenomena in YIG Single Crystals. Abstracts ISF7, Bordeaux, 1996.

11.P.A. Дорошенко, М. Д. Надеждин, Р. З. Халилов, Н. В. Воробьева. Спектрально-зависимые фотоиндуцированные изменения магнитных и оптических свойств Y3Fe50i2: Si и Y3Fe50i2'.Ba. «Новые материалы магнитоэлектроники». Тезисы докладов XVI Международной щколы-семинара 23−26 июня 1998 года. Москва, часть II, стр.654−655.

12.Н. В. Воробьева, Р. А. Дорошенко. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в монокристаллах Y3Fe50i2. Физика низких температур, 1999, т. 25, № 5, с. 478−480.

13.N.V. Vorobjeva and R.A. Doroshenko. Spectral-Dependent Photoinduced Magnetostrictive Changes in Y3Fe50i2 Single Crystals. Phys. stat. sol. (a) 175, № 2, p. 677−682 (1999).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Были обнаружены и измерены фотоиндуцированные изменения магнитострикции в монокристаллах иттрий-железистого гранатов, содержащих немагнитные примеси Ва, Si, Pb. Измерения в основном проводились при температуре жидкого азота и при комнатной температуре с помощью пленочных хромовых тензодатчиков, сформированных непосредственно на поверхности кристалла методом фотолитографии или напыленных через маску.

2. Разработан способ измерения магнитострикции мостовым методом при положении образца непосредственно в жидком азоте. Разработана технология фотолитографии на малых магнитных образцах.

3. С помощью модели, включающей напряжения, вызываемые активными фотомагнитными центрами, представляющие собой иновалентные ионы железа Fe2+ или Fe4+, проведен параметический расчет экспериментальных кривых, достигнуто хорошее согласие с экспериментом. Учтено возможное расположение центров и их передвижение в результате освещения.

4. Получены выражения для аналитического описания кривых угловой зависимости магнитострикции в плоскости (110). Эти выражения отличаются от обычного вида описания магнитострикции в кубических кристаллах и имеют вид для направления измерения [111]:

AL/Lui-AL/L^—Я.Ц1 • [l-(l/2)sin2|/-(l/V2)sin2vj/]+?ia • [(2/3)-sinV], для направления измерения [001]: AL/Lioo-AL/L4,= (3/2)A.ioo sin2y+A, I00o sm2y где Яш, Яюоэффективные константы магнитострикции для примесесодержащего кристалла, Хс — коэффициенты при некубических членах.

5. При температуре жидкого азота исследованы зависимости магнитострикционных деформаций от величины или направления магнитного поля для образца ИЖГ: РЬ вдоль направления <111>. Угловая зависимость вследствие воздействия света остается неизменной. Изменения полевых зависимостей согласуются с наблюдаемым перестроением доменной структуры кристалла после освещения. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в этих образцах обусловлены перестроением доменной структуры.

6. Для ИЖГ: Ва при температурах, начиная от комнатной и вплоть до I температуры жидкого азота исследованы полевые и угловые зависимости магнитострикционных деформаций вдоль направлений типа <100> и <111>. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в образцах ИЖГ: Ва обусловлены изменением констант магнитострикции. Константа магнитострикции А, ш уменьшается после воздействия белого или красного света, (длина волны менее 1 мкм) что отнесено к уменьшению напряжений в образце после освещения в результате перехода фотоактивных центров Ре4+ из «ближних» к немагнитному иону примеси в «дальние» позиции.

7. Исследованы полевые и угловые зависимости магнитострикционной деформации в образцах ИЖГ:81. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в образцах ИЖГ^ связаны как с изменением доменной структуры, так и с изменением констант магнитострикции.

8. Для ИЖГ:81 обнаружена зависимость изменения константы магнитострикции А, ш от направления насыщающего магнитного поля в процессе освещения, а также от спектрального состава света. После воздействия ИК светом при приложении по [001] внешнего насыщающего магнитного поля Н параметр Аш возрастает по величине, после воздействия красным светом в поле по [001]- уменьшается. После воздействия белым светом в поле по [001] существенно уменьшается, после повторного освещения в поле по датчику несколько возрастает относительно уменьшенной величины.

9. Изменения константы магнитострикции? чи в ИЖГ:81 связаны с возникновением или перераспределением активных фотомагнитных центров Бе2+ в октаэдрических кристаллографических позициях, симметричных относительно направлений типа <111>. Уменьшение А-ш связывается с увеличением числа ионов Ре2+ в октаэдрических позициях (возрастание упругих напряжений растяжения), увеличение — с перераспределением этих ионов и уменьшением вызываемых ими упругих напряжений растяжения.

10. Способом моделирования изменения упругих напряжений вдоль кристаллографических осей вследствие появления или перераспределения активных центров получены выражения для реальных констант магнитострикции примесесодержащих кристаллов ИЖГ. Для ИЖГ: Ва.

А.юо==А, юотабл+(2/27)(Ь|/а1)(А-2е) Для ИЖГ: 81 ш=А, 111табл+(2/9)А[(Ь1/а1И2/3)(Ь2/а2)]-(16/27)К (Ь2/а2) Х1оо=^1ооТай,+(2/27)(Ь1/а1)(А-28)+(2/3)Ь,(1-К1тет/а1) здесь К — симметричная часть напряжений по тригональным осям, Аасимметрия напряжений для тригональных осей в плоскости (110), 8 -асимметрия напряжений для тригональных осей, не принадлежащих плоскости измерения, К1^ - симметричная часть напряжений по Тябл, А той]! тетрагональным осямА, юо ., А, ш — константы магнитострикции чистого ИЖГ.

11. Наиболее существенные фотоиндуцированные изменения констант магнитострикции, относимые к передвижению активных центров, связаны с изменением симметричной части напряжений по тригональным осям К. Для ИЖГ:81 К>0 (напряжения растяжения), для ИЖГ: Ва К<0 (напряжения сжатия).

Показать весь текст

Список литературы

  1. С. Крупичка. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. «Мир», Москва, 1976, т. 1,2.
  2. Е.В. Кузьмин, Г. А. Петраковский, Э. А. Завадский. Физика магнитоупорядоченных веществ. «Наука». Новосибирск. 1976, стр. 144 154.
  3. Dillon J.F., Gyorgy Е.М., Remeika J.P. Photoinduced Magnetic Anisotropy and Optical Dichroism in Silicon- Doped Yttrium Iron Garnet. Phys. Rev. Lett., 1969, v.22, p.643−645.
  4. A.B., Гусев М. Ю., Лысак B.B., Неустроев Н. С., Савченко С. Н. Термомагнитная запись в эпитаксиальных пленках Bi- замещенных гранатов. Ж. техн. физ. 1991,61, № 5, с.137−139.
  5. A.A. Айрапетов, М. В. Логунов, В. В. Рандошкин, В. И. Чани. Пленки (Yb, Bi)3(Fe, Ga)50i2 с повышенным гиромагнитным отношением. Письма в ЖТФ, том 18, вып.2,26 января 1992 года.
  6. P.A.' Дорошенко, М. С. Сетченков, И. В. Владимиров, В. А. Тимофеева. Фотоиндуцированная магнитная анизотропия в монокристаллах иттрий-железистых гранатов. ФТТ, т.34, № 2, вып.2,1992.
  7. В.Г., Владимиров И. В., Дорошенко P.A., Сетченков М. С. Фотоиндуцированная магнитная анизотропия в монокристаллических пленках иттрий-железистого граната. ФТТ, 1989, т.31, № 2, с.272−274.
  8. P.A. Дорошенко. Анизотропные центры в иттрий-железистых гранатах. Тезисы докл. семинара по магнитоэлектронике. Симферополь, 1991, с. 31.
  9. P.A.- Дорошенко. Фотомагнитные явления в иттрий-железистых гранатах. Труды ИОФАН, т.44,1992, стр. 105−147.
  10. Teale R.W., Temple D.W. Photomagnetic Anneal, a New Magnetooptic Effect in Silicon- Doped Yttrium Iron Garnet. Phys. Rev. Lett., 1967, v. 19, p.904−905.
  11. Pearson R., Annis A., Kompftier P. Photomagnetic Anneal Properties of Silicon- Doped Yttrium Iron Garnet. Phys. Rev. Lett. B, 1968, v.21, p. 1 SOSISO?.
  12. H.B. Гранная морфология кристаллов в свете их тонкойструктуры. Кристаллография. 1958, т. З, вып.2, стр.225−227.
  13. Н.В. Очерки по структурной минералогии. Москва, «Недра», 1976, 344стр., стр. 70.
  14. Eastman D.E. Measurement of Third-Order Elastic Moduli of Yttrium Iron Garnet. J. Appl. Phys., 1966, v.37,№ 6, p.2312−2316.
  15. S. Geller and M.A. Giller. The Crystal Structure and Ferrimagnetism of Yttrium-Iron Garnet. J. Phys.Chem. Solids, Pergamon Press, 1957, v.3, pp.30−36.
  16. В.А. Рост кристаллов из растворов-расплавов. М. «Наука», 1978'.
  17. С.Ф. Искусственные кристаллы граната. М. «Наука», 1982, 96 стр., стр. 8.
  18. К.П. Магнитострикционные явления и их технические приложения. М. «Наука». 1987.
  19. С. Тикадзуми. Физика ферромагнетизма. М. Мир. 1987.
  20. J.C. Slonczewski. Anisotropy and Magnetostriction in Magnetic Oxides. Journal of Applied Physics, v.32, № 3, March 1961, p.253.
  21. J.C. Slonczewski. Theory of Magnetostriction in Cobalt-Manganese Ferrite- The Physical Review Second Series, v. 122, № 5, Junel, 1961, p. 1367.
  22. J.C. Slonczewski. Journ. Appl. Phys. 32, 253S, 1961.
  23. J.C. Slonczewski. Origin of Magnetoelastic Effects in Cobalt-Iron Ferrite. J.Phys.Chem.Solids. 1960, v. 15, p.335−353.
  24. J.C. Slonczewski. Anisotropy, Other Than in Thin Films. Journal of Applied Physics, v.30, № 4, April 1959, p.310s.
  25. C.B. Вонсовский, Я. С. Шур. Ферромагнетизм. JI. 1948, стр.263−273.
  26. C.B. Вонсовский. Магнетизм. M. «Наука», 1971.
  27. Gersdorf R., Uniform and Non-Uniform Form Effect in Magnetostriction. Physica 26 (8) 553 (1960).
  28. Gersdorf R, Stoelinga J.H.M., Rathenau G.W. Measurements of the NonUniform Form Effect in Magnetostriction. Physica 27 (4) 381 (1961).
  29. Lee E.W. Magnetostriction and Magnetomechanical Effects. Rep. Progr. Phys.18 (1955) 184.
  30. Kanamori J. Magnetism. 1,127 (1963).
  31. Г. А. Петраковский. Магнитострикция ферритов. Известия АН СССР, серия физ. t. XXXIV, № 5, стр. 1052
  32. Г. А. Петраковский, Э. М. Смокотин, А. И. Панкрац. Магнитоупругая связь, в магнитодиэлектриках. Известия АН СССР, т.42, № 8, стр. 1753.
  33. Gerald F. Dionne. Origin of the Magnetostriction Effects from Mn3+, Co2+ and Fe Ions in Ferrimagnetic Spinels and Garnets. J. Appl. Phys., 50(6), June 1979, p.4263.
  34. Tucciarone A. Physics of Magnetic Garnets. LXX Cors. Soc. Ital. di Fisica. Bologna. Italy, 1978, p. 320−363.
  35. Earl R. Callen, Herbert B. Callen. Static Magnetoelastic Coupling in Cubic Crystals. Physical Review, v.129, № 2, 15 January 1963, p. 578.
  36. E.R. Callen, A.E. Clark, B. DeSavage, W. Collman, H.B. Callen. Magnetostriction in Cubic Neel Ferrimagnets with Application to YIG- Phys. Rev., June 1963, v.130, № 5, p.1735−1740.37.1ida S. Phys. Society Japan, 1967, v.22, p. 1201.
  37. И.М. Лившиц. Физика реальных кристаллов и неупорядоченных систем. «Наука». 1987, стр.317−319.
  38. Р.Ф- Альмухаметов, К. П. Белов, Н. В. Волкова. Магнитострикция итгрий-туллиевых ферритов-гранатов- ФТТ 1984, т.26, № 3, стр. 773.
  39. Р.Ф. Альмухаметов, К. П. Белов, Н. В. Волкова. Магнитострикция иттрий- неодимовых ферритов-гранатов. ФТТ, т.25, вып. 5,1983, стр. 1499.
  40. К.П. Редкоземельные магнетики и их применение. М. «Наука». 1980.
  41. Белов К. П, Катаев В. И., Левитин Р. З., Никитин СЛ., Соколов В, И, Гигантская магнитострикция. УФН, 1983, т. 140, вып.2.48.3вездин А.К., Матвеев В. М., Мухин А. А., Попов А. И,. Редкоземельные ионы в магнитоупорядоченных кристаллах. М. «Наука», 1985.
  42. Л.М, Протопопова, Г. А. Петраковский, Э, М. Смокотин, Р. А. Петров, л I
  43. Магнитоупругая связь ионов Со в структуре итгриевого феррита-грацата- ФТТ, т, 15, вып. 11, 1973, стр. 3290,
  44. Р. Hansen, W Tolksdorf and J. Schuldt. Anisotropy and Magnetostriction of Germanium-Substituted YIG. J.Appl.Phys., v.43, № 11, November 1972, p.4740.
  45. D.R. Mack, J. Smith. Magnetostriction of Si-Doped YIG at Low Temperatures. Applied Physics 2,23−25,1973.
  46. P. Hansen. Magnetostriction of Fe11 Ions in Yttrium Iron Garnet. Journal of Applied Physics v.48, № 2, p.801 (1977).
  47. К.Й. Кугель, Д. И. Холмский. Эффект Яна-Теллера и магнетизм соединений переходных металлов. УФН, 1982, т, 136, в, 4, стр. 621.
  48. D.L. Wood and J.P. Remeika. Effect of Impurities on the Optical Properties of Yttrium Iron Garnet. Journal of Applied Physics, v.38, № 3, 1967, p. 1038.
  49. Sharp B.T., Teale R.W. Photoinduced Changes in the Magnetic Anisotropy in Silicon- Doped Yttrium Iron Garnet. J. Phys., 1974, v. C7, p.965−978.
  50. Flanders P., Graham C., Dillon J.F., Gyorgy E.M., Remeika J.P. Photoinduced Changes in the Crystal Anisotropy of Silicon- Doped Yttrium Iron Garnet. J. Appl. Phys., 1971, v.42, p. 1443−1445.
  51. HaVkes J.F.B., Teale R.M. Magnetization Switching by Infrared Irradiation. J. Phys. Chem. Ser. C., 1972, v.5, p.2200−2204.
  52. Gyorgy E.M., Dillon J.F., Remeika J.P., Photoinduced Magnetic Effects in YIG (Si). IBM. J. Res. Dev., 1970, v, 14, p.321−329.
  53. Alben R., Gyorgy E.M., Dillon J.F., Remeika J.P. Polarization-Dependent Photoinduced Effect in Silicon-Doped Yttrium Iron Garnets. Physical Review B, 1972, v.5,p.2560−2577.
  54. В.Ф., Куц П.С., Сохацкий В. П. Поляризационно-зависимое фотоиндуцированное изменение доменной структуры в пластине Y3Fe5, xSix012. ФТТ, 1982, т.24, в.1, с.145−148.
  55. Р.А., Сетченков М. С. Фотоиндуцированные в магнитных полях доменые структуры иттрий-железистых гранатов. Тезисы докл. XIX Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений. Ташкент. 1990, ч.2, с. 65.
  56. И.В., Дорошенко Р. А., Сетченков М. С. Фотоиндуцированные доменные структуры в монокристаллических пленках иттрий-железистого граната. ФТТ, 1988, т.30, в.9, с.2834−2836.
  57. В.Г., Владимиров И. В., Дорошенко Р. А., Сетченков М. С. Трансляционное движение доменых границ в иттрий-железистом гранате при воздействии света. ФТТ, 1987, т.29, в.9, с.2756−2762.
  58. В.Г., Владимиров И. В., Дорошенко P.A., Сетченков М. С. Фотоиндуцированные явления в магнитоупорядоченных кристаллах. Статика и динамика доменной структуры в фотомагнитных ИЖГ. Препринт № 56, ИОФАН СССР, стр. 61.
  59. И.В., Дорошенко P.A. Магнитные фазовые диаграммы кубических магнетиков (Ki>0) с комбинированной наведенной анизотропией. ФТТ, 1991, т. ЗЗ, в.11, с.3402−3405.
  60. И.В., Дорошенко P.A. Спин-переориентационные фазовые переходы и устойчивые состояния 180° блоховской ДГ в пластине (001) кубического магнетика с комбинированной наведенной анизотропией. ФММ, 1993, т.75,вып.3., с. 19−24.
  61. Lems W. Rinjierse PI, Bongers P.F., Enz U., Physical Review Letters, v.24, 1969.
  62. Enz U., van der Heide H. The New Manifestation of the Photomagnetic Effect. Solid State Commun., 1968, v.6, № 4, p.347−349.
  63. P.A., Халилов Р. З. Фотоиндуцированные изменения динамических магнитных свойств в ИЖГ. Труды II Всесоюзной школы-семинара. Саратов, 1988, стр. 13−14.
  64. В.Г., Дорошенко P.A., Халилов Р. З., Тимофеева В. А. Фотоиндуцированное изменение магнитной проницаемости в монокристаллах Y3FesOi2 при комнатной температуре. Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, № 7, с.34−36.
  65. Barfeto F.C., Reik H.G., Schirmer R. Analysis of Dichroism and Torque Data in YIG (Si) in Terms of Small Polaron Theory. Sol. St. Commun., 1973, v.12, p.231−235.
  66. G.B. Scott, D.E. Lacklison and J.L. Page. Absorption Spectra of Y3Fe50i2 (YIG) and Y3Ga50i2: Fe3+. Phys. Rev. В., v.10, № 3, p.971−985.
  67. G.B. Scott and J.L. Page. The Absorption Spectra of Y3FesOi2 and Y3Ga5Oi2: Fe3+ to 5.5 eV. Phys. Stat. Sol.(b) 79, 203,1977.
  68. S.H. Wemple, S.L. Blank, J.A. Seman, W.A. Bidsi. Optical Properties of Epitaxial Iron Garnet Thin Films. Phys. Rev. В., v.9, № 5, 1974, p.2134.
  69. Dor6shenko R.A., Nadejdin M.D. Photoinduced changes optical absorption coefficient in single-crystal YIG.// Intern. Symp. Magn.-Optics. Kharkov. USSR. 1991. P.35.
  70. R.A. Doroshenko, M.D. Nadejdin. The Dependence of Photoinduced Absorption in YIG from a Wavelength of Photoexcitation. EMMA, 1993, Kosica CSFR.
  71. М.Д., Дорошенко P.А. Спектральная чувствительность фотоиндуцированного оптического эффекта в ИЖГ. В сб. Структурные, магнитоупругие и динамические эффекты в упорядоченных средах. Уфа, 1997 г., из-во БашГУ, 213 стр., стр. 149−160.
  72. Р.А., Надеждин М. Д. Фотоиндуцированные изменения оптического поглощения в монокристаллах ИЖГ.// Тезисы докл. Ташкент. 1991. 4.1. С. 37.
  73. С.В., Дорошенко Р. А. Фотоиндуцированное изменение ЯМР Fe в Y^FesOij. Труды II Всесоюзной школы-семинара. Саратов. 1988, стр. 17−18.
  74. J.F. Dillon, Jr.E.M. Gyorgy and J.P. Remeika. Photoinduced Strain in Silicon-Doped Yttrium Iron Garnet (YIG (Si)). Applied Physics Letters, v. 15, № 7, Oct. 1969, p.221.
  75. В.Ф. Коваленко, C.H. Ляхимец. Температурная зависимость фотоиндуцированного спин-переориентационного эффекта в YsFesO^. ФТТ 1984, т.26, № 10, стр. 3014.
  76. Hunt R.P. Magnetic Annealing Effects in Silicon- Doped Garnets. J. Appl. Phys., 1967, v.34, № 1, p.2826−2836.
  77. P.A., Серегин C.B., Фахретдинова P.C., Тимофеева В. А. Фотоиндуцированное изменение ЯМР 57Fe в Y3Fe50i2. Письма в ЖЭТФ, 1989, т.50, в. З, стр.130−132.
  78. Metselaar R. in: Ferrites: IAEA-SMR-20/35 1975, p.180−201.
  79. Enz U., Lems W., Metselaar R. Photomagnetic Effects. IEEE Trans. Magn., 1969, v.5, № 3, p.467−475.
  80. А.А. Минаков, И. В. Швец. Магнитострикция монокристаллов системы ZnxCdi. xCr2Se4. Труды ИОФАН, т.37, 1992, стр.37−65.
  81. Технология тонких пленок. Справочник под ред. Л. Майсела, Р. Глэнга. М. «Советское радио», 1977, т.1, гл. 1,2,7- т.2, гл. 9,11,13,18.
  82. Р. Берри, П. Холл, М. Гаррис. Тонкопленочная технология. М. «Энергия», 1972.
  83. Н.К. Иванов-Есипович. Инженерные основы пленочной микроэлектроники. Ленинград. «Энергия», 1968.
  84. И.В. Швец, А. А. Минаков. Фотолитография на образцах малых размеров. ИОФАН СССР, препринт № 77,1986.
  85. И.В. Швец, А. А. Минаков, В. Г. Веселаго. Измерение магнитострикции при помощи пленочного микротензодатчика. ИОФАН СССР, препринт № 98,1987.106i
  86. O.B. Ершов, И. А. Зайцев, A.A. Минаков, И. В. Швец. Методы исследования неупорядоченных магнетиков. Труды ИОФАН, т.37, 1992, стр.3−36.
  87. Г. Шиллинг. Статистическая физика в примерах. Москва, «Мир», 1976.
  88. Таблицы физических величин. Справочник под ред. акад. Кикоина. Москва, «Атомиздат», 1976.
  89. Р. А. Дорошенко, М. Д. Надеждин. ФТТ т.38, 3075, 1996.
  90. В.А. Зайкова, Я. С. Шур, Физ. металлов и металловедение, 16, № 4, 614, 1963,
Заполнить форму текущей работой

На отлично!