Параметры транзисторов и их определение по вольтамперным характеристикам

Мы привыкли к аналитическому решению, так как умеем определить поведение функции в интервалах изменения ее переменных. По этой причине для вычисления коэффициентов усиления транзисторов вводят числовые параметры транзисторов, считая входные и выходные сигналы настолько малыми, что характеристики (вблизи точки А) практически линейны. Для точки, А графически можно определить производные (тангенс угла наклона касательной в точке, А на входной или выходной характеристиках). Наибольшее применение нашли параметры, физическая сущность которых ясна по их размерности:

h₁₁ = Uвх/Iвх при Uвых = const — входное дифференциальное сопротивление транзистора (оно в зависимости от способа включения транзистора составляет десятки Ом — единицы кОм);

h21= Iвых/Iвх при Uвых = const — коэффициент усиление по току. Для схемы с общим эмиттером h21ОЭ = >>1 этот коэффициент больше единицы. Его приводят в справочниках. Этот коэффициент связан с коэффициентом h21ОБ = передачи тока в схеме с общей базой соотношением.

• (4)
• — h₁₂ = Uвх/Uвых при Iвх = const — коэффициент обратной связи по напряжению (у хороших транзисторов его величина мала);
• — h₂₂ = Iвых/Uвых при Iвх = const — выходная дифференциальная проводимость транзистора (по графику видно, что выходные характеристики транзистора практически параллельны оси напряжений, потому эта проводимость очень мала). Выходное сопротивление обратно пропорционально проводимости и составляет для схемы с общей базой единицы Мом (для схемы с общим эмиттером десятки и сотни килоом).

Для определения параметров транзистора по его вольтамперным характеристикам нужно:

• — выбрать рабочую точку А;
• — через точку провести касательную одним из методов, с которыми вас познакомили в курсе начертательной геометрии и графики;
• — на касательной, как на гипотенузе, построить прямоугольный треугольник и записать координаты его углов;
• — используя определения h — параметров вычислить их числовые значения.